JP2007335527A - 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】バンプ同士の接触を正確に検知可能とすると共に、オーバーシュートによりバンプをつぶしすぎて隣り合うバンプと短絡するという不具合をなくし、安定したフリップチップボンディングを行なうことを簡単な機構で可能にする半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造装置は、基板が配置されるステージ１７と、ステージ１７に向けて進退可能に設けられた可動部材２７と、可動部材２７に設けられた弾性部材３と、弾性部材３によってステージ１７に向けて進退可能に支持され、チップＳを吸着可能なチップ吸着手段１と、チップ吸着手段１をステージ１７に向けて押圧可能な押圧手段１４と、可動部材２７に設けられ、ステージ１７側からチップ吸着手段１と当接することによりチップ吸着手段１のステージ１７に近接する方向の変位を規定可能なストッパ６と、可動部材２７の駆動する駆動手段８と、駆動手段８の動作を制御する制御部７０とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、チップのバンプと基板のバンプとを接合して半導体を製造する半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法に関する。

従来から、チップと基板とを接続するボンディング装置が知られている（下記特許文献１参照）。

一般に、ボンディング装置は、チップを吸着するチップ吸着手段と、基板が配置されるボンディングステージと、バンプを加熱する加熱手段と、チップ吸着手段をボンディングステージに向けて進退させる駆動手段と、チップ吸着手段に加わる外力を測定するロードセルとを備えている。

このようなボンディング装置を用いて、チップと基板とをボンディングするには、まず、チップを吸着した状態で、チップ吸着手段がボンディングステージに向けて下降する。

ここで、チップのバンプと基板のバンプとが接触すると、チップ吸着手段に僅かな外力が加えられ、この外力の変動をロードセルが感知することにより、チップと基板との接触を検出する。チップと基板とが接触すると、チップ吸着手段の下降が停止し、加熱手段が駆動する。そして、加熱手段の温度が所定温度以上となると、チップ吸着手段が僅かに下降して、その後、チップの吸着を停止して釈放し、チップと基板とをボンディングする。

このような従来のボンディング装置においては、チップ吸着手段は、リニアガイドによって案内されるため、ロードセルが感知する外力には、リニアガイドの摩擦による摩擦力も含まれる。

この摩擦力は、変動するもので、チップと基板とが接触することにより生じる外力変動を正確にセンシングするのは、非常に困難なものとなっている。

そこで、従来から、チップと基板との接触を正確にセンシングするための工夫がなされたボンディング装置が各種提案されている（特許文献２、３参照）。

たとえば、特開２００４−３１９５９９号公報に記載されたボンディング装置は、チップを吸着するキャピラリと、キャピラリの外側に配置され、キャピラリとの隙間が密封されると共に、板バネによって支えられた支持部材とを備えている。

このボンディング装置は、チップに押圧力を印加する機構には、リニア軸受等の摩擦を伴う機構が含まれていないため、非常に微小な押圧力を高精度に制御することができる。
特開平１１−２９７７４９号公報 特開２００４−３１９５９９号公報 特開平１１−３４０２７３号公報

上記特開２００４−３１９５９９号公報に記載されたボンディング装置においては、フリップチップを保持しているツールの下降を電気的に制御しているため、フリップチップの導電性のバンプと配線基板を接触させ加熱し接着する時に、所定のボンディング荷重でフリップチップを配線基板に押し付けながらフリップチップの高さの制御を行なうことは困難であり、たとえば、オーバーシュートにより隣接するバンプがつぶれすぎて回路を短絡させたり、荷重不足により半田の接合不良などが起こることがあった。

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、チップに押圧力を印加する機構に、リニア軸受等の摩擦を伴う機構を含めずに、微小な押圧力を高精度に制御可能として、バンプ同士の接触を正確に検知可能とすると共に、オーバーシュートによりバンプをつぶしすぎて隣り合うバンプと短絡するという不具合をなくし、安定したフリップチップボンディングを行なうことを目的とする。また、フリップチップボンディングを簡単な機構で可能にすることを目的とする。

本発明に係る半導体装置の製造装置は、基板が配置されるステージと、ステージに向けて進退可能に設けられた可動部材と、可動部材に設けられた弾性部材と、弾性部材によってステージに向けて進退可能に支持され、チップを吸着可能なチップ吸着手段と、チップ吸着手段をステージに向けて押圧可能な押圧手段と、可動部材に設けられ、ステージ側からチップ吸着手段と当接することによりチップ吸着手段のステージに近接する方向の変位を規定可能なストッパと、可動部材を駆動する駆動手段と、駆動手段の動作を制御する制御部とを備える。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、チップをチップ吸着手段に吸着させる工程と、チップを基板に向けて移動させて、チップのバンプと基板のバンプとを接触させる工程と、チップのバンプと基板のバンプとを接触させた際に、チップ吸着手段を基板に向けて押圧する工程と、バンプ同士が接触し、チップ吸着手段が基板に向けて押圧した状態で、バンプを加熱して、バンプ同士を溶融する工程と、バンプ同士を溶融した後に、さらに、チップ吸着手段を基板に向けて所定距離だけ移動させた後に、ストッパにチップ吸着手段が当接して停止する工程とを備える。

本発明に係る半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法によれば、チップに押圧力を印加する機構に、リニア軸受等の摩擦を伴う機構を含めずに、微小な押圧力を高精度に制御可能として、バンプ同士の接触を正確に検知可能とすると共に、オーバーシュートによりバンプをつぶしすぎて隣り合うバンプと短絡するという不具合をなくし、安定したフリップチップボンディングを行なうことができる。

図１から図１４を用いて、本発明に係るボンディング装置１００および半導体装置の製造方法について説明する。図１は、本実施の形態に係るボンディング装置１００の側面図であり、図２は、ボンディング装置１００の正面図である。これら図１および図２に示されるように本発明に係るボンディング装置（半導体装置の製造装置）１００は、基板Ｗが配置されるボンディングステージ１７と、リニアガイド７を介して、ボンディングヘッド５０に設けられた可動部材２７と、この可動部材２７に設けられたボンディング機構６０と、加圧手段１４と、駆動用アクチュエータ（第１駆動部）８と、各動作の制御を行う制御部７０とを備えている。

ボンディングステージ１７は、セラミックやステンレス等の剛性の高い材料から構成されている。

可動部材２７は、リニアガイド７を介して、ボンディングヘッド５０に設けられており、駆動用アクチュエータ８によって変位させられ、ボンディングステージ１７に向けて進退可能とされている。駆動用アクチュエータ８は、サーボモータとボールネジで構成され、モータのトルクをボールネジで推力に変換し、可動部材２７を摺動させる押圧力を発生している。なお、駆動用アクチュエータ８に代えて、たとえば、エアシリンダとしてもよい。

ボンディング機構６０は、可動部材２７のうち、ボンディングステージ１７側に設けられており、加圧手段１４は、ボンディング機構６０より上方で、可動部材２７に設けられている。

ボンディング機構６０は、チップＳを吸着可能なチップ吸着手段１と、このチップ吸着手段１に設けられた支持部材２６と、可動部材２７に固定されたハウジング（筐体）４と、このハウジング４内に設けられた板バネ（弾性部材）３と、可動部材２７に固定された接触検知用ロードセル６とを備えている。

チップ吸着手段１の表面のうち、ボンディングステージ１７と対向する下面は、チップＳが吸着されるボンディング面とされており、このボンディング面の上方には、ヒータ等の加熱手段２５が設けられている。

チップ吸着手段１は、エアの吸引によりチップＳを真空吸着可能とされており、ボンディング面には、吸引口１ａが形成されている。

このチップ吸着手段１の上面には、支持部材２６が固定されており、この支持部材２６の少なくとも一部が、ハウジング４内に位置している。

ハウジング４の上下面には、内部に配置された支持部材２６が挿入される貫通孔４ａが形成されている。支持部材２６は、ハウジング４内にて、板バネ３によって支持されている。

板バネ３は、板バネ３の中心点（重心点）を中心として、点対称に形成されており、この板バネ３は、中心点を中心に点対称の位置にてハウジング４に固定されている。

図３は、板バネ３の一例を示す平面図であり、この図３に示されるように、平板の円盤状に形成されている。板バネ３の中心点を含む中心部には、図１に示す支持部材２６が挿入される貫通孔３ａが形成されており、さらに、この貫通孔３ａを中心に形成され、周方向に延在するスリット３ｂが複数形成されている。なお、スリット３ｂも、中心点を中心として、点対称に配置されている。このように形成された板バネ３は、ボンディングステージ１７の表面に対して平行となるように、ハウジング４内に配置される。

このような板バネ３を用いて、図１に示すチップ吸着手段１が連設された支持部材２６を支持すると、チップ吸着手段１は、ボンディングステージ１７に向けて進退可能なように支持される。

特に、複数のスリット３ｂが形成されているので、板バネ３の変形量が大きくなり、チップ吸着手段１に加えられる応力が微小であっても、板バネ３によって支持される支持部材２６およびチップ吸着手段１が敏感に変位する。これにより、チップ吸着手段１に吸着されたチップＳのバンプと、ボンディングステージ１７上に配置された基板Ｗのバンプとが接触した際に、支持部材２６およびチップ吸着手段１を、ハウジング４に対し相対的に良好に変位させることができる。

図１に示されるように、板バネ３は、ハウジング４内に複数設けられており、各板バネ３は、互いに、可動部材２７の進退方向に離間している。

図３に示す各板バネ３の貫通孔３ａは、図１に示す基板Ｗの表面に対して垂直な軸線上に配列されており、支持部材２６の中心軸線が、基板Ｗに対して垂直になるように配置される。これにより、チップ吸着手段１の下面に吸着されるチップＳの表面と、基板Ｗの表面とが互いに平行となるように配置される。なお、支持部材２６を、支持部材２６の進退方向に間隔を隔てて、板バネ３によって支持することにより、支持部材２６が、支持部材２６の進退方向（基板Ｗの表面に対して垂直な方向）に対して傾斜することを抑制することができる。

これにより、支持部材２６に接続されているチップ吸着手段１に装着されたチップＳが、基板Ｗに対して傾斜することを抑制することができ、基板Ｗの上面とチップＳの下面とが平行とされた状態を維持しつつ、チップＳを基板Ｗに向けて近接させることができる。

図４は、板バネ３の他の例を示す平面図であり、この図４に示されるように、板バネ３を円盤状に形成してもよい。図５は、板バネ３のさらに他の例を示す平面図であり、この図５に示されるように、正方形形状としてもよい。

すなわち、板バネ３は、中心点を中心として、点対称形状とされておればよく、多角形形状、円形形状、楕円形状等の形状を採用することができる。

図１において、支持部材２６は、支持部材２６の可動部材２７側の側面に開口を有する凹部または貫通孔からなる収納部２６ａを備えている。

この収納部２６ａには、可動部材２７に固定された接触検知用ロードセル６が収納されている。接触検知用ロードセル６は、可動部材２７に一端が固定された固定部材６ａの他端側に固定されている。この接触検知用ロードセル６は、支持部材２６との間に生じる接触力を測定可能とされてり、支持部材２６をボンディングステージ１７側から支持可能なように配置されている。

収納部２６ａの支持部材２６が進退する方向の幅は、接触検知用ロードセル６の幅より大きく形成されている。

このため、チップ吸着手段１に外力が加えられると、板バネ３が弾性変形して支持部材２６は可動部材２７に対して相対変位する。このとき、接触検知用ロードセル６は、収納部２６ａ内にて、可動部材２７に固定されているため、支持部材２６に対して相対的に変位する。

加圧手段１４は、支持部材２６の上端部を押圧する押圧用アクチュエータ１２と、押圧用アクチュエータ１２の下端部に設けられ、支持部材２６に加えられる押圧力を測定する押圧力検知用ロードセル１３とを備えている。押圧用アクチュエータ１２も、上記駆動用アクチュエータ８と同様に構成されており、押圧用アクチュエータ１２は、サーボモータとボールネジの構成に限らずたとえばリニアモータでもよい。

制御部７０は、各パラメータが格納された記憶手段１０と、押圧用アクチュエータ１２や駆動用アクチュエータ８等の駆動を制御する制御手段９とを備えている。

上記のように構成されたボンディング装置１００を用いて、チップと基板とをボンディングして、半導体装置を製造する方法について説明する。

図６は、本実施の形態に係る半導体装置の製造工程の第１工程を示す一部断面側面図であり、図１２は、チップＳのバンプと、基板Ｗのバンプとを接続するときの制御フローを示す。

図６に示されるように、まず、チップ吸着手段１は、チップＳを吸着する。そして、ボンディングステージ１７上にチップＳを搬送し、図示されない位置合わせ機構により、チップＳと基板Ｗとの水平方向の位置合わせをして、基板Ｗのバンプと、チップＳのバンプとが上下方向に一致するようにする。

この際、接触検知用ロードセル６は、収納部２６ａの内壁面と接触しており、接触検知用ロードセル６は、ボンディングステージ１７側から上方に向けて支持部材２６を押圧している。すなわち、支持部材２６とチップ吸着手段１とは、板バネ３と接触検知用ロードセル６とによって支持されており、支持部材２６とチップ吸着手段１との重量は、接触検知用ロードセル６からの押圧力と板バネ３からの押圧力と釣り合っている。

このように、支持部材２６およびチップ吸着手段１を支持する機構には、リニアガイド７のような摩擦が生じる機構を含まないものとなっている。

そして、上記のように支持部材２６と板バネ３と接触検知用ロードセル６との力のバランスが釣り合った状態で、外部からチップ吸着手段１に僅かな外力が加えられると、接触検知用ロードセル６と支持部材２６との間の接触力が変動する。特に、接触検知用ロードセル６および支持部材２６の剛性は、板バネ３よりも大きく、接触検知用ロードセル６および支持部材２６の弾性変形は小さいため、接触検知用ロードセル６は、支持部材２６に加わる外力の変動を高精度に検出することができる。

図７は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法の第２工程を示す一部断面断面図である。この図７に示されるように、支持部材２６と板バネ３と接触検知用ロードセル６との応力状態が釣り合った状態で、制御手段９は、駆動用アクチュエータ８を駆動して、可動部材２７をボンディングステージ１７に向けて下降させる。なお、基板ＷとチップＳとの位置合わせが完了し、可動部材２７が下方に変位する直前の可動部材２７の位置を可動部材２７の基準点とする。

そして、チップＳのバンプと基板Ｗのバンプとが接触すると、チップ吸着手段１が基板Ｗのバンプによっても支持されることになり、接触検知用ロードセル６と支持部材２６との間に生じる応力が小さくなるように変動する。上記のように、応力変動を接触検知用ロードセル６が精度良く検出ことができるので、基板ＷのバンプとチップＳのバンプとが接触したことを判断することができる。

具体的には、図１２において、接触検知用ロードセル６によって検知される接触検知用ロードセル６と支持部材２６との間に生じる計測値φが、図１に示す記憶手段１０内に格納された設定値ψになるまで、制御手段９は、可動部材２７を下降させる。

そして、計測値φが、設定値ψとなったときの可動部材２７の位置を接触点として記憶手段１０に記憶する。

図１０は、チップＳのバンプ１９と、基板Ｗのバンプ２０とが接触したときのバンプ１９、２０付近の断面図である。この図１０において、バンプ１９、２０は、半球状の半田から形成されている。そして、基板Ｗの表面と、チップＳの表面とは、距離Ｌ１離間している。

図８は、本実施の形態に係る半導体装置の製造工程の第３工程を示す一部断面側面図である。この図８および図１２において、制御手段９からの制御信号Ａによって、駆動用アクチュエータ８をさらに駆動させて、可動部材２７をボンディングステージ１７に向けて、所定距離αだけ下降させる。

このように、基板ＷのバンプとチップＳのバンプとが接触している状態で、可動部材２７を下方に向けて変位させると、可動部材２７に固定された接触検知用ロードセル６も下方に変位する一方で、チップ吸着手段１および支持部材２６は、上記接触位置に維持される。

このため、支持部材２６の収納部２６ａの内壁面に当接していた、接触検知用ロードセル６が、収納部２６ａの内壁面から、所定距離αだけ離間する。

なお、ハウジング４が、支持部材２６およびチップ吸着手段１に対して相対的に下方に変位するため、板バネ３は、支持部材２６に対してボンディングステージ１７に向けて押圧するように変形し、僅かにチップＳを基板Ｗに向けて押圧する。

図９は、本実施の形態に係る半導体装置の製造工程の第４工程を示す一部断面側面図である。この図９および図１２において制御手段９からの制御信号Ｂによって、加圧手段１４を駆動する。

これにより、押圧用アクチュエータ１２が駆動され、押圧力検知用ロードセル１３がボンディングステージ１７に向けて下降する。そして、押圧力検知用ロードセル１３が、支持部材２６の上端面を押圧し、バンプ１９とバンプ２０とを押圧させる。

そして、押圧力検知用ロードセル１３が検知する測定値ｖが、記憶手段１０に格納された設定値ωとなるように、制御手段９は、押圧用アクチュエータを制御して、過大な応力が、バンプ１９、２０間に生じることを抑制する。

このように、バンプ１９とバンプ２０とを押圧した後に、制御手段９から制御信号Ｃによって、加熱手段２５が駆動される。図９において、加熱手段２５からの熱が、チップ吸着手段１内を熱伝導して、ボンディング面からチップＳに伝えられ、チップＳのバンプ１９、２０を加熱する。なお、加熱手段２５は制御手段９からの制御信号Ｃにより温度が制御され、過度の熱の発生が抑制されている。

図１１は、基板Ｗのバンプ２０とチップＳのバンプ１９とが溶融して、一体化し、バンプ３０とされたときの断面図である。

この図１１および図１０に示されるようにバンプ２０とバンプ１９とは、加熱手段２５によって、加熱され溶融する。バンプ２０とバンプ１９とが溶融し、液体状となると、図９において、支持部材２６は、ボンディングステージ１７に向けて押圧されているため、支持部材２６およびチップ吸着手段１は、ボンディングステージ１７に向けて変位する。

そして、チップ吸着手段１および支持部材２６がボンディングステージ１７側に、変位し、チップＳが基板Ｗに向けて所定距離αだけ押し込まれる。その後、収納部２６ａの内壁面と接触検知用ロードセルとが当接して、支持部材２６の下方への変位が規定され、チップ吸着手段１の下降が停止する。すなわち、接触検知用ロードセル６は、バンプ１９、２０が溶融した後、チップ吸着手段１が、ボンディングステージ１７に向けて変位する変位量を規定するストッパとして機能している。

このように、バンプ１９、２０が溶融した状態で、チップ吸着手段１がボンディングステージ１７に向けて変位すると、バンプ１９とバンプ２０とが一体のバンプ３０となり、基板ＷとチップＳとが接続される。

基板Ｗのバンプ２０と、チップＳのバンプ１９とが溶解すると、バンプ１９、２０間に生じる応力が低減するため、支持部材２６と接触検知用ロードセル６との間に生じる接触力が増加する。この接触力の変動を接触力検知用ロードセル６が検知することにより、バンプ１９、２０同士が融解したことを検知することができる。

このように、接触力検知用ロードセル６の測定値が変動すると、制御手段９は、押圧用アクチュエータ１２の駆動を停止して、過度の加圧を抑制することができる。

このように、チップ吸着手段１をメカニカル的に停止させることができるので、チップＳの下降位置がオーバーシュートすることなく、形成されるバンプ３０が潰され過ぎて、隣り合うバンプ同士が短絡することを抑制することができる。これにより、良好なボンディングを行うことができる。

さらに、バンプ１９、２０同士を押し付けた後、融解させるので、バンプ１９、２０の表面に酸化膜等の絶縁膜が形成されていたとしても、バンプ１９、２０同士を押し付ける際に破壊することができ、良好な電気的接続を行うことができる。

その上、チップＳと基板Ｗとの距離を所定の距離Ｌ２に正確に設定することができ、製造される各半導体装置にばらつきが生じることを抑制することができる。

なお、加圧手段１４はエアシリンダで構成してもよく、その場合は図１３において押圧用アクチュエータ（加圧力発生手段）１２はエアシリンダでもよく、制御手段９からの制御信号Ｂによって押圧用アクチュエータ１２の押圧力を制御する加圧制御手段１１は精密レギュレータであればよく、図１に示す押圧力検知用ロードセル１３は特に必要がない。

また、図１４は、本実施の形態に係るボンディング装置１００の変形例を示す一部断面側面図であり、この図１４に示されるように、加圧手段１４はボンディングヘッド５０に固着されている必要はなく、図１４に示すようにボンディングヘッド５０とは別の構造部で支持されていてもよい。

以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明は、半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、チップのバンプと基板のバンプとを接合して半導体装置を製造する半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法に好適である。

本実施の形態に係るボンディング装置の側面図である。 本実施の形態に係るボンディング装置の正面図である。 板バネの一例を示す平面図である。 板バネの他の例を示す平面図である。 板バネのさらに他の例を示す平面図である。 本実施の形態に係る半導体装置の製造工程の第１工程を示す一部断面側面図である。 本実施の形態に係る半導体装置の製造工程の第２工程を示す一部断面側面図である。 本実施の形態に係る半導体装置の製造工程の第３工程を示す一部断面側面図である。 本実施の形態に係る半導体装置の製造工程の第４工程を示す一部断面側面図である。 基板のバンプと基板のバンプとが接触したときのバンプ付近の断面図である。 チップのバンプと、基板のバンプとが溶融して、一体化し、バンプとされたときの断面図である。 チップのバンプと、基板のバンプとを接続するときの制御フロー図である。 チップのバンプと、基板のバンプとを接続するときの他の制御フロー図である。 本実施の形態に係るボンディング装置の変形例を示す一部断面側面図である。

符号の説明

１ チップ吸着手段、１ａ 吸引口、３ 板バネ、３ａ 貫通孔、４ ハウジング（筐体）、６ａ 固定部材、６ 接触検知用ロードセル、７ リニアガイド、８ 駆動用アクチュエータ、９ 制御手段、１０ 記憶手段、１１ 加圧制御手段、１２ 押圧用アクチュエータ、１３ 押圧力検知用ロードセル、１４ 加圧手段、１７ ボンディングステージ、１９，２０ バンプ、２５ 加熱手段、２６ａ 収納部、２６ 支持部材、２７ 可動部材、３０ バンプ、５０ ボンディングヘッド、６０ ボンディング機構、７０ 制御部、１００ ボンディング装置。

Claims (7)

1. 基板が配置されるステージと、
   前記ステージに向けて進退可能に設けられた可動部材と、
   前記可動部材に設けられた弾性部材と、
   前記弾性部材によって前記ステージに向けて進退可能に支持され、チップを吸着可能なチップ吸着手段と、
   前記チップ吸着手段を前記ステージに向けて押圧可能な押圧手段と、
   前記可動部材に設けられ、前記ステージ側から前記チップ吸着手段と当接することにより前記チップ吸着手段の前記ステージに近接する方向の変位を規定可能なストッパと、
   前記可動部材を駆動する駆動手段と、
   前記駆動手段の動作を制御する制御部と、
   を備えた、半導体装置の製造装置。
2. 前記ストッパが、前記チップ吸着手段との間に生じる接触力を測定可能な接触検知用ロードセルとされた、請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
3. 前記押圧手段は、前記チップ吸着手段を押圧する押圧力を発生する押圧力発生手段と、前記チップ吸着手段との間に生じる接触力を測定可能な押圧力検知用ロードセルとを含む、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造装置。
4. チップ吸着手段は、加熱機構を含む、請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造装置。
5. 前記弾性部材は、前記チップを前記基板に対して垂直方向に移動させるように、チップ吸着手段を支持可能な板バネとする、請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造装置。
6. チップをチップ吸着手段に吸着させる工程と、
   前記チップを基板に向けて移動させて、前記チップのバンプと前記基板のバンプとを接触させる工程と、
   前記チップのバンプと前記基板のバンプとを接触させた際に、前記チップ吸着手段を前記基板に向けて押圧する工程と、
   前記バンプ同士が接触し、前記チップ吸着手段が前記基板に向けて押圧した状態で、前記バンプを加熱して、前記バンプ同士を溶融する工程と、
   前記バンプ同士を溶融した後に、さらに、前記チップ吸着手段を前記基板に向けて所定距離だけ移動させた後に、ストッパに前記チップ吸着手段が当接して停止する工程と、
   を備えた半導体装置の製造方法。
7. 前記チップ吸着手段に対して相対的に移動可能に設けられ、前記チップ吸着手段と間のに生じる接触力を測定可能とされた前記ストッパを、前記チップ吸着手段と接触させた状態で、前記チップを吸着した前記チップ吸着手段を、前記基板が配置されたボンディングステージに向けて移動させる工程と、
   前記チップ吸着手段と前記ストッパとの間に生じる接触力の変動を検知して、前記チップのバンプと前記基板のバンプとの接触を検知する工程とを備えた、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。

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