JP2007317793A - 積層型半導体パッケージおよび光信号伝送装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、半導体素子が基板上に実装された半導体パッケージを積層して電気的に接続してなる積層型半導体パッケージ、およびこのような積層型半導体パッケージが備えられた光信号伝送装置に関し、システム設計の自由度の高さや、異常検証の容易性を保ちつつ、高速伝送に対応可能な積層型半導体パッケージ、およびこのような積層型半導体パッケージが備えられた光信号伝送装置を提供することを目的とする。
【解決手段】３つの半導体パッケージ１３，１４，１５のうちの最上層の第５半導体パッケージ１５は、半導体素子としての、電気信号と光信号との間での変換を担う光電変換素子２３が実装され、更に、信号光の伝播を担う光導波路５０が、光電変換素子２３と光学的に接続された光信号伝送パッケージである。
【選択図】 図２

Description

本発明は、半導体素子が基板上に実装された半導体パッケージを積層して電気的に接続してなる積層型半導体パッケージ、およびこのような積層型半導体パッケージが備えられた光信号伝送装置に関する。
近年、電子機器の小型化・高機能化に伴い、部品点数の削減及び部品の小型化が要求されている。
このような要求を満たす技術として、各種の機能を実現する論理ＩＣやメモリなどが基板上に実装された半導体パッケージを積層し、電気的に接続してなる積層型半導体パッケージに関するパッケージオンパッケージが知られている。
積層型半導体パッケージは、一般に、互いに異なる機能を有する独立した半導体パッケージを積層したものであるため、半導体パッケージを積層するに当たって組み合わせの自由度が高く、汎用性が高いといった利点を有する。また、各半導体素子の動作テストに当たっては、半導体パッケージ毎のテストが可能であるため、異常の検証が容易であるとともに、歩留まりロスの軽減に寄与するといった利点も有する。
近年、半導体素子の製造技術が向上し、より集積度の高い半導体素子が製造されている。集積度の高い半導体素子が電子機器に実装されることによって、情報処理能力の拡大や記憶容量の拡大や装置の小型化・軽量化などが可能となる。しかしながら、半導体素子相互間の接続に電気配線を用いると、高速化による伝送損失の増大や、入出力ピンの増加により線間クロストークの発生などといった、電気伝送固有の問題のためシステム全体の性能が制限されている。
このような電気伝送固有の問題を解決する方法として光配線技術の開発が行われている。光配線技術においては、一般に、電気信号を光信号に変換する発光素子と光信号を電気信号に変換する受光素子との相互間が、信号光の伝播を担う光ファイバや光導波路などといった信号光伝播媒体で接続される。この光配線技術では、インピーダンスによる信号遅延が存在しない、配線からＥＭＩノイズが出ない、配線間干渉が生じないという利点を有し、上述した伝送損失の増大やクロストークの発生などといった電気伝送固有の問題を回避することができる。
このような光配線技術として、例えば、ベースプレート上に光素子駆動用ＩＣ等の電子集積素子ベアチップを実装した構造体の側面、又は電子集積素子ベアチップの周辺部に光電変換素子を実装し、光素子と電子集積素子を同一パッケージ内に一体化した光電子集積素子が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
また、光素子と光素子を駆動するための半導体チップが内蔵され、電気的に接続されたパッケージ内に光入出力用光ファイバが装着されている光モジュールも提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
特開２００１−３６１９７号公報 特開２００１−５９９２３号公報
ところが、上述した特許文献１、及び特許文献２において提案されている技術では、光素子と光素子駆動用ＩＣのみを同一パッケージ内に一体化したものである。
一般に、ボード上の信号処理用ＬＳＩへの入出力は電気配線を利用している。ボード内で電気信号のまま伝送可能な信号速度は６００Ｍｂ／ｓ、ごく短い距離でも２．５Ｇｂ／ｓ程度であり、この速度を超える信号はＳｅｒＤｅｓ（Ｓｅｒｉａｌｉｚｅｒ／Ｄｅｓｅｒｉａｌｉｚｅｒ）と呼ばれるＬＳＩを用いて並列信号に分解し、速度を落として伝送している。したがって、上述の特許文献１、及び特許文献２のように光電変換素子と駆動用ＩＣのみを一体化するだけでなく、ＳｅｒＤｅｓ用ＩＣも含めて一体化し、高速電気信号の伝送距離をできるだけ短くすることが望ましい。
さらに、上述した特許文献１、及び特許文献２における半導体素子部にＳｅｒＤｅｓ用ＬＳＩを実装したとしても、半導体素子の動作テストにおいて異常が検出された場合に、光電変換素子、駆動用ＩＣ、及びＳｅｒＤｅｓ用ＩＣが一体化されているため、異常部分を特定するのが困難であるといった問題がある。
本発明は、上記事情に鑑み、システム設計の自由度の高さや、異常検証の容易性を保ちつつ、高速伝送に対応可能な積層型半導体パッケージ、およびこのような積層型半導体パッケージが備えられた光信号伝送装置を提供することを目的とするものである。
上記目的を達成する本発明の積層型半導体パッケージのうちの第１の積層型半導体パッケージは、
半導体素子が基板上に実装された半導体パッケージを積層し、複数の半導体パッケージ間を電気的に接続してなる積層型半導体パッケージにおいて、
上記複数の半導体パッケージのうちの少なくとも１つの半導体パッケージは、上記半導体素子として、電気信号と光信号との間での変換を担う光電変換素子が実装され、更に、信号光の伝播を担う信号光伝播媒体が、その光電変換素子と光学的に接続された光信号伝送パッケージであることを特徴とする。
ここで、本発明にいう「信号光伝播媒体」とは、例えば光導波路や光ファイバをいう。
本発明の積層型半導体パッケージのうちの第１の積層型半導体パッケージによれば、高速信号の入出力に、上記光信号伝送パッケージに実装された光電変換素子と、この光信号伝送パッケージに接続された信号光伝播媒体とを用いることによって、高周波伝送損失の増大やクロストークの発生などといった電気伝送固有の問題を回避した高速伝送が可能となる。従って、積層型半導体パッケージの利点である、システム設計の自由度の高さや、異常検証の容易性を保ちつつ、高速伝送に対応可能な積層型半導体パッケージが提供される。さらに、本発明の積層型半導体パッケージのうちの第１の積層型半導体パッケージによれば、複数の電気信号を多重化した信号を光信号を用いて伝送することにより入出力ピン数を減らすことができ、更なる高密度化が可能となる。
ここで、上記本発明の積層型半導体パッケージのうちの第１の積層型半導体パッケージは、上記複数の半導体パッケージのうちの最上層の半導体パッケージが、上記光信号伝送パッケージであることが好ましい。
ここで、上記光信号伝送パッケージが、上記複数の半導体パッケージのうちの最上層の半導体パッケージを除く半導体パッケージである場合には、上記信号光伝播媒体が配設されるスペース分、半導体パッケージ間を電気的に接続する端子の数を減少させる必要が生じるが、このような好ましい形態によれば、各半導体パッケージ間を電気的に接続する端子の数が上記信号光伝播媒体によって減少することが回避されるため、好適である。
また、上記目的を達成する本発明の積層型半導体パッケージのうちの第２の積層型半導体パッケージは、
半導体素子が基板上に実装された半導体パッケージを積層し、複数の半導体パッケージ間を電気的に接続してなる積層型半導体パッケージにおいて、
上記複数の半導体パッケージのうちの最下層の半導体パッケージは、上記半導体素子として、電気信号と光信号との間での変換を担う光電変換素子が下面に実装された光信号伝送パッケージであることを特徴とする。
本発明の積層型半導体パッケージのうちの第２の積層型半導体パッケージによれば、本発明の積層型半導体パッケージのうちの上述した第１の積層型半導体パッケージと同様に、積層型半導体パッケージの利点である、システム設計の自由度の高さや、異常検証の容易性を保ちつつ、高速伝送に対応可能な積層型半導体パッケージが提供される。
ここで、上記本発明の積層型半導体パッケージのうちの第２の積層型半導体パッケージにおいて、上記光電変換素子は、この光電変換素子の光学的接続面が光透過性の保護部材で被覆されたものであることが好ましい。
このような好ましい形態によれば、上記光学的接続面の汚損が防止されるため好適である。
また、上記本発明の積層型半導体パッケージにおいて、上記複数の半導体パッケージのうちの少なくとも１つの半導体パッケージは、複数の半導体素子が実装されたものであってもよい。
また、上記目的を達成する本発明の光信号伝送装置は、請求項３、４または５記載の積層型半導体パッケージが、信号光の伝播を担う信号光伝播媒体が埋設された基板上に実装され、その積層型半導体パッケージにおける最下層の半導体パッケージの下面に実装された光電変換素子とその基板内に埋設された信号光伝播媒体とが光学的に接続されていることを特徴とする。
本発明によれば、システム設計の自由度の高さや、異常検証の容易性を保ちつつ、高速伝送に対応可能な積層型半導体パッケージ、およびこのような積層型半導体パッケージが備えられた光信号伝送装置が提供される。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
尚、本実施形態では、本発明にいう半導体素子として、電気信号と光信号との間での変換を担う光電変換素子２３、この光電変換素子２３を制御する駆動用ＩＣ２２、および信号処理を担う信号処理用ＩＣ２１の３つの半導体素子を例に挙げて説明する。
また、本実施形態では、本発明にいう信号光伝播媒体として、光導波路５０，５１を例に挙げて説明する。
図１は、本発明の一実施形態が適用された積層型半導体パッケージのうちの第１実施形態を示す概略構成図である。
図１に示す積層型半導体パッケージ１０は、第１中間基板３２上に信号処理用ＩＣ２１が実装されモールド樹脂８０で封止された第１半導体パッケージ１１と、第２中間基板３３上に駆動用ＩＣ２２および光電変換素子２３が実装されモールド樹脂８０で封止された第２半導体パッケージ１２とから構成されている。この積層型半導体パッケージ１０は、第１半導体パッケージ１１の上部に第２半導体パッケージ１２が積層されたものであって、ここでは、この積層型半導体パッケージ１０が基板３１上に実装されている。また、第２半導体パッケージ１２は、接着剤４０を介して第１半導体パッケージ１１に固着している。尚、第２半導体パッケージ１２に実装された光電変換素子２３は、第２半導体パッケージ１２の表面に垂直な方向に進む信号光の発光もしくは受光を担うものである。
第１中間基板３２にはボンディングパッド３２１が配備されており、第１半導体パッケージ１１に実装された信号処理用ＩＣ２１は、ボンディングワイヤ４１を介してボンディングパッド３２１に電気的に接続されている。
第２中間基板３３にもボンディングパッド３３１が配備されており、第２半導体パッケージ１２に実装された駆動用ＩＣ２２は、ボンディングワイヤ４１を介してボンディングパッド３３１に電気的に接続されている。また、第２半導体パッケージ１２に実装された駆動用ＩＣ２２および光電変換素子２３は、ボンディングワイヤ４１を介して互いに電気的に接続されている。さらに、信号光の進行方向を、第２半導体パッケージ１２の表面に垂直な方向と第２半導体パッケージ１２の表面に水平な方向との間で変換する光路変換部５０ａを端部に有する光導波路５０が、第２半導体パッケージ１２に実装された光電変換素子２３と光学的に接続されている。この第２半導体パッケージ１２は、本発明にいう光信号伝送パッケージの一例に相当する。
また、第１中間基板３２に配備されたボンディングパッド３２１と、第２中間基板３３に配備されたボンディングパッド３３１との間が、半田４２を介して半田接続されることによって、第１半導体パッケージ１１と第２半導体パッケージ１２とが電気的に接続されている。
さらに、基板３１にもボンディングパッド３１１が配備されており、基板３１に配備されたボンディングパッド３１１と、第１中間基板３２に配備されたボンディングパッド３２１との間が、半田４２を介して半田接続されることによって、基板３１と積層型半導体パッケージ１０とが電気的に接続されている。
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
尚、以下説明する第２実施形態では、上述した第１実施形態における要素と同じ要素については同じ符号を付して説明する。
図２は、本発明の一実施形態が適用された積層型半導体パッケージのうちの第２実施形態を示す概略構成図である。
図２に示す積層型半導体パッケージ６０は、第３中間基板３４上に信号処理用ＩＣ２１が実装されモールド樹脂８０で封止された第３半導体パッケージ１３と、第４中間基板３５上に駆動用ＩＣ２２が実装されモールド樹脂８０で封止された第４半導体パッケージ１４と、第５中間基板３６上に光電変換素子２３が実装されモールド樹脂８０で封止された第５半導体パッケージ１５とから構成されている。この積層型半導体パッケージ６０は、第３半導体パッケージ１３の上部に第４半導体パッケージ１４が積層され、第４半導体パッケージ１４の上部に更に第５半導体パッケージ１５が積層されたものであって、ここでは、この積層型半導体パッケージ６０が基板３１上に実装されている。また、第４半導体パッケージ１４は、接着剤４０を介して第３半導体パッケージ１３に固着し、第５半導体パッケージ１５は、接着剤４０を介して第４半導体パッケージ１４に固着している。尚、第５半導体パッケージ１５に実装された光電変換素子２３は、第５半導体パッケージ１５の表面に垂直な方向に進む信号光の発光もしくは受光を担うものである。
第３中間基板３４にはボンディングパッド３４１が配備されており、第３半導体パッケージ１３に実装された信号処理用ＩＣ２１は、ボンディングワイヤ４１を介してボンディングパッド３４１に電気的に接続されている。
第４中間基板３５にもボンディングパッド３５１が配備されており、第４半導体パッケージ１４に実装された駆動用ＩＣ２２は、ボンディングワイヤ４１を介してボンディングパッド３５１に電気的に接続されている。
第５中間基板３６にもボンディングパッド３６１が配備されており、第５半導体パッケージ１５に実装された光電変換素子２３は、ボンディングワイヤ４１を介してボンディングパッド３６１に電気的に接続されている。さらに、信号光の進行方向を、第５半導体パッケージ１５の表面に垂直な方向と第５半導体パッケージ１５の表面に水平な方向との間で変換する光路変換部５０ａを端部に有する光導波路５０が、第５半導体パッケージ１５に実装された光電変換素子２３と光学的に接続されている。この第５半導体パッケージ１５は、本発明にいう光信号伝送パッケージの一例に相当する。
また、第３中間基板３４に配備されたボンディングパッド３４１と、第４中間基板３５に配備されたボンディングパッド３５１との間が、半田４２を介して半田接続されることによって、第３半導体パッケージ１３と第４半導体パッケージ１４とが電気的に接続されている。さらに、第４中間基板３５に配備されたボンディングパッド３５１と、第５中間基板３６に配備されたボンディングパッド３６１との間が、半田４２を介して半田接続されることによって、第４半導体パッケージ１４と第５半導体パッケージ１５とが電気的に接続されている。
さらに、基板３１にもボンディングパッド３１１が配備されており、基板３１に配備されたボンディングパッド３１１と、第３中間基板３４に配備されたボンディングパッド３４１との間が、半田４２を介して半田接続されることによって、基板３１と積層型半導体パッケージ６０とが電気的に接続されている。
図３は、図１に示す積層型半導体パッケージ１０を基板３１上に２個搭載した図である。
図３に示すように、２つの積層型半導体パッケージ１０が基板３１上に搭載され、これらが、光導波路５０によって光学的に接続されている。
以上説明したように、第１実施形態の積層型半導体パッケージ１０によれば、高速信号の入出力に、本発明にいう光信号伝送パッケージの一例に相当する第２半導体パッケージ１２に実装された光電変換素子２３と、この第２半導体パッケージ１２に接続された光導波路５０とを用いることによって、高周波伝送損失の増大やクロストークの発生などといった電気伝送固有の問題を回避した高速伝送が可能となる。従って、積層型半導体パッケージの利点である、システム設計の自由度の高さや、異常検証の容易性を保ちつつ、高速伝送に対応可能な積層型半導体パッケージが提供される。さらに、第１実施形態の積層型半導体パッケージ１０によれば、複数の電気信号を多重化した信号を光信号を用いて伝送することにより入出力ピン数を減らすことができ、更なる高密度化が可能となる。
図３では、第１実施形態の積層型半導体パッケージ１０を用いたが、第２の実施形態である積層型半導体パッケージ６０、あるいは積層型半導体パッケージ１０と積層型半導体パッケージ６０の双方を用いても同様の効果が実現できる。
ここで、本発明にいう光信号伝送パッケージの一例に相当する第２半導体パッケージ１２や第５半導体パッケージ１５が、複数の半導体パッケージのうちの最上層の半導体パッケージを除く半導体パッケージである場合には、光導波路５０が配設されるスペース分、半導体パッケージ間を電気的に接続する端子の数を減少させる必要が生じるが、第１実施形態の積層型半導体パッケージ１０や第２実施形態の積層型半導体パッケージ６０における、本発明にいう光信号伝送パッケージの一例に相当する第２半導体パッケージ１２や第５半導体パッケージ１５は、複数の半導体パッケージのうちの最上層の半導体パッケージであるため、各半導体パッケージ間を電気的に接続する端子の数が光導波路５０によって減少することが回避される。
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
尚、以下説明する第３実施形態では、上述した第１実施形態における要素と同じ要素については同じ符号を付して説明する。
図４は、本発明の一実施形態が適用された積層型半導体パッケージのうちの第３実施形態を示す概略構成図である。
図４に示す積層型半導体パッケージ７０は、第６中間基板３８の下面に光電変換素子２３が実装されモールド樹脂８０で封止され、同じく第６中間基板３８の上面に駆動用ＩＣ２２が実装されモールド樹脂８０で封止された第６半導体パッケージ１６と、第７中間基板３９の上面に信号処理用ＩＣ２１が実装されモールド樹脂８０で封止された第７半導体パッケージ１７とから構成されている。この積層型半導体パッケージ７０は、第６半導体パッケージ１６の上部に第７半導体パッケージ１７が積層されたものであって、ここでは、この積層型半導体パッケージ７０が、信号光の進行方向を基板３７の表面に垂直な方向と基板３７の表面に水平な方向との間で変換する光路変換部５１ａを端部に有する光導波路５１が埋設された基板３７上に実装されている。また、第６半導体１６は、接着剤４０を介して第７半導体パッケージ１７に固着している。尚、２つの半導体パッケージのうちの最下層の半導体パッケージである第６半導体パッケージ１６の下面に実装された光電変換素子２３は、第６半導体パッケージ１６の表面に垂直な方向に進む信号光の発光もしくは受光を担うものである。また、この光電変換素子２３は、基板３７に埋設された光導波路５１と光学的に接続されている。さらに、この光電変換素子２３の光学的接続面２３ａは、光透過性の保護部材２３１で被覆されている。この第６半導体パッケージ１６は、本発明にいう光信号伝送パッケージの一例に相当する。
第６中間基板３８にはボンディングパッド３８１が配備されており、第６半導体パッケージ１６に実装された光電変換素子２３は、ボンディングワイヤ４１を介してボンディングパッド３８１に電気的に接続されている。また、この第６半導体パッケージ１６に実装された駆動用ＩＣ２２も、ボンディングワイヤ４１を介してボンディングパッド３８１に電気的に接続されている。
第７中間基板３９にもボンディングパッド３９１が配備されており、第７半導体パッケージ１７に実装された信号処理用ＩＣ２１は、ボンディングワイヤ４１を介してボンディングパッド３９１に電気的に接続されている。
また、第６中間基板３８に配備されたボンディングパッド３８１と、第７中間基板３９に配備されたボンディングパッド３９１との間が、半田４２を介して半田接続されることによって、第６半導体パッケージ１６と第７半導体パッケージ１７とが電気的に接続されている。
さらに、基板３７にもボンディングパッド３７１が配備されており、基板３７に配備されたボンディングパッド３７１と、第６中間基板３８に配備されたボンディングパッド３８１との間が、半田４２を介して半田接続されることによって、基板３７と積層型半導体パッケージ７０とが電気的に接続されている。
図５は、図４に示す積層型半導体パッケージ７０を基板３７上に搭載した図である。
基板３７には光導波路５１が埋設されており、光導波路端部には信号光の進行方向を基板３７の表面に垂直な方向と基板３７の表面に水平な方向との間で変換する光路変換部５１ａを有する。
図５に示すように、２つの積層型半導体パッケージ７０が、光導波路５１が埋設された基板３７上に搭載され、これら２つの積層型半導体パッケージ７０が、基板３７に埋設された光導波路５１と光学的に接続されている。
以上説明したように、第３実施形態の積層型半導体パッケージ７０によれば、上述した第１実施形態の積層型半導体パッケージ１０や第２実施形態の積層型半導体パッケージ６０と同様に、積層型半導体パッケージの利点である、システム設計の自由度の高さや、異常検証の容易性を保ちつつ、高速伝送に対応可能な積層型半導体パッケージが提供される。
尚、上述した各実施形態では、２つあるいは３つの半導体パッケージを基板上に積層した例について説明したが、本発明の積層型半導体パッケージは、これに限られるものではなく、４つ以上の半導体パッケージを基板上に積層したものにも適用することができる。
また、上述した各実施形態では、本発明にいう半導体素子が、光電変換素子、駆動用ＩＣ、及び信号処理用ＩＣである例について説明したが、本発明にいう半導体素子は、これに限られるものではなく、どのような種類の半導体素子であってもよい。
また、上述した各実施形態では、本発明にいう信号光伝播媒体が光導波路である例について説明したが、本発明にいう信号光伝播媒体は、これに限られるものではなく、例えば光ファイバなどの信号光伝播媒体でも良い。
本発明の一実施形態が適用された積層型半導体パッケージのうちの第１実施形態を示す概略構成図である。 本発明の一実施形態が適用された積層型半導体パッケージのうちの第２実施形態を示す概略構成図である。 図１に示す積層型半導体パッケージを基板上に２個搭載した図である。 本発明の一実施形態が適用された積層型半導体パッケージのうちの第３実施形態を示す概略構成図である。 図４に示す積層型半導体パッケージを基板上に搭載した図である。
符号の説明
１０，６０，７０ 積層型半導体パッケージ
１１ 第１半導体パッケージ
１２ 第２半導体パッケージ
１３ 第３半導体パッケージ
１４ 第４半導体パッケージ
１５ 第５半導体パッケージ
１６ 第６半導体パッケージ
１７ 第７半導体パッケージ
２１ 信号処理用ＩＣ
２２ 駆動用ＩＣ
２３ 光電変換素子
２３ａ 光学的接続面
２３１ 保護部材
３１ 基板
３２ 第１中間基板
３３ 第２中間基板
３４ 第３中間基板
３５ 第４中間基板
３６ 第５中間基板
３７ 基板
３８ 第６中間基板
３９ 第７中間基板
３１１，３２１，３３１，３４１，３５１，３６１，３７１，３８１，３９１ ボンディングパッド
４０ 接着剤
４１ ボンディングワイヤ
４２ 半田
５０，５１ 光導波路
５０ａ，５１ａ 光路変換部
８０ モールド樹脂

Claims (6)

  1. 半導体素子が基板上に実装された半導体パッケージを積層し、複数の半導体パッケージ間を電気的に接続してなる積層型半導体パッケージにおいて、
    前記複数の半導体パッケージのうちの少なくとも１つの半導体パッケージは、前記半導体素子として、電気信号と光信号との間での変換を担う光電変換素子が実装され、更に、信号光の伝播を担う信号光伝播媒体が、該光電変換素子と光学的に接続された光信号伝送パッケージであることを特徴とする積層型半導体パッケージ。
  2. 前記複数の半導体パッケージのうちの最上層の半導体パッケージが、前記光信号伝送パッケージであることを特徴とする請求項１記載の積層型半導体パッケージ。
  3. 半導体素子が基板上に実装された半導体パッケージを積層し、複数の半導体パッケージ間を電気的に接続してなる積層型半導体パッケージにおいて、
    前記複数の半導体パッケージのうちの最下層の半導体パッケージは、前記半導体素子として、電気信号と光信号との間での変換を担う光電変換素子が下面に実装された光信号伝送パッケージであることを特徴とする積層型半導体パッケージ。
  4. 前記光電変換素子は、該光電変換素子の光学的接続面が光透過性の保護部材で被覆されたものであることを特徴とする請求項３記載の積層型半導体パッケージ。
  5. 前記複数の半導体パッケージのうちの少なくとも１つの半導体パッケージは、複数の半導体素子が実装されたものであることを特徴とする請求項１または３記載の積層型半導体パッケージ。
  6. 請求項３、４または５記載の積層型半導体パッケージが、信号光の伝播を担う信号光伝播媒体が埋設された基板上に実装され、該積層型半導体パッケージにおける最下層の半導体パッケージの下面に実装された光電変換素子と該基板内に埋設された信号光伝播媒体とが光学的に接続されていることを特徴とする光信号伝送装置。
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