JP2007529878A - 回転ディスク型イオン注入装置のインサイチュー監視 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図3
Description
Claims (58)
- 1つ又は複数の加工物へのイオン注入における使用及び前記加工物上の粒子の検出に適したイオン注入システムであって、
イオンビームを形成し、該イオンビームを、エンドステーション内に保持される前記1つ又は複数の加工物に向けて下流側へ導くイオン注入装置を含んでおり、
該イオン注入装置は、
前記加工物を回転移動させると共に、半径方向の走査位置に対応するエンコーダのカウント数を供給する回転走査搬送部と、
前記加工物を往復直線移動させると共に、直線方向の走査位置に対応するエンコーダのカウント数を供給する直線走査搬送部と、
前記エンドステーションに結合され、イオン注入の間に前記1つ又は複数の加工物上の粒子を検出するために適したインサイチュー監視システムとを含み、
該インサイチュー監視システムは、
1つの前記加工物の一部に、固定された照明ビームを供給する光源と、
前記加工物の照明された一部からの散乱光を捕捉するための検出器と、
照明された前記加工物から検出された散乱光の強度を解析し、前記回転走査搬送部及び前記直線走査搬送部に関する前記エンコーダのカウント数から一意的に決定される加工物上の位置に対応させて、検出された前記散乱光を位置付けるために構成された処理装置と、
を含んでいることを特徴とするイオン注入システム。 - 前記処理装置に結合すると共に、前記加工物上の一意的な位置に対応させて位置付けられた前記散乱光のパターンを表示するための表示装置をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記処理装置は、さらに、前記加工物上の一意的な位置に位置付けられた前記散乱光を解析し、その位置が、粒子、引掻き傷、構造物、構造物の損傷、又は前記加工物の温度に相当するか否かを判別するように動作可能であることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記処理装置は、さらに、前記パターンの判別結果と、検出された粒子、引掻き傷、構造物、構造物の損傷、及び前記加工物の温度の1つのしきい値との比較に基づいて、システム警告を発生させるように動作可能であることを特徴とする請求項3に記載のイオン注入システム。
- 前記1つ又は複数の加工物は、1つ又は複数の半導体ウエハを含むことを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記光源は、レーザー光源を含むことを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記レーザー光源は、光ファイバーを使用して、前記加工物に向かう指向性を有するように構成されていることを特徴とする請求項6に記載のイオン注入システム。
- 前記検出器は、前記レーザー光から散乱光の鏡面反射を消去するためのレーザービームトラップをさらに含むことを特徴とする請求項6に記載のイオン注入システム。
- 前記処理装置は、コンピュータを含むことを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記検出器は、光電子増倍管又はフォトダイオードを含むことを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記インサイチュー監視システムは、前記光源の両側に取り付けられて、前記加工物の照明された部分に向き付けられた2つの検出器を含むことを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記光源は、レーザー光源を含むことを特徴とする請求項11に記載のイオン注入システム。
- 前記検出器は、前記レーザー光から散乱光の鏡面反射を消去するためのレーザービームトラップをさらに含み、該レーザービームトラップは、前記2つの検出器の間に配置されることを特徴とする請求項12に記載のイオン注入システム。
- 前記処理装置に結合すると共に、前記1つまはた複数の加工物上の一意的な位置に対応させて位置付けられた前記散乱光のパターンを表示するための表示装置をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記イオン注入システムは、バッチ式イオン注入装置を含むことを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記イオン注入システムは、回転ディスク型バッチ式イオン注入装置を含むことを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記加工物は、回転移動の平面に対してゼロではない角度を有するように前記エンドステーション内に保持されており、前記検出器は、該検出器に結像される前記散乱光を通過させると共に、前記光源からの鏡面反射光を遮蔽して前記検出器の飽和を回避するためのスリットをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記検出器は、
前記散乱光をコリメートするための第1レンズと、
前記散乱光の不要な波長を吸収するためのフィルターと、
前記散乱光を集光するための第2レンズと、
前記散乱光を前記検出器へと通過させると共に、鏡面反射光を遮蔽して前記検出器の飽和を回避するためのスリットと、をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。 - 前記散乱光は、前記第1レンズから前記検出器へと光学的柱体内を通過し、該光学的柱体は、前記第1レンズ、前記フィルター、前記第2レンズ、前記スリット、及び前記検出器をこの順序で含んでいることを特徴とする請求項18に記載のイオン注入システム。
- 前記検出器は、2つの異なる検出器を含んでおり、一方の検出器は、前記加工物からの散乱光を監視し、他方の検出器は、散乱光、赤外放射、及び電磁スペクトルの波長の1つを監視することを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。
- イオン注入システムの1つ又は複数の加工物上の粒子を検出するためのシステムであって、
イオンビームを形成し、該イオンビームを、エンドステーション内に保持される前記1つ又は複数の加工物に向けて下流側へ導くイオン注入装置を含んでおり、
前記エンドステーションは、
前記加工物を回転移動させると共に、半径方向の走査位置に対応するエンコーダのカウント数を供給する回転走査搬送部と、
前記加工物を往復直線移動させると共に、直線方向の走査位置に対応するエンコーダのカウント数を供給する直線走査搬送部と、
イオン注入の間に前記1つ又は複数の加工物上の粒子を検出するために適したインサイチュー監視システムとを含み、
該インサイチュー監視システムは、
1つの前記加工物の一部に、固定された照明ビームを供給する光源と、
前記加工物の照明された一部からの散乱光を捕捉するための検出器と、
照明された前記加工物から検出された散乱光の強度を解析し、前記回転走査搬送部及び前記直線走査搬送部に関する前記エンコーダのカウント数から一意に決定される加工物上の位置に対応させて、検出された前記散乱光を位置付けるために適した処理装置と、
を含んでいることを特徴とするシステム。 - 前記処理装置に結合すると共に、前記加工物上の一意的な位置に対応させて位置付けられた前記散乱光のパターンを表示するための表示装置をさらに含むことを特徴とする請求項21に記載のシステム。
- 前記処理装置は、さらに、前記加工物上の一意的な位置に位置付けられた前記散乱光を解析し、その位置が、粒子、引掻き傷、構造物、又は構造物の損傷に相当するか否かを判別するように動作可能であることを特徴とする請求項21に記載のシステム。
- 前記処理装置は、さらに、前記パターンの判別結果と、検出された粒子、引掻き傷、構造物、構造物の損傷、及び前記加工物の温度の1つのしきい値との比較に基づいて、システム警告を発生させるように動作可能であることを特徴とする請求項23に記載のシステム。
- 前記1つ又は複数の加工物は、1つ又は複数の半導体ウエハを含むことを特徴とする請求項21に記載のシステム。
- 前記光源は、レーザー光源を含むことを特徴とする請求項21に記載のシステム。
- 前記レーザー光源は、光ファイバーを使用して、前記加工物に向かう指向性を有するように構成されていることを特徴とする請求項26に記載のシステム。
- 前記検出器は、前記レーザー光から散乱光の鏡面反射を消去するためのレーザービームトラップをさらに含むことを特徴とする請求項26に記載のシステム。
- 前記処理装置は、コンピュータを含むことを特徴とする請求項21に記載のシステム。
- 前記検出器は、光電子増倍管又はフォトダイオードを含むことを特徴とする請求項21に記載のシステム。
- 前記インサイチュー監視システムは、前記光源の両側に取り付けられて、前記加工物の照明された部分に向き付けられた2つの検出器を含むことを特徴とする請求項21に記載のシステム。
- 前記光源は、レーザー光源を含むことを特徴とする請求項31に記載のシステム。
- 前記検出器は、前記レーザー光から散乱光の鏡面反射を消去するためのレーザービームトラップをさらに含み、該レーザービームトラップは、前記2つの検出器の間に配置されることを特徴とする請求項32に記載のシステム。
- 前記処理装置に結合すると共に、前記1つまはた複数の加工物上の一意的な位置に対応させて位置付けられた前記散乱光のパターンを表示するための表示装置をさらに含むことを特徴とする請求項21に記載のシステム。
- 前記イオン注入装置は、バッチ式イオン注入装置を含むことを特徴とする請求項21に記載のシステム。
- 前記イオン注入装置は、回転ディスク型バッチ式イオン注入装置を含むことを特徴とする請求項21に記載のシステム。
- 前記加工物は、回転移動の平面に対してゼロではない角度を有するように前記エンドステーション内に保持されており、前記検出器は、該検出器に結像される前記散乱光を通過させると共に、前記光源からの鏡面反射光を遮蔽して前記検出器の飽和を回避するためのスリットをさらに含むことを特徴とする請求項21に記載のシステム。
- 前記検出器は、
前記散乱光をコリメートするための第1レンズと、
前記散乱光の不要な波長を吸収するためのフィルターと、
前記散乱光を集光するための第2レンズと、
前記散乱光を前記検出器へと通過させると共に、鏡面反射光を遮蔽して前記検出器の飽和を回避するためのスリットと、をさらに含むことを特徴とする請求項21に記載のシステム。 - 前記散乱光は、前記第1レンズから前記検出器へと光学的柱体内を通過し、該光学的柱体は、前記第1レンズ、前記フィルター、前記第2レンズ、前記スリット、及び前記検出器をこの順序で含んでいることを特徴とする請求項21に記載のシステム。
- 前記回転走査搬送部及び前記直線走査搬送部は、ウエハに対する検出のための走査とイオン注入のための走査との複合的な移動を達成するために使用される1つ又は複数の駆動部を含むことを特徴とする請求項21に記載のシステム。
- 前記回転走査搬送部及び前記直線走査搬送部は、検出のための走査とイオン注入のための走査に対して別の駆動部を含んでいることを特徴とする請求項21に記載のシステム。
- 前記検出器は、2つの異なる検出器を含んでおり、一方の検出器は、前記加工物からの散乱光を監視し、他方の検出器は、散乱光、赤外放射、及び電磁スペクトルの波長の1つを監視することを特徴とする請求項21に記載のシステム。
- 1つ又は複数の検出器及び光源を含むインサイチュー監視システムを有する回転ディスク型イオン注入システム内の1つ又は複数の加工物上の粒子を、イオン注入の間に検出するための方法であって、
加工物を回転させるステップと、
前記回転ディスク上の前記加工物に向けてイオンビームを導くことにより、前記加工物にイオンを注入するステップと、
前記光源から前記加工物に向けて光ビームを導くことにより、前記1つ又は複数の加工物を照明するステップと、
前記1つ又は複数の加工物からの散乱光を検出するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 検出された前記散乱光を前記回転ディスク上の位置に対応させて解析し、粒子に相当する光のパターンを判別するステップをさらに含むことを特徴とする請求項43に記載の方法。
- 前記1つまたは複数の加工物上の粒子数を計数することを特徴とする請求項44に記載方法。
- 前記計数された粒子数と粒子数のしきい値とを比較して、イオン注入動作を停止することを特徴とする請求項45に記載の方法。
- 検出された前記散乱光を表示するステップをさらに含むことを特徴とする請求項43に記載の方法。
- 前記検出は、イオン注入動作の前に実施されることを特徴とする請求項43に記載の方法。
- 前記検出は、イオン注入動作の後に実施されることを特徴とする請求項43に記載の方法。
- 前記散乱光の強度を検出し、検出された前記強度に基づいて、検出粒子のサイズを推定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項43に記載の方法。
- 複数の前記検出粒子を、検出粒子の推定サイズ範囲に関連付けられた複数の区分のうちの1つに分類するステップをさらに含むことを特徴とする請求項50に記載の方法。
- 前記検出粒子の分類に基づいて、1つ又は複数の粒子汚染源を調査するステップをさらに含むことを特徴とする請求項51に記載の方法。
- 1つ又は複数の加工物へのイオン注入における使用及び前記加工物上の粒子の検出に適したイオン注入システムであって、
前記1つ又は複数の加工物をイオンビームに対して走査搬送するように構成されたイオン注入装置と、
前記1つ又は複数の加工物上の粒子を検出するために適したインサイチュー監視システムと、を含んでおり、該インサイチュー監視システムは、
前記1つ又は複数の加工物の一部に照明ビームを供給するように構成された光源と、
前記1つ又は複数の加工物の照明された部分からの散乱光を捕捉するように構成された検出器と、
を含むことを特徴とするイオン注入システム。 - 前記1つ又は複数の加工物の照明された部分から検出された前記散乱光の強度を解析するように構成された処理装置をさらに含むことを特徴とする請求項53に記載のイオン注入システム。
- 前記処理装置は、さらに、前記1つ又は複数の加工物に関連付けられた一意的な位置に対応させて前記散乱光を位置付けるように構成されていることを特徴とする請求項54に記載のイオン注入システム。
- 走査位置を表すカウント数を供給するように構成されたエンコーダをさらに含むことを特徴とする請求項55に記載のイオン注入システム。
- 前記走査搬送は、前記1つ又は複数の加工物を前記イオンビームに対して往復直線移動させる直線走査搬送を含むことを特徴とする請求項53に記載のイオン注入システム。
- 前記走査搬送は、さらに、前記1つ又は複数の加工物を前記イオンビームに対して回転移動させる回転走査搬送を含むことを特徴とする請求項57に記載のイオン注入システム。
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---|---|
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---|---|---|---|
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4881863B2 (ja) * | 2004-08-12 | 2012-02-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体デバイス製造装置 |
WO2014040291A1 (zh) * | 2012-09-17 | 2014-03-20 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种提高靶室晶片传输效率的方法 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005177763A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工された変質層の確認装置 |
US7078712B2 (en) * | 2004-03-18 | 2006-07-18 | Axcelis Technologies, Inc. | In-situ monitoring on an ion implanter |
CN1969365B (zh) * | 2004-05-25 | 2011-02-09 | 松下电器产业株式会社 | 电荷中和装置 |
US7102146B2 (en) * | 2004-06-03 | 2006-09-05 | Axcelis Technologies, Inc. | Dose cup located near bend in final energy filter of serial implanter for closed loop dose control |
US7741621B2 (en) * | 2004-07-14 | 2010-06-22 | City University Of Hong Kong | Apparatus and method for focused electric field enhanced plasma-based ion implantation |
US7804064B2 (en) * | 2004-10-01 | 2010-09-28 | The George Washington University | In-situ droplet monitoring for self-tuning spectrometers |
US7473916B2 (en) * | 2005-12-16 | 2009-01-06 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and method for detecting contamination within a lithographic apparatus |
US20080023654A1 (en) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Michael Graf | Method of reducing transient wafer temperature during implantation |
US8010307B2 (en) * | 2006-12-07 | 2011-08-30 | Hermes-Microvision, Inc. | In-line overlay measurement using charged particle beam system |
US20080175468A1 (en) * | 2007-01-24 | 2008-07-24 | Hermes Microvision, Inc. | Method and system for creating knowledge and selecting features in a semiconductor device |
US7586110B1 (en) * | 2007-03-30 | 2009-09-08 | Varian Semiconductor Equpment Associates, Inc. | Techniques for detecting ion beam contamination in an ion implantation system and interlocking same |
DE502007002871D1 (de) * | 2007-08-07 | 2010-04-01 | Micronas Gmbh | Positioniereinrichtung zum Positionieren einer Blende in einem lonenstrahl |
US7772571B2 (en) * | 2007-10-08 | 2010-08-10 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Implant beam utilization in an ion implanter |
US20100154870A1 (en) * | 2008-06-20 | 2010-06-24 | Nicholas Bateman | Use of Pattern Recognition to Align Patterns in a Downstream Process |
US7897944B2 (en) * | 2008-07-21 | 2011-03-01 | Axcelis Technologies, Inc. | Method and apparatus for measurement of beam angle in ion implantation |
US8592785B2 (en) * | 2011-09-22 | 2013-11-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multi-ion beam implantation apparatus and method |
FR2981161B1 (fr) * | 2011-10-10 | 2014-06-13 | Altatech Semiconductor | Dispositif d'inspection de plaquettes semi-conductrices a champ noir. |
CN104716069B (zh) * | 2015-03-23 | 2017-10-17 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆可接受性测试机台内部环境的监测方法和监测装置 |
CN105867338B (zh) * | 2016-05-25 | 2018-08-14 | 上海华力微电子有限公司 | 一种离子注入机的智能工艺互锁控制方法及系统 |
US9933314B2 (en) | 2016-06-30 | 2018-04-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Semiconductor workpiece temperature measurement system |
US10395889B2 (en) * | 2016-09-07 | 2019-08-27 | Axcelis Technologies, Inc. | In situ beam current monitoring and control in scanned ion implantation systems |
JP6803189B2 (ja) * | 2016-10-06 | 2020-12-23 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置及び半導体装置の製造方法 |
TWI628429B (zh) * | 2016-12-27 | 2018-07-01 | 住華科技股份有限公司 | 缺陷檢測系統及方法 |
JP6690616B2 (ja) * | 2017-09-05 | 2020-04-28 | 日新イオン機器株式会社 | パーティクル診断方法及びパーティクル診断装置 |
CN107917861A (zh) * | 2017-11-27 | 2018-04-17 | 清远市新中科检测有限公司 | 室内空气中可吸入颗粒物pm10的检测方法 |
US10699871B2 (en) * | 2018-11-09 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | System and method for spatially resolved optical metrology of an ion beam |
WO2023043674A1 (en) * | 2021-09-14 | 2023-03-23 | Becton, Dickinson And Company | Automated cell sorting stage and methods for using same |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH025350A (ja) * | 1988-06-20 | 1990-01-10 | Shimadzu Corp | イオン注入装置 |
JPH0230048A (ja) * | 1988-05-18 | 1990-01-31 | Varian Assoc Inc | バッチ式イオン注入装置用ディスク走査装置 |
JPH0238951A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Hitachi Ltd | 異物検出装置及び方法 |
JPH0495859A (ja) * | 1990-08-13 | 1992-03-27 | Nec Corp | プリント板光学検査装置 |
JPH10170453A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-06-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 微粒子検出方法および装置 |
JPH10213539A (ja) * | 1996-10-21 | 1998-08-11 | Insitec Inc | 半導体デバイス製造装置におけるウェーハ近傍微粒子の検出装置 |
JPH1144654A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Nec Corp | パーティクルモニタ装置 |
JP2000338048A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 表面検査方法及び検査装置 |
JP2001289797A (ja) * | 1999-06-09 | 2001-10-19 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ウェーハの結晶欠陥測定方法及び装置 |
WO2002025708A2 (en) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Kla-Tencor-Inc. | Methods and systems for semiconductor fabrication processes |
JP2002257518A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-11 | Yuzo Mori | 光散乱法による表面の複合評価システム |
Family Cites Families (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3749500A (en) * | 1970-12-23 | 1973-07-31 | Gen Electric | Optical caliper and edge detector-follower for automatic gaging |
US3925660A (en) * | 1972-05-08 | 1975-12-09 | Richard D Albert | Selectable wavelength X-ray source, spectrometer and assay method |
US4136953A (en) * | 1977-07-19 | 1979-01-30 | Beckman Instruments, Inc. | Nephelometer with detection system focused on optical dark region |
US4208126A (en) * | 1978-05-24 | 1980-06-17 | Electric Power Research Institute, Inc. | System for detecting foreign particles or voids in electrical cable insulation and method |
US4377340A (en) * | 1980-10-24 | 1983-03-22 | Hamamatsu Systems, Inc. | Method and apparatus for detecting particles on a material |
US4378159A (en) | 1981-03-30 | 1983-03-29 | Tencor Instruments | Scanning contaminant and defect detector |
US4632559A (en) * | 1982-11-29 | 1986-12-30 | Miles Laboratories, Inc. | Optical readhead |
US4641967A (en) | 1985-10-11 | 1987-02-10 | Tencor Instruments | Particle position correlator and correlation method for a surface scanner |
US4893932A (en) * | 1986-05-02 | 1990-01-16 | Particle Measuring Systems, Inc. | Surface analysis system and method |
JPH0658410B2 (ja) * | 1986-05-23 | 1994-08-03 | 株式会社ニコン | ステ−ジ装置 |
US4772126A (en) | 1986-10-23 | 1988-09-20 | Inspex Incorporated | Particle detection method and apparatus |
US4889998A (en) * | 1987-01-29 | 1989-12-26 | Nikon Corporation | Apparatus with four light detectors for checking surface of mask with pellicle |
US5043285A (en) * | 1987-07-09 | 1991-08-27 | Allied-Signal Inc. | Optical detection of oxygen |
US5028139A (en) * | 1987-07-16 | 1991-07-02 | Miles Inc. | Readhead for reflectance measurement of distant samples |
JPH02295051A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-05 | Nec Corp | イオン注入装置 |
JP2541012B2 (ja) * | 1990-11-28 | 1996-10-09 | 凸版印刷株式会社 | 超音波スペクトラム顕微鏡 |
US5317380A (en) * | 1991-02-19 | 1994-05-31 | Inspex, Inc. | Particle detection method and apparatus |
US6485413B1 (en) * | 1991-04-29 | 2002-11-26 | The General Hospital Corporation | Methods and apparatus for forward-directed optical scanning instruments |
US5255089A (en) | 1992-03-26 | 1993-10-19 | International Business Machines Corporation | Portable particle detector assembly |
EP0567701B1 (en) * | 1992-04-27 | 1998-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Inspection method and apparatus |
GB9216461D0 (en) * | 1992-08-03 | 1992-09-16 | Smith James A | Eucentric goniometer or motion system |
US6271916B1 (en) * | 1994-03-24 | 2001-08-07 | Kla-Tencor Corporation | Process and assembly for non-destructive surface inspections |
JP2864993B2 (ja) * | 1994-07-06 | 1999-03-08 | 信越半導体株式会社 | 表面形状測定装置 |
JP3387075B2 (ja) * | 1994-12-12 | 2003-03-17 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置 |
JP3288554B2 (ja) * | 1995-05-29 | 2002-06-04 | 株式会社日立製作所 | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
WO1996039619A1 (en) * | 1995-06-06 | 1996-12-12 | Kla Instruments Corporation | Optical inspection of a specimen using multi-channel responses from the specimen |
US6005913A (en) * | 1996-04-01 | 1999-12-21 | Siemens Westinghouse Power Corporation | System and method for using X-ray diffraction to detect subsurface crystallographic structure |
AU3376597A (en) * | 1996-06-04 | 1998-01-05 | Tencor Instruments | Optical scanning system for surface inspection |
US6331704B1 (en) * | 1998-01-20 | 2001-12-18 | Vickers, Incorporated | Hydraulic fluid contamination monitor |
EP1131611A4 (en) * | 1998-06-29 | 2003-01-02 | Univ State San Diego | METHOD AND DEVICE FOR DETERMINING HYDROCARBON COMPOUNDS AND THEIR APPLICATIONS THEREOF |
US6366690B1 (en) * | 1998-07-07 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Pixel based machine for patterned wafers |
GB9818443D0 (en) * | 1998-08-24 | 1998-10-21 | Innovation Tk Limited | Colour scanner |
US6062084A (en) * | 1999-01-29 | 2000-05-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for detecting wafer edge defects and method of using |
US6190037B1 (en) * | 1999-02-19 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Non-intrusive, on-the-fly (OTF) temperature measurement and monitoring system |
US6373565B1 (en) * | 1999-05-27 | 2002-04-16 | Spectra Physics Lasers, Inc. | Method and apparatus to detect a flaw in a surface of an article |
US6707544B1 (en) * | 1999-09-07 | 2004-03-16 | Applied Materials, Inc. | Particle detection and embedded vision system to enhance substrate yield and throughput |
GB9921972D0 (en) * | 1999-09-16 | 1999-11-17 | Univ Ottawa | Apparatus for laser flash photolysis |
US6919957B2 (en) * | 2000-09-20 | 2005-07-19 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen |
US6891627B1 (en) * | 2000-09-20 | 2005-05-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen |
US6782337B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-08-24 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension an a presence of defects on a specimen |
US6836560B2 (en) * | 2000-11-13 | 2004-12-28 | Kla - Tencor Technologies Corporation | Advanced phase shift inspection method |
JP4182643B2 (ja) * | 2001-01-10 | 2008-11-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
US6696362B2 (en) * | 2001-02-08 | 2004-02-24 | Applied Materials Inc. | Method for using an in situ particle sensor for monitoring particle performance in plasma deposition processes |
US6587575B1 (en) * | 2001-02-09 | 2003-07-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Agriculture | Method and system for contaminant detection during food processing |
KR100416791B1 (ko) * | 2001-03-19 | 2004-01-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 검사용 현미경장치 및 그 검사방법 |
JP4030815B2 (ja) * | 2001-07-10 | 2008-01-09 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 同時のまたは連続的な多重の斜視的な試料欠陥検査のためのシステムおよび方法 |
US6778267B2 (en) * | 2001-09-24 | 2004-08-17 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for forming an image of a specimen at an oblique viewing angle |
US6597006B1 (en) * | 2001-10-09 | 2003-07-22 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Dual beam symmetric height systems and methods |
JP3820964B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2006-09-13 | 株式会社日立製作所 | 電子線を用いた試料観察装置および方法 |
US20040032581A1 (en) * | 2002-01-15 | 2004-02-19 | Mehrdad Nikoonahad | Systems and methods for inspection of specimen surfaces |
WO2003077017A1 (fr) * | 2002-03-14 | 2003-09-18 | Nitto Denko Corporation | Unite d'affichage a cristaux liquides |
US6843927B2 (en) * | 2002-08-27 | 2005-01-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and apparatus for endpoint detection in electron beam assisted etching |
KR20040076742A (ko) * | 2003-02-26 | 2004-09-03 | 삼성전자주식회사 | 결함 분류 방법 및 결함 분류 장치 |
EP2259050A3 (en) * | 2003-08-26 | 2010-12-22 | Blueshift Biotechnologies, Inc. | Time dependent fluorescence measurements |
JP4092280B2 (ja) * | 2003-10-23 | 2008-05-28 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム装置および荷電粒子検出方法 |
US7078712B2 (en) * | 2004-03-18 | 2006-07-18 | Axcelis Technologies, Inc. | In-situ monitoring on an ion implanter |
JP2005295877A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Taiyo Yuden Co Ltd | 核酸分析方法、分析装置及び分析用ディスク |
-
2004
- 2004-03-18 US US10/803,439 patent/US7078712B2/en active Active
-
2005
- 2005-03-18 WO PCT/US2005/009194 patent/WO2005091342A2/en active Application Filing
- 2005-03-18 EP EP05725931A patent/EP1728262A2/en not_active Withdrawn
- 2005-03-18 JP JP2007504165A patent/JP2007529878A/ja active Pending
- 2005-03-18 CN CNA2005800152465A patent/CN1954403A/zh active Pending
- 2005-03-18 KR KR1020067019554A patent/KR20060128027A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0230048A (ja) * | 1988-05-18 | 1990-01-31 | Varian Assoc Inc | バッチ式イオン注入装置用ディスク走査装置 |
JPH025350A (ja) * | 1988-06-20 | 1990-01-10 | Shimadzu Corp | イオン注入装置 |
JPH0238951A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Hitachi Ltd | 異物検出装置及び方法 |
JPH0495859A (ja) * | 1990-08-13 | 1992-03-27 | Nec Corp | プリント板光学検査装置 |
JPH10213539A (ja) * | 1996-10-21 | 1998-08-11 | Insitec Inc | 半導体デバイス製造装置におけるウェーハ近傍微粒子の検出装置 |
JPH10170453A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-06-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 微粒子検出方法および装置 |
JPH1144654A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Nec Corp | パーティクルモニタ装置 |
JP2000338048A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 表面検査方法及び検査装置 |
JP2001289797A (ja) * | 1999-06-09 | 2001-10-19 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ウェーハの結晶欠陥測定方法及び装置 |
WO2002025708A2 (en) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Kla-Tencor-Inc. | Methods and systems for semiconductor fabrication processes |
JP2002257518A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-11 | Yuzo Mori | 光散乱法による表面の複合評価システム |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4881863B2 (ja) * | 2004-08-12 | 2012-02-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体デバイス製造装置 |
WO2014040291A1 (zh) * | 2012-09-17 | 2014-03-20 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种提高靶室晶片传输效率的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1954403A (zh) | 2007-04-25 |
KR20060128027A (ko) | 2006-12-13 |
WO2005091342A3 (en) | 2005-11-17 |
US7078712B2 (en) | 2006-07-18 |
WO2005091342A2 (en) | 2005-09-29 |
US20050205807A1 (en) | 2005-09-22 |
EP1728262A2 (en) | 2006-12-06 |
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---|---|---|
JP2007529878A (ja) | 回転ディスク型イオン注入装置のインサイチュー監視 | |
US10777383B2 (en) | Method for alignment of a light beam to a charged particle beam | |
EP0408602B1 (en) | Focused ion beam imaging and process control | |
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