JP2008066760A - Semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor device.
集積回路チップとしての半導体チップには、多層の配線が形成されている。いくつかの配線は、幅の広い部分と狭い部分を有するが、このような幅の異なる部分の連結部分には、応力が集中し易くなる。特に最下層に形成されるゲート電極から引き出されるポリシリコン配線は金属と比べ、延性に劣るため、連結部分でのクラックが生じやすく、断線を引き起こすという問題があった。同じポリシリコンで形成される抵抗素子も同様の問題があった。
本発明の目的は、配線または抵抗素子の、幅の異なる部分の連結部分に生じる応力を減らすことにある。 An object of the present invention is to reduce a stress generated in a connection portion of portions having different widths of a wiring or a resistance element.
(1)本発明に係る半導体装置は、
半導体チップと、
前記半導体チップに作り込まれてなる、幅の異なる部分の連結部分を有する配線と、
前記配線の上方であって、前記連結部分とオーバーラップする位置に形成されたパッドと、
前記パッド上に形成されてなるバンプと、
前記連結部分と前記パッドとの間に位置して前記連結部分の全体を覆うように形成されてなる緩衝層と、
前記配線と前記緩衝層との間及び前記緩衝層と前記パッドとの間に、それぞれ形成されてなる無機絶縁層と、
を含み、
前記緩衝層は、樹脂を除く材料であって、前記無機絶縁層よりも柔らかい材料から形成されてなる。本発明によれば、幅の異なる部分の連結部分に対してバンプから力が加えられても、緩衝層によって力が吸収されるので、連結部分に生じる応力を減らすことができる。
(2)この半導体装置において、
前記配線は抵抗素子として用いられてもよい。
(3)この半導体装置において、
前記緩衝層は、導電材料から形成され、前記配線に電気的に接続されていてもよい。
(4)この半導体装置において、
前記配線はポリシリコンによって形成されてもよい。
(1) A semiconductor device according to the present invention includes:
A semiconductor chip;
A wiring formed in the semiconductor chip and having a connecting portion of different widths;
A pad formed above the wiring and at a position overlapping the connecting portion;
A bump formed on the pad;
A buffer layer formed between the connecting portion and the pad so as to cover the entire connecting portion;
An inorganic insulating layer formed between the wiring and the buffer layer and between the buffer layer and the pad;
Including
The buffer layer is made of a material excluding resin and softer than the inorganic insulating layer. According to the present invention, even if force is applied from the bumps to the connecting portions having different widths, the force is absorbed by the buffer layer, so that the stress generated in the connecting portions can be reduced.
(2) In this semiconductor device,
The wiring may be used as a resistance element.
(3) In this semiconductor device,
The buffer layer may be formed of a conductive material and electrically connected to the wiring.
(4) In this semiconductor device,
The wiring may be formed of polysilicon.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(第1の実施の形態)
図1(A)は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の一部を示す断面図である。図1(B)は、図1(A)に示す半導体装置の一部を示す平面図である。半導体装置は、半導体チップ10を有する。半導体チップ10には、集積回路(例えば電界効果トランジスタ20)が作り込まれている。
(First embodiment)
FIG. 1A is a cross-sectional view showing a part of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1B is a plan view illustrating a part of the semiconductor device illustrated in FIG. The semiconductor device has a
電界効果トランジスタ20は、ソース及びドレインとなる拡散層21,22と、拡散層21,22とのコンタクト部23,24と、ゲート電極25と、を有する。ゲート電極25に電圧を加えるとチャネル26が形成されて電流が流れる。
The
半導体チップ10には、配線30が作り込まれている。配線30は、コンタクト部23、24を介して、ソース及びドレイン領域となっている拡散層21、22と接続されている。
A
半導体チップ10には、ゲート電極25と接続され、第1の幅を有する第1の配線25aと、第2の幅を有する第2の配線25bと、第1の配線25aと第2の配線25bの連結部分34と、を有する。第1の幅は第2の幅よりも狭い。第1の配線25a及び第2の配線25b、連結部分34とで、図1(B)のように、T字状となっていてもよいし、変形例として、図2(A)のようにL字状であってもよいし、図2(B)のように十字状であってもよい。第1の配線25aと第2の配線25bを、ポリシリコン、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金等から形成してもよい。第1の配線25aと第2の配線25bを、ポリシリコンから形成し、これらを抵抗素子として用いてもよい。幅の異なる第1の配線25aと第2の配線25bに力が加えられると、連結部分34に応力が集中することが知られている。
The
連結部分34とオーバーラップする位置(連結部分34の上方)にはパッド40が配置されている。パッド40は、集積回路に電気的に接続される。パッド40は、TiN又はTiW等からなるバリアメタル層を最上層に含んでもよい。バリアメタル層は、その上に形成される部材の材料がパッド40内に拡散することを防止することができる。パッド40は、スパッタリングによって形成することができる。
A
パッド40を一部として含む配線は、パッド40の少なくとも一部(例えば中央部)を除いて、パッシベーション膜42に覆われている。パッシベーション膜42は、SiO2、SiNなどの無機材料から形成されている。無機材料は、Au、Alなどの金属よりも硬いことで知られている。
The wiring including the
パッド40上にはバンプ44が形成されている。バンプ44は、Auなどの金属から形成されている。Auは、TiN又はTiWよりも柔らかい。バンプ44は、その一部がパッシベーション膜42上に載っていてもよい。バンプ44は、電解メッキで形成することができる。
連結部分34とパッド40との間には、緩衝層50が配置されている。緩衝層50は、連結部分34の全体を覆うように形成されている。第1の配線25a、第2の配線25bと緩衝層50との間及び緩衝層50とパッド40との間に、それぞれ、無機絶縁層60,62が形成されている。無機絶縁層60,62は、酸化膜などの無機材料から形成されており、無機材料はAu、Alなどの金属よりも硬いことで知られている。緩衝層50は、樹脂を除く材料であって、無機絶縁層60,62よりも柔らかい材料(例えば金属)から形成されている。緩衝層50は、配線30及びパッド40の少なくとも一方と同じ材料で形成してもよい。
A
本実施の形態によれば、幅の異なる部分の連結部分34に対してバンプ44から力が加えられても、緩衝層50によって力が吸収されるので、連結部分34に生じる応力を減らすことができる。
According to the present embodiment, even if a force is applied from the
(第2の実施の形態)
図3(A)は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の一部を示す断面図である。図3(B)は、図3(A)に示す半導体装置の一部を示す平面図である。なお、図3(A)は、図3(B)中のIIIA−IIIA線断面図となっている。
(Second Embodiment)
FIG. 3A is a cross-sectional view showing a part of the semiconductor device according to the second embodiment of the present invention. FIG. 3B is a plan view illustrating part of the semiconductor device illustrated in FIG. Note that FIG. 3A is a cross-sectional view taken along the line IIIA-IIIA in FIG.
この例の半導体装置110は、第1の幅を有する第1の配線125aと、第2の幅を有する第2の配線125bと、第1の配線125aと第2の配線125bとの連結部分134とを有する。
In this example, the
緩衝層150は、導電材料から形成され、第2の配線125bに電気的に接続されていている。詳しくは、緩衝層150と第2の配線125bの間にコンタクト部70が設けられて電気的な接続が図られている。第2の配線125bにおいて、コンタクト部70を設けるために、第2の配線125bの第2の幅は、第1の配線125aの第1の幅よりも広くなっている。緩衝層150は、連結部分134を覆うように形成されている。また、緩衝層150は連結部分134とパッド140の間に形成されている。その他の構成は、上述した実施の形態で説明した内容が該当し、その作用効果についても同じである。
The
(第3の実施の形態)
図4(A)は、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置の一部を示す断面図である。図4(B)は、図4(A)に示す半導体装置の一部を示す平面図である。半導体装置は、半導体チップ210を有する。半導体チップ210には、集積回路(例えば電界効果トランジスタ220)が作り込まれている。
(Third embodiment)
FIG. 4A is a cross-sectional view showing a part of a semiconductor device according to the third embodiment of the present invention. FIG. 4B is a plan view illustrating part of the semiconductor device illustrated in FIG. The semiconductor device has a
電界効果トランジスタ220は、ソース及びドレインとなる拡散層221,222と、拡散層221,222とのコンタクト部223,224と、ゲート電極225と、を有する。ゲート電極225に電圧を加えるとチャネル226が形成されて電流が流れる。
The
半導体チップ210には、配線230が作り込まれている。配線230は、幅の異なる部分231,232と、これらの連結部分234を有する。狭い方の部分232は配線ラインであり、幅の広い部分232にコンタクト部223が設けられている。幅の異なる部分231,232及び連結部分234の形状は、L字、T字又は十字のいずれであってもよい。幅の異なる部分231,232を含む配線230に力が加えられると、連結部分234に応力が集中することが知られている。
A
連結部分234とオーバーラップする位置(連結部分234の上方)にはパッド240が配置されている。パッド240は、集積回路に電気的に接続される。パッド240は、TiN又はTiW等からなるバリアメタル層を最上層に含んでもよい。バリアメタル層は、その上に形成される部材の材料がパッド240内に拡散することを防止することができる。パッド240は、スパッタリングによって形成することができる。
A
パッド240を一部として含む配線は、パッド240の少なくとも一部(例えば中央部)を除いて、パッシベーション膜242に覆われている。パッシベーション膜242は、SiO2、SiNなどの無機材料から形成されている。無機材料は、Au、Alなどの金属よりも硬いことで知られている。
The wiring including the
パッド240上にはバンプ244が形成されている。バンプ244は、Auなどの金属から形成されている。Auは、TiN又はTiWよりも柔らかい。バンプ244は、その一部がパッシベーション膜242上に載っていてもよい。バンプ244は、電解メッキで形成することができる。
連結部分234とパッド240との間には、緩衝層250が配置されている。緩衝層250は、連結部分234の全体を覆うように形成されている。配線230と緩衝層250との間及び緩衝層250とパッド240との間に、それぞれ、無機絶縁層260,262が形成されている。無機絶縁層260,262は、酸化膜などの無機材料から形成されており、無機材料はAu、Alなどの金属よりも硬いことで知られている。緩衝層250は、樹脂を除く材料であって、無機絶縁層260,262よりも柔らかい材料(例えば金属)から形成されている。緩衝層250は、配線230及びパッド240の少なくとも一方と同じ材料で形成してもよい。
A
本実施の形態によれば、幅の異なる部分の連結部分234に対してバンプ244から力が加えられても、緩衝層250によって力が吸収されるので、連結部分234に生じる応力を減らすことができる。
According to the present embodiment, even if a force is applied from the
(第4の実施の形態)
図5(A)は、本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の一部を示す断面図である。図5(B)は、図5(A)に示す半導体装置の一部を示す平面図である。
(Fourth embodiment)
FIG. 5A is a cross-sectional view showing a part of a semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention. FIG. 5B is a plan view illustrating part of the semiconductor device illustrated in FIG.
この例では、緩衝層350は、導電材料から形成され、配線330に電気的に接続されていている。詳しくは、緩衝層350と配線330の間にコンタクト部270が設けられて電気的な接続が図られている。また、配線330は、幅の異なる部分331,332の第1の連結部分334と、幅の異なる部分332,333の第2の連結部分335と、を有する。幅の異なる部分332,333において、コンタクト部270を設けるために、一方の部分333が他方の部分332よりも幅が広くなっている。緩衝層350は、第1及び第2の連結部分334,335の両方の全体を覆うように形成されている。その他の構成は、上述した実施の形態で説明した内容が該当し、その作用効果についても同じである。
In this example, the
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made. For example, the present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same purposes and results). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that exhibits the same operational effects as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.
10…半導体チップ、 20…電界効果トランジスタ、 25…ゲート電極、 26…チャネル、 30…配線、 34…連結部分、 40…パッド、 42…パッシベーション膜、 44…バンプ、 50…緩衝層、 70…コンタクト部、 110…半導体装置、 134…連結部分、 140…パッド、 150…緩衝層、 210…半導体チップ、 220…電界効果トランジスタ、 223…コンタクト部、 225…ゲート電極、 226…チャネル、 230…配線、 232…部分、 234…連結部分、 240…パッド、 242…パッシベーション膜、 244…バンプ、 250…緩衝層、 270…コンタクト部、 330…配線、 334…第1の連結部分、 335…第2の連結部分、 350…緩衝層
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記半導体チップに作り込まれてなる、幅の異なる部分の連結部分を有する配線と、
前記配線の上方であって、前記連結部分とオーバーラップする位置に形成されたパッドと、
前記パッド上に形成されてなるバンプと、
前記連結部分と前記パッドとの間に位置して前記連結部分の全体を覆うように形成されてなる緩衝層と、
前記配線と前記緩衝層との間及び前記緩衝層と前記パッドとの間に、それぞれ形成されてなる無機絶縁層と、
を含み、
前記緩衝層は、樹脂を除く材料であって、前記無機絶縁層よりも柔らかい材料から形成されてなる半導体装置。 A semiconductor chip;
A wiring formed in the semiconductor chip and having a connecting portion of different widths;
A pad formed above the wiring and at a position overlapping the connecting portion;
A bump formed on the pad;
A buffer layer formed between the connecting portion and the pad so as to cover the entire connecting portion;
An inorganic insulating layer formed between the wiring and the buffer layer and between the buffer layer and the pad;
Including
The buffer layer is a semiconductor device formed of a material excluding resin and softer than the inorganic insulating layer.
前記配線は抵抗素子として用いられる半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1,
The wiring is a semiconductor device used as a resistance element.
前記緩衝層は、導電材料から形成され、前記配線に電気的に接続されてなる半導体装置。 In the semiconductor device according to claim 1 or 2,
The buffer layer is a semiconductor device formed of a conductive material and electrically connected to the wiring.
前記配線はポリシリコンによって形成されてなる半導体装置。 The semiconductor device according to any one of claims 1 to 3,
A semiconductor device in which the wiring is made of polysilicon.
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- 2007-11-27 JP JP2007305584A patent/JP4835873B2/en active Active
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