JP2008071955A - Light-emitting device - Google Patents

Light-emitting device Download PDF

Info

Publication number
JP2008071955A
JP2008071955A JP2006249602A JP2006249602A JP2008071955A JP 2008071955 A JP2008071955 A JP 2008071955A JP 2006249602 A JP2006249602 A JP 2006249602A JP 2006249602 A JP2006249602 A JP 2006249602A JP 2008071955 A JP2008071955 A JP 2008071955A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
emitting element
insulating substrate
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006249602A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuichiro Tanda
祐一郎 反田
Shinji Nishijima
慎二 西島
Hiroto Tamaoki
寛人 玉置
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to JP2006249602A priority Critical patent/JP2008071955A/en
Publication of JP2008071955A publication Critical patent/JP2008071955A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting device in which a negative impact of heat generated by light emission is eliminated and light extraction efficiency is improved. <P>SOLUTION: A light-emitting device comprises an insulating substrate 21, positive and negative electrodes 22, 23 that pass through the insulating substrate in the thickness direction thereof, and a light emitting element 24 that is bonded on the one electrode 22 with the surface thereof facing upward by die bonding and electrically connected to the other electrode by the bonding 26, 27, wherein the light-emitting element 24 is sealed by a transparent sealing member 28 so that the light-emitting element 24 emits light via a fluorescent substance 31. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

この発明は、液晶のバックライト光源や、各種表示装置（ディスプレイ）、センサ光源などに利用される発光装置の改良に関するものである。   The present invention relates to an improvement in a light-emitting device used for a liquid crystal backlight source, various display devices (displays), sensor light sources, and the like.

各種光源として使用される発光装置には、発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」という）や半導体レーザなどの発光素子が利用されている。
この発光素子を駆動するために所定の基板やパッケージ内に実装する場合、フェイスダウン実装、すなわち、素子面を下にしてその電極部に接するようにバンプなどを配置して、前記基板などに実装したフェイスダウン実装が行われている。フェイスダウン実装は、ワイヤボンディングを行う必要がなく、狭隘なスペースに、機械的な接合と電気的な接合を兼用して行うことができる利点を有している。
例えば、特許文献１では、発光素子を反射性のカップ（パッケージに形成したカップ）内にフェイスダウン実装した例が記載されている。 Light emitting devices used as various light sources use light emitting elements such as light emitting diodes (hereinafter referred to as “LEDs”) and semiconductor lasers.
When mounted on a predetermined substrate or package to drive this light emitting device, mount it on the substrate or the like with face-down mounting, that is, by placing bumps etc. in contact with the electrode part with the device surface facing down A face-down implementation has been made. The face-down mounting does not require wire bonding, and has an advantage that it can be performed in a narrow space using both mechanical bonding and electrical bonding.
For example, Patent Document 1 describes an example in which a light-emitting element is face-down mounted in a reflective cup (cup formed in a package).

また、このようなＬＥＤは、通電により発光する際に熱を生じる。特に高精細な表示装置などを得ようとする場合に、これら発光素子を搭載した発光装置を基板等に高密度に実装すると、発光素子が生成する熱により装置自体の特性が悪化したり、周囲の部材や部品に熱的悪影響を与えることになる。   Further, such an LED generates heat when it emits light when energized. In particular, when trying to obtain a high-definition display device, etc., if a light-emitting device equipped with these light-emitting elements is mounted on a substrate or the like at high density, the characteristics of the device itself deteriorate due to heat generated by the light-emitting elements, Adversely affect the members and parts.

そこで、図４に示すような発光装置１も考えられる。
図４において、発光装置１は、セラミックス製の絶縁基板２と、互いに間隔を設けて、絶縁基板２の表裏を貫通して設けた正負の電極３，４とを有している。
各電極３，４は、絶縁基板２の表面側に電極パッド３ａ，４ａを備え、下面には実装端子３ｂ，４ｂを有している。
電極パッド３ａ，４ａには、それぞれ金属バンプ６，６を介して、発光素子５が、その電極部を下面に向けるようにして、フェイスダウン実装（フリップチップボンディング）されている。
さらに、発光素子５はモールド樹脂７により被覆されている。 Therefore, a light emitting device 1 as shown in FIG. 4 is also conceivable.
In FIG. 4, the light emitting device 1 includes an insulating substrate 2 made of ceramics, and positive and negative electrodes 3 and 4 that are provided so as to penetrate the front and back of the insulating substrate 2 at intervals.
Each electrode 3, 4 has electrode pads 3 a, 4 a on the surface side of the insulating substrate 2, and has mounting terminals 3 b, 4 b on the lower surface.
The light emitting element 5 is face-down mounted (flip chip bonding) on the electrode pads 3a and 4a through the metal bumps 6 and 6, respectively, with the electrode portions facing the lower surface.
Further, the light emitting element 5 is covered with a mold resin 7.

このような発光装置１にあっては、比較的大きく形成した電極３，４が絶縁基板を貫通して設けられているので、発光素子５が発光することにより生成される熱は、金属バンプ６，６を介して、大きな電極３，４に伝達され、絶縁基板２に放熱される。
これにより、発光にともなう熱による発光素子５の動作不良などの悪影響を防止することができるものである。 In such a light emitting device 1, since the relatively large electrodes 3, 4 are provided through the insulating substrate, the heat generated when the light emitting element 5 emits light generates metal bumps 6. , 6 are transmitted to the large electrodes 3, 4 and radiated to the insulating substrate 2.
As a result, adverse effects such as malfunction of the light emitting element 5 due to heat accompanying light emission can be prevented.

特開２００３−６９０８６JP 2003-69086 A

ところで、図４の発光装置１においては、発光素子５の素子面上に設けられた電極配置に対応するように、正負の電極３，４が互いにＷ１の間隔を開けて設けられているので、該発光素子５の発光による光Ｌ１の一部が、正負の電極３，４の間隔Ｗ１を抜けて、下方に向かう。
ここで、絶縁基板２を構成するセラミックスは多孔質材料であるから、発光素子５の発光による光が、正負の電極３，４の間隔Ｗ１から下方に逃げるために、光の取り出し効率が悪化する。 By the way, in the light emitting device 1 of FIG. 4, the positive and negative electrodes 3, 4 are provided at intervals of W <b> 1 so as to correspond to the electrode arrangement provided on the element surface of the light emitting element 5. A part of the light L1 generated by the light emission of the light emitting element 5 passes through the interval W1 between the positive and negative electrodes 3 and 4 and travels downward.
Here, since the ceramic constituting the insulating substrate 2 is a porous material, light emitted from the light emitting element 5 escapes downward from the interval W1 between the positive and negative electrodes 3 and 4, so that the light extraction efficiency deteriorates. .

本発明は、上記問題を解決するためになされたもので、発光にともなう熱による悪影響を排除し、しかも光の取り出し効率を良好にした発光装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a light-emitting device that eliminates the adverse effects of heat associated with light emission and that has good light extraction efficiency.

上記の目的は、第１の発明にあっては、平面に正負の各電極を有する絶縁基板と、該絶縁基板の厚み方向に形成された各貫通孔と、前記正負の各電極から前記各貫通孔内に形成された電極延長部と、該電極の一方の電極の平面内に接合された発光素子とを有し、前記一方の電極から延長された前記電極延長部の水平断面積が、前記発光素子の底面積よりも大きく、かつ前記発光素子が、蛍光体を介して光を射出させるように透明な封止部材で封止されている発光装置により、達成される。   In the first invention, the above object is to provide an insulating substrate having positive and negative electrodes in a plane, each through hole formed in the thickness direction of the insulating substrate, and each through hole from each positive and negative electrode. An electrode extension formed in the hole, and a light emitting element bonded in the plane of one of the electrodes, and a horizontal cross-sectional area of the electrode extension extended from the one electrode is This is achieved by a light emitting device that is larger than the bottom area of the light emitting element and in which the light emitting element is sealed with a transparent sealing member so as to emit light through a phosphor.

第２の発明は、第１の発明の構成において、前記電極延長部の水平断面の縦寸法をＴ１、横寸法をＮ１とし、前記発光素子の縦寸法Ｔ２、横寸法をＮ２とした場合に、Ｔ２＞Ｔ１および／またはＮ２＞Ｎ１とされていることを特徴とする。   According to a second invention, in the configuration of the first invention, when the vertical dimension of the horizontal section of the electrode extension is T1, the horizontal dimension is N1, and the vertical dimension T2 and the horizontal dimension of the light emitting element is N2, T2> T1 and / or N2> N1.

第３の発明は、第１または２のいずれかの発明の構成において、前記絶縁基板が、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）により形成されていることを特徴とする。 A third invention is characterized in that, in the configuration of either the first or second invention, the insulating substrate is formed of silicon nitride (Si 3 N 4 ).

本発明によれば、発光にともなう熱による悪影響を排除し、しかも光の取り出し効率を良好にした発光装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a light-emitting device that eliminates the adverse effects of heat associated with light emission and that has good light extraction efficiency.

以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
Note that the embodiments described below are preferred specific examples of the present invention, and thus various technically preferable limitations are given. However, the scope of the present invention is particularly limited in the following description. Unless otherwise stated, the present invention is not limited to these forms.

図１は実施形態に係る発光装置の概略斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線切断概略端面図、図３は図１の概略上面図である。
これらの図において、発光装置２０は、絶縁基板２１と、該絶縁基板２１を厚み方向に貫通して設けたもので、正負に分極された第１の電極２２と、第２の電極２３を有している。
図１に示されているように、少なくとも第１の電極２２は、絶縁基板２１の表面（上面）３２において、広い面積の電極パッド２２ａを有している。この実施形態では、第２の電極２３の絶縁基板２１の表面に露出した電極パッド２３ａは第１の電極２２の電極パッド２２ａよりも小さい。 1 is a schematic perspective view of the light emitting device according to the embodiment, FIG. 2 is a schematic end view taken along line AA of FIG. 1, and FIG. 3 is a schematic top view of FIG.
In these drawings, the light emitting device 20 is provided with an insulating substrate 21, penetrating the insulating substrate 21 in the thickness direction, and has a first electrode 22 and a second electrode 23 that are positively and negatively polarized. is doing.
As shown in FIG. 1, at least the first electrode 22 has an electrode pad 22 a having a large area on the surface (upper surface) 32 of the insulating substrate 21. In this embodiment, the electrode pad 23 a exposed on the surface of the insulating substrate 21 of the second electrode 23 is smaller than the electrode pad 22 a of the first electrode 22.

電極パッド２２ａの上には、発光素子２４がダイボンディングにより接合されている。特に、発光素子２４は、その素子面を上に向けて、例えば、樹脂系の接着部材を用いて、ダイボンディングにより接合されるとともに、該発光素子２４の上方に露出した電極部は、ボンディングワイヤ２６，２７により、それぞれ電極パッド２２ａと電極パッド２３ａに対して、電気的に接続されている。また、第１の電極２２と第２の電極２３は絶縁基板２１の下面に露出されて、それぞれ実装端子２２ｂ，２３ｂとされている。そして、発光素子２４は、後述する手法により、蛍光体３１により被覆されている。   A light emitting element 24 is bonded on the electrode pad 22a by die bonding. In particular, the light emitting element 24 is bonded by die bonding with the element surface facing upward, for example, using a resin-based adhesive member, and the electrode portion exposed above the light emitting element 24 is bonded to a bonding wire. 26 and 27 are electrically connected to the electrode pad 22a and the electrode pad 23a, respectively. In addition, the first electrode 22 and the second electrode 23 are exposed on the lower surface of the insulating substrate 21 and serve as mounting terminals 22b and 23b, respectively. And the light emitting element 24 is coat | covered with the fluorescent substance 31 by the method mentioned later.

発光素子２４が接合された電極パッド２２ａは絶縁基板２１を貫通する延長部２２ｄを有し、この延長部２２ｄが絶縁基板２１の裏面で上記実装端子２２ｂと一体に接続されている。
延長部２２ｄの水平断面積、すなわち図３で点線で示す面積は、発光素子２４の底部の面積より大きい。 The electrode pad 22 a to which the light emitting element 24 is bonded has an extension 22 d that penetrates the insulating substrate 21, and the extension 22 d is integrally connected to the mounting terminal 22 b on the back surface of the insulating substrate 21.
The horizontal sectional area of the extension 22 d, that is, the area indicated by the dotted line in FIG. 3 is larger than the area of the bottom of the light emitting element 24.

また、好ましくは、第１の電極２２の延長部２２ｄの外形は、発光素子２４の外形よりも大きくされている。
具体的には、図３に示すように、第１の電極２２の延長部２２ｄの水平断面の縦寸法をＴ１、横寸法をＮ１とし、前記発光素子の縦寸法Ｔ２、横寸法をＮ２とした場合に、Ｔ２＞Ｔ１および／またはＮ２＞Ｎ１とされている。 Preferably, the outer shape of the extension 22 d of the first electrode 22 is larger than the outer shape of the light emitting element 24.
Specifically, as shown in FIG. 3, the vertical dimension of the horizontal section of the extension 22d of the first electrode 22 is T1, the horizontal dimension is N1, and the vertical dimension T2 and the horizontal dimension of the light emitting element are N2. In some cases, T2> T1 and / or N2> N1.

このような構成によれば、発光素子２４が、広い面積でなる電極パッド２２ａに接合されている。電極パッド２２ａは、通常、光反射性の金属膜、すなわち反射金属膜で形成されているから、該発光素子２４の下面から出る光は、この電極パッド２２ａで上方に向かって反射される。このため下方側、すなわち、絶縁基板２１側に光が透過して進行することがなく、光取り出し効率が向上する。
しかも発光素子２４が、該発光素子２４からの青色系の光を一部吸収して補色となる黄色系の光を発するＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体などの蛍光物質を含有する塗料などにより覆われていることにより、白色系の光で発光することができ、透明な封止部材２８を介して、明るい白色の照明光を射出させることができる。 According to such a configuration, the light emitting element 24 is bonded to the electrode pad 22a having a large area. Since the electrode pad 22a is usually formed of a light-reflective metal film, that is, a reflective metal film, light emitted from the lower surface of the light emitting element 24 is reflected upward by the electrode pad 22a. For this reason, light is not transmitted through the lower side, that is, the insulating substrate 21 side, and the light extraction efficiency is improved.
In addition, the light emitting element 24 is covered with a paint containing a fluorescent material such as a YAG: Ce phosphor that absorbs part of the blue light from the light emitting element 24 and emits a complementary yellow color light. Accordingly, white light can be emitted, and bright white illumination light can be emitted through the transparent sealing member 28.

しかも、発光素子２４は、第１の電極２２の広い面積で形成した電極パッド２２ａに接合されているので、該発光素子２４が発光して生成された熱は、電極パッド２２ａに効率よく伝達される。そして、第１の電極２２は、絶縁基板２１を貫通して延長部２２ｄとなり、裏面に露出されているので、その熱は絶縁基板２１に伝達・放熱されることになる。
特に、第１の電極２２の延長部２２ｄの水平断面積を発光素子２４の底面積よりも大きくすることにより、きわめて多量の熱を迅速に伝達できるとともに、実装端子２２ｂを介して、図示しない二次基板側に、あるいは絶縁基板２１に対して、効率よく放熱することができる。
以上により、発光素子である発光素子２４およびその周辺部材へ熱がこもり熱的悪影響が及ぶことを防止することができる。 Moreover, since the light emitting element 24 is bonded to the electrode pad 22a formed with a large area of the first electrode 22, the heat generated by the light emitting element 24 emitting light is efficiently transmitted to the electrode pad 22a. The And since the 1st electrode 22 penetrates the insulating substrate 21 and becomes the extended part 22d and is exposed to the back surface, the heat is transmitted to the insulating substrate 21 and radiated.
In particular, by making the horizontal cross-sectional area of the extended portion 22d of the first electrode 22 larger than the bottom area of the light emitting element 24, an extremely large amount of heat can be quickly transmitted, and not shown in the drawing via the mounting terminal 22b. Heat can be efficiently radiated to the next substrate side or to the insulating substrate 21.
As described above, it is possible to prevent heat from being accumulated in the light-emitting element 24 that is a light-emitting element and its peripheral members and adversely affecting the heat.

次に、本実施形態の好ましい構成について、より詳細に説明する。
絶縁材料でなる絶縁基板２１は、通常基板として広く用いられているガラスエポキシ基板の他、セラミックスもしくは合成樹脂、有機物に無機物が含有されたハイブリッド材料、もしくはセラミックスで形成することができる。
この本実施形態では、セラミックスが選択されている。 Next, a preferable configuration of the present embodiment will be described in more detail.
The insulating substrate 21 made of an insulating material can be formed of a ceramic or synthetic resin, a hybrid material in which an organic substance contains an inorganic substance, or ceramics, in addition to a glass epoxy substrate that is widely used as a normal substrate.
In this embodiment, ceramics is selected.

絶縁基板２１を、例えば、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）で形成する場合には、熱伝達率が７０乃至８０（Ｗ／ｍ２ｈ℃）と、比較的高く、放熱性に優れるとともに、可撓性があることで、成形性、加工性に優れている点を利用して製造が容易となる。
また、絶縁基板２１を、窒化アルミニウム（ＡｌN）により形成すると、その２００（Ｗ／ｍ２ｈ℃）を超える良好な熱伝導率により、特に放熱機能に優れた発光装置を得ることができる。 When the insulating substrate 21 is formed of, for example, silicon nitride (Si 3 N 4 ), the heat transfer coefficient is relatively high at 70 to 80 (W / m 2 h ° C.), excellent in heat dissipation, and flexible. Therefore, the production is facilitated by utilizing the excellent formability and workability.
In addition, when the insulating substrate 21 is formed of aluminum nitride (AlN), a light emitting device having an especially excellent heat dissipation function can be obtained due to the good thermal conductivity exceeding 200 (W / m 2 h ° C.).

さらに、絶縁基板２１を、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）により形成すると、３００（Ｗ／ｍ２ｈ℃）の良好な熱伝導率により、特に放熱機能に優れた発光装置を得ることができるという利点がある。
また、絶縁基板２１を、金属浸透複合材料（Ａｌ／Ｃ、Ａｌ／ＳｉＣ、Ｃｕ／Ｍｏなど）により形成すると、１５０−３５０（Ｗ／ｍ２ｈ℃）の高い熱伝達率を有するだけでなく、成形性・加工性にも優れているという利点がある。 Furthermore, when the insulating substrate 21 is formed of silicon carbide (SiC), there is an advantage that a light emitting device having a particularly excellent heat dissipation function can be obtained due to good thermal conductivity of 300 (W / m 2 h ° C.).
In addition, when the insulating substrate 21 is formed of a metal-penetrating composite material (Al / C, Al / SiC, Cu / Mo, etc.), it not only has a high heat transfer coefficient of 150-350 (W / m2h ° C.), but also molded. There is an advantage that it is excellent in workability and workability.

ここで、絶縁基板２１は、上記各材料や、あるいは、酸化アルミニウム（アルミナ）（Ａｌ２Ｏ３）によるセラミックスグリーンシートなどで形成することができ、その焼結前に電極などが貫通するための貫通孔を形成し、該貫通孔内にタングステンメタライズを形成するための導電ペーストを印刷などにより充填することができる。また、同時に導電ペーストは、電極パッド２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂを形成すべき箇所にも塗布しておく。そして、上記焼結後に金メッキなどを施すことにより、各電極パッドと、実装端子とを形成することができるとともに、この電極パッドと実装端子とを絶縁基板２１を貫通して導通させることができる。 Here, the insulating substrate 21 can be formed of each of the above materials, or a ceramic green sheet made of aluminum oxide (alumina) (Al 2 O 3 ), for the electrodes and the like to penetrate before the sintering. A through hole can be formed, and a conductive paste for forming tungsten metallization can be filled in the through hole by printing or the like. At the same time, the conductive paste is applied to the portions where the electrode pads 22a, 22b, 23a, and 23b are to be formed. Then, by applying gold plating after the sintering, each electrode pad and the mounting terminal can be formed, and the electrode pad and the mounting terminal can be conducted through the insulating substrate 21.

なお、導電ペーストは、タングステンやモリブデンなど高融点金属を樹脂バインダーに含有させたペースト状の材料であり、例えばスクリーン印刷などの手法により焼結前のグリーンシート成形物に塗布し、セラミックス材料の焼結とともに、メタライズ部を形成することができるものである。   The conductive paste is a paste-like material in which a high-melting-point metal such as tungsten or molybdenum is contained in a resin binder. A metallized part can be formed together with the conclusion.

さらに、絶縁基板２１は、耐熱樹脂により形成することができる。
耐熱樹脂にはガラスクロスを混入することが好ましい。すなわち、例えば、ガラスクロスを基材としたシリコーン樹脂や、ガラス繊維のフィラーを混入したエポキシ樹脂などを用いることができる。
このような材料を用いることで、安価で加工し易い絶縁基板を作製可能であるという利点がある。 Furthermore, the insulating substrate 21 can be formed of a heat resistant resin.
It is preferable to mix glass cloth into the heat resistant resin. That is, for example, a silicone resin based on glass cloth, an epoxy resin mixed with glass fiber filler, or the like can be used.
By using such a material, there is an advantage that an insulating substrate that is inexpensive and easy to process can be manufactured.

さらに、図１ないし図３を参照して理解されるように、第１の電極２２の電極パッド２２ａは広い面積とするだけでなく、発光装置２０のほぼ中央部に形成している。これにより、電極パッド２２ａに接合される発光素子２４も発光装置２０のほぼ中心に位置させることができるので、発光装置２０はいずれかの方向に偏ることなくバランス良く照明光を照射することができるものである。
また、第１の電極２２の電極パッド２２ａは、その周囲に沿ってほぼＬ字状に回り込むように形成された引き回し部２２ｃを有しており、該引き回し部２２ｃであるパッドに保護素子が実装されている。これは発光素子２４に大きな電流が流れて破壊されることを防止するための例えば、ツェナーダイオード２５である。このツェナーダイオード２５は、発光素子２４への通電回路へ並列に介装されている。 Furthermore, as can be understood with reference to FIGS. 1 to 3, the electrode pad 22 a of the first electrode 22 is formed not only in a wide area but also in a substantially central portion of the light emitting device 20. As a result, the light emitting element 24 bonded to the electrode pad 22a can also be positioned substantially at the center of the light emitting device 20, so that the light emitting device 20 can irradiate illumination light with good balance without being biased in any direction. Is.
Further, the electrode pad 22a of the first electrode 22 has a routing portion 22c formed so as to wrap around in a substantially L shape along the periphery thereof, and a protective element is mounted on the pad which is the routing portion 22c. Has been. This is, for example, a Zener diode 25 for preventing a large current from flowing through the light emitting element 24 and destroying it. The Zener diode 25 is interposed in parallel with the energization circuit for the light emitting element 24.

ここで、発光装置２０で使用する発光素子２４としては、ひとつの素子が図示されているが、ひとつに限らず、複数個の発光素子を用いることができる。
この発光素子としては、広く用いられているものを利用することができるが、複数用いる場合は、赤色系発光素子と、緑色系発光素子とともに、発光波長が４３０ｎｍから４９０ｎｍである青色系発光素子を用いることが必要である。また、好ましくは、発光素子２４を図１のように、同色発光の発光素子を複数個用いることもできる。場合には、青色系発光素子を含むようにすることが好ましい。
このような発光素子２４としては、広く用いられているものを利用することができるが、青色系発光素子としては、ＩｎＧａＮの半導体を発光層として形成した発光ダイオード（ＬＥＤ）を好適に利用することができる。 Here, although one element is illustrated as the light emitting element 24 used in the light emitting device 20, it is not limited to one, and a plurality of light emitting elements can be used.
As this light emitting element, a widely used one can be used. When a plurality of light emitting elements are used, a blue light emitting element having an emission wavelength of 430 nm to 490 nm is used together with a red light emitting element and a green light emitting element. It is necessary to use it. Preferably, a plurality of light emitting elements of the same color can be used as the light emitting element 24 as shown in FIG. In some cases, it is preferable to include a blue light emitting element.
As such a light emitting element 24, a widely used one can be used, but as a blue light emitting element, a light emitting diode (LED) in which an InGaN semiconductor is formed as a light emitting layer is preferably used. Can do.

このような発光素子２４からの光が下方へ漏れないように反射させるための反射金属膜としての電極パッド２２ａは、その光反射率が７０％以上となる反射金属膜を形成することが好ましい。
このような金属膜としては、金、アルミニウム、銀、パラジウム、ロジウムなどを主成分とする合金からなる反射金属膜を形成することが好ましい。金は波長４３０ｎｍから４９０ｎｍの光に対して、ほぼ７０％の反射率を有している。金による反射金属膜は、絶縁基板２１の上面に対して、スパッタリングで形成することができる。あるいは、タングステンメタライズ上に、ニッケルの下地を形成し、その後にメッキすることなどにより形成することができる。 The electrode pad 22a as a reflective metal film for reflecting light from the light emitting element 24 so as not to leak downward is preferably formed of a reflective metal film having a light reflectance of 70% or more.
As such a metal film, it is preferable to form a reflective metal film made of an alloy mainly composed of gold, aluminum, silver, palladium, rhodium or the like. Gold has a reflectivity of approximately 70% for light having a wavelength of 430 nm to 490 nm. The reflective metal film made of gold can be formed on the upper surface of the insulating substrate 21 by sputtering. Alternatively, it can be formed by forming a nickel base on tungsten metallization and then plating.

電極パッド２２ａ表面の反射金属膜としてアルミニウムをスパッタリングなどで形成することもできる。このアルミニウムは波長４３０ｎｍから４９０ｎｍの光に対して、ほぼ９２％の反射率を有しており、金等よりも安価に形成できる利点がある。
また、銀は波長４３０ｎｍから４９０ｎｍの光に対して、ほぼ９６％の反射率を有しており、絶縁基板２１の上面３２に対して、スパッタリングやニッケルの下地を形成後にメッキすることなどにより形成することができる。あるいは銀ペーストなどによるメタライズを形成することによっても形成可能である。 Aluminum can also be formed by sputtering or the like as the reflective metal film on the surface of the electrode pad 22a. This aluminum has a reflectance of approximately 92% with respect to light having a wavelength of 430 nm to 490 nm, and has an advantage that it can be formed at a lower cost than gold or the like.
Further, silver has a reflectance of approximately 96% with respect to light with a wavelength of 430 nm to 490 nm, and is formed by plating the upper surface 32 of the insulating substrate 21 after forming a sputtering or nickel base. can do. Alternatively, it can be formed by forming a metallization with silver paste or the like.

また、前記反射金属膜としての電極パッド２２ａ上に図示しない硫化防止膜が形成されていることが好ましく、これにより、高温高湿下での使用による硫化に起因する反射性の低下を抑制することができる。硫化防止膜は、ＳｉＯ２，ＳｉＣ，Ｓｉ，又はそれらのいずれかを主成分とする材料を用いることができる。ここで主成分とするとは、材料中にＳｉＯ２，ＳｉＣ，又はＳｉを９０ｍｏｌ％以上含有することを意味し、好ましくは９５ｍｏｌ％以上である。
硫化防止膜の膜厚は、３〜２２ｎｍとすることが好ましい。３ｎｍ以上あれば、スパッタリングにより形成された膜がほぼ均一になるので硫化防止機能を発揮するが、これよりも薄いと、部分的に欠陥を生じる確率が急に高くなってしまう。また、２２ｎｍを超えると、膜厚の増加と共に反射金属膜の反射率が低下してしまう。 Further, it is preferable that an anti-sulfurization film (not shown) is formed on the electrode pad 22a as the reflective metal film, thereby suppressing a decrease in reflectivity due to sulfidation due to use under high temperature and high humidity. Can do. The sulfidation preventing film can be made of SiO 2 , SiC, Si, or a material mainly containing any of them. Here, the main component means that the material contains 90 mol% or more of SiO 2 , SiC, or Si, and preferably 95 mol% or more.
The film thickness of the sulfidation preventive film is preferably 3 to 22 nm. If the thickness is 3 nm or more, the film formed by sputtering becomes almost uniform and exhibits a function of preventing sulfidation. However, if the thickness is smaller than this, the probability that a defect is partially generated suddenly increases. On the other hand, if the thickness exceeds 22 nm, the reflectivity of the reflective metal film decreases as the film thickness increases.

次に、図１および図２に示す封止部材２８について説明する。
封止部材２８は、発光素子２４を気密的および液密的に覆い保護するものであり、透明な合成樹脂が用いられる。このような樹脂としては、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂、変性エポキシ樹脂、変性シリコーン樹脂、ポリアミドなど半導体に用いる封止樹脂を好適に使用できる。また、樹脂以外にも透明なガラスなどを用いてもよい。樹脂を用いる場合には、耐熱性や耐光性に優れ、紫外線を含む短波長の高エネルギー光に曝されても着色劣化しにくいシリコーン樹脂や変性シリコーン樹脂を用いることが好ましい。
このような封止部材２８は、図示されているように、発光素子２４の表面だけでなく、電極パッド２２ａ，引き回し部２２ｃおよび、絶縁基板２１の表面が露出した領域である上面３２にも接触するように形成されている。これにより、封止部材２８はセラミック製の上面３２と強固に結合して、剥離したり、破壊されたりしにくくされている。 Next, the sealing member 28 shown in FIGS. 1 and 2 will be described.
The sealing member 28 covers and protects the light emitting element 24 in an airtight and liquid tight manner, and a transparent synthetic resin is used. As such a resin, a sealing resin used for a semiconductor such as an epoxy resin, a silicone resin, a modified epoxy resin, a modified silicone resin, or polyamide can be suitably used. Moreover, you may use transparent glass other than resin. In the case of using a resin, it is preferable to use a silicone resin or a modified silicone resin that is excellent in heat resistance and light resistance and hardly undergoes color degradation even when exposed to short wavelength high energy light including ultraviolet rays.
As shown in the drawing, such a sealing member 28 contacts not only the surface of the light emitting element 24 but also the electrode pad 22a, the routing portion 22c, and the upper surface 32 which is a region where the surface of the insulating substrate 21 is exposed. It is formed to do. As a result, the sealing member 28 is firmly bonded to the ceramic upper surface 32 so that the sealing member 28 is hardly peeled off or broken.

ここで、封止部材２８としての封止樹脂には、発光素子２４からの青色系の光を一部吸収して補色となる黄色系の光を発するＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体などの蛍光物質を含有させることにより、白色系の光を発光することが可能な高出力な発光装置２０を形成することができる。
さらに、透明な封止部材２８には、視野角を増加するためチタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等の拡散剤を混入してもよい。
また、封止部材２８には、特定の波長をカットするための着色料を混入させてもよい。 Here, the sealing resin as the sealing member 28 contains a fluorescent material such as a YAG: Ce phosphor that emits yellow light that is a complementary color by partially absorbing blue light from the light emitting element 24. By doing so, it is possible to form the high-power light-emitting device 20 capable of emitting white light.
Furthermore, a diffusing agent such as barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide, or silicon oxide may be mixed in the transparent sealing member 28 in order to increase the viewing angle.
The sealing member 28 may be mixed with a colorant for cutting a specific wavelength.

さらには、図２に示されているように、絶縁基板２１の電極パッド２２ａ上に、発光素子２４を接着部材などを用いて接合し、かつ発光素子２４の電極部をワイヤボンディング２６，２７により電気的に接続した後、絶縁基板２１の表面（上面３２）側に露出した全ての表面に対して、電着により蛍光体３１を付着させてもよい。この蛍光体３１としては、例えば、ＹＡＧに代表される一般的な蛍光体などを使用することができる。
その後で、封止部材２８をモールドすることにより、この電着した蛍光体３１が落剥することが好適に防止される。 Further, as shown in FIG. 2, the light emitting element 24 is bonded onto the electrode pad 22a of the insulating substrate 21 by using an adhesive member or the like, and the electrode portion of the light emitting element 24 is bonded by wire bonding 26 and 27. After electrical connection, the phosphor 31 may be attached to all surfaces exposed on the surface (upper surface 32) side of the insulating substrate 21 by electrodeposition. As this phosphor 31, for example, a general phosphor represented by YAG can be used.
Thereafter, by molding the sealing member 28, the electrodeposited phosphor 31 is preferably prevented from peeling off.

本発明は上述の実施形態に限定されない。上述の実施形態における各構成は、必要により、その一部を省略したり、他の構成と入れ換えて、異なる構成の組み合わせのもとで実施されてもよい。   The present invention is not limited to the above-described embodiment. Each configuration in the above-described embodiment may be implemented under a combination of different configurations, if necessary, by omitting a part thereof or replacing other configurations.

本発明の実施形態にかかる発光装置の概略斜視図。1 is a schematic perspective view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention. 図１のＡ−Ａ線切断端面図。The AA cut | disconnection end elevation of FIG. 図１の発光装置の概略底面上面図。FIG. 2 is a schematic bottom plan view of the light emitting device of FIG. 1. 従来の発光装置の一例を示す概略断面図。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a conventional light emitting device.

符号の説明Explanation of symbols

２０・・・発光装置、２１・・・絶縁基板、２２・・・第１の電極、２２ａ・・・電極パッド、２２ｂ・・・実装端子、２３・・・第２の電極、２３ａ・・・電極パッド、２３ｂ・・・実装端子、２８・・・封止部材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 ... Light-emitting device, 21 ... Insulating substrate, 22 ... 1st electrode, 22a ... Electrode pad, 22b ... Mounting terminal, 23 ... 2nd electrode, 23a ... Electrode pad, 23b ... mounting terminal, 28 ... sealing member

Claims (3)

平面に正負の各電極を有する絶縁基板と、
該絶縁基板の厚み方向に形成された各貫通孔と、
前記正負の各電極から前記各貫通孔内に形成された電極延長部と、
該電極の一方の電極の平面内に接合された発光素子と
を有し、
前記一方の電極から延長された前記電極延長部の水平断面積が、前記発光素子の底面積よりも大きく、
かつ前記発光素子が、蛍光体を介して光を射出させるように透明な封止部材で封止されている
ことを特徴とする発光装置。 An insulating substrate having positive and negative electrodes in a plane;
Each through-hole formed in the thickness direction of the insulating substrate;
An electrode extension formed in each through hole from each of the positive and negative electrodes;
A light emitting element bonded in the plane of one of the electrodes,
The horizontal cross-sectional area of the electrode extension extending from the one electrode is larger than the bottom area of the light emitting element,
And the said light emitting element is sealed with the transparent sealing member so that light may be inject | emitted through fluorescent substance. The light-emitting device characterized by the above-mentioned. 前記電極延長部の水平断面の縦寸法をＴ１、横寸法をＮ１とし、前記発光素子の縦寸法Ｔ２、横寸法をＮ２とした場合に、Ｔ２＞Ｔ１および／またはＮ２＞Ｎ１とされていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。   When the vertical dimension of the horizontal cross section of the electrode extension is T1, the horizontal dimension is N1, and the vertical dimension T2 and the horizontal dimension of the light emitting element is N2, T2> T1 and / or N2> N1. The light-emitting device according to claim 1. 前記絶縁基板が、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）により形成されていることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the insulating substrate is made of silicon nitride (Si 3 N 4 ).
JP2006249602A 2006-09-14 2006-09-14 Light-emitting device Pending JP2008071955A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006249602A JP2008071955A (en) 2006-09-14 2006-09-14 Light-emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006249602A JP2008071955A (en) 2006-09-14 2006-09-14 Light-emitting device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008071955A true JP2008071955A (en) 2008-03-27

Family

ID=39293293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006249602A Pending JP2008071955A (en) 2006-09-14 2006-09-14 Light-emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008071955A (en)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010034487A (en) * 2008-06-24 2010-02-12 Sharp Corp Light-emitting apparatus, surface light source, and method for manufacturing package for light-emitting apparatus
JP2011521481A (en) * 2008-05-28 2011-07-21 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Optoelectronic semiconductor components and printed circuit boards
JP2012508969A (en) * 2008-11-13 2012-04-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Surface mountable device
JP2012094754A (en) * 2010-10-28 2012-05-17 Kyocera Corp Circuit board and electronic device
JP2013235897A (en) * 2012-05-07 2013-11-21 Shin Etsu Chem Co Ltd Method for manufacturing optical semiconductor device substrate, optical semiconductor device substrate and optical semiconductor device
JP2015146457A (en) * 2015-04-15 2015-08-13 信越化学工業株式会社 Optical semiconductor device substrate and optical semiconductor device
JP2017034237A (en) * 2015-06-26 2017-02-09 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Ｅｖｅｒｌｉｇｈｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． Light-emitting device and manufacturing method of the same
JP2017126803A (en) * 2011-08-22 2017-07-20 エルジー イノテック カンパニー リミテッド Light emitting element package, light source module, and illumination system including light source module
JP2017135148A (en) * 2016-01-25 2017-08-03 スタンレー電気株式会社 Semiconductor device
CN107068668A (en) * 2015-11-24 2017-08-18 斯坦雷电气株式会社 Semiconductor device
KR20190126546A (en) * 2018-05-02 2019-11-12 주식회사 세미콘라이트 Semiconductor light emitting device
KR20190126547A (en) * 2018-05-02 2019-11-12 주식회사 세미콘라이트 Semiconductor light emitting device
KR102064540B1 (en) 2018-05-02 2020-01-09 주식회사 세미콘라이트 Semiconductor light emitting device
USRE48858E1 (en) 2011-08-22 2021-12-21 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device package and light unit

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003152225A (en) * 2001-08-28 2003-05-23 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device
JP2006128265A (en) * 2004-10-27 2006-05-18 Kyocera Corp Wiring board for light emitting element and light emitting device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003152225A (en) * 2001-08-28 2003-05-23 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device
JP2006128265A (en) * 2004-10-27 2006-05-18 Kyocera Corp Wiring board for light emitting element and light emitting device

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101541565B1 (en) * 2008-05-28 2015-08-04 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 Optoelectronic semiconductor component and printed circuit board
JP2011521481A (en) * 2008-05-28 2011-07-21 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Optoelectronic semiconductor components and printed circuit boards
US9397271B2 (en) 2008-05-28 2016-07-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh UV- and heat-resistant optoelectronic semiconductor component
US9461224B2 (en) 2008-06-24 2016-10-04 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus
US9960332B2 (en) 2008-06-24 2018-05-01 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus
US8680546B2 (en) 2008-06-24 2014-03-25 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus, surface light source, and method for manufacturing package for light-emitting apparatus
US8835970B2 (en) 2008-06-24 2014-09-16 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus
US9178125B2 (en) 2008-06-24 2015-11-03 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus
JP2010034487A (en) * 2008-06-24 2010-02-12 Sharp Corp Light-emitting apparatus, surface light source, and method for manufacturing package for light-emitting apparatus
US8642902B2 (en) 2008-11-13 2014-02-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Surface mountable device
JP2012508969A (en) * 2008-11-13 2012-04-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Surface mountable device
JP2012094754A (en) * 2010-10-28 2012-05-17 Kyocera Corp Circuit board and electronic device
USRE48858E1 (en) 2011-08-22 2021-12-21 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device package and light unit
JP2017126803A (en) * 2011-08-22 2017-07-20 エルジー イノテック カンパニー リミテッド Light emitting element package, light source module, and illumination system including light source module
JP2013235897A (en) * 2012-05-07 2013-11-21 Shin Etsu Chem Co Ltd Method for manufacturing optical semiconductor device substrate, optical semiconductor device substrate and optical semiconductor device
JP2015146457A (en) * 2015-04-15 2015-08-13 信越化学工業株式会社 Optical semiconductor device substrate and optical semiconductor device
JP2017034237A (en) * 2015-06-26 2017-02-09 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Ｅｖｅｒｌｉｇｈｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． Light-emitting device and manufacturing method of the same
CN107068668A (en) * 2015-11-24 2017-08-18 斯坦雷电气株式会社 Semiconductor device
JP2017135148A (en) * 2016-01-25 2017-08-03 スタンレー電気株式会社 Semiconductor device
KR20190126546A (en) * 2018-05-02 2019-11-12 주식회사 세미콘라이트 Semiconductor light emitting device
KR20190126547A (en) * 2018-05-02 2019-11-12 주식회사 세미콘라이트 Semiconductor light emitting device
KR102064540B1 (en) 2018-05-02 2020-01-09 주식회사 세미콘라이트 Semiconductor light emitting device
KR102111642B1 (en) 2018-05-02 2020-05-15 주식회사 세미콘라이트 Semiconductor light emitting device
KR102121409B1 (en) 2018-05-02 2020-06-10 주식회사 세미콘라이트 Semiconductor light emitting device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10825803B2 (en) Light emitting device
JP2008071955A (en) Light-emitting device
JP5842813B2 (en) Light emitting device and method for manufacturing light emitting device
JP4826470B2 (en) Light emitting device
KR101360732B1 (en) Led package
JP4935514B2 (en) Light emitting device
JP4773755B2 (en) Chip-type semiconductor light emitting device
JP2009267289A (en) Light-emitting device
JP4530739B2 (en) Light emitting element mounting substrate and light emitting device
JP2011238902A (en) Light-emitting device
JP2006054209A (en) Light emitting device
TW201203632A (en) Light emitting device
TW201511353A (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
JP5125060B2 (en) Light emitting device
JP6107229B2 (en) Light emitting device
JP2007280983A (en) Light-emitting device
JP5055837B2 (en) Light emitting device
JP5126127B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP2007324204A (en) Light emitting device
JP5030009B2 (en) Light emitting device
JP6520482B2 (en) Light emitting device
JP6409457B2 (en) Semiconductor light emitting element and light emitting device
JP6402890B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
JP5817390B2 (en) Light emitting device
JP7185157B2 (en) Light-emitting module and method for manufacturing light-emitting module

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090825

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100723

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110928

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110929

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111124

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120416