JP2007500440A - 光学装置の表面を洗浄する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 特に、極端紫外線及び/又は軟X線を発生する放射線源によってもたらされるメタロイド及び/又は金属の原子及び/又はイオンによって少なくとも部分的に汚染されている、真空室内に配置された光学装置の少なくとも1つの表面を洗浄する方法であって、
前記表面上の主温度及び/又は前記真空室内の圧力は、前記表面に衝突する前記原子及び/又はイオンが前記表面上で可動であるよう調整されることを特徴とする方法。 - 前記表面の温度は、約200℃乃至約600℃の範囲に設定されることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記光学装置の少なくとも前記表面が、加熱又は冷却されることを特徴とする請求項1又は2記載の方法。
- 前記表面上で可動である前記原子及び/又はイオンは、少なくとも1つの障害物において停止され且つ収集され、
前記少なくとも1つの障害物の位置付けは、予め決定可能であることを特徴とする請求項1記載の方法。 - 前記障害物は、隆起又は凹部であることを特徴とする請求項4記載の方法。
- 前記隆起は、例えば、ストリップ状、円筒状、又はペグ状の形を取ることを特徴とする請求項5記載の方法。
- 前記隆起は、前記表面に沿って前記放射線と略又は完全に平行に延在するよう配置されることを特徴とする請求項5又は6記載の方法。
- 前記隆起は、例えば、銅、ニッケル、又は、蓄積の形成を促進する異なる材料から生成されることを特徴とする請求項5乃至7のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記隆起は、例えば、CVD処理によって、前記光学装置の前記表面に付されることを特徴とする請求項5乃至8のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記凹部は、スロット若しくはグルーブの形を取るか、又は、孔として形成されることを特徴とする請求項5記載の方法。
- 前記凹部は、例えば、光化学処理又はレーザ処理によって生成されることを特徴とする請求項5又は10記載の方法。
- 数マイクロメートル(μm)乃至約1ミリメートルの範囲にある距離が、前記隆起及び/又は前記凹部間に存在することを特徴とする請求項5乃至11のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記障害物において蓄積された前記原子及び/又はイオンは、例えば、化学処理によって、前記光学装置の前記表面から除去されることを特徴とする請求項1乃至12のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記表面にコーティングが設けられることを特徴とする請求項1乃至13のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記コーティングは、最大約0.5ナノメートル(nm)の層厚さを有するよう形成されることを特徴とする請求項14記載の方法。
- 特に、極端紫外線及び/又は軟X線を発生する放射線源によってもたらされるメタロイド及び/又は金属の原子及び/又はイオンによって少なくとも部分的に汚染されている、真空室内に配置された光学装置の少なくとも1つの表面を洗浄する機器であって、
前記表面上の主温度及び/又は前記真空室内の圧力は、前記表面に衝突する前記原子及び/又はイオンが前記表面上で可動であるよう制御装置によって調整可能であることを特徴とする機器。 - 前記表面の温度は、約200℃乃至約600℃の範囲に調整可能であることを特徴とする請求項16記載の機器。
- 前記光学装置の少なくとも前記表面が、加熱又は冷却可能であることを特徴とする請求項16又は17記載の機器。
- 前記表面上に所定の位置付けを有する、前記原子及び/又はイオンを停止し及び収集するための少なくとも1つの障害物を有することを特徴とする請求項16記載の機器。
- 前記障害物は、隆起又は凹部であることを特徴とする請求項19記載の機器。
- 前記隆起は、例えば、ストリップ状、円筒状、又はペグ状の形を取ることを特徴とする請求項20記載の機器。
- 前記隆起は、前記表面に沿って前記放射線と略又は完全に平行に延在するよう配置されることを特徴とする請求項20又は21記載の機器。
- 前記隆起は、例えば、銅、ニッケル、又は、蓄積の形成を促進する異なる材料から生成されることを特徴とする請求項20乃至22記載の機器。
- 前記隆起は、例えば、CVD処理によって、前記光学装置の前記表面に付されることを特徴とする請求項20乃至23のうちいずれか一項記載の機器。
- 前記凹部は、スロット若しくはグルーブの形を取るか、又は、孔として形成されることを特徴とする請求項20記載の機器。
- 前記凹部は、例えば、光化学処理又はレーザ処理によって生成されることを特徴とする請求項20又は25記載の機器。
- 数マイクロメートル(μm)乃至略1ミリメートルの範囲にある距離が、前記隆起及び/又は前記凹部間に存在することを特徴とする請求項20乃至26のうちいずれか一項記載の機器。
- 前記障害物において蓄積された前記原子及び/又はイオンは、例えば、化学処理によって、前記光学装置の前記表面から除去可能であることを特徴とする請求項16乃至27のうちいずれか一項記載の機器。
- 前記表面にコーティングが設けられることを特徴とする請求項16乃至28のうちいずれか一項記載の機器。
- 前記コーティングは、最大約0.5ナノメートル(nm)の厚さを有することを特徴とする請求項29記載の機器。
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