JP2008026375A - 光トランシーバ - Google Patents

Abstract

【課題】多くの電子部品を電気回路基板に実装しつつ、小型化も可能とした光トランシーバを提供する。
【解決手段】電子部品が搭載された基板４１を有する光モジュール組立体１０をベース５０に光学基準を保ち固定し、固定した光モジュール組立体１０とベース５０をベースカバー２１とメインカバー２２とで上下から挟み固定することにより光トランシーバが構成される。基板４１は、ベースカバー２１とメインカバー２２とから成るケースの上面または下面に対して垂直になるようベースの一端に固定される。また、ケースは、光モジュール組立体１０と基板が固定されたベース５０の一端とを内蔵し、光コネクタを接続するレセプタクル部５１が形成される他端を内蔵しない。
【選択図】図３

Description

本発明は、光通信を行う光トランシーバに関する。

光トランシーバは、電気信号を光信号に変換し光ファイバを伝送路として通信機器やネットワーク機器、コンピュータ、記憶装置間でデータの送受信を行うものである。

従来の光トランシーバの一例として、図１２は、特開２００４−２１９７６３号公報に開示された光伝送モジュールの側面図である。

図１２において、所定の厚みをもった板状のベース１０３に電気回路基板１０２が搭載され、電気回路基板１０２に複数の電子部品（図示せず）が搭載される。

特開２００４−２１９７６３

しかしながら、図１２に示された従来の光トランシーバにおいて、非常に多くの電子部品を電気回路基板１０２に搭載しようとすると、それら電子部品を全て搭載可能な大きな電気回路基板１０２が必要となるため、結果として光トランシーバ自体が大型化してしまうという問題が生じる。一方、光トランシーバを小型化しようとすると、それに伴って電気回路基板１０２が小さくなるため、電気回路基板１０２に搭載可能な電子部品の数が限られてしまい、多くの電子部品を搭載することができないという問題が生じる。

したがって、本発明の目的は、多くの電子部品を電気回路基板１０２に実装しつつ、小型化も可能とした光トランシーバを提供することにある。

本発明による光トランシーバは、少なくとも一つの電子部品を搭載する基板と、光コネクタを接続するレセプタクル部が形成されるベースと、基板を内蔵するケースとを有し、ベースの一端がケースに内蔵され、ベースの他端がケースに内蔵されない。また、基板は、ケースの上面または下面に対して垂直に設けられていることが望ましい。

本発明による他の光トランシーバは、少なくとも一つの電子部品を搭載する基板と、基板を内蔵するケースと、ケースに内蔵される一端が基板を固定し、ケースに内蔵されない他端に光コネクタを接続するレセプタクル部が形成されるベースとを有し、基板はケースの上面または下面に対して平行に設けられていない。また、基板はケースの上面または下面に対して垂直に設けられていることが望ましい。基板は、少なくともケースの上面を形成する第一の辺とケースの下面を形成する第二の辺とから形成される平面上に設けられてもよい。

本発明による他の光トランシーバは、少なくとも一つの電子部品を搭載する基板と、一端に溝が、他端に光コネクタを接続するレセプタクル部が、側面に係止突起がそれぞれ形成されるベースと、側面に係止孔が形成され、少なくとも基板とベースの一部とを内蔵するケースとを有し、基板はケースの上面又は下面に対して垂直に設けられており、基板の一端を溝に挟むことによって基板をベースに固定し、係止突起を係止孔に係止させることによってベースをケースに固定する。また、基板がベースに搭載されていないことが望ましい。また、ベースは、ケースの上面及び下面のそれぞれと接触することが望ましい。また、基板に接続される接続端子を有し、ベースには接続端子が挿通されないことが望ましい。ベースとケースの材質がそれぞれ互いに異なることが望ましい。また、ベース及びケースは樹脂及び金属でそれぞれ形成されてもよい。

本発明による他の光トランシーバは、少なくとも一つの電子部品を搭載した基板、及び一端に基板を固定し側面に凹部及び凸部を形成するベースをそれぞれ有する複数の光ユニットと、基板及びベースの一端を内蔵しベースの他端を内蔵しないケースとから構成され、
基板はケースの上面または下面に対して垂直に設けられており、複数の光ユニットは、一つの光ユニットの凹部及び凸部が隣接する他の光ユニットの凸部及び凹部とそれぞれ嵌合することによって連結される。また、ベースは側面に溝を、ケースはケースの側面間に補強部をそれぞれ有し、複数の光ユニットが連結されたときに２つの光ユニットそれぞれの溝によって空間が生成され、当該空間に補強部が挿入されることが望ましい。

本発明による光トランシーバは、ベースではなく薄い金属製のケースに基板を垂直に、または所定の角度傾けて搭載することにより、面積のより大きい基板を採用することが可能となるため、多くの電子部品を基板に実装することができ、かつ小型化をも達成することができる。

本発明の光トランシーバ、例えばＳｍａｌｌ Ｆｏｒｍ Ｆａｃｔｏｒ（ＳＦＦ）トランシーバについて、以下図面を参照して説明する。

本発明の第１の実施形態について図１乃至５を参照して説明する。

図１は、本発明のＳＦＦトランシーバを示す斜視図である。

図１において、ＳＦＦトランシーバは、ベースカバー２１とメインカバー２２とから成るケース及びベース５０を少なくとも有する。ベース５０には、図示せぬ着脱可能な光コネクタが接続されるレセプタクル部５１が端面に形成される。後述するように、ケースはベース５０の少なくとも一部と光モジュールや基板を少なくとも内蔵し、レセプタクル部５１は内蔵しない。このようなＳＦＦトランシーバは、例えば図２に示されるように、通信装置が備える親基板２に設けられる。

図３は、図１に示されたＳＦＦトランシーバの分解斜視図である。

図３において、図１のＳＦＦトランシーバは、光モジュール組立体１０をベース５０に光学基準を保ち固定し（以下、固定された光モジュール組立体１０及びベース５０を光ユニットという）、光ユニットをベースカバー２１とメインカバー２２とで上下から挟み固定することにより構成される。このとき、ベース５０の上面及び下面は、メインカバー２２の上面とベースカバー２１の下面のそれぞれに接触する。また、ベース５０はケースよりも短い。また、ケースに内蔵されたベース５０の一部分は、ケースの全長よりも短い。

光モジュール組立体１０において、基板４１は例えばＰｒｉｎｔｅｄ Ｗｉｒｉｎｇ Ｂｏａｒｄ（ＰＷＢ）であり、ベースカバー２１の下面に対して平行には設けられず垂直に設けられる。光モジュール３０は、基板４１に表面実装された光学素子部３２と、光学素子部３２とレセプタクル部５１に接続される図示せぬ光ファイバとの光軸合わせに使用されるフェルール３１とから構成される。光学素子部３２は、例えば、発光素子としてのレーザダイオード（ＬＤ）や受光素子としてのフォトダイオード（ＰＤ）、及びレンズ等である。また、光モジュール３０は、基板４０に表面実装するため、リードレスモジュールであることが好ましい。

基板４１の一端に形成された基板支持孔４２は、後述するベースカバー２１の基板支持部２１２と係止し、光モジュール組立体１０をベースカバー２１に固定する。また、基板４１に接続された接続端子４３は図２に示した通信装置の親基板２と接続され、親基板２から基板４１へ、または基板４１から親基板２へ接続端子４３を介して電気信号が伝送される。

ベースカバー２１は、接続端子挿通孔２１１と基板支持部２１２とベースガイド部２１３と補強ピン挿通孔２１４とベースロック部２１５とを有する。接続端子挿通孔２１１は、ベースカバー２１の下面に形成された孔であり、光モジュール組立体１０の接続端子４３を挿通する。すなわち、接続端子４３がベース５０に接触・挿通されることはない。基板支持部２１２は、ベースカバー２１の一端を折り曲げることによって形成され、基板支持孔４２に係止される。ベースガイド部２１３は、ベース５０の両側面を支持し、ベース５０をベースカバー２１に固定する。補強ピン挿通孔２１４は、ベース５０に取り付けられた後述する補強ピン７０を挿通する。ベースロック部２１５は、ベース５０の後述するベースカバーロック部５２を係止し、ベース５０をベースカバー２１に固定する。

メインカバー２２は係止穴２２１を有する。係止穴２２１は、ベース５０の後述する係止突起５７を係止し、またメインカバー２２の両側面のうち端部、すなわち係止穴２２１の周辺部分がベース５０の両側面を挟むことによって、ベース５０がメインカバー２２に固定される。

ベースカバー２１及びメインカバー２２は、例えばステンレス鋼やりん青銅等の金属の板を折り曲げて形成される。なお、材質は熱伝導率が高いものが好ましく、また厚みの薄いものが好ましい。

ベース５０において、ベースカバーロック部５２は、ベース５０の一部に形成された溝であり、ベースカバー２１のベースロック部２１５に係止される。係止突起５７は、ベース５０の両側面に形成された突起であり、メインカバー２２に設けられた係止穴２２１に係止される。基板支持部５４はベース５０の一端に形成された溝であり、基板４１の一端を挟むことにより、光モジュール組立体１０をベース５０に固定する。また、基板４１はベース５０に搭載されない。

なお、ベース５０の一端に取り付けられた補強ピン７０は、通信装置の親基板２に嵌合され、ベース５０またはＳＦＦトランシーバ自体を親基板２に固定する。

ベース５０について、図４（ａ）乃至（ｅ）を用いて詳細に説明する。

図４（ａ）及び（ｂ）は、それぞれベース５０の正面図及び右側面図である。

図４（ｂ）において、圧入部５３は円筒状の孔であり、光モジュール３０のフェルール３１が圧入され固定される。

図４（ｃ）及び（ｄ）は、それぞれベース５０の平面図及び下面図である。

図４（ｃ）及び（ｄ）において、補強ピン挿通孔５８は上述した補強ピン７０を挿通する。上述した基板支持部５４は略直方体状の溝であり、基板４１が基板支持部５４に挿入された際、基板４１が確実にベース５０に固定されるように、基板支持部５４の幅は基板４１の厚さとほぼ等しいことが望ましい。ベース５０の一方の側面に形成された係止突起５７と他方の側面に形成された係止突起５７とは、それぞれ互いに対向する位置には存在しない。

図４（ｅ）は、図４（ｃ）に示されたベース５０の平面図におけるＢ−Ｂ’断面図である。

ベース５０は、ベースカバー２１及びメインカバー２２の材質とは異なり、例えばステンレス等の金属材やＰＰＳ等の樹脂材によって形成される。特に、ベース５０がステンレス等の金属材で形成される場合には、圧入部５３は樹脂材で形成されることが好ましい。

図５は、図１のＡ−Ａ’断面を示す概略図である。

図５において、基板４１は、上述したとおり、ベースカバー２１の下面に垂直に設けられるが、メインカバー２２の上面または親基板２に対して垂直、またはメインカバー２２の側面に対して平行に設けられてもよい。また、各種光学素子やＩＣ等の部品が基板４１の両面に実装できるよう、基板４１はメインカバー２２の側面から所定の間隔を空けて設けられることが好ましいが、部品の数によっては所定の間隔を空けずにメインカバー２２の側面に接して設けられてもよい。基板４１と同様に接続端子４３も、ベースカバー２１の下面、メインカバー２２の上面または親基板２に対して垂直、またはメインカバー２２の側面に対して平行に設けられることが好ましい。

このように、第１の実施形態のＳＦＦトランシーバによれば、基板４１をベースカバー２１の下面に垂直に設けることにより、基板４１に多くの電子部品を搭載することができるとともに、図５にＡで示されたＳＦＦトランシーバの幅を小さくすることができる。例えば、Ｍｕｌｔｉ Ｓｏｕｒｃｅ Ａｇｒｅｅｍｅｎｔ（ＭＳＡ）と呼ばれる業界標準において規定されているＳＦＦトランシーバの幅１３．５９ｍｍに対し、本実施形態のＳＦＦトランシーバの幅は、その約半分である７．３５ｍｍである。なお、各種要因、例えば基板４１に搭載される電子部品の高さを低くしたり、基板４１の厚さを薄くするなどして、本実施形態のＳＦＦトランシーバの幅を１３．５９ｍｍの半分、もしくは半分より小さくすることもできる。

また、基板４１をメインカバー２２の側面から所定の間隔を空けて設けることにより、基板４１の両面に電子部品を実装することができるため、基板４１により多くの電子部品を搭載することができる。

さらに、樹脂材で形成された厚みのあるベース５０に従来は基板４１が搭載されていたところ、本実施形態のＳＦＦトランシーバでは、樹脂材で形成されたベース５０の一部を取り除き、樹脂材と比較して厚さが薄い金属製のベースカバー２１に基板４１を搭載する。これにより、図５にＢで示されたＳＦＦトランシーバの高さ方向により長い基板４１を採用することができるため、面積のより大きい基板４１にさらに多くの部品を搭載することができる。

次に、本発明の第２の実施形態について図６乃至８を参照して説明する。

本実施形態のＳＦＦトランシーバは、第１の実施形態の光ユニットを２つ有する。本実施形態において、第１の実施形態と同一の構成要素には同一の参照符号が付される。また、第１の実施形態において説明された構成要素、特に光モジュール組立体１０及びベース５０の詳細については、冗長を避けるため、それらの説明は省略される。

図６は、本発明の第２の実施形態におけるＳＦＦトランシーバの斜視図であり、図７は、図６に示されたＳＦＦトランシーバの分解斜視図である。

図７において、２つの光ユニットのベース５０には、それぞれ位置決め凹部５５及び位置決め凸部５６が形成されており、一方の光ユニットの位置決め凸部５６が他方の光ユニットの位置決め凹部５５に位置決めされた２つの光ユニットをメインカバー２５とベースカバー２４とで上下から挟み固定することにより、図６のＳＦＦトランシーバが構成される。ベースカバー２４の下面には、２つの光ユニットそれぞれに設けられた接続端子を挿通する２つの接続端子挿通孔２１１が形成される。

図８は、図７に示されたＡ部の拡大図である。

図８において、位置決め凹部５５は、ベース５０の両側面に形成された略直方体形状の溝であり、位置決め凸部５６は、ベース５０の両側面に形成された丘状の突起である。１つの光ユニットにおいて、ベース５０の一方の側面に形成された位置決め凹部５５及び位置決め凸部５６は、他方の側面に形成された位置決め凹部５５及び位置決め凸部５６に対して逆の位置関係にある。それにより、１つの光ユニットにおける位置決め凹部５５及び位置決め凸部５６が、他の光ユニットにおける位置決め凸部５６及び位置決め凹部５５にそれぞれ嵌合され、２つの光ユニットが連結される。

このように、第２の実施形態のＳＦＦトランシーバは、２つの光ユニットが連結された一つの２チャンネルトランシーバとなる。

また、図６にＣで示された本実施形態のＳＦＦトランシーバの幅は、業界標準ＭＳＡで規定されるＳＦＦトランシーバと同一の１３．５９ｍｍになる。すなわち、第１の実施形態のＳＦＦトランシーバを２つ並列した場合の幅１４．７ｍｍ（＝７．３５ｍｍ×２）と比較して、２つのケースそれぞれにおける一方の側面の厚さ分だけ幅が小さくなる。なお、各種要因、例えば基板４１に搭載される電子部品の高さを低くしたり、基板４１の厚さを薄くするなどして、本実施形態のＳＦＦトランシーバの幅を１３．５９ｍｍより小さくすることもできる。

また、本実施形態のＳＦＦトランシーバは、１つの光ユニットしか有さない従来のＳＦＦトランシーバと大きさが同一であるにもかかわらず、２つの光ユニットを有することにより従来のＳＦＦトランシーバ２台分の機能を実現できる。これにより、従来のＳＦＦトランシーバ１台を実装する領域に、従来のＳＦＦトランシーバ２台分の機能を持った本実施形態のＳＦＦトランシーバを実装することができる。

また、本実施形態のＳＦＦトランシーバ１台を実装することが、従来のＳＦＦトランシーバ２台を実装することに相当するため、多くのＳＦＦトランシーバを親基板に実装する場合には、その実装工数やコストを大幅に削減することができる。

さらに、隣接する光ユニットにおけるレセプタクル部５１のピッチが、国際電気標準会議（ＩＥＣ）で規定されるピッチ幅と同一なので多心コネクタの実装が可能となる。

次に、本発明の第３の実施形態について図９及び１０を参照して説明する。

本実施形態のＳＦＦトランシーバは、第１の実施形態の光ユニットを４つ有する。本実施形態において、第１または第２の実施形態と同一の構成要素には同一の参照符号が付される。また、第１または第２の実施形態において説明された構成要素、特に光モジュール組立体１０及びベース５０の詳細については、冗長を避けるため、それらの説明は省略される。

図９は、本発明の第３の実施形態であるＳＦＦトランシーバの斜視図であり、図１０は、図９に示されたＳＦＦトランシーバの分解斜視図である。

図１０において、第２の実施形態と同一方法によって連結された４つの光ユニットをメインカバー２８とベースカバー２７とで上下から挟み固定することにより、図９のＳＦＦトランシーバが構成される。１つの光ユニットにおけるベース５０には、その両側面に略直方体状の溝である光ユニット補強部５９が形成されており、当該光ユニットが隣り合う光ユニットと連結されると、隣り合う光ユニットの光ユニット補強部５９とともに直方体状の空間が形成される。この空間にメインカバー２８の一端に形成された光ユニット補強部２２２が挿入され、光ユニット同士が固定される。なお、ベースカバー２７の下面には、４つの光ユニットそれぞれに設けられた接続端子を挿通する４つの接続端子挿通孔２１１が形成される。

このように、第３の実施形態のＳＦＦトランシーバは、４つの光ユニットが連結された一つの４チャンネルトランシーバとなる。

また、図９にＤで示された本実施形態のＳＦＦトランシーバの幅は、業界標準ＭＳＡで規定されるＳＦＦトランシーバを並列に２個連結した場合の幅２７．１８ｍｍ（＝１３．５９ｍｍ×２）より小さい２６．１ｍｍになる。なお、各種要因、例えば基板４１に搭載される電子部品の高さを低くしたり、基板４１の厚さを薄くするなどして、本実施形態のＳＦＦトランシーバの幅を２６．１ｍｍより小さくすることもできる。

そのため、従来のＳＦＦトランシーバ２台を実装する領域に、従来のＳＦＦトランシーバ４台分の機能を持った本実施形態のＳＦＦトランシーバを実装することができる。

また、本実施形態のＳＦＦトランシーバ１台を実装することが、従来のＳＦＦトランシーバ２台を実装することに相当するため、大量のＳＦＦトランシーバを親基板に実装する場合には、その実装工数やコストを大幅に削減することができる。

上述した本発明の第１乃至第３の実施形態では、図５に示されるように、基板４１がベースカバー２１の下面、メインカバー２２の上面または親基板２に対して垂直、またはメインカバー２２の側面に対して平行に設けられるが、例えば図１１に示されるように、基板４１は傾けて設けられてもよい。基板４１を傾ける角度は任意であり、例えばベースカバー２１の下面、メインカバー２２の上面または親基板２に対して３０度、４５度または６０度であるが、ベースカバー２１の下面に平行でなければよい。このように、基板４１を所定の角度をもって傾けることにより、ベースカバー２１の下面に平行な場合と比較して電子部品を実装する基板４１の面積を大きくすることができる。特に、図１１に示されるように、少なくともメインカバー２２の上面を形成する第一の辺とベースカバー２１の下面を形成する第二の辺とから形成される平面上、すなわち、ケース断面図におけるケースの対角線上に基板４１を設けると、基板４１の面積が最も大きくなるため好ましい。

また、本発明では、２又は４つの光ユニットから成る２又は４チャンネルのＳＦＦトランシーバについて説明したが、これに何ら限定されず、例えば、５、６又は７つの光ユニットから成る５、６又は７チャンネルのＳＦＦトランシーバなどにも適用できる。

また、本発明では、光トランシーバの一例としてＳＦＦトランシーバを説明したが、これに何ら限定されず、例えば、Ｓｍａｌｌ Ｆｏｒｍ−Ｆａｃｔｏｒ Ｐｌｕｇｇａｂｌｅ（ＳＦＰ）トランシーバ、１０ Ｇｉｇａｂｉｔ Ｓｍａｌｌ Ｆｏｒｍ−Ｆａｃｔｏｒ Ｐｌｕｇｇａｂｌｅ（ＸＦＰ）トランシーバなど各種光トランシーバにも適用できる。

本発明の第１の実施形態におけるＳＦＦトランシーバを示す斜視図である。 図１のＳＦＦトランシーバを通信装置３に搭載した状態を示す斜視図である。 図１の分解斜視図である。 図３に示されたベース５０を詳細に説明するための図である。 図１に示されたＳＦＦトランシーバのＡ−Ａ’断面を示す概略図である。 本発明の第２の実施形態におけるＳＦＦトランシーバの斜視図である。 図６に示されたＳＦＦトランシーバの分解斜視図である。 ＳＦＦトランシーバの一部である図７に示されたＡ部の拡大図である。 本発明の第３の実施形態におけるＳＦＦトランシーバの斜視図である。 図９に示されたＳＦＦトランシーバの分解斜視図である。 図１のＡ−Ａ’断面を示す他の概略図である。 従来の光伝送モジュール１００の側面図である。

符号の説明

２ 親基板
３ 通信装置
１０ 光モジュール組立体
２１ ベースカバー
２２ メインカバー
２４ ベースカバー
２５ メインカバー
２７ ベースカバー
２８ メインカバー
３０ 光モジュール
３１ フェルール
３２ 光学素子部
４１ 基板
４２ 基板支持孔
４３ 接続端子
５０ ベース
５１ レセプタクル部
５２ ベースカバーロック部
５３ 圧入部
５４ 基板支持部
５５ 位置決め凹部
５６ 位置決め凸部
５７ 係止突起
５８ 補強ピン挿通孔
５９ 光ユニット補強部
７０ 補強ピン
１０２ 電気回路基板
１０３ ベース
２１１ 接続端子挿通孔
２１２ 基板支持部
２１３ ベースガイド部
２１４ 補強ピン挿通孔
２１５ ベースロック部
２２１ 係止穴
２２２ 光ユニット補強部

Claims (12)

1. 少なくとも一つの電子部品を搭載する基板と、
   光コネクタを接続するレセプタクル部が形成されるベースと、
   前記基板を内蔵するケースとを有し、
   前記ベースの一端が前記ケースに内蔵され、前記ベースの他端が前記ケースに内蔵されないことを特徴とする光トランシーバ。
2. 少なくとも一つの電子部品を搭載する基板と、
   前記基板を内蔵するケースと、
   前記ケースに内蔵される一端が前記基板を固定し、前記ケースに内蔵されない他端に光コネクタを接続するレセプタクル部が形成されるベースとを有し、
   前記基板は、前記ケースの上面または下面に対して平行に設けられていないことを特徴とする光トランシーバ。
3. 前記基板は、前記ケースの上面または下面に対して垂直に設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の光トランシーバ。
4. 前記基板は、少なくとも前記上面を形成する第一の辺と前記下面を形成する第二の辺とから形成される平面上に設けられていることを特徴とする請求項２記載の光トランシーバ。
5. 少なくとも一つの電子部品を搭載する基板と、
   一端に溝が、他端に光コネクタを接続するレセプタクル部が、側面に係止突起がそれぞれ形成されるベースと、
   側面に係止孔が形成され、少なくとも前記基板と前記ベースの一部とを内蔵するケースとを有し、
   前記基板は、前記ケースの上面又は下面に対して垂直に設けられており、
   前記基板の一端を前記溝に挟むことによって前記基板を前記ベースに固定し、
   前記係止突起を前記係止孔に係止させることによって前記ベースを前記ケースに固定することを特徴とする光トランシーバ。
6. 前記基板が前記ベースに搭載されていないことを特徴とする請求項１乃至５記載の光トランシーバ。
7. 前記ベースは、前記ケースの上面及び下面のそれぞれと接触することを特徴とする請求項１乃至５記載の光トランシーバ。
8. 前記基板に接続される接続端子を有し、
   前記ベースには前記接続端子が挿通されないことを特徴とする請求項１、２または５記載の光トランシーバ。
9. 前記ベースと前記ケースの材質がそれぞれ互いに異なることを特徴とする請求項１、２または５記載の光トランシーバ。
10. 前記ベース及び前記ケースは樹脂及び金属でそれぞれ形成されることを特徴とする請求項９記載の光トランシーバ。
11. 少なくとも一つの電子部品を搭載した基板、及び一端に前記基板を固定し側面に凹部及び凸部を形成するベースをそれぞれ有する複数の光ユニットと、前記基板及び前記ベースの一端を内蔵し前記ベースの他端を内蔵しないケースとから構成され、
    前記基板は前記ケースの上面または下面に対して垂直に設けられており、
    前記複数の光ユニットは、一つの光ユニットの前記凹部及び凸部が隣接する他の光ユニットの前記凸部及び凹部とそれぞれ嵌合することによって連結されることを特徴とする光トランシーバ。
12. 前記ベースは側面に溝を、前記ケースは前記ケースの側面間に補強部をそれぞれ有し、
    前記複数の光ユニットが連結されたときに２つの光ユニットそれぞれの前記溝によって空間が生成され、当該空間に前記補強部が挿入されることを特徴とする請求項１１記載の光トランシーバ。

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