JP2008124740A - 弾性表面波素子及びその製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008124740A JP2008124740A JP2006305747A JP2006305747A JP2008124740A JP 2008124740 A JP2008124740 A JP 2008124740A JP 2006305747 A JP2006305747 A JP 2006305747A JP 2006305747 A JP2006305747 A JP 2006305747A JP 2008124740 A JP2008124740 A JP 2008124740A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- thickness
- piezoelectric substrate
- electrode
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
【課題】ほう酸リチウム単結晶基板を用いたSAW素子の特性劣化を最小に留め、かつ基板の耐湿信頼性を確保し得るように絶縁膜で基板表面を被覆する。
【解決手段】SAW素子10は、四ほう酸リチウム単結晶の圧電基板11に電極膜16を形成し、その上に形成したレジストパターン17を用いて電極膜をエッチングしてIDT12を形成し、露出した基板表面をオーバエッチングしかつ残存するレジスト材料を除去した後、IDTを含む基板上にSiO2の絶縁膜を形成する。オーバエッチングの深さdを0.005〜0.035μmとし、絶縁膜の厚さtをt>dかつ350Å<t<900Åに設定する。更に絶縁膜の厚さtを電極膜の厚さTに関して0.18T<t<0.42Tを満足するように設定する。
【選択図】図1
【解決手段】SAW素子10は、四ほう酸リチウム単結晶の圧電基板11に電極膜16を形成し、その上に形成したレジストパターン17を用いて電極膜をエッチングしてIDT12を形成し、露出した基板表面をオーバエッチングしかつ残存するレジスト材料を除去した後、IDTを含む基板上にSiO2の絶縁膜を形成する。オーバエッチングの深さdを0.005〜0.035μmとし、絶縁膜の厚さtをt>dかつ350Å<t<900Åに設定する。更に絶縁膜の厚さtを電極膜の厚さTに関して0.18T<t<0.42Tを満足するように設定する。
【選択図】図1
Description
本発明は、弾性表面波(SAW:surface acoustic wave )を利用した弾性表面波素子及びその製造方法に関し、特に四ほう酸リチウム単結晶基板からなる圧電基板にIDTを形成したSAW素子及びその製造方法に関する。
従来から、圧電基板の表面に形成した交差指電極からなるIDT(すだれ状トランスデューサ)により励振するSAWを利用したSAW素子を備える共振子、フィルタ、発振器等のSAWデバイスが、様々な電子機器に広く使用されている。SAW素子の圧電基板には、例えば水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、四ほう酸リチウム等の様々な圧電材料が用いられている。
これらの中で、特に四ほう酸リチウム単結晶は、電気機械結合定数が大きく、温度安定性に優れた圧電材料として注目されている(例えば、特許文献1,2を参照)。しかしながら、四ほう酸リチウム単結晶からなる圧電基板は、水分や酸等を吸収して溶解する潮解性を有する。そのため、四ほう酸リチウム単結晶基板の表面にSiO2等の絶縁膜を形成して、耐湿信頼性を高める弾性波デバイスの製造方法が知られている(例えば、特許文献3を参照)。
また、四ほう酸リチウム単結晶基板の表面にIDTとして金属膜を形成した弾性表面波装置において、該基板及び金属膜上に絶縁膜を形成することによって電気機械結合係数をより大きく、位相速度を速く、伝搬損失を小さくできること、及び絶縁膜にSiO2を用いることによって、伝搬速度の温度特性を向上できることが知られている(例えば、特許文献1を参照)。特許文献1によれば、特に絶縁膜の規格化膜厚を5〜35%にすると、電気機械結合係数を上昇させることができる。
更に、四ほう酸リチウム単結晶基板を用いた弾性表面波装置において、圧電基板上にSiO2からなる絶縁膜を形成し、その膜厚hをkh<0.03(但し、k=2π/λ、λ:SAWの1波長)にすると、挿入損失の増加を抑制できることが知られている(例えば、特許文献2を参照)。
他方、SAW素子において圧電基板上に形成した電極膜をパターニングしてIDTを形成する場合、圧電基板上に電極膜の残渣が残ると、絶縁抵抗を低下させたり、電極間をショートさせる虞がある。そのため、電極膜のパターニング後に圧電基板表面をオーバエッチングして、電極膜の残渣を完全に除去する工程が一般に採用されている(例えば、特許文献4,5を参照)。
オーバエッチングは圧電基板の表面を損傷し、SAWデバイスの特性を劣化させる虞がある。特許文献4では、オーバエッチング処理を全エッチング時間の5〜50%とし、僅かに基板表面をエッチングするだけとしている。また、特許文献5では、オーバエッチングは約1分間で、エッチング量は200Å程度である。
図5は、上述したように圧電基板表面をオーバエッチングした従来のSAW素子を示している。圧電基板1上には、IDTを構成する交差指電極2が形成され、該交差指電極が形成されていない基板表面は浅くオーバエッチングされ、交差指電極2を含む基板全面に絶縁膜3が形成されている。しかしながら、一般にスパッタリングや蒸着で形成される絶縁膜3は両端の膜厚が薄くなる。そのため、圧電基板のオーバエッチングで交差指電極2の下端と絶縁膜3との間に隙間4が生じて基板材料が露出する虞がある。圧電基板1が四ほう酸リチウム単結晶基板からなる場合、水分や酸が侵入して基板表面を溶解させ、所望の特性が得られないという問題を生じる。
また、圧電基板上に形成する電極膜の厚さが大きい場合、それに対応してオーバエッチング量を例えば0.025〜0.035μm程度まで多くしないと、電極膜の残渣を完全に除去することはできない。従って、基板表面のオーバエッチング量や絶縁膜の厚さがSAW素子の特性に及ぼす影響は、電極膜の厚さとの相関関係をも考慮して検討する必要がある。しかしながら、本願発明者が知る限り、かかる報告は未だなされていない。
そこで本発明は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、四ほう酸リチウム単結晶基板からなる圧電基板にIDTを形成したSAW素子において、該圧電基板の表面を被覆する絶縁膜を、それによるSAW素子の挿入損失等の特性劣化を最小に留め、かつ圧電基板の耐湿信頼性を保証するように形成し得るSAW素子の製造方法を提供することにある。
更に本発明の目的は、四ほう酸リチウム単結晶基板からなる圧電基板の耐湿信頼性に優れ、かつそのために形成される絶縁膜による挿入損失等の特性劣化を最小にしたSAW素子を提供することにある。
本発明によれば、上記目的を達成するために、四ほう酸リチウム単結晶基板からなる圧電基板の主面に厚さTの電極膜を形成する工程と、該電極膜上にレジスト材料を塗布しかつパターニングする工程と、該パターニングにより露出した電極膜をエッチングして、所望のIDTを構成する電極パターンを形成する工程と、かつ該電極パターンから露出する圧電基板の表面を深さdまでオーバエッチングする工程と、電極パターン上に残存するレジスト材料を除去した後、例えばSiO2または窒化シリコンからなる厚さtの絶縁膜を圧電基板主面の少なくともIDTにより励振される弾性表面波が伝搬する領域に形成する工程とを有し、オーバエッチングの深さdを0.005〜0.035μmとし、絶縁膜の厚さtをt>dかつ350Å<t<900Åとなるように設定するSAW素子の製造方法が提供される。
このように圧電基板表面のオーバエッチングで電極パターンの下端に露出した四ほう酸リチウム単結晶の面を絶縁膜で覆うことによって、圧電基板の耐湿信頼性を確保しつつ、SAW素子の挿入損失等の特性劣化を最小に留めることができる。
或る実施例では、更に前記絶縁膜をその厚さtが電極膜の厚さTに関して0.18T<t<0.42Tを満足するように形成する。これにより、圧電基板の耐湿信頼性を確保することに加えて、更に電極膜の厚さの大小をも考慮した上で、挿入損失等の特性劣化に及ぼす影響を最小にする最適の厚さに絶縁膜を形成することができる。
本発明の別の側面によれば、四ほう酸リチウム単結晶基板からなる圧電基板と、該圧電基板主面に形成されたIDTを構成する電極パターンとを備え、圧電基板の電極パターンで被覆されていない領域の表面が深さd=0.005〜0.035μmまで削除され、かつ圧電基板主面の少なくともIDTにより励振される弾性表面波が伝搬する領域が絶縁膜で被覆され、該絶縁膜の厚さtがt>dかつ350Å<t<900Åを満足するように形成されたSAW素子が提供される。
同様に、SAW素子の挿入損失等の特性劣化を最小にしながら、圧電基板の耐湿信頼性を確保するように、圧電基板表面の削除により電極パターンの下端に露出した四ほう酸リチウム単結晶の面を絶縁膜で覆うことができる。
この場合にも、或る実施例では、更に前記絶縁膜の厚さtが電極パターンの厚さTに関して0.18T<t<0.42Tを満足することにより、絶縁膜を電極膜の厚さにも対応して、挿入損失等の特性劣化に及ぼす影響を最小にする最適の厚さに形成することができる。
以下に、添付図面を参照しつつ、本発明の好適な実施例について詳細に説明する。
図1(A)は、本発明を適用した1ポート型共振子用のSAW素子10を示している。SAW素子10は、四ほう酸リチウム単結晶基板からなる矩形の圧電基板11を有する。圧電基板11の主面には、その略中央に1対の交差指電極12a、12bからなるSAW励振用のIDT12が形成され、その長手方向の両側にそれぞれ格子状の反射器13、13が形成されている。前記交差指電極及び反射器は、加工性及びコストの観点からAlからなる電極膜で形成されている。別の実施例では、AlにCuを添加した合金を前記電極膜に用いることもできる。
図1(A)は、本発明を適用した1ポート型共振子用のSAW素子10を示している。SAW素子10は、四ほう酸リチウム単結晶基板からなる矩形の圧電基板11を有する。圧電基板11の主面には、その略中央に1対の交差指電極12a、12bからなるSAW励振用のIDT12が形成され、その長手方向の両側にそれぞれ格子状の反射器13、13が形成されている。前記交差指電極及び反射器は、加工性及びコストの観点からAlからなる電極膜で形成されている。別の実施例では、AlにCuを添加した合金を前記電極膜に用いることもできる。
図1(B)は、SAWの伝搬方向に沿って圧電基板11及び交差指電極12a、12bの断面を示している。同図において、圧電基板11の表面は、交差指電極12a、12bの無い領域が深さdまで削除されている。図示しないが、圧電基板11表面の前記反射器等の電極膜で被覆されていない領域も、同様に深さdまで削除されている。本実施例において、前記深さdは、実質的にSAW素子10の特性を劣化させないように、前記電極膜の厚さを考慮しながら0.005〜0.035μmの範囲で適当に設定する。
交差指電極12a、12b及び前記反射器を含む圧電基板11の主面全面は、SiO2からなる厚さtの絶縁膜14で被覆されている。絶縁膜14の厚さtは、t>dかつ350Å<t<900Åを満足するように設定する。この絶縁膜14によって、圧電基板11を深さdまで削除することにより前記各交差指電極の下端に露出した四ほう酸リチウム単結晶の側面15を完全に覆うことができる。従って、四ほう酸リチウム単結晶基板からなる圧電基板11の耐湿信頼性を確保することができる。
絶縁膜14の厚さtは、更に交差指電極12a、12bの厚さTに関して、0.18T<t<0.42Tを満足するように設定することができる。これにより、電極膜の厚さを考慮して上記範囲内で設定される深さdに対応して、絶縁膜14を、SAW素子10の特性を劣化させない厚さで形成することができる。
また前記絶縁膜は、SiO2以外に窒化シリコンで形成することもできる。尚、圧電基板11主面に配置されるボンディングパッド等の電気的接続部上に絶縁膜14を設けないことは言うまでもない。また、絶縁膜14は、少なくとも圧電基板11主面のIDT12により励振されるSAWが伝搬する領域にのみ設けることができる。それにより、SAW素子10の所望の特性を維持することができる。この場合、本実施例では、絶縁膜14が少なくともIDT12及び反射器13、それらを構成する電極間の領域、前記IDTと反射器間の領域、並びに前記反射器と圧電基板11の隣接する各端辺間の領域に設けられる。
図2を用いて、図1のSAW素子10を製造する工程を説明する。先ず、図2(A)に示すように、圧電基板11の表面にAl電極膜16を蒸着又はスパッタリングなどの公知方法により所定の膜厚Tに形成する。Al電極膜16の上にレジスト材料を塗布し、これをフォトリソグラフィ技術によりパターニングして、IDT12及び反射器13に対応するレジストパターン17を形成する。次に、レジストパターン17から露出したAl電極膜16を反応性イオンエッチングなどのドライエッチングで除去する(図2(B))。実際上、図2(B)の工程で圧電基板11の表面からAl電極膜16を完全に除去することは困難で、Al電極材料の残渣18が残っている。
次に、露出した圧電基板11の表面を、例えば塩素系ガスを用いたドライエッチングによりオーバエッチングし、Al電極膜16の残渣18を除去するだけでなく、元の基板表面から深さdまで削除する(図2(C))。この深さdは、上述したように、実質的にSAW素子10の特性を特性を劣化させないように、前記電極膜の厚さを考慮しながら0.005〜0.035μmの範囲で適当に決定する。これにより、各交差指電極12a、12bの下端には、四ほう酸リチウム単結晶の側面15が露出する。別の実施例では、適当なエッチング液を用いたウエットエッチングにより、圧電基板11表面をオーバエッチングすることができる。
次に、交差指電極12a、12b上に残存するレジストパターン17を除去する(図2(D))。この後、交差指電極12a、12b及び前記反射器を含む圧電基板11の主面全面に、SiO2をスパッタリングまたは蒸着等の公知方法により付着させて絶縁膜14を形成する(図2(E))。絶縁膜14の厚さtは、上述したようにt>dかつ350Å<t<900Åを満足するように設定する。これにより、圧電基板11表面のオーバエッチングによって前記各交差指電極の下端に露出した四ほう酸リチウム単結晶の側面15を絶縁膜14で完全に覆うことができるので、圧電基板11の耐湿信頼性が確保される。
更に絶縁膜14の厚さtは、交差指電極12a、12bの厚さTに関して、0.18T<t<0.42Tを満足するように設定することができる。これにより、電極膜16の厚さを考慮して上記範囲で適当に設定されるオーバエッチングの深さdに対応して、絶縁膜14を、SAW素子10の特性を劣化させないように形成することができる。このようにして、所望の電極構造及び絶縁膜を有する図1(B)のSAW素子10が得られる。
前記絶縁膜は、SiO2以外に窒化シリコンで形成することもできる。また、絶縁膜14は、圧電基板11主面に配置されるボンディングパッド等の電気的接続部には設けないように形成する。また、これらの電気的接続部上に絶縁膜を形成した場合は、その部分を後の工程で削除する。更に、絶縁膜14は、少なくとも圧電基板11主面のIDT12により励振されるSAWが伝搬する領域にのみ設ければよく、それによりSAW素子10の所望の特性を維持することができる。この場合、本実施例では、少なくともIDT12及び反射器13、それらを構成する電極間の領域、前記IDTと反射器間の領域、並びに前記反射器と圧電基板11の隣接する各端辺間の領域を覆うように、絶縁膜14を形成する。
このようにして製造したSAW素子10について、SiO2からなる絶縁膜14の厚さtに関する挿入損失及びその変動量の変化を測定した。ここで、挿入損失の変動量は、SAW素子10を40℃、相対湿度85%の雰囲気内に晒した状態のまま一定時間経過させたときに、その前後で測定した挿入損失の変動量であり、SAW素子10の時間経過による挿入損失の劣化を表す指標の1つである。
それらの結果を図3(A)及び(B)に示す。図3(A)から分かるように、挿入損失は、絶縁膜14の厚さtが大きくなるほど増大する。これに対し、挿入損失の変動量は、図3(B)から、絶縁膜14の厚さtが350Å付近までは急激に低下し、それを超えると略一定になることが分かる。これらの結果から、絶縁膜14は350Å以上の厚さに形成すれば良い。更に厚さtの上限は、挿入損失が大きくなり過ぎない900Åに設定するのが好ましい。従って、本発明によれば、圧電基板の耐湿信頼性を確保しつつ、SAW素子の挿入損失等の特性劣化が最小となるように、絶縁膜14の厚さtを最適に設定できることが分かった。
また、上述したように、オーバエッチングの深さdは、電極膜16の厚さTを考慮してSAW素子10の特性を劣化させないように設定するから、絶縁膜14の厚さtも深さdを考慮して設定することが好ましい。そこで、上述したように製造したSAW素子10について、電極膜16の厚さTに対するSiO2からなる絶縁膜14の厚さtの比に関する挿入損失及びその変動量の変化を測定した。
それらの結果を図4(A)及び(B)に示す。図4(A)から分かるように、挿入損失は、図3(A)の場合と同様に、電極膜16と絶縁膜14との厚さの比t/Tが大きくなるほど増大する。これに対し、挿入損失の変動量は、図4(B)から、前記厚さの比t/Tが0.18付近までは急激に低下し、それを超えると略一定になることが分かる。これらの結果から、絶縁膜14の厚さtは、電極膜16の厚さTに対して0.18以上の比率で形成すればよい。更に厚さtの上限は、挿入損失が大きくなり過ぎないように、0.42以下の比率に設定するのが好ましい。従って、本発明によれば、更に電極膜16の厚さの大小をも考慮した上で最適の厚さに絶縁膜14を形成できることが分かった。
以上、本発明の好適な実施例について説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、これに様々な変形・変更を加えて実施し得ることは当業者に明らかである。例えば、上記実施例の1ポート型、シングル型IDT以外に、反射器を有しないものや、2ポート型、トランスバーサル型などの様々な構成を有するSAW素子、または共振子以外の様々なSAWデバイスについても、本発明は同様に適用することができる。反射器を有しないSAW素子の場合には、少なくともIDT及びそれを構成する交差指電極間の領域、並びにIDTと圧電基板の各端辺間の領域に絶縁膜を形成すれば、SAW素子の特性を維持することができる。
1,11…圧電基板、2,12a,12b…交差指電極、3,14…絶縁膜、4…隙間、10…SAW素子、12…IDT、13…反射器、15…側面、16…電極膜、17…レジストパターン、18…残渣。
Claims (6)
- 四ほう酸リチウム(Li2B4O7)単結晶基板からなる圧電基板の主面に厚さTの電極膜を形成する工程と、前記電極膜上にレジスト材料を塗布しかつパターニングする工程と、前記パターニングにより露出した前記電極膜をエッチングして、所望のIDTを構成する電極パターンを形成する工程と、かつ前記電極パターンから露出する前記圧電基板の表面を深さdまでオーバエッチングする工程と、前記電極パターン上に残存する前記レジスト材料を除去した後、前記圧電基板主面の少なくとも前記IDTにより励振される弾性表面波が伝搬する領域に厚さtの絶縁膜を形成する工程とを有し、
前記オーバエッチングの深さdを0.005〜0.035μmとし、前記絶縁膜の厚さtをt>dかつ350Å<t<900Åとなるように設定することを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。 - 前記絶縁膜の厚さtを、更に前記電極膜の厚さTに関して0.18T<t<0.42Tを満足するように設定することを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波素子の製造方法。
- 前記絶縁膜が二酸化珪素(SiO2)または窒化シリコンからなることを特徴とする請求項1または2に記載の弾性表面波素子の製造方法。
- 四ほう酸リチウム単結晶基板からなる圧電基板と、前記圧電基板の主面に形成されたIDTを構成する電極パターンとを備え、前記圧電基板主面の前記電極パターンで被覆されていない領域が深さd=0.005〜0.035μmまで削除され、かつ前記圧電基板主面の少なくとも前記IDTにより励振される弾性表面波が伝搬する領域が絶縁膜で被覆され、前記絶縁膜の厚さtがt>dかつ350Å<t<900Åを満足するように形成されていることを特徴とする弾性表面波素子。
- 前記絶縁膜の厚さtが、更に前記電極パターンの厚さTに関して0.18T<t<0.42Tを満足することを特徴とする請求項4に記載の弾性表面波素子。
- 前記絶縁膜が二酸化珪素または窒化シリコンからなることを特徴とする請求項4または5に記載の弾性表面波素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006305747A JP2008124740A (ja) | 2006-11-10 | 2006-11-10 | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006305747A JP2008124740A (ja) | 2006-11-10 | 2006-11-10 | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008124740A true JP2008124740A (ja) | 2008-05-29 |
Family
ID=39509050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006305747A Withdrawn JP2008124740A (ja) | 2006-11-10 | 2006-11-10 | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008124740A (ja) |
-
2006
- 2006-11-10 JP JP2006305747A patent/JP2008124740A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20210066575A1 (en) | Elastic wave device | |
TWI762832B (zh) | 聲表面波器件 | |
JP6415469B2 (ja) | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ並びに弾性波共振器の製造方法 | |
US20180013400A1 (en) | Acoustic wave device | |
JP5187444B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
KR100312001B1 (ko) | 탄성표면파장치 | |
US8680744B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
WO1996004713A1 (fr) | Dispositif a ondes acoustiques de surface et procede de production | |
JP2019062441A (ja) | 弾性波装置 | |
WO2009139108A1 (ja) | 弾性境界波装置 | |
JPH10224172A (ja) | 表面波装置 | |
JP5163805B2 (ja) | 弾性表面波素子とその製造方法 | |
JP2006295311A (ja) | 弾性表面波素子片および弾性表面波装置 | |
US7109634B2 (en) | End surface reflection type surface acoustic wave device | |
WO2007125733A1 (ja) | 弾性表面波装置 | |
WO2008038506A1 (fr) | Dispositif d'onde acoustique limite | |
JP2008078981A (ja) | 弾性表面波共振器およびこれを用いた弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器 | |
JP2006246050A (ja) | 複合圧電ウエハ及び弾性表面波装置 | |
JP2006186623A (ja) | 弾性表面波素子、その製造方法、及び弾性表面波デバイス | |
WO2007010663A1 (ja) | 弾性境界波装置 | |
JP2004236285A (ja) | 表面波装置 | |
JP4862451B2 (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
JP2008124740A (ja) | 弾性表面波素子及びその製造方法 | |
JPH10209801A (ja) | 表面波装置 | |
JP3341596B2 (ja) | 表面波装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100202 |