JP2008091012A - 電子デバイス、電子デバイスの動作方法、メモリ回路、および、メモリ回路の動作方法 - Google Patents
電子デバイス、電子デバイスの動作方法、メモリ回路、および、メモリ回路の動作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008091012A JP2008091012A JP2007254010A JP2007254010A JP2008091012A JP 2008091012 A JP2008091012 A JP 2008091012A JP 2007254010 A JP2007254010 A JP 2007254010A JP 2007254010 A JP2007254010 A JP 2007254010A JP 2008091012 A JP2008091012 A JP 2008091012A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- masking
- data
- memory
- signal path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1006—Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1004—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's to protect a block of data words, e.g. CRC or checksum
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4096—Input/output [I/O] data management or control circuits, e.g. reading or writing circuits, I/O drivers or bit-line switches
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C2029/0411—Online error correction
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Databases & Information Systems (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computer Security & Cryptography (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Dram (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
【解決手段】データを送信するための信号経路、信号経路に接続された入出力インターフェース、マスキング回路、および、エラー演算回路とを備えている。マスキング回路は、信号経路および上記エラー演算回路に接続されている。エラー演算回路は、信号経路に接続されている。信号経路は、マスキング回路に接続され、マスキング情報をマスキング回路に伝送する。マスキング回路は、データをマスキングするための、受信したマスキング情報を考慮し、マスクされたデータおよびマスクされていないデータをエラー検出回路に伝送する。
【選択図】図1
Description
本発明は、電子デバイス、メモリ回路に関し、DRAMメモリ、グラフィックDRAM、および、メモリ回路の動作の方法に関する。
メモリ回路のような電子デバイス(特に、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM))は、メモリ回路の動作中にエラーを検出するためのエラー検出演算を利用する。
発明の一実施形態は、改良されたエラー検出演算を有する電子デバイスについて述べている。電子デバイスは、エラー検出演算を含み、エラー検出演算の実行に提供される少なくともデータの一部がマスクされ、データをマスキングするための情報が信号経路によって提供される。
上述した本発明の特徴点がより詳細に理解されるように、本発明のより詳しい説明は、簡単には上記に要約されたが、実施形態を参照することにより得られ、それらのうちのいくつかは、添付の図面において説明されるであろう。しかしながら、添付の図面は本発明の代表的な実施形態のみを説明し、それゆえ、その範囲を限定するものとは見なされないことは明らかであり、本発明は他の同等の効果的な実施形態を認めてもよい。
本発明は、概して、エラー演算を有する電子デバイス(例えばメモリ回路)に関する。より詳細には、本発明はダイナミックランダムアクセスメモリ、グラフィックダイナミックランダムアクセスメモリ、および/または、フラッシュメモリに関する。
Claims (24)
- 複数のメモリ要素と、
データ、コマンド、および、アドレスを伝送するための信号経路と、
複数のメモリ要素にアクセスするためのアドレスデータを受信する信号経路に接続された読み出し/書き込み回路と、
上記信号経路に接続された入出力インターフェースと、
マスキング回路と、
エラー演算回路とを備え、
上記マスキング回路は上記信号経路、および、上記エラー演算回路に接続され、上記エラー演算回路は信号経路に接続され、上記信号経路はマスキング情報を伝送するために上記マスキング回路に接続され、上記マスキング回路は、上記データをマスキングするための受信した上記マスキング情報を用いて、マスクされた上記データおよびマスクされていない上記データを上記エラー検出回路に伝送するメモリ回路。 - 読み出し/書き込み回路、および、複数のメモリ要素を有するメモリアレイであって、上記読み出し/書き込み回路が、メモリ要素にアクセスするためのアドレスデータを受信するアドレスバスに接続されているメモリアレイと、
データを伝送するためのデータバス、コマンドを伝送するためのコマンドバス、および、アドレスバスに接続された入出力インターフェースであって、上記アドレスバスが、上記メモリアレイにアドレスを伝送するように構成された入出力インターフェースと、
マスキング回路と、
エラー演算回路とを備え、
上記マスキング回路は、上記データバス、および、上記エラー演算回路とに接続され、上記エラー演算回路は、上記入出力インターフェースに接続され、上記アドレスバスは、上記マスキング回路に接続されて、上記マスキング回路にマスキング情報を伝送し、上記マスキング回路は、上記データをマスキングするための受信した上記マスキング情報を用いて、マスクされた上記データおよびマスクされていない上記データを上記エラー検出回路に伝送するメモリ回路。 - 上記コマンドバスに接続された制御コマンド回路をさらに備え、
上記制御コマンド回路は、制御線を介して、上記マスキング回路に接続され、上記制御線は、上記制御コマンド回路によって、マスキング信号を伝送するために用いられる請求項2に記載のメモリ回路。 - 上記制御コマンド回路は、第2制御線を介して、上記読み出し/書き込み回路に接続され、上記第2制御線は、上記アドレスバスによって上記入出力回路に伝送されたアドレスデータが、メモリ要素のデータの読み出し、または、書き込みに用いられないように、上記読み出し/書き込み回路を停止するために用いられる請求項3に記載のメモリ回路。
- 上記アドレスバスは、予め定められた数のデータ線を備え、上記データ線の一部のみが上記マスキング回路に接続され、上記アドレスバスの全てのデータ線がアドレスデコーダに接続されている請求項2に記載のメモリ回路。
- 上記アドレスバス、および、上記マスキング回路に接続された記憶回路をさらに備えている請求項2に記載のメモリ回路。
- a)読み出し/書き込み回路、および、複数のメモリ要素を有するメモリアレイであって、上記読み出し/書き込み回路が第1のアドレスバスに接続されて、メモリ要素にアクセスするためのアドレスデータを受信するメモリアレイと、
b)データを伝送するためのデータバス、コマンドを伝送するためのコマンドバス、および、上記メモリアレイにアドレスを伝送するためのアドレスバスに接続された入出力インターフェースと、
c)マスキング回路およびエラー演算回路とを備え、
上記マスキング回路は、上記データバス、および、上記エラー演算回路に接続され、上記エラー演算回路は、上記入出力インターフェースに接続され、上記アドレスバスは、上記マスキング回路に接続されて、上記マスキング回路に上記マスキング情報を伝送し、上記マスキング回路は、上記データをマスキングするための上記受信したマスキング情報を用いて、マスクされた上記データおよびマスクされていない上記データを上記エラー検出回路に伝送するダイナミックランダムアクセスメモリ回路。 - 上記コマンドバスに接続された制御コマンド回路をさらに備え、
上記制御コマンド回路は、制御線を介して、上記マスキング回路に接続され、上記制御線は、上記マスキング回路を作動させるために上記コマンド回路によって用いられる請求項7に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ回路。 - 上記制御コマンド回路は、第2制御線を介して、上記読み出し/書き込み回路に接続され、上記第2制御線は、上記アドレスバスによってアドレスデコーダに伝送されるアドレスデータを用いないように、上記読み出し/書き込み回路を停止するために用いられる請求項8に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ回路。
- 上記アドレスバスは、予め定められた数のデータ線を備え、上記データラインの一部のみが上記マスキング回路に接続され、上記アドレスバスの全てのデータ線が上記読み出し/書き込み回路に接続されている請求項7に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ回路。
- 上記アドレスバス、および、上記マスキング回路に接続された記憶回路をさらに備えている請求項7に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ回路。
- a)読み出し/書き込み回路、および、複数のメモリ要素を有するメモリアレイであって、上記読み出し/書き込み回路がアドレスバスに接続されて、メモリ要素にアクセスするためのアドレスデータを受信するメモリアレイと、
b)データを伝送するためのデータバス、コマンドを伝送するためのコマンドバス、および、上記メモリアレイにアドレスを伝送するためのアドレスバスに接続された入出力インターフェースと、
c)マスキング回路、および、エラー演算回路とを備え、
上記マスキング回路は、上記データバス、および、上記エラー演算回路に接続され、上記エラー演算回路は、上記入出力インターフェースに接続され、上記アドレスバスは、上記マスキング回路に接続されて、上記マスキング回路に上記マスキング情報を伝送し、上記マスキング回路は、上記データをマスキングするための受信した上記マスキング情報を用いて、マスクされた上記データおよびマスクされていない上記データを上記エラー検出回路に伝送するグラフィックダイナミックランダムアクセスメモリ回路。 - 上記コマンドバスに接続された制御コマンド回路をさらに備え、
上記制御コマンド回路は、制御線を介して、上記マスキング回路に接続され、上記制御線は、上記マスキング回路を作動させるために上記コマンド回路によって用いられる請求項12に記載のグラフィックダイナミックランダムアクセスメモリ回路。 - 上記制御コマンド回路は、第2制御線を介して、上記読み出し/書き込み回路に接続され、上記第2制御線は、上記アドレスバスによって上記アドレスデコーダに伝送されるアドレスデータを用いないように、上記読み出し/書き込み回路を停止するために用いられる請求項12に記載のグラフィックダイナミックランダムアクセスメモリ回路。
- 上記アドレスバスは、予め定められた数のデータ線を備え、上記データラインの一部のみが上記マスキング回路に接続され、上記アドレスバスの全てのデータ線が上記読み出し/書き込み回路に接続されている請求項12に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ回路。
- メモリ回路の信号経路にマスキング情報を供給する工程と、
メモリ回路の信号経路にデータを供給する工程と、
上記マスキング情報を用いるデータの少なくとも一部をマスキングする工程と、
マスクされたデータおよびマスクされていないデータを用いるエラー検出演算と実行する工程と、
エラー検出演算の結果を出力する工程とを含むメモリ回路の動作方法。 - 上記マスキング情報を上記メモリ回路の入出力回路に伝送する工程と、
上記入出力回路に停止信号を伝送し、受信した上記マスキング情報に基づいて入出力回路を停止する工程をさらに含む請求項16に記載の動作方法。 - マスキングコマンド信号が受信された場合、マスキングを作動させ、メモリアレイからのデータの読み出し、または、データの書き込みを停止する工程をさらに備えた請求項16に記載のメモリ回路の動作方法。
- マスキング情報を記憶する工程をさらに備え、
上記データをマスキングするために、記憶された上記マスキング情報が用いられる請求項16に記載のメモリ回路の動作方法。 - 上記マスキングは、制御コマンドによって制御される請求項16に記載のメモリ回路の動作方法。
- メモリ回路のアドレスバスにマスキング情報を供給する工程と、
メモリ回路のデータバスにデータを供給する工程と、
メモリ回路の入出力回路にマスキング情報を伝送する工程と、
受信した上記マスキング情報に基づいて、入出力回路を停止するために、入出力回路に停止信号を伝送する工程と、
マスキングコマンド信号が受信された場合、上記マスキングを作動し、メモリアレイからのデータの読み出し、または、データの書き込みを停止する工程と、
マスクされた上記データおよびマスクされていない上記データを用いたエラー検出演算を実行する工程と、
エラー検出演算の結果を出力する工程とを含むメモリ回路の動作方法。 - 信号経路を介してメモリ回路と接続されたメモリコントローラを有するシステムであって、
上記メモリ回路は、
複数のメモリ要素と、
上記信号経路に接続され、複数のメモリ要素にアクセスするためのアドレスデータを受信する読み出し/書き込み回路と、
マスキング回路と、
エラー演算回路とを備え、
上記マスキング回路は上記信号経路および上記エラー演算回路に接続され、上記エラー演算回路は上記信号経路に接続され、上記信号経路は上記マスキング回路に接続されてマスキング情報を上記マスキング回路に伝送し、上記マスキング回路は上記データをマスキングするための受信した上記マスキング情報を用いて、マスクされた上記データとマスクされていない上記データとを上記エラー検出回路に伝送し、上記エラー検出回路はエラー結果を生成し、上記エラー結果を上記信号経路を介して上記メモリコントローラに伝送し、上記信号経路はデータを交換し、コマンドを伝送し、上記メモリコントローラから上記メモリ回路へアドレスを伝送するために配置されているシステム。 - データを伝送するための信号経路と、
信号経路に接続された入出力インターフェースと、
マスキング回路と、
エラー演算回路とを備え、
上記マスキング回路は上記信号経路および上記エラー演算回路に接続され、上記エラー演算回路は上記信号経路に接続され、上記信号経路は上記マスキング回路に接続され、マスキング情報を伝送し、上記マスキング回路は上記データをマスキングするための受信した上記マスキング情報を利用し、マスクされた上記データおよびマスクされていない上記データを、上記エラー検出回路に伝送する電子デバイス。 - メモリ回路の信号経路にマスキング情報を供給する工程と、
上記メモリ回路の信号経路にデータを供給する工程と、
マスキング情報を用いる上記データの少なくとも一部をマスキングする工程と、
マスクされた上記データおよびマスクされていない上記データを用いるエラー検出演算を実行する工程と、
上記エラー検出演算の結果を出力する工程とを含んでいる電子デバイスの動作方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/537,401 | 2006-09-29 | ||
US11/537,401 US7844888B2 (en) | 2006-09-29 | 2006-09-29 | Electronic device, method for operating an electronic device, memory circuit and method of operating a memory circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008091012A true JP2008091012A (ja) | 2008-04-17 |
JP4783765B2 JP4783765B2 (ja) | 2011-09-28 |
Family
ID=39154850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007254010A Expired - Fee Related JP4783765B2 (ja) | 2006-09-29 | 2007-09-28 | 電子デバイス、電子デバイスの動作方法、メモリ回路、および、メモリ回路の動作方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7844888B2 (ja) |
JP (1) | JP4783765B2 (ja) |
KR (1) | KR100980694B1 (ja) |
DE (1) | DE102007045851A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8132074B2 (en) * | 2007-11-19 | 2012-03-06 | Intel Corporation | Reliability, availability, and serviceability solutions for memory technology |
US8255783B2 (en) * | 2008-04-23 | 2012-08-28 | International Business Machines Corporation | Apparatus, system and method for providing error protection for data-masking bits |
KR20120098326A (ko) * | 2011-02-28 | 2012-09-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 데이터 처리방법 |
US9823966B1 (en) | 2013-11-11 | 2017-11-21 | Rambus Inc. | Memory component with error-detect-correct code interface |
US11385963B1 (en) | 2021-02-24 | 2022-07-12 | Western Digital Technologies, Inc. | Usage of data mask in DRAM write |
KR20220140234A (ko) * | 2021-04-09 | 2022-10-18 | 삼성전자주식회사 | 멀티 레벨 신호 시스템에서 최적 전이 코드를 생성하기 위한 신호 처리 방법 및 반도체 장치 |
KR20230013395A (ko) * | 2021-07-19 | 2023-01-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 및 메모리의 동작 방법 |
CN115291816B (zh) * | 2022-10-10 | 2022-12-09 | 新云滕(云南)科技有限公司 | 一种用于基于三维可视化的配电管理系统的存储器系统 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0793225A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-07 | Toshiba Corp | メモリチェック方式 |
JP2006221334A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Tdk Corp | メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3573728A (en) * | 1969-01-09 | 1971-04-06 | Ibm | Memory with error correction for partial store operation |
US3814922A (en) * | 1972-12-01 | 1974-06-04 | Honeywell Inf Systems | Availability and diagnostic apparatus for memory modules |
JPH04107757A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-09 | Koufu Nippon Denki Kk | メモリエラーチェックシステム |
JPH0816486A (ja) | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Hitachi Ltd | 欠陥救済用lsiとメモリ装置 |
US6014720A (en) * | 1997-05-05 | 2000-01-11 | Intel Corporation | Dynamically sizing a bus transaction for dual bus size interoperability based on bus transaction signals |
US6311299B1 (en) | 1999-03-01 | 2001-10-30 | Micron Technology, Inc. | Data compression circuit and method for testing embedded memory devices |
US6718444B1 (en) * | 2001-12-20 | 2004-04-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Read-modify-write for partial writes in a memory controller |
JP2005327437A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-11-24 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置 |
US7464241B2 (en) * | 2004-11-22 | 2008-12-09 | Intel Corporation | Memory transaction burst operation and memory components supporting temporally multiplexed error correction coding |
US7392456B2 (en) * | 2004-11-23 | 2008-06-24 | Mosys, Inc. | Predictive error correction code generation facilitating high-speed byte-write in a semiconductor memory |
-
2006
- 2006-09-29 US US11/537,401 patent/US7844888B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-09-25 DE DE102007045851A patent/DE102007045851A1/de not_active Withdrawn
- 2007-09-28 JP JP2007254010A patent/JP4783765B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-09-28 KR KR1020070098171A patent/KR100980694B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0793225A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-07 | Toshiba Corp | メモリチェック方式 |
JP2006221334A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Tdk Corp | メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102007045851A8 (de) | 2008-09-11 |
US7844888B2 (en) | 2010-11-30 |
DE102007045851A1 (de) | 2008-04-10 |
JP4783765B2 (ja) | 2011-09-28 |
KR100980694B1 (ko) | 2010-09-07 |
US20080082898A1 (en) | 2008-04-03 |
KR20080030526A (ko) | 2008-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4783765B2 (ja) | 電子デバイス、電子デバイスの動作方法、メモリ回路、および、メモリ回路の動作方法 | |
US11194657B2 (en) | Semiconductor memory devices, memory systems, and methods of operating the semiconductor memory devices | |
KR101093857B1 (ko) | 공통 프레임에서 공유 에러 비트 코드와 함께 데이터 및 데이터 마스크 비트들을 전송하기 위한 시스템, 방법 및 장치 | |
US7506226B2 (en) | System and method for more efficiently using error correction codes to facilitate memory device testing | |
JP4763348B2 (ja) | 透過伝送モードでメモリモジュールをテストする方法及びこれを実行するためのメモリモジュールのハブ。 | |
US6493843B1 (en) | Chipkill for a low end server or workstation | |
KR20100117134A (ko) | 메모리 셀프-리프레시 전력을 절약하기 위한 시스템들, 방법들 및 장치들 | |
US20060069948A1 (en) | Error detecting memory module and method | |
US11934269B2 (en) | Efficient storage of error correcting code information | |
US20080168325A1 (en) | Semiconductor memory device and method for driving the same | |
JP4349532B2 (ja) | メモリ制御装置、メモリ制御方法、情報処理システム、そのプログラム及び記憶媒体 | |
US7206962B2 (en) | High reliability memory subsystem using data error correcting code symbol sliced command repowering | |
CN109582494A (zh) | 使用内部存储器设备代码的存储器控制器错误校验过程 | |
WO2014185441A1 (ja) | 半導体装置 | |
US11556440B2 (en) | Memory module, memory system including the same and operation method thereof | |
US20130086449A1 (en) | Sharing a Check Bit Memory Device Between Groups of Memory Devices | |
US20070250283A1 (en) | Maintenance and Calibration Operations for Memories | |
US7075851B2 (en) | Semiconductor memory device inputting/outputting data and parity data in burst operation | |
JP2000163990A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US20230298640A1 (en) | Systems and methods for resolving data (dq) line swapping configurations in double data rate (ddr) memories | |
EP4359905A1 (en) | Quad-channel memory module reliability | |
CN117546136A (zh) | 四通道存储器模块的可靠性 | |
US7757132B2 (en) | Memory with an output register for test data and process for testing a memory and memory module | |
JPH10105421A (ja) | Aramメモリチップを用いてsimmメモリモジュールを製作し試験する装置 | |
US20060179397A1 (en) | Interface for generating an error code |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100921 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110621 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110711 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140715 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |