JP2008027686A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2008027686A5
JP2008027686A5 JP2006197747A JP2006197747A JP2008027686A5 JP 2008027686 A5 JP2008027686 A5 JP 2008027686A5 JP 2006197747 A JP2006197747 A JP 2006197747A JP 2006197747 A JP2006197747 A JP 2006197747A JP 2008027686 A5 JP2008027686 A5 JP 2008027686A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
deflector
wafer
electrode
deflected
centers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006197747A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP5048283B2 (ja
JP2008027686A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2006197747A priority Critical patent/JP5048283B2/ja
Priority claimed from JP2006197747A external-priority patent/JP5048283B2/ja
Priority to US11/779,498 priority patent/US7795597B2/en
Publication of JP2008027686A publication Critical patent/JP2008027686A/ja
Publication of JP2008027686A5 publication Critical patent/JP2008027686A5/ja
Priority to US12/815,507 priority patent/US8143588B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5048283B2 publication Critical patent/JP5048283B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

JP2006197747A 2006-07-20 2006-07-20 偏向器アレイ、描画装置およびデバイス製造方法 Expired - Lifetime JP5048283B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006197747A JP5048283B2 (ja) 2006-07-20 2006-07-20 偏向器アレイ、描画装置およびデバイス製造方法
US11/779,498 US7795597B2 (en) 2006-07-20 2007-07-18 Deflector array, exposure apparatus, and device manufacturing method
US12/815,507 US8143588B2 (en) 2006-07-20 2010-06-15 Deflector array, exposure apparatus, and device manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006197747A JP5048283B2 (ja) 2006-07-20 2006-07-20 偏向器アレイ、描画装置およびデバイス製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008027686A JP2008027686A (ja) 2008-02-07
JP2008027686A5 true JP2008027686A5 (enExample) 2009-09-17
JP5048283B2 JP5048283B2 (ja) 2012-10-17

Family

ID=38970565

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006197747A Expired - Lifetime JP5048283B2 (ja) 2006-07-20 2006-07-20 偏向器アレイ、描画装置およびデバイス製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US7795597B2 (enExample)
JP (1) JP5048283B2 (enExample)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI370264B (en) * 2008-06-16 2012-08-11 Univ Nat Sun Yat Sen Method for manufacturing microlens array
EP2228817B1 (en) * 2009-03-09 2012-07-18 IMS Nanofabrication AG Global point spreading function in multi-beam patterning
JP2014116518A (ja) * 2012-12-11 2014-06-26 Canon Inc 描画装置及び物品の製造方法
US10290528B2 (en) 2014-06-13 2019-05-14 Intel Corporation Ebeam align on the fly
US10216087B2 (en) 2014-06-13 2019-02-26 Intel Corporation Ebeam universal cutter
JP5816739B1 (ja) * 2014-12-02 2015-11-18 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置、及びマルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置の製造方法
WO2017171796A1 (en) * 2016-03-31 2017-10-05 Intel Corporation Aperture size modulation to enhance ebeam patterning resolution
EP3876258A1 (en) * 2020-03-06 2021-09-08 ASML Netherlands B.V. Beam manipulator in charged particle-beam exposure apparatus
TWI812991B (zh) 2020-09-03 2023-08-21 荷蘭商Asml荷蘭公司 帶電粒子系統及操作帶電粒子系統之方法
JP7795055B2 (ja) 2021-06-16 2026-01-07 カール ツァイス マルティセム ゲゼルシヤフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 歪み最適化マルチビーム走査システム
GB2613168A (en) * 2021-11-25 2023-05-31 Aquasium Tech Limited Electron beam deflector
EP4202970A1 (en) * 2021-12-24 2023-06-28 ASML Netherlands B.V. Alignment determination method and computer program

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3504705A1 (de) * 1985-02-12 1986-08-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Aperturblende mit zellenfoermiger mehrlochstruktur und austastelektroden zur erzeugung einer mehrzahl von individuell austastbaren korpuskularstrahlsonden fuer ein lithografiegeraet
US5262341A (en) * 1989-05-19 1993-11-16 Fujitsu Limited Blanking aperture array and charged particle beam exposure method
JP2837743B2 (ja) * 1990-06-27 1998-12-16 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光方法およびそれに用いるステンシルマスク
JP2555775B2 (ja) * 1990-11-28 1996-11-20 富士通株式会社 荷電粒子ビーム偏向装置およびその製造方法
DE69226553T2 (de) * 1991-03-13 1998-12-24 Fujitsu Ltd., Kawasaki, Kanagawa Vorrichtung und Verfahren zur Belichtung mittels Ladungsträgerstrahlen
JPH07297107A (ja) * 1994-04-26 1995-11-10 Fujitsu Ltd 多電極偏向器,その製造方法及び荷電粒子ビーム装置
US5528048A (en) 1994-03-15 1996-06-18 Fujitsu Limited Charged particle beam exposure system and method
US5841145A (en) * 1995-03-03 1998-11-24 Fujitsu Limited Method of and system for exposing pattern on object by charged particle beam
JP3728015B2 (ja) * 1996-06-12 2005-12-21 キヤノン株式会社 電子ビーム露光システム及びそれを用いたデバイス製造方法
US6014200A (en) * 1998-02-24 2000-01-11 Nikon Corporation High throughput electron beam lithography system
JP2001168018A (ja) * 1999-12-13 2001-06-22 Canon Inc 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。
JP2001283756A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法
JP4585661B2 (ja) * 2000-03-31 2010-11-24 キヤノン株式会社 電子光学系アレイ、荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法
JP4246401B2 (ja) * 2001-01-18 2009-04-02 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置及び電子ビーム偏向装置
US6828297B2 (en) 2001-06-04 2004-12-07 Nobex Corporation Mixtures of insulin drug-oligomer conjugates comprising polyalkylene glycol, uses thereof, and methods of making same
JP2004282038A (ja) * 2003-02-28 2004-10-07 Canon Inc 偏向器、偏向器を製造する方法、偏向器を適用した荷電粒子線露光装置
US20040196147A1 (en) * 2003-04-07 2004-10-07 George Albuquerque Tire Management System
JP4459568B2 (ja) 2003-08-06 2010-04-28 キヤノン株式会社 マルチ荷電ビームレンズおよびそれを用いた荷電ビーム露光装置
GB2408383B (en) * 2003-10-28 2006-05-10 Ims Nanofabrication Gmbh Pattern-definition device for maskless particle-beam exposure apparatus
GB2412232A (en) * 2004-03-15 2005-09-21 Ims Nanofabrication Gmbh Particle-optical projection system
GB2414111B (en) * 2004-04-30 2010-01-27 Ims Nanofabrication Gmbh Advanced pattern definition for particle-beam processing
JP4704702B2 (ja) * 2004-06-30 2011-06-22 キヤノン株式会社 ブランキングアパーチャアレイおよびその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7030663B2 (ja) 半導体装置及び荷電粒子線露光装置
JP6215061B2 (ja) 電子ビーム露光装置
CN102067272B (zh) 投影透镜装置
US11302511B2 (en) Field curvature correction for multi-beam inspection systems
TW202143283A (zh) 帶電粒子操縱器裝置
KR101822990B1 (ko) 블랭킹 애퍼처 어레이 및 하전 입자빔 묘화 장치
JP2012178437A5 (enExample)
US7795597B2 (en) Deflector array, exposure apparatus, and device manufacturing method
TW201411687A (zh) 帶電粒子束描繪方法及帶電粒子束描繪裝置
US20160064178A1 (en) Blanking device for multi charged particle beams, and multi charged particle beam writing apparatus
JP2025503389A (ja) 荷電粒子評価システムでサンプルを処理する方法
JP6553973B2 (ja) マルチ荷電粒子ビーム用のブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
US20100270474A1 (en) Particle-Optical System
US20180040455A1 (en) Aperture for inspecting multi beam, beam inspection apparatus for multi beam, and multi charged particle beam writing apparatus
TWI811646B (zh) 描繪裝置
JP5709465B2 (ja) 描画装置、および、物品の製造方法
TW202544858A (zh) 帶電粒子元件、帶電粒子裝置、間隔物、投影複數個帶電粒子束之方法
US20130335503A1 (en) Drawing apparatus, data processing method, and method of manufacturing article
CN120674294A (zh) 用于多个初级小束的光学系统、带电粒子多束装置和使多个初级小束聚焦的方法
JP2006049702A5 (enExample)
KR20070085950A (ko) 초점 마스크
TWI835224B (zh) 帶電粒子光學裝置
JP2006019439A5 (enExample)
JPH09171795A (ja) マルチビーム電子線リトグラフィ・システム用電子カラム光学系
JP2013045838A (ja) 描画装置、および、物品の製造方法