JP2007311075A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
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Abstract
【課題】発光効率低下の抑制と放電遅延の抑制とを両立実施可能なプラズマディスプレイパネルを提供する。
【解決手段】前面板１０と背面板２０とが放電空間を挟んで対向配置され、前面板１０は、ガラス基板１１の放電空間に面する側に、走査電極１３及び維持電極１２からなる表示電極対１４と誘電体層１５と保護層１６とが順次積層され、背面板２０には、表示電極対１４と放電空間を隔てて交差する第３電極が配され交差する箇所に放電セルが形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、保護層１６表面には、金属酸化物の結晶を含む微粒子結晶１６ａが配設され、前面板１０は、厚み方向の透光性を有する透光領域と、透光領域よりも透光性が低い遮光領域（ブラックストライプ１７ａ）を有し、遮光領域に対応する保護層１６表面には、透光領域に対応する保護層１６表面よりも面密度が大きくなるように、微粒子結晶１６ａが配設されている。
【選択図】図１
【解決手段】前面板１０と背面板２０とが放電空間を挟んで対向配置され、前面板１０は、ガラス基板１１の放電空間に面する側に、走査電極１３及び維持電極１２からなる表示電極対１４と誘電体層１５と保護層１６とが順次積層され、背面板２０には、表示電極対１４と放電空間を隔てて交差する第３電極が配され交差する箇所に放電セルが形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、保護層１６表面には、金属酸化物の結晶を含む微粒子結晶１６ａが配設され、前面板１０は、厚み方向の透光性を有する透光領域と、透光領域よりも透光性が低い遮光領域（ブラックストライプ１７ａ）を有し、遮光領域に対応する保護層１６表面には、透光領域に対応する保護層１６表面よりも面密度が大きくなるように、微粒子結晶１６ａが配設されている。
【選択図】図１
Description
本発明は、プラズマディスプレイパネルに関し、特に、発光効率低下の抑制と放電遅延の抑制とを両立させる技術に関する。
近年、コンピュータやテレビジョン受像機等に用いられているディスプレイ装置において、大画面で薄型軽量化を実現することのできるプラズマディスプレイ装置が注目されている。
このプラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」という。）は、ＤＣ（直流）型とＡＣ（交流）型とがあり、信頼性、画質など様々な面でＡＣ型が優れているため、現在のＰＤＰの主流はＡＣ型となっている。
このプラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」という。）は、ＤＣ（直流）型とＡＣ（交流）型とがあり、信頼性、画質など様々な面でＡＣ型が優れているため、現在のＰＤＰの主流はＡＣ型となっている。
図１０に従来のＡＣ型ＰＤＰ装置の要部構成図を示す。図１０に示すように、ＰＤＰ９００は、前面パネル８０と背面パネル９０とで放電空間９６を挟んだ構造となっている。
前面パネル８０では、ガラス基板８１の主面に走査電極８２と維持電極８３とが対をなし、かつストライプ状に形成されて表示電極対８４を形成している。
走査電極８２及び維持電極８３は、透明電極８２１及び透明電極８３１主面に金属製のバス電極８２２及びバス電極８３２が積層されてなる。
前面パネル８０では、ガラス基板８１の主面に走査電極８２と維持電極８３とが対をなし、かつストライプ状に形成されて表示電極対８４を形成している。
走査電極８２及び維持電極８３は、透明電極８２１及び透明電極８３１主面に金属製のバス電極８２２及びバス電極８３２が積層されてなる。
このような状態の前面パネル８０主面を覆うように第１誘電体層８５及び保護層８６がこの順に積層されている。
この保護層８６は、例えば、ＭｇＯ膜をスパッタリングで形成するスパッタ法を用いる。
また、ガラス基板８１の表示電極対が形成されていない側の主面には、隣り合う表示電極対同士の間に沿って、ブラックストライプ８１７が形成されている。
この保護層８６は、例えば、ＭｇＯ膜をスパッタリングで形成するスパッタ法を用いる。
また、ガラス基板８１の表示電極対が形成されていない側の主面には、隣り合う表示電極対同士の間に沿って、ブラックストライプ８１７が形成されている。
背面パネル９０では、ガラス基板９１の主面にアドレス電極９２がＸ軸方向にストライプ状に形成され、上記加工の施されたガラス基板９１主面を覆うように第２誘電体層９３が積層され、そして、アドレス電極９２を挟むような位置関係で隔壁９４が第２誘電体層９３主面に形成されている。第２誘電体層９３の主面から隔壁９４の側壁にかけて、蛍光体層９５が塗布されている。
以上のように形成された前面パネル８０と背面パネル９０とは、電極の形成された面を対向させ、かつ表示電極対８４とアドレス電極９２とが放電空間を隔てて交差するように張り合わされており、その周辺部がフリットガラス等で封着されている。
上記構成によってＰＤＰ９００では、表示電極対８４とアドレス電極９２との放電空間を隔てて交差する領域に、放電セルが形成され、放電セルがマトリクス状に配列されている。
上記構成によってＰＤＰ９００では、表示電極対８４とアドレス電極９２との放電空間を隔てて交差する領域に、放電セルが形成され、放電セルがマトリクス状に配列されている。
選択された走査電極８２とアドレス電極９２との間では、保護層８６表面に電荷を蓄積するアドレス放電が実施され、また、走査電極８２と維持電極８３との間では、画像形成に用いられる紫外線を発生させる維持放電が実施される。
ところで、最近のＰＤＰでは、高精細化仕様のものが普及し始めており、高精細化に伴うセルの数の増加によって、１放電セルあたりのアドレス放電に割当て可能な時間（以下、「アドレス時間」）が短くなるため、アドレス放電が正常に行われる確率（以下、「放電確率」という。）が低下する。
ところで、最近のＰＤＰでは、高精細化仕様のものが普及し始めており、高精細化に伴うセルの数の増加によって、１放電セルあたりのアドレス放電に割当て可能な時間（以下、「アドレス時間」）が短くなるため、アドレス放電が正常に行われる確率（以下、「放電確率」という。）が低下する。
この放電確率の低下は、具体的には、電圧が印加されてからアドレス放電が開始するまでの時間が遅いこと（以下、「放電遅延」という。）に起因しており、放電遅延が顕著な程、アドレス時間内に決められた放電時間が確保し難くなるので、電荷が蓄えられずに維持放電が実施できなくなるといういわゆる書きこみ不良が生じ易くなるという問題がある。
このように書きこみ不良が生じたセルは、非点灯セルとなり、いわゆる黒ノイズが発生し、良好な画像表示性能が得られにくい原因となる。
このような問題を解決するために、図１０に示すように、保護層７０の表面に結晶性が高いＭｇＯ微粒子８６aを島状に分散配置し、電子放出特性を向上させることにより、放電遅延を解消して、放電確率を向上させたＰＤＰがある。（例えば、特許文献１）
ＷＯ ２００４／０４９３７５ ＰＣＴ公報
このような問題を解決するために、図１０に示すように、保護層７０の表面に結晶性が高いＭｇＯ微粒子８６aを島状に分散配置し、電子放出特性を向上させることにより、放電遅延を解消して、放電確率を向上させたＰＤＰがある。（例えば、特許文献１）
しかしながら、上述のように微粒子結晶を保護層表面に分散位置すると、微粒子結晶に当たった可視光が乱反射するため、蛍光体から発した可視発光がパネル外部に透過する際に乱反射し、透過率が低下するので、その分パネルの発光効率が損なわれるという問題がある。
本発明は、このような課題を解決しようとなされたものであって、発光効率低下の抑制と放電遅延の抑制とを両立実施することが可能なＰＤＰを提供することを目的とする。
本発明は、このような課題を解決しようとなされたものであって、発光効率低下の抑制と放電遅延の抑制とを両立実施することが可能なＰＤＰを提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明のプラズマディスプレイパネルは、前面板と背面板とが放電空間を挟んで対向配置され、前記前面板は、前面基板の前記放電空間に面する側に、第１電極及び第２電極からなる電極対と誘電体層と保護層とが順次積層され、前記背面板には、前記電極対と放電空間を隔てて交差する第３電極が配され、前記交差する箇所に放電セルが形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、前記保護層表面には、金属酸化物の結晶を含む微粒子が配設され、前記前面板は、厚み方向の透光性を有する透光領域と、前記透光領域よりも透光性が低い遮光領域を有し、前記遮光領域に対応する前記保護層表面には、前記透光領域に対応する前記保護層表面よりも面密度が大きくなるように、前記微粒子が配設されていることを特徴とする。
金属酸化物の結晶を含む微粒子は、微粒子単独で生成することができるので、一般的なスパッタ法により保護層を形成する場合のように下地の影響を受け難く、生成条件の自由度が大きく、前記保護層のよりも結晶性が高まり易い。
本発明では、このような微粒子を保護層表面に配設したので、電子放出性能が向上し、放電遅延が解消される。一方、このような微粒子が配設された領域では、光が乱反射するので、保護層の透光性は低下するが、遮光領域は、もともと透光性が低い領域であるため、この領域に配設された微粒子に起因して、透光性がさらに低下する割合は小さいため、発光効率にも影響を受け難い。
本発明では、このような微粒子を保護層表面に配設したので、電子放出性能が向上し、放電遅延が解消される。一方、このような微粒子が配設された領域では、光が乱反射するので、保護層の透光性は低下するが、遮光領域は、もともと透光性が低い領域であるため、この領域に配設された微粒子に起因して、透光性がさらに低下する割合は小さいため、発光効率にも影響を受け難い。
本発明では、このような領域に前記微粒子を重点配置する、即ち、面密度を高めて配設することにより、１放電セルにおいて放電遅延を解消させるに足る微粒子の量を確保することが可能となる。
したがって、上記構成により、発光効率低下の抑制と放電遅延の抑制とを両立実施することが可能となる。
したがって、上記構成により、発光効率低下の抑制と放電遅延の抑制とを両立実施することが可能となる。
さらに、前記第１電極及び前記第２電極は、バス電極を有し、前記前面板の前記バス電極が配されている第１領域は、前記遮光領域に属し、前記第１領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第１領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きいとしてもよい。
通常、バス電極には、銀などの金属電極が用いられており、透光性を全く有しない。
通常、バス電極には、銀などの金属電極が用いられており、透光性を全く有しない。
したがって、もともと透光性を有しない第１領域に高面密度の前記微粒子を配設しても、透光性がさらに悪化することがなく、微粒子の存在が透光性に影響を及ぼすことがない。また、このような第１領域に十分な微粒子量を確保するように面密度を高めて配設することにより放電遅延を解消することができる。
また、前記第１電極及び前記第２電極は、バス電極を有し、前記前面板の前記バス電極が配されている第１領域は、前記遮光領域に属し、前記第１領域が前記前面板の厚み方向において前記第３電極と重なっている領域を第２領域とするとき、前記第２領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第２領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きいとしてもよい。
また、前記第１電極及び前記第２電極は、バス電極を有し、前記前面板の前記バス電極が配されている第１領域は、前記遮光領域に属し、前記第１領域が前記前面板の厚み方向において前記第３電極と重なっている領域を第２領域とするとき、前記第２領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第２領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きいとしてもよい。
前記第２領域に対応する前記保護層表面は、第１領域に対応する前記保護層表面の中でも、特に電界強度が高い領域であって、前記微粒子から電子を放出し易い条件であるため、このような第２領域に重点的に配設することより、より効果的に放電遅延を解消することができる。
ここで、前面板の表示電極がバス電極と透明電極とから構成され、走査電極及び維持電極の各透明電極同士が放電セルの中央において近接配置されている場合、アドレス電極直上の保護層表面において、電界強度は、アドレス電極と走査電極側のバス電極との交差領域、つまり第２領域、及びアドレス電極と走査電極側の透明電極の放電セル中央側端部との交差領域（以下、「維持側透明電極端部領域」という。）の２箇所においてピークを有するため、保護層表面の全面に面密度を一様にして前記微粒子が配設されているか、又は保護層表に前記微粒子が全く配設されていないとすると、第２領域と維持側透明電極端部領域に対応する保護層表面に放電が集中し、その結果、第２領域及び維持側透明電極端部領域に対応する保護層のダメージが大きくなる。
ここで、前面板の表示電極がバス電極と透明電極とから構成され、走査電極及び維持電極の各透明電極同士が放電セルの中央において近接配置されている場合、アドレス電極直上の保護層表面において、電界強度は、アドレス電極と走査電極側のバス電極との交差領域、つまり第２領域、及びアドレス電極と走査電極側の透明電極の放電セル中央側端部との交差領域（以下、「維持側透明電極端部領域」という。）の２箇所においてピークを有するため、保護層表面の全面に面密度を一様にして前記微粒子が配設されているか、又は保護層表に前記微粒子が全く配設されていないとすると、第２領域と維持側透明電極端部領域に対応する保護層表面に放電が集中し、その結果、第２領域及び維持側透明電極端部領域に対応する保護層のダメージが大きくなる。
特に、維持側透明電極端部領域に対応する保護層表面は、維持放電における放電ギャップの一部ともなっていることから、イオン衝撃によるダメージが助長される。
本発明では、第２領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第２領域以外の領域、即ち、維持側透明電極端部領域に対応する保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きくしているため、放電が維持側透明電極端部領域よりも第２領域に対応する保護層表面に集中し易く、維持側透明電極端部領域におけるイオン衝撃によるダメージを緩和することができ、長時間駆動時の放電特性の悪化が軽減される。
本発明では、第２領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第２領域以外の領域、即ち、維持側透明電極端部領域に対応する保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きくしているため、放電が維持側透明電極端部領域よりも第２領域に対応する保護層表面に集中し易く、維持側透明電極端部領域におけるイオン衝撃によるダメージを緩和することができ、長時間駆動時の放電特性の悪化が軽減される。
そして、前記第２領域は、前記第１領域内に存するため、透光性に影響を与え難い領域であることに変わりはなく、発光効率低下が抑制される。
また、前記第１電極及び前記第２電極は、それぞれ走査電極及び維持電極であり、前記走査電極及び前記維持電極は、それぞれバス電極を有し、前記走査電極の前記バス電極が配されている第３領域は、前記遮光領域に属しており、前記第３領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第３領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きいとしてもよい。
また、前記第１電極及び前記第２電極は、それぞれ走査電極及び維持電極であり、前記走査電極及び前記維持電極は、それぞれバス電極を有し、前記走査電極の前記バス電極が配されている第３領域は、前記遮光領域に属しており、前記第３領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第３領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きいとしてもよい。
放電遅延を問題とするアドレス放電は、走査電極とアドレス電極間に形成される電界に伴って、保護層表面から発生するため、保護層において、走査電極の配設されている領域では、放電が発生する確率が高い。
特にバス電極上の第３領域に対応する前記保護層表面は、電解強度が高く放電が起き易い領域である。
特にバス電極上の第３領域に対応する前記保護層表面は、電解強度が高く放電が起き易い領域である。
従って、このような第３領域に対応する前記保護層表面に前記微粒子を配設することにより、より効果的に放電遅延を解消することができる。
また、前記第３領域は、前記第１領域内に存するため、透光性に影響を与え難い領域であることに変わりはなく、発光効率低下が抑制される。
また、前記第１電極及び前記第２電極は、それぞれ走査電極及び維持電極であり、前記走査電極及び前記維持電極は、それぞれバス電極を有し、前記走査電極の前記バス電極が配されている第３領域は、前記遮光領域に属しており、前記第３領域が前記前面板の厚み方向において前記第３電極と重なっている領域を第４領域とするとき、前記第４領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第４領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きいとしてもよい。
また、前記第３領域は、前記第１領域内に存するため、透光性に影響を与え難い領域であることに変わりはなく、発光効率低下が抑制される。
また、前記第１電極及び前記第２電極は、それぞれ走査電極及び維持電極であり、前記走査電極及び前記維持電極は、それぞれバス電極を有し、前記走査電極の前記バス電極が配されている第３領域は、前記遮光領域に属しており、前記第３領域が前記前面板の厚み方向において前記第３電極と重なっている領域を第４領域とするとき、前記第４領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第４領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きいとしてもよい。
前記第３領域と前記第３電極とが重なる第４領域は、１放電セルにおいてアドレス放電時において最も電界強度が大きくなる領域であり、このような第３領域に重点的に配設することより、より効果的に放電遅延を解消することができる。
また、前記前面板を厚み方向から見たとき、前記バス電極は、前記第３電極と略直交する方向に延びる主幹部と、前記主幹部が前記前面板の厚み方向において前記第３電極と重なっている交差部から前記第３電極に沿い、前記放電空間の中心側に延出された延出部とを有しており、前記遮光領域のうちの前記交差部に対応する領域を第５領域とするとき、
前記第５領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第５領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きいとしてもよい。
また、前記前面板を厚み方向から見たとき、前記バス電極は、前記第３電極と略直交する方向に延びる主幹部と、前記主幹部が前記前面板の厚み方向において前記第３電極と重なっている交差部から前記第３電極に沿い、前記放電空間の中心側に延出された延出部とを有しており、前記遮光領域のうちの前記交差部に対応する領域を第５領域とするとき、
前記第５領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第５領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きいとしてもよい。
このようにバス電極が主幹部と延出部からなる特殊な形状であっても、上述した発明の構成を適用することができ、上述した効果が奏される。
また、前記保護層表面において、前記遮光領域のうちの前記延出部に対応する領域を第６領域とするとき、前記第５領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度、前記第６領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度、前記第５領域及び前記第６領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度の順に小さくなっているとすることもできる。
また、前記保護層表面において、前記遮光領域のうちの前記延出部に対応する領域を第６領域とするとき、前記第５領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度、前記第６領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度、前記第５領域及び前記第６領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度の順に小さくなっているとすることもできる。
第５領域は、第６領域、及びこれら以外の領域に対応する前記保護層表面の順で、電界強度が高く、より電子放出し易い条件なっており、このように、遮光領域が複数の領域から構成される場合、各領域に対応する前記保護層表面の電界強度に応じて前記微粒子の面密度を設定することにより、より効率的に前記微粒子を配設することができる。
また、前記微粒子には、前記金属酸化物の結晶の結晶性が高い第１微粒子と、前記第１微粒子よりも前記金属酸化物の結晶の結晶性が低い第２微粒子とがあり、前記微粒子の面密度を高くして前記微粒子を配設している領域には第１微粒子が配され、前記微粒子の面密度を低くして前記微粒子を配設している領域には第２微粒子が配されているとすることもできる。
また、前記微粒子には、前記金属酸化物の結晶の結晶性が高い第１微粒子と、前記第１微粒子よりも前記金属酸化物の結晶の結晶性が低い第２微粒子とがあり、前記微粒子の面密度を高くして前記微粒子を配設している領域には第１微粒子が配され、前記微粒子の面密度を低くして前記微粒子を配設している領域には第２微粒子が配されているとすることもできる。
結晶性が高い微粒子とは言え、バルク中においては、結晶性が高いものと、低いものの存在割合は、結晶性が低いものの方が圧倒的に多い。このため、放電遅延を解消するようにするためには、前記微粒子を配設すべき場所に、結晶性の高いものを必ず含ませるようにしておく必要がある。
上述のように、前記微粒子の面密度が高い領域、即ち、前記微粒子を配設すべき場所に結晶性の高い第１微粒子を配設することにより、微粒子を配設すべき場所に必ず結晶性の高いものを含ませることができる。
上述のように、前記微粒子の面密度が高い領域、即ち、前記微粒子を配設すべき場所に結晶性の高い第１微粒子を配設することにより、微粒子を配設すべき場所に必ず結晶性の高いものを含ませることができる。
また、前記微粒子の面密度を高くして前記微粒子を配設している領域は、前記微粒子が前記保護層表面を覆っている面積の割合が３０％以上であるとすることもできる。
これにより、放電遅延が解消される。
また、前記微粒子に含まれる金属酸化物の結晶の結晶性は、前記保護層の結晶性より高いとすることもできる。
これにより、放電遅延が解消される。
また、前記微粒子に含まれる金属酸化物の結晶の結晶性は、前記保護層の結晶性より高いとすることもできる。
前記微粒子に含まれる金属酸化物の結晶の結晶性は、前記保護層の結晶性より高いとは、つまり、同量のバルク中における結晶性の高いものの割合が前記微粒子よりも多いということであり、より放電遅延が抑制される。
また、前記微粒子に含まれる金属酸化物の金属元素は、第II族に属するとすることもできる。
また、前記微粒子に含まれる金属酸化物の金属元素は、第II族に属するとすることもできる。
これにより、放電が良好に行われる。
また、前記微粒子に含まれる金属酸化物は、ＭｇＯであることが好ましい。
本発明の構成では、保護層の放電開始時期のばらつきの抑制に関わる特性は、高純度結晶構造を有することにより電子放出特性に優れる酸化マグネシウム微粒子結晶によって発揮される。
また、前記微粒子に含まれる金属酸化物は、ＭｇＯであることが好ましい。
本発明の構成では、保護層の放電開始時期のばらつきの抑制に関わる特性は、高純度結晶構造を有することにより電子放出特性に優れる酸化マグネシウム微粒子結晶によって発揮される。
酸化マグネシウム結晶を含む微粒子を保護層表面に配設することで、電子放出性能が向上する理由は、次のように考えられる。
酸化マグネシウムに電界が印加されると、バンド内のフェルミレベルが上昇し、保護層のキャリア密度が高まる。キャリア密度に相関して、初期電子放出が起こり、初期電子から放電に進展する。放電開始時期のばらつきを抑制するためには、キャリア密度を高め、安定化させることが必要である。保護層として酸化マグネシウムの高純度結晶を用いた場合、電圧印加時のフェルミレベルの上昇が顕著であり、また、キャリアを消滅させるセンターが少ないので、高いキャリア密度を安定して維持することができる。この結果、電子放出性能が向上し、放電遅延が抑制される。
酸化マグネシウムに電界が印加されると、バンド内のフェルミレベルが上昇し、保護層のキャリア密度が高まる。キャリア密度に相関して、初期電子放出が起こり、初期電子から放電に進展する。放電開始時期のばらつきを抑制するためには、キャリア密度を高め、安定化させることが必要である。保護層として酸化マグネシウムの高純度結晶を用いた場合、電圧印加時のフェルミレベルの上昇が顕著であり、また、キャリアを消滅させるセンターが少ないので、高いキャリア密度を安定して維持することができる。この結果、電子放出性能が向上し、放電遅延が抑制される。
なお、本発明と微粒子結晶を保護層表面に分散配置する場合とを比較すると、後者では可視光の乱反射により、透過率が低下を招き、パネルの発光効率が低下する。一方、本発明の構成では、保護層表面に微粒子結晶を分散配置する領域を遮光領域あるいはバス電極上に限定することにより、透過率低下を防止することが可能となる。透過率と放電開始時期のばらつき抑制効果の両立を考慮すると、前記保護層表面を覆っている面積の割合（以下、「被覆率」という。）を大きくして微結晶を配置した場合、透過率への悪影響が大きいが、遮光領域に微結晶を配置する場合には、被覆率が１００％でも透過率に影響を与えない。
また、微粒子結晶を全面に低被覆率で分散配置し、局所的に高被覆率で分散配置する構成とすることにより、透過率低下を抑制しつつ、放電開始時期のばらつき低減の効果を大きくできる。
局所的に分散配置する、あるいは、高被覆率で分散配置する場所は、アドレス放電時の電界強度が強い場所、つまりバス電極とアドレス電極と重なる部分とすると、最も放電開始時期のばらつき低減の効果が大きい。
局所的に分散配置する、あるいは、高被覆率で分散配置する場所は、アドレス放電時の電界強度が強い場所、つまりバス電極とアドレス電極と重なる部分とすると、最も放電開始時期のばらつき低減の効果が大きい。
（実施の形態１）
（構成）
以下、本実施の形態１のＰＤＰについて詳細に説明する。
図１に本実施の形態１におけるＰＤＰ１の分解斜視図である。
図１において、ＰＤＰ１は、前面パネル１０と背面パネル２０とが放電空間を挟んで対向するように配置され、前面パネル１０のガラス基板１１主面に、走査電極１３及び維持電極１２が配され、走査電極１３と維持電極１２とが対を成して表示電極対１４が形成されており、ガラス基板１１の主面外方側において隣り合う表示電極対１４同士に挟まれる領域にブラックストライプ１７ａが配設されている。
（構成）
以下、本実施の形態１のＰＤＰについて詳細に説明する。
図１に本実施の形態１におけるＰＤＰ１の分解斜視図である。
図１において、ＰＤＰ１は、前面パネル１０と背面パネル２０とが放電空間を挟んで対向するように配置され、前面パネル１０のガラス基板１１主面に、走査電極１３及び維持電極１２が配され、走査電極１３と維持電極１２とが対を成して表示電極対１４が形成されており、ガラス基板１１の主面外方側において隣り合う表示電極対１４同士に挟まれる領域にブラックストライプ１７ａが配設されている。
走査電極１３及び維持電極１２は、それぞれ矩形のＩＴＯ膜で各放電セルに形成された透明電極１２１及び透明電極１３１と、透明電極１２１及び透明電極１３１の放電空間側主面に配され、かつ、透明電極１２１及び透明電極１３１それぞれのＸ軸方向端部に沿ってＺ軸方向に延伸するバス電極１２２及びバス電極１３２とで構成されている。
ここで、上記放電セルとは、１画素のＲ，Ｇ，Ｂのいずれかの成分に対応する副画素に対応するＰＤＰの領域であって、井桁状の隔壁を有している本実施の形態１のＰＤＰ１においては、前面パネルの主面と直交する直線の延長上からＰＤＰを透視したとき（以下、このような見方を便宜的に「平面視的に透視したとき」という。）、配設方向が異なる２種の隔壁のそれぞれにおいて、隣り合うもの同士の対を第１隔壁対及び第２隔壁対とした場合、第１隔壁対と第２隔壁対とが交わることによって区分される領域をいい、他の実施の形態においても同様とする。
ここで、上記放電セルとは、１画素のＲ，Ｇ，Ｂのいずれかの成分に対応する副画素に対応するＰＤＰの領域であって、井桁状の隔壁を有している本実施の形態１のＰＤＰ１においては、前面パネルの主面と直交する直線の延長上からＰＤＰを透視したとき（以下、このような見方を便宜的に「平面視的に透視したとき」という。）、配設方向が異なる２種の隔壁のそれぞれにおいて、隣り合うもの同士の対を第１隔壁対及び第２隔壁対とした場合、第１隔壁対と第２隔壁対とが交わることによって区分される領域をいい、他の実施の形態においても同様とする。
透明電極１２１及び透明電極１３１は、ＩＴＯまたはＳｎＯ２等の透明導電性材料からなり、厚み０．１μｍ、幅１５０μｍの矩形状の薄膜体であって、その長手方向がＸ軸方向となっている。
バス電極１２２及びバス電極１３２は、Ａｇを材料として厚膜形成された厚さ７μｍ、幅９５μｍの金属電極であって、走査電極１３及び維持電極１２への電荷供給を容易にして、透明電極１２１及び透明電極１３１の電気抵抗に起因する弊害を低減している。
バス電極１２２及びバス電極１３２は、Ａｇを材料として厚膜形成された厚さ７μｍ、幅９５μｍの金属電極であって、走査電極１３及び維持電極１２への電荷供給を容易にして、透明電極１２１及び透明電極１３１の電気抵抗に起因する弊害を低減している。
ガラス基板１１において、透明電極１２１及び透明電極１３１が形成された放電空間側主面を覆うように誘電体層１５及び保護層１６がこの順に積層され、さらに、保護層１６の表面の一部に微粒子結晶１６ａが配設されている。
保護層１６は、薄膜プロセスで形成され、ＭｇＯを主成分とし、放電によって発生した高エネルギーのイオンから走査電極１３、維持電極１２及び誘電体層１５を保護すると同時に、放電空間に２次電子を効率よく放出して放電開始電圧を低減する機能を有する。
保護層１６は、薄膜プロセスで形成され、ＭｇＯを主成分とし、放電によって発生した高エネルギーのイオンから走査電極１３、維持電極１２及び誘電体層１５を保護すると同時に、放電空間に２次電子を効率よく放出して放電開始電圧を低減する機能を有する。
微粒子結晶１６ａは、厚みが０．１μｍ以上、１０μｍ以下であって、単独で生成されたＭｇＯを主成分とする微粒子であって、結晶性が高いＭｇＯを含んでいる割合が保護層１６よりも高く、保護層１６よりも放電空間に２次電子をより効率よく放出して放電開始し易くする機能を有する。
背面パネル２０では、表示電極対１４と放電空間を隔てて交差するように、金属膜または導電ペーストからなる帯状のアドレス電極２２が背面パネル２０のガラス基板２１の放電空間側主面に延伸配置されている。
背面パネル２０では、表示電極対１４と放電空間を隔てて交差するように、金属膜または導電ペーストからなる帯状のアドレス電極２２が背面パネル２０のガラス基板２１の放電空間側主面に延伸配置されている。
アドレス電極２２を覆うように、背面パネル２０のガラス基板２１の放電空間側主面に誘電体層２３が積層され、アドレス電極２２と表示電極対１４とが放電空間を隔てて交差する領域に対応して放電空間を仕切るように、井桁状の隔壁２４，２５が誘電体層２３主面に配されている。
隔壁２４，２５は、誘電体層２３と同様、低融点ガラスで作製されている。
隔壁２４，２５は、誘電体層２３と同様、低融点ガラスで作製されている。
背面パネル２０では、カラー表示のために、放電セル毎に誘電体層２３主面から隔壁２４，２５側壁にかけて例えば赤、緑、青の蛍光体層２６が塗布されており、表示電極対１４の延伸方向に配列された赤色、緑色、青色のそれぞれの蛍光体層２６を有する放電セルが一組となってカラー表示のための一画素を形成している。
前面パネル１０と背面パネル２０とで挟まれた放電空間には、放電ガス（Ｎｅ−Ｘｅ系ガスやＨｅ−Ｘｅ系ガスなど）が充填されている。
前面パネル１０と背面パネル２０とで挟まれた放電空間には、放電ガス（Ｎｅ−Ｘｅ系ガスやＨｅ−Ｘｅ系ガスなど）が充填されている。
井桁状の隔壁２４、２５では、ＰＤＰ製造時における排気工程及び放電ガスの導入を容易にするために、表示電極対１４の延伸方向に配された隔壁２５とアドレス電極２２の延伸方向に配された隔壁２４との間で高さに差があり、アドレス電極２２延伸方向の隔壁２４が、表示電極対１４延伸方向の隔壁２５より高くなるように設けられている。
本実施の形態１においては、微粒子結晶１６ａが配設されている領域に特徴があるので、以下詳細に説明する。
（微粒子結晶１６ａの配設領域について）
図２（ａ）は、前面パネルの主面と直交する直線の延長上からＰＤＰ１を見た平面図である。
本実施の形態１においては、微粒子結晶１６ａが配設されている領域に特徴があるので、以下詳細に説明する。
（微粒子結晶１６ａの配設領域について）
図２（ａ）は、前面パネルの主面と直交する直線の延長上からＰＤＰ１を見た平面図である。
図２（ａ）に示すように、前面パネルの主面と直交する直線の延長上から保護層１６を透視したとき、保護層１６表面における微粒子結晶１６ａの配設領域２１６は、隣り合う放電セル内に配設されているバス電極１２２とバス電極１３２とを含んでさらにこれらにより挟まれる領域であって、かつ、隣り合う隔壁２４同士に挟まれる領域となっている。
この配設領域２１６は、図２（ｂ）に示すように、前面パネルの厚み方向、即ち、Ｚ軸方向にバス電極１２２，１３２とブラックストライプ１７ａとがあり、前面パネル１０を厚み方向に透過する光が遮光されるため、他の領域と比べて透光性が低くなっている領域（以下、「遮光領域」という。）に属している。
この配設領域２１６は、図２（ｂ）に示すように、前面パネルの厚み方向、即ち、Ｚ軸方向にバス電極１２２，１３２とブラックストライプ１７ａとがあり、前面パネル１０を厚み方向に透過する光が遮光されるため、他の領域と比べて透光性が低くなっている領域（以下、「遮光領域」という。）に属している。
より具体的には、バス電極１２２，１３２及びブラックストライプ１７ａは、全く透光性を有しないので、上記遮光領域の透光性は０に近い。
また、上述したように、ＰＤＰ製造時における排気工程及び放電ガスの導入を容易にするために、隔壁２４が隔壁２５より高くなるように設けられているので、微粒子結晶１６ａと隔壁２５との間には、図２（ｂ）に示すように間隙があり、隔壁２５の直上の微粒子結晶１６ａにおいても放電可能な構成となっている。
また、上述したように、ＰＤＰ製造時における排気工程及び放電ガスの導入を容易にするために、隔壁２４が隔壁２５より高くなるように設けられているので、微粒子結晶１６ａと隔壁２５との間には、図２（ｂ）に示すように間隙があり、隔壁２５の直上の微粒子結晶１６ａにおいても放電可能な構成となっている。
図２（ｃ）は、微粒子結晶１６ａの拡大断面図であり、この図２（ｄ）は、その部分をＺ軸方向から見た図である。
図２（ｃ）及び図２（ｄ）に示すように、微粒子結晶１６ａは、配設領域において一様な面密度で島状に点在している。
このとき、配設領域２１６において、図２（ｄ）に示すように、下地の保護層１６が微粒子結晶１６ａによって覆われる面積の割合（以下、「微結晶被覆率」という。）が３０％以上とすると、放電遅延が問題のないレベルまで減少することがわかった。
図２（ｃ）及び図２（ｄ）に示すように、微粒子結晶１６ａは、配設領域において一様な面密度で島状に点在している。
このとき、配設領域２１６において、図２（ｄ）に示すように、下地の保護層１６が微粒子結晶１６ａによって覆われる面積の割合（以下、「微結晶被覆率」という。）が３０％以上とすると、放電遅延が問題のないレベルまで減少することがわかった。
ここで、便宜上、１放電セルにおいて、上述の遮光領域以外の領域を透光領域ということとする。
図３は、１放電セルにおいて、透光領域に微粒子結晶１６ａを配設した面積の割合（以下、「微粒子結晶領域面積比率）と前面パネル１０を透過する可視光の透過率（以下、「可視光透過率」という。）との関係を示す図である。
図３は、１放電セルにおいて、透光領域に微粒子結晶１６ａを配設した面積の割合（以下、「微粒子結晶領域面積比率）と前面パネル１０を透過する可視光の透過率（以下、「可視光透過率」という。）との関係を示す図である。
このとき微粒子結晶１６ａの微結晶被覆率を３０％に設定した。
図３が示すように、例えば、特許文献１のような従来のＰＤＰでは、放電セル全面に微粒子結晶を配設している場合には、微結晶被覆率３０％とすると、可視光透過率は４１％となる。
本実施の形態１のＰＤＰ１は、透光領域でなく、遮光領域に微粒子結晶１６ａを配設しているため、透光領域における微粒子結晶１６ａの面積は０である。
図３が示すように、例えば、特許文献１のような従来のＰＤＰでは、放電セル全面に微粒子結晶を配設している場合には、微結晶被覆率３０％とすると、可視光透過率は４１％となる。
本実施の形態１のＰＤＰ１は、透光領域でなく、遮光領域に微粒子結晶１６ａを配設しているため、透光領域における微粒子結晶１６ａの面積は０である。
つまり、本実施の形態１のＰＤＰ１では、微粒子結晶１６ａを配設しても、配設していない場合と変わらない可視光透過率、即ち、５７％を確保することができる。
これに対し、特許文献１のような従来のＰＤＰでは、仮に微結晶被覆率を３０％とした場合、放電セル全面に配設されているので、可視光透過率４２％以下となり、本願実施の形態１におけるＰＤＰ１よりも１６％低下する。
これに対し、特許文献１のような従来のＰＤＰでは、仮に微結晶被覆率を３０％とした場合、放電セル全面に配設されているので、可視光透過率４２％以下となり、本願実施の形態１におけるＰＤＰ１よりも１６％低下する。
放電開始時期のばらつきの改善効果については、本実施の形態１のＰＤＰ１の微結晶被覆率を３０％のままとすると、ＰＤＰ１は、放電セル全面に微粒子結晶を配設する従来のＰＤＰよりも改善効果が小さくなるが、微結晶被覆率を３０％よりもさらに増加させることにより、もっと効果を向上させることができる。
何故ならば、放電は確率的事象なので、放電性能の高い、つまり、結晶性の高いＭｇＯがいかに多く存在するかにより、放電開始時期が早まる確率も高まるためである。
何故ならば、放電は確率的事象なので、放電性能の高い、つまり、結晶性の高いＭｇＯがいかに多く存在するかにより、放電開始時期が早まる確率も高まるためである。
従来のＰＤＰでは、放電セル全面に微粒子結晶を配設していたので、微結晶被覆率を高めるほど発光効率が低下するため、微結晶被覆率を高めるには限界があった。
しかしながら、本実施の形態１のＰＤＰではそのような限界がなく、微結晶被覆率を１００％とすることも可能である。
（微粒子結晶１６ａの配設方法）
微粒子結晶１６ａの配設方法は、保護層１６の成膜後、保護層１６における配設領域２１６以外の領域にマスクを配置し、エタノール等の揮発性液体に酸化マグネシウム微粒子結晶を分散した液体を印刷工法により塗布して配設した。
しかしながら、本実施の形態１のＰＤＰではそのような限界がなく、微結晶被覆率を１００％とすることも可能である。
（微粒子結晶１６ａの配設方法）
微粒子結晶１６ａの配設方法は、保護層１６の成膜後、保護層１６における配設領域２１６以外の領域にマスクを配置し、エタノール等の揮発性液体に酸化マグネシウム微粒子結晶を分散した液体を印刷工法により塗布して配設した。
この方法によれば、低コストで酸化マグネシウム微粒子結晶を保護層表面の特定部分に微結晶被覆率を大きくして配設することができる。
以上のように、本実施の形態１のＰＤＰ１は、もともと透光性が０に近い遮光領域に微粒子結晶１６ａを配設しても、微粒子結晶１６ａの乱反射による透光性の低下が問題とならないので、微粒子結晶１６ａの存在による発光効率低下が抑制されるとともに、放電特性においては、微粒子結晶１６ａに含まれる結晶性が高いＭｇＯが電子放出性能を高めるため放電が開始し易くなり、放電遅延が抑制される。
以上のように、本実施の形態１のＰＤＰ１は、もともと透光性が０に近い遮光領域に微粒子結晶１６ａを配設しても、微粒子結晶１６ａの乱反射による透光性の低下が問題とならないので、微粒子結晶１６ａの存在による発光効率低下が抑制されるとともに、放電特性においては、微粒子結晶１６ａに含まれる結晶性が高いＭｇＯが電子放出性能を高めるため放電が開始し易くなり、放電遅延が抑制される。
以下、微粒子結晶１６ａの電子放出性能への影響について詳細に説明する。
アドレス放電時に、酸化マグネシウムに電界が印加されると、バンド内のフェルミレベルが上昇し、保護層のキャリア密度が高まる。
このキャリア密度に相関して、初期電子放出が起こり、初期電子から放電に進展する。
放電開始時期のばらつきを抑制するためには、キャリア密度を高め、安定化させることが必要であるが、保護層として高純度結晶の酸化マグネシウムを用いた場合、電圧印加時のフェルミレベルの上昇が顕著となり、また、キャリアを消滅させるセンターが少ないので、高いキャリア密度を安定して維持することができ、この結果、放電開始時期のばらつきが抑制される。
アドレス放電時に、酸化マグネシウムに電界が印加されると、バンド内のフェルミレベルが上昇し、保護層のキャリア密度が高まる。
このキャリア密度に相関して、初期電子放出が起こり、初期電子から放電に進展する。
放電開始時期のばらつきを抑制するためには、キャリア密度を高め、安定化させることが必要であるが、保護層として高純度結晶の酸化マグネシウムを用いた場合、電圧印加時のフェルミレベルの上昇が顕著となり、また、キャリアを消滅させるセンターが少ないので、高いキャリア密度を安定して維持することができ、この結果、放電開始時期のばらつきが抑制される。
ここで、電子ビーム蒸着等の成膜や塗布による成膜では、結晶性の向上に限界があり、放電開始時期のばらつきを抑制するほどの効果を得にくいのに対して、一方、生成条件を単独で設定できる微粒子結晶１６ａであれば、結晶性を向上し易く、バルクにおける結晶性の高いＭｇＯの含有割合を高めることができる。
以上のように、本実施の形態１のＰＤＰ１では、微粒子結晶１６ａが保護層１６上の遮光領域に属する配設領域２１６に配設されるので、微結晶被覆率と可視光透過率との間の相関が弱いため、可視光透過率に関係なく微結晶被覆率を高められるので、微粒子結晶の配設面積が小さくなっていても、電子放出特性が高められ、その結果、放電遅延を解消することができる。
以上のように、本実施の形態１のＰＤＰ１では、微粒子結晶１６ａが保護層１６上の遮光領域に属する配設領域２１６に配設されるので、微結晶被覆率と可視光透過率との間の相関が弱いため、可視光透過率に関係なく微結晶被覆率を高められるので、微粒子結晶の配設面積が小さくなっていても、電子放出特性が高められ、その結果、放電遅延を解消することができる。
また、発光効率については、可視光透過率がもともと低い領域に微粒子結晶を配設するため、可視光透過率の低下の影響が殆どなく、発光効率の低下が殆どない。
なお、微粒子結晶１６ａが遮光領域からややはみだしている構成であったとしても、微粒子結晶１６ａが遮光領域からはみだしていない構成と比べて可視光透過率が悪化するがその割合は僅かであり、放電開始時期のばらつき低減効果はほぼ同等であるため、微粒子結晶１６ａの配設する領域を遮光領域のみに限定するものではなく、ＰＤＰ１において、微粒子結晶１６ａが遮光領域からややはみだしている構成であってもよい。
（変形例１）
本実施の形態１のＰＤＰ１は、微粒子結晶１６ａが遮光領域からややはみだしているだけではなく、微粒子結晶１６ａが透光領域の大きな領域に配設されていることを否定するものではなく、例えば、配設領域２１６に加えて透光領域にも可視光透過率に影響を与えないほどに微結晶被覆率を小さく設定した微粒子結晶を配設してもよい。
なお、微粒子結晶１６ａが遮光領域からややはみだしている構成であったとしても、微粒子結晶１６ａが遮光領域からはみだしていない構成と比べて可視光透過率が悪化するがその割合は僅かであり、放電開始時期のばらつき低減効果はほぼ同等であるため、微粒子結晶１６ａの配設する領域を遮光領域のみに限定するものではなく、ＰＤＰ１において、微粒子結晶１６ａが遮光領域からややはみだしている構成であってもよい。
（変形例１）
本実施の形態１のＰＤＰ１は、微粒子結晶１６ａが遮光領域からややはみだしているだけではなく、微粒子結晶１６ａが透光領域の大きな領域に配設されていることを否定するものではなく、例えば、配設領域２１６に加えて透光領域にも可視光透過率に影響を与えないほどに微結晶被覆率を小さく設定した微粒子結晶を配設してもよい。
図４（ａ）、（ｂ）は、このようなＰＤＰの平面図及び断面図であり、図２（ａ）、（ｂ）、即ち、ＰＤＰ１と異なる点は、透光領域に微粒子結晶１６ｂが配設されている点である。
この微粒子結晶１６ｂは、微粒子結晶１６ｂの拡大断面図である図４（ｅ）と拡大平面図（ｆ）とが示すように、微粒子結晶１６ａよりも微結晶被覆率が小さい。
この微粒子結晶１６ｂは、微粒子結晶１６ｂの拡大断面図である図４（ｅ）と拡大平面図（ｆ）とが示すように、微粒子結晶１６ａよりも微結晶被覆率が小さい。
より具体的には、微粒子結晶１６ｂの微結晶被覆率は３０％未満（より好ましくは、１０％＋５％，−５％）に設定されており、これに対し、微粒子結晶１６ａの微結晶被覆率は３０％以上（より好ましくは１００％＋０％，−２０％）に設定されている。
このため、透光領域に微粒子結晶１６ｂが配設されていても、可視光透過率の低下が小さく、発光効率の低下が抑制される。
このため、透光領域に微粒子結晶１６ｂが配設されていても、可視光透過率の低下が小さく、発光効率の低下が抑制される。
一方、放電遅延については、微結晶被覆率が大きく設定された微粒子結晶１６ａにおいて電子放出性能が高まり、即ち、初期電子の放出が早く開始され、放電遅延が解消されることとなる。
このような微粒子結晶１６ｂの配設方法としては、保護層１６の成膜後、微粒子結晶１６ａを配設する前に、保護層１６の全面に揮発性液体に酸化マグネシウム微粒子結晶を分散した液体をスプレーにより散布する。
このような微粒子結晶１６ｂの配設方法としては、保護層１６の成膜後、微粒子結晶１６ａを配設する前に、保護層１６の全面に揮発性液体に酸化マグネシウム微粒子結晶を分散した液体をスプレーにより散布する。
このようにスプレー工法は、微結晶被覆率を小さくして酸化マグネシウム微粒子結晶を分散配置することが容易にできる。
また、上記変形例１では、保護層よりも結晶性が高いＭｇＯを含む微粒子結晶が１種存在し、その微結晶被覆率を変更することによって、電子放出性能を変更しているが、電子放出性能を変更する他の方法として、微粒子結晶のバルク中における結晶性が高いＭｇＯの含有率を変更することによってもできる。
また、上記変形例１では、保護層よりも結晶性が高いＭｇＯを含む微粒子結晶が１種存在し、その微結晶被覆率を変更することによって、電子放出性能を変更しているが、電子放出性能を変更する他の方法として、微粒子結晶のバルク中における結晶性が高いＭｇＯの含有率を変更することによってもできる。
したがって、電子放出性能を高めたい領域には、微結晶被覆率を高める代わりに、結晶性が高いＭｇＯの含有率が多い微粒子結晶を配設してもよい。
さらに、電子放出性能を高めたい領域に、微結晶被覆率を高め、かつ、結晶性が高いＭｇＯの含有率が多い微粒子結晶を配設してもよく、この方が電子放出性能の向上幅が大きくなるため、より好ましい。
さらに、電子放出性能を高めたい領域に、微結晶被覆率を高め、かつ、結晶性が高いＭｇＯの含有率が多い微粒子結晶を配設してもよく、この方が電子放出性能の向上幅が大きくなるため、より好ましい。
結晶性が高いＭｇＯの含有率が多い微粒子結晶のバルクは、コストが高いため、上述のように電子放出性能をより高めたい領域には、結晶性が高いＭｇＯの含有率が多い微粒子結晶を配設し、そうでない領域には、結晶性が高いＭｇＯの含有率が通常の微粒子結晶を配設することにより、製造コストの上昇を緩和することができる。
また、微粒子結晶１６ｂは、隔壁２４と当接する領域に配設されているが、微粒子結晶１６ｂの厚みが０．１μｍ以上、３μｍ以下と極めて薄いため、微粒子結晶１６ｂが配設されている場合と、微粒子結晶１６ｂが配設されていない場合では、ＰＤＰの寸法関係に差異は生じない。
また、微粒子結晶１６ｂは、隔壁２４と当接する領域に配設されているが、微粒子結晶１６ｂの厚みが０．１μｍ以上、３μｍ以下と極めて薄いため、微粒子結晶１６ｂが配設されている場合と、微粒子結晶１６ｂが配設されていない場合では、ＰＤＰの寸法関係に差異は生じない。
また、本実施の形態１では、ＰＤＰ１を平面視的に透視したとき、保護層１６表面における微粒子結晶１６ａの配設領域２１６は、隣り合う放電セル内に配設されているバス電極１２２とバス電極１３２とを含んでさらにこれらにより挟まれる領域であって、かつ、隣り合う隔壁２４同士に挟まれる領域としたが、配設領域２１６のさらに一部に配設することを否定するものではなく、例えば、ＰＤＰ１を平面視的に透視したとき、保護層１６表面における微粒子結晶１６ａの配設領域が、バス電極１２２及びバス電極１３２が配設されている領域となっていてもよい。
また、本実施の形態１では、バス電極は、Ａｇを材料として厚膜形成された厚さ７μｍ、幅９５μｍの金属電極としたが、Ａｌを材料として薄膜形成したり、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒで積層薄膜形成したりしてもよい。
また、本実施の形態１では、保護層１６は、ＭｇＯを主成分とするとしたが、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ等の金属酸化物を主成分とし、もしくはＣａＭｇＯ、ＢａＭｇＯ等を主成分としてもよく、さらに、これら金属酸化物を組み合わせた固溶体を主成分としてもよい。
また、本実施の形態１では、保護層１６は、ＭｇＯを主成分とするとしたが、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ等の金属酸化物を主成分とし、もしくはＣａＭｇＯ、ＢａＭｇＯ等を主成分としてもよく、さらに、これら金属酸化物を組み合わせた固溶体を主成分としてもよい。
また、本実施の形態１では、微粒子結晶１６ａは、ＭｇＯを主成分とするとしたが、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ等の金属酸化物を主成分とし、もしくはＣａＭｇＯ、ＢａＭｇＯ等を主成分としてもよく、さらに、これら金属酸化物を組み合わせた固溶体を主成分としてもよい。
また、本実施の形態１では、背面パネル９０には、井桁状に隔壁が配されているが、ストライプ状の隔壁が配される構成であっても、
微粒子結晶１６ａを保護層１６上の遮光領域に配設することにより、本実施の形態１のＰＤＰ１と同様の効果を奏することができる。
（実施の形態２）
図５（ａ）は本実施の形態２のＰＤＰ２の平面図、図５（ｂ）は断面図、図５（ｃ）は部分断面拡大図、及び図５（ｄ）は部分平面拡大図である。
また、本実施の形態１では、背面パネル９０には、井桁状に隔壁が配されているが、ストライプ状の隔壁が配される構成であっても、
微粒子結晶１６ａを保護層１６上の遮光領域に配設することにより、本実施の形態１のＰＤＰ１と同様の効果を奏することができる。
（実施の形態２）
図５（ａ）は本実施の形態２のＰＤＰ２の平面図、図５（ｂ）は断面図、図５（ｃ）は部分断面拡大図、及び図５（ｄ）は部分平面拡大図である。
本実施の形態２のＰＤＰ２は、実施の形態１のＰＤＰ１と比べて、微粒子結晶を配設する部位のみが異なり、その他の構成及び微粒子結晶を保護層表面に配設する方法については、ＰＤＰ１と同一である。
以下、ＰＤＰ１との相違点である微粒子結晶の配設位置について説明する。
図５（ａ），（ｂ）に示すように、本実施の形態２のＰＤＰ２では、ＰＤＰ２を平面視的に透視したとき、保護層１６表面における微粒子結晶の配設領域を、隣り合う放電セル内に配設されている走査電極１３のバス電極１２２及び維持電極１２のバス電極１３２それぞれとアドレス電極とが重なる配設領域３１６ａ及び配設領域３１６ｂとしている。
以下、ＰＤＰ１との相違点である微粒子結晶の配設位置について説明する。
図５（ａ），（ｂ）に示すように、本実施の形態２のＰＤＰ２では、ＰＤＰ２を平面視的に透視したとき、保護層１６表面における微粒子結晶の配設領域を、隣り合う放電セル内に配設されている走査電極１３のバス電極１２２及び維持電極１２のバス電極１３２それぞれとアドレス電極とが重なる配設領域３１６ａ及び配設領域３１６ｂとしている。
ここで配設領域３１６ａに配設される微粒子結晶を微粒子結晶１１６ａ、及び配設領域３１６ｂに配設される微粒子結晶を微粒子結晶１１６ｂということにする。
微粒子結晶１１６ａ及び微粒子結晶１１６ｂは、図５（ｃ），（ｄ）に示すように、実施の形態１のＰＤＰ１の微粒子結晶１６ａよりも、微結晶被覆率が高く設定されている。
このように、微結晶被覆率が高く設定されている理由は、実施の形態１のＰＤＰ１よりも微粒子結晶の配設面積的が小さくなっていることによる電子放出性能の低下を補うためである。
（微粒子結晶の配設領域を決定した根拠）
図６（ａ），（ｂ）は、従来のＰＤＰにおいて、アドレス放電を行う場合の印加電圧をアドレス電極と走査電極のバス電極に加えた場合における、放電空間側にある前面パネル表面の電界強度をシミュレーションにより求めた結果を示す図である。
微粒子結晶１１６ａ及び微粒子結晶１１６ｂは、図５（ｃ），（ｄ）に示すように、実施の形態１のＰＤＰ１の微粒子結晶１６ａよりも、微結晶被覆率が高く設定されている。
このように、微結晶被覆率が高く設定されている理由は、実施の形態１のＰＤＰ１よりも微粒子結晶の配設面積的が小さくなっていることによる電子放出性能の低下を補うためである。
（微粒子結晶の配設領域を決定した根拠）
図６（ａ），（ｂ）は、従来のＰＤＰにおいて、アドレス放電を行う場合の印加電圧をアドレス電極と走査電極のバス電極に加えた場合における、放電空間側にある前面パネル表面の電界強度をシミュレーションにより求めた結果を示す図である。
図６（ａ）は、アドレス電極上の保護層表面の電界強度分布を示す図である。この図６（ａ）より、アドレス電極上の保護層表面においてもっとも電界強度が高い部位は、走査電極のバス電極上であることがわかる。
図６（ｂ）は、バス電極上の保護層表面の電界強度分布を示す図である。この図６（ｂ）より、走査電極のバス電極上の保護層表面においてもっとも電界強度が高い部位は、アドレス電極上であることがわかる。
図６（ｂ）は、バス電極上の保護層表面の電界強度分布を示す図である。この図６（ｂ）より、走査電極のバス電極上の保護層表面においてもっとも電界強度が高い部位は、アドレス電極上であることがわかる。
なお、保護層表面全体に面密度を一様にして微粒子を配設した場合であっても、電界強度分布としては、図６（ａ）、（ｂ）に変わりはない。
これらの結果より、保護層表面においてもっとも電界強度が高い部位は、ＰＤＰ２を平面視的に透視したとき、アドレス電極と走査電極のバス電極とが重なっている領域、つまり、配設領域３１６ａに相当する領域であることがわかる。
これらの結果より、保護層表面においてもっとも電界強度が高い部位は、ＰＤＰ２を平面視的に透視したとき、アドレス電極と走査電極のバス電極とが重なっている領域、つまり、配設領域３１６ａに相当する領域であることがわかる。
放電が生じる部位において、電界強度が高い部位ほど、初期電子が放出し易いことは、従来より知られており、このような領域に微粒子結晶を配設することで、より放電開始時期のばらつきが緩和され、即ち、放電遅延が解消される。
以上のように、保護層表面において最も電界強度が高い領域、即ち、放電遅延の解消に効果がある領域に微粒子結晶を重点的に配設することにより、結果的に１放電セルあたりの微粒子結晶の使用量が減少するため、製造コストが低減される。
以上のように、保護層表面において最も電界強度が高い領域、即ち、放電遅延の解消に効果がある領域に微粒子結晶を重点的に配設することにより、結果的に１放電セルあたりの微粒子結晶の使用量が減少するため、製造コストが低減される。
また、図６に示すように、アドレス電極直上の保護層表面における電界強度は、アドレス電極と走査電極側のバス電極との交差領域、即ち、配設領域３１６ｂ、及びアドレス電極と走査電極側の透明電極の放電セル中央側端部との交差領域（以下、「維持側透明電極端部領域」という。）の２箇所においてピークを有するため、従来のように、保護層表面の全面に面密度を一様にして前記微粒子が配設されている又は保護層表に前記微粒子が全く配設されていないとした場合、配設領域３１６ｂと維持側透明電極端部領域の２箇所に放電が集中し、その結果、配設領域３１６ｂ及び維持側透明電極端部領域における保護層のダメージが大きくなる。
特に、維持側透明電極端部領域は、維持放電における放電ギャップの一部を形成していることから、イオン衝撃によるダメージがより助長されることとなる。
本発明では、配設領域３１６ｂにおける前記微粒子の面密度が、維持側透明電極端部領域における前記微粒子の面密度よりも大きいため、放電が維持側透明電極端部領域よりも配設領域３１６ｂに集中し易く、その分、維持側透明電極端部領域におけるイオン衝撃によるダメージを緩和することができるため、長時間駆動時の放電特性の悪化が軽減される。この効果は、実施の形態１におけるＰＤＰ１、実施の形態１の変形例１のＰＤＰ、実施の形態２におけるＰＤＰ２においても同様に奏される。
本発明では、配設領域３１６ｂにおける前記微粒子の面密度が、維持側透明電極端部領域における前記微粒子の面密度よりも大きいため、放電が維持側透明電極端部領域よりも配設領域３１６ｂに集中し易く、その分、維持側透明電極端部領域におけるイオン衝撃によるダメージを緩和することができるため、長時間駆動時の放電特性の悪化が軽減される。この効果は、実施の形態１におけるＰＤＰ１、実施の形態１の変形例１のＰＤＰ、実施の形態２におけるＰＤＰ２においても同様に奏される。
そして、維持側透明電極端部領域における前記微粒子の面密度と、保護層表面においてバス電極とアドレス電極とが平面視的に交差する領域における前記微粒子の面密度の差が大きいほど上記効果は大きい。
なお、アドレス放電は、走査電極１３とアドレス電極２２間で生じるため、平面視的に走査電極１３と交錯する配設領域３１６ａのみに微粒子結晶が配設されていてもよい。
なお、アドレス放電は、走査電極１３とアドレス電極２２間で生じるため、平面視的に走査電極１３と交錯する配設領域３１６ａのみに微粒子結晶が配設されていてもよい。
本実施の形態２のＰＤＰ２において、平面視的に維持電極１２と交錯する配設領域３１６ｂに微粒子結晶が配設されている理由は、ＰＤＰ製造の際、配設された表示電極対の一方を走査電極にするのか維持電極にするかは、ＰＤＰを作成後に決める場合があるので、製造工程当初から走査電極と維持電極の区別がつかないからである。
したがって、製造工程の当初から走査電極と維持電極の区別をつけておけば、配設領域３１６ａのみに微粒子結晶１１６ａを配設し、配設領域３１６ｂには微粒子結晶１１６ｂを配設しない構成であっても構わない。
したがって、製造工程の当初から走査電極と維持電極の区別をつけておけば、配設領域３１６ａのみに微粒子結晶１１６ａを配設し、配設領域３１６ｂには微粒子結晶１１６ｂを配設しない構成であっても構わない。
また、本実施の形態１のＰＤＰ１と同様の理由により、本実施の形態２のＰＤＰ２において、微粒子結晶１１６ａ及び１１６ｂが、それぞれ配設領域３１６ａ及び３１６ｂからややはみだした構成であっても構わない。
（変形例２）
実施の形態２では、アドレス放電する際の前面パネルの保護層における電界強度が高い領域に微粒子結晶を重点配置する構成であったが、微粒子結晶の配設領域が原則的に遮光領域に属していることに変わりはなかったが、これに加えて透光領域内の電界強度が高い領域にも、微結晶被覆率を小さくて可視光透過率の低下を小さくし、微粒子結晶を配設することも考えられる。
（変形例２）
実施の形態２では、アドレス放電する際の前面パネルの保護層における電界強度が高い領域に微粒子結晶を重点配置する構成であったが、微粒子結晶の配設領域が原則的に遮光領域に属していることに変わりはなかったが、これに加えて透光領域内の電界強度が高い領域にも、微結晶被覆率を小さくて可視光透過率の低下を小さくし、微粒子結晶を配設することも考えられる。
図７は、このような例のＰＤＰ３の構成を示す図である。
ここで、図７（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）及び（ｄ）は部分断面拡大図、及び図７（ｄ）は部分平面拡大図である。
この事例のＰＤＰ３は、実施の形態１のＰＤＰ２と比べて、微粒子結晶を配設する部位のみが異なり、その他の構成については、ＰＤＰ１と同一である。
ここで、図７（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）及び（ｄ）は部分断面拡大図、及び図７（ｄ）は部分平面拡大図である。
この事例のＰＤＰ３は、実施の形態１のＰＤＰ２と比べて、微粒子結晶を配設する部位のみが異なり、その他の構成については、ＰＤＰ１と同一である。
より具体的には、ＰＤＰ３は、ＰＤＰ２の構成に加えて、図７（ａ），（ｂ）に示すように、ＰＤＰ３を平面視的に透視したとき、保護層１６表面において、透明電極１２１とアドレス電極２２とが重なり合っている領域から配設領域３１６ａを除く領域４１７ａに微粒子結晶１１７ａが配設され、さらに、透明電極１３１とアドレス電極２２とが重なり合っている領域から配設領域３１６ｂを除く領域４１７ｂに微粒子結晶１１７ｂが配設されており、また、図７（ｅ），（ｆ）に示すように、微粒子結晶１１７ａは、微粒子結晶１１６ａよりも微結晶被覆率の小さく、また、微粒子結晶１１７ｂは、微粒子結晶１１６ｂよりも微結晶被覆率の小さく設定されている。
より具体的には、微粒子結晶１１７ａの微結晶被覆率は３０％未満（より好ましくは、１０％＋５％，−５％）に設定されており、これに対し、微粒子結晶１１６ａの微結晶被覆率は３０％以上（より好ましくは１００％＋０％，−２０％）に設定されている。
同様に、微粒子結晶１１７ｂの微結晶被覆率は３０％未満（より好ましくは、１０％＋５％，−５％）に設定されており、これに対し、微粒子結晶１１６ｂの微結晶被覆率は３０％（より好ましくは１００％＋０％，−２０％）以上に設定されている。
同様に、微粒子結晶１１７ｂの微結晶被覆率は３０％未満（より好ましくは、１０％＋５％，−５％）に設定されており、これに対し、微粒子結晶１１６ｂの微結晶被覆率は３０％（より好ましくは１００％＋０％，−２０％）以上に設定されている。
これは、図６（ａ）に示すように、アドレス放電開始直前における電界強度分布が、ＰＤＰを平面視的に透視したとき、保護層１６表面において、アドレス電極２２と透明電極１２１及び透明電極１３１とが重なり合う領域の電界強度が高くなっているため、この領域の透光領域に属する領域にも微結晶被覆率の小さくした微粒子結晶を配設した方が、より初期電子を放出し易くなり、放電遅延を解消し易くなるためである。
このように透光領域に属する領域に配設された微粒子結晶は、微結晶被覆率が小さく、さらに、微粒子結晶を配設する領域の短手方向の長さが、アドレス電極の幅しかないために、可視光透過率の低下を小さく抑えることができる。
これにより、発光効率低下の抑制と放電遅延の抑制とを両立実施することができる。
本発明では、配設領域４１６ｂにおける前記微粒子の面密度が、維持側透明電極端部領域における前記微粒子の面密度よりも大きいため、放電が維持側透明電極端部領域よりも配設領域４１６ｂに集中し易く、その分維持側透明電極端部領域におけるイオン衝撃によるダメージを緩和することができるため、長時間駆動時の放電特性の悪化が軽減される。
これにより、発光効率低下の抑制と放電遅延の抑制とを両立実施することができる。
本発明では、配設領域４１６ｂにおける前記微粒子の面密度が、維持側透明電極端部領域における前記微粒子の面密度よりも大きいため、放電が維持側透明電極端部領域よりも配設領域４１６ｂに集中し易く、その分維持側透明電極端部領域におけるイオン衝撃によるダメージを緩和することができるため、長時間駆動時の放電特性の悪化が軽減される。
微粒子結晶１１６ａ及び微粒子結晶１１６ｂの配設方法は、保護層１６の成膜後、保護層１６における配設領域４１６ａ，４１６ｂ以外の領域にマスクを配置し、エタノール等の揮発性液体に酸化マグネシウム微粒子結晶を分散した液体を印刷工法により塗布して配設する。
また、微粒子結晶１１７ａ及び微粒子結晶１１７ｂの配設方法としては、保護層１６の成膜後、保護層１６における配設領域４１７ａ，４１７ｂ以外の領域にマスクを配置し、揮発性液体に酸化マグネシウム微粒子結晶を分散した液体をスプレーにより散布する。
また、微粒子結晶１１７ａ及び微粒子結晶１１７ｂの配設方法としては、保護層１６の成膜後、保護層１６における配設領域４１７ａ，４１７ｂ以外の領域にマスクを配置し、揮発性液体に酸化マグネシウム微粒子結晶を分散した液体をスプレーにより散布する。
また、上記変形例２では、保護層よりも結晶性が高いＭｇＯを含む微粒子結晶が１種存在し、その微結晶被覆率を変更することによって、電子放出性能を変更しているが、電子放出性能を変更する他の方法として、微粒子結晶のバルク中における結晶性が高いＭｇＯの含有率を変更することによってもできる。
したがって、電子放出性能を高めたい領域には、微結晶被覆率を高める代わりに、結晶性が高いＭｇＯの含有率が多い微粒子結晶を配設してもよい。
したがって、電子放出性能を高めたい領域には、微結晶被覆率を高める代わりに、結晶性が高いＭｇＯの含有率が多い微粒子結晶を配設してもよい。
さらに、電子放出性能を高めたい領域に、微結晶被覆率を高め、かつ、結晶性が高いＭｇＯの含有率が多い微粒子結晶を配設してもよく、この方が電子放出性能の向上幅が大きくなるため、より好ましい。
結晶性が高いＭｇＯの含有率が多い微粒子結晶のバルクは、コストが高いため、上述のように電子放出性能をより高めたい領域には、結晶性が高いＭｇＯの含有率が多い微粒子結晶を配設し、そうでない領域には、結晶性が高いＭｇＯの含有率が通常の微粒子結晶を配設することにより、製造コストの上昇を緩和することができる。
結晶性が高いＭｇＯの含有率が多い微粒子結晶のバルクは、コストが高いため、上述のように電子放出性能をより高めたい領域には、結晶性が高いＭｇＯの含有率が多い微粒子結晶を配設し、そうでない領域には、結晶性が高いＭｇＯの含有率が通常の微粒子結晶を配設することにより、製造コストの上昇を緩和することができる。
また、上記変形例２では、ＰＤＰを平面視的に透視したとき、保護層１６表面において、アドレス電極２２上であって、対をなしている透明電極１２１と透明電極１３１との間には微粒子結晶を配設していないが、この透明電極１２１と透明電極１３１の間のＨ部にも、微結晶被覆率の小さくした微粒子結晶を配設してもよい。
上述の微結晶被覆率の小さくするとは、具体的には、微結晶被覆率が３０％未満（より好ましくは、１０％＋５％，−５％）を意味する。
上述の微結晶被覆率の小さくするとは、具体的には、微結晶被覆率が３０％未満（より好ましくは、１０％＋５％，−５％）を意味する。
このようにアドレス電極２２上の保護層１６表面全て微粒子結晶を配設した方が、アドレス電極２２上の保護層１６表面の一部に微粒子結晶を配設する場合よりも、マスクの形状が単純になり、マスクの低コスト化及び微粒子結晶の塗布位置がズレ難いなどの利点があり、製造コストの低減が図られる。
また、上記変形例２では、ＰＤＰを平面視的に透視したとき、保護層１６表面において、アドレス電極２２上以外の領域における透光領域においては微粒子結晶を配設していないが、この領域にも、微結晶被覆率の小さくした微粒子結晶を配設してもよい。
また、上記変形例２では、ＰＤＰを平面視的に透視したとき、保護層１６表面において、アドレス電極２２上以外の領域における透光領域においては微粒子結晶を配設していないが、この領域にも、微結晶被覆率の小さくした微粒子結晶を配設してもよい。
このような場合、微粒子結晶の微結晶被覆率の値を遮光領域＞透明電極上＞保護層全面から遮光領域と透明電極上の領域とを除いた領域とする構成が最も放電開始時期のばらつき低減の効果が高く、透過率低下を抑制する効果もある。
（実施の形態３）
図８は、本実施の形態３におけるＰＤＰ５の分解斜視図である。
（実施の形態３）
図８は、本実施の形態３におけるＰＤＰ５の分解斜視図である。
本実施の形態３のＰＤＰ５は、実施の形態１のＰＤＰ１と比べて、表示電極対の構成及び微粒子結晶を配設する部位のみが異なり、その他の構成及び微粒子結晶を保護層表面に配設する方法については、ＰＤＰ１と同一である。
まず、実施の形態１のＰＤＰ１との相違点であるＰＤＰ５の表示電極対の構成について説明する。
まず、実施の形態１のＰＤＰ１との相違点であるＰＤＰ５の表示電極対の構成について説明する。
ＰＤＰ１では、走査電極１３は、透明電極１３１とバス電極１３２とで構成されており、また、維持電極１２は、透明電極１２１とバス電極１２２とで構成されているのに対し、本実施の形態３のＰＤＰ５では、走査電極５３２は、厚さ７μｍ、幅９５μｍの金属電極、即ちバス電極のみで構成されており、透明電極がなく、また、維持電極５３２も同様に、厚さ７μｍ、幅９５μｍの金属電極、即ちバス電極のみで構成されており、透明電極がない。
より具体的には、図９（ａ）に示すように、ＰＤＰ５を平面視的に透視したとき、走査電極５３２は、アドレス電極２２と略直交する方向に延びる主幹部５３２ａと、主幹部５３２ａにアドレス電極２２が重なった交差部からアドレス電極２２に沿い、放電空間の中心側に延出された延出部５３２ｂとを有し、維持電極５２２は、アドレス電極２２と略直交する方向に延びる主幹部５２２ａと、主幹部５２２ａにアドレス電極２２が重なった交差部からアドレス電極２２に沿い、放電空間の中心側に延出された延出部５２２ｂとを有している。
このようにバス電極のみで、表示電極を構成する理由は、近年ＰＤＰの高精細化が進み、１放電セルのサイズが、標準精細度のＰＤＰよりも小さくなっているため、バス電極間の距離が近づき、僅かなバス電極の延出によりメインギャップを形成できる。
このような構成は、透明電極形成工程が省略できるため、コストが低減できるという利点がある。
このような構成は、透明電極形成工程が省略できるため、コストが低減できるという利点がある。
ちなみに、標準精細度のＰＤＰでは、本構成を用いると延出部の長手方向の長さが長くなり、可視光透過率の低下が顕著となり、採用され難い。
以下、このように透明電極を有しないＰＤＰ５の構成における微粒子結晶の配設位置について詳細に説明する。
図９（ａ），（ｂ）に示すように、本実施の形態３のＰＤＰ５では、保護層１６表面における微粒子結晶５１６ｂ及び微粒子結晶５１６ａの配設領域、即ち、配設領域５１７ｂ及び配設領域５１７ａが、それぞれ延出部５３２ｂ及びこれと接している上記交差部と、延出部５２２ｂ及びこれと接している上記交差部となっている。
以下、このように透明電極を有しないＰＤＰ５の構成における微粒子結晶の配設位置について詳細に説明する。
図９（ａ），（ｂ）に示すように、本実施の形態３のＰＤＰ５では、保護層１６表面における微粒子結晶５１６ｂ及び微粒子結晶５１６ａの配設領域、即ち、配設領域５１７ｂ及び配設領域５１７ａが、それぞれ延出部５３２ｂ及びこれと接している上記交差部と、延出部５２２ｂ及びこれと接している上記交差部となっている。
微粒子結晶５１６ｂ及び微粒子結晶５１６ａの微結晶被覆率は、図９（ｃ），（ｄ）に示すように、配設領域５１７ｂ及び配設領域５１７ａが遮光領域に属するため、大きく設定されている。
より具体的には、微粒子結晶５１６ｂ及び微粒子結晶５１６ａの微結晶被覆率は、３０％以上（より好ましくは１００％＋０％，−２０％）となっている。
より具体的には、微粒子結晶５１６ｂ及び微粒子結晶５１６ａの微結晶被覆率は、３０％以上（より好ましくは１００％＋０％，−２０％）となっている。
走査電極５３２及び維持電極５３２の形成方法は、ＰＤＰ１のバス電極１２２及びバス電極１３２と変わりはなく、即ち、従来の工法で作成可能である。
なお、微粒子結晶５１６ｂ及び微粒子結晶５１６ａが、それぞれ遮光領域に属する配設領域５１７ｂ及び配設領域５１７ａからややはみだしている構成であったとしても、配設領域５１７ｂ及び配設領域５１７ａからはみだしていない構成と比べて可視光透過率が悪化するがその割合は僅かであり、放電開始時期のばらつき低減効果はほぼ同等であるため、微粒子結晶５１６ｂ及び微粒子結晶５１６ａの配設する領域をそれぞれ配設領域５１７ｂ及び配設領域５１７ａのみに限定するものではなく、ＰＤＰ５において、微粒子結晶５１６ｂ及び微粒子結晶５１６ａが配設領域５１７ｂ及び配設領域５１７ａからややはみだしている構成であってもよい。
なお、微粒子結晶５１６ｂ及び微粒子結晶５１６ａが、それぞれ遮光領域に属する配設領域５１７ｂ及び配設領域５１７ａからややはみだしている構成であったとしても、配設領域５１７ｂ及び配設領域５１７ａからはみだしていない構成と比べて可視光透過率が悪化するがその割合は僅かであり、放電開始時期のばらつき低減効果はほぼ同等であるため、微粒子結晶５１６ｂ及び微粒子結晶５１６ａの配設する領域をそれぞれ配設領域５１７ｂ及び配設領域５１７ａのみに限定するものではなく、ＰＤＰ５において、微粒子結晶５１６ｂ及び微粒子結晶５１６ａが配設領域５１７ｂ及び配設領域５１７ａからややはみだしている構成であってもよい。
また、本実施の形態３では、保護層１６の表面において、交差部を除く主幹部５２２ａ及び主幹部５３２ａのように遮光領域であっても微粒子結晶が配設されていない領域が存在しているが、主幹部５２２ａ及び主幹部５３２ａにも微結晶被覆率を大きく設定した微粒子結晶を配設してもよい。
ここで、微結晶被覆率を大きく設定した微粒子結晶とは、微結晶被覆率が微結晶被覆率は３０％以上（より好ましくは１００％＋０％，−２０％）を意味する。
ここで、微結晶被覆率を大きく設定した微粒子結晶とは、微結晶被覆率が微結晶被覆率は３０％以上（より好ましくは１００％＋０％，−２０％）を意味する。
また、本実施の形態３のＰＤＰ５は、微粒子結晶５１６ｂ及び微粒子結晶５１６ａが配設領域５１７ｂ及び配設領域５１７ａからややはみだしているだけではなく、微粒子結晶５１６ｂ及び微粒子結晶５１６ａが透光領域の大きな領域に配設されていることを否定するものではなく、例えば、１放電セルのおける配設領域５１７ｂ及び配設領域５１７ａを除く全ての領域に可視光透過率に影響を与えないほどに微結晶被覆率を小さく設定した微粒子結晶を配設してもよい。
ここで、微結晶被覆率を小さく設定した微粒子結晶とは、微結晶被覆率が３０％未満（より好ましくは、１０％＋５％，−５％）を意味する。
本願発明は、テレビジョン受像機及びコンピュータ用モニタなどに用いられる表示デバイスに適用可能である。
１，２，３，５ ＰＤＰ
１０ 前面パネル
１１ ガラス基板
１２ 維持電極
１３ 走査電極
１４ 表示電極対
１５ 誘電体層
１６ 保護層
１６ａ，１６ｂ 微粒子結晶
１７ａ ブラックストライプ
２０ 背面パネル
２１ ガラス基板
２２ アドレス電極
２３ 誘電体層
２４，２５ 隔壁
２６ 蛍光体層
３０ 微結晶被覆率
４２ 可視光透過率
７０ 保護層
１１６ａ，１１６ｂ 微粒子結晶
１１７ａ，１１７ｂ 微粒子結晶
１２１ 透明電極
１２２，１３２ バス電極
１３１ 透明電極
１３２ バス電極
２１６，３１６ａ 配設領域
３１６ａ，３１６ｂ 配設領域
４１６ａ，４１６ｂ 配設領域
４１７ａ，４１７ｂ 配設領域
５１６ａ，５１６ｂ 微粒子結晶
５１７ａ，５１７ｂ 配設領域
５２２ 維持電極
５２２ａ 主幹部
５２２ｂ 延出部
５３２ 維持電極
５３２ 走査電極
５３２ａ 主幹部
５３２ｂ 延出部
１０ 前面パネル
１１ ガラス基板
１２ 維持電極
１３ 走査電極
１４ 表示電極対
１５ 誘電体層
１６ 保護層
１６ａ，１６ｂ 微粒子結晶
１７ａ ブラックストライプ
２０ 背面パネル
２１ ガラス基板
２２ アドレス電極
２３ 誘電体層
２４，２５ 隔壁
２６ 蛍光体層
３０ 微結晶被覆率
４２ 可視光透過率
７０ 保護層
１１６ａ，１１６ｂ 微粒子結晶
１１７ａ，１１７ｂ 微粒子結晶
１２１ 透明電極
１２２，１３２ バス電極
１３１ 透明電極
１３２ バス電極
２１６，３１６ａ 配設領域
３１６ａ，３１６ｂ 配設領域
４１６ａ，４１６ｂ 配設領域
４１７ａ，４１７ｂ 配設領域
５１６ａ，５１６ｂ 微粒子結晶
５１７ａ，５１７ｂ 配設領域
５２２ 維持電極
５２２ａ 主幹部
５２２ｂ 延出部
５３２ 維持電極
５３２ 走査電極
５３２ａ 主幹部
５３２ｂ 延出部
Claims (13)
- 前面板と背面板とが放電空間を挟んで対向配置され、前記前面板は、前面基板の前記放電空間に面する側に、第１電極及び第２電極からなる電極対と誘電体層と保護層とが順次積層され、前記背面板には、前記電極対と放電空間を隔てて交差する第３電極が配され、前記交差する箇所に放電セルが形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護層表面には、金属酸化物の結晶を含む微粒子が配設され、
前記前面板は、厚み方向の透光性を有する透光領域と、前記透光領域よりも透光性が低い遮光領域を有し、
前記遮光領域に対応する前記保護層表面には、前記透光領域に対応する前記保護層表面よりも面密度が大きくなるように、前記微粒子が配設されているプラズマディスプレイパネル。 - 前記第１電極及び前記第２電極は、バス電極を有し、
前記前面板の前記バス電極が配されている第１領域は、前記遮光領域に属し、
前記第１領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第１領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きい請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記第１電極及び前記第２電極は、バス電極を有し、
前記前面板の前記バス電極が配されている第１領域は、前記遮光領域に属し、
前記第１領域が前記前面板の厚み方向において前記第３電極と重なっている領域を第２領域とするとき、
前記第２領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第２領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きい請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記第１電極及び前記第２電極は、それぞれ走査電極及び維持電極であり、
前記走査電極及び前記維持電極は、それぞれバス電極を有し、
前記走査電極の前記バス電極が配されている第３領域は、前記遮光領域に属しており、
前記第３領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第３領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きい請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記第１電極及び前記第２電極は、それぞれ走査電極及び維持電極であり、
前記走査電極及び前記維持電極は、それぞれバス電極を有し、
前記走査電極の前記バス電極が配されている第３領域は、前記遮光領域に属しており、
前記第３領域が前記前面板の厚み方向において前記第３電極と重なっている領域を第４領域とするとき、
前記第４領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第４領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きい請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記前面板を厚み方向から見たとき、
前記バス電極は、前記第３電極と略直交する方向に延びる主幹部と、前記主幹部が前記前面板の厚み方向において前記第３電極と重なっている交差部から前記第３電極に沿い、前記放電空間の中心側に延出された延出部とを有している請求項２から５のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記遮光領域のうちの前記交差部に対応する領域を第５領域とするとき、
前記第５領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度が前記第５領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度よりも大きい請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記遮光領域のうちの前記延出部に対応する領域を第６領域とするとき、
前記第５領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度、前記第６領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度、前記第５領域及び前記第６領域以外の領域に対応する前記保護層表面における前記微粒子の面密度の順に小さくなっている請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記微粒子には、前記金属酸化物の結晶の結晶性が高い第１微粒子と、前記第１微粒子よりも前記金属酸化物の結晶の結晶性が低い第２微粒子とがあり、前記微粒子の面密度を高くして前記微粒子を配設している領域には第１微粒子が配され、前記微粒子の面密度を低くして前記微粒子を配設している領域には第２微粒子が配されている請求項１から５のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記微粒子の面密度を高くして前記微粒子を配設している領域は、前記微粒子が前記保護層表面を覆っている面積の割合が３０％以上である請求項１から８のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記微粒子に含まれる金属酸化物の結晶の結晶性は、前記保護層の結晶性より高い請求項１から８のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記微粒子に含まれる金属酸化物の金属元素は、第II族に属する請求項１から８のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記微粒子に含まれる金属酸化物は、ＭｇＯであることを特徴とする請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネル。
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