JP2008071492A - 荷電粒子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】荷電粒子線装置は、一次荷電粒子線を試料19に向けて照射する手段1、2、3と、一次荷電粒子線の試料19へ向けた照射によって試料19の表面の情報を得た二次荷電粒子線を検出器Dへ導く手段と、検出器Dに導かれた二次荷電粒子線を画像として合成する手段と14を備える。この荷電粒子線装置は、試料19の表面の帯電電荷量を計測する計測手段24と、計測手段24によって計測された帯電電荷量に基づいて、試料19の表面における帯電電荷量を低減又は消滅させる帯電解消手段6、17とを具備することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
一次荷電粒子線を試料に向けて照射する手段と、
前記一次荷電粒子線の前記試料へ向けた照射によって前記試料の表面の情報を得た二次荷電粒子を検出器へ導く手段と、
前記検出器に導かれた前記二次荷電粒子を画像として合成する手段と、
を備える荷電粒子線装置であって、
前記試料の表面の帯電電荷量を計測する計測手段と、
前記計測手段によって計測された前記帯電電荷量に基づいて、前記試料の表面における帯電電荷量を低減又は消滅させる帯電解消手段と、
を具備することを特徴とする荷電粒子線装置、
を提供する。
4:静電レンズ、 5:アパーチャ、 6:光源、 7:静電レンズ、 8:E×Bフィルタ、 9:静電レンズ、 10:静電レンズ、 11:マイクロチャンネルプレート、 12:蛍光板、 13:TDI、 14:画像処理機構、 16:流量調整器、 17:ガスボンベ、 18:ステージ、 19:試料、 20:カバー、 21:ガス導入口、 22:検出器、 23:走査コイル、 24:表面電位計、 25:ガス導入量及び光強度制御機構、 26:光強度調整器
Claims (15)
- 一次荷電粒子線を試料に向けて照射する手段と、
前記一次荷電粒子線の前記試料へ向けた照射によって前記試料の表面の情報を得た二次荷電粒子を検出器へ導く手段と、
前記検出器に導かれた前記二次荷電粒子を画像として合成する手段と、
を備える荷電粒子線装置であって、
前記試料の表面の帯電電荷量を計測する計測手段と、
前記計測手段によって計測された前記帯電電荷量に基づいて、前記試料の表面における帯電電荷量を低減又は消滅させる帯電解消手段と、
を具備することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 前記一次荷電粒子線の電流密度を10A/cm2以下に設定したことを特徴とする、請求項1に記載の荷電粒子線装置。
- 前記一次荷電粒子線のエネルギーを1eV以上20keV以下に設定したことを特徴とする、請求項1に記載の荷電粒子線装置。
- 前記計測手段が、前記試料の表面における一次荷電粒子照射領域の電位を計測する手段を備えることを特徴とする、請求項1に記載の荷電粒子線装置。
- 前記帯電解消手段が、
前記試料に光を照射するための光源と、
前記試料の表面を均一に覆うようにガスを供給するためのガス供給手段と、
を備えることを特徴とする、請求項1に記載の荷電粒子線装置。 - 前記光源がレーザ光源と光源ランプとのうちのいずれかであり、
前記レーザ光源からのレーザ光又は前記光源ランプからのインコヒーレント光の波長帯域が300nm〜600nm又はそれ以下であることを特徴とする、請求項5に記載の荷電粒子線装置。 - 前記レーザ光又は前記インコヒーレント光の照射密度が1W/cm2以上であることを特徴とする、請求項6に記載の荷電粒子線装置。
- 前記試料を載置するためのステージを更に備え、
前記ガス供給手段が、前記ステージ上に載置された前記試料を覆い且つ少なくとも一つのガス導入口を有するカバーを備える
ことを特徴とする、請求項5に記載の荷電粒子線装置。 - 前記カバーによって覆われた空間におけるガス圧が0.0001〜0.1Paであることを特徴とする、請求項8に記載の荷電粒子線装置。
- 前記ガスが、窒素、水蒸気、電子親和力の高いハロゲン系のガス、及びそれらの化合物のうちのいずれかであることを特徴とする、請求項5に記載の荷電粒子線装置。
- 前記帯電解消手段が、前記計測手段の出力に基づいて、前記ガス供給手段によって供給されるガスの量と前記光源から発される光の強度とを制御する機構を更に備えることを特徴とする、請求項5に記載の荷電粒子線装置。
- 前記帯電解消手段が、前記試料の配線間の静電容量C[F]と前記計測手段によって計測された前記試料の表面電位V[V]とに基づき、前記試料の帯電電荷量Q[c]をQ=C×Vの式により求めることを特徴とする、請求項1に記載の荷電粒子線装置。
- 前記帯電解消手段が、前記試料の配線間の静電容量C[F]と前記計測手段によって計測された前記試料の表面電位V[V]とに基づき、前記試料の帯電電荷量Q[c]をQ=C×Vの式により求め、更に、前記帯電解消手段が、前記帯電電荷量、導入ガスの分子量、温度、前記導入ガスの電離確率、電気素量、チャージアップの時定数及び前記カバーの差動排気速度を基に導入ガス量を算出することを特徴とする、請求項5に記載の荷電粒子線装置。
- 前記帯電解消手段が、前記帯電電荷量、導入ガスの電離確率、電気素量及び前記導入ガスの第一電離電圧を基に、前記光源の強度を算出することを特徴とする、請求項6に記載の荷電粒子線装置。
- 請求項1〜14のうちのいずれか1つに記載の荷電粒子線装置を用いて、プロセス途中のウエハ評価を行うことを特徴とする半導体デバイス製造方法。
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