JP2008053170A - 電子線検査装置及び電子線検査方法 - Google Patents
電子線検査装置及び電子線検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008053170A JP2008053170A JP2006231151A JP2006231151A JP2008053170A JP 2008053170 A JP2008053170 A JP 2008053170A JP 2006231151 A JP2006231151 A JP 2006231151A JP 2006231151 A JP2006231151 A JP 2006231151A JP 2008053170 A JP2008053170 A JP 2008053170A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- irradiation
- inspection
- scanning
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明による電子線検査装置では、ステージをスキャン移動させる方向と同一の方向(水平方向)にて電子線を走査させることで、電子線の偏向周波数の限界に関係なく走査数によりステージ移動速度が調整可能となる。ステージ移動方向に帯状のエリアの画像を連続取得するときの画像取得幅は、走査ピッチ、すなわちピクセルサイズと走査数により決まるが、例えば走査数を1/2とすることによりステージ速度を2倍とすることが可能である。
【選択図】図3
Description
<実施形態>
図1は、本発明の実施形態に係る電子線検査装置(電子線式ウェーハ検査装置)100の概略構成を示す図である。電子線検査措置100は、電子光学系であるカラム1と、XYステージ2と、ビーム走査コントローラ11と、ステージコントローラ12と、画像処理ユニット13と、制御PC(CPU、ROM及びRAMを含む)14で構成される。
本実施形態では、一方向に連続移動するステージの移動軸と同一の軸上で、ステージの連続移動と同時に、検査対象物(ウェーハ)に対して照射電子線を連続走査するようにしているので、微小ピクセルによる高感度検査を効率的行うことができる。従って、本実施形態による電子線検査装置は、大きいピクセルでの高速検査と小さいピクセルでの高感度検査の両方に対応できるようになる。
Claims (14)
- 検査対象物に電子線を照射して画像を取得し、前記検査対象物を検査する電子線検査装置であって、
前記検査対象物が載置され、その検査対象物を移動させるためのステージと、
電子銃で発生した照射電子線を前記検査対象物に対して収束させて照射し、前記検査対象物に対して前記照射電子線を走査させる電子線走査手段と、
前記検査対象物からの2次電子を検出するための2次電子検出器と、
前記2次電子検出器からの信号を処理する画像処理部と、
前記電子線走査手段による前記照射電子線の走査方向を制御する電子線走査制御手段と、を備え、
前記電子線走査制御手段は、前記電子線走査手段が、一方向に連続移動する前記ステージの移動軸と同一の軸上で、前記ステージの連続移動と同時に、前記検査対象物に前記照射電子線を連続走査するように制御することを特徴とする電子線検査装置。 - 前記電子線走査制御手段は、前記ステージの移動方向に、前記照射電子線の各走査間におけるステージ移動距離分だけ前記照射電子線の走査開始位置をずらすように前記電子線走査手段を制御し、前記画像処理部が前記検査対象物上において長方形領域の画像を取得することを特徴とする請求項1に記載の電子線検査装置。
- 前記電子線走査制御手段は、前記検査対象物の所定の幅においてN本の照射電子線を走査させる場合、前記電子線走査手段の走査幅を、前記N本の照射電子線の照射終了時における前記ステージの移動距離と同一になるように制御することを特徴とする請求項2に記載の電子線検査装置。
- 前記検査対象物がステージ移動方向と垂直な方向に分割された非連続な2つ以上の検査領域を有する場合、前記電子線走査制御手段は、前記電子線走査手段が前記検査領域に挟まれた非検査領域に前記照射電子線を照射しないように、前記照射電子線の走査幅を制御することを特徴とする請求項2に記載の電子線検査装置。
- 前記検査対象物がステージ移動方向と水平な方向に分割された非連続な2つ以上の検査領域を有する場合、前記電子線走査制御手段は、前記電子線走査手段が前記検査領域に挟まれた非検査領域に前記照射電子線を照射しないように、前記照射電子線の照射開始位置を制御することを特徴とする請求項2に記載の電子線検査装置。
- 前記電子線走査制御手段は、前記電子線走査手段による前記照射電子線の走査を、画像を取得するための画像取得照射部と前記検査対象物に電位差を生じさせるための事前照射部とで構成されるように制御し、
前記画像処理部は、前記画像取得照射部からの信号を用いて画像を生成することを特徴とする請求項1に記載の電子線検査装置。 - 前記画像処理部は、さらに前記事前照射部からの信号を用いて画像を生成し、この生成された画像と前記事前照射部と同一部位における前記画像取得照射部の取得画像とを重ね合わせることによりS/Nを向上させることを特徴とする請求項6に記載の電子線検査装置。
- 検査対象物に電子線を照射して画像を取得し、前記検査対象物を検査する電子線検査方法であって、
電子銃が照射電子線を発生させる工程と、
前記検査対象物が載置されたステージが、その検査対象物を移動させる工程と、
電子線走査手段が前記照射電子線を前記検査対象物に対して収束させて照射し、前記検査対象物に対して前記照射電子線を走査させる工程と、
2次電子検出器が前記検査対象物からの2次電子を検出する工程と、
画像処理部が前記2次電子検出器からの信号を処理する工程と、
電子線走査制御手段が前記電子線走査手段による前記照射電子線の走査方向を制御する工程と、を備え、
前記制御する工程において、前記電子線走査制御手段は、前記電子線走査手段が、一方向に連続移動する前記ステージの移動軸と同一の軸上で、前記ステージの連続移動と同時に、前記検査対象物に前記照射電子線を連続走査するように制御することを特徴とする電子線検査方法。 - 前記制御する工程において、前記電子線走査制御手段は、前記ステージの移動方向に、前記照射電子線の各走査間におけるステージ移動距離分だけ前記照射電子線の走査開始位置をずらすように前記電子線走査手段を制御し、前記画像処理部が前記検査対象物上において長方形領域の画像を取得することを特徴とする請求項8に記載の電子線検査方法。
- 前記制御する工程において、前記電子線走査制御手段は、前記検査対象物の所定の幅においてN本の照射電子線を走査させる場合、前記電子線走査手段の走査幅を、前記N本の照射電子線の照射終了時における前記ステージの移動距離と同一になるように制御することを特徴とする請求項9に記載の電子線検査方法。
- 前記制御する工程において、前記検査対象物がステージ移動方向と垂直な方向に分割された非連続な2つ以上の検査領域を有する場合、前記電子線走査制御手段は、前記電子線走査手段が前記検査領域に挟まれた非検査領域に前記照射電子線を照射しないように、前記照射電子線の走査幅を制御することを特徴とする請求項9に記載の電子線検査方法。
- 前記制御する工程において、前記検査対象物がステージ移動方向と水平な方向に分割された非連続な2つ以上の検査領域を有する場合、前記電子線走査制御手段は、前記電子線走査手段が前記検査領域に挟まれた非検査領域に前記照射電子線を照射しないように、前記照射電子線の照射開始位置を制御することを特徴とする請求項9に記載の電子線検査方法。
- 前記制御する工程において、前記電子線走査制御手段は、前記電子線走査手段による前記照射電子線の走査を、画像を取得するための画像取得照射部と前記検査対象物に電位差を生じさせるための事前照射部とで構成されるように制御し、
前記信号を処理する工程において、前記画像処理部は、前記画像取得照射部からの信号を用いて画像を生成することを特徴とする請求項8に記載の電子線検査方法。 - 前記信号を処理する工程において、前記画像処理部は、さらに前記事前照射部からの信号を用いて画像を生成し、この生成された画像と前記事前照射部と同一部位における前記画像取得照射部の取得画像とを重ね合わせることによりS/Nを向上させることを特徴とする請求項13に記載の電子線検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006231151A JP4843413B2 (ja) | 2006-08-28 | 2006-08-28 | 電子線検査装置及び電子線検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006231151A JP4843413B2 (ja) | 2006-08-28 | 2006-08-28 | 電子線検査装置及び電子線検査方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011181533A Division JP2011243587A (ja) | 2011-08-23 | 2011-08-23 | 電子線検査装置、記憶媒体及び電子線検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008053170A true JP2008053170A (ja) | 2008-03-06 |
JP4843413B2 JP4843413B2 (ja) | 2011-12-21 |
Family
ID=39236996
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006231151A Expired - Fee Related JP4843413B2 (ja) | 2006-08-28 | 2006-08-28 | 電子線検査装置及び電子線検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4843413B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011102511A1 (ja) * | 2010-02-22 | 2011-08-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 回路パターン検査装置 |
US8372720B2 (en) | 2007-12-11 | 2013-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same |
JP2022082599A (ja) * | 2017-09-07 | 2022-06-02 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子の複数のビームを用いたサンプル検査の方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000057985A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Hitachi Ltd | パターン検査装置およびパターン検査方法 |
JP2005061837A (ja) * | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Jeol Ltd | 走査型荷電粒子ビーム装置を用いた欠陥検査方法 |
JP2006114426A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料観察方法及び電子顕微鏡 |
-
2006
- 2006-08-28 JP JP2006231151A patent/JP4843413B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000057985A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Hitachi Ltd | パターン検査装置およびパターン検査方法 |
JP2005061837A (ja) * | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Jeol Ltd | 走査型荷電粒子ビーム装置を用いた欠陥検査方法 |
JP2006114426A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料観察方法及び電子顕微鏡 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9741738B2 (en) | 2007-12-11 | 2017-08-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same |
US10163931B2 (en) | 2007-12-11 | 2018-12-25 | Toshiba Memory Corporation | Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same |
US11844218B2 (en) | 2007-12-11 | 2023-12-12 | Kioxia Corporation | Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same |
US8729624B2 (en) | 2007-12-11 | 2014-05-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same |
US9035374B2 (en) | 2007-12-11 | 2015-05-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same |
US9356042B2 (en) | 2007-12-11 | 2016-05-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same |
US8372720B2 (en) | 2007-12-11 | 2013-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same |
US9985050B2 (en) | 2007-12-11 | 2018-05-29 | Toshiba Memory Corporation | Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same |
US11574926B2 (en) | 2007-12-11 | 2023-02-07 | Kioxia Corporation | Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same |
US11393840B2 (en) | 2007-12-11 | 2022-07-19 | Kioxia Corporation | Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same |
WO2011102511A1 (ja) * | 2010-02-22 | 2011-08-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 回路パターン検査装置 |
US8658987B2 (en) | 2010-02-22 | 2014-02-25 | Hitachi High-Technologies Corporation | Circuit-pattern inspection device |
JP2022082599A (ja) * | 2017-09-07 | 2022-06-02 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子の複数のビームを用いたサンプル検査の方法 |
US11815473B2 (en) | 2017-09-07 | 2023-11-14 | Asml Netherlands B.V. | Methods of inspecting samples with multiple beams of charged particles |
JP7422173B2 (ja) | 2017-09-07 | 2024-01-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子の複数のビームを用いたサンプル検査の方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4843413B2 (ja) | 2011-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5059297B2 (ja) | 電子線式観察装置 | |
US9816940B2 (en) | Wafer inspection with focus volumetric method | |
US8421010B2 (en) | Charged particle beam device for scanning a sample using a charged particle beam to inspect the sample | |
KR102185186B1 (ko) | 패턴 검사 장치 및 패턴 검사 방법 | |
JP5581286B2 (ja) | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 | |
JP6907257B2 (ja) | 電子ビーム装置 | |
JP5325580B2 (ja) | Semを用いた欠陥観察方法及びその装置 | |
JP5390215B2 (ja) | 欠陥観察方法および欠陥観察装置 | |
JP2009085657A (ja) | 走査型電子顕微鏡を用いた試料の観察方法およびそのシステム | |
JP4245595B2 (ja) | パターン観察装置、パターン観察方法およびプログラム | |
KR20190100869A (ko) | 하전 입자 빔 검사 방법 | |
JP4843413B2 (ja) | 電子線検査装置及び電子線検査方法 | |
JP2011243587A (ja) | 電子線検査装置、記憶媒体及び電子線検査方法 | |
JP2017003266A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
US20140312224A1 (en) | Pattern inspection method and pattern inspection apparatus | |
JP2010091425A (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
JP2000164658A (ja) | 半導体ウェハのレビューステーション及び外観検査装置 | |
JP2018151202A (ja) | 電子ビーム検査装置および電子ビーム検査方法 | |
JP2009192371A (ja) | 外観検査装置及び外観検査方法 | |
JP2009188175A (ja) | 外観検査装置及び外観検査方法 | |
JP6184922B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置、荷電粒子ビーム走査方法およびプログラム | |
JP2005037291A (ja) | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 | |
JP5039594B2 (ja) | レビュー装置,検査領域設定支援システム、および、欠陥の画像得方法 | |
JP5163731B2 (ja) | 欠陥候補の画像表示方法 | |
JP2011022100A (ja) | 基板の検査装置、および、基板の検査装置における基板の欠陥分布を得る方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081002 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110823 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111004 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111007 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141014 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |