JP2008288264A - Pattern correction method - Google Patents

Pattern correction method Download PDF

Info

Publication number
JP2008288264A
JP2008288264A JP2007129426A JP2007129426A JP2008288264A JP 2008288264 A JP2008288264 A JP 2008288264A JP 2007129426 A JP2007129426 A JP 2007129426A JP 2007129426 A JP2007129426 A JP 2007129426A JP 2008288264 A JP2008288264 A JP 2008288264A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
hole
substrate
correction
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2007129426A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Koike
孝誌 小池
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NTN Corp
Original Assignee
NTN Corp
NTN Toyo Bearing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NTN Corp, NTN Toyo Bearing Co Ltd filed Critical NTN Corp
Priority to JP2007129426A priority Critical patent/JP2008288264A/en
Publication of JP2008288264A publication Critical patent/JP2008288264A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02WCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO WASTEWATER TREATMENT OR WASTE MANAGEMENT
    • Y02W30/00Technologies for solid waste management
    • Y02W30/50Reuse, recycling or recovery technologies
    • Y02W30/82Recycling of waste of electrical or electronic equipment [WEEE]

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern correction method by which an electrode disconnection part can be corrected by using a thin line of about 10 μm in diameter, and a corrected pattern having an optional shape can be stably obtained without contamination of the periphery of a failure part. <P>SOLUTION: Laser light is applied to the surface of a film 3 to form a recess 3c that is comprised of a plurality of linear grooves 3b and based on a failure part 2a, and through holes 3a are formed on the bottoms of the respective grooves 3b. The opening of the recess 3c is made to face the failure part 2a at specified spacing, and the film 3 is pressed onto a substrate 1 in a specified range including the recess 3c and the through holes 3a. At the same time, a correcting paste 10 is applied to the failure part 2a through the through hole 3a, and the film 3 is peeled off from a substrate 1 by a restoring force of the film 3. As a result, the quantity of the correcting paste 10 is limited by the through hole 3a, so that the entry of the correcting paste 10 between the film 3 and the substrate 1 can be suppressed. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明はパターン修正方法に関し、特に、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法に関する。より特定的には、この発明は、フラットパネルディスプレイの製造工程において発生する電極のオープン欠陥を修正するパターン修正方法に関する。   The present invention relates to a pattern correction method, and more particularly to a pattern correction method for correcting a defective portion of a fine pattern formed on a substrate. More specifically, the present invention relates to a pattern correction method for correcting an open defect of an electrode that occurs in a flat panel display manufacturing process.

近年、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、ELディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの大型化、高精細化に伴い、ガラス基板上に形成された電極や液晶カラーフィルタなどに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。   In recent years, with the increase in size and definition of flat panel displays such as plasma displays, liquid crystal displays, and EL displays, the probability of defects in electrodes and liquid crystal color filters formed on glass substrates has increased. A method for correcting a defect has been proposed in order to improve the yield.

たとえば、液晶ディスプレイのガラス基板の表面には電極が形成されている。この電極が断線している場合、塗布針先端に付着させた導電性の修正ペースト(修正液)を断線部に塗布し、電極の長さ方向に塗布位置をずらしながら複数回塗布して電極を修正する(たとえば特許文献1参照)。   For example, electrodes are formed on the surface of a glass substrate of a liquid crystal display. If this electrode is disconnected, apply the conductive correction paste (correction solution) attached to the tip of the application needle to the disconnection part, and apply the electrode several times while shifting the application position in the length direction of the electrode. It corrects (for example, refer patent document 1).

また、欠陥部を覆うようにフィルムを設け、欠陥部とフィルムとをレーザ光を用いて略同時に除去し、除去した部分にフィルムをマスクとして修正インク(修正液)を塗布し、その後、フィルムを剥離除去する方法がある(たとえば特許文献2,3参照)。
特開平8−292442号公報 特開平11−125895号公報 特開2005−95971号公報
In addition, a film is provided so as to cover the defective part, the defective part and the film are removed almost simultaneously using laser light, and a correction ink (correction liquid) is applied to the removed part using the film as a mask. There is a method of peeling and removing (for example, see Patent Documents 2 and 3).
JP-A-8-292442 Japanese Patent Laid-Open No. 11-125895 JP 2005-95971 A

しかしながら、電極を修正する方法では、塗布針先端に導電性の修正ペーストを付着させ、断線部に修正ペーストを転写するため、その塗布径は先端部を平らに加工する面で決まり、10μm前後の塗布径を実現するのは困難であり、これを用いた細線形成も同様に難しかった。   However, in the method of correcting the electrode, the conductive correction paste is attached to the tip of the application needle, and the correction paste is transferred to the disconnected portion. Therefore, the coating diameter is determined by the surface of the tip being processed flat, and is about 10 μm. It was difficult to realize the coating diameter, and it was also difficult to form a thin line using this.

一方、フィルムをマスクとして使用する方法では、10μm前後の細線で電極断線部などを修正することが可能であるが、修正インクを孔に塗布した時点で、フィルムと基板との隙間に毛細管現象で修正インク、あるいはその溶媒が吸い込まれ、基板を汚染することも考えられる。   On the other hand, in the method using a film as a mask, it is possible to correct the electrode disconnection portion with a thin wire of about 10 μm, but at the time when the correction ink is applied to the hole, a capillary phenomenon occurs in the gap between the film and the substrate. It is also conceivable that the correction ink or its solvent is sucked in and contaminates the substrate.

また、修正パターンは直線状とは限らず、任意形状(たとえば、L字やコの字形状)の修正パターンが要求される場合があるが、任意形状の修正パターンを安定に形成する方法は開示されていない。   In addition, the correction pattern is not limited to a straight line, and a correction pattern having an arbitrary shape (for example, an L shape or a U shape) may be required. However, a method for stably forming an arbitrary shape correction pattern is disclosed. It has not been.

それゆえに、この発明の主たる目的は、10μm前後の細線で電極断線部などを修正することができ、欠陥部周辺の汚染が小さく、任意形状の修正パターンを安定して得ることが可能なパターン修正方法を提供することである。   Therefore, the main object of the present invention is to correct a pattern where an electrode disconnection or the like can be corrected with a thin wire of about 10 μm, contamination around the defect is small, and a correction pattern having an arbitrary shape can be obtained stably. Is to provide a method.

この発明に係るパターン修正方法は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法において、フィルムにレーザ光を照射して複数の直線状の溝からなる欠陥部に応じた形状の凹部を形成するとともに各溝の底に貫通孔を形成し、凹部の開口部を欠陥部に所定の隙間を開けて対峙させ、凹部を含む所定の範囲でフィルムを基板に押圧するとともに複数の貫通孔を介して欠陥部に修正液を塗布し、フィルムの復元力でフィルムを基板から剥離させることを特徴とする。   The pattern correction method according to the present invention is a pattern correction method for correcting a defect portion of a fine pattern formed on a substrate, wherein the film is irradiated with a laser beam and shaped according to the defect portion formed of a plurality of linear grooves. And forming a through-hole in the bottom of each groove, opening the opening of the recess against the defective portion with a predetermined gap and pressing the film against the substrate within a predetermined range including the recess The correction liquid is applied to the defective portion through the through hole, and the film is peeled off from the substrate by the restoring force of the film.

好ましくは、各溝は他の溝につながっている。
また好ましくは、複数の貫通孔のうちの少なくとも1つの貫通孔の対応の溝の長さ方向の長さは、対応の溝の長さと略同じである。
Preferably, each groove is connected to another groove.
Preferably, the length in the length direction of the corresponding groove of at least one of the plurality of through holes is substantially the same as the length of the corresponding groove.

また好ましくは、フィルムの表面にレーザ光を照射して凹部および複数の貫通孔を形成した後、フィルムの表裏を反転させて凹部の開口部を欠陥部に対峙させる。   Preferably, after the surface of the film is irradiated with laser light to form a recess and a plurality of through holes, the front and back of the film are reversed so that the opening of the recess faces the defect.

この発明に係るパターン修正方法では、フィルムにレーザ光を照射して複数の直線状の溝からなる欠陥部に応じた形状の凹部を形成するとともに各溝の底に貫通孔を形成し、凹部の開口部を欠陥部に所定の隙間を開けて対峙させ、凹部を含む所定の範囲でフィルムを基板に押圧するとともに複数の貫通孔を介して欠陥部に修正液を塗布する。したがって、凹部と同形状の任意形状の修正パターンを形成することができ、10μm前後の細線で電極断線部などを修正することができる。また、貫通孔によって溝に流入する修正液の量を制限することができ、フィルムと基板の間に修正液が侵入して欠陥部周辺が汚染されるのを防止することができる。   In the pattern correction method according to the present invention, the film is irradiated with a laser beam to form a concave portion having a shape corresponding to a defective portion including a plurality of linear grooves, and a through hole is formed at the bottom of each groove. The opening portion is opposed to the defective portion with a predetermined gap, the film is pressed against the substrate within a predetermined range including the concave portion, and the correction liquid is applied to the defective portion through the plurality of through holes. Therefore, it is possible to form a correction pattern having an arbitrary shape that is the same shape as the concave portion, and it is possible to correct an electrode disconnection portion or the like with a thin wire of about 10 μm. In addition, the amount of the correction liquid flowing into the groove can be limited by the through hole, and the correction liquid can be prevented from entering between the film and the substrate to contaminate the periphery of the defective portion.

実施の形態について説明する前に、この発明の基礎となるパターン修正方法について説明する。図1は、修正対象の基板1を示す図である。図1において、基板1上には微細パターンである電極2が形成され、電極2にはオープン欠陥部(断線欠陥部)2aが発生している。   Before describing the embodiment, a pattern correction method as the basis of the present invention will be described. FIG. 1 is a diagram showing a substrate 1 to be corrected. In FIG. 1, an electrode 2 that is a fine pattern is formed on a substrate 1, and an open defect portion (disconnection defect portion) 2 a is generated in the electrode 2.

このパターン修正方法では、図2に示すように、欠陥部2aに応じた形状の孔3aの開いたフィルム3をマスクとして使用する。欠陥部2aに孔3aを位置合わせした状態で、フィルム3は基板1の上面に隙間Gを開けて対峙される。フィルム3は、たとえば薄膜のポリイミドフィルムであり、その幅はマスクとして使用するのに十分な幅であればよく、たとえば、5mm〜15mm程度にスリットしたロール状フィルムである。フィルム3の厚さFtは、その下が透けて見える程度のものが好ましく、たとえば10〜25μm程度である。   In this pattern correction method, as shown in FIG. 2, a film 3 having a hole 3a having a shape corresponding to the defect 2a is used as a mask. The film 3 is opposed to the upper surface of the substrate 1 with a gap G in a state where the hole 3a is aligned with the defective portion 2a. The film 3 is, for example, a thin film polyimide film, and the width of the film 3 only needs to be a width sufficient for use as a mask. For example, the film 3 is a roll-shaped film slit to about 5 mm to 15 mm. The thickness Ft of the film 3 is preferably such that the underside can be seen through, for example, about 10 to 25 μm.

図2に示すように、孔3aは、たとえば、短軸長がSwで長軸長がSlの長方形形状である。欠陥部2aの両端に位置する正常な電極面2bにも修正ペーストが塗布されるように、長軸長Slは欠陥部2aよりも長く設定される。これにより、修正部の抵抗値を低減するとともに、修正部の密着性を高めることができる。   As shown in FIG. 2, the hole 3a has, for example, a rectangular shape with a short axis length Sw and a long axis length Sl. The major axis length Sl is set longer than the defect portion 2a so that the correction paste is applied to the normal electrode surfaces 2b located at both ends of the defect portion 2a. Thereby, while reducing the resistance value of a correction part, the adhesiveness of a correction part can be improved.

孔3aは、フィルム3の表面にレーザ光を照射することにより形成される。レーザとしては、YAG第3高調波レーザやYAG第4高調波レーザ、あるいはエキシマレーザなどのパルスレーザを用いる。たとえば、図3に示すように、レーザ部4は観察光学系5の上部に設けられ、観察光学系5の下端に対物レンズ6が設けられる。フィルム3は、2本の固定ローラ7により、対物レンズ6と基板1の間に張り渡される。レーザ光は、レーザ部4から観察光学系5および対物レンズ6を介してフィルム3に照射される。孔3aの形状および大きさは、たとえばレーザ部4に内蔵される可変スリット(図示せず)により決定され、孔3aは対物レンズ6で集光されたレーザ光の断面形状に加工される。このとき、レーザアブレーションにより発生する異物(ごみ)が基板1上に落下しないように、遮蔽板8をフィルム3と基板1の間に配置することが好ましい。   The holes 3a are formed by irradiating the surface of the film 3 with laser light. As the laser, a pulse laser such as a YAG third harmonic laser, a YAG fourth harmonic laser, or an excimer laser is used. For example, as shown in FIG. 3, the laser unit 4 is provided at the upper part of the observation optical system 5, and the objective lens 6 is provided at the lower end of the observation optical system 5. The film 3 is stretched between the objective lens 6 and the substrate 1 by two fixed rollers 7. Laser light is applied to the film 3 from the laser unit 4 via the observation optical system 5 and the objective lens 6. The shape and size of the hole 3 a are determined by, for example, a variable slit (not shown) built in the laser unit 4, and the hole 3 a is processed into a cross-sectional shape of the laser light collected by the objective lens 6. At this time, it is preferable to arrange the shielding plate 8 between the film 3 and the substrate 1 so that foreign matter (dust) generated by laser ablation does not fall on the substrate 1.

このように、欠陥部2aにフィルム3が付着、あるいは密着した状態でレーザ光による孔3aの加工を行なわないので、電極2や欠陥部2aの近傍をレーザパワーによって損傷することはない。また、フィルム3を浮かした状態で孔3aを開けるので、フィルム3の裏面に異物が付着することを抑制することができる。   Thus, since the hole 3a is not processed by the laser beam in a state where the film 3 is attached or adhered to the defect portion 2a, the vicinity of the electrode 2 and the defect portion 2a is not damaged by the laser power. Moreover, since the hole 3a is opened in a state where the film 3 is floated, it is possible to prevent foreign matter from adhering to the back surface of the film 3.

孔3aの形成が終了した時点では、孔3a周りのフィルム3上面には、孔3a部を除去(レーザアブレーション)した際に発生した異物(ごみ)が飛散しており、異物の除去のため、孔3aを中心としたその周りの広い範囲に弱いパワーでレーザ光を照射してもよい。このとき、レーザをYAG第2高調波レーザに切り替えて、弱いレーザパワーで孔3aを中心とする広い範囲にレーザ光を照射すれば、異物のみを除去することも可能であり、新たに異物が発生することを防止することができる。なお、フィルム3を反転させる機構を設ければ、フィルム3の裏面も同様に処理することができる。レーザ部4としては、孔3aを開けるためのレーザ光と、異物を除去するためのレーザ光の2種類のレーザ光のうちのいずれかのレーザ光を選択的に出射できるものを使用するとよい。   When the formation of the hole 3a is completed, foreign matter (dust) generated when the hole 3a portion is removed (laser ablation) is scattered on the upper surface of the film 3 around the hole 3a. You may irradiate a laser beam with weak power to the wide range around the hole 3a. At this time, if the laser is switched to the YAG second harmonic laser and the laser beam is irradiated to a wide range centering on the hole 3a with a weak laser power, it is possible to remove only the foreign matter. Occurrence can be prevented. In addition, if the mechanism which reverses the film 3 is provided, the back surface of the film 3 can be processed similarly. As the laser unit 4, a laser unit that can selectively emit one of two types of laser beams, that is, a laser beam for opening the hole 3 a and a laser beam for removing foreign matter may be used.

フィルム3は、図示しないフィルム供給リールから供給され、固定ローラ7を経由して図示しないフィルム巻き取りリールで回収される。フィルム3は、図示しないXYZステージにより、XYZ方向に移動可能とされる。XYZステージは、欠陥部2aと孔3aとの位置調整に使用される。   The film 3 is supplied from a film supply reel (not shown) and is collected by a film take-up reel (not shown) via a fixed roller 7. The film 3 can be moved in the XYZ directions by an XYZ stage (not shown). The XYZ stage is used for position adjustment between the defect portion 2a and the hole 3a.

次に、たとえば画像処理結果、あるいは、それぞれの位置座標データに基づいて基板1に対してフィルム3を相対的に移動させ、図2に示すように、欠陥部2aの上方にフィルム3の孔3aを位置決めしてフィルム3と基板1が隙間Gを開けて対峙した状態にする。この工程は手動で行なっても構わない。フィルム3は一定の張力によって張られた状態にある。隙間Gは、フィルム3を支持する支点(たとえば図3に示した固定ローラ7)の間隔やフィルム3の厚さによって異なるが、たとえば10〜1000μm程度に設定される。基板1の表面に凹凸がある場合、基板1に対峙したフィルム3が、基板1とは接触しない程度の隙間Gを保ってもよいし、孔3aを含む微小範囲が、欠陥部2aと接触しないような隙間Gを保つようにしてもよい。   Next, for example, the film 3 is moved relative to the substrate 1 based on the image processing result or the respective position coordinate data, and as shown in FIG. 2, the hole 3a of the film 3 is located above the defect 2a. Is positioned so that the film 3 and the substrate 1 face each other with a gap G therebetween. This step may be performed manually. The film 3 is in a state of being stretched by a certain tension. The gap G varies depending on the distance between fulcrums (for example, the fixed roller 7 shown in FIG. 3) for supporting the film 3 and the thickness of the film 3, but is set to about 10 to 1000 μm, for example. When the surface of the substrate 1 is uneven, the film 3 facing the substrate 1 may maintain a gap G so as not to contact the substrate 1, and a minute range including the hole 3 a does not contact the defective portion 2 a. Such a gap G may be maintained.

修正ペーストの塗布手段としては、たとえば、図4に示す塗布針9が用いられる。塗布針9の先端部は尖っているが、その先端は平坦に加工されている。塗布針9先端の平坦面9aの直径は、たとえば、30〜100μm程度であり、孔3aの大きさに合わせて最適な直径のものを選択して使用する。孔3aが平坦面9aにすべて収まるような塗布針9を選択して使用することが好ましい。このような塗布針9を用いれば、1回の塗布動作で孔3a全体に修正ペースト10を充填することができる。   For example, an application needle 9 shown in FIG. 4 is used as the correction paste application means. The tip of the application needle 9 is sharp, but the tip is processed flat. The diameter of the flat surface 9a at the tip of the application needle 9 is, for example, about 30 to 100 μm, and an optimum diameter is selected according to the size of the hole 3a. It is preferable to select and use the applicator needle 9 so that the holes 3a can all fit in the flat surface 9a. If such an application needle 9 is used, the correction paste 10 can be filled in the entire hole 3a by a single application operation.

塗布針9先端の平坦面9aの周りに修正ペースト10が付着した状態で、平坦面9aで孔3aの開口部を閉蓋するようにして塗布針9を上方から押し付けると、フィルム3が変形して孔3aの周りの微小範囲のフィルム3が欠陥部2aの周囲に付着し、欠陥部2aに修正ペースト10が充填される。塗布針9は、図示しないガイド(直動軸受)上を上下に進退可能にしたものであり、塗布針9を含む可動部の自重のみでフィルム3を押す。塗布針9が下降してフィルム3に接触して、フィルム3を基板1に接触させた後もさらに下降させようとしても、塗布針9がガイドに沿って上方に退避するので、塗布針9の平坦面9aは過負荷とならない。塗布針9の駆動手段(図示せず)は、制御手段(図示せず)により、時間管理されて制御される。   If the application needle 9 is pressed from above with the correction paste 10 attached around the flat surface 9a at the tip of the application needle 9 so as to close the opening of the hole 3a with the flat surface 9a, the film 3 is deformed. The film 3 in a minute range around the hole 3a adheres to the periphery of the defect 2a, and the defect paste 2a is filled with the correction paste 10. The application needle 9 is configured to be able to move up and down on a guide (linear motion bearing) (not shown), and pushes the film 3 only by the weight of the movable part including the application needle 9. Even if the application needle 9 descends and comes into contact with the film 3 and tries to descend further after the film 3 is brought into contact with the substrate 1, the application needle 9 retracts upward along the guide. The flat surface 9a is not overloaded. A driving means (not shown) for the application needle 9 is time-controlled and controlled by a control means (not shown).

孔3aを含む微小範囲のフィルム3が欠陥部2aの周囲に接触する時間は、塗布針9がフィルム3を押している間だけであり、修正ペースト10がフィルム3と基板1(欠陥部2a近傍)との隙間に毛細管現象で流れる前に、塗布針9を上方に退避させる。塗布針9がフィルム3から離れれば、フィルム3の弾性で元の状態に戻り、孔3aを含む微小範囲のフィルム3は欠陥部2aの周囲から離れる。そのため、フィルム3が基板1に接触する時間は極わずかである。   The time in which the film 3 in a minute range including the hole 3a contacts the periphery of the defect 2a is only while the coating needle 9 is pressing the film 3, and the correction paste 10 is in the film 3 and the substrate 1 (near the defect 2a). The coating needle 9 is retracted upward before flowing into the gap due to capillary action. When the application needle 9 is separated from the film 3, the film 3 returns to its original state due to the elasticity of the film 3, and the film 3 in a minute range including the hole 3a is separated from the periphery of the defect portion 2a. Therefore, the time for the film 3 to contact the substrate 1 is very short.

図5は、塗布針9を上方に退避させた状態を示し、フィルム3は基板1から離れた状態に復帰しており、欠陥部2aには、孔3aの形状と略同形状の修正層10Aが残る。また、余分に塗布された修正ペースト10はフィルム3の表面に残る。このように、フィルム3をマスクとして修正を行なうので、塗布針9による塗布形状よりも微細な修正層10A(パターン)を得ることが可能となる。   FIG. 5 shows a state in which the application needle 9 is retracted upward, and the film 3 has returned to a state away from the substrate 1, and the defect layer 2a has a correction layer 10A having substantially the same shape as the hole 3a. Remains. Further, the excessively applied correction paste 10 remains on the surface of the film 3. Thus, since correction is performed using the film 3 as a mask, it becomes possible to obtain a correction layer 10A (pattern) that is finer than the application shape of the application needle 9.

塗布された修正ペースト10には、修正ペースト10の仕様に合わせて紫外線硬化、加熱硬化処理、あるいは乾燥処理が施される。図5の状態で硬化処理を行なってもよい。   The applied correction paste 10 is subjected to ultraviolet curing, heat curing, or drying according to the specifications of the correction paste 10. You may perform a hardening process in the state of FIG.

また、レーザ照射による熱分解反応で金属膜を析出する必要があれば、欠陥部2aの上方からフィルム3を除去した後で連続発振のレーザで硬化処理(金属膜析出処理)を行なってもよい。この場合、レーザ部4がパルス発振と連続発振の切替えができるタイプであれば機構は簡単になるが、切替えができない場合には、レーザ部4とは別の図示しない連続発振レーザから観察光学系5にレーザ光を導入できるようにしてもよい。あるいは、観察光学系5とは別の光学系を用意してレーザ照射を行なってもよい。   Further, if it is necessary to deposit a metal film by a thermal decomposition reaction by laser irradiation, the film 3 may be removed from above the defect portion 2a, and then a curing process (metal film deposition process) may be performed with a continuous wave laser. . In this case, the mechanism is simple if the laser unit 4 is of a type that can switch between pulse oscillation and continuous oscillation. However, if the switching cannot be performed, an observation optical system from a continuous oscillation laser (not shown) separate from the laser unit 4 is used. The laser beam may be introduced into 5. Alternatively, laser irradiation may be performed by preparing an optical system different from the observation optical system 5.

このような方法で欠陥部2aの修正を行なえば、塗布された修正ペースト10が基板1とフィルム3との隙間に毛細管現象で吸い込まれることも無く、孔3aよりも広い範囲に渡って基板1を汚染する心配もなくなる。また、塗布が終了した時点で、フィルム3は欠陥部2aや基板1から完全に離れているため、その後の工程でフィルム3を除去する際には、フィルム3が修正層10Aに接触して修正層10Aを崩す心配がない。   If the defect portion 2a is corrected by such a method, the applied correction paste 10 is not sucked into the gap between the substrate 1 and the film 3 by capillary action, and the substrate 1 extends over a wider area than the hole 3a. No worries about polluting. Further, since the film 3 is completely separated from the defective portion 2a and the substrate 1 when the application is finished, when the film 3 is removed in the subsequent process, the film 3 comes into contact with the correction layer 10A and is corrected. There is no worry of breaking the layer 10A.

修正ペースト10の粘度が大きければ、基板1とフィルム3との隙間に毛細管現象で吸い込まれる可能性は低くなるが、逆に流動性が悪くなって、孔3a全体に入らないため、欠陥部2aに修正ペースト10が付着しないことも想定される。それに対して、前述の方法では、塗布時のみ孔3a近傍のフィルム3を基板1に押圧するので、毛細管現象の影響を最小限に留めることができる。したがって、修正ペースト10の粘度は小さくても構わない。   If the viscosity of the correction paste 10 is large, the possibility of being sucked into the gap between the substrate 1 and the film 3 by a capillary phenomenon is reduced, but conversely, the fluidity deteriorates and does not enter the entire hole 3a. It is also assumed that the correction paste 10 does not adhere to the surface. On the other hand, in the above-described method, the film 3 in the vicinity of the hole 3a is pressed against the substrate 1 only at the time of application, so that the influence of capillary action can be minimized. Therefore, the viscosity of the correction paste 10 may be small.

また、1つの欠陥部2aを修正する際、1回の塗布で修正を完了する方が好ましい。その理由は、塗布回数が多くなると、孔3aに付着する修正ペースト10の量が多くなって、フィルム3と基板1との隙間に修正ペースト10が吸い込まれる、あるいは修正層10Aの形状が崩れる可能性も考えられるからである。一方、複数回同じ位置に塗布することで修正層10Aの膜厚を厚くすることもできるので、使用する修正ペースト10の仕様に合わせて塗布回数を決めることが望ましい。   Further, when correcting one defective portion 2a, it is preferable to complete the correction by one application. The reason is that as the number of times of application increases, the amount of the correction paste 10 adhering to the holes 3a increases, so that the correction paste 10 can be sucked into the gap between the film 3 and the substrate 1 or the shape of the correction layer 10A can collapse. Because sex is also considered. On the other hand, since the thickness of the correction layer 10A can be increased by applying the same multiple times to the same position, it is desirable to determine the number of times of application according to the specification of the correction paste 10 to be used.

また、修正ペースト10としては、電極2の欠陥部2aを修正する場合、金、銀などの金属ナノ粒子を用いた金属ナノペーストや金属錯体溶液(たとえば、パラジウム錯体溶液)、金属コロイドを用いることができる。   Further, as the correction paste 10, when correcting the defect 2a of the electrode 2, a metal nano paste, a metal complex solution (for example, a palladium complex solution), or a metal colloid using metal nanoparticles such as gold or silver is used. Can do.

孔3aの大きさは、塗布針9の平坦面9aで孔3aの開口部全体を1回で押圧できる程度にすることが望ましく、たとえば、塗布針9の平坦面9aの径が50μmであれば、孔3aの長軸長Slは50μm以下となる。なお、孔3aの開口部の短軸長Swとフィルム3の厚さFtとがFt>Swの関係を満たすようにすれば、孔3a内に入った修正ペースト10を孔3a内に留める力(付着力)F1が、フィルム3と基板1との隙間に作用する毛細管現象による吸引力F2よりも大きくなり、修正ペースト10がフィルム3と基板1との隙間に吸い込まれることを防止することができる。ただし、上記力F1,F2は修正ペースト10の表面張力や粘度、基板1やフィルム3の濡れ性に依存して変化するので、修正の安定性を増すためには、Ft/2>Swの関係を満たすようにする方がより好ましい。   It is desirable that the size of the hole 3a be such that the flat surface 9a of the application needle 9 can press the entire opening of the hole 3a at one time. For example, if the diameter of the flat surface 9a of the application needle 9 is 50 μm The major axis length S1 of the hole 3a is 50 μm or less. In addition, if the minor axis length Sw of the opening of the hole 3a and the thickness Ft of the film 3 satisfy the relationship of Ft> Sw, a force for retaining the correction paste 10 in the hole 3a in the hole 3a ( Adhesion force) F1 is larger than the suction force F2 due to capillary action acting on the gap between the film 3 and the substrate 1, and the correction paste 10 can be prevented from being sucked into the gap between the film 3 and the substrate 1. . However, since the forces F1 and F2 vary depending on the surface tension and viscosity of the correction paste 10 and the wettability of the substrate 1 and the film 3, in order to increase the stability of correction, the relationship of Ft / 2> Sw It is more preferable to satisfy the above condition.

以上が本願発明の基礎となるパターン修正方法の説明である。前述の説明では修正層10Aの形状は直線としているが、実際にはコの字形状やL字形状など任意形状の修正層10Aが必要になる場合がある。たとえば、欠陥部2aを迂回してコの字形状の修正層10Aで修正する場合には、図6(a)に示すように、フィルム3にコの字形状の孔3aをレーザ照射によって形成する。固定スリットを通してレーザ照射で形成する場合には一括してコの字形状の孔3aが得られるが、2軸可変スリットを用いて加工を行なう場合には、孔3aは3つの孔3a1,3a2,3a3に区分けして形成される。   The above is the description of the pattern correction method that is the basis of the present invention. In the above description, the shape of the correction layer 10A is a straight line, but actually, there is a case where the correction layer 10A having an arbitrary shape such as a U-shape or an L-shape is required. For example, when the defect portion 2a is bypassed and corrected with the U-shaped correction layer 10A, a U-shaped hole 3a is formed in the film 3 by laser irradiation as shown in FIG. . When forming by laser irradiation through a fixed slit, a U-shaped hole 3a is obtained all at once, but when processing using a biaxial variable slit, the hole 3a has three holes 3a1, 3a2, and 3a2. It is divided into 3a3.

コの字形状の修正層10Aで修正する場合であっても、塗布針9は、その平坦面9aがコの字形状の孔3a全体を覆うことが可能なものを用いる。図6(a)中の2点鎖線で示す円は平坦面9aの大きさを表す。図4で示したように、修正ペースト10が先端に付着した塗布針9で、孔3aを含むフィルム3を押圧すれば、図6(b)に示すようなコの字形状のパターン(修正層10A)を一回の塗布動作で形成することができる。ただし、使用する修正ペースト10の粘度や種類によっては、図6(c)に示すように、修正層10Aの角部10Aaが膨らんでしまい、修正品位が劣化する。これは、角部10Aaには複数の孔(たとえば、孔3a1と孔3a2)から修正ペースト10が流れ込むからである。   Even in the case of correcting with the U-shaped correction layer 10A, the application needle 9 is one whose flat surface 9a can cover the entire U-shaped hole 3a. A circle indicated by a two-dot chain line in FIG. 6A represents the size of the flat surface 9a. As shown in FIG. 4, when the film 3 including the hole 3a is pressed with the application needle 9 having the correction paste 10 attached to the tip, a U-shaped pattern (correction layer) as shown in FIG. 10A) can be formed by a single coating operation. However, depending on the viscosity and type of the correction paste 10 to be used, as shown in FIG. 6C, the corner portion 10Aa of the correction layer 10A swells and the correction quality deteriorates. This is because the correction paste 10 flows into the corner portion 10Aa from a plurality of holes (for example, the hole 3a1 and the hole 3a2).

ここで、孔3aの長軸の長さが100μmのように長い場合には、孔3aの長軸の方向に複数回に分けて塗布針9で塗布することも考えられるが、前述した理由により、孔3a全体を閉蓋可能な大きな径(この場合には100μm以上)を持つ塗布針9を用いて、1回の塗布で修正することが好ましい。   Here, when the length of the long axis of the hole 3a is as long as 100 μm, it can be considered that the hole 3a is coated with the application needle 9 in a plurality of times in the direction of the long axis. It is preferable to correct by one application using the application needle 9 having a large diameter (in this case, 100 μm or more) capable of closing the whole hole 3a.

しかしながら、塗布針9の平坦面9aの面積が大きくなると、1回で塗布される修正ペースト10の量が多くなる。平坦面9aの径が50μmから100μmに変わった場合、平坦面9aの面積は4倍になるので、4倍を超える修正ペースト10が孔3aを含むフィルム3の表面に塗布される。このため、必要以上に孔3a内部に修正ペースト10が送り込まれて、塗布針9の平坦面9bが大きいほど、描画パターンが膨らむことが想定される。本願発明では、この問題の解決が図られる。   However, when the area of the flat surface 9a of the application needle 9 increases, the amount of the correction paste 10 applied at one time increases. When the diameter of the flat surface 9a is changed from 50 μm to 100 μm, the area of the flat surface 9a is quadrupled, so that the correction paste 10 exceeding four times is applied to the surface of the film 3 including the holes 3a. For this reason, it is assumed that the correction pattern 10 is fed into the hole 3a more than necessary, and the drawing pattern swells as the flat surface 9b of the application needle 9 increases. The present invention can solve this problem.

[実施の形態1]
図7は、この発明の実施の形態1によるパターン修正方法を示す図であって、塗布針9で押圧する側からフィルム3を見た図である。このパターン修正方法では、フィルム3の基板2側の表面に欠陥部2aの形状に応じて決められた修正層10Aの形状(この場合、コの字形状)に略等しい開口部を持つ凹部3cが形成される。凹部3cは、それぞれコの字の3辺に対応する3つの直線状の溝3bからなる。各溝3bの略中央には微小な貫通孔3aが形成される。貫通孔3aの幅は溝3bの幅以下であり、貫通孔3aの長さは溝3よりも短い。
[Embodiment 1]
FIG. 7 is a diagram showing the pattern correction method according to the first embodiment of the present invention, and is a view of the film 3 as seen from the side pressed by the application needle 9. In this pattern correction method, the concave portion 3c having an opening substantially equal to the shape of the correction layer 10A (in this case, a U-shape) determined according to the shape of the defect portion 2a is formed on the surface of the film 3 on the substrate 2 side. It is formed. The concave portion 3c includes three linear grooves 3b corresponding to the three sides of the U-shape. A minute through hole 3a is formed in the approximate center of each groove 3b. The width of the through hole 3 a is equal to or smaller than the width of the groove 3 b, and the length of the through hole 3 a is shorter than the groove 3.

図8(a)は、図7のVIIIA−VIIIA線断面図であって、溝3bの長さ方向の中心線を含む断面を示す図である。図8(a)において、凹部3cの開口部は、所定の隙間を開けて欠陥部2aに対峙される。フィルム3には一定の張力が与えられ、基板1に対してフィルム3が略平行に配置される。基板1とフィルム3の隙間はたとえば100μm程度とされる。   FIG. 8A is a cross-sectional view taken along the line VIIIA-VIIIA of FIG. 7 and shows a cross section including the center line in the length direction of the groove 3b. In FIG. 8A, the opening of the recess 3c is opposed to the defect 2a with a predetermined gap. A constant tension is applied to the film 3, and the film 3 is arranged substantially parallel to the substrate 1. The gap between the substrate 1 and the film 3 is, for example, about 100 μm.

次に、図8(b)に示すように、塗布針9先端の平坦面9aの周りに修正ペースト10が付着した状態で、平坦面9aで貫通孔3aおよび凹部3cを覆うようにして塗布針9を上方から押し付けると、フィルム3が変形して凹部3cの周りの微小範囲のフィルム3が欠陥部2aの周囲に付着し、欠陥部2aに修正ペースト10が充填される。このとき、凹部3cに流れる修正ペースト10の液量は、微小な貫通孔3aにより絞られて減少するので、欠陥部2aとフィルム3との隙間に修正ペースト10が吸い込まれるのを抑制することができる。   Next, as shown in FIG. 8B, in the state where the correction paste 10 is attached around the flat surface 9a at the tip of the application needle 9, the application surface is covered with the flat surface 9a so as to cover the through hole 3a and the recess 3c. When 9 is pressed from above, the film 3 is deformed and the film 3 in a minute range around the recess 3c adheres to the periphery of the defect 2a, and the defect 2a is filled with the correction paste 10. At this time, since the liquid amount of the correction paste 10 flowing into the recess 3c is reduced by being reduced by the minute through-hole 3a, it is possible to suppress the correction paste 10 from being sucked into the gap between the defect portion 2a and the film 3. it can.

また、塗布針9が凹部3cを含む微小範囲のフィルム3を上方から押圧した際、凹部3cを含む微小範囲のフィルム3が欠陥部2aの周囲に接触する時間は、塗布針9がフィルム3を押圧している間だけであり、修正ペースト10がフィルム3と基板1(欠陥部2a近傍)との隙間に毛細管現象で流れる前に、塗布針9を上方に退避させる。塗布針9がフィルム3から離れれば、フィルム3の弾性で元の状態に戻り、凹部3cを含む微小範囲のフィルム3は欠陥部2aの周囲から離れる。   In addition, when the application needle 9 presses the micro-range film 3 including the recess 3c from above, the time during which the micro-range film 3 including the recess 3c is in contact with the periphery of the defect 2a is as follows. Only during pressing, the application needle 9 is retracted upward before the correction paste 10 flows into the gap between the film 3 and the substrate 1 (near the defective portion 2a) by capillary action. When the application needle 9 is separated from the film 3, the film 3 returns to its original state due to the elasticity of the film 3, and the film 3 in a minute range including the concave portion 3c is separated from the periphery of the defect portion 2a.

このような方法で微細パターンを形成すれば、塗布される修正ペースト10が多くても、欠陥部2aに流れる修正ペースト10を減少させることができるので、パターンが大きく膨らんだり、フィルム3と基板1との隙間に修正ペースト10が吸い込まれて基板1を汚染することを抑制できる。この場合には、コの字形状の角部が膨らむことなく、図6(b)に示すようなパターンが得られる。   If the fine pattern is formed by such a method, even if there is a large amount of the correction paste 10 to be applied, the correction paste 10 flowing to the defect portion 2a can be reduced, so that the pattern swells greatly or the film 3 and the substrate 1 It is possible to prevent the correction paste 10 from being sucked into the gap and contaminating the substrate 1. In this case, a pattern as shown in FIG. 6B can be obtained without swelling the corners of the U-shape.

図8(b)に示すように、塗布針9の平坦面9aに付着した修正ペースト10を塗布する場合には、図7の2点鎖線で示すように、凹部3cおよび孔3a全体を閉蓋することが可能な平坦面9aを持つ塗布針9を用いる。なお、修正ペースト10の粘度が高く、貫通孔3aから凹部3cに流れ難い場合には、貫通孔3aを対応の溝3bの延在方向に長く形成すればよい。   As shown in FIG. 8B, when applying the correction paste 10 attached to the flat surface 9a of the application needle 9, as shown by a two-dot chain line in FIG. 7, the entire recess 3c and the hole 3a are closed. An application needle 9 having a flat surface 9a that can be used is used. If the viscosity of the correction paste 10 is high and it is difficult for the correction paste 10 to flow from the through hole 3a to the recess 3c, the through hole 3a may be formed long in the extending direction of the corresponding groove 3b.

図9(a)〜(c)は、この実施の形態1の変更例を示す図であって、図7と対比される図である。図9(a)では、フィルム3の基板1側の表面に、直角に配置された2つの直線状の溝3bからなるL字型の凹部3cが形成され、各溝3bの略中央に貫通孔3aが形成される。この場合は、L字型の修正パターンを形成することができる。   FIGS. 9A to 9C are diagrams showing a modification of the first embodiment and are compared with FIG. In FIG. 9A, an L-shaped recess 3c composed of two linear grooves 3b arranged at right angles is formed on the surface of the film 3 on the substrate 1 side, and a through-hole is formed in the approximate center of each groove 3b. 3a is formed. In this case, an L-shaped correction pattern can be formed.

図9(b)では、フィルム3の基板1側の表面に、十字型に配置された4つの直線状の溝3bからなる十字型の凹部3cが形成され、各溝3bの略中央に貫通孔3aが形成される。この場合は、十字型の修正パターンを形成することができる。   In FIG. 9B, a cross-shaped concave portion 3c composed of four linear grooves 3b arranged in a cross shape is formed on the surface of the film 3 on the substrate 1 side, and a through-hole is formed in the approximate center of each groove 3b. 3a is formed. In this case, a cross-shaped correction pattern can be formed.

図9(c)では、フィルム3の基板1側の表面に、四角形状に配置された4つの直線状の溝3bからなる四角形の環状の凹部3cが形成され、各溝3bの略中央に貫通孔3aが形成されている。この場合は、四角形の環状の修正パターンを形成することができる。なお、貫通孔3aだけで環状のマスクを形成することは構造上できないが、図9(c)のように四角の各辺を溝3bとすることで可能となる。   In FIG. 9 (c), a quadrangular annular recess 3c composed of four linear grooves 3b arranged in a square shape is formed on the surface of the film 3 on the substrate 1 side, and penetrates substantially at the center of each groove 3b. A hole 3a is formed. In this case, a square annular correction pattern can be formed. In addition, although it is structurally impossible to form an annular mask with only the through hole 3a, it becomes possible by making each side of the square a groove 3b as shown in FIG. 9C.

図10は、この実施の形態1の他の変更例を示す図であって、図7と対比される図である。図10では、コの字の3辺のうち中央の1辺のみが溝3bとその中央に形成された貫通孔3aで構成され、平行な2辺の各々は直線状の開口部を持つ貫通孔3aで構成される。コの字形状のように描画するパターンの総長さが長くなる場合には、全ての辺に絞りを入れて修正ペースト10の流入量を抑制すると、使用する修正ペースト10によっては、パターン抜けが生じる可能性がある。そのような場合には、少なくとも1つの辺の全体を貫通孔3aで構成して、修正ペースト10の流入量を補正することも可能である。なお、図10の例では、貫通孔3aと溝3bは、角部で重なった状態とされ、貫通孔3aから流入した修正ペースト10の一部は溝3bにも流れ、コの字全体に修正ペースト10が行き渡る。   FIG. 10 is a diagram showing another modification of the first embodiment, and is a diagram contrasted with FIG. In FIG. 10, only one of the three sides of the U-shape is constituted by a groove 3b and a through hole 3a formed at the center thereof, and each of the two parallel sides has a linear opening. 3a. When the total length of the pattern to be drawn becomes long like a U-shape, if the inflow amount of the correction paste 10 is suppressed by narrowing down all sides, pattern omission occurs depending on the correction paste 10 used. there is a possibility. In such a case, it is possible to correct the inflow amount of the correction paste 10 by configuring the entire at least one side with the through hole 3a. In the example of FIG. 10, the through hole 3 a and the groove 3 b are overlapped at the corners, and a part of the correction paste 10 that has flowed from the through hole 3 a also flows into the groove 3 b, and is corrected to the entire U-shape. Paste 10 is distributed.

なお、図9(a)〜(c)で示した変更例においても、図10で示したように、一部の辺を貫通孔3aで構成して、修正ペースト10の流入量を調整しても構わない。   In addition, also in the modified examples shown in FIGS. 9A to 9C, as shown in FIG. 10, some of the sides are configured by the through holes 3 a to adjust the inflow amount of the correction paste 10. It doesn't matter.

[実施の形態2]
図11(a)(b)は、この発明の実施の形態2によるパターン修正装置の要部の構成および動作を示す断面図である。図11(a)において、帯状のフィルム3は、図示しないフィルム供給リールから供給され、固定ローラ12を経由して対物レンズ6と基板1の間に導かれ、固定ローラ11aで折り返されて基板1の上方を通過し、固定ローラ11bを経由して図示しないフィルム巻き取りリールに回収される。固定ローラ12と11aで支持される上方フィルム3Aと、固定ローラ11aと11bで支持される下方フィルム3Bは、基板1に対して略平行に対峙した状態にされる。これらは、フィルム供給ユニット13の主要部品となり、図示しないXYZステージにより、XYZ方向に移動可能とされる。XYZステージは、欠陥部2aと溝3bとの位置調整に使用される。また、フィルム供給ユニット13に回転手段(θ機構)を持たせてあってもよい。
[Embodiment 2]
FIGS. 11A and 11B are cross-sectional views showing the configuration and operation of the main part of the pattern correction apparatus according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 11A, the belt-like film 3 is supplied from a film supply reel (not shown), guided between the objective lens 6 and the substrate 1 via the fixed roller 12, and folded back by the fixed roller 11a. And is collected by a film take-up reel (not shown) via a fixed roller 11b. The upper film 3A supported by the fixed rollers 12 and 11a and the lower film 3B supported by the fixed rollers 11a and 11b are opposed to each other substantially parallel to the substrate 1. These are the main components of the film supply unit 13 and can be moved in the XYZ directions by an XYZ stage (not shown). The XYZ stage is used for position adjustment between the defective portion 2a and the groove 3b. Further, the film supply unit 13 may be provided with a rotating means (θ mechanism).

まず、上方フィルム3Aの表面にレーザ光を照射して溝3bと貫通孔3aを形成する。このとき、レーザアブレーションにより発生するごみが基板1上に落下しないように遮蔽板8を上下に並行に張り渡されたフィルム3A,3Bの間に配置してもよい。遮蔽板8が無い場合でも、下方フィルム3Bがごみを受けるため、ごみが直接基板1上に落下することはない。   First, the surface of the upper film 3A is irradiated with laser light to form the grooves 3b and the through holes 3a. At this time, the shielding plate 8 may be disposed between the films 3 </ b> A and 3 </ b> B stretched in parallel vertically so that dust generated by laser ablation does not fall on the substrate 1. Even when there is no shielding plate 8, the lower film 3 </ b> B receives dust, so that the dust does not fall directly on the substrate 1.

図12(a)は上方フィルム3Aを上方から見た図であり、図12(b)は図12(a)のXIIB−XIIB線断面図である。溝3bは、欠陥2aを修正するパターン形状と略等しい開口部を持つコの字形状の凹部3cの一辺を構成する。予めレーザパワーとレーザショット回数を把握しておけば、容易に溝3bを形成できる。レーザ照射形状を設定するレーザスリット形状(図示せず)を調整して、幅がSwで長さがSlの溝3bを形成する。   Fig.12 (a) is the figure which looked at the upper film 3A from upper direction, FIG.12 (b) is the XIIB-XIIB sectional view taken on the line of Fig.12 (a). The groove 3b constitutes one side of a U-shaped recess 3c having an opening that is substantially equal to the pattern shape for correcting the defect 2a. If the laser power and the number of laser shots are known in advance, the groove 3b can be easily formed. A laser slit shape (not shown) for setting the laser irradiation shape is adjusted to form a groove 3b having a width Sw and a length Sl.

溝3bを形成した後、そのままの位置関係を保った状態で、スリット形状を変えて、幅がSwで長さがSmの貫通孔3aを溝3bの底の略中央に形成する。貫通孔3aの長さSmは、修正ペースト10の粘度や塗布針9の平坦面9aの大きさなどを考慮して決められ、孔3aの幅は溝3bの幅Sw以下に設定される。図12(a)(b)の例では、溝3bの幅と孔3aの幅は同じである。   After the groove 3b is formed, the slit shape is changed while maintaining the positional relationship as it is, and a through hole 3a having a width Sw and a length Sm is formed at substantially the center of the bottom of the groove 3b. The length Sm of the through hole 3a is determined in consideration of the viscosity of the correction paste 10, the size of the flat surface 9a of the application needle 9, and the width of the hole 3a is set to be equal to or smaller than the width Sw of the groove 3b. In the example of FIGS. 12A and 12B, the width of the groove 3b and the width of the hole 3a are the same.

このように、溝3bを形成した後、フィルム3とレーザ照射位置を変えずに、そのままの位置でレーザ加工のスリットの長さを変えるだけで加工を行なうことができ、溝3bと貫通孔3aの位置合わせを省略することができる。また、位置調整があったとしても微小であり好都合である。なお、貫通孔3aを形成した後に溝3bを形成してもよく、貫通孔3aと溝3bの形成順は問わない。溝3bおよび貫通孔3aを形成する工程を3回繰り返すことにより、コの字形状の凹部3cと3つの貫通孔3aを形成する。   Thus, after forming the groove 3b, the film 3 and the laser irradiation position can be changed without changing the laser irradiation position, and the processing can be performed by changing the length of the laser processing slit as it is. Can be omitted. Moreover, even if there is position adjustment, it is very small and convenient. In addition, after forming the through-hole 3a, you may form the groove | channel 3b and the formation order of the through-hole 3a and the groove | channel 3b is not ask | required. By repeating the step of forming the groove 3b and the through hole 3a three times, a U-shaped recess 3c and three through holes 3a are formed.

図13は、図12(a)のXIII−XIII線断面図であって、溝3bおよび貫通孔3aの断面形状を示す図である。貫通孔3aおよび溝3bの断面形状は、フィルム3の裏面(レーザ貫通面)に近づくにつれて細くなるテーパ状となる。このことはレーザ加工の特徴でもある。溝3bの深さDtは、フィルム3の厚さFtよりも小さく、たとえば、フィルム3の厚さFtの1/3程度とされる。また、貫通孔3aは、レーザ照射面側の幅をSwとした場合、レーザが貫通する側の幅Sw1は、レーザ加工の特徴からSw>Sw1となる。幅Swを小さくしすぎたり、使用するフィルム3が厚過ぎると、孔3aは貫通できなくなるので、幅Swとフィルム3の厚さFtを把握した上で溝3bと貫通孔3aの寸法を設定する。   FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line XIII-XIII of FIG. 12A and shows the cross-sectional shapes of the groove 3b and the through hole 3a. The cross-sectional shapes of the through holes 3a and the grooves 3b are tapered so as to become narrower as they approach the back surface (laser through surface) of the film 3. This is also a feature of laser processing. The depth Dt of the groove 3b is smaller than the thickness Ft of the film 3, for example, about 1/3 of the thickness Ft of the film 3. Further, in the case where the through hole 3a has a width on the laser irradiation surface side as Sw, the width Sw1 on the side through which the laser passes is Sw> Sw1 due to the characteristics of laser processing. If the width Sw is too small or the film 3 to be used is too thick, the hole 3a cannot penetrate, so the dimensions of the groove 3b and the through hole 3a are set after grasping the width Sw and the thickness Ft of the film 3 .

溝3bと貫通孔3aの形成が完了した後に、図11(b)に示すように、フィルム3を図中R方向(時計針回転方向)に巻き取り、フィルム3のレーザ照射面が下を向くようにフィルム3を反転させる。次いで、画像処理結果に基づいて基板1に対してフィルム3を相対移動させ、溝3bと欠陥部2aを位置合わせして基板1とフィルム3が対峙した状態にする。この工程は手動で行なっても構わない。   After the formation of the groove 3b and the through hole 3a is completed, as shown in FIG. 11B, the film 3 is wound in the R direction (clockwise direction) in the figure, and the laser irradiation surface of the film 3 faces downward. Invert the film 3 as follows. Next, the film 3 is moved relative to the substrate 1 based on the image processing result, and the groove 3b and the defective portion 2a are aligned so that the substrate 1 and the film 3 face each other. This step may be performed manually.

フィルム3は、一定の張力によって張られた状態にある。隙間Gは、フィルム3を支持する支点(たとえば固定ローラ11a,11b)の間隔やフィルム3の厚さによって異なるが、たとえば10〜1000μm程度に設定される。基板1の表面に凹凸がある場合、基板1に対峙したフィルム3が、基板1とは接触しない程度の隙間Gを保ってもよいし、溝3bを含む微小範囲が、欠陥部2aと接触しないような隙間Gを保つようにしてもよい。その後、上下のフィルム3に挟まれた空間に塗布手段を挿入して、図8(a)(b)で示した方法で、貫通孔3aの上方から修正ペースト10を塗布して修正が行なわれる。   The film 3 is in a state of being stretched by a certain tension. The gap G varies depending on the distance between fulcrums (for example, the fixed rollers 11a and 11b) that support the film 3 and the thickness of the film 3, but is set to about 10 to 1000 μm, for example. When the surface of the substrate 1 is uneven, the film 3 facing the substrate 1 may maintain a gap G so as not to contact the substrate 1, and a minute range including the groove 3 b does not contact the defective portion 2 a. Such a gap G may be maintained. Thereafter, the coating means is inserted into the space between the upper and lower films 3, and the correction is performed by applying the correction paste 10 from above the through-hole 3a by the method shown in FIGS. 8 (a) and 8 (b). .

このとき、貫通孔3aの断面は、上に行くほど先細るハの字形状になっているので、貫通孔3a内の修正ペースト10には、より細くなる側、つまり貫通孔3aの上方側に毛細管現象で引く力が働く。したがって、修正ペースト10がフィルム3と基板1との隙間に流れることを抑制することができ、結果として、描画形状の安定化を図ることができる。   At this time, since the cross-section of the through hole 3a is shaped like a taper that tapers upward, the correction paste 10 in the through hole 3a has a narrower side, that is, above the through hole 3a. The pulling force works by capillary action. Therefore, it is possible to suppress the correction paste 10 from flowing into the gap between the film 3 and the substrate 1, and as a result, it is possible to stabilize the drawing shape.

なお、図14に示すように、溝3b内に複数(図では2つ)の貫通孔3aを形成してもよい。これにより、溝3bが長い場合でも、修正ペースト10を溝3b全体に均一に供給することができる。また、この場合でも、レーザ部4とフィルム3を溝3bの長さ方向に微小距離だけ相対移動させることにより、複数の貫通孔3aを容易に形成することができる。   As shown in FIG. 14, a plurality (two in the figure) of through holes 3a may be formed in the groove 3b. Thereby, even when the groove 3b is long, the correction paste 10 can be uniformly supplied to the entire groove 3b. Also in this case, the plurality of through holes 3a can be easily formed by relatively moving the laser part 4 and the film 3 by a minute distance in the length direction of the groove 3b.

[実施の形態3]
実施の形態2では、フィルム3が上下に存在するので、塗布時には、上下のフィルム3の間に塗布手段を挿入する必要があり、上下のフィルム3の間隔を狭くすることはできない。そのため、高倍率の対物レンズ6を用いて、欠陥部2aと凹部3cとの位置合わせをすることが難しい。また、この場合、フィルム2枚越しに欠陥部2aを観察するため、位置調整が難しくなることが想定される。そこで、この実施の形態3では、上方フィルム3Aの一部を機械的に移動させて、下方フィルム3Bの貫通孔3aを露出させてから、貫通孔3aを介して欠陥部2aに修正ペースト10を塗布する。
[Embodiment 3]
In Embodiment 2, since the film 3 exists up and down, it is necessary to insert an application means between the upper and lower films 3 at the time of application, and the interval between the upper and lower films 3 cannot be reduced. Therefore, it is difficult to align the defective portion 2a and the concave portion 3c using the high-magnification objective lens 6. In this case, since the defective portion 2a is observed through two films, it is assumed that the position adjustment becomes difficult. Therefore, in the third embodiment, a part of the upper film 3A is mechanically moved to expose the through hole 3a of the lower film 3B, and then the correction paste 10 is applied to the defective portion 2a through the through hole 3a. Apply.

図15(a)〜(d)は、この発明の実施の形態3によるパターン修正装置の要部の構成および動作を示す断面図であり、図15(b)は図15(a)のXVB−XVB線断面図であり、図15(d)は図15(c)のXVD−XVD線断面図である。図15(a)において、フィルム供給ユニット15には、着脱可能なフィルム供給リールおよびフィルム巻き取りリール(図示せず)が装着される。フィルム供給リールから供給されるフィルム3は、固定ローラ16〜18を経由して対物レンズ6と基板1の間に導かれ、固定ローラ19で折り返されて基板1の上に導かれ、固定ローラ20を経由してフィルム巻き取りリールに巻き取られる。   15 (a) to 15 (d) are cross-sectional views showing the configuration and operation of the main part of the pattern correcting apparatus according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 15 (b) is an XVB- line in FIG. 15 (a). FIG. 15D is a sectional view taken along line XVB, and FIG. 15D is a sectional view taken along line XVD-XVD in FIG. In FIG. 15A, a detachable film supply reel and a film take-up reel (not shown) are mounted on the film supply unit 15. The film 3 supplied from the film supply reel is guided between the objective lens 6 and the substrate 1 via the fixed rollers 16 to 18, folded back by the fixed roller 19 and guided onto the substrate 1, and the fixed roller 20. Is taken up on a film take-up reel.

固定ローラ17,18は、可動部材21に固定され、一定範囲で上下方向に移動可能とされる。図15(a)では、可動部材21は上方の位置に固定された状態にある。この状態では、固定ローラ17,18の間の区間L1の上方フィルム3Aと、固定ローラ19,20の間の区間L2の下方フィルム3Bとは、一定の間隔、たとえば約10mm前後を保って略平行に張られた状態にあり、また、基板1に対しても略平行に配置されている。フィルム供給ユニット15の区間L2の部分(フィルム配置部15a)は、対物レンズ6の下方に挿入されてフィルム3をマスクとした修正に使用される。   The fixed rollers 17 and 18 are fixed to the movable member 21 and are movable in the vertical direction within a certain range. In FIG. 15A, the movable member 21 is in a fixed state at an upper position. In this state, the upper film 3A in the section L1 between the fixed rollers 17 and 18 and the lower film 3B in the section L2 between the fixed rollers 19 and 20 are substantially parallel to each other while maintaining a constant interval, for example, about 10 mm. In addition, the substrate 1 is arranged substantially parallel to the substrate 1. The section L2 (film placement portion 15a) of the film supply unit 15 is inserted below the objective lens 6 and used for correction using the film 3 as a mask.

また、区間L1の上方フィルム3Aの下には、平板部材と2本の爪22aからなるフック22が配置されている。フック22は、上方フィルム3Aとは直角方向で基板1に対して略平行の方向(上方フィルム3Aの幅方向)に移動可能とされる。図15(a)では、フック22は上方フィルム3Aとは接触しておらず、一定の隙間が確保される。   A hook 22 including a flat plate member and two claws 22a is disposed under the upper film 3A in the section L1. The hook 22 is movable in a direction perpendicular to the upper film 3A and substantially parallel to the substrate 1 (width direction of the upper film 3A). In FIG. 15A, the hook 22 is not in contact with the upper film 3A, and a certain gap is secured.

この状態で、区間L1の略中央の上方フィルム3Aに、レーザ光を照射して欠陥部2aの形状に応じた形状の凹部3cと、凹部3cを構成する各溝3b内に溝3bよりも短い貫通孔3aを1個、または複数個形成する。この時、フック22が遮蔽板の代わりとして機能して、レーザアブレーションにより発生する異物(ごみ)を受けるので、基板1を汚染することを防止することができる。このとき、フック22の上面にごみを受ける凹部(図示せず)を形成してあってもよい。   In this state, the upper film 3A substantially at the center of the section L1 is irradiated with laser light to form a concave portion 3c having a shape corresponding to the shape of the defective portion 2a, and each groove 3b constituting the concave portion 3c is shorter than the groove 3b. One or a plurality of through holes 3a are formed. At this time, the hook 22 functions as a substitute for the shielding plate and receives foreign matter (dust) generated by laser ablation, so that the substrate 1 can be prevented from being contaminated. At this time, a recess (not shown) for receiving dust may be formed on the upper surface of the hook 22.

凹部3cおよび孔3aの形成が終了した時点では、フィルム3のレーザ照射面には、レーザアブレーションした際に発生したごみが飛散している。ごみの除去のため、凹部3cおよび孔3aを中心として、その周りの広い範囲に弱いパワーでレーザ光を照射する工程を入れてもよい。このとき、YAG第2高調波レーザに切り替えて、弱いレーザパワーで凹部3cおよび孔3aを中心とする広い範囲を照射すれば、ごみのみを除去することも可能であり、新たにごみが発生することを防止することができる。   At the time when the formation of the recess 3c and the hole 3a is completed, dust generated during laser ablation is scattered on the laser irradiation surface of the film 3. In order to remove dust, a step of irradiating laser light with a weak power may be put in a wide range around the recess 3c and the hole 3a. At this time, by switching to the YAG second harmonic laser and irradiating a wide range centered on the recess 3c and the hole 3a with a weak laser power, it is possible to remove only dust, and new dust is generated. This can be prevented.

次に、図15(c)に示すように、フィルム3をフィルム供給リールに巻き取りながら、凹部3cおよび孔3aを区間L2の下方フィルム3Bの略中央まで移動させる。フック22を後方に移動させた後、可動部材21を下降させて、可動部材21に固定された固定ローラ17,18が、固定ローラ19,20よりも下方に位置するようにする。このとき、図示しないフィルム巻き取りリール側はフィルム3が後戻りしないようになっているので、図示しないフィルム供給リールからフィルム3が供給されながら、図15(d)に示すように、上方フィルム3Aはフック22の爪22aに引っ張られて後方に移動し、孔3aを含む下方フィルム3Bが上方から見て露出する。なお、固定ローラ19の両端には鍔があって、フィルム3がローラ19から外れることはない。   Next, as shown in FIG. 15C, the concave portion 3c and the hole 3a are moved to the approximate center of the lower film 3B in the section L2 while winding the film 3 around the film supply reel. After the hook 22 is moved rearward, the movable member 21 is lowered so that the fixed rollers 17 and 18 fixed to the movable member 21 are positioned below the fixed rollers 19 and 20. At this time, since the film take-up reel side (not shown) does not return the film 3, the upper film 3 A is supplied as shown in FIG. 15 (d) while the film 3 is supplied from the film supply reel (not shown). The lower film 3B including the hole 3a is exposed when viewed from above by being pulled by the claw 22a of the hook 22 and moving backward. Note that there are wrinkles at both ends of the fixed roller 19 so that the film 3 does not come off the roller 19.

図15(c)(d)では、フック22によって上方フィルム3Aが基板1に対してそのままの形状で平行移動しているが、実際には、フック22内のフィルム3は折り重なる。しかし、フィルム3に柔軟性があるため機能上問題はない。   15 (c) and 15 (d), the upper film 3A is translated in the shape as it is with respect to the substrate 1 by the hook 22, but actually, the film 3 in the hook 22 is folded. However, there is no functional problem because the film 3 is flexible.

次に、欠陥部2aと凹部3cとの位置合わせを行ない、凹部3cを含む下方フィルム3Bと基板1とが一定の隙間Gを持って対峙するようにする。その後、図4で説明した工程同様に、塗布針9で修正ペースト10を塗布すれば、欠陥部2aの近傍を汚染することなく修正が完了する。   Next, the defect portion 2a and the recess 3c are aligned so that the lower film 3B including the recess 3c and the substrate 1 face each other with a certain gap G. Thereafter, as in the step described with reference to FIG. 4, if the correction paste 10 is applied with the application needle 9, the correction is completed without contaminating the vicinity of the defective portion 2a.

この実施の形態3では、固定ローラ19でフィルム3を折り返し、上方フィルム3Aと下方フィルム3Bとが一定の間隔で上下に配置された状態で、上方フィルム3Aを機械的に横移動させて下方フィルム3Bの1枚で修正を行なうため、欠陥部2aと凹部3cとの位置合わせが容易となる。また、下方フィルム3Bには貫通孔3aが形成されているので、貫通孔3aに対物レンズ6の焦点を合わせれば、凹部3cの位置を容易に判断することができる。   In the third embodiment, the film 3 is folded back by the fixed roller 19, and the upper film 3A is mechanically moved laterally while the upper film 3A and the lower film 3B are vertically arranged at regular intervals. Since the correction is performed with one piece of 3B, the alignment between the defective portion 2a and the concave portion 3c becomes easy. Further, since the through-hole 3a is formed in the lower film 3B, the position of the recess 3c can be easily determined by focusing the objective lens 6 on the through-hole 3a.

また、下方フィルム3Bの孔3a上方にはフィルム3などの物が無いため、高倍率の対物レンズ(たとえば、20倍)に切り替えて、位置合わせを行なうことが可能となる。また、塗布手段と上方フィルム3Aとの干渉を回避できるので、上方フィルム3Aと下方フィルム3Bとの間隔を狭くすることが可能となり、高倍率の対物レンズへの切り替えも容易になる。   In addition, since there is no object such as the film 3 above the hole 3a of the lower film 3B, it is possible to perform alignment by switching to a high-magnification objective lens (for example, 20 times). In addition, since the interference between the coating means and the upper film 3A can be avoided, the distance between the upper film 3A and the lower film 3B can be narrowed, and switching to a high-magnification objective lens is facilitated.

今まで説明してきた方法は、細線パターンを容易に、かつ、安定して形成することができるため、たとえば、液晶パネルのTFT(薄膜トランジスタ)パネルの電極修正のように、10μm以下のパターン形成が必要な場合にも適用可能となる。また、電極以外では、液晶カラーフィルタのブラックマトリックスは高精細化に伴い線幅が20μmを切っており、この修正にも適用可能である。   Since the method described so far can easily and stably form a fine line pattern, it is necessary to form a pattern of 10 μm or less, for example, for electrode correction of a TFT (thin film transistor) panel of a liquid crystal panel. It can be applied to any case. In addition to the electrodes, the black matrix of the liquid crystal color filter has a line width of less than 20 μm with higher definition, and can be applied to this correction.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

修正対象の基板を示す図である。It is a figure which shows the board | substrate of correction object. この発明の基礎となるパターン修正方法を示す図である。It is a figure which shows the pattern correction method used as the foundation of this invention. 図2に示したフィルムに孔を開ける方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the method of making a hole in the film shown in FIG. 図2で示した欠陥部に修正ペーストを塗布する方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the method of apply | coating correction paste to the defective part shown in FIG. 図4に示した塗布針を上方に退避させた状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which retracted the application needle | hook shown in FIG. 4 upwards. 図1〜図5に示したパターン修正方法の問題点を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the problem of the pattern correction method shown in FIGS. この発明の実施の形態1によるパターン修正方法を示す図である。It is a figure which shows the pattern correction method by Embodiment 1 of this invention. 図7で示したフィルムを用いて欠陥部に修正ペーストを塗布する方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the method of apply | coating correction paste to a defect part using the film shown in FIG. 実施の形態1の変更例を示す図である。6 is a diagram illustrating a modification example of the first embodiment. FIG. 実施の形態1の他の変更例を示す図である。It is a figure which shows the other example of a change of Embodiment 1. FIG. この発明の実施の形態2によるパターン修正装置の要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part of the pattern correction apparatus by Embodiment 2 of this invention. 図11で示した上方フィルムの溝および貫通孔を示す図である。It is a figure which shows the groove | channel and through-hole of an upper film shown in FIG. 図12で示した溝および貫通孔の断面形状を示す図である。It is a figure which shows the cross-sectional shape of the groove | channel and through-hole which were shown in FIG. 実施の形態2の変更例を示す図である。It is a figure which shows the example of a change of Embodiment 2. FIG. この発明の実施の形態3によるパターン修正装置の要部およびその動作を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the principal part and operation | movement of the pattern correction apparatus by Embodiment 3 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板、2 電極、2a オープン欠陥部、2b 電極面、3 フィルム、3A 上方フィルム、3B 下方フィルム、3a 貫通孔、3b 溝、3c 凹部、4 レーザ部、5 観察光学系、6 対物レンズ、7,11a,11b,12,16〜20 固定ローラ、8 遮蔽板、9 塗布針、9a 平坦面、10 修正ペースト、10A 修正層、13,15 フィルム供給ユニット、15a フィルム配置部、21 可動部材、22 フック、22a 爪。   1 substrate, 2 electrode, 2a open defect part, 2b electrode surface, 3 film, 3A upper film, 3B lower film, 3a through hole, 3b groove, 3c recess, 4 laser part, 5 observation optical system, 6 objective lens, 7 , 11a, 11b, 12, 16-20 Fixed roller, 8 shielding plate, 9 application needle, 9a flat surface, 10 correction paste, 10A correction layer, 13, 15 film supply unit, 15a film placement unit, 21 movable member, 22 Hook, 22a nail.

Claims (4)

基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法において、
フィルムにレーザ光を照射して複数の直線状の溝からなる前記欠陥部に応じた形状の凹部を形成するとともに各溝の底に貫通孔を形成し、
前記凹部の開口部を前記欠陥部に所定の隙間を開けて対峙させ、
前記凹部を含む所定の範囲で前記フィルムを前記基板に押圧するとともに複数の前記貫通孔を介して前記欠陥部に修正液を塗布し、
前記フィルムの復元力で前記前記フィルムを前記基板から剥離させることを特徴とする、パターン修正方法。
In a pattern correction method for correcting a defective portion of a fine pattern formed on a substrate,
Irradiating the film with laser light to form a concave portion having a shape corresponding to the defect portion composed of a plurality of linear grooves and forming a through hole at the bottom of each groove,
The opening of the recess is opposed to the defective portion with a predetermined gap,
While pressing the film against the substrate in a predetermined range including the concave portion, applying a correction liquid to the defective portion through the plurality of through holes,
A pattern correction method, wherein the film is peeled from the substrate by a restoring force of the film.
各溝は他の溝につながっていることを特徴とする、請求項1に記載のパターン修正方法。   The pattern correction method according to claim 1, wherein each groove is connected to another groove. 前記複数の貫通孔のうちの少なくとも1つの貫通孔の対応の溝の長さ方向の長さは、対応の溝の長さと略同じであることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載のパターン修正方法。   The length in the length direction of the corresponding groove of at least one through hole among the plurality of through holes is substantially the same as the length of the corresponding groove. The pattern correction method described. 前記フィルムの表面にレーザ光を照射して前記凹部および前記複数の貫通孔を形成した後、前記フィルムの表裏を反転させて前記凹部の開口部を前記欠陥部に対峙させることを特徴とする、請求項1から請求項3までのいずれかに記載のパターン修正方法。   The surface of the film is irradiated with laser light to form the recess and the plurality of through holes, and then the front and back of the film are reversed so that the opening of the recess faces the defect. The pattern correction method according to claim 1.
JP2007129426A 2007-05-15 2007-05-15 Pattern correction method Withdrawn JP2008288264A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007129426A JP2008288264A (en) 2007-05-15 2007-05-15 Pattern correction method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007129426A JP2008288264A (en) 2007-05-15 2007-05-15 Pattern correction method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008288264A true JP2008288264A (en) 2008-11-27

Family

ID=40147734

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007129426A Withdrawn JP2008288264A (en) 2007-05-15 2007-05-15 Pattern correction method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008288264A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016517626A (en) * 2013-04-04 2016-06-16 エル・ピー・ケー・エフ・レーザー・ウント・エレクトロニクス・アクチエンゲゼルシヤフト Method and apparatus for drilling through holes in a substrate and substrate thus manufactured

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016517626A (en) * 2013-04-04 2016-06-16 エル・ピー・ケー・エフ・レーザー・ウント・エレクトロニクス・アクチエンゲゼルシヤフト Method and apparatus for drilling through holes in a substrate and substrate thus manufactured

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4942430B2 (en) Pattern correction method and pattern correction apparatus
JP2012124381A (en) Coating device, coating method, and pattern correction device
JP2008288264A (en) Pattern correction method
JP4993495B2 (en) Pattern correction method and pattern correction apparatus
JP2008192901A (en) Pattern-modifying apparatus and coating unit used therefor
JP5090038B2 (en) Pattern correction apparatus and pattern correction method
JP5035794B2 (en) Pattern correction method
TWI444732B (en) A pattern correction method and a pattern correction device
TWI421916B (en) A pattern correction method and a pattern correction device
JP2008039977A (en) Pattern correction method and device
JP5182754B2 (en) Pattern forming method and pattern forming apparatus
JP2008180796A (en) Method and apparatus for correcting defect
JP2009291735A (en) Liquid material coating method, liquid material coating mechanism, and defect-correcting apparatus using the same
JP2008243903A (en) Pattern correcting method
JP4860380B2 (en) Pattern correction method and pattern correction apparatus
JP5052049B2 (en) Pattern correction method and pattern correction apparatus
JP2008020603A (en) Pattern correction method and pattern correction device
JP2008261916A (en) Pattern correction apparatus
JP2008015341A (en) Pattern correction method and device
JP2008281603A (en) Pattern correction method
JP4925780B2 (en) Pattern correction method and pattern correction apparatus
JP4904168B2 (en) Pattern correction method and pattern correction apparatus
JP2008089668A (en) Pattern correcting method and pattern correcting device
JP5035799B2 (en) Defect correction method
KR20080087668A (en) Pattern correction apparatus and pattern correction method

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20100803