JP2007311075A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】前面板10と背面板20とが放電空間を挟んで対向配置され、前面板10は、ガラス基板11の放電空間に面する側に、走査電極13及び維持電極12からなる表示電極対14と誘電体層15と保護層16とが順次積層され、背面板20には、表示電極対14と放電空間を隔てて交差する第3電極が配され交差する箇所に放電セルが形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、保護層16表面には、金属酸化物の結晶を含む微粒子結晶16aが配設され、前面板10は、厚み方向の透光性を有する透光領域と、透光領域よりも透光性が低い遮光領域(ブラックストライプ17a)を有し、遮光領域に対応する保護層16表面には、透光領域に対応する保護層16表面よりも面密度が大きくなるように、微粒子結晶16aが配設されている。
【選択図】図1
Description
このプラズマディスプレイパネル(以下、「PDP」という。)は、DC(直流)型とAC(交流)型とがあり、信頼性、画質など様々な面でAC型が優れているため、現在のPDPの主流はAC型となっている。
前面パネル80では、ガラス基板81の主面に走査電極82と維持電極83とが対をなし、かつストライプ状に形成されて表示電極対84を形成している。
走査電極82及び維持電極83は、透明電極821及び透明電極831主面に金属製のバス電極822及びバス電極832が積層されてなる。
この保護層86は、例えば、MgO膜をスパッタリングで形成するスパッタ法を用いる。
また、ガラス基板81の表示電極対が形成されていない側の主面には、隣り合う表示電極対同士の間に沿って、ブラックストライプ817が形成されている。
上記構成によってPDP900では、表示電極対84とアドレス電極92との放電空間を隔てて交差する領域に、放電セルが形成され、放電セルがマトリクス状に配列されている。
ところで、最近のPDPでは、高精細化仕様のものが普及し始めており、高精細化に伴うセルの数の増加によって、1放電セルあたりのアドレス放電に割当て可能な時間(以下、「アドレス時間」)が短くなるため、アドレス放電が正常に行われる確率(以下、「放電確率」という。)が低下する。
このような問題を解決するために、図10に示すように、保護層70の表面に結晶性が高いMgO微粒子86aを島状に分散配置し、電子放出特性を向上させることにより、放電遅延を解消して、放電確率を向上させたPDPがある。(例えば、特許文献1)
本発明は、このような課題を解決しようとなされたものであって、発光効率低下の抑制と放電遅延の抑制とを両立実施することが可能なPDPを提供することを目的とする。
本発明では、このような微粒子を保護層表面に配設したので、電子放出性能が向上し、放電遅延が解消される。一方、このような微粒子が配設された領域では、光が乱反射するので、保護層の透光性は低下するが、遮光領域は、もともと透光性が低い領域であるため、この領域に配設された微粒子に起因して、透光性がさらに低下する割合は小さいため、発光効率にも影響を受け難い。
したがって、上記構成により、発光効率低下の抑制と放電遅延の抑制とを両立実施することが可能となる。
通常、バス電極には、銀などの金属電極が用いられており、透光性を全く有しない。
また、前記第1電極及び前記第2電極は、バス電極を有し、前記前面板の前記バス電極が配されている第1領域は、前記遮光領域に属し、前記第1領域が前記前面板の厚み方向において前記第3電極と重なっている領域を第2領域とするとき、前記第2領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第2領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きいとしてもよい。
ここで、前面板の表示電極がバス電極と透明電極とから構成され、走査電極及び維持電極の各透明電極同士が放電セルの中央において近接配置されている場合、アドレス電極直上の保護層表面において、電界強度は、アドレス電極と走査電極側のバス電極との交差領域、つまり第2領域、及びアドレス電極と走査電極側の透明電極の放電セル中央側端部との交差領域(以下、「維持側透明電極端部領域」という。)の2箇所においてピークを有するため、保護層表面の全面に面密度を一様にして前記微粒子が配設されているか、又は保護層表に前記微粒子が全く配設されていないとすると、第2領域と維持側透明電極端部領域に対応する保護層表面に放電が集中し、その結果、第2領域及び維持側透明電極端部領域に対応する保護層のダメージが大きくなる。
本発明では、第2領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第2領域以外の領域、即ち、維持側透明電極端部領域に対応する保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きくしているため、放電が維持側透明電極端部領域よりも第2領域に対応する保護層表面に集中し易く、維持側透明電極端部領域におけるイオン衝撃によるダメージを緩和することができ、長時間駆動時の放電特性の悪化が軽減される。
また、前記第1電極及び前記第2電極は、それぞれ走査電極及び維持電極であり、前記走査電極及び前記維持電極は、それぞれバス電極を有し、前記走査電極の前記バス電極が配されている第3領域は、前記遮光領域に属しており、前記第3領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第3領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きいとしてもよい。
特にバス電極上の第3領域に対応する前記保護層表面は、電解強度が高く放電が起き易い領域である。
また、前記第3領域は、前記第1領域内に存するため、透光性に影響を与え難い領域であることに変わりはなく、発光効率低下が抑制される。
また、前記第1電極及び前記第2電極は、それぞれ走査電極及び維持電極であり、前記走査電極及び前記維持電極は、それぞれバス電極を有し、前記走査電極の前記バス電極が配されている第3領域は、前記遮光領域に属しており、前記第3領域が前記前面板の厚み方向において前記第3電極と重なっている領域を第4領域とするとき、前記第4領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第4領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きいとしてもよい。
また、前記前面板を厚み方向から見たとき、前記バス電極は、前記第3電極と略直交する方向に延びる主幹部と、前記主幹部が前記前面板の厚み方向において前記第3電極と重なっている交差部から前記第3電極に沿い、前記放電空間の中心側に延出された延出部とを有しており、前記遮光領域のうちの前記交差部に対応する領域を第5領域とするとき、
前記第5領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第5領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きいとしてもよい。
また、前記保護層表面において、前記遮光領域のうちの前記延出部に対応する領域を第6領域とするとき、前記第5領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度、前記第6領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度、前記第5領域及び前記第6領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度の順に小さくなっているとすることもできる。
また、前記微粒子には、前記金属酸化物の結晶の結晶性が高い第1微粒子と、前記第1微粒子よりも前記金属酸化物の結晶の結晶性が低い第2微粒子とがあり、前記微粒子の面密度を高くして前記微粒子を配設している領域には第1微粒子が配され、前記微粒子の面密度を低くして前記微粒子を配設している領域には第2微粒子が配されているとすることもできる。
上述のように、前記微粒子の面密度が高い領域、即ち、前記微粒子を配設すべき場所に結晶性の高い第1微粒子を配設することにより、微粒子を配設すべき場所に必ず結晶性の高いものを含ませることができる。
これにより、放電遅延が解消される。
また、前記微粒子に含まれる金属酸化物の結晶の結晶性は、前記保護層の結晶性より高いとすることもできる。
また、前記微粒子に含まれる金属酸化物の金属元素は、第II族に属するとすることもできる。
また、前記微粒子に含まれる金属酸化物は、MgOであることが好ましい。
本発明の構成では、保護層の放電開始時期のばらつきの抑制に関わる特性は、高純度結晶構造を有することにより電子放出特性に優れる酸化マグネシウム微粒子結晶によって発揮される。
酸化マグネシウムに電界が印加されると、バンド内のフェルミレベルが上昇し、保護層のキャリア密度が高まる。キャリア密度に相関して、初期電子放出が起こり、初期電子から放電に進展する。放電開始時期のばらつきを抑制するためには、キャリア密度を高め、安定化させることが必要である。保護層として酸化マグネシウムの高純度結晶を用いた場合、電圧印加時のフェルミレベルの上昇が顕著であり、また、キャリアを消滅させるセンターが少ないので、高いキャリア密度を安定して維持することができる。この結果、電子放出性能が向上し、放電遅延が抑制される。
局所的に分散配置する、あるいは、高被覆率で分散配置する場所は、アドレス放電時の電界強度が強い場所、つまりバス電極とアドレス電極と重なる部分とすると、最も放電開始時期のばらつき低減の効果が大きい。
(構成)
以下、本実施の形態1のPDPについて詳細に説明する。
図1に本実施の形態1におけるPDP1の分解斜視図である。
図1において、PDP1は、前面パネル10と背面パネル20とが放電空間を挟んで対向するように配置され、前面パネル10のガラス基板11主面に、走査電極13及び維持電極12が配され、走査電極13と維持電極12とが対を成して表示電極対14が形成されており、ガラス基板11の主面外方側において隣り合う表示電極対14同士に挟まれる領域にブラックストライプ17aが配設されている。
ここで、上記放電セルとは、1画素のR,G,Bのいずれかの成分に対応する副画素に対応するPDPの領域であって、井桁状の隔壁を有している本実施の形態1のPDP1においては、前面パネルの主面と直交する直線の延長上からPDPを透視したとき(以下、このような見方を便宜的に「平面視的に透視したとき」という。)、配設方向が異なる2種の隔壁のそれぞれにおいて、隣り合うもの同士の対を第1隔壁対及び第2隔壁対とした場合、第1隔壁対と第2隔壁対とが交わることによって区分される領域をいい、他の実施の形態においても同様とする。
バス電極122及びバス電極132は、Agを材料として厚膜形成された厚さ7μm、幅95μmの金属電極であって、走査電極13及び維持電極12への電荷供給を容易にして、透明電極121及び透明電極131の電気抵抗に起因する弊害を低減している。
保護層16は、薄膜プロセスで形成され、MgOを主成分とし、放電によって発生した高エネルギーのイオンから走査電極13、維持電極12及び誘電体層15を保護すると同時に、放電空間に2次電子を効率よく放出して放電開始電圧を低減する機能を有する。
背面パネル20では、表示電極対14と放電空間を隔てて交差するように、金属膜または導電ペーストからなる帯状のアドレス電極22が背面パネル20のガラス基板21の放電空間側主面に延伸配置されている。
隔壁24,25は、誘電体層23と同様、低融点ガラスで作製されている。
前面パネル10と背面パネル20とで挟まれた放電空間には、放電ガス(Ne−Xe系ガスやHe−Xe系ガスなど)が充填されている。
本実施の形態1においては、微粒子結晶16aが配設されている領域に特徴があるので、以下詳細に説明する。
(微粒子結晶16aの配設領域について)
図2(a)は、前面パネルの主面と直交する直線の延長上からPDP1を見た平面図である。
この配設領域216は、図2(b)に示すように、前面パネルの厚み方向、即ち、Z軸方向にバス電極122,132とブラックストライプ17aとがあり、前面パネル10を厚み方向に透過する光が遮光されるため、他の領域と比べて透光性が低くなっている領域(以下、「遮光領域」という。)に属している。
また、上述したように、PDP製造時における排気工程及び放電ガスの導入を容易にするために、隔壁24が隔壁25より高くなるように設けられているので、微粒子結晶16aと隔壁25との間には、図2(b)に示すように間隙があり、隔壁25の直上の微粒子結晶16aにおいても放電可能な構成となっている。
図2(c)及び図2(d)に示すように、微粒子結晶16aは、配設領域において一様な面密度で島状に点在している。
このとき、配設領域216において、図2(d)に示すように、下地の保護層16が微粒子結晶16aによって覆われる面積の割合(以下、「微結晶被覆率」という。)が30%以上とすると、放電遅延が問題のないレベルまで減少することがわかった。
図3は、1放電セルにおいて、透光領域に微粒子結晶16aを配設した面積の割合(以下、「微粒子結晶領域面積比率)と前面パネル10を透過する可視光の透過率(以下、「可視光透過率」という。)との関係を示す図である。
図3が示すように、例えば、特許文献1のような従来のPDPでは、放電セル全面に微粒子結晶を配設している場合には、微結晶被覆率30%とすると、可視光透過率は41%となる。
本実施の形態1のPDP1は、透光領域でなく、遮光領域に微粒子結晶16aを配設しているため、透光領域における微粒子結晶16aの面積は0である。
これに対し、特許文献1のような従来のPDPでは、仮に微結晶被覆率を30%とした場合、放電セル全面に配設されているので、可視光透過率42%以下となり、本願実施の形態1におけるPDP1よりも16%低下する。
何故ならば、放電は確率的事象なので、放電性能の高い、つまり、結晶性の高いMgOがいかに多く存在するかにより、放電開始時期が早まる確率も高まるためである。
しかしながら、本実施の形態1のPDPではそのような限界がなく、微結晶被覆率を100%とすることも可能である。
(微粒子結晶16aの配設方法)
微粒子結晶16aの配設方法は、保護層16の成膜後、保護層16における配設領域216以外の領域にマスクを配置し、エタノール等の揮発性液体に酸化マグネシウム微粒子結晶を分散した液体を印刷工法により塗布して配設した。
以上のように、本実施の形態1のPDP1は、もともと透光性が0に近い遮光領域に微粒子結晶16aを配設しても、微粒子結晶16aの乱反射による透光性の低下が問題とならないので、微粒子結晶16aの存在による発光効率低下が抑制されるとともに、放電特性においては、微粒子結晶16aに含まれる結晶性が高いMgOが電子放出性能を高めるため放電が開始し易くなり、放電遅延が抑制される。
アドレス放電時に、酸化マグネシウムに電界が印加されると、バンド内のフェルミレベルが上昇し、保護層のキャリア密度が高まる。
このキャリア密度に相関して、初期電子放出が起こり、初期電子から放電に進展する。
放電開始時期のばらつきを抑制するためには、キャリア密度を高め、安定化させることが必要であるが、保護層として高純度結晶の酸化マグネシウムを用いた場合、電圧印加時のフェルミレベルの上昇が顕著となり、また、キャリアを消滅させるセンターが少ないので、高いキャリア密度を安定して維持することができ、この結果、放電開始時期のばらつきが抑制される。
以上のように、本実施の形態1のPDP1では、微粒子結晶16aが保護層16上の遮光領域に属する配設領域216に配設されるので、微結晶被覆率と可視光透過率との間の相関が弱いため、可視光透過率に関係なく微結晶被覆率を高められるので、微粒子結晶の配設面積が小さくなっていても、電子放出特性が高められ、その結果、放電遅延を解消することができる。
なお、微粒子結晶16aが遮光領域からややはみだしている構成であったとしても、微粒子結晶16aが遮光領域からはみだしていない構成と比べて可視光透過率が悪化するがその割合は僅かであり、放電開始時期のばらつき低減効果はほぼ同等であるため、微粒子結晶16aの配設する領域を遮光領域のみに限定するものではなく、PDP1において、微粒子結晶16aが遮光領域からややはみだしている構成であってもよい。
(変形例1)
本実施の形態1のPDP1は、微粒子結晶16aが遮光領域からややはみだしているだけではなく、微粒子結晶16aが透光領域の大きな領域に配設されていることを否定するものではなく、例えば、配設領域216に加えて透光領域にも可視光透過率に影響を与えないほどに微結晶被覆率を小さく設定した微粒子結晶を配設してもよい。
この微粒子結晶16bは、微粒子結晶16bの拡大断面図である図4(e)と拡大平面図(f)とが示すように、微粒子結晶16aよりも微結晶被覆率が小さい。
このため、透光領域に微粒子結晶16bが配設されていても、可視光透過率の低下が小さく、発光効率の低下が抑制される。
このような微粒子結晶16bの配設方法としては、保護層16の成膜後、微粒子結晶16aを配設する前に、保護層16の全面に揮発性液体に酸化マグネシウム微粒子結晶を分散した液体をスプレーにより散布する。
また、上記変形例1では、保護層よりも結晶性が高いMgOを含む微粒子結晶が1種存在し、その微結晶被覆率を変更することによって、電子放出性能を変更しているが、電子放出性能を変更する他の方法として、微粒子結晶のバルク中における結晶性が高いMgOの含有率を変更することによってもできる。
さらに、電子放出性能を高めたい領域に、微結晶被覆率を高め、かつ、結晶性が高いMgOの含有率が多い微粒子結晶を配設してもよく、この方が電子放出性能の向上幅が大きくなるため、より好ましい。
また、微粒子結晶16bは、隔壁24と当接する領域に配設されているが、微粒子結晶16bの厚みが0.1μm以上、3μm以下と極めて薄いため、微粒子結晶16bが配設されている場合と、微粒子結晶16bが配設されていない場合では、PDPの寸法関係に差異は生じない。
また、本実施の形態1では、保護層16は、MgOを主成分とするとしたが、CaO、BaO、SrO等の金属酸化物を主成分とし、もしくはCaMgO、BaMgO等を主成分としてもよく、さらに、これら金属酸化物を組み合わせた固溶体を主成分としてもよい。
また、本実施の形態1では、背面パネル90には、井桁状に隔壁が配されているが、ストライプ状の隔壁が配される構成であっても、
微粒子結晶16aを保護層16上の遮光領域に配設することにより、本実施の形態1のPDP1と同様の効果を奏することができる。
(実施の形態2)
図5(a)は本実施の形態2のPDP2の平面図、図5(b)は断面図、図5(c)は部分断面拡大図、及び図5(d)は部分平面拡大図である。
以下、PDP1との相違点である微粒子結晶の配設位置について説明する。
図5(a),(b)に示すように、本実施の形態2のPDP2では、PDP2を平面視的に透視したとき、保護層16表面における微粒子結晶の配設領域を、隣り合う放電セル内に配設されている走査電極13のバス電極122及び維持電極12のバス電極132それぞれとアドレス電極とが重なる配設領域316a及び配設領域316bとしている。
微粒子結晶116a及び微粒子結晶116bは、図5(c),(d)に示すように、実施の形態1のPDP1の微粒子結晶16aよりも、微結晶被覆率が高く設定されている。
このように、微結晶被覆率が高く設定されている理由は、実施の形態1のPDP1よりも微粒子結晶の配設面積的が小さくなっていることによる電子放出性能の低下を補うためである。
(微粒子結晶の配設領域を決定した根拠)
図6(a),(b)は、従来のPDPにおいて、アドレス放電を行う場合の印加電圧をアドレス電極と走査電極のバス電極に加えた場合における、放電空間側にある前面パネル表面の電界強度をシミュレーションにより求めた結果を示す図である。
図6(b)は、バス電極上の保護層表面の電界強度分布を示す図である。この図6(b)より、走査電極のバス電極上の保護層表面においてもっとも電界強度が高い部位は、アドレス電極上であることがわかる。
これらの結果より、保護層表面においてもっとも電界強度が高い部位は、PDP2を平面視的に透視したとき、アドレス電極と走査電極のバス電極とが重なっている領域、つまり、配設領域316aに相当する領域であることがわかる。
以上のように、保護層表面において最も電界強度が高い領域、即ち、放電遅延の解消に効果がある領域に微粒子結晶を重点的に配設することにより、結果的に1放電セルあたりの微粒子結晶の使用量が減少するため、製造コストが低減される。
本発明では、配設領域316bにおける前記微粒子の面密度が、維持側透明電極端部領域における前記微粒子の面密度よりも大きいため、放電が維持側透明電極端部領域よりも配設領域316bに集中し易く、その分、維持側透明電極端部領域におけるイオン衝撃によるダメージを緩和することができるため、長時間駆動時の放電特性の悪化が軽減される。この効果は、実施の形態1におけるPDP1、実施の形態1の変形例1のPDP、実施の形態2におけるPDP2においても同様に奏される。
なお、アドレス放電は、走査電極13とアドレス電極22間で生じるため、平面視的に走査電極13と交錯する配設領域316aのみに微粒子結晶が配設されていてもよい。
したがって、製造工程の当初から走査電極と維持電極の区別をつけておけば、配設領域316aのみに微粒子結晶116aを配設し、配設領域316bには微粒子結晶116bを配設しない構成であっても構わない。
(変形例2)
実施の形態2では、アドレス放電する際の前面パネルの保護層における電界強度が高い領域に微粒子結晶を重点配置する構成であったが、微粒子結晶の配設領域が原則的に遮光領域に属していることに変わりはなかったが、これに加えて透光領域内の電界強度が高い領域にも、微結晶被覆率を小さくて可視光透過率の低下を小さくし、微粒子結晶を配設することも考えられる。
ここで、図7(a)は平面図、(b)は断面図、(c)及び(d)は部分断面拡大図、及び図7(d)は部分平面拡大図である。
この事例のPDP3は、実施の形態1のPDP2と比べて、微粒子結晶を配設する部位のみが異なり、その他の構成については、PDP1と同一である。
同様に、微粒子結晶117bの微結晶被覆率は30%未満(より好ましくは、10%+5%,−5%)に設定されており、これに対し、微粒子結晶116bの微結晶被覆率は30%(より好ましくは100%+0%,−20%)以上に設定されている。
これにより、発光効率低下の抑制と放電遅延の抑制とを両立実施することができる。
本発明では、配設領域416bにおける前記微粒子の面密度が、維持側透明電極端部領域における前記微粒子の面密度よりも大きいため、放電が維持側透明電極端部領域よりも配設領域416bに集中し易く、その分維持側透明電極端部領域におけるイオン衝撃によるダメージを緩和することができるため、長時間駆動時の放電特性の悪化が軽減される。
また、微粒子結晶117a及び微粒子結晶117bの配設方法としては、保護層16の成膜後、保護層16における配設領域417a,417b以外の領域にマスクを配置し、揮発性液体に酸化マグネシウム微粒子結晶を分散した液体をスプレーにより散布する。
したがって、電子放出性能を高めたい領域には、微結晶被覆率を高める代わりに、結晶性が高いMgOの含有率が多い微粒子結晶を配設してもよい。
結晶性が高いMgOの含有率が多い微粒子結晶のバルクは、コストが高いため、上述のように電子放出性能をより高めたい領域には、結晶性が高いMgOの含有率が多い微粒子結晶を配設し、そうでない領域には、結晶性が高いMgOの含有率が通常の微粒子結晶を配設することにより、製造コストの上昇を緩和することができる。
上述の微結晶被覆率の小さくするとは、具体的には、微結晶被覆率が30%未満(より好ましくは、10%+5%,−5%)を意味する。
また、上記変形例2では、PDPを平面視的に透視したとき、保護層16表面において、アドレス電極22上以外の領域における透光領域においては微粒子結晶を配設していないが、この領域にも、微結晶被覆率の小さくした微粒子結晶を配設してもよい。
(実施の形態3)
図8は、本実施の形態3におけるPDP5の分解斜視図である。
まず、実施の形態1のPDP1との相違点であるPDP5の表示電極対の構成について説明する。
このような構成は、透明電極形成工程が省略できるため、コストが低減できるという利点がある。
以下、このように透明電極を有しないPDP5の構成における微粒子結晶の配設位置について詳細に説明する。
図9(a),(b)に示すように、本実施の形態3のPDP5では、保護層16表面における微粒子結晶516b及び微粒子結晶516aの配設領域、即ち、配設領域517b及び配設領域517aが、それぞれ延出部532b及びこれと接している上記交差部と、延出部522b及びこれと接している上記交差部となっている。
より具体的には、微粒子結晶516b及び微粒子結晶516aの微結晶被覆率は、30%以上(より好ましくは100%+0%,−20%)となっている。
なお、微粒子結晶516b及び微粒子結晶516aが、それぞれ遮光領域に属する配設領域517b及び配設領域517aからややはみだしている構成であったとしても、配設領域517b及び配設領域517aからはみだしていない構成と比べて可視光透過率が悪化するがその割合は僅かであり、放電開始時期のばらつき低減効果はほぼ同等であるため、微粒子結晶516b及び微粒子結晶516aの配設する領域をそれぞれ配設領域517b及び配設領域517aのみに限定するものではなく、PDP5において、微粒子結晶516b及び微粒子結晶516aが配設領域517b及び配設領域517aからややはみだしている構成であってもよい。
ここで、微結晶被覆率を大きく設定した微粒子結晶とは、微結晶被覆率が微結晶被覆率は30%以上(より好ましくは100%+0%,−20%)を意味する。
10 前面パネル
11 ガラス基板
12 維持電極
13 走査電極
14 表示電極対
15 誘電体層
16 保護層
16a,16b 微粒子結晶
17a ブラックストライプ
20 背面パネル
21 ガラス基板
22 アドレス電極
23 誘電体層
24,25 隔壁
26 蛍光体層
30 微結晶被覆率
42 可視光透過率
70 保護層
116a,116b 微粒子結晶
117a,117b 微粒子結晶
121 透明電極
122,132 バス電極
131 透明電極
132 バス電極
216,316a 配設領域
316a,316b 配設領域
416a,416b 配設領域
417a,417b 配設領域
516a,516b 微粒子結晶
517a,517b 配設領域
522 維持電極
522a 主幹部
522b 延出部
532 維持電極
532 走査電極
532a 主幹部
532b 延出部
Claims (13)
- 前面板と背面板とが放電空間を挟んで対向配置され、前記前面板は、前面基板の前記放電空間に面する側に、第1電極及び第2電極からなる電極対と誘電体層と保護層とが順次積層され、前記背面板には、前記電極対と放電空間を隔てて交差する第3電極が配され、前記交差する箇所に放電セルが形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護層表面には、金属酸化物の結晶を含む微粒子が配設され、
前記前面板は、厚み方向の透光性を有する透光領域と、前記透光領域よりも透光性が低い遮光領域を有し、
前記遮光領域に対応する前記保護層表面には、前記透光領域に対応する前記保護層表面よりも面密度が大きくなるように、前記微粒子が配設されているプラズマディスプレイパネル。 - 前記第1電極及び前記第2電極は、バス電極を有し、
前記前面板の前記バス電極が配されている第1領域は、前記遮光領域に属し、
前記第1領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第1領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きい請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記第1電極及び前記第2電極は、バス電極を有し、
前記前面板の前記バス電極が配されている第1領域は、前記遮光領域に属し、
前記第1領域が前記前面板の厚み方向において前記第3電極と重なっている領域を第2領域とするとき、
前記第2領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第2領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きい請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記第1電極及び前記第2電極は、それぞれ走査電極及び維持電極であり、
前記走査電極及び前記維持電極は、それぞれバス電極を有し、
前記走査電極の前記バス電極が配されている第3領域は、前記遮光領域に属しており、
前記第3領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第3領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きい請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記第1電極及び前記第2電極は、それぞれ走査電極及び維持電極であり、
前記走査電極及び前記維持電極は、それぞれバス電極を有し、
前記走査電極の前記バス電極が配されている第3領域は、前記遮光領域に属しており、
前記第3領域が前記前面板の厚み方向において前記第3電極と重なっている領域を第4領域とするとき、
前記第4領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第4領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きい請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記前面板を厚み方向から見たとき、
前記バス電極は、前記第3電極と略直交する方向に延びる主幹部と、前記主幹部が前記前面板の厚み方向において前記第3電極と重なっている交差部から前記第3電極に沿い、前記放電空間の中心側に延出された延出部とを有している請求項2から5のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記遮光領域のうちの前記交差部に対応する領域を第5領域とするとき、
前記第5領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第5領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きい請求項6に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記遮光領域のうちの前記延出部に対応する領域を第6領域とするとき、
前記第5領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度、前記第6領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度、前記第5領域及び前記第6領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度の順に小さくなっている請求項7に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記微粒子には、前記金属酸化物の結晶の結晶性が高い第1微粒子と、前記第1微粒子よりも前記金属酸化物の結晶の結晶性が低い第2微粒子とがあり、前記微粒子の面密度を高くして前記微粒子を配設している領域には第1微粒子が配され、前記微粒子の面密度を低くして前記微粒子を配設している領域には第2微粒子が配されている請求項1から5のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記微粒子の面密度を高くして前記微粒子を配設している領域は、前記微粒子が前記保護層表面を覆っている面積の割合が30%以上である請求項1から8のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記微粒子に含まれる金属酸化物の結晶の結晶性は、前記保護層の結晶性より高い請求項1から8のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記微粒子に含まれる金属酸化物の金属元素は、第II族に属する請求項1から8のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記微粒子に含まれる金属酸化物は、MgOであることを特徴とする請求項12に記載のプラズマディスプレイパネル。
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