JP2007529908A - 炭化ケイ素上に耐久性接触を有するデバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
<例1>
フィールドターミネーション無しのショットキーダイオードが、1.1E16cm−3の濃度で低濃度n−ドープされた、16μmのSiCエピタキシャル層を有する高濃度nドープSiC基板EE15に作製される。オーミック接触は、2500Åのニッケル層を蒸着して真空でアニールすることによって、基板の高ドープ側に作製された。500Åのレニウム層が、電子ビーム蒸着によってエピ層の上に蒸着された。レニウム層はパターン化され且つエッチングされて、1.77E−4cm2であるアノード接触が形成される。結果として得られるダイオードの電流対電圧特性は、テクトロニクスモデル577(Tektronix model 577)カーブトレーサーを使用して測定された。ダイオードは、4000Acm−2である、0.7Aの順電流で動作を維持するように観測された。
<例2>
フィールドターミネーション無しのショットキーダイオードが、9.3E15cm−3の濃度で低濃度n−ドープされた、4.8μmのSiCエピタキシャル層を有する高濃度nドープSiC基板GB9に作製される。オーミック接触は、2500Åのニッケル層を蒸着して真空でアニールすることによって、基板の高ドープ側に作製される。レニウム層は、rfマグネトロンスパッタによってエピ層の上に蒸着された。2500Åのレニウム層はパターン化され且つエッチングされて、2.475E−4cm2の領域を有する陽極コンタクトが形成される。結果として得られるダイオードは、逆バイアスがかけられ、電流対電圧特性が測定された。
<例3>
ブランケットフィールドターミネーション(blanket field termination)を有するショットキーダイオードは、1E16cm−3の濃度で低濃度n−ドープされた5μmのSiCエピタキシャル層を有する、3つの高濃度n−ドープSiC基板に作製された。オーミック接触は、2500Åのニッケル層を蒸着し且つ真空でアニールすることによって各基板の高濃度ドープ側に形成される。フィールドターミネーションは、各ウエハの全面をAr+のイオンビームでイオンミリングすることによって形成され、各ウエハは、250eVから500eVの範囲である異なるエネルギーのAr+イオンビームに曝される。2500Åのレニウム層が、rfマグネトロンスパッタによって、各ウエハのイオンミルされた面に蒸着された。レニウム層はパターン化され且つエッチングされて、4.9E−3cm2の面積を有する陽極コンタクトを形成する。結果として得られるダイオードの電流対電圧(IV)特性が測定された。
セルフアラインでイオンミルされたフィールドターミネーションを有するショットキーダイオードは、1E16cm−3の濃度で低濃度n−ドープされた、5μmのSiCエピタキシャル層を有する高濃度nドープSiC基板EZ6に作製された。オーミックコンタクトは、2500Åのニッケル層を蒸着して真空でアニールすることによって、基板の高濃度ドープ側に形成された。2500Åのレニウム層は、rfマグネトロンスパッタによって、ウエハのイオンミルされた面に蒸着された。レニウム層は、パターン化され且つエッチングされて、4.9E−3cm2である陽極コンタクトを形成する。セルフアラインされたフィールドターミネーションは、750eVのエネルギーに加速したAr+のイオンビームでウエハの全面をイオンミリングすることによって形成された。結果として得られるダイオードの電流対電圧(IV)特性が測定された。セルフアラインでイオンミルされたダイオードは終端されている。その理由は、例2における終端されていないダイオードに対して測定された444Vと比較して、セルフアラインされ、イオンミルされたダイオードは、530±25Vを超えるまで4mAcm−2に達していないからである。
<例5>
フィールドターミネーション無しのショットキーダイオードが、8E15cm−3の濃度で低濃度n−ドープされた、5μmのSiCエピタキシャル層を有する高濃度nドープSiC基板FH31に作製された。オーミック接触は、2500Åのニッケル層を蒸着して真空でアニールすることによって、基板の高ドープ側に作製された。2500Åのチタン層は、電子ビーム蒸着によってエピ層の上に蒸着された。チタン層はパターン化され且つエッチングされて、0.012cm2である陽極コンタクトが形成された。結果として得られるダイオードは、逆バイアスがかけられ、電流対電圧特性が測定された。
4mAcm−2の逆リーク電流密度でもたらされる逆バイアス電圧VRは213±50Vであった。
<例6>
ブランケットフィールドターミネーションを有するショットキーダイオードは、1E16cm−3の濃度で低濃度nドープされた5μmのSiCエピタキシャル層を有する、4つの高濃度nドープSiC基板に作製された。オーミックコンタクトは、2500Åのニッケル層を蒸着し且つ真空でアニールすることによって各基板の高濃度ドープ側に形成された。フィールドターミネーションは、各ウエハの全面をAr+のイオンビームでイオンミリングすることによって形成され、各ウエハは、225eVから750eVの範囲である異なるエネルギーのAr+イオンビームに曝された。2500Åのチタン層が、電子ビーム蒸着によって、各ウエハのイオンミルされた面に蒸着された。チタン層はパターン化され且つエッチングされて、4.9E−3cm2である陽極コンタクトが形成された。結果として得られるダイオードの電流対電圧(IV)特性が測定された。
ダイオードは整流している。IVデータから抽出された、測定されたダイオードの障壁高さは、表2に一覧にされている。4mAcm−2の逆リーク電流密度でもたらされる逆バイアス電圧VRも表2に一覧にされている。表2において一覧にされたVRで、ダイオードはアバランシェ降伏に駆動されていない。
ショットキーダイオードが、9.3E15cm−3の濃度で低濃度n−ドープされた、4.8μmのSiCエピタキシャル層を有する高濃度n−ドープSiC基板GB9に作製された。オーミック接触は、2500Åのニッケル層を蒸着して且つ真空でアニールすることによって、基板の高濃度ドープ側に形成された。2500Åのレニウム層は、rfマグネトロンスパッタによって、エピ層の表面に蒸着された。結果として得られるダイオードの電流対電圧(IV)特性が測定された。その後、ウエハはアルゴン雰囲気において800℃で30分間アニールされ、電流対電圧特性が再び測定された。測定されたダイオードの障壁および理想係数(ideality factor)が表3に一覧にされている。IV特性は、800℃でのアニール後に著しく劣化しておらず、800℃までの温度でのレニウムショットキー接触の耐久性を証明している。
高濃度n−ドープSiC基板GA3は、150mAのイオンビーム電流で10分間、750eVに加速したAr+イオンでイオンミルされた。ウエハは、標準的な方法を使用して断面が出され、透過電子顕微鏡法を使用して撮像された。損傷を受けた結晶構造は、イオンミルされたSiC面の中に130Å延在していることが観察された。当該構造は損傷を受け、アモルファスではない。
Claims (64)
- 半導体デバイスであって、
1つの極性である半導体材料の基板と、
前記半導体材料の1つ以上の面における1つ以上の電極と、
前記半導体材料と同じ半導体材料からなる、前記基板の上の低ドープ層と、
前記低ドープ層の上のレニウムショットキーバリア層と、を含み、
前記レニウムショットキーバリア層は、前記デバイスにおける1つの電極から前記デバイスにおける別の電極への電荷の遷移を制御することを特徴とする半導体デバイス。 - ショットキーバリアダイオードを含む請求項1記載の半導体デバイスであって、
前記基板は炭化ケイ素を含み、前記基板は2つの面を有し且つ1つの面に高ドープ層を有し、オーミック接触が前記ダイオードに対して1つの接触を形成するために前記高ドープ層の上に形成され、前記基板のもう1つの面に前記高ドープ層と同じ極性である低ドープドリフト層が形成され、前記レニウムショットキーバリア層は、レニウムと低ドープされた炭化ケイ素との接合にショットキーバリアを形成するために前記低ドープ層の上に蒸着されることを特徴とする請求項1記載の半導体デバイス。 - MESFETを含む請求項1記載の半導体デバイスであって、
前記基板は炭化ケイ素であり且つ1つの極性であるドーパントが少量添加されたチャンネル領域を含む上層を有し、1つ以上の高ドープソース領域と高ドープドレイン領域とを含む層が形成され、前記ソース領域および前記ドレイン領域は、互いに横方向に離間して当該チャンネル層の上に配置され、レニウムショットキーバリア層は、前記チャンネル層の上に且つ前記ソース領域および前記ドレイン領域の間に形成されて前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の電荷の移動を制御することを特徴とする請求項1記載の半導体デバイス。 - 前記レニウムショットキーバリア層は、250Å以上であることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体デバイス。
- 前記レニウムショットキーバリア層は、2000Åから4000Åまでの間であることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体デバイス。
- 前記炭化ケイ素は、n型またはp型にドープされ且つ4H−SiCであることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体デバイス。
- 前記炭化ケイ素は、n型またはp型にドープされ且つ6H−SiCであることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体デバイス。
- 前記炭化ケイ素は、n型またはp型にドープされ且つ3C−SiCであることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体デバイス。
- 1つの極性のドーパントが少量添加されたチャンネル領域を含む上層を有する基板と、
1つ以上の高ドープソース領域および高ドープドレイン領域を含む層と、
当該チャンネル層の上に且つ前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に配されたレニウムショットキーバリア層と、を含み、
前記ソース領域および前記ドレイン領域は前記チャンネル層の上で互いに横方向に離間しており、前記レニウムショットキーバリア層は、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の電荷の移動を制御することを特徴とするMOSFET。 - 前記レニウムショットキーバリア層は、250Å以上の厚さであることを特徴とする請求項9記載のMOSFET。
- 前記レニウムショットキーバリア層は、2000Åから4000Åまでの間の厚さであることを特徴とする請求項9記載のMOSFET。
- 前記基板および前記層は、ワイドバンドギャップ半導体材料を含むことを特徴とする請求項9記載のMOSFET。
- 前記半導体材料は4H−SiCであることを特徴とする請求項9記載のMOSFET。
- 前記半導体材料は6H−SiCであることを特徴とする請求項9記載のMOSFET。
- 前記半導体材料は3C−SiCであることを特徴とする請求項9記載のMOSFET。
- 前記基板は、前記チャンネル層の下に反対型の極性である緩衝層を含むことを特徴とする請求項9記載のMOSFET。
- 炭化ケイ素ショットキーダイオードであって、
2つの面を有する炭化ケイ素の基板と、
1つの面における高ドープ層と、
前記高ドープ層の上のオーミック接触と、
他方の面における低ドープドリフト層と、
前記他方の面に蒸着されたレニウム層と、を含み、
前記オーミック接触は前記ダイオードに対する1つの接触を形成し、前記レニウム層は、レニウムと当該低ドープ炭化ケイ素の面との接合にショットキーバリアを形成することを特徴とする炭化ケイ素ショットキーダイオード。 - 当該裏側オーミック接触は、アニールされたニッケルを含むことを特徴とする請求項17記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 前記レニウム層は、250Å以上の厚さであることを特徴とする請求項17記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 前記レニウム層は、2000Åから4000Åまでの間の厚さであることを特徴とする請求項17記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 当該レニウム電極を取り囲むターミネーション構造をさらに含むことを特徴とする請求項17記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 前記ターミネーション構造は、当該低ドープ炭化ケイ素層の面の損傷を受けた結晶表面領域の全部分または選択部分を含むことを特徴とする請求項21記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 前記ターミネーション構造は、前記レニウム電極を取り囲む前記低ドープ炭化ケイ素層の面の損傷を受けた結晶表面の環状領域を含むことを特徴とする請求項21記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 前記損傷を受けた結晶表面は、アルゴン,クリプトン,キセノンおよびヘリウムからなる郡のうちの1つ以上のイオンまたは原子を使用するイオンミリングによって形成されることを特徴とする請求項22記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 前記損傷を受けた結晶表面は、10eVから1000eVの間の運動エネルギーでイオンまたは原子を使用するイオンミリングによって形成されることを特徴とする請求項24記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 前記低ドープドリフト層はエピタキシャル層であることを特徴とする請求項17記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 前記炭化ケイ素はn型またはp型であり且つ4H−SiCであることを特徴とする請求項17記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 前記炭化ケイ素はn型またはp型であり且つ6H−SiCであることを特徴とする請求項17記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 前記炭化ケイ素はn型またはp型であり且つ3C−SiCであることを特徴とする請求項 17記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 炭化ケイ素ショットキーバリアダイオードを形成する方法であって、
1つの導電型である高ドープ層を有する少なくとも1つの面を含む炭化ケイ素の基板を与えるステップと、
前記高ドープ層の面にオーミック接触を形成して前記ダイオードの1つの電極を与えるステップと、
前記基板の他方の面に前記1つの導電型である低ドープ炭化ケイ素層を形成して前記ダイオードに対するドリフト領域を与えるステップと、
前記低ドープ炭化ケイ素層の上にレニウム金属のショットキーバリア接触を形成して前記ダイオードに対する別の電極を与えるステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記ショットキーバリア接触を形成するステップは、レニウム層を蒸着してマスクし且つ前記レニウム層の一部を除去し、250Åより厚いショットキーバリア接触を与えることを特徴とする請求項30記載の方法。
- 前記レニウム層は2000Åから4000Åまでの間の厚さであることを特徴とする請求項31記載の方法。
- 当該レニウム電極を取り囲むターミネーション構造を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項30記載の方法。
- 前記ターミネーション構造を形成するステップは、少なくとも当該レニウム接触の場所を取り囲む領域においての前記低濃度ドープ層の面のイオンミリングを含むことを特徴とする請求項33記載の方法。
- 前記イオンミリングのステップは、前記低ドープ層の面の少なくとも一部にアルゴン,クリプトン,キセノンおよびヘリウムからなる群のうちの1つ以上のイオンを衝突させることを含むことを特徴とする請求項34記載の方法。
- 前記低ドープ炭化ケイ素層を形成するステップは、当該層を形成するために炭化ケイ素をエピタキシャル蒸着することを特徴とする請求項30記載の方法。
- 前記炭化ケイ素は、n型またはp型にドープされ且つ4H−SiCであることを特徴とする請求項30記載の方法。
- 前記炭化ケイ素は、n型またはp型にドープされ且つ6H−SiCであることを特徴とする請求項30記載の方法。
- 前記炭化ケイ素は、n型またはp型にドープされ且つ3C−SiCであることを特徴とする請求項30記載の方法。
- 炭化ケイ素ショットキーダイオードであって、
2つの面を有する炭化ケイ素の基板と、
1つの面において陰極領域を形成する高ドープ層と、
前記ダイオードに対する1つの電極接触を形成する、当該n型高ドープ層の上のオーミック接触と、
他方の面における低ドープドリフト層と、
前記他方の面に蒸着されて当該低ドープ炭化ケイ素層の面上にショットキーバリア接合を形成するショットキー金属接触と、
当該低ドープされた面において損傷を受けた結晶構造を含むフィールドターミネーション領域と、を含み、
前記フィールドターミネーション領域は前記ショットキー金属接触の周囲の電界を低減することを特長とする炭化ケイ素ショットキーダイオード。 - 前記損傷を受けた結晶構造は、前記低ドープドリフト層の面を含むことを特徴とする請求項40記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 前記損傷を受けた結晶構造は、前記ショットキー金属接触を取り囲む前記低ドープドリフト層の面領域を含むことを特徴とする請求項40記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 当該裏側オーミック接触は、アニールされたニッケルを含むことを特徴とする請求項40記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 前記ショットキー金属は、レニウム,チタン,タングステン,チタンタングステンおよびそれらの合金からなる郡のうちの1つを含むことを特徴とする請求項40記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 前記ショットキー金属または合金層は、2000Åから4000Åまでの間の厚さであることを特徴とする請求項40記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 当該損傷を受けた結晶面はイオンミリングによって形成されることを特徴とする請求項40記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 前記損傷を受けた結晶面は、アルゴン,クリプトン,キセノンおよびヘリウムからなる群のうちの1つ以上を使用するイオンミリングによって形成されることを特徴とする請求項46記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 前記損傷を受けた結晶面は、10eVから1000eVの間の運動エネルギーでイオンまたは原子を使用するイオンミリングによって形成されることを特徴とする請求項47記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 前記低ドープ層は、エピタキシャル層であることを特徴とする請求項40記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 前記炭化ケイ素は、n型またはp型にドープされ且つ4H−SiCであることを特徴とする請求項40記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 前記炭化ケイ素は、n型またはp型にドープされ且つ6H−SiCであることを特徴とする請求項40記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- 前記炭化ケイ素は、n型またはp型にドープされ且つ3C−SiCであることを特徴とする請求項40記載の炭化ケイ素ショットキーダイオード。
- ターミネーション構造を含む炭化ケイ素ショットキーバリアデバイスを形成する方法であって、
1つの導電型である高ドープ層を有する少なくとも1つの面を含む炭化ケイ素の基板を与えるステップと、
前記高ドープ層の面にオーミック接触を形成して前記デバイスの1つの電極を与えるステップと、
前記基板の他方の面に前記1つの導電型である低ドープ炭化ケイ素層を形成して前記第オードに対するドリフト領域を与えるステップと、
少なくともレニウム接触の場所を取り囲む領域において当該低ドープ層の面の全部または一部をイオンミリングするステップと、
前記低ドープ層の面のうちのイオンミルされた部分の上のまたは当該部分に隣接した前記低ドープ炭化ケイ素層の上にショットキーバリア接触を形成するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記低ドープ層の面は、ブランケットイオンミルされることを特徴とする請求項53記載の方法。
- 前記低ドープ層の表面をマスクし且つイオンミリングのために前記低ドープ層の表面の選択部分を露出するように当該マスク層の選択部を除去するステップをさらに含むことを特徴とする請求項54記載の方法。
- 前記低ドープ層の表面の一部は、前記ショットキーバリア接触によって覆われた層部分を取り囲むことを特徴とする請求項55記載の方法。
- 前記ショットキーバリア接触の材料は、レニウム,チタン,タングステンおよびチタンタングステンからなる群のうちの1つ以上の金属または合金を含むことを特徴とする請求項53記載の方法。
- 前記ショットキーバリア接触を形成するステップは、ショットキーバリア材料を少なくとも250Åの厚さに蒸着することを含むことを特徴とする請求項57記載の方法。
- 前記厚さは、2000Åから4000Åまでの間であることを特徴とする請求項58記載の方法。
- 前記イオンミリングするステップは、前記低ドープ層の表面の全部または一部にアルゴンまたは他の希ガスのイオンを衝突させることを含むことを特徴とする請求項53記載の方法。
- 前記低ドープ層を形成するステップは、当該層を形成するために炭化ケイ素をエピタキシャル蒸着することを特徴とする請求項53記載の方法。
- 炭化ケイ素は、n型またはp型にドープされ且つ4H−SiCであることを特徴とする請求項53記載の方法。
- 炭化ケイ素は、n型またはp型にドープされ且つ6H−SiCであることを特徴とする請求項53記載の方法。
- 炭化ケイ素は、n型またはp型にドープされ且つ3C−SiCであることを特徴とする請求項53記載の方法。
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---|---|---|---|---|
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US9419092B2 (en) | 2005-03-04 | 2016-08-16 | Vishay-Siliconix | Termination for SiC trench devices |
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US9040398B2 (en) * | 2006-05-16 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Method of fabricating seminconductor devices including self aligned refractory contacts |
JP2009545885A (ja) | 2006-07-31 | 2009-12-24 | ヴィシェイ−シリコニックス | SiCショットキーダイオード用モリブデンバリア金属および製造方法 |
US7888775B2 (en) * | 2007-09-27 | 2011-02-15 | Infineon Technologies Ag | Vertical diode using silicon formed by selective epitaxial growth |
CN101325093B (zh) * | 2008-07-23 | 2011-08-24 | 西安电子科技大学 | 微型核电池制作方法 |
US8476698B2 (en) * | 2010-02-19 | 2013-07-02 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Corner layout for superjunction device |
IT1401754B1 (it) * | 2010-08-30 | 2013-08-02 | St Microelectronics Srl | Dispositivo elettronico integrato e relativo metodo di fabbricazione. |
IT1401755B1 (it) | 2010-08-30 | 2013-08-02 | St Microelectronics Srl | Dispositivo elettronico integrato a conduzione verticale e relativo metodo di fabbricazione. |
IT1401756B1 (it) | 2010-08-30 | 2013-08-02 | St Microelectronics Srl | Dispositivo elettronico integrato con struttura di terminazione di bordo e relativo metodo di fabbricazione. |
JP2012183549A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | SiC半導体ウェハのマーキング方法およびSiC半導体ウェハ |
DE102011006492B3 (de) * | 2011-03-31 | 2012-10-11 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Schottky-Diode und Herstellungsverfahren hierzu |
KR20130049919A (ko) * | 2011-11-07 | 2013-05-15 | 현대자동차주식회사 | 실리콘카바이드 쇼트키 배리어 다이오드 소자 및 이의 제조 방법 |
JP2014236093A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | サンケン電気株式会社 | シリコン系基板、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
CN107492575B (zh) * | 2017-08-28 | 2019-04-16 | 江苏能华微电子科技发展有限公司 | 一种肖特基极结构、肖特基二极管及制造方法 |
CN110265486B (zh) * | 2019-06-20 | 2023-03-24 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 氧化镓sbd终端结构及制备方法 |
CN111129163B (zh) * | 2019-12-05 | 2023-06-27 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 肖特基二极管及其制备方法 |
CN114823963B (zh) * | 2022-04-22 | 2024-01-23 | 西安电子科技大学 | 一种势垒增强型与u型感光窗口的肖特基紫外光电二极管 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05175239A (ja) * | 1991-06-14 | 1993-07-13 | Cree Res Inc | 高電力、高周波金属−半導体電界効果トランジスタ |
JP2003060193A (ja) * | 2001-06-04 | 2003-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003069049A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003516631A (ja) * | 1999-12-07 | 2003-05-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 低漏れ電流保護化シリコンカーバイドデバイスおよび製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3998718A (en) * | 1976-02-18 | 1976-12-21 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Ion milling apparatus |
US4278493A (en) * | 1980-04-28 | 1981-07-14 | International Business Machines Corporation | Method for cleaning surfaces by ion milling |
JPS6159879A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5319220A (en) * | 1988-01-20 | 1994-06-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Silicon carbide semiconductor device |
US5925895A (en) | 1993-10-18 | 1999-07-20 | Northrop Grumman Corporation | Silicon carbide power MESFET with surface effect supressive layer |
KR100362751B1 (ko) * | 1994-01-19 | 2003-02-11 | 소니 가부시끼 가이샤 | 반도체소자의콘택트홀및그형성방법 |
US5399883A (en) * | 1994-05-04 | 1995-03-21 | North Carolina State University At Raleigh | High voltage silicon carbide MESFETs and methods of fabricating same |
US5585300A (en) * | 1994-08-01 | 1996-12-17 | Texas Instruments Incorporated | Method of making conductive amorphous-nitride barrier layer for high-dielectric-constant material electrodes |
US6388272B1 (en) * | 1996-03-07 | 2002-05-14 | Caldus Semiconductor, Inc. | W/WC/TAC ohmic and rectifying contacts on SiC |
SE9700141D0 (sv) * | 1997-01-20 | 1997-01-20 | Abb Research Ltd | A schottky diode of SiC and a method for production thereof |
US6362495B1 (en) * | 1998-03-05 | 2002-03-26 | Purdue Research Foundation | Dual-metal-trench silicon carbide Schottky pinch rectifier |
US6229193B1 (en) * | 1998-04-06 | 2001-05-08 | California Institute Of Technology | Multiple stage high power diode |
DE19939107A1 (de) * | 1998-09-23 | 2000-03-30 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines ohmschen Kontakts |
US6218254B1 (en) * | 1999-09-22 | 2001-04-17 | Cree Research, Inc. | Method of fabricating a self-aligned bipolar junction transistor in silicon carbide and resulting devices |
US6288357B1 (en) * | 2000-02-10 | 2001-09-11 | Speedfam-Ipec Corporation | Ion milling planarization of semiconductor workpieces |
US6559517B2 (en) * | 2000-04-27 | 2003-05-06 | En Jun Zhu | Structure for a semiconductor device |
EP1265295A3 (en) * | 2001-06-04 | 2004-05-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Silicon carbide Schottky diode and method for manufacturing the same |
US6906350B2 (en) * | 2001-10-24 | 2005-06-14 | Cree, Inc. | Delta doped silicon carbide metal-semiconductor field effect transistors having a gate disposed in a double recess structure |
US7262434B2 (en) * | 2002-03-28 | 2007-08-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a silicon carbide substrate and ohmic metal layer |
-
2005
- 2005-03-18 WO PCT/US2005/008943 patent/WO2005091988A2/en not_active Application Discontinuation
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2008
- 2008-04-21 US US12/106,646 patent/US7618884B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05175239A (ja) * | 1991-06-14 | 1993-07-13 | Cree Res Inc | 高電力、高周波金属−半導体電界効果トランジスタ |
JP2003516631A (ja) * | 1999-12-07 | 2003-05-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 低漏れ電流保護化シリコンカーバイドデバイスおよび製造方法 |
JP2003060193A (ja) * | 2001-06-04 | 2003-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003069049A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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