JP2007335388A - 電子放出源及びそれを応用した電界放出ディスプレイ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は電子放出源、及びそれを応用した電界放出ディスプレイに関するものである。電子放出源のDLC薄膜(炭素膜)には薄片構造の特徴を有しており、且つ基板表面に花びらの形になるように配列している。本発明のDLC薄膜(炭素膜)の薄片構造の高さはミクロンメータ単位、厚さはナノメーター単位なので、DLC薄膜(炭素膜)の薄片構造の高さと広さは高い縦幅比である。そのため、良い電界放出が増強できる因子を持ち、電子の放出を容易にし、優れた電子放出源が形成された。且つ、本発明は電子放出源材料を電界放出ディスプレイに応用しており、安定した電子放出源を製作することができる。
【選択図】図5
Description
請求項2の発明は、当該基板は半導体材料、金属材料、絶縁材料またはガラス材料であることを特徴とする請求項1記載の電子放出源としている。
請求項3の発明は、当該薄片構造は曲がる構造、長い棒状構造、またはその組み合わせであることを特徴とする請求項1記載の電子放出源としている
請求項4の発明は、当該薄片構造の厚さは0.005μmから0.1μmの間であることを特徴とする請求項1記載の電子放出源としている。
請求項5の発明は、当該薄片構造の厚さは0.005μmから0.05μmの間であることを特徴とする請求項4記載の電子放出源としている。
請求項6の発明は、当該薄片構造の側面高さは0.9μmから2.0μmの間であることを特徴とする請求項1記載の電子放出源としている。
請求項7の発明は、基板、
基板表面に形成している導電層、及び
導電層表面に沈積した薄片構造のDLC薄膜を含み、
当該DLC薄膜の薄片構造は、導電層表面に花びら模様になるように配列し、且つ当該薄片構造の側面高さは0.5μmから4.0μmの間であることを特徴とする電子放出源としている。
請求項8の発明は、当該基板は半導体材料、金属材料またはガラス材料であることを特徴とする請求項7記載の電子放出源としている。
請求項9の発明は、当該導電層は酸化インジウム錫、酸化亜鉛、酸化亜鉛・錫、または金属材料、合金材料であることを特徴とする請求項7記載の電子放出源としている。
請求項10の発明は、当該薄片構造は曲がる構造、長い棒状構造、またはその組み合わせであることを特徴とする請求項7記載の電子放出源としている。
請求項11の発明は、当該薄片構造の厚さは0.005μmから0.1μmの間であることを特徴とする請求項7記載の電子放出源としている。
請求項12の発明は、当該薄片構造の厚さは0.005μmから0.05μmの間であることを特徴とする請求項7記載の電子放出源としている。
請求項13の発明は、当該薄片構造の側面高さは0.9μmから2.0μmの間であることを特徴とする請求項7記載の電子放出源としている
請求項14の発明は、蛍光粉の層と陽極層の上基板、及び
密接に隣接している電子放出の層と陽極層の下基板を含み、
当該電子放出の層は複数のミクロン単位の薄片構造を持つDLC、その薄片構造の側面高さは0.5μmから4.0μmの間であり、且つ当該薄片構造のDLCは基板表面に花びら模様に配列していることを特徴とする電界放出ディスプレイとしている。
請求項15の発明は、当該薄片構造は曲がる構造、長い棒状構造、またはその組み合わせであることを特徴とする請求項14記載の電界放出ディスプレイとしている。
請求項16の発明は、当該薄片構造の厚さは0.005μmから0.1μmの間であることを特徴とする請求項14記載の電界放出ディスプレイとしている。
請求項17の発明は、当該薄片構造の厚さは0.005μmから0.05μmの間であることを特徴とする請求項14記載の電界放出ディスプレイとしている。
請求項18の発明は、当該薄片構造の高さは0.9μmから2.0μmの間であることを特徴とする請求項14記載の電界放出ディスプレイとしている。
請求項19の発明は、さらにゲート層を含み、陰極板と陽極板との間に入っており、且つゲート層は複数のゲートであることを特徴とする請求項14記載の電界放出ディスプレイとしている。
請求項20の発明は、当該上基板はさらに遮光層を含み、且つ当該遮光層は蛍光粉の層と密接であることを特徴とする請求項14記載の電界放出ディスプレイとしている。
3 テストシート
10 加熱器
11 ローディング台
12 目的材料
13 電源
A、B、C ガス供給ユニット
a1、b1、c1 ガス供給バルブ
31 DLC薄膜
33、76 陽極層
35 凹槽
71 陰極層
73 絶縁層
74 ゲート層
111 遮蔽ボード
301、701 陰極プレート
302、702 陽極プレート
Claims (20)
- 基板、及びそれは基板表面に沈積している薄片構造のDLC薄膜、
そのDLC薄膜の薄片構造は基板表面に、花びら模様に配列し、薄片構造の側面高さは0.5μmから4.0μmの間であることを特徴とする電子放出源。 - 当該基板は半導体材料、金属材料、絶縁材料またはガラス材料であることを特徴とする請求項1記載の電子放出源。
- 当該薄片構造は曲がる構造、長い棒状構造、またはその組み合わせであることを特徴とする請求項1記載の電子放出源。
- 当該薄片構造の厚さは0.005μmから0.1μmの間であることを特徴とする請求項1記載の電子放出源。
- 当該薄片構造の厚さは0.005μmから0.05μmの間であることを特徴とする請求項4記載の電子放出源。
- 当該薄片構造の側面高さは0.9μmから2.0μmの間であることを特徴とする請求項1記載の電子放出源。
- 基板、
基板表面に形成している導電層、及び
導電層表面に沈積した薄片構造のDLC薄膜を含み、
当該DLC薄膜の薄片構造は、導電層表面に花びら模様になるように配列し、且つ当該薄片構造の側面高さは0.5μmから4.0μmの間であることを特徴とする電子放出源。 - 当該基板は半導体材料、金属材料またはガラス材料であることを特徴とする請求項7記載の電子放出源。
- 当該導電層は酸化インジウム錫、酸化亜鉛、酸化亜鉛・錫、または金属材料、合金材料であることを特徴とする請求項7記載の電子放出源。
- 当該薄片構造は曲がる構造、長い棒状構造、またはその組み合わせであることを特徴とする請求項7記載の電子放出源。
- 当該薄片構造の厚さは0.005μmから0.1μmの間であることを特徴とする請求項7記載の電子放出源。
- 当該薄片構造の厚さは0.005μmから0.05μmの間であることを特徴とする請求項7記載の電子放出源。
- 当該薄片構造の側面高さは0.9μmから2.0μmの間であることを特徴とする請求項7記載の電子放出源。
- 蛍光粉の層と陽極層の上基板、及び
密接に隣接している電子放出の層と陽極層の下基板を含み、
当該電子放出の層は複数のミクロン単位の薄片構造を持つDLC、その薄片構造の側面高さは0.5μmから4.0μmの間にあり、且つ当該薄片構造のDLCは基板表面に花びら模様に配列していることを特徴とする電界放出ディスプレイ。 - 当該薄片構造は曲がる構造、長い棒状構造、またはその組み合わせであることを特徴とする請求項14記載の電界放出ディスプレイ。
- 当該薄片構造の厚さは0.005μmから0.1μmの間であることを特徴とする請求項14記載の電界放出ディスプレイ。
- 当該薄片構造の厚さは0.005μmから0.05μmの間であることを特徴とする請求項14記載の電界放出ディスプレイ。
- 当該薄片構造の高さは0.9μmから2.0μmの間であることを特徴とする請求項14記載の電界放出ディスプレイ。
- さらにゲート層を含み、陰極板と陽極板との間に入っており、且つゲート層は複数のゲートであることを特徴とする請求項14記載の電界放出ディスプレイ。
- 当該上基板はさらに遮光層を含み、且つ当該遮光層は蛍光粉の層と密接であることを特徴とする請求項14記載の電界放出ディスプレイ。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11204022A (ja) * | 1998-01-07 | 1999-07-30 | Komatsu Ltd | 冷陰極およびこの冷陰極を用いた素子 |
JP2000182508A (ja) * | 1998-12-16 | 2000-06-30 | Sony Corp | 電界放出型カソード、電子放出装置、および電子放出装置の製造方法 |
JP2004111292A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
JP2006066376A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子放出素子 |
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---|---|---|---|---|
US5637950A (en) * | 1994-10-31 | 1997-06-10 | Lucent Technologies Inc. | Field emission devices employing enhanced diamond field emitters |
US6265068B1 (en) * | 1997-11-26 | 2001-07-24 | 3M Innovative Properties Company | Diamond-like carbon coatings on inorganic phosphors |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11204022A (ja) * | 1998-01-07 | 1999-07-30 | Komatsu Ltd | 冷陰極およびこの冷陰極を用いた素子 |
JP2000182508A (ja) * | 1998-12-16 | 2000-06-30 | Sony Corp | 電界放出型カソード、電子放出装置、および電子放出装置の製造方法 |
JP2004111292A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
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