JP2008055820A - モールドおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】複雑なパターン形状を容易にかつ少ない工程で作製でき、さらに凹凸の高さがそろったモールドとその製造方法を提供する。
【解決手段】モールド1は、基板3の一つの面に凸状のレジストパターン5が形成された構造を有している。基板3表面に、スピンまたはスプレー法でレジストを塗布し、レジスト層7を形成する。次に、電子線によりパターンをレジスト層7に描画し、現像を経て基板上に凹凸形状2を得る。レジストパターン5をシリル化により硬化し、モールド1を得る。またこれらの工程を繰り返すことにより、モールド1を得る。複雑なパターン形状を容易にかつ少ない工程で作製でき、さらに凹凸の高さがそろったモールドとその製造方法を提供することができる。
【選択図】図1
【解決手段】モールド1は、基板3の一つの面に凸状のレジストパターン5が形成された構造を有している。基板3表面に、スピンまたはスプレー法でレジストを塗布し、レジスト層7を形成する。次に、電子線によりパターンをレジスト層7に描画し、現像を経て基板上に凹凸形状2を得る。レジストパターン5をシリル化により硬化し、モールド1を得る。またこれらの工程を繰り返すことにより、モールド1を得る。複雑なパターン形状を容易にかつ少ない工程で作製でき、さらに凹凸の高さがそろったモールドとその製造方法を提供することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、ナノインプリントに用いられるモールドおよびその製造方法に関するものである。
近年、数十ナノメートルの微細パターン転写が容易で、しかも低コストで量産加工できる技術としてナノインプリント技術が注目されている。
ナノインプリントとは、ナノレベルの微小な凹凸のあるモールドを、樹脂などの被加工基板に押し付けてモールドの微小な凹凸形状を転写する微細成形加工技術であり、主に、熱転写方式と光硬化方式とに分類される。
ナノインプリントプロセスにおいて、モールドは成形加工品の品質に影響を及ぼすため、モールドの素材開発と、その素材への三次元の微細形状加工技術の開発が求められている。
このモールドの製造方法は、リソグラフィとエッチングにより為されるのが一般的である(例えば、特許文献1)。
特許文献1では、モールドの材料となる基板表面へのレジスト塗布、露光、現像を行い、レジストをマスクとしたエッチングを行うことで、モールドを得ている。
特許文献1では、モールドの材料となる基板表面へのレジスト塗布、露光、現像を行い、レジストをマスクとしたエッチングを行うことで、モールドを得ている。
また、複雑な三次元パターン形状を有し、かつ加工が容易であるモールドの開発が進められている(例えば、特許文献2)。
特許文献2では、基板と、該基板の一方の表面に形成された高さの異なる複数の凸部とを有し、該凸部のうち高さの高い凸部は少なくとも2種類以上の材料を少なくとも2層以上積層した積層構造を有すスタンパについて開示されている。
特開平10−96808号公報
特開2004−71587号公報
特許文献2では、基板と、該基板の一方の表面に形成された高さの異なる複数の凸部とを有し、該凸部のうち高さの高い凸部は少なくとも2種類以上の材料を少なくとも2層以上積層した積層構造を有すスタンパについて開示されている。
上述のモールド作製方法では、同一面内に異なる面積のパターン、ないし同一面積であっても形状が異なるパターンがモールドに存在する場合、面内のパターン全てが同一の深さになるようにエッチングすることは困難である。
また特許文献2のように、同一高さのパターン各層を異なるエッチングレートの材料で構成する場合、膜材料及び膜形成装置にコストがかかり、またそのプロセスに時間を要すため、生産性の向上が望まれていた。
本発明は、前述した問題点に鑑みてなされたもので、その目的とすることは複雑なパターン形状を容易にかつ少ない工程で作製でき、さらに凹凸の高さがそろったモールドとその製造方法を提供することである。
前述した目的を達成するために、本発明は、ナノインプリント用モールドであって、基板と、前記基板の上面にレジストにより形成された微小凹凸と、を有し、前記レジストがシリル化による硬化が為されていることを特徴とするモールドである。
また、前記レジストが、少なくとも1種類以上のレジストで少なくとも1層以上積層した構造であることを特徴としている。
また、前記レジストにより微小凹凸が構成されている面側において前記基板が凹凸を有していることを特徴としている。
また、前記レジストが、少なくとも1種類以上のレジストで少なくとも1層以上積層した構造であることを特徴としている。
また、前記レジストにより微小凹凸が構成されている面側において前記基板が凹凸を有していることを特徴としている。
また、第2の発明は、ナノインプリント用モールドの製造方法であって、基板の上面にレジスト層を塗布する工程(a)と、前記レジスト層にて微小凹凸を形成する工程(b)と、前記レジスト層をシリル化する工程(c)と、を有することを特徴とするモールドの製造方法である。
また、ナノインプリント用モールドの製造方法であって、前記レジスト上に第2のレジスト層を塗布する工程(d)と、前記第2のレジスト層にて微小凹凸を形成する工程(e)と、前記微小凹凸形状を構成するレジストをシリル化する工程(f)と、を有し、工程(d)〜工程(f)を繰り返すことを特徴とする請求項4記載のモールドの製造方法である。
また、前記レジストにより微小凹凸が構成されている面側において前記基板が凹凸を有していることを特徴としている。
また、ナノインプリント用モールドの製造方法であって、前記レジスト上に第2のレジスト層を塗布する工程(d)と、前記第2のレジスト層にて微小凹凸を形成する工程(e)と、前記微小凹凸形状を構成するレジストをシリル化する工程(f)と、を有し、工程(d)〜工程(f)を繰り返すことを特徴とする請求項4記載のモールドの製造方法である。
また、前記レジストにより微小凹凸が構成されている面側において前記基板が凹凸を有していることを特徴としている。
さらに、第3の発明は、ナノインプリント用モールドの製造方法であって、基板の上面にレジスト層を塗布する工程(a)と、前記レジスト層を選択的にシリル化する工程(b)と、前記レジスト層にてシリル化された部分が凸部となるように微小凹凸を形成する工程(c)と、を有することを特徴とするモールドの製造方法である。
また、前記レジスト上に第2のレジスト層を塗布する工程(d)と、前記第2のレジスト層を選択的にシリル化する工程(e)と、前記第2のレジスト層にてシリル化された部分が凸部となるように微小凹凸を形成する工程(f)と、を有し、工程(d)〜工程(f)を繰り返すことを特徴とする請求項7記載のモールドの製造方法である。
また、前記レジストにより微小凹凸が構成されている面側において前記基板が凹凸を有していることを特徴としている。
また、前記レジスト上に第2のレジスト層を塗布する工程(d)と、前記第2のレジスト層を選択的にシリル化する工程(e)と、前記第2のレジスト層にてシリル化された部分が凸部となるように微小凹凸を形成する工程(f)と、を有し、工程(d)〜工程(f)を繰り返すことを特徴とする請求項7記載のモールドの製造方法である。
また、前記レジストにより微小凹凸が構成されている面側において前記基板が凹凸を有していることを特徴としている。
本発明により、複雑なパターン形状を容易にかつ少ない工程で作製でき、さらに凹凸の高さがそろったモールドとその製造方法を提供することができる。
以下、図面に基づいて本発明の実施形態に係るナノインプリント用モールド及びその製造方法について説明する。
図1は、第1の実施形態に係るモールド1の断面図である。
モールド1は、基板3を有し、基板3の一つの面には凸状のレジスト層7が形成され、基板3とレジスト層7とで微小な凹凸形状2が構成されている。
なお、レジスト層7は、後述するシリル化による硬化処理が為されている。
モールド1は、基板3を有し、基板3の一つの面には凸状のレジスト層7が形成され、基板3とレジスト層7とで微小な凹凸形状2が構成されている。
なお、レジスト層7は、後述するシリル化による硬化処理が為されている。
基板3は、レジスト層7を保持すると共に、凹凸形状2の一部を構成する部材である。
基板3を構成する材料としては、半導体材料として、シリコン(Si)、酸化シリコン(SiO2)、炭化シリコン(SiC)、および窒化シリコン(SiN)等が挙げられる。
基板3を構成する材料としては、半導体材料として、シリコン(Si)、酸化シリコン(SiO2)、炭化シリコン(SiC)、および窒化シリコン(SiN)等が挙げられる。
また、金属材料として、アルミニウム(Al)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、および銅(Cu)等がある。
さらに、誘電体材料としてセラミックスが、またガラス及び光学材料として石英、ソーダガラス、立方晶窒化ホウ素等が挙げられる。
また、ダイヤモンドやDLC(ダイヤモンドライクカーボン)も挙げられる。
さらに、誘電体材料としてセラミックスが、またガラス及び光学材料として石英、ソーダガラス、立方晶窒化ホウ素等が挙げられる。
また、ダイヤモンドやDLC(ダイヤモンドライクカーボン)も挙げられる。
ここで、基板3は、後述するシリル化したレジストとの結合を強固にするため、シリコンを含む材料を用いることが望ましい。
従って、上記の材料のうち、シリコン(Si)、酸化シリコン(SiO2)、炭化シリコン(SiC)、および窒化シリコン(SiN)、石英、ソーダライムガラス等を用いるのが特に望ましい。
従って、上記の材料のうち、シリコン(Si)、酸化シリコン(SiO2)、炭化シリコン(SiC)、および窒化シリコン(SiN)、石英、ソーダライムガラス等を用いるのが特に望ましい。
一方、レジスト層7の材料としては、シリル化により硬化するレジストを使用する。
シリル化とは、ある特定原子ないし分子、官能基をシリコンないしそれを含む分子や官能基と置換することであり、活性水素との置換が一般的である。
一般的に、有機化合物におけるシリル化は、化合物中に含まれる水酸基、カルボキシル基、アミド基、メルカプト基等に含まれる活性水素を、シリル化剤にさらす方法が最も平易であり、この処理により、ケイ素に置換される。
従って、レジストの材料としては、水酸基を多く含むノボラック系であることが望ましい。
従って、レジストの材料としては、水酸基を多く含むノボラック系であることが望ましい。
シリル化により、活性水素がケイ素に置換されると、レジスト表面がSi−O結合を含むことになり、シリル化前と比べてレジストが硬化する。
また、溶剤耐性が向上するため、ナノインプリントに用いたとき、転写樹脂に腐食されにくくなる。
また、溶剤耐性が向上するため、ナノインプリントに用いたとき、転写樹脂に腐食されにくくなる。
また、シリル化したレジスト表面は、石英表面およびシリコン表面表面ともSi−O結合、もしくはSi−Si結合を為す強固な結合状態となるため、基板3がシリコンを含む組成である場合、シリル化前と比べて硬度、剥離強度の向上が為される。
なお、レジスト層7の厚さは、目的とするパターンの深さによるが、パターンの幅と深さの比を示すアスペクト比で表すと、アスペクト比が0.1〜10であることが好ましい。
次に、モールド1の製造方法を説明する。図2は基板3を出発材料とするモールド1の製造工程を示すフローチャートであり、図3は図2の各工程を示す図である。
まず、図3(a)に示すように、基板3の表面に、スピンまたはスプレー法でレジストを塗布し、レジスト層7を形成する(図2のステップ101)。
次に、図3(b)に示すように、電子線によりパターンをレジスト層7に描画することにより、レジスト層7を選択的に露光して露光部4a、4bを形成する(図2のステップ102)。
次に、図3(c)に示すように、レジスト層7を現像して露光部4a、4bを除去し、モールド1の表面にパターン形状としての凹凸形状2を得る(図2のステップ103)。
なお、その他の凹凸形状2の形成方法として、レーザー描画、UV露光があり、いずれの場合も、現像を経て凹凸形状2を得ることができる。
なお、その他の凹凸形状2の形成方法として、レーザー描画、UV露光があり、いずれの場合も、現像を経て凹凸形状2を得ることができる。
また、第1の実施形態では、レジストは露光された箇所が現像にて除去される、いわゆるポジ型レジストを用いて説明を行っている。しかし、露光領域が残るネガ型レジストを用いた場合においても同様の効果が得られる。
最後に、図3(d)に示すように、レジスト層7をシリル化により硬化し、モールド1を得る(図3のステップ104)。
ここで、シリル化の具体的な方法としては、2つの方法がある。
一つはシリル化剤が揮発する密閉環境下にシリル化剤、およびレジストを塗布した基板3を配する方法である。
一つはシリル化剤が揮発する密閉環境下にシリル化剤、およびレジストを塗布した基板3を配する方法である。
この方法は、レジストと接触するシリル化剤の量が少ないので、接触したシリル化剤の表面張力により、レジストが損傷する恐れが小さいという利点があるが、シリル化に時間がかかり、また密閉環境を作るためのコストがかかるという欠点がある。
もう一つは、レジストを塗布した基板3を直接シリル化剤に浸漬させる方法である。
この方法は、設備が簡易で、シリル化に要する時間が短いという利点があるが、レジストと接触するシリル化剤の量が多いので、凹凸形状2のアスペクト比が高い場合、シリル化剤の表面張力で、レジストが損傷する恐れがあるという欠点がある。
この方法は、設備が簡易で、シリル化に要する時間が短いという利点があるが、レジストと接触するシリル化剤の量が多いので、凹凸形状2のアスペクト比が高い場合、シリル化剤の表面張力で、レジストが損傷する恐れがあるという欠点がある。
シリル化剤としてはHMDS(Hexamethyldisilazane)、DMSDEA(Dimethylsilyldimethylamine)、TMSA(N-Trimethylsilylacetamide)、DMSDMA(Dimethylsilyldimethylamine)、TMDS(1,1,3,3−tetramethyldisilazane)、TMSDEA(Trimethylsilyldimethylamine)が挙げられる。
またこれらのような液相のシリル化剤を用いる以外にも、気相シリル化を行う方法もあるが、ここでは略す。
またこれらのような液相のシリル化剤を用いる以外にも、気相シリル化を行う方法もあるが、ここでは略す。
このように第1の実施形態によれば、モールド1の基板3上に設けられたレジスト層7が、シリル化による硬化処理がなされている。
従って、複雑なパターン形状を容易にかつ少ない工程で作製することができる。
従って、複雑なパターン形状を容易にかつ少ない工程で作製することができる。
次に、第2の実施形態について説明する。
図4は基板3を出発材料とするモールド1の製造工程を示すフローチャートであって、図5は図4の各工程を示す図である。
図4は基板3を出発材料とするモールド1の製造工程を示すフローチャートであって、図5は図4の各工程を示す図である。
なお、第2の実施形態において、第1の実施形態と同様の機能を果たす要素には同一の番号を付し、説明を省略する。
第2の実施形態では、モールド1を製造する際に、レジスト層7を選択的にシリル化している。
まず、図5(a)に示すように、基板3の表面に、スピンまたはスプレー法でレジストを塗布し、レジスト層7を形成する(図4のステップ201)。
次に、図5(b)に示すように、電子線によりパターンをレジスト層7に描画することにより、レジスト層7を選択的に露光し、露光部4a、4bを形成する(図4のステップ202)。
次に、図5(c)に示すように、レジスト層7の露光部4a、4b以外の部分を選択的にシリル化し、露光部4a、4b以外のレジスト層7を硬化させる。(図4のステップ203)。
このとき露光が成された領域と、そうではない領域は表面の状態が異なる。
即ち露光により架橋反応等が行われ、それに伴い表面に存在していた原子、分子、あるいは官能基が異なるために、露光されていない箇所のみがシリル化することになる。
このとき露光が成された領域と、そうではない領域は表面の状態が異なる。
即ち露光により架橋反応等が行われ、それに伴い表面に存在していた原子、分子、あるいは官能基が異なるために、露光されていない箇所のみがシリル化することになる。
最後に、図5(d)に示すように、レジスト層7を現像して露光部4a、4bを除去し、モールド1の表面に凹凸形状2を得る(図4のステップ204)。
このように第2の実施形態によれば、モールド1の基板3上に設けられたレジスト層7が、シリル化による硬化処理がなされている。
従って、第1の実施形態と同様の効果を奏する。
従って、第1の実施形態と同様の効果を奏する。
次に、第3の実施形態について説明する。
図6は、第3の実施形態に係るモールド1aの断面図である。
図6は、第3の実施形態に係るモールド1aの断面図である。
なお、第3の実施形態において、第1の実施形態と同様の機能を果たす要素には同一の番号を付し、説明を省略する。
第3の実施形態では、モールド1がレジスト層7とレジスト層7bの多層構造を有している。
第3の実施形態では、モールド1がレジスト層7とレジスト層7bの多層構造を有している。
図6に示すように、モールド1aは、基板3の一つの面に凸状のレジスト層7が形成され、レジスト層7上には、さらに凸状のレジスト層7bが形成されている。
そして、基板3とレジスト層7およびレジスト層7bとで凹凸形状2aが構成されている。
レジスト層7およびレジスト層7bは、シリル化による硬化処理が為されている。
レジスト層7およびレジスト層7bは、シリル化による硬化処理が為されている。
このように、レジスト層は少なくとも1層は基板3上に積層しなければならないが、1層以上であれば2層でもよい。
レジスト層を2層以上積層することにより、第1の実施形態と比べて、より複雑な凹凸形状を形成することができる。
レジスト層を2層以上積層することにより、第1の実施形態と比べて、より複雑な凹凸形状を形成することができる。
次に、モールド1aの製造方法を説明する。図7は図3(d)のモールド1を出発材料とするモールド1aの作製工程を示すフローチャートであって、図8は図7の各工程を示す図である。
まず、第1の実施形態と同様の工程で、基板3上に図3(d)に示すような、シリル化されたレジスト層7を形成する。
次に、図8(a)に示すように、基板3およびレジスト層7の表面に、スピンまたはスプレー法でレジストを塗布し、レジスト層7bを形成する(図7のステップ301)。
次に、図8(a)に示すように、基板3およびレジスト層7の表面に、スピンまたはスプレー法でレジストを塗布し、レジスト層7bを形成する(図7のステップ301)。
次に、図8(b)に示すように、電子線によりパターンをレジスト層7bに描画することにより、レジスト層7bを選択的に露光し、露光部4a、4bを形成する(図7のステップ302)。
次に、図8(c)に示すように、レジスト層7bを現像して露光部4a、4bを除去し、モールド1の表面に凹凸形状2aを得る(図7のステップ303)。
最後に、図8(d)に示すように、レジスト層7bをシリル化により硬化し、モールド1aを得る(図7のステップ304)。
なお、ステップ301〜ステップ304の工程を更に繰り返すことにより、複数の段差を有する複雑な凹凸形状を作製することが可能である。
このように第3の実施形態によれば、モールド1の基板3上に設けられたレジスト層7とレジスト層7bは、シリル化による硬化処理がなされている。
従って、第1の実施形態と同様の効果を奏する。
従って、第1の実施形態と同様の効果を奏する。
また、第3の実施形態では、モールド1がレジスト層7とレジスト層7bの多層構造を有している。
従って、第1の実施形態と比べて、より複雑な凹凸形状を形成することができる。
従って、第1の実施形態と比べて、より複雑な凹凸形状を形成することができる。
次に、第4の実施形態について説明する。
図9は、第4の実施形態に係るモールド1bの断面図である。
図9は、第4の実施形態に係るモールド1bの断面図である。
なお、第4の実施形態において、第1の実施形態と同様の機能を果たす要素には同一の番号を付し、説明を省略する。
第4の実施形態では、モールド1bの基板3にも凹凸が設けられている。
第4の実施形態では、モールド1bの基板3にも凹凸が設けられている。
図9に示すように、モールド1は、基板3の一つの面に凸状のレジスト層7aが形成され、また、基板3に凹形状8a、8bが形成されている。
そして、基板3とレジスト層7aとで凹凸形状2bが構成されている。
そして、基板3とレジスト層7aとで凹凸形状2bが構成されている。
このように、基板3に凹形状8a、8bを形成することにより、第1の実施形態と比べて、より複雑な凹凸形状2bを形成することができる。
基板3の凹形状8a、8bの加工方法としては、ドライエッチングとウェットエッチングが挙げられる。
ドライエッチングの場合、エッチングガスとしては、基板3がシリコンの場合はCF4、SF6、CHF3等のフッ素系ガス、Cl2、CCl4等の塩素系ガス、HBr等の臭素系ガス等が用いられる。
また、基板3がガラスの場合はCl2、CF4、SF6、CHF3、ダイヤモンドやDLCの場合はO2が用いられる。
ドライエッチングの場合、エッチングガスとしては、基板3がシリコンの場合はCF4、SF6、CHF3等のフッ素系ガス、Cl2、CCl4等の塩素系ガス、HBr等の臭素系ガス等が用いられる。
また、基板3がガラスの場合はCl2、CF4、SF6、CHF3、ダイヤモンドやDLCの場合はO2が用いられる。
ウェットエッチングの場合、薬液としては、基板3がシリコンの場合は、水酸化カリウム(KOH)、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)、フッ硝酸(フッ酸と硝酸の混合液)が用いられる。
また、基板がガラスの場合は、フッ酸、緩衝フッ酸、水酸化カリウム水溶液が用いられる。
また、基板がガラスの場合は、フッ酸、緩衝フッ酸、水酸化カリウム水溶液が用いられる。
なお、基板3の凹形状8a、8bの加工はレジスト層7aを形成する前でも後でもよい。
また、レジスト層7aの加工方法は、第1の実施形態もしくは第2の実施形態と同様であるため、説明を省略する。
また、レジスト層7aの加工方法は、第1の実施形態もしくは第2の実施形態と同様であるため、説明を省略する。
このように第4の実施形態によれば、モールド1bの基板3上に設けられたレジスト層7aが、シリル化による硬化処理がなされている。
従って、第1の実施形態と同様の効果を奏する。
従って、第1の実施形態と同様の効果を奏する。
また第3の実施形態では、モールド1bは、基板3に凹形状8a、8bが形成されている。
従って、第1の実施形態と比べて、より複雑な凹凸形状を形成することができる。
従って、第1の実施形態と比べて、より複雑な凹凸形状を形成することができる。
以上、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明したが、本発明の技術的範囲は、前述した実施の形態に左右されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば、第3の実施形態においては、レジスト層7bを形成する際に、第1の実施形態と同様に、凹凸形状を形成してからシリル化を行っているが、第2の実施形態と同様に、凹凸形状を形成する前に選択的にシリル化を行ってもよい。
次に、本発明における実施例について説明を行う。
合成石英ガラス基板上に、レジスト「AZ5206」(AZエレクトロニックマテリアルズ製)を塗布した。次に、レーザーにて2.0μmのラインアンドスペースパターンをレジスト層に描画し、これを現像した。さらに、DMSDMAを用いてシリル化を行った。
以上のプロセスによりモールドを作製できた。
合成石英ガラス基板上に、レジスト「AZ5206」(AZエレクトロニックマテリアルズ製)を塗布した。次に、レーザーにて2.0μmのラインアンドスペースパターンをレジスト層に描画し、これを現像した。さらに、DMSDMAを用いてシリル化を行った。
以上のプロセスによりモールドを作製できた。
ここで作製されたモールドを用い、ナノインプリントによる微小凹凸パターンの転写を試みた。転写方法は以下の通りである。
モールドには離形剤として、オプツール(ダイキン工業製)を塗布し、乾燥させた。次に転写樹脂をSi基板に滴下し、上記モールドを気泡が発生しないよう接触させた。転写樹脂はUV−3000(三菱化学(株)製)を使用した。
さらにその状態でモールド側からUV光(i線)を照射し、転写樹脂を硬化させた後、モールドと転写樹脂とを引き剥がした。
その結果、転写樹脂に2.0μmのパターンを転写することができた。
モールドには離形剤として、オプツール(ダイキン工業製)を塗布し、乾燥させた。次に転写樹脂をSi基板に滴下し、上記モールドを気泡が発生しないよう接触させた。転写樹脂はUV−3000(三菱化学(株)製)を使用した。
さらにその状態でモールド側からUV光(i線)を照射し、転写樹脂を硬化させた後、モールドと転写樹脂とを引き剥がした。
その結果、転写樹脂に2.0μmのパターンを転写することができた。
1…………モールド
2…………凹凸形状
3…………基板
4a………露光部
7…………レジスト層
2…………凹凸形状
3…………基板
4a………露光部
7…………レジスト層
Claims (9)
- ナノインプリント用モールドであって、
基板と、
前記基板の上面にレジストにより形成された微小凹凸と、
を有し、
前記レジストがシリル化による硬化が為されていることを特徴とするモールド。 - 前記レジストが、少なくとも1種類以上のレジストで少なくとも1層以上積層した構造であることを特徴とする請求項1記載のモールド。
- 前記レジストにより微小凹凸が構成されている面側において前記基板が凹凸を有していることを特徴とする請求項1記載のモールド。
- ナノインプリント用モールドの製造方法であって、
基板の上面にレジスト層を塗布する工程(a)と、
前記レジスト層にて微小凹凸を形成する工程(b)と、
前記レジスト層をシリル化する工程(c)と、
を有することを特徴とするモールドの製造方法。 - 請求項4記載のモールドの製造方法であって、
前記レジスト上に第2のレジスト層を塗布する工程(d)と、
前記第2のレジスト層にて微小凹凸を形成する工程(e)と、
前記微小凹凸形状を構成するレジストをシリル化する工程(f)と、
を有し、工程(d)〜工程(f)を繰り返すことを特徴とする請求項4記載のモールドの製造方法。 - 前記レジストにより微小凹凸が構成されている面側において前記基板が凹凸を有していることを特徴とする請求項4記載のモールドの製造方法。
- ナノインプリント用モールドの製造方法であって、
基板の上面にレジスト層を塗布する工程(a)と、
前記レジスト層を選択的にシリル化する工程(b)と、
前記レジスト層にてシリル化された部分が凸部となるように微小凹凸を形成する工程(c)と、
を有することを特徴とするモールドの製造方法。 - 請求項7記載のモールドの製造方法であって、
前記レジスト上に第2のレジスト層を塗布する工程(d)と、
前記第2のレジスト層を選択的にシリル化する工程(e)と、
前記第2のレジスト層にてシリル化された部分が凸部となるように微小凹凸を形成する工程(f)と、
を有し、工程(d)〜工程(f)を繰り返すことを特徴とする請求項7記載のモールドの製造方法。 - 前記レジストにより微小凹凸が構成されている面側において前記基板が凹凸を有していることを特徴とする請求項7記載のモールドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006237408A JP2008055820A (ja) | 2006-09-01 | 2006-09-01 | モールドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006237408A JP2008055820A (ja) | 2006-09-01 | 2006-09-01 | モールドおよびその製造方法 |
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JP2008055820A true JP2008055820A (ja) | 2008-03-13 |
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JP (1) | JP2008055820A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012025032A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Fujikura Ltd | インプリントモールドの製造方法およびインプリントモールド |
-
2006
- 2006-09-01 JP JP2006237408A patent/JP2008055820A/ja active Pending
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