JP2008130376A - Vacuum device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent evaporation of frit glass and occurrence of cracks in a glass member in the vicinity of a getter lead in producing a getter flash. <P>SOLUTION: The vacuum device includes: a first substrate 1 having a cathode electrode with an emitter formed thereon; a second substrate 2 having an anode electrode; and a getter box 3 having a current-carrying type getter 12 housed therein for keeping a space in the vacuum device in a vacuum condition. Getter leads 31 for carrying a current to the current-carrying type getter are respectively connected to both ends of the current-carrying type getter. The getter leads are led out to the outside of the vacuum device through a position on a line 13b generally orthogonal to a line 13a connecting connection points 13 with the getter leads at both ends of the current-carrying type getter. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子源を内蔵し、内部が真空に保持された真空装置に関する。特に、電界放出型表示装置(Field Emission Device、以下、FEDという)に好ましく適用することができる真空装置に関する。   The present invention relates to a vacuum apparatus having a built-in electron source and kept inside a vacuum. In particular, the present invention relates to a vacuum apparatus that can be preferably applied to a field emission display device (hereinafter referred to as FED).

近年、ガラス等からなる真空容器内に、ミクロンサイズの真空微細構造を集積した電子源としての冷陰極を配置した真空マイクロエレクトロニクスが注目を集めている。この真空マイクロエレクトロニクスの応用として、能動素子、磁気等を検出する各種センサ、撮像管やリソグラフィー用電子ビーム装置、薄型フラットパネル表示装置などの電子源内蔵真空装置が研究開発されている。   In recent years, vacuum microelectronics in which a cold cathode as an electron source in which micron-sized vacuum microstructures are integrated in a vacuum vessel made of glass or the like has attracted attention. As applications of this vacuum microelectronics, active devices, various sensors for detecting magnetism, vacuum tubes with built-in electron sources such as imaging tubes, lithography electron beam devices, and thin flat panel display devices have been researched and developed.

薄型フラットパネル表示装置では、1つの画素に複数の微小冷陰極を対応させる。この微小冷陰極としては、電界放出素子、MIM型電子放出素子、表面伝導型電子放出素子、PN接合型電子放出素子などが提案されている。薄型フラットパネル表示装置の最も代表的なものとしては、非特許文献1等に記載されているような、電界放出素子を用いたFEDがある。このFEDでは、例えばスピント(Spindt)型と呼ばれる電界放出素子が使用される。   In a thin flat panel display device, a plurality of micro cold cathodes are associated with one pixel. As this micro cold cathode, a field emission device, an MIM type electron emission device, a surface conduction type electron emission device, a PN junction type electron emission device, and the like have been proposed. As the most typical flat panel display device, there is an FED using a field emission element as described in Non-Patent Document 1 or the like. In this FED, for example, a field emission device called a Spindt type is used.

電界放出素子を用いた電子源では、カソード基板上に複数のストライプ状のカソード電極が設けられ、その上に絶縁層が一面に形成されている。絶縁層の上に、複数のストライプ状のゲート電極が形成されている。ストライプ状のゲート電極の延設方向は、ストライプ状のカソード電極の延設方向に対して直角である。複数のカソード電極と複数のゲート電極との各交差点には、ゲート電極およびその下の絶縁層を貫通する開口が形成されている。各開口の中には、カソード電極上にコーン状のエミッタが形成されている。カソード電極と絶縁層との間に抵抗層を形成する場合もある。電子源に対向してアノード電極が配置される。このような構成において、アノード電極にアノード電圧を供給し、複数のゲート電極に引き出し電圧を順次印加して走査しながら、複数のカソード電極の各々に画像信号を供給する。エミッタとゲート電極との間に形成される電界により、エミッタから電子が放出される。放出された電子はアノード電極に向かって進行し、アノード電極上に設けられた蛍光体に衝突してこれを発光させることにより表示動作が行なわれる。   In an electron source using a field emission device, a plurality of striped cathode electrodes are provided on a cathode substrate, and an insulating layer is formed over the entire surface. A plurality of stripe-shaped gate electrodes are formed on the insulating layer. The extending direction of the striped gate electrode is perpendicular to the extending direction of the striped cathode electrode. At each intersection of the plurality of cathode electrodes and the plurality of gate electrodes, an opening penetrating the gate electrode and the insulating layer therebelow is formed. In each opening, a cone-shaped emitter is formed on the cathode electrode. A resistance layer may be formed between the cathode electrode and the insulating layer. An anode electrode is disposed opposite the electron source. In such a configuration, an anode voltage is supplied to the anode electrode, and an image signal is supplied to each of the plurality of cathode electrodes while scanning by sequentially applying extraction voltages to the plurality of gate electrodes. Electrons are emitted from the emitter by an electric field formed between the emitter and the gate electrode. The emitted electrons travel toward the anode electrode, and collide with a phosphor provided on the anode electrode to emit light so that a display operation is performed.

図9は、従来の電子源内蔵真空装置の概要構成を示す平面図である。図中、1はカソード基板、2はアノード基板、3はゲッターボックス、4は連通孔、5は排気管である。カソード基板1とアノード基板2とが微少間隔(例えば約200μm〜500μm)離隔されて、且つアノード基板2をカソード基板1に対して斜め上方向にずらせて対向させて配置されている。その結果、アノード基板2の2辺はカソード基板1より外方に突き出している。アノード基板2のこの突き出した2辺のうちの1辺に、突き出したアノード基板2の一部を覆うように、矩形状のゲッターボックス3が設けられている。カソード基板1とアノード基板2との周辺部は、ゲッターボックス3の部分を除いてフリットガラスなどのシール部材により封着されている。カソード基板1とアノード基板2との間の空間は、ゲッターボックス3内の空間と繋がっている。ゲッターボックス3内の空間は、その底面に形成された連通孔4を介して排気管5につながっている。   FIG. 9 is a plan view showing a schematic configuration of a conventional electron source built-in vacuum apparatus. In the figure, 1 is a cathode substrate, 2 is an anode substrate, 3 is a getter box, 4 is a communication hole, and 5 is an exhaust pipe. The cathode substrate 1 and the anode substrate 2 are spaced apart from each other by a minute distance (for example, about 200 μm to 500 μm), and the anode substrate 2 is disposed so as to face the cathode substrate 1 while being shifted obliquely upward. As a result, the two sides of the anode substrate 2 protrude outward from the cathode substrate 1. A rectangular getter box 3 is provided on one of the two protruding sides of the anode substrate 2 so as to cover a part of the protruding anode substrate 2. The periphery of the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 is sealed with a sealing member such as frit glass except for the portion of the getter box 3. The space between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 is connected to the space in the getter box 3. The space in the getter box 3 is connected to the exhaust pipe 5 through a communication hole 4 formed on the bottom surface.

電子源内蔵真空装置においては、カソード基板1とアノード基板2との間の空間を真空にする必要がある。そのため、製造時において、排気工程後に残存しているガスを吸着させるためのゲッターが、ゲッターボックス3内に収納されている。   In the vacuum device with a built-in electron source, the space between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 needs to be evacuated. Therefore, a getter for adsorbing the gas remaining after the exhaust process is accommodated in the getter box 3 at the time of manufacture.

図10は、ゲッターボックス3の近傍を示した平面図である。図10では、図面を簡略化するために、アノード基板2を取り除いた状態を示している。図中、12は通電型ゲッター、11はゲッター12に通電するための一対のゲッターリード、13はゲッター12の両端と一対のゲッターリード11とを結ぶ溶接点である。   FIG. 10 is a plan view showing the vicinity of the getter box 3. FIG. 10 shows a state where the anode substrate 2 is removed in order to simplify the drawing. In the figure, 12 is an energizing getter, 11 is a pair of getter leads for energizing the getter 12, and 13 is a welding point connecting both ends of the getter 12 and the pair of getter leads 11.

図11(A)は図10の溶接点13近傍の通電型ゲッター12及びゲッターリード11を示した拡大平面図、図11(B)は図11(A)のXIB−XIB線ので矢視断面図である。また、図12は図10のXII−XII線での矢視断面図、図13は図10のXIII−XIII線での矢視断面図である。図12及び図13では、図10では図示を省略したアノード基板2を併せて示している。   11A is an enlarged plan view showing the energized getter 12 and the getter lead 11 in the vicinity of the welding point 13 in FIG. 10, and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along the line XIB-XIB in FIG. It is. 12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII in FIG. 10, and FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line XIII-XIII in FIG. 12 and 13, the anode substrate 2 not shown in FIG. 10 is also shown.

図10及び図11(A)に示すように、一対のゲッターリード11及び通電型ゲッター12は、一対のゲッターリード11と通電型ゲッター12とを結ぶ2つの溶接点13を結ぶ軸線13aに沿って略平行に配置されている。   As shown in FIG. 10 and FIG. 11A, the pair of getter leads 11 and the energized getter 12 are along an axis 13 a that connects two welding points 13 that connect the pair of getter leads 11 and the energized getter 12. They are arranged substantially in parallel.

図12及び図13に示すように、ゲッターボックス3は側板3aと底板3bとからなり、側板3aとアノード基板2、側板3aとカソード基板1、側板3aと底板3b、底板3bと排気管5とは、いずれもフリットガラス等の封着材20により封着されている。一対のゲッターリード11は、軸線13aとほぼ平行に延設され、側板3aとカソード基板1とを封着する封着材20を貫通して真空装置外に導出されている。これにより、真空装置外からゲッター12に通電することができる。   As shown in FIGS. 12 and 13, the getter box 3 includes a side plate 3a and a bottom plate 3b. The side plate 3a and the anode substrate 2, the side plate 3a and the cathode substrate 1, the side plate 3a and the bottom plate 3b, the bottom plate 3b and the exhaust pipe 5 Are sealed with a sealing material 20 such as frit glass. The pair of getter leads 11 extends substantially in parallel with the axis 13a, passes through a sealing material 20 that seals the side plate 3a and the cathode substrate 1, and is led out of the vacuum apparatus. As a result, the getter 12 can be energized from outside the vacuum apparatus.

図11(B)に示すように、ゲッター12は、一面にスリット状の開口が形成された中空四角柱形状の金属ケース(ゲッターコンテナ)15内に、例えば、Ba(バリウム)、Al(アルミニウム)、Ni(ニッケル)からなるゲッターミクチャー14が収納されてなる。真空装置外から、一対のゲッターリード11を介して金属ケース15に電流を流して加熱して、ゲッターミクチャー14からBaを蒸発させゲッターボックス3の内部壁面にゲッターミラー(鏡面)として蒸着させる。この工程は一般にゲッターフラッシュと呼ばれる。電子源が駆動されているときには、真空装置の内壁に吸蔵されていた微小なガスが放出されて内部を汚染したり真空度を低減させたりする。ゲッターミラーはこの放出されたガスを吸着して真空装置内を清浄かつ真空に保持する。これにより電子源からのエミッション劣化を防止し、長時間安定したエミッションを行うことができる。   As shown in FIG. 11 (B), the getter 12 is, for example, Ba (barium), Al (aluminum) in a hollow rectangular column-shaped metal case (getter container) 15 in which a slit-like opening is formed on one surface. And a getter mixture 14 made of Ni (nickel). From outside the vacuum apparatus, a current is passed through the metal case 15 through a pair of getter leads 11 to heat, and Ba is evaporated from the getter mixture 14 and deposited on the inner wall surface of the getter box 3 as a getter mirror (mirror surface). This process is generally called getter flash. When the electron source is driven, a minute gas occluded in the inner wall of the vacuum device is released, contaminating the inside and reducing the degree of vacuum. The getter mirror adsorbs the released gas to keep the inside of the vacuum apparatus clean and vacuum. As a result, emission deterioration from the electron source can be prevented and stable emission can be performed for a long time.

この通電型ゲッター12の金属ケース15としては、一般に一辺約0.7mmの略四角形の断面形状を有する長いワイヤー状物を、所定の長さにカットしたものが使用される。よって、この通電型ゲッター12の両端では、ゲッターミクチャー14は金属ケース15に覆われておらず、露出している。また、一般に、ゲッターミクチャー14が溶解してBaが蒸発する温度は約800℃である。このためゲッターフラッシュ時に、通電型ゲッター12両端に約800℃に加熱されたゲッターミクチャー14が露出することになり、これからの熱放射によって、この近傍のゲッターリード11が加熱される。その結果、熱がゲッターリード11を伝わり、ゲッターリード11を封止するフリットガラス20を加熱し蒸発させたり、フリットガラス20、ゲッターボックス3、及びカソード基板1等のガラス部材のゲッターリード11近傍部分にクラックを発生させたりするという課題がある。   As the metal case 15 of the energization type getter 12, generally, a long wire-like material having a substantially square cross-sectional shape with a side of about 0.7 mm is cut to a predetermined length. Therefore, the getter mixture 14 is not covered with the metal case 15 and exposed at both ends of the energized getter 12. In general, the temperature at which the getter mixture 14 dissolves and Ba evaporates is about 800 ° C. For this reason, at the time of getter flash, the getter mixture 14 heated to about 800 ° C. is exposed at both ends of the energized getter 12, and the nearby getter lead 11 is heated by the heat radiation. As a result, heat is transmitted through the getter lead 11 to heat and evaporate the frit glass 20 that seals the getter lead 11, or a portion of the glass member such as the frit glass 20, the getter box 3, and the cathode substrate 1 in the vicinity of the getter lead 11. There is a problem of generating cracks.

また、通電型ゲッター12において、Baの飛散量は、通電型ゲッター12への電流量(以下、「印加電流」)と電流を通電する時間(以下、「印加時間」)によって決まる。一般にカソード基板1とゲッターボックス3との間を封止するフリットガラス20を貫通するゲッターリード11の断面積が小さいほど、ゲッターリード11とフリットガラス20との密着性が向上し、真空装置の気密性が向上する。ところが、ゲッターリード11の断面積が小さいほどゲッターリード11の抵抗値が高くなる。通電によって発生するジュール熱の熱量Q(J)は、印加電流をI(A)、ゲッターリード11及び通電型ゲッター12の合成抵抗値をR(Ω)、印加時間をt(秒)とすると、Q=I2*R*tで求められる。即ち、ゲッターリード11の断面積が小さいと、合成抵抗値Rが大きくなり、ゲッターリードが発熱して温度が上昇する。従って、ゲッターフラッシュ時にゲッター12によってゲッターリード11が加熱される場合と同様に、発熱したゲッターリード11がフリットガラス20を加熱し蒸発させたり、フリットガラス20、ゲッターボックス3、及びカソード基板1等のガラス部材のゲッターリード11近傍部分にクラックを発生させたりするという課題がある。 In the energized getter 12, the amount of Ba scattering is determined by the amount of current (hereinafter referred to as "applied current") to the energized getter 12 and the time during which the current is energized (hereinafter "applied time"). In general, the smaller the cross-sectional area of the getter lead 11 passing through the frit glass 20 that seals between the cathode substrate 1 and the getter box 3, the better the adhesion between the getter lead 11 and the frit glass 20, and the airtightness of the vacuum apparatus. Improves. However, the smaller the cross-sectional area of the getter lead 11, the higher the resistance value of the getter lead 11. The amount of Joule heat Q (J) generated by energization is defined as I (A) for the applied current, R (Ω) for the combined resistance value of the getter lead 11 and the energized getter 12, and t (second) for the application time. Q = I 2 * R * t. That is, when the cross-sectional area of the getter lead 11 is small, the combined resistance value R increases, the getter lead generates heat, and the temperature rises. Accordingly, in the same manner as when the getter lead 11 is heated by the getter 12 at the time of getter flash, the heated getter lead 11 heats and evaporates the frit glass 20, or the frit glass 20, the getter box 3, the cathode substrate 1, and the like. There is a problem that a crack is generated in the vicinity of the getter lead 11 of the glass member.

このような課題に対して、通電型ゲッターに代わり、ニクロム線等の抵抗加熱体にゲッターミクチャーを焼結させた、非蒸発型ゲッターを用いる方法がある(例えば特許文献1参照)。非蒸発型ゲッターを活性化させるには、真空装置外よりニクロム線に通電して、通常、ニクロム線を、400〜430℃で30分間程度、500℃で10分間程度、又は850〜900℃で1分間程度加熱する必要がある。しかし、非蒸発型ゲッターの活性化は、排気管をチップオフする封止工程で行うのが常識であり、この状態ではカソード基板には電界放出素子がすでに配置されている。電界放出素子は、一般に、ガラス基板からなるカソード基板上に形成されたカソード電極としての蒸着膜上に、高精度に位置決めして銀ろう付け又は接着剤等を用いてダイボンドして形成される。しかし、ダイボンドに使用される銀ろうや接着剤は通常120〜200℃でその接着強度は失わる。従って、上述のように非蒸発型ゲッターを例えば400〜430℃で30分間程度加熱して活性化させた場合、非蒸発型ゲッターが収納されている真空装置自体が上述の接着強度が失われる温度に達してしまうため、電界放出素子を固定している銀ろう付け及び接着剤等が軟化し、電界放出素子の位置ずれや最悪の場合は電界放出素子の剥がれが生じてしまう。   In order to deal with such problems, there is a method using a non-evaporable getter in which a getter mixture is sintered in a resistance heating body such as a nichrome wire instead of the energized getter (see, for example, Patent Document 1). In order to activate the non-evaporable getter, the nichrome wire is energized from outside the vacuum apparatus, and the nichrome wire is usually used at 400 to 430 ° C. for about 30 minutes, 500 ° C. for about 10 minutes, or 850 to 900 ° C. It is necessary to heat for about 1 minute. However, it is common knowledge that the non-evaporable getter is activated in a sealing process in which the exhaust pipe is chipped off. In this state, field emission elements are already arranged on the cathode substrate. The field emission device is generally formed on a vapor deposition film as a cathode electrode formed on a cathode substrate made of a glass substrate by high-precision positioning and die-bonding using silver brazing or an adhesive. However, the silver brazing solder and adhesive used for die bonding usually lose their adhesive strength at 120 to 200 ° C. Therefore, when the non-evaporable getter is activated by heating at 400 to 430 ° C. for about 30 minutes as described above, the temperature at which the vacuum device itself in which the non-evaporable getter is stored loses the above-described adhesive strength. Therefore, the silver brazing and the adhesive fixing the field emission element are softened, and the position of the field emission element is displaced, and in the worst case, the field emission element is peeled off.

一方、通電型ゲッターのゲッターフラッシュ工程では、通電型ゲッターの加熱は約1000℃で僅か30秒程度であり、このような短時間の加熱では熱容量の大きいカソード基板が高温度に達することはない。従って、カソード基板に固定されている電界放出素子の位置不良や剥がれ等の問題が発生することは無い。
特開平10−199453号公報 日経エレクトロニクス,No.654(1996.1.29)p.89−98
On the other hand, in the getter flash process of the energized getter, heating of the energized getter is only about 30 seconds at about 1000 ° C., and the cathode substrate having a large heat capacity does not reach a high temperature by such a short time heating. Therefore, there is no problem such as a position defect or peeling of the field emission element fixed to the cathode substrate.
JP 10-199453 A Nikkei Electronics, No. 654 (1996.1.29) p. 89-98

本発明は、上述した従来の課題を解決するものであり、ゲッターフラッシュ時に、フリットガラスが蒸発したり、フリットガラス、カソード基板、ゲッターボックス等のゲッターリード近傍のガラス部材にクラックが発生したりすることを防止して、これらに起因する真空度劣化を無くし、エミッション特性の低減が無い真空装置を提供することを目的とする。   The present invention solves the above-described conventional problems, and during the getter flash, the frit glass evaporates, or cracks occur in glass members near the getter lead such as the frit glass, the cathode substrate, and the getter box. It is an object of the present invention to provide a vacuum apparatus that prevents the deterioration of the degree of vacuum caused by them and does not reduce emission characteristics.

本発明の真空装置は、エミッタが形成されたカソード電極を有する第1基板と、前記エミッタからの電子放出方向に、前記第1基板に対して離間して配置されたアノード電極を有する第2基板と、通電型ゲッターが収納されたゲッターボックスとを有し、内部空間が真空である真空装置である。前記通電型ゲッターの両端には、前記通電型ゲッターに通電するためのゲッターリードがそれぞれ接続されている。   A vacuum apparatus according to the present invention includes a first substrate having a cathode electrode on which an emitter is formed, and a second substrate having an anode electrode spaced apart from the first substrate in the direction of electron emission from the emitter. And a getter box in which an energized getter is accommodated, and the internal space is a vacuum device. Getter leads for energizing the energized getter are connected to both ends of the energized getter.

本発明の第1の真空装置では、前記ゲッターリードは、前記通電型ゲッターの両端の前記ゲッターリードとの接続点を結ぶ直線に略直交する直線上の位置を通って前記真空装置外に導出されていることを特徴とする。   In the first vacuum apparatus of the present invention, the getter lead is led out of the vacuum apparatus through a position on a straight line that is substantially orthogonal to a straight line that connects the connection points with the getter leads at both ends of the energized getter. It is characterized by.

本発明の第2の真空装置では、前記ゲッターリードの前記真空装置外に導出された直後の位置又はその近傍において、前記ゲッターリードの幅が拡大されており、又は前記ゲッターリードに前記ゲッターリードよりも広幅の部材が接合されていることを特徴とする。   In the second vacuum apparatus of the present invention, the width of the getter lead is enlarged at the position immediately after the getter lead is led out of the vacuum apparatus or in the vicinity thereof, or the getter lead has a larger width than the getter lead. Also, a wide member is joined.

本発明によれば、ゲッターフラッシュ時に、フリットガラスが蒸発したり、フリットガラス、カソード基板、ゲッターボックス等のゲッターリード近傍のガラス部材にクラックが発生したりすることを防止できる。その結果、これらに起因する真空度劣化を無くし、エミッション特性の低減が無い真空装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to prevent the frit glass from evaporating during the getter flash and the generation of cracks in the glass members near the getter leads such as the frit glass, the cathode substrate, and the getter box. As a result, it is possible to provide a vacuum apparatus that eliminates the deterioration of the vacuum caused by these and does not reduce the emission characteristics.

本発明の第1の真空装置では、前記ゲッターリードは、前記通電型ゲッターの両端の前記ゲッターリードとの接続点を結ぶ直線に略直交する直線上の位置を通って前記真空装置外に導出されている。これにより、ゲッターリードと通電型ゲッターとの接続点からフリットガラス等の封着材までのゲッターリードに沿った距離が長くなるので、ゲッターフラッシュ時の熱放射によりゲッターリードの温度が上昇しても、その熱がゲッターリードを伝わって封着材に至るまでの間に放熱される。従って、ゲッターリードが封着材を貫通する地点ではゲッターリードの温度は低下しているので、フリットガラスが蒸発したり、ガラス部材にクラックが発生したりすることがない。   In the first vacuum apparatus of the present invention, the getter lead is led out of the vacuum apparatus through a position on a straight line that is substantially orthogonal to a straight line that connects the connection points with the getter leads at both ends of the energized getter. ing. This increases the distance along the getter lead from the connection point between the getter lead and the energized getter to the sealing material such as frit glass, so even if the temperature of the getter lead rises due to thermal radiation during the getter flash The heat is dissipated between the getter lead and the sealing material. Therefore, since the temperature of the getter lead is lowered at the point where the getter lead penetrates the sealing material, the frit glass does not evaporate and the glass member does not crack.

本発明の第2の真空装置では、前記ゲッターリードの前記真空装置外に導出された直後の位置又はその近傍において、前記ゲッターリードの幅が拡大されており、又は前記ゲッターリードに前記ゲッターリードよりも広幅の部材が接合されている。これにより、真空装置外の広幅の部分が放熱板として機能してゲッターリードの温度を低下させる。従って、ゲッターリードが封着材を貫通する地点でのゲッターリードの温度を低下させることができるので、フリットガラスが蒸発したり、ガラス部材にクラックが発生したりすることがない。   In the second vacuum apparatus of the present invention, the width of the getter lead is enlarged at the position immediately after the getter lead is led out of the vacuum apparatus or in the vicinity thereof, or the getter lead has a larger width than the getter lead. Also, a wide member is joined. As a result, the wide portion outside the vacuum device functions as a heat radiating plate to lower the temperature of the getter lead. Therefore, since the temperature of the getter lead at the point where the getter lead penetrates the sealing material can be lowered, the frit glass does not evaporate and the glass member does not crack.

上記の本発明の第2の真空装置において、前記ゲッターリードは、前記通電型ゲッターの両端の前記ゲッターリードとの接続点を結ぶ直線に略直交する直線上の位置を通って前記真空装置外に導出されていることが好ましい。これにより、本発明の第1の真空装置による上記の効果が更に得られるので、フリットガラスの蒸発やガラス部材のクラックの発生を更に防止することができる。   In the second vacuum apparatus of the present invention, the getter leads pass outside the vacuum apparatus through positions on a straight line that is substantially orthogonal to a straight line that connects the connection points of the getter leads at both ends of the energized getter. It is preferably derived. As a result, the above-described effect of the first vacuum device of the present invention can be further obtained, and therefore it is possible to further prevent the frit glass from evaporating and the glass member from cracking.

上記の本発明の第1及び第2の真空装置において、前記通電型ゲッターの一端に接続された前記ゲッターリードの数が複数であることが好ましい。これにより、1本のゲッターリードに流れる電流が低減するのでゲッターリードの発熱が低減する。さらに、ゲッターフラッシュ時に通電型ゲッターから1本のゲッタリードに伝えられる熱は少なくなるので、個々のゲッターリードの温度が低下する。従って、ゲッターリードが封着材を貫通する地点でのゲッターリードの温度を更に低下させることができるので、フリットガラスの蒸発やガラス部材のクラックの発生を更に防止することができる。   In the first and second vacuum apparatuses of the present invention, it is preferable that the number of getter leads connected to one end of the energized getter is plural. As a result, the current flowing through one getter lead is reduced, so heat generation of the getter lead is reduced. Furthermore, since the heat transferred from the energized getter to one getter lead during the getter flash is reduced, the temperature of each getter lead is lowered. Accordingly, the temperature of the getter lead at the point where the getter lead penetrates the sealing material can be further lowered, and therefore, the frit glass can be further prevented from evaporating and the glass member can be prevented from cracking.

以下、本発明の好適な実施の形態を示す。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described.

(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1に係る電子源内蔵真空装置の概要構成を示す平面図、図2は、図1のII−II線での矢視断面図である。図1では、図面を簡略化するために、アノード基板2を取り除いた状態を示している。また、フリットガラスなどの封着材20の図示も省略している。図3は、通電型ゲッター12の一端とこれに接続されたゲッターリード31とを示した拡大平面図である。これらの図において従来と同一の構成部材には同一の符号を付して、それらについての説明を省略する。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an electron source built-in vacuum apparatus according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. FIG. 1 shows a state where the anode substrate 2 is removed in order to simplify the drawing. Also, the sealing material 20 such as frit glass is not shown. FIG. 3 is an enlarged plan view showing one end of the energized getter 12 and the getter lead 31 connected thereto. In these drawings, the same components as those in the prior art are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

これらの図において、1はカソード基板、2はアノード基板、3はゲッターボックス、4は連通孔、5は排気管である。カソード基板1上に複数のストライプ状のカソード電極(図示せず)が設けられ、その上に絶縁層(図示せず)が一面に形成されている。絶縁層の上に、複数のストライプ状のゲート電極(図示せず)が形成されている。ストライプ状のゲート電極の延設方向は、ストライプ状のカソード電極の延設方向に対して直角である。複数のカソード電極と複数のゲート電極との各交差点には、ゲート電極およびその下の絶縁層を貫通する開口が形成されている。各開口の中には、カソード電極上にコーン状のエミッタ(図示せず)が形成されている。カソード基板1に対して微少間隔(例えば約200μm〜500μm)離間してアノード基板2が配置されている。アノード基板2のカソード基板1に対向する側の面にはアノード電極(図示せず)が形成されている。   In these drawings, 1 is a cathode substrate, 2 is an anode substrate, 3 is a getter box, 4 is a communication hole, and 5 is an exhaust pipe. A plurality of striped cathode electrodes (not shown) are provided on the cathode substrate 1, and an insulating layer (not shown) is formed on the entire surface. A plurality of striped gate electrodes (not shown) are formed on the insulating layer. The extending direction of the striped gate electrode is perpendicular to the extending direction of the striped cathode electrode. At each intersection of the plurality of cathode electrodes and the plurality of gate electrodes, an opening penetrating the gate electrode and the insulating layer therebelow is formed. In each opening, a cone-shaped emitter (not shown) is formed on the cathode electrode. The anode substrate 2 is disposed with a small distance (for example, about 200 μm to 500 μm) from the cathode substrate 1. An anode electrode (not shown) is formed on the surface of the anode substrate 2 facing the cathode substrate 1.

例えば真空装置を表示装置として使用する場合には、アノード電極にアノード電圧を供給し、複数のゲート電極に引き出し電圧を順次印加して走査しながら、複数のカソード電極の各々に画像信号を供給する。エミッタとゲート電極との間に形成される電界により、エミッタから電子が放出される。放出された電子はアノード電極に向かって進行し、アノード電極上に設けられた蛍光体(図示せず)に衝突してこれを発光させることにより表示動作が行なわれる。   For example, when a vacuum device is used as a display device, an anode voltage is supplied to the anode electrode, and an image signal is supplied to each of the plurality of cathode electrodes while scanning by sequentially applying an extraction voltage to the plurality of gate electrodes. . Electrons are emitted from the emitter by an electric field formed between the emitter and the gate electrode. The emitted electrons travel toward the anode electrode, and collide with a phosphor (not shown) provided on the anode electrode to emit light, thereby performing a display operation.

電子源内蔵真空装置においては、カソード基板1とアノード基板2との間の空間を真空にする必要がある。そのため、製造時において、排気工程後に残存しているガスを吸着させるための通電型ゲッター13が、ゲッターボックス3内に収納されている。   In the vacuum device with a built-in electron source, the space between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 needs to be evacuated. For this reason, an energized getter 13 for adsorbing the gas remaining after the exhaust process is accommodated in the getter box 3 at the time of manufacture.

図1、図2に示すように、ゲッターボックス3はカソード基板1のアノード基板2とは反対側に設けられている。アノード基板2の端縁はカソード基板1の端縁よりも外側に突出しており、この突出したアノード基板2とその一部が対向するように、ゲッターボックス3がカソード基板1の前記端縁よりも外側に突出している。ゲッターボックス3は側板3aと底板3bとからなり、側板3aとアノード基板2、側板3aとカソード基板1、側板3aと底板3b、底板3bと排気管5とは、いずれもフリットガラス等の封着材20により、リークが生じないように、且つ、真空装置内が所定の真空度に維持されるように封着されている。これにより、真空装置内で、ゲッターボックス3内の空間と、カソード基板1とアノード基板2との間の空間とが繋がっている。底板3bには連通孔4が形成されており、連通孔4を介してゲッターボックス3内の空間と排気管5とが繋がっている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the getter box 3 is provided on the opposite side of the cathode substrate 1 from the anode substrate 2. The edge of the anode substrate 2 protrudes outward from the edge of the cathode substrate 1, and the getter box 3 is located above the edge of the cathode substrate 1 so that the protruding anode substrate 2 faces a part thereof. Projects outward. The getter box 3 includes a side plate 3a and a bottom plate 3b. The side plate 3a and the anode substrate 2, the side plate 3a and the cathode substrate 1, the side plate 3a and the bottom plate 3b, and the bottom plate 3b and the exhaust pipe 5 are all sealed with frit glass or the like. The material 20 is sealed so that no leakage occurs and the inside of the vacuum device is maintained at a predetermined degree of vacuum. Thereby, the space in the getter box 3 and the space between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 are connected in the vacuum apparatus. A communication hole 4 is formed in the bottom plate 3 b, and the space in the getter box 3 and the exhaust pipe 5 are connected via the communication hole 4.

通電型ゲッター12は、ゲッターボックス3内の、カソード基板1と底板3bとの間であって、アノード基板2が直接見通せない位置に配置されている。通電型ゲッター12は、一面にスリット状の開口が形成された中空四角柱形状の金属ケース(ゲッターコンテナ)15内に、例えば、Ba(バリウム)、Al(アルミニウム)、Ni(ニッケル)からなるゲッターミクチャー14が収納されてなる。   The energization type getter 12 is disposed in the getter box 3 between the cathode substrate 1 and the bottom plate 3b so that the anode substrate 2 cannot be directly seen. The energized getter 12 is a getter made of, for example, Ba (barium), Al (aluminum), or Ni (nickel) in a hollow rectangular column-shaped metal case (getter container) 15 having a slit-like opening formed on one surface. The mixture 14 is stored.

図1、図3に示すように、通電型ゲッター12の両端にゲッターリード31がそれぞれ溶接により接続されている。13は通電型ゲッター12とゲッターリード31との溶接点である。ゲッターリード31は、真空装置外に導出されており、これにより、真空装置外からゲッター12に通電することができる。   As shown in FIGS. 1 and 3, getter leads 31 are connected to both ends of the energized getter 12 by welding. Reference numeral 13 denotes a welding point between the energized getter 12 and the getter lead 31. The getter lead 31 is led out of the vacuum apparatus, so that the getter 12 can be energized from outside the vacuum apparatus.

本実施の形態では、図1のように平面視したときに、一対のゲッターリード31は、一対の溶接点13を結ぶ軸線13aに略直交する直線13b上の位置を通って真空装置外に導出されている。即ち、一対のゲッターリード31のうちの一方は、溶接点13から軸線13aに対して一方の側に直線13bと略平行に延び、直線13bに沿うように屈曲された後、側板3aとアノード基板2とを封止する封着材20の直線13bが通過する位置を貫通して真空装置外に導出され、他方は、溶接点13から軸線13aに対して他方の側に直線13bと略平行に延び、直線13bに沿うように屈曲された後、側板3aとカソード基板1とを封止する封着材20の直線13bが通過する位置を貫通して真空装置外に導出されている。   In the present embodiment, when viewed in plan as shown in FIG. 1, the pair of getter leads 31 is led out of the vacuum apparatus through a position on a straight line 13 b that is substantially orthogonal to the axis 13 a that connects the pair of welding points 13. Has been. That is, one of the pair of getter leads 31 extends substantially parallel to the straight line 13b from the welding point 13 to one side with respect to the axis 13a, and is bent along the straight line 13b, and then the side plate 3a and the anode substrate. 2 is led out of the vacuum device through the position where the straight line 13b of the sealing material 20 that seals 2 passes, and the other is substantially parallel to the straight line 13b from the welding point 13 to the other side with respect to the axis 13a. After extending and bending along the straight line 13 b, the sealing material 20 sealing the side plate 3 a and the cathode substrate 1 passes through a position where the straight line 13 b passes and is led out of the vacuum apparatus.

このように構成された本実施の形態の真空装置の効果を説明する。   The effect of the vacuum device of this embodiment configured as above will be described.

一対のゲッターリード31を介して通電型ゲッター12に通電してゲッターフラッシュを行うと、金属ケース15内のゲッターミクチャー14が溶解して約1000℃にてBaが蒸発する。同時に、通電型ゲッター12の両端では、金属ケース15に覆われずに露出したゲッターミクチャー14から熱が放射される。本実施の形態では、ゲッターリード31は溶接点13から軸線13aに対して略直角方向に延びているから、ゲッターミクチャー14からの熱放射によって加熱されにくい。更に、ゲッターリード31は、封着材20の直線13bが通過する位置を貫通して真空装置外に導出されている。これにより、溶接点13から封着材20までのゲッターリード31に沿った距離が従来に比べて大幅に長くなる(図1〜図3の例では約4倍長い)。従って、たとえ溶接点13近傍においてゲッターリード31が加熱されたとしても、その熱がゲッターリード31を伝播する間に放熱されるので、封着材20を貫通する箇所ではゲッターリード31の温度は従来に比べて大幅に低下している。よって、ゲッターリード31の熱により、ゲッターリード31を封止する封着材20のフリットガラスが加熱され蒸発したり、封着材20、ゲッターボックス3、カソード基板1、及びアノード基板2等のガラス部材のゲッターリード31近傍部分にクラックが発生したりすることがない。その結果、真空装置内の真空度が低下して、真空装置自体が破壊するという問題が発生するのを防止できる。   When the energized getter 12 is energized through the pair of getter leads 31 to perform getter flash, the getter mixture 14 in the metal case 15 is melted and Ba evaporates at about 1000 ° C. At the same time, heat is radiated from the getter mixture 14 exposed without being covered by the metal case 15 at both ends of the energized getter 12. In the present embodiment, since the getter lead 31 extends from the welding point 13 in a direction substantially perpendicular to the axis 13a, it is difficult to be heated by heat radiation from the getter mixture 14. Further, the getter lead 31 is led out of the vacuum apparatus through a position through which the straight line 13b of the sealing material 20 passes. As a result, the distance along the getter lead 31 from the welding point 13 to the sealing material 20 is significantly longer than in the prior art (about four times longer in the example of FIGS. 1 to 3). Therefore, even if the getter lead 31 is heated in the vicinity of the welding point 13, the heat is dissipated while propagating through the getter lead 31. Compared to, it is significantly lower. Therefore, the frit glass of the sealing material 20 that seals the getter lead 31 is heated and evaporated by the heat of the getter lead 31, or glass such as the sealing material 20, the getter box 3, the cathode substrate 1, and the anode substrate 2. No cracks occur in the vicinity of the getter lead 31 of the member. As a result, it is possible to prevent a problem that the degree of vacuum in the vacuum device is lowered and the vacuum device itself is broken.

図2では、一対のゲッターリード31のうちの一方は側板3aとアノード基板2との間の封着材20を貫通し、他方は側板3aとカソード基板1との間の封着材20を貫通しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、一対のゲッターリード31のうちの一方又は両方が、側板3aと底板3bとの間の封着材20を貫通して真空装置外に導出されていても良い。   In FIG. 2, one of the pair of getter leads 31 penetrates the sealing material 20 between the side plate 3 a and the anode substrate 2, and the other penetrates the sealing material 20 between the side plate 3 a and the cathode substrate 1. However, the present invention is not limited to this. For example, one or both of the pair of getter leads 31 may be led out of the vacuum device through the sealing material 20 between the side plate 3a and the bottom plate 3b.

直線13bの軸線13a方向における位置は特に制限はないが、一対の溶接点13の略中央を直線13bが通過すると、一対の溶接点13にそれぞれ接続されるゲッターリードのゲッターボックス3内での長さが略均一になり、それぞれが封着材20を貫通する箇所での温度が略均等となるので、好ましい。   The position of the straight line 13b in the direction of the axis 13a is not particularly limited, but when the straight line 13b passes through the approximate center of the pair of welding points 13, the length of the getter leads connected to the pair of welding points 13 in the getter box 3 respectively. Is preferable since the temperature becomes substantially uniform and the temperature at the portion where each sealant 20 penetrates is substantially uniform.

(実施の形態2)
図4は、本発明の実施の形態2に係る電子源内蔵真空装置の概要構成を示す平面図、図5は、図4のV−V線での矢視断面図である。図4では、図面を簡略化するために、アノード基板2を取り除いた状態を示している。また、フリットガラスなどの封着材20の図示も省略している。図6は、通電型ゲッター12の一端とこれに接続されたゲッターリード41とを示した拡大平面図である。これらの図において、実施の形態1及び従来と同じ構成部材には同一の符号を付して、それらについての説明を省略する。以下、実施の形態1との相違点を中心に本実施の形態を説明する。
(Embodiment 2)
4 is a plan view showing a schematic configuration of an electron source built-in vacuum apparatus according to Embodiment 2 of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line VV in FIG. FIG. 4 shows a state in which the anode substrate 2 is removed in order to simplify the drawing. Also, the sealing material 20 such as frit glass is not shown. FIG. 6 is an enlarged plan view showing one end of the energized getter 12 and the getter lead 41 connected thereto. In these drawings, the same components as those in the first embodiment and the conventional ones are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. Hereinafter, the present embodiment will be described focusing on the differences from the first embodiment.

図4〜図6に示すように、通電型ゲッター12の両端にゲッターリード41がそれぞれ溶接により接続されている。13は通電型ゲッター12とゲッターリード41との溶接点である。ゲッターリード41は、真空装置外に導出されており、これにより、真空装置外からゲッター12に通電することができる。   As shown in FIGS. 4 to 6, getter leads 41 are connected to both ends of the energized getter 12 by welding. Reference numeral 13 denotes a welding point between the energized getter 12 and the getter lead 41. The getter lead 41 is led out to the outside of the vacuum device, so that the getter 12 can be energized from outside the vacuum device.

本実施の形態2では、実施の形態1と異なり、ゲッターリード41は、一対の溶接点13を結ぶ軸線13aとほぼ平行な方向に真空装置外に導出されている。即ち、ゲッターリード41は、溶接点13から軸線13aとほぼ平行に延び、側板3aとカソード基板1とを封止する封着材20を貫通して真空装置外に導出されている。ゲッターリード41のこの導出方向は従来の真空装置(図10、図13参照)と同様である。   In the second embodiment, unlike the first embodiment, the getter lead 41 is led out of the vacuum apparatus in a direction substantially parallel to the axis 13 a connecting the pair of welding points 13. That is, the getter lead 41 extends from the welding point 13 substantially parallel to the axis 13a, passes through the sealing material 20 that seals the side plate 3a and the cathode substrate 1, and is led out of the vacuum apparatus. This lead-out direction of the getter lead 41 is the same as that of the conventional vacuum apparatus (see FIGS. 10 and 13).

但し、従来の真空装置と異なり、ゲッターリード41の幅は、ゲッターボックス3内及び封着材20を通過する部分に比べて封着材20から真空装置外に導出された直後の部分の方が広い。即ち、ゲッターリード41の封着材20近傍の真空装置外の部分に広幅部42が形成されている。図4、図6では、広幅部42はゲッターリード41に一体に形成してあるが、本発明はこれに限定されず、例えば均一幅に形成したゲッターリード41の封着材20近傍の真空装置外の部分に広幅部42を溶接等にて接合しても良い。また、広幅部42の形状は、図4、図6に示したような四角形に限定されない。   However, unlike the conventional vacuum device, the width of the getter lead 41 is greater in the portion immediately after being led out of the vacuum device from the sealing material 20 than in the getter box 3 and the portion passing through the sealing material 20. wide. That is, the wide portion 42 is formed in a portion outside the vacuum device in the vicinity of the sealing material 20 of the getter lead 41. 4 and 6, the wide portion 42 is formed integrally with the getter lead 41. However, the present invention is not limited to this. For example, the vacuum device in the vicinity of the sealing material 20 of the getter lead 41 formed to have a uniform width. The wide portion 42 may be joined to the outer portion by welding or the like. Further, the shape of the wide portion 42 is not limited to a quadrangle as shown in FIGS.

このように構成された本実施の形態の真空装置の効果を説明する。   The effect of the vacuum device of this embodiment configured as above will be described.

一対のゲッターリード41を介して通電型ゲッター12に通電してゲッターフラッシュを行うと、金属ケース15内のゲッターミクチャー14が溶解して約1000℃にてBaが蒸発する。同時に、通電型ゲッター12の両端では、金属ケース15に覆われずに露出したゲッターミクチャー14から熱が放射される。これにより、ゲッターリード41が加熱され、その熱が封着材20側へゲッターリード41内を伝わる。ゲッターリード41の封着材20近傍の真空装置外の部分に広幅部42が設けられているので、溶接点13からゲッターリード41を伝わった熱は広幅部42から真空装置外に放熱される。従って、ゲッターリード41の封着材20を貫通する箇所でのゲッターリード41の温度を従来に比べて大幅に低下させることができる。よって、ゲッターリード41の熱により、ゲッターリード41を封止する封着材20のフリットガラスが加熱され蒸発したり、封着材20、ゲッターボックス3、及びカソード基板1等のガラス部材のゲッターリード41近傍部分にクラックが発生したりすることがない。その結果、真空装置内の真空度が低下して、真空装置自体が破壊するという問題が発生するのを防止できる。   When the energized getter 12 is energized through the pair of getter leads 41 to perform getter flash, the getter mixture 14 in the metal case 15 is melted and Ba evaporates at about 1000 ° C. At the same time, heat is radiated from the getter mixture 14 exposed without being covered by the metal case 15 at both ends of the energized getter 12. As a result, the getter lead 41 is heated, and the heat is transmitted through the getter lead 41 to the sealing material 20 side. Since the wide portion 42 is provided outside the vacuum device in the vicinity of the sealing material 20 of the getter lead 41, the heat transmitted from the welding point 13 to the getter lead 41 is radiated from the wide portion 42 to the outside of the vacuum device. Therefore, the temperature of the getter lead 41 at the portion penetrating the sealing material 20 of the getter lead 41 can be greatly reduced as compared with the conventional case. Therefore, the frit glass of the sealing material 20 that seals the getter lead 41 is heated and evaporated by the heat of the getter lead 41, or getter leads of glass members such as the sealing material 20, the getter box 3, and the cathode substrate 1 are used. No cracks occur in the vicinity of 41. As a result, it is possible to prevent a problem that the degree of vacuum in the vacuum device is lowered and the vacuum device itself is broken.

図5では、一対のゲッターリード41は側板3aとカソード基板1との間の封着材20を貫通しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、一対のゲッターリード41のうちの一方又は両方が、側板3aと底板3bとの間の封着材20を貫通して真空装置外に導出されていても良い。   In FIG. 5, the pair of getter leads 41 penetrates the sealing material 20 between the side plate 3a and the cathode substrate 1, but the present invention is not limited to this. For example, one or both of the pair of getter leads 41 may be led out of the vacuum device through the sealing material 20 between the side plate 3a and the bottom plate 3b.

本実施の形態2は、上記を除いて実施の形態1と同様である。   The second embodiment is the same as the first embodiment except for the above.

(実施の形態3)
図7は、本発明の実施の形態3に係る電子源内蔵真空装置の概要構成を示す平面図である。図7では、図面を簡略化するために、アノード基板2を取り除いた状態を示している。また、フリットガラスなどの封着材20の図示も省略している。図7において、実施の形態1,2及び従来と同じ構成部材には同一の符号を付して、それらについての説明を省略する。以下、実施の形態1,2との相違点を中心に本実施の形態を説明する。
(Embodiment 3)
FIG. 7 is a plan view showing a schematic configuration of an electron source built-in vacuum apparatus according to Embodiment 3 of the present invention. FIG. 7 shows a state in which the anode substrate 2 is removed in order to simplify the drawing. Also, the sealing material 20 such as frit glass is not shown. In FIG. 7, the same reference numerals are given to the same constituent members as those in Embodiments 1 and 2 and the related art, and description thereof will be omitted. Hereinafter, the present embodiment will be described focusing on differences from the first and second embodiments.

図7に示すように、通電型ゲッター12の両端にゲッターリード51がそれぞれ溶接により接続されている。13は通電型ゲッター12とゲッターリード51との溶接点である。ゲッターリード51は、真空装置外に導出されており、これにより、真空装置外からゲッター12に通電することができる。   As shown in FIG. 7, getter leads 51 are connected to both ends of the energized getter 12 by welding. Reference numeral 13 denotes a welding point between the energized getter 12 and the getter lead 51. The getter lead 51 is led out of the vacuum apparatus, so that the getter 12 can be energized from outside the vacuum apparatus.

図7のように平面視したときに、実施の形態1の一対のゲッターリード31と同様に、一対のゲッターリード51は、一対の溶接点13を結ぶ軸線13aに略直交する直線13c,13d上の位置を通って真空装置外に導出されている。即ち、一対のゲッターリード51のうちの一方は、溶接点13から軸線13aに対して一方の側に直線13cと略平行に延び、直線13cに沿うように屈曲された後、側板3aとアノード基板2とを封止する封着材20の直線13cが通過する位置を貫通して真空装置外に導出され、他方は、溶接点13から軸線13aに対して他方の側に直線13dと略平行に延び、直線13dに沿うように屈曲された後、側板3aとカソード基板1とを封止する封着材20の直線13dが通過する位置を貫通して真空装置外に導出されている。   When viewed in plan as shown in FIG. 7, like the pair of getter leads 31 of the first embodiment, the pair of getter leads 51 is on straight lines 13 c and 13 d that are substantially orthogonal to the axis 13 a that connects the pair of welding points 13. It is led out of the vacuum device through the position. That is, one of the pair of getter leads 51 extends substantially parallel to the straight line 13c from the welding point 13 to one side with respect to the axis 13a, and is bent along the straight line 13c, and then the side plate 3a and the anode substrate. 2 is led out of the vacuum device through a position where the straight line 13c of the sealing material 20 for sealing 2 passes, and the other is substantially parallel to the straight line 13d from the welding point 13 to the other side with respect to the axis 13a. After extending and bending along the straight line 13d, the sealing material 20 sealing the side plate 3a and the cathode substrate 1 passes through a position where the straight line 13d passes and is led out of the vacuum apparatus.

また、実施の形態2のゲッターリード41と同様に、ゲッターリード51の幅は、ゲッターボックス3内及び封着材20を通過する部分に比べて封着材20から真空装置外に導出された直後の部分の方が広い。即ち、ゲッターリード51の封着材20近傍の真空装置外の部分に広幅部52が形成されている。図7では、広幅部52はゲッターリード51に一体に形成してあるが、本発明はこれに限定されず、例えば均一幅に形成したゲッターリード51の封着材20近傍の真空装置外の部分に広幅部52を溶接等にて接合しても良い。また、広幅部52の形状は、図7に示したような四角形に限定されない。   Similarly to the getter lead 41 of the second embodiment, the width of the getter lead 51 is immediately after being derived from the sealing material 20 to the outside of the vacuum device as compared with the portion passing through the getter box 3 and the sealing material 20. The part of is wider. That is, the wide portion 52 is formed in a portion outside the vacuum apparatus near the sealing material 20 of the getter lead 51. In FIG. 7, the wide portion 52 is formed integrally with the getter lead 51, but the present invention is not limited to this, for example, a portion outside the vacuum device in the vicinity of the sealing material 20 of the getter lead 51 formed with a uniform width. Alternatively, the wide portion 52 may be joined by welding or the like. Further, the shape of the wide portion 52 is not limited to a quadrangle as shown in FIG.

このように、本実施の形態3は実施の形態1,2の構成を併せ持つので、実施の形態1,2の効果を足し合わせたのと同様の効果を奏する。即ち、ゲッターリード51の熱により、ゲッターリード51を封止する封着材20のフリットガラスが加熱され蒸発したり、封着材20、ゲッターボックス3、カソード基板1、及びアノード基板2等のガラス部材のゲッターリード51近傍部分にクラックが発生したりすることがない。その結果、真空装置内の真空度が低下して、真空装置自体が破壊するという問題が発生するのを防止できる。   Thus, since this Embodiment 3 has the structure of Embodiment 1, 2, there exists an effect similar to having added the effect of Embodiment 1,2. That is, the frit glass of the sealing material 20 that seals the getter lead 51 is heated and evaporated by the heat of the getter lead 51, or the glass of the sealing material 20, the getter box 3, the cathode substrate 1, the anode substrate 2, and the like. No cracks occur in the vicinity of the getter lead 51 of the member. As a result, it is possible to prevent a problem that the degree of vacuum in the vacuum device is lowered and the vacuum device itself is broken.

本実施の形態3は、上記を除いて実施の形態1,2と同様である。   The third embodiment is the same as the first and second embodiments except for the above.

(実施の形態4)
図8は、本発明の実施の形態4に係る電子源内蔵真空装置の概要構成を示す平面図である。図8では、図面を簡略化するために、アノード基板2を取り除いた状態を示している。また、フリットガラスなどの封着材20の図示も省略している。図8において、実施の形態1〜3及び従来と同じ構成部材には同一の符号を付して、それらについての説明を省略する。以下、実施の形態1〜3との相違点を中心に本実施の形態を説明する。
(Embodiment 4)
FIG. 8 is a plan view showing a schematic configuration of an electron source built-in vacuum apparatus according to Embodiment 4 of the present invention. FIG. 8 shows a state where the anode substrate 2 is removed in order to simplify the drawing. Also, the sealing material 20 such as frit glass is not shown. In FIG. 8, the same reference numerals are given to the same constituent members as in the first to third embodiments and the conventional one, and the description thereof is omitted. Hereinafter, the present embodiment will be described focusing on differences from the first to third embodiments.

図8に示すように、通電型ゲッター12の両端に2本のゲッターリード61がそれぞれ溶接により接続されている。13は通電型ゲッター12とゲッターリード61との溶接点である。ゲッターリード61は、真空装置外に導出されており、これにより、真空装置外からゲッター12に通電することができる。   As shown in FIG. 8, two getter leads 61 are connected to both ends of the energized getter 12 by welding. Reference numeral 13 denotes a welding point between the energized getter 12 and the getter lead 61. The getter lead 61 is led out to the outside of the vacuum device, so that the getter 12 can be energized from outside the vacuum device.

図8のように平面視したときに、実施の形態1,3の一対のゲッターリード31,51と同様に、二対のゲッターリード61は、一対の溶接点13を結ぶ軸線13aに対して略直交する直線13c,13d上の位置を通って真空装置外に導出されている。即ち、一方の溶接点13に接続された一対のゲッターリード61のうちの一方と他方の溶接点13に接続された一対のゲッターリード61のうちの一方とは、この溶接点13から軸線13aに対して一方の側に直線13c,13dと略平行に延び、直線13c,13dに沿うように屈曲された後、側板3aとアノード基板2とを封止する封着材20の直線13c,13dが通過する位置を貫通して真空装置外に導出されている。また、一方の溶接点13に接続された一対のゲッターリード61のうちの他方と他方の溶接点13に接続された一対のゲッターリード61のうちの他方とは、この溶接点13から軸線13aに対して他方の側に直線13c,13dと略平行に延び、直線13c,13dに沿うように屈曲された後、側板3aとカソード基板1とを封止する封着材20の直線13c,13dが通過する位置を貫通して真空装置外に導出されている。   When viewed in plan as shown in FIG. 8, the two pairs of getter leads 61 are substantially the same with respect to the axis 13 a connecting the pair of welding points 13 as in the pair of getter leads 31 and 51 of the first and third embodiments. It is led out of the vacuum apparatus through positions on the orthogonal straight lines 13c and 13d. That is, one of the pair of getter leads 61 connected to one welding point 13 and one of the pair of getter leads 61 connected to the other welding point 13 are connected from the welding point 13 to the axis 13a. On the other hand, the straight lines 13c and 13d of the sealing material 20 that seals the side plate 3a and the anode substrate 2 after being bent substantially along the straight lines 13c and 13d on one side are parallel to the straight lines 13c and 13d. It passes through the passing position and is led out of the vacuum apparatus. The other of the pair of getter leads 61 connected to one welding point 13 and the other of the pair of getter leads 61 connected to the other welding point 13 are connected from the welding point 13 to the axis 13a. On the other hand, the straight lines 13c and 13d of the sealing material 20 that extend substantially parallel to the straight lines 13c and 13d and bend along the straight lines 13c and 13d are sealed. It passes through the passing position and is led out of the vacuum apparatus.

また、実施の形態2のゲッターリード41と同様に、ゲッターリード61の幅は、ゲッターボックス3内及び封着材20を通過する部分に比べて封着材20から真空装置外に導出された直後の部分の方が広い。即ち、ゲッターリード61の封着材20近傍の真空装置外の部分に広幅部62が形成されている。図8では、広幅部62はゲッターリード61に一体に形成してあるが、本発明はこれに限定されず、例えば均一幅に形成したゲッターリード61の封着材20近傍の真空装置外の部分に広幅部62を溶接等にて接合しても良い。また、広幅部62の形状は、図8に示したような四角形に限定されない。   Similarly to the getter lead 41 of the second embodiment, the width of the getter lead 61 is immediately after being led out of the vacuum device from the sealing material 20 as compared with the portion passing through the getter box 3 and the sealing material 20. The part of is wider. That is, the wide portion 62 is formed in a portion outside the vacuum device near the sealing material 20 of the getter lead 61. In FIG. 8, the wide portion 62 is formed integrally with the getter lead 61. However, the present invention is not limited to this. For example, a portion outside the vacuum device in the vicinity of the sealing material 20 of the getter lead 61 formed to have a uniform width. The wide portion 62 may be joined by welding or the like. Further, the shape of the wide portion 62 is not limited to a quadrangle as shown in FIG.

このように、本実施の形態4は、4本のゲッターリード61のそれぞれが実施の形態3のゲッターリード51と同様の構成を有している。   As described above, in the fourth embodiment, each of the four getter leads 61 has the same configuration as the getter lead 51 of the third embodiment.

本実施の形態4では、1つの溶接点13に接続された2本のゲッターリード61を介して通電型ゲッター12に電流を流すことができる。これにより、1本のゲッターリード61を流れる電流を実施の形態3の半分に低減することができるので、ゲッターフラッシュ時にゲッターリード61自身の発熱量を少なくすることができる。従って、ゲッターリード61の熱によってゲッターリード61を封止する封着材20のフリットガラスが加熱され蒸発したり、封着材20、ゲッターボックス3、カソード基板1、及びアノード基板2等のガラス部材のゲッターリード61近傍部分にクラックが発生したりすることを、実施の形態3以上に抑えることができる。その結果、真空装置内の真空度が低下して、真空装置自体が破壊するという問題が発生するのを更に防止できる。   In the fourth embodiment, a current can be passed to the energized getter 12 via the two getter leads 61 connected to one welding point 13. As a result, the current flowing through one getter lead 61 can be reduced to half that of the third embodiment, so that the amount of heat generated by the getter lead 61 itself during getter flash can be reduced. Accordingly, the frit glass of the sealing material 20 that seals the getter lead 61 is heated and evaporated by the heat of the getter lead 61, or glass members such as the sealing material 20, the getter box 3, the cathode substrate 1, and the anode substrate 2. The generation of cracks in the vicinity of the getter lead 61 can be suppressed to the third embodiment or more. As a result, it is possible to further prevent a problem that the degree of vacuum in the vacuum device is lowered and the vacuum device itself is broken.

また、1つの溶接点13に対して2本のゲッターリード61が接続されているので、通電型ゲッター12から1本のゲッターリード61に伝えられる熱は実施の形態3よりも少なくなる。これにより、個々のゲッターリード61の温度上昇を抑えることができる。従って、ゲッターリード61の熱によってゲッターリード61を封止する封着材20のフリットガラスが加熱され蒸発したり、封着材20、ゲッターボックス3、カソード基板1、及びアノード基板2等のガラス部材のゲッターリード61近傍部分にクラックが発生したりすることを、実施の形態3以上に抑えることができる。その結果、真空装置内の真空度が低下して、真空装置自体が破壊するという問題が発生するのを更に防止できる。   In addition, since two getter leads 61 are connected to one welding point 13, heat transferred from the energized getter 12 to one getter lead 61 is less than that in the third embodiment. Thereby, the temperature rise of each getter lead 61 can be suppressed. Accordingly, the frit glass of the sealing material 20 that seals the getter lead 61 is heated and evaporated by the heat of the getter lead 61, or glass members such as the sealing material 20, the getter box 3, the cathode substrate 1, and the anode substrate 2. The generation of cracks in the vicinity of the getter lead 61 can be suppressed to the third embodiment or more. As a result, it is possible to further prevent a problem that the degree of vacuum in the vacuum device is lowered and the vacuum device itself is broken.

本実施の形態4では、1つの溶接点13に接続された2本のゲッターリード61のうちの一方のみを介して通電型ゲッター12に電流を流しても良い。   In the fourth embodiment, a current may be supplied to the energized getter 12 through only one of the two getter leads 61 connected to one welding point 13.

図8では1つの溶接点13に2本のゲッターリード61が接続された例を示したが、1つの溶接点13に3本以上のゲッターリードが接続されていても良い。   Although FIG. 8 shows an example in which two getter leads 61 are connected to one welding point 13, three or more getter leads may be connected to one welding point 13.

図8ではゲッターリード61に広幅部62を設けた例を示したが、ゲッターリード61に広幅部62を設けない構成も可能である。   Although FIG. 8 shows an example in which the wide portion 62 is provided in the getter lead 61, a configuration in which the wide portion 62 is not provided in the getter lead 61 is also possible.

本実施の形態4は、上記を除いて実施の形態1〜3と同様である。   The fourth embodiment is the same as the first to third embodiments except for the above.

実施の形態1〜4に示した通電型ゲッター12は一直線状に延びた細長い形状を有していたが、本発明の通電型ゲッターはこれに限定されず、例えばS字形状やC字形状に湾曲又は屈曲していても良い。また、通電型ゲッター12の断面形状は、図11(B)に示したような略正方形である必要はなく、長方形、円形、楕円形、長円形など各種形状であっても良い。   The energization type getter 12 shown in the first to fourth embodiments has an elongated shape extending in a straight line, but the energization type getter of the present invention is not limited to this, for example, an S-shape or a C-shape. It may be curved or bent. Further, the cross-sectional shape of the energization type getter 12 is not necessarily a square as shown in FIG. 11B, and may be various shapes such as a rectangle, a circle, an ellipse, and an oval.

実施の形態1〜4に示した真空装置は、ゲッターボックス3の底板3bに形成した連通孔4を介して排気管5に接続されていた。これは、この真空装置が、密閉構造の真空容器を形成後に大気圧雰囲気下で排気管5を介して真空容器の内部空間を真空にし、その後排気管5を封止して形成されるからである。しかしながら、本発明の真空装置はこれに限定されず、例えば真空チャンバ内の真空雰囲気下で真空装置を完成させることができる場合には、連通孔4や排気管5は不要である。   The vacuum devices shown in the first to fourth embodiments are connected to the exhaust pipe 5 through the communication holes 4 formed in the bottom plate 3 b of the getter box 3. This is because the vacuum device is formed by forming a vacuum structure with a sealed structure and then evacuating the internal space of the vacuum container through the exhaust pipe 5 under an atmospheric pressure atmosphere and then sealing the exhaust pipe 5. is there. However, the vacuum apparatus of the present invention is not limited to this, and the communication hole 4 and the exhaust pipe 5 are not necessary when the vacuum apparatus can be completed in a vacuum atmosphere in a vacuum chamber, for example.

実施の形態1〜4に示した真空装置では、ゲッターボックス3がカソード基板1に対して下側(アノード基板2とは反対側)に配置されていたが、ゲッターボックス3の位置はこれに限定されない。例えば、ゲッターボックス3をアノード基板2に対して上側(カソード基板1とは反対側)に配置しても良く、あるいは、カソード基板1及びアノード基板2の端縁から外方向(カソード基板1及びアノード基板2の主面に平行な方向)に突き出すように配置しても良い。また、実施の形態1〜4に示した真空装置では、ゲッターボックス3に設けられる連通孔4及び排気管5をゲッターボックス3の底板3bに設けて下方向に排気するように構成されていたが、本発明はこれに限定されない。例えば、連通孔4及び排気管5をゲッターボックス3の側板3aに設けて横方向に排気するように構成しても良く、あるいは、ゲッターボックス3を上述のようにアノード基板2に対して上側に配置して上方向又は横方向に排気するように構成しても良く、あるいは、ゲッターボックス3を上述のように外方向に突き出して配置して下方向、上方向、又は横方向に排気しても良い。更に、実施の形態1〜4に示した真空装置では、ゲッターボックス3は側板3aと底板3bとから構成されていたが、これらが一体化された一部品から構成されていても良く、あるいは、側板3a及び底板3b以外の部品を更に有していても良い。このように本発明は上記の実施の形態1〜4に限定されず、様々に変更して実施することができ、どのような実施形態であっても、ゲッターリードが上述した本発明の構成を備えていれば良く、そのような場合には上述した本発明の効果を得ることが出来る。   In the vacuum apparatuses shown in the first to fourth embodiments, the getter box 3 is disposed on the lower side (the side opposite to the anode substrate 2) with respect to the cathode substrate 1, but the position of the getter box 3 is limited to this. Not. For example, the getter box 3 may be arranged on the upper side (opposite side of the cathode substrate 1) with respect to the anode substrate 2, or outward from the edges of the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 (the cathode substrate 1 and the anode). You may arrange | position so that it may protrude in the direction parallel to the main surface of the board | substrate 2. In the vacuum apparatus shown in the first to fourth embodiments, the communication hole 4 and the exhaust pipe 5 provided in the getter box 3 are provided in the bottom plate 3b of the getter box 3 and are exhausted downward. However, the present invention is not limited to this. For example, the communication hole 4 and the exhaust pipe 5 may be provided in the side plate 3a of the getter box 3 so as to exhaust in the lateral direction, or the getter box 3 may be disposed above the anode substrate 2 as described above. It may be arranged to be exhausted upward or laterally, or the getter box 3 may be protruded outward as described above and exhausted downward, upward or laterally. Also good. Furthermore, in the vacuum apparatus shown in the first to fourth embodiments, the getter box 3 is composed of the side plate 3a and the bottom plate 3b. However, the getter box 3 may be composed of a single component in which these are integrated, or You may further have components other than the side plate 3a and the baseplate 3b. As described above, the present invention is not limited to the first to fourth embodiments described above, and can be implemented with various modifications. In any embodiment, the configuration of the present invention described above by the getter lead is described. In such a case, the above-described effects of the present invention can be obtained.

本発明の真空装置の利用分野は特に制限はないが、例えば電界放出型表示装置(Field Emission Device)を始めとするあらゆる種類の電子源内蔵真空装置に利用することができる。   The field of application of the vacuum device of the present invention is not particularly limited, but can be used for all kinds of vacuum devices with a built-in electron source, including, for example, a field emission display device (Field Emission Device).

図1は、本発明の実施の形態1に係る電子源内蔵真空装置の概要構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an electron source built-in vacuum apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. 図2は、図1のII−II線での矢視断面図である。2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 図3は、本発明の実施の形態1に係る電子源内蔵真空装置の通電型ゲッターの一端とこれに接続されたゲッターリードとを示した拡大平面図である。FIG. 3 is an enlarged plan view showing one end of an energization type getter of the electron source built-in vacuum apparatus according to Embodiment 1 of the present invention and a getter lead connected thereto. 図4は、本発明の実施の形態2に係る電子源内蔵真空装置の概要構成を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of an electron source built-in vacuum apparatus according to Embodiment 2 of the present invention. 図5は、図4のV−V線での矢視断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line VV in FIG. 図6は、本発明の実施の形態2に係る電子源内蔵真空装置の通電型ゲッターの一端とこれに接続されたゲッターリードとを示した拡大平面図である。FIG. 6 is an enlarged plan view showing one end of an energization type getter of the vacuum device with a built-in electron source according to Embodiment 2 of the present invention and a getter lead connected thereto. 図7は、本発明の実施の形態3に係る電子源内蔵真空装置の概要構成を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a schematic configuration of an electron source built-in vacuum apparatus according to Embodiment 3 of the present invention. 図8は、本発明の実施の形態4に係る電子源内蔵真空装置の概要構成を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a schematic configuration of an electron source built-in vacuum apparatus according to Embodiment 4 of the present invention. 図9は、従来の電子源内蔵真空装置の概要構成を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing a schematic configuration of a conventional electron source built-in vacuum apparatus. 図10は、従来の電子源内蔵真空装置において、ゲッターボックス近傍を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing the vicinity of a getter box in a conventional vacuum apparatus with a built-in electron source. 図11(A)は、図10に示した従来の従来の電子源内蔵真空装置において、溶接点近傍の通電型ゲッター及びゲッターリードを示した拡大平面図、図11(B)は図11(A)のXIB−XIB線での矢視断面図である。FIG. 11A is an enlarged plan view showing a current-carrying getter and a getter lead near the welding point in the conventional conventional electron source built-in vacuum device shown in FIG. 10, and FIG. Is a cross-sectional view taken along line XIB-XIB in FIG. 図12は、図10のXII−XII線での矢視断面図である。12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII in FIG. 図13は、図10のXIII−XIII線での矢視断面図である。13 is a cross-sectional view taken along line XIII-XIII in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 カソード基板
2 アノード基板
3 ゲッターボックス
4 連通孔
5 排気管
11、31、41、51、61 ゲッターリード
12 通電型ゲッター
13 溶接点
14 ゲッターミクチャー
15 金属ケース(ゲッターコンテナ)
20 封着材(フリットガラス)
42、52、62 広幅部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cathode board | substrate 2 Anode board | substrate 3 Getter box 4 Communication hole 5 Exhaust pipe 11, 31, 41, 51, 61 Getter lead 12 Electricity type getter 13 Welding point 14 Getter mixture 15 Metal case (getter container)
20 Sealing material (frit glass)
42, 52, 62 Wide part

Claims (4)

エミッタが形成されたカソード電極を有する第1基板と、前記エミッタからの電子放出方向に、前記第1基板に対して離間して配置されたアノード電極を有する第2基板と、通電型ゲッターが収納されたゲッターボックスとを有し、内部空間が真空である真空装置であって、
前記通電型ゲッターの両端には、前記通電型ゲッターに通電するためのゲッターリードがそれぞれ接続されており、前記ゲッターリードは、前記通電型ゲッターの両端の前記ゲッターリードとの接続点を結ぶ直線に略直交する直線上の位置を通って前記真空装置外に導出されていることを特徴とする真空装置。
A first substrate having a cathode electrode on which an emitter is formed, a second substrate having an anode electrode spaced apart from the first substrate in the direction of electron emission from the emitter, and an energized getter A vacuum apparatus having an internal space that is a vacuum,
Getter leads for energizing the energized getter are respectively connected to both ends of the energized getter, and the getter leads are straight lines connecting connection points with the getter leads at both ends of the energized getter. A vacuum apparatus that is led out of the vacuum apparatus through a position on a substantially orthogonal straight line.
エミッタが形成されたカソード電極を有する第1基板と、前記エミッタからの電子放出方向に、前記第1基板に対して離間して配置されたアノード電極を有する第2基板と、通電型ゲッターが収納されたゲッターボックスとを有し、内部空間が真空である真空装置であって、
前記通電型ゲッターの両端には、前記通電型ゲッターに通電するためのゲッターリードがそれぞれ接続されており、前記ゲッターリードの前記真空装置外に導出された直後の位置又はその近傍において、前記ゲッターリードの幅が拡大されており、又は前記ゲッターリードに前記ゲッターリードよりも広幅の部材が接合されていることを特徴とする真空装置。
A first substrate having a cathode electrode on which an emitter is formed, a second substrate having an anode electrode spaced apart from the first substrate in the direction of electron emission from the emitter, and an energized getter A vacuum apparatus having an internal space that is a vacuum,
Getter leads for energizing the energized getter are respectively connected to both ends of the energized getter, and the getter lead is positioned at or near the position immediately after the getter lead is led out of the vacuum apparatus. Or a member having a width wider than that of the getter lead is bonded to the getter lead.
前記ゲッターリードは、前記通電型ゲッターの両端の前記ゲッターリードとの接続点を結ぶ直線に略直交する直線上の位置を通って前記真空装置外に導出されている請求項2に記載の真空装置。   The vacuum apparatus according to claim 2, wherein the getter lead is led out of the vacuum apparatus through a position on a straight line that is substantially orthogonal to a straight line connecting connection points of the both ends of the energized getter with the getter lead. . 前記通電型ゲッターの一端に接続された前記ゲッターリードの数が複数である請求項1〜3のいずれかに記載の真空装置。   The vacuum apparatus according to claim 1, wherein the number of getter leads connected to one end of the energized getter is plural.
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