JP2008131007A - 発光回路及びこれを備えた照明装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子がオープン故障した場合の発熱量を、発光素子が正常に動作する場合の発熱量より低減することができる発光回路及びこれを備えた照明装置を提供する。
【解決手段】直列に接続された複数個のＬＥＤ素子２と、複数個のＬＥＤ素子２のうち個々のＬＥＤ素子に並列に接続され、複数個のＬＥＤ素子２の何れか１つのＬＥＤ素子がオープン故障したことを検出する抵抗素子１４Ａ，１４Ｂと、複数のＬＥＤ素子２のうち個々のＬＥＤ素子に並列に接続され、抵抗素子１４Ａ，１４Ｂの検出結果に基づいて導通する制御整流素子１３とを有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、発光回路及びこれを備えた照明装置に関し、特に発光素子として発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）素子を直列に複数個接続して用いた発光回路及びこれを備えた照明装置に関する。

近年、大電流（数百ｍＡ以上）を流せるＬＥＤ素子の出現に伴い、非常に明るい光源の製品化が実現できるようになってきた。特にＬＥＤ素子を照明装置に使用する場合、電源として商用電源を用いることが多く、電力を効率的に利用するためには多数のＬＥＤ素子を直列に接続して使用することが効果的である。

しかし、多数のＬＥＤ素子を直列に接続して照明装置に使用する場合、点灯時に１個のＬＥＤ素子がオープン故障すると、他の全てのＬＥＤ素子が消灯してしまう。このため、１個のＬＥＤ素子がオープン故障した場合に他のＬＥＤ素子に影響を与えない（消灯しない）照明装置であることが要求される。

従来、１個のＬＥＤ素子のオープン故障が他のＬＥＤ素子に影響を与えないようにした照明装置としては、図９に示すように個々のＬＥＤ素子８１（１個のみ図示）と極性を逆にしてツェナーダイオード８２を並列に接続してなるものが知られている（特許文献１）。

これは、ＬＥＤ素子の順方向電圧（ＶＦ）よりも少し高い電圧で動作するツェナーダイオードを用い、１個のＬＥＤ素子がオープン故障した場合にツェナーダイオードに電流を供給することにより、オープン故障した１個のＬＥＤ素子以外の他のＬＥＤ素子（１個のＬＥＤ素子に直列に接続されたＬＥＤ素子）に所定の電流を供給し、これら他のＬＥＤ素子を点灯させるものである。
特開２００２−２９９６９５号公報

しかしながら、特許文献１の照明装置によると、１個のＬＥＤ素子の順方向電圧より高い電圧（ＬＥＤ素子のＶＦ値のばらつき及びツェナーダイオードのリーク電流を考慮すると、例えばＬＥＤ素子のＶＦ値の約１．５倍程度の電圧）で動作するツェナーダイオードを使用するものであるため、ツェナーダイオードに電流を供給する場合にはその発熱量が１個のＬＥＤ素子の発熱量より多くなり、１個のＬＥＤ素子がオープン故障した場合の発熱量が、ＬＥＤ素子が正常に動作する場合の発熱量と比べて多くなるという問題があった。このことは、ＬＥＤ素子が大電流ＬＥＤ素子である場合には特に顕著である。

従って、本発明の目的は、発光素子がオープン故障した場合の発熱量を、発光素子が正常に動作する場合の発熱量より低減することができる発光回路及びこれを備えた照明装置を提供することにある。

（１）本発明は、上記目的を達成するために、直列に接続された複数個の発光素子と、前記複数個の発光素子のうち個々の発光素子または前記複数個より小なる複数個の発光素子に並列に接続され、前記個々の発光素子または前記小なる複数個の発光素子の何れか１つの発光素子がオープン故障したことを検出する検出回路と、前記個々の発光素子または前記小なる複数個の発光素子に並列に接続され、前記検出回路の検出結果に基づいて導通するバイパス回路とを有することを特徴とする発光回路を提供する。

（２）本発明は、上記目的を達成するために、電源電圧の供給を受けて発光する発光回路と、前記発光回路に前記電源電圧を供給する電源回路とを備えた照明装置において、前記発光回路は、直列に接続された複数個の発光素子と、前記複数個の発光素子のうち個々の発光素子または前記複数個より小なる複数個の発光素子に並列に接続され、前記個々の発光素子または前記小なる複数個の発光素子の何れか１つの発光素子がオープン故障したことを検出する検出回路と、前記個々の発光素子または前記小なる複数個の発光素子に並列に接続され、前記検出回路の検出結果に基づいて導通するバイパス回路とを有することを特徴とする照明装置を提供する。

本発明によると、発光素子がオープン故障した場合の発熱量を、発光素子が正常に動作する場合の発熱量より低減することができる。

[第１の実施の形態]
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る照明装置（スイッチング定電流回路による点灯回路）の全体を示す回路図である。図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る照明装置の一部（発光回路）を示す回路図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）の変形例を説明するために示す回路図である。図３（ａ）は、図２の一部を拡大して示す回路図である。図３（ｂ）及び（ｃ）は、図３（ａ）の変形例を説明するために示す回路図である。

（照明装置の全体構成）
図１において、符号１で示す照明装置は、電源電圧の供給を受けて発光するＬＥＤ素子２を有する発光回路３と、発光回路３に電源電圧を供給する交流電源４を有する電源回路５と、電流検出用抵抗素子６に通電する定電流を検出してスイッチング用のＦＥＴ（Field Effect Transistor：電界効果トランジスタ）７をＯＮ・ＯＦＦ制御するコントローラ８を有する制御回路９とから大略構成されている。

（発光回路３の構成）
発光回路３は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２，ファースト リカバリー ダイオード１０及びコイル１１を含み、さらに制御整流素子１３及び抵抗素子群１４を備えている。

ＬＥＤ素子２は、例えば６０個の白色ＬＥＤ素子からなり、直列に接続されている。ファースト リカバリー ダイオード１０は、コイル１１に蓄えられたエネルギーをＦＥＴ７のＯＦＦ時に電流としてＬＥＤ素子２に流す。コイル１１は、ファースト リカバリー ダイオード１０を流れる電流をＦＥＴ７のＯＮ時にエネルギーとして蓄える。

制御整流素子１３は、図２（ａ）及び図３（ａ）に示すように、バイパス回路としてのサイリスタからなり、個々のＬＥＤ素子２に並列に接続されている。そして、後述する検出回路の検出結果に基づいて導通する。すなわち、制御整流素子１３は、抵抗素子群１４の一部（抵抗素子１４Ａ，１４Ｂ）によって分圧された電圧（抵抗素子１４Ａ，１４Ｂの接続点における電圧）が所定の電圧以上である場合に動作する。

抵抗素子群１４は、ＬＥＤ素子２に対する印加電圧を分圧する第１の抵抗素子１４Ａ，第２の抵抗素子１４Ｂ、及び制御整流素子１３の破壊を防止する抵抗素子１４Ｃから構成されている。抵抗素子１４Ａは、一方側端子がＬＥＤ素子２のアノード端子及び制御整流素子１３のアノード端子に、また他方側端子が抵抗素子１４Ｂにそれぞれ接続されている。図２（ｂ）に示すように、抵抗素子１４Ａの代わりに、検出電圧で動作するツェナーダイオード１４０Ａを用いることが可能である。抵抗素子１４Ｂは、一方側端子がＬＥＤ素子２のカソード端子及び制御整流素子１３のカソード端子に、また他方側端子が抵抗素子１４Ａにそれぞれ接続されている。そして、抵抗素子１４Ｂは、抵抗素子１４Ａと共に複数のＬＥＤ素子２のうち何れか１つのＬＥＤ素子がオープン故障したことを検出するように構成されている。抵抗素子１４Ｃは、一方側端子が抵抗素子１４Ａ，１４Ｂの各他方側端子に、また他方側端子が制御整流素子１３のゲート端子にそれぞれ接続されている。

（電源回路５の構成）
電源回路５は、交流電源４，整流ダイオード１７及び平滑コンデンサ１８Ａ，１８Ｂを備えている。交流電源４には、例えばＡＣ１００Ｖ又は２００Ｖの商用交流電源が用いられる。整流ダイオード１７は、４個のダイオードでブリッジダイオードを構成し、交流電源４からの電流の波形を整流する。平滑コンデンサ１８Ａ，１８Ｂは、整流ダイオード１７で整流した電流の波形を平滑する。これにより、例えばＡＣ２００Ｖの交流が約２８０Ｖの直流に変換される。

（制御回路９の構成）
制御回路９は、電流検出用抵抗素子６，ＦＥＴ７及びコントローラ８を備えている。電流検出用抵抗素子６は、電源回路５からの電流がＦＥＴ７のＯＮ状態において流れ、そのＯＦＦ状態においては流れない構成とされる。ＦＥＴ７は、コントローラ８の制御によってＯＮ・ＯＦＦ状態とされる。コントローラ８は、前述したように電流検出用抵抗素子６に通電する定電流を検出してＦＥＴ７をＯＮ・ＯＦＦ制御する。

（照明装置１の動作）
本実施の形態に示す照明装置１においては、ＡＣ２００Ｖの交流電源４が、抵抗値を６．８ｋΩとする抵抗素子１４Ａ及び抵抗値を１ｋΩとする抵抗素子１４Ｂ，１４Ｃがそれぞれ用いられる。また、制御整流素子１３のゲート電圧が０．８Ｖ以上でアノード端子とカソード端子との間がＯＮ状態となるものとする。

先ず、例えばＡＣ２００Ｖの交流電源４からの交流が整流ダイオード１７で全波整流され、さらに平滑コンデンサ１８で平滑化され、約２８０Ｖの直流に変換される。次に、コントローラ８によってＦＥＴ７がＯＮ状態となると、電流がＬＥＤ素子２→コイル１１→ＦＥＴ７→電流検出用抵抗素子６を流れ、ＬＥＤ素子２が点灯する。そして、電流検出用抵抗素子６に発生する電圧によって所定量の電流が流れていることが検出されると、ＦＥＴ７がＯＦＦ状態となる。この場合、ＦＥＴ７のＯＮ時にコイル１１にエネルギーとして蓄えられた電流がコイル１１→ファースト リカバリー ダイオード１０→ＬＥＤ素子２に流れ、ＬＥＤ素子２の点灯状態が維持される。但し、ＬＥＤ素子２への電流は少しずつ減少するため、一定時間後にはコントローラ８によってＦＥＴ７がＯＮ状態となる。このため、電流がＬＥＤ素子２→コイル１１→ＦＥＴ７→電流検出用抵抗素子６を流れ、ＬＥＤ素子２が点灯する。このようにして、ＬＥＤ素子２には常に略一定の電流が流れる。

ここで、ＬＥＤ素子２が正常に動作している場合には、例えばＬＥＤ素子２のＶＦ値を３Ｖとすると、抵抗素子１４Ａ，１４Ｂで分圧された電圧が約０．３８Ｖとなり、制御整流素子１３のアノード端子とカソード端子との間はＯＦＦ状態のままである。

一方、例えば一のＬＥＤ素子２がオープン故障を起こし、このＬＥＤ素子２の両端に６．２４Ｖ以上の電圧が印加された場合には抵抗素子１４Ａ，１４Ｂで分圧された電圧が０．８Ｖを超え、制御整流素子１３のアノード端子とカソード端子との間がＯＮ状態となる。すなわち、オープン故障したＬＥＤ素子２の両端は、制御整流素子１３で短絡状態となる。このため、オープン故障したＬＥＤ素子２以外の他のＬＥＤ素子（正常に動作可能なＬＥＤ素子）２に対する電源回路５からの電流の供給は続行される。

この状態から電流の供給を遮断すると、制御整流素子１３のアノード端子とカソード端子との間はＯＦＦ状態となるが、再度電源投入時には上記と同様に動作して制御整流素子１３のアノード端子とカソード端子との間がＯＮ状態になり、オープン故障したＬＥＤ素子２の両端が短絡状態となる。

[第１の実施の形態の効果]
以上説明した第１の実施の形態によれば、次に示す効果が得られる。

（１）ＬＥＤ素子２の順方向電圧より低い電圧で動作する制御整流素子１３を使用することができるため、制御整流素子１３に電流を供給する場合にはその発熱量がＬＥＤ素子２の発熱量より少なくなり、ＬＥＤ素子がオープン故障した場合の発熱量を、ＬＥＤ素子２が正常に動作する場合の発熱量より低減することができる。

（２）電流検出用抵抗素子６以外の抵抗素子で熱変換されることがなく、また電流検出用抵抗素子６の抵抗が微小な抵抗でよいため、ＬＥＤ素子２の個数に関係なく、きわめて効率の高いＬＥＤ電源システムを構成することができる。

（３）ＬＥＤ素子２がオープン故障した場合に制御整流素子１３をＯＮ状態として使用するため、発熱もきわめて少なく、また制御整流素子１３自体もハイパワー型のサイリスタを必要とせず、制御整流素子１３の小型化を図ることができる。

なお、本実施の形態では、制御整流素子１３としてサイリスタを用いて実施する場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、図３（ｂ）に示すように、サイリスタの代わりにＰＮＰトランジスタ１３ＡとＮＰＮトランジスタ１３Ｂとを組み合わせてサイリスタと同様の回路構成をして実施することができる。双方向サイリスタ（商品名「トライアック」）を使用して実施することもできる。この場合、静電気によるＬＥＤ素子の破壊を防止することができる。また、図３（ｃ）に破線で示すように、抵抗素子群１４（抵抗素子１４Ａ，１４Ｂ）及び制御整流素子１３を集積化し、単一のモジュール３１内に配置しても実施することができる。

また、本実施の形態では、単一のＬＥＤ素子２がオープン故障した場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、複数個のＬＥＤ素子２がオープン故障した場合にも本実施の形態と同様に動作し、オープン故障した複数個のＬＥＤ素子２以外の他のＬＥＤ素子２を正常に動作させることができる。

[第２の実施の形態]
図４（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る照明装置の一部（発光回路）を示す回路図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）の変形例を説明するために示す回路図である。図４（ａ）及び（ｂ）において、図２及び図３と同一又は同等の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

図４（ａ）に示すように、第２の実施の形態に示す照明装置の発光回路４１は、ＬＥＤ素子２の印加電圧（ＶＦ）と同一の降下電圧に設定された抵抗素子４２を備えた点に特徴がある。

このため、抵抗素子４２の一方側端子がＬＥＤ素子２のアノード端子（及び抵抗素子１４Ａ）に、他方側端子が制御整流素子１３のアノード端子にそれぞれ接続されている。

[第２の実施の形態の効果]
以上説明した第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態の効果（１）〜（３）に加え、次に示す効果が得られる。

定電流回路で動作しない（直列定電圧で動作する）場合でも、ＬＥＤ素子２のオープン故障に対し他のＬＥＤ素子２に影響を与えないようにすることができる。

なお、本実施の形態では、抵抗素子４２による降下電圧がＬＥＤ素子２のＶＦと同一に設定されている場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、その降下電圧とＬＥＤ素子２のＶＦとが略同一に設定されていれば、本実施の形態と同様の効果を奏する。また、図４（ｂ）に示すように、抵抗素子４２の代わりにツェナーダイオード４２０を用いることができる。

[第３の実施の形態]
図５は、本発明の第３の実施の形態に係る照明装置の一部（発光回路）を示す回路図である。図５において、図２及び図３と同一又は同等の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

図５に示すように、第３の実施の形態に示す照明装置の発光回路５１は、直列に接続する複数個のＬＥＤ素子２を３個単位とし、これら３個のＬＥＤ素子２に並列に接続するバイパス回路としての制御整流素子１３及び検出回路としての抵抗素子群１４（抵抗素子１４Ａ，１４Ｂ）を備えた点に特徴がある。

このため、制御整流素子１３は、アノード端子が抵抗素子１４Ａの一方側端子に、カソード端子が抵抗素子１４Ｂの一方側端子にそれぞれ接続されている。また、そのゲート端子が抵抗素子１４Ｃに接続されている。抵抗素子１４Ａ，１４Ａは、一方側端子が３個のＬＥＤ素子２のうち両端のＬＥＤ素子２（アノード端子とカソード端子）にそれぞれ接続されている。その他方側端子が抵抗素子１４Ｃに接続されている。

[第３の実施の形態の効果]
以上説明した第３の実施の形態によれば、第１の実施の形態（１）〜（３）の効果に加え、次に示す効果が得られる。

制御整流素子１３が３個単位のＬＥＤ素子２に並列に接続されているため、回路数を確実に削減することができ、回路全体の小型化及びコストの低廉化を図ることができる。

なお、本実施の形態では、直列に接続する複数個のＬＥＤ素子２を３個単位とし、これら３個のＬＥＤ素子２に制御整流素子１３を並列に接続する場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、直列に接続する複数個のＬＥＤ素子２を２個あるいは４個以上単位とし、これらＬＥＤ素子２に制御整流素子１３を並列に接続してもよい。また、個々のＬＥＤ素子及び複数個（全体のＬＥＤ素子数より少ない個数）のＬＥＤ素子にそれぞれ制御整流素子１３を並列に接続してもよい。

また、本実施の形態では、制御整流素子１３のアノード端子がＬＥＤ素子２のアノード端子に接続する場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、ＬＥＤ素子２の印加電圧（ＶＦ）と略同一の降下電圧に設定された抵抗素子４２（図４に示す）を介してＬＥＤ素子２のアノード端子に制御整流素子１３を接続してもよい。

[第４の実施の形態]
図６は、本発明の第４の実施の形態に係る照明装置の一部（発光回路）を示す回路図である。図７は、図６の一部を拡大して示す回路図である。図６及び図７において、図２及び図３と同一又は同等の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

図６に示すように、第４の実施の形態に示す照明装置の発光回路は、ＬＥＤ素子２と共にトランスファーモールド法によるパッケージ（例えばエポキシ樹脂のパッケージ材料）６２によって封止された制御整流素子１３及び抵抗素子群１４（抵抗素子１４Ａ〜１４Ｃ）を備えた点に特徴がある。

このため、ＬＥＤ素子２は、マウント基板６３上にＳｉ（シリコン）サブマウント基板６４を介して複数個フリップチップ（フェイスダウン）実装されている。ＬＥＤ素子２はフェイスアップ実装してもよい。また、制御整流素子１３及び抵抗素子群１４はＳｉサブマウント基板６４内に組み込まれている。

マウント基板６３の素子実装側には、ＬＥＤ素子２のアノード端子がＡｕ（金）ワイヤ６５及び銀ペースト６６を介して接続する第１回路パターン６７と、Ｓｉサブマウント基板６４が銀ペースト６８及び導電性接着剤６９を介して接続する第２回路パターン７０とが形成されている。ＬＥＤ素子２とマウント基板６３の接続は、Ａｕワイヤ６５を用いる代わりに、Ｓｉサブマウント基板の表裏面にそれぞれ回路パターンを形成するとともに、これら両回路パターンを接続するスルーホールパターン又は他の回路パターンを用いて実施してもよい。

Ｓｉサブマウント基板６４の素子実装側には、ＬＥＤ素子２のカソード端子に接続する銀ペースト７１が形成されている。Ｓｉサブマウント基板６４の基板側には銀ペースト６８が形成されている。Ｓｉサブマウント基板６４の内部には、ＬＥＤ素子２に並列に接続する制御整流素子１３及び抵抗素子群１４（抵抗素子１４Ａ，１４Ｂ）が組み込まれている。

制御整流素子１３は、アノード端子が銀ペースト６８に、またカソード端子が銀ペースト７１にそれぞれ接続されている。また、ゲート端子は抵抗素子１４Ｃに接続されている。制御整流素子１３には、図７に示すように、ダイオード７２が極性を逆にして並列に接続されている。これにより、ＬＥＤ素子２の静電気による破壊が防止される。ＬＥＤ素子２の静電気による破壊は、制御整流素子（サイリスタ）１３の代わりにトランジスタを組み合わせてサイリスタと同様の回路構成をして実施することもでき、また双方向サイリスタ（商品名「トライアック」）を使用して実施することもできる。抵抗素子１４Ａ，１４Ｂは、それぞれ一方側端子がＬＥＤ素子２に銀ペースト６６，７１を介して接続されている。抵抗素子１４Ａ，１４Ｂの他方側端子は、制御整流素子１３に抵抗素子１４Ｃを介して接続されている。

[第４の実施の形態の効果]
以上説明した第４の実施の形態によれば、第１の実施の形態の効果（１）〜（３）に加え、次に示す効果が得られる。

（１）ダイオード７２が極性を逆にして制御整流素子１３に並列に接続されているため、ＬＥＤ素子２の静電気による破壊を防止することができる。

（２）制御整流素子１３及び抵抗素子群１４（抵抗素子１４Ａ〜１４Ｃ）がＬＥＤ素子２と共にパッケージ６２によって封止されているため、照明装置全体の製造（組み立て）が簡単になり、コストの低廉化を図ることができる。

なお、本発明の発光回路（照明装置）を上記の実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能であり、例えば次に示すような変形も可能である。

（１）本実施の形態においては、ＬＥＤ素子２がＳｉサブマウント基板６４を介してマウント基板６３上に実装されている場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、図８に示すように制御整流素子１３及び抵抗素子群１４が内部に組み込まれたモジュール６４０とＬＥＤ素子２を個々にマウント基板６３上に配置し、Ａｕワイヤ６５を用いてＬＥＤ素子２にモジュール６４０を接続してもよい。この場合、制御整流素子１３，抵抗素子群１４及びダイオード７２の接続は、図７に示す場合と同様に行われる。

（２）本実施の形態においては、ＬＥＤ素子２をマウント基板６３上に実装し、パッケージ６２によって封止する場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、リードフレーム上に実装し、また砲弾型ランプ構造とし、それぞれパッケージ６２によって封止してもよい。

（３）本実施の形態においては、単一のＳｉサブマウント基板６４をマウント基板６３上に配置するＬＥＤモジュールである場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、複数のＳｉサブマウント基板をマウント基板上に配置する大型ＬＥＤモジュールであってもよく、Ｓｉサブマウント基板上に複数のＬＥＤ素子を実装するとともに、これら複数のＬＥＤ素子にそれぞれ並列に接続する制御整流素子等を組み込む高密度の大型ＬＥＤモジュールであってもよい。

本発明の第１の実施の形態に係る照明装置の全体を示す回路図。 （ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る照明装置の一部を示す回路図とその変形例を説明するために示す回路図。 （ａ），（ｂ）及び（ｃ）は、図２の一部を拡大して示す回路図とその変形例を説明するために示す回路図。 （ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る照明装置の一部を示す回路図とその変形例を説明するために示す回路図。 本発明の第３の実施の形態に係る照明装置の一部を示す回路図。 本発明の第４の実施の形態に係る照明装置の一部を示す回路図。 図６の一部を拡大して示す回路図。 本発明の第４の実施の形態に係る照明装置の変形例を説明するために示す回路図。 従来の照明装置の一部を示す回路図。

符号の説明

１…照明装置、２，８１…ＬＥＤ素子、３，４１，５１…発光回路、４…交流電源、５…電源回路、６…電流検出用抵抗素子、７…ＦＥＴ、８…コントローラ、９…制御回路、１０…ファースト リカバリー ダイオード、１１…コイル、１３…制御整流素子、１３Ａ…ＰＮＰトランジスタ、１３Ｂ…ＮＰＮトランジスタ、１４…抵抗素子群、１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，４２…抵抗素子、３１，６４０…モジュール、１７…整流ダイオード、１８Ａ，１８Ｂ…平滑コンデンサ、６２…パッケージ、６３…マウント基板、６４…Ｓｉサブマウント基板、６５…Ａｕワイヤ、６６，６８，７１…銀ペースト、６７…第１回路パターン、６９…導電性接着剤、７０…第２回路パターン、７２…ダイオード、８２，１４０Ａ，４２０…ツェナーダイオード

Claims (12)

1. 直列に接続された複数個の発光素子と、
   前記複数個の発光素子のうち個々の発光素子または前記複数個より小なる複数個の発光素子に並列に接続され、前記個々の発光素子または前記小なる複数個の発光素子の何れか１つの発光素子がオープン故障したことを検出する検出回路と、
   前記個々の発光素子または前記小なる複数個の発光素子に並列に接続され、前記検出回路の検出結果に基づいて導通するバイパス回路と
   を有することを特徴とする発光回路。
2. 前記検出回路は、直列に接続された第１及び第２の抵抗素子を含み、
   前記バイパス回路は、前記第１及び第２の抵抗素子の接続点における電圧によって導通する制御整流素子である請求項１に記載の発光回路。
3. 前記制御整流素子は、サイリスタからなる請求項２に記載の発光回路。
4. 前記制御整流素子は、前記個々の発光素子または前記複数個より小なる発光素子の印加電圧と同一又はその近傍の降下電圧となる抵抗素子に直列に接続されている請求項２に記載の発光回路。
5. 前記制御整流素子には、極性を逆にしたダイオードが並列に接続されている請求項２に記載の発光回路。
6. 前記制御整流素子は、双方向サイリスタからなる請求項２に記載の発光回路。
7. 前記バイパス回路は、前記発光素子と共にパッケージ材料によって封止されている請求項１に記載の発光回路。
8. 前記バイパス回路及び前記検出回路は、集積化して単一のモジュール内に配置されている請求項１に記載の発光回路。
9. 前記バイパス回路は、前記発光素子を実装するサブマウント基板の内部に配置されている請求項１に記載の発光回路。
10. 前記直列に接続された複数個の発光素子は、白色発光ダイオード素子からなる請求項１に記載の発光回路。
11. 前記直列に接続された複数個の発光素子は、定電流回路により駆動する請求項１に記載の発光回路。
12. 電源電圧の供給を受けて発光する発光回路と、
    前記発光回路に前記電源電圧を供給する電源回路とを備えた照明装置において、
    前記発光回路は、
    直列に接続された複数個の発光素子と、
    前記複数個の発光素子のうち個々の発光素子または前記複数個より小なる複数個の発光素子に並列に接続され、前記個々の発光素子または前記小なる複数個の発光素子の何れか１つの発光素子がオープン故障したことを検出する検出回路と、
    前記個々の発光素子または前記小なる複数個の発光素子に並列に接続され、前記検出回路の検出結果に基づいて導通するバイパス回路と
    を有することを特徴とする照明装置。

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