JP2007519128A - マルチスタック光データ記憶媒体及び当該媒体の使用 - Google Patents

マルチスタック光データ記憶媒体及び当該媒体の使用 Download PDF

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Abstract

集束放射ビーム（１０）により記録及び読み取りを行うためのマルチスタック光データ記憶媒体（１５）が説明される。このビームは第１の入射面（１１）を介して媒体（１５）に入射し、当該媒体は、少なくとも第１の基板（１）をもつと共に、この第１の基板の少なくとも一方の側面上に、第１の情報層を有する第１の層スタック（２）と、第２の情報層を有する第２の層スタック（４）と、を具える。第２の層スタックは、第１の層スタック（２）よりも第１の入射面（１１）に近い位置に存在し、第１の透明スペーサ層（３）によって第１の層スタックから隔てられる。第１の層スタック及び第２の層スタックは、各々がブルーレイディスク（ＢＤ）標準仕様に従って０．０４から０．０８の間の有効放射ビーム反射率Ｒｅｆｆをもつ。第３の情報層を有する第３の層スタック（６）は、第１の入射面（１１）に最も近い位置に存在し、第２の透明スペーサ層（５）によって第２の層スタック（４）から隔てられる。第３の層スタックは０．７０より大きい放射ビーム透過率Ｔ３をもち、第３の情報層はリードオンリー層又はライトワンス層である。増大されたデータ容量をもつと共に、デュアルスタックＢＤ標準仕様との互換性がある反射率値をもつマルチスタック光データ記憶媒体が実現される。

Description

本発明は、第１の入射面を介してマルチ(multi，多層)スタック光データ記憶媒体に入射する集束放射ビームにより記録及び読み取りを行うための該マルチスタック光データ記憶媒体であって、当該媒体が、少なくとも第１の基板をもつと共に、この第１の基板の少なくとも一方の側面上に、
第１の情報層を有する第１の層スタックと、
第２の情報層を有し、第１の層のスタックよりも第１の入射面に近い位置に存在し、第１の透明スペーサ層により第１の層スタックから隔てられる第２の層スタックと、を有し、
第１の層スタック及び第２の層スタックの各々が、０．０４から０．０８の間の有効放射ビーム反射率をもつ、マルチスタック光データ記憶媒体に関する。
本発明は、更に、集束放射ビームによってデュアル（dual，二層）スタック光データ記憶媒体の記録及び読み取りを行うのに適している装置におけるこのような媒体の使用にも関する。
冒頭段落に説明されたような光データ記憶媒体は、ブルーレイディスク（ＢＤ）として知られる。
光データ記憶媒体のこの新たなフォーマットは最近導入されており、デジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）フォーマットと比較して拡張された記憶容量及びデータレートをもつ。ＢＤは、青色、即ち、約４０５ｎｍの放射ビーム波長及び集束放射ビームの比較的高い開口数（ＮＡ）を使用する。このフォーマットについては、リードオンリー（ＲＯＭ，読み取り専用）、ライトワンス（Ｒ，追記型）及びリライタブル（ＲＷ，再書き込み可能）バージョンが既にもたらされており又は今後もたらされる。
デュアルスタックＢＤ媒体が存在し、この媒体内では、２つの情報スタックが約２５μｍ厚さの透明スペーサ層によって隔てられて存在する。それゆえ、この媒体の容量は、シングル（single，一層）スタックバージョンと比較して２倍にされる。ＢＤ標準仕様によれば、各々のスタックの有効反射率は、約４０５ｎｍの放射ビーム波長において０．０４から０．０８の間にあるべきである。一般に、ダブル（double，二重）スタック媒体に対して一つ又は複数のスタックを加えることは、各層の有効反射率レベルに悪影響を及ぼすことが認識されている。例えば、これらのスタックでリライタブル層として使用される相変化材料は、上記の放射ビーム波長において低い透過率値及び反射率値を示し、このことは、追加のスタックを加えることだけでなく、当該規格の反射率値に準拠することをも不可能にする。
しかしながら、より容量の大きい媒体の需要があることは予知され得る。
本発明の目的は、増大されたデータ容量をもつと共に、デュアルスタックＢＤ標準仕様との互換性がある反射率値をもつ冒頭段落に説明されたタイプのマルチスタック光データ記憶媒体を提供することにある。
この目的は、第３の情報層を有する第３の層スタックが、第１の入射面に最も近い位置に存在し、第２の透明スペーサ層によって第２の層スタックから隔てられており、第３の層スタックが０．７０より大きい放射ビーム透過率Ｔ３をもち、第３の情報層がリードオンリー層及びライトワンス層からなるグループから選択されるタイプである本発明によるマルチスタック光データ記憶媒体によって達成される。
本出願人は、第１の層スタック及び第２の層スタックの光学特性及び熱特性を大幅に変更することなく、リードオンリースタック又はライトワンススタックが、デュアル層ＢＤディスクに安全に加えられ得ることを認識している。ＢＤ規格によれば、デュアルスタックディスクの第１の層スタック及び第２の層スタックの両方の有効反射率は、０．０４から０．０８の間にあるべきである。第３の層スタックが第２の層スタックと例えばディスクカバーからなる入射面との間に置かれるように、このようなデュアルスタックディスクに第３の層スタックが加えられる場合、第３の層スタックの透過率に依存することの他に、第１の層スタック及び第２の層スタックの有効反射率の境界は、図３に実線３３及び実線３４で示されるようにシフトする。図から分かるように、第３の層スタックの０．７０乃至１．００の透過率の範囲において、第１の層スタック及び第２の層スタックの有効反射率は、ブルーレイディスク仕様（ｖ．１．０）により規定される反射率の範囲になお入ることができる。放射ビーム透過率Ｔ３が０．７５，０．８０又は０．８５さえ上回る場合が有利であり、この場合、０．０４から０．０８の間の第１の層スタック及び第２の層スタックのより広い反射率範囲が可能である。
ある実施形態では、第１の情報層及び第２の情報層がリライタブル層である。膨大な量の情報を取り扱うためにより多くの容量を必要とするアプリケーションの中には、単に当該情報の一部しか変えられる必要がないものもある。このようなアプリケーションの実例は、ホームビデオ編集、スタジオリメイク、「ブックマーク」のような追加の特徴を付加すること、又はビデオゲームなどである。ユーザが編集することを許可されない情報を含むゾーンをもつデータ記憶媒体のアプリケーションも知られている。従って、本発明による第３のスタックは非常に有用であり、その一方で、デュアルスタック媒体との後方互換性も保証される。このようなトリ（プル）（tri(ple)，三層）スタック媒体は、デュアルスタックＢＤ媒体に適しているレコーダ／プレーヤにおいて使用可能である。但し、このようなレコーダは第１の層スタック及び第２の層スタックを記録し読み取ることが専ら可能にされるけれども、これらのスタックは、デュアルスタックＢＤ規格の範囲に完全に入る反射値をもつ。第３の層スタックにアクセスするために、レコーダ／プレーヤの変更が必要とされる。ある有利な場合には、この変更がレコーダ／プレーヤのファームウェアに限定されてもよく、この変更はエンドユーザによって実施され得る。
誘電材料を有する反射層が第３の情報層と隣り合って存在する場合が有利である。このような材料により、適正な反射率値と組み合わされた高い透過率値が達成され得る。
他の実施形態では、第３の情報層がリードオンリー層であり、第３の層スタックが０．８６から０．９１の間の放射ビーム透過率をもつ。図２から分かるように、例えば、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる誘電反射層の厚さに依存して、０．８３乃至０．９５の範囲で変化する透過率をもつ第３のスタックが可能である。０．８６から０．９１の間の範囲のみを使用する場合、媒体の全てのスタックの有効反射率が０．０４乃至０．０８の範囲に入るトリプルスタックＢＤ媒体が実現される。
他の実施形態では、第３の情報層がライトワンス層であり、第３の層スタックが０．８１から０．８４の間の放射ビーム透過率をもつ。図４から分かるように、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる誘電反射層の厚さに依存して、０．８０から０．８４の範囲で変化する透過率をもつ第３のスタックが可能である。０．８１から０．８４の間の範囲のみを使用する場合、媒体の全てのスタックの有効反射率が０．０４から０．０８の範囲に入るトリプルスタックＢＤ媒体が実現され得る。
光データ記憶媒体の両面（dual sided）実施形態では、第２の入射面を介して、第１のスタック、第２のスタック及び第３のスタックとそれぞれ同じである上記媒体の第４のスタック、第５のスタック及び第６のスタックに入射する集束放射ビームにより記録及び読み取りを行うための第２の放射ビーム入射面が、第１の入射面とは反対側に存在する。この実施形態は、先行して説明された片面（single-sided）実施形態と比較して二倍の容量をもつという利点を有する。
片面デュアルスタック光データ記憶媒体の最大データ容量は、例えば、通常の光記録の原理が利用される場合、ＢＤについては５４ＧＢ（ギガバイト）に制限される。一つのディスクに追加の特徴を含むＢＤフォーマットにおける高精細映画の２つのバージョン、例えば、アメリカ合衆国で配給される映画に対して一般に行われるフルスクリーンバージョン及びワイドスクリーンバージョンを記憶するためには、５４ＧＢの記憶容量では不十分な可能性がある。従って、更に５０％分の容量を増大する、即ち８１ＧＢをもつ互換性のある片面トリプルスタック光記録媒体が提案される。光記録媒体の互換性のある両面トリプルスタックの実施形態では、この容量は再び二倍に増大されて１６２ＧＢになる。
前述されたように、デュアルスタックＢＤ仕様との互換性がある光データ記憶媒体については、各スタックの有効反射率は、約４０５ｎｍの放射ビーム波長において０．０４から０．０８の範囲にわたる。但し、将来のフォーマットについては他の波長が使用されてもよい。
本発明は、添付の図面を参照してより詳細に説明される。
図１Ａでは、集束放射ビーム１０により記録及び読み取りを行うための知られるＢＤマルチスタック光データ記憶媒体１５、即ち、ディスクが示される。放射ビーム１０は、第１の放射ビームの入射面１１を介して媒体１５に入射する。この媒体は、少なくとも第１の基板１をもつと共に、この第１の基板１の少なくとも一方の側面上に、第１の情報層を有する第１の層スタック２と、第２の情報層を有する第２の層スタック４と、を具える。第２の層スタック４は、第１の層スタック２よりも第１の放射ビームの入射面に近い位置に存在する。第２の層スタックは、第１の透明スペーサ層３によって第１の層スタックから隔てられている。第１の情報層及び第２の情報層はリライタブル層である。第１の層スタック及び第２の層スタックは、各々が０．０４から０．０８の間の有効放射ビーム反射率をもつ。
図１Ｂでは、本発明によれば、第３の情報層を有する第３の層スタック６が、第１の入射面に最も近い位置に存在する。この図の第１の層スタック及び第２の層スタックは、図１Ａで説明された各スタックと同じものである。第３の層スタックは、第２の透明スペーサ層５によって第２の層スタックから隔てられており、０．７０より大きい放射ビーム透過率をもつ。第３の情報層は、リードオンリー層及びライトワンス層からなるタイプのグループから選択されるタイプである。図１Ｂの実施形態は以下により詳細に説明される。
基板１は、第１の層スタック２の側面においてその表面にサーボプリグルーブ即ち案内溝のパターンをもち、ポリカーボネート（ｎ＝１．６）から製作され、１．１ｍｍの厚さをもつ。サーボプリグルーブは、記録時及び／又は読出し時に集束放射ビーム１０を案内するために使用される。第１の層スタック２はリライタブルスタックであり、スパッタリングにより堆積され厚さ４３ｎｍをもつ（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｎ＝２．３）でできている第１の誘電層と、スパッタリングにより堆積され厚さ１１ｎｍをもつ相変化型ＧｅＩｎＳｂＴｅ合金でできているリライタブル記録層と、スパッタリングにより堆積され厚さ９ｎｍをもつ（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｎ＝２．３）でできている第２の誘電層と、スパッタリングで堆積され厚さ１２０ｎｍをもつ銀（Ａｇ）でできている反射層と、をこの順序で有している。レーザビームは、ディスク基板１に隣り合うスタック側面とは対向する第１の誘電層の側面からリライタブルスタック２に入射する。第１の透明スペーサ層３は、２０乃至３０μｍの範囲の厚さ、この場合２５μmをもつ感圧性接着剤（ＰＳＡ）又はＵＶ硬化可能な樹脂でできている。第２の層スタック４は、スパッタリングにより堆積され厚さ４２ｎｍをもつ（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０でできている第１の誘電層と、スパッタリングにより堆積され厚さ６ｎｍをもつ相変化型ＧｅＩｎＳｂＴｅ合金（結晶体：ｎ＝１．５；ｋ＝３．４５）でできているリライタブル記録層と、スパッタリングにより堆積され厚さ９ｎｍをもつ（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０でできている第２の誘電層と、スパッタリングにより堆積され厚さ１０ｎｍをもつ銀（Ａｇ）でできている半透明反射層と、スパッタリングにより堆積され厚さ２５ｎｍをもつ（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０でできている第３の誘電層と、をこの順序で有している。レーザビームは、第１の透明スペーサ層３に隣り合うスタック側面とは対向する第１の誘電層の側面からリライタブルスタック４に入射する。スペーサ層３は、第２の層スタック４の側面においてその表面にサーボプリグルーブ即ち案内溝をもつ。
第３の層スタックは、第３の情報層に隣り合う厚さ２７ｎｍをもつ（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０でできている誘電反射層を有し、この場合、スペーサ層５の表面に複数のエンボス加工されたピットを有している。
上記に記載された光パラメータｎ及びｋは、放射ビーム波長であるλ＝４０５ｎｍに対するものである。計算された有効反射率及び透過率は下記である。
第１の層スタック２及び第２の層スタック４：
両方の層の有効反射率はＢＤ規格に完全に準拠する：
０．０４＜Ｒｅｆｆ＜０．０８
第３の層スタック６：
有効反射率（Ｒｅｆｆ）＝０．０７８
透過率Ｔ３＝０．８６９
代替例として、第３の層スタック６は、例えば、各グルーブ間に約４０乃至８０ｎｍの適切な厚さをもつ放射ビーム波長を感知することができるシアニン染料、アゾ染料などでできているライトワンス型の第３の情報層を有してもよい。上記の染料は、例えばスピンコーティングによって塗付され得る。３８ｎｍの厚さをもつ酸化シリコン（ＳｉＯ２）でできている誘電反射層が、スペーサ層５の側面の第３の情報層と隣り合って存在し、例えばスパッタリングによって堆積されてもよい。スペーサ層５は、第３の層スタック６の側面においてその表面にサーボプリグルーブ即ち案内溝のパターンをもつ。この実施形態の場合、以下の反射率値及び透過率値が、第３の層スタックについて達成される。
第３の層スタック６：
有効反射率（Ｒｅｆｆ）＝０．０７３７
透過率Ｔ３＝０．８１４６
図２では、誘電反射層を備えるＢＤ−ＲＯＭスタックの計算された光パラメータ有効反射率Ｒｅｆｆ及び透過率Ｔが、誘電反射層の厚さｔｄｉｅｌの関数として示される。この誘電層は（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０でできている。ＢＤ−ＲＯＭスタックは、（マルチレイヤディスクなどのスペーサ層又はディスク基板であり得る）プラスチック製の層にピットをエンボス加工し又は複製し、更に、十分な反射率を得るために、例えば誘電ミラーを加えることによって、製作されることができる。図から分かるように、このようなスタックの透過率Ｔは、０．８３乃至０．９５の範囲において変化する。ブルーレイディスク（ＢＤ）標準仕様によれば、デュアルスタックディスクの第１の層スタック及び第２の層スタックの双方の有効反射率は、０．０４から０．０８の間にあるべきである。この範囲は、図３において破線３１及び破線３２でそれぞれ示される。第３のＢＤ−ＲＯＭスタックが、第２のスタックとディスクカバー９との間に置かれて（図１Ｂ参照）、このようなデュアルスタックディスクに加えられる場合、第３のＲＯＭスタックの透過率に依存することの他に、図３に実線３３及び実線３４で示されるように第１のスタック及び第２のスタックの有効反射率の境界がシフトする。図から分かるように、第３のスタックの７０％乃至１００％の透過率の範囲において、第１のスタック及び第２のスタックの有効反射率は、ブルーレイディスク標準仕様（ｖ．１．０）により規定される反射率の範囲になおとどまることができる。
図３では、第３の（ＢＤ−ＲＯＭ）スタックの透過率Ｔ３に対する有効反射率Ｒｅｆｆの境界が示される。破線３１及び破線３２は、ブルーレイディスク規格ｖ．１．０に従うデュアル層のＢＤ媒体の可能な有効反射率の境界を示す。実線３３及び実線３４は、図１Ｂに示されるＢＤ媒体にＢＤ−ＲＯＭスタックを加えることによってもたらされる反射率の境界におけるシフトを示す。実線３５は、第３のＢＤ−ＲＯＭスタックの有効反射率Ｒｅｆｆに関する可能な解決策をその透過率Ｔ３の関数として表わす。この図面から分かるように、ＢＤ−ＲＯＭスタックの反射率は、０．０４から０．０８の範囲に入るようにされ得る。それゆえ、この実施形態では、第１の層スタック及び第２の層スタックが、例えばリライタブルタイプであり、第３の層スタックがリードオンリータイプである場合に、トリプルスタックＢＤが製作され得ることが示される。更に、ディスクにおける全てのスタックのＲｅｆｆが０．０４から０．０８の範囲に入ることも実証された。
図４では、誘電反射層を備えるＢＤ−Ｒスタックの計算された光パラメータ有効反射率Ｒｅｆｆ，透過率Ｔ及び光コントラストＣが、誘電反射層の厚さｔｄｉｅｌの関数として示される。この誘電層は酸化シリコン（ＳｉＯ２）でできている。図４から分かるように、このようなスタックの透過率Ｔは０．８０乃至０．８４の範囲において変化する。ブルーレイディスク（ＢＤ）規格によれば、デュアルスタックディスクの第１の層スタック及び第２の層スタックの双方の有効反射率は、０．０４から０．０８の間にあるべきである。この範囲は図５に破線５１及び破線５２でそれぞれ示される。第３のＢＤ−Ｒスタックが、第２のスタックとディスクカバー９との間に置かれて（図１Ｂ参照）、このようなデュアルスタックディスクに加えられる場合、第３のＢＤ−Ｒスタックの透過率に依存することの他に、第１のスタック及び第２のスタックの有効反射率の境界は、図５に実線５３及び実線５４で示されるようにシフトする。図から分かるように、第３のスタックの０．７０乃至１．００の透過率の範囲において、第１のスタック及び第２のスタックの有効反射率は、ブルーレイディスク標準仕様（ｖ．１．０）によって規定される反射率の範囲内になおとどまることができる。
図５では、第３の（ＢＤ−Ｒ）スタックの透過率Ｔ３に対する有効反射率Ｒｅｆｆの境界が示される。破線５１及び破線５２は、ブルーレイディスク規格ｖ．１．０に準拠するデュアル層のＢＤ媒体の許容された有効反射率の境界を示す。実線５３及び実線５４は、図１Ｂに示されるようにＢＤ媒体に第３のＢＤ−Ｒスタック６を加えることによってもたらされる反射率の境界におけるシフトを示す。実線５５は、第３の（ＢＤ−Ｒ）スタックの有効反射率Ｒｅｆｆに関する可能な解決策を、その透過率Ｔ３の関数として表わす。この図から分かるように、ＢＤ−Ｒスタックの反射率は０．０４から０．０８の範囲に入るようにされ得る。それゆえ、この実施形態では、第１の層スタック及び第２の層スタックが、例えばリライタブルタイプであり、第３の層スタックがライトワンスタイプであるトリプルスタックブルーレイディスクが製作され得ることが示される。更に、ディスクにおける全てのスタックの有効反射率が０．０４から０．０８の範囲に入ることも実証された。
上記に説明された実施形態が本発明を限定するものというよりむしろ例証するものであり、当業者であれば、添付された請求項の範囲から逸脱することなく、多くの代替えの実施形態を案出することが可能であることに留意されるべきである。請求項において、括弧に配されるいかなる参照符号も、請求項の範囲を制限するものとして解釈されてはならない。動詞「有する（comprising）」は、請求項に記載されたもの以外の構成要素又はステップの存在を除外するものではない。構成要素に先行する冠詞「a」又は「an」は、このような構成要素が複数存在することを除外するものではない。或る手段が互いに異なる従属請求項に列挙されるという単なる事実は、これらの手段の組み合わせが有利に用いられることはできないということを示すものではない。
本発明によれば、集束放射ビームにより記録及び読み取りを行うためのマルチスタック光データ記憶媒体が説明される。このビームは第１の入射面を介して媒体に入射し、該媒体が、少なくとも第１の基板をもつと共に、この第１の基板の少なくとも一方の側面上に、第１の情報層を有する第１の層スタックと、第２の情報層を有する第２の層スタックと、を具える。第２の層スタックは、第１の層スタックよりも第１の入射面に近い位置に存在し、第１の透明スペーサ層によって第１の層スタックから隔てられる。第１の層スタック及び第２の層スタックは、それぞれが、ブルーレイディスク（ＢＤ）標準仕様に従って０．０４から０．０８の間の有効放射ビーム反射率Ｒｅｆｆをもつ。第３の情報層をもつ第３の層スタックは、第１の入射面に最も近い位置に存在し、第２の透明スペーサ層によって第２の層スタックから隔てられる。第３の層スタックは０．７０より大きい放射ビーム透過率Ｔ３をもち、第３の情報層はリードオンリー層又はライトワンス層である。増大されたデータ容量をもつと共に、デュアルスタックＢＤ標準仕様との互換性がある反射率値をもつマルチスタック光データ記憶媒体が実現される。
デュアルスタックＢＤ−ＲＷ媒体を示す図である。 トリ（プル）スタックＢＤ−Ｒ（ＯＭ）／ＲＷ媒体を示す図である。 光パラメータ有効反射率Ｒｅｆｆ及びＢＤ−ＲＯＭスタックの透過率Ｔを、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０でできているこのスタックの誘電ミラーの厚さｔｄｉｅｌの関数として示す図である。 第３の（ＢＤ−ＲＯＭ）スタックの透過率Ｔ３に対する有効反射率の境界を示す図であり、破線３１及び破線３２は、ブルーレイディスク規格ｖ．１．０に従うデュアル層ＢＤ媒体の許容される有効反射率の境界を示し、実線３３及び実線３４は、図１Ｂに示されるＢＤ媒体にＢＤ−ＲＯＭスタックを加えることによってもたらされる反射率の境界におけるシフトを示し、実線３５は、第３のＢＤ−ＲＯＭスタックの有効反射率の可能な計算された解決策を表わす図である。 染料ベースのＢＤ−Ｒスタックの光パラメータの有効反射率Ｒｅｆｆ、透過率Ｔ及びコントラストＣを、このスタックのＳｉＯ２でできている誘電ミラーの厚さｔｄｉｅｌの関数として示す図である。 第３の（ＢＤ−Ｒ）スタックの透過率に対する有効反射率の境界を示す図であり、破線５１及び破線５２は、ブルーレイディスク規格ｖ．１．０に従うデュアル層ＢＤ媒体の許容される有効反射率の境界を示し、実線５３及び実線５４は、図１Ｂに示されるＢＤ媒体にＢＤ−ＲＯＭスタックを加えることによってもたらされる反射率の境界におけるシフトを示し、実線５５は、第３のＢＤ−ＲＯＭスタックの有効反射率の可能な計算された解決策を表わす図である。

Claims (7)

  1. 第１の入射面を介してマルチスタック光データ記憶媒体に入射する集束放射ビームにより記録及び読み取りを行うための該マルチスタック光データ記憶媒体であって、当該媒体が、少なくとも第１の基板をもつと共に、前記第１の基板の少なくとも一方の側面上に、
    第１の情報層を有する第１の層スタックと、
    第２の情報層を有し、前記第１の層スタックよりも前記第１の入射面に近い位置に存在し、第１の透明スペーサ層によって前記第１の層スタックから隔てられる第２の層スタックと、を有し、
    前記第１の層スタック及び前記第２の層スタックの各々が、０．０４から０．０８の間の有効放射ビーム反射率Ｒｅｆｆをもつ、マルチスタック光データ記憶媒体において、
    第３の情報層を有する第３の層スタックが、前記第１の入射面に最も近い位置に存在し、第２の透明スペーサ層によって前記第２の層スタックから隔てられており、前記第３の層スタックが０．７０より大きい放射ビーム透過率Ｔ３をもち、前記第３の情報層がリードオンリー層及びライトワンス層からなるタイプのグループから選択されるタイプであることを特徴とするマルチスタック光データ記憶媒体。
  2. 前記第１の情報層及び前記第２の情報層の少なくとも一つがリライタブル層である、請求項１に記載のマルチスタック光データ記憶媒体。
  3. 誘電材料を有する反射層が前記第３の情報層と隣り合って存在する、請求項１又は２に記載のマルチスタック光データ記憶媒体。
  4. 前記第３の情報層がリードオンリー層であり、前記第３の層スタックが０．８６から０．９１の間の放射ビーム透過率Ｔ３をもつ、請求項１乃至３の何れか一項に記載のマルチスタック光データ記憶媒体。
  5. 前記第３の情報層がライトワンス層であり、前記第３の層スタックが０．８１から０．８４の間の放射ビーム透過率Ｔ３をもつ、請求項１乃至３の何れか一項に記載のマルチスタック光データ記憶媒体。
  6. 第２の放射ビーム入射面を介して、前記第１のスタック、前記第２のスタック及び前記第３のスタックと各々同一である前記媒体の第４のスタック、第５のスタック及び第６のスタックに入射する集束放射ビームにより記録及び読み取りを行うための前記第２の放射ビーム入射面が、前記第１の入射面とは反対側に存在する、請求項１乃至５の何れか一項に記載のマルチスタック光データ記憶媒体。
  7. 集束放射ビームによってデュアルスタック光データ記憶媒体の記録及び読み取りを行うのに適している装置における請求項１乃至６の何れか一項に記載のマルチスタック光データ記憶媒体の使用であって、前記媒体において第１の層スタック及び第２の層スタックの各々が、０．０４から０．０８の間の有効放射ビーム反射率Ｒｅｆｆをもつ使用。
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