JP2008020603A - Pattern correction method and pattern correction device - Google Patents
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Abstract
Description
この発明はパターン修正方法およびパターン修正装置に関し、特に、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法およびパターン修正装置に関する。より特定的には、この発明は、フラットパネルディスプレイの製造工程において発生する電極のオープン欠陥を修正するパターン修正方法およびパターン修正装置に関する。 The present invention relates to a pattern correction method and a pattern correction apparatus, and more particularly to a pattern correction method and a pattern correction apparatus for correcting a defective portion of a fine pattern formed on a substrate. More specifically, the present invention relates to a pattern correction method and a pattern correction device for correcting an open defect of an electrode that occurs in a manufacturing process of a flat panel display.
近年、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、ELディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの大型化、高精細化に伴い、ガラス基板上に形成された電極や液晶カラーフィルタなどに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。 In recent years, with the increase in size and definition of flat panel displays such as plasma displays, liquid crystal displays, and EL displays, the probability of defects in electrodes and liquid crystal color filters formed on glass substrates has increased. A method for correcting a defect has been proposed in order to improve the yield.
たとえば、液晶ディスプレイのガラス基板の表面には電極が形成されている。この電極が断線している場合、塗布針先端に付着させた導電性の修正ペースト(修正液)を断線部に塗布し、電極の長さ方向に塗布位置をずらしながら複数回塗布して電極を修正する(たとえば、特許文献1参照)。 For example, electrodes are formed on the surface of a glass substrate of a liquid crystal display. If this electrode is disconnected, apply the conductive correction paste (correction solution) attached to the tip of the application needle to the disconnection part, and apply the electrode several times while shifting the application position in the length direction of the electrode. It corrects (for example, refer patent document 1).
また、欠陥部を覆うようにフィルムを設け、欠陥部とフィルムとをレーザ光を用いて略同時に除去し、除去した部分にフィルムをマスクとして修正インク(修正液)を塗布し、その後、フィルムを剥離除去する方法がある(たとえば、特許文献2,3参照)。
しかしながら、電極を修正する方法では、塗布針先端に導電性の修正ペーストを付着させ、断線部に修正ペーストを転写するため、その塗布径は塗布針先端の平坦面の寸法で決まり、10μm前後の塗布径を実現するのは困難であり、これを用いた細線形成も同様に難しかった。 However, in the method of correcting the electrode, the conductive correction paste is attached to the tip of the application needle, and the correction paste is transferred to the disconnected portion. Therefore, the application diameter is determined by the flat surface size of the tip of the application needle, and is about 10 μm. It was difficult to realize the coating diameter, and it was also difficult to form a thin line using this.
一方、フィルムをマスクとして使用する方法では、10μm前後の細線で電極断線部などを修正することが可能であるが、フィルムと欠陥部をレーザ光で略同時に除去するので、大きなレーザパワーが必要となり、欠陥部の周辺にダメージを与えるという問題がある。また、欠陥部に密着したフィルム上部にレーザアブレーションにより孔を形成するため、そのときに発生する異物(ごみ)がフィルムと基板の隙間に侵入し、欠陥部近傍を汚染することも想定される。 On the other hand, in the method using a film as a mask, it is possible to correct an electrode disconnection portion with a thin wire of about 10 μm, but since the film and the defective portion are removed almost simultaneously with a laser beam, a large laser power is required. There is a problem of damaging the periphery of the defective part. Further, since a hole is formed by laser ablation in the upper part of the film that is in close contact with the defective part, it is assumed that foreign matter (dust) generated at that time enters the gap between the film and the substrate and contaminates the vicinity of the defective part.
さらに、フィルムに開けた孔の周りと欠陥部との密着性を良くしないと、修正インクを孔に塗布した時点で、フィルムと基板との隙間に毛細管現象で修正インクが吸い込まれ、基板を汚染することも考えられる。 Furthermore, if the adhesion between the hole around the hole in the film and the defective part is not improved, the correction ink is sucked into the gap between the film and the substrate by capillary action when the correction ink is applied to the hole, and the substrate is contaminated. It is also possible to do.
それゆえに、この発明の主たる目的は、10μm前後の細線で電極断線部などを修正することができ、かつ、欠陥部周辺のダメージや汚染が小さなパターン修正方法およびパターン修正装置を提供することである。 Therefore, a main object of the present invention is to provide a pattern correction method and a pattern correction apparatus that can correct an electrode disconnection portion or the like with a thin wire of about 10 μm and that has little damage and contamination around the defect portion. .
この発明に係るパターン修正方法は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、欠陥部に応じた形状の突起部をフィルムに形成し、突起部に修正液を塗布し、突起部を欠陥部に接触させて修正液を欠陥部に転写させることを特徴とする。 A pattern correction method according to the present invention is a pattern correction method for correcting a defective portion of a fine pattern formed on a substrate, wherein a protrusion having a shape corresponding to the defect is formed on a film, and a correction liquid is formed on the protrusion. Is applied, and the protrusion is brought into contact with the defective portion to transfer the correction liquid to the defective portion.
好ましくは、フィルムの表面のうちの欠陥部に応じた形状の部分の外周部に溝を形成し、溝で囲まれた部分を突起部とする。 Preferably, a groove is formed in the outer peripheral portion of the portion corresponding to the defect portion on the surface of the film, and a portion surrounded by the groove is used as a projection portion.
また好ましくは、突起部の表面に修正液を溜めるための凹部を設ける。
また好ましくは、突起部に修正液を塗布した後、突起部と欠陥部を所定の隙間を開けて対峙させ、所定の範囲でフィルムを基板に押圧することにより、突起部を欠陥部に接触させる。
Preferably, a recess for storing correction fluid is provided on the surface of the protrusion.
Preferably, after the correction liquid is applied to the protruding portion, the protruding portion and the defective portion are opposed to each other with a predetermined gap, and the film is pressed against the substrate within a predetermined range, thereby bringing the protruding portion into contact with the defective portion. .
また好ましくは、フィルムを基板に略平行に張り渡すことにより、突起部と欠陥部を所定の隙間を開けて対峙させる。 Preferably, the film and the substrate are stretched almost in parallel so that the protrusion and the defect are opposed to each other with a predetermined gap.
また好ましくは、フィルムの基板側の表面に窪みを形成し、窪みの底のうちの欠陥部に応じた形状の部分の外周部に溝を形成し、溝で囲まれた部分を突起部とし、突起部と欠陥部とを位置合わせしてフィルムと基板を接触させることにより、突起部と欠陥部とを隙間を開けて対峙させる。 Preferably, a recess is formed on the surface of the substrate side of the film, a groove is formed in the outer peripheral portion of the shape corresponding to the defect portion in the bottom of the recess, and a portion surrounded by the groove is a protrusion, By aligning the protrusion and the defect and bringing the film and the substrate into contact with each other, the protrusion and the defect are opposed to each other with a gap.
また、この発明に係るパターン修正装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、欠陥部に応じた形状の突起部をフィルムに形成し、突起部に修正液を塗布し、突起部を欠陥部に接触させて修正液を欠陥部に転写させることを特徴とする。 Moreover, the pattern correction apparatus according to the present invention is a pattern correction apparatus for correcting a defective portion of a fine pattern formed on a substrate, and forms a protrusion having a shape corresponding to the defect on the film. A correction liquid is applied, and the protrusion is brought into contact with the defective part to transfer the correction liquid to the defective part.
この発明に係るパターン修正方法およびパターン修正装置では、欠陥部に応じた形状の突起部をフィルムに形成し、突起部に修正液を塗布し、突起部を欠陥部に接触させて修正液を欠陥部に転写させる。したがって、フィルムを使用するので、10μm前後の細線で電極断線部などを修正することができる。また、レーザ光を照射してフィルムと欠陥部を同時に除去する場合のように、欠陥部の周辺がレーザ光によるダメージを受けることがない。また、突起部を欠陥部に接触させるので、欠陥部の周囲が修正液で汚染されることもない。 In the pattern correction method and the pattern correction apparatus according to the present invention, a protrusion having a shape corresponding to the defect is formed on the film, the correction liquid is applied to the protrusion, and the protrusion is brought into contact with the defect to correct the correction liquid. Transfer to the part. Therefore, since a film is used, an electrode disconnection part etc. can be corrected with a thin wire of about 10 μm. Further, unlike the case where the film and the defective portion are removed simultaneously by irradiating the laser beam, the periphery of the defective portion is not damaged by the laser beam. Further, since the protruding portion is brought into contact with the defective portion, the periphery of the defective portion is not contaminated with the correction liquid.
この発明に係るパターン修正方法では、フィルムの一平面に、欠陥部に塗布したい形状に合わせて、レーザアブレーションにより突起部を形成する。突起部先端に修正ペーストを付着させてから、突起部と欠陥部とが隙間を持って対峙するように位置合わせする。その後、突起部とは反対側の面からフィルムを基板側に押すことで、突起部が欠陥部に押し付けられて、修正ペーストが欠陥部に転写される。 In the pattern correction method according to the present invention, the protrusion is formed on one plane of the film by laser ablation in accordance with the shape to be applied to the defective portion. After the correction paste is attached to the tip of the protrusion, alignment is performed so that the protrusion and the defect face each other with a gap. Thereafter, the film is pressed toward the substrate from the surface opposite to the protrusion, whereby the protrusion is pressed against the defect and the correction paste is transferred to the defect.
突起部の周りに修正ペーストが付着していても、突起部がその周りよりも十分高ければ、転写時に突起部の周りに付着した修正ペーストが転写されることは無く、また、修正ペーストがフィルムと基板との隙間に毛細管現象で流れることも無いので、突起部の形状と略同形状の修正ペースト層を得ることができる。以下、この発明に係るパターン修正方法について図面を用いて詳細に説明する。 Even if correction paste is attached around the protrusion, if the protrusion is sufficiently higher than the periphery of the protrusion, the correction paste attached around the protrusion will not be transferred at the time of transfer. Therefore, a modified paste layer having a shape substantially the same as the shape of the protrusion can be obtained. Hereinafter, a pattern correction method according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1(a)(b)は、この発明の一実施の形態によるパターン修正方法を示す図である。図1(a)(b)において、基板1の表面には微細パターンである電極2が形成されており、電極2にはオープン欠陥部(断線部)2aが発生しているものとする。このパターン修正方法では、フィルム3の一平面に突起部3aを形成し、その突起部3aの先端面に修正ペースト4を塗布し、突起部3aの先端面を欠陥部2aに接触させて修正ペースト4を欠陥部2aに転写する。修正ペースト4としては、金、銀などの金属ナノ粒子を用いた金属ナノペーストや金属錯体溶液、金属コロイドを用いることができる。
FIGS. 1A and 1B are diagrams showing a pattern correction method according to an embodiment of the present invention. 1A and 1B, it is assumed that an
突起部3aの先端面は、たとえば、長方形状であり、欠陥部2aの両端に位置する正常な電極2にも修正ペースト4を塗布できるように、欠陥部2aよりも長く形成される。これにより、修正部の抵抗値を低減するとともに修正部の密着性を高めることができる。
The front end surface of the
フィルム3としては、たとえば薄膜のポリイミドフィルムが用いられる。フィルム3は、修正に使用するのに十分な幅であればよく、たとえば、5mm〜15mm程度にスリットしたロール状フィルムである。フィルム3は、その下が透けて見える程度のものが好ましく、その厚さはたとえば10〜25μm程度である。
As the
突起部3aはレーザアブレーションで形成される。レーザとしては、YAG第3高調波レーザやYAG第4高調波レーザ、あるいはエキシマレーザなどのパルスレーザを用いる。たとえば図2(a)に示すように、レーザ部5は、観察光学系6の上部に固定され、観察光学系6の下端に固定した対物レンズ7を介してフィルム3にレーザ光を照射する。レーザ照射範囲は、たとえばレーザ部5に内蔵される可変スリット(図示せず)により決定され、フィルム3は対物レンズ7で集光されたレーザ光の断面形状に加工される。
The
フィルム3は、フィルム配置ユニット10により対物レンズ13の下方に配置される。フィルム3に突起部3aを形成する場合、突起部3aとして残す領域の外周部をレーザアブレーションしてフィルム3に環状の溝3bを形成する。溝3bを形成する工程は、欠陥部2aの位置から離れた位置で行なうか、あるいは欠陥部2aにレーザ光が照射されないようにフィルム3単体で行なうことが好ましい。
The
フィルム3は、基板1から上方に離れた位置で、左右の固定ローラ11,12と、それらの間の上方に設けられた固定ローラ13により、左右に折り返して水平に張り渡された状態に保持される。図2(a)の例では、固定ローラ12と13の間のフィルム面3Pの略中央部にレーザ光を照射して、突起部3aとして残す領域の外周部に溝3bを形成する。溝3bは貫通しないので、レーザアブレーションにより発生する異物(ごみ)が基板1上に落下することはない。なお、レーザアブレーション時には、フィルム3の下方に遮蔽板14を挿入して、異物やレーザ光を受けてもよい。空間的に余裕があれば、遮蔽板14を常設してもよい。また、フィルム面3Pの下方には、フィルム3が折り返して配置されており、この折り返し部3Sを遮蔽板14の代わりに使用してもよい。
The
フィルム3は、フィルム供給リール15から供給され、固定ローラ13,12,11を経由してフィルム巻取リール16で回収され、フィルム3には一定の張力が与えられる。これらの構成要素からなるフィルム配置ユニット10は、副XYZステージ(図示せず)により、基板1を水平方向に移動させるXYステージ(図示せず)や観察光学系6などを垂直方向に移動させるZステージ(図示せず)とは独立してXYZ方向に移動可能とされる。
The
図3は、突起部3aと溝3bの形状を示す図である。図3において、レーザ部5と対峙する側のフィルム面3Pに、突起部3aとなる部分を残してその周りに溝3bをレーザアブレーションにより形成する。突起部3aは、欠陥部2aの形状に合わせて形成される。たとえば、突起部3aの幅は5〜10μmであり、長さは5〜50μm程度である。なお、図3の例では、突起部3aを直線形状に加工したが、突起部3aをコの字形状、くの字形状などの他の形状に加工することも可能である。
FIG. 3 is a diagram showing the shapes of the
突起部3aの周りの溝3bを四角形状のスリットを用いてレーザ加工する場合、突起部3aの四辺を4回に分けて溝加工するので、図4に示すように、溝3bにはレーザ光が1回だけ照射される領域3b1とレーザ光が2回重複して照射される領域3b2が生じ、領域3b2は領域3b1の約2倍の深さになる。そのため、領域3b2がフィルム3を貫通しないように、フィルム3の膜厚を考慮して溝3bの深さが決定される。また、突起部3aに修正ペースト4を塗布した際に、突起部3aからはみ出して溝3bの底に修正ペースト4が付着しても、修正ペースト4の膜厚が突起部3aの先端面より低ければ転写時に問題とならない。たとえば、修正ペースト4の膜厚が1μm以下であれば、溝3bの深さは2〜5μm程度あればよい。
When laser processing is performed on the
突起部3aの形成が終了した時点では、フィルム面3Pには、レーザアブレーションした際に発生したごみが飛散している。ごみの除去のため、突起部3aを中心として、その周りの広い範囲を弱いパワーでレーザ光を照射する工程を入れてもよい。このとき、YAG第2高調波レーザ光に切り替えて、弱いレーザパワーで孔3aを中心とする広い範囲を照射すれば、ごみのみを除去することも可能であり、新たにごみが発生することが防止される。
At the time when the formation of the
このように、欠陥部2aにフィルム3を付着、あるいは密着した状態でレーザ光による突起部3aの加工を行わないので、電極2や欠陥部2aの近傍を損傷することはない。また、フィルム3に形成する溝3bは貫通しないので、フィルム面3Pの裏面にごみが付着することはない。
As described above, since the
突起部3aが完成すると、図2(a)の状態で突起部3aに修正ペースト4を塗布する。なお、塗布時に対物レンズ7が干渉する場合には、対物レンズ7を観察光学系6およびレーザ部5とともに上方に退避させる。
When the
図5は、突起部3aに修正ペースト4が塗布された状態を示す図である。溝3bの外周に修正ペースト4が付着しないように、突起部3aに修正ペースト4が塗布される。このとき、溝3bが修正ペースト4の膜厚より深ければ、修正ペースト4が溝3bの底に付着しても構わない。たとえば、二点鎖線で示す領域Aに修正ペースト4が広がっても、その広がり部が溝3b内に収まっていれば問題はない。
FIG. 5 is a diagram illustrating a state in which the
修正ペースト4の塗布方法としては、図6に示すように、塗布針20先端の平坦面20aに修正ペースト4が付着した状態で、突起部3aに塗布針20の先端を接触させて修正ペースト4を塗布する。塗布針20の平坦面20aは、たとえば直径30〜70μm程度であり、形成した突起部3aの大きさに合わせて最適な直径のものを選択して使用する。突起部3aの面積が、平坦面5aにすべて収まるような塗布針5を選択して1回で塗布することが好ましいが、1回で塗布できない場合は複数回に分けて塗布する。なお、フィルム3を平台21の上に置いて塗布してもよい。平台21として遮蔽板14を併用することも可能である。
As shown in FIG. 6, the
また、図7に示すように、マイクロディスペンサ22を用いて突起部3aに修正ペースト4を塗布してもよい。なお、塗布方法はこれらに限定されるものでなく、その他の方法で塗布してもよい。
Further, as shown in FIG. 7, the
図2に戻って、図2(b)は、突起部3aに修正ペースト4が付着した状態を示している。その後、フィルム3をR方向(図では時計針回転方向)に巻き取り、図2(c)に示すように、フィルム3の突起部3aを下向きに反転させる。修正ペースト4が付着した突起部3aを基板1に対峙させ、画像処理結果に基づき、基板1とフィルム配置ユニット10との相対移動により、欠陥部2aと突起部3aとが対峙するように位置調整を行なう。図2(c)は位置調整が完了した状態を示している。なお、位置調整は手動で行なうことも可能である。
Returning to FIG. 2, FIG. 2B shows a state in which the
このとき、図8に示すように、突起部3aと欠陥部2aは一定の隙間Gを持って対峙している。隙間Gは、たとえば、10〜1000μm程度とされる。この状態で図9に示すように、突起部3aの反対側からフィルム3を押圧部材23で基板1側に押し付けると、フィルム3は弾性変形して突起部3aが欠陥部2aに接触し、突起部3aに付着している修正ペースト4が欠陥部2aに転写される。ここでは、押圧部材23として先端に平坦面23aを持つ塗布針を用いる。なお、図6に示した修正ペースト4を塗布する塗布針20を押圧部材23として使用することも可能である。この場合、塗布針20の先端に修正ペースト4が付着していても、フィルム3を介して押圧するので、基板1を汚染することはない。
At this time, as shown in FIG. 8, the
押圧部材23は、図示しないガイド(直動軸受)に沿って上下方向に進退可能としたものであり、押圧部材23を含む可動部の自重のみでフィルム3を押す。押圧部材23が下降してフィルム3に接触した後にさらに下降させようとしても、押圧部材23がガイドに沿って上方に退避するので、押圧部材23の平坦面23aは過負荷とならない。押圧部材23を駆動する駆動手段(図示せず)は、制御手段(図示せず)によって時間管理されて制御される。
The pressing member 23 is capable of moving back and forth in a vertical direction along a guide (linear motion bearing) (not shown), and presses the
突起部3aが欠陥部2aに接触した後、直ぐに押圧部材23を上方に退避させると、フィルム3はその弾性で元の状態に戻るため、図10に示すように、突起部3aは欠陥部2aから離れ、欠陥部2aを覆うように修正ペースト4からなる修正層4Aが形成される。副XYZステージによってフィルム3を欠陥部2aから遠ざけた後で、修正層4Aの硬化処理を行なう。硬化処理としては、修正ペースト4の仕様に合わせて紫外線硬化あるいは加熱硬化処理が行われる。硬化処理後、必要であれば、さらに修正層4Aの焼成処理が行われる。
If the pressing member 23 is retracted upward immediately after the protruding
上述の例では、突起部3aの先端面とフィルム面3Pは同一平面内にあるので、先端面に修正ペースト4が付着した突起部3aを押圧部材23によって欠陥部2aに押し付けると、修正ペースト4が突起部3aの外側に押し出される場合も想定される。そこで、図11(a)(b)示すような対策を施してもよい。
In the above example, since the tip surface of the
図11(a)の方法では、突起部3aの先端面をレーザアブレーションして、突起部3aの先端面をフィルム面3Pよりもたとえば1〜2μm低くする。これにより、押圧部材23の押圧時、突起部3aの先端面と欠陥部2aとの隙間に修正ペースト4を保持し易くする。また、図11(b)の方法では、突起部3aの先端面にたとえば深さ1〜2μmの凹部3cを形成する。この場合は、凹部3cに修正ペースト4を蓄えることにより、修正ペースト4が突起部3aの外側に押し出されることを防止する。
In the method of FIG. 11A, the tip surface of the
ここで説明した修正方法では、フィルム3は基板1に対して一定の隙間Gを持って配置され、隙間Gが数10μmのようにわずかな場合には、固定ローラ11,12が基板1に接触する可能性もあるため、固定ローラ11,12の各々を上下方向に移動自在に支持する支持部材を設けてもよい。
In the correction method described here, the
そのような支持部材を設けた場合は、図12に示すように、固定ローラ11を小径部11Aと大径部11Bとが同軸上に配置された2段形状とし、小径部11Aにフィルム3を接触させ、大径部11Bを基板1に接触させる。この場合、小径部11Aと大径部11Bとの半径差からフィルム3の膜厚を引いた寸法が隙間Gとなる。固定ローラ12も固定ローラ11と同じ構成にする。この場合は、隙間Gの調整を容易に行なうことができる。
When such a support member is provided, as shown in FIG. 12, the fixed
図13は、突起部3aと欠陥部2aの隙間Gを調整する他の方法を示す断面図である。この方法では、フィルム3の基板1に対峙する側の表面に窪み3dが設けられ、窪み3dの底に溝3bが形成されて突起部3aが形成される。修正時は、突起部3aの先端面に修正ペースト4を塗布した後、突起部3aを欠陥部2aに位置決めしてフィルム3を基板1上に置く。これにより、突起部3aと欠陥部2aが窪み3dの深さ分だけ隙間Gを開けて対峙される。このような形状であれば、リール15,16によってフィルム3を緩めて略U字形状に垂らし、その下端を基板1に接触させる方法を実施することが可能となる。
FIG. 13 is a cross-sectional view showing another method for adjusting the gap G between the
次いで、突起部3aの反対側のフィルム面を押圧部材23で押圧すれば、窪み3dの底の部分が弾性変形して突起部3aの先端面が欠陥部2aに接触し、突起部3aの先端面から欠陥部2aに修正ペースト4が転写される。窪み3dの大きさは、フィルム3が塗布時に変形して、突起部3aが欠陥部2aに付着可能な範囲に設定される。たとえば、12.5μm厚のフィルム3であれば、窪み3dの大きさは100μm〜300μm角前後、深さは1μm〜5μm程度とされる。窪み3dは、レーザアブレーションによって形成してもよいし、機械的な手段、たとえば金型の転写によって形成してもよい。なお、窪み3dはフィルム3の延在方向に予め連続して形成してあってもよく、断続的に形成してあっても構わない。
Next, if the film surface on the opposite side of the
このような方法で欠陥部2aの修正を行なえば、塗布された修正ペースト4が基板1とフィルム3との隙間に毛細管現象で吸い込まれて、広い範囲に渡って基板1を汚染する心配もなくなる。また、フィルム3を欠陥部2aや基板1から隙間を持って配置する必要が無いので、フィルム3の操作が簡略化される。
If the
また、フィルム3に開けた孔を介して修正ペースト4を欠陥部2aに塗布する場合、使用する修正ペースト4の粘度が大きければ、基板1とフィルム3との隙間に毛細管現象で吸い込まれる可能性は低くなるが、逆に流動性が悪くなって、欠陥部2aに修正ペースト4が付着しないことも想定される。それに対して、前述のように、フィルム3に突起部3aを形成して、突起部3aに付着した修正ペースト4を欠陥部2aに転写すれば、毛細管現象による修正ペースト4の吸い込みを防止することができるので、修正ペースト4の粘度は小さくても構わない。
Further, when the
以上のパターン修正方法によれば、細線パターンを容易に形成することができるため、たとえば、液晶パネルのTFT(薄膜トランジスタ)パネルの電極修正のように、10μm以下のパターン形成が必要な場所に応用できる。また、電極以外では、液晶カラーフィルタのブラックマトリックスは高精細化に伴い線幅が20μmを切っており、この修正にも適応が可能となる。 According to the above pattern correction method, a thin line pattern can be easily formed, and can be applied to a place where pattern formation of 10 μm or less is necessary, for example, as in the electrode correction of a TFT (thin film transistor) panel of a liquid crystal panel. . In addition to the electrodes, the black matrix of the liquid crystal color filter has a line width of less than 20 μm as the definition becomes higher, and this correction can be applied.
また、欠陥部2aの形状に合わせてフィルム3に突起部3aを形成し、突起部3aに付着した修正ペースト4を欠陥部2aに転写するため、毛細管現象でフィルム3と基板1の隙間に修正ペースト4が吸い込まれることなく、突起部3aの先端面と略同じ形状の修正層4Aを得ることができる。
In addition, a
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
1 基板、2 電極、2a オープン欠陥部、3 フィルム、3a 突起部、3b 溝、3c 凹部、3d 窪み、4 修正ペースト、4A 修正層、5 レーザ部、6 観察光学系、7 対物レンズ、10 フィルム配置ユニット、11〜13 固定ローラ、14 遮蔽板、15 フィルム供給ロール、16 フィルム巻き取りロール、20 塗布針、20a 平坦面、21 平台、22 マイクロディスペンサ、23 押圧部材、23a 平坦面。
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記欠陥部に応じた形状の突起部をフィルムに形成し、前記突起部に修正液を塗布し、前記突起部を前記欠陥部に接触させて前記修正液を前記欠陥部に転写させることを特徴とする、パターン修正方法。 A pattern correction method for correcting a defective portion of a fine pattern formed on a substrate,
A protrusion having a shape corresponding to the defect is formed on the film, a correction liquid is applied to the protrusion, and the correction liquid is transferred to the defect by bringing the protrusion into contact with the defect. A pattern correction method.
前記欠陥部に応じた形状の突起部をフィルムに形成し、前記突起部に修正液を塗布し、前記突起部を前記欠陥部に接触させて前記修正液を前記欠陥部に転写させることを特徴とする、パターン修正装置。 A pattern correction apparatus for correcting a defective portion of a fine pattern formed on a substrate,
A protrusion having a shape corresponding to the defect is formed on the film, a correction liquid is applied to the protrusion, and the correction liquid is transferred to the defect by bringing the protrusion into contact with the defect. A pattern correction device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006191353A JP2008020603A (en) | 2006-07-12 | 2006-07-12 | Pattern correction method and pattern correction device |
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JP2006191353A JP2008020603A (en) | 2006-07-12 | 2006-07-12 | Pattern correction method and pattern correction device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2008020603A true JP2008020603A (en) | 2008-01-31 |
Family
ID=39076588
Family Applications (1)
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JP2006191353A Withdrawn JP2008020603A (en) | 2006-07-12 | 2006-07-12 | Pattern correction method and pattern correction device |
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JP (1) | JP2008020603A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2006
- 2006-07-12 JP JP2006191353A patent/JP2008020603A/en not_active Withdrawn
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JP2010085967A (en) * | 2008-09-08 | 2010-04-15 | Ntn Corp | Pattern correction method and pattern correction device |
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