JP2008130804A - 半導体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】相変化膜の剥離防止、プラグを介した熱拡散の防止に加え、相変化膜の下地となる界面膜を膜厚精度高く、安定性良く成膜可能構造の半導体記憶装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】層間絶縁膜IF1を貫通してタングステンプラグWP1が選択的に形成され、タングステンプラグWP1の他端はバリヤメタルBM1を介して選択トランジスタQ1のソース・ドレイン領域14,14の一方と電気的に接続される。層間絶縁膜IF3及びストッパー膜SF1を貫通して銅プラグCP1が選択的に形成され、銅プラグCP1の他端はバリヤメタルBM2を介してタングステンプラグWP1の一端と電気的に接続される。銅プラグCP1の一端上に界面膜27が直接形成され、界面膜27上にGST膜23及び上部電極24が積層される。
【選択図】図5
【解決手段】層間絶縁膜IF1を貫通してタングステンプラグWP1が選択的に形成され、タングステンプラグWP1の他端はバリヤメタルBM1を介して選択トランジスタQ1のソース・ドレイン領域14,14の一方と電気的に接続される。層間絶縁膜IF3及びストッパー膜SF1を貫通して銅プラグCP1が選択的に形成され、銅プラグCP1の他端はバリヤメタルBM2を介してタングステンプラグWP1の一端と電気的に接続される。銅プラグCP1の一端上に界面膜27が直接形成され、界面膜27上にGST膜23及び上部電極24が積層される。
【選択図】図5
Description
本発明は、半導体記憶装置及びその製造方法に係り、特に、カルコゲナイドなどの相変化材料を用いて形成される相変化メモリセル(素子)を有する半導体集積回路装置に適用して有効な技術に関するものである。
携帯電話に代表されるモバイル機器には、DRAM、SRAM、FLASHメモリなどの半導体メモリが使われている。DRAMは大容量であるが、アクセス速度は低速である。一方、SRAMは高速であるが、1セル当たり4〜6個と多くのトランジスタが必要なことから高集積化は困難であり、大容量メモリには不向きである。また、DRAMとSRAMはデータを保持するために常に通電している必要がある(揮発性)。一方、FLASHメモリは不揮発性であるため電気的な記憶保持のための通電が不要であるが、書き換えや消去回数が105回程度と有限であることと、書き換えが他のメモリと比較して数桁遅いことが欠点である。このように、それぞれのメモリは利点と欠点を有しており、現状では、その特徴に応じて使い分けられている。
DRAM、SRAM、FLASHメモリのそれぞれの利点を併せ持つユニバーサルメモリが実現できれば、複数のメモリを1チップに統合することが可能となり、携帯電話や各種モバイル機器の小型高機能化を図ることができる。さらに、全ての半導体メモリを置き換えることが可能になればインパクトは極めて大きい。ユニバーサルメモリに要求される項目としては、(1)DRAM並みの高集積化(大容量化)、(2)SRAM並みの高速アクセス(書き込み/読み出し)、(3)FLASHメモリと同様の不揮発性、(4)小型の電池駆動に耐えうる低消費電力、などが挙げられる。
ユニバーサルメモリと呼ばれる次世代の不揮発性メモリの中で、現在最も注目されているのは相変化メモリである。相変化メモリは、CD−RWやDVDなどの光ディスクに使用されているカルコゲナイド材料を使用し、同じように結晶状態と非晶質状態の違いでデータを記憶する。違いは書き込み/読み出し方法にあり、光ディスクではレーザーに代表される光の透過や反射を利用するのに対し、相変化メモリでは電流によって発生するジュール熱で書き込み、相変化による抵抗値の違いで信号を読み出す。
相変化メモリ(半導体記憶装置の略称、以下同様)の動作原理を図17で説明する。カルコゲナイド材料を非晶質化させる場合、カルコゲナイド材料の温度を融点以上に熱してから急冷するようなリセットパルスを印加する。融点は、例えば600℃である。急冷する時間(t1)は、例えば2nsecである。カルコゲナイド材料を結晶化させる場合、カルコゲナイド材料の温度を結晶化温度以上融点以下に保持するようなセットパルスを印加する。結晶化温度は、例えば400℃である。結晶化に要する時間(t2)は、例えば50nsecである。
相変化メモリの特長は、カルコゲナイド材料の抵抗値が結晶状態に応じて2〜3桁も変化し、この抵抗値を信号として用いるため、読み出し信号が大きく、センス動作が容易になるため、読み出しが高速であることである。それに加えて、1012回の書き換えが可能であるなど、FLASHメモリの欠点を補う性能を持っている。また、低電圧・低電力での動作が可能であり、ロジック回路との混載が容易であるなどの特長が、モバイル機器用として適している。 相変化メモリセルの製造工程の一例を図18から図20の要部断面工程図を用いて簡単に説明する。
まず、図18により説明すると、周知の製造方法により半導体基板(図示せず)の主面に選択トランジスタ(図示せず)を形成する。選択トランジスタは、例えばMOSトランジスタやバイポーラトランジスタからなる。次いで、周知の製造方法を用いて、例えばシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜1を堆積し、例えばタングステンからなるプラグ2を層間絶縁膜1内に形成する。このプラグは、下部の選択トランジスタの活性領域(選択トランジスタがMOSトランジスタの場合はソース・ドレイン領域)と上部の相変化材料層(相変化膜)とを電気的に接続する役割を果たす。次いで、例えばGeSbTe(GST)からなるカルコゲナイド材料層3、例えばタングステンからなる上部電極4、例えばシリコン酸化膜からなるハードマスク5を順に堆積すると、図18で示す構造が得られる。
次いで、図19に示すように、周知のリソグラフィ法及びドライエッチング法により、ハードマスク5、上部電極4、カルコゲナイド材料層3を順次加工する。次いで、層間絶縁膜6を堆積すると、図20で示す構造を得られる。次いで、層間絶縁膜6の上部に上部電極4と電気的に接続する配線層(図示せず)と、さらにその上部に複数の配線層(図示せず)を形成する。以上の工程により、相変化メモリセルが略完成する。なお、この種の相変化メモリセルに関連するものとして非特許文献1が、また、カルコゲナイド材料の相変化に関しては非特許文献2が挙げられる。なお、特許文献1〜特許文献3については後述する。
本発明は、相変化メモリの製造工程における課題と、書き換え動作における課題をそれぞれ明らかにし、これらの課題を同時に解決できる手段を提供するものである。以下、解決すべき2つの課題を順に説明する。
1つめの課題(第1の課題)は、カルコゲナイド材料は接着性が低いため、相変化メモリの製造工程中に膜が基板から剥離しやすいことである。特に、カルコゲナイド材料はシリコン酸化膜との接着性が低いことから、カルコゲナイド材料層と層間絶縁膜との間に接着層を設ける必要がある。
相変化メモリにおいて、カルコゲナイド材料層の剥離防止には接着層の挿入が有効であることは既に知られている。公知例としては、例えば、特開2003−174144号公報(特許文献1)、米国特許US2004/0026731号明細書(特許文献2)、米国特許US2003/0047727号明細書(特許文献3)などが挙げられる。いずれの公知例においても、具体的な接着層材料として、例えばTiのような導電体が用いられている。プラグ上と層間絶縁膜上に導電体からなる接着層を形成した場合のメモリセルの断面構造を図21に示す。カルコゲナイド材料層3と層間絶縁膜1との界面全面に導電体接着層8が設けられているため、カルコゲナイド材料層の剥離を防止することができる。しかし、この構造では、相変化メモリの書き換え動作時にプラグ2から電圧を印加すると、導電体接着層8はカルコゲナイド材料層3よりも抵抗率が低いため、電流は主に接着層8の横方向(基板面と平行方向)に流れる。この場合、カルコゲナイド材料層がジュール熱によって加熱される領域は、接着層8と接している部分全面に広がるため、カルコゲナイド材料層を結晶化または非晶質化するためには非常に大きな電流が必要になってしまう。
上記の問題は、図22に示すように、導電体接着層8をプラグ2と接しない領域に限って形成すれば解決できる。この場合、カルコゲナイド材料層3がジュール熱によって加熱される領域は、プラグ2と接している部分に絞られるため、カルコゲナイド材料層3を結晶化または非晶質化するために必要な電流は図21の場合に比べると小さくなる。しかし、カルコゲナイド材料層3と層間絶縁膜1との界面に接着層が設けられていない領域が存在することになるので、カルコゲナイド材料層の剥離を完全に防止することはできない。また、層間絶縁膜1上とプラグ2上を含めた基板全面に導電体接着層8を形成した後、プラグ2上の導電体接着層を除去する工程が追加で必要となる。この場合、マスク枚数が増えて製造コストが高くなるとともに、メモリセルを微細化するとあわせ余裕が少なくなって歩留まりや信頼性が低下するという問題が生じる。
このため、第1の課題として、相変化メモリの書き換え特性に悪影響を及ぼすことなく、カルコゲナイド材料層の剥離を防止できる手段が求められていた。
2つめの課題(第2の課題)は、例えばタングステンなどの低抵抗材料をプラグに用いると、カルコゲナイド材料層からプラグを介して熱が逃げやすくなるため、ジュール熱でカルコゲナイド材料層を加熱するのに非常に大きい電流が必要となることである。これは、抵抗率が低い材料は、一般的に熱伝導率が高いことに起因する。特にリセット時(非晶質化)はカルコゲナイド材料層を融点以上に加熱しなければならないため、プラグからの熱拡散は大きな問題となる。
例えば、ロジック回路と混載するためには、少なくともMOSトランジスタで動作可能な程度まで書き換えに必要な電流を低減しなければならない。低電流での書き換えを可能にするためには、プラグからの熱拡散を抑制し、カルコゲナイド材料層を効率的に加熱できる構造を用いる必要がある。なお、光ディスクの場合は、レーザーで書き込み/読み出しを行うので、カルコゲナイド材料層と電気的に接続する部分は必要ない。このため、熱伝導率の高い材料と接触することはない。つまり、熱伝導率の高い材料を介しての熱拡散は、電気的パルスで書き込み/読み出しを行う相変化メモリに特有な課題である。
プラグからの熱拡散を抑制するためには、抵抗率の高い、つまり熱伝導率の低い材料をプラグに用いる手段が提案されている。プラグに高抵抗材料を適用した公知例としては、例えば、上記特許文献1が挙げられる。具体的な高抵抗プラグ材料として、TiSiN、TiAlN、TiSiCが用いられている。この場合、従来のロジック回路には用いられていない新規材料を導入しなければならないため、製造コストが高くなるとともに、歩留まりや信頼性が低下するという問題が生じる。
このため、第2の課題として、従来の低抵抗材料のプラグを用いても熱拡散を抑制できる手段が求められていた。第2の課題を解決すれば、カルコゲナイド材料を効率的に加熱できるため、相変化メモリの書き換えの低電流化が可能となる。
本発明の一実施の形態の相変化メモリによれば、選択トランジスタを含む全面に第1及び第2の層間絶縁膜が積層され、第1の層間絶縁膜を関数して形成される第1のプラグと、第2の層間絶縁膜を貫通して形成され、上記第1のプラグと電気的に接続される第2のプラグを有している。
上記第1のプラグの他端は選択トランジスタの一方電極との電気的に接続され、上記第2のプラグの一端は相変化膜下の形成される界面膜と直接接続される。上記第2のプラグとして表面の平坦性に優れたCu、Ta等が用いられる。
この実施の形態によれば、第2のプラグは表面の平坦性に優れているため、界面膜を上記第2のプラグの一端上に膜厚精度良く安定に形成することができる効果を奏する。
<前提技術>
図1はこの発明の前提技術となる相変化メモリの構造を示す断面図である。同図に示すように、半導体基板11の主面にMOSトランジスタ構成の選択トランジスタQ1が形成される。すなわち、半導体基板11の上層部に素子分離領域13が選択的に形成され、素子分離領域13,13のウェル領域12がトランジスタ形成領域として形成される。ウェル領域12において、一対のソース・ドレイン領域14,14が選択的に形成され、ソース・ドレイン領域14,14間の半導体基板11の表面であるチャネル領域上にゲート絶縁膜15、ゲート電極16が積層される。また、ゲート電極16の側壁にはサイドウォール(絶縁膜)22が形成され、ソース・ドレイン領域14及びゲート電極16上にサイドウォール22に対して自己整合的にそれぞれシリサイド領域17が形成される。
図1はこの発明の前提技術となる相変化メモリの構造を示す断面図である。同図に示すように、半導体基板11の主面にMOSトランジスタ構成の選択トランジスタQ1が形成される。すなわち、半導体基板11の上層部に素子分離領域13が選択的に形成され、素子分離領域13,13のウェル領域12がトランジスタ形成領域として形成される。ウェル領域12において、一対のソース・ドレイン領域14,14が選択的に形成され、ソース・ドレイン領域14,14間の半導体基板11の表面であるチャネル領域上にゲート絶縁膜15、ゲート電極16が積層される。また、ゲート電極16の側壁にはサイドウォール(絶縁膜)22が形成され、ソース・ドレイン領域14及びゲート電極16上にサイドウォール22に対して自己整合的にそれぞれシリサイド領域17が形成される。
これらウェル領域12、ゲート絶縁膜15、ゲート電極16、及びソース・ドレイン領域14により選択トランジスタQ1が構成される。
MOSトランジスタQ1を含む半導体基板11上全面を覆ってSiO2等の酸化膜からなる層間絶縁膜IF1が形成され、層間絶縁膜IF1を貫通してタングステンプラグWP1が選択的に形成され、タングステンプラグWP1の底面及び側面にバリヤメタルBM1が形成される。タングステンプラグWP1はバリヤメタルBM1を介して一対のソース・ドレイン領域14,14の一方(一方電極)のシリサイド領域17と電気的に接続される。
タングステンプラグWP1上及び層間絶縁膜IF1上に界面膜27が選択的に形成され、界面膜27上にGST膜23及び上部電極24が積層される。これら界面膜27、GST膜23及び上部電極24により相変化メモリ素子M1が形成される。そして、相変化メモリ素子M1を含む層間絶縁膜IF1上全面にSiO2等からなる層間絶縁膜IF2が形成される。そして、層間絶縁膜IF2の上層部を貫通して上部電極24上に電気的に接続するタングステンプラグWP2が選択的に形成される。
タングステンプラグWP2を含む層間絶縁膜IF2上にビット線BL1が形成され、ビット線BL1はタングステンプラグWP2と電気的に接続される。そして、ビット線BL1上にパッシベーション膜PF1が設けられる。
図2〜図4は本願発明の前提技術となる相変化メモリの製造方法を示す断面図である。以下、図2〜図4及び図1を参照して製造方法について説明する。
まず、図2に示すように、半導体基板11の主面に選択トランジスタQ1を形成する。なお、選択トランジスタQ1は従来のトランジスタ形成方法と同じ方法によって得ることができる。次に選択トランジスタQ1を含む全面にSiO2等からなる層間絶縁膜IF1を成膜した後、CMP処理等により層間絶縁膜IF1の表面を平坦にする。その後、層間絶縁膜IF1を貫通するコンタクトホール18を選択的に形成し、選択トランジスタQ1の一方のソース・ドレイン領域14のシリサイド領域17上を開口する。
次に、図3に示すように、コンタクトホール18内にW(タングステン)を埋め込むようにして成膜する。この際、Ta(タンタル)やTi(チタン)またはこれらの窒化膜などをW膜とソース・ドレイン領域14との間に形成されるように、Wの成膜前にバリヤメタルBM1を成膜してもよい。
その後、図3に示すように、W膜をCMP等で研磨することにより、コンタクトホール18内のみにWを残してタングステンプラグWP1を得る。この際、タングステンプラグWP1の表面は、Wのグレインの凹凸などにより、ラフネスが悪く、グレイン抜けなどの表面荒れ52が発生している。また、W成膜時にコンタクトホール中央部の埋め込み性が悪く、シーム(窪み)51が発生する。
次に、図3に示すように、Ti酸化膜、Zr酸化膜、Hf酸化膜、Ta酸化膜、Nb酸化膜、Cr酸化膜、Mo酸化膜、W酸化膜、Al酸化膜から選ばれた少なくとも1種類以上からなることを特徴とする絶縁性界面膜を用いて、膜厚が0.5nm以上5nm以下の界面膜27を成膜する。なお、界面膜27として絶縁性界面膜の代わりに非晶質シリコンからなる半導体界面膜を形成しても良い。上記組成の界面膜27は、層間絶縁膜IF1とGST膜23との密着性を向上する密着膜としても有効に働く。
さらに、図3に示すように、Ge2Sb2Te5などの組成のGST膜23を成膜する。次に、W電極膜25をGST膜23上に成膜する。次に、タングステンプラグWP1直上に位置するW電極膜25、GST膜23及び界面膜27のみを残すように、写真製版等によりパターニングされたレジスト26をW電極膜25上に形成する。
その後、図4に示すように、レジスト26を用いた異方性エッチングを行うことにより、界面膜27、GST膜23及びW電極膜25をパターニングして、パターニングされた界面膜27、GST膜23及び上部電極24からなる相変化メモリ素子M1を得る。
次に、図4に示すように、全面にSiO2等よりなる層間絶縁膜IF2を成膜した後、CMP処理等によって層間絶縁膜IF2の表面を平坦化する。次に、層間絶縁膜IF2の上層部を選択的に貫通するコンタクトホールを形成して上部電極24上の一部を開口させる。次に、上記コンタクトホール内にWを埋め込むようにして成膜する。この際、TaやTiまたはそれらの窒化膜をWと上部電極24との間にバリアメタル(図示せず)を成膜してもよい。次に、W膜をCMP等で研磨することにより、上記コンタクトホール内のみにWを残し、タングステンプラグWP2を得る。
次に、図1に示すように、Al−Cu混合物などを用い、ビット線BL1を層間絶縁膜IF2上に形成し、タングステンプラグWP2に電気的に接続して配線する。この後、周辺回路などの配線などに第2の配線を用いてもよい。次に、パッシベーション膜PF1として、プラズマSiN膜やSiO2膜を成膜する。
次に、図示しないが、ボンディングパッドやダイシングラインなど、パッシベーション膜を除去したい部分のみを写真製版とドライエッチングなどで開口する。この後、ポリイミド膜などを成膜してもよい。
図1で示す構造の相変化メモリは、上記した組成の絶縁性界面膜あるいは半導体界面膜27をGST膜23とタングステンプラグWP1との間に挿入し、GST膜23の剥離防止の接着防止用に用いることにより上記第1の課題の解決を図っている。
すなわち、界面膜27として絶縁性界面膜を用いることによりGST膜23の剥離を防止する接着層として機能させることができる。絶縁性材料でもGST膜23を構成するカルコゲナイド材料と若干反応するので結合力が強くなることに加えて、絶縁体材料はドライエッチング工程に対する耐性が高いからである。
一方、界面膜27として半導体界面膜を用いることによりGST膜23の剥離を防止する接着層として機能させることができる。例えば、半導体界面膜としてSiを用いれば、SiとGeは置換反応しやすいので結合力が非常に強くなるためである。
さらに、図1で示す構造の相変化メモリは、界面膜27の存在により、低抵抗のタングステンプラグWP1から熱が拡散するのを抑制することにより上記第2の課題を解決している。これは、界面膜27を構成する絶縁性材料あるいは半導体材料は導電体材料に比べて熱伝導率が小さいためである。このため、GST膜23とタングステンプラグWP1との間に界面膜27を挿入すれば、GST膜23からタングステンプラグWP1を介して熱が逃げるのを抑制できる。その結果、上記第2の課題を解決することができる。
しかしながら、図1で示す構造の相変化メモリには、界面膜27を形成する上で、いくつかのプロセス上の問題を有している場合がある。
まず、上記第1及び第2の課題を解決すべく、膜厚が0.5nm以上5nm以下と薄膜の界面膜27を均一に成膜する必要があるため、界面膜27下地の平坦化が重要となる。しかし、選択トランジスタQ1と相変化メモリ素子M1との電気的接続手段としてタングステンプラグWP1を用いているため、タングステンプラグWP1の上端部表面のラフネスが悪く、界面膜27の膜厚がばらつく等の問題がある場合があった。
また、コンタクトホール18内にタングステンプラグWP1を使用した場合、コンタクトホール18の中央部にシーム51が発生することに起因してシーム51部分に界面膜27が成膜できない、成膜できても界面膜27の膜厚がばらつく等の問題がある場合があった。
また、コンタクトホール18内(図2参照)にタングステンプラグWP1が落ち込んで形成されることにより、コンタクトホール18の上部とタングステンプラグWP1の上部との間に段差が生じる。このため、当該段差に相当する、コンタクトホール18の側壁部、タングステンプラグWP1の上端部、及びコンタクトホール18の上部からなる空間が形成されことに伴い、界面膜27が成膜できない、膜厚がばらつく等の問題がある場合があった。
そこで、上記第1及び第2の課題の解決に加え、さらに、膜厚精度の高い界面膜27を安定性良く成膜可能な構造の相変化メモリ及びその製造方法の提供を図ったのが本願発明である。
<実施の形態1>
図5はこの発明の実施の形態1である相変化メモリの構造を示す断面図である。同図に示すように、半導体基板11の主面にMOSトランジスタ構成の選択トランジスタQ1が形成される。なお、選択トランジスタQ1の構造は図1で示した前提技術と同様であるため、説明を省略する。
図5はこの発明の実施の形態1である相変化メモリの構造を示す断面図である。同図に示すように、半導体基板11の主面にMOSトランジスタ構成の選択トランジスタQ1が形成される。なお、選択トランジスタQ1の構造は図1で示した前提技術と同様であるため、説明を省略する。
同図に示すように、MOSトランジスタQ1を含む半導体基板11上全面を覆ってSiO2等の酸化膜からなる層間絶縁膜IF1(第1の層間絶縁膜)が形成され、層間絶縁膜IF1を貫通してタングステンプラグWP1(第1のプラグ)が選択的に形成され、タングステンプラグWP1の底面及び側面にバリヤメタルBM1が形成される。タングステンプラグWP1の他端はバリヤメタルBM1を介して一対のソース・ドレイン領域14,14の一方のシリサイド領域17と電気的に接続される。
タングステンプラグWP1を含む層間絶縁膜IF1上にストッパー膜SF1が形成され、ストッパー膜SF1上にSiO2等からなる層間絶縁膜IF3が形成される。層間絶縁膜IF3及びストッパー膜SF1からなる積層構造(第2の層間絶縁膜)を貫通して銅プラグCP1(第2のプラグ)が選択的に形成され、銅プラグCP1の底面及び側面にバリヤメタルBM2が形成される。銅プラグCP1の他端はバリヤメタルBM2を介してタングステンプラグWP1の一端と電気的に接続される。
銅プラグCP1の一端上及び層間絶縁膜IF3上に界面膜27が選択的に直接形成され、界面膜27上に、Ge2Sb2Te5などの組成の相変化膜となるGST膜23が形成され、GST膜23上に上部電極24が形成される。これら界面膜27、GST膜23及び上部電極24により相変化メモリ素子M1が形成される。そして、相変化メモリ素子M1を含む層間絶縁膜IF1上全面に層間絶縁膜IF2が形成される。そして、層間絶縁膜IF2の上層部を貫通して上部電極24上に電気的に接続するタングステンプラグWP2が選択的に形成される。
タングステンプラグWP2を含む層間絶縁膜IF2上にビット線BL1が形成され、ビット線BL1はタングステンプラグWP2と電気的に接続される。そして、ビット線BL1上にパッシベーション膜PF1が設けられる。
図6〜図8は本願発明の実施の形態1である相変化メモリの製造方法を示す断面図である。以下、図6〜図8及び図5を参照して製造方法について説明する。
まず、図6に示すように、半導体基板11の主面に選択トランジスタQ1を形成する。なお、選択トランジスタQ1は従来のトランジスタ形成方法と同じ方法によって得ることができる。次に選択トランジスタQ1を含む全面に層間絶縁膜IF1を成膜した後、CMP処理等により層間絶縁膜IF1の表面を平坦にする。その後、層間絶縁膜IF1を貫通するコンタクトホールを選択的に形成し、選択トランジスタQ1の一方のソース・ドレイン領域14のシリサイド領域17上を開口する。
次に、図6に示すように、コンタクトホール内にWを埋め込むようにして成膜する。この際、W膜とソース・ドレイン領域14との間に、Wの成膜前にバリヤメタルBM1を成膜してもよい。
その後、図6に示すように、W膜をCMP等で研磨することにより、コンタクトホール18内のみにWを残してタングステンプラグWP1を得る。次に、タングステンプラグWP1を含む層間絶縁膜IF1上全面にSiNから構成されるストッパー膜SF1を形成し、ストッパー膜SF1上に層間絶縁膜IF3を形成する。
続いて、図7に示すように、リソグラフィと異方性エッチング処理により、層間絶縁膜IF3及びストッパー膜SF1(第2の層間絶縁膜)を貫通するコンタクトホールを選択的に形成し、タングステンプラグWP1上を開口する。この際、層間絶縁膜IF3とストッパー膜SF1とのエッチングの選択比を大きくとることにより、層間絶縁膜IF3のエッチングをストッパー膜SF1で止め、ストッパー膜SF1のみを次のステップでエッチングすることにより、タングステンプラグWP1上のエッチングダメージを軽減できる。
また、後に形成される銅プラグCP1がずれて接続不良を起こすことをさけるために、図9に示すように、銅プラグCP1用のホールサイズ(d2)をタングステンプラグWP1のホールサイズ(d1(>d2))よりも小さくしたり、タングステンプラグWP1自体を層間絶縁膜IF1の表面上にの一部まで伸ばして形成することによりパッド領域40を形成してもよい。
その後、図7に示すように、銅プラグCP1用のコンタクトホール内に表面ラフネスに優れた材料であるCuを埋め込むようにして成膜する。Cuを埋め込み材に使用する場合は、TaやTiまたはそれらの窒化膜をCuとタングステンプラグWP1上部との間にバリヤメタルBM2を成膜してもよい。次に、Cu膜をCMP等で研磨することにより、コンタクトホール内のみにCuを残し、銅プラグCP1を得る。このようにして形成した銅プラグCP1の平均粗さは1nm/1um□以下であり、グレインサイズもWよりも大きく表面の平坦性に優れているプラグ(良平坦性プラグ)となる。
なお、TaもCu同様、平均粗さは1nm/1um□以下でグレインサイズがWより大きいため、銅プラグCP1の代わりにTaを用いたプラグを形成しても良い。また、Cu、Ta以外にも平坦性に優れた導電体であれば銅プラグCP1に代えて用いることが可能である。
次に、図7に示すように、Ti酸化膜、Zr酸化膜、Hf酸化膜、Ta酸化膜、Nb酸化膜、Cr酸化膜、Mo酸化膜、W酸化膜、Al酸化膜から選ばれた少なくとも1種類以上からなることを特徴とする絶縁性界面膜を用いて、膜厚が0.5nm以上5nm以下の界面膜27を成膜する。なお、界面膜27として非晶質シリコンからなる半導体界面膜を形成しても良い。上記組成の界面膜27は、層間絶縁膜IF1とGST膜23との密着性を向上する密着膜としても有効である。
さらに、図7に示すように、Ge2Sb2Te5などの組成のGST膜23を成膜する。次に、W電極膜25をGST膜23上に成膜する。次に、タングステンプラグWP1直上のW電極膜25、GST膜23及び界面膜27のみを残すように、写真製版等によりパターニングされたレジスト26をW電極膜25上に形成する。
その後、図8に示すように、レジスト26を用いた異方性エッチングを行うことにより、界面膜27、GST膜23及びW電極膜25をパターニングして、パターニングされた界面膜27、GST膜23及び上部電極24からなる相変化メモリ素子M1を得る。
次に、図8に示すように、全面に層間絶縁膜IF2を成膜した後、CMP処理等によって層間絶縁膜IF2の表面を平坦化する。次に、層間絶縁膜IF2の上層部を選択的に貫通するコンタクトホールを形成して上部電極24上の一部を開口させる。次に、上記コンタクトホール内にWを埋め込むようにして成膜する。この際、TaやTiまたはそれらの窒化膜をWと上部電極24との間にバリアメタル(図示せず)を成膜してもよい。次に、W膜をCMP等で研磨することにより、上記コンタクトホール内のみにWを残し、タングステンプラグWP2を得る。
次に、図5に示すように、Al−Cu混合物などを用い、ビット線BL1を層間絶縁膜IF2上に形成し、タングステンプラグWP2に電気的に接続して配線する。この後、周辺回路などの配線などに第2の配線を用いてもよい。次に、パッシベーション膜PF1として、プラズマSiN膜やSiO2膜を成膜する。
次に、図示しないが、ボンディングパッドやダイシングラインなど、パッシベーション膜を除去したい部分のみを写真製版とドライエッチングなどで開口する。この後、ポリイミド膜などを成膜してもよい。
上記した製造工程を経て得られる図5で示す構造の実施の形態1の相変化メモリは、上記した組成の絶縁性界面膜あるいは半導体界面膜である界面膜27をGST膜23とタングステンプラグWP1との間に挿入することにより、図1で示した前提技術の相変化メモリと同様に上記第1及び第2の課題の解決を図っている。そして、以下の効果をさらに奏している。
前述したように、膜厚が0.5nm以上5nm以下と薄膜の界面膜27を均一に成膜するため、界面膜27下地の平坦化が重要となる。実施の形態1では界面膜27の下地となるプラグとして銅プラグCP1を用いている。銅は平均粗さが1nm/1um□以下と良好であり、グレインサイズもWより大きい。したがって、銅プラグCP1はタングステンプラグWP1に比べてラフネスに優れている。このため、タングステンプラグWP1よりも表面のラフネスが小さいため、薄膜の界面膜27を膜厚精度良く安定に形成することができる効果を奏する。
また、銅プラグCP1は、タングステンプラグWP1のように、シーム、段差が生じにくいため、界面膜27が成膜できないというような問題も発生しにくい。
また、上述したように、TaもCu同様、平均粗さは1nm/1um□以下でグレインサイズがWより大きいため、銅プラグCP1の代わりにTaを用いたプラグを形成しても同様な効果を奏する。
加えて、図5〜図8で示した製造方法で製造される実施の形態1の相変化メモリにおいて、相変化メモリ素子M1,選択トランジスタQ1間に設けるプラグとして、層間絶縁膜IF1(第1の層間絶縁膜)を貫通して形成されるタングステンプラグWP1と層間絶縁膜IF3及びストッパー膜SF1(第2の層間絶縁膜)及び銅プラグCP1(第1及び第2のプラグ)を用いている。
このため、タングステンプラグWP1上には界面膜27は形成されないため、選択トランジスタQ1のソース・ドレイン領域14との電気的に接続用に適した材質のWを用いることにより、選択トランジスタQ1のソース・ドレイン領域14との良好な電気的に接続を図ることができる。
したがって、図1〜図4で示した製造方法により得られる実施の形態1の相変化メモリは、上記第1及び第2の課題の解決に加え、さらに、膜厚精度の高い界面膜27を安定性良く成膜可能な構造の相変化メモリとなる。
なお、実施の形態1では、タングステンプラグWP1上に銅プラグCP1を形成した構造を示したが、CuのSi中への拡散などによるジャンクションリークを抑制できるのであれば、選択トランジスタQ1,相変化メモリ素子M1間の電気的接続用プラグとして銅プラグCP1のみを用いて形成しても良い。この場合、銅プラグCP1を選択トランジスタQ1のソース・ドレイン領域14(シリサイド領域17)上に直接形成することになり、タングステンプラグWP1の形成工程を省略できる分、製造プロセスの簡略化を図ることができる。
<実施の形態2>
図10はこの発明の実施の形態2である相変化メモリの構造を示す断面図である。同図に示すように、半導体基板11の主面にMOSトランジスタ構成の選択トランジスタQ1が形成される。なお、選択トランジスタQ1の構造は図1で示した前提技術と同様であるため、説明を省略する。
図10はこの発明の実施の形態2である相変化メモリの構造を示す断面図である。同図に示すように、半導体基板11の主面にMOSトランジスタ構成の選択トランジスタQ1が形成される。なお、選択トランジスタQ1の構造は図1で示した前提技術と同様であるため、説明を省略する。
MOSトランジスタQ1を含む半導体基板11上全面を覆ってSiO2等の酸化膜からなる層間絶縁膜IF1が形成され、層間絶縁膜IF1を貫通してタングステンプラグWP3が選択的に形成され、タングステンプラグWP3の底面及び側面にバリヤメタルBM1が形成される。タングステンプラグWP3はバリヤメタルBM1を介して一対のソース・ドレイン領域14,14の一方のシリサイド領域17と電気的に接続される。
タングステンプラグWP3上及び層間絶縁膜IF1の一部上に界面膜27が選択的に直接形成され、界面膜27上にGST膜23及び上部電極24が積層される。これら界面膜27、GST膜23及び上部電極24により相変化メモリ素子M1が形成される。そして、相変化メモリ素子M1を含む層間絶縁膜IF1上全面にSiO2等からなる層間絶縁膜IF2が形成される。そして、層間絶縁膜IF2の上層部を貫通して上部電極24上に電気的に接続するタングステンプラグWP2が選択的に形成される。
タングステンプラグWP2を含む層間絶縁膜IF2上にビット線BL1が形成され、ビット線BL1はタングステンプラグWP2と電気的に接続される。そして、ビット線BL1上にパッシベーション膜PF1が設けられる。
図11〜図15は本願発明の実施の形態2である相変化メモリの製造方法を示す断面図である。以下、図11〜図15及び図10を参照して製造方法について説明する。
まず、図11に示すように、半導体基板11の主面に選択トランジスタQ1を形成する。なお、選択トランジスタQ1は従来のトランジスタ形成方法と同じ方法によって得ることができる。次に選択トランジスタQ1を含む全面に層間絶縁膜IF1を成膜した後、CMP処理等により層間絶縁膜IF1の表面を平坦にする。その後、層間絶縁膜IF1を貫通するコンタクトホール28を選択的に形成し、選択トランジスタQ1の一方のソース・ドレイン領域14のシリサイド領域17上を開口する。この際、コンタクトホール28は深さ方向に従い開口径が細くなるテーパー状に形成される。
次に、図12に示すように、アルゴン19を用いたArスパッタにより、コンタクトホール28内の変質層や自然酸化膜を除去すると同時に、コンタクトホール上端部の角部を除去することにより、上記角部において垂直成分の少ない、あるいは、垂直成分のない、面取り部42を形成することができる。
図16はArスパッタ後のコンタクトホール28及びその周辺を示す断面図である。同図に示すように、コンタクトホール28は上端部近傍の開口径d3がその下端の開口径d4よりも大きい(d3>d4)、すなわち、深さ方向に開口径が小さくなるテーパー状を呈している。また、Arスパッタにより層間絶縁膜IF1の表面の一部が除去され、コンタクトホール28の周辺領域からコンタクトホール28にかけて滑らかな傾斜面41が形成される。
さらに、図16に示すように、コンタクトホール28の上端部の角部が面取りされて面取り部42が設けられる。
次に、図13に示すように、TaやTiまたはそれらの窒化膜などをスパッタで成膜して全面にバリヤメタル膜21を得る。この際、図12で示す工程で用いたArスパッタ処理とバリヤメタル膜21形成用のスパッタ処理とを大気開放することなく連続して行うことにより、コンタクトホール28内に自然酸化膜が形成されにくく、コンタクト抵抗を低減することができる。
次に、図13に示すように、コンタクトホール28内にWを埋め込むようにして、全面にタングステン膜20成膜する。この際、タングステン膜20の成膜をALD(Atomic Layer Deposition(原子層堆積))法を用いて行うことにより、シーム(窪み)がなくタングステン膜20を成膜することができる。このとき、タングステン膜20に含まれるフッ素含有量が1×1021個/cm3を下回る。
次に、図14に示すように、タングステン膜20及びバリヤメタル膜21をCMP等で研磨することにより、コンタクトホール28内のみにタングステン膜20及びバリヤメタル膜21を残し、バリヤメタルBM1及びタングステンプラグWP3を得る。
次に、図14に示すように、実施の形態1と同様、膜厚が0.5nm以上5nm以下の界面膜27を成膜し、界面膜27上にGST膜23及びW電極膜25を堆積する。次に、タングステンプラグWP3直上のW電極膜25、GST膜23及び界面膜27のみを残すように、写真製版等によりパターニングされたレジスト26をW電極膜25上に形成する。
その後、図15に示すように、レジスト26を用いた異方性エッチングを行うことにより、界面膜27、GST膜23及びW電極膜25をパターニングして、パターニングされた界面膜27、GST膜23及び上部電極24からなる相変化メモリ素子M1を得る。
次に、図15に示すように、実施の形態1同様、平坦化した層間絶縁膜IF2、及び層間絶縁膜IF2の上層部を貫通して上部電極24上にタングステンプラグWP2を得る。
次に、実施の形態1同様、ビット線BL1及びパッシベーション膜PF1を形成して、図10で示す構造を得る。その後、図示しないが、ボンディングパッドやダイシングラインなど、パッシベーション膜を除去したい部分のみを写真製版とドライエッチングなどで開口する。この後、ポリイミド膜などを成膜してもよい。
図10で示す構造の実施の形態2の相変化メモリは、上記した組成の絶縁性界面膜あるいは半導体界面膜である界面膜27をGST膜23とタングステンプラグWP1との間に挿入することにより、図1で示した前提技術の相変化メモリと同様に上記第1及び第2の課題の解決を図っている。そして、以下の効果をさらに奏している。
前述したように、膜厚が0.5nm以上5nm以下と薄膜の界面膜27を均一に成膜するため、界面膜27下地の平坦化が重要となる。タングステンプラグWP3はALD法を用いて製造されることにより、ALD法以外のCVD法等で堆積されるタングステンプラグのようにシーム51(図1参照)が生じにくいため、図1で示した前提技術におけるタングステンプラグWP1上に形成する場合に比べて、薄膜の界面膜27を膜厚精度良く安定に形成することができる効果を奏する。
なお、ALD法を用いて製造されるタングステンプラグWP3は、フッ素含有量が1×1021個/cm3を下回る特徴を有している。
さらに、図11,図16等に示すように、タングステンプラグWP3を埋め込むコンタクトホール28の断面形状は深さ方向に細くなるテーパー状を呈しているため、タングステンプラグWP3の断面形状も同様に深さ方向に細くなるテーパー状に形成される。
このため、コンタクトホール28の上部とタングステンプラグWP3の上部との間に少し段差が生じても、タングステンプラグWP3上に界面膜27を安定性よく形成することができる。
また、図12,図16等に示すように、コンタクトホール28の上端部の角部は面取り部42が形成されているため、コンタクトホール28の上端部とタングステンプラグWP3の上端部との間に少し段差が生じても、タングステンプラグWP3上に界面膜27を安定性よく形成することができる。
また、ALD法によって得られるタングステンプラグWP3は、他の方法で製造されるタングステンプラグWP1のように、シームが生じにくいため、界面膜27が成膜できないというような問題も発生しにくい。
したがって、図10〜図15で示した製造方法により得られる実施の形態2の相変化メモリは、上記第1及び第2の課題の解決に加え、さらに、膜厚精度の高い界面膜27を安定性良く成膜可能な構造の相変化メモリとなる。
<その他>
上記した実施の形態では相変化膜としてGST膜23を示したが、相変化による抵抗値の違いで信号を読み出すことができるGST膜以外のカルコゲナイド材料層を用いることができることは勿論である。
上記した実施の形態では相変化膜としてGST膜23を示したが、相変化による抵抗値の違いで信号を読み出すことができるGST膜以外のカルコゲナイド材料層を用いることができることは勿論である。
さらに、実施の形態1においても、実施の形態2のタングステンプラグWP3(図10等参照)と同様に、銅プラグCP1の断面形状を深さ方向に細くなるテーパー状に形成することにより、銅プラグCP1用のコンタクトホールの上部と銅プラグCP1の上部との間に少し段差が生じても、銅プラグCP1上に界面膜27を安定性よく形成することができるは勿論である。
加えて、実施の形態1においても、実施の形態2で示したコンタクトホール28(図11,図16等参照)と同様に、銅プラグCP1用のコンタクトホールの上端部の角部に面取り部を形成することにより、上記コンタクトホールの上端部と銅プラグCP1の上端部との間に少し段差が生じても、銅プラグCP1上に界面膜27を安定性よく形成することができる効果を奏することは勿論である。
23 GST膜、24 上部電極、27 界面膜、28 コンタクトホール、CP1 銅プラグ、M1 相変化メモリ素子、Q1 選択トランジスタ、WP1〜WP3 タングステンプラグ。
Claims (19)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の主面に形成された選択トランジスタと、
一端及び他端を有し、前記選択トランジスタの一方電極と前記他端が電気的に接続されるプラグと、
前記プラグの前記一端上に形成される、絶縁体あるいは半導体からなる界面膜と、
前記プラグに接触することなく、前記界面膜上に形成される相変化膜と、
前記相変化膜上に形成された上部電極とを備え、
前記プラグは、銅、あるいはタンタルを材料とした良平坦性プラグを有し、前記プラグの前記一端は前記良平坦性プラグの一端を含む、
半導体記憶装置。 - 請求項1記載の半導体記憶装置であって、
前記良平坦性プラグは、少なくとも一部に平坦度の平均粗さが1nm/1um□以下の材質を用いたプラグを含む、
半導体記憶装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の主面に形成された選択トランジスタと、
前記選択トランジスタの一方電極と電気的に接続される第1のプラグと、
前記第1のプラグ上において前記第1のプラグと電気的に接続される第2のプラグと、
前記第2のプラグの上に形成される、絶縁体あるいは半導体からなる界面膜と、
前記第2のプラグに接触することなく、前記界面膜上に形成される相変化膜と、
前記相変化膜上に形成された上部電極とを備え、
前記第2のプラグは、前記第1のプラグよりグレインサイズが大きい材質を含む、
半導体記憶装置。 - 請求項3記載の半導体記憶装置であって、
前記第2のプラグは、少なくとも一部に平坦度の平均粗さが1nm/1um□以下の材質を用いたプラグを含む、
半導体記憶装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の主面に形成された選択トランジスタと、
前記選択トランジスタ上に設けられた層間絶縁膜と、
一端及び他端を有し、前記層間絶縁膜を貫通して選択的に設けられ、前記選択トランジスタの一方電極と前記他端が電気的に接続されるプラグと、
前記プラグの前記一端上に形成される、絶縁体あるいは半導体からなる界面膜と、
前記プラグに接触することなく、前記界面膜上に形成される相変化膜と、
前記相変化膜上に形成された上部電極とを備え、
前記プラグは、少なくとも一部に平坦度の平均粗さが1nm/1um□以下の材質を用いた良平坦性プラグを有し、前記プラグの前記一端は前記良平坦性プラグの一端を含む、
半導体記憶装置。 - 請求項5記載の半導体記憶装置であって、
前記層間絶縁膜は第1及び第2の順で積層される第1及び第2の層間絶縁膜を含み、
前記プラグは前記第1の層間絶縁膜を貫通して形成される第1のプラグと、前記第2の層間絶縁膜を貫通して形成され、前記第1のプラグと電気的に接続される第2のプラグとを含み、
前記良平坦性プラグは前記第2のプラグを含み、
前記プラグの前記他端は前記第1のプラグの他端を含む、
半導体記憶装置。 - 請求項5あるいは請求項6に記載の半導体記憶装置であって、
前記良平坦性プラグはタングステンよりグレインサイズが大きい材質を用いたプラグを含む、
半導体記憶装置。 - 請求項5ないし請求項7のうち、いずれか1項に記載の半導体記憶装置であって、
前記良平坦性プラグは銅、あるいはタンタルを材料としたプラグを含む、
半導体記憶装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の主面に形成された選択トランジスタと、
前記選択トランジスタ上に設けられた層間絶縁膜と、
一端及び他端を有し、前記層間絶縁膜を貫通して選択的に設けられ、前記選択トランジスタの一方電極と前記他端が電気的に接続されるプラグと、
前記プラグの前記一端と接続して前記層間絶縁膜上に設けられ、絶縁体あるいは半導体からなる界面膜と、
前記プラグに接触することなく、前記界面膜上に形成される相変化膜と、
前記相変化膜上に形成された上部電極とを備え、
前記プラグはALD法を用いて製造されたタングステンを材料としたタングステンプラグを含む、
半導体記憶装置。 - 請求項9記載の半導体記憶装置であって、
前記タングステンプラグは、フッ素含有量が1×1021個/cm3を下回るプラグを含む、
半導体記憶装置。 - 請求項9あるいは請求項10記載の半導体記憶装置であって、
前記プラグは前記層間絶縁膜を貫通して形成されるコンタクトホール内に形成され、
前記コンタクトホールは開口径が深さ方向に細くなるテーパー状を呈する、
半導体記憶装置。 - 請求項9あるいは請求項10記載の半導体記憶装置であって、
前記プラグは前記層間絶縁膜を貫通して形成されるコンタクトホール内に形成され、
前記コンタクトホールの上端部の角部は面取りされた断面形状を有する、
半導体記憶装置。 - (a) 半導体基板の主面に選択トランジスタを形成するステップと、
(b) 前記選択トランジスタを含む主面上に層間絶縁膜を形成するステップと、
(c) 前記層間絶縁膜を貫通して、前記選択トランジスタの一方電極と電気的に接続されるプラグを形成するステップと、
(d) 前記プラグの一端上に、絶縁体あるいは半導体からなる界面膜を直接形成するステップと、
(e) 前記プラグに接触することなく、前記界面膜上に相変化膜を形成するステップと、
(f) 前記相変化膜上に上部電極を形成するステップとを備え、
前記プラグは平坦度の平均粗さが1nm/1um□以下の材質を用いた良平坦性プラグを含み、前記プラグの前記一端は前記良平坦性プラグの一端を含む、
半導体記憶装置の製造方法。 - 請求項13記載の半導体記憶装置の製造方法であって、
前記ステップ(b) は、
(b-1) 前記選択トランジスタを含む全面に第1の層間絶縁膜を形成するステップと、
(b-2) 前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成するステップとを含み、前記層間絶縁膜は前記第1及び第2の層間絶縁膜を含み、
前記ステップ(c) は、
(c-1) 前記ステップ(b-1)後,前記ステップ(b-2)前に実行され、 前記第1の層間絶縁膜を貫通して前記選択トランジスタの一方電極と電気的に接続される第1のプラグを形成するステップと、
(c-2) 前記ステップ(b-2)後に実行され、前記第2の層間絶縁膜を貫通し、前記第1のプラグと電気的に接続される第2のプラグを形成するステップとを含み、
前記プラグは前記第1及び第2のプラグを含み、前記良平坦性プラグは前記第2のプラグを含む、
半導体記憶装置の製造方法。 - 請求項13あるいは請求項14に記載の半導体記憶装置の製造方法であって、
前記良平坦性プラグはタングステンよりグレインサイズが大きい材質を用いたプラグを含む、
半導体記憶装置の製造方法。 - 請求項13ないし請求項15のうち、いずれか1項に記載の半導体記憶装置の製造方法であって、
前記良平坦性プラグは銅、あるいはタンタルを材料としたプラグを含む、
半導体記憶装置の製造方法。 - (a) 半導体基板の主面に選択トランジスタを形成するステップと、
(b) 前記選択トランジスタを含む全面に層間絶縁膜を形成するステップと、
(c) 前記層間絶縁膜を貫通して、前記選択トランジスタの一方電極と電気的接続されるプラグを、タングステンを材料としてALD法を用いて形成するステップと、
(d) 前記プラグの一端上に、絶縁体あるいは半導体からなる界面膜を直接形成するステップと、
(e) 前記プラグに接触することなく、前記界面膜上に相変化膜を形成するステップと、
(f) 前記相変化膜上に上部電極を形成するステップとを備える、
半導体記憶装置の製造方法。 - 請求項17記載の半導体記憶装置の製造方法であって、
前記ステップ(c) は、
(c-1) 前記層間絶縁膜を貫通して、前記選択トランジスタの一方電極上にコンタクトホールを形成するステップを含み、前記コンタクトホールは開口径が深さ方向に細くなるテーパー状を呈するように形成され、
(c-2) 前記ALD法を用いて前記コンタクトホール内に前記プラグを形成するステップをさらに含む、
半導体記憶装置の製造方法。 - 請求項18記載の半導体記憶装置の製造方法であって、
前記ステップ(c-1) は、前記コンタクトホールの上端部の角部を面取りするステップをさらに含む、
半導体記憶装置の製造方法。
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JP2010538486A (ja) * | 2007-09-07 | 2010-12-09 | 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 | 電子素子、及び、電子素子の製造方法 |
JP2014022619A (ja) * | 2012-07-20 | 2014-02-03 | Hitachi Ltd | 低電力で動作する半導体記憶装置 |
-
2006
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JP2010538486A (ja) * | 2007-09-07 | 2010-12-09 | 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 | 電子素子、及び、電子素子の製造方法 |
US8344349B2 (en) | 2007-09-07 | 2013-01-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component, and a method of manufacturing an electronic component |
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