JP2008123074A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】電流リークを大幅に減少させることにより、より小さな静電容量素子によりフラグ保持時間を延長化する。
【解決手段】電源保持部5は、ダイオード7と静電容量素子8とからなり、内部電源電圧と基準電位との間に直列接続された構成からなる。ダイオード7は、PチャネルMOSトランジスタがダイオード接続されており、該トランジスタのソース端子に内部電源電圧VDDが供給され、ドレイン端子には、該トランジスタのゲート端子とバルク端子、およびコンデンサの一方の接続部がそれぞれ接続されている。整流回路2の内部電源電圧VDDが供給停止となった際、トランジスタのドレインとN−WELLによって形成されたPN接合によって逆方向バイアスとなるので、静電容量素子8に蓄積された電荷のリークを防止することができる。
【選択図】図2
【解決手段】電源保持部5は、ダイオード7と静電容量素子8とからなり、内部電源電圧と基準電位との間に直列接続された構成からなる。ダイオード7は、PチャネルMOSトランジスタがダイオード接続されており、該トランジスタのソース端子に内部電源電圧VDDが供給され、ドレイン端子には、該トランジスタのゲート端子とバルク端子、およびコンデンサの一方の接続部がそれぞれ接続されている。整流回路2の内部電源電圧VDDが供給停止となった際、トランジスタのドレインとN−WELLによって形成されたPN接合によって逆方向バイアスとなるので、静電容量素子8に蓄積された電荷のリークを防止することができる。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体集積回路装置の通信技術に関し、特に、RFID(Radio Frequency IDentification:電波方式認識)タグに用いられる半導体集積回路装置の通信安定化に有効な技術に関する。
無線通信によりデータ交信することができる自動認識技術として、RFIDが広まりつつある。このRFIDは、情報を記憶可能なIDタグと、該IDタグにおける情報の読み出しや書き込みを行うリーダ/ライタとによって構成されている。IDタグは、たとえば、非接触ICチップなどの半導体集積回路装置、およびアンテナからなる。
この種のIDタグには、フラグ保持回路が備えられている。このフラグ保持回路は、セッションフラグの状態を任意の時間保持する。セッションフラグは、電子タグの1つであり、一度読み出したIDタグを再度読み出すことを防止するためのフラグである。セッションフラグは、たとえば、IDタグが読み出された際にフラグ状態が’0’から’1’に遷移する。
IDタグが読み出され、セッションフラグ’1’となった後、電波が一時的に途切れて動作電界外となっても、フラグ保持回路がセッションフラグの状態を保持しているので、再びIDタグが電波を受信しても、一度読み出されたIDタグの再読み出しが防止されることになる。
フラグ保持回路は、たとえば、電荷保持回路とフリップフロップとから構成されている。フリップフロップは、論理回路から出力されるセッションフラグを保持する。電荷保持回路は、外部からの電力供給が停止した際に、フリップフロップの状態が一定期間保持できるように蓄積した電荷を供給する。
ところが、上記のようなIDタグにおけるフラグ保持技術では、次のような問題点があることが本発明者により見い出された。
フラグ保持回路において、電荷保持回路は、通常、ダイオード接続されたNチャネルMOS、またはPチャネルMOSのいずれかよりなるトランジスタとコンデンサとが、電源電圧と基準電位VSSとの間に直列接続された構成よりなる。
たとえば、NチャネルMOSのトランジスタを用いて電荷保持回路を構成した際には、トランジスタをダイオード接続することにより、電源電圧よりも1Vgs(ゲート−ソース間電圧)分低い電圧がコンデンサに供給されることになり、該コンデンサの電荷蓄積量が少なくなってしまう。
それにより、電源遮断時におけるフリップフロップのフラグ保持時間が短くなってしまうという問題がある。
また、PチャネルMOSのトランジスタをダイオード接続した際には、該トランジスタのバルク(バックゲート)がソース端子に接続された構成となるので、電源電圧の遮断時にコンデンサの電荷がバルクへリークしてしまい、この場合も、フラグ保持時間が短くなってしまうという問題がある。
本発明の目的は、電流リーク、または電圧降下を大幅に減少させることにより、より小さな静電容量素子によりフラグ保持時間を延長化することのできる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴については、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
本発明は、リーダ/ライタから受けた電波を電力に変換し、情報をリーダ/ライタに返信するIDタグに用いられ、内部電源電圧を充電し、その内部電源電圧の供給が停止した際に、任意の論理回路に電源供給を行う電源保持部を備えた半導体集積回路装置であって、電源保持部は、ダイオード接続されたPチャネルMOSのトランジスタと、静電容量素子とよりなり、トランジスタと静電容量素子とが、内部電源電圧と基準電位との間に直列接続された構成からなり、該トランジスタは、ソース端子に内部電源電圧が供給され、ドレイン端子、ゲート端子、およびバルク端子が、静電容量素子の一方の接続部にそれぞれ接続された構成からなるものである。
また、本願のその他の発明の概要を簡単に示す。
本発明は、前記論理回路が IDタグがリーダ/ライタから情報を読み出されたか否かを示す状態フラグを記憶するメモリ部よりなるものである。
また、本発明は、前記メモリ部が、フリップフロップよりなり、電源保持部は、該フリップフロップの電源として供給するものである。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
(1)リーク電流を大幅に低減することによって、半導体集積回路装置の信頼性を向上させることができる。
(2)また、静電容量素子の容量を小さくすることが可能となるので、半導体集積回路装置の小型化を実現することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
図1は、本発明の一実施の形態によるIDタグに用いられるRFIDチップの構成を示すブロック図、図2は、図1のRFIDチップに設けられたフラグ保持回路の一例を示す回路図、図3は、図1のRFIDチップに設けられた電源保持部の構成例を示す回路図、図4は、ダイオードを構成するPチャネルMOSトランジスタの断面図、図5は、本発明者が検討したPチャネルMOSのトランジスタにおける一般的なダイオード接続による動作状態を示す説明図、図6は、図2のフラグ保持回路における動作例を示すタイミングチャートである。
本実施の形態において、RFIDチップ(半導体集積回路装置)1は、自動認識技術の1つであるRFIDに用いられる半導体チップである。RFIDチップ1は、図1に示すように、整流回路2、ロジック部3、およびフラグ保持回路4から構成されている。
RFIDチップ1には、アンテナ1aが設けられている。このアンテナ1aは、リーダ/ライタとの交信においてアナログ信号の送受信を行う。
アンテナ1aには、整流回路2が接続されている。整流回路2は、アンテナ1aを介してIDタグにおける情報の読み出しや書き込みを行うリーダ/ライタから出力されたマイクロ波の電力を整流して内部電源電圧VDDとして出力する。
整流回路2が整流した内部電源電圧VDDは、ロジック部3、およびフラグ保持回路4にそれぞれ供給されるように接続されている。ロジック部3は、たとえば、クロック回路、論理回路、ならびに変調回路などが備えられている。
クロック回路は、クロック信号を生成し、論理回路に供給する。変調回路は、アンテナが受信したアナログ信号をデジタル信号に復調して論理回路に出力するとともに、該論理回路から出力されたデジタル信号をアナログ信号に変調してアンテナを介してリーダ/ライタに送信する。
論理回路は、たとえば、EEPROM(Electronically Erasable and Programmable Read Only Memory)などの不揮発性半導体メモリからなるメモリを含み、情報の読み出し/書き込みにおける動作制御を司り、情報の読み出し/書き込みを行う。
フラグ保持回路4は、IDタグが動作電界外となり、整流回路2からの内部電源電圧VDDが供給停止となった際に、一度読み出したIDタグを再度読み出すことを防止するセッションフラグ(状態フラグ)の状態を保持する。
フラグ保持回路4は、図2に示すように、電源保持部5、およびメモリ部6から構成されている。電源保持部5は、ダイオード7と静電容量素子8とからなる。電源保持部5は、IDタグが動作電界外となり、整流回路2の内部電源電圧VDDが供給停止となった場合に、任意の期間、メモリ部6に電源を供給する。
ダイオード7のアノードには、整流回路2が整流した内部電源電圧VDDが供給されるように接続されている。ダイオード7のカソードには、静電容量素子8の一方の接続部が接続されており、該静電容量素子8の他方の接続部には、基準電位VSSが接続されている。また、ダイオード7のカソードには、メモリ部6に設けられたフリップフロップ6aの電源端子VPが接続されている。
メモリ部6は、たとえば、2つの否定論理和回路からなるフリップフロップ6aとインバータ9とからなる。フリップフロップ6aは、セット端子SET、リセット端子RESET、および出力端子Q,/Qを有している。
セット端子SETには、論理回路から出力されたセッションフラグの信号が入力される。リセット端子RESETには、論理回路から出力されたリセット信号が入力される。出力端子Qは、セット端子SETにセットされたセッションフラグの状態が出力され、出力端子/Qは、出力端子Qの反転信号が出力される。
出力端子/Qには、インバータ9が接続されており、該インバータ9の出力部から出力された信号が、セッションフラグの状態として論理回路に出力される。フリップフロップ6aは、リセット端子RESETにリセット信号が入力されるまで、セット端子SETに入力された信号状態を保持して出力端子Q,/Qから出力する。
論理回路は、IDタグが前述したリーダ/ライタに読み出される前は、セッションフラグとして’0’を出力し、該IDタグがリーダ/ライタに読み出されるとセッションフラグとして’1’を出力する。
図3は、電源保持部5の一例を示す回路図である。
電源保持部5において、図示するように、ダイオード7は、たとえば、PチャネルMOSトランジスタからなり、該トランジスタをダイオード接続した構成となっている。ダイオード7において、トランジスタのソース端子には、整流回路2の内部電源電圧VDDが供給されるように接続されている。
また、トランジスタのドレイン端子には、該トランジスタのゲート端子とバルク端子、およびコンデンサの一方の接続部がそれぞれ接続されている。コンデンサの他方の接続部には、基準電位VSSが接続されている。
そして、トランジスタのドレイン端子と該トランジスタのゲート端子とバルク端子、およびコンデンサの一方の接続部とが接続された接続部がメモリ部6の電源端子VPに接続されている。
次に、本実施の形態による電源保持部5の作用について説明する。
図4は、ダイオード7を構成するPチャネルMOSのトランジスタの断面図である。
トランジスタは、たとえば、P型の半導体基板7a上にN−WELL7bが形成されており、このN−WELL7bにおいて、チャネルを挟んだ両側の所定の位置には、ソース(ソース端子)S、およびドレイン(ドレイン端子)Dからなる半導体領域である拡散層7c,7dがそれぞれ形成されている。
そして、これら拡散層7c,7d間に位置するチャネル部分の上方には、絶縁膜7eを介して、ゲートGとなるゲート電極(ゲート端子)7fが形成されている。このトランジスタにおいて、ソースSは、整流回路2に接続され、ドレインD、ゲートG、およびバルクbulkは、静電容量素子8の一方の接続部にそれぞれ接続される。
ここで、図4のトランジスタにおけるトランジスタの動作状態について説明する。
まず、RFIDチップ1が動作電界内であり、整流回路2からの内部電源電圧VDDが供給されている場合には、トランジスタのソースS、バルク(N−WELL7b)bulkを介して静電容量素子8に内部電源電圧VDDが充電されることになる。
一方、RFIDチップ1が動作電界外となって整流回路2からの内部電源電圧VDDが供給停止となっている状態では、トランジスタのドレインDとN−WELL7bによって形成されたPN接合によって逆方向バイアスとなるので、静電容量素子8に蓄積された電荷が印加されてもリーク電流が生じないことになる。
図5は、本発明者が検討したPチャネルMOSのトランジスタ30における一般的なダイオード接続による動作状態を示す説明図である。
トランジスタ30は、図示するように、たとえば、P型の半導体基板31上にN−WELL32が形成されており、該N−WELL32のチャネルを挟んだ両側の所定の位置にソースS、およびドレインDからなる半導体領域である拡散層33,34がそれぞれ形成されている。
これら拡散層33,34間に位置するチャネル部分の上方には、絶縁膜35を介して、ゲートGとなるゲート電極(ゲート端子)36が形成されている。
この場合も、トランジスタ30は、ソースSが整流回路2に接続され、ドレインD、ゲートG、およびバルクbulkが、静電容量素子8の一方の接続部にそれぞれ接続されるものとする。
RFIDチップ1が動作電界内であり、整流回路2からの内部電源電圧VDDが供給されている場合には、トランジスタのバルク(N−WELL32)bulkからドレインDを介して静電容量素子8に内部電源電圧VDDが充電されることになる。
また、RFIDチップ1が動作電界外となって整流回路2からの内部電源電圧VDDが供給停止の場合、ドレインDとN−WELL32とによってPN接合が形成される。この場合、静電容量素子8に蓄積された電荷がドレインDに印加されると、図5の矢印に示すようにPN接合は順方向バイアスとなるので、その結果、リーク電流が生じてしまうことになる。
それによって、静電容量素子8からフリップフロップ6aに供給される電源容量が少なくなってしまうことになる。
一方、図4で示したトランジスタでは、前述したように、PN接合が逆バイアスとなるので、リーク電流を略ゼロとすることができるので、フリップフロップ6aの動作時間をより長くすることが可能となる。
また、リーク電流を略ゼロとすることができるので、静電容量素子8の容量を小さくすることが可能となり、RFIDチップ1を小型化することができる。
図6は、フラグ保持回路4における動作例を示すタイミングチャートである。
図6においては、上方から下方にかけて、整流回路2から出力される内部電源電圧VDD、フリップフロップ6aのセット端子SETに入力されるセット信号、フリップフロップ6aの出力端子Qから出力される出力信号、フリップフロップ6aの出力端子/Qから出力される出力信号、インバータ9から出力される出力信号、およびダイオード7を介してフリップフロップ6aに供給される内部電源電圧VDD1における信号タイミングをそれぞれ示している。
RFIDチップ1が動作電界内となると、整流回路2から内部電源電圧VDDが供給される。続いて、リーダ/ライタによって情報の読み出しが行われると、ロジック部3の論理回路から、セッションフラグとして出力されたセット信号がLo信号からHi信号に遷移する。これにより、フリップフロップ6aの出力端子QはHi信号となり、出力端子/QはLo信号出力となり、インバータ9の出力信号は、Hi信号となる。
その後、何らかの理由によってRFIDチップ1が動作電界外となると、整流回路2からの内部電源電圧VDDが供給停止となる。このとき、電源保持部5の静電容量素子8に蓄積された電荷が内部電源電圧VDD1としてフリップフロップ6aに供給される。
電源保持部5は、整流回路2からの内部電源電圧VDDが供給停止となってから、任意の時間、たとえば、0.5秒程度の間、フリップフロップ6aの出力端子/Qの状態が内部電源電圧VDDが供給停止直前の状態を保つように、フリップフロップ6aに電源供給を行う。
その後、0.5秒以内にRFIDチップ1が動作電界内となり、整流回路2からの電源供給が開始されると、整流回路2からの電源供給が停止の際に、インバータ9の出力は、電源が供給されないためにLo信号となっているが、前述したように0.5秒程度の間は、フリップフロップ6aの出力端子/Qの状態が変化しないので、再びインバータ9の出力は、Hi信号となって出力される。
それにより、本実施の形態によれば、電源保持部5のリーク電流を大幅に低減することができるので、フラグ保持回路4の信頼性を向上させることができる。
また、リーク電流を大幅に低減することが可能となるので、静電容量素子8の容量を小さくすることができ、RFIDチップ1の小型化を実現することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
本発明は、RFIDに用いられるIDタグにおける安定化通信技術に適している。
1 RFIDチップ
1a アンテナ
2 整流回路
3 ロジック部
4 フラグ保持回路
5 電源保持部
6 メモリ部
6a フリップフロップ
7 ダイオード
7a 半導体基板
7b N−WELL
7c,7d 拡散層
7e 絶縁膜
7f ゲート電極
8 静電容量素子
9 インバータ
30 トランジスタ
31 半導体基板
32 N−WELL
33,34 拡散層
35 絶縁膜
36 ゲート電極
1a アンテナ
2 整流回路
3 ロジック部
4 フラグ保持回路
5 電源保持部
6 メモリ部
6a フリップフロップ
7 ダイオード
7a 半導体基板
7b N−WELL
7c,7d 拡散層
7e 絶縁膜
7f ゲート電極
8 静電容量素子
9 インバータ
30 トランジスタ
31 半導体基板
32 N−WELL
33,34 拡散層
35 絶縁膜
36 ゲート電極
Claims (3)
- リーダ/ライタから受けた電波を電力に変換し、情報を前記リーダ/ライタに返信するIDタグに用いられ、内部電源電圧を充電し、前記内部電源電圧の供給が停止した際に、任意の論理回路に電源供給を行う電源保持部を備えた半導体集積回路装置であって、
前記電源保持部は、
ダイオード接続されたPチャネルMOSのトランジスタと、
静電容量素子とよりなり、
前記トランジスタと前記静電容量素子とが、前記内部電源電圧と基準電位との間に直列接続された構成からなり、
前記トランジスタは、
ソース端子に前記内部電源電圧が供給され、
ドレイン端子、ゲート端子、およびバルク端子が、前記静電容量素子の一方の接続部にそれぞれ接続された構成からなることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
前記論理回路は、
前記IDタグが前記リーダ/ライタから情報を読み出されたか否かを示す状態フラグを記憶するメモリ部であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1または2記載の半導体集積回路装置において、
前記メモリ部は、フリップフロップよりなり、
電源保持部は、
前記フリップフロップの電源として供給することを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006303517A JP2008123074A (ja) | 2006-11-09 | 2006-11-09 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006303517A JP2008123074A (ja) | 2006-11-09 | 2006-11-09 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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ID=39507793
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---|---|---|---|
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JP (1) | JP2008123074A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8199551B2 (en) | 2008-10-02 | 2012-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8513977B2 (en) | 2009-01-22 | 2013-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Data holding circuit |
CN106599971A (zh) * | 2016-12-12 | 2017-04-26 | 北京智芯微电子科技有限公司 | 一种电子标签电源整流电路 |
CN110533140A (zh) * | 2018-05-24 | 2019-12-03 | 拉碧斯半导体株式会社 | 标志保持电路和标志保持方法 |
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2006
- 2006-11-09 JP JP2006303517A patent/JP2008123074A/ja active Pending
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