JP2008071382A - 半導体不揮発性メモリ、データ書き込み方法、半導体不揮発性メモリの製造方法、及びデータ書き込みプログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリセル10の第1及び第2電荷蓄積部(30、32)に、蓄積させる電荷量が多い順に記憶対象とするデータに応じた電力を供給して第1及び第2電荷蓄積部(30、32)に電荷を蓄積させることによりデータを記憶させる。
【選択図】図4
Description
図1は、本実施の形態に係る半導体不揮発性メモリを構成する、メモリセル10の主要部を示す概略断面図である。
メモリセル10へのデータの書き込み動作を、例えば、以下の方法で行う。ここでは初期状態を、電荷蓄積部に電荷が蓄積されていない状態(ここでは、論理値“11”に相当)とする。
続いて、ドレイン領域18側の情報の読み出し動作を、以下の方法で行う。
論理値“00”〜“11”のいずれが書き込まれているかを判別することができる。
続いて、ドレイン領域18側のデータの消去を、以下の方法で行う。
(a)メモリセル10を、例えば、OTPROM(One Time Programmable Read Only Memory)として用いる場合には、上述した1回の書き込み動作までで終了だが、良品確認テストの際に書き込んだ情報を消去する必要がある。
次に、電荷蓄積部に蓄積させる電荷量を、記憶させるデータに応じた電荷量よりも少なくするように制御する形態例について説明する。なお、第2の実施の形態に係るメモリセル10の構成及び半導体不揮発性メモリ100の構成は、図1〜図3と同様であるので、ここでの説明は省略する。
30 第1電荷蓄積部
32 第2電荷蓄積部
100 半導体不揮発性メモリ
104 ロウデコーダ(電力供給手段)
106 カラムデコーダ(電力供給手段)
108 コントローラ(制御手段)
Claims (8)
- 電荷を蓄積可能な電荷蓄積部が複数設けられたメモリセルと、
各電荷蓄積部にそれぞれ記憶対象とする複数ビットのデータに応じた電力を供給して前記各電荷蓄積部に当該データに応じた電荷量の電荷を蓄積させることにより当該データを記憶させる電力供給手段と、
蓄積させる電荷量が多い順に前記各電荷蓄積部にデータを記憶させるように前記電力供給手段を制御する制御手段と、
を備えた半導体不揮発性メモリ。 - 前記制御手段は、記憶させる順番が早いデータほど電荷蓄積部に蓄積させる電荷量を、当該データに応じた電荷量より少なくするように前記電力供給手段を制御する
請求項1記載の半導体不揮発性メモリ。 - 前記制御手段は、前記各電荷蓄積部に順にデータを記憶させる際に、前記各電荷蓄積部に蓄積させる電荷量を、後から記憶されるデータによる当該電荷量の増加分だけ少なくするように前記電力供給手段を制御する
請求項1又は請求項2記載の半導体不揮発性メモリ。 - 前記制御手段は、前記各電荷蓄積部に記憶させる前記データが同じ場合には、予め定められた順に、順番が早いデータほど当該データに応じた電荷量より少なくして記憶させるように前記電力供給手段を制御する
請求項1乃至請求項3記載の何れか1項記載の半導体不揮発性メモリ。 - 電荷を蓄積可能な電荷蓄積部が複数設けられたメモリセルと、
各電荷蓄積部にそれぞれ記憶対象とする複数ビットのデータに応じた電力を供給して前記各電荷蓄積部に当該データに応じた電荷量の電荷を蓄積させることにより当該データを記憶させる電力供給手段と、
前記各電荷蓄積部に記憶させる前記データが同じ場合には、予め定められた順に、順番が早いデータほど当該データに応じた電荷量より少なくして記憶させるように前記電力供給手段を制御する制御手段と、
を備えた半導体不揮発性メモリ。 - 電荷を蓄積可能な電荷蓄積部が複数設けられたメモリセルの各電荷蓄積部に、それぞれ記憶対象とする複数ビットのデータに応じた電力を、蓄積させる電荷量が多い順に供給して前記各電荷蓄積部に当該データに応じた電荷量の電荷を蓄積させることにより当該データを記憶させる
データ書き込み方法。 - 電荷を蓄積可能な電荷蓄積部が複数設けられたメモリセルの各電荷蓄積部に、それぞれ記憶対象とする複数ビットのデータに応じた電力を、蓄積させる電荷量が多い順に供給して前記各電荷蓄積部に当該データに応じた電荷量の電荷を蓄積させることにより当該データを記憶させる
半導体不揮発性メモリの製造方法。 - 電荷を蓄積可能な電荷蓄積部が複数設けられたメモリセルの各電荷蓄積部に、それぞれ記憶対象とする複数ビットのデータに応じた電力を、蓄積させる電荷量が多い順に供給して前記各電荷蓄積部に当該データに応じた電荷量の電荷を蓄積させることにより当該データを記憶させるように制御する制御ステップをコンピュータに実行させるデータ書き込みプログラム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006247103A JP4750655B2 (ja) | 2006-09-12 | 2006-09-12 | 半導体不揮発性メモリ、データ書き込み方法、半導体不揮発性メモリの製造方法、及びデータ書き込みプログラム |
US11/756,815 US7630269B2 (en) | 2006-09-12 | 2007-06-01 | Semiconductor non-volatile memory, data-writing method, semiconductor non-volatile memory fabrication method, and data-writing program storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006247103A JP4750655B2 (ja) | 2006-09-12 | 2006-09-12 | 半導体不揮発性メモリ、データ書き込み方法、半導体不揮発性メモリの製造方法、及びデータ書き込みプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008071382A true JP2008071382A (ja) | 2008-03-27 |
JP4750655B2 JP4750655B2 (ja) | 2011-08-17 |
Family
ID=39169495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006247103A Active JP4750655B2 (ja) | 2006-09-12 | 2006-09-12 | 半導体不揮発性メモリ、データ書き込み方法、半導体不揮発性メモリの製造方法、及びデータ書き込みプログラム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7630269B2 (ja) |
JP (1) | JP4750655B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010027162A (ja) | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Oki Semiconductor Co Ltd | 不揮発性半導体メモリおよび不揮発性半導体メモリのデータ書込み方法 |
JP2013251046A (ja) * | 2013-09-05 | 2013-12-12 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体不揮発性メモリ、半導体不揮発性メモリの電荷蓄積方法、及び電荷蓄積プログラム |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4299825B2 (ja) * | 2005-11-01 | 2009-07-22 | シャープ株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法 |
JP2009223968A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Oki Semiconductor Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8572460B2 (en) * | 2009-03-17 | 2013-10-29 | Broadcom Corporation | Communication device employing binary product coding with selective additional cyclic redundancy check (CRC) therein |
JP5755909B2 (ja) * | 2011-03-09 | 2015-07-29 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体不揮発性メモリ及びデータ書き込み方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2004348818A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Sharp Corp | 半導体記憶装置の書込制御方法及びシステム並びに携帯電子機器 |
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-
2006
- 2006-09-12 JP JP2006247103A patent/JP4750655B2/ja active Active
-
2007
- 2007-06-01 US US11/756,815 patent/US7630269B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080062801A1 (en) | 2008-03-13 |
JP4750655B2 (ja) | 2011-08-17 |
US7630269B2 (en) | 2009-12-08 |
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