JP2007532923A - マイクロメカニクスおよびナノメカニクス装置の金属薄膜ピエゾ抵抗変換および自己感知式spmプローブへの応用 - Google Patents
マイクロメカニクスおよびナノメカニクス装置の金属薄膜ピエゾ抵抗変換および自己感知式spmプローブへの応用 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007532923A JP2007532923A JP2007508618A JP2007508618A JP2007532923A JP 2007532923 A JP2007532923 A JP 2007532923A JP 2007508618 A JP2007508618 A JP 2007508618A JP 2007508618 A JP2007508618 A JP 2007508618A JP 2007532923 A JP2007532923 A JP 2007532923A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cantilever
- metal film
- piezoresistive
- film
- probe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 96
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title abstract description 44
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 claims description 2
- 101100460147 Sarcophaga bullata NEMS gene Proteins 0.000 claims 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 29
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 23
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 19
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 14
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 229910001006 Constantan Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 alloys such as W Chemical class 0.000 description 2
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000004628 non contact atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q20/00—Monitoring the movement or position of the probe
- G01Q20/04—Self-detecting probes, i.e. wherein the probe itself generates a signal representative of its position, e.g. piezoelectric gauge
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B5/00—Measuring arrangements characterised by the use of mechanical techniques
- G01B5/28—Measuring arrangements characterised by the use of mechanical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/34—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
- G01Q60/24—AFM [Atomic Force Microscopy] or apparatus therefor, e.g. AFM probes
- G01Q60/38—Probes, their manufacture, or their related instrumentation, e.g. holders
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
Description
本出願は、2003年5月7日出願の米国特許仮出願番号60/468,452号の優先権の特典を請求する2004年4月16日出願の米国特許出願第10/826,007号の一部継続出願である。本出願はまた、2004年4月15日出願の米国特許仮出願第60/562,652号の優先権を請求する。上記出願の全てを引用して本明細書に組み込む。
1.発明の分野
本発明は、マイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)およびナノエレクトロメカニカルシステム(NEMS)のためのピエゾ抵抗型センサに関する。
ピエゾ抵抗型変位検出技法は、完全に集積化でき、かつ簡単に用いることができるので、マイクロエレクトロメカニカルシステムおよびナノエレクトロメカニカルシステム(MEMSおよびNEMS)両方にとって魅力的である。用途には、走査プローブ顕微鏡、力および圧力センサ、流量センサ、化学および生物センサ、ならびに、加速度計および運動変換器等の慣性センサが含まれる。これら用途のほとんどは、感知素子としてp型ドープシリコン層を用いる。ドープシリコンはかなり高いゲージ率(20〜100)を有するが、シート抵抗値も高く(10kΩ/スクエア)、従って、比較的高い熱ノイズレベルを有する。また、キャリア密度が低いので、ドープシリコンでは1/fノイズが非常に高いと予想される。また、イオン注入または分子線エピタキシ等の半導体ピエゾ抵抗の製造工程は、複雑かつ高価である。さらに、半導体材料は、工程中で損傷を受けやすいということもある。従って、これらは、ナノスケールの寸法で用いるのには適していない。
本発明の実施の形態は、可動素子と可動素子の動きをピエゾ抵抗感知するために用いる金属薄膜とを備えるマイクロまたはナノメカニカルデバイスを提供する。
本発明の実施の形態は、マイクロメカニクスおよびナノメカニクスシステムのピエゾ抵抗型自己感知素子として用いる金属膜に向けられている。これらのシステムは、マイクロエレクトロメカニカルおよびナノエレクトロメカニカルシステムを備えることが好ましい。
金属薄膜
上記説明のように、好適な共振器の構造は、カンチレバー付きのNEMSまたはMEMS構造等のカンチレバーを備える。図1aおよび図1bに、2つの実施例のカンチレバーのSEMイメージを示す。図1aは、長さ10μm、幅2μmの、f0=1.5MHzをもつカンチレバーのSEMイメージである。図1bは、長さ33μm、幅4μmの、f0=52kHzをもつカンチレバーのSEMイメージである。デバイスは最終抵抗値150Ωを有する。図1aおよび図1bに示すように、カンチレバー1は、接触パッドを含むカンチレバー基部5の近傍に開口部またはノッチ3を含むことが好ましい。ノッチ3を取り囲むカンチレバー1の部分は、「脚部」7と称する。金薄膜9は、少なくともカンチレバーの脚部7に形成されるのが好ましい。望みであれば、ノッチ3を省略してもよい。
図5aおよび図5bは、原子間力顕微鏡のための自己感知型カンチレバープローブに金属薄膜を用いる実施例を示す。図5aは、長さ150μm×幅30μm×厚さ4μmのマイクロスケール寸法をもつマイクロマシンカンチレバー(すなわちプローブ)11の略図であり、図5bは、そのSEMイメージである。プローブ11は、カンチレバー1、ノッチ3、基部5、脚部7、金属膜9および鋭いAFMチップ13を含む。金属膜9は、カンチレバーのチップ13と同じ側に形成するのが、必ずではないが好ましい。図5に示す特定のプローブ11は、タップモードAFMのために設計されている。接触モードのAFMのためのプローブも、以下に詳細に説明するように、同様に設計できるが、バネ定数はずっと小さい。
図6は、本発明の別の実施例による、図5bのものと類似のカンチレバー上の金属膜のピエゾ抵抗応答を示す。カンチレバーは、長さ125μm、幅40μm、厚さ4μmであり、従来型チップを有する。カンチレバーは、タップモードAFM用に設計された自己感知型プローブ11に適合している(すなわち、これは、図1aに示すNEMSデバイスより大きなMEMSデバイスである)。金薄膜が、カンチレバーの2つの脚を覆い、電流ループを形成する。図6に示すように、非常に強いピエゾ抵抗応答が観察される。非共振のバックグラウンド信号を生データから差し引いてある。この特定カンチレバーのQファクタは、空気中で約220である。真空状態の方がピエゾ抵抗応答は強くなり、Qファクタは約360に上昇する。真空でのデータは、視覚的検査ができるように右側にずらしてある。
Claims (28)
- マイクロメカニクスまたはナノメカニクスデバイスであって、可動素子と、前記可動素子の動きをピエゾ抵抗感知するために用いる金属膜とを備えるデバイス。
- 前記可動素子が共振器を備える請求項1のデバイス。
- 前記共振器がカンチレバーを備える請求項2のデバイス。
- 前記カンチレバーが半導体材料を含む請求項3のデバイス。
- 前記金属膜が前記カンチレバーの表面上に被覆されている請求項3のデバイス。
- 前記カンチレバーが、ノッチと、前記ノッチを取り囲む脚部とを備え、前記金属膜が、前記カンチレバーの少なくとも前記脚部上に配置される請求項5のデバイス。
- 前記ノッチが、前記カンチレバーの基部に隣接して配置される前記カンチレバーを通るスルーホールを備える請求項6のデバイス。
- 前記デバイスが、前記カンチレバーの第1面上にAFMチップを含むAFMプローブを備える請求項3のデバイス。
- 前記金属薄膜が、前記カンチレバーの前記第1面上に配置されている請求項8のデバイス。
- 前記金属薄膜が、前記カンチレバーの前記第1面と対向する前記カンチレバーの第2面上に配置される請求項8のデバイス。
- 前記AFMプローブが接触型プローブを含む請求項8のデバイス。
- 前記AFMプローブが非接触型プローブを含む請求項8のデバイス。
- 更に、前記金属薄膜にバイアスを加えるよう成されるバイアス源と、前記金属薄膜からもたらされる信号を検出するよう成される検出器とを備える請求項8のデバイス。
- 前記バイアス源がACバイアス源を備え、前記検出器が位相感知検出器を備える請求項13のデバイス。
- 前記検出器がロックインアンプを備える請求項14のデバイス。
- 前記共振器が、ねじり共振器、両端固定ビーム、およびダイヤフラム共振器から成るグループから選定される請求項2のデバイス。
- 前記金属膜が、10nm〜10μmの厚さを有する自己感知膜を備え、前記可動素子が少なくとも一次元において100μm以下である請求項1のデバイス。
- 前記金属膜が、Au、Pt、W、Al、Ni、Cu、Cr、Ag、Pd、Pt−Cr、ニッケル銅、ニッケルクロム、Pt−W、イソエラスティック(Isoelastic)、カルマ(Karma)、Ni−AgおよびアーマーD(Armour D)から成るグループから選定される請求項1のデバイス。
- 前記金属膜が、10〜100nmの厚さを有するAu、Pt、W、またはAl膜を含む請求項18のデバイス。
- 前記デバイスが、SPMプローブ、力センサ、圧力センサ、流量センサ、化学センサ、生物学センサ、および慣性センサから成るグループから選定されるMEMSまたはNEMSを含む請求項1のデバイス。
- SPMプローブを作製する方法であって、基板を準備するステップと、基板の前面および背面側にマスク層を形成するステップと、前記マスク層をパターン化するステップと、前記基板の前面側のパターン化したマスク層を用いて、前記基板の前記前面側にSPMチップを形成するステップと、前記基板の前記前面にパターン化した金属膜ピエゾ抵抗型センサを形成するステップと、背面側マスク層の開口部を通じて前記背面側から前記基板をエッチングして、前記SPMチップおよび前記金属膜を支持するカンチレバーを形成するステップとを含むSPMプローブを作製する方法。
- 可動素子およびピエゾ抵抗膜を備えるマイクロメカニクスまたはナノメカニクスデバイスを動作させる方法であって、前記ピエゾ抵抗膜にバイアスを加えるステップと、前記膜の前記ピエゾ抵抗応答を検出して、前記可動素子の動きの量を決定するステップとを含む方法。
- 前記膜が金属膜を含む請求項22の方法。
- 前記膜が半導体膜を含む請求項22の方法。
- 前記デバイスがAFMプローブを含む請求項22の方法。
- 更に、前記金属膜の前記ピエゾ抵抗応答に基づく前記AFMプローブで検査した表面の特性を決定するステップまたはそれをイメージ化するステップの内の少なくともどちらかを含む請求項25の方法。
- 前記AFMプローブを接触モードで用いるとともに、前記金属膜の前記ピエゾ抵抗応答を検出する前記ステップが、前記金属膜にACバイアスを加えるステップと、前記AC電圧を測定するステップとを含む請求項25の方法。
- 前記AFMプローブを非接触モードで用いるとともに、前記金属膜の前記ピエゾ抵抗応答を検出する前記ステップが、第1周波数で前記金属膜にACバイアスを加えるステップと、前記第1周波数と異なる第2周波数で前記AFMプローブを駆動するステップと、前記第1および第2周波数の差周波数または和周波数で前記プローブの機械応答を検出するステップとを含む請求項25の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US56265204P | 2004-04-15 | 2004-04-15 | |
US10/826,007 US7302856B2 (en) | 2003-05-07 | 2004-04-16 | Strain sensors based on nanowire piezoresistor wires and arrays |
PCT/US2005/013101 WO2005103604A2 (en) | 2004-04-15 | 2005-04-15 | Metallic thin film piezoresistive transduction in micromechanical and nanomechanical devices and its application in self-sensing spm probes |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007532923A true JP2007532923A (ja) | 2007-11-15 |
Family
ID=37575013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007508618A Pending JP2007532923A (ja) | 2004-04-15 | 2005-04-15 | マイクロメカニクスおよびナノメカニクス装置の金属薄膜ピエゾ抵抗変換および自己感知式spmプローブへの応用 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1749185A2 (ja) |
JP (1) | JP2007532923A (ja) |
KR (1) | KR20070011433A (ja) |
WO (1) | WO2005103604A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014526684A (ja) * | 2011-09-08 | 2014-10-06 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 液体中の低ノイズ力検出センサ |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7055378B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-06 | Veeco Instruments, Inc. | System for wide frequency dynamic nanomechanical analysis |
CN104808017B (zh) * | 2014-01-26 | 2018-08-24 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 用于近场光学显微镜的探针及其制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08262039A (ja) * | 1995-03-23 | 1996-10-11 | Shimadzu Corp | 走査型プローブ顕微鏡 |
JPH09304409A (ja) * | 1996-05-14 | 1997-11-28 | Seiko Instr Inc | 力変位センサ付カンチレバー |
JPH10282129A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-10-23 | Seiko Instr Inc | 半導体歪センサおよびこれを用いた走査型プローブ顕微鏡 |
JPH11352136A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-24 | Nikon Corp | プローブ及びこのプローブを用いた顕微鏡 |
JP2001272325A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Seiko Instruments Inc | 自己検知型プローブ用検出回路及び走査型プローブ装置 |
JP2001337025A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Seiko Instruments Inc | 走査型プローブ装置およびその走査用プローブ |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5366801A (en) * | 1992-05-29 | 1994-11-22 | Triangle Research And Development Corporation | Fabric with reversible enhanced thermal properties |
US6185991B1 (en) * | 1998-02-17 | 2001-02-13 | Psia Corporation | Method and apparatus for measuring mechanical and electrical characteristics of a surface using electrostatic force modulation microscopy which operates in contact mode |
US6945099B1 (en) * | 2002-07-02 | 2005-09-20 | Veeco Instruments Inc. | Torsional resonance mode probe-based instrument and method |
US7041963B2 (en) * | 2003-11-26 | 2006-05-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Height calibration of scanning probe microscope actuators |
-
2005
- 2005-04-15 JP JP2007508618A patent/JP2007532923A/ja active Pending
- 2005-04-15 WO PCT/US2005/013101 patent/WO2005103604A2/en active Application Filing
- 2005-04-15 KR KR1020067022984A patent/KR20070011433A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-04-15 EP EP05736813A patent/EP1749185A2/en not_active Withdrawn
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08262039A (ja) * | 1995-03-23 | 1996-10-11 | Shimadzu Corp | 走査型プローブ顕微鏡 |
JPH09304409A (ja) * | 1996-05-14 | 1997-11-28 | Seiko Instr Inc | 力変位センサ付カンチレバー |
JPH10282129A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-10-23 | Seiko Instr Inc | 半導体歪センサおよびこれを用いた走査型プローブ顕微鏡 |
JPH11352136A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-24 | Nikon Corp | プローブ及びこのプローブを用いた顕微鏡 |
JP2001272325A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Seiko Instruments Inc | 自己検知型プローブ用検出回路及び走査型プローブ装置 |
JP2001337025A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Seiko Instruments Inc | 走査型プローブ装置およびその走査用プローブ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014526684A (ja) * | 2011-09-08 | 2014-10-06 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 液体中の低ノイズ力検出センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070011433A (ko) | 2007-01-24 |
WO2005103604A2 (en) | 2005-11-03 |
WO2005103604A3 (en) | 2007-03-15 |
EP1749185A2 (en) | 2007-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7617736B2 (en) | Metallic thin film piezoresistive transduction in micromechanical and nanomechanical devices and its application in self-sensing SPM probes | |
US7552645B2 (en) | Detection of resonator motion using piezoresistive signal downmixing | |
Pedrak et al. | Micromachined atomic force microscopy sensor with integrated piezoresistive sensor and thermal bimorph actuator for high-speed tapping-mode atomic force microscopy phase-imaging in higher eigenmodes | |
Thaysen et al. | Atomic force microscopy probe with piezoresistive read-out and a highly symmetrical Wheatstone bridge arrangement | |
JP5891465B2 (ja) | 表面応力センサ | |
KR100214152B1 (ko) | 원자력 현미경용 압저항 캔틸레버 | |
US8297837B1 (en) | Metal and semimetal sensors near the metal insulator transition regime | |
Jóźwiak et al. | The spring constant calibration of the piezoresistive cantilever based biosensor | |
US8646111B2 (en) | Coupled mass-spring systems and imaging methods for scanning probe microscopy | |
JPH10282130A (ja) | プローブとそれを用いた走査型プローブ顕微鏡 | |
Takahashi et al. | Self-sensing piezoresistive cantilever and its magnetic force microscopy applications | |
Rangelow et al. | Fabrication of piezoresistive-sensed AFM cantilever probe with integrated tip | |
JP2007532923A (ja) | マイクロメカニクスおよびナノメカニクス装置の金属薄膜ピエゾ抵抗変換および自己感知式spmプローブへの応用 | |
Gotszalk et al. | Fabrication of multipurpose piezoresistive Wheatstone bridge cantilevers with conductive microtips for electrostatic and scanning capacitance microscopy | |
JPH08297129A (ja) | 原子間力顕微鏡用カンチレバー及びその製造方法 | |
WO2011062491A1 (en) | Thermogravimetric device | |
CN101072986A (zh) | 微机械与纳机械器件中的金属薄膜压阻传感及其在自感测spm探针中的应用 | |
Despont et al. | Dual-cantilever AFM probe for combining fast and coarse imaging with high-resolution imaging | |
JPH11326350A (ja) | カンチレバー型プローブ、それによって構成したマルチ化プローブおよび走査型プローブ顕微鏡 | |
WO2005081929A2 (en) | Detection of resonator motion using piezoresistive signal downmixing | |
JP3768639B2 (ja) | カンチレバー型プローブ及び該プローブを備えた走査型プローブ顕微鏡 | |
Cho et al. | Fabrication of sharp knife-edged micro probe card combined with shadow mask deposition | |
Narducci et al. | A high sensitivity silicon microcantilever based mass sensor | |
Xu et al. | Recent Progress in Self-sensing Probe Technology in Atomic Force Microscope | |
Mohanasundaram et al. | Cantilever resonator with integrated actuation and sensing fabricated using a single step lithography |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080110 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091027 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100126 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100205 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100727 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101022 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101029 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101125 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101202 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110302 |