JP2008084454A - ヒューズ読み出し回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】ヒューズ回路に情報を効率的に書き込む。
【解決手段】補正用データは、qビットのヒューズ回路50−1〜50−qに書き込まれ、極性反転ビットがヒューズ回路50−q+1に書き込まれる。読み出し回路54は、セレクタ52を介しヒューズ回路50−1〜50−q+1の情報を順次読み取り、保持回路58−1〜58−q+1に書き込む。保持回路58−1〜58−q+1のデータは極性反転回路60に供給され、極性反転回路60は極性反転ビットの状態に基づいて補正データを反転するか否かを制御する。従って、qビットの補正データをヒューズ回路50−1〜50−qに書き込む際に、切断しなければならないヒューズの数が多いときには、極性反転を行うことで、切断しなければならないヒューズの数を少なくすることができる。
【選択図】図5
【解決手段】補正用データは、qビットのヒューズ回路50−1〜50−qに書き込まれ、極性反転ビットがヒューズ回路50−q+1に書き込まれる。読み出し回路54は、セレクタ52を介しヒューズ回路50−1〜50−q+1の情報を順次読み取り、保持回路58−1〜58−q+1に書き込む。保持回路58−1〜58−q+1のデータは極性反転回路60に供給され、極性反転回路60は極性反転ビットの状態に基づいて補正データを反転するか否かを制御する。従って、qビットの補正データをヒューズ回路50−1〜50−qに書き込む際に、切断しなければならないヒューズの数が多いときには、極性反転を行うことで、切断しなければならないヒューズの数を少なくすることができる。
【選択図】図5
Description
本発明は、トリミングによって情報が書き換えられる複数のヒューズ回路におけるデータを読み出すヒューズ読み出し回路に関する。
従来より、ヒューズ回路が知られており、半導体集積回路(ICなど)において、内部の設定データを工場出荷前に変更する場合などに利用されている。すなわち、ICの表面にヒューズ回路を形成しておき、これをレーザや大電流などによってトリミングして、ヒューズを切断して情報を書き込む。ICでは、システム立ち上げ時などにヒューズ回路のトリミング状態を読み取り、その結果によって、設定データを変更することができる。
例えば、特許文献1には、抵抗分圧回路を構成する抵抗にヒューズを並列接続し、このヒューズをレーザによって切断することで分圧抵抗回路の抵抗値を調整することが示されている。
ここで、ヒューズ回路は、切断するか、しないかにより、「0」、「1」のデータを書き込むことができる。そこで、ヒューズ回路により、各種のデジタルデータを設定することも行われる。例えば、2つのヒューズ回路を設け、それぞれのヒューズ回路に対しその一端に電圧を印加して電流が流れるか否かでデータを読み出す読み出し回路を設けることで、2ビットのデータを読み出すことができる。
ヒューズ回路により設定するビット数が小さい場合には、このような構成で問題ないが、ビット数が大きくなると、多数のヒューズ回路についてレーザなどで情報を書き込まなければならず、その作業量が多くなってしまう。
一方、大量の設定データの記憶には、不揮発性メモリも広く利用されているが、数10ビットのデータを記憶のために、不揮発性メモリを用意するのは効率的ではない。
本発明は、複数のデータビットと、1つの極性ビットとを含む複数のヒューズ回路と、前記複数のヒューズ回路の情報を読み出す読み出し回路と、前記読み出し回路により読み出される情報のうちの前記極性ビットの値に応じて、前記複数のデータビットの情報についてそのまままたは反転して出力する極性反転回路と、を有することを特徴とする。
また、前記読み出し回路により読み出された情報を記憶する複数の保持回路をさらに有し、前記読み出し回路により順次読み出された情報を前記複数の保持回路からパラレルで出力して前記極性反転回路に供給することが好適である。
本発明によれば、極性反転ビットを有している。そこで、データビットについての設定に切断を必要とするものが半分以上の場合には、極性反転ビットを切断することで、半分以下にすることが可能であり、ヒューズ回路の大半を切断しなければならないというような事態の発生を避けることができる。
以下、本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。
「実施形態の構成」
ヒューズ回路においては、各種情報を設定することができるが、本実施形態では、液晶表示パネルのソースドライバにおけるD/Aコンバータについての補正データを設定する。
ヒューズ回路においては、各種情報を設定することができるが、本実施形態では、液晶表示パネルのソースドライバにおけるD/Aコンバータについての補正データを設定する。
ヒューズに設定された補正データは、システムの立ち上げ時に補正用レジスタに格納される。このため、D/Aコンバータは、システムの立ち上げ後には、この補正用レジスタの補正データを参照して動作する。
図5には、ヒューズを用いる補正データ設定用回路の構成が示されている。ここで、液晶表示パネルは通常複数チャネルに分割されており、各チャネルについて別々の補正データが用意される。例えば、補正データが2ビットで、液晶表示パネルが13チャネルに分割されている場合であれば、26ビットの補正データがヒューズによって設定されることになる。
図示の例では、補正データはqビットであるが、q+1個のヒューズ回路50(50−1〜50−q+1)が設けられている。ヒューズ回路50は、レーザ等でヒューズを焼き切るか否かで、0,1のデータが設定されるものである。又、ヒューズ回路50のうち、ヒューズ回路50−q+1は、極性反転用のビットである。この極性反転ビットにより、qビットのヒューズ回路50−1〜50−qの内容を反転するかどうかが決定される。
ヒューズ回路50−1〜50−q+1には、セレクタ回路52を介し読み出し回路54が接続されている。読み出し回路54は、セレクタ回路52で選択されたヒューズ回路50のデータを読み出すため、ヒューズ回路50の読み出しは時分割読み出しとなる。
読み出し回路54には、セレクタ回路56を介し、q+1個の保持回路58−1〜58−q+1が接続されている。従って、読み出し回路54で読み出されたヒューズ回路50−1〜50−q+1からの読み出しデータが対応する保持回路58−1〜58−q+1にそれぞれ格納される。
保持回路58の出力は、極性反転回路60に入力される。この極性反転回路60は、極性反転ビットの内容に応じて、qビットのヒューズ回路50−1〜50−qからの読み出しデータをそのまままたは反転して出力する。この極性反転回路60は、例えばq個の排他的論理和回路(EX−OR)を設け、各排他的論理和回路にqビットの保持回路58−1〜58−qからの出力の1つと極性反転ビットを入力することで構成される。これによって、極性反転ビットの状態に応じて、qビットのヒューズ回路50−1〜50−qの読み出しデータが反転されて出力されるか、そのまま出力されるかが決定される。
そして、極性反転回路60の出力がqビットの補正データとして、出力される。
図6には、読み出し回路54における読み出しタイミングを示してある。セレクタ52,56を順次切り替え、ヒューズ回路50から時分割で読み出したq+1ビットのデータが保持回路58に格納される。
次に、補正データについて説明する。例えば、ヒューズの未切断状態が「1」、切断状態が「0」であって、補正データのビット数が20ビットと仮定する。次の3つのケースを例示して説明する。
(ケース1)
補正データ:11111111110011110011
1の数=16,0の数=4,極性反転ビット切断=なし。これによって、切断するビット数は、4個となる。
(ケース2)
補正データ:00010110000011101000
1の数=7,0の数=13,極性反転ビット切断=あり。これによって、切断するビット数は、8個となる。なお、極性反転ビットがない場合には、切断するビット数は13である。
(ケース3)
補正データ:00000000000000000000
1の数=0,0の数=20,極性反転ビット切断=あり。これによって、切断するビット数は、1個となる。なお、極性反転ビットがない場合には、切断するビット数は20である。
(ケース1)
補正データ:11111111110011110011
1の数=16,0の数=4,極性反転ビット切断=なし。これによって、切断するビット数は、4個となる。
(ケース2)
補正データ:00010110000011101000
1の数=7,0の数=13,極性反転ビット切断=あり。これによって、切断するビット数は、8個となる。なお、極性反転ビットがない場合には、切断するビット数は13である。
(ケース3)
補正データ:00000000000000000000
1の数=0,0の数=20,極性反転ビット切断=あり。これによって、切断するビット数は、1個となる。なお、極性反転ビットがない場合には、切断するビット数は20である。
このように、本実施形態によれば、qビットの補正データの設定に対し、q+1個のヒューズ回路を用意するが、補正データの内容によりヒューズ切断作業を大幅に減少することができ、効果的な作業が可能となる。
「D/Aコンバータの構成」
図1は、上述した補正データを利用するD/Aコンバータの概略構成を示す図である。このD/Aコンバータは、10ビットのデジタル信号をアナログ信号に変換するもので、複数(n)チャネルの入出力を有している。
図1は、上述した補正データを利用するD/Aコンバータの概略構成を示す図である。このD/Aコンバータは、10ビットのデジタル信号をアナログ信号に変換するもので、複数(n)チャネルの入出力を有している。
まず、10ビットの入力デジタル信号は、上位8ビットと、下位2ビットに分割されて入力されてくる。
抵抗ストリング10は、256個の抵抗の直列接続からなり、一端は電源に接続され、他端はグランドに接続されている。従って、抵抗ストリング10の各抵抗の端部である0〜256の257個の電圧取り出し点から256種類のVHとVLの電圧の組み合わせが得られる。この抵抗ストリング10の257個の電圧取り出し点には、n個のセレクタ12(12−1〜12−n)が接続されている。
そして、各セレクタ12には、入力デジタル信号の上位8ビットが入力され、この入力信号によりどの2つの電圧取り出し点からの電圧を出力するかが決定される。各セレクタ12は、入力デジタル信号によって決定される1つの抵抗の両端電圧を選択して出力する。すなわち、入力デジタル信号の上位8ビットで決定される電圧取り出し点及びその1つ上の電圧取り出し点から得られる電圧が選択された両端電圧である。なお、後述するように、所定の複数の抵抗の直列接続の両端電圧を出力するようにしてもよい。
各セレクタ12の一対の出力VH、VLは、それぞれバッファアンプ14H、14Lにおいて、安定化されて2ビットD/Aコンバータ16(16−1〜16−n)に供給される。この2ビットD/Aコンバータ16には、入力デジタル信号の下位2ビットが入力されており、入力されてくるVH、VLから4つの電圧を生成し、その内の1つを下位2ビットの入力信号に応じて、選択して出力する。このために、D/Aコンバータ16は4本の抵抗を有し、VHまたはVLのいずれかを含む4種類の電圧の内の1つを選択する。本実施形態では、VLを選択したが、VHを選択してもよい。
図2には、セレクタ12および2ビットD/Aコンバータ16の構成も示してある。抵抗ストリング10の各抵抗の両端の電圧取り出し点には、H用およびL用の2つのスイッチ20H,20Lがそれぞれ接続されている。また、抵抗ストリング10の最上位の抵抗の上側にはH用のスイッチ20Hのみ、最下位の下側には、L用のスイッチ20Lのみが接続されている。そして、入力されてくる上位8ビットデータによって、1つのL用スイッチ20Lとその上のH用スイッチ20Hが選択されることで、上位8ビットデータについて、その上位ビットで特定される範囲を示す出力であるVL、VHが出力される。
また、2ビットD/Aコンバータ16は、4つの抵抗の直列接続からなる抵抗ストリング22とセレクタ24からなっており、VLおよび4つの抵抗同士の接続点がそれぞれセレクタ24のスイッチ26に接続され、4つのスイッチ26を介し出力端に接続されている。そして、スイッチ26のオンオフは、下位2ビットによって制御される。すなわち、下位2ビットデータの0〜3によって、スイッチ26の中の1つが選択されオンされ、下位2ビットに対応した電圧が出力される。
上述のように、2ビットD/Aコンバータ16には、上位8ビットに対応した電圧VH、VLが供給されており、その電圧VH、VL間の下位2ビットによって特定される電圧が出力される。従って、全体として10ビットのデータに応じたアナログ電圧が出力されることになり、10ビットのD/A変換が行われる。
このように、本構成では、8ビットの抵抗ストリング10と、2ビットの抵抗ストリング22を利用することで10ビットのD/A変換を行うことができ、256+4=260本の抵抗により、10ビットのデジタルデータについてのD/A変換が可能になる。このように、抵抗ストリングに用いる抵抗数を少なくすることで、D/Aコンバータの幅を小さくすることができる。
「他のD/Aコンバータの構成」
図3には、他のD/Aコンバータの構成例が示されている。この例では、抵抗ストリング10のセレクタ12において、それぞれ8つだけ離れたものを選択する。すなわち、上位8ビットで決定される電圧取り出し点から8つ上の取り出し点のスイッチ及び8つ下の取り出し点のスイッチを選択して、選択された電圧をそれぞれVH、VLとする。
図3には、他のD/Aコンバータの構成例が示されている。この例では、抵抗ストリング10のセレクタ12において、それぞれ8つだけ離れたものを選択する。すなわち、上位8ビットで決定される電圧取り出し点から8つ上の取り出し点のスイッチ及び8つ下の取り出し点のスイッチを選択して、選択された電圧をそれぞれVH、VLとする。
そして、2ビットD/Aコンバータ16は、64本の抵抗からなる抵抗ストリング22を有している。この抵抗ストリング22には、下32本の抵抗の下側接続点にはNMOSのスイッチ26Nが接続されており、上28本の抵抗の下側接続点にはPMOSのスイッチ26Pが接続されている。そして中間4本の抵抗の下側接続点にはCMOSのスイッチ26Cが接続されている。
ここで、10ビットの入力デジタルデータが、0〜31の範囲の場合には、抵抗ストリング10においてL用スイッチ20Lとして、該当するものより8つ下のスイッチ20Lを選択することができない。そこで、そのようなデータの場合、10ビットの入力デジタルデータが32の場合と同様のL用スイッチ20L、H用スイッチ20Hを選択するとともにそのデータに対応して下の32個のNMOSのスイッチ26Nのいずれか1つが選択される。また、10ビットの入力デジタルデータが992〜1023に対しては、10ビットの入力デジタルデータが991の場合と同様の20L、20Hを選択するとともにそのデータに対応して4個のCMOSのスイッチ26C及び上の28個のPMOSのスイッチ26Pのいずれか1つが選択される。
一方、10ビットの入力デジタルデータが32〜991の場合には、通常通り、4つのCMOSのスイッチ26Cのいずれか1つが選択される。すなわち、通常の場合には、入力データの下位2ビットによって、CMOSのスイッチ26Cのいずれか1つが選択されて、下位2ビットについてのD/A変換が行われ、出力に10ビットデジタルデータについてのD/A変換出力が得られる。
このように、抵抗ストリング10の出力として、隣接するスイッチ20H、20Lではなく、その範囲を広げることにより、出力VH、VLにおける誤差を比較的小さくして、精度のよいD/A変換が行える。また、抵抗ストリング22においては、通常は、中央の4つの抵抗が利用され、ここにCMOSのスイッチ26Cを採用することで精度のよい電圧取り出しが行える。
また、上側の28個および下側の32個の出力は、中央の4つの出力よりD/A変換の精度が悪くなる。そこで、本構成例では、上側および下側の出力を10ビットD/A変換における通常の動作保証範囲外に割り当ててある。もちろん、上側の28個及び下側の32個の出力もCMOSスイッチとすることもできる。
なお、上側に28個、下側に32個の抵抗を追加するように構成したが、16,8,4個などを採用してもよい。
「補正データを利用する構成」
図4には、実施形態の補正データを利用するD/Aコンバータの構成が示されている。この例では、4つの補正用レジスタ30が設けられている。この補正用レジスタ30に上述したヒューズによって設定された補正データがロードされる。
図4には、実施形態の補正データを利用するD/Aコンバータの構成が示されている。この例では、4つの補正用レジスタ30が設けられている。この補正用レジスタ30に上述したヒューズによって設定された補正データがロードされる。
抵抗ストリング22は、入力データの下位2ビットにより選択されるスイッチ26Cを16個有している。すなわち、上述の図3の例において、10ビットのデジタルデータが32〜995の場合では、入力データの下位2ビットによって選択されるのは4つの抵抗に接続される4つのCMOSのスイッチ26Cの1つであったが、この実施例ではPMOSのスイッチ26P及びNMOSのスイッチ26Nのうち、中央部分にある一部をCMOSのスイッチ26Cとしている。
例えば、抵抗ストリング22には下24本の抵抗の下側接続点にはNMOSのスイッチ26Nが接続されており、上24本の抵抗の下側接続点にはPMOSのスイッチ26Pが接続される。そして中間16本の抵抗の下側接続点にはCMOSのスイッチ26Cが接続されている。
この実施例では、入力データの下位2ビットによって16個のCMOSスイッチ26Cの内の4つずつのいずれかが選択される。すなわち、入力データの下位ビットが“00”の場合は、V01、V02、V03、V04が取り出し電圧として、選択され、入力データの下位ビットが“01”の場合は、V11、V12、V13、V14が取り出し電圧として、選択され、入力データの下位ビットが“10”の場合は、V21、V22、V23、V24が取り出し電圧として、選択され、入力データの下位ビットが“11”の場合は、V31、V32、V33、V34が取り出し電圧として、選択される。また、補正用レジスタ30によって、補正用スイッチ32−1、32−2、32−3、32−4のいずれかが選択される。これにより入力データの下位2ビットで選択された4つの取り出し電圧のうちの1つが補正用スイッチで選択されて出力されることになる。具体的に説明すると、入力データの下位2ビットが“00”で補正用スイッチ32−1が選択された場合、V01が出力される。
このように、本構成例では、入力データの下位2ビットによって、直列接続されている16個の抵抗の4つおきに接続される4つのスイッチ26Cが選択され、この4つのスイッチ26Cの出力の内の1つが補正データによって制御される補正用スイッチ32によって選択される。従って、2ビットの補正用データによって、入力データのLSBに対する出力を下位2ビット分ずつずらすことができる。
なお、本実施形態では、下位2ビットデータを4ビット分ずつずらすことで出力されるデータを補正したが、上位8ビットデータを1ビット分ずらすことで、同程度の補正を行うことができる。この場合、2ビットD/Aコンバータ16を構成する64本の抵抗のうち中央の4本の抵抗にのみCMOSスイッチ26を接続すればよい。
10,22 抵抗ストリング、12,24 セレクタ、14 バッファアンプ、16 D/Aコンバータ、20,26 スイッチ、30 補正用レジスタ、32 補正用スイッチ、50 ヒューズ回路、52,56 セレクタ回路、54 読み出し回路、58 保持回路、60 極性反転回路。
Claims (2)
- 複数のデータビットと、1つの極性ビットとを含む複数のヒューズ回路と、
前記複数のヒューズ回路の情報を読み出す読み出し回路と、
前記読み出し回路により読み出される情報のうちの前記極性ビットの値に応じて、前記複数のデータビットの情報についてそのまままたは反転して出力する極性反転回路と、
を有することを特徴とするヒューズ読み出し回路。 - 請求項1に記載のヒューズ読み出し回路において、
前記読み出し回路により読み出された情報を記憶する複数の保持回路をさらに有し、
前記読み出し回路により順次読み出された情報を前記複数の保持回路からパラレルで出力して前記極性反転回路に供給することを特徴とするヒューズ読み出し回路。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|---|
WO2016153965A1 (en) * | 2015-03-20 | 2016-09-29 | Microchip Technology Incorporated | One time programmable memory |
US9576676B2 (en) | 2014-01-08 | 2017-02-21 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor device and method of writing data |
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2006
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