JP2007529005A - 角錐型ソケット懸架装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 一対のカバープレートの間に感知機構を可撓的に懸架するための装置及び方法であり、本装置は、結晶シリコン基板に形成された感知機構と、結晶シリコン基板に形成された一対のカバープレートと、感知機構とカバープレートの内の第1のカバープレートとの間に固定された関係にある第1の複数の相補形の境界面と、感知機構とカバープレートの内の第2のカバープレートとの間に可撓的に懸架される第2の複数の相補形の境界面であって、可撓的に懸架される境界面の内の1つ又はそれ以上は、相補形の雄型と雌型の境界面である、第2の複数の相補形の境界面と、を含んでいる。
【選択図】 図3
【選択図】 図3
Description
本発明は、懸架装置及び懸架方法に関しており、具体的には、力対変位センサーを精密機械加工された電気機械式センサー(MEMS)装置に取り付けるための構造であって、外部応力源を能動センサー要素から絶縁するための構造に関する。
多くの異なる型式のセンサーが、限定するわけではないが、例えば、結晶シリコン及び従来型のMEMS製造技法と同様に反応する他の結晶材料を含め様々な結晶材料で、精密機械加工された電気機械式システム(MEMS)装置として製造されている。従来型のMEMS製造技法の1つの例は、センサー、特に加速度を測定するための力対変位又は「力/変位」センサーの製造に広く用いられている、絶縁体層の上にシリコン層を形成したSOI工程である。別のMEMS装置は、エピタキシャルウェーハ工程と、酸化物成長が全くないドーピング処理されていないシリコンウェーハに形成されている偶数のセンサーとを使って製造されている。
本発明の背景を解説するために、1つの代表的な先行技術による(MEMS)装置の例を挙げ、先行技術における一般的な片持ち梁式歪み絶縁装置を説明する。
加速度計は、一般的に、加速される物体の表面に直接取り付けることによって、物体に加えられる加速力を測定するのに用いられる。従来型のMEMS製造技法を使って作られた或る一般的な型式の加速度計は、加速度を測定するのに、1つ又は複数の力対変位又は「力/変位」センサーを使用している。必要最小限の1つのセンサーではなく、2つの力/変位センサーを使用している加速度計は、相当な利点を有している。2つのセンサーがプッシュプルモードで作動すると、熱的被駆動効果又はずれのような多くのエラー源は、通常モードとして排除され、一方、差異信号が所望の加速度測定値を表す。中には、2つの力/変位センサーを使った設計に2つの完全に分離した保証質量が含まれていて、その結果、それぞれが固有のセンサーを有しているが反対方向に作動する実質的に2つの加速度計となるものもある。しかしながら、多くの理由で、2つの保証質量の解決法は好適ではない。むしろ、加速度計には1つの保証質量だけを有する方が一般的に好都合である。
多くの異なる型式の力/変位加速度計が、従来型の技法を使って、MEMS装置として製造されている。先行技術によるMEMS装置の1つの代表的な例は、精密機械加工された2センサー/1保証質量の加速度計である。限定するわけではないが、例として、一般に矩形設計と呼ばれているMEMS加速度計装置を使って、現在最新の技術を説明する。
図1A、1B、1C、1Dは、従って、限定するわけではないが、例として、代表的なMEMS加速度計10を、半導体材料の基板12から従来型の精密機械加工技法で製作された小型の構造として示している。基板12は、単結晶シリコン材料で実質的に平坦な構造、即ち、実質的に平坦で平行な相対するオフセットした上面と下面を有する構造に形成されている。シリコン基板12は、1999年9月7日に発行され、本出願の譲受者に譲渡されている米国特許第5,948,981号に図示し、記載されている振動梁加速度計のような、絶縁層18によって下層の基板16から電気的に分離されている上部シリコン又は活性層14を含んでいる、即ち絶縁層が活性層14に貼り付けられているものが多く、上記特許全体を参考文献としてここに援用する。絶縁層18は、シリコン酸化物のような酸化物の、例えば約0.1から10.0マイクロメーターの薄い層である。シリコン基板12は、普通は、活性層14と下層の基板16を酸化させ、2つの層を接着させることによって形成される。活性層14の一部分は、層14を所望の厚さにするために取り除かれる。シリコン酸化物層18は、広い温度範囲でその絶縁特性を保持し、摂氏100度程度の高い作動温度において効果的な機械式共振器性能を保証する。更に、絶縁層18は、製造中に活性層14の望ましくないエッチングを阻止する。
精密機械加工された加速度計10は、保証質量24が、保証質量24に対して垂直な入力軸Iに沿って運動できるように、内部センサーフレーム又はプレート26から保証質量24を柔軟にに懸架する1つ又は複数の可撓部22を有する加速度感知機構20を含んでいる。可撓部22は、下にある基板16の中心付近又は中心、即ち下にある基板16の相対する上面と下面の間の実質的な中心をエッチングするのが望ましい。随意的に、可撓部22は、水酸化カリウム(KOH)のような適したエッチング液内で、異方性エッチングによって形成される。可撓部22はヒンジ軸Hを画定し、その回りを、保証質量24が、例えば、加速度計10が取り付けられている車両、航空機又は他の可動物体などの加速された物体の加速度のような加えられる力に応答して動く。感知機構20は、保証質量24に加えられる力を測定するために、保証質量24とセンサーフレーム26の間に連結されている一対の力/変位センサー28を含んでいる。力/変位センサー28は、例えば、活性シリコン層14から両頭式音叉(DETF)力センサーとして形成されている機械式共振器である。
保証質量24は、加えられる力に応じてヒンジ軸Hの回りを回転し、軸方向の力、即ち圧縮力又は引張力の何れかを機械式共振器28に加える。軸方向の力は、機械式共振器28の振動の周波数を変え、この変化の大きさが、加えられる力又は加速度の尺度の役目を果たす。換言すると、力/変位センサー28は、加えられる加速力を、保証質量24の変位の関数として測定する。
上部及び下部のカバープレート30a、30bは、減衰面及び衝撃停止抑制材として用いられる。望ましくない外部応力及び歪みは、加速度計センサーフレーム26を、一方が通常はセラミック又は金属の取付プレート32に機械的に連結されている一対の上部及び下部のシリコンカバープレート30a、30bに機械的に連結することによって、高感度加速感知機構20内に誘発される。高性能加速度計の設計者に一貫して突きつけられている主要な問題は、加速度計センサーフレーム26とカバープレート30の間の境界面における不連続性による追加的エラー源を局所的に導入すること無く、感知機構20を支持することである。これらの不連続性は、通常、感知機構20の材料とは異なる材料で形成されている接着剤又は締結部材の形態で導入される。
エポキシ又はガラスフリットのような入手可能な接着剤は、感知機構20を形成しているシリコン基板とは相当異なる熱膨張係数を有している。接着剤は、普通は高温で硬化して、シリコンと接着接合部の間に内部応力状態が生じる。接着剤は、組み合わせると境界面に局所的な応力と機械的ヒステリシスを作り出す他の異なる物理的特性も有している。感知機能のエラーを防ぐには、局所的な応力と機械的ヒステリシスを、センサー機構から絶縁しなければならない。センサーフレーム26に生じる歪みは、保証質量24に伝えられるだけでなく、保証質量24を通して2つのDETF共振器28にも伝えられる。システム内の唯一重大なコンプライアンスは、感知DETF共振器28自体なので、歪みの殆ど全体が、DETF共振器28からのエラー出力として現れる。この様に、望ましくないエラーは、測定される加速度とは関係のない入力から、DETF共振器28内で生成される。実際のシステムで有用な程度の精度で加速を検出するには、DETF共振器28によるコンプライアンスは低くなければならないので、これらのエラーは極めて大きくなり得る。
この様に、精密機械加工された加速度計内の歪みの絶縁は、良好な性能、即ち精度にとって最も重要である。歪みを絶縁すると、機構が、製作及び組み立ての間に機械的に誘起される応力から分離されて、加速度計機構の2つの振動梁力感知部分の梁内の共振点の変動が低減する。歪みを絶縁すると、更に、機構が、作動環境内の衝撃、振動及び温度変動によって外部的に誘起される応力から分離される。
高感度加速感知機構20をそのような望ましくない応力及び歪みから絶縁するための多くの方法が知られている。通常、加速度機構はフレーム上に懸架され、カバー接着接合部が、懸架梁によってフレームに接続されている周縁に形成される。例えば、片持ち梁式の絶縁方式では、センサーフレーム26が、基板12を貫通する重なり合うスロット38と40で形成される可撓部36によって、第2外側又は外部フレーム部分34から懸架されている。センサーフレーム26は、この様に、米国特許第5,948,981号に図示、説明されているように、外側フレーム34に対して動くことができ、同特許をここに援用する。このような絶縁によってセンサーフレーム26の変形が最小になるので、機械式共振器28に生じる外部応力及び歪みの影響が少なくなる。
図1Bは、ダイスタックの組み立てを示しており、上部と下部のカバープレート30a、30bは、周縁部に沿って第2外側又は外部フレーム部分34に接着され、通常「ダイスタック」と呼ばれる完成した加速度計10を形成する。上部と下部のカバープレート30a、30bは、減衰面及び衝撃停止抑制材として用いられる。加速度計即ちダイスタック10は、通常は接着剤によってセラミック又は金属取付プレート又はヘッダー32に接続され、適切な駆動電子機器が取り付けられて完成した加速度計が形成される。
図1Cは、精密機械加工された加速度計10の、共振器28に沿う断面図である。先に論じ、図示したように、保証質量24は、入力軸Iに沿って加速度を受けると、ニュートンの法則F=maの原理に従って可撓部22の回りに自由に回転する。この回転は、図示の機構の表面に配置され、DETF共振器として示されている2つの力/変位センサー28の動作によって拘束される。保証質量24が感知機構20の面に対して変位すると、一方のDETF共振器28は圧縮され、他方のDETF共振器は引っ張られるので、これら2つの振動梁力センサー28は、プッシュプル可変周波数出力信号を提供する。2つの周波数の間の差は、測定された加速を表す。一方、温度、機構応力又はずれの様な望ましくない原因による共通のモード周波数の偏移は、エラーとして排除される。
図1Cに示すように、上部及び下部のカバープレート30a、30bは、互いの縁部に沿って第2外側又は外部フレーム部分34に接着され、完成された加速度計又はダイスタック10を形成する。これにより、中に保証質量24が懸架されている内部センサーフレーム又はプレート26は、可撓部36によって、上部と下部のカバープレート30a、30bの間に懸架されることになる。この様に、図面1A−1Cは、先行技術による片持ち梁式の絶縁方式を示している。
図1Dに図示し、先に援用した米国特許第5,948,981号に記載されている既知の発振器回路は、各機械式共振器28をそれぞれの共振周波数で駆動する。図1Dは、トランスジューサ28の振動梁が共振器として機能する、代表的な振動回路50を示している。トランスインピーダンス増幅器52は、振動梁から受け取った感知電流を電圧に変換する。この電圧は、帯域通過フィルター54によって濾過されてノイズが低減され、電圧の振幅は、振幅リミッタ56によって制御される。作り出された信号は、加算接合部60で、DC電源58からの出力又はDCバイアス電圧と組み合わされる。DCバイアス電圧は、電極と、力/変位センサー28の梁の間に力を作り出す。振幅リミッタ56からの信号は、この力を変調して、トランスジューサ28の梁を、その共振周波数で横方向に振動させる。この横方向の梁の動きは、今度は、感知電流を作り出す。出力バッファ62は、発振器を、発振回路50の出力64に接続されている外部回路から絶縁している。発振回路50のゲインは、力/変位センサー28の梁の発振を持続する。
先行技術によるMEMS設計は、片持ち梁式の歪み絶縁方式を効果的に使用しており、新しい用途は、加速度計に利用できる空間を減らし続けている。歪みを絶縁するために加速度計内で利用できる空間に、新たな制約を設けている。これらの新しい空間的制約は、先行技術による片持ち梁式の歪み絶縁方式を許容しない。従って、加速度計の設計者は、最小の空間内で十分な歪み絶縁を提供すること挑戦している。
図2A、2B、2Cは、或る効果的な歪み絶縁技法を示している。2001年10月16日に本発明の発明人に発行され、本出願の譲受者に譲渡された米国特許第6,301,966号「クラムシェルカバー加速度計」に開示されている歪み絶縁技法は、従来型のカバープレートを「クラムシェル」カバープレートに取り替えて、感知機構をカバープレート内に収容することによって、駆動応力の直接的低減と絶縁性を改良しており、同特許全体を参考文献としてここに援用する。カバープレート接着領域の中心線上での単一のカバー対カバー接着によって、プレートが互いに接着されている。センサー機構を固定するための接着は随意である。そうする場合は、センサー機構の接着は、局所化され、感知機構から絶縁されている。従って、クラムシェル設計は、内部応力の問題を、他の先行技術による構造よりも、効果的に且つ費用を掛けずに解決する。
図2A−2Cは、図1A−1Dに示しているような、片持ち梁式の歪み絶縁方式と、第2外側又は外部フレームと、センサーフレーム26と高感度加速感知機構20を懸架する片持ち梁式の可撓部36とを排除した、米国特許第6,301,966号の歪み絶縁技法を示している。図2Aと2Bは、加速度計/感知機構80を収納する構造になっている一対のクラムシェルカバープレート76と78を有するクラムシェル加速度計75を示している。クラムシェルカバープレート76と78は、それぞれ、深くエッチングされた空洞82と84を含んでおり、加速度計の保証質量86が動けるようになっており、感知機構80全体に空間を提供している。従って、感知機構80は、カバープレート76と78の内側に閉じ込められ、カバープレート76と78は、中心線接着88によって互いに直接接着されている。感知機構80の小さなタブ90、92、94は、カバープレート76と78に接着されている。タブ90、92、94の接着は、非常に小さく、局所化され、センサーの衝撃が最小になるように配置されている。
カバープレート76と78の間の単一の中心線接着88は、カバー接着を単一の接合部へ低減し、接着材料を半分にするので、駆動応力が直接的に下がる。クラムシェルカバー対カバーの中心線接着88は、更に、感知機構を面から逸脱させることになりかねない上部と下部の接着接合部の間の不整合を取り除く。
しかしながら、米国特許第6,301,966号の発明のクラムシェルカバーの発明は歪み絶縁性を著しく改良してはいるが、感知機構80は、大きな偏りと目盛係数エラー、並びに整列偏移を避けるために、やはり、クラムシェルカバープレートの境界の中に制約される。1つの制約機構は、カバープレートと感知機構の間の選択された局所的部位に接着剤の量を制限していることである。残念ながら、少量の接着剤ですら、感知機構境界面における異質材料との望ましくない接触を作り出す。
代わりに、接着点90、92、94を、図2Cに示すように、感知機構80をクラムシェルカバー76と78の間の所定に位置に保持する接触圧力に置き換えてもよい。
しかしながら、感知機構を境界面の摩擦によって拘束するのに必要なクランプ力は、実用的でない高い許容差を必要とし、一方では感知機構に妥当でない応力を加えることになる。更に、時間が経過し環境に曝されるうちには応力が解放されるので、大きなクランプ力は、性能及び長期のずれに影響を与える。
加速度計と他のMEMS装置の設計者は、斯くして、最小の空間で効果的な歪み絶縁性を提供することに挑んでいる。
米国特許第5,948,981号
米国特許第6,301,966号
本発明の背景を説明するために、先行技術による精密機械加工された電気機械式システム(MEMS)装置の1つの代表的な例を挙げて、先行技術による一般的な片持ち梁式歪絶縁装置を説明した。しかしながら、ここで論じる本発明の可撓性懸架歪絶縁装置は、この代表的な装置で実用可能ではあるが、本発明は、異なる従来型のMEMS製造技法に掛けられたときに結晶シリコンと同様に反応する他の結晶材料でも同様に実用可能である旨理解頂きたい。
本発明は、一対のカバープレートの間に感知機構を可撓的に懸架するための装置を提供することによって、最小の空間内で効果的な歪絶縁を提供するために、先行技術の限界を克服しており、本装置は、結晶シリコン基板内に形成された感知機構と、結晶シリコン基板内に形成され、それぞれが、基部と基部の縁部に沿って伸張する壁とによって形成された空洞を有する一対の「クラムシェル」カバープレートであって、この一対のカバープレートの壁は、感知機構の中心線に沿って相互接続され感知機構を収容するための空洞を形成している、一対の「クラムシェル」カバープレートと、感知機構とカバープレートの内の第1のカバープレートとの間に固定された関係にある第1の複数の相補形の境界面と、感知機構とカバープレートの内の第2のカバープレートの基部との間に可撓的に懸架されている第2の複数の相補形の境界面であって、1つ又はそれ以上のこの可撓的に懸架された境界面は、相補形の雄型と雌型の境界面である、第2の複数の相補形の境界面と、感知機構を密閉するために対のカバープレートの壁を接着接合する接着剤と、を有するMEMS装置である。
本発明の別の態様によれば、この1つ又はそれ以上の可撓的に懸架された相補形の境界面は、感知機構に予荷重を加えるために、感知機構から離れる方向に可撓的に撓ませることができる。
本発明の別の態様によれば、第1の複数の相補形の境界面の少なくとも1つのサブセットは、相補形の平面と境界を成すメサとして形成されている。相補形の境界面の3つのメサ部分は、随意的に、感知機構をカバーに対して方向付けるための絶対基準面を形成している。
本発明の別の態様によれば、複数の可撓的に懸架されている相補形の境界面は、感知機構の表面に亘って規則的な分布パターンでエッチングされた、第2カバープレートの基部にエッチングされた相補形の雌型又は雄型属性と並置される雄型又は雌型の属性である。
本発明の別の態様によれば、複数の可撓的に懸架された相補形の境界面の中で、複数の相補形の雄型属性の内の1つ又はそれ以上は、切頭された雄型突起として形成され、相補形の雌型属性は嵌合するソケット又は凹部として形成されている。
本発明の更に別の態様によれば、本発明は、精密機械加工された電気機械式システム(MEMS)装置内の精密機械加工された感知機構を歪絶縁するための異なる方法を提供しており、その方法の1つは、精密機械加工された電気機械式感知機構を実質的に平らな結晶基板内に形成する段階と、一対のカバープレートを一対の実質的に平らな結晶基板内に形成する段階であって、各カバープレートは基部と基部の縁部に沿う直立壁とによって形成される空洞を有しており、各空洞は感知機構が部分的に入る大きさに作られ、壁は、感知機構の中心線に沿って相互接続されて、感知機構を収容できる大きさに空洞を形成する、段階と、感知機構に、そして両カバープレートの内の第1のカバープレートに、感知機構と第1カバープレートの間に、これらに固定された関係に配置されている複数の相補形の境界面を形成する段階と、感知機構に、そして一対のカバープレートの内の第2のカバープレートに、結晶基板の{1、0、0}面を水酸化カリウム(KOH)又は別の適した異方性エッチング液によってエッチングすることによって、感知機構と第2のカバープレートの間に可撓的に懸架された複数の相補形の雄型と雌型の境界面を形成する段階と、一対のカバープレートを、感知機構の中心線に沿って接着する接着剤によって相互接続させる段階と、を含んでいる。
本発明の別の態様によれば、結晶基板の{1、0、0}面をエッチングすることによって相補形の雄型と雌型の境界面を形成する1つの方法は、更に、感知機構又は第2カバープレートの何れかに切頭円錐形の雄型突起をエッチングする段階を含んでいる。本方法は、更に、感知機構又は第2カバープレートの何れかに相補形の雌型ソケットをエッチングする段階を含んでいる。切頭角錐形の雄型突起が第2カバープレートに形成される場合は、相補形の雌型ソケットは感知機構にエッチングされ、切頭角錐形の雄型突起が感知機構に形成される場合は、相補形の雌型ソケットは第2カバープレートにエッチングされる。
本発明の別の態様によれば、感知機構と第2カバープレートの間に可撓的に懸架される複数の相補形の雄型と雌型の境界面を形成する方法は、相補形の境界面を可撓的に懸架するために、相補形の雄型及び雌型境界面のそれぞれに可撓性懸架ブラケットを形成する段階を含んでいる。
本発明の又別の態様によれば、本発明の1つの方法は、感知機構と第2カバープレートの間の、1つ又はそれ以上の可撓的に懸架される相補形の境界面に、予荷重を生成する段階を含んでいる。
本発明の別の態様によれば、感知機構と第1カバープレートの間に、それらに固定された関係に配置されている複数の相補形の境界面は、複数の相補形の台地対平面の境界面を、感知機構と第1カバープレートの間に、感知機構又は第1カバープレートの何れかに固定された関係に形成する段階によって作られる。随意的に、複数の相補形の台地対平面の境界面を形成する方法は、更に、台地対平面の境界面の台地部分の端面によって画定される絶対基準面を生成する段階を含んでいる。
本発明の以上及びこの他の態様について、図面を参照しながら以下に説明する。
以上の本発明の態様及び付帯する利点の多くは、添付図面と関連付けて以下の詳細な説明を参照すれば、容易に理解頂けるであろう。
図面では、同様の数字は同様の要素を示している。
本発明は、加速度感知機構を、一対の「クラムシェル」カバープレートの間に可撓的に懸架するための装置及び方法であり、同装置は、感知機構と、それぞれが基部と基部の縁部に沿って突き出ている壁によって形成された空洞を有している一対の「クラムシェル」カバープレートであって、カバープレートの壁は、感知機構を収容するための空洞を形成するために感知機構の中心線に沿って相互接続されているカバープレートと、感知機構と各カバープレートの基部の間に可撓的に懸架されている複数の相補形の境界面であって、感知機構と一方のカバープレートの間の1つ又は複数の境界面は、更に、雄型角錐状突起と相補形の雌型ソケット凹部とを備えている、境界面と、を含んでいる。
図3は、限定するわけではないが、例として、先行技術の片持ち梁式の歪み絶縁方式を回避しながら、クラムシェル加速度器に歪み絶縁性を提供するための「角錐型」ソケット懸架装置として具現化されている本発明のソケット懸架装置を示している。図3は、米国特許第6,301,966号に開示されているクラムシェルカバープレート102、104を、感知機構114と各カバープレート102、104の基部116、118との間で可撓的に懸架されている複数の相補形の境界面106、108、110、112として具現化されている本発明のソケット懸架装置と組み合わせて使用するクラムシェル加速度計100の断面図であり、同特許を、参考文献としてここに援用する。
図3に具現化しているように、110、112は、カバープレート104の基部118にエッチングされており、感知機構114を配置するための絶対基準面となっている。対照的に、境界面106、108は、感知機構114と、カバープレート102の一方の基部116の間に可撓的に懸架されている。例えば、以下に詳細に論じるように、対になっているスロット120、122と124、126は、各境界面106、108をカバープレート102から絶縁している。或いは、対になったスロットがフレーム部分128に形成され、そこから、感知機構114の保証質量130が、各境界面106、108をカバープレート102から絶縁するために、可撓的に懸架されている。スロット120、122と124、126は、境界面106、108が、感知機構114を「浮かせ」て、そうでない場合には境界面106、108、110、112を通して伝達されることになるカバープレート102、104の歪から、切り離すことができるようにしている。
この様に、境界面106−112には2つの種類がある。境界面110、112には、感知機構フレーム128の対応する面上の相補形の平面134と当接し境界を成すような寸法に作られた平坦な先端の雄型又は「台地状」突起132が設けられている。雄型突起132は、カバープレート104の内側面118の中の、保証質量130が懸架される感知機構フレーム128の面に対応する場所にエッチングされている。雄型台地状突起132は、周囲のカバー材料から、又は「上方」に、或る設定距離で切頭されている。雄型台地状突起132は、従って、感知機構114を、カバー基部118の内側面から所定の離間距離D1だけ間隔を空けて配置する働きをする。感知機構114のこの間隔は、保証質量130が回転できるほどに基部118の面から離れているが、基部118の面が減衰面及び衝撃停止抑制材として作動できるほどに近接している間隔である。
図3に示す代表的な実施形態では、複数の台地対平面の境界面110、112は、感知機構114の平衡支持を提供できるように、規則的なパターンで、間隔を空けた位置に分布している。分布している台地対平面の境界面110、112は、更に、感知機構114をカバー104に対して方向決めするための絶対基準面を提供している。
境界面110、112は、雄型台地状突起132と相補形の平面134の当接部に生じるので、台地状突起132の側壁面の形状は、以下に論じるように、{1、0、0}結晶面のエッチングの結果として、角錐形(110で示している)でもよい。代わりに、垂直に近い壁のエッチングを可能にする反応性イオンエッチング(RIE)又は深い反応性イオンエッチング(DRIE)を使用する場合は、台地状突起132がもっと垂直になってもよい。つまり、台地状突起132の側壁は境界面110、112の何れの部分も形成しないので、それらの形状は、本発明に関係ない。
境界面106、108は、一般的に「メサ」として知られている雄型突起136と、相補形の雌型凹部又はソケット138とで形成されている第2の型式である。雄型突起又はメサ136は、カバー102の基部116の内側面(図3に示している)か、又は感知機構フレーム128の対応する面(以下に論じる)の何れかに形成される。
相補形の雌型凹部又はソケット138は、突起136とは反対側の別の部分、即ち、感知機構128又はカバー基部116の対応する面に形成されている。
雄型突起136は、切頭「角錐」形の位置決め小塊であり、相補形の雌型凹部138はこれと嵌合する切頭錐体又は角錐形の窪みである。雄型突起136と雌型凹部138両方の角錐形は、適した異方性エッチング液による{1、0、0}シリコン面のエッチングの結果であり、シリコン面は、結晶構造用の周知のミラーインデクスを使って定められる。このエッチングは、水酸化カリウム(KOH)のような極めて選択性の高いエッチング液使って実現されるが、他の適した異方性エッチング液も広く周知であり、使える結果が得られれば代用してもよい。この様に、雄型突起136と雌型凹部138両方の角錐形は、結晶シリコン及び他の結晶ウェーハ材料の好適なエッチング特性に基づいている。本発明のソケット懸架装置は、同様に挙動する他の結晶材料を使って実現することもでき、ここでは例としてシリコンについて論じているのであり、本発明の、他の結晶材料への適用性について制限を課するものではない。
図4は、KOHのような適した異方性エッチング液を使って、結晶シリコン又は他の結晶ウェーハ材料を様々な形状にエッチングすることによって、精密機械加工された電気機械式センサー(MEMS)装置を制作する一般的なプロセスを示している。マスクの辺を{1、0、0}シリコン面の<1、1、0>方向に沿って整列させることによって、KOH内でのエッチングは、シリコンウェーハの<1、1、0>方向に迅速に進む。KOHエッチングは、<1、1、0>に向いたマスク縁部に沿って54.74度の角度でシリコンウェーハ面と交差する事実上の非エッチング{1、1、1}側壁によって限定される。ダークフィールドマスクの場合、長方形の空洞が、{1、1、1}側壁と{1、0、0}底面によって形成される。反対にクリアフィールドマスクの場合、エッチングの結果は、{1、1、1}側壁を備えたメサ型の構造になる。後者の場合、鋭い、又は制御可能に丸い凸状の角を保護するために、マスクの角に補償構造が加えられる。この補償構造は、所望のメサ形状が画定されるまで、KOH内での犠牲エッチングを許容する。この固有のエッチング挙動は、原子格子の54.74度の角度の角度の線に非常に正確に沿って傾斜する非垂直側壁を作る。この傾斜エッチングは、一般的に、余分な空間を必要とし、得られる形状分解能が制限されることになる、望ましくない結果となる。
本発明のソケット懸架装置は、この特徴的な挙動を利用する。従って、雌型凹部又はソケット穴138は、適切な位置で、感知機構114のフレーム部分128の1つの面(図3に示している)又はカバー102の基部116(以下に論じる)の中へと目的を定めてエッチングされる。雄型突起136は、対応するする位置で、カバープレート(図3)又は感知機構のフレーム128(以下に論じる)の中へとエッチングされる。エッチングされた斜面は、原子格子に追従しているので、非常に正確であり、雄型突起136とソケット138の両方にとって実質的に等しい。
図3に図示している雄型突起136と雌型凹部138は、雄型突起136の先端が雌型凹部138の開口部に入るように相補的な寸法に作られているが、雄型突起136の外壁は、雄型突起136の基部が雌型凹部138の開口部に入る前に、雌型凹部138の内面と干渉する。雄型突起136が雌型凹部138と干渉するので、感知機構114は、基部116の内側面から所定の離間距離D2だけ間隔が空けられる。雄型突起136面と雌型凹部138の内面との干渉は、雄型突起136を雌型凹部138の中心に配置する役目も果たす。雄型突起136の先端が切頭されているので、互いの内面と外面が干渉する前に、雄型突起136が雌型凹部138の切頭端部に「底付する」ことはない。
この様に、雄型突起136と相補形の雌型凹部138は、感知機構114をカバー102に対して相対的に整列させて配置し、感知機構114を基部116の内側面から設定距離だけ間隔を空けて配置するという両方の働きをする。感知機構114のこの間隔は、保証質量130が回転できるほどに基部116の面から離れているが、基部116の面が減衰面及び衝撃停止抑制材として作動できるほどに近接している間隔である。
間隔D1とD2は、クラムシェルカバー102、104を感知機構114の回りに組み立てるときに、感知機構114の中心線CLを、各基部116、118の縁部に沿って突き出ている壁140、142の頂部の面上に配置できる寸法になっている。これによって、カバー102、104の間の接着接合部144が、感知機構114を曲げ又は反らすよう作用するモーメントアームが無くなる。
各クラムシェルカバー102、104の壁140、142の内側の長さL1とL2は、感知機構114を補完する寸法になっている。最終的な離間距離D1、D2は、この様にして、所定の接着線が接着接合部144に設けられるように、壁140、142を所定の間隔を空けて配置するため、感知機構114の厚さTと協働して調整される。内側壁の長さL1、L2、感知機構の厚さT、及び離間距離D1、D2の寸法は、接着接合部144が形成されるときに所望量の予荷重が境界面106−112に掛かるように選択される。予荷重は、感知機構114を、クラムシェルカバープレート102、104内に閉じ込めて、偏りと目盛係数エラー、並びに整列偏移を回避するように選択される。
相補形の境界面106、108の可撓性懸架機構は、境界面の摩擦によって感知機構を拘束するために先行技術で必要であった非実用的な高い許容差を克服している。エッチングされた斜面は、本来的に非常に正確であり、純正シリコンではほぼ無欠陥である。組み立てるとき、雄型角錐突起136は、ほぼ完全な精度で雌型ソケット138に嵌る。この正確な嵌合によって、シリコン対シリコン境界面106−112は、安定で、横方向の変位に対する耐力も大きいものとなる。境界面には、接着剤は必要ない。
接合は、その安定を摩擦に依存していないので、クランプ力は、予想される環境の下で垂直方向の分離を防ぐのに必要な程度にまで低減される。しかしながら、この可撓性懸架機構は、更に、クランプ力が、時間経過と環境への暴露によって応力が解放される際の性能及び長期の偏移に関して通常有する影響を排除する。このように、本発明のソケット懸架装置は、支持されている感知機構に固有の如何なる性能も最大にするように作用する。本発明のソケット懸架装置は、更に、通常の設計で組み合わせられたときに、随意のクラムシェルカバープレートの動作を強化する。
図5は、限定するわけではなく、例として、相補形の境界面106、108の可撓性懸架機構の或る実施形態を示している。従って、図5は、クラムシェルカバー102の基部116に形成されている複数の薄い「Z」形状の可撓部又は可撓性懸架ブラケット146、148、150、152を示している。Z形状の可撓性懸架ブラケット146、148、150、152は、細長いステム162の互いに反対側の端部に対のバー158、160を画定し、各懸架ブラケット146−152をカバープレート102から絶縁している対のZ形状スロット154、156(懸架ブラケット146に対して示している)によって形成されている。雄型突起又はメサ136は、各ステム162の懸架ブラケット146−152の中心に形成されている。
懸架ブラケット146−152の薄い「Z」形状は、ほぼ垂直な壁のエッチングが可能な反応性イオンエッチング(RIE)又は深い反応性イオンエッチング(DRIE)を使って形成される。つまり、懸架ブラケット146−152の側壁は、実質的な垂直な壁として形成され、Z形状スロット154、156を非常に狭くし、懸架ブラケット146−152を非常に明確に画定することができるようになる。
懸架ブラケット146−152の薄い「Z」形状は、雄型突起136が3軸方向に撓むことができるようにし、ステム162の両端の対のバー158、160は、懸架構造146−152がステム162に沿って屈曲できるようにし、一方、ステム162の細長い構造は、その長手方向軸に対し横に円柱状の屈曲ができるようにし、対のバー158、160は、細長いステム162と協調して作動して、カバー102の基部116の面から外れて屈曲できるようにする。懸架ブラケット146−152の3軸方向の屈曲性は、感知機構114をカバー102に組み付けるときに、カバー102に対する雄型角錐突起136の位置をずらし、雌型ソケット凹部138との整列不良を吸収できるようにする。
図3に示する代表的な実施形態では、2つ又はそれ以上の角錐対ソケット境界面106、108が、カバー102に設けられている。図示のように、感知機構114をカバー102に対して位置決めするには、複数の角錐対ソケット境界面106、108があれば十分である。理論的には、横軸方向の衝撃及び振動荷重を受けたときに感知機構114をカバー102に対して面内に維持するには、角錐対ソケット境界面106、108の2つで十分である。
しかしながら、実際には、雄型角錐突起136の内の2つが雌型ソケット138の内の2つと完全に整列するのは見込めない。従って、角錐対ソケット境界面106、108の内の3つ又はそれ以上が、感知機構114をカバー102に対して位置決めするために間隔を空けた位置に、規則的なパターンで分布している。懸架ブラケット146−152の薄い「Z」形状は、横断軸方向の僅かな撓みを許容するので、雄型角錐突起136をずらして、対応する雌型ソケット138と整列させる。雄型角錐突起136は、各角錐突起136の所望の切子面が雌型ソケット138の対応する面と接触するように、随意的に、雌型ソケット138に対して僅かにずらされている。
全ての台地状突起132と予荷重が掛けられた角錐突起136の組み合わせは、入力軸方向の衝撃及び振動荷重を受けたときに、感知機構114を、カバー102、104に対して面外に拘束する。
更に、本発明の可撓性懸架機構は、図5及び他の図面に示されている複数の薄い「Z」形状の可撓性懸架ブラケット146−152として実施されるとき、異なる懸架ブラケット146−152の間に特定の方向付けを必要としない。異なる懸架ブラケット146−152相互の特定の方向付けは必要ない。薄い「Z」形状の懸架ブラケット146−152は、その寸法と形状によって、面内の両軸にコンプライアンスを持っている。従って、本発明の可撓性懸架機構は、薄い「Z」形状の懸架ブラケットとして実施される場合は、意図するように作動させるのに特定の方向付けは必要ない。図5に示すように可撓性懸架ブラケット146−152を対称的に方向付けするのは、特定の用途には有用であるが、他の有用な方向付けも、後続の図面に示している。
図6は、クラムシェルカバー102の外側面164の代表的な図である。限定するわけではないが、例として、外側面164の一部分166は、角錐突起136の領域内で彫り込まれている。そのため、薄い「Z」形状の懸架ブラケット146−152は、薄くなり、感知機構114の入力軸I沿いに更に撓み易くなっている。入力軸沿いの可撓性によって、個々の角錐突起136は面外に偏移できるようになり、感知機構114と個々の角錐及び台地状突起136の内の一方又は両方の非平面特性自体を受け容れることができるようになる。従って、組み立ての間に、感知機構114を、個々の角錐及び突起136と安定した関係に落ち着かせることができる。
先に述べたように、カバーの壁140、142の内側の長さL1、L2は、接着接合部144が境界面106−112に予荷重を掛けるように、感知機構114を補完する寸法になっている。
彫り込み部分166がもたらした追加的な入力軸の可撓性は、追加の予荷重機構を提供する。彫り込み部分166の深さを調整することによって、可撓部146−152の厚さ、従ってばね定数は、彫り込み166が完全に省かれているときの最大剛性から、彫り込み部分166の深さの関数として減少する。つまり、可撓部146−152が薄くなるほど、それらのばね定数は下がって、掛けられる予荷重も減少する。
図7と図8は、感知機構178に形成されている複数の薄い「Z」形状の可撓部又は可撓性懸架ブラケット170、172、174、176として具現化されている本発明の可撓性懸架装置を示している。可撓性懸架ブラケット170、172、174、176は、感知機構178のフレーム部分180に形成されており、そこから保証質量182が可撓的に懸架されている。図7の例では、可撓性懸架ブラケット170−176は、感知機構フレーム180に対して有用に同じに方向付けされている。或る例では、可撓性懸架ブラケット170−176は、それぞれ、拡張された島部分184、186、188、190を含んでおり、その島は、中心の細長いステム192の長さに沿って中心に又は対称的に配置されている。
境界面106、108は、島部分184−190に形成されている。例えば、各島部分184は、先に論じたような、一方のクラムシェルカバー196の基部194に形成されている雄型突起又は角錐メサ136と相補的な雌型凹部又はソケット138の内の1つで形成されている。
図8に示すように、台地対平面の境界面110、112の部分は、感知機構178と上部カバー198の間に設けられている。従って、平面134は、各可撓性懸架ブラケット170−176の島部分184−190の反対側に形成されており、クラムシェルカバー196の基部194に形成されている台地状メサ132との境界面を形成している。台地状メサ132は、それぞれ、周囲の材料から又は周囲材料の「上方」に或る設定された距離で切頭されている平坦な同一平面を有している。この様に、台地状メサ132は、感知機構178に対する絶対基準面を提供しており、更に、平面134と境界を形成し、感知機構178を、カバー196の基部194の内側面から所定の離間距離D1だけ間隔を空けて配置している。
この様に、可撓性懸架ブラケット170−176は、全ての相補的境界面106−112を可撓的に支持し、感知機構178を、そうでなければ境界面106−112を通して伝達される、カバープレート196、198の歪みから絶縁する。
図9と図10は、感知機構210の対を成すスロット209によって形成されている複数の薄い「Z」形状の可撓部又は可撓性懸架ブラケット202、204、206、208を有するセンサー200として具現化されている本発明の可撓性懸架装置を示している。感知機構210は、保証質量214が可撓的に懸架されているフレーム部分212を含んでいる。可撓性懸架ブラケット202−208は、フレーム部分212に形成されており、それぞれ、拡張した島部分216、218、220、222を含んでおり、その島は、中心の細長いステム224の長さに沿って中心に又は対称的に配置されている。
図9の例では、各可撓性懸架ブラケット200−208は、他の可撓性懸架ブラケット200−208に対して約90度に、有用に方向付けされている。
角錐−ソケット境界面106、108は、島部分216−222に形成されている。例えば、各島部分216、218、220、222は、雄型突起又は角錐メサ136で形成され、一方、相補形の雌型凹部又はソケット138は、一方のクラムシェルカバー228の基部226内の対応する位置に形成されている。
図10に示すように、台地対平面の境界面110の部分は、感知機構178と上部カバー198の間に設けられている。従って、台地状メサ132は、各島部分216、218、220、222に設けられている。これらの台地状メサ132は、上部クラムシェルカバー232の基部230に形成されている平面134と境界を形成している。台地状メサ132は、それぞれ、感知機構フレーム212の周囲の材料から又は周囲の材料の「上方」に或る設定された距離で切頭されている平坦な同一平面を有している。この様に、台地状メサ132は、感知機構210に対する基準面を提供している。台地状メサ132は、更に、平面134と境界を形成し、感知機構210を、カバー232の基部230の内側面から所定の離間距離D1だけ間隔を空けて配置している。
センサー機構210のフレーム212は、可撓性懸架ブラケット202−208が示すばね定数を調整するため、可撓性懸架ブラケット202−208の領域内で随意的に彫り込まれている。クラムシェルカバー228、232が感知機構210に組み付けられたときに所望のばね定数を達成し所望の予荷重を掛けるために、フレーム212は、一方又は両方の側から彫り込まれる。
この様に、可撓性懸架ブラケット202−208は、全ての相補形の境界面106−112を可撓的に支持し、感知機構210を、そうでなければ境界面106−112を通して伝達されるカバープレート228、232の歪みから絶縁する。
更に、感知機構210内に本発明の可撓性懸架ブラケット202−208を形成することによって、可撓性懸架ブラケット202−208を画定するためのスロットは、クラムシェルカバー228、232から省かれる。カバー228、232が縁部シール144によって接合された後では、完成したセンサー200の気密シールを危うくするのは、数個のアクセス窓234(図5と図6にも示している)だけである。
本発明の或る実施形態によれば、機構114へのアクセスを提供する必要な全ての窓234は、図5及び図6に示すように、可撓性懸架ブラケット146−152が形成されているカバー104に形成されている。この随意の選択によって、全ての貫通エッチングが単一のカバーで行われるので、製造の複雑さが軽減される。
しかしながら、図7及び図8に示すように、感知機構178内に可撓性懸架ブラケット170−176を形成するか、又は図9及び図10に示すように感知機構210内に可撓性懸架ブラケット202−208を形成すると、機構の回りに気密シールを固定するための機会が提供される。
従って、可撓性懸架ブラケット170−176又は202−208の内の1つ又はそれ以上に導電性トレース236を形成して(図示)システムの電力及び信号を伝えることによって、アクセス窓234は省かれ、気密シールされたセンサーとなる。本発明の或る実施形態によれば、導電性トレース236は、金のような導電性金属238で形成され、可撓性懸架ブラケット202−208の表面に蒸着されている。本発明の別の実施形態によれば、導電性トレース236は、可撓性懸架ブラケット202−208の表面を適した導電性ドーパントでドーピングすることによって形成される。例えば、ドーパントのチャネル240を、可撓性懸架ブラケット202−208の半導体シリコン材料の表面に拡散させる。ドーパントは、選択されたシリコンウェーハの基材の関数として選択されたp形(正)又はn形(負)のドーパントであり、一般的には、p形ウェーハ内に「n」チャネルを形成するためのn形ドーパントと、n形ウェーハ内に「p」チャネルを形成するためのp形ドーパントである。n形面のドーピング不純物は、限定するわけではないが、例えば、燐、砒素又はアンチモンである。p形面のドーピング不純物は、限定するわけではないが、例えば、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム又はチタンである。表面ドーピング不純物の供給源は、蒸着炉内でイオンを注入する場合は、固体でも、液体でも、気体でもよい。表面ドーピング不純物の供給源は、真空イオン加速器を使用してイオン注入する場合は、気体だけである。不透明な領域と透明な領域を備えた石英マスクのようなマスクが、シリコンウェーハをパターン化するために、普通は「フォトレジスト」と呼ばれる感光レジストフィルムを選択的に露出/パターン化するためのマスクアライナーツールで用いられる紫外線を、それぞれ遮断し、通過させるのに用いられる。
感知機構を、一対のカバープレートの間に可撓的に懸架するための本発明の装置は、ここに記載しているクラムシェルカバー用途に限定されるものではない旨理解頂きたい。むしろ、角錐−ソケット境界面と台地−平面界面は、センサーとシリコン又は異方性エッチングを受け易い別の結晶材料から製作されるカバーとを有する、どの様な取り付け用途にでも有益に利用される。更に、ここで論じているように、本発明の可撓性懸架歪絶縁装置を説明するために、先行技術による精密機械加工された電気機械式システム(MEMS)装置の1つの代表的な例を提供しているが、ここで論じられているように、本発明は、従来型のMEMS製造技法に掛けられたときに結晶シリコンと同様に反応する、どの様な結晶材料でも同様に実行可能であると理解頂きたい。従って、ここまで本発明の好適な実施形態を図示し説明してきたが、これら好適な実施形態には、本発明の精神及び範囲から逸脱すること無く様々な変更を施すことができる旨理解頂きたい。
Claims (29)
- 一対のカバープレートの間に感知機構を可撓的に懸架するための装置において、
結晶基板内に形成された感知機構と、
前記各結晶基板に形成され、前記感知機構の何れかの側に取り付けられている一対のカバープレートと、
前記感知機構と前記カバープレートの内の第1のカバープレートとの間の第1の複数の相補形の境界面と、
前記感知機構と前記カバープレートの内の第2のカバープレートの間に可撓的に懸架されている第2の複数の相補形の境界面であって、前記可撓的に懸架されている境界面の内の1つ又はそれ以上は、更に、相補形の雄型と雌型の境界面を備えている、第2の複数の相補形の境界面と、を備えている装置。 - 前記第2の複数の相補形の境界面の1つ又はそれ以上は、更に、前記感知機構に予荷重を加えるために前記感知機構から離れる方向に可撓的に撓むことのできる相補形の境界面を含んでいる、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の複数の相補形の境界面は、更に、前記感知機構と、前記カバープレートの内の第1のカバープレートに対して固定されている複数の相補形の境界面を含んでいる、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の複数の相補形の境界面は、更に、複数の平面と境界を成す複数のメサを含んでいる、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の複数の相補形の境界面は、更に、絶対基準面を含んでいる、請求項1に記載の装置。
- 前記一対のカバープレートのそれぞれは、更に、基部と、前記基部の縁部に沿って伸張する壁とによって形成されている空洞を備えており、前記一対のカバープレートの前記壁は、前記感知機構を収容するための空洞を形成するため、前記感知機構の中心線に沿って相互接続されており、
前記第1の複数の相補形の境界面は、前記感知機構と、前記カバープレートの内の前記第1のカバープレートの前記基部との間に固定されており、
前記第2の複数の相補形の境界面は、前記感知機構と、前記カバープレートの内の前記第2のカバープレートの前記基部との間に可撓的に懸架されており、
前記装置は、更に、前記一対のカバープレートの壁を接合する接着剤を備えている、請求項1に記載の装置。 - 精密機械加工された歪絶縁装置を有する精密機械加工された電気機械式システム(MEMS)装置において、
結晶シリコン基板内に形成された精密機械加工された電気機械式力感知機構であって、そのフレーム部分の第1及び第2の相対する面に形成されている複数の境界面を含んでいる感知機構と、
それぞれの結晶シリコン基板内に形成された第1及び第2の精密機械加工されたカバープレートであって、各カバープレートは、前記感知機構が入るように間隔を空けて配置され、接合されると、前記感知機構を収容するための空洞を形成できる寸法に作られた複数の直立壁の間に実質的に平らな基部で形成されている、カバープレートと、
前記第1カバープレートの基部と、前記感知機構のフレーム部分の第1面に形成されている複数の相補形の平面との間に分布している複数のメサと、
前記第2カバープレートの基部と、前記感知機構の前記フレーム部分の第2の相対する面との間に分布している複数の可撓的に懸架された相補形の歪絶縁装置と、
前記第1と第2のカバープレートの前記壁を接合する接着剤と、を含んでいる装置。 - 前記複数の可撓的に懸架された相補形の歪絶縁装置の内の1つ又はそれ以上は、更に、相補形の雌型凹部に並置された、切頭された雄型突起を備えている、請求項7に記載の歪絶縁装置。
- 前記複数の可撓的に懸架された相補形の歪絶縁装置の内の1つ又はそれ以上は、更に、前記感知機構に予荷重を加える寸法に作られている、請求項7に記載の歪絶縁装置。
- 前記複数の相補形の歪絶縁装置は、更に、前記第2カバープレートの前記基部に形成された複数の可撓性懸架ブラケットを備えている、請求項7に記載の歪絶縁装置。
- 前記複数の相補形の歪絶縁装置は、更に、前記感知機構の前記フレーム部分に形成された複数の可撓性懸架ブラケットを備えている、請求項7に記載の歪絶縁装置。
- 前記直立壁は、更に、前記感知機構の中心線に沿って接合される寸法に作られている、請求項7に記載の歪絶縁装置。
- 精密機械加工された電気機械式システム(MEMS)装置において、
それぞれが第1と第2の実質的に平らで、平行に間隔を空けて配置された相対する面を有している複数の結晶ウェーハと、
前記結晶ウェーハの第1及び第2のウェーハに形成されている第1及び第2のクラムシェルカバーであって、それぞれが、直立周辺壁部分に取り囲まれている実質的に平らな基部を備えているクラムシェルカバーと、
前記結晶ウェーハの第3のウェーハに形成されている精密機械加工された電気機械式感知機構であって、前記第1及び第2のクラムシェルカバーの前記直立周辺壁部分の中に嵌る寸法に作られたフレーム部分と、前記フレーム部分の中に形成され、そこから可撓的に懸架されている保証質量とを備えている感知機構と、
前記感知機構の前記フレーム部分と前記第1クラムシェルカバーの前記基部との間に配置され、前記フレーム部分と前記第1クラムシェルカバーの内の一方に対して固定されている第1の複数の相補形の境界面と、
前記感知機構の前記フレーム部分と前記第2クラムシェルカバーの前記基部との間に配置され、前記フレーム部分と前記第2クラムシェルカバーの内の一方に対して可撓的に懸架されている第2の複数の相補形の境界面と、を備えている装置。 - 前記第2の複数の相補形の境界面の内の1つは、更に、相補形の雌型ソケットと境界を成す切頭された角錐形の雄型突起を備えている、請求項13に記載の装置。
- 前記第2の複数の相補形の境界面のそれぞれは、更に、可撓性のZ形の懸架ブラケットを備えている、請求項13に記載の装置。
- 前記第2の複数の相補形の境界面は、更に、前記第2クラムシェルカバーに形成されている複数の可撓性懸架ブラケットを備えている、請求項13に記載の装置。
- 前記第2の複数の相補形の境界面は、更に、前記感知機構の前記フレーム部分に形成されている複数の可撓性懸架ブラケットを備えている、請求項13に記載の装置。
- 前記第1の複数の相補形の境界面は、更に、複数の相補形の平面と境界を成す複数のメサを備えている、請求項13に記載の装置。
- 前記複数のメサは、更に、前記第1クラムシェルカバーに対する基準面を備えている、請求項18に記載の装置。
- 精密機械加工された電気機械式システム(MEMS)装置内の精密機械加工された感知機構を歪絶縁するための方法において、
精密機械加工された電気機械式感知機構を実質的に平らな結晶基板内に形成する段階と、
一対のカバープレートを、一対の実質的に平らな結晶基板内に形成する段階と、
前記感知機構と前記カバープレートの内の第1のカバープレートに、前記感知機構と前記第1カバープレートの間に配置される複数の相補形の境界面を形成する段階と、
前記感知機構と前記カバープレートの内の第2のカバープレートに、前記感知機構と前記第2カバープレートの間に可撓的に懸架される複数の相補形の境界面を形成する段階と、
前記一対のカバープレートを相互接続する段階と、から成る方法。 - 1つ又は複数の可撓的に懸架される相補形の境界面を形成する前記段階は、更に、前記結晶基板の{1、0、0}面をエッチングする段階を含んでいる、請求項20に記載の方法。
- 前記結晶基板の{1、0、0}面をエッチングする前記段階によって、1つ又は複数の可撓的に懸架される相補形の境界面を形成する前記段階は、更に、
前記感知機構又は前記第2カバープレートの何れかに切頭された角錐形の雄型突起をエッチングする段階と、以下の2つの段階、即ち、
前記切頭された角錐形の雄型突起が前記第2カバープレートに形成される場合は、相補形の雌型ソケットを前記感知機構にエッチングする段階と、
前記切頭された角錐形の雄型突起が前記感知機構に形成される場合は、相補形の雌型ソケットを前記第2カバープレートにエッチングする段階、の内の一方の段階と、を含んでいる、請求項21に記載の方法。 - 前記切頭された角錐形の雄型突起と前記相補形の雌型ソケットをエッチングする前記段階は、更に、異方性エッチング液を使ってエッチングする段階を含んでいる、請求項22に記載の方法。
- 前記感知機構と前記第2カバープレートとの間に可撓的に懸架される複数の相補形の境界面を形成する前記段階は、更に、前記相補形の境界面を可撓的に懸架するために、可撓性懸架ブラケットを、前記相補形の境界面のそれぞれに形成する段階を含んでいる、請求項20に記載の方法。
- 前記感知機構と前記一対のカバープレートのそれぞれとの間の、前記相補形の境界面の内の1つ又はそれ以上に予荷重を作り出す段階を更に含んでいる、請求項20に記載の方法。
- 前記感知機構と前記第1カバープレートの間に配置される複数の相補形の境界面を形成する前記段階は、更に、前記感知機構と前記第1カバープレートの間に複数の相補形の台地対平面の境界面を形成する段階を含んでいる、請求項20に記載の方法。
- 前記感知機構と前記第1カバープレートの間に配置される複数の相補形の台地対平面の境界面を形成する前記段階は、更に、前記台地対平面の境界面の台地部分の端面によって画定される基準面を生成する段階を含んでいる、請求項26に記載の方法。
- 前記一対のカバープレートを相互接続する前記段階は、更に、前記一対のカバープレートを、前記感知機構の中心線に沿って接着する段階を更に含んでいる、請求項20に記載の方法。
- 一対のカバープレートを一対の実質的に平らな結晶基板内に形成する前記段階は、更に、前記カバープレートのそれぞれに、基部と前記基部の縁部に沿う直立壁とによって形成される空洞を形成する段階であって、前記各空洞は前記感知機構を部分的に入れることができる寸法に作られ、前記壁は、前記感知機構の中心線に沿って相互接続され、前記感知機構を収容できる寸法の空洞を形成する、段階を含んでいる、請求項20に記載の方法。
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