JP2007527117A - レーザーの多重化 - Google Patents
レーザーの多重化 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007527117A JP2007527117A JP2006553674A JP2006553674A JP2007527117A JP 2007527117 A JP2007527117 A JP 2007527117A JP 2006553674 A JP2006553674 A JP 2006553674A JP 2006553674 A JP2006553674 A JP 2006553674A JP 2007527117 A JP2007527117 A JP 2007527117A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- multiplexing
- beams
- common
- converging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 238000013341 scale-up Methods 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
- G02B27/0938—Using specific optical elements
- G02B27/095—Refractive optical elements
- G02B27/0955—Lenses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
- B23K26/0608—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams in the same heat affected zone [HAZ]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
- G02B27/0905—Dividing and/or superposing multiple light beams
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
- G02B27/0938—Using specific optical elements
- G02B27/095—Refractive optical elements
- G02B27/0972—Prisms
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/7005—Production of exposure light, i.e. light sources by multiple sources, e.g. light-emitting diodes [LED] or light source arrays
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Lasers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
【課題】
【解決手段】極端紫外線リソグラフィー即ちEULにおいて高出力パルスレーザーを用いるためのレーザー多重化システム及び方法。第1の実施形態では、レーザー発生プラズマ生成のための高出力EUVレーザー多重化素子(200)が、少なくとも2つのレーザービーム(208)を夫々共通のワークピース上の焦点(204)に収束させる少なくとも2つの収束素子(210)を備える複合レンズを有する。第2の実施形態では、レーザー多重化装置が、パルスレーザービームを生成するための少なくとも2つのパルスレーザーソースと、少なくとも2つのパルスレーザービーム(300)を時間的に交互に配置する時間多重化要素(302)と、を有する。第3の実施形態では、レーザー多重化組体がビーム形成素子(401)を有し、ビーム形成要素は、第1のレーザービーム(406a)を、第2のレーザービーム(406b)の軸と共通の軸に沿って、上記共通の軸を中心として配置されている共通の収束素子(405)へと向ける。
【選択図】図2
【解決手段】極端紫外線リソグラフィー即ちEULにおいて高出力パルスレーザーを用いるためのレーザー多重化システム及び方法。第1の実施形態では、レーザー発生プラズマ生成のための高出力EUVレーザー多重化素子(200)が、少なくとも2つのレーザービーム(208)を夫々共通のワークピース上の焦点(204)に収束させる少なくとも2つの収束素子(210)を備える複合レンズを有する。第2の実施形態では、レーザー多重化装置が、パルスレーザービームを生成するための少なくとも2つのパルスレーザーソースと、少なくとも2つのパルスレーザービーム(300)を時間的に交互に配置する時間多重化要素(302)と、を有する。第3の実施形態では、レーザー多重化組体がビーム形成素子(401)を有し、ビーム形成要素は、第1のレーザービーム(406a)を、第2のレーザービーム(406b)の軸と共通の軸に沿って、上記共通の軸を中心として配置されている共通の収束素子(405)へと向ける。
【選択図】図2
Description
本発明は、例えば高出力パルスレーザーについてのレーザーの多重化に関する。
レーザーの多重化が必要とされる1つの分野として極端紫外線リソグラフィー(EUVL)があり、この極端紫外線リソグラフィーは、近年、従来の光学的なリソグラフィーを継ぐ最も魅力的な候補の内の1つの候補であると考えられている。これにより、半導体素子の構造サイズを30nmよりも小さくすることが可能となる。この技術を実現するために、13.5nm周辺のスペクトル範囲の光を出射する光源が必要となる。例えば米国特許出願公開第2002/070353号明細書及び国際公開第02/19781A1号パンフレットに開示されているレーザー発生プラズマ(LPP)EUVソースは、EUVリソグラフィーの将来的なソースとして多大な可能性があり、放電に基づくEUVソースを超える複数の利点を提供する。これら利点は次のように要約できる;レーザーパラメーターの調整による出力スケール可変性(scalability)、低デブリ、パルスからパルスへの安定性(光量制御,optimum dose control)、ディメンジョンのフレキシビィリティ、空間的安定性、最小の熱負荷、収集のための大きな立体角。
LPPEUVソースで主に必要なことは、ターゲットへの高いレーザー繰り返し数(repetition rate)、高いピーク強度、高い平均レーザー出力に加えて、補充可能(refreshable)で効率的なターゲットを利用可能なことである。レーザー光から(特に13.5nmの周辺の特定の波長の)EUV放射への最適な変換効率(CE)を実現するために、Xeターゲットへのピーク強度(I)が1011−1013W/cm2の範囲にあることが必要である。
I(W/cm2)=EL/(Aτ)…(1)
ここで、ELはレーザーパルスエネルギー(ジュール)、Aはターゲット上のレーザービームの焦点スポット領域(cm2)、τはレーザーパルス継続時間(秒)である。
ここで、ELはレーザーパルスエネルギー(ジュール)、Aはターゲット上のレーザービームの焦点スポット領域(cm2)、τはレーザーパルス継続時間(秒)である。
高出力を得るために、偏光ビームスプリッター及び偏光回転光学素子(波長板)を用いて、充分に偏光された2つのレーザーを結合して1つの共通の直線状ビームとすることはありふれたことであるが、この技術は2つ以上のレーザーを結合できず、非偏光レーザーには適用できない。
主発振出力増幅器(Master Oscillator Power Amplifier,MOPA)として知られているアプローチでは、1つの大型で複雑なレーザーシステムが、必要な入力の大きさを満たすために用いられる。例えば、出力の大きさを増大するために、レーザー発振器の後方に増幅モジュールを追加することで、スケールアップ(scale−up)が達成される。しかしながら、このシステムでは様々な問題が浮上する。第1に、スケール可変性の観点からフレキシビリティが制限されることとなる。第2に、複数の増幅モジュールの内の1つのモジュールで故障が発生すると、EUVシステムの全体が停止してしまう。
図1に示される既知の別のアプローチでは、ターゲット108における必要なピーク強度(式1)を達成して、最適な変換効率を達成するために、1つの収束光学素子106を用いて、比較的小さい複数のレーザーモジュール100,102,104からの出力を結合する。全てのビーム110,112,114の焦点スポットは、理想的には、大きさが等しく、空間的に完全に重なり、これにより必要なピーク強度が確実に達成される。
しかしながら、このようなシステムでも問題が浮上する。例えば、レンズが球面収差を無視できるような充分な品質を有さない場合には、ビームの焦点スポットのサイズは光学表面における位置に依存する。さらに、例えば多数のレーザービームに対応するためにレンズ径を増大させる必要がある場合には、充分な品質のレンズを製造するのが難しく、製造コストも増大する。また、このシステムでは、収束光学素子の表面にビームを配置するために、離軸ミラー(off−axis mirror)が用いられる。しかしながら、レンズホルダー、ミラーホルダーのような装着器具はビームの通過領域に介在しがちであるため、離軸ミラーを用いる場合には、(収束素子の表面領域を効率的に利用するために)複数のビームを互いに接近して進行されるように配置することが難しくなる。
既知のさらに別のアプローチでは、多重レーザー光学素子が用いられる。多重レーザービームを用いてターゲットにおけるパルスエネルギーを増大させるこのアプローチは、ラザフォード研究所、国立発火施設(National Ignition Facility,NIF)、その他の大規模レーザー施設におけるレーザー核融合の研究で広範になされている。この方法では、様々な角度から多数のビームを収束させて、核融合ターゲットを照明する。各ビームラインでは、ターゲットにおいて所望のピーク強度を得るためにそれ自身の収束素子が用いられる。しかしながら、この形態では、ビームラインは完全にターゲットを囲んでおり、生成されたEUV放射の収集効率が甚だしく制限される。
米国特許出願公開第2002/0090172号明細書に記載されている既知のさらに別のアプローチは、印刷及び医療撮影のための半導体ダイオードレーザー多重化システムを示しており、別々のレーザーダイオードから放出されたビームが多モード光学ファイバーの入口へと収束され、ファイバーを通って進行する。しかしながら、このような形態は、LLPEUVレーザー多重化スキームで用いるには、必要とされる(1011−1013w/cm2の範囲の)高強度ライトパルスによって光学ファイバーが破壊されるため適切ではない。さらに、光学ファイバーによる伝達では、ファイバーの入口における光の収集の立体角が甚だしく制限されるため、このような形態では、多重化可能なビームの個数が制限される。
米国特許出願公開第2002/070353号明細書
国際公開第02/19781A1号パンフレット
米国特許出願公開第2002/0090172号明細書
本発明は、各請求項に記載されている。
本発明の複数の実施形態を、図面を参照して、例として説明する。
図2に示される本発明の第1実施形態では、LPPEUVシステムの全体が200によって示されており、LPPEUVシステムは、コレクター(不図示)を備える適切なタイプのLPPチャンバー202と、ターゲット204と、を有する。複数のレーザーソース206a,206b,206cが、レーザービーム208a,208b,208cを生成する。これらビームは、夫々近接して配置されている複数の小さなレンズ210a,210b,210cからなる列へと向けられており、これらレンズは所謂「ハエの目」の配置を形成している。各レンズは1−2個のレーザービームを受容し、そして、光学組体全体により、特にEUV放射を生成するために、N個のレーザーをチャンバー窓205を介してあらゆるタイプのターゲット即ちワークピースに収束させる複合レンズが構成されている。
適切なレーザーは、数khzの繰り返し数及び5−10nsのパルス継続時間のパルスダイオード励起固体レーザー(例えば、パワーレーザー・モデル・スターレーザー・AO4・Q−スイッチ・Nd:YAG・レーザー,Powerlase model Starlase AO4 Q−switched Nd:YAG laser)である。標準的な一素子凸レンズ(反射防止被覆済みの平凸あるいは両凸)が、「ハエの目」の複合レンズ(例えば、1064nmの光についての反射防止被覆済み、300mmの収束長、1”の直径、石英ガラスの平凸レンズ−CVIレーザーLLC、品番PLCX−25.4−154.5−UV−1064)の適切な素子となる。適切な商用ソフトウェアパッケージ(例えば、オプティカル・リサーチ・アソシエートのコード・V,Code V from Optical Research Associates)を用いることにより、光学性能が最適化される。
上述した空間的な多重化方法を用いて多数のレーザーを結合させることにより、従来技術のLPPドライバー形態を超える複数の効果が得られる。例えば、1つの高出力レーザーを用いるのと比較して、スケール可変性の観点から、より高いフレキシビリティが得られる。第2に、多重化モジュールの内の1つのモジュールで故障が生じた場合にも、EUVシステムは(出力は僅かに低下するが)作動を継続することができる。
1つの収束光学要素を有する空間的な多重化スキームと比較して、ビームの焦点スポットのサイズは光学表面上の位置には依存せず、レンズの品質はより決定的な事項ではなくなる。しかしながら、ハエの目のスキームにおいて、例えば多数のレーザービームを受容できるように、レンズ径を増大させる必要がある場合には、より小さく、容易に入手可能で高品質の複数のレンズを収差の影響を最小化するために用いることが可能である。
さらに、多数の独立していない収束光学素子を用いるシステムに対して、ハエの目の複合レンズでは、レーザー放射が細い円錐内に制限されるため、EUVを収集可能なより大きな立体角が提供される。
図3a乃至図3cに示される第2の実施形態では、時間的及び/又は空間的又は角度的な多重化を用いて、複数のソースレーザービームを、LPP発生に必要とされる高い繰り返し数の、単一の共に進行する出力ビームへと結合することで、ターゲットへと入射されるレーザー出力が増大される。この技術は、複数のソースレーザービームの偏光状態とは無関係に実施可能である。
上述したタイプの複数のソースレーザービーム300a,300b,300cは、光学素子302、ここでは、複数のビームの偏向角を時間的に変化させる回転ミラーまたはプリズムへと向けられる。偏向素子への各ソースビーム300a,300b,300cの入射角は一定である。
各ソースレーザービームは、レーザーの繰り返し周期の逆数だけ時間的に分離された別々のパルスの列からなっている。3つのレーザーについてのシステムを示す図3bから理解されるように、複数のソースレーザーの出力パルス列が時間的に交互に配置され、偏向素子への各レーザーパルスの到達時刻が固有のものとなるように、ソースレーザーのタイミングが調節される。偏向素子の時間的変化は、ソースレーザーからの入射パルスが共通の出力経路に沿って進行されるように調節される。
図3aに示される回転反射プリズム302については、プリズムは六角形断面を有するが、反射面の個数を多重化されるレーザービームの個数の整数倍の個数とする場合には他の多角形断面を用いることが可能である。プリズム302が回転され、ソースレーザービーム300a,300b,300cが連続的なパルスであるため、プリズムの一面に対して各ソースビームパルスが異なった入射角をなすことになる。従って、各ソースビームの角度の違いを効率的に補償して、全てのビームが共通の出力経路304に沿って反射されるように、プリズムの回転速度を調節可能である。また、パルスの反射角度が先頭エッジと末尾エッジとの間で最小となるように、即ち、パルスのドゥエルタイム(dwell time)の結果生じる角度の広がりがほぼなくなり、補償用の第2の光学素子が必要なくなるように、回転速度が選択される。
例えば往復ミラーや図3cに示される変形例のような様々な別の形態が可能であることが理解されるだろう。図3cに示される変形例では、くさび状プリズム310が、出射ビーム314の方向に垂直なソースビーム入射面312と、入射面312と所定の角度をなす出射面316と、を有する。異なるソースレーザービーム318a,318b,318c,318dが出射面に対して同じ入射角をなし、連続的なパルスとなるように、くさびが回転される。従って、これら各ビームの入射角の相違は回転くさびによって元通りに補償され、共通の出力経路314が提供される。複数のレーザーパルスが時間的に互いに等しい間隔で分離され、くさびが一定の角速度で回転され、複数のレーザーソースは互いに等しい角度だけ離間されている。代わって、出射面が出射ビームの方向に垂直に配置され、かつ、入射面が出射面に対して所定の角度で配置され得、あるいは、両面が出射ビームの方向に対して所定の角度をなし得る。
結果として生じたビームは、時間的及び角度的に多重化され、Nをソースの個数として、Nx(ソース平均出力)の平均出力、Nx(ソース繰り返し周波数)の繰り返し周波数を有する。このようにして多重化されたビームを(例えば上述した空間的な多重化を用いて)さらに結合するようにしてもよい。
このような形態により、偏光とは無関係な多数のレーザーの多重化を達成することが可能となる。
さらに、このような形態により、平均出力のスケールアップをターゲットでのピーク強度から独立して制御可能であり、即ち、ターゲットでの平均出力をターゲットでのピーク強度を増大させることなく増大させることが可能である。
さらに別の実施形態では、図4a及び図4bにおいて400で示されるシステムが、
環状断面のビームを形成するためのビーム形成素子401,402と、平面環状ミラー403,404と、共通の収束素子405と、を有する。環状ミラー及び共通収束要素は共通の長手軸を中心として配置されている。複数のレーザーが複数のレーザービーム406a,406b,407を生成する。第1及び第2の複数のレーザービーム406a,406bは、夫々のビーム形成要素401,402に向けられ、夫々の環状出力ビーム406c,406d(側断面によって示されている)を生成する。各環状出力ビーム406c,406dは、環状ミラー403,404(側断面によって示されている)を用いて共通の収束素子405へと向けられる。これら環状ミラーは、方向付けられたビームが共通の軸に沿って進行するように、ビームの方向に対して所定の角度をなしている。追加のレーザービーム407が平面ミラー420によって共通の収束素子へと向けられる。環状ミラー及び平面ミラーは、互いにほぼ平行に向けられ、共通の収束素子において同心的なビームパターンを形成する。共通の収束素子405は図4bの背面図に示されており、空間的に分離された複数の環状ビームが同心的に入射されていることが理解される。
環状断面のビームを形成するためのビーム形成素子401,402と、平面環状ミラー403,404と、共通の収束素子405と、を有する。環状ミラー及び共通収束要素は共通の長手軸を中心として配置されている。複数のレーザーが複数のレーザービーム406a,406b,407を生成する。第1及び第2の複数のレーザービーム406a,406bは、夫々のビーム形成要素401,402に向けられ、夫々の環状出力ビーム406c,406d(側断面によって示されている)を生成する。各環状出力ビーム406c,406dは、環状ミラー403,404(側断面によって示されている)を用いて共通の収束素子405へと向けられる。これら環状ミラーは、方向付けられたビームが共通の軸に沿って進行するように、ビームの方向に対して所定の角度をなしている。追加のレーザービーム407が平面ミラー420によって共通の収束素子へと向けられる。環状ミラー及び平面ミラーは、互いにほぼ平行に向けられ、共通の収束素子において同心的なビームパターンを形成する。共通の収束素子405は図4bの背面図に示されており、空間的に分離された複数の環状ビームが同心的に入射されていることが理解される。
好ましくは、各ビーム形成素子は、図4Cに示されるように、一組の円錐、あるいは、www.sciner.com/Opticsland/axicon.htmに示されるタイプの「アキシコン(axicon)」レンズによって形成されている。この態様では、円状入射ビームは、第1のアキシコンレンズ408によって分割されて発散環状ビームを生成し、この発散環状ビームは第2のアキシコンレンズ410に入射され、ほぼ直線状の環状出力ビームを生成する。代わって、回折格子のような回折光学素子が環状ビームを生成するのに用いられ得る。
図4aでは3個のビームが示されているが、本質的には、この方法で任意の個数のビームを多重化することができ、ビームの最大数は、究極的には収束素子の開口によって制限される。
上述したタイプのビーム形成技術を用いて多数のレーザーを結合することにより、従来技術の形態を超える幾つかの効果が得られる。例えば、共通の軸に沿って進行する環状ビームを用いることにより、離軸ミラーの必要性及びこれらに関する配置上の問題がなくなる。
時間的又は空間的な多重化スキームが適切な方式で組み合わされ得、時間的に交互に配置されあるいは重ね合わされたビームを、他のこのようなビームと空間的に多重化された共通の「チャンネル」に入射させることが可能となることが理解されるだろう。
空間的な多重化と時間的な多重化との結合により、EUVターゲットにおけるレーザーの平均出力をスケールアップさせ、EUV平均出力を増大させることが可能となる。これは式1から次のように達成される:EUV放射の最適な変換効率が達成されるまで、ターゲットにおけるレーザー出力強度が増大され、時間的な多重化によって平均出力のスケールアップが達成される。
様々な実施形態の別々の要素及び工程が適切に組み合わされ又は併用されることが理解されるだろう。所望の効果を得るために、反射、屈折、又は、回折偏向素子のような適切な光学要素と共に、適切ないかなるレーザーも用いられ得る。また、適切な応用のために、高出力を得るために上記アプローチが用いられ得、適切な場合には連続的なレーザーが用いられ得る。上記複数のアプローチは、組み合わされる場合には、任意に組み合され得る。
Claims (23)
- 少なくとも2つのレーザービームを夫々共通のワークピース上の焦点に収束させる少なくとも2つの収束素子を有する複合レンズを具備するレーザーの多重化。
- 複合レンズが複数のレンズからなる列を有する請求項1に記載の素子。
- 請求項1又は2に記載の素子を有するレーザー。
- 少なくとも2つのパルスレーザービームをこれらビームがそれらの偏光状態とはかかわりなく多重化されるように時間的に交互に配置することを具備する複数のレーザービームを多重化する方法。
- 少なくとも2つのレーザービームは空間的に分離されており、可変偏向素子が複数のレーザービームをワークピース上の共通のターゲット領域へと収束させる、請求項4に記載の方法。
- 可変偏向素子は、時間的に交互に配置された複数のビームをワークピース上の共通のターゲット領域へと収束させるように移動可能である、請求項4又は5に記載の方法。
- 複数のレーザーパルスを共通のターゲットへと空間的に多重化する工程と、複数の空間多重化パルスの内の少なくともいくつかの空間多重化パルスを時間的に交互に配置する工程と、を順不同で具備する複数のレーザービームを多重化する方法。
- 複数のパルスの内の少なくともいくつかの複数のパルスを時間的に重複させる工程をさらに具備する請求項7に記載の方法。
- パルスレーザービームを生成する少なくとも2つのパルスレーザーソースと、少なくとも2つのパルスレーザービームを時間的に交互に配置する時間多重化素子と、を具備するレーザー多重化装置。
- 時間多重化素子は可変偏向素子を有する、請求項9に記載の装置。
- 可変偏向素子は可動な反射器あるいはくさびを有する、請求項10に記載の装置。
- 可変偏向素子は可動な屈折器を有する、請求項10に記載の装置。
- 可変偏向素子は可動な回折素子を有する、請求項10に記載の装置。
- 可変偏向素子は所定の個数の反射面を有し、反射面の個数は多重化されるレーザー源の個数である整数個である、請求項10に記載の装置。
- 請求項1乃至3のいずれか1項に記載のレーザー多重化素子をさらに具備する請求項9乃至14のいずれか1項に記載の装置。
- 請求項1乃至3のいずれか1項に記載のレーザー、及び/又は、請求項9乃至14のいずれか1項に記載の装置、を具備する高出力レーザー発生プラズマ生成装置。
- 請求項1乃至3のいずれか1項に記載のレーザー、又は、請求項9乃至14のいずれか1項に記載のレーザー装置、を具備するレーザープラズマ生成装置。
- 2つ以上の独立したレーザーによるパルス状のレーザー光を可動偏向素子へと向ける工程と、レーザーパルスの偏向が先頭エッジと末尾エッジとの間で最小化されるような速度で上記素子を移動させる工程と、を具備する複数のレーザービームを多重化する方法。
- ビーム形成素子を具備し、ビーム形成素子は、第1のレーザービームを、第2のレーザービーム軸と共通の軸に沿って、上記共通の軸を中心として配置されている共通の収束素子へと向ける、レーザー多重化組体。
- ビーム形成素子は、第1及び第2のビームを空間的に分離可能である、請求項19に記載の組体。
- ビーム形成素子はレンズによって形成されている、請求項19又は20に記載の組体。
- 上記レンズはアキシコンレンズである、請求項21に記載の組体。
- 第1のレーザービームを、第2のレーザービーム軸と共通の軸に沿って、上記共通の軸を中心として配置されている共通の収束素子へと向ける工程を具備する複数のレーザービームの多重化の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB0403865.9A GB0403865D0 (en) | 2004-02-20 | 2004-02-20 | Laser multiplexing |
PCT/GB2005/000608 WO2005081372A2 (en) | 2004-02-20 | 2005-02-21 | Laser multiplexing |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007527117A true JP2007527117A (ja) | 2007-09-20 |
Family
ID=32040127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006553674A Pending JP2007527117A (ja) | 2004-02-20 | 2005-02-21 | レーザーの多重化 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070272669A1 (ja) |
EP (1) | EP1719218A2 (ja) |
JP (1) | JP2007527117A (ja) |
GB (1) | GB0403865D0 (ja) |
WO (1) | WO2005081372A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012114294A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置 |
JP2020205283A (ja) * | 2015-06-22 | 2020-12-24 | ケーエルエー コーポレイション | 高効率レーザー維持プラズマシステム |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004063832B4 (de) * | 2004-12-29 | 2010-02-11 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Erzeugung eines gepulsten Laserstrahls hoher Durchschnittsleistung |
US20070224768A1 (en) * | 2006-02-24 | 2007-09-27 | Uvtech Systems, Inc. | Method and apparatus for delivery of pulsed laser radiation |
US20080082085A1 (en) * | 2006-09-08 | 2008-04-03 | Krasutsky Nicholas J | Time division multiplexed, beam combining for laser signal generation |
US7621638B2 (en) * | 2006-11-29 | 2009-11-24 | Clarity Medical Systems, Inc. | Delivering a short Arc lamp light for eye imaging |
JP5346602B2 (ja) * | 2009-01-22 | 2013-11-20 | ウシオ電機株式会社 | 光源装置および当該光源装置を備える露光装置 |
DE102010034438A1 (de) * | 2010-08-16 | 2012-02-16 | AVE Österrreich GmbH | Verfahren zur Durchführung einer Laserspektroskopie, Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens und Sortieranlage aufweisend die Vorrichtung |
JP2012119098A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-21 | Gigaphoton Inc | 光学装置、レーザ装置および極端紫外光生成装置 |
DE102014208435A1 (de) * | 2014-05-06 | 2015-11-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung und Verfahren zum schichtweisen Erstellen einer Auftragschicht |
US9873628B1 (en) * | 2014-12-02 | 2018-01-23 | Coherent Kaiserslautern GmbH | Filamentary cutting of brittle materials using a picosecond pulsed laser |
KR102406333B1 (ko) * | 2016-11-18 | 2022-06-08 | 아이피지 포토닉스 코포레이션 | 재료 가공 레이저 시스템 및 방법 |
US10048199B1 (en) | 2017-03-20 | 2018-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Metrology system for an extreme ultraviolet light source |
US10340438B2 (en) | 2017-11-28 | 2019-07-02 | International Business Machines Corporation | Laser annealing qubits for optimized frequency allocation |
US10418540B2 (en) | 2017-11-28 | 2019-09-17 | International Business Machines Corporation | Adjustment of qubit frequency through annealing |
US10355193B2 (en) | 2017-11-28 | 2019-07-16 | International Business Machines Corporation | Flip chip integration on qubit chips |
US11895931B2 (en) | 2017-11-28 | 2024-02-06 | International Business Machines Corporation | Frequency tuning of multi-qubit systems |
US10170681B1 (en) | 2017-11-28 | 2019-01-01 | International Business Machines Corporation | Laser annealing of qubits with structured illumination |
CN108983557B (zh) * | 2018-08-03 | 2021-02-09 | 德淮半导体有限公司 | 光刻系统和光刻方法 |
TW202400349A (zh) * | 2018-10-08 | 2024-01-01 | 美商伊雷克托科學工業股份有限公司 | 用於在基板中形成穿孔的方法 |
US20230420907A1 (en) * | 2020-11-19 | 2023-12-28 | C. R. Bard, Inc. | Laser Module and Methods Thereof |
CN114217447B (zh) * | 2021-11-22 | 2023-07-07 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 | 一种激光束整形变换装置 |
CN115121938B (zh) * | 2022-08-10 | 2023-09-26 | 南京辉锐光电科技有限公司 | 激光头监测模组、多波段激光光路系统及激光加工设备 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3944947A (en) * | 1974-11-01 | 1976-03-16 | Jersey Nuclear-Avco Isotopes, Inc. | Laser amplifier system |
US4266854A (en) * | 1976-02-23 | 1981-05-12 | Jersey Nuclear-Avco Isotopes, Inc. | System for increasing laser pulse rate |
US4737958A (en) * | 1986-04-21 | 1988-04-12 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | High repetition rate laser source having high power |
US5027359A (en) * | 1989-10-30 | 1991-06-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Miniature Talbot cavity for lateral mode control of laser array |
US5543251A (en) * | 1990-06-29 | 1996-08-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method of recording plural holographic images into a holographic recording material by temporal interleaving |
JPH05145148A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-11 | Sony Corp | 固体レーザ共振器 |
WO1993021843A1 (en) * | 1992-05-05 | 1993-11-11 | Coherent, Inc. | Device and method for variably blending multiple laser beams for medical purposes |
US5745153A (en) * | 1992-12-07 | 1998-04-28 | Eastman Kodak Company | Optical means for using diode laser arrays in laser multibeam printers and recorders |
US5369659A (en) * | 1993-12-07 | 1994-11-29 | Cynosure, Inc. | Fault tolerant optical system using diode laser array |
US5491707A (en) * | 1994-08-24 | 1996-02-13 | Jamar Technologies Co. | Low cost, high average power, high brightness solid state laser |
US5748654A (en) * | 1996-06-17 | 1998-05-05 | Trw Inc. | Diode array providing either a pulsed or a CW mode of operation of a diode pumped solid state laser |
JPH10221499A (ja) * | 1997-02-07 | 1998-08-21 | Hitachi Ltd | レーザプラズマx線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法 |
US5900637A (en) * | 1997-05-30 | 1999-05-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Maskless lithography using a multiplexed array of fresnel zone plates |
US5861992A (en) * | 1997-06-20 | 1999-01-19 | Creo Products Inc | Microlensing for multiple emitter laser diodes |
WO1999038046A1 (en) * | 1998-01-23 | 1999-07-29 | Burger Robert J | Lenslet array systems and methods |
DE19819333A1 (de) * | 1998-04-30 | 1999-11-04 | Lissotschenko Vitaly | Optisches Emitter-Array mit Kollimationsoptik |
US6388782B1 (en) * | 1998-06-01 | 2002-05-14 | Sarnoff Corporation | Multi-wavelength dense wavelength division multiplexed optical switching systems |
US6203865B1 (en) * | 1998-07-20 | 2001-03-20 | Qqc, Inc. | Laser approaches for diamond synthesis |
US6563844B1 (en) * | 1998-10-21 | 2003-05-13 | Neos Technologies, Inc. | High loss modulation acousto-optic Q-switch for high power multimode laser |
US6424404B1 (en) * | 1999-01-11 | 2002-07-23 | Kenneth C. Johnson | Multi-stage microlens array |
US6498685B1 (en) * | 1999-01-11 | 2002-12-24 | Kenneth C. Johnson | Maskless, microlens EUV lithography system |
US6282223B1 (en) * | 1999-08-11 | 2001-08-28 | Lumenis Inc. | Asymmetrical laser-resonator having solid-state gain-medium symmetrically filled by resonator-mode |
US6831963B2 (en) * | 2000-10-20 | 2004-12-14 | University Of Central Florida | EUV, XUV, and X-Ray wavelength sources created from laser plasma produced from liquid metal solutions |
AU2001282361A1 (en) * | 2000-08-31 | 2002-03-13 | Powerlase Limited | Electromagnetic radiation generation using a laser produced plasma |
JP2002202442A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-07-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 合波レーザー光源および露光装置 |
US20040081217A1 (en) * | 2001-03-26 | 2004-04-29 | Yutaka Kusuyama | Semiconductor laser device |
US7065121B2 (en) * | 2001-07-24 | 2006-06-20 | Gsi Group Ltd. | Waveguide architecture, waveguide devices for laser processing and beam control, and laser processing applications |
JP2003080604A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 積層造形装置 |
JP4153438B2 (ja) * | 2003-01-30 | 2008-09-24 | 富士フイルム株式会社 | レーザ光合波方法および装置 |
US7164782B2 (en) * | 2003-04-18 | 2007-01-16 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | System and method for time-space multiplexing in finger-imaging applications |
-
2004
- 2004-02-20 GB GBGB0403865.9A patent/GB0403865D0/en not_active Ceased
-
2005
- 2005-02-21 EP EP05708400A patent/EP1719218A2/en not_active Withdrawn
- 2005-02-21 WO PCT/GB2005/000608 patent/WO2005081372A2/en active Application Filing
- 2005-02-21 US US10/589,926 patent/US20070272669A1/en not_active Abandoned
- 2005-02-21 JP JP2006553674A patent/JP2007527117A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012114294A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置 |
JP2020205283A (ja) * | 2015-06-22 | 2020-12-24 | ケーエルエー コーポレイション | 高効率レーザー維持プラズマシステム |
JP7224321B2 (ja) | 2015-06-22 | 2023-02-17 | ケーエルエー コーポレイション | 高効率レーザー維持プラズマシステム |
US11778720B2 (en) | 2015-06-22 | 2023-10-03 | Kla Corporation | High efficiency laser-sustained plasma light source with collection of broadband radiation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005081372A2 (en) | 2005-09-01 |
GB0403865D0 (en) | 2004-03-24 |
WO2005081372A3 (en) | 2005-12-08 |
US20070272669A1 (en) | 2007-11-29 |
EP1719218A2 (en) | 2006-11-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007527117A (ja) | レーザーの多重化 | |
JP4204810B2 (ja) | レーザビーム送出システム | |
KR101787477B1 (ko) | 극단 자외 광 생성 장치 | |
US10027084B2 (en) | Alignment system and extreme ultraviolet light generation system | |
JP5658012B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
US20130126751A1 (en) | Optical device, laser apparatus, and extreme ultraviolet light generation system | |
WO2007005415A3 (en) | Lpp euv light source drive laser system | |
TWI605731B (zh) | 具有雷射光束源及用來操縱雷射光束的光束導引裝置之極紫外光(euv)激光源 | |
KR20140027301A (ko) | 극자외선 광 생성 시스템 | |
KR20140006821A (ko) | 멀티패스 광학 장치 | |
WO1994026080A1 (en) | Laser-excited x-ray source | |
JP5711326B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
JP2000299197A (ja) | X線発生装置 | |
EP1320913B1 (en) | High-peak-power laser device and application to the generation of light in the extreme ultraviolet | |
KR102048129B1 (ko) | 투영 노광 장치용 가용 출력 빔을 생성하기 위한 euv 광원 | |
WO2004097520A2 (en) | Fiber laser-based euv-lithography | |
US10743397B2 (en) | Method and device for generating electromagnetic radiation by means of a laser-produced plasma | |
US20060140232A1 (en) | Arrangement for the generation of a pulsed laser beam of high average output | |
US10582601B2 (en) | Extreme ultraviolet light generating apparatus using differing laser beam diameters | |
JP2001035688A (ja) | 軟x線発生装置及びこれを備えた露光装置及び軟x線の発生方法 | |
KR102562542B1 (ko) | 레이저 가공 장치 | |
WO2020053250A1 (en) | Method and device for generating electromagnetic radiation by means of a laser-produced plasma | |
KR20240006562A (ko) | Euv 여기 광원 및 euv 광원 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090120 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090325 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090401 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091020 |