JP2008003134A - Wiring structure and display device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring structure capable of reducing display irregularity and to provide a display device having the wiring structure. <P>SOLUTION: The wiring structure relating to one embodiment of the invention includes: a plurality of gate routing wirings 131a which are formed on an array substrate and have different lengths; a plurality of wiring cutting parts 232 which are disposed according to the plurality of gate routing wirings and cut the gate routing wirings; and connection parts 23 which connect the lead wirings which are cut by the wiring cutting parts 232. On the connection part 23, a connection conductive film 233 which allows the lead wirings cut by the wiring cutting parts 232 to conduct electricity are formed and, in accordance with resistance differences between the plurality of gate routing wirings, at least one of width of the connection conductive film 233 and length of the wiring cutting part 232 is changed between the plurality of gate routing wirings. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、配線構造及び表示装置に関し、特に詳しくは複数の引き回し配線を備える配線構造、及びそれを用いた表示装置に関する。   The present invention relates to a wiring structure and a display device, and more particularly to a wiring structure including a plurality of lead wirings and a display device using the wiring structure.

従来、液晶表示装置は、マトリクス状に配置された複数のゲート線(走査信号線)と複数のソース線(画像信号線)を有する。この液晶表示パネルにおいて、複数の液晶セルが、これらのゲート線とソース線の各交点に対応して形成されている。これら複数のゲート信号線はゲート用ドライバICによって駆動され、複数のソース線はソース用ドライバICによって駆動される。   Conventionally, a liquid crystal display device has a plurality of gate lines (scanning signal lines) and a plurality of source lines (image signal lines) arranged in a matrix. In this liquid crystal display panel, a plurality of liquid crystal cells are formed corresponding to the intersections of these gate lines and source lines. The plurality of gate signal lines are driven by a gate driver IC, and the plurality of source lines are driven by a source driver IC.

ゲート配線、ソース配線は液晶表示パネルの液晶面側に形成される。各配線への引き回しは表示領域からドライバICまで引き回しされる。この配線引き回しは、表示領域周辺のスペース(以下、このスペースを額縁と呼ぶことがある)を利用して行われる。そのため、ドライバICの実装位置により、表示領域まで引き回す各引き回し配線の引回し距離が変わる。よって、配線間抵抗格差により表示ムラが発生する。この配線抵抗格差を低く抑えるために額縁の空きスペースを使用し、配線長さや配線幅を制御しているが、抵抗格差の調整が難しく、表示ムラの発生を抑えることが困難である。   The gate wiring and the source wiring are formed on the liquid crystal surface side of the liquid crystal display panel. The wiring to each wiring is routed from the display area to the driver IC. This wiring is performed using a space around the display area (hereinafter, this space may be referred to as a frame). Therefore, the routing distance of each routing wiring routed to the display area varies depending on the mounting position of the driver IC. Therefore, display unevenness occurs due to the resistance difference between the wirings. In order to suppress this wiring resistance difference, the frame space is used and the wiring length and width are controlled. However, it is difficult to adjust the resistance difference and it is difficult to suppress the occurrence of display unevenness.

引き回し配線の引き回し距離は、ドライバICの配置や配線配置によって変化する。例えば、表示領域の右回しと左回しとで、引き回し配線長が異なる場合がある。パネル外形サイズが大きく表示画素数が少ない液晶表示パネルでは、ドライバICから表示面に接続する各配線の引回しを行う額縁スペースにゆとりがある。そのため、例えば、ソース用ドライバICの配置のように表示の左右でソース配線引回し距離が異なる場合には、配線幅や長さを調整することによって各配線間の抵抗調整を行うことができる。   The routing distance of the routing wiring varies depending on the layout of the driver IC and the wiring layout. For example, the lead wiring length may be different between turning the display area clockwise and counterclockwise. In a liquid crystal display panel having a large panel outer size and a small number of display pixels, there is a space in a frame space for routing each wiring connected from the driver IC to the display surface. Therefore, for example, when the source wiring routing distance differs between the left and right of the display as in the arrangement of the source driver IC, the resistance adjustment between the wirings can be performed by adjusting the wiring width and length.

しかしながら、昨今の表示の高精細化と表示パネルの外形の小型化に伴い、額縁に十分なスペース確保が難しくなってきている。そのため、製造限界に近い配線幅にて引き回し配線を形成する必要が出てきた。この場合、余剰スペースが狭くなり、配線幅での抵抗調整が困難になってしまう。よって、配線長のみでの抵抗調整を行う必要が生じてしまう。この場合、上記のように、ドライバICの配置等によって配線長が決まってしまうため、配線間抵抗差による表示のムラを抑えることが困難であった。   However, with the recent high-definition display and downsizing of the outer shape of the display panel, it has become difficult to secure a sufficient space for the frame. For this reason, it has become necessary to form a wiring with a wiring width close to the manufacturing limit. In this case, the surplus space becomes narrow and it becomes difficult to adjust the resistance with the wiring width. Therefore, it becomes necessary to adjust the resistance only with the wiring length. In this case, as described above, the wiring length is determined depending on the arrangement of the driver ICs, and thus it is difficult to suppress display unevenness due to the resistance difference between the wirings.

例えば、特許文献1に、額縁の空きスペースを利用して必要な配線間抵抗の抵抗調整を行技術が開示されているが、昨今、表示の高精細化と表示パネルの外形の小型化にともない、額縁に十分なスペースの確保が難しく、結果、表示のムラを抑えることが困難であった。   For example, Patent Document 1 discloses a technique for performing resistance adjustment of resistance between wirings using an empty space in a frame, but recently, with the increase in display definition and downsizing of the outer shape of the display panel. It is difficult to secure a sufficient space for the frame, and as a result, it is difficult to suppress display unevenness.

特開2000−187451号公報JP 2000-187451 A

このように、従来の液晶表示装置では、各配線の引き回し距離が異なるために、配線間で抵抗格差が生じ、表示ムラが発生するという問題があった。
本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、引き回し配線間の抵抗を簡便に調整することができる配線構造及び表示装置を提供することを目的とする。
As described above, in the conventional liquid crystal display device, since the wiring distances of the respective wirings are different, there is a problem that a resistance difference occurs between the wirings and display unevenness occurs.
The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a wiring structure and a display device capable of easily adjusting the resistance between the lead wirings.

本発明の第1の態様にかかる配線構造は、基板上に形成された長さの異なる複数の引き回し配線と、前記複数の引き回し配線に対応して設けられ、前記引き回し配線を切断する複数の配線切断部と、前記配線切断部で切断された引き回し配線を接続する接続部とを備え、前記接続部には、前記配線切断部によって切断された引き回し配線を導通させる接続導電膜が形成され、前記複数の引き回し配線間の抵抗差に応じて、前記接続導電膜の幅、及び前記配線切断部の長さの少なくとも一方が、複数の引き回し配線間で変化しているものである。   The wiring structure according to the first aspect of the present invention includes a plurality of routing wires having different lengths formed on a substrate, and a plurality of wires provided corresponding to the plurality of routing wires and cutting the routing wires. A cutting portion and a connection portion for connecting the routing wiring cut by the wiring cutting portion, and a connection conductive film for conducting the routing wiring cut by the wiring cutting portion is formed in the connection portion, At least one of the width of the connection conductive film and the length of the wiring cut portion varies between the plurality of routing lines in accordance with the resistance difference between the plurality of routing lines.

本発明の第2の態様にかかる配線構造は、基板上に形成された第1導電層を有する複数の引き回し配線と、前記第1導電層の上に設けられた第2導電層と、前記第1導電層と前記第2導電層との間に配置された下層絶縁膜と、前記複数の引き回し配線に対応して設けられ、前記引き回し配線の一部の区間を前記第1導電層と前記第2導電層とを有する積層構造にするよう前記引き回し配線の2箇所に設けられた接続部と、前記接続部において前記第1導電層と前記第2導電層とを接続する接続導電膜と、を備え、前記2箇所に設けられた前記接続部において、前記第2導電層の幅、及び長さの少なくとも一方が、前記複数の引き回し配線間の抵抗差に応じて前記複数の引き回し配線間で変化しているものである。   A wiring structure according to a second aspect of the present invention includes a plurality of routing wirings having a first conductive layer formed on a substrate, a second conductive layer provided on the first conductive layer, and the first conductive layer. A lower insulating film disposed between one conductive layer and the second conductive layer, and provided corresponding to the plurality of routing wirings, and a portion of the routing wiring is provided between the first conductive layer and the first conductive layer. A connection portion provided at two locations of the routing wiring so as to have a laminated structure having two conductive layers, and a connection conductive film connecting the first conductive layer and the second conductive layer at the connection portion. And at least one of the width and the length of the second conductive layer is changed between the plurality of routing wires in accordance with a resistance difference between the plurality of routing wires. It is what you are doing.

本発明によれば、引き回し配線間の抵抗を簡便に調整することができる配線構造及び表示装置を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the wiring structure and display apparatus which can adjust the resistance between routing wiring easily can be provided.

以下、本発明を実施するための最良の形態について図を参照しながら説明する。以下の実施形態1〜8では、本発明に係る表示装置の好適な例として、液晶表示装置を用いて説明するが、これに限らず、走査信号配線、画像信号配線、これらを駆動するドライバICが設けられた表示装置であればよい。なお、ドライバICは特に限定されるものではなく、例えば、ドライバICを表示パネルのガラス基板上に配置するCOG(Chip On Glass)方式のドライバであってもよく、外付けのTABドライバでもよい。また、実施形態8では、本発明に係る配線構造を表示パネルの検査回路に適用した場合について説明するが、これに限らず、本発明に係る配線構造を有する回路であればよい。特に、本発明にかかる配線構造は表示装置の表示ムラの抑制に好適である。   Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In the following first to eighth embodiments, a liquid crystal display device will be described as a preferred example of the display device according to the present invention. However, the present invention is not limited to this, and scanning signal wiring, image signal wiring, and a driver IC for driving these wiring Any display device may be used. The driver IC is not particularly limited. For example, the driver IC may be a COG (Chip On Glass) type driver in which the driver IC is disposed on the glass substrate of the display panel, or an external TAB driver. In the eighth embodiment, a case where the wiring structure according to the present invention is applied to a test circuit for a display panel will be described. However, the present invention is not limited thereto, and any circuit having the wiring structure according to the present invention may be used. In particular, the wiring structure according to the present invention is suitable for suppressing display unevenness of the display device.

実施の形態1.
まず、図1を用いて、本発明に係る液晶表示パネルの概略構成について説明する。図1は、本発明に係る液晶表示パネルの一構成例を示す概略模式図であり、図1ではその主たる構成のみが示されている。
Embodiment 1.
First, the schematic configuration of the liquid crystal display panel according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration example of a liquid crystal display panel according to the present invention, and FIG. 1 shows only the main configuration.

液晶表示パネル1は、典型的には、マトリックス状に配置された複数の画素から構成される表示領域11と、その外周領域である額縁領域12とを有している。すなわち、表示領域11の外周を囲む非表示領域が額縁領域12となる。又、液晶表示パネル1は、配線及びアレイ回路が形成されたアレイ基板2とその対向基板とを有し、その2つの基板の間に液晶が封入されている。なお、図1では対向基板について省略して図示している。なお、対向基板には、透明導電膜からなる対向電極が形成されている。アクティブマトリックス・タイプの液晶パネルは、各画素が画像信号の入出力を制御するスイッチング素子を備えている。典型的なスイッチング素子は、TFT(Thin Film Transistor)である。   The liquid crystal display panel 1 typically has a display area 11 composed of a plurality of pixels arranged in a matrix, and a frame area 12 that is an outer peripheral area thereof. That is, the non-display area surrounding the outer periphery of the display area 11 becomes the frame area 12. The liquid crystal display panel 1 has an array substrate 2 on which wiring and array circuits are formed and a counter substrate, and liquid crystal is sealed between the two substrates. In FIG. 1, the counter substrate is not shown. Note that a counter electrode made of a transparent conductive film is formed on the counter substrate. An active matrix type liquid crystal panel includes a switching element in which each pixel controls input / output of an image signal. A typical switching element is a TFT (Thin Film Transistor).

カラー液晶表示装置は、対向基板上にRGBのカラー・フィルター層を有している。液晶パネル1の表示領域内の各画素は、RGBいずれかの色表示を行う。もちろん、白黒ディスプレイにおいては、白と黒のいずれかの表示を行う。透明なガラス基板に所定のパターンを形成することにより、アレイ基板2及び対向基板が形成される。対向基板のアレイ基板2側の面には、透明な対向電極が形成されている。この液晶パネル1の背面にはバックライト・ユニットが配設される。   The color liquid crystal display device has an RGB color filter layer on a counter substrate. Each pixel in the display area of the liquid crystal panel 1 displays one of RGB colors. Of course, a black and white display displays either white or black. The array substrate 2 and the counter substrate are formed by forming a predetermined pattern on the transparent glass substrate. A transparent counter electrode is formed on the surface of the counter substrate on the array substrate 2 side. A backlight unit is disposed on the back surface of the liquid crystal panel 1.

表示領域11内においてアレイ基板2上には、複数のソース配線132と複数のゲート配線131がマトリックス状に配設されている。すなわち、アレイ基板2は複数の配線が形成された配線基板である。図1では、ソース配線132のそれぞれは縦方向に沿って形成されている。縦方向に形成されたソース配線132は横方向に並んで複数配置される。図1において、同じ幅のソース配線132が同じ間隔で形成されている。一方、表示領域11において、ゲート配線131のそれぞれは横方向に形成されている。横方向に形成されたゲート配線131は縦方向に並んで複数配置される。表示領域11において、同じ幅のゲート配線131が同じ間隔で形成されている。   A plurality of source lines 132 and a plurality of gate lines 131 are arranged in a matrix on the array substrate 2 in the display area 11. That is, the array substrate 2 is a wiring substrate on which a plurality of wirings are formed. In FIG. 1, each of the source lines 132 is formed along the vertical direction. A plurality of source wirings 132 formed in the vertical direction are arranged side by side in the horizontal direction. In FIG. 1, source wirings 132 having the same width are formed at the same interval. On the other hand, in the display area 11, each of the gate lines 131 is formed in the horizontal direction. A plurality of gate wirings 131 formed in the horizontal direction are arranged side by side in the vertical direction. In the display area 11, gate lines 131 having the same width are formed at the same interval.

額縁領域12には、ゲートドライバIC141とソースドライバIC142が配設されている。ここで、ゲートドライバIC141とソースドライバIC142は、額縁領域12のうち表示領域11の下側に配置される。ここで、額縁領域12のうち、表示領域11よりも下側の部分を額縁領域12の下部とする。また、額縁領域12のうち、表示領域11の横側の部分を額縁領域12の側部とする。額縁領域12の側部は、右側部と、左側部とを有している。さらに額縁領域12のうち、表示領域11の上側の部分を額縁領域12の上部とする。従って、表示領域11は、額縁領域12の上部、右側部、左側部、下部で囲まれている。また、矩形状の表示領域11の下辺側に、各ドライバICが配置される。   In the frame region 12, a gate driver IC 141 and a source driver IC 142 are disposed. Here, the gate driver IC 141 and the source driver IC 142 are arranged below the display area 11 in the frame area 12. Here, in the frame region 12, a portion below the display region 11 is set as a lower portion of the frame region 12. Further, in the frame area 12, the side portion of the display area 11 is defined as a side portion of the frame area 12. The side of the frame region 12 has a right side and a left side. Further, the upper part of the display area 11 in the frame area 12 is defined as the upper part of the frame area 12. Therefore, the display area 11 is surrounded by the upper part, the right part, the left part, and the lower part of the frame area 12. Each driver IC is arranged on the lower side of the rectangular display area 11.

ソース配線132とゲート配線131とはゲート絶縁膜を介してお互いにほぼ直角に重なるように配設され、交差点近傍にTFTが配置される。例えば、ゲート配線131、及びゲート配線131から延在されたゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜が形成される。ゲート絶縁膜は酸化シリコンや窒化シリコンなどを用いることができる。そして、ゲート絶縁膜の上に半導体膜が形成される。半導体膜には、a−Si膜やp−Si膜を用いることができる。この半導体膜の上には、ソース配線132から延在されたソース電極が形成される。これにより、半導体膜のソース領域にはソース電圧を供給することができる。さらには、半導体膜のドレイン領域の上にはドレイン電極が形成されている。ソース電極、及びドレイン電極は、ソース配線と同じ工程で形成することができる。ゲート配線とソース配線には、例えば、AlやCrなどの低抵抗の金属材料を用いることができる。このように、ゲート配線131とソース配線132とは異なる配線層で形成されている。   The source wiring 132 and the gate wiring 131 are disposed so as to overlap each other at a substantially right angle through a gate insulating film, and a TFT is disposed in the vicinity of the intersection. For example, a gate insulating film is formed so as to cover the gate wiring 131 and the gate electrode extending from the gate wiring 131. For the gate insulating film, silicon oxide, silicon nitride, or the like can be used. Then, a semiconductor film is formed on the gate insulating film. As the semiconductor film, an a-Si film or a p-Si film can be used. A source electrode extending from the source wiring 132 is formed on the semiconductor film. Thereby, a source voltage can be supplied to the source region of the semiconductor film. Furthermore, a drain electrode is formed on the drain region of the semiconductor film. The source electrode and the drain electrode can be formed in the same process as the source wiring. For the gate wiring and the source wiring, for example, a low-resistance metal material such as Al or Cr can be used. Thus, the gate wiring 131 and the source wiring 132 are formed with different wiring layers.

そして、このドレイン電極の上には、層間絶縁膜が形成される。さらに、層間絶縁膜の上には画素電極が形成される。このドレイン電極には、層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して画素電極が接続される。透過型の液晶表示パネル1の場合、画素電極は、ITOなどの透明導電膜によって形成される。従って、ゲート配線にゲート信号が供給されると、所定のゲート電極にゲート電圧が印加される。これにより、TFTがONとなり、ソース電極からドレイン電極を介して画素電極に画像表示信号電圧が供給される。   An interlayer insulating film is formed on the drain electrode. Further, a pixel electrode is formed on the interlayer insulating film. A pixel electrode is connected to the drain electrode through a contact hole provided in the interlayer insulating film. In the case of the transmissive liquid crystal display panel 1, the pixel electrode is formed of a transparent conductive film such as ITO. Accordingly, when a gate signal is supplied to the gate wiring, a gate voltage is applied to a predetermined gate electrode. Thereby, the TFT is turned on, and the image display signal voltage is supplied from the source electrode to the pixel electrode via the drain electrode.

ゲートドライバIC141と、ソースドライバIC142には、外部からの制御信号、及び表示データが供給される。ゲートドライバIC141、及びソースドライバIC142は、制御信号、及び表示データに基づいて表示を行なう。すなわち、ゲートドライバIC141から入力されるゲート電圧によって選択された各画素は、ソースドライバIC142から入力される画像表示信号電圧に基づき液晶に電界を印加する。これにより、液晶の配向方向が変化して、透過光量が制御される。ソース配線132に画像表示信号電圧を供給するソースドライバIC142とゲート配線131にゲート電圧を供給するゲートドライバIC141は表示領域の外周に設けられたアレイ基板2の額縁領域12に接続される。   External control signals and display data are supplied to the gate driver IC 141 and the source driver IC 142. The gate driver IC 141 and the source driver IC 142 perform display based on the control signal and display data. That is, each pixel selected by the gate voltage input from the gate driver IC 141 applies an electric field to the liquid crystal based on the image display signal voltage input from the source driver IC 142. As a result, the alignment direction of the liquid crystal changes and the amount of transmitted light is controlled. A source driver IC 142 that supplies an image display signal voltage to the source line 132 and a gate driver IC 141 that supplies a gate voltage to the gate line 131 are connected to the frame area 12 of the array substrate 2 provided on the outer periphery of the display area.

ゲート配線131とゲートドライバIC141の間には、ゲート引き回し配線131aが形成されている。ゲート引き回し配線131aは複数のゲート配線131に対応して複数設けられている。すなわち、ゲート配線131と同数のゲート引き回し配線131aがアレイ基板2上に形成されている。複数のゲート引き回し配線131aは額縁領域12に形成される。ゲートドライバIC141とゲート配線131とは、このゲート引き回し配線131aを介して接続される。すなわち、ゲート引き回し配線131aを介して、ゲートドライバIC141からゲート信号が供給される。   A gate routing wiring 131a is formed between the gate wiring 131 and the gate driver IC 141. A plurality of gate routing lines 131 a are provided corresponding to the plurality of gate lines 131. That is, the same number of gate routing lines 131 a as the gate lines 131 are formed on the array substrate 2. A plurality of gate routing wirings 131 a are formed in the frame region 12. The gate driver IC 141 and the gate wiring 131 are connected via the gate routing wiring 131a. That is, a gate signal is supplied from the gate driver IC 141 through the gate routing wiring 131a.

ソース配線132とソースドライバIC142の間には、ソース引き回し配線132aが形成されている。ソース引き回し配線132aは複数のソース配線132に対応して、複数設けられている。すなわち、ソース配線132と同数のソース引き回し配線132aがアレイ基板2上に形成されている。複数のソース引き回し配線132aは額縁領域12に形成される。ソースドライバIC142とソース配線132とは、このソース引き回し配線132aを介して接続される。すなわち、ソース引き回し配線132aを介して、ソースドライバIC142からソース信号が供給される。   A source lead-out wiring 132 a is formed between the source wiring 132 and the source driver IC 142. A plurality of source routing lines 132 a are provided corresponding to the plurality of source lines 132. That is, the same number of source routing wires 132 a as the source wires 132 are formed on the array substrate 2. A plurality of source routing wirings 132 a are formed in the frame region 12. The source driver IC 142 and the source wiring 132 are connected via this source routing wiring 132a. That is, a source signal is supplied from the source driver IC 142 via the source routing wiring 132a.

各引き回し配線131a,132aは、表示領域11の外側の額縁領域12において引き回されている。そして、表示領域11内のゲート配線131、ソース配線132とそれぞれ接続されている。図1に示す構成では、ゲートドライバIC141が表示領域11の下方に配置されている。従って、ゲート引き回し配線131aは、額縁領域12の側部側から表示領域11のゲート配線131に接続されている。すなわち、ゲート引き回し配線131aは、額縁領域12の下部から側部に渡って形成されている。そして、ゲート引き回し配線131aは額縁領域の側部で、ゲート配線131と接続される。なお、ゲート配線131とゲート引き回し配線131aとは同じ層の導電膜で形成されている。このように、ゲート配線131とゲートドライバIC141とは、額縁領域12に引き回されているゲート引き回し配線131aによって接続されている。   Each routing wiring 131 a and 132 a is routed in the frame area 12 outside the display area 11. The gate line 131 and the source line 132 in the display area 11 are connected to each other. In the configuration shown in FIG. 1, the gate driver IC 141 is disposed below the display area 11. Therefore, the gate routing wiring 131 a is connected to the gate wiring 131 in the display area 11 from the side of the frame area 12. That is, the gate routing wiring 131a is formed from the lower part of the frame region 12 to the side part. The gate lead-out wiring 131a is connected to the gate wiring 131 at the side of the frame area. Note that the gate wiring 131 and the gate routing wiring 131a are formed of the same conductive film. As described above, the gate wiring 131 and the gate driver IC 141 are connected by the gate routing wiring 131 a routed to the frame region 12.

さらに、複数のゲート引き回し配線131aのうちの約半分のゲート引き回し配線131aは、額縁領域12の右側部に設けられている。複数のゲート引き回し配線131aのうちの残りのゲート引き回し配線131aは、額縁領域12の左側部に設けられている。すなわち、一部のゲート引き回し配線131aは、額縁領域12の下部から右側部に渡って形成され、表示領域11の右端辺でゲート配線131と接続されている。残りのゲート引き回し配線131aは額縁領域12の下部から左側部に渡って形成され、表示領域11の左端辺でゲート配線131と接続されている。これにより、額縁領域12を狭くすることができる。   Furthermore, about half of the plurality of gate routing lines 131 a are provided on the right side of the frame region 12. The remaining gate routing wiring 131a among the plurality of gate routing wirings 131a is provided on the left side of the frame region 12. That is, a part of the gate routing wiring 131 a is formed from the lower part of the frame area 12 to the right side, and is connected to the gate wiring 131 at the right end side of the display area 11. The remaining gate routing wiring 131 a is formed from the lower part to the left side of the frame area 12 and is connected to the gate wiring 131 at the left end side of the display area 11. Thereby, the frame area | region 12 can be narrowed.

図1に示された液晶表示パネル1では、例えば、左側部のゲート引き回し配線131aと右側部のゲート引き回し配線131aとが複数のゲート配線131に対して交互に接続される。例えば、奇数番目のゲート配線131には、右側部に設けられたゲート引き回し配線131aが接続され、偶数番目のゲート配線131には、左側部に設けられたゲート引き回し配線131aが接続されている。このように、複数のゲート配線131は、交互に、両側からゲート引き回し配線131aと接続される。このようにゲート引き回し配線131aが表示領域11の左右に分かれた場合、左側から入力される画素ラインと、右側から入力される画素ラインとで、偏差が生じてしまうおそれがある。特に、上記の構成の場合、左右交互に入力されるので、細かな1ライン毎の横帯状ムラが視認されやすくなってしまうおそれがある。   In the liquid crystal display panel 1 shown in FIG. 1, for example, the left side gate routing wiring 131 a and the right side gate routing wiring 131 a are alternately connected to the plurality of gate wirings 131. For example, the odd-numbered gate wiring 131 is connected to the gate routing wiring 131 a provided on the right side, and the even-numbered gate wiring 131 is connected to the gate routing wiring 131 a provided on the left side. In this way, the plurality of gate wirings 131 are alternately connected to the gate routing wiring 131a from both sides. When the gate lead-out wiring 131a is divided into the left and right sides of the display area 11 in this way, there is a possibility that a deviation occurs between the pixel line input from the left side and the pixel line input from the right side. In particular, in the case of the above configuration, since the left and right are alternately input, there is a risk that fine horizontal band-like unevenness for each line is likely to be visually recognized.

ソースドライバIC142も表示領域11の下方に配置されている。従って、ソース引き回し配線132aは、額縁領域12の下部にのみ設けられている。そして、表示領域11の下端辺で、ソース引き回し配線132aとソース配線132とが接続される。なお、ソース配線132とソース引き回し配線132aとは同じ層の導電膜で形成されている。このように、ソース配線132とソースドライバIC142とは、額縁領域12に引き回されているソース引き回し配線132aによって接続されている。これらの引き回し配線131a、132aは、それぞれ、所定の幅で必要な本数だけ、アレイ基板2上に形成されている。そして、引き回し配線131a、132aが額縁領域12に収まるよう形成される。   The source driver IC 142 is also disposed below the display area 11. Accordingly, the source routing wiring 132a is provided only in the lower part of the frame region 12. The source routing wiring 132 a and the source wiring 132 are connected at the lower end side of the display area 11. Note that the source wiring 132 and the source routing wiring 132a are formed of the same conductive film. As described above, the source wiring 132 and the source driver IC 142 are connected by the source routing wiring 132 a routed to the frame region 12. These lead wirings 131a and 132a are formed on the array substrate 2 in a necessary number with a predetermined width. The lead wirings 131 a and 132 a are formed so as to be accommodated in the frame region 12.

上記のように、複数のゲート配線131は、縦方向に一定の距離に隔てて形成されている。従って、液晶表示パネル1では、ゲートドライバIC141の配置、ゲート配線131の引き回し方によって、ゲート引き回し配線131aの引き回す距離が異なる。複数のゲート引き回し配線131aは、それぞれ異なる配線長を有している。   As described above, the plurality of gate wirings 131 are formed at a certain distance in the vertical direction. Therefore, in the liquid crystal display panel 1, the distance that the gate routing wiring 131a is routed differs depending on the arrangement of the gate driver IC 141 and the way the gate wiring 131 is routed. The plurality of gate routing lines 131a have different wiring lengths.

具体的には、図1に示すように、ゲートドライバIC141は、額縁領域12において、ソースドライバIC142の左方に配置されている。従って、ゲートドライバIC141は、アレイ基板2の左右方向の中央よりも左側に位置する。そのため、表示領域11の右方に接続されるゲート引き回し配線131a(以下、これを右回しゲート引き回し配線131aと略す)の引き回し距離は、左方に接続されるゲート引き回し配線131a(以下、これを左回しゲート引き回し配線131aと略す)の引き回し距離よりも長い。それ故、右回しゲート引き回し配線131aの配線抵抗は、左回しゲート引き回し配線131aの配線抵抗に比べて高くなってしまうおそれがある。右回しゲート引き回し配線131aと左回しゲート引き回し配線131aとで配線抵抗が異なると、液晶表示パネルの表示において、細かな1ライン毎の横帯状ムラが視認されやすくなってしまう。本実施の形態では、上記の横帯状ムラを低減するために有効な構成を採用している。   Specifically, as shown in FIG. 1, the gate driver IC 141 is arranged on the left side of the source driver IC 142 in the frame region 12. Therefore, the gate driver IC 141 is located on the left side of the center of the array substrate 2 in the left-right direction. Therefore, the routing distance of the gate routing wiring 131a connected to the right side of the display area 11 (hereinafter referred to as the right routing gate routing wiring 131a) is the gate routing wiring 131a connected to the left (hereinafter referred to as this). It is longer than the routing distance of the counterclockwise gate routing wiring 131a. Therefore, there is a possibility that the wiring resistance of the clockwise gate routing wiring 131a may be higher than the wiring resistance of the counterclockwise gate routing wiring 131a. If the wiring resistance is different between the right-handed gate lead-out wiring 131a and the left-handed gate lead-out wiring 131a, fine horizontal band-like unevenness for each line is likely to be visually recognized in the display of the liquid crystal display panel. In the present embodiment, an effective configuration is adopted to reduce the above-described horizontal band unevenness.

続いて、図2を用いて、接続部の構成について説明する。図2は、接続部23の構成を示す平面図である。本実施の形態では、アレイ基板2のゲートドライバIC141が接続される箇所の近傍に接続部23を形成している。具体的には、額縁領域12の下部に接続部23が配置される。アレイ基板2上には、ゲートドライバIC141、COG端子22、接続部23が設けられている。この接続部23は、複数のゲート引き回し配線131aに対応して複数設けられている。そして、接続部23は、ゲート引き回し配線131aを接続するとともに、配線間の抵抗値を補正する。COG端子22は、ゲート引き回し配線131aとゲートドライバIC141とを接続する端子である。すなわち、COG端子22がアレイ基板2上に露出した状態で、ゲートドライバIC141をCOG実装する。   Then, the structure of a connection part is demonstrated using FIG. FIG. 2 is a plan view showing the configuration of the connecting portion 23. In the present embodiment, the connection portion 23 is formed in the vicinity of the location where the gate driver IC 141 of the array substrate 2 is connected. Specifically, the connection portion 23 is disposed below the frame region 12. On the array substrate 2, a gate driver IC 141, a COG terminal 22, and a connection portion 23 are provided. A plurality of connection portions 23 are provided corresponding to the plurality of gate routing wires 131a. Then, the connection unit 23 connects the gate routing wiring 131a and corrects the resistance value between the wirings. The COG terminal 22 is a terminal for connecting the gate routing wiring 131a and the gate driver IC 141. That is, the gate driver IC 141 is COG mounted with the COG terminal 22 exposed on the array substrate 2.

COG端子22の近傍には、接続部23が設けられている。この接続部23は、ゲートドライバIC141とゲート配線131との間に接続される。接続部23は、ゲート引き回し配線131aの一部に配設されている。例えば、接続部23は、COG端子22とゲート引き回し配線131aとの間、あるいは、ゲート引き回し配線131aの一部に形成されている。本実施の形態では、ゲートドライバIC141の外形端の内側に接続部23が配置される。従って、接続部23は、ゲートドライバIC141の直下に配置される。これにより、ゲートドライバIC141直下の余剰スペースを用いることができるため、額縁領域12の増加を防ぐことができる。   A connection portion 23 is provided in the vicinity of the COG terminal 22. The connection portion 23 is connected between the gate driver IC 141 and the gate wiring 131. The connecting portion 23 is disposed on a part of the gate routing wiring 131a. For example, the connecting portion 23 is formed between the COG terminal 22 and the gate routing wiring 131a or a part of the gate routing wiring 131a. In the present embodiment, the connection portion 23 is disposed inside the outer edge of the gate driver IC 141. Therefore, the connection unit 23 is disposed immediately below the gate driver IC 141. As a result, the surplus space immediately below the gate driver IC 141 can be used, so that an increase in the frame area 12 can be prevented.

接続部23は左回しゲート引き回し配線131aの配線抵抗と右回しゲート引き回し配線131aの配線抵抗との抵抗差を補正する機能を有する。例えば、接続部23は、左回しゲート配線131と右回しゲート引き回し配線131aのいずれか一方にのみ配設され、左右に引き回しされた各ゲート引き回し配線131aの間の抵抗差を補正する。具体的には、図1に示された液晶表示パネル1では、接続部23は、配線抵抗が低い左回しゲート引き回し配線131aに対して設けられている。もちろん、表示領域11の上下段の配線抵抗差を補正するため、全ての各ゲート引き回し配線131aに接続部を形成してもよい。   The connection portion 23 has a function of correcting a resistance difference between the wiring resistance of the left-turned gate routing wiring 131a and the wiring resistance of the right-turning gate routing wiring 131a. For example, the connecting portion 23 is disposed only in one of the left-handed gate wiring 131 and the right-handed gate routing wiring 131a, and corrects the resistance difference between the gate routing wirings 131a routed left and right. Specifically, in the liquid crystal display panel 1 shown in FIG. 1, the connection portion 23 is provided for the counterclockwise gate lead-out wiring 131a having a low wiring resistance. Of course, in order to correct the wiring resistance difference between the upper and lower stages of the display area 11, a connection portion may be formed in all the gate routing wirings 131a.

さらに続いて、図3を用いて、本発明に係るゲートドライバIC141の接続部23について具体的に説明する。図3は、この接続部23の具体的な構成を示す模式図である。図3(a)は接続部23の構成を示す上面図、図3(b)は図3(a)のA−A断面図である。図3に示すように、接続部23には、ゲート配線膜231、配線切断部232、接続導電膜233、コンタクトホール234、絶縁膜236が設けられている。この接続部23において、配線レイヤーが一旦変換される。   Subsequently, the connection portion 23 of the gate driver IC 141 according to the present invention will be specifically described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic diagram showing a specific configuration of the connecting portion 23. 3A is a top view showing the configuration of the connecting portion 23, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 3A. As shown in FIG. 3, the connection part 23 is provided with a gate wiring film 231, a wiring cutting part 232, a connection conductive film 233, a contact hole 234, and an insulating film 236. In this connection portion 23, the wiring layer is once converted.

ゲート配線膜231は、ゲート引き回し配線131aを構成する導電体であり、その一部が分割されている。換言すれば、ゲート引き回し配線131aは部分的に分割されている。配線切断部232は、このゲート配線膜231の分割部分であり、ゲート配線膜231を電気的に切断している。すなわち、ゲート引き回し配線131aは配線切断部232によって切断されている。ゲート引き回し配線131aとゲート配線131は同じ層で形成されているため、実質的に、同一材料、同一膜厚となっている。   The gate wiring film 231 is a conductor constituting the gate routing wiring 131a, and a part thereof is divided. In other words, the gate routing wiring 131a is partially divided. The wiring cutting part 232 is a divided part of the gate wiring film 231 and electrically cuts the gate wiring film 231. That is, the gate routing wiring 131 a is cut by the wiring cutting portion 232. Since the gate routing wiring 131a and the gate wiring 131 are formed of the same layer, they have substantially the same material and the same film thickness.

接続導電膜233は、ゲート配線膜231を構成する導電体よりも高抵抗な導電体から構成されている。接続導電膜233は、配線切断部232によって絶縁状態のゲート配線膜231同士を接続している。すなわち、接続導電膜233は、切断されたゲート配線膜231の両側に渡って形成されている。接続導電膜233は、ゲート配線膜231の一部と重複する位置に形成される。接続導電膜233は、略矩形状のパターン形状を有している。なお、接続導電膜233は矩形状に限られるものではない。接続導電膜233の短手方向の寸法a(幅a)は左右に引き回しされたゲート配線131の間の抵抗差によって適宜設計される。それとともに、配線切断部232の長手方向の寸法b(長さb)、すなわち分割されたゲート配線膜231の間隔もまた、左右に引き回しされたゲート配線131の間の抵抗差に基づいて適宜設計される。これら幅a、及び長さbの少なくとも一方の寸法を設定することによって、接続部23が左右に引き回しされたゲート引き回し配線131aの間の抵抗差を補正する。すなわち、左回しのゲート引き回し配線131aでは、接続部23の抵抗を高くする。これにより、左のゲート引き回し配線131aの抵抗値を調整することができる。   The connection conductive film 233 is made of a conductor having a higher resistance than the conductor constituting the gate wiring film 231. The connection conductive film 233 connects the gate wiring films 231 that are insulative with each other by the wiring cutting part 232. That is, the connection conductive film 233 is formed on both sides of the cut gate wiring film 231. The connection conductive film 233 is formed at a position overlapping with a part of the gate wiring film 231. The connection conductive film 233 has a substantially rectangular pattern shape. Note that the connection conductive film 233 is not limited to a rectangular shape. The dimension a (width a) in the short direction of the connection conductive film 233 is appropriately designed depending on the resistance difference between the gate wirings 131 routed to the left and right. At the same time, the dimension b (length b) in the longitudinal direction of the wiring cutting part 232, that is, the interval between the divided gate wiring films 231 is also appropriately designed based on the resistance difference between the gate wirings 131 routed left and right. Is done. By setting at least one dimension of the width a and the length b, the resistance difference between the gate routing wires 131a in which the connection portion 23 is routed left and right is corrected. That is, the resistance of the connection portion 23 is increased in the left-handed gate lead-out wiring 131a. Thereby, the resistance value of the left gate routing wiring 131a can be adjusted.

具体的には、配線長の短いゲート引き回し配線131aでは、接続部23で高抵抗になるように寸法を設定する。例えば、ゲートドライバIC141が左側に配置されているため、左回しゲート引き回し配線131aは、配線長が短くなる。従って、左回しゲート引き回し配線131aに設けられている配線切断部232の長さbを長くする。あるいは、接続導電膜233の幅aを狭くする。もちろん、長さb、及び幅aの一方のみを変えてもよく、両方を変えてもよい。より具体的には、ゲート引き回し配線131aの配線長が短くなるほど、長さbを長くする。あるいは、配線長が短くなるほど、幅aを狭くする。切断されたゲート引き回し配線131aは、接続導電膜233によって直列に接続される。従って、接続導電膜233が、ゲート引き回し配線131aの抵抗差に基づく抵抗値を有するように寸法を決定することができる。例えば、最も抵抗値の高いゲート引き回し配線131aに合わせるよう、接続導電膜233の寸法を設定することができる。   Specifically, the dimensions of the gate routing wiring 131a having a short wiring length are set so that the connection portion 23 has a high resistance. For example, since the gate driver IC 141 is arranged on the left side, the wiring length of the counterclockwise gate routing wiring 131a is shortened. Therefore, the length b of the wiring cutting part 232 provided in the counterclockwise gate leading wiring 131a is increased. Alternatively, the width a of the connection conductive film 233 is reduced. Of course, only one of the length b and the width a may be changed, or both may be changed. More specifically, the length b is increased as the wiring length of the gate routing wiring 131a is shortened. Alternatively, the width a is reduced as the wiring length becomes shorter. The disconnected gate routing wiring 131a is connected in series by the connection conductive film 233. Accordingly, the dimensions can be determined so that the connection conductive film 233 has a resistance value based on the resistance difference of the gate routing wiring 131a. For example, the dimension of the connection conductive film 233 can be set so as to match the gate routing wiring 131a having the highest resistance value.

ゲート配線膜231の上には、絶縁膜236が形成されている。絶縁膜236はゲート配線膜231を覆うように形成されている。絶縁膜236の一部にはコンタクトホール234が形成されている。コンタクトホール234は、ゲート配線膜231と接続導電膜233とを接続するために設けられている。従って、このコンタクトホール234を介してゲート配線膜231と接続導電膜233とが接続される。コンタクトホール234は、ゲート配線膜231の配線切断部232側の端部近傍に形成されている。ここで、ゲート配線膜231の切断箇所の両側にはそれぞれ2つのコンタクトホール234が形成されている。これにより、1つのコンタクトホール234に接続不良が発生した場合でも、確実に接続することができる。   An insulating film 236 is formed on the gate wiring film 231. The insulating film 236 is formed so as to cover the gate wiring film 231. A contact hole 234 is formed in part of the insulating film 236. The contact hole 234 is provided to connect the gate wiring film 231 and the connection conductive film 233. Therefore, the gate wiring film 231 and the connection conductive film 233 are connected through the contact hole 234. The contact hole 234 is formed near the end of the gate wiring film 231 on the wiring cutting part 232 side. Here, two contact holes 234 are formed on both sides of the cut portion of the gate wiring film 231. Thereby, even when a connection failure occurs in one contact hole 234, the connection can be made reliably.

図3(b)に示すように、ゲート配線膜231は、アレイ基板2上に、切断された状態でパターニングされている。このゲート配線膜231上に絶縁膜236が形成されている。コンタクトホール234は絶縁膜236に形成されている。そして、ゲート配線膜231はコンタクトホール234で部分的に露出している。また、ゲート配線膜231は配線切断部232において分割されている。そして、配線切断部232の上からアレイ基板2の上に絶縁膜236が形成されている。接続導電膜233は、このような絶縁膜236上に形成され、コンタクトホール234を介してゲート配線膜231に接続されている。接続導電膜233の長さは、配線切断部232よりも長くなっている。また、分割されたゲート配線膜231の両側の一部と接続導電膜233の一部とが重複して形成されている。   As shown in FIG. 3B, the gate wiring film 231 is patterned on the array substrate 2 in a cut state. An insulating film 236 is formed on the gate wiring film 231. The contact hole 234 is formed in the insulating film 236. The gate wiring film 231 is partially exposed at the contact hole 234. The gate wiring film 231 is divided at the wiring cutting part 232. An insulating film 236 is formed on the array substrate 2 from above the wiring cutting portion 232. The connection conductive film 233 is formed on such an insulating film 236 and is connected to the gate wiring film 231 through the contact hole 234. The length of the connection conductive film 233 is longer than that of the wiring cutting part 232. Further, a part of both sides of the divided gate wiring film 231 and a part of the connection conductive film 233 are formed to overlap each other.

以上のように、本発明では、接続部23は、左回しゲート引き回し配線131aの配線抵抗と右回しゲート引き回し配線131aの配線抵抗を補正し、これらの配線抵抗をほぼ同じにすることができる。それ故、表示領域11の上下段の画素間における抵抗差が片側回しの配線間の抵抗差とほぼ同じにすることができる。よって、液晶表示パネル1の表示において、偶奇段の画素のゲート配線131の抵抗差によって視認されやすい横帯状のムラを低減することができる。このように、引き回し配線間の抵抗を調整することができ、抵抗差を改善することができる。従って、配線間の抵抗差を低減することができ、表示ムラを低減することができる。また、本発明では、ゲート引き回し配線131aの各配線間の抵抗格差による表示ムラを軽減するだけでなく、接続部23の接続導電膜233の寸法を調整するだけでよいので、所要の抵抗値を得るための配線引回しのレイアウト設計検討時間を短縮することができる。   As described above, in the present invention, the connecting portion 23 can correct the wiring resistance of the left-handed gate routing wiring 131a and the wiring resistance of the right-handed gate routing wiring 131a, and make these wiring resistances substantially the same. Therefore, the resistance difference between the upper and lower pixels of the display region 11 can be made substantially the same as the resistance difference between the wirings on one side. Therefore, in the display of the liquid crystal display panel 1, it is possible to reduce the horizontal band-like unevenness that is easily visible due to the resistance difference of the gate wiring 131 of the even-odd pixel. In this way, the resistance between the routing wires can be adjusted, and the resistance difference can be improved. Accordingly, a resistance difference between wirings can be reduced, and display unevenness can be reduced. Further, in the present invention, not only the display unevenness due to the resistance difference between the wirings of the gate lead-out wiring 131a is reduced, but also the size of the connection conductive film 233 of the connection portion 23 only needs to be adjusted. It is possible to shorten the layout design study time of the wiring routing for obtaining.

ここで、ゲート配線膜231は、ゲート配線131の形成時にパターニングすることができる。絶縁膜236は、ゲート絶縁膜と同じ工程でパターニングすることができる。また、接続導電膜233を画素電極と同じ工程でパターニングすることができる。この場合、接続導電膜233は、ITOなどの高抵抗の透明導電膜によって形成される。すなわち、抵抗差を補正するための接続導電膜233は、ゲート配線膜231よりも高抵抗の導電膜によって形成される。これにより、製造工程の増加を防ぐことができる。さらに、コンタクトホール234は、各絶縁膜のパターニング工程で形成することができる。これにより、製造工程の増加を防ぐことができる。   Here, the gate wiring film 231 can be patterned when the gate wiring 131 is formed. The insulating film 236 can be patterned in the same process as the gate insulating film. Further, the connection conductive film 233 can be patterned in the same process as the pixel electrode. In this case, the connection conductive film 233 is formed of a high-resistance transparent conductive film such as ITO. That is, the connection conductive film 233 for correcting the resistance difference is formed of a conductive film having a higher resistance than the gate wiring film 231. Thereby, the increase in a manufacturing process can be prevented. Further, the contact hole 234 can be formed in the patterning process of each insulating film. Thereby, the increase in a manufacturing process can be prevented.

なお、接続部23はソース引き回し配線132aに対しても利用することができる。すなわち、ソースドライバIC142の位置に応じて、ソース引き回し配線132a間に抵抗差が生じてしまう。例えば、図1では、ソースドライバIC142が左右方向において表示領域の中央よりも右側に配置されている。したがって、左端のソース引き回し配線132aは、配線長が最も長くなる。このように、ソース引き回し配線132aの抵抗値が異なる場合、ソース引き回し配線132aに対しても接続部23を形成することができる。これにより、表示パネルの表示において、ソース引き回し配線132aの左右の抵抗差によって生じる縦帯状ムラが発生するのを防ぐことができる。   The connecting portion 23 can also be used for the source routing wiring 132a. In other words, a resistance difference is generated between the source routing wirings 132a according to the position of the source driver IC 142. For example, in FIG. 1, the source driver IC 142 is arranged on the right side of the center of the display area in the left-right direction. Therefore, the leftmost source routing wiring 132a has the longest wiring length. As described above, when the resistance value of the source routing wiring 132a is different, the connection portion 23 can be formed also for the source routing wiring 132a. Thereby, in the display of the display panel, it is possible to prevent the occurrence of vertical strip unevenness caused by the difference in resistance between the left and right of the source routing wiring 132a.

さらには、各ドライバICの配置によっては、ソース引き回し配線132aが、表示領域11の上下に形成される場合がある。この場合、上記の接続部23をソース引き回し配線132aに形成することによって、配線間の抵抗値を補正することができる。これにより、表示ムラを低減することができる。   Furthermore, depending on the arrangement of each driver IC, the source routing wiring 132 a may be formed above and below the display area 11. In this case, the resistance value between the wirings can be corrected by forming the connection portion 23 in the source routing wiring 132a. Thereby, display unevenness can be reduced.

この場合、接続部23は、図3(c)に示すようになる。ソース引き回し配線132aは、上層絶縁膜236bと下層絶縁膜236aの間の導電層で形成されている。よって、画素電極と同じ層の透明導電膜を接続導電膜233として利用することができる。ソースドライバIC142の近傍に接続部23を形成することができる。これにより、配線間の抵抗差を低減することができ、表示ムラを低減することができる。   In this case, the connecting portion 23 is as shown in FIG. The source routing wiring 132a is formed of a conductive layer between the upper insulating film 236b and the lower insulating film 236a. Therefore, a transparent conductive film in the same layer as the pixel electrode can be used as the connection conductive film 233. The connection portion 23 can be formed in the vicinity of the source driver IC 142. Thereby, the resistance difference between wirings can be reduced and display unevenness can be reduced.

次に、例えば、ゲート引き回し配線131aにおいて、接続導電膜233の寸法を決定する方法について説明する。まず、配線切断部232が設けられていないゲート引き回し配線131aを、配線レイアウトに合わせてパターン、本数を決定し、それぞれのゲート引き回し配線131aの抵抗値を算出する。そして、複数のゲート引き回し配線131a間の抵抗値の差を求める。この抵抗値の差に応じて、配線切断部232の長さ、及び接続導電膜233の幅などを決定する。これにより、引き回し配線間の抵抗値の差を低減することができる。また、ソース引き回し配線132aについても同様に接続部23の寸法を決定することができる。   Next, for example, a method for determining the dimensions of the connection conductive film 233 in the gate routing wiring 131a will be described. First, a pattern and the number of gate routing wirings 131a not provided with the wiring cutting portion 232 are determined in accordance with the wiring layout, and the resistance value of each gate routing wiring 131a is calculated. Then, a difference in resistance value between the plurality of gate routing wires 131a is obtained. The length of the wiring cut portion 232, the width of the connection conductive film 233, and the like are determined according to the difference in resistance value. Thereby, the difference in resistance value between the routing wirings can be reduced. Similarly, the dimensions of the connection portion 23 can be determined for the source lead-out wiring 132a.

なお、接続部23の位置は、図2で示したゲートドライバIC141の近傍又はソースドライバIC142の近傍に限られるものではない。以下に異なる実施の形態として接続部23の構成、配置のバリエーションについて説明していく。なお、接続部23の基本的な構成は、上記の構成と同様であるため説明を省略する。従って、以下の実施の形態でも、接続導電膜233は例えば、画素電極と同じ材料からなる高抵抗の透明導電膜で形成することが可能である。   The position of the connecting portion 23 is not limited to the vicinity of the gate driver IC 141 or the source driver IC 142 shown in FIG. In the following, variations of the configuration and arrangement of the connecting portion 23 will be described as different embodiments. In addition, since the basic structure of the connection part 23 is the same as that of said structure, description is abbreviate | omitted. Therefore, also in the following embodiments, the connection conductive film 233 can be formed of, for example, a high-resistance transparent conductive film made of the same material as the pixel electrode.

さらに、表示領域11の左右側の一方の側だけにおいても、表示領域11の下側に配置されたゲート配線131と上側に配置されたゲート配線131では、ゲート引き回し配線131aの長さが異なっている。すなわち、表示領域11の下側に配置されたゲート配線131は上側に配置されたゲート配線131よりもゲートドライバIC141に近くなる。従って、下側に配置されているゲート配線131に接続されるゲート引き回し配線131aの長さは、上側に配置されているゲート配線131に接続されるゲート引き回し配線131aよりも短くなる。換言すると外側のゲート引き回し配線131a程配線長が長くなっていく。このように、複数のゲート引き回し配線131aは、異なる長さを有している。従って、上記の接続部23によって、上側と下側の配線間の抵抗を調整してもよい。   Further, on only one of the left and right sides of the display area 11, the gate wiring 131 a disposed on the lower side of the display area 11 and the gate wiring 131 disposed on the upper side have different lengths of the gate lead-out wiring 131 a. Yes. That is, the gate line 131 disposed below the display area 11 is closer to the gate driver IC 141 than the gate line 131 disposed above. Therefore, the length of the gate routing wiring 131a connected to the gate wiring 131 arranged on the lower side is shorter than that of the gate routing wiring 131a connected to the gate wiring 131 arranged on the upper side. In other words, the wiring length becomes longer as the outer gate routing wiring 131a. Thus, the plurality of gate routing wirings 131a have different lengths. Therefore, the resistance between the upper and lower wirings may be adjusted by the connection portion 23 described above.

実施の形態2.
本実施の形態では、接続部23が額縁領域12のうちの表示領域11の側端辺近傍に設けられている。例えば、接続部23を図4(a)に示すように表示領域11の近傍に設けることができる。図4(a)に示すように、接続部23は、表示領域11横の共通CS配線71の外側に配設されている。この接続部23は、画素16側のゲート配線131とゲート引き回し配線131aとの間に接続されている。例えば、ゲートドライバIC141の外形端からCOG端子22の間に接続部23が収まらない場合には、接続部23を表示領域11の横に配置することができる。これによって、ゲートドライバIC141のサイズを変更することなく、簡便に接続部23を配設することが可能となる。
Embodiment 2. FIG.
In the present embodiment, the connecting portion 23 is provided in the vicinity of the side edge of the display area 11 in the frame area 12. For example, the connection part 23 can be provided in the vicinity of the display area 11 as shown in FIG. As shown in FIG. 4A, the connection portion 23 is disposed outside the common CS wiring 71 beside the display area 11. The connection portion 23 is connected between the gate wiring 131 on the pixel 16 side and the gate routing wiring 131a. For example, when the connection part 23 does not fit between the outer edge of the gate driver IC 141 and the COG terminal 22, the connection part 23 can be arranged beside the display area 11. As a result, the connection portion 23 can be easily arranged without changing the size of the gate driver IC 141.

上述したように、接続部23がゲートドライバIC141の外形端からCOG端子22の間に収まらない場合であっても、配線間の抵抗を調整することができる。本実施の形態に示すように、額縁領域12の下部から側部に渡っているゲート引き回し配線131aの途中に接続部23を形成してもよい。すなわち、ゲートドライバIC141と接続するための端子と、ゲート配線131との間に接続部23を設ければよい。もちろん、この場合、接続部23を左右のゲート引き回し配線131aにそれぞれ形成する。すなわち、引き回しが表示領域11の両側から行なわれている場合、表示領域11の左右両側にそれぞれ、接続部23を配置する。また、ソース引き回し配線132aの接続部23を表示領域11の下端辺近傍に設けた場合、図4(b)に示すようになる。これにより、配線間の抵抗差を低減することができ、表示ムラを低減することができる。   As described above, even when the connection portion 23 does not fit between the outer end of the gate driver IC 141 and the COG terminal 22, the resistance between the wirings can be adjusted. As shown in the present embodiment, the connecting portion 23 may be formed in the middle of the gate routing wiring 131a extending from the lower portion of the frame region 12 to the side portion. That is, the connection portion 23 may be provided between the terminal for connecting to the gate driver IC 141 and the gate wiring 131. Of course, in this case, the connection portions 23 are respectively formed on the left and right gate routing lines 131a. That is, when the drawing is performed from both sides of the display area 11, the connection portions 23 are arranged on both the left and right sides of the display area 11. Further, when the connection portion 23 of the source lead-out wiring 132a is provided in the vicinity of the lower end side of the display area 11, the result is as shown in FIG. Thereby, the resistance difference between wirings can be reduced and display unevenness can be reduced.

実施の形態3.
本実施の形態では、接続部23を、ゲートドライバIC141の直下と、表示領域11の側端辺近傍の両方に設けている。すなわち、抵抗の差が大きく、接続部23の寸法が大きくなってしまう場合、接続部23を、ゲートドライバIC141の直下と、表示領域11の側端辺近傍の両方に設けても良い。このように、1本のゲート引き回し配線131aの2箇所以上に接続部23を形成してもよい。接続部23の接続導電膜233はゲート引き回し配線131aに対して直列に接続される。ここでは、接続部23は、実施の形態1で示したゲートドライバIC141の近傍と、実施の形態2で示した表示領域11の側端辺近傍の両方に設けている。これにより、確実に抵抗値を補正することができる。すなわち、抵抗値を補正するときのマージンを広くすることができる。本実施の形態では、少なくとも一方の接続部23で抵抗値を補正することができる。
Embodiment 3 FIG.
In the present embodiment, the connection portion 23 is provided both directly below the gate driver IC 141 and in the vicinity of the side edge of the display area 11. That is, when the difference in resistance is large and the size of the connection portion 23 becomes large, the connection portion 23 may be provided both directly below the gate driver IC 141 and in the vicinity of the side edge of the display region 11. In this way, the connection portions 23 may be formed at two or more locations of the single gate routing wiring 131a. The connection conductive film 233 of the connection portion 23 is connected in series to the gate routing wiring 131a. Here, the connection portion 23 is provided both near the gate driver IC 141 shown in the first embodiment and near the side edge of the display area 11 shown in the second embodiment. As a result, the resistance value can be reliably corrected. That is, the margin for correcting the resistance value can be widened. In the present embodiment, the resistance value can be corrected by at least one connection portion 23.

例えば、図5(b)に示すように、表示領域11の側端辺近傍の接続部23の寸法を一定として、図5(a)に示すようにゲートドライバIC141の近傍の接続部23で抵抗値を調整してもよい。ここでは、表示領域11の側端辺近傍の接続部23をゲート引き回し配線131a間で同一形状にしている。   For example, as shown in FIG. 5B, the dimension of the connection portion 23 near the side edge of the display region 11 is constant, and the resistance at the connection portion 23 near the gate driver IC 141 as shown in FIG. The value may be adjusted. Here, the connection portion 23 in the vicinity of the side edge of the display area 11 is formed in the same shape between the gate routing lines 131a.

あるいは、逆の構成として、ゲートドライバIC141の近傍の接続部23を一定とし、表示領域11の側端辺近傍の接続部の寸法で抵抗値を調整してもよい。このように、一方の接続部を一定とし、他方で調整することにより、レイアウトの設計時間を短縮することができる。   Alternatively, as an opposite configuration, the connection portion 23 in the vicinity of the gate driver IC 141 may be constant, and the resistance value may be adjusted by the dimension of the connection portion in the vicinity of the side edge of the display region 11. Thus, the layout design time can be shortened by making one connection portion constant and adjusting the other connection portion.

また、上記の構成は、ソース引き回し配線132aについても適用できる。例えば、ソース引き回し配線132aの接続部23を2箇所に直列に設ける場合、図5(a)及び図5(c)に示すようになる。これにより、配線間の抵抗差を低減することができ、抵抗値を補正するときのマージンを広くすることができる。よって、表示ムラを低減することができる。   The above configuration can also be applied to the source routing wiring 132a. For example, when the connection portions 23 of the source lead-out wiring 132a are provided in series at two locations, the results are as shown in FIGS. 5 (a) and 5 (c). As a result, the resistance difference between the wirings can be reduced, and the margin for correcting the resistance value can be widened. Accordingly, display unevenness can be reduced.

実施の形態4.
さらに、図6に示すよう、1本のゲート引き回し配線131aに対して、接続部23を並列に配置してもよい。例えば、ゲート配線膜231を途中で分岐してパターニングする。これにより、図6に示すように、1本のゲート引き回し配線131aの一部に並列な2本のラインが形成される。そして、分岐箇所に配線切断部232を形成する。2つの接続導電膜233を、分岐されているゲート配線膜231にそれぞれ形成する。これにより、接続導電膜233を並列に接続することができる。従って、抵抗値の調整マージンを広くすることができる。ここで、並列の接続部23の全体の抵抗値は、単体のときの抵抗値の半分とすることができる。
Embodiment 4 FIG.
Furthermore, as shown in FIG. 6, the connecting portion 23 may be arranged in parallel with respect to one gate routing wiring 131a. For example, the gate wiring film 231 is branched and patterned. Thereby, as shown in FIG. 6, two lines parallel to a part of one gate routing line 131a are formed. And the wiring cutting part 232 is formed in a branch location. Two connection conductive films 233 are respectively formed on the branched gate wiring films 231. Thereby, the connection conductive film 233 can be connected in parallel. Therefore, the adjustment margin of the resistance value can be widened. Here, the total resistance value of the parallel connection portions 23 can be half of the resistance value of the single connection portion 23.

例えば、接続部23に設けられた接続導電膜233の抵抗値がゲート引き回し配線131aの抵抗差よりも高い場合で且つ、左右のゲート引き回し配線131aの配線幅、及び配線長で抵抗調整が行なえない場合、上記の構成にすることが好ましい。これにより、抵抗調整を確実に行なうことができる。すなわち、1つの接続部23に形成される接続導電膜233の最小抵抗が決まっている場合、2つの接続部23を並列に接続することによって、より小さな抵抗差まで調整することができる。ここで、並列接続された2つの接続部23は同じ寸法とする。このように、接続部23を並列に配置することにより、配線間で補正される抵抗値を1/2にすることができる。複数のゲート引き回し配線131aのうち少なくとも一部のゲート引き回し配線131aに対して、接続部23を並列に形成する。これにより、さらなる微調整が可能となる。よって、より小さな抵抗差まで補正することができ、表示ムラを低減することができる。また、並列数を3以上にしてもよい。もちろん、ソース引き回し配線についても並列の接続部23を設けることができる。これにより、同様の効果を得ることができる。   For example, when the resistance value of the connection conductive film 233 provided in the connection portion 23 is higher than the resistance difference of the gate routing wiring 131a, the resistance cannot be adjusted by the wiring width and wiring length of the left and right gate routing wiring 131a. In this case, the above configuration is preferable. Thereby, resistance adjustment can be performed reliably. That is, when the minimum resistance of the connection conductive film 233 formed in one connection portion 23 is determined, it is possible to adjust to a smaller resistance difference by connecting the two connection portions 23 in parallel. Here, the two connecting portions 23 connected in parallel have the same dimensions. Thus, by arranging the connecting portions 23 in parallel, the resistance value corrected between the wirings can be halved. The connecting portion 23 is formed in parallel to at least a part of the plurality of gate routing lines 131a. Thereby, further fine adjustment becomes possible. Therefore, a smaller resistance difference can be corrected, and display unevenness can be reduced. Further, the parallel number may be three or more. Of course, the parallel connection portion 23 can also be provided for the source routing wiring. Thereby, the same effect can be acquired.

実施の形態5.
本実施の形態では、図7に示すように、ゲート引き回し配線131aを2層配線化している。なお、図7(a)は、接続部23の構成を示す平面図であり、図7(b)は接続部23の構成を示す断面図である。ゲート引き回し配線131aに配線切断部232が設けられていない。そして、本実施の形態では、接続部23において、ゲート引き回し配線131aを第1導電層135と第2導電層136とを有する積層構造に変換する。すなわち、第1導電層135で形成されていたゲート引き回し配線131aが途中から第1導電層135と第2導電層136との2層によって構成される。換言すると、ゲート引き回し配線131aの一部が、上下に並列接続された第1導電層135と第2導電層136とで引き回される。そして、積層構造となったゲート引き回し配線131aに、2箇所目の接続部23を設けて、1層構造に戻す。このように、1本のゲート引き回し配線131aに対して接続部23を2箇所に形成する。これにより、ゲート引き回し配線131aの一部の区間が第1導電層135と第2導電層136とを有する積層構造となる。すなわち、2箇所に設けられた接続部23の間では、ゲート引き回し配線131aが積層構造となる。第2導電層136は、第1導電層135の上に、下層絶縁膜236aを介して配置されている。そして、第1導電層135と第2導電層136との接続に接続導電膜233を用いている。すなわち、第1の導電層135と第2導電層136とが重なっている部分に第2導電層136までのコンタクトホール234が形成されている。すなわち、上層絶縁膜236bに設けられているコンタクトホール234を介して、接続導電膜233と第2導電層136が接続される。さらに、上層絶縁膜236bと下層絶縁膜236aとには、第1導電層135までのコンタクトホール234が形成されている。従って、接続導電膜233を介して、異なる層に形成された第1導電層135と第2導電層136を接続することができる。ここで、絶縁膜236のうち、下層絶縁膜236aはゲート絶縁膜と同一層であり、上層絶縁膜236bが層間絶縁膜と同一層である。
Embodiment 5. FIG.
In the present embodiment, as shown in FIG. 7, the gate lead-out wiring 131a has a two-layer wiring. FIG. 7A is a plan view showing the configuration of the connection portion 23, and FIG. 7B is a cross-sectional view showing the configuration of the connection portion 23. The gate lead-out wiring 131 a is not provided with the wiring cutting part 232. In this embodiment, the gate lead-out wiring 131 a is converted into a stacked structure including the first conductive layer 135 and the second conductive layer 136 in the connection portion 23. That is, the gate lead-out wiring 131a formed by the first conductive layer 135 is constituted by two layers of the first conductive layer 135 and the second conductive layer 136 from the middle. In other words, a part of the gate routing wiring 131a is routed by the first conductive layer 135 and the second conductive layer 136 that are connected in parallel vertically. Then, a second connection portion 23 is provided on the gate lead-out wiring 131a having the laminated structure, and the single-layer structure is restored. In this way, the connection portions 23 are formed at two locations with respect to one gate routing wiring 131a. As a result, a part of the gate routing wiring 131 a has a laminated structure in which the first conductive layer 135 and the second conductive layer 136 are included. That is, between the connection portions 23 provided at two locations, the gate routing wiring 131a has a laminated structure. The second conductive layer 136 is disposed on the first conductive layer 135 via a lower insulating film 236a. A connection conductive film 233 is used to connect the first conductive layer 135 and the second conductive layer 136. That is, a contact hole 234 to the second conductive layer 136 is formed in a portion where the first conductive layer 135 and the second conductive layer 136 overlap. That is, the connection conductive film 233 and the second conductive layer 136 are connected through the contact hole 234 provided in the upper insulating film 236b. Further, contact holes 234 to the first conductive layer 135 are formed in the upper insulating film 236b and the lower insulating film 236a. Therefore, the first conductive layer 135 and the second conductive layer 136 formed in different layers can be connected through the connection conductive film 233. Here, in the insulating film 236, the lower insulating film 236a is the same layer as the gate insulating film, and the upper insulating film 236b is the same layer as the interlayer insulating film.

上記のように、ゲート引き回し配線131aの一部を、第1導電層135と第2導電層136とを有する積層構造とする。すなわち、第1導電層135の単層構造であったゲート引き回し配線131aが、接続部23において、第1導電層135と第2導電層136の積層構造に変換される。ここで、第1導電層135をゲート配線131と同じ層で形成し、第2導電層136をソース配線132と同じ層で形成することができる。さらに、第1導電層135と第2導電層136の間にはゲート絶縁膜と同じ層の下層絶縁膜235aが配置されている。第2導電層の上に、層間絶縁膜と同じ層の上層絶縁膜236bが形成されている。下層絶縁膜236a、及び上層絶縁膜236bに設けられたコンタクトホール234を介して接続導電膜233と第1導電層135とが接続し、上層絶縁膜236bに設けられたコンタクトホールを介して第2導電層136とが接続導電膜233に接続されている。第2導電層136の寸法で、抵抗調整を行なうことができる。例えば、2つの接続部23間の距離を長くすることにより、積層構造の距離が長くなる。すなわち、接続部23間の距離を長くすると第2導電層136が長くなるため、ゲート引き回し配線131a全体の抵抗を小さくすることができる。このように、接続部23間の距離によって配線抵抗を調整することができる。あるいは、2つの接続部23間において、第2導電層136の幅を調整する。これにより、積層構造区間の抵抗が小さくなり、ゲート引き回し配線131a全体の抵抗を小さくすることができる。このように、積層構造のうちの第2導電層136の長さ、及び幅を調整することで、抵抗調整を容易に行うことができる。従って、第2導電層136の幅や、長さによって抵抗差を改善することができる。さらに、実施の形態1〜3と同様に接続導電膜233の長さや幅によって、抵抗調整を行なってもよい。このように、接続部23において積層構造に変換された第1導電層135、及び第2導電層136を、端子側及びゲート配線131側で再度接続する。これにより、ゲート引き回し配線131aの一部が積層構造となり、抵抗値を低減することができる。   As described above, a part of the gate routing wiring 131 a has a stacked structure including the first conductive layer 135 and the second conductive layer 136. That is, the gate lead-out wiring 131 a that was a single layer structure of the first conductive layer 135 is converted into a stacked structure of the first conductive layer 135 and the second conductive layer 136 at the connection portion 23. Here, the first conductive layer 135 can be formed using the same layer as the gate wiring 131, and the second conductive layer 136 can be formed using the same layer as the source wiring 132. Further, a lower insulating film 235a that is the same layer as the gate insulating film is disposed between the first conductive layer 135 and the second conductive layer 136. An upper insulating film 236b that is the same layer as the interlayer insulating film is formed on the second conductive layer. The connection conductive film 233 and the first conductive layer 135 are connected through the contact hole 234 provided in the lower insulating film 236a and the upper insulating film 236b, and the second conductive film is connected through the contact hole provided in the upper insulating film 236b. The conductive layer 136 is connected to the connection conductive film 233. The resistance can be adjusted by the size of the second conductive layer 136. For example, by increasing the distance between the two connecting portions 23, the distance of the stacked structure increases. That is, if the distance between the connecting portions 23 is increased, the second conductive layer 136 is increased, and thus the resistance of the entire gate routing wiring 131a can be reduced. Thus, the wiring resistance can be adjusted by the distance between the connecting portions 23. Alternatively, the width of the second conductive layer 136 is adjusted between the two connection portions 23. Thereby, the resistance of the laminated structure section is reduced, and the resistance of the entire gate routing wiring 131a can be reduced. Thus, resistance adjustment can be easily performed by adjusting the length and width of the second conductive layer 136 in the stacked structure. Accordingly, the resistance difference can be improved by the width and length of the second conductive layer 136. Furthermore, resistance adjustment may be performed according to the length and width of the connection conductive film 233 as in the first to third embodiments. In this way, the first conductive layer 135 and the second conductive layer 136 that have been converted to the stacked structure in the connection portion 23 are connected again on the terminal side and the gate wiring 131 side. Thereby, a part of the gate routing wiring 131a has a laminated structure, and the resistance value can be reduced.

図8(a)、図8(b)に示すように、接続部23を表示領域11の側端辺近傍と、ゲートドライバIC141の近傍とに配置することができる。そして、接続部23を表示領域11の側端辺近傍と、ゲートドライバIC141の近傍との2箇所に形成された接続部23の間の積層構造における第2導電層136の長さや幅を変えて抵抗調整を行なう。ここでは、ゲートドライバIC141の外形端の外側に、接続部23が形成されている。そして、ゲートドライバIC141側の接続部23の位置によって、抵抗調整を行なう。これにより、配線間の抵抗差を低減することができ、表示ムラを低減することができる。もちろん、表示領域11の端辺側の接続部23の位置によって、抵抗調整してもよい。そして、2箇所の接続部23の間の積層構造における第2導電層136の長さ、幅によって、抵抗調整を行なう。また、上記の構成は、ソース引き回し配線132aについても適用できる。すなわち、図8(b)、及び図8(c)に示すように、2箇所に接続部23を配置する。そして、第2導電層136の長さ、幅によって抵抗を調整することができる。このように、本実施の形態にかかる配線構造によって、抵抗調整を簡易な構成で行なうことができる。   As shown in FIGS. 8A and 8B, the connection portion 23 can be disposed in the vicinity of the side edge of the display region 11 and in the vicinity of the gate driver IC 141. Then, the length and width of the second conductive layer 136 in the stacked structure between the connection portions 23 formed in two places, the vicinity of the side edge of the display region 11 and the vicinity of the gate driver IC 141 are changed. Adjust the resistance. Here, the connection portion 23 is formed outside the outer edge of the gate driver IC 141. Then, resistance adjustment is performed according to the position of the connecting portion 23 on the gate driver IC 141 side. Thereby, the resistance difference between wirings can be reduced and display unevenness can be reduced. Of course, the resistance may be adjusted according to the position of the connecting portion 23 on the edge side of the display area 11. And resistance adjustment is performed with the length of the 2nd conductive layer 136 in the laminated structure between the two connection parts 23, and a width | variety. The above configuration can also be applied to the source routing wiring 132a. That is, as shown in FIGS. 8B and 8C, the connecting portions 23 are arranged at two locations. The resistance can be adjusted by the length and width of the second conductive layer 136. Thus, resistance adjustment can be performed with a simple configuration by the wiring structure according to the present embodiment.

実施の形態1〜5に記載の配線構造を表示装置に適用することによって、表示ムラを低減することができる。なお、上記の配線構造は、液晶表示装置に限らず、有機EL表示装置などのフラットパネルディスプレイに好適である。また、アレイ基板2以外の配線基板に適用してもよい。実施の形態1〜5に記載の配線構造を走査信号配線や画像信号配線までの引き回し配線に適用することが可能である。これにより、表示ムラを低減することができる。   By applying the wiring structure described in any of Embodiments 1 to 5 to a display device, display unevenness can be reduced. The above wiring structure is suitable not only for liquid crystal display devices but also for flat panel displays such as organic EL display devices. Further, the present invention may be applied to a wiring board other than the array substrate 2. It is possible to apply the wiring structure described in the first to fifth embodiments to the routing wiring to the scanning signal wiring or the image signal wiring. Thereby, display unevenness can be reduced.

実施の形態1〜5を組み合わせて用いてもよく、複数の引き回し配線の一部にのみ適用してもよい。また、実施の形態1〜5は、図1で示した構成と異なる液晶表示パネル1についても適用することができる。   The first to fifth embodiments may be used in combination, and may be applied only to a part of a plurality of routing wires. The first to fifth embodiments can also be applied to a liquid crystal display panel 1 different from the configuration shown in FIG.

実施の形態6.
本実施の形態にかかる液晶表示パネルの構成について図9を用いて説明する。図9は、実施の形態1〜5が適用可能な液晶表示パネルの別の構成例を示す平面図である。図9に示すように、額縁領域12を狭くするため、表示領域11の下側と上側とで、ゲート引き回し配線131aが異なる側部に形成されている場合がある。例えば、表示領域11の下側のゲート配線131に対応するゲート引き回し配線131aは、額縁領域12の左側部を通っている。一方、表示領域11の上側のゲート配線131に対応するゲート引き回し配線131aは、額縁領域12の右側部を通っている。このような構成においても、表示領域11の上側と下側との境界で、表示ムラが発生しやすくなる。このような構成の液晶表示パネル1についても、実施の形態1〜5の配線構造を適用することによって、表示ムラを低減することができる。例えば、境界部のゲート配線131の前後で、左回し引き回し配線131の側に、接続部23を設ける。そして、左回し引き回し配線131aと右回し引き回し配線131aとの抵抗値が一致するよう、左回し引き回し配線131aの配線抵抗を高くする。あるいは、実施の形態5で示したように、左回し引き回し配線131の2箇所に接続部23を形成する。そして、積層構造区間における第2導電層136の長さ、幅を調整して、左回し引き回し配線131aと右まわし引き回し配線131aとの抵抗値を一致させる。なお、ここでは、表示領域11を上側と下側とで2分割した場合について示したが、同じ割合で分割する構成に限られるものではない。例えば、上側1/3、下側2/3と分割してもよい。
Embodiment 6 FIG.
The configuration of the liquid crystal display panel according to this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a plan view showing another configuration example of the liquid crystal display panel to which the first to fifth embodiments are applicable. As shown in FIG. 9, in order to make the frame area 12 narrower, the gate lead-out wiring 131a may be formed on different sides on the lower side and the upper side of the display area 11. For example, the gate routing wiring 131 a corresponding to the lower gate wiring 131 of the display area 11 passes through the left side of the frame area 12. On the other hand, the gate routing wiring 131 a corresponding to the gate wiring 131 on the upper side of the display area 11 passes through the right side of the frame area 12. Even in such a configuration, display unevenness easily occurs at the boundary between the upper side and the lower side of the display region 11. Also for the liquid crystal display panel 1 having such a configuration, display unevenness can be reduced by applying the wiring structures of the first to fifth embodiments. For example, the connection portion 23 is provided on the side of the left-hand routing wiring 131 before and after the gate wiring 131 at the boundary. Then, the wiring resistance of the counterclockwise routing wiring 131a is increased so that the resistance values of the counterclockwise routing wiring 131a and the clockwise routing wiring 131a match. Alternatively, as shown in the fifth embodiment, the connection portions 23 are formed at two locations of the left-handed routing wiring 131. Then, the length and width of the second conductive layer 136 in the laminated structure section are adjusted so that the resistance values of the left-handed routing wire 131a and the right-handed routing wire 131a are matched. In addition, although the case where the display area 11 is divided into two parts on the upper side and the lower side is shown here, the display area 11 is not limited to the configuration in which the display area 11 is divided at the same ratio. For example, the upper side 1/3 and the lower side 2/3 may be divided.

さらに、上下に分割した表示領域11の上側又は下側のそれぞれにおいて、配線抵抗を調整することも可能である。ここでは、ゲートドライバIC141は、額縁領域12の下部に形成されている。従って、表示領域11の上側のゲート配線131程、ゲートドライバIC141から離れる。上側のゲート配線131に対するゲート引き回し配線131では、配線長が長くなり、配線抵抗が高くなる。ここで、ゲートドライバIC141から近い位置にあるゲート配線131から順番に接続部23の抵抗値を変えていく。すなわち、ゲート配線131とゲートドライバIC141との距離が近くなるにつれて、そのゲート引き回し配線131aの接続部23の抵抗値を高くしていけばよい。この場合、右側のゲート引き回し配線131aの外側程、高抵抗になるよう接続部23の寸法を設定すればよい。この場合も、実施の形態1〜5で示した接続部23を適用することができる。これにより、上側又は下側における引き回し配線131aの配線抵抗を一致させることができる。よって、表示ムラを低減することができる。   Furthermore, it is also possible to adjust the wiring resistance on each of the upper side and the lower side of the display area 11 divided in the vertical direction. Here, the gate driver IC 141 is formed below the frame region 12. Accordingly, the gate wiring 131 on the upper side of the display area 11 is separated from the gate driver IC 141. In the gate routing wiring 131 with respect to the upper gate wiring 131, the wiring length becomes long and the wiring resistance becomes high. Here, the resistance value of the connection portion 23 is changed in order from the gate wiring 131 located near the gate driver IC 141. That is, as the distance between the gate wiring 131 and the gate driver IC 141 becomes shorter, the resistance value of the connection portion 23 of the gate routing wiring 131a may be increased. In this case, the dimensions of the connection portion 23 may be set so that the resistance increases toward the outer side of the right gate routing wiring 131a. Also in this case, the connection part 23 shown in Embodiments 1 to 5 can be applied. Thereby, the wiring resistance of the routing wiring 131a on the upper side or the lower side can be matched. Accordingly, display unevenness can be reduced.

実施の形態7.
本実施の形態にかかる液晶表示パネルの構成について図10を用いて説明する。図10は、実施の形態1〜5が適用可能な液晶表示パネルの別の構成例を示す平面図である。図10に示すように、ゲートドライバIC141とソースドライバIC142とを共通のドライバICで形成する場合も、上記の同様の問題が発生する。図10に示すように、液晶表示パネル1は、配線131,132が接続された単一のドライバIC150を有する。この液晶表示パネル1では、ゲート配線131は、図9の液晶表示パネル1と同様に配置されているのに対して、ソース配線132は中央で対称に配設されている。そのため、外側(ドライバIC150の左右側)のソース配線132の配線長さは、内側(ドライバIC150の中央側)のソース配線132の配線長さよりも長い。それ故、外側のソース配線132の配線抵抗は、内側のソース配線132の配線抵抗よりも高くなる。このような構成の液晶表示パネル1についても、実施の形態1〜5の配線構造を適用することによって、表示ムラを低減することができる。
Embodiment 7 FIG.
The configuration of the liquid crystal display panel according to this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a plan view showing another configuration example of the liquid crystal display panel to which the first to fifth embodiments are applicable. As shown in FIG. 10, when the gate driver IC 141 and the source driver IC 142 are formed by a common driver IC, the same problem as described above occurs. As shown in FIG. 10, the liquid crystal display panel 1 includes a single driver IC 150 to which wirings 131 and 132 are connected. In the liquid crystal display panel 1, the gate wiring 131 is disposed in the same manner as the liquid crystal display panel 1 of FIG. 9, whereas the source wiring 132 is disposed symmetrically at the center. Therefore, the wiring length of the source wiring 132 on the outer side (left and right sides of the driver IC 150) is longer than the wiring length of the source wiring 132 on the inner side (center side of the driver IC 150). Therefore, the wiring resistance of the outer source wiring 132 is higher than the wiring resistance of the inner source wiring 132. Also for the liquid crystal display panel 1 having such a configuration, display unevenness can be reduced by applying the wiring structures of the first to fifth embodiments.

実施の形態8.
実施形態1〜5では、液晶表示パネルのゲート引き回し配線又はソース引き回し配線に本発明にかかる配線構造を適用した場合について説明したが、本実施の形態では、上記の配線構造を検査回路と接続される検査用引き回し配線に適用する場合について説明する。検査回路は、表示パネルの組み立て後の表示検査で使用する簡易点灯検査に用いられる。
Embodiment 8.
In the first to fifth embodiments, the case where the wiring structure according to the present invention is applied to the gate routing wiring or the source routing wiring of the liquid crystal display panel has been described. However, in this embodiment, the above wiring structure is connected to the inspection circuit. A case where the present invention is applied to an inspection routing wiring will be described. The inspection circuit is used for a simple lighting inspection used in a display inspection after the display panel is assembled.

図11は検査端子群62と検査回路510の構成を模式的に示す図である。図11に示すように、ドライバIC150の直下となる位置に右回しゲート配線用検査回路511、左回しゲート配線用検査回路512、ソース配線用検査回路513が配置されている。ここで、ドライバIC150は、例えば、上記のゲートドライバIC141とソースドライバIC142とを共通化したものである。右回しゲート配線用検査回路511、左回しゲート配線用検査回路512、ソース配線用検査回路513は、アレイ基板2上に形成されている。   FIG. 11 is a diagram schematically showing the configuration of the inspection terminal group 62 and the inspection circuit 510. As shown in FIG. 11, a clockwise gate wiring inspection circuit 511, a counterclockwise gate wiring inspection circuit 512, and a source wiring inspection circuit 513 are arranged immediately below the driver IC 150. Here, the driver IC 150 is, for example, a combination of the gate driver IC 141 and the source driver IC 142 described above. The clockwise circuit 511 for turning clockwise, the gate inspection circuit 512 for turning counterclockwise, and the source wiring inspection circuit 513 are formed on the array substrate 2.

右回しゲート配線用検査回路511、左回しゲート配線用検査回路512、ソース配線用検査回路513は、検査端子群62と離れたレイアウトになっている。すなわち、検査端子群62は、検査回路510の外側に配設されている。   The clockwise gate inspection circuit 511, the counterclockwise gate wiring inspection circuit 512, and the source wiring inspection circuit 513 have a layout separated from the inspection terminal group 62. That is, the inspection terminal group 62 is disposed outside the inspection circuit 510.

検査回路510は、右回しゲート配線用検査回路511、左回しゲート配線用検査回路512、ソース配線用検査回路513を有する。検査端子群62は、TEST−右回しゲート端子521、TEST−左回しゲート端子522、Rのテスト信号を入力するTEST−R端子523、Gのテスト信号を入力するTEST−G端子524、Bのテスト信号を入力するTEST−B端子525、検査回路をオンオフするスイッチ信号を入力するスイッチ端子526、COMMON端子527を有する。右回しゲート配線用検査回路511は、TEST−右回しゲート端子521、スイッチ端子526に接続されている。左回しゲート配線用検査回路512は、TEST−左回しゲート端子522、スイッチ端子526に接続されている。ソース配線用検査回路513は、TEST−R端子523、TEST−G端子524、TEST−B端子525、スイッチ端子526に接続されている。COMMON端子527は、表示領域11の共通CS配線71や対向基板の対向電極などCOMMON信号系に接続されている。   The inspection circuit 510 has a clockwise gate wiring inspection circuit 511, a counterclockwise gate wiring inspection circuit 512, and a source wiring inspection circuit 513. The test terminal group 62 includes a TEST-right-turn gate terminal 521, a TEST-left-turn gate terminal 522, a TEST-R terminal 523 for inputting an R test signal, a TEST-G terminal 524 for inputting a G test signal, and a B test terminal B. It has a TEST-B terminal 525 for inputting a test signal, a switch terminal 526 for inputting a switch signal for turning on / off the inspection circuit, and a COMMON terminal 527. The right turn gate wiring inspection circuit 511 is connected to the TEST-right turn gate terminal 521 and the switch terminal 526. The counterclockwise gate wiring inspection circuit 512 is connected to the TEST-counterclockwise gate terminal 522 and the switch terminal 526. The source wiring inspection circuit 513 is connected to the TEST-R terminal 523, the TEST-G terminal 524, the TEST-B terminal 525, and the switch terminal 526. The COMMON terminal 527 is connected to a COMMON signal system such as the common CS wiring 71 of the display area 11 and the counter electrode of the counter substrate.

ソース配線用検査回路513と、TEST−R端子523、TEST−G端子524、TEST−B端子525の各端子との間では、それぞれの配線引回し距離はほぼ同じで大きな差がない。これに対して、左回しゲート配線用検査回路512とTEST−左回しゲート端子522との間の配線引き回し距離は、右回しゲート配線用検査回路511とTEST−右回しゲート端子521との間の配線引回し距離に比べて長い。そのため、左回しゲート配線用検査回路512とTEST−左回しゲート端子522との間の配線抵抗は、右回しゲート配線用検査回路511とTEST−右回しゲート端子521との間の配線抵抗に比べて高くなる。   Between the source wiring inspection circuit 513 and each of the TEST-R terminal 523, the TEST-G terminal 524, and the TEST-B terminal 525, the wiring routing distances are almost the same and there is no significant difference. On the other hand, the wiring routing distance between the left-turned gate wiring inspection circuit 512 and the TEST-left-turned gate terminal 522 is set between the right-turned gate wiring inspection circuit 511 and the TEST-right-turned gate terminal 521. Long compared to the wiring routing distance. Therefore, the wiring resistance between the left-turned gate wiring inspection circuit 512 and the TEST-left-turned gate terminal 522 is compared with the wiring resistance between the right-turned gate wiring inspection circuit 511 and the TEST-right-turned gate terminal 521. Become higher.

従来であれば、この配線抵抗の差によって、例えば、図10の構成では、表示検査において表示領域11の上下2分割のムラ状に視認されてしまう。この抵抗差を抑えるために、右回しゲート配線用検査回路511とTEST−右回しゲート端子521との間の配線幅と、左回しゲート配線用検査回路512とTEST−左回しゲート端子522との間の配線幅とをコントロールし、配線抵抗調整を行っていた。   Conventionally, due to the difference in wiring resistance, for example, in the configuration of FIG. In order to suppress this resistance difference, the wiring width between the right-turn gate wiring inspection circuit 511 and the TEST-right-turn gate terminal 521 and the left-turn gate wiring inspection circuit 512 and the TEST-left-turn gate terminal 522 The wiring resistance was adjusted by controlling the wiring width between them.

しかしながら、昨今、ドライバIC150のシュリンク化に伴い検査回路50のシュリンク化も進み、配線幅をコントロールして配線抵抗調整を行えるだけのスペースが小さくなっていた。そのため、表示検査では表示領域11の上下2分割ムラ状態で簡易点灯検査を行っている。本発明は、実施形態1〜5のように、接続部23を右回しゲート配線用検査回路511とTEST−右回しゲート端子521との間に配置することができる。これによって、左回しゲート配線用検査回路512とTEST−左回しゲート端子522との間の配線抵抗に合わせることができる。例えば、簡易点灯検査時の表示領域11の上下2分割ムラを改善することができる。これにより、表示検査を確実に行うことができる。   However, recently, along with the shrinking of the driver IC 150, the shrinking of the test circuit 50 has progressed, and the space for controlling the wiring width and adjusting the wiring resistance has been reduced. For this reason, in the display inspection, the simple lighting inspection is performed in the upper and lower divided uneven state of the display area 11. As in the first to fifth embodiments, the present invention can be arranged between the gate wiring inspection circuit 511 and the TEST-clockwise gate terminal 521 by turning the connecting portion 23 clockwise. Accordingly, the wiring resistance between the counterclockwise gate wiring inspection circuit 512 and the TEST-counterclockwise gate terminal 522 can be adjusted. For example, unevenness in the upper and lower parts of the display area 11 during the simple lighting inspection can be improved. Thereby, the display inspection can be reliably performed.

実施の形態1〜8で示した、接続部23は、対向基板の対向電極が形成されていない領域に配置する。または、接続部23が設けられている部分に対向する領域では、対向基板の対向電極を除去する。このように、接続部23は対向電極と対向配置されないようにする。すなわち、接続部23は対応電極が設けられていない領域に形成される。これにより、短絡、腐食を防ぐことができ、信頼性の低下を防ぐことができる。さらに、上記の実施の形態1〜8は配線レイアウトに応じて、適宜組み合わせることも可能である。また、一部の引き回し配線にのみ、接続部23を形成してもよい。上記の配線構造では、額縁領域12を利用しているため、簡易な構成とすることができる。なお、各ドライバICの数は2個以上であってもよい。   The connection portion 23 shown in the first to eighth embodiments is disposed in a region where the counter electrode of the counter substrate is not formed. Alternatively, the counter electrode of the counter substrate is removed in a region facing the portion where the connection portion 23 is provided. Thus, the connection part 23 is made not to be opposed to the counter electrode. That is, the connecting portion 23 is formed in a region where no corresponding electrode is provided. Thereby, a short circuit and corrosion can be prevented, and the fall of reliability can be prevented. Furthermore, the above-described first to eighth embodiments can be appropriately combined according to the wiring layout. Further, the connection portion 23 may be formed only on a part of the routing wiring. In the above wiring structure, since the frame region 12 is used, a simple configuration can be achieved. Note that the number of driver ICs may be two or more.

このように、端子と、信号線の間の引き回し配線の抵抗値を調整することで表示ムラを低減することができる。   In this manner, display unevenness can be reduced by adjusting the resistance value of the lead wiring between the terminal and the signal line.

本発明にかかる液晶表示パネルの一構成例を示す平面図である。It is a top view which shows the example of 1 structure of the liquid crystal display panel concerning this invention. 本発明の実施の形態1にかかるにかかる液晶表示パネルの接続部の一構成例を示す平面図である。It is a top view which shows one structural example of the connection part of the liquid crystal display panel concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1にかかるにかかる液晶表示パネルの接続部の一構成例を示す概略模式図である。It is a schematic diagram which shows one structural example of the connection part of the liquid crystal display panel concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態2にかかる液晶表示パネルの接続部の一構成例を示す概略模式図である。It is a schematic diagram which shows one structural example of the connection part of the liquid crystal display panel concerning Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態3にかかるに係る液晶表示パネルの接続部の一構成例を示す概略模式図である。It is a schematic diagram which shows one structural example of the connection part of the liquid crystal display panel concerning Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態4にかかるに係る液晶表示パネルの接続部の一構成例を示す概略模式図である。It is a schematic diagram which shows the example of 1 structure of the connection part of the liquid crystal display panel concerning Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態5にかかるに係る液晶表示パネルの接続部の一構成例を示す概略模式図である。It is a schematic diagram which shows one structural example of the connection part of the liquid crystal display panel concerning Embodiment 5 of this invention. 本発明の実施の形態5にかかるに係る液晶表示パネルの接続部の一構成例を示す概略模式図である。It is a schematic diagram which shows one structural example of the connection part of the liquid crystal display panel concerning Embodiment 5 of this invention. 本発明の実施の形態6に係る液晶表示パネルの構成例を示す平面図である。It is a top view which shows the structural example of the liquid crystal display panel which concerns on Embodiment 6 of this invention. 本発明の実施の形態7に係る液晶表示パネルの構成例を示す平面図である。It is a top view which shows the structural example of the liquid crystal display panel which concerns on Embodiment 7 of this invention. 本発明の実施の形態8に係る液晶表示パネルの検査回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the test | inspection circuit of the liquid crystal display panel which concerns on Embodiment 8 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 液晶表示パネル、2 アレイ基板、11 表示領域、12 額縁領域、16 画素、22 COG端子、23 接続部、62 検査端子群、71 共通CS配線、
131 ゲート配線、131a ゲート引き回し配線、132 ソース配線、
132a ソース引き回し配線、141 ゲートドライバIC、
142 ソースドライバIC、150 ドライバIC、
231 ゲート配線膜、232 配線切断部、233 接続導電膜、
234 コンタクトホール、236 絶縁膜、236a 下層絶縁膜、
236b 上層絶縁膜
510 検査回路、511 右回しゲート配線用検査回路、
512 左回しゲート配線用検査回路、522、TEST−左回しゲート端子
527 COMMON端子、513 ソース配線用検査回路
523TEST−R端子、524 TEST−G端子、525 TEST−B端子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Liquid crystal display panel, 2 Array board | substrate, 11 Display area | region, 12 Frame area | region, 16 pixels, 22 COG terminal, 23 Connection part, 62 Inspection terminal group, 71 Common CS wiring,
131 gate wiring, 131a gate routing wiring, 132 source wiring,
132a source routing wiring, 141 gate driver IC,
142 source driver IC, 150 driver IC,
231 gate wiring film, 232 wiring cutting part, 233 connection conductive film,
234 contact hole, 236 insulating film, 236a lower insulating film,
236b upper-layer insulating film 510 inspection circuit, 511 right-turn gate wiring inspection circuit,
512 Left turn gate wiring inspection circuit 522 TEST-left turn gate terminal 527 COMMON terminal 513 Source wiring inspection circuit 523 TEST-R terminal 524 TEST-G terminal 525 TEST-B terminal

Claims (11)

基板上に形成された長さの異なる複数の引き回し配線と、
前記複数の引き回し配線に対応して設けられ、前記引き回し配線を切断する複数の配線切断部と、
前記配線切断部で切断された引き回し配線を接続する接続部とを備え、
前記接続部には、前記配線切断部によって切断された引き回し配線を導通させる接続導電膜が形成され、
前記複数の引き回し配線間の抵抗差に応じて、前記接続導電膜の幅、及び前記配線切断部の長さの少なくとも一方が、前記複数の引き回し配線間で変化している配線構造。
A plurality of lead wires of different lengths formed on the substrate;
A plurality of wiring cutting portions provided corresponding to the plurality of routing wirings, and cutting the routing wirings;
A connection part for connecting the routing wiring cut by the wiring cutting part,
In the connection portion, a connection conductive film is formed that conducts the routing wiring cut by the wiring cutting portion,
A wiring structure in which at least one of a width of the connection conductive film and a length of the wiring cut portion is changed between the plurality of routing wirings in accordance with a resistance difference between the plurality of routing wirings.
基板上に形成された第1導電層を有する複数の引き回し配線と、
前記第1導電層の上に設けられた第2導電層と、
前記第1導電層と前記第2導電層との間に配置された下層絶縁膜と、
前記複数の引き回し配線に対応して設けられ、前記引き回し配線の一部の区間を前記第1導電層と前記第2導電層とを有する積層構造にするよう前記引き回し配線の2箇所に設けられた接続部と、
前記接続部において前記第1導電層と前記第2導電層とを接続する接続導電膜と、を備え、
前記2箇所に設けられた前記接続部において、前記第2導電層の幅、及び長さの少なくとも一方が、前記複数の引き回し配線間の抵抗差に応じて前記複数の引き回し配線間で変化している配線構造。
A plurality of routing wires having a first conductive layer formed on the substrate;
A second conductive layer provided on the first conductive layer;
A lower insulating film disposed between the first conductive layer and the second conductive layer;
Provided corresponding to the plurality of routing wirings, and provided in two locations of the routing wiring so that a part of the routing wiring has a laminated structure including the first conductive layer and the second conductive layer. A connection,
A connection conductive film connecting the first conductive layer and the second conductive layer in the connection portion;
In the connection portion provided at the two locations, at least one of the width and the length of the second conductive layer varies between the plurality of routing wires in accordance with a resistance difference between the plurality of routing wires. Wiring structure.
前記接続導電膜が前記複数の引き回し配線間の抵抗差に応じて、前記接続導電膜の幅、及び長さの少なくとも一方が、前記複数の引き回し配線間で変化している請求項2に記載の配線構造。   3. The connection conductive film according to claim 2, wherein at least one of a width and a length of the connection conductive film changes between the plurality of lead wirings according to a resistance difference between the plurality of lead wirings. Wiring structure. 前記接続導電膜が前記引き回し配線よりも高抵抗材料で形成されている請求項1乃至3のいずれかに記載の配線構造。   4. The wiring structure according to claim 1, wherein the connection conductive film is formed of a material having a higher resistance than the routing wiring. 前記接続導電膜が1本の前記引き回し配線に対して並列に接続されている請求項1乃至4のいずれかに記載の配線構造。   The wiring structure according to any one of claims 1 to 4, wherein the connection conductive film is connected in parallel to one lead wiring. 表示領域内に形成され、前記引き回し配線とそれぞれ接続される複数の信号配線と、
前記表示領域の外側の額縁領域に設けられ、前記信号配線に信号を供給する駆動回路とをさらに備え、
前記複数の引き回し配線が前記額縁領域に形成され、
前記駆動回路の近傍に前記接続導電膜が形成されている請求項1乃至5のいずれかに記載の配線構造。
A plurality of signal wirings formed in the display area and connected to the routing wirings;
A drive circuit that is provided in a frame area outside the display area and that supplies a signal to the signal wiring;
The plurality of routing wires are formed in the frame region;
The wiring structure according to claim 1, wherein the connection conductive film is formed in the vicinity of the drive circuit.
表示領域内に形成され、前記複数の引き回し配線とそれぞれ接続される複数の信号配線と、
前記複数の引き回し配線が前記表示領域の外側に配置された額縁領域に形成され、
前記表示領域の端辺近傍に前記接続導電膜が形成されている請求項1乃至6のいずれかに記載の配線構造。
A plurality of signal lines formed in the display area and connected to the plurality of routing lines;
The plurality of routing wirings are formed in a frame region disposed outside the display region,
The wiring structure according to claim 1, wherein the connection conductive film is formed in the vicinity of an edge of the display region.
前記接続導電膜が前記表示領域の対向する2端辺の近傍にそれぞれ配置されている請求項7に記載の配線構造。   The wiring structure according to claim 7, wherein the connection conductive film is disposed in the vicinity of two opposing sides of the display region. 前記表示領域内に設けられた透明画素電極をさらに有し、
前記透明画素電極と同じ透明導電膜によって、前記接続導電膜が形成されている請求項6乃至8のいずれかに記載の配線構造。
A transparent pixel electrode provided in the display area;
The wiring structure according to claim 6, wherein the connection conductive film is formed of the same transparent conductive film as the transparent pixel electrode.
前記基板と対向配置され、対向電極を有する対向基板をさらに備え、
前記接続部が、前記対向電極が設けられている領域以外に形成されている請求項6乃至9のいずれかに記載の配線構造。
A counter substrate disposed opposite to the substrate and having a counter electrode;
The wiring structure according to claim 6, wherein the connection portion is formed in a region other than the region where the counter electrode is provided.
請求項1乃至10のいずれかに記載の配線構造が設けられた配線基板を有する表示装置。   A display device comprising a wiring board provided with the wiring structure according to claim 1.
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