JP2008034188A - Lighting system - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、LEDの光により蛍光体を励起して発光する照明装置に関する。 The present invention relates to an illumination device that emits light by exciting a phosphor with light from an LED.
近年、蛍光灯代替技術としてLED(発光ダイオード:Light Emitting Diode)が注目され、LEDを用いた照明装置の研究が進められている。従来のLEDは、照明装置として用いるには演色性が低かった。そこで、赤色と緑色と青色との三色(RGB)のLEDを組み合わせることで演色性を改善する技術が提案されていた(例えば、特許文献1参照)。以下、赤色をR、緑色をG、青色をBと表現する場合がある。 In recent years, LED (Light Emitting Diode) has attracted attention as a fluorescent lamp alternative technology, and research on lighting devices using LEDs has been advanced. Conventional LEDs have low color rendering properties when used as lighting devices. Therefore, a technique for improving color rendering properties by combining LEDs of three colors (RGB) of red, green, and blue has been proposed (see, for example, Patent Document 1). Hereinafter, red may be expressed as R, green as G, and blue as B.
しかしながら、このような照明装置に用いられる赤色と緑色と青色との三色(RGB)のLEDは、三色のLEDのそれぞれの経時変化が異なるため、長期間使用することで当初の白色発光の色調が経時的に変化してしまった。 However, the three color (RGB) LEDs of red, green, and blue used in such an illumination device have different temporal changes in the three color LEDs. The color has changed over time.
また、白色LEDと、緑色LEDと、赤色LEDと、を有し、各LEDから放射された光を混光させる拡散部を有する発光装置も提案されていた(例えば、特許文献2参照)。しかしながら、このような発光装置では、各LEDから放射された3種類の色を混色させるため、得られた昼光色は色むらがあった。
そこで、本発明の目的は、明るく長期間安定した光を発光し、色むらの無い高演色性の照明装置を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a lighting device that emits bright and stable light for a long period of time and has no color unevenness.
そこで、本発明にかかる照明装置は、
350nm〜500nmの範囲に発光ピーク波長(λp)を有する複数の青色LEDチップと、
前記青色LEDチップの光を吸収して発光する蛍光体を含む蛍光部と、
を有し、
前記複数の青色LEDチップは、
第1の発光ピーク波長(λp)を有する第1の青色LEDチップと、
第2の発光ピーク波長(λp)を有する第2の青色LEDチップと、
を含み、
前記第1の発光ピーク波長(λp)は、前記第2の発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有し、
照明色の平均演色評価数Raが85以上である。
Therefore, the lighting device according to the present invention is
A plurality of blue LED chips having an emission peak wavelength (λp) in the range of 350 nm to 500 nm;
A fluorescent part including a phosphor that absorbs and emits light from the blue LED chip;
Have
The plurality of blue LED chips are:
A first blue LED chip having a first emission peak wavelength (λp);
A second blue LED chip having a second emission peak wavelength (λp);
Including
The first emission peak wavelength (λp) has a difference of 10 nm or more and 80 nm or less with respect to the second emission peak wavelength (λp),
The average color rendering index Ra of the illumination color is 85 or more.
本発明にかかる照明装置によれば、350nm〜500nmの範囲に発光ピーク波長(λp)を有する複数の青色LEDチップを有することで、紫外線を発生するLEDよりも高出力で明るい発光を得ることができる。また、本発明にかかる照明装置によれば、少なくとも2種類以上の異なる発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップを含むことで、高い演色性を得ることができる。さらに、本発明にかかる照明装置によれば、従来の三色(RGB)のLEDに比べて経時変化による演色性の影響がほとんどない。また、本発明にかかる照明装置によれば、発光ピーク波長(λp)の異なる複数の青色LEDチップによって複数の白色を混ぜることになり、色むらの少ない照明色を得ることができる。 According to the illumination device of the present invention, by having a plurality of blue LED chips having a light emission peak wavelength (λp) in the range of 350 nm to 500 nm, it is possible to obtain light emission with higher output and brighter than LEDs that generate ultraviolet rays. it can. Moreover, according to the illuminating device concerning this invention, high color rendering property can be acquired by including the blue LED chip which has at least 2 or more types of different light emission peak wavelengths ((lambda) p). Furthermore, according to the illuminating device according to the present invention, there is almost no influence of color rendering due to a change with time, as compared with a conventional three-color (RGB) LED. Further, according to the illumination device of the present invention, a plurality of whites are mixed by a plurality of blue LED chips having different emission peak wavelengths (λp), and an illumination color with little color unevenness can be obtained.
本発明にかかる照明装置において、
照明色の平均演色評価数Raが90以上であることができる。
In the lighting device according to the present invention,
The average color rendering index Ra of the illumination color can be 90 or more.
本発明にかかる照明装置において、
前記蛍光部は、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を含むことができる。
In the lighting device according to the present invention,
The fluorescent part may include a green phosphor and a red phosphor.
本発明にかかる照明装置において、
前記蛍光部は、黄色蛍光体、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を含むことができる。
In the lighting device according to the present invention,
The fluorescent part may include a yellow phosphor, a green phosphor, and a red phosphor.
本発明にかかる照明装置は、
350nm〜500nmの範囲に発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップと、
前記青色LEDチップの光を吸収して発光する蛍光体を含む蛍光部と、
を有する白色LEDを複数有し、
前記複数の白色LEDは、
前記第1の発光ピーク波長(λp)の第1の青色LEDチップを有する第1の白色LEDと、
前記第2の発光ピーク波長(λp)の第2の青色LEDチップを有する第2の白色LEDと、
を含み、
前記第1の発光ピーク波長(λp)は、前記第2の発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有し、
照明色の平均演色評価数Raが85以上である。
The lighting device according to the present invention is
A blue LED chip having an emission peak wavelength (λp) in the range of 350 nm to 500 nm;
A fluorescent part including a phosphor that absorbs and emits light from the blue LED chip;
A plurality of white LEDs having
The plurality of white LEDs are:
A first white LED having a first blue LED chip of the first emission peak wavelength (λp);
A second white LED having a second blue LED chip of the second emission peak wavelength (λp);
Including
The first emission peak wavelength (λp) has a difference of 10 nm or more and 80 nm or less with respect to the second emission peak wavelength (λp),
The average color rendering index Ra of the illumination color is 85 or more.
本発明にかかる照明装置によれば、350nm〜500nmの範囲に発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップを有することで、紫外線を発生するLEDよりも高出力で明るい発光を得ることができる。また、本発明にかかる照明装置によれば、異なる発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップを用いた少なくとも2種類以上の白色LEDによって、高い演色性を得ることができ、異なる複数種類の白色LEDの組合せで適宜所望の色調に調整できる。さらに、本発明にかかる照明装置によれば、従来の三色(RGB)のLEDに比べて経時変化による演色性の影響がほとんどない。また、本発明にかかる照明装置によれば、発光ピーク波長(λp)の異なる複数の青色LEDチップによって複数の白色を混ぜることになり、色むらの少ない照明色を得ることができる。 According to the illuminating device of the present invention, it is possible to obtain bright light emission with higher output than an LED that generates ultraviolet light by having a blue LED chip having an emission peak wavelength (λp) in a range of 350 nm to 500 nm. Further, according to the illumination device of the present invention, high color rendering can be obtained by at least two or more types of white LEDs using blue LED chips having different emission peak wavelengths (λp), and a plurality of different types of white LEDs. A desired color tone can be appropriately adjusted by a combination of LEDs. Furthermore, according to the illuminating device according to the present invention, there is almost no influence of color rendering due to a change with time, as compared with a conventional three-color (RGB) LED. Further, according to the illumination device of the present invention, a plurality of whites are mixed by a plurality of blue LED chips having different emission peak wavelengths (λp), and an illumination color with little color unevenness can be obtained.
本発明にかかる照明装置において、
照明色の平均演色評価数Raが90以上であることができる。
In the lighting device according to the present invention,
The average color rendering index Ra of the illumination color can be 90 or more.
本発明にかかる照明装置において、
前記第1の白色LEDは、黄色蛍光体を含む第1の蛍光部を有し、
前記第2の白色LEDは、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を含む第2の蛍光部を有する、照明装置。
In the lighting device according to the present invention,
The first white LED has a first fluorescent part including a yellow phosphor,
Said 2nd white LED is an illuminating device which has a 2nd fluorescence part containing a green fluorescent substance and a red fluorescent substance.
本発明にかかる照明装置において、
前記第1の発光ピーク波長(λp)は、前記第2の発光ピーク波長(λp)よりも長波長である、照明装置。
In the lighting device according to the present invention,
The lighting device, wherein the first emission peak wavelength (λp) is longer than the second emission peak wavelength (λp).
本発明にかかる照明装置において、
前記第1の白色LEDは、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を含む第1の蛍光部を有し、
前記第2の白色LEDは、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を含む第2の蛍光部を有する、照明装置。
In the lighting device according to the present invention,
The first white LED has a first fluorescent part including a green phosphor and a red phosphor,
Said 2nd white LED is an illuminating device which has a 2nd fluorescence part containing a green fluorescent substance and a red fluorescent substance.
本発明にかかる照明装置において、
前記第1の白色LEDは、黄色蛍光体と、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を含む第1の蛍光部を有し、
前記第2の白色LEDは、黄色蛍光体と、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を含む第2の蛍光部を有する、照明装置。
In the lighting device according to the present invention,
The first white LED has a first fluorescent part including a yellow phosphor, a green phosphor, and a red phosphor,
The second white LED is a lighting device having a second fluorescent part including a yellow phosphor, a green phosphor, and a red phosphor.
本発明にかかる照明装置において、
前記第1の青色LEDチップは、第1の樹脂成形体内に封入され、
前記第2の青色LEDチップは、第2の樹脂成形体内に封入され、
前記第1の蛍光部及び前記第2の蛍光部は、前記第1の樹脂成形体及び前記第2の樹脂成形体の外側に被せられたキャップ状の成形体であることができる。
In the lighting device according to the present invention,
The first blue LED chip is enclosed in a first resin molded body,
The second blue LED chip is enclosed in a second resin molded body,
The first fluorescent part and the second fluorescent part may be cap-shaped molded bodies placed on the outer sides of the first resin molded body and the second resin molded body.
本発明にかかる照明装置において、
前記第1の蛍光部は、前記第1の青色LEDチップを覆うシート状の成形体であり、
前記第2の蛍光部は、前記第2の青色LEDチップを覆うシート状の成形体であることができる。
In the lighting device according to the present invention,
The first fluorescent part is a sheet-like molded body that covers the first blue LED chip,
The second fluorescent part may be a sheet-like molded body that covers the second blue LED chip.
本発明にかかる照明装置において、
前記第1の青色LEDチップは、前記第1の蛍光部を含む第1の樹脂成形体内に封入され、
前記第2の青色LEDチップは、前記第2の蛍光部を含む第2の樹脂成形体内に封入されることができる。
In the lighting device according to the present invention,
The first blue LED chip is enclosed in a first resin molded body including the first fluorescent part,
The second blue LED chip may be encapsulated in a second resin molded body including the second fluorescent part.
本発明にかかる照明装置において、
前記照明装置の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.3274,0.3673)、(0.3282,0.3297)、(0.2998,0.3396)、(0.3064,0.3091)の4点を結ぶ四辺形内の昼光色の色調であることができる。
In the lighting device according to the present invention,
The illumination color of the illumination device is such that (x, y) on the xy chromaticity diagram is (0.3274, 0.3673), (0.3282, 0.3297), (0.2998, 0.3396), It can be a daylight color tone in a quadrilateral connecting four points (0.3064, 0.3091).
本発明にかかる照明装置において、
前記照明装置の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.3616,0.3875)、(0.3552,0.3476)、(0.3353,0.3659)、(0.3345,0.3314)の4点を結ぶ四辺形内の昼白色の色調であることができる。
In the lighting device according to the present invention,
The illumination color of the illumination device is such that (x, y) on the xy chromaticity diagram is (0.3616, 0.3875), (0.3552, 0.3476), (0.3353, 0.3659), It can be a neutral white tone in a quadrilateral connecting four points (0.3345, 0.3314).
本発明にかかる照明装置において、
前記照明装置の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.3938,0.4097)、(0.3805,0.3642)、(0.3656,0.3905)、(0.3584,0.3499)の4点を結ぶ四辺形内の白色の色調であることができる。
In the lighting device according to the present invention,
The illumination color of the illumination device is such that (x, y) on the xy chromaticity diagram is (0.3938, 0.4097), (0.3805, 0.3642), (0.3656, 0.3905), It can be a white color tone in a quadrilateral connecting four points (0.3584, 0.3499).
本発明にかかる照明装置において、
前記照明装置の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.4341,0.4233)、(0.4171,0.3846)、(0.4021,0.4076)、(0.3903,0.3719)の4点を結ぶ四辺形内の温白色の色調であることができる。
In the lighting device according to the present invention,
The illumination color of the illumination device is such that (x, y) on the xy chromaticity diagram is (0.4341, 0.4233), (0.4171, 0.3846), (0.4021, 0.4076), It can be a warm white color tone in a quadrilateral connecting four points (0.3903, 0.3719).
本発明にかかる照明装置において、
前記照明装置の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.4775,0.4283)、(0.4594,0.3971)、(0.4348,0.4185)、(0.4214,0.3887)の4点を結ぶ四辺形内の電球色の色調であることができる。
In the lighting device according to the present invention,
The illumination color of the illumination device is such that (x, y) on the xy chromaticity diagram is (0.4775, 0.4283), (0.4594, 0.3971), (0.4348, 0.4185), It can be the color tone of the light bulb color in the quadrilateral connecting four points (0.4214, 0.3887).
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は、第1の実施形態である照明装置1を模式的に示す部分縦断面図である。図2は、第2の実施形態である照明装置2を模式的に示す部分縦断面図である。図3は、第3の実施形態である照明装置3を模式的に示す部分縦断面図である。図4は、第4の実施形態である照明装置4を模式的に示す部分縦断面図である。図5は、第5の実施形態である照明装置5を模式的に示す部分縦断面図である。図6は、第6の実施形態である照明装置6を模式的に示す部分縦断面図である。図7は、第7の実施形態である照明装置7を模式的に示す部分縦断面図である。
FIG. 1 is a partial longitudinal sectional view schematically showing a
本発明の実施形態にかかる照明装置は、350nm〜500nmの範囲に発光ピーク波長(λp)を有する複数の青色LEDチップと、前記青色LEDチップの光を吸収して発光する蛍光体を含む蛍光部と、を有し、前記複数の青色LEDチップは、第1の発光ピーク波長(λp)を有する第1の青色LEDチップと、第2の発光ピーク波長(λp)を有する第2の青色LEDチップと、を含み、前記第1の発光ピーク波長(λp)は、前記第2の発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有し、照明色の平均演色評価数Raが85以上である。 An illuminating device according to an embodiment of the present invention includes a plurality of blue LED chips having a light emission peak wavelength (λp) in a range of 350 nm to 500 nm, and a fluorescent part including a phosphor that absorbs and emits light from the blue LED chip. The plurality of blue LED chips include a first blue LED chip having a first emission peak wavelength (λp) and a second blue LED chip having a second emission peak wavelength (λp). The first emission peak wavelength (λp) has a difference of 10 nm to 80 nm with respect to the second emission peak wavelength (λp), and the average color rendering index Ra of illumination color is 85 or more It is.
また、本発明の実施形態にかかる照明装置は、350nm〜500nmの範囲に発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップと、前記青色LEDチップの光を吸収して発光する蛍光体を含む蛍光部と、を有する白色LEDを複数有し、前記複数の白色LEDは、前記第1の発光ピーク波長(λp)の第1の青色LEDチップを有する第1の白色LEDと、前記第2の発光ピーク波長(λp)の第2の青色LEDチップを有する第2の白色LEDと、を含み、前記第1の発光ピーク波長(λp)は、前記第2の発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有し、照明色の平均演色評価数Raが85以上である。 In addition, the illumination device according to the embodiment of the present invention includes a fluorescent part including a blue LED chip having a light emission peak wavelength (λp) in a range of 350 nm to 500 nm and a phosphor that absorbs and emits light from the blue LED chip. A plurality of white LEDs, wherein the plurality of white LEDs include a first white LED having a first blue LED chip having the first emission peak wavelength (λp), and the second emission peak. A second white LED having a second blue LED chip having a wavelength (λp), and the first emission peak wavelength (λp) is 10 nm to 80 nm with respect to the second emission peak wavelength (λp). The average color rendering index Ra of the illumination color is 85 or more with the following differences.
1.第1の実施形態
図1に示すように、第1の実施形態にかかる照明装置1は、白色LED10,12を複数例えば2個有する。第1の白色LED10と第2の白色LED12は、350nm〜500nmの範囲に発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップ30、32と、青色LEDチップ30の光を吸収して発光する蛍光体Y(黄色)を含む蛍光部40と、青色LEDチップ32の光を吸収して発光する蛍光体G(緑色),R(赤色)を含む蛍光部42と、を有する。青色LEDチップ30,32は、2種類以上の異なる発光ピーク波長(λp)を有する。第1の白色LED10及び第2の白色LED12は、基台100上に固定配置されている。第1の白色LED10及び第2の白色LED12は、基本的に同じ構成を有しており、ベース部材20のほぼ中央に設けられたステム22上に載置された発光する第1の青色LEDチップ30及び第2の青色LEDチップ32が例えば樹脂成形体24中に封入されている。樹脂成形体24の外側には、樹脂成形体24を覆うようにキャップ状の第1の蛍光部40及び第2の蛍光部42が被せられている。樹脂成形体24の材質としては、シリコーン樹脂が好ましいが、透光性の樹脂例えばアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂などを用いることができる。なお、各実施形態の説明図において、樹脂成形体及び蛍光部の一部は、断面図であるが、わかりやすくするためにハッチングを省略した。
1. First Embodiment As shown in FIG. 1, a
第1の白色LED10は、第1の発光ピーク波長(λp)の第1の青色LEDチップ30を有する。第2の白色LED12は、第1の発光ピーク波長(λp)とは異なる第2の発光ピーク波長(λp)の第2の青色LEDチップ32を有する。第1の発光ピーク波長(λp)及び第2の発光ピーク波長(λp)は、350nm〜500nmの範囲から適宜選択された異なる発光ピーク波長(λp)である。特に、第1の発光ピーク波長(λp)及び第2の発光ピーク波長(λp)は、400nm〜500nmの範囲が好ましく、420nm〜480nmがさらに好ましい。このような青色LEDチップとすることで、高出力で明るい発光を得ることができる。第1の発光ピーク波長(λp)は、第2の発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有する。第1の発光ピーク波長(λp)は、第2の発光ピーク波長(λp)よりも長波長であることが好ましい。このように発光ピーク波長(λp)が大きくずれた2種類の青色LEDチップを用いることで、高い演色性を得ることができる。なお、波長の規格にはピーク波長であるλpと主波長もしくはドミナント波長であるλdとの2種類があるが、本発明における発光ピーク波長はλpである。第1、第2の青色LEDチップ30、32としては市販されている公知のLEDを使用することができる。例えば、GaN系LED、SiC系LED、ZnSe系LED、InGaN系LED等を用いることができる。
The first
第1の白色LED10は、全体に分散された黄色蛍光体Yを含む第1の蛍光部40を有し、第2の白色LED12は、全体に分散された緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rを含む第2の蛍光部42を有する。第1、第2の蛍光部40、42は、それぞれ樹脂成形体24の外側に被せられた高分子物質からなるキャップ状の成形体である。第1、第2の蛍光部40、42の材料としても、シリコーン系樹脂を用いることが好ましいが、例えば透光性の高分子物質であるアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂、シリコーン樹脂、環状オレフィン樹脂、シリコーン系エラストマー、ポリスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリウレタン系熱可塑性エラストマーなどを用いることもできる。
The first
第1の青色LEDチップ30の第1の発光ピーク波長(λp)は、第2の青色LEDチップ32の第2の発光ピーク波長(λp)よりも長波長であることが蛍光体との組合せとして好ましい。例えば、第1の青色LEDチップ30の第1の発光ピーク波長(λp)を470nmとして、第2の青色LEDチップ32の第2の発光ピーク波長(λp)を430nmとすることができる。第2の青色LEDチップ32の発光ピーク波長(λp)を短波長側例えば430nmとすることで、緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rの発光特性が向上し、より明るい照明装置を得ることができる。また、第2の青色LEDチップ30の発光ピーク波長(λp)を長波長側例えば470nmとすることで、黄色蛍光体Yの発光特性を損わず、演色性を飛躍的に向上することができる。
As a combination with the phosphor, the first emission peak wavelength (λp) of the first
第1の青色LEDチップ30から出射された光は、キャップ状の第1の蛍光部40内の黄色蛍光体Yにより一部吸収され、黄色蛍光体Yが励起される。黄色蛍光体Yが励起されると、その性質に応じて所定の分光スペクトル分布を有する蛍光を発光し、第1の白色光が出力される。また、第2の青色LEDチップ32から出射された光は、キャップ状の第2の蛍光部42内の緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rにより一部吸収され、各蛍光体が励起される。緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rが励起されると、その性質に応じて所定の分光スペクトル分布を有する蛍光を発光し、第2の白色光が出力される。このように、発光ピーク波長(λp)が350nm〜500nmの青色発光と黄色蛍光体Yを利用した第1の白色光と、発光ピーク波長(λp)が350nm〜500nmの青色発光と緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rを利用した第2の白色光とを組み合わせることにより、従来のLEDでは得られなかった演色性の高い白色光を得ることが可能となる。しかも、このように2種類以上の白色光を組み合わせることによって、色むらの無い白色光を得ることができる。蛍光体としては、蛍光を発する無機蛍光体、顔料、有機蛍光染料、擬似顔料などが挙げられ、例えば、発光色が黄色の(Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu、YAG、Sr(Ba)SiO4、SrAl2O4:Eu2+などの黄色蛍光体Y、発光色が緑色のBaMg2Al16O27:Eu2+,Mn2+、ZnS:Cu,Al,Au、SrAl2O4:Eu2+、Zn2Si(Ge)O4:Eu2+などの緑色蛍光体G、発光色が赤色のY2O2S:Eu3+、3.5MgO・0.5MgF2・GeO2:Mn、LiEuW2O8、BaO・Gd2O3・Ta2O5:Mn、K5Eu2.5(WO4)6.25などの赤色蛍光体Rを好適に用いることができる。これらの蛍光体の種類及び量は、より演色性が高く、所望する白色に近い発色が得られるように調整することができる。
The light emitted from the first
このようにして得られた照明装置1の照明色の色調は、JIS Z 9112「蛍光ランプの光源色及び演色性による区分」に規定された昼光色、昼白色、白色、温白色または電球色の色度範囲である。照明装置1の照明色の色調は、xy色度図上における(x、y)が(0.3274,0.3673)、(0.3282,0.3297)、(0.2998,0.3396)、(0.3064,0.3091)の4点を結ぶ四辺形内の昼光色であることが好ましい。照明装置1の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.3616,0.3875)、(0.3552,0.3476)、(0.3353,0.3659)、(0.3345,0.3314)の4点を結ぶ四辺形内の昼白色の色調であることが好ましい。照明装置1の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.3938,0.4097)、(0.3805,0.3642)、(0.3656,0.3905)、(0.3584,0.3499)の4点を結ぶ四辺形内の白色の色調であることが好ましい。照明装置1の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.4341,0.4233)、(0.4171,0.3846)、(0.4021,0.4076)、(0.3903,0.3719)の4点を結ぶ四辺形内の温白色の色調であることが好ましい。照明装置1の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.4775,0.4283)、(0.4594,0.3971)、(0.4348,0.4185)、(0.4214,0.3887)の4点を結ぶ四辺形内の電球色の色調であることが好ましい。また、照明装置1の照明色は、演色性のなかでも特に一般照明において重要な平均演色評価数Raがよく、平均演色評価数Raが85以上である。また、照明装置1の照明色は、発光ピーク波長(λp)の異なる複数の青色LEDチップによって複数の白色を混ぜることにより、色むらが少ない。さらに、照明装置1の照明色がJIS Z 9112に規定された昼光色、昼白色、白色または温白色であるとき、平均演色評価数Raが90以上であることが好ましい。
The color of the illumination color of the illuminating
また、第1の実施形態においては、第1の発光ピーク波長(λp)の第1の青色LEDチップ30を有する第1の白色LED10と、第2の発光ピーク波長(λp)の第2の青色LEDチップ32を有する第2の白色LED12と、を含み、第1の発光ピーク波長(λp)は、第2の発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有しているが、照明装置などの要求によって用いるLEDチップの数及び組合せを適宜設定することによって、演色性が要求される用途に適した平均演色評価数Raが85以上の白色光を得ることができる。例えば、樹脂成形体中に複数個の青色LEDチップが含まれてもよいし、基板100上に3個の第1の白色LED10と7個の第2の白色LED12とを配置してもよい。また、3個以上の青色LEDチップを用いる場合には、3種類以上の発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップを用いてもよい。その場合、例えば、発光ピーク波長(λp)が470nmの第1の青色LEDチップ30と、発光ピーク波長(λp)が430nmの第2の青色LEDチップ32と、発光ピーク波長(λp)が450nmの第3の青色LEDチップと、を用いることができる。
In the first embodiment, the first
2.第2の実施形態
図2に示すように、第2の実施形態にかかる照明装置2は、基台100上に固定配置された第1の白色LED10aと、第2の白色LED12aと、を有する。第1の実施形態の白色LEDがいわゆる砲弾型のLEDであるのに対して、第2の実施形態の白色LEDは、LEDチップを実装するパッケージが小型化、薄型化されたSMD型(Surface Mount Device:表面実装型)LEDを用いた点で異なるが、基本的に第1の実施形態と同じ構成であり、同じ部品には同じ符号を用いて示す。SMD型の第1の白色LED10a及び第2の白色LED12aは、セラミック製の基台100上にタングステン(W)等によってパターン形成された配線導体(アノードリード)108及び配線導体(カソードリード)109と、基台100と一体的に成形された例えば無機材料の焼結体からなる本体104と、を有する。本体104は、略円筒状であり、横断面円形の内壁は第1の青色LEDチップ30及び第2の青色LEDチップ32の光が放射する方向に拡径された形状を有する側壁部106に形成されている。第1の青色LEDチップ30及び第2の青色LEDチップ32は、本体104の底部に露出した配線導体108、109にボンディングワイヤによって電気的に接続され、本体104の側壁部106内に充填された透光性樹脂の樹脂成形体24によって封止されている。第1の青色LEDチップ30及び第2の青色LEDチップ32を覆うシート状例えば薄い円板状の第1の蛍光部40s及び第2の蛍光部42sが各樹脂成形体24の上面に密着して配置されている。
2. 2nd Embodiment As shown in FIG. 2, the illuminating
第1の蛍光部40sは、第1の青色LEDチップ30の光により励起されて発光する黄色蛍光体Yを全体に分散されて含み、第2の蛍光部42sは、第2の青色LEDチップ32の光により励起されて発光する緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rを全体に分散されて含む。樹脂成形体24、蛍光体Y,G,R、青色LEDチップ30,32、第1の蛍光部40s及び第2の蛍光部42sのマトリックス材料の材質は、第1の実施形態で例示したものを適宜用いることができる。従ってこの場合、第1の白色LED10aと第2の白色LED12aとは異なる発光ピーク波長(λp)の第1、第2の青色LEDチップ30、32を用いることで2種類の白色光を組み合わせることができ、演色性の高い照明装置2となる。また、第2の実施形態においても、2つの青色LEDチップを用いたが、照明装置などの要求によって用いる青色LEDチップの数及び組合せを適宜設定することができる。さらに、3個以上の青色LEDチップを用いる場合には、2種類に限らず3種類以上の発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップを組み合わせてもよい。
The first
3.第3の実施形態
図3に示すように、第3の実施形態にかかる照明装置3は、基台100上に固定配置された第1の白色LED10bと、第2の白色LED12と、を有する。第1の白色LED10bは、緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rを含む第1の蛍光部42を有し、第2の白色LED12は、緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rを含む第2の蛍光部42aを有する。第1の蛍光部の蛍光体が緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rになったことを除けば、基本的に第1の実施形態と同じ構成であり、同じ部品には同じ符号を用いて示す。第1の蛍光体42と第2の蛍光体42aの緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rは、同じ蛍光体を用いてもよいし、違う組成の蛍光体を用いてもよい。従ってこの場合、第1の白色LED10bと第2の白色LED12とは異なる発光ピーク波長(λp)の青色LEDチップ30、32を用いることで2種類の白色光を組み合わせることができ、演色性の高い照明装置3となる。また、第3の実施形態においても、2つの青色LEDチップを用いたが、照明装置などの要求によって用いる青色LEDチップの数及び組合せを適宜設定することができる。さらに、3個以上の青色LEDチップを用いる場合には、2種類に限らず3種類以上の発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDを組み合わせてもよい。
3. 3rd Embodiment As shown in FIG. 3, the illuminating
4.第4の実施形態
図4に示すように、第4の実施形態にかかる照明装置4は、基台100上に固定配置された第1の白色LED10cと、第2の白色LED12cと、を有する。第1の白色LED10cは、黄色蛍光体Yと、緑色蛍光体Gと、赤色蛍光体Rと、を含む第1の蛍光部43aを有し、第2のLED12cは、黄色蛍光体Yと、緑色蛍光体Gと、赤色蛍光体Rと、を含む第2の蛍光部43を有する。第1、第2の蛍光部の蛍光体が黄色蛍光体Y、緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rの全てを含むになったことを除けば、基本的に第1の実施形態と同じ構成であり、同じ部品には同じ符号を用いて示す。第1の蛍光体43aと第2の蛍光体43の黄色蛍光体Y、緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rは、同じ蛍光体を用いてもよいし、違う組成の蛍光体を用いてもよい。従ってこの場合、第1の白色LED10cと第2の白色LED12cとは異なる発光ピーク波長(λp)の第1、第2の青色LED30、32を用いることで2種類の白色光を組み合わせることができ、演色性の高い照明装置4となる。また、第4の実施形態においても、2つの青色LEDチップを用いたが、照明装置などの要求によって用いる青色LEDチップの数及び組合せを適宜設定することができる。さらに、3個以上の青色LEDチップを用いる場合には、2種類に限らず3種類以上の発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDを組み合わせてもよい。
4). 4th Embodiment As shown in FIG. 4, the illuminating
また、第1〜第4の実施形態のように蛍光部をキャップ状の成形体とするだけでなく、例えば樹脂成形体24に蛍光部が含まれてもよい。その場合、例えば、樹脂成形体24全体に蛍光体Yなどが分散されていてもよいし、樹脂成形体24の一部のみを蛍光部としてもよい。具体的には、後述する図7に示す照明装置7の蛍光部のようにしてもよい。
Moreover, not only the fluorescent part is a cap-shaped molded body as in the first to fourth embodiments, but the fluorescent part may be included in the resin molded
5.第5の実施形態
図5に示すように、第5の実施形態にかかる照明装置5は、筐体110の底部に配置された基板102上にモノシリックに直列接続された複数の第1、第2の青色LEDチップ30、32と、これら複数の第1、第2の青色LEDチップ30,32を覆うシート状の成形体からなる蛍光部44と、を含む。蛍光部44は、第1の実施形態の蛍光部と同様の透光性高分子材料を用いることができ、例えばシリコーン樹脂中に緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rを含み、複数の第1、第2の青色LED30,32の発光により白色に発光する。第1、第2の青色LEDチップ30、32は、350nm〜500nmの範囲に発光ピーク波長(λp)を有し、第1の青色LEDチップ30の発光ピーク波長(λp)は、第2の青色LEDチップ32の発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有する。第1の青色LED30と第2の青色LED32は、基本的に同じ構造のGaN系LEDチップであり、基板102上に例えばn型GaN層301、p型GaN層302、p電極303、n電極304を有している。隣り合う第1、第2の青色LEDチップ30,32は、p電極303とn電極304とをエアブリッジ配線Lで接続されている。このように複数の青色LEDチップをモノリシックに形成して互いに直列接続することで、各青色LEDチップに流れる電流は同一となり、バンドギャップエネルギーに高低が生じてもフラットな発光スペクトルが得られる。筐体110の内部は、樹脂成形体24によって封止され、第1の青色LED30と第2の青色LED32は樹脂成形体24中にある。したがって、照明装置5は、筐体110の底部に基板102及び複数の第1、第2の青色LEDチップ30、32が配置された後、筐体110内に樹脂が筐体110の開口部112まで充填されて樹脂成形体24を形成し、さらに開口部112にシート状の蛍光部44が設置されてなる。
5. Fifth Embodiment As shown in FIG. 5, the lighting device 5 according to the fifth embodiment includes a plurality of first and second monolithically connected in series on a
第5の実施形態においては、2種類の発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップを用いたが、照明装置などの要求によって用いる青色LEDチップの数、発光ピーク波長(λp)及びそれらの組合せを適宜設定することができる。例えば、発光ピーク波長(λp)が430nm、450nm、470nmの3種類の青色LEDチップをそれぞれ複数個配置してもよい。また、蛍光部44をシート状の成形体としたが、青色LEDチップの発光を漏れなく覆う形態であればよく、例えば開口部112を覆う蓋状の成形体であってもよく、あるいは樹脂成形体24中に蛍光体を分散させて樹脂成形体24そのものを蛍光部44としてもよい。蛍光部44には緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rが含まれたが、緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rに加えて黄色蛍光体Yを含んでもよい。いずれにしても、異なる発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップを複数用いることで、複数の白色光を組み合わせて演色性がよく、かつ、色むらの無い白色光が得られる。
In the fifth embodiment, blue LED chips having two types of emission peak wavelengths (λp) are used. However, the number of blue LED chips, the emission peak wavelengths (λp), and combinations thereof used depending on the requirements of the lighting device or the like. Can be set as appropriate. For example, a plurality of three types of blue LED chips having emission peak wavelengths (λp) of 430 nm, 450 nm, and 470 nm may be arranged. Moreover, although the
6.第6の実施形態
図6に示すように、第6の実施形態にかかる照明装置6は、筐体110内の基台100上に固定配置された3個の第1〜第3の青色LED18a〜18cを有する。3個の第1〜第3の青色LED18a〜18cは、それぞれ発光ピーク波長(λp)の異なる第1〜第3の青色LEDチップ30、32、34を有し、それぞれの発光ピーク波長(λp)は350nm〜500nmの範囲から適宜選択された異なるピーク波長である。第1〜第3の青色LEDチップ30、32、34の発光ピーク波長(λp)は、400nm〜500nmがさらに好ましく、特に420nm〜480nmが好適である。また、いずれか1つの青色LEDチップの発光ピーク波長(λp)は、他の1つの青色LEDチップの発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有する。各青色LEDチップ30、32、34がそれぞれ異なる発光ピーク波長(λp)を有していてもよいし、第1の青色LEDチップ30が他の第2、第3の青色LEDチップ32,43に対して10nm以上80nm以下の差を有する発光ピーク波長(λp)を有していてもよい。基台100に対向する筐体110の開口部112には、薄いシート状に形成された蛍光部48が開口部112を覆うように固定されている。蛍光部48には、黄色蛍光体Yと、緑色蛍光体Gと、赤色蛍光体Rと、が含まれる。蛍光部48は、第1の実施形態で説明されたキャップ状の蛍光部と同じ材質を採用することができる。また、第6の実施形態においては、3つのLEDを用いたが、照明装置などの要求によって用いるLEDの数及び組合せを適宜設定することができる。
6). 6th Embodiment As shown in FIG. 6, the illuminating device 6 concerning 6th Embodiment is three 1st-3rd blue LED18a- fixedly arrange | positioned on the base 100 in the housing | casing 110-. 18c. The three first to third
7.第7の実施形態
図7に示すように、第7の実施形態にかかる照明装置7は、基台100上に固定配置された複数例えば2個の第1、第2の白色LED10d、12dを有する。照明装置7の第1の白色LED10dは、第1の青色LEDチップ30が第1の蛍光部40iを含む第1樹脂成形体24a内に封入されている。また、照明装置7の第2の白色LED12dは、第2の青色LEDチップ32が第2の蛍光部42iを含む第2樹脂成形体24b内に封入されている。より具体的には、ステム22に形成された第1及び第2の青色LEDチップ30、32を設置する凹部220だけを覆うように第1及び第2の蛍光部40i、42iが形成される。したがって、第7の実施形態は、蛍光体Y(黄色)を含む第1の蛍光部40i及び蛍光体G(緑色)、R(赤色)を含む第2の蛍光部42iを除けば第1の実施形態の照明装置1と同じである。
7). Seventh Embodiment As shown in FIG. 7, the
第1及び第2の蛍光部40i,42iは、第1及び第2の青色LEDチップ30、32からの光の放射を受ける領域に形成されていればよく、第1の実施形態のようなキャップ状の成形体や第2の実施形態のようなシート状の成形体などでもよく、本実施形態のような樹脂成形体中に配置されてもよい。
The first and
第1の実施形態〜第7の実施形態の照明装置の照明色は、平均演色評価数Raが85以上であるが、照明装置の用途などによって用いるLEDチップの数や発光ピーク波長(λp)、蛍光体の種類や配合量、白色LEDの数やその組合せなどを適宜設定することによって、演色性が要求される用途に適した白色光を得ることができる。例えば、平均演色評価数Raが90以上の白色光を得ることもできるし、照明色がJIS Z 9112に規定された昼光色、昼白色、白色、温白色または電球色とすることもできる。また、平均演色評価数Raだけでなく、特殊演色評価数の内、例えばR9を85以上とするように照明色を調整することもできる。 The illumination colors of the illumination devices according to the first to seventh embodiments have an average color rendering index Ra of 85 or more, but the number of LED chips and the emission peak wavelength (λp) used depending on the use of the illumination device, etc. By appropriately setting the type and blending amount of the phosphor, the number of white LEDs, and combinations thereof, white light suitable for applications requiring color rendering can be obtained. For example, white light having an average color rendering index Ra of 90 or more can be obtained, and the illumination color can be a daylight color, a daylight white color, a white color, a warm white color or a light bulb color as defined in JIS Z 9112. Further, not only the average color rendering index Ra, but also the illumination color can be adjusted so that, for example, R9 is 85 or more in the special color rendering index.
図8に示すような照明装置1aを実施例1として試作し、平均演色評価数Ra、色度座標、輝度分光スペクトル分布を分光放射輝度計60で測定した。実施例1で試作した照明装置1aの構成は、以下の通りであった。
第1の白色LED10:第1の青色LEDチップ30は、InGaN系であって、発光ピーク波長(λp)がおよそ470nmの日亜化学工業社製の青色LED「NSPB310A(商品名)」を用いた。第1の蛍光部40は、シリコーンゴム100質量部に、黄色蛍光体Yとして無機蛍光体である(Ca,Sr,Ba)2SiO4:Euを25質量部分散させ、加熱プレスして得られた厚さ0.5mmの第1のキャップ状の成形体を用いた。
第2の白色LED12:第2の青色LEDチップ32は、AlInGaN系であって、発光ピーク波長(λp)がおよそ430nmのJ REP Corporation社製の青色LED「SSL-LX5093XSBC/B(商品名)」を用いた。第2の蛍光部42は、キャップ状の成形体に換えて、シリコーンゴム100質量部に、緑色蛍光体Gとして無機蛍光体であるBaMg2Al16O27:Eu,Mn(根本特殊化学社製)を15質量部と、赤色蛍光体Rとして無機蛍光体である3.5MgO・0.5MgF2・GeO2:Mn(根本特殊化学社製)を35質量部と、を分散させ、加熱プレスして得られた厚さ0.5mmの第2のキャップ状の成形体を用いた。
実施例1の照明装置1aの分光放射輝度計60による測定結果を表1に示した。
An illuminating
First white LED 10: The first
Second white LED 12: The second
Table 1 shows the measurement results of the
第1の白色LED10単体の測定結果は、平均演色評価数Raが73.2で色度座標がx=0.332、y=0.320であった。この時の発光の分光スペクトル分布を図10に波形Aとして示した。第2の白色LED12単体の測定結果は、平均演色評価数Raが13.3で色度座標がx=0.330、y=0.336であった。この時の発光の分光スペクトル分布を図11に波形Bとして示した。第1の白色LED10を3個と、第2の白色LED12を7個と、を組合せた照明装置1aの分光スペクトル分布を図12に波形Cで示した。また、この照明装置の平均演色評価数Raは93.3で色度座標がx=0.331、y=0.323であった。第1の白色LED10及び第2の白色LED12はいずれも平均演色評価数Raが高くないが、これらを最適に組み合わせることにより、平均演色評価数Raは93.3という極めて高い演色性を有する白色の照明装置1aを得ることができた。
As a result of measurement of the first
次に、図9に示すような照明装置6aを実施例2〜6として試作し、平均演色評価数Ra、色度座標、輝度分光スペクトル分布を分光放射輝度計60で測定した。
Next, an illuminating
実施例2で試作した照明装置6aの構成は、以下の通りであった。
第1の青色LEDチップ30は、発光ピーク波長(λp)がおよそ470nmの日亜化学工業社製青色LED「NSPB310A(商品名)」を用いた。第2の青色LEDチップ32は、発光ピーク波長(λp)がおよそ430nmのJ REP Corporation製青色LED「SSL−LX5093XSBC/B(商品名)」を用いた。蛍光部48は、シリコーンゴム100質量部に緑色蛍光体Gとして無機蛍光体であるBaMg2Al16O27:Eu,Mn(根本特殊化学社製)を9質量部と、黄色蛍光体Yとして無機蛍光体である(Ca,Sr,Ba)2SiO4:Euを11質量部と、赤色蛍光体Rとして無機蛍光体である3.5MgO・0.5MgF2・GeO2:Mn(根本特殊化学社製)を30質量部と、を分散させ、加熱プレスして厚さ0.5mmのシート状の成形体を得た。
実施例2の照明装置6aの分光放射輝度計60による測定結果を表2に示した。
The configuration of the illuminating
As the first
Table 2 shows the measurement results obtained by the
実施例2の照明装置6aは、平均演色評価数Raが94.3で色度座標がx=0.324、y=0.331のJIS Z 9112に規定された昼光色であった。
The illuminating
実施例3で試作した照明装置6aの構成は、以下の通りであった。
第1の青色LEDチップ30は、発光ピーク波長(λp)がおよそ470nmの日亜化学工業社製青色LED「NSPB310A(商品名)」を用いた。第2の青色LEDチップ32は、発光ピーク波長(λp)がおよそ430nmのJ REP Corporation製青色LED「SSL−LX5093XSBC/B(商品名)」を用いた。蛍光部48は、シリコーンゴム100質量部に、緑色蛍光体Gとして無機蛍光体であるBaMg2Al16O27:Eu,Mn(根本特殊化学社製)を9質量部と、黄色蛍光体Yとして無機蛍光体である(Ca,Sr,Ba)2SiO4:Euを12質量部と、赤色蛍光体Rとして無機蛍光体である3.5MgO・0.5MgF2・GeO2:Mn(根本特殊化学社製)を35質量部と、を分散させ、加熱プレスして厚さ0.5mmのシート状の成形体を得た。
実施例3の照明装置6aの分光放射輝度計60による測定結果を表2に示した。
実施例3の照明装置6aは、平均演色評価数Raが95.8で色度座標がx=0.354、y=0.358のJIS Z 9112に規定された昼白色であった。また、実施例3の照明装置6aは、特殊演色評価数R9が87.5であった。
The configuration of the illuminating
As the first
Table 2 shows the measurement results obtained by the
The illuminating
実施例4で試作した照明装置6aの構成は、以下の通りであった。
第1の青色LEDチップ30は、発光ピーク波長(λp)がおよそ470nmの日亜化学工業社製青色LED「NSPB310A(商品名)」を用いた。第2の青色LEDチップ32は、発光ピーク波長(λp)がおよそ430nmのJ REP Corporation製青色LED「SSL−LX5093XSBC/B(商品名)」を用いた。蛍光部48は、シリコーンゴム100質量部に、緑色蛍光体Gとして無機蛍光体であるBaMg2Al16O27:Eu,Mn(根本特殊化学社製)を10質量部と、黄色蛍光体Yとして無機蛍光体である(Ca,Sr,Ba)2SiO4:Euを12質量部と、赤色蛍光体Rとして無機蛍光体である3.5MgO・0.5MgF2・GeO2:Mn(根本特殊化学社製)を40質量部と、を分散させ、加熱プレスして厚さ0.5mmのシート状の成形体を得た。
実施例4の照明装置6aの分光放射輝度計60による測定結果を表2に示した。
実施例4の照明装置6aは、平均演色評価数Raが95.0で色度座標がx=0.372、y=0.378のJIS Z 9112に規定された白色であった。また、実施例4の照明装置6aは、特殊演色評価数R9が85.1であった。
The configuration of the illuminating
As the first
Table 2 shows the measurement results obtained by the
The
実施例5で試作した照明装置6aの構成は、以下の通りであった。
第1の青色LEDチップ30は、発光ピーク波長(λp)がおよそ470nmの日亜化学工業社製青色LED「NSPB310A(商品名)」を用いた。第2の青色LEDチップ32は、発光ピーク波長(λp)がおよそ430nmのJ REP Corporation製青色LED「SSL−LX5093XSBC/B(商品名)」を用いた。蛍光部48は、シリコーンゴム100質量部に、緑色蛍光体Gとして無機蛍光体であるBaMg2Al16O27:Eu,Mn(根本特殊化学社製)を10質量部と、黄色蛍光体Yとして無機蛍光体である(Ca,Sr,Ba)2SiO4:Euを15質量部と、赤色蛍光体Rとして無機蛍光体である3.5MgO・0.5MgF2・GeO2:Mn(根本特殊化学社製)を50質量部と、を分散させ、加熱プレスして厚さ0.5mmのシート状の成形体を得た。
実施例5の照明装置6aの分光放射輝度計60による測定結果を表2に示した。
実施例5の照明装置6aは、平均演色評価数Raが92.0で色度座標がx=0.404、y=0.404のJIS Z 9112に規定された温白色であった。また、実施例5の照明装置6aは、特殊演色評価数R9が85.5であった。
The configuration of the illuminating
As the first
Table 2 shows the measurement results obtained by the
The
実施例6で試作した照明装置6aの構成は、以下の通りであった。
第1の青色LEDチップ30は、発光ピーク波長(λp)がおよそ470nmの日亜化学工業社製青色LED「NSPB310A(商品名)」を用いた。第2の青色LEDチップ32は、発光ピーク波長(λp)がおよそ430nmのJ REP Corporation製青色LED「SSL−LX5093XSBC/B(商品名)」を用いた。蛍光部48は、シリコーンゴム100質量部に、緑色蛍光体Gとして無機蛍光体であるBaMg2Al16O27:Eu,Mn(根本特殊化学社製)を12質量部と、黄色蛍光体Yとして無機蛍光体である(Ca,Sr,Ba)2SiO4:Euを17質量部と、赤色蛍光体Rとして無機蛍光体である3.5MgO・0.5MgF2・GeO2:Mn(根本特殊化学社製)を70質量部と、を分散させ、加熱プレスして厚さ0.5mmのシート状の成形体を得た。
実施例6の照明装置6aの分光放射輝度計60による測定結果を表2に示した。
実施例6の照明装置6aは、平均演色評価数Raが90.0であり、色度座標がx=0.415、y=0.408のJIS Z 9112に規定された電球色であった。
The configuration of the illuminating
As the first
Table 2 shows the measurement results obtained by the
The
実施例2〜6の照明装置6aによれば、JIS Z 9112に規定された一般照明の蛍光ランプの光源色に色調が調整されるとともに、それぞれの色調において平均演色評価数Raが90以上の高い演色性を実現した。また、実施例1においては平均演色評価数Raが最大になるように複数の白色LEDを組み合わせたが、実施例3〜5のように各蛍光体の配合量を調整することで特殊演色評価数R9を85以上とすることができた。
According to the illuminating
1、1a、2、3、4、5、6、6a、7 照明装置
10、10a〜10d 第1の白色LED
12、12a〜12d 第2の白色LED
18a,18b,18c 青色LED
20 ベース部材
22 ステム
24 樹脂成形体
30、32、34 青色LEDチップ
40、42、43、44、46、48 蛍光部
40a、42a、43a 蛍光部
40b 蛍光部
40s、42s、40i、42i 蛍光部
100 基台
102 基板
110 筐体
112 開口部
220 凹部
301 n型GaN層
302 p型GaN層
303 p電極
304 n電極
Y 黄色蛍光体
G 緑色蛍光体
R 赤色蛍光体
L エアブリッジ配線
1, 1a, 2, 3, 4, 5, 6, 6a, 7
12, 12a to 12d Second white LED
18a, 18b, 18c Blue LED
20
Claims (18)
前記青色LEDチップの光を吸収して発光する蛍光体を含む蛍光部と、
を有し、
前記複数の青色LEDチップは、
第1の発光ピーク波長(λp)を有する第1の青色LEDチップと、
第2の発光ピーク波長(λp)を有する第2の青色LEDチップと、
を含み、
前記第1の発光ピーク波長(λp)は、前記第2の発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有し、
照明色の平均演色評価数Raが85以上である照明装置。 A plurality of blue LED chips having an emission peak wavelength (λp) in the range of 350 nm to 500 nm;
A fluorescent part including a phosphor that absorbs and emits light from the blue LED chip;
Have
The plurality of blue LED chips are:
A first blue LED chip having a first emission peak wavelength (λp);
A second blue LED chip having a second emission peak wavelength (λp);
Including
The first emission peak wavelength (λp) has a difference of 10 nm or more and 80 nm or less with respect to the second emission peak wavelength (λp),
An illumination device having an average color rendering index Ra of 85 or more for illumination colors.
前記照明色の平均演色評価数Raが90以上である照明装置。 In claim 1,
An illumination device having an average color rendering index Ra of 90 or more for the illumination color.
前記蛍光部は、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を含む照明装置。 In claim 1 or 2,
The fluorescent unit is an illumination device including a green phosphor and a red phosphor.
前記蛍光部は、黄色蛍光体、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を含む照明装置。 In claim 1 or 2,
The fluorescent unit is an illumination device including a yellow phosphor, a green phosphor, and a red phosphor.
前記青色LEDチップの光を吸収して発光する蛍光体を含む蛍光部と、
を有する白色LEDを複数有し、
前記複数の白色LEDは、
前記第1の発光ピーク波長(λp)の第1の青色LEDチップを有する第1の白色LEDと、
前記第2の発光ピーク波長(λp)の第2の青色LEDチップを有する第2の白色LEDと、
を含み、
前記第1の発光ピーク波長(λp)は、前記第2の発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有し、
照明色の平均演色評価数Raが85以上である照明装置。 A blue LED chip having an emission peak wavelength (λp) in the range of 350 nm to 500 nm;
A fluorescent part including a phosphor that absorbs and emits light from the blue LED chip;
A plurality of white LEDs having
The plurality of white LEDs are:
A first white LED having a first blue LED chip of the first emission peak wavelength (λp);
A second white LED having a second blue LED chip of the second emission peak wavelength (λp);
Including
The first emission peak wavelength (λp) has a difference of 10 nm or more and 80 nm or less with respect to the second emission peak wavelength (λp),
An illumination device having an average color rendering index Ra of 85 or more for illumination colors.
前記照明色の平均演色評価数Raが90以上である照明装置。 In claim 5,
An illumination device having an average color rendering index Ra of 90 or more for the illumination color.
前記第1の白色LEDは、黄色蛍光体を含む第1の蛍光部を有し、
前記第2の白色LEDは、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を含む第2の蛍光部を有する照明装置。 In claim 5 or 6,
The first white LED has a first fluorescent part including a yellow phosphor,
The second white LED is a lighting device having a second fluorescent part including a green phosphor and a red phosphor.
前記第1の発光ピーク波長(λp)は、前記第2の発光ピーク波長(λp)よりも長波長である照明装置。 In claim 5 or 6,
The lighting device in which the first emission peak wavelength (λp) is longer than the second emission peak wavelength (λp).
前記第1の白色LEDは、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を含む第1の蛍光部を有し、
前記第2の白色LEDは、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を含む第2の蛍光部を有する照明装置。 In claim 5 or 6,
The first white LED has a first fluorescent part including a green phosphor and a red phosphor,
The second white LED is a lighting device having a second fluorescent part including a green phosphor and a red phosphor.
前記第1の白色LEDは、黄色蛍光体と、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を含む第1の蛍光部を有し、
前記第2の白色LEDは、黄色蛍光体と、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を含む第2の蛍光部を有する照明装置。 In claim 5 or 6,
The first white LED has a first fluorescent part including a yellow phosphor, a green phosphor, and a red phosphor,
The second white LED is an illumination device having a second fluorescent part including a yellow phosphor, a green phosphor, and a red phosphor.
前記第1の青色LEDチップは、第1の樹脂成形体内に封入され、
前記第2の青色LEDチップは、第2の樹脂成形体内に封入され、
前記第1の蛍光部及び前記第2の蛍光部は、前記第1の樹脂成形体及び前記第2の樹脂成形体の外側に被せられたキャップ状の成形体である照明装置。 In any one of Claims 6-10,
The first blue LED chip is enclosed in a first resin molded body,
The second blue LED chip is enclosed in a second resin molded body,
The first fluorescent part and the second fluorescent part are lighting devices that are cap-shaped molded bodies placed on the outer sides of the first resin molded body and the second resin molded body.
前記第1の蛍光部は、前記第1の青色LEDチップを覆うシート状の成形体であり、
前記第2の蛍光部は、前記第2の青色LEDチップを覆うシート状の成形体である照明装置。 In any one of Claims 6-10,
The first fluorescent part is a sheet-like molded body that covers the first blue LED chip,
The second fluorescent section is a lighting device that is a sheet-like molded body that covers the second blue LED chip.
前記第1の青色LEDチップは、前記第1の蛍光部を含む第1の樹脂成形体内に封入され、
前記第2の青色LEDチップは、前記第2の蛍光部を含む第2の樹脂成形体内に封入される照明装置。 In any one of Claims 6-10,
The first blue LED chip is enclosed in a first resin molded body including the first fluorescent part,
The lighting device in which the second blue LED chip is enclosed in a second resin molded body including the second fluorescent part.
前記照明装置の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.3274,0.3673)、(0.3282,0.3297)、(0.2998,0.3396)、(0.3064,0.3091)の4点を結ぶ四辺形内の昼光色の色調である照明装置。 In any one of Claims 1-13,
The illumination color of the illumination device is such that (x, y) on the xy chromaticity diagram is (0.3274, 0.3673), (0.3282, 0.3297), (0.2998, 0.3396), An illumination device having a daylight color tone in a quadrilateral connecting four points (0.3064, 0.3091).
前記照明装置の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.3616,0.3875)、(0.3552,0.3476)、(0.3353,0.3659)、(0.3345,0.3314)の4点を結ぶ四辺形内の昼白色の色調である照明装置。 In any one of Claims 1-13,
The illumination color of the illumination device is such that (x, y) on the xy chromaticity diagram is (0.3616, 0.3875), (0.3552, 0.3476), (0.3353, 0.3659), An illuminating device having a neutral white tone in a quadrilateral connecting four points (0.3345, 0.3314).
前記照明装置の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.3938,0.4097)、(0.3805,0.3642)、(0.3656,0.3905)、(0.3584,0.3499)の4点を結ぶ四辺形内の白色の色調である照明装置。 In any one of Claims 1-13,
The illumination color of the illumination device is such that (x, y) on the xy chromaticity diagram is (0.3938, 0.4097), (0.3805, 0.3642), (0.3656, 0.3905), An illumination device having a white color tone in a quadrilateral connecting four points (0.3584, 0.3499).
前記照明装置の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.4341,0.4233)、(0.4171,0.3846)、(0.4021,0.4076)、(0.3903,0.3719)の4点を結ぶ四辺形内の温白色の色調である照明装置。 In any one of Claims 1-13,
The illumination color of the illumination device is such that (x, y) on the xy chromaticity diagram is (0.4341, 0.4233), (0.4171, 0.3846), (0.4021, 0.4076), An illumination device having a warm white color tone in a quadrilateral connecting four points (0.3903, 0.3719).
前記照明装置の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.4775,0.4283)、(0.4594,0.3971)、(0.4348,0.4185)、(0.4214,0.3887)の4点を結ぶ四辺形内の電球色の色調である照明装置。
In any one of Claims 1-13,
The illumination color of the illumination device is such that (x, y) on the xy chromaticity diagram is (0.4775, 0.4283), (0.4594, 0.3971), (0.4348, 0.4185), An illuminating device having a light bulb color tone in a quadrilateral connecting four points (0.4214, 0.3887).
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---|---|---|---|
JP2006204738A JP4989936B2 (en) | 2006-07-27 | 2006-07-27 | Lighting device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4989936B2 (en) |
Cited By (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009266974A (en) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | Light-emitting device and light-emitting apparatus |
WO2010103767A1 (en) * | 2009-03-10 | 2010-09-16 | 株式会社 東芝 | White led, backlight using same, and liquid-crystal display device conforming to ebu standard |
WO2010102576A1 (en) * | 2009-03-11 | 2010-09-16 | 旭明光电股份有限公司 | Lighting device comprising leds with phosphor layers |
WO2011024818A1 (en) * | 2009-08-26 | 2011-03-03 | 三菱化学株式会社 | Semiconductor white light-emitting device |
JP2011181921A (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Samsung Led Co Ltd | Semiconductor light emitting device having multi-cell array, and method for manufacturing the same |
CN102201504A (en) * | 2010-03-26 | 2011-09-28 | Lg伊诺特有限公司 | Light emitting device and light unit having thereof |
JP2011526066A (en) * | 2008-06-25 | 2011-09-29 | クリー インコーポレイテッド | Solid-state lighting device with mixed light |
JP2012502122A (en) * | 2008-09-04 | 2012-01-26 | バイエル・マテリアルサイエンス・アクチェンゲゼルシャフト | LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
JP2012503331A (en) * | 2008-09-16 | 2012-02-02 | オスラム・シルバニア・インコーポレイテッド | Lighting module |
JP2012505527A (en) * | 2008-10-07 | 2012-03-01 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | lamp |
JP2012509590A (en) * | 2008-11-21 | 2012-04-19 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | Light emitting device and display device having the same |
EP2455969A2 (en) | 2010-11-17 | 2012-05-23 | Panasonic Corporation | Light emitting device |
CN102777838A (en) * | 2012-07-23 | 2012-11-14 | 贵州光浦森光电有限公司 | Universal LED bulb formation method and liquid fluorescent LED bulb |
CN102818147A (en) * | 2012-07-23 | 2012-12-12 | 贵州光浦森光电有限公司 | Constructive method of general LED (light-emitting diode) bulb, and LED bulb with fluorescent inner cover |
CN102818149A (en) * | 2012-07-23 | 2012-12-12 | 贵州光浦森光电有限公司 | General LED (light emitting diode) lamp bulb forming method and hanging lug fixed type LED lamp bulb of fluorescent inner cover |
CN102829408A (en) * | 2012-07-23 | 2012-12-19 | 贵州光浦森光电有限公司 | General LED (light-emitting diode) bulb composition method and liquid fluorescent flange fixing type LED bulb |
DE102011106478A1 (en) * | 2011-07-04 | 2013-01-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component and module with a plurality of such components |
CN102903706A (en) * | 2011-07-29 | 2013-01-30 | Lg伊诺特有限公司 | Light emitting device package and illuminance system using the same |
KR101282162B1 (en) | 2009-12-30 | 2013-07-26 | 일진엘이디(주) | Light emitting diode package |
CN103225756A (en) * | 2013-04-22 | 2013-07-31 | 贵州光浦森光电有限公司 | Liquid-state heat-radiation type medium-sized LED bulb |
JP2013161909A (en) * | 2012-02-03 | 2013-08-19 | Idec Corp | Led lighting unit and led lighting device |
JP2014007355A (en) * | 2012-06-27 | 2014-01-16 | Rohm Co Ltd | Semiconductor light-emitting device and lighting device |
KR101420220B1 (en) * | 2011-12-15 | 2014-07-17 | 심현섭 | Soft Silicone Bulb for LED Light Bulb and LED Light Bulb thereof |
JP2014209617A (en) * | 2013-03-29 | 2014-11-06 | 株式会社朝日ラバー | Led lighting system, manufacturing method of the same and led lighting method |
JP2015506080A (en) * | 2011-12-16 | 2015-02-26 | マーベル ワールド トレード リミテッド | Current balancing circuit for lighting systems using light emitting diodes |
US8998444B2 (en) | 2006-04-18 | 2015-04-07 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices including light mixtures |
JP2015515133A (en) * | 2012-04-06 | 2015-05-21 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | White light emitting module |
JP2015149480A (en) * | 2009-06-30 | 2015-08-20 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | White light electroluminescent devices with adjustable color temperature |
JP2016522986A (en) * | 2013-04-20 | 2016-08-04 | アッポトロニック チャイナ コーポレイション | Light emitting device and related light source system |
JP2016187035A (en) * | 2016-06-01 | 2016-10-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Light source device |
JP2016219519A (en) * | 2015-05-18 | 2016-12-22 | サンケン電気株式会社 | Light-emitting device |
JPWO2014203839A1 (en) * | 2013-06-18 | 2017-02-23 | シャープ株式会社 | Light source device and light emitting device |
EP3159947A1 (en) * | 2008-07-29 | 2017-04-26 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Warm white light emitting apparatus and back light module comprising the same |
KR101736926B1 (en) * | 2010-12-28 | 2017-05-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | Back light unit and liquid crystal display device having thereof |
CN107013882A (en) * | 2017-03-06 | 2017-08-04 | 华南农业大学 | It is a kind of to turn photoreactivation diffuser and its plant lamp of application |
JP2017168795A (en) * | 2016-03-04 | 2017-09-21 | 日亜化学工業株式会社 | Light-emitting device |
EP3249703A1 (en) | 2016-05-26 | 2017-11-29 | Nichia Corporation | Light emitting device |
KR20170134241A (en) | 2016-05-26 | 2017-12-06 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | Light emitting device |
JP2018041969A (en) * | 2017-10-10 | 2018-03-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Light source device |
CN109155326A (en) * | 2016-05-18 | 2019-01-04 | 欧司朗光电半导体有限公司 | For manufacturing the method and photoelectron subassembly of photoelectron subassembly |
KR20190028252A (en) * | 2017-09-08 | 2019-03-18 | 오충봉 | LED traffic surface emitting lights with high efficiency and visibility |
US10256374B2 (en) | 2016-03-04 | 2019-04-09 | Nichia Corporation | Light emitting device |
WO2019087232A1 (en) | 2017-10-30 | 2019-05-09 | サンケン電気株式会社 | Light-emitting device and illumination device |
US10493175B2 (en) | 2017-09-28 | 2019-12-03 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light-emitting device |
EP3576168A2 (en) | 2018-05-31 | 2019-12-04 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10505081B2 (en) | 2017-07-04 | 2019-12-10 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2020532874A (en) * | 2017-09-06 | 2020-11-12 | ジーエルビーテック カンパニー リミテッド | D50 / D65 High color rendering standard LED light emitting module and lighting device |
US10910526B2 (en) | 2017-12-26 | 2021-02-02 | Nichia Corporation | Light emitting device |
TWI796057B (en) * | 2021-06-21 | 2023-03-11 | 財團法人工業技術研究院 | Phototherapy device and display device |
US11948531B2 (en) | 2021-06-21 | 2024-04-02 | Industrial Technology Research Institute | Light source device and display device alternately emitting light beams |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103791318B (en) * | 2012-11-05 | 2017-04-19 | 群康科技(深圳)有限公司 | Backlight module |
US9716212B2 (en) | 2014-12-19 | 2017-07-25 | Nichia Corporation | Light emitting device |
WO2017200097A1 (en) | 2016-05-20 | 2017-11-23 | 株式会社 東芝 | White light source |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002270899A (en) * | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Mitsubishi Electric Lighting Corp | Color temperature variable led light source module |
JP2004119634A (en) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Light emitting device |
JP2005038798A (en) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Lighting device and lamp module |
JP2005117028A (en) * | 2003-09-16 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led illumination light source |
JP2006128456A (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light-emitting device |
WO2006068765A2 (en) * | 2004-12-21 | 2006-06-29 | 3M Innovative Properties Company | Illumination assembly and method of making same |
JP2006196777A (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Toshiba Corp | Illuminator, imaging device, and portable terminal |
-
2006
- 2006-07-27 JP JP2006204738A patent/JP4989936B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002270899A (en) * | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Mitsubishi Electric Lighting Corp | Color temperature variable led light source module |
JP2004119634A (en) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Light emitting device |
JP2005038798A (en) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Lighting device and lamp module |
JP2005117028A (en) * | 2003-09-16 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led illumination light source |
JP2006128456A (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light-emitting device |
WO2006068765A2 (en) * | 2004-12-21 | 2006-06-29 | 3M Innovative Properties Company | Illumination assembly and method of making same |
JP2006196777A (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Toshiba Corp | Illuminator, imaging device, and portable terminal |
Cited By (89)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8998444B2 (en) | 2006-04-18 | 2015-04-07 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices including light mixtures |
JP2009266974A (en) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | Light-emitting device and light-emitting apparatus |
JP2011526066A (en) * | 2008-06-25 | 2011-09-29 | クリー インコーポレイテッド | Solid-state lighting device with mixed light |
EP3890036A1 (en) * | 2008-07-29 | 2021-10-06 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Warm white light emitting apparatus and back light module comprising the same. |
EP3159947A1 (en) * | 2008-07-29 | 2017-04-26 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Warm white light emitting apparatus and back light module comprising the same |
EP3890035A1 (en) * | 2008-07-29 | 2021-10-06 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Warm white light emitting apparatus |
JP2012502122A (en) * | 2008-09-04 | 2012-01-26 | バイエル・マテリアルサイエンス・アクチェンゲゼルシャフト | LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
JP2012503331A (en) * | 2008-09-16 | 2012-02-02 | オスラム・シルバニア・インコーポレイテッド | Lighting module |
JP2012505527A (en) * | 2008-10-07 | 2012-03-01 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | lamp |
DE102008050643B4 (en) | 2008-10-07 | 2022-11-03 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | bulbs |
KR101612576B1 (en) * | 2008-10-07 | 2016-04-14 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | Lamp |
JP2012509590A (en) * | 2008-11-21 | 2012-04-19 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | Light emitting device and display device having the same |
US8913213B2 (en) | 2008-11-21 | 2014-12-16 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting apparatus and display apparatus using the same |
US8632202B2 (en) | 2009-03-10 | 2014-01-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | White LED, backlight using same, and liquid crystal display device conforming to EBU standard |
WO2010103767A1 (en) * | 2009-03-10 | 2010-09-16 | 株式会社 東芝 | White led, backlight using same, and liquid-crystal display device conforming to ebu standard |
JP5468600B2 (en) * | 2009-03-10 | 2014-04-09 | 株式会社東芝 | White LED, backlight using the same, and liquid crystal display device compliant with EBU standard |
WO2010102576A1 (en) * | 2009-03-11 | 2010-09-16 | 旭明光电股份有限公司 | Lighting device comprising leds with phosphor layers |
JP2012519972A (en) * | 2009-03-11 | 2012-08-30 | セミエルイーディーズ オプトエレクトロニクス カンパニー リミテッド | Light emitting device comprising an LED having a phosphor layer |
US8835953B2 (en) | 2009-03-11 | 2014-09-16 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Lighting device comprising LEDs with phosphor layers |
JP2015149480A (en) * | 2009-06-30 | 2015-08-20 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | White light electroluminescent devices with adjustable color temperature |
EP2432037A1 (en) * | 2009-08-26 | 2012-03-21 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor white light-emitting device |
EP2432037A4 (en) * | 2009-08-26 | 2014-04-09 | Mitsubishi Chem Corp | Semiconductor white light-emitting device |
JP2012056970A (en) * | 2009-08-26 | 2012-03-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | White semiconductor light-emitting device |
WO2011024818A1 (en) * | 2009-08-26 | 2011-03-03 | 三菱化学株式会社 | Semiconductor white light-emitting device |
US8829778B2 (en) | 2009-08-26 | 2014-09-09 | Mitsubishi Chemical Corporation | White light-emitting semiconductor devices |
US8581488B2 (en) | 2009-08-26 | 2013-11-12 | Mitsubishi Chemical Corporation | White light-emitting semiconductor devices |
KR101282162B1 (en) | 2009-12-30 | 2013-07-26 | 일진엘이디(주) | Light emitting diode package |
JP2011181921A (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Samsung Led Co Ltd | Semiconductor light emitting device having multi-cell array, and method for manufacturing the same |
CN102201504A (en) * | 2010-03-26 | 2011-09-28 | Lg伊诺特有限公司 | Light emitting device and light unit having thereof |
JP2011211196A (en) * | 2010-03-26 | 2011-10-20 | Lg Innotek Co Ltd | Light emitting element, and light unit including the same |
EP2455969A2 (en) | 2010-11-17 | 2012-05-23 | Panasonic Corporation | Light emitting device |
KR101736926B1 (en) * | 2010-12-28 | 2017-05-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | Back light unit and liquid crystal display device having thereof |
DE102011106478A1 (en) * | 2011-07-04 | 2013-01-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component and module with a plurality of such components |
CN102903706B (en) * | 2011-07-29 | 2017-05-17 | Lg伊诺特有限公司 | Light emitting device package and illuminance system using the same |
CN102903706A (en) * | 2011-07-29 | 2013-01-30 | Lg伊诺特有限公司 | Light emitting device package and illuminance system using the same |
JP2013033903A (en) * | 2011-07-29 | 2013-02-14 | Lg Innotek Co Ltd | Light emitting device package and lighting system using the same |
KR101420220B1 (en) * | 2011-12-15 | 2014-07-17 | 심현섭 | Soft Silicone Bulb for LED Light Bulb and LED Light Bulb thereof |
JP2015506080A (en) * | 2011-12-16 | 2015-02-26 | マーベル ワールド トレード リミテッド | Current balancing circuit for lighting systems using light emitting diodes |
JP2013161909A (en) * | 2012-02-03 | 2013-08-19 | Idec Corp | Led lighting unit and led lighting device |
US10090442B2 (en) | 2012-04-06 | 2018-10-02 | Philips Lighting Holding B.V. | White light emitting module |
JP2015515133A (en) * | 2012-04-06 | 2015-05-21 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | White light emitting module |
JP2014007355A (en) * | 2012-06-27 | 2014-01-16 | Rohm Co Ltd | Semiconductor light-emitting device and lighting device |
CN102777838A (en) * | 2012-07-23 | 2012-11-14 | 贵州光浦森光电有限公司 | Universal LED bulb formation method and liquid fluorescent LED bulb |
CN102818147A (en) * | 2012-07-23 | 2012-12-12 | 贵州光浦森光电有限公司 | Constructive method of general LED (light-emitting diode) bulb, and LED bulb with fluorescent inner cover |
CN102818149A (en) * | 2012-07-23 | 2012-12-12 | 贵州光浦森光电有限公司 | General LED (light emitting diode) lamp bulb forming method and hanging lug fixed type LED lamp bulb of fluorescent inner cover |
CN102829408A (en) * | 2012-07-23 | 2012-12-19 | 贵州光浦森光电有限公司 | General LED (light-emitting diode) bulb composition method and liquid fluorescent flange fixing type LED bulb |
US9500326B2 (en) | 2013-03-29 | 2016-11-22 | Asahi Rubber Inc. | Reduced-blue-light LED lighting device, method of its manufacture, and LED lighting method |
JP2014209617A (en) * | 2013-03-29 | 2014-11-06 | 株式会社朝日ラバー | Led lighting system, manufacturing method of the same and led lighting method |
JP2016522986A (en) * | 2013-04-20 | 2016-08-04 | アッポトロニック チャイナ コーポレイション | Light emitting device and related light source system |
CN103225756A (en) * | 2013-04-22 | 2013-07-31 | 贵州光浦森光电有限公司 | Liquid-state heat-radiation type medium-sized LED bulb |
JPWO2014203839A1 (en) * | 2013-06-18 | 2017-02-23 | シャープ株式会社 | Light source device and light emitting device |
US10026875B2 (en) | 2013-06-18 | 2018-07-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-source device and light-emitting device |
JP2017118130A (en) * | 2013-06-18 | 2017-06-29 | シャープ株式会社 | Light source device and light-emitting device |
JP2016219519A (en) * | 2015-05-18 | 2016-12-22 | サンケン電気株式会社 | Light-emitting device |
US10256374B2 (en) | 2016-03-04 | 2019-04-09 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US11063188B2 (en) | 2016-03-04 | 2021-07-13 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2017168795A (en) * | 2016-03-04 | 2017-09-21 | 日亜化学工業株式会社 | Light-emitting device |
JP2019518331A (en) * | 2016-05-18 | 2019-06-27 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | Method of manufacturing optoelectronic devices and optoelectronic devices |
CN109155326B (en) * | 2016-05-18 | 2023-09-01 | 欧司朗光电半导体有限公司 | Method for producing an optoelectronic component and optoelectronic component |
CN109155326A (en) * | 2016-05-18 | 2019-01-04 | 欧司朗光电半导体有限公司 | For manufacturing the method and photoelectron subassembly of photoelectron subassembly |
US10840417B2 (en) | 2016-05-18 | 2020-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for manufacturing an optoelectronic component and optoelectronic component |
US10141484B2 (en) | 2016-05-26 | 2018-11-27 | Nichia Corporation | Light emitting device |
EP3893286A1 (en) | 2016-05-26 | 2021-10-13 | Nichia Corporation | Light emitting device |
EP3249703A1 (en) | 2016-05-26 | 2017-11-29 | Nichia Corporation | Light emitting device |
KR20170134241A (en) | 2016-05-26 | 2017-12-06 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | Light emitting device |
US11011684B2 (en) | 2016-05-26 | 2021-05-18 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10559725B2 (en) | 2016-05-26 | 2020-02-11 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2016187035A (en) * | 2016-06-01 | 2016-10-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Light source device |
CN107013882A (en) * | 2017-03-06 | 2017-08-04 | 华南农业大学 | It is a kind of to turn photoreactivation diffuser and its plant lamp of application |
US10505081B2 (en) | 2017-07-04 | 2019-12-10 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2020532874A (en) * | 2017-09-06 | 2020-11-12 | ジーエルビーテック カンパニー リミテッド | D50 / D65 High color rendering standard LED light emitting module and lighting device |
KR20190028252A (en) * | 2017-09-08 | 2019-03-18 | 오충봉 | LED traffic surface emitting lights with high efficiency and visibility |
KR102130164B1 (en) * | 2017-09-08 | 2020-07-06 | 심만식 | LED traffic surface emitting lights with high efficiency and visibility |
US10493175B2 (en) | 2017-09-28 | 2019-12-03 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light-emitting device |
US10806809B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-10-20 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP2018041969A (en) * | 2017-10-10 | 2018-03-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Light source device |
KR20190062326A (en) | 2017-10-30 | 2019-06-05 | 산켄덴키 가부시키가이샤 | Light emitting device and lighting device |
JPWO2019087232A1 (en) * | 2017-10-30 | 2019-11-14 | サンケン電気株式会社 | Light emitting device and lighting device |
WO2019087232A1 (en) | 2017-10-30 | 2019-05-09 | サンケン電気株式会社 | Light-emitting device and illumination device |
US11244929B2 (en) | 2017-10-30 | 2022-02-08 | Sanken Electric Co., Ltd. | Light emitting device and lighting device |
KR102146430B1 (en) * | 2017-10-30 | 2020-08-20 | 산켄덴키 가부시키가이샤 | Light-emitting device and lighting device |
US10910526B2 (en) | 2017-12-26 | 2021-02-02 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US11757070B2 (en) | 2017-12-26 | 2023-09-12 | Nichia Corporation | Light emitting device with Ce-activated aluminate fluorescent material |
US10770628B2 (en) | 2018-05-31 | 2020-09-08 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US11502226B2 (en) | 2018-05-31 | 2022-11-15 | Nichia Corporation | Light emitting device |
EP3576168A2 (en) | 2018-05-31 | 2019-12-04 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US11990571B2 (en) | 2018-05-31 | 2024-05-21 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US11948531B2 (en) | 2021-06-21 | 2024-04-02 | Industrial Technology Research Institute | Light source device and display device alternately emitting light beams |
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