JP2007531054A - マスクをエッチングするためのシステムおよび方法 - Google Patents
マスクをエッチングするためのシステムおよび方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007531054A JP2007531054A JP2007506163A JP2007506163A JP2007531054A JP 2007531054 A JP2007531054 A JP 2007531054A JP 2007506163 A JP2007506163 A JP 2007506163A JP 2007506163 A JP2007506163 A JP 2007506163A JP 2007531054 A JP2007531054 A JP 2007531054A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- critical dimension
- trim amount
- pattern
- variable parameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 119
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 82
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 91
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 8
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 claims description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 38
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 5
- 238000001636 atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 101100215341 Arabidopsis thaliana ACT12 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100434207 Arabidopsis thaliana ACT8 gene Proteins 0.000 description 1
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100023698 C-C motif chemokine 17 Human genes 0.000 description 1
- 101000978362 Homo sapiens C-C motif chemokine 17 Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000013499 data model Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012771 pancakes Nutrition 0.000 description 1
- 238000009931 pascalization Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000003134 recirculating effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001392 ultraviolet--visible--near infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
TA=2OE ER横方向(τ/ER縦方向) (1)
ここで、OEは、過剰エッチングの量(たとえば、OE=10%の過剰エッチングの場合1.1)を表し、ER横方向は横方向のエッチング速度を表し、ER縦方向は縦方向のエッチング速度を表し、τは第1層14の厚さを表す。方程式(1)を見ると、トリム量(TA)はエッチング速度比(ERR)に正比例する。次に、図11を参照すると、トリム量データは、O2比の関数として表されている。アスタリスク(*)はデータ(つまり、未加工データから)を表し、実線はデータのカーブフィットを表し、点線は予測される95%信頼限界を示す。カーブフィットは、以下の形態である。
TA=x+a)/bx+c) (2)
ここで、a、b、およびcは定数である。図12に示すように、モデルの本来の境界(たとえば、0.25<O2比<0.4)外におけるプロセスモデルの外挿は、たとえば、多項式フィットの改善を示す。たとえば、表1は、二次多項式、三次多項式、および方程式(2)の形態の式(つまり、ERに基づくモデル)のカーブフィット統計を示す。カーブフィット統計としては、予測R2、二乗平均平方根誤差(RSME)、最大予測誤差、平均予測誤差、および予測RMSEが挙げられる。
xnew,a=(1−λ)xnew+λy (3)
Claims (20)
- 1ステップマスク開放プロセスを行う方法であって、
第1層を基材上に形成するステップと、
第2層を第1層上に形成するステップと、
パターンを前記第2層に形成するステップであって、前記パターンが、第1限界寸法を有する前記第2層にフィーチャを含むステップと、
前記第1限界寸法を第2限界寸法に縮小するための目標トリム量を設定するステップと、
前記目標トリム量、およびトリム量データを前記可変パラメーターに関連付けるプロセスモデルを使用してプロセスレシピの可変パラメーターを決定するステップと、
前記プロセスレシピを使用して、パターンを前記第2層から前記第1層に転写し、その際、前記第1層内の前記フィーチャの前記第2限界寸法を達成するステップとを含む方法。 - 前記目標トリム量を設定する前記ステップが、前記第1限界寸法と前記第2限界寸法との差を決定するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記可変パラメーターを決定するステップが、第1プロセスガスの量、第2プロセスガスの量、前記第1プロセスガスおよび前記第2プロセスガス全体の量、チャンバ圧、もしくは少なくとも1つのRF電力、またはこれらの2種類以上の任意の組合せを設定するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記可変パラメーターを決定するステップが、CF4の流量、O2の流量、チャンバ圧、上部電極に対するRF電力、もしくは下部電極に対するRF電力、またはこれらの2種類以上の任意の組合せを設定するステップを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記可変パラメーターを決定するステップが、前記第1プロセスガスの前記量を前記プロセスモデルから決定するステップと、前記第2プロセスガスの前記量を前記第1プロセスガスの前記量、並びに前記第1プロセスガスおよび前記第2プロセスガスの前記全体量から決定するステップとを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記可変パラメーターを決定する前記ステップが、トリム量データ(y)をy=(x+a)/(bx+c)、ここで、a、b、およびcは定数の形式の前記可変パラメーター(x)に関連付けるプロセスモデルを使用することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1層を形成するステップが、スピンオン塗布および/または蒸着を使用することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1層を形成する前記ステップが、有機層を形成することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第2層を形成するステップが、スピンオン塗布および/または蒸着を使用することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第2層を形成する前記ステップが、感光性材料の層を形成することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記パターンを前記第2層に形成する前記ステップが、マイクロリソグラフィを使用することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記パターンを前記第2層から前記第1層に転写する前記ステップが、前記プロセスレシピに従ってドライプラズマエッチングを使用することを含む、請求項1に記載の方法。
- パターンを前記第2層から前記第1層に転写する前記ステップが、縦方向エッチングを介して行われ、前記第2限界寸法を前記第1限界寸法から達成するステップが、横方向エッチングを介して行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記縦方向エッチングおよび前記横方向エッチングが同時に行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記パターンの転写後、前記第2フィーチャの前記第2限界寸法を測定するステップと、
前記目標トリム量を前記第1限界寸法と第2限界寸法との差と比較するステップと、
前記比較から偏差を決定するステップと、
別の基材の新しい目標トリム量を決定するステップと、
前記偏差を使用して、前記新しい目標トリム量を調節するステップとをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記新しいトリム量を調節する前記ステップがフィルタを使用することを含む、請求項15に記載の方法。
- 前記フィルタを使用するステップが、xnew,a=(1−λ)xnew+λy、ここで、xnew,aは調節された新しいトリム量、xnewは新しいトリム量、2はフィルタ定数、yは偏差である形式のフィルタを使用することを含む、請求項16に記載の方法。
- プロセスモデルを作成する方法であって、
第1のフィーチャのサイズを有するパターンを基材の上にある層から下にある層に転写するための名目プロセスレシピを画定するステップであって、前記名目プロセスレシピが、少なくとも1つの可変パラメーターおよび少なくとも1つの定数パラメーターを含むステップと、
前記少なくとも1つの可変パラメーターの1つまたは複数の値のトリム量を測定することによって、トリム量データを前記少なくとも1つの可変パラメーターの関数として蓄積するステップと、
前記トリム量データを前記少なくとも1つの可変パラメーターの関数としてカーブフィットするステップとを含む方法。 - 前記カーブフィットが、y=(x+a)/bx+c)、ここでa、b、およびcは定数、xは少なくとも1つの可変パラメーター、およびyはトリム量である形式の式を使用して、前記トリム量データを前記可変パラメーターの関数としてフィットするステップを含む、請求項18に記載の方法。
- エッチングシステムであって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバに結合され、基材を支持するように構成された基材保持具と、
前記処理チャンバに結合され、プラズマを前記処理チャンバ内に形成するように構成されたプラズマ源と、
前記処理チャンバに結合され、プロセスガスを前記処理チャンバに導入するように構成されたガス射出システムと、
前記処理チャンバ、前記基材保持具、前記プラズマ源、もしくは前記ガス射出システム、またはこれらの2種類以上の任意の組合せに結合され、プロセスレシピを実行して、第1限界寸法のフィーチャを有するパターンを前記基材上の上にある層から下にある層に転写し、その際、プロセスモデルによって設定された目標トリム量によって前記第1限界寸法を第2限界寸法に縮小するように構成された制御装置とを備えるエッチングシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/813,570 US6893975B1 (en) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | System and method for etching a mask |
PCT/US2005/004070 WO2005104217A2 (en) | 2004-03-31 | 2005-02-08 | System and method for etching a mask |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007531054A true JP2007531054A (ja) | 2007-11-01 |
JP2007531054A5 JP2007531054A5 (ja) | 2008-02-28 |
Family
ID=34574882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007506163A Pending JP2007531054A (ja) | 2004-03-31 | 2005-02-08 | マスクをエッチングするためのシステムおよび方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6893975B1 (ja) |
EP (1) | EP1730769B1 (ja) |
JP (1) | JP2007531054A (ja) |
KR (1) | KR101142709B1 (ja) |
CN (1) | CN100511621C (ja) |
TW (1) | TWI270121B (ja) |
WO (1) | WO2005104217A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011040757A (ja) * | 2009-08-17 | 2011-02-24 | Tokyo Electron Ltd | 六フッ化硫黄(sf6)および炭化水素ガスを用いた反射防止層のパターニング方法 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7323417B2 (en) * | 2004-09-21 | 2008-01-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming a recessed structure employing a reverse tone process |
US8075732B2 (en) * | 2004-11-01 | 2011-12-13 | Cymer, Inc. | EUV collector debris management |
US7292906B2 (en) * | 2004-07-14 | 2007-11-06 | Tokyo Electron Limited | Formula-based run-to-run control |
US7547504B2 (en) * | 2004-09-21 | 2009-06-16 | Molecular Imprints, Inc. | Pattern reversal employing thick residual layers |
US7205244B2 (en) * | 2004-09-21 | 2007-04-17 | Molecular Imprints | Patterning substrates employing multi-film layers defining etch-differential interfaces |
US7291285B2 (en) * | 2005-05-10 | 2007-11-06 | International Business Machines Corporation | Method and system for line-dimension control of an etch process |
US7259102B2 (en) * | 2005-09-30 | 2007-08-21 | Molecular Imprints, Inc. | Etching technique to planarize a multi-layer structure |
US7932181B2 (en) * | 2006-06-20 | 2011-04-26 | Lam Research Corporation | Edge gas injection for critical dimension uniformity improvement |
CN101296554B (zh) * | 2008-06-19 | 2011-01-26 | 友达光电股份有限公司 | 等离子体处理装置及其上电极板 |
US8039399B2 (en) * | 2008-10-09 | 2011-10-18 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming patterns utilizing lithography and spacers |
US8334083B2 (en) | 2011-03-22 | 2012-12-18 | Tokyo Electron Limited | Etch process for controlling pattern CD and integrity in multi-layer masks |
WO2015031163A1 (en) * | 2013-08-27 | 2015-03-05 | Tokyo Electron Limited | Method for laterally trimming a hardmask |
US9159561B2 (en) | 2013-12-26 | 2015-10-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for overcoming broken line and photoresist scum issues in tri-layer photoresist patterning |
CN105609415B (zh) * | 2015-12-25 | 2018-04-03 | 中国科学院微电子研究所 | 一种刻蚀方法 |
KR102576706B1 (ko) * | 2016-04-15 | 2023-09-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US11675274B2 (en) * | 2017-02-24 | 2023-06-13 | Asml Netherlands B.V. | Etch bias characterization and method of using the same |
CN109950140B (zh) * | 2019-04-18 | 2021-11-05 | 上海华力微电子有限公司 | 一种自对准双层图形的形成方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02303022A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-12-17 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | パターン形成方法 |
JP2002217170A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-08-02 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 微細パターンの形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2004022747A (ja) * | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Hitachi Ltd | エッチング処理装置及び処理方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3388986B2 (ja) * | 1996-03-08 | 2003-03-24 | 株式会社東芝 | 露光用マスク及びその製造方法 |
US5926690A (en) * | 1997-05-28 | 1999-07-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Run-to-run control process for controlling critical dimensions |
KR100881472B1 (ko) * | 1999-02-04 | 2009-02-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 소정 기판 상에 놓여져 있는 패턴화된 마스크 표면 위로 적층 구조물을 증착하기 위한 방법 |
US6235609B1 (en) * | 2000-04-03 | 2001-05-22 | Philips Electronics North America Corp. | Method for forming isolation areas with improved isolation oxide |
US6926843B2 (en) * | 2000-11-30 | 2005-08-09 | International Business Machines Corporation | Etching of hard masks |
US20030092281A1 (en) * | 2001-11-13 | 2003-05-15 | Chartered Semiconductors Manufactured Limited | Method for organic barc and photoresist trimming process |
US6858361B2 (en) * | 2002-03-01 | 2005-02-22 | David S. L. Mui | Methodology for repeatable post etch CD in a production tool |
US6716570B2 (en) * | 2002-05-23 | 2004-04-06 | Institute Of Microelectronics | Low temperature resist trimming process |
US6849151B2 (en) * | 2002-08-07 | 2005-02-01 | Michael S. Barnes | Monitoring substrate processing by detecting reflectively diffracted light |
US20050081781A1 (en) * | 2003-10-17 | 2005-04-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. | Fully dry, Si recess free process for removing high k dielectric layer |
US7094613B2 (en) * | 2003-10-21 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Method for controlling accuracy and repeatability of an etch process |
-
2004
- 2004-03-31 US US10/813,570 patent/US6893975B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-02-08 WO PCT/US2005/004070 patent/WO2005104217A2/en not_active Application Discontinuation
- 2005-02-08 EP EP05713181.5A patent/EP1730769B1/en not_active Not-in-force
- 2005-02-08 KR KR1020067010398A patent/KR101142709B1/ko active IP Right Grant
- 2005-02-08 JP JP2007506163A patent/JP2007531054A/ja active Pending
- 2005-02-08 CN CNB200580001599XA patent/CN100511621C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-31 TW TW094110233A patent/TWI270121B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-04-12 US US11/103,604 patent/US20050221619A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02303022A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-12-17 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | パターン形成方法 |
JP2002217170A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-08-02 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 微細パターンの形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2004022747A (ja) * | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Hitachi Ltd | エッチング処理装置及び処理方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011040757A (ja) * | 2009-08-17 | 2011-02-24 | Tokyo Electron Ltd | 六フッ化硫黄(sf6)および炭化水素ガスを用いた反射防止層のパターニング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050221619A1 (en) | 2005-10-06 |
EP1730769B1 (en) | 2016-07-06 |
EP1730769A2 (en) | 2006-12-13 |
KR101142709B1 (ko) | 2012-05-03 |
WO2005104217A3 (en) | 2005-12-29 |
US6893975B1 (en) | 2005-05-17 |
TWI270121B (en) | 2007-01-01 |
TW200537598A (en) | 2005-11-16 |
CN1906747A (zh) | 2007-01-31 |
WO2005104217A2 (en) | 2005-11-03 |
CN100511621C (zh) | 2009-07-08 |
KR20070005921A (ko) | 2007-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007531054A (ja) | マスクをエッチングするためのシステムおよび方法 | |
JP4861987B2 (ja) | 膜スタックをエッチングするための方法およびシステム | |
US7846645B2 (en) | Method and system for reducing line edge roughness during pattern etching | |
US7732340B2 (en) | Method for adjusting a critical dimension in a high aspect ratio feature | |
JP2007529899A (ja) | エッチング特性を改良するためのハードマスクを処理する方法およびシステム。 | |
US7465673B2 (en) | Method and apparatus for bilayer photoresist dry development | |
KR100989107B1 (ko) | 다층 포토레지스트 건식 현상을 위한 방법 및 장치 | |
KR20070051846A (ko) | 게이트 스택 에칭을 위한 방법 및 시스템 | |
US20050136681A1 (en) | Method and apparatus for removing photoresist from a substrate | |
US7344991B2 (en) | Method and apparatus for multilayer photoresist dry development | |
US8048325B2 (en) | Method and apparatus for multilayer photoresist dry development | |
US7767926B2 (en) | Method and system for dry development of a multi-layer mask using sidewall passivation and mask passivation | |
US20050136666A1 (en) | Method and apparatus for etching an organic layer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070910 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070921 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080109 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100316 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100514 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100831 |