JP2008028425A - Sealed resin layer of semiconductor device, and formation method therefor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、音圧センサチップや圧力センサチップ等の半導体センサチップを備える半導体装置の封止樹脂層及び半導体装置の封止樹脂層の形成方法に関する。 The present invention relates to a sealing resin layer of a semiconductor device including a semiconductor sensor chip such as a sound pressure sensor chip and a pressure sensor chip, and a method for forming a sealing resin layer of a semiconductor device.
従来、シリコン半導体を用いて製造される、例えば圧力センサやシリコンマイクなどの半導体装置には、略矩形板状に形成され、その表面から裏面に向けて凹む凹状部が形成された半導体センサチップを備え、この半導体センサチップがプリント基板上に実装されて構成されたものがある。この半導体センサチップは、凹状部により薄肉化された部分がダイヤフラム(可動電極)とされ、例えば音圧などの圧力が加わるとこのダイヤフラムに変位やひずみが生じ、ダイヤフラムに形成した例えばブリッジ抵抗回路がこの変位やひずみを電気抵抗の変化として捉え、変位やひずみ(以下、変位という)の大きさに応じた電気抵抗の変化をもとに圧力を検出することが可能とされている。 Conventionally, a semiconductor device manufactured using a silicon semiconductor, such as a pressure sensor or a silicon microphone, has a semiconductor sensor chip that is formed in a substantially rectangular plate shape and has a recessed portion that is recessed from the front surface toward the back surface. And the semiconductor sensor chip is mounted on a printed circuit board. In this semiconductor sensor chip, the thinned portion by the concave portion is used as a diaphragm (movable electrode). When pressure such as sound pressure is applied, the diaphragm is displaced or distorted. For example, a bridge resistor circuit formed on the diaphragm This displacement or strain is regarded as a change in electrical resistance, and pressure can be detected based on the change in electrical resistance corresponding to the magnitude of displacement or strain (hereinafter referred to as displacement).
この種の半導体装置は、一般に、ダイヤフラムの変位が微小な範囲で使用するほど、またダイヤフラムに流体の付着などがないほどに精度や再現性がよいという特徴を有している。このため、半導体装置には、ダイヤフラムの微小な変位で出力された電気信号を増幅するオペアンプなどの増幅器が設けられ、この増幅器を半導体センサチップとともにプリント基板に実装したものもある。そして、半導体センサチップと増幅器を同一空間内に配するようプリント基板の表面にカバー(蓋体)を被せてパッケージし、外部環境からこれらを保護して構成されたものもある(例えば、特許文献1参照)。 In general, this type of semiconductor device has a feature that accuracy and reproducibility are good enough that the displacement of the diaphragm is used in a minute range and no fluid adheres to the diaphragm. For this reason, some semiconductor devices are provided with an amplifier such as an operational amplifier that amplifies an electric signal output by a minute displacement of the diaphragm, and this amplifier is mounted on a printed circuit board together with a semiconductor sensor chip. In addition, a semiconductor sensor chip and an amplifier are packaged by covering the surface of the printed circuit board with a cover (cover) so that they are arranged in the same space, and these are protected from the external environment (for example, patent documents) 1).
このような半導体装置においては、半導体センサチップと増幅器を同一空間内に納めるカバーに、この空間と外部とを連通させる開口部が設けられ、この開口部を介して外部で生じた例えば音圧等の変動する圧力を空間内に導き、半導体センサチップに到達させることが可能とされている。また、プリント基板のダイヤフラムの直下に位置する部分には、プリント基板の表面から裏面に向けて凹む凹部が設けられ、この凹部でダイヤフラム直下に空間が形成されることによって、ダイヤフラムが、到達した圧力に応じた変形量で正しく振動(変位)することが可能とされている。
しかしながら、上記の半導体装置は、半導体センサチップが予め凹状部を形成したプリント基板に実装されて構成されているため、例えば半導体センサチップの特性に応じて凹部のサイズ変更を要する場合などでは、プリント基板の製造が面倒となり、また、このような場合には、製造効率の低下を招き、半導体装置の製造コストひいては半導体装置のコストが増大するという問題があった。 However, since the semiconductor device described above is configured by mounting the semiconductor sensor chip on a printed circuit board in which a concave portion has been formed in advance, for example, when the size of the concave portion needs to be changed according to the characteristics of the semiconductor sensor chip, The manufacture of the substrate becomes troublesome. In such a case, there is a problem that the manufacturing efficiency is lowered, and the manufacturing cost of the semiconductor device and thus the cost of the semiconductor device is increased.
さらに、半導体センサチップや増幅器が設置されたプリント基板の同一の表面に、半導体センサチップや増幅器の上方に空間を形成しつつこれらを被覆するカバーが設置されているため、このカバーの設置時に、半導体センサチップや増幅器、またはそれぞれを電気的に接続するワイヤーなどに接触してしまいこれらが損傷される場合があり、半導体装置の信頼性の低下を招くという問題もあった。 Furthermore, on the same surface of the printed circuit board on which the semiconductor sensor chip and the amplifier are installed, a cover that covers these while forming a space above the semiconductor sensor chip and the amplifier is installed. There is a problem that the semiconductor sensor chip, the amplifier, or a wire that electrically connects each of the semiconductor sensor chip and the amplifier may be damaged, resulting in a decrease in reliability of the semiconductor device.
本発明は、上記事情を鑑み、半導体装置の製造効率の向上及びコストの低減を可能にするとともに、半導体装置の信頼性の向上を可能にする半導体装置の封止樹脂層及び半導体装置の封止樹脂層の形成方法を提供することを目的とする。 In view of the above circumstances, the present invention makes it possible to improve the manufacturing efficiency and cost of a semiconductor device, and to improve the reliability of the semiconductor device and the sealing resin layer of the semiconductor device and the sealing of the semiconductor device It aims at providing the formation method of a resin layer.
上記の目的を達するために、この発明は以下の手段を提供している。 In order to achieve the above object, the present invention provides the following means.
本発明の半導体装置の封止樹脂層は、加えられた圧力によって変形し変形量に応じた前記圧力を検出するダイヤフラムが形成された半導体センサチップが上面に固着される板状のステージ部と、該ステージ部に一端が接続されてこれを持ち上げた状態に支持する吊りリードと、前記ステージ部の近傍に一端を配置したリードとを、前記リードの他端を外部に露出させ、かつ前記ステージ部の上方を開放状態として封止する半導体装置の封止樹脂層であって、前記吊りリードに前記ステージ部よりも上方に配された一面を形成する屈曲部が設けられ、前記屈曲部を封止した部分が、前記半導体センサチップの上方に空間を形成しつつこれを被覆する蓋体を載置するように、上方に突出して形成されていることを特徴とする。 The sealing resin layer of the semiconductor device of the present invention is a plate-like stage portion to which a semiconductor sensor chip on which a diaphragm for detecting the pressure according to the deformation amount is deformed by the applied pressure is fixed to the upper surface; A suspension lead that supports one end connected to the stage portion and lifts it, and a lead that has one end disposed in the vicinity of the stage portion, the other end of the lead is exposed to the outside, and the stage portion A sealing resin layer of a semiconductor device that seals the upper portion of the semiconductor device in an open state, wherein the suspension lead is provided with a bent portion that forms a surface disposed above the stage portion, and the bent portion is sealed The formed portion is formed to protrude upward so as to place a lid that covers the semiconductor sensor chip while forming a space above the semiconductor sensor chip.
また、本発明の半導体装置の封止樹脂層においては、前記ステージ部に前記半導体センサチップの前記ダイヤフラムに対向して貫通孔が形成され、該貫通孔に連通しつつ下面に開口する孔部が形成されていることが望ましい。 Further, in the sealing resin layer of the semiconductor device of the present invention, a through hole is formed in the stage portion so as to face the diaphragm of the semiconductor sensor chip, and a hole portion that opens to the lower surface while communicating with the through hole. It is desirable that it be formed.
さらに、本発明の半導体装置の封止樹脂層においては、前記吊りリードの前記屈曲部で形成される前記一面が前記屈曲部を封止した部分の上面に露出して形成されていることがより望ましい。 Furthermore, in the sealing resin layer of the semiconductor device of the present invention, the one surface formed by the bent portion of the suspension lead is formed so as to be exposed on the upper surface of the portion where the bent portion is sealed. desirable.
本発明の半導体装置の封止樹脂層の形成方法は、加えられた圧力によって変形し変形量に応じた前記圧力を検出するダイヤフラムが形成された半導体センサチップが上面に固着される板状のステージ部と、該ステージ部に一端が接続されてこれを持ち上げた状態に支持する吊りリードと、前記ステージ部の近傍に一端を配置したリードとを、前記リードの他端を外部に露出させ、かつ前記ステージ部の上方を開放状態として封止する半導体装置の封止樹脂層の形成方法であって、前記ステージ部と、該ステージ部よりも上方に配された一面を形成する屈曲部が設けられた前記吊りリードと、前記リードとを備えるリードフレームを用意し、一方の金型が前記吊りリードの屈曲部に係合する凹状の面を有する一対の金型に前記リードフレームを挟み込んで型締めを行い、前記一対の金型のキャビティー内に樹脂を充填して前記ステージ部と前記吊りリードと前記リードを封止し、前記屈曲部を封止した部分が上方に突出した形で封止樹脂層を形成することを特徴とする。 The method for forming a sealing resin layer of a semiconductor device according to the present invention is a plate-like stage in which a semiconductor sensor chip formed with a diaphragm that is deformed by an applied pressure and detects the pressure corresponding to the amount of deformation is fixed to the upper surface. A lead having one end connected to the stage portion and supporting it in a lifted state, a lead having one end disposed in the vicinity of the stage portion, and the other end of the lead exposed to the outside, and A method for forming an encapsulating resin layer of a semiconductor device that seals the upper portion of the stage portion in an open state, wherein the stage portion and a bent portion that forms one surface arranged above the stage portion are provided. In addition, a lead frame including the suspension lead and the lead is prepared, and the lead frame is attached to a pair of molds having a concave surface where one mold engages with a bent portion of the suspension lead. The mold is clamped and filled into the cavities of the pair of molds to seal the stage part, the suspension lead and the lead, and the part where the bent part is sealed protrudes upward. The sealing resin layer is formed in the shape.
また、本発明の半導体装置の封止樹脂層の形成方法においては、前記吊りリードの前記屈曲部で形成される前記一面が前記屈曲部を封止した部分の上面に露出するように封止樹脂層を形成することが望ましい。 In the method for forming a sealing resin layer of a semiconductor device according to the present invention, the sealing resin is formed so that the one surface formed by the bent portion of the suspension lead is exposed on the upper surface of the portion where the bent portion is sealed. It is desirable to form a layer.
本発明の半導体装置の封止樹脂層及び半導体装置の封止樹脂層の形成方法によれば、吊りリードにステージ部よりも上方に配された一面を形成する屈曲部が設けられ、屈曲部を封止した部分が上方に突出して封止樹脂層が形成されているため、屈曲部を封止した部分に、半導体センサチップの上方に空間を形成しつつこれを被覆する蓋体を載置する際に、半導体センサチップや、半導体センサチップとリードを電気的に接続するワイヤーなどに蓋体が接触して損傷が生じることを防止して容易に蓋体を設置することが可能になる。これにより、信頼性の高い半導体装置を提供することが可能になる。 According to the method for forming the sealing resin layer of the semiconductor device and the sealing resin layer of the semiconductor device of the present invention, the bent lead is provided with a bent portion that forms one surface disposed above the stage portion, and the bent portion is Since the sealed portion protrudes upward to form a sealing resin layer, a lid that covers the bent portion is sealed while forming a space above the semiconductor sensor chip. At this time, it is possible to prevent the lid from coming into contact with the semiconductor sensor chip or the wire that electrically connects the semiconductor sensor chip and the lead to cause damage and to easily install the lid. As a result, a highly reliable semiconductor device can be provided.
また、ステージ部と吊りリードとリードとを封止樹脂層で封止することで、リードフレームを用いて半導体装置を製造することが可能になるため、従来のプリント基板を用いるものと比較して、例えば半導体センサチップの特性に応じて容易にサイズ変更に応じることが可能とされる。さらに、リードフレームを用いて半導体装置の製造を可能にすることで、プリント基板を用いるものと比較して、量産性に優れるものとされ、製造効率の低下を招くことがなく、半導体装置の製造コストひいては半導体装置のコストの低減を可能にする。 In addition, by sealing the stage portion, the suspension leads, and the leads with a sealing resin layer, it becomes possible to manufacture a semiconductor device using a lead frame, so compared to those using a conventional printed circuit board For example, the size can be easily changed according to the characteristics of the semiconductor sensor chip. Furthermore, by making it possible to manufacture a semiconductor device using a lead frame, it is superior in mass productivity compared to using a printed circuit board, and manufacturing of a semiconductor device is not caused without a decrease in manufacturing efficiency. This makes it possible to reduce the cost of the semiconductor device.
さらに、本発明の半導体装置の封止樹脂層においては、ステージ部に半導体センサチップのダイヤフラムに対向して形成された貫通孔に連通しつつ下面に開口する孔部が形成されていることで、例えば外部で変動する圧力を、孔部を介してダイヤフラムに到達させることが可能とされ、また、この圧力によってダイヤフラムが変形する際に、蓋体で画成される空間により、加えられた圧力に比例した変形量で正しくダイヤフラムを振動(変位)させることが可能とされる。 Furthermore, in the sealing resin layer of the semiconductor device of the present invention, the stage portion is formed with a hole portion that opens to the lower surface while communicating with the through hole formed facing the diaphragm of the semiconductor sensor chip. For example, pressure that fluctuates outside can be made to reach the diaphragm through the hole, and when the diaphragm is deformed by this pressure, the pressure defined by the space defined by the lid body It is possible to vibrate (displace) the diaphragm correctly with a proportional deformation amount.
つまり、封止樹脂層に孔部が形成されていることで、蓋体の大きさや形状に応じて密閉状態の前記空間の容量を大きく形成することが可能になり、ダイヤフラムの振動に伴い生じる前記空間の圧力変化を小さく抑えることを可能にし、ダイヤフラムの変形が阻害されることを防止できる。これにより、ダイヤフラムを加えられた圧力に応じた変形量で正しく振動させることが可能になって、この半導体装置で検出した圧力を正確なものにすることを可能にする。 That is, since the hole is formed in the sealing resin layer, it is possible to increase the capacity of the sealed space according to the size and shape of the lid, and the vibration caused by the vibration of the diaphragm It is possible to suppress a change in pressure in the space, and to prevent the deformation of the diaphragm from being hindered. As a result, the diaphragm can be vibrated correctly with a deformation amount corresponding to the applied pressure, and the pressure detected by the semiconductor device can be made accurate.
また、本発明の半導体装置の封止樹脂層及び半導体装置の封止樹脂層の形成方法においては、吊りリードの屈曲部で形成される一面が屈曲部を封止した部分の上面に露出するように封止樹脂層が形成されることで、例えば蓋体の内面に導電性層が設けられ、屈曲部を封止した部分にこの蓋体を載置(設置)するとともに、蓋体の導電性層を屈曲部の一面を介して吊りリードと電気的に接続することが可能になり、導電性層と吊りリードとステージ部とからなる電気的に連続の電磁シールドを形成することが可能になる。そして、空間に納められた半導体センサチップをこの電磁シールドで囲繞することができるため、外部で発生し、空間内に侵入しようとする電磁気的なノイズをこの電磁シールドで遮断することができ、半導体センサチップをノイズから保護することが可能になる。これにより、吊りリードの屈曲部で形成される一面を露出させて封止樹脂層を形成することで、ノイズが半導体センサチップに到達してダイヤフラムの誤振動が生じることを防止し、より正確に圧力を検出することが可能な信頼性の高い半導体装置を提供することが可能になる。 Further, in the sealing resin layer of the semiconductor device and the method of forming the sealing resin layer of the semiconductor device of the present invention, one surface formed by the bent portion of the suspension lead is exposed on the upper surface of the portion where the bent portion is sealed. By forming the sealing resin layer on the inner surface, for example, a conductive layer is provided on the inner surface of the lid, and the lid is placed (installed) on the sealed portion of the bent portion, and the conductivity of the lid The layer can be electrically connected to the suspension lead through one surface of the bent portion, and an electrically continuous electromagnetic shield composed of the conductive layer, the suspension lead, and the stage portion can be formed. . And since the semiconductor sensor chip housed in the space can be surrounded by this electromagnetic shield, electromagnetic noise that is generated outside and tries to enter the space can be blocked by this electromagnetic shield. It becomes possible to protect the sensor chip from noise. As a result, the surface formed by the bent portion of the suspension lead is exposed to form the sealing resin layer, thereby preventing noise from reaching the semiconductor sensor chip and causing the diaphragm to vibrate more accurately. A highly reliable semiconductor device capable of detecting pressure can be provided.
以下、図1から図7を参照し、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の封止樹脂層及び半導体装置の封止樹脂層の形成方法について説明する。本実施形態は、外部に発生した音響などの音圧を検出する半導体装置に関し、リードフレームを用いて製造される半導体装置に関するものである。 Hereinafter, a method for forming a sealing resin layer of a semiconductor device and a sealing resin layer of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The present embodiment relates to a semiconductor device that detects sound pressure such as sound generated outside, and relates to a semiconductor device manufactured using a lead frame.
本実施形態の半導体装置Aは、図1から図2に示すように、平面視略矩形状を呈する板状のステージ部1と、ステージ部1に一端2aが接続されこれを持ち上げた状態に支持する複数の吊りリード2と、ステージ部1の近傍に一端3aを配置するように半導体装置Aの側端側からステージ部1に向けて延出する複数のリード3と、ステージ部1と吊りリード2とリード3とを封止する第1封止樹脂層(封止樹脂層)4と、ステージ部1の上面1aに固着された平面視矩形状を呈する半導体センサチップ(音圧センサチップ)5と、同じくステージ部1の上面1aに固着され半導体センサチップ5が出力した電気信号を増幅する増幅器6と、半導体センサチップ5と増幅器6とリード3を電気的に接続するワイヤー7と、第1封止樹脂層4に載置され半導体センサチップ5及び増幅器6の上方に空間(第1の空間)12を形成しつつこれらを被覆する断面略凹状の蓋体9と、蓋体9の外面9dを覆って第1封止樹脂層4に固着された第2封止樹脂層10とが主な構成要素とされている。
As shown in FIGS. 1 to 2, the semiconductor device A according to the present embodiment is supported in a state where a plate-
ステージ部1には、上面1aから下面1bに貫通する貫通孔1cが形成されている。また、ステージ部1には、その上面1aの各側端からそれぞれ外方に延出しつつ第1封止樹脂層4の下面4a側に垂下した垂下部1dが設けられており、この各垂下部1dの先端側の下面1eは、第1封止樹脂層4の下面4aと面一とされ、且つ第1封止樹脂層4の下面(半導体装置Aの下面)4aから露出されている。ステージ部1の上面1aは、第1封止樹脂層4の上面4bと面一とされつつ露出されている。
The
吊りリード2は、それぞれ略板状で略帯状に形成され、平面視略矩形状のステージ部1の角部付近に一端2aが接続されステージ部1の外側に向けて延設されている。また、吊りリード2の延設方向略中央には、屈曲部2bが設けられている。この屈曲部2bは、屈曲部2bを挟んで延設方向前方と後方に位置するそれぞれの上面2cと平行する一面2dを備えており、この一面2dは、屈曲部2bを挟む前記各上面2cよりも上方で、ステージ部1の上面1aよりも上方に配されている。ここで、この吊りリード2においては、一端2aから屈曲部2bまでの上面2cがステージ部1の上面1aと略同一水平面上に配され、屈曲部2bから他端2fまでの上面2cは、一端2aから屈曲部2bまでの上面2cよりも下方で、且つステージ部1の下面1bよりも下方に配されて、この他端2f側の下面2eは、第1封止樹脂層4の下面4aと略同一水平面上に配されつつ露出されている。
The
リード3は、隣り合う吊りリード2の間に複数設けられており、対向するステージ部1の側端に直交しつつ外部からステージ部1に向けて延設されている。ここで、それぞれのリード3は、その先端(一端)3aが隣り合う吊りリード2の屈曲部2bよりもステージ部1側に配されるように延設されている。さらに、各リード3には、延設方向の途中に折曲部3bが設けられており、他端3cから折曲部3bまでの下面3dが第1封止樹脂層4の下面4aと略同一水平面上に配されつつ露出されている。この一方で、折曲部3bから先端3aまでの上面3eがステージ部1及び第1封止樹脂層4の各上面1a、4bと略同一水平面上に配されつつ露出されている。
A plurality of
このように構成されたステージ部1と吊りリード2とリード3を封止する第1封止樹脂層4は、平行する上面4bと下面4aを備えるとともに、吊りリード2の屈曲部2bを封止した部分が上方に突出した形で形成されている。他方、この第1封止樹脂層4には、ステージ部1の下面1bと垂下部1dで囲まれた部分に、一端が第1封止樹脂層4の下面4aよりも上方に位置し、他端がステージ部1の貫通孔1cに繋がる凹部4cが設けられており、連通するこの凹部4cと貫通孔1cとを合わせて第2の空間8が構成されている。本実施形態において、この第2の空間8は、断面視でその幅が貫通孔1cの幅と略同一とされているとともに、半導体センサチップ5がステージ部1の上面1aに設置されることにより、密閉状態とされている。
The first
半導体センサチップ5は、略平板状に形成され、下面5a側からの平面視で略中央に、下面5aから上面5bに向けて凹む凹状部5cが形成されている。この半導体センサチップ5は、凹状部5cにより薄肉化された部分がダイヤフラム(可動電極)5dとされ、このダイヤフラム5dが、これに加えられる例えば音響などの音圧の大きさに応じた変形量で変形(振動)可能とされている。そして、ダイヤフラム5dの変形を電気容量から電気信号に変換することで音圧を検出し、音圧の大きさに応じた電気信号を出力することが可能とされている。このように構成される半導体センサチップ5は、ステージ部1の上面1aに、下面5aを対向させつつ、ステージ部1と半導体センサチップ5とを電気的に絶縁する絶縁部材11を介して固着されている。また、このとき半導体センサチップ5は、ダイヤフラム5dの直下にステージ部1の貫通孔1cが配されてダイヤフラム5dと貫通孔1cとが対向するように固着されている。
The
また、本実施形態においては、ステージ部1の上面1aに、IC(Integrated Circuit)化された例えばオペアンプなどの増幅器6が、絶縁部材11を介して固着されており、この増幅器6は、半導体センサチップ5と並設されている。
Further, in the present embodiment, an
このように設置された半導体センサチップ5と増幅器6には、複数のボンディングパッドがそれぞれに設けられており、これらボンディングパッドを介して、半導体センサチップ5と増幅器6とを、また増幅器6とリード3の第1封止樹脂層4の上面4bに露出して第1の空間12に配された上面3eとを、それぞれワイヤー7で接続し、半導体センサチップ5と増幅器6とリード3とが電気的に接続されている。
The
蓋体9は、開口側を下方に向けた断面略凹状に形成され、平板状の天板部9aと、天板部9aと繋がり下方に延びる側壁部9bと、この側壁部9bに繋がり水平方向外側に延出された先端部9cとから構成されている。また、蓋体9の天板部9aには、外部と第1の空間12とを連通させる開口部9iが設けられており、この開口部9iは、蓋体9の内面9fを天板部9aの直交方向上側に向けて延出させるように形成されている。さらに、側壁部9bに位置する蓋体9の外面9dには、支持部材9eが設けられており、この支持部材9eは側壁部9bの外面9dに一端が接続され、外側に延出つつその先端(他端)が第2封止樹脂層10の上面(半導体装置Aの上面)10aに達するように延設されている。また、蓋体9の内面9f及びこの内面9fに繋がる先端部9cの下面9gには、導電性ペースト9hが例えば塗布するなど適宜手段によって固着され、導電性層9hが形成されている。ここで、本実施形態では、先端部9cの下面9gも蓋体9の内面9fの一部を構成するものとされる。
The
このように構成される蓋体9は、導電性ペースト9hが固着された先端部9cの一部の下面9gを、吊りリード2の屈曲部2bの一面2dに密着させ、他の部分の下面9gを第1封止樹脂層4の上面4bに密着させて、第1封止樹脂層4の上面4bに載置した形で設置されている。これにより、蓋体9と第1封止樹脂層4とで囲まれた部分に、第1の空間12が画成され、この第1の空間12に半導体センサチップ5と増幅器6とワイヤー7とが納められている。このとき、蓋体9は、その内面9fに設けられた導電性ペースト9hが半導体センサチップ5と増幅器6とワイヤー7と非接触状態に保持されるよう十分な離間をもって設置され、また、第1封止樹脂層4の上面4bから露出した屈曲部2bの一面2dが導電性ペースト9hと電気的に接続されている。これにより、第1の空間12内の半導体センサチップ5と増幅器6とワイヤー7は、電気的に連続とされた導電性ペース9hと吊りリード2とステージ部1からなる電磁シールドで囲繞されている。
The
第2封止樹脂層10は、第1封止樹脂層4の上面4bから天板部9aに設けられた開口部9iの上端までの範囲で設けられており、蓋体9の外面9dを覆いつつ第1封止樹脂層4の上面4bに固着されてこれらを封止するように形成されている。また、第2封止樹脂層10の上面(半導体装置Aの上面)10aは、第1封止樹脂層4の下面(半導体装置Aの下面)4aと平行するように形成され、この第2封止樹脂層10の上面10aには、蓋体9の支持部材9eの先端が同一平面上に配されている。
The second
ついで、上記の構成からなる半導体装置Aの製造方法(半導体装置の封止樹脂層の形成方法)について説明する。 Next, a method for manufacturing the semiconductor device A having the above configuration (a method for forming a sealing resin layer of the semiconductor device) will be described.
この半導体装置Aは、リードフレーム20を用いて製造されるものであり、はじめに、図3から図4に示すように、外周矩形枠を形成する矩形枠部21と、この矩形枠部21の各外周辺側から内方に向けて突出する前述の複数のリード3と、矩形枠部21の角部側から内方に向けて延出する前述の吊りリード2と、この吊りリード2と連結されて支持される前述のステージ部1とを備えたリードフレーム20を用意する。このリードフレーム20においては、矩形枠部21とリード3と吊りリード2とを合わせてフレーム部22とされている。
The semiconductor device A is manufactured using a
このように構成されるリードフレーム20は、金属製薄板を、プレス加工もしくはエッチング加工、あるいはこの両方の加工を施すことによって形成される。本実施形態においては、ステージ部1の垂下部1dやリード3の折曲部3b、吊りリード2の屈曲部2bもこの段階で形成され、これに加えてステージ部1の貫通孔1cもこの段階で形成されている。なお、垂下部1d、折曲部3b、屈曲部2bや貫通孔1cは、必ずしも同時に形成されなくてもよく、また、特に貫通孔1cにおいてはプレス加工やエッチング加工以外の方法で加工されてもよいものである。
The
上記のリードフレーム20を用意した段階で、図3及び図5に示すように、フレーム部22のうち、矩形枠部21及びリード3と吊りリード2の一部を除いた部分を一対の第1金型(一対の金型)E、Fに挟み込んで型締めを行なう。ここで、この一対の第1金型E、Fのうち、リードフレーム20の上面側に配される一方の金型Eは、その内面E1が、ステージ部1の上面1a及びリード3の折曲部3bよりも先端3a側の上面3eに当接する平面と、吊りリード2の屈曲部2bに係合する凹状の面と、吊りリード2の屈曲部2bよりも外側の上面2c及びリード3の折曲部3bよりも外側の上面3eにそれぞれ当接する平面とを有するものとされている。また、この一方の金型Eには、型締めを行った際にステージ部1の貫通孔1cと係合しつつこれに挿通し、且つその先端が他の金型Fの内面F1よりも若干上方に配される突起部E2が形成されている。一方、リードフレーム20の下面側に配される他方の金型Fは、その内面F1が平面とされ、型締めを行なった状態で、ステージ部1の垂下部1dの下面1eと、リード3の折曲部3bよりも外側に位置する部分の下面3dと、吊りリード2の屈曲部2bよりも外側に位置する部分の下面2eに当接される。
When the
このように一対の第1金型E、Fを用いて型締めを行なった段階で、第1金型E、Fのキャビティー内に溶融した例えばエポキシ樹脂などの第1樹脂を射出し、ステージ部1とリード3と吊りリード2とを第1樹脂の内部に埋め、第1封止樹脂層4を形成する。ちなみに、ステージ部1が吊りリード2と接続されて持ち上げた状態で支持され、且つ垂下部1dの下面1eが他方の金型Fの内面F1に当接されて強固に保持されているため、第1樹脂の射出に伴ってステージ部1が変移することがないものとされている。
ついで、第1樹脂が硬化して第1封止樹脂層4が形成された段階で、第1金型E、Fを取り外す。この段階で、ステージ部1の下方には、貫通孔1cと連通し第1封止樹脂層4の下面4aよりも若干上方に配された凹部4cが画成され、第2の空間8が形成される。
When the mold is clamped using the pair of first molds E and F in this way, a molten first resin such as an epoxy resin is injected into the cavities of the first molds E and F, and the stage The
Next, at the stage where the first resin is cured and the first
本実施形態においては、この段階で、第1封止樹脂層4を形成したリードフレーム20を、例えば銀や金、パラジウムなどのメッキ液に浸漬する。このとき、直流電源の陰極をリードフレーム20の第1封止樹脂層4の外側に位置する例えば矩形枠部21に、陽極をメッキ液にそれぞれ接続してリードフレーム20に直流電流を通電することで、図2に示すように、第1封止樹脂層4から露出したリード3の一端3a側の上面3cや他端3c側の下面3dなどの部分にメッキ層23が形成される。ちなみに、このメッキ層23は、例えば携帯電話機などの装置が備える回路基板に半導体装置Aを実装する際に、リード3と回路基板のパターンとの接続(接合)や、半導体センサチップ5と増幅器6とリード3とを電気的に接続するワイヤー7の接続(接合)に際し、半田付けのぬれ性を向上させるためのものである。
In this embodiment, at this stage, the
ついで、図6に示すように、半導体センサチップ5と増幅器6を、それぞれ絶縁部材11を介しつつステージ部1の上面1aに並設させつつ固着する。このとき、半導体センサチップ5においては、下面5aとステージ部1の上面1aとを対向させ、且つダイヤフラム5dがステージ部1の貫通孔1cの直上に配されて対向するように設置する。さらに、半導体センサチップ5及び増幅器6のボンディングパッドとリード3とのそれぞれにワイヤー7を接合して、半導体センサチップ5と増幅器6とリード3とを電気的に接続する。
Next, as shown in FIG. 6, the
そして、蓋体9の先端部9cの下面9g側を吊りリード2の屈曲部2bの一面2dに接触させて導電性ペースト9hと吊りリード2とを電気的に接続しつつ蓋体9を第1封止樹脂層4の上面4bに載置し、蓋体9で半導体センサチップ5と増幅器6とワイヤー7とを覆ってこれらの上方に第1の空間12を形成する。このとき、屈曲部2bの一面2dがステージ部1の上面1aよりも上方に突出状態で配されていることにより、蓋体9を設置する際に、半導体センサチップ5や増幅器6、ワイヤー7に蓋体9が接触して損傷を生じさせることがないものとされる。
Then, the
ついで、図7に示すように、それぞれの内面G1、H1が平面とされた一対の第2金型G、Hで型締めを行なう。このとき、上方に配される一方の金型Gは、その内面G1が蓋体9の開口部9iの上端及び支持部材9eの先端に当接されるように設置され、下方に配される他方の金型Hは、その内面H1が第1封止樹脂層4の下面4aと面接触するように設置される。そして、一対の第2金型G、Hで型締めを行なった段階で、キャビティー内に、溶融した例えばエポキシ樹脂などの第2樹脂を射出し、蓋体9の外面9dを覆い第1封止樹脂層4に固着してこれらを封止する第2封止樹脂層10を形成する。ここで、蓋体9は、開口部9iの上端及び支持部材9eの先端が一方の金型Gの内面G1に当接されて確実に保持されているため、第2樹脂の射出に伴う付勢力でずれることのないものとされている。
Next, as shown in FIG. 7, clamping is performed with a pair of second molds G and H whose inner surfaces G1 and H1 are flat. At this time, one mold G arranged on the upper side is installed so that its inner surface G1 is in contact with the upper end of the opening 9i of the
第2樹脂が硬化し一対の第2金型G、Hを取り外した段階で、最後に、リードフレーム20の矩形枠部21や半導体装置Aの外側部分の不要なリード3、吊りリード2を切り離して半導体装置Aの製造が完了する。
At the stage where the second resin is cured and the pair of second dies G and H are removed, finally, the
上記のように製造された半導体装置Aにおいては、外部に発生した音響等の音圧が、蓋体9の開口部9iを通じて第1の空間12に導かれ、半導体センサチップ5のダイヤフラム5dに到達し、これに伴いダイヤフラム5dが音圧の大きさに応じた変形量をもって振動することとなる。そして、ダイヤフラム5dの変形を電気容量から電気信号に変換することで音圧が検出される。また、このときダイヤフラム5dから出力された電気信号は、増幅器6に送られて増幅されることで、より正確に音圧を検出することが可能とされる。また、本実施形態の半導体装置Aでは、ステージ部1が持ち上げた状態とされて第1封止樹脂層4の層厚が大きなものとされることで凹部4cを形成することができ、ダイヤフラム5dの下面5a側の第2の空間8を大きな容量で形成することができる。このため、第2の空間8が密閉空間とされても、ダイヤフラム5dの振動に伴い生じるこの空間8内の圧力変化によってダイヤフラム5dの変形が阻害され、検出する音圧に狂いを生じさせることがないものとされている。よって、ダイヤフラム5dは到達した音圧に応じた変形量もって正しく振動されることとなる。
In the semiconductor device A manufactured as described above, sound pressure such as sound generated outside is guided to the
一方、半導体装置には、検出対象の音圧以外に外部で発生した電磁気的なノイズも作用する。この種のノイズは、本実施形態の半導体装置Aに具備された第1封止樹脂層4や第2封止樹脂層10を透過し、半導体センサチップ5に到達してダイヤフラム5dの誤振動を生じさせる恐れがある。このようにノイズがダイヤフラム5dに到達した場合には、半導体装置で検出した音圧に狂いが生じて半導体装置の信頼性を損なう結果を招くこととなる。これに対して、本実施形態の半導体装置Aにおいては、蓋体9に導電性ペースト9hが設けられ、この導電性ペースト9hと吊りリード2とステージ部1とからなり第1の空間12内の半導体センサチップ5などを囲繞する電磁シールドが具備されている。このため、第1封止樹脂層4や第2封止樹脂層10を透過したノイズを電磁シールドで遮断することができ、ノイズが第1の空間12内の半導体センサチップ5に達することがないものとされている。これにより、本実施形態の半導体装置Aにおいては、ノイズの影響によるダイヤフラム5dの誤振動が生じないものとされる。
On the other hand, electromagnetic noise generated outside acts on the semiconductor device in addition to the sound pressure to be detected. This type of noise passes through the first
したがって、上記の半導体装置A及び半導体装置Aの製造方法(半導体装置Aの封止樹脂層4及び半導体装置Aの封止樹脂層4の形成方法)においては、吊りリード2にステージ部1よりも上方に配された一面2dを形成する屈曲部2bが設けられ、第1封止樹脂層(封止樹脂層)4の屈曲部2bを封止した部分が上方に突出して形成されているため、屈曲部2bを封止した部分に、半導体センサチップ5の上方に第1の空間(空間)12を形成しつつこれを被覆する蓋体9を載置する際に、半導体センサチップ5や増幅器6、ワイヤー7などに蓋体9が接触して損傷が生じることを防止して容易に蓋体9を設置することが可能になる。これにより、信頼性の高い半導体装置Aを提供することが可能になる。
Therefore, in the semiconductor device A and the manufacturing method of the semiconductor device A (method of forming the sealing
また、ステージ部1と吊りリード2とリード3とを第1封止樹脂層4で封止することで、リードフレーム20を用いて半導体装置Aを製造することが可能になるため、従来のプリント基板を用いるものと比較して、例えば半導体センサチップ1の特性に応じて容易にサイズ変更に応じることが可能とされる。さらに、リードフレーム20を用いて半導体装置Aの製造を可能にすることで、プリント基板を用いるものと比較して、量産性に優れるものとされ、製造効率の低下を招くことがなく、半導体装置Aの製造コストひいては半導体装置Aのコストの低減を可能にする。
In addition, since the semiconductor device A can be manufactured using the
また、吊りリード2の屈曲部2bで形成される一面2dが屈曲部2bを封止した部分の上面4bに露出するように第1封止樹脂層4が形成されることで、内面9fに導電性ペースト(導電性層)9hが設けられた蓋体9を、屈曲部2bを封止した部分に載置(設置)するとともに、蓋体9の導電性ペースト9hを屈曲部2bの一面2dを介して吊りリード2と電気的に接続することが可能になり、導電性ペースト9hと吊りリード2とステージ部1とからなる電気的に連続の電磁シールドを形成することが可能になる。そして、第1の空間12に納められた半導体センサチップ5をこの電磁シールドで囲繞することができるため、外部で発生し、第1の空間12内に侵入しようとする電磁気的なノイズをこの電磁シールドで遮断することができ、半導体センサチップ5をノイズから保護することが可能になる。これにより、吊りリード2の屈曲部2bで形成される一面2dを露出させて第1封止樹脂層4を形成することで、ノイズが半導体センサチップ5に到達してダイヤフラム5dの誤振動が生じることを防止し、より正確に圧力を検出することが可能な信頼性の高い半導体装置Aを提供することが可能になる。
Further, the first
なお、本発明は、上記の第1実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、本実施形態では、ステージ部1に垂下部1dが設けられ、この垂下部1dによって第1樹脂の射出に伴うステージ部1のずれを防止することが可能であるとして説明を行なっているが、ステージ部1は吊りリード2によって支持されているとともに、第1樹脂の射出時に、貫通孔1cに金型Eの突起部E2が挿通されて支持されるため、図8に示すように垂下部1dを設けずに形成されてもよいものである。また、本実施形態では、蓋体9に導電性ペースト9hが設けられているものとしたが、例えば蓋体9を金属などの導電性材で形成するなどした場合には、蓋体9そのものに電磁シールド効果を付与することも可能であるため、導電性ペースト9hは、必ずしも具備されていなくてもよいものである。さらに、この種の導電性材は、ペースト材に限定される必要はない。
In addition, this invention is not limited to said 1st Embodiment, In the range which does not deviate from the meaning, it can change suitably. For example, in this embodiment, the
また、第1封止樹脂層4を形成する際に、図9に示すように、屈曲部2bよりも外側に、さらに第1封止樹脂層4を設けるようにしてもよく、このようにした場合には、蓋体9を設置する際に、屈曲部2bの一面2dから蓋体9の先端部9cがずり落ちる恐れがないものとされる。さらに、図9に示すように、屈曲部2bよりも外側の第1封止樹脂層4の高さを一面2dより高くしておけば、さらに蓋体9を安定して設置することが可能とされる。
Moreover, when forming the 1st sealing
また、本実施形態では、第1封止樹脂層4を形成した段階で、リードフレーム20をメッキ液に浸漬してメッキ層23を形成するものとしたが、リードフレーム20の加工を完了し第1封止樹脂層4を形成する前段でリードフレーム20をメッキ液に浸漬して、リードフレーム20全面にメッキ層23を形成してもよいものである。このようにリードフレーム20の全面にメッキ層23を形成する場合には、例えばパラジュームメッキとしてもよく、また、本実施形態のように、第1封止樹脂層4から露出したリード3の上面3eや下面3dなどにスポット的にメッキ層23を形成する場合には、金メッキや銀メッキ以外に、ビスマスメッキなどを施してもよいものである。
In this embodiment, the
また、本実施形態では、半導体装置Aに半導体センサチップ5と増幅器6が具備され、共にステージ部1に設置されているものとしたが、例えば半導体センサチップ5のみで音圧を検出してもよく、さらに、半導体装置Aとは別に設けた増幅器6で半導体センサチップ5から出力された電気信号を増幅するようにしてもよいものである。
In the present embodiment, the semiconductor sensor A includes the
さらに、半導体センサチップ5は、ステージ部1の上面1aに、下面5aを対向させつつ固着されているものとしたが、半導体センサチップ5の上面5bをステージ部1の上面1aに対向させて設置してもよいものである。
Further, although the
また、本実施形態では、半導体センサチップ5のダイヤフラム5dの直上に蓋体9の開口部9iが形成されているように図示したが、この開口部9iは、第1の空間12と外部とを連通させるように形成されれば、その設置位置は限定を必要とするものではない。例えば、ダイヤフラム5dの上方から横方向にずらして開口部9iを形成した場合には、圧力の検出精度が低下しないばかりか、逆に開口部9iを通じて第1の空間12内に水分などが浸入したとき、この水分などがダイヤフラム5dに直接接触することを防止できるため、圧力の検出精度を維持または高めることも可能となる。
Further, in the present embodiment, the opening 9i of the
さらに、本実施形態では、蓋体9に支持部材9eが設けられ、この支持部材9eの先端が一方の金型Gの内面G1に当接されることによって、第2樹脂の射出に伴う付勢力で蓋体9にずれが生じないとして説明を行なったが、蓋体9は、第2樹脂の射出時に開口部9iの上端にも金型Gの内面G1が当接されて保持されるため、必ずしも支持部材9eが形成される必要はない。
Furthermore, in this embodiment, the
ついで、図10から図13を参照し、本発明の第2実施形態に係る半導体装置の封止樹脂層及び半導体装置の封止樹脂層の形成方法について説明する。本実施形態の説明においては、第1実施形態に共通する構成に対して同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。 Next, with reference to FIG. 10 to FIG. 13, a method for forming the sealing resin layer of the semiconductor device and the sealing resin layer of the semiconductor device according to the second embodiment of the present invention will be described. In the description of the present embodiment, the same reference numerals are assigned to configurations common to the first embodiment, and the detailed description thereof is omitted.
本実施形態の半導体装置Bは、第1実施形態で示した半導体装置Aに対し、図10に示すように、蓋体9の天板部9aに外部と第1の空間12とを連通させる開口部9iが形成されず、第1の空間12が密閉状態とされている。
In the semiconductor device B of the present embodiment, as shown in FIG. 10, the opening that allows the outside and the
この一方で、第1封止樹脂層(封止樹脂層)4には、ステージ部1の貫通孔1cと連通し、第1封止樹脂層4の下面4aに開口する孔部4dが設けられている。ここで、本実施形態の孔部4dは、断面視でその幅が貫通孔1cの幅よりも大きく形成されており、貫通孔1cとこの孔部4dとを合わせて第2の空間8が形成されている。
On the other hand, the first sealing resin layer (sealing resin layer) 4 is provided with a
ついで、上記構成からなる半導体装置Bの製造方法(半導体装置Bの封止樹脂層4の形成方法)について説明する。
Next, a method for manufacturing the semiconductor device B having the above configuration (a method for forming the sealing
この半導体装置Bは、第1実施形態と同様のリードフレーム20を用いて製造されるものであり、リードフレーム20を用意した段階で、図3及び図11に示すように、フレーム部22のうち、矩形枠部21およびリード3と吊りリード2の一部を除いた部分を一対の第1金型(一対の金型)M、Nに挟み込んで型締めが行なわれる。ここで、本実施形態では、この一対の第1金型M、Nのうち、リードフレーム20の下面側に配される他方の金型Nには、その内面N1側に突起部N2が設けられており、この突起部N2は、型締め時にステージ部1の貫通孔1cにその先端部分の凸部N3が係合されて貫通孔1cが閉塞される。一方、リードフレーム20の上面側に配される一方の金型Mは、その内面M1が、ステージ部1の上面1a及びリード3の折曲部3bよりも先端側の上面3cに当接する平面と、吊りリード2の屈曲部2bに係合する凹状の面と、吊りリード2の屈曲部2bよりも外側の上面2c及びリード3の折曲部3bよりも外側の上面3eにそれぞれ当接する平面とを有するものとされている。
This semiconductor device B is manufactured using the
このように一対の第1金型M、Nの型締めを行なった段階で、第1金型M、Nのキャビティー内に溶融した第1樹脂を射出し、第1封止樹脂層4を形成する。そして、第1樹脂が硬化して第1金型M、Nを取り外した段階で、ステージ部1の下方には、貫通孔1cと連通し第1封止樹脂層4の下面4aに開口する孔部4dが形成されて、本実施形態の外部と繋がる第2の空間8が形成される。
When the pair of first molds M and N are clamped in this way, the molten first resin is injected into the cavities of the first molds M and N, and the first
ついで、図12に示すように、第1実施形態と同様に、半導体センサチップ5と増幅器6とをステージ部1の上面1aに固着しワイヤー7を接続した段階で、屈曲部2bの一面2dに先端部9cを当接させつつ蓋体9を設置して密閉状態の第1の空間12を形成する。そして、図13に示すように、一対の第2金型O、Pの型締めを行い、第2封止樹脂層10を形成し、第1封止樹脂層4と蓋体9とを封止する。このとき、一方の金型Oの内面O1を支持部材9eの先端に当接させて蓋体9を強固に保持し、他方の金型Pの内面P1を第1封止樹脂層4の下面4aに当接させて型締めを行なうことによって、第2樹脂の射出に伴う付勢力で蓋体9にずれが生じることが防止される。第2封止樹脂層10が形成された段階で、最後に、リードフレーム20の第1封止樹脂層4及び第2封止樹脂層10から外方に位置する部分を切り離して半導体装置Bの製造が完了することとなる。
Next, as shown in FIG. 12, as in the first embodiment, the
このように構成される本実施形態の半導体装置Bにおいては、ステージ部1に半導体センサチップ5のダイヤフラム5dに対向して形成された貫通孔1cに連通しつつ下面4aに開口する孔部4dが第1封止樹脂層(封止樹脂層)4に形成されていることで、外部で変動する圧力を、孔部4d(第2の空間8)を介してダイヤフラム5dに到達させることが可能になる。そして、このダイヤフラム5dは、密閉状態の第1の空間12が形成されていることによって振動することが可能とされ、このとき、第1の空間12の容量が、蓋体9の大きさや形状を変えることで容易に変更できるため、ダイヤフラム5dの振動に伴う圧力変化を小さく抑えることが可能になる。これにより、第1封止樹脂層4に孔部4dが形成されていることで、ダイヤフラム5dの変形が阻害されることを防止でき、ダイヤフラム5dを加えられた圧力に応じた変形量で正しく振動させることが可能になって、この半導体装置Bで検出した圧力を正確なものにすることを可能にする。
In the semiconductor device B of the present embodiment configured as described above, the
なお、本発明は、上記の第2実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、本実施形態において、孔部4dは断面視で幅が貫通孔1cの幅よりも大きく形成されているものとしたが、貫通孔1cの幅と略同一の幅をもって形成されてもよいものである。この場合には、例えば、第1実施形態で示した一対の第1金型E、Fのうち一方の金型Eに形成された突起部E2を、型締めを行った際に他方の金型Fの内面F1と当接する長さで形成することによって、第1封止樹脂層4の下面4aに開口し貫通孔1cと略同一の幅を有する孔部4dを形成してもよいものである。
In addition, this invention is not limited to said 2nd Embodiment, In the range which does not deviate from the meaning, it can change suitably. For example, in the present embodiment, the
1・・・ステージ部、1a・・・上面、1b・・・下面、1c・・・貫通孔、1d・・・垂下部、1e・・・垂下部の下面、2・・・吊りリード、2b・・・屈曲部、2c・・・上面、2d・・・一面、3・・・リード、3a・・・一端(先端)、3b・・・折曲部、3c・・・他端、3d・・・下面、4・・・第1封止樹脂層(封止樹脂層)、4a・・・下面、4b・・・上面、4c・・・凹部、4d・・・孔部、5・・・半導体センサチップ、5a・・・下面、5b・・・上面、5c・・・凹状部、5d・・・ダイヤフラム、6・・・増幅器、7・・・ワイヤー、8・・・第2の空間、9・・・蓋体、9a・・・天板部、9b・・・側壁部、9c・・・先端部、9d・・・外面、9e・・・支持部材、9f・・・内面、9g・・・先端部の下面、9h・・・導電性ペースト(導電性層)、9i・・・開口部、10・・・第2封止樹脂層、10a・・・上面、11・・・絶縁部材、12・・・第1の空間、20・・・リードフレーム、21・・・矩形枠部、22・・・フレーム部、23・・・メッキ層、A,B・・・半導体装置、E,F,M,N・・・第1金型(一対の金型)、G,H,O,P・・・第2金型、E2,N2・・・突起部
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記吊りリードに前記ステージ部よりも上方に配された一面を形成する屈曲部が設けられ、前記屈曲部を封止した部分が、前記半導体センサチップの上方に空間を形成しつつこれを被覆する蓋体を載置するように、上方に突出して形成されていることを特徴とする半導体装置の封止樹脂層。 A plate-shaped stage part to which a semiconductor sensor chip formed with a diaphragm that is deformed by the applied pressure and detects the pressure corresponding to the amount of deformation is fixed to the upper surface, and one end is connected to the stage part to lift it up A semiconductor device in which a suspension lead that is supported in a closed state and a lead having one end disposed in the vicinity of the stage portion are exposed with the other end of the lead exposed to the outside and the upper portion of the stage portion is opened. A sealing resin layer,
The suspension lead is provided with a bent portion that forms one surface disposed above the stage portion, and a portion sealing the bent portion covers the semiconductor sensor chip while forming a space above it. A sealing resin layer for a semiconductor device, wherein the sealing resin layer is formed so as to protrude upward so as to place a lid.
前記ステージ部に前記半導体センサチップの前記ダイヤフラムに対向して貫通孔が形成され、該貫通孔に連通しつつ下面に開口する孔部が形成されていることを特徴とする半導体装置の封止樹脂層。 In the sealing resin layer of the semiconductor device according to claim 1,
A sealing resin for a semiconductor device, wherein a through hole is formed in the stage portion so as to face the diaphragm of the semiconductor sensor chip, and a hole portion that is open to a lower surface while being connected to the through hole is formed. layer.
前記吊りリードの前記屈曲部で形成される前記一面が前記屈曲部を封止した部分の上面に露出して形成されていることを特徴とする半導体装置の封止樹脂層。 In the sealing resin layer of the semiconductor device according to claim 1 or 2,
A sealing resin layer for a semiconductor device, wherein the one surface formed by the bent portion of the suspension lead is exposed on an upper surface of a portion where the bent portion is sealed.
前記ステージ部と、該ステージ部よりも上方に配された一面を形成する屈曲部が設けられた前記吊りリードと、前記リードとを備えるリードフレームを用意し、
一方の金型が前記吊りリードの屈曲部に係合する凹状の面を有する一対の金型に前記リードフレームを挟み込んで型締めを行い、
前記一対の金型のキャビティー内に樹脂を充填して前記ステージ部と前記吊りリードと前記リードを封止し、前記屈曲部を封止した部分が上方に突出した形で封止樹脂層を形成することを特徴とする半導体装置の封止樹脂層の形成方法。 A plate-shaped stage part to which a semiconductor sensor chip formed with a diaphragm that is deformed by the applied pressure and detects the pressure corresponding to the amount of deformation is fixed to the upper surface, and one end is connected to the stage part to lift it up A semiconductor device in which a suspension lead that is supported in a closed state and a lead having one end disposed in the vicinity of the stage portion are exposed with the other end of the lead exposed to the outside and the upper portion of the stage portion is opened. A method for forming a sealing resin layer,
Preparing a lead frame comprising the stage portion, the suspension lead provided with a bent portion forming one surface disposed above the stage portion, and the lead;
The mold is clamped by sandwiching the lead frame between a pair of molds having a concave surface that engages a bent portion of the suspension lead,
Filling the cavities of the pair of molds with resin to seal the stage part, the suspension lead, and the lead, and forming a sealing resin layer so that the part where the bent part is sealed protrudes upward A method for forming a sealing resin layer of a semiconductor device, comprising: forming a sealing resin layer of a semiconductor device.
前記吊りリードの前記屈曲部で形成される前記一面が前記屈曲部を封止した部分の上面に露出するように封止樹脂層を形成することを特徴とする半導体装置の封止樹脂層の形成方法。 In the formation method of the sealing resin layer of the semiconductor device according to claim 4,
A sealing resin layer is formed in the semiconductor device, wherein the sealing resin layer is formed so that the one surface formed by the bent portion of the suspension lead is exposed on an upper surface of a portion where the bent portion is sealed. Method.
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