JP2008027686A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2008027686A5
JP2008027686A5 JP2006197747A JP2006197747A JP2008027686A5 JP 2008027686 A5 JP2008027686 A5 JP 2008027686A5 JP 2006197747 A JP2006197747 A JP 2006197747A JP 2006197747 A JP2006197747 A JP 2006197747A JP 2008027686 A5 JP2008027686 A5 JP 2008027686A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
deflector
wafer
electrode
deflected
centers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006197747A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP5048283B2 (ja
JP2008027686A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2006197747A priority Critical patent/JP5048283B2/ja
Priority claimed from JP2006197747A external-priority patent/JP5048283B2/ja
Priority to US11/779,498 priority patent/US7795597B2/en
Publication of JP2008027686A publication Critical patent/JP2008027686A/ja
Publication of JP2008027686A5 publication Critical patent/JP2008027686A5/ja
Priority to US12/815,507 priority patent/US8143588B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5048283B2 publication Critical patent/JP5048283B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2006197747A 2006-07-20 2006-07-20 偏向器アレイ、描画装置およびデバイス製造方法 Active JP5048283B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006197747A JP5048283B2 (ja) 2006-07-20 2006-07-20 偏向器アレイ、描画装置およびデバイス製造方法
US11/779,498 US7795597B2 (en) 2006-07-20 2007-07-18 Deflector array, exposure apparatus, and device manufacturing method
US12/815,507 US8143588B2 (en) 2006-07-20 2010-06-15 Deflector array, exposure apparatus, and device manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006197747A JP5048283B2 (ja) 2006-07-20 2006-07-20 偏向器アレイ、描画装置およびデバイス製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008027686A JP2008027686A (ja) 2008-02-07
JP2008027686A5 true JP2008027686A5 (enExample) 2009-09-17
JP5048283B2 JP5048283B2 (ja) 2012-10-17

Family

ID=38970565

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006197747A Active JP5048283B2 (ja) 2006-07-20 2006-07-20 偏向器アレイ、描画装置およびデバイス製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US7795597B2 (enExample)
JP (1) JP5048283B2 (enExample)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI370264B (en) * 2008-06-16 2012-08-11 Univ Nat Sun Yat Sen Method for manufacturing microlens array
EP2228817B1 (en) * 2009-03-09 2012-07-18 IMS Nanofabrication AG Global point spreading function in multi-beam patterning
JP2014116518A (ja) * 2012-12-11 2014-06-26 Canon Inc 描画装置及び物品の製造方法
JP6677368B2 (ja) * 2014-06-13 2020-04-08 インテル・コーポレーション 電子ビームのユニバーサルカッタ
CN106463347B (zh) * 2014-06-13 2020-09-15 英特尔公司 即时电子束对准
JP5816739B1 (ja) * 2014-12-02 2015-11-18 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置、及びマルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置の製造方法
WO2017171796A1 (en) * 2016-03-31 2017-10-05 Intel Corporation Aperture size modulation to enhance ebeam patterning resolution
EP3876258A1 (en) * 2020-03-06 2021-09-08 ASML Netherlands B.V. Beam manipulator in charged particle-beam exposure apparatus
TWI812991B (zh) * 2020-09-03 2023-08-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 帶電粒子系統及操作帶電粒子系統之方法
CN117501399A (zh) 2021-06-16 2024-02-02 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 失真优化的多射束扫描系统
GB2613168A (en) * 2021-11-25 2023-05-31 Aquasium Tech Limited Electron beam deflector
EP4202970A1 (en) * 2021-12-24 2023-06-28 ASML Netherlands B.V. Alignment determination method and computer program

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3504705A1 (de) * 1985-02-12 1986-08-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Aperturblende mit zellenfoermiger mehrlochstruktur und austastelektroden zur erzeugung einer mehrzahl von individuell austastbaren korpuskularstrahlsonden fuer ein lithografiegeraet
US5262341A (en) * 1989-05-19 1993-11-16 Fujitsu Limited Blanking aperture array and charged particle beam exposure method
JP2837743B2 (ja) * 1990-06-27 1998-12-16 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光方法およびそれに用いるステンシルマスク
JP2555775B2 (ja) * 1990-11-28 1996-11-20 富士通株式会社 荷電粒子ビーム偏向装置およびその製造方法
US5260579A (en) * 1991-03-13 1993-11-09 Fujitsu Limited Charged particle beam exposure system and charged particle beam exposure method
JPH07297107A (ja) * 1994-04-26 1995-11-10 Fujitsu Ltd 多電極偏向器，その製造方法及び荷電粒子ビーム装置
US5528048A (en) * 1994-03-15 1996-06-18 Fujitsu Limited Charged particle beam exposure system and method
US5841145A (en) * 1995-03-03 1998-11-24 Fujitsu Limited Method of and system for exposing pattern on object by charged particle beam
JP3728015B2 (ja) * 1996-06-12 2005-12-21 キヤノン株式会社 電子ビーム露光システム及びそれを用いたデバイス製造方法
US6014200A (en) * 1998-02-24 2000-01-11 Nikon Corporation High throughput electron beam lithography system
JP2001168018A (ja) * 1999-12-13 2001-06-22 Canon Inc 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。
JP2001283756A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法
JP4585661B2 (ja) * 2000-03-31 2010-11-24 キヤノン株式会社 電子光学系アレイ、荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法
JP4246401B2 (ja) * 2001-01-18 2009-04-02 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置及び電子ビーム偏向装置
US6828297B2 (en) 2001-06-04 2004-12-07 Nobex Corporation Mixtures of insulin drug-oligomer conjugates comprising polyalkylene glycol, uses thereof, and methods of making same
JP2004282038A (ja) * 2003-02-28 2004-10-07 Canon Inc 偏向器、偏向器を製造する方法、偏向器を適用した荷電粒子線露光装置
US20040196147A1 (en) * 2003-04-07 2004-10-07 George Albuquerque Tire Management System
JP4459568B2 (ja) * 2003-08-06 2010-04-28 キヤノン株式会社 マルチ荷電ビームレンズおよびそれを用いた荷電ビーム露光装置
GB2408383B (en) * 2003-10-28 2006-05-10 Ims Nanofabrication Gmbh Pattern-definition device for maskless particle-beam exposure apparatus
GB2412232A (en) * 2004-03-15 2005-09-21 Ims Nanofabrication Gmbh Particle-optical projection system
GB2414111B (en) * 2004-04-30 2010-01-27 Ims Nanofabrication Gmbh Advanced pattern definition for particle-beam processing
JP4704702B2 (ja) * 2004-06-30 2011-06-22 キヤノン株式会社 ブランキングアパーチャアレイおよびその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6215061B2 (ja) 電子ビーム露光装置
JP7030663B2 (ja) 半導体装置及び荷電粒子線露光装置
JP2008027686A5 (enExample)
CN102067272B (zh) 投影透镜装置
US11302511B2 (en) Field curvature correction for multi-beam inspection systems
TW202143283A (zh) 帶電粒子操縱器裝置
TWI478202B (zh) Charged particle beam rendering method and charged particle beam rendering device
KR101822990B1 (ko) 블랭킹 애퍼처 어레이 및 하전 입자빔 묘화 장치
JP2012178437A5 (enExample)
TW201351468A (zh) 多荷電粒子束描繪裝置及多荷電粒子束描繪方法
JP2025503389A (ja) 荷電粒子評価システムでサンプルを処理する方法
TWI588859B (zh) 多重帶電粒子束用遮沒裝置及多重帶電粒子束描繪裝置
US20160064178A1 (en) Blanking device for multi charged particle beams, and multi charged particle beam writing apparatus
US20180040455A1 (en) Aperture for inspecting multi beam, beam inspection apparatus for multi beam, and multi charged particle beam writing apparatus
JP2020514996A5 (enExample)
TWI811646B (zh) 描繪裝置
US20130335503A1 (en) Drawing apparatus, data processing method, and method of manufacturing article
TWI835224B (zh) 帶電粒子光學裝置
JP5709465B2 (ja) 描画装置、および、物品の製造方法
JP2006019439A5 (enExample)
JPH09171795A (ja) マルチビーム電子線リトグラフィ・システム用電子カラム光学系
JP2013045838A (ja) 描画装置、および、物品の製造方法
JP2019079953A5 (enExample)
JP2006080276A (ja) 電子ビーム描画装置
JP2018010895A (ja) ブランキングアパーチャアレイ、ブランキングアパーチャアレイの製造方法、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置