JP2008126230A - レーザ加工方法及びレーザ加工装置 - Google Patents

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Tomonori Imamura
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Abstract

【課題】複数の材料から構成される被加工物を加工する際に、所定の加工条件の下で高精度な加工を可能とする。
【解決手段】ポリイミド21と銅22から構成される被加工物としての基板10に、レーザ20を照射し、所定の加工幅で加工を行うものであり、ポリイミド21と銅22ごとに照射エネルギと加工幅との関係式を算出し、該算出した関係式に基づきポリイミド21と銅22ごとに加工条件を設定し、該設定された加工条件を用いて基板10を加工する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、樹脂や金属等の複数の材料から構成される例えばフレキシブル基板のような被加工物を加工するレーザ加工方法及びレーザ加工装置に関する。
従来、例えば、フレキシブル回路基板のように、金属や樹脂等の複数の材料で構成される複合材料を切断する加工手段として、例えばダイヤモンド刃のカッターで切断する方法が知られている。また、寸法精度を必要とする複合材料の切断においては、特許文献1に示すように、YAGレーザなどのレーザ加工装置を用いて、単一のエネルギで複合材料を切断加工する方法が公知である。
このように、寸法精度を必要とするのは、若しも切断加工後の複合材料の寸法精度が悪いと、フレキシブル回路基板においては、部品実装をモジュール化した場合、配線不良などが発生して、製品としての機能を低下させてしまうためである。
特開平11−333579号公報
しかしながら、特許文献1のように、レーザ加工において樹脂や金属等の複数の材料で構成されるフレキシブル基板のような複合材料を切断する際、単一のエネルギで切断した場合は、材料によって、加工閾値エネルギの違いから、各材料におけるスポット径が異なり、結果的に加工される溝幅が異なってしまうという課題があった。
例えば、図5及び図6は、レーザによる同じ加工条件で銅122とポリイミド121をそれぞれ別個に加工した状態を示している。これによると、銅122をレーザ加工する場合は、幅4.3μmの切断溝124が形成され、ポリイミド121をレーザ加工する場合は、幅6.3μmの切断溝123が形成される。
すなわち、同じ加工条件においては、銅122よりもポリイミド121の方が広い溝幅で加工され、被加工物の材料と加工幅(スポット径)には関連があることがわかる。
このため、図7に示すように、ポリイミド121と銅122が所定ピッチで配置された複合基板に対し、矢印A方向に同一エネルギーのレーザを照射すると、B部に示すように、銅122の部分の溝幅はポリイミド121の部分に比して狭く加工される。
このように、異なる材料に対し同じ加工条件でレーザ加工を行うと、加工幅に差が生じてしまい、寸法精度が数10μm以下の高精度な加工が実現できないという課題があった。
本発明は斯かる課題を解決するためになされたもので、複数の材料から構成される被加工物を加工する際に、各材料ごとの照射エネルギと加工幅との関係式を算出し、所定の加工条件の下で高精度な加工を可能とするレーザ加工方法及びレーザ加工装置を提供することを目的とする。
前記目的を達成するため、請求項1に係る発明は、
複数の材料から構成される被加工物にレーザを照射し所定の加工幅で加工を行うレーザ加工方法において、
前記材料ごとに照射エネルギと前記加工幅との関係式を算出する工程と、
該算出した前記関係式に基づき前記材料ごとに加工条件を設定する工程と、
該設定された前記加工条件を用いて前記被加工物を加工する工程と、を含むことを特徴とする。
請求項2に係る発明は、請求項1に記載のレーザ加工方法において、
前記加工幅が一定となるように、前記材料ごとに前記照射エネルギを変化させることを特徴とする。
請求項3に係る発明は、請求項1に記載のレーザ加工方法において、
前記照射エネルギを一定として、前記材料ごとに前記加工幅を変化させることを特徴とする。
請求項4に係る発明は、請求項1〜3のいずれかに記載のレーザ加工方法において、
前記レーザとして超短パルスレーザを用いたことを特徴とする。
請求項5に係る発明は、請求項1〜4のいずれかに記載のレーザ加工方法において、
さらに、前記材料の位置情報を調べる工程を有することを特徴とする。
請求項6に係る発明は、
複数の材料から構成される被加工物にレーザを照射するレーザ光学系を有し、所定の加工幅で加工を行うレーザ加工装置において、
前記材料ごとに照射エネルギと前記加工幅との関係式を算出し、該算出した関係式に基づき前記材料ごとに加工条件を設定する制御部を備えていることを特徴とする。
請求項7に係る発明は、請求項6に記載のレーザ加工装置において、
前記レーザが超短パルスレーザであることを特徴とする。
請求項8に係る発明は、請求項6又は7に記載のレーザ加工装置において、
前記制御部にて前記照射エネルギーの制御を行うことを特徴とする。
本発明によれば、複数の材料から構成される被加工物を加工する際に、各材料ごとに照射エネルギと加工幅との関係式を算出し、その関係式に基づき所定の加工条件を設定することで、高精度な加工幅で加工することができる。
以下、図面に基づき本発明の実施の形態を説明する。
(レーザ加工装置の構成説明)
図1は、本実施形態におけるレーザ加工装置の概略構成を示している。同図1に示すように、レーザ加工装置1は、レーザ光源2と、レーザ光学系13と、xyz軸が制御可能な移動手段としてのxyz軸ステージ11と、加工の様子を観察するための観察手段としてのCCDカメラ12と、制御部15と、を有している。レーザ光源2からは、超短パルスレーザ20が照射される。
この超短パルスレーザ(以下、「レーザ」という)20は、パルス幅がフェムト秒(10-16s)オーダであるため、熱履歴のない高精度な加工が可能となる。このレーザ20は、出射エネルギーのピーク値が高いことから幅広い材料に対しても十分に対応することができる。また、このレーザ20は、波長780nm、パルス幅200fs(フェムト秒)、繰り返し周波数lkHzの特性を備えている。
制御部15は、レーザ20の出射エネルギー等を調節することが可能である。また、後述する加工プログラムを記憶する機能も有している。
レーザ光源2の下流側には、ビームエキスパンダ3とピンホール(アパーチャー)4を配置する。これにより、レーザビームを一度拡散し、中央部のみを取り出し、照射するビーム面内の強度のバラツキを少なくする機能を持たせている。ピンホール4の下流側には、レーザ20のエネルギを調節するためのNDフィルタ(Neutral Density)5が配置されている。このNDフィルタ5により、レーザ20のエネルギの調節が行われる。
NDフィルター5の下流側には、ダイクロイックミラー6が設置されている。なお、このダイクロイックミラー6は、波長400〜700nmの光は透過し、その他の光は反射する機能を備えている。よって、ダイクロイックミラー6は、後述する照明灯8から出射して試料表面(被加工物表面)で反射した光を透過すると共に、レーザ20を反射して対物レンズ9に導光する機能を備える。ダイクロイックミラー6の下流側には、ビームスプリッタ7が配置されている。このビームスプリッタ7により、照明灯8から出射された観察光を試料表面に導光している。
ビームスプリッタ7の下流側には、対物レンズ9が配置されている。この対物レンズ9により、光路上のレーザ20を集光させ、エネルギ密度を上げて試料表面に照射して加工を行う。なお、照明灯8はビームスプリッタ7の横に配置されており、照明灯8から照射された観察光はビームスプリッタ7で反射し、対物レンズ9により集光される。
その後、この観察光は被加工物10の表面で反射し、対物レンズ9で拡大され、ビームスプリッタ7を透過し、ダイクロイックミラー6を透通する。更に、この観察光は上部のCCDカメラ12により画像として取り込まれる。
本実施形態によれば、被加工物10を観察しながら被加工物10の加工が可能となる。また、使用するレーザ20が超短パルスレーザであることにより、各種材料の高品位な加工を行うことができる。なお、レーザ加工装置1の構成は図1に示したものに限らず、被加工物10を良好に加工可能なものであればよい。
(第1の実施形態)
図2は、本実施形態のレーザ加工によるフローチャートを示している。
本フローでは、S21で、まず複数の材料から構成される被加工物10の各材料の種類、位置情報などの分布を調べる。ここでは、被加工物10の材料毎に空間的な位置情報(形状・寸法)を調べる。すなわち、被加工物10のどの部分が何の材料であるかを把握する。具体的には、被加工物10にX線などを照射することにより、その透過具合で材料の位置情報を把握する。その後、S22で、各材料におけるレーザエネルギとスポット径との関係式を算出する。
具体的には、材料毎にレーザのエネルギを変化させながら加工を行い、エネルギ値とスポット径の関係をグラフ化する。なお、「スポット径」とは、被加工物10の「加工幅」のことである。
次に、S23で、算出した関係式を用いて各材料ごとの加工条件(出射エネルギや焦点距離等)を設定し、S24で、この加工条件を、被加工物10が所望の加工形状となるように設定する。また、S25では、目的の形状に応じて照射位置と加工条件から加工プログラムを作成し、S26で、その作成した加工プログラムを用いて加工を行う。
図3は、被加工物10をレーザ加工するときの外観を示している。
本実施形態では、多成分から構成される被加工物10として、レーザ顕微鏡で材料の位置的な情報が既知なポリイミド21に、線幅150μmの銅22が300μmピッチで配列されている基板10を用いてフェムト秒のレーザ20を上面より照射し、スポット径が20μm幅で加工する。
この場合、図4に示すように、予め基板10に加工されるスポット径と、照射するレーザエネルギとの関係を調べる。
なお、本実施形態では、ポリイミド21と銅22の複合材料からなる基板10に用いたが、材料の組み合わせはこれに限るものではなく、レーザエネルギとスポット径との関係がわかるものであればよい。この図4によれば、スポット径が20μmの線幅で基板10を加工する場合は、ポリイミド21では10μJ以上のエネルギが必要であり、銅22の場合では50μJ以上のエネルギが必要となる。
そこで、次に、線幅150μmのポリイミド21を加工するときは、照射されるエネルギが10μJ、線幅150μmの銅22を加工するときは照射されるエネルギが50μJになるような加工プログラムを作成した。
そして、この加工プログラムを用いて、レーザ光源2から導光されるレーザが波長780nm、パルス幅200fs、繰り返し周波数1000Hzで50μJのレーザ20を、銅22を加工するときは、NDフィルタを介さずに直接基板10上に照射する。また、ポリイミド21を加工するときは、NDフィルタ5を用いることで10μJに減衰させて基板10上に照射する。このように制御することで、目的の形状を有するポリイミド21と銅22の複合材料基板を得ることができた。
本実施形態では、NDフィルタ5を用いてレーザエネルギの調整を行ったが、NDフィルタ5を用いず、制御部15により、レーザ光源2から照射されるレーザの出力を調節してレーザエネルギの調節を行ってもよい。なお、今回加工した基板10に関して、材料の成分や3次元的な位置が既知なものを用いたが、構成成分が未知の場合、成分分析を行うことも必要となる(図2のS21参照)。
本実施形態によれば、基板10の材質に応じてレーザの照射エネルギーを制御することで、例えば2種類の材料から構成される基板10を、一定のスポット径(加工幅)で加工することができる。また、2種類の材料から構成される基板10を高精度で加工することができる。
(第2の実施形態)
次に、照射されるレーザ20のエネルギを一定として基板10を加工する場合の実施の形態を説明する。なお、第1の実施形態と同一又は相当する部材には、同一の符号を付して説明する。
本実施形態では、図4に示したように、ポリイミド21、スポット径、及び照射するレーザエネルギの関係を用いて加工を行う。また、照射されるレーザ20のエネルギを10μJの一定とする。前述した加工プログラムを用いて、レーザ光源2から導光されるレーザ20が、波長780mm、パルス幅200fs、繰り返し周波数1000Hzで10μJのものを用いる。
こうして、ポリイミド21の部位がスポット径(加工幅)20μm、銅22の部位のスポット径(加工幅)4μmの形状を有するポリイミド21と銅22の複合材料基板を得ることができた。
本実施形態によれば、2種類の材料から構成される基板10をそれぞれの成分ごとに、目的とする任意のスポット径(加工幅)で加工することができる。
本実施形態におけるレーザ加工装置の概略構成を示す図である。 本実施形態のレーザ加工によるフローチャートを示す図である。 フレキシブル基板の加工状態を示す図である。 材料ごとのレーザエネルギと加工幅との関係を示す図である。 銅を同一のレーザエネルギで加工したときの従来例を示す図である。 ポリイミドを同一のレーザエネルギで加工したときの従来例を示す図である。 複合材料を単一のレーザエネルギで加工したときの従来例を示す図である。
符号の説明
1 レーザ加工装置
2 レーザ光源
3 ビームエキスパンダ
4 ピンホール
5 NDフィルタ
6 ダイクロイックミラー
8 照明灯
9 対物レンズ
10 被加工物(基板)
11 xyz軸ステージ
12 CCDカメラ
13 レーザ光学系
15 制御部
20 レーザ
21 ポリイミド
22 銅

Claims (8)

  1. 複数の材料から構成される被加工物にレーザを照射し所定の加工幅で加工を行うレーザ加工方法において、
    前記材料ごとに照射エネルギと前記加工幅との関係式を算出する工程と、
    該算出した前記関係式に基づき前記材料ごとに加工条件を設定する工程と、
    該設定された前記加工条件を用いて前記被加工物を加工する工程と、を含む
    ことを特徴とするレーザ加工方法。
  2. 前記加工幅が一定となるように、前記材料ごとに前記照射エネルギを変化させる
    ことを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工方法。
  3. 前記照射エネルギを一定として、前記材料ごとに前記加工幅を変化させる
    ことを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工方法。
  4. 前記レーザとして超短パルスレーザを用いた
    ことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のレーザ加工方法。
  5. さらに、前記材料の位置情報を調べる工程を有する
    ことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のレーザ加工方法。
  6. 複数の材料から構成される被加工物にレーザを照射するレーザ光学系を有し、所定の加工幅で加工を行うレーザ加工装置において、
    前記材料ごとに照射エネルギと前記加工幅との関係式を算出し、該算出した関係式に基づき前記材料ごとに加工条件を設定する制御部を備えている
    ことを特徴とするレーザ加工装置。
  7. 前記レーザが超短パルスレーザである
    ことを特徴とする請求項6に記載のレーザ加工装置。
  8. 前記制御部にて前記照射エネルギーの制御を行う
    ことを特徴とする請求項6又は7に記載のレーザ加工装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE102022004284A1 (de) 2021-12-10 2023-06-15 Mitutoyo Corporation Herstellungsverfahren eines leitenden musters

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