JP2007501412A - 結合高温超伝導体コイル - Google Patents

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Abstract

2つもしくはそれ以上のコイルを互いに機械的に変位させることにより、Qの劣化をほとんど伴うことなく、2つもしくはそれ以上の結合された本質的に同一の高温超伝導体コイルの基本対称モードの周波数を同調させることができる。これらの結合されたコイルは、周波数を検出するための検出システムに有用である。

Description

関連出願の相互参照
本出願は、2003年5月6日出願の米国仮出願第60/468,220号明細書;2003年8月27日出願の同第60/498,045号明細書;および2004年2月2日出願の同第60/541,144号明細書;による特典を請求する。それらはそれぞれ、実際上、その全体が本明細書の一部分として組み入れられるものとする。
本発明は、2つもしくはそれ以上のコイルを互いに機械的に変位させることにより2つもしくはそれ以上の結合された高温超伝導体(「HTS」)自己共振コイルの共振周波数を同調させる方法に関する。本発明はまた、そのような結合されたコイルを含有する検出システムに関する。
核磁気共鳴スペクトルを取得する際および磁気共鳴映像法を行う際にHTSコイルを使用した結果、シグナル対ノイズ比の実質的増加を生じた。たとえば、非特許文献1および非特許文献2を参照されたい。多くの用途では、これらのコイルの自己共振周波数を同調させることができれば有利である。
ウォン(Wong)ら著,低温工学の進歩(Advances in Cryogenic Engineering),第42B巻,p.953−959(1997年) ミラー(Miller)著,医学における磁気共鳴(Mag.Reson.Med.),第41巻,p.72−79(1999年)
本発明の目的は、高温超伝導体(HTS)コイルの共振周波数を同調させることに関連する方法および装置を提供することである。
本発明は、2つもしくはそれ以上の結合された高温超伝導体自己共振コイルの共振周波数を同調させる方法を提供する。この方法は、2つもしくはそれ以上のコイルの中心間距離を変化させることを含んでなる。とくに、基本対称モードの共振周波数は、2つもしくはそれ以上のコイルの中心間距離が増加するにつれて増加し、そして基本対称モードの共振周波数は、中心間距離が減少するにつれて減少する。
2つもしくはそれ以上のコイルは、好ましくは本質的に同一であり、最も好ましくはそれらは同一である。2つもしくはそれ以上のコイルは、好ましくは平行であり、それらは好ましくは表面コイルまたは平面コイルである。
本発明はまた、2つもしくはそれ以上の結合された高温超伝導体コイルと、コイル間距離を変化させる手段と、を含んでいる周波数検出システム(たとえば、核四重極共鳴検出システム)を提供する。
2つもしくはそれ以上の結合されたHTS自己共振コイルの基本対称モードの共振周波数を用いて、その周波数の信号の存在を検出することができる。2つもしくはそれ以上の
HTSコイルの中心間距離が十分に小さい場合、基本対称モードの共振周波数を容易に同調させることができることから、このように同調を行えば信号の存在を検出できることにこのたび気付いた。
本発明は、2つもしくはそれ以上のコイルの中心間距離を変化させることにより基本対称モードの共振周波数を同調させる方法を提供する。2つもしくはそれ以上のコイルの中心間距離が増大するにつれて、共振周波数は増加する。2つもしくはそれ以上のコイルの中心間距離が減少するにつれて、共振周波数は低下する。この同調は、コイルの品質係数(「Q」)の劣化や低下をほとんど伴うことなく(すなわち20%未満の変化で)達成される。
2つもしくはそれ以上のHTSコイルは、実際に同一ではないにしても、本質的に同一である。可能なかぎりすべての点でほぼ同等であれば、実際に同一ではないにしても、コイルは本質的に同一である。本質的に同一のコイルでは、作製の原料となった材料、作製に用いられた方法、およびそれらが呈する特性は、可能なかぎりほぼ同等である。しかしながら、好ましくは、コイルは実際に同一である。
本発明に使用するのに好ましいコイルは、基板の片側だけにHTSコイル構成体を有するかまたはより好ましくは基板の両側に同一(もしくは本質的に同一)のHTSコイル構成体を有する平面コイルまたは表面コイルである。実施例で使用されるコイルは、基板の両側に同一ではないにしても本質的に同一のHTSコイル構成体を有する。コイルの平面は、HTSコイル構成体を支持する基板の平面である。
2つの結合されたHTSコイルの概略断面図を図1aに示す。第1のコイル1は、図面の平面に垂直な平面2内に位置する。第1のコイル1は、平面2内に位置するコイル中心3を有する。第2のコイル4は、図面の平面に必ずしも垂直であるとは限らずかつ平面2に平行でない平面5内に位置する。第2のコイル4は、平面5内に位置するコイル中心6を有する。平面7は、平面2に平行であるとともにコイル中心6を含有する。距離dは、コイル中心3とコイル中心6との間の離隔距離である。中心3と6を結ぶラインは、平面2および7に垂直である。
平面2と7との間の離隔距離を増大させることにより;図1aの平面内で平面7内の鉛直線上に上向きまたは下向きに第2のコイル4を移動させることにより;図1aの平面に垂直であるが依然として平面7内で第2のコイル4を移動させることにより;またはコイル中心3とコイル中心6との間の離隔距離の増大を生じるそのような移動の組合せにより;距離dを増大させることができるので、それにより基本周波数を増加させることができる。
図1bは、2つのHTSコイルが平行であり(すなわち、平面5が回転されて平面7に一致し)かつ同軸である(すなわち、それらの中心を結ぶラインがコイルの平面(平面2および5)に垂直である)ときのそれらの断面図である。第1のコイル1は、この場合も、図面の平面に垂直な平面2内に位置し、かつ平面2内に位置するコイル中心3を有する。第2のコイル4は、この場合には平面2に平行である平面5内に位置する。第2のコイル4は、平面5内に位置するコイル中心6を有する。距離dは、コイル中心3とコイル中心6との間の離隔距離である。平面2と5との間の離隔距離を増大させることにより;図面の平面内で平面5内の鉛直線上に上向きまたは下向きに第2のコイル4を移動させることにより;平面5内で水平に(すなわち、図1bの平面に垂直に)第2のコイル4を移動させることにより;またはコイル中心3とコイル中心6との間の離隔距離の増大を生じるそのような移動の組合せにより;距離dを増大させることができるので、それにより基本対称モードの周波数を増加させることができる。
一実施形態では、たとえば、2つのコイルが平行である場合、基本対称モードの周波数を同調させるための本発明の方法は、コイルの平面(すなわち、図1bの平面2と平面5)間の距離がコイルの半径の約50%未満であるときに有用である。平面2と5との間の距離が本質的にゼロからコイルの半径の約50%まで増大するにつれて、基本対称モードの共振周波数は増加し;平面2と5との間の距離がコイルの半径の約50%から約ゼロまで減少するにつれて、基本対称モードの共振周波数は低下する。
この実施形態では、図1bに示されるように2つのコイルが平行であるだけでなく同軸構成でもある場合、コイルの中心間距離(すなわち中心3と6の間の距離)を本質的にゼロからコイルの半径の約50%に等しい距離まで変化させることにより、基本対称モードの共振周波数を同調させることができる。典型的には、この範囲にわたり距離を変化させれば(すなわち、0からコイルの半径の約50%まで増大させれば)、Qの劣化をほとんど伴うことなく基本対称モードの共振周波数の約15〜20%の増加を生じるであろう。
図1cは、2つのHTSコイルが平行であるが(すなわち、平面2が平面5に平行であるが)コイルが同軸でない(すなわち、コイルの中心を結ぶラインが各コイルの平面に垂直でない)ときのそれらの断面図である。第1のコイル1は、この場合も、図面の平面に垂直な平面2内に位置し、かつ平面2内に位置するコイル中心3を有する。第2のコイル4は、平面2に平行でありかつ図面の平面に垂直である平面5内に位置する。第2のコイル4は、平面5内に位置するコイル中心6を有する。距離dは、コイル中心3とコイル中心6との間の離隔距離である。しかしながら、図1cに示されるように、中心3と6とを結ぶラインは、もはや平面2および5に垂直ではない。平行平面2および5は、距離xだけ離隔されている。第2のコイル4の同軸位置からの鉛直線上の変位またはオフアクシス変位は、yとして示されている。
この実施形態では、2つのコイルが平行であるが同軸構成でない場合(図1cの構成で示されるような場合)、コイルの中心間距離d(すなわち、中心3と6との間の距離)を変化させることにより基本対称モードの共振周波数を同調させることができる。xおよび/またはyを変化させることにより距離dを変化させることができるので、それにより基本対称モードの共振周波数を変化させることができる。先に述べたように、基本対称モードの共振周波数を同調させるための本発明の方法は、xが0からコイルの半径の約50%までの範囲内であるときに有用である。yの変化量は、xの大きさに依存する。一例として、xがコイルの半径の約5%である場合、鉛直線上の変位yは、コイルの半径と同程度の大きさでありうる。xがコイルの半径の約5%でありかつyがゼロからほぼコイルの半径まで増大される場合、典型的には、Qの劣化をほとんど伴うことなく基本対称モードの共振周波数の約25〜30%の増加が得られる。
この実施形態では、コイルの平面が平行でありかつ平面間距離が同一であるかぎり、第2のコイルの平面内の任意の他の方角で側方変位および他のオフアクシス変位を行っても、先に記載した鉛直線上のオフアクシス変位と同一の効果が得られるので、それと等価である。
共振周波数を低下させるために、距離を増大させた先に記載の移動と逆の移動を行うことにより、コイル間距離を減少させることができる。
コイルは平行であることが好ましいが、コイルは非平行であってもよい。すなわち、一方のコイルの平面を他のコイルの平面に対して小さい角度だけ回転させてもよい。その結果として、さらに他の実施形態では、アライメントプロセスが不完全な結果になったときのようにコイルが正確には平行でない場合、2つもしくはそれ以上のコイルを先に記載し
た移動のタイプのいずれかに付したときに共振周波数の変化は同一の大きさになる。
どんなに多くのコイルを結合させたとしても、コイルの平面間距離を変化させることにより(すなわち、同軸コイルの側方変位により)または隣接コイルに対して1層もしくはそれ以上のコイルのオフアクシス変位を調整することにより、隣接コイル間の距離を変化させることができる。
任意の便利な手段によりコイルの中心間距離を変化させることができる。コイル間距離を変化させる手段としては、2つもしくはそれ以上のコイルの中心間距離を連続的に変化させることにより基本対称モードの共振周波数を連続的に同調させることができるように、マイクロポジショナーを用いて、xおよびyの両方を変化させるかまたは任意の他の方向で距離を変化させることが挙げられる。
結合された高温超伝導体コイルの基本対称モードの周波数は、単一コイルの共振周波数よりも低い。単一コイルの共振周波数に対する結合された高温超伝導体コイルの基本対称モードの周波数の低下は、使用したコイル数が多くなるほど大きくなる。2つの結合されたコイルは、単一コイルの共振周波数から特定パーセント低下した基本対称モード周波数を提供するであろう。3つのそのようなコイルを使用すると、より大きいパーセント低下した基本対称モード周波数が提供され、4つのそのようなコイルを使用すると、さらに大きいパーセント低下した基本対称モード周波数が提供される。これらのより大きい低下は重要である。結合されたコイルの周波数同調範囲の上限は、単一コイルの共振周波数により設定され、下限は、本質的にコイル間の離隔距離をもたせずに結合されたコイルの基本対称モード周波数により設定される。したがって、2つの結合されたコイルを使用すると、特定の周波数同調範囲が提供され、3つ、4つ、もしくはそれ以上結合されたコイルを使用すると、増大された周波数同調範囲が提供される。使用されるコイル数が増加するにつれて、範囲は増大する。
2つもしくはそれ以上の結合された高温超伝導体自己共振コイルの基本対称モードの共振周波数を同調させるための本発明の方法は、結合されたコイルが周波数を検出するための検出システムに使用される場合に有用である。周波数を同調させる能力は、特定の化合物に関してNQR周波数の特異性が存在するときに特定の化合物の存在を検出するために使用される核四重極共鳴(NQR)検出システムにとくに有益である。
2つもしくはそれ以上の結合された高温超伝導体自己共振コイルと、それらの間の距離を変化させる手段と、を含んでいるNQR検出システムは、任意の目的で化合物の存在を検出するために使用することができるが、爆薬、薬物、または任意の種類の禁制品のような規制物質の存在の検出にとくに有用である。そのようなNQR検出システムは、セーフティーシステム、セキュリティーシステム、または法執行スクリーニングシステムに効果的に組み込みうる。たとえば、人およびその衣服、機内持ち込み品、旅行用鞄、積荷、郵便物、および/または乗物を走査するために、これらのシステムを使用することができる。また、品質管理の監視、空気または水質の監視、および生体物質の検出を行うために、それらを使用することもできる。
本発明に係る検出システムでは、2つもしくはそれ以上の結合された高温超伝導体自己共振コイルを信号の送信および受信の両方に使用することができるので、NQR検出システムでは、2つもしくはそれ以上の結合された高温超伝導体自己共振コイルをNQRの励起にも得られるNQR周波数の検出にも使用することができる。好ましくは、2つもしくはそれ以上の結合された高温超伝導体自己共振コイルをセンサーとして(すなわち、NQR周波数を検出するために)単独で使用し、1つもしくはそれ以上の他のコイルをRF信号の送信およびNQRの励起に使用する。
高温超伝導体は、約77K超でまたは液体窒素で冷却することにより達成しうる温度で、超伝導を示す。HTSコイルの形成に使用される高温超伝導体は、好ましくは、YBaCu、TlBaCaCu、TlBaCaCu、(TlPb)SrCaCu、および(TlPb)SrCaCuよりなる群から選択される。最も好ましくは、高温超伝導体はTlBaCaCuである。
コイルは、たとえば、CeOバッファー層を有する単結晶サファイア基板と、単結晶サファイア基板のそれぞれの側のCeOバッファー層上の中心に位置する図2に示される構成の高温超伝導体パターンと、から構築しうる。または、さらなる例では、単結晶LaAlO基板と、単結晶LaAlO基板のそれぞれの側の中心に位置する図2に示される構成の高温超伝導体パターンと、からそれらを構築しうる。
以下に記載の一連の実施例により、本発明の有利な効果を実証する。実施例の基となる本発明の実施形態は、例示的なものにすぎず、本発明の範囲を限定するものではない。
実施例1
この実施例では、中心間距離を変化させたときに2つの結合されたコイルの基本対称モード共振周波数が変化することを実証すべく、実際に同一ではないにしても本質的に同一である2つのHTSのTlBaCaCuコイルを、それぞれ、各基板の両側に図2に示されるコイル設計構成で、サファイア(Al)基板上で使用する。
2インチ(5.1cm)の半径および0.018インチ(0.46mm)の近似厚さを有するクリーンな研磨された単結晶サファイア基板をユニオン・カーバイド・コーポレーション(Union Carbide Corp.)から入手した。基板温度を約700〜800℃の範囲内に保持してオフアクシススパッター堆積により、基板の両側でエピタキシャルCeOバッファー層を成長させた。Ba:Ca:Cu酸化物ターゲットのオフアクシスマグネトロンスパッタリングを用いて、基板の両側のCeOバッファー層上にアモルファス前駆体Ba:Ca:Cu酸化物膜を室温(約20℃)で堆積させた。このアモルファスBa:Ca:Cu酸化物膜は、約550nmの厚さであり、約2:1:2の化学量論比を有していた。次に、TlBaCaCu10とTlとの粉末混合物の存在下、850℃、空気中で、それを約45分間アニーリングすることにより、前駆体膜をタリウム化した。この粉末混合物を加熱した場合、粉末混合物からTlOが発生し、前駆体膜中に拡散してそれと反応し、TlBaCaCu相を形成する。
次に、サンプルの両側にフォトレジストをコーティングし、焼成した。図2に示される設計を有するコイル設計マスクを作製した。コイルは、約10.5mmの内半径および約22.5mmの外半径を有していた。コイルの最外HTSリングは約2mmの幅であり、最内HTSリングは約3.5mmの幅であった。中間HTSリングは、約250μmの幅であり、約250μmのリング間ギャップを有していた。次に、基板のフロント面上のTlBaCaCu膜を覆うフォトレジストの中心にコイル設計マスクを配置し、紫外光を照射した。次に、基板のバック面上のTlBaCaCu膜を覆うフォトレジストの中心にコイル設計マスクを配置し、紫外光を照射した。次に、基板の両側でレジストを現像し、レジストの現像時に露出されたTlBaCaCu膜の部分をアルゴンビームエッチングによりエッチング除去した。次に、残留するフォトレジスト層を酸素プラズマにより除去した。その結果、CeOバッファー層を有する単結晶サファイア基板と、単結晶サファイア基板のそれぞれの側のCeOバッファー層上の中心に位置する図2に示される構成の高温超伝導体TlBaCaCuパターンと、を含んでいるコイルを得た。本質的に同じようにプロセスを反復し、第2のコイルを作製し
た。ナルゲン(Nalgene)(登録商標)(ニューヨーク州ロチェスターのナルジェ・ヌンク・インターナショナル(Nalge Nunc International,Rochester,NY))デュワー瓶内に保持された液体窒素中に浸漬して以下に記載の測定法により決定したとき、2つの各コイルは、4696kHzの共振周波数を有していた。
同軸構成でコイルの平面が平行になるようにかつできるかぎり近接一体化されるように、すなわち、中心を結ぶラインがコイルの2つの平面に垂直になるように、2つのコイルを配置した。ナルゲン(Nalgene)(登録商標)デュワー瓶内に保持された液体窒素中にコイルを浸漬した。銅線のループを含んでいるピックアップコイルをコイルから約1インチ(2.5cm)離してピックアップコイルの平面がコイルの平面に平行になるように配置した。0.080インチ(2mm)の同軸ケーブルの1部片から外側ジャケットおよび誘電体スペーサーを除去することにより、ピックアップコイルを形成した。内部導体を円形に曲げて、ジャケットおよび誘電体が除去された点のすぐ外側で同軸ケーブルの外側ジャケットにそれを半田付けすることにより、ループを形成した。アジレント8753ベクトル・ネットワーク・アナライザー(Agilent 8753 Vector Network Analyzer)(カリフォルニア州パロアルトのアジレント・テクノロジーズ(Agilent Technologies,Palo Alto,CA))にピックアップコイルを接続する。周波数を掃引し、同軸構成を保持しつつコイルの中心間距離を本質的にゼロから(すなわち、2つのコイルが可能なかぎり互いに近接して配置された位置から)6.1mmまで増大させたときの共振周波数およびQを測定した。図1cの構成を参照する。この同軸離隔距離では、y=0であり、xは、0〜6.1mm(コイルの半径の約27%)の間の値をとる。本質的にゼロの離隔距離では、すなわち、x=0では、基本対称モード共振周波数は3430kHzであり、Q=14,000であった。離隔距離を6.1mmに増大させたとき、基本対称モード共振周波数は4113kHzであり、Q=14,000であった。これは、Qの有意な低下を伴うことなく基本対称モード共振周波数が20%増加することを示す。
次に、同軸構成でコイルの平面が平行になるように、すなわち、中心を結ぶラインがコイルの2つの平面に垂直になるように、2つのコイルを配置した。再度、図1cを参照する。中心離隔距離xは1mm(コイルの半径の約4.5%)であり、y=0であった。次に、中心がそのもとの同軸位置から1インチ(25.4mm)離れるまで、すなわち、y=25.4mm(ほぼコイルの半径)になるまで、第2のコイルを第1のコイルに対してオフアクシスに鉛直線上で移動させた。y=0では、基本対称モード共振周波数は3682kHzであり、Q=14,400であった。オフアクシス変位が25.4mmのとき、基本対称モード共振周波数は4489kHzであり、Q=14,000であった。これは、3%未満のQの変化を伴って基本対称モード共振周波数が30%増加することを示す。これらの2つの結果を三角形状の点として図3に示す。
これらの結果から、一方のコイルを他方のコイルに対して機械的に変位させることにより2つの本質的に同一の結合された高温超伝導体自己共振コイルの基本対称モード共振周波数を同調させるための本方法が実証される。
実施例2
この実施例では、中心間距離を変化させたときに2つの結合されたコイルの基本対称モード共振周波数が変化することを実証すべく、実際に同一ではないにしても本質的に同一である2つのHTSのTlBaCaCuコイルを、それぞれ、各基板の両側に図2に示されるコイル設計構成で、サファイア(Al)基板上で使用する。実施例1に記載の方法に本質的に従ってこれらのコイルを作製した。
次に、同軸構成でコイルの平面が平行になるように、すなわち、中心を結ぶラインがコイルの2つの平面に垂直になるように、2つのコイルを配置した。再度、図1cを参照する。中心離隔距離xは1mm(コイルの半径の約4.5%)であり、y=0であった。次に、中心がそのもとの同軸位置から20.3mm離れるまで、すなわち、y=20.3mmになるまで、マイクロメーターにより、第2のコイルを第1のコイルに対してオフアクシスに鉛直線上で移動させた。オフアクシス変位の関数としての基本対称モード共振周波数の増加を、菱形形状の点として図3にプロットする。
これらの結果から、一方のコイルを他方のコイルに対して機械的に変位させることにより2つの結合された本質的に同一の高温超伝導体自己共振コイルの基本対称モード共振周波数を同調させるための本方法が実証される。
実施例3
この実施例では、コイルの中心間距離を変化させたときに2つの結合されたコイルの基本対称モード共振周波数が変化することを実証すべく、実際に同一ではないにしても本質的に同一である2つのHTSのTlBaCaCuコイルを、それぞれ、各基板の両側に図2に示されるコイル設計構成で、LaAlO基板上で使用する。クリーンな研磨された単結晶サファイア基板の代わりにクリーンな研磨された単結晶LaAlO基板(ニュージャージー州モリスプレーンズのリットン・エアトロン(Litton Airtron,Morris Plains,NJ)から入手)を使用したことおよびCeOバッファー層が存在しなかったこと以外は本質的に実施例1に記載の方法により、2つのコイルを作製した。それぞれのクリーンな研磨された単結晶LaAlO基板は、2インチ(5.1cm)の半径および約0.020インチ(0.51mm)の厚さを有していた。2つの各コイルは、単結晶LaAlO基板と、単結晶LaAlO基板のそれぞれの側の中央に位置する図2に示される構成の高温超伝導体TlBaCaCuパターンと、を含んでいるものであった。
同軸構成でコイルの平面が平行になるように、すなわち、中心を結ぶラインがコイルの2つの平面に垂直になるように、2つのコイルを配置した。再度、図1cを参照する。中心離隔距離xは、40ミル(1mm)(コイルの半径の約4.5%)であった。y=0のとき、および中心がそのもとの同軸位置から1インチ(25.4cm)離れるまで第2のコイルを第1のコイルに対して鉛直線上で移動させたとき、測定を行った。y=0では、基本対称モード共振周波数は2668kHzであり、Q=21,000であった。離隔距離を1インチ(25.4mm)に増大させたとき、基本対称モード共振周波数は3446kHzであり、Q=20,000であった。これは、わずかに約5%のQの低下を伴って基本対称モード共振周波数共振が約29%増加することを示す。
これらの結果から、一方のコイルを他方のコイルに対して機械的に変位させることにより2つの結合された本質的に同一の高温超伝導体自己共振コイルの基本対称モード共振周波数を同調させるための本方法が実証される。
実施例4
2つ、3つ、または4つの結合されたコイルを使用する利点をさらに実証すべく、さらには2つもしくはそれ以上の結合されたコイルを使用することにより得られる周波数同調をさらに実証すべく、13088ニューヨーク州リバプールのソネット・ソフトウェア・インコーポレーテッド(Sonnet Software,Inc.,Liverpool,NY 13088)から入手したソネットEM(Sonnet EM)ソフトウェアを用いて、結合されたコイルの性能のシミュレーションを行った。以下のモデルを使用した。基板は、0.5mmの厚さおよび誘電率ε=24を有していた。基板は、フロント面とバック面とを有していた。最外巻き幅が2mmであり、最内巻き幅が3.25mmであ
り、かつ他のすべての巻き幅および間隔が0.25mmである36mm×36mm方形コイル(基板の両側)のシミュレーションを行った。
1つのそのような方形コイルの共振周波数は、4.95MHzであった。2つ、3つ、および4つのそのようなコイルを同軸構成でコイルの平面が平行になるように結合し、種々のコイル間離隔距離に対して基本対称モード周波数を決定した。2つの結合されたコイルを使用したとき、離隔距離は2つのコイルの基板間距離であった。3つもしくは4つの結合されたコイルを使用したとき、離隔距離は、隣接コイルの基板間距離であった。得られた結果を表Iに示す。「FSM周波数」とは、基本対称モード周波数である。「FSM周波数低下」とは、単一コイル共振周波数に対するFSM周波数の低下率である。たとえば、0.05mm離隔した2つの結合されたコイルのFSM周波数は、3.29MHzである。これは、単一コイル共振周波数4.95MHzよりも34%低いので、FSM周波数低下は、その低下率(すなわち0.34)として列挙される。
Figure 2007501412
2つの結合されたコイル(グラフ上の点は菱形で示される)および3つの結合されたコイル(グラフ上の点は正方形で示される)について、FSM周波数低下を離隔距離の関数として図4にプロットする。先に述べたように、離隔距離が大きくなるほど、低下は小さくなる。すなわち、周波数は高くなる。2つのコイルを用いるよりも3つのコイルを用いるほうが、より大きい低下が達成される。
結合されたコイルの数の関数としてFSM周波数低下を図5にプロットする。隣接コイルの基板間離隔距離は、0.5mmであった。結合されるコイルの数が大きくなるほど、大きい低下が達成されるので、広い周波数同調範囲が達成される。
実施例5
この実施例では、3つの結合されたコイルを用いて達成される基本対称モード共振周波数の低下が、2つの結合されたコイルを用いて達成される低下と比較して大きいことを実証すべく、本質的に同一である3つのHTSのTlBaCaCuコイルを単結晶LaAlO基板上で使用する。
内半径が約3.5mmになるようにコイル設計構成を変更したこと以外は本質的に実施例3に記載されているように、3つのコイルを作製した。外半径は、先の場合と同じように約22.5mmであった。コイルの最外HTSリングは1.88mmの幅であり、最内HTSリングは3.38mmの幅であった。19個の中間HTSリングは、約250μmの幅であり、約250μmのリング間ギャップを有していた。これに加えて、テフロン
AF(TeflonTM AF)の薄い保護層を各コイルにコーティングした。
3つの各コイルの共振周波数は、2.43MHzであった。コイルのうちの2つをテフロンTM AF(TeflonTM AF)層以外はそれらの間に意図的な離隔距離をもたせることなく配置したとき、基本対称モード周波数は、単一コイル共振周波数よりも38%低い1.50MHzであった。3つのコイルすべてをテフロンTM AF(TeflonTM AF)層以外はそれらの間に意図的な離隔距離をもたせることなく配置したとき、基本対称モード周波数は、単一コイル共振周波数よりも58%低い1.02MHzであった。
このことから、3つの結合されたコイルを用いて達成される基本対称モード共振周波数の低下が、2つの結合されたコイルを用いて達成される低下と比較して大きいことが実証される。したがって、周波数同調範囲は拡大される。
種々の構成の2つの結合されたHTSコイルの断面図を示している。 実施例1、2、および3で使用される2つの結合されたHTSコイルのHTSコイル構成体の上面図を示している。 2つの結合されたHTSコイルの一方のコイルの他方のコイルに対するオフアクシス変位を変化させることにより実施例1および2で得られた基本対称モード共振周波数同調結果を示している。 2つの結合されたHTSコイルおよび3つの結合されたHTSコイルの離隔距離を変化させることにより実施例4でみられた単一コイル共振周波数に対する基本対称モード周波数低下を示している。 隣接コイルの平面間離隔距離が0.5mmであるときの2つ、3つ、および4つの結合されたHTSコイルに対して実施例4でみられた単一コイル共振周波数に対する基本対称モード周波数低下を示している。

Claims (42)

  1. 2つもしくはそれ以上の結合された高温超伝導体自己共振コイルの共振周波数を同調させる方法であって、2つもしくはそれ以上のコイルを互いに機械的に変位させることを含んでなる方法。
  2. 2つの結合された高温超伝導体自己共振コイルが存在し、かつ同調される共振周波数が基本対称モードの共振周波数である請求項1に記載の方法。
  3. 前記2つのコイルが本質的に同一である請求項2に記載の方法。
  4. 前記2つのコイルが平面コイルである請求項3に記載の方法。
  5. 前記平面コイルが、それぞれ、基板と、該基板の両側の高温超伝導体コイル構成体と、を含んでいる請求項4に記載の方法。
  6. 前記2つのコイルが平行かつ同軸であり、しかも前記2つのコイルの前記基本対称モード共振周波数が、前記2つのコイルの平面間の距離を変化させることにより同調される請求項4に記載の方法。
  7. 前記2つのコイルの前記平面間の距離が、本質的にゼロから前記2つのコイルの半径の約50%まで変化される請求項6に記載の方法。
  8. 前記2つのコイルが平行であり、前記コイルの平面が、前記2つのコイルの半径の約50%未満の距離だけ離隔され、かつ前記2つのコイルの前記基本対称モード共振周波数が、前記2つのコイルのうちの一方のコイルの他方のコイルに対するオフアクシス変位を変化させることにより同調される請求項4に記載の方法。
  9. 前記2つのコイルの前記平面が、前記2つのコイルの半径の約5%の距離だけ離隔される請求項8に記載の方法。
  10. 前記オフアクシス変位が、ゼロから前記2つのコイルのほぼ半径まで変化される請求項9に記載の方法。
  11. 3つもしくは4つの結合された高温超伝導体自己共振コイルが存在し、かつ同調される共振周波数が基本対称モードの共振周波数である請求項1に記載の方法。
  12. 前記3つもしくは4つのコイルが本質的に同一である請求項11に記載の方法。
  13. 前記3つもしくは4つのコイルが平面コイルである請求項12に記載の方法。
  14. 前記平面コイルが、それぞれ、基板と、該基板の両側の高温超伝導体コイル構成体と、を含んでいる請求項13に記載の方法。
  15. 前記3つもしくは4つのコイルが平行かつ同軸であり、しかも前記3つもしくは4つのコイルの前記基本対称モード共振周波数が、前記3つもしくは4つのコイルの平面間の距離を変化させることにより同調される請求項13に記載の方法。
  16. 前記3つもしくは4つのコイルが平行であり、かつ前記3つもしくは4つのコイルの前記基本対称モード共振周波数が、前記3つもしくは4つのコイルのうちの少なくとも1つ
    のコイルの他のコイルに対するオフアクシス変位を変化させることにより同調される請求項13に記載の方法。
  17. 2つもしくはそれ以上の結合された高温超伝導体自己共振コイルと、1つもしくはそれ以上の該コイル間の距離を変化させる手段と、を含んでいる、周波数検出システム。
  18. 前記周波数検出システムが、2つの結合された高温超伝導体自己共振コイルを含んでいる請求項17に記載の周波数検出システム。
  19. 前記2つのコイルが本質的に同一である請求項18に記載の周波数検出システム。
  20. 前記2つのコイルが平面コイルである請求項19に記載の周波数検出システム。
  21. 前記平面コイルが、それぞれ、基板と、該基板の両側の高温超伝導体コイル構成体と、を含んでいる請求項20に記載の周波数検出システム。
  22. 前記2つのコイルが平行であり、かつ前記手段が前記2つのコイルの平面間の距離を変化させる請求項20に記載の周波数検出システム。
  23. 前記2つのコイルが平行であり、かつ前記手段が前記2つのコイルのうちの一方のコイルの他方のコイルに対するオフアクシス変位を変化させる請求項20に記載の周波数検出システム。
  24. 前記2つのコイルが平行であり、かつ前記手段が、前記2つのコイルの平面間の距離と、前記2つのコイルのうちの一方のコイルの他方のコイルに対するオフアクシス変位と、を変化させる請求項20に記載の周波数検出システム。
  25. 前記手段が、前記2つのコイルの平面間の距離を本質的にゼロから前記コイルの半径の約50%まで変化させる請求項22に記載の周波数検出システム。
  26. 前記2つのコイルの平面が、本質的にゼロから前記コイルの半径の約50%までの距離だけ離隔され、かつ前記手段が、前記2つのコイルのうちの一方のコイルの他方のコイルに対するオフアクシス変位を変化させる請求項23に記載の周波数検出システム。
  27. 前記手段が、前記2つのコイルの前記平面間の前記距離を本質的にゼロから前記コイルの半径の約50%まで変化させ、かつ前記2つのコイルのうちの一方のコイルの他方のコイルに対するオフアクシス変位をゼロから前記2つのコイルのほぼ半径まで変化させる請求項24に記載の周波数検出システム。
  28. 前記手段がマイクロポジショナーを含んでいる請求項22〜27のいずれか一項に記載の周波数検出システム。
  29. 前記周波数検出システムが、3つもしくは4つの結合された高温超伝導体自己共振コイルを含んでいる請求項17に記載の周波数検出システム。
  30. 前記3つもしくは4つのコイルが本質的に同一である請求項29に記載の周波数検出システム。
  31. 前記3つもしくは4つのコイルが平面コイルである請求項30に記載の周波数検出システム。
  32. 前記平面コイルが、それぞれ、基板と、該基板の両側の高温超伝導体コイル構成体と、を含んでいる請求項31に記載の周波数検出システム。
  33. 前記3つもしくは4つのコイルが平行であり、かつ前記手段が前記3つもしくは4つのコイルの平面間の距離を変化させる請求項31に記載の周波数検出システム。
  34. 前記3つもしくは4つのコイルが平行であり、かつ前記手段が前記3つもしくは4つのコイルのうちの少なくとも1つのコイルの他のコイルに対するオフアクシス変位を変化させる請求項31に記載の周波数検出システム。
  35. 前記手段が前記3つもしくは4つのコイルのうちのすべてのコイルの他のコイルに対するオフアクシス変位を変化させる請求項34に記載の周波数検出システム。
  36. 前記3つもしくは4つのコイルが平行であり、かつ前記手段が、前記3つもしくは4つのコイルの平面間の距離と、前記3つもしくは4つのコイルのうちの少なくと1つのコイルの他のコイルに対するオフアクシス変位と、を変化させる請求項31に記載の周波数検出システム。
  37. 前記手段が前記3つもしくは4つのコイルのうちのすべてのコイルの他のコイルに対するオフアクシス変位を変化させる請求項36に記載の周波数検出システム。
  38. 前記手段がマイクロポジショナーを含んでいる請求項33〜37のいずれか一項に記載の周波数検出システム。
  39. 前記周波数検出システムが核四重極共鳴検出システムである請求項17〜27または29〜37のいずれか一項に記載の周波数検出システム。
  40. 前記周波数検出システムが核四重極共鳴検出システムである請求項28に記載の周波数検出システム。
  41. 前記周波数検出システムが核四重極共鳴検出システムである請求項38に記載の周波数検出システム。
  42. 請求項17、24、または29のいずれか一項に記載の周波数検出システムを含んでなる、セキュリティーシステム、セーフティーシステム、または法執行スクリーニングシステム。
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