JP2008060402A - Substrate support apparatus and method, substrate treating apparatus, aligner, and device manufacturing method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate support apparatus capable of securing the reproducibility of substrate movement without inviting the decline of guide accuracy due to wear. <P>SOLUTION: A lift mechanism 70 for supporting a wafer W and elevating and lowering it in a vertical direction comprises: a plurality of lift pins 77 capable of holding, elevating and lowering the wafer W; a base 71 where the lift pins 77 are erected; a guide device (elastic hinge device) 72 provided on the lower part of the base 71; and a voice coil motor 73 for driving the lift pins 77 in the vertical direction through the guide device 72 and the base 71. The guide device 72 is constituted of a pair of leaf springs 72a and 72b piled up and disposed so as to be continued in the vertical direction, and the leaf springs 72a and 72b are formed by an elastically deformable material and thickness for a stroke amount of the lift pin 77 to move between a sinking position and a projecting position. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板支持装置と基板支持方法、基板処理装置及び露光装置並びにデバイス製造方法に関するものである。   The present invention relates to a substrate support apparatus, a substrate support method, a substrate processing apparatus, an exposure apparatus, and a device manufacturing method.

半導体素子、液晶表示素子、撮像装置(CCD等)、薄膜磁気ヘッド等のデバイスの製造工程の一つであるリソグラフィ工程においては、マスクとしてのレチクルのパターンを、投影光学系を介して基板としてのフォトレジストが塗布されたウエハ(又はガラスプレート等)上に転写露光するために、露光装置が使用されている。この露光装置としては、ステッパ等の一括露光型(静止露光型)の投影露光装置、又はスキャニングステッパ等の走査露光型の投影露光装置(走査型露光装置)等が使用されている。   In a lithography process, which is one of the manufacturing processes of devices such as semiconductor elements, liquid crystal display elements, imaging devices (CCD, etc.), thin film magnetic heads, etc., a reticle pattern as a mask is used as a substrate through a projection optical system. An exposure apparatus is used to transfer and expose a wafer (or glass plate or the like) coated with a photoresist. As this exposure apparatus, a batch exposure type (stationary exposure type) projection exposure apparatus such as a stepper or a scanning exposure type projection exposure apparatus (scanning type exposure apparatus) such as a scanning stepper is used.

このような露光装置においては、基板搬送用アームを用いて基板ステージの基板ホルダ上に感光基板を搬送し、基板ホルダが感光基板を吸着保持するようにしている。基板ホルダには、基板搬送用アームと基板ホルダとの間で感光基板の引渡しを行うために、基板載置面から感光基板を一定量持ち上げて支持する上下動可能なリフトアップ機構が設けられている(特許文献1、2参照)。
特開平1−214042号公報 特開2003−258071号公報
In such an exposure apparatus, the photosensitive substrate is transferred onto the substrate holder of the substrate stage using the substrate transfer arm, and the substrate holder holds the photosensitive substrate by suction. The substrate holder is provided with a lift-up mechanism capable of moving up and down to support the photosensitive substrate by lifting a certain amount from the substrate mounting surface in order to transfer the photosensitive substrate between the substrate transfer arm and the substrate holder. (See Patent Documents 1 and 2).
Japanese Patent Laid-Open No. 1-214042 JP 2003-258071 A

しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
リフトアップ機構には、駆動方向に対して高精度に案内するための直動ガイド(例えば、リニアガイド、ボールスプライン、エアガイド)が設けられている。
ところが、近年の露光装置の高スループット化に伴い、リフトアップ機構の駆動回数が飛躍的に増大することによって、リニアガイド、ボールスプラインなど、機械的な磨耗を伴う直動のガイド機構では、機械的磨耗によってガイドの精度が低下して、例えばウエハをウエハステージに投入する際の再現性を著しく悪化させる虞がある。
However, the following problems exist in the conventional technology as described above.
The lift-up mechanism is provided with a linear motion guide (for example, a linear guide, a ball spline, an air guide) for guiding with high accuracy in the driving direction.
However, with the recent increase in throughput of the exposure apparatus, the number of times the lift-up mechanism is driven increases dramatically, so that linear guide mechanisms such as linear guides and ball splines, which have mechanical wear, are mechanically There is a possibility that the accuracy of the guide is reduced due to wear, and the reproducibility when the wafer is put on the wafer stage, for example, is significantly deteriorated.

本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、駆動時の再現性を確保できる基板支持装置と基板支持方法、基板処理装置及び露光装置並びにデバイス製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of the above points, and an object of the present invention is to provide a substrate support apparatus, a substrate support method, a substrate processing apparatus, an exposure apparatus, and a device manufacturing method that can ensure reproducibility during driving. And

上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図1ないし図7に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の基板支持装置は、基板(W)を支持して所定方向に移動させる基板支持装置(70)であって、弾性変形により基板(W)の移動方向を前記所定方向に規制する弾性ヒンジ装置(72)を備えることを特徴とするものである。
In order to achieve the above object, the present invention adopts the following configuration corresponding to FIGS. 1 to 7 showing the embodiment.
The substrate support apparatus of the present invention is a substrate support apparatus (70) that supports a substrate (W) and moves it in a predetermined direction, and is an elastic hinge that restricts the movement direction of the substrate (W) to the predetermined direction by elastic deformation. The apparatus (72) is provided.

従って、本発明の基板支持装置では、弾性ヒンジ装置(72)が摩擦を伴わない弾性変形により基板(W)の移動を案内(ガイド)するため、駆動回数が増大した場合でも、磨耗が生じず、従って基板移動のガイド特性が低下することを防止でき、駆動時の再現性を確保することが可能になる。   Therefore, in the substrate support device of the present invention, the elastic hinge device (72) guides the movement of the substrate (W) by elastic deformation without friction, so that no wear occurs even when the number of times of driving increases. Therefore, it is possible to prevent the guide characteristic of the substrate movement from being deteriorated and to ensure reproducibility during driving.

また、本発明の処理装置は、基板(W)に対して所定の処理を施す処理部(WST)と、基板(W)を支持して移動する支持部(70)とを有し、支持部(70)として先に記載の基板支持装置が設けられていることを特徴とするものである。   The processing apparatus of the present invention includes a processing unit (WST) that performs a predetermined process on the substrate (W), and a support unit (70) that moves while supporting the substrate (W). (70) is provided with the substrate support apparatus described above.

従って、本発明の処理装置では、基板(W)の移動に関して、駆動回数が増大した場合でも、磨耗が生じず、従って基板移動のガイド特性が低下することを防止でき、駆動時の再現性を確保することが可能になる。そのため、高い再現性をもって処理部(WST)における基板処理を実施することができる。   Therefore, in the processing apparatus of the present invention, even when the number of times of driving is increased with respect to the movement of the substrate (W), wear does not occur, and therefore it is possible to prevent the guide characteristic of the movement of the substrate from being deteriorated, and the reproducibility during driving is improved. It becomes possible to secure. Therefore, substrate processing in the processing unit (WST) can be performed with high reproducibility.

そして、本発明の露光装置は、基板(W)を用いて露光処理を行う露光装置(EX)であって、基板(W)を支持して移動する基板支持装置として、先に記載の基板支持装置(70)が設けられていることを特徴とするものである。
従って、本発明の露光装置では、基板(W)の移動に関して、駆動回数が増大した場合でも、磨耗が生じず、従って基板移動のガイド特性が低下することを防止でき、駆動時の再現性を確保することが可能になる。そのため、高い再現性をもって処理部(WST)における基板処理を実施することができる。
The exposure apparatus of the present invention is an exposure apparatus (EX) that performs an exposure process using a substrate (W), and supports the substrate described above as a substrate support apparatus that supports and moves the substrate (W). A device (70) is provided.
Therefore, in the exposure apparatus of the present invention, even when the number of times of driving is increased with respect to the movement of the substrate (W), it is possible to prevent wear and therefore to prevent the guide characteristic of the movement of the substrate from being deteriorated. It becomes possible to secure. Therefore, substrate processing in the processing unit (WST) can be performed with high reproducibility.

また、本発明の基板支持方法は、基板(W)を支持して所定方向に移動させる基板支持方法であって、基板(W)の移動の際に、弾性ヒンジ装置(72)の弾性変形により基板(W)の移動方向を前記所定方向に規制するステップを有することを特徴とするものである。
従って、本発明の基板支持方法では、弾性ヒンジ装置(72)が摩擦を伴わない弾性変形により基板(W)の移動を案内(ガイド)するため、駆動回数が増大した場合でも、磨耗が生じず、従って基板移動のガイド特性が低下することを防止でき、駆動時の再現性を確保することが可能になる。
Further, the substrate support method of the present invention is a substrate support method for supporting the substrate (W) and moving it in a predetermined direction, and by the elastic deformation of the elastic hinge device (72) when the substrate (W) is moved. The step of regulating the movement direction of the substrate (W) in the predetermined direction is provided.
Therefore, in the substrate support method of the present invention, since the elastic hinge device (72) guides the movement of the substrate (W) by elastic deformation without friction, no wear occurs even when the number of times of driving increases. Therefore, it is possible to prevent the guide characteristic of the substrate movement from being deteriorated and to ensure reproducibility during driving.

また、本発明のデバイス製造方法は、先に記載の基板支持方法を用いて基板(W)を支持することを特徴とするものである。
従って、本発明では、高い再現性をもって基板処理を実施できるため、バラツキのない高品質のデバイスを製造することができる。
The device manufacturing method of the present invention is characterized in that the substrate (W) is supported by using the substrate supporting method described above.
Therefore, in the present invention, since the substrate processing can be performed with high reproducibility, a high-quality device without variations can be manufactured.

なお、本発明をわかりやすく説明するために、一実施例を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。   In order to explain the present invention in an easy-to-understand manner, the description has been made in association with the reference numerals of the drawings showing one embodiment, but it goes without saying that the present invention is not limited to the embodiment.

本発明では、磨耗に起因するガイド精度の低下を招くことなく、基板移動の再現性を確保することができる。
また、本発明では、基板搭載の再現性が高くなり、高いパターン精度を有する高品質の基板(デバイス)を得ることが可能になる。
In the present invention, the reproducibility of the movement of the substrate can be ensured without degrading the guide accuracy due to wear.
Further, according to the present invention, the reproducibility of the substrate mounting is improved, and it is possible to obtain a high-quality substrate (device) having high pattern accuracy.

以下、本発明の基板支持装置と基板支持方法、基板処理装置及び露光装置並びにデバイス製造方法の実施の形態を、図1ないし図9を参照して説明する。
ここでは、レチクルのパターン像をウエハに露光処理する露光装置において、ウエハを保持して移動するウエハステージに、本発明に係る基板支持装置を適用する場合の例を用いて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a substrate support apparatus, a substrate support method, a substrate processing apparatus, an exposure apparatus, and a device manufacturing method according to the present invention will be described below with reference to FIGS.
Here, a description will be given using an example in which a substrate support apparatus according to the present invention is applied to a wafer stage that holds and moves a wafer in an exposure apparatus that exposes a pattern image of a reticle onto a wafer.

(第1実施形態)
まず、基板支持装置が搭載される露光装置について説明する。
図1は、本実施形態の露光装置EXの概略構成を示す図である。
露光装置EXは、レチクルRとウエハ(基板)Wとを一次元方向に同期移動しつつ、レチクルRに形成されたパターンPAを投影光学系PLを介してウエハW上の各ショット領域に転写するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置、すなわち、いわゆるスキャニング・ステッパである。
(First embodiment)
First, an exposure apparatus on which the substrate support apparatus is mounted will be described.
FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of an exposure apparatus EX of the present embodiment.
The exposure apparatus EX transfers the pattern PA formed on the reticle R to each shot area on the wafer W via the projection optical system PL while moving the reticle R and the wafer (substrate) W synchronously in a one-dimensional direction. This is a step-and-scan type scanning exposure apparatus, that is, a so-called scanning stepper.

露光装置EXは、露光光ELによりレチクルRを照明する照明光学系IL、レチクルRを保持して移動可能なレチクルステージRST、レチクルRから射出される露光光ELをウエハW上に投射する投影光学系PL、ウエハWをウエハホルダWHを介して支持する保持しつつ移動可能なウエハステージ(処理部)WST、露光装置EXを統括的に制御する制御装置CONT等を備える。   The exposure apparatus EX includes an illumination optical system IL that illuminates the reticle R with exposure light EL, a reticle stage RST that can move while holding the reticle R, and projection optics that projects the exposure light EL emitted from the reticle R onto the wafer W. A system PL, a wafer stage (processing unit) WST that can move while supporting the wafer W via the wafer holder WH, a control unit CONT that comprehensively controls the exposure apparatus EX, and the like are provided.

なお、以下の説明において、投影光学系PLの光軸AXと一致する方向をZ軸方向、Z軸方向に垂直な平面内でレチクルRとウエハWとの同期移動方向(走査方向)をX軸方向、Z軸方向及びY軸方向に垂直な方向(非走査方向)をY軸方向とする。また、X軸、Y軸及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY及びθZ方向とする。   In the following description, the direction that coincides with the optical axis AX of the projection optical system PL is the Z-axis direction, and the synchronous movement direction (scanning direction) between the reticle R and the wafer W in the plane perpendicular to the Z-axis direction is the X-axis. The direction perpendicular to the direction, the Z-axis direction, and the Y-axis direction (non-scanning direction) is defined as the Y-axis direction. In addition, the rotation (inclination) directions around the X, Y, and Z axes are the θX, θY, and θZ directions, respectively.

照明光学系ILは、レチクルステージRSTに支持されているレチクルRを露光光ELで照明するものであり、露光光ELを射出する露光用光源、露光用光源から射出された露光光ELの照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光ELによるレチクルR上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等(いずれも不図示)を備える。そして、レチクルR上の所定の照明領域は、照明光学系ILにより均一な照度分布の露光光ELで照明される。   The illumination optical system IL illuminates the reticle R supported by the reticle stage RST with the exposure light EL. The illumination light source emits the exposure light EL, and the illuminance of the exposure light EL emitted from the exposure light source. A uniform optical integrator, a condenser lens that collects the exposure light EL from the optical integrator, a relay lens system, a variable field stop that sets the illumination area on the reticle R by the exposure light EL in a slit shape, etc. (all not shown) Is provided. The predetermined illumination area on the reticle R is illuminated with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution by the illumination optical system IL.

照明光学系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)や、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びF2レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)などが用いられる。   As the exposure light EL emitted from the illumination optical system IL, for example, far ultraviolet light (g-line, h-line, i-line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) emitted from a mercury lamp, DUV light), vacuum ultraviolet light (VUV light) such as ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) and F2 laser light (wavelength 157 nm), or the like is used.

レチクルステージRSTは、レチクルRを保持して移動可能であって、例えばレチクルRを真空吸着(又は静電吸着)により固定している。レチクルステージRSTは、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、すなわち、XY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微小回転可能である。
レチクルステージRSTは、リニアモータ等のレチクルステージ駆動部RSTDにより駆動される。そして、レチクルステージ駆動部RSTDは、制御装置CONTにより制御される。
The reticle stage RST is movable while holding the reticle R, and, for example, the reticle R is fixed by vacuum suction (or electrostatic suction). Reticle stage RST can be moved two-dimensionally in a plane perpendicular to optical axis AX of projection optical system PL, that is, in the XY plane, and can be slightly rotated in the θZ direction.
The reticle stage RST is driven by a reticle stage drive unit RSTD such as a linear motor. Reticle stage driving unit RSTD is controlled by control unit CONT.

レチクルステージRST上には、移動鏡51が設けられている。また、移動鏡51に対向する位置には、レーザ干渉計52が設けられている。これにより、レチクルステージRST上のレチクルRの2次元方向(XY方向)の位置及びθZ方向の回転角(場合によってはθX、θY方向の回転角も含む)は、レーザ干渉計52によりリアルタイムで計測される。そして、レーザ干渉計52の計測結果は、制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、レーザ干渉計52の計測結果に基づいてレチクルステージ駆動部RSTDを駆動することでレチクルステージRSTに支持されているレチクルRの位置を制御する。   A movable mirror 51 is provided on the reticle stage RST. A laser interferometer 52 is provided at a position facing the movable mirror 51. Thus, the position of the reticle R on the reticle stage RST in the two-dimensional direction (XY direction) and the rotation angle in the θZ direction (including rotation angles in the θX and θY directions in some cases) are measured by the laser interferometer 52 in real time. Is done. And the measurement result of the laser interferometer 52 is output to the control apparatus CONT. The control device CONT controls the position of the reticle R supported by the reticle stage RST by driving the reticle stage drive unit RSTD based on the measurement result of the laser interferometer 52.

投影光学系PLは、レチクルRのパターンを所定の投影倍率βでウエハWに投影露光するものである。投影光学系PLは、ウエハW側の先端部に設けられた光学素子を含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒PKで支持されている。投影光学系PLは、投影倍率βが、例えば1/4、1/5、あるいは1/8の縮小系である。
なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系PLの先端部の光学素子は鏡筒PKに対して着脱(交換)可能に設けられる。
The projection optical system PL projects and exposes the pattern of the reticle R onto the wafer W at a predetermined projection magnification β. The projection optical system PL is composed of a plurality of optical elements including optical elements provided at the front end portion on the wafer W side, and these optical elements are supported by a lens barrel PK. The projection optical system PL is a reduction system having a projection magnification β of, for example, 1/4, 1/5, or 1/8.
Note that the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system. Further, the optical element at the tip of the projection optical system PL is detachably (replaceable) with respect to the lens barrel PK.

ウエハステージWSTは、ウエハWを支持しつつ移動して露光処理を施すものであって、ウエハWをウエハホルダWHを介して保持して、Z軸方向、θX方向及びθY方向の3自由度方向に微小駆動するZテーブル61、Zテーブル61を支持しつつ、Y軸方向に連続移動及びX軸方向にステップ移動するXYテーブル62、XYテーブル62をXY平面内で移動可能に支持するウエハ定盤63等を備えている。   Wafer stage WST moves while supporting wafer W to perform exposure processing, and holds wafer W via wafer holder WH in three degrees of freedom in the Z-axis direction, θX direction, and θY direction. While supporting the Z table 61 and the Z table 61 that are finely driven, the wafer surface plate 63 that supports the XY table 62 and the XY table 62 that are continuously moved in the Y-axis direction and stepped in the X-axis direction so as to be movable in the XY plane. Etc.

このウエハステージWSTは、リニアモータ等のウエハステージ駆動部WSTDにより駆動される。ウエハステージ駆動部WSTDは、制御装置CONTにより制御される。そして、Zテーブル61を駆動することにより、Zテーブル61上に設けられたウエハホルダWHに保持されているウエハWのZ軸方向における位置(フォーカス位置)等が制御される。また、XYテーブル62を駆動することにより、ウエハWのXY方向における位置(投影光学系PLの像面と実質的に平行な方向の位置)が制御される。   Wafer stage WST is driven by a wafer stage drive unit WSTD such as a linear motor. Wafer stage drive unit WSTD is controlled by control unit CONT. Then, by driving the Z table 61, the position in the Z-axis direction (focus position) of the wafer W held by the wafer holder WH provided on the Z table 61 is controlled. Further, by driving the XY table 62, the position of the wafer W in the XY direction (position in a direction substantially parallel to the image plane of the projection optical system PL) is controlled.

ウエハホルダWHは、ウエハWに応じた形状を有しており、例えば平面視略円形状に形成されている。ウエハホルダWHの上面には、外周部近傍に所定幅を有する環状(無端状)に形成された凸状のシール部と、シール部の内側領域に所定間隔で複数に設けられた突起状のピン部とが設けられる(いずれも不図示、図では、便宜上ウエハホルダWHの上面は平面で図示している)。
複数のピン部の上端面及びシール部の上端面は、それぞれ平坦かつ同一平面上に位置するように形成される。つまり、複数のピン部とシール部とにより、ウエハWを保持する保持面(上面)が形成されている。このようにして、ウエハWは、ピン部及びシール部の上端に、平坦に保持可能となっている。
なお、シール部は、この上に載置されるウエハWの外径より僅かに小さい外径を有するように形成される。
The wafer holder WH has a shape corresponding to the wafer W, and is formed in, for example, a substantially circular shape in plan view. On the upper surface of the wafer holder WH, a convex seal portion formed in an annular shape (endless shape) having a predetermined width in the vicinity of the outer peripheral portion, and a plurality of protruding pin portions provided at a predetermined interval in the inner region of the seal portion (Both are not shown, and in the drawing, the upper surface of the wafer holder WH is shown as a plane for convenience).
The upper end surfaces of the plurality of pin portions and the upper end surface of the seal portion are formed so as to be flat and on the same plane. That is, a holding surface (upper surface) for holding the wafer W is formed by the plurality of pin portions and the seal portion. In this way, the wafer W can be held flat on the upper ends of the pin portion and the seal portion.
Note that the seal portion is formed to have an outer diameter slightly smaller than the outer diameter of the wafer W placed thereon.

ウエハホルダ板WHの下面は、平坦に形成されており、不図示の吸着機構によりZテーブル61上に装着される。Zテーブル61上も平坦に形成されるので、ウエハホルダWHをZテーブル61上に装着しても、上面が殆ど変形しないようになっている。   The lower surface of the wafer holder plate WH is formed flat and is mounted on the Z table 61 by a suction mechanism (not shown). Since the Z table 61 is also formed flat, even if the wafer holder WH is mounted on the Z table 61, the upper surface is hardly deformed.

また、ウエハホルダWHの上面における複数の所定位置には、不図示の給排気孔が形成されている。例えば、給排気孔は、上面の中心部から放射方向に複数形成されている。給排気孔は、ウエハホルダWHを上下方向に貫く孔であり、ウエハホルダWHが載置されるZテーブル61に形成された流路を介して給排気装置に連結されている。また、排気孔は、例えば上面の中心部から放射方向に複数形成されている。
このような構成により、給排気装置が排気動作(吸引動作)を行うことにより、給排気孔から流路を介して、ウエハWとウエハホルダWHの上面との間の空気が吸引されるようになっている。これにより、ウエハW及びシール部で囲まれた空間が負圧になり、ウエハWがウエハホルダWHの上面に対して吸着されるようになっている。
In addition, air supply / exhaust holes (not shown) are formed at a plurality of predetermined positions on the upper surface of the wafer holder WH. For example, a plurality of air supply / exhaust holes are formed in the radial direction from the center of the upper surface. The air supply / exhaust hole is a hole that penetrates the wafer holder WH in the vertical direction, and is connected to the air supply / exhaust device via a flow path formed in the Z table 61 on which the wafer holder WH is placed. Also, a plurality of exhaust holes are formed in the radial direction from the center of the upper surface, for example.
With such a configuration, when the air supply / exhaust device performs an exhaust operation (suction operation), air between the wafer W and the upper surface of the wafer holder WH is sucked from the air supply / exhaust hole through the flow path. ing. As a result, the space surrounded by the wafer W and the seal portion becomes negative pressure, and the wafer W is attracted to the upper surface of the wafer holder WH.

なお、ウエハホルダWHは、セラミック、例えば炭化珪素セラミックス(SiC:シリコンカーバイド)により形成される。炭化珪素セラミックスは、熱伝導性が高く、線膨張係数が低いので、熱変形することなく、温度を伝えることができる。また、加工性が良好であるため、上面及び下面を高い平坦度に形成することができる。
また、このウエハステージWSTには、ウエハWをZ軸方向に駆動するリフト機構、及びZテーブル61(ウエハホルダWH)をXYテーブル62に対して駆動するアクチュエータが設けられているが、これらの詳細な構成については、後述する。
Wafer holder WH is formed of ceramic, for example, silicon carbide ceramics (SiC: silicon carbide). Since silicon carbide ceramics have high thermal conductivity and a low coefficient of linear expansion, the temperature can be transmitted without thermal deformation. Moreover, since workability is favorable, the upper surface and the lower surface can be formed with high flatness.
The wafer stage WST is provided with a lift mechanism for driving the wafer W in the Z-axis direction and an actuator for driving the Z table 61 (wafer holder WH) with respect to the XY table 62. The configuration will be described later.

ウエハステージWST(Zテーブル61)上には、移動鏡53が設けられている。また、移動鏡53に対向する位置には、レーザ干渉計54が設けられている。これにより、ウエハステージWST上のウエハWの2次元方向の位置及び回転角はレーザ干渉計54によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。そして、制御装置CONTは、レーザ干渉計54の計測結果に基づいてウエハステージ駆動部WSTDを介してウエハステージWSTを駆動することで、ウエハステージWSTに支持されているウエハWのX軸、Y軸方向及びθZ方向の位置決めを行う。   A movable mirror 53 is provided on wafer stage WST (Z table 61). A laser interferometer 54 is provided at a position facing the moving mirror 53. Thus, the position and rotation angle of wafer W on wafer stage WST in the two-dimensional direction are measured in real time by laser interferometer 54, and the measurement result is output to control unit CONT. Then, the control device CONT drives the wafer stage WST via the wafer stage drive unit WSTD based on the measurement result of the laser interferometer 54, so that the X axis and Y axis of the wafer W supported on the wafer stage WST. Positioning in the direction and θZ direction.

また、露光装置EXは、投影光学系PLの像面に対するウエハW表面の位置(フォーカス位置)を検出するフォーカス検出系56を備えている。フォーカス検出系56は、ウエハW表面に対して斜め方向より検出光を投射する投光部56Aと、ウエハW表面で反射した検出光(反射光)を受光する受光部56Bとを備えている。
受光部56Bの受光結果は、制御装置CONTに出力される。そして、制御装置CONTは、フォーカス検出系56の検出結果に基づいてウエハステージ駆動部WSTDを介してウエハステージWST(Zテーブル61)を駆動することで、ウエハW表面の位置を投影光学系PLの焦点深度内に収める。すなわち、Zテーブル61は、ウエハWのフォーカス位置及び傾斜角を制御してウエハWの表面をオートフォーカス方式及びオートレベリング方式で投影光学系PLの像面に合わせ込む。
Further, the exposure apparatus EX includes a focus detection system 56 that detects the position (focus position) of the surface of the wafer W with respect to the image plane of the projection optical system PL. The focus detection system 56 includes a light projecting unit 56A that projects detection light on the surface of the wafer W from an oblique direction, and a light receiving unit 56B that receives detection light (reflected light) reflected from the surface of the wafer W.
The light reception result of the light receiving unit 56B is output to the control device CONT. Then, the control device CONT drives the wafer stage WST (Z table 61) via the wafer stage drive unit WSTD based on the detection result of the focus detection system 56, thereby determining the position of the surface of the wafer W of the projection optical system PL. Keep within the depth of focus. In other words, the Z table 61 controls the focus position and the tilt angle of the wafer W to adjust the surface of the wafer W to the image plane of the projection optical system PL by the auto focus method and the auto leveling method.

次に、ウエハステージWSTに設けられた駆動機構及びアクチュエータの詳細な構成について説明する。
図2はウエハステージWSTの側断面図である。
このウエハステージWSTには、ウエハWを支持してZ軸方向に昇降させるリフト機構(基板支持装置、支持部)70と、Zテーブル61(ウエハホルダWH)をXYテーブル62に対して駆動するアクチュエータ80とが設けられている。
Next, a detailed configuration of the drive mechanism and actuator provided on wafer stage WST will be described.
FIG. 2 is a side sectional view of wafer stage WST.
The wafer stage WST includes a lift mechanism (substrate support device, support unit) 70 that supports the wafer W and moves up and down in the Z-axis direction, and an actuator 80 that drives the Z table 61 (wafer holder WH) with respect to the XY table 62. And are provided.

リフト機構70は、ウエハWを保持して昇降可能な複数(ここでは3本)のリフトピン77と、リフトピン77が立設されるベース71と、ベース71の−Z側に設けられたガイド装置(弾性ヒンジ装置)72と、ガイド装置72及びベース71を介してリフトピン77をZ軸方向に駆動するボイスコイルモータ(以下、VCMと称する)73とを有している。   The lift mechanism 70 includes a plurality of (three in this case) lift pins 77 that can move up and down while holding the wafer W, a base 71 on which the lift pins 77 are erected, and a guide device (on the −Z side of the base 71). (Elastic hinge device) 72, and a voice coil motor (hereinafter referred to as VCM) 73 that drives the lift pin 77 in the Z-axis direction via the guide device 72 and the base 71.

リフトピン77は、それぞれZ軸方向に沿って延び、平面視で三角形の頂点をなす位置に配置されている。また、リフトピン77の先端側は、ウエハホルダWHに形成された孔部WHaと、Zテーブル61に形成された孔部61aとに挿通され、図2に示す露光処理時には、ウエハホルダWHの上面から没入する位置(高さ)に駆動され、図3に示す基板搬送処理時には、ウエハホルダWHの上面から突出する位置に駆動される。   Each of the lift pins 77 extends along the Z-axis direction and is disposed at a position that forms a vertex of a triangle in plan view. Further, the tip end side of the lift pin 77 is inserted through a hole WHa formed in the wafer holder WH and a hole 61a formed in the Z table 61, and is immersed from the upper surface of the wafer holder WH during the exposure process shown in FIG. It is driven to a position (height), and is driven to a position protruding from the upper surface of the wafer holder WH during the substrate transfer process shown in FIG.

また、リフトピン77には、先端上面に開口し真空吸引源に接続された吸引路が形成されており、上面にウエハWが載置された状態でこの吸引路を介して負圧吸引することにより、ウエハWを下方から保持することが可能である。また、吸引路の負圧吸引を解除することにより、ウエハWに対する保持も解除することができる。   Further, the lift pin 77 is formed with a suction path that is open on the top surface of the tip and connected to a vacuum suction source, and the wafer W is placed on the top surface, and the negative pressure is sucked through the suction path. The wafer W can be held from below. Further, the holding on the wafer W can also be released by releasing the negative pressure suction of the suction path.

ガイド装置72は、X軸方向(第2方向)に延在して設けられ、Z軸方向に連なるように重ねて配置された一対の板バネ72a、72bから構成されている。これら板バネ72a、72bの両端部は、Z軸方向の位置が一定となるように支持されている。+Z側に配置された板バネ72aには、上述したベース71がX軸方向の略中央部においてビス等により固定されている。また、−Z側に位置する板バネ72bには、下方(−Z側)からVCM73の可動子73aがX軸方向の略中央部で固定されている。これら板バネ72a、72bは、リフトピン72が図2に示す没入位置と、図3に示す突出位置との間を移動するストローク量が弾性変形可能な材料及び厚さで形成されている。
VCM73は、固定子73bがXYテーブル62上に配置されており、制御装置CONTの制御下で上記可動子73aをZ軸方向に駆動する。
The guide device 72 includes a pair of leaf springs 72a and 72b that extend in the X-axis direction (second direction) and are arranged so as to be continuous in the Z-axis direction. Both end portions of the leaf springs 72a and 72b are supported so that the position in the Z-axis direction is constant. The above-described base 71 is fixed to the leaf spring 72a disposed on the + Z side with a screw or the like at a substantially central portion in the X-axis direction. A movable element 73a of the VCM 73 is fixed to the leaf spring 72b located on the −Z side from the lower side (−Z side) at a substantially central portion in the X-axis direction. These leaf springs 72a and 72b are formed of a material and a thickness that allow the lift pin 72 to move elastically between the immersion position shown in FIG. 2 and the protruding position shown in FIG.
In the VCM 73, a stator 73b is disposed on the XY table 62, and drives the movable element 73a in the Z-axis direction under the control of the control device CONT.

なお、リフトピン77のZ方向の位置は、リニアスケールセンサーや、回転モータの回転を直動運動に変換する場合(ラック&ピニオン等)にはロータリーエンコーダによって計測され、制御装置CONTに出力される。   Note that the position of the lift pin 77 in the Z direction is measured by a rotary encoder when the rotation of the linear scale sensor or the rotation motor is converted into a linear motion (such as a rack and pinion), and is output to the control device CONT.

アクチュエータ80は、XYテーブル62とZテーブル61との間に設けられ、投影光学系PLの結像面に対するZテーブル61(ウエハW)の位置を調整するものであって、XYテーブル62に設けられた固定子80Aと、Zテーブル61に設けられてZ方向に移動可能な可動子80Bとからなるボイスコイルモータで構成されている。アクチュエータ80は、三箇所に設けられ、各アクチュエータ80をそれぞれ同一移動量で駆動することにより、Zテーブル61のZ軸方向の位置が調整され、各アクチュエータ80を異なる移動量で駆動することにより、Zテーブル61のθX方向及びθY方向の位置(姿勢)が調整される。すなわち、Zテーブル61は、アクチュエータ80の駆動により、3自由度方向に微小駆動するようになっている(なお、図3以降においては、便宜上アクチュエータ80の図示を省略している)。   The actuator 80 is provided between the XY table 62 and the Z table 61 and adjusts the position of the Z table 61 (wafer W) with respect to the imaging plane of the projection optical system PL. The actuator 80 is provided on the XY table 62. The voice coil motor includes a stator 80A and a mover 80B provided on the Z table 61 and movable in the Z direction. Actuators 80 are provided at three locations, and each actuator 80 is driven with the same amount of movement, thereby adjusting the position of the Z table 61 in the Z-axis direction, and by driving each actuator 80 with a different amount of movement, The position (posture) of the Z table 61 in the θX direction and the θY direction is adjusted. That is, the Z table 61 is finely driven in the direction of three degrees of freedom by driving the actuator 80 (note that the actuator 80 is not shown for convenience in FIG. 3 and subsequent figures).

次に、リフト機構70によりウエハWを支持して移動する際の動作について説明する。
図2に示すように、ウエハホルダWHにウエハWが吸着保持された状態では、VCM73の可動子73bを固定子73aに対して+Z側に突出させ、一対の板バネ72a、72bがVCM73から力を受けずにそれぞれ平板状で密接して重ね合わされ、リフトピン77がウエハホルダWHの上面から没入した位置に配置される。
Next, an operation when the wafer W is supported and moved by the lift mechanism 70 will be described.
As shown in FIG. 2, in a state where the wafer W is attracted and held by the wafer holder WH, the movable element 73b of the VCM 73 protrudes to the + Z side with respect to the stator 73a, and the pair of leaf springs 72a and 72b apply force from the VCM 73. Each of the lift pins 77 is placed in a position recessed from the upper surface of the wafer holder WH.

次に、ウエハWを+Z方向へ移動させる際には、まず制御装置CONTが給排気装置による吸引動作を停止させ、ウエハホルダWHへのウエハWの吸着保持を解除させるとともに、リフトピン77の吸引路に接続された真空吸引源を作動させて、ウエハWを吸着可能状態とする。
この後、制御装置CONTは、VCM73における可動子73aを−Z方向へ駆動する。このとき、下方に位置する板バネ72bが−Z方向に引っ張られ、図3に示すように、変形部Hで弾性変形して−Z側に膨出するように湾曲する。また、この板バネ72bの弾性変形に伴って、両端部が互いに接近することにより、上方(+Z側)に位置する板バネ72aも同様に、変形部Hで弾性変形して+Z側に膨出するように湾曲する。
Next, when the wafer W is moved in the + Z direction, the control device CONT first stops the suction operation by the air supply / exhaust device to release the suction and holding of the wafer W from the wafer holder WH, and to the suction path of the lift pins 77. The connected vacuum suction source is actuated so that the wafer W can be sucked.
Thereafter, the control device CONT drives the mover 73a in the VCM 73 in the −Z direction. At this time, the leaf spring 72b positioned below is pulled in the −Z direction, and is bent so as to be elastically deformed by the deforming portion H and bulge to the −Z side, as shown in FIG. As the leaf spring 72b is elastically deformed, both end portions approach each other, so that the leaf spring 72a located above (+ Z side) is also elastically deformed by the deformation portion H and bulges to the + Z side. To bend.

これにより、板バネ72aに連結されたベース71及びリフトピン77が板バネ72aの変形量に応じて上昇し、図3に示すように、リフトピン77の先端でウエハWを吸着保持しつつ、ウエハホルダWHから離間させる。ここで、VCM73においては、XY平面に沿う方向については可動子73aの位置が規制されていないが、+Z側への上昇時に板バネ72a、72bの変形部Hが弾性ヒンジ部として機能するため、XY平面に沿う方向の位置が規制される。つまり、板バネ72a、72bが、リフトピン77の移動方向に関して、XY方向については拘束することでZ軸方向に規制するため、Z軸方向への移動をガイドする仮想的な直動ガイド機構を構成することになる。   As a result, the base 71 and the lift pins 77 connected to the plate spring 72a rise according to the deformation amount of the plate spring 72a, and the wafer holder WH is held while adsorbing and holding the wafer W at the tip of the lift pin 77 as shown in FIG. Separate from. Here, in the VCM 73, the position of the mover 73a is not restricted in the direction along the XY plane, but the deformed portion H of the leaf springs 72a and 72b functions as an elastic hinge portion when it is raised to the + Z side. The position in the direction along the XY plane is restricted. That is, the leaf springs 72a and 72b restrict the XY direction in the Z-axis direction by restricting the movement direction of the lift pin 77, and thus constitute a virtual linear motion guide mechanism that guides the movement in the Z-axis direction. Will do.

一方、ウエハW(リフトピン77)が−Z方向へ下降する際には、上記と逆に、制御装置CONTがVCM73における可動子73aを+Z方向へ駆動する。これにより、板バネ72bの弾性復元力により弾性変形が解消され、平板状に戻ることになる。従って、板バネ72aの弾性変形も解消されることになり、ベース71及びリフトピン77は下降する。板バネ72a、72bの弾性変形は、平板状に戻る直前まで維持されるため、上述した弾性ヒンジによる仮想的な直動ガイド機構も維持され、リフトピン77の下降についても、移動方向がZ軸方向に規制される。   On the other hand, when the wafer W (lift pins 77) descends in the −Z direction, the control unit CONT drives the mover 73a in the VCM 73 in the + Z direction, contrary to the above. Thereby, the elastic deformation is eliminated by the elastic restoring force of the leaf spring 72b, and the plate spring 72b returns to the flat plate shape. Accordingly, the elastic deformation of the leaf spring 72a is also eliminated, and the base 71 and the lift pin 77 are lowered. Since the elastic deformation of the leaf springs 72a and 72b is maintained until just before returning to the flat plate shape, the above-described virtual linear motion guide mechanism by the elastic hinge is also maintained, and the movement direction of the lift pin 77 is lowered in the Z-axis direction. Regulated by

このように、本実施の形態では、非接触で機械的磨耗を伴わない弾性ヒンジによりリフトピン77の移動をガイドするため、リフトピン77の駆動回数が増大しても、磨耗に起因するガイド精度の低下を招かずに再現性を確保することができる。従って、本実施形態では、ウエハホルダWHへのウエハWの搭載の再現性が高くなり、高いパターン精度を有する高品質のウエハ(デバイス)を得ることが可能になる。   As described above, in this embodiment, since the movement of the lift pin 77 is guided by the elastic hinge that is non-contact and does not involve mechanical wear, even if the number of times the lift pin 77 is driven increases, the guide accuracy is reduced due to wear. Reproducibility can be ensured without inviting. Therefore, in this embodiment, the reproducibility of mounting the wafer W on the wafer holder WH is improved, and a high-quality wafer (device) having high pattern accuracy can be obtained.

また、本実施形態では、このガイド装置72を板バネ72a、72bという簡素な部材で構成しているため、装置の小型化及び低価格化に寄与できる。
さらに、本実施の形態では、一対の板バネ72a、72bによりガイド装置72を構成することで、僅かな厚さ増加でリフトピン77の移動ストロークを容易に大きく(二倍に)することが可能である。
Moreover, in this embodiment, since this guide apparatus 72 is comprised with the simple member called leaf | plate spring 72a, 72b, it can contribute to size reduction and price reduction of an apparatus.
Furthermore, in the present embodiment, the guide device 72 is configured by the pair of leaf springs 72a and 72b, so that the movement stroke of the lift pin 77 can be easily increased (doubled) with a slight increase in thickness. is there.

(第2実施形態)
続いて、本発明の第2実施形態について、図4(a)、(b)を参照して説明する。
上記第1実施形態では、リフトピン77を駆動するためのVCM73において、可動子73aをZ軸方向に駆動する構成としたが、第2実施形態では、Z軸方向と直交する方向に駆動する場合について説明する。
なお、これらの図において、図1乃至図3に示す第1実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 (a) and 4 (b).
In the first embodiment, the VCM 73 for driving the lift pin 77 is configured to drive the mover 73a in the Z-axis direction. However, in the second embodiment, the VCM 73 is driven in a direction orthogonal to the Z-axis direction. explain.
In these drawings, the same components as those of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 3 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

図4(a)に示すように、本実施形態では、VCM73が、板バネ72a、72bの両端部にそれぞれ設けられている。各VCM73においては、可動子73aが板バネ72a、72bの端部に当接してX軸方向に沿って推力を付与するように配置されている。
他の構成は、上記第1実施形態と同様である。
As shown in FIG. 4A, in this embodiment, VCMs 73 are provided at both ends of the leaf springs 72a and 72b, respectively. In each VCM 73, the mover 73 a is disposed so as to abut against the end portions of the leaf springs 72 a and 72 b and apply thrust along the X-axis direction.
Other configurations are the same as those of the first embodiment.

上記の構成のガイド装置72では、リフトピン77がウエハホルダWHの上面から没入する位置にあり、板バネ72a、72bが平板状にある図4(a)に示す状態から、互いに接近する方向に可動子73aを駆動すると、互いに接近する方向には抵抗が大きく変形しづらいことから、図4(b)に示すように、互いに離間する方向に弾性変形する。これにより、第1実施形態と同様に、板バネ72aに連結されたベース71及びリフトピン77が板バネ72aの変形量に応じて上昇し、リフトピン77の先端でウエハWを吸着保持しつつ、ウエハホルダWHから離間させる。   In the guide device 72 having the above-described configuration, the lift pin 77 is located at a position where the lift pin 77 is recessed from the upper surface of the wafer holder WH, and the plate springs 72a and 72b are formed in a flat plate shape. When the 73a is driven, the resistance is not easily deformed in the directions approaching each other, and as a result, as shown in FIG. As a result, as in the first embodiment, the base 71 and the lift pins 77 connected to the plate spring 72a are raised according to the deformation amount of the plate spring 72a, and the wafer W is sucked and held at the tip of the lift pin 77 while holding the wafer holder. Separate from WH.

また、ウエハW(リフトピン77)が−Z方向へ下降する際には、上記と逆に、制御装置CONTがVCM73における可動子73aを互いに離間する方向のX方向へ駆動する。これにより、板バネ72a、72bの弾性復元力により弾性変形が解消され、平板状に戻ることになる。従って、ベース71及びリフトピン77は下降する。
このように、本実施形態では、上記第1実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、VCM73が板バネ72a、72bとほぼ同じZ位置(高さ)に配置されるため、Z軸方向の大きさを小さくすることが可能になり、装置の薄型化に寄与できるという効果を奏する。
When the wafer W (lift pins 77) is lowered in the −Z direction, the control device CONT drives the movers 73a in the VCM 73 in the X direction, which is a distance from each other, contrary to the above. As a result, the elastic deformation is eliminated by the elastic restoring force of the leaf springs 72a and 72b, and the plate spring 72a returns to a flat plate shape. Accordingly, the base 71 and the lift pin 77 are lowered.
As described above, in this embodiment, in addition to obtaining the same operation and effect as the first embodiment, the VCM 73 is disposed at substantially the same Z position (height) as the leaf springs 72a and 72b. It becomes possible to reduce the size in the Z-axis direction, and it is possible to contribute to reducing the thickness of the device.

(第3実施形態)
続いて、本発明の第3実施形態について、図5を参照して説明する。
本実施形態では、図5に示すように、板バネ72a、72bの対が、Z軸方向に複数(ここでは4対)積層されている。各板バネ72a、72bの対の両端部には、X軸方向に互いに接近・離間自在に駆動するVCM73が互いに独立して駆動自在にそれぞれ設けられている。隣り合う板バネ72a、72bの対は、中央部においてビス等により連結されている。
他の構成は上記第2実施形態と同様である。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
In the present embodiment, as shown in FIG. 5, a plurality (four pairs in this case) of pairs of leaf springs 72 a and 72 b are stacked in the Z-axis direction. At both ends of the pair of leaf springs 72a and 72b, VCMs 73 that are driven to move toward and away from each other in the X-axis direction are provided independently of each other. Adjacent pairs of leaf springs 72a and 72b are connected by screws or the like at the center.
Other configurations are the same as those of the second embodiment.

本実施形態では、上記第2実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、板バネ72a、72bが複数対設けられているため、リフトピン77(すなわちウエハW)を大きな移動ストロークで駆動することができるとともに、VCM73をそれぞれ個別に駆動することにより、リフトピン77に対して細かな移動パターン(移動速度等)を設定することも可能になる。   In this embodiment, in addition to obtaining the same operation and effect as in the second embodiment, since a plurality of pairs of leaf springs 72a and 72b are provided, the lift pins 77 (that is, the wafer W) can be moved with a large moving stroke. In addition to being able to drive, it is also possible to set a fine movement pattern (movement speed or the like) for the lift pins 77 by individually driving the VCMs 73.

(第4実施形態)
続いて、本発明の第4実施形態について、図6を参照して説明する。
上記第1実施形態では、VCM73がバネ72a、72bを介してベース71及びリフトピン77を上下動させる構成としたが、本実施形態ではベース71に当接して直接駆動する構成としている。
なお、この図において、図1乃至図3に示す第1実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
(Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
In the first embodiment, the VCM 73 is configured to move the base 71 and the lift pin 77 up and down via the springs 72a and 72b. However, in the present embodiment, the VCM 73 is configured to directly contact the base 71 and drive it.
In this figure, the same components as those of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 3 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

本実施形態では、図6に示すように、VCM73の可動子73aがベース71の下面(−Z側の面)に固定されている。また、板バネ72a、72bは、それぞれがVCM73を跨ぐようにX軸方向に二分割されている。板バネ72aのVCM73側の端部は、それぞれベース71にビス等により締結固定されている。また、板バネ72bのVCM73側の端部は、それぞれXYテーブル62にビス等により締結固定されている。
他の構成は、上記第1実施形態と同様である。
In the present embodiment, as shown in FIG. 6, the mover 73 a of the VCM 73 is fixed to the lower surface (the surface on the −Z side) of the base 71. Further, the leaf springs 72a and 72b are divided into two in the X-axis direction so as to straddle the VCM 73, respectively. The ends of the leaf springs 72a on the VCM 73 side are fastened and fixed to the base 71 by screws or the like. Further, the end of the leaf spring 72b on the VCM 73 side is fastened and fixed to the XY table 62 by screws or the like.
Other configurations are the same as those of the first embodiment.

上記構成では、VCM73の可動子73aの+Z方向への駆動により、ベース71、リフトピン77(及びウエハW)は上昇する。このとき、ベース71と連結された板バネ72aと、この板バネ72aと結合された板バネ72bとは弾性変形して、変形部Hが弾性ヒンジ部として機能するため、リフトピン77のZ軸方向への移動をガイドする仮想的な直動ガイド機構を構成することになる。これは、ベース71及びリフトピン77が下降する際も同様である。   In the above configuration, the base 71 and the lift pins 77 (and the wafer W) are raised by driving the mover 73a of the VCM 73 in the + Z direction. At this time, the leaf spring 72a coupled to the base 71 and the leaf spring 72b coupled to the leaf spring 72a are elastically deformed, and the deformed portion H functions as an elastic hinge portion. A virtual linear motion guide mechanism that guides the movement to is constructed. This is the same when the base 71 and the lift pin 77 are lowered.

このように、本実施形態では、上記第1実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、VCM73により直接ベース71を駆動するため、ベース71の位置(すなわち、リフトピン77及びウエハW)の位置及び動作の再現性を高精度で制御することが可能になる。   As described above, in the present embodiment, in addition to obtaining the same operation and effect as in the first embodiment, the base 71 is directly driven by the VCM 73, so that the position of the base 71 (that is, the lift pins 77 and the wafer W). ) Position and motion reproducibility can be controlled with high accuracy.

(第5実施形態)
続いて、本発明の第5実施形態について、図7を参照して説明する。
上記第1〜第4実施形態では、リニアスケールセンサーや、ロータリーエンコーダによってリフトピン77の位置を計測する構成としたが、本実施形態では歪みセンサーを用いて計測する場合について説明する。
なお、この図において、図6に示す第4実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
(Fifth embodiment)
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
In the first to fourth embodiments, the position of the lift pin 77 is measured using a linear scale sensor or a rotary encoder. In the present embodiment, a case where measurement is performed using a strain sensor will be described.
In this figure, the same components as those of the fourth embodiment shown in FIG. 6 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

本実施形態では、図7に示すように、一方の板バネ72aの表面、より詳細には変形部Hの位置に歪センサー(計測装置)85が貼設されている。歪センサー85は、板バネ72aの変形に伴う抵抗値を制御装置CONTに出力する。制御装置CONTは、歪センサー85から出力された抵抗値の変化量に基づいて、演算装置として板バネ72aの撓量(歪量)を演算するとともに、梁の撓み式を用いてリフトピン77のZ方向の位置を演算する。
他の構成は、上記第4実施形態と同様である。
In the present embodiment, as shown in FIG. 7, a strain sensor (measuring device) 85 is attached to the surface of one leaf spring 72 a, more specifically, to the position of the deformed portion H. The strain sensor 85 outputs a resistance value associated with the deformation of the leaf spring 72a to the control device CONT. The control device CONT calculates the bending amount (strain amount) of the leaf spring 72a as an arithmetic device based on the change amount of the resistance value output from the strain sensor 85, and uses the beam bending equation to calculate the Z of the lift pin 77. Calculate the position of the direction.
Other configurations are the same as those in the fourth embodiment.

上記の構成では、VCM73の駆動によりベース71が移動した場合に板バネ72aが弾性ヒンジ装置として弾性変形してリフトピン77のZ方向の移動をガイドする。
このとき、板バネ72aの弾性変形によって生じた歪センサー85の抵抗値の変化は、制御装置CONTによって撓量として計測され、さらに上記梁の撓み式を用いてリフトピン77のZ方向の位置が演算・計測される。そして、制御装置CONTは、演算したリフトピン77のZ方向の位置に基づき、リフトピン77が所定の位置に移動するべく、VCM73(の可動子73a)の駆動を制御する。
In the above configuration, when the base 71 is moved by driving the VCM 73, the leaf spring 72a is elastically deformed as an elastic hinge device to guide the movement of the lift pin 77 in the Z direction.
At this time, the change in the resistance value of the strain sensor 85 caused by the elastic deformation of the leaf spring 72a is measured as a deflection amount by the control device CONT, and the position of the lift pin 77 in the Z direction is calculated using the beam deflection formula.・ Measured. Then, the control device CONT controls the drive of the VCM 73 (the movable element 73a) so that the lift pin 77 moves to a predetermined position based on the calculated position of the lift pin 77 in the Z direction.

このように、本実施形態では、上記第4実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、板バネ72aに貼設した歪センサー85を用いるという簡素な構成でリフトピン77のZ方向の位置を計測できるため、装置構成の簡素化及び低価格化に寄与できる。また、本実施の形態では、リニアスケールセンサーやロータリーエンコーダと比べて配線本数を減らすことができ、結果として振動等、配線に起因する外乱を抑制することが可能になり、露光精度に与える悪影響を低減することができる。
さらに、歪センサー85自体の発熱もリニアスケールセンサーやロータリーエンコーダと比べて減ることに加えて、電気配線の本数が減ることから、配線からの発熱も抑制できるため、空気揺らぎ等の発生を抑えて、露光精度の低下も抑制することが可能になる。
As described above, in this embodiment, in addition to obtaining the same operation and effect as the fourth embodiment, the Z direction of the lift pin 77 can be achieved with a simple configuration using the strain sensor 85 attached to the leaf spring 72a. Therefore, it is possible to contribute to simplification of the device configuration and cost reduction. In the present embodiment, the number of wirings can be reduced as compared with the linear scale sensor and the rotary encoder, and as a result, it is possible to suppress disturbances caused by the wiring such as vibrations, which has an adverse effect on the exposure accuracy. Can be reduced.
Furthermore, since the heat generation of the strain sensor 85 itself is reduced as compared with the linear scale sensor and the rotary encoder, the number of electrical wirings is reduced, so that the heat generation from the wirings can be suppressed, thereby suppressing the occurrence of air fluctuations and the like. Further, it is possible to suppress a decrease in exposure accuracy.

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。   As described above, the preferred embodiments according to the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to the examples. Various shapes, combinations, and the like of the constituent members shown in the above-described examples are examples, and various modifications can be made based on design requirements and the like without departing from the gist of the present invention.

例えば、上記実施形態では、リフトピン77の移動ストロークを確保するために、板バネ72a、72bを対で設ける構成としたが、弾性変形量が大きい板バネを適宜選択した場合や、リフトピン77の移動ストロークが小さい場合には、板バネを単体で設ける構成としてもよい。
また、上記実施形態では、リフトピン77の駆動力付与にVCMを用いる構成としたが、これに限定されるものではなく、例えばエアシリンダ等の他のアクチュエータを用いる構成としてもよい。
For example, in the above-described embodiment, the leaf springs 72a and 72b are provided as a pair in order to ensure the movement stroke of the lift pin 77. However, when a leaf spring having a large elastic deformation amount is appropriately selected, or when the lift pin 77 moves. When the stroke is small, the plate spring may be provided alone.
Moreover, in the said embodiment, although it was set as the structure which uses VCM for the drive force provision of the lift pin 77, it is not limited to this, For example, it is good also as a structure which uses other actuators, such as an air cylinder.

また、上記実施形態では、本発明に係る基板支持装置を露光装置に適用するものとして説明したが、これに限られるものではなく、例えば基板(ウエハ)に形成されたパターン精度(パターン線幅や位置)を計測処理を実施する計測装置やコータデベロッパにおける基板を支持する装置等、基板に対して各種の処理を施す処理装置に広く適用可能である。   In the above embodiment, the substrate support apparatus according to the present invention is described as being applied to an exposure apparatus. However, the present invention is not limited to this. For example, the pattern accuracy (pattern line width or pattern line) formed on the substrate (wafer) is not limited thereto. The present invention can be widely applied to a processing apparatus that performs various processes on a substrate, such as a measuring apparatus that performs measurement processing of a position) or an apparatus that supports a substrate in a coater developer.

なお、上記各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。   The substrate P in each of the above embodiments is not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus. (Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.

露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。また、本発明は基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。   As the exposure apparatus EX, in addition to the step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the mask M by moving the mask M and the substrate P synchronously, the mask M and the substrate P Can be applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) in which the pattern of the mask M is collectively exposed while the substrate P is stationary and the substrate P is sequentially moved stepwise. The present invention can also be applied to a step-and-stitch type exposure apparatus that partially transfers at least two patterns on the substrate P.

露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。   The type of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern on the substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD). ) Or an exposure apparatus for manufacturing reticles or masks.

また、本発明が適用される露光装置の光源には、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(193nm)、Fレーザ(157nm)等のみならず、g線(436nm)及びi線(365nm)を用いることができる。さらに、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもよい。また、上記実施形態では、反射屈折型の投影光学系を例示したが、これに限定されるものではなく、投影光学系の光軸(レチクル中心)と投影領域の中心とが異なる位置に設定される屈折型の投影光学系にも適用可能である。 The light source of the exposure apparatus to which the present invention is applied includes not only KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F 2 laser (157 nm), but also g-line (436 nm) and i-line (365 nm). ) Can be used. Further, the magnification of the projection optical system may be not only a reduction system but also an equal magnification or an enlargement system. In the above embodiment, the catadioptric projection optical system is exemplified, but the present invention is not limited to this, and the optical axis (reticle center) of the projection optical system and the center of the projection area are set at different positions. It can also be applied to a refraction type projection optical system.

また、本発明は、投影光学系と基板との間に局所的に液体を満たし、該液体を介して基板を露光する、所謂液浸露光装置にも適用することができる。液浸露光装置については、国際公開第99/49504号パンフレットに開示されている。さらに、本発明は、特開平6−124873号公報、特開平10−303114号公報、米国特許第5,825,043号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。   The present invention can also be applied to a so-called immersion exposure apparatus in which a liquid is locally filled between the projection optical system and the substrate, and the substrate is exposed through the liquid. The immersion exposure apparatus is disclosed in International Publication No. 99/49504 pamphlet. Further, in the present invention, the entire surface of the substrate to be exposed as disclosed in JP-A-6-124873, JP-A-10-303114, US Pat. No. 5,825,043 and the like is in the liquid. The present invention is also applicable to an immersion exposure apparatus that performs exposure while being immersed.

また、本発明は、基板ステージ(ウエハステージ)が複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平10−163099号公報及び特開平10−214783号公報(対応米国特許6,341,007号、6,400,441号、6,549,269号及び6,590,634号)、特表2000−505958号(対応米国特許5,969,441号)或いは米国特許6,208,407号に開示されている。更に、本発明を本願出願人が先に出願した特願2004−168481号のウエハステージに適用してもよい。   The present invention can also be applied to a twin stage type exposure apparatus provided with a plurality of substrate stages (wafer stages). The structure and exposure operation of a twin stage type exposure apparatus are described in, for example, Japanese Patent Laid-Open Nos. 10-163099 and 10-214783 (corresponding US Pat. Nos. 6,341,007, 6,400,441, 6,549). , 269 and 6,590,634), JP 2000-505958 (corresponding US Pat. No. 5,969,441) or US Pat. No. 6,208,407. Furthermore, the present invention may be applied to the wafer stage disclosed in Japanese Patent Application No. 2004-168482 filed earlier by the present applicant.

また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。
なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
An exposure apparatus to which the present invention is applied assembles various subsystems including the constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. It is manufactured by. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus.
The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.

次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図22は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップS10(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS11(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクル)を製作する。一方、ステップS12(ウエハ製造ステップ)において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップS13(ウエハ処理ステップ)において、ステップS10〜ステップS12で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS14(デバイス組立ステップ)において、ステップS13で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップS14には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS15(検査ステップ)において、ステップS14で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
Next, an embodiment of a manufacturing method of a micro device using the exposure apparatus and the exposure method according to the embodiment of the present invention in the lithography process will be described. FIG. 22 is a flowchart illustrating a manufacturing example of a micro device (a semiconductor chip such as an IC or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head, a micromachine, or the like).
First, in step S10 (design step), function / performance design (for example, circuit design of a semiconductor device) of a micro device is performed, and pattern design for realizing the function is performed. Subsequently, in step S11 (mask manufacturing step), a mask (reticle) on which the designed circuit pattern is formed is manufactured. On the other hand, in step S12 (wafer manufacturing step), a wafer is manufactured using a material such as silicon.
Next, in step S13 (wafer processing step), using the mask and wafer prepared in steps S10 to S12, an actual circuit or the like is formed on the wafer by lithography or the like, as will be described later. Next, in step S14 (device assembly step), device assembly is performed using the wafer processed in step S13. This step S14 includes processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process (chip encapsulation) as necessary. Finally, in step S15 (inspection step), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the microdevice manufactured in step S14 are performed. After these steps, the microdevice is completed and shipped.

図9は、半導体デバイスの場合におけるステップS13の詳細工程の一例を示す図である。
ステップS21(酸化ステップ)おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップS22(CVDステップ)においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップS23(電極形成ステップ)においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS24(イオン打込みステップ)においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップS21〜ステップS24のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS25(レジスト形成ステップ)において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップS26(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置)及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップS27(現像ステップ)においては露光されたウエハを現像し、ステップS28(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS29(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a detailed process of step S13 in the case of a semiconductor device.
In step S21 (oxidation step), the surface of the wafer is oxidized. In step S22 (CVD step), an insulating film is formed on the wafer surface. In step S23 (electrode formation step), an electrode is formed on the wafer by vapor deposition. In step S24 (ion implantation step), ions are implanted into the wafer. Each of the above steps S21 to S24 constitutes a pre-processing process at each stage of the wafer processing, and is selected and executed according to a necessary process at each stage.
At each stage of the wafer process, when the above pre-process is completed, the post-process is executed as follows. In this post-processing process, first, in step S25 (resist formation step), a photosensitive agent is applied to the wafer. Subsequently, in step S26 (exposure step), the circuit pattern of the mask is transferred to the wafer by the lithography system (exposure apparatus) and the exposure method described above. Next, in step S27 (development step), the exposed wafer is developed, and in step S28 (etching step), exposed members other than the portion where the resist remains are removed by etching. In step S29 (resist removal step), the resist that has become unnecessary after the etching is removed. By repeatedly performing these pre-processing steps and post-processing steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.

また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、DUV(深紫外)やVUV(真空紫外)光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のX線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク(ステンシルマスク、メンブレンマスク)が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、WO99/34255号、WO99/50712号、WO99/66370号、特開平11−194479号、特開2000−12453号、特開2000−29202号等に開示されている。   Further, in order to manufacture reticles or masks used in not only microdevices such as semiconductor elements but also light exposure apparatuses, EUV exposure apparatuses, X-ray exposure apparatuses, electron beam exposure apparatuses, etc., from mother reticles to glass substrates and The present invention can also be applied to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern to a silicon wafer or the like. Here, in an exposure apparatus using DUV (deep ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet) light, or the like, a transmission type reticle is generally used. As a reticle substrate, quartz glass, fluorine-doped quartz glass, fluorite, Magnesium fluoride or quartz is used. In proximity-type X-ray exposure apparatuses, electron beam exposure apparatuses, and the like, a transmissive mask (stencil mask, membrane mask) is used, and a silicon wafer or the like is used as a mask substrate. Such an exposure apparatus is disclosed in WO99 / 34255, WO99 / 50712, WO99 / 66370, JP-A-11-194479, JP-A2000-12453, JP-A-2000-29202, and the like. .

本発明の実施の形態を示す図であって、露光装置EXの概略構成を示す図である。FIG. 2 is a view showing an embodiment of the present invention, and is a view showing a schematic configuration of an exposure apparatus EX. ウエハステージWSTの側断面図である。It is a sectional side view of wafer stage WST. ウエハ上昇時のウエハステージWSTの側断面図である。It is a sectional side view of wafer stage WST at the time of wafer rising. 第2実施形態におけるウエハステージWSTの側断面図である。It is a sectional side view of wafer stage WST in 2nd Embodiment. 第3実施形態におけるウエハステージWSTの側断面図である。It is a sectional side view of wafer stage WST in 3rd Embodiment. 第4実施形態におけるウエハステージWSTの側断面図である。It is a sectional side view of wafer stage WST in 4th Embodiment. 第5実施形態におけるウエハステージWSTの側断面図である。It is a sectional side view of wafer stage WST in 5th Embodiment. マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。It is a flowchart figure which shows an example of the manufacturing process of a microdevice. 図8におけるステップS13の詳細工程の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the detailed process of step S13 in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

CONT…制御装置(演算装置)、 EX…露光装置、 W…ウエハ(基板)、 WST…ウエハステージ(処理部)、 70…リフト機構(基板支持装置、支持部)、 72…ガイド装置(弾性ヒンジ装置)、 73…VCM(駆動装置)、 85…歪センサー(計測装置)
CONT ... control device (arithmetic unit), EX ... exposure device, W ... wafer (substrate), WST ... wafer stage (processing unit), 70 ... lift mechanism (substrate support device, support unit), 72 ... guide device (elastic hinge) Device) 73 ... VCM (drive device), 85 ... strain sensor (measuring device)

Claims (12)

基板を支持して所定方向に移動させる基板支持装置であって、
弾性変形により前記基板の移動方向を前記所定方向に規制する弾性ヒンジ装置を備えることを特徴とする基板支持装置。
A substrate support device for supporting a substrate and moving it in a predetermined direction,
An apparatus for supporting a substrate, comprising: an elastic hinge device for restricting a moving direction of the substrate to the predetermined direction by elastic deformation.
請求項1記載の基板支持装置において、
前記弾性ヒンジ装置は、板バネを有することを特徴とする基板支持装置。
The substrate support apparatus according to claim 1,
The elastic hinge device has a leaf spring, and the substrate support device.
請求項2記載の基板支持装置において、
前記板バネを複数設け、各板バネを前記所定方向に連なるように配設したことを特徴とする基板支持装置。
The substrate support apparatus according to claim 2, wherein
A substrate supporting apparatus, comprising a plurality of the leaf springs, wherein the leaf springs are arranged in a row in the predetermined direction.
請求項3記載の基板支持装置において、
前記一対の板バネが前記所定方向に複数積層されることを特徴とする基板支持装置。
The substrate support apparatus according to claim 3, wherein
A plurality of the pair of leaf springs are stacked in the predetermined direction.
請求項1から4のいずれかに記載の基板支持装置において、
前記弾性ヒンジ装置を弾性変形させて、前記基板を移動させる駆動装置を有することを特徴とする基板支持装置。
The substrate supporting apparatus according to any one of claims 1 to 4,
A substrate supporting apparatus comprising a driving device that moves the substrate by elastically deforming the elastic hinge device.
請求項5記載の基板支持装置において、
前記弾性ヒンジ装置は、前記基板の移動方向と略直交する第2方向に延在して設けられ、
前記駆動装置は、前記弾性ヒンジ装置に対して前記第2方向に推力を付与することを特徴とする基板支持装置。
The substrate support apparatus according to claim 5, wherein
The elastic hinge device is provided to extend in a second direction substantially orthogonal to the moving direction of the substrate,
The substrate support device, wherein the driving device applies a thrust force in the second direction to the elastic hinge device.
請求項1から6のいずれかに記載の基板支持装置において、
前記弾性ヒンジ装置の変形に関する情報を計測する計測装置と、
前記計測装置の計測結果に基づいて、前記基板の前記所定方向の位置を演算する演算装置とを有することを特徴とする基板支持装置。
In the board | substrate support apparatus in any one of Claim 1 to 6,
A measuring device for measuring information on deformation of the elastic hinge device;
A substrate support device comprising: an arithmetic device that calculates a position of the substrate in the predetermined direction based on a measurement result of the measurement device.
基板に対して所定の処理を施す処理部と、
前記基板を支持して移動する支持部とを有し、
前記支持部として請求項1から7のいずれかに記載の基板支持装置が設けられていることを特徴とする処理装置。
A processing unit for performing predetermined processing on the substrate;
A support unit that supports and moves the substrate;
A processing apparatus, comprising the substrate support apparatus according to claim 1 as the support section.
基板を用いて露光処理を行う露光装置であって、
前記基板を支持して移動する基板支持装置として、請求項1から7のいずれかに記載の基板支持装置が設けられていることを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus that performs an exposure process using a substrate,
An exposure apparatus comprising the substrate support apparatus according to claim 1 as a substrate support apparatus that moves while supporting the substrate.
基板を支持して所定方向に移動させる基板支持方法であって、
前記基板の移動の際に、弾性ヒンジ装置の弾性変形により前記基板の移動方向を前記所定方向に規制するステップを有することを特徴とする基板支持方法。
A substrate support method for supporting a substrate and moving it in a predetermined direction,
A substrate support method comprising the step of restricting the moving direction of the substrate to the predetermined direction by elastic deformation of an elastic hinge device when the substrate is moved.
請求項10記載の基板支持方法において、
前記弾性ヒンジ装置の変形に関する情報を計測するステップと、
計測して前記変形に基づいて、前記基板の前記所定方向の位置を演算するステップとを有することを特徴とする基板支持方法。
The substrate supporting method according to claim 10,
Measuring information relating to deformation of the elastic hinge device;
And a step of calculating a position of the substrate in the predetermined direction based on the deformation.
請求項10または11記載の基板支持方法を用いて基板を支持することを特徴とするデバイス製造方法。
A device manufacturing method, comprising: supporting a substrate using the substrate supporting method according to claim 10.
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