JP2007310027A - Photosensitive composition, photosensitive film, photosensitive laminate, permanent pattern forming method, and printed circuit board - Google Patents

Photosensitive composition, photosensitive film, photosensitive laminate, permanent pattern forming method, and printed circuit board Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive composition for efficiently forming a highly permanent pattern by including a dendritic branch compound having a polymerization group as a polymerization compound, having excellent sensitivity, excellent resolution, and excellent hardening characteristics as a permanent protective film, and having small exudation (end face fusion) of the photosensitive composition from a filmed roll, and to provide a photosensitive film, a photosensitive laminate, a permanent forming method using the photosensitive laminate, and a printed circuit board forming a permanent pattern by the permanent forming method. <P>SOLUTION: The photosensitive composition includes an oxime derivative by a photo-initiator by including a binder, the polymerization compound, and the photo-initiator, and including the dendritic branch compound having the polymerization compound. The photosensitive film, and the photosensitive laminate are provided. In addition, the permanent pattern forming method using the photosensitive laminate and the printed circuit board forming the permanent pattern by the permanent pattern forming method are provided. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、感度、解像度、及び保存安定性に優れ、高精細なパターン(保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンなど)を効率よく形成可能な感光性組成物、感光性フィルム、感光性積層体、前記感光性積層体を用いた永久パターン形成方法、及び該永久パターン形成方法により永久パターンが形成されるプリント基板に関する。   The present invention is excellent in sensitivity, resolution, and storage stability, and is capable of efficiently forming a high-definition pattern (such as a protective film, an interlayer insulating film, and a solder resist pattern), a photosensitive composition, a photosensitive film, and photosensitivity. The present invention relates to a laminate, a permanent pattern forming method using the photosensitive laminate, and a printed board on which a permanent pattern is formed by the permanent pattern forming method.

従来より、ソルダーレジストパターンなどの永久パターンを形成するに際して、支持体上に感光性組成物を塗布、乾燥することにより感光層を形成させた感光性フィルムが用いられている。
前記永久パターンの製造方法としては、例えば、前記永久パターンが形成される銅張積層板等の基体上に、前記感光性フィルムを積層させて積層体を形成し、該積層体における前記感光層に対して露光を行い、該露光後、前記感光層を現像してパターンを形成させ、その後硬化処理等を行うことにより前記永久パターンが形成される。
Conventionally, when a permanent pattern such as a solder resist pattern is formed, a photosensitive film in which a photosensitive layer is formed by applying and drying a photosensitive composition on a support has been used.
As the method for producing the permanent pattern, for example, a laminate is formed by laminating the photosensitive film on a substrate such as a copper-clad laminate on which the permanent pattern is formed, and the photosensitive layer in the laminate is formed on the photosensitive layer. The permanent pattern is formed by exposing to light, developing the photosensitive layer after the exposure to form a pattern, and then performing a curing process or the like.

前記感光性組成物においては、現像性及び熱硬化後の可とう性の向上を目的として、デンドリマー化合物を含むバインダーを用いたソルダーレジストが提案されている(特許文献1参照)。
しかし、前記提案では、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(DPHA)を重合性化合物として使用しているため、光重合後の硬化収縮が大きく、熱硬化後の可とう性効果も小さい問題があった。
また、高感度化と硬化被膜の膜性との両立を図ることを目的として、アルカリ可溶性のバインダーと、重合性化合物としてのデンドリマー化合物とを含む重合性組成物が提案されている(特許文献2参照)。
しかし、前記提案では、重合性化合物として樹状分岐化合物の1種であるデンドリマー化合物を含み、基本的な膜物性を別途バインダーで付与しているので、高感度化と硬化被膜特性との両立を図っているものの、永久保護膜として使用される分野ではその硬化物特性が充分でない。
In the photosensitive composition, a solder resist using a binder containing a dendrimer compound has been proposed for the purpose of improving developability and flexibility after heat curing (see Patent Document 1).
However, in the above proposal, since dipentaerythritol hexaacrylate (DPHA) is used as a polymerizable compound, there is a problem that curing shrinkage after photopolymerization is large and flexibility effect after thermosetting is small.
Moreover, a polymerizable composition containing an alkali-soluble binder and a dendrimer compound as a polymerizable compound has been proposed for the purpose of achieving both high sensitivity and film properties of a cured film (Patent Document 2). reference).
However, in the above proposal, the dendrimer compound, which is one of the dendritic compounds, is included as the polymerizable compound, and basic film properties are separately provided with a binder, so that both high sensitivity and cured film characteristics can be achieved. Although it is intended, the cured product characteristics are not sufficient in the field where it is used as a permanent protective film.

したがって、重合性化合物として樹状分岐化合物を含むことにより、感度、解像度、及び永久保護膜としての硬化物特性に優れ、かつフィルム化したロールからの感光性組成物のしみだし(端面融着)が少なく、高精細な永久パターン(保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンなど)を効率よく形成可能な感光性組成物、感光性フィルム、前記感光性フィルムを用いたパターン形成方法、及び該永久パターン形成方法により永久パターンが形成されるプリント基板は未だ提供されておらず、更なる改良開発が望まれているのが現状である。   Therefore, by containing the dendritic compound as the polymerizable compound, the sensitivity, resolution, and cured product properties as a permanent protective film are excellent, and the photosensitive composition oozes out from the roll formed into a film (end face fusion). , A photosensitive composition that can efficiently form a high-definition permanent pattern (such as a protective film, an interlayer insulating film, and a solder resist pattern), a photosensitive film, a pattern forming method using the photosensitive film, and the A printed circuit board on which a permanent pattern is formed by a permanent pattern forming method has not yet been provided, and the present situation is that further improvement and development are desired.

特開2004−300303号公報JP 2004-300303 A 特開2005−134893号公報JP 2005-134893 A

本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、重合性化合物として重合性基を有する樹状分岐化合物を含むことにより、感度、解像度、及び永久保護膜としての硬化物特性に優れ、かつフィルム化したロールからの感光性組成物のしみだし(端面融着)が少なく、高精細な永久パターン(保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンなど)を効率よく形成可能な感光性組成物、感光性フィルム、感光性積層体、前記感光性積層体を用いたパターン形成方法、及び該永久パターン形成方法により永久パターンが形成されるプリント基板を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of this present condition, and makes it a subject to solve the said various problems in the past and to achieve the following objectives. That is, the present invention includes a dendritic compound having a polymerizable group as a polymerizable compound, and thus has excellent sensitivity, resolution, and cured product characteristics as a permanent protective film, and a photosensitive composition from a filmed roll. Photosensitive composition, photosensitive film, and photosensitive laminate capable of efficiently forming high-definition permanent patterns (protective films, interlayer insulating films, solder resist patterns, etc.) with little oozing (edge fusion) Another object is to provide a pattern forming method using the photosensitive laminate, and a printed board on which a permanent pattern is formed by the permanent pattern forming method.

前記課題を解決するため、本発明者らが鋭意検討を行った結果、バインダー、重合性化合物、及び光重合開始剤を含み、前記重合性化合物が重合性基を有する樹状分岐化合物を含み、かつ前記光重合開始剤がオキシム誘導体を含む感光性組成物が、感度、解像度、及び永久保護膜としての硬化物特性に優れ、かつフィルム化したロールからの感光性組成物のしみだし(端面融着)が少なく、高精細な永久パターンを効率よく形成可能であることを知見した。   In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors have conducted intensive studies, including a binder, a polymerizable compound, and a photopolymerization initiator, wherein the polymerizable compound includes a dendritic compound having a polymerizable group, In addition, the photosensitive composition in which the photopolymerization initiator contains an oxime derivative is excellent in sensitivity, resolution, and cured product characteristics as a permanent protective film, and the photosensitive composition oozes out from the roll formed into a film (end face melting). It has been found that high-definition permanent patterns can be efficiently formed.

本発明は、本発明者らの前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
<1> バインダー、重合性化合物、及び光重合開始剤を含み、
前記重合性化合物が重合性基を有する樹状分岐化合物を含み、かつ前記光重合開始剤がオキシム誘導体を含むことを特徴とする感光性組成物である。
<2> 重合性基を有する樹状分岐化合物が、少なくとも2つの重合性基を有する、デンドリマー化合物及びハイパーブランチ化合物のいずれかである前記<1>に記載の感光性組成物である。
<3> 重合性基を有する樹状分岐化合物が、一分子中に2種の官能基を有する化合物の重縮合反応及び重付加反応のいずれかにより形成された、デンドリマー化合物及びハイパーブランチ化合物のいずれかである前記<1>から<2>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<4> 重合性基を有する樹状分岐化合物が、エステル結合を有する前記<1>から<3>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<5> オキシム誘導体が、下記一般式(I)及び下記一般式(II)のいずれかで表される部分構造を有する前記<1>から<4>のいずれかに記載の感光性組成物である。
ただし、前記一般式(I)及び(II)中、Arは、芳香族基、及び複素環基のいずれかを表し、Yは、水素原子、及び一価の置換基のいずれかを表し、Yは、脂肪族基、芳香族基、複素環基、COY、CO、及びCONYのいずれかを表し、Y、Y、及びYは、脂肪族基、芳香族基、及び複素環基のいずれかを表し、mは1以上の整数を表す。
<6> 一般式(I)及び(II)におけるArが、フェニル基及びナフチル基のいずれかを有する前記<5>に記載の感光性組成物である。
<7> 一般式(I)及び(II)におけるArが、ナフチル基である前記<6>に記載の感光性組成物である。
The present invention is based on the above findings of the present inventors, and means for solving the above problems are as follows. That is,
<1> including a binder, a polymerizable compound, and a photopolymerization initiator,
The photosensitive composition is characterized in that the polymerizable compound contains a dendritic compound having a polymerizable group, and the photopolymerization initiator contains an oxime derivative.
<2> The photosensitive composition according to <1>, wherein the dendritic compound having a polymerizable group is any of a dendrimer compound and a hyperbranched compound having at least two polymerizable groups.
<3> Either a dendrimer compound or a hyperbranched compound in which a dendritic compound having a polymerizable group is formed by either a polycondensation reaction or a polyaddition reaction of a compound having two kinds of functional groups in one molecule. The photosensitive composition according to any one of <1> to <2>.
<4> The photosensitive composition according to any one of <1> to <3>, wherein the dendritic compound having a polymerizable group has an ester bond.
<5> The photosensitive composition according to any one of <1> to <4>, wherein the oxime derivative has a partial structure represented by any one of the following general formula (I) and the following general formula (II): is there.
In the general formula (I) and (II), Ar represents an aromatic group, or a heterocyclic group, Y 1 represents any substituent of a hydrogen atom and monovalent, Y 2 represents an aliphatic group, an aromatic group, a heterocyclic group, COY 3 , CO 2 Y 3 , or CONY 4 Y 5 , and Y 3 , Y 4 , and Y 5 are an aliphatic group, It represents either an aromatic group or a heterocyclic group, and m represents an integer of 1 or more.
<6> The photosensitive composition according to <5>, wherein Ar in the general formulas (I) and (II) has either a phenyl group or a naphthyl group.
<7> The photosensitive composition according to <6>, wherein Ar in the general formulas (I) and (II) is a naphthyl group.

<8> 熱架橋剤を含む前記<1>から<7>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<9> 熱架橋剤が、エポキシ化合物、オキセタン化合物、ポリイソシアネート化合物、ポリイソシアネート化合物にブロック剤を反応させて得られる化合物、及びメラミン誘導体から選択される少なくとも1種である前記<8>に記載の感光性組成物である。
<10> 熱架橋剤がアルカリ不溶性である前記<8>から<9>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<11> バインダーがアルカリ可溶性である前記<1>から<10>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<12> バインダーが、酸性基とエチレン性不飽和結合とを側鎖に有する高分子化合物を含む前記<1>から<11>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<13> バインダーが、高分子化合物の酸性基の一部に環状エーテル基を含有する重合性化合物を触媒共存下で付加させたもの、及び高分子化合物の環状エーテル基の一部又は全部にカルボキシル基を含有する重合性化合物を触媒共存下で付加させたもののいずれかから選択された高分子化合物であり、前記触媒が酸性化合物及び中性化合物のいずれかから選択される前記<12>に記載の感光性組成物である。
<14> バインダーが、酸性基と、ヘテロ環を含んでもよい芳香族基と、エチレン性不飽和結合とを側鎖に有する高分子化合物を含む<1>から<13>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<15> 高分子化合物が、エチレン性不飽和結合を0.5〜3.0meq/g含有する前記<12>から<14>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<16> 高分子化合物が、側鎖にカルボキシル基を有し、前記カルボキシル基の高分子化合物における含有量が、1.0〜4.0meq/gである前記<12>から<15>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<17> 高分子化合物の質量平均分子量が、10,000以上100,000未満である<12>から<16>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<18> 高分子化合物が、下記一般式(A−1)で表される構造単位を20mol%以上含有する<12>から<17>のいずれかに記載の感光性組成物である。
ただし、前記一般式(A−1)中、R、R、及びRは水素原子又は1価の有機基を表す。Lは有機基を表し、なくてもよい。Arはヘテロ環を含んでもよい芳香族基を表す。
<19> バインダーが、エポキシアクリレート化合物を含む前記<1>から<11>のいずれかに記載の観光性組成物である。
<8> The photosensitive composition according to any one of <1> to <7>, including a thermal crosslinking agent.
<9> The thermal crosslinking agent according to <8>, wherein the thermal crosslinking agent is at least one selected from an epoxy compound, an oxetane compound, a polyisocyanate compound, a compound obtained by reacting a polyisocyanate compound with a blocking agent, and a melamine derivative. Of the photosensitive composition.
<10> The photosensitive composition according to any one of <8> to <9>, wherein the thermal crosslinking agent is alkali-insoluble.
<11> The photosensitive composition according to any one of <1> to <10>, wherein the binder is alkali-soluble.
<12> The photosensitive composition according to any one of <1> to <11>, wherein the binder includes a polymer compound having an acidic group and an ethylenically unsaturated bond in a side chain.
<13> A binder in which a polymerizable compound containing a cyclic ether group is added to part of an acidic group of a polymer compound in the presence of a catalyst, and a part or all of the cyclic ether group of the polymer compound is carboxylated The polymer compound selected from any of those obtained by adding a polymerizable compound containing a group in the presence of a catalyst, wherein the catalyst is selected from either an acidic compound or a neutral compound Of the photosensitive composition.
<14> The binder according to any one of <1> to <13>, wherein the binder includes a polymer compound having an acidic group, an aromatic group that may include a heterocyclic ring, and an ethylenically unsaturated bond in a side chain. It is a photosensitive composition.
<15> The photosensitive composition according to any one of <12> to <14>, wherein the polymer compound contains 0.5 to 3.0 meq / g of an ethylenically unsaturated bond.
<16> Any one of <12> to <15>, wherein the polymer compound has a carboxyl group in a side chain, and the content of the carboxyl group in the polymer compound is 1.0 to 4.0 meq / g. It is a photosensitive composition as described above.
<17> The photosensitive composition according to any one of <12> to <16>, wherein the polymer compound has a mass average molecular weight of 10,000 or more and less than 100,000.
<18> The photosensitive composition according to any one of <12> to <17>, wherein the polymer compound contains 20 mol% or more of a structural unit represented by the following general formula (A-1).
However, in said general formula (A-1), R < 1 >, R < 2 > and R < 3 > represent a hydrogen atom or monovalent organic group. L represents an organic group and may not be present. Ar represents an aromatic group that may contain a heterocycle.
<19> The tourism composition according to any one of <1> to <11>, wherein the binder includes an epoxy acrylate compound.

<20> 感光性組成物が、増感剤を含む<1>から<19>のいずれかに記載の感光性組成物である。
<21> 増感剤が、ヘテロ縮環系化合物を含む前記<20>に記載の感光性組成物である。
<22> ヘテロ縮環系化合物が、チオキサントン化合物である前記<21>に記載の感光性組成物である。
<20> The photosensitive composition according to any one of <1> to <19>, wherein the photosensitive composition contains a sensitizer.
<21> The photosensitive composition according to <20>, wherein the sensitizer includes a hetero-fused ring compound.
<22> The photosensitive composition according to <21>, wherein the hetero-fused ring compound is a thioxanthone compound.

<23> 支持体と、該支持体上に前記<1>から<22>のいずれかに記載の感光性組成物からなる感光層とを有してなることを特徴とする感光性フィルムである。
<24> 支持体が、合成樹脂を含み、かつ透明である前記<23>に記載の感光性フィルムである。
<25> 支持体が、長尺状である前記<23>から<24>のいずれかに記載の感光性フィルムである。
<26> 長尺状であり、ロール状に巻かれてなる前記<23>から<25>のいずれかに記載の感光性フィルムである。
<27> 感光性フィルムにおける感光層上に保護フィルムを有する前記<23>から<26>のいずれかに記載の感光性フィルムである。
<23> A photosensitive film comprising a support and a photosensitive layer comprising the photosensitive composition according to any one of <1> to <22> on the support. .
<24> The photosensitive film according to <23>, wherein the support includes a synthetic resin and is transparent.
<25> The photosensitive film according to any one of <23> to <24>, wherein the support has a long shape.
<26> The photosensitive film according to any one of <23> to <25>, which is long and wound in a roll shape.
<27> The photosensitive film according to any one of <23> to <26>, wherein the photosensitive film has a protective film on the photosensitive layer.

<28> 基体上に、前記<1>から<22>のいずれかに記載の感光性組成物からなる感光層を有することを特徴とする感光性積層体である。
<29> 感光層が、前記<23>から<27>のいずれかに記載の感光性フィルムにより形成された前記<28>に記載の感光性積層体である。
<30> 感光層の厚みが1〜100μmである前記<28>から<29>のいずれかに記載の感光性積層体である。
<28> A photosensitive laminate comprising a photosensitive layer comprising the photosensitive composition according to any one of <1> to <22> on a substrate.
<29> The photosensitive laminate according to <28>, wherein the photosensitive layer is formed of the photosensitive film according to any one of <23> to <27>.
<30> The photosensitive laminate according to any one of <28> to <29>, wherein the photosensitive layer has a thickness of 1 to 100 μm.

<31> 前記<28>から<30>のいずれかに記載の感光性積層体における感光層を備えており、
光を照射可能な光照射手段と、該光照射手段からの光を変調し、前記感光層に対して露光を行う光変調手段とを少なくとも有することを特徴とするパターン形成装置である。前記<31>に記載のパターン形成装置においては、前記光照射手段が、前記光変調手段に向けて光を照射する。前記光変調手段が、前記光照射手段から受けた光を変調する。前記光変調手段により変調した光が前記感光層に対して露光させる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、高精細なパターンが形成される。
<32> 光変調手段が、形成するパターン情報に基づいて制御信号を生成するパターン信号生成手段を更に有してなり、光照射手段から照射される光を該パターン信号生成手段が生成した制御信号に応じて変調させる前記<31>に記載のパターン形成装置である。前記<32>に記載のパターン形成装置においては、前記光変調手段が前記パターン信号生成手段を有することにより、前記光照射手段から照射される光が該パターン信号生成手段により生成した制御信号に応じて変調される。
<33> 光変調手段が、n個の描素部を有してなり、該n個の描素部の中から連続的に配置された任意のn個未満の前記描素部を、形成するパターン情報に応じて制御可能である前記<31>から<32>のいずれかに記載のパターン形成装置である。前記<33>に記載のパターン形成装置においては、前記光変調手段におけるn個の描素部の中から連続的に配置された任意のn個未満の描素部をパターン情報に応じて制御することにより、前記光照射手段からの光が高速で変調される。
<34> 光変調手段が、空間光変調素子である前記<31>から<33>のいずれかに記載のパターン形成装置である。
<35> 空間光変調素子が、デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)である前記<34>に記載のパターン形成装置である。
<36> 描素部が、マイクロミラーである前記<33>から<35>のいずれかに記載のパターン形成装置である。
<37> 光照射手段が、2以上の光を合成して照射可能である前記<31>から<36>のいずれかに記載のパターン形成装置である。前記<37>に記載のパターン形成装置においては、前記光照射手段が2以上の光を合成して照射可能であることにより、露光が焦点深度の深い露光光によって行われる。この結果、前記感光層への露光が極めて高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、極めて高精細なパターンが形成される。
<38> 光照射手段が、複数のレーザと、マルチモード光ファイバと、該複数のレーザからそれぞれ照射されたレーザ光を集光して前記マルチモード光ファイバに結合させる集合光学系とを有する前記<31>から<37>のいずれかに記載のパターン形成装置である。前記<38>に記載のパターン形成装置においては、前記光照射手段が、前記複数のレーザからそれぞれ照射されたレーザ光が前記集合光学系により集光され、前記マルチモード光ファイバに結合可能であることにより、露光が焦点深度の深い露光光で行われる。この結果、前記感光層への露光が極めて高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、極めて高精細なパターンが形成される。
<31> A photosensitive layer in the photosensitive laminate according to any one of <28> to <30>,
A pattern forming apparatus comprising: a light irradiating unit capable of irradiating light; and a light modulating unit configured to modulate light from the light irradiating unit and to expose the photosensitive layer. In the pattern forming apparatus according to <31>, the light irradiation unit irradiates light toward the light modulation unit. The light modulation unit modulates light received from the light irradiation unit. The light modulated by the light modulator is exposed to the photosensitive layer. For example, when the photosensitive layer is subsequently developed, a high-definition pattern is formed.
<32> The light modulation unit further includes a pattern signal generation unit that generates a control signal based on pattern information to be formed, and the control signal generated by the pattern signal generation unit generates light emitted from the light irradiation unit. It is a pattern formation apparatus as described in said <31> modulated according to. In the pattern forming apparatus according to <32>, since the light modulation unit includes the pattern signal generation unit, light emitted from the light irradiation unit corresponds to a control signal generated by the pattern signal generation unit. Modulated.
<33> The light modulation means has n pixel parts, and forms any less than n pixel parts continuously arranged from the n pixel parts. The pattern forming apparatus according to any one of <31> to <32>, which is controllable according to pattern information. In the pattern forming apparatus according to <33>, any less than n pixel parts arranged continuously among n pixel parts in the light modulation unit are controlled according to pattern information. Thereby, the light from the light irradiation means is modulated at high speed.
<34> The pattern forming apparatus according to any one of <31> to <33>, wherein the light modulation unit is a spatial light modulation element.
<35> The pattern forming apparatus according to <34>, wherein the spatial light modulation element is a digital micromirror device (DMD).
<36> The pattern forming apparatus according to any one of <33> to <35>, wherein the picture element portion is a micromirror.
<37> The pattern forming apparatus according to any one of <31> to <36>, wherein the light irradiation unit can synthesize and irradiate two or more lights. In the pattern forming apparatus according to <37>, the light irradiation unit can synthesize and irradiate two or more lights, whereby exposure is performed with exposure light having a deep focal depth. As a result, the exposure of the photosensitive layer is performed with extremely high definition. For example, when the photosensitive layer is subsequently developed, an extremely fine pattern is formed.
<38> The light irradiation means includes a plurality of lasers, a multimode optical fiber, and a collective optical system that condenses the laser beams irradiated from the plurality of lasers and couples the laser beams to the multimode optical fiber. <31> to the pattern forming apparatus according to any one of <37>. In the pattern forming apparatus according to <38>, the light irradiation unit can condense the laser beams irradiated from the plurality of lasers by the collective optical system and couple the laser beams to the multimode optical fiber. Thus, exposure is performed with exposure light having a deep focal depth. As a result, the exposure of the photosensitive layer is performed with extremely high definition. For example, when the photosensitive layer is subsequently developed, an extremely fine pattern is formed.

<39> 前記<28>から<30>のいずれかに記載の感光性積層体における感光層に対して露光を行うことを含むことを特徴とする永久パターン形成方法である。
<40> 露光が、350〜415nmの波長のレーザ光を用いて行われる前記<39>に記載の永久パターン形成方法である。
<41> 露光が、形成するパターン情報に基づいて像様に行われる前記<39>から<40>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<39> A method for forming a permanent pattern, comprising exposing the photosensitive layer in the photosensitive laminate according to any one of <28> to <30>.
<40> The method for forming a permanent pattern according to <39>, wherein the exposure is performed using a laser beam having a wavelength of 350 to 415 nm.
<41> The permanent pattern forming method according to any one of <39> to <40>, wherein the exposure is performed imagewise based on pattern information to be formed.

<42> 露光が、光照射手段、及び前記光照射手段からの光を受光し出射するn個(ただし、nは2以上の自然数)の2次元状に配列された描素部を有し、パターン情報に応じて前記描素部を制御可能な光変調手段を備えた露光ヘッドであって、該露光ヘッドの走査方向に対し、前記描素部の列方向が所定の設定傾斜角度θをなすように配置された露光ヘッドを用い、
前記露光ヘッドについて、使用描素部指定手段により、使用可能な前記描素部のうち、N重露光(ただし、Nは2以上の自然数)に使用する前記描素部を指定し、
前記露光ヘッドについて、描素部制御手段により、前記使用描素部指定手段により指定された前記描素部のみが露光に関与するように、前記描素部の制御を行い、
前記感光層に対し、前記露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて行われる前記<39>から<41>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。前記<42>に記載の永久パターン形成方法においては、前記露光ヘッドについて、使用描素部指定手段により、使用可能な前記描素部のうち、N重露光(ただし、Nは2以上の自然数)に使用する前記描素部が指定され、描素部制御手段により、前記使用描素部指定手段により指定された前記描素部のみが露光に関与するように、前記描素部が制御される。前記露光ヘッドを、前記感光層に対し走査方向に相対的に移動させて露光が行われることにより、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれによる前記感光層の被露光面上に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらが均される。この結果、前記感光層への露光が高精細に行われ、その後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。
<43> 露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域におけるN重露光を実現するために使用する前記描素部を指定する前記<42>に記載の永久パターン形成方法である。前記<43>に記載の永久パターン形成方法においては、露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域におけるN重露光を実現するために使用する前記描素部が指定されることにより、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれによる前記感光層の被露光面上のヘッド間つなぎ領域に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらが均される。この結果、前記感光層への露光が高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。
<44> 露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域以外の領域におけるN重露光を実現するために使用する前記描素部を指定する前記<43>に記載の永久パターン形成方法である。前記<44>に記載の永久パターン形成方法においては、露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域以外におけるN重露光を実現するために使用する前記描素部が指定されることにより、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれによる前記感光層の被露光面上のヘッド間つなぎ領域以外に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらが均される。この結果、前記感光層への露光が高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。
<45> 設定傾斜角度θが、N重露光数のN、描素部の列方向の個数s、前記描素部の列方向の間隔p、及び露光ヘッドを傾斜させた状態において該露光ヘッドの走査方向と直交する方向に沿った描素部の列方向のピッチδに対し、次式、spsinθideal≧Nδを満たすθidealに対し、θ≧θidealの関係を満たすように設定される前記<42>から<44>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<46> N重露光のNが、3以上の自然数である前記<42>から<45>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。前記<46>に記載の永久パターン形成方法においては、N重露光のNが、3以上の自然数であることにより、多重描画が行われる。この結果、埋め合わせの効果により、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれによる前記感光層の被露光面上に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらが、より精密に均される。
<42> Exposure has light irradiation means, and n (where n is a natural number of 2 or more) two-dimensionally arranged pixel parts that receive and emit light from the light irradiation means, An exposure head provided with a light modulation means capable of controlling the picture element portion in accordance with pattern information, wherein the column direction of the picture element portion forms a predetermined set inclination angle θ with respect to the scanning direction of the exposure head. Using an exposure head arranged as follows:
With respect to the exposure head, the usable pixel part designating means designates the pixel part to be used for N double exposure (where N is a natural number of 2 or more) among the usable graphic elements.
For the exposure head, the pixel part control means controls the pixel part so that only the pixel part specified by the used pixel part specifying means is involved in exposure,
The permanent pattern forming method according to any one of <39> to <41>, wherein the exposure head is moved relative to the photosensitive layer in a scanning direction. In the method for forming a permanent pattern according to <42>, the exposure head is subjected to N multiple exposures (where N is a natural number of 2 or more) of the usable pixel parts by the used pixel part designating unit. The pixel part to be used is specified, and the pixel part is controlled by the pixel part control unit so that only the pixel part specified by the used pixel part specifying unit is involved in exposure. . By performing exposure by moving the exposure head relative to the photosensitive layer in the scanning direction, the exposure head is formed on the exposed surface of the photosensitive layer due to a shift in the mounting position or mounting angle of the exposure head. Variations in the resolution of the pattern and unevenness in density are leveled. As a result, the photosensitive layer is exposed with high definition, and then the photosensitive layer is developed to form a high-definition pattern.
<43> The exposure is performed by a plurality of exposure heads, and the used drawing element specifying means is related to the exposure of the joint area between the heads which is the overlapping exposure area on the exposed surface formed by the plurality of exposure heads. The permanent pattern forming method according to <42>, wherein among the element parts, the image element part used for realizing N double exposure in the inter-head connection region is designated. In the method for forming a permanent pattern according to <43>, the exposure is performed by a plurality of exposure heads, and the used image element designating unit is an overlapping exposure region on the exposed surface formed by the plurality of exposure heads. Of the picture element parts involved in the exposure of the connection area between the heads, by specifying the picture element part used for realizing the N-fold exposure in the connection area between the heads, the mounting position of the exposure head, Variations in the resolution and density unevenness of the pattern formed in the connecting area between the heads on the exposed surface of the photosensitive layer due to the mounting angle deviation are leveled. As a result, the photosensitive layer is exposed with high definition. For example, a high-definition pattern is formed by developing the photosensitive layer thereafter.
<44> The exposure is performed by a plurality of exposure heads, and the used picture element specifying means is involved in exposure other than the inter-head connection region, which is an overlapping exposure region on the exposed surface formed by the plurality of exposure heads. The permanent pattern forming method according to <43>, wherein the image element portion used for realizing N double exposure in an area other than the inter-head connection area among the image element parts is designated. In the method for forming a permanent pattern according to <44>, the exposure is performed by a plurality of exposure heads, and the used pixel portion designating unit is an overlapping exposure region on an exposed surface formed by the plurality of exposure heads. Mounting of the exposure head by designating the picture element part used for realizing N double exposure in areas other than the inter-head connection area among the image element parts related to exposure other than the inter-head connection area Variations in the resolution and density unevenness of the pattern formed in areas other than the joint area between the heads on the exposed surface of the photosensitive layer due to a shift in position and mounting angle are leveled. As a result, the photosensitive layer is exposed with high definition. For example, a high-definition pattern is formed by developing the photosensitive layer thereafter.
<45> When the set inclination angle θ is N, the number N of the multiple exposures, the number s of the pixel portions in the column direction, the interval p in the column direction of the pixel portions, and the exposure head tilted. the relative row direction pitch δ of pixel parts in the direction perpendicular to the scanning direction, the following equation with respect to theta ideal satisfying spsinθ ideal ≧ Nδ, which is set so as to satisfy the relation of θ ≧ θ ideal <42> to <44>. The method for forming a permanent pattern according to any one of <44>.
<46> The method for forming a permanent pattern according to any one of <42> to <45>, wherein N in N-fold exposure is a natural number of 3 or more. In the permanent pattern forming method according to <46>, multiple drawing is performed when N in N-exposure exposure is a natural number of 3 or more. As a result, due to the effect of filling, variations in the resolution and density unevenness of the pattern formed on the exposed surface of the photosensitive layer due to a shift in the mounting position and mounting angle of the exposure head are more precisely leveled.

<47> 使用描素部指定手段が、
描素部により生成され、被露光面上の露光領域を構成する描素単位としての光点位置を、被露光面上において検出する光点位置検出手段と、
前記光点位置検出手段による検出結果に基づき、N重露光を実現するために使用する描素部を選択する描素部選択手段と
を備える前記<42>から<46>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<48> 使用描素部指定手段が、N重露光を実現するために使用する使用描素部を、行単位で指定する前記<42>から<47>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<47> Use pixel part designation means,
A light spot position detecting means for detecting a light spot position as a pixel unit that is generated by the picture element unit and constitutes an exposure area on the exposed surface;
<42> to <46>, further comprising: a pixel part selection unit that selects a pixel part to be used for realizing N double exposure based on a detection result by the light spot position detection unit. This is a permanent pattern forming method.
<48> The permanent pattern forming method according to any one of <42> to <47>, wherein the used pixel part specifying unit specifies the used pixel part used for realizing N double exposure in units of rows. It is.

<49> 光点位置検出手段が、検出した少なくとも2つの光点位置に基づき、露光ヘッドを傾斜させた状態における被露光面上の光点の列方向と前記露光ヘッドの走査方向とがなす実傾斜角度θ´を特定し、描素部選択手段が、前記実傾斜角度θ´と設定傾斜角度θとの誤差を吸収するように使用描素部を選択する前記<47>から<48>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<50> 実傾斜角度θ´が、露光ヘッドを傾斜させた状態における被露光面上の光点の列方向と前記露光ヘッドの走査方向とがなす複数の実傾斜角度の平均値、中央値、最大値、及び最小値のいずれかである前記<49>に記載の永久パターン形成方法である。
<51> 描素部選択手段が、実傾斜角度θ´に基づき、ttanθ´=N(ただし、NはN重露光数のNを表す)の関係を満たすtに近い自然数Tを導出し、m行(ただし、mは2以上の自然数を表す)配列された描素部における1行目から前記T行目の前記描素部を、使用描素部として選択する前記<47>から<50>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<52> 描素部選択手段が、実傾斜角度θ´に基づき、ttanθ´=N(ただし、NはN重露光数のNを表す)の関係を満たすtに近い自然数Tを導出し、m行(ただし、mは2以上の自然数を表す)配列された描素部における、(T+1)行目からm行目の前記描素部を、不使用描素部として特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する前記<47>から<51>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<49> The fact that the light spot position detector detects the row direction of the light spot on the surface to be exposed and the scanning direction of the exposure head when the exposure head is tilted based on the detected at least two light spot positions. The inclination angle θ ′ is specified, and the picture element selection means selects the use picture element part so as to absorb the error between the actual inclination angle θ ′ and the set inclination angle θ. The permanent pattern forming method according to any one of the above.
<50> The actual inclination angle θ ′ is an average value, a median value, and a plurality of actual inclination angles formed by the row direction of the light spots on the surface to be exposed and the scanning direction of the exposure head when the exposure head is inclined. The permanent pattern forming method according to <49>, wherein the permanent pattern forming method is one of a maximum value and a minimum value.
<51> The pixel part selection means derives a natural number T close to t that satisfies the relationship of t tan θ ′ = N (where N represents N of N double exposure numbers) based on the actual inclination angle θ ′, and m <47> to <50>, wherein the pixel elements from the first line to the T-th line are selected as used graphic elements in a line (where m represents a natural number of 2 or more) arranged graphic elements. The permanent pattern forming method according to any one of the above.
<52> The pixel part selection means derives a natural number T close to t satisfying a relationship of t tan θ ′ = N (where N represents N of N double exposure numbers) based on the actual inclination angle θ ′, and m In the picture element part arranged in a row (where m represents a natural number of 2 or more), the picture element part in the (T + 1) -th line to the m-th line is specified as an unused picture element part, and the unused picture element part is specified. The permanent pattern forming method according to any one of <47> to <51>, wherein the pixel part excluding the element part is selected as a used pixel part.

<53> 描素部選択手段が、複数の描素部列により形成される被露光面上の重複露光領域を少なくとも含む領域において、
(1)理想的なN重露光に対し、露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積が最小となるように、使用描素部を選択する手段、
(2)理想的なN重露光に対し、露光過多となる領域の描素単位数と、露光不足となる領域の描素単位数とが等しくなるように、使用描素部を選択する手段、
(3)理想的なN重露光に対し、露光過多となる領域の面積が最小となり、かつ、露光不足となる領域が生じないように、使用描素部を選択する手段、及び
(4)理想的なN重露光に対し、露光不足となる領域の面積が最小となり、かつ、露光過多となる領域が生じないように、使用描素部を選択する手段
のいずれかである前記<47>から<52>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<54> 描素部選択手段が、複数の露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域において、
(1)理想的なN重露光に対し、露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積が最小となるように、前記ヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部から、不使用描素部を特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する手段、
(2)理想的なN重露光に対し、露光過多となる領域の描素単位数と、露光不足となる領域の描素単位数とが等しくなるように、前記ヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部から、不使用描素部を特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する手段、
(3)理想的なN重露光に対し、露光過多となる領域の面積が最小となり、かつ、露光不足となる領域が生じないように、前記ヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部から、不使用描素部を特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する手段、及び、
(4)理想的なN重露光に対し、露光不足となる領域の面積が最小となり、かつ、露光過多となる領域が生じないように、前記ヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部から、不使用描素部を特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する手段、
のいずれかである前記<47>から<53>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<55> 不使用描素部が、行単位で特定される前記<54>に記載の永久パターン形成方法である。
<53> In a region including at least an overlapped exposure region on an exposed surface formed by a plurality of pixel part columns,
(1) Means for selecting a used pixel portion so that a total area of an overexposed region and an underexposed region is minimized with respect to an ideal N-fold exposure;
(2) Means for selecting a pixel part to be used so that the number of pixel units in an overexposed area and the number of pixel units in an underexposed area are equal to each other with respect to an ideal N double exposure;
(3) Means for selecting a pixel part to be used so that an area of an overexposed area is minimized and an underexposed area does not occur with respect to an ideal N double exposure, and (4) an ideal From the above <47>, which is one of means for selecting a pixel part to be used so that an area of an underexposed area is minimized and an overexposed area does not occur with respect to typical N double exposure <52> The permanent pattern forming method according to any one of the above.
<54> In the connection area between the heads, which is an overlapping exposure area on the exposed surface formed by the plurality of exposure heads,
(1) With respect to the ideal N-multiple exposure, from the pixel part involved in the exposure of the inter-head connection region, the total area of the overexposed region and the underexposed region is minimized. Means for identifying a used pixel part and selecting the pixel part excluding the unused pixel part as a used pixel part;
(2) Involvement in the exposure of the head-to-head connecting region so that the number of pixel units in the overexposed region and the number of pixel units in the underexposed region are equal to the ideal N-double exposure. Means for identifying an unused pixel part from the pixel part to be selected, and selecting the pixel part excluding the unused pixel part as a used pixel part;
(3) For the ideal N-multiple exposure, from the pixel part involved in the exposure of the inter-head connecting region, the area of the overexposed region is minimized and the underexposed region is not generated. A means for identifying an unused pixel part and selecting the pixel part excluding the unused pixel part as a used pixel part; and
(4) For the ideal N-multiple exposure, from the pixel part involved in the exposure of the inter-head connecting region, the area of the underexposed region is minimized and the region that is overexposed is not generated. , Means for identifying an unused pixel part and selecting the pixel part excluding the unused pixel part as a used pixel part;
The method for forming a permanent pattern according to any one of <47> to <53>.
<55> The permanent pattern forming method according to <54>, wherein the unused pixel parts are specified in units of rows.

<56> 使用描素部指定手段において使用描素部を指定するために、使用可能な前記描素部のうち、N重露光のNに対し、(N−1)列毎の描素部列を構成する前記描素部のみを使用して参照露光を行う前記<42>から<55>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。前記<56>に記載の永久パターン形成方法においては、使用描素部指定手段において使用描素部を指定するために、使用可能な前記描素部のうち、N重露光のNに対し、(N−1)列毎の描素部列を構成する前記描素部のみを使用して参照露光が行われ、略1重描画の単純なパターンが得られる。この結果、前記ヘッド間つなぎ領域における前記描素部が容易に指定される。
<57> 使用描素部指定手段において使用描素部を指定するために、使用可能な前記描素部のうち、N重露光のNに対し、1/N行毎の描素部行を構成する前記描素部のみを使用して参照露光を行う前記<42>から<55>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。前記<57>に記載の永久パターン形成方法においては、使用描素部指定手段において使用描素部を指定するために、使用可能な前記描素部のうち、N重露光のNに対し、1/N行毎の描素部列を構成する前記描素部のみを使用して参照露光が行われ、略1重描画の単純な永久パターンが得られる。この結果、前記ヘッド間つなぎ領域における前記描素部が容易に指定される。
<56> In order to specify the used pixel part in the used pixel part specifying means, among the usable pixel parts, N (n-1) pixel part columns for N multiple exposures The permanent pattern forming method according to any one of <42> to <55>, wherein the reference exposure is performed by using only the image element portion that constitutes. In the permanent pattern forming method according to the above <56>, in order to specify the used pixel part in the used pixel part specifying means, among the usable pixel parts, N-1) Reference exposure is performed using only the pixel part constituting the pixel part column for each column, and a simple pattern of substantially single drawing is obtained. As a result, the picture element portion in the head-to-head connection region is easily specified.
<57> In order to specify the used pixel part in the used pixel part specifying means, among the usable pixel parts, for each N-exposure N, a pixel part line is formed every 1 / N lines. The permanent pattern forming method according to any one of <42> to <55>, wherein the reference exposure is performed using only the pixel part. In the permanent pattern forming method according to the above <57>, in order to designate the use pixel part in the use pixel part designating unit, among the usable picture element parts, N is 1 for N double exposure. / Reference exposure is performed using only the pixel part constituting the pixel part column for every N rows, and a simple permanent pattern of substantially single drawing is obtained. As a result, the picture element portion in the head-to-head connection region is easily specified.

<58> 使用描素部指定手段が、光点位置検出手段としてスリット及び光検出器、並びに描素部選択手段として前記光検出器と接続された演算装置を有する前記<42>から<57>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<59> N重露光のNが、3以上7以下の自然数である前記<42>から<58>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<58> From the above <42> to <57>, the used pixel part designation means includes a slit and a photodetector as the light spot position detection means, and an arithmetic unit connected to the photodetector as the pixel part selection means. The permanent pattern forming method according to any one of the above.
<59> The method for forming a permanent pattern according to any one of <42> to <58>, wherein N in N-exposure exposure is a natural number of 3 or more and 7 or less.

<60> 光変調手段が、形成するパターン情報に基づいて制御信号を生成するパターン信号生成手段を更に有してなり、光照射手段から照射される光を該パターン信号生成手段が生成した制御信号に応じて変調させる前記<42>から<59>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。前記<60>に記載の永久パターン形成装置においては、前記光変調手段が前記パターン信号生成手段を有することにより、前記光照射手段から照射される光が該パターン信号生成手段により生成した制御信号に応じて変調される。
<61> 光変調手段が、空間光変調素子である前記<42>から<60>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<62> 空間光変調素子が、デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)である前記<61>に記載の永久パターン形成方法である。
<63> 描素部が、マイクロミラーである前記<42>から<62>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<64> パターン情報が表すパターンの所定部分の寸法が、指定された使用描素部により実現できる対応部分の寸法と一致するように前記パターン情報を変換する変換手段を有する前記<42>から<63>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<60> The light modulation means further includes a pattern signal generation means for generating a control signal based on the pattern information to be formed, and the control signal generated by the pattern signal generation means is emitted from the light irradiation means. The method for forming a permanent pattern according to any one of <42> to <59>, wherein the modulation is performed according to. In the permanent pattern forming apparatus according to <60>, since the light modulation unit includes the pattern signal generation unit, light emitted from the light irradiation unit is converted into a control signal generated by the pattern signal generation unit. Modulated accordingly.
<61> The method for forming a permanent pattern according to any one of <42> to <60>, wherein the light modulator is a spatial light modulator.
<62> The method for forming a permanent pattern according to <61>, wherein the spatial light modulation element is a digital micromirror device (DMD).
<63> The permanent pattern forming method according to any one of <42> to <62>, wherein the picture element portion is a micromirror.
<64> From the above <42> to <42> having conversion means for converting the pattern information so that the dimension of the predetermined part of the pattern represented by the pattern information matches the dimension of the corresponding part that can be realized by the designated used pixel part 63>. The permanent pattern forming method according to any one of 63>.

<65> 光照射手段が、2以上の光を合成して照射可能である前記<42>から<64>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。前記<65>に記載の永久パターン形成方法においては、前記光照射手段が2以上の光を合成して照射可能であることにより、露光が焦点深度の深い露光光によって行われる。この結果、前記感光性フィルムへの露光が極めて高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、極めて高精細な永久パターンが形成される。
<66> 光照射手段が、複数のレーザと、マルチモード光ファイバと、該複数のレーザからそれぞれ照射されたレーザ光を集光して前記マルチモード光ファイバに結合させる集合光学系とを有する前記<42>から<65>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。前記<66>に記載の永久パターン形成方法においては、前記光照射手段が、前記複数のレーザからそれぞれ照射されたレーザ光が前記集合光学系により集光され、前記マルチモード光ファイバに結合可能であることにより、露光が焦点深度の深い露光光で行われる。この結果、前記感光性フィルムへの露光が極めて高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像すると、極めて高精細なパターンが形成される。
<65> The permanent pattern formation method according to any one of <42> to <64>, wherein the light irradiation unit can synthesize and irradiate two or more lights. In the permanent pattern forming method according to <65>, the light irradiation unit can synthesize and irradiate two or more lights, so that exposure is performed with exposure light having a deep focal depth. As a result, the exposure to the photosensitive film is performed with extremely high definition. For example, when the photosensitive layer is subsequently developed, a very fine permanent pattern is formed.
<66> The light irradiation means includes a plurality of lasers, a multimode optical fiber, and a collective optical system that collects the laser beams irradiated from the plurality of lasers and couples the laser beams to the multimode optical fiber. The permanent pattern forming method according to any one of <42> to <65>. In the method for forming a permanent pattern according to <66>, the light irradiation unit can collect the laser light respectively irradiated from the plurality of lasers by the collective optical system and be coupled to the multimode optical fiber. As a result, exposure is performed with exposure light having a deep focal depth. As a result, the exposure to the photosensitive film is performed with extremely high definition. For example, when the photosensitive layer is subsequently developed, an extremely fine pattern is formed.

<67> 露光が行われた後、感光層の現像を行う前記<39>から<66>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。前記<67>に記載の永久パターン形成方法においては、前記露光が行われた後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。
<68> 現像が行われた後、感光層に対して硬化処理を行う前記<67>に記載の永久パターン形成方法である。
<69> 硬化処理が、全面露光処理及び120〜200℃で行われる全面加熱処理の少なくともいずれかである前記<68>に記載の永久パターン形成方法である。
<67> The method for forming a permanent pattern according to any one of <39> to <66>, wherein the photosensitive layer is developed after the exposure. In the method for forming a permanent pattern according to <67>, a high-definition pattern is formed by developing the photosensitive layer after the exposure.
<68> The method for forming a permanent pattern according to <67>, wherein after the development, the photosensitive layer is cured.
<69> The method for forming a permanent pattern according to <68>, wherein the curing treatment is at least one of a whole surface exposure treatment and a whole surface heat treatment performed at 120 to 200 ° C.

<70> 前記<39>から<69>のいずれかに記載のパターン形成方法により形成されることを特徴とする永久パターンである。前記<70>に記載の永久パターンは、前記パターン形成方法により形成されるので、優れた耐薬品性、表面硬度、耐熱性などを有し、かつ高精細であり、半導体や部品の多層配線基板やビルドアップ配線基板などへの高密度実装に有用である。
<71> 保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンの少なくともいずれかである前記<70>に記載のパターンである。前記<71>に記載の永久パターンは、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンの少なくともいずれかであるので、該膜の有する絶縁性、耐熱性などにより、配線が外部からの衝撃や曲げなどから保護される。
<70> A permanent pattern formed by the pattern forming method according to any one of <39> to <69>. Since the permanent pattern according to <70> is formed by the pattern forming method, it has excellent chemical resistance, surface hardness, heat resistance, and the like, and has high definition, and is a multilayer wiring board for semiconductors and components. It is useful for high-density mounting on PCBs and buildup wiring boards.
<71> The pattern according to <70>, which is at least one of a protective film, an interlayer insulating film, and a solder resist pattern. Since the permanent pattern according to the above <71> is at least one of a protective film, an interlayer insulating film, and a solder resist pattern, the wiring may be subjected to an impact or bending from the outside due to the insulating property, heat resistance, etc. of the film. Protected from.

<72> 前記<39>から<69>のいずれかに記載の永久パターン形成方法により、永久パターンが形成されることを特徴とするプリント基板である。   <72> A printed circuit board wherein a permanent pattern is formed by the method for forming a permanent pattern according to any one of <39> to <69>.

本発明によると、従来における問題を解決することができ、重合性化合物として重合性基を有する樹状分岐化合物を含むことにより、感度、解像度、及び永久保護膜としての硬化物特性に優れ、かつフィルム化したロールからの感光性組成物のしみだしが少なく、高精細な永久パターン(保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンなど)を効率よく形成可能な感光性組成物、感光性フィルム、感光性積層体、前記感光性積層体を用いたパターン形成方法、及び該永久パターン形成方法により永久パターンが形成されるプリント基板を提供することができる。   According to the present invention, conventional problems can be solved, and by including a dendritic compound having a polymerizable group as a polymerizable compound, it has excellent sensitivity, resolution, and cured product properties as a permanent protective film, and A photosensitive composition, a photosensitive film, which can efficiently form a high-definition permanent pattern (such as a protective film, an interlayer insulating film, and a solder resist pattern) with less bleeding of the photosensitive composition from a filmed roll. A photosensitive laminate, a pattern forming method using the photosensitive laminate, and a printed board on which a permanent pattern is formed by the permanent pattern forming method can be provided.

(感光性組成物)
本発明の感光性組成物は、バインダー、重合性化合物、及び光重合開始剤を少なくとも含み、増感剤、熱架橋剤、を含むことが好ましく、更に必要に応じて、着色顔料、体質顔料、熱硬化剤(熱架橋剤の硬化促進剤)、熱重合禁止剤、界面活性剤などのその他の成分を含むことが好ましい。
(Photosensitive composition)
The photosensitive composition of the present invention contains at least a binder, a polymerizable compound, and a photopolymerization initiator, and preferably contains a sensitizer and a thermal crosslinking agent. Further, if necessary, a coloring pigment, an extender pigment, It is preferable to contain other components, such as a thermosetting agent (curing accelerator of a thermal crosslinking agent), a thermal polymerization inhibitor, and a surfactant.

<重合性化合物>
前記重合性化合物としては、重合性基を有する樹状分岐化合物を含む。前記重合性基を有する樹状分岐化合物としては、重合性基を有し、かつ樹状分岐構造を有する化合物であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、デンドリマー化合物、ハイパーブランチ化合物などが挙げられる。なお、前記デンドリマー化合物については、例えば、Angew.Chem.,Int.Ed.38,P884(1999)などに、前記ハイパーブランチ化合物については、例えば、Polym.Prepr.,29(1988)などに、それぞれ詳細に記載されている。
<Polymerizable compound>
The polymerizable compound includes a dendritic compound having a polymerizable group. The dendritic compound having a polymerizable group is not particularly limited as long as it is a compound having a polymerizable group and a dendritic branched structure, and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, dendrimers Compound, hyperbranched compound and the like. In addition, about the said dendrimer compound, For example, Angew. Chem. , Int. Ed. 38, P884 (1999) and the like, the hyperbranched compound is described in, for example, Polym. Prepr. 29 (1988), etc., respectively.

本発明の前記重合性基を有する樹状分岐化合物は、少なくとも2つの重合性基を含むことが好ましい。前記少なくとも2つの重合性基を有する樹状分岐化合物は、コア部位、分岐部位、枝部位、末端部位からなる樹木状多分岐構造を有する。図23は、前記少なくとも2つの重合性基を有する樹状分岐化合物の標準的な構造を示すモデル図である。
中心となるコア部位110は、複数の枝部位112Aを有しており、該枝部位112Aの末端部位が分岐部位114となり、この分岐部位114から新たな枝部位112Bが分岐し、それぞれの枝部位112Bは末端部位116を有している。前記少なくとも2以上の重合性基を有する樹状分岐化合物においては、この最末端部位116の少なくとも2つが重合性基を有する構造をとっている。このモデル図においては、分岐部位114はコア部位110から生じる枝部位112Aの末端のみに存在するが、これに限定されず、この分岐部位114に連続する枝部位112Bの末端が分岐部位となり、新たな複数の枝部位を有する構造をとるものであってもよい。
また、一般に規則性の正しい重合性基を有する樹状分岐化合物の場合、その大きさは世代(ジェネレーション)という概念用語で表される。前記少なくとも2つの重合性基を有する樹状分岐化合物において、上記定義のコア部位から出発した分岐構造体、即ち、図23における枝部位112Aの先端に末端部位(末端基)を有する場合、その末端部位までを第1世代樹状分岐化合物といい、第1世代の全末端部位(図23における分岐部位114)から分岐した分岐構造を有する構造体、即ち、分岐部位112B及びその先端に位置する末端部位116までを第2世代樹状分岐化合物という。これを前記少なくとも2つの重合性基を有する樹状分岐化合物における世代の定義とする。前記少なくとも2つの重合性基を有する樹状分岐化合物の好ましい大きさは、2〜10世代が好ましく、2〜8世代がより好ましく、2〜6世代が特に好ましい。
The dendritic compound having a polymerizable group according to the present invention preferably contains at least two polymerizable groups. The dendritic compound having at least two polymerizable groups has a dendritic multi-branched structure composed of a core site, a branch site, a branch site, and a terminal site. FIG. 23 is a model diagram showing a standard structure of a dendritic compound having at least two polymerizable groups.
The central core part 110 has a plurality of branch parts 112A, the terminal part of the branch part 112A becomes a branch part 114, and a new branch part 112B branches from the branch part 114, and each branch part 112B has a terminal portion 116. The dendritic compound having at least two polymerizable groups has a structure in which at least two of the most terminal sites 116 have a polymerizable group. In this model diagram, the branch site 114 exists only at the end of the branch site 112A generated from the core site 110. However, the present invention is not limited to this, and the end of the branch site 112B continuous to the branch site 114 becomes the branch site. It may take a structure having a plurality of branch sites.
In general, in the case of a dendritic compound having a regularly regular polymerizable group, the size thereof is represented by a concept term of generation. If the dendritic branching compound having at least two polymerizable groups has a branched structure starting from the above-defined core portion, that is, a terminal portion (terminal group) at the tip of the branch portion 112A in FIG. The first part of the first-generation dendritic branching compound is referred to as a first-generation dendritic compound, and has a branched structure branched from the first-generation all terminal part (branch part 114 in FIG. 23), that is, the branched part 112B and the terminal located at the tip thereof The region up to site 116 is referred to as a second generation dendritic compound. This is defined as the generation in the dendritic compound having at least two polymerizable groups. The preferred size of the dendritic compound having at least two polymerizable groups is preferably 2 to 10 generations, more preferably 2 to 8 generations, and particularly preferably 2 to 6 generations.

以下、前記少なくとも2つの重合性基を有する樹状分岐化合物の好ましい、コア部位、分岐部位、枝部位、末端部位の構造について順次説明する。
前記少なくとも2つの重合性基を有する樹状分岐化合物において、コア部位は少なくとも3つの枝部位が結合した構造を有することが好ましい。
以下に、コア部位の代表的な構造を示す。コア部位が1原子で構成されるものとしては、例えば、下記構造式(i−a)、構造式(i−b)が挙げられ、その中心は3価以上の原子、例えば、N、C、などで構成される。コア部位が環状化合物で構成されるものとしては、例えば、下記構造式(i−c)、構造式(i−d)、構造式(i−e)で示されるものが挙げられる。このように、環状構造は芳香環構造であってもよいし、脂環構造であってもよく、また、ヘテロ環構造であってもよい。
また、構造式(i−f)や構造式(i−g)で示されるような多価原子を中心にして複数の原子を組み合わせてなる構造や金属原子もコア部位として例示することができ、ここで例示した構造式(i−f)や構造式(i−g)で示されるような構造は、コア部位のみならず、後述する分岐部位としても使用可能である。
なお、下記構造式(i−h)〜(i−k)で示された構造はコア部位のみに相当する構造の例示であり、この構造のコア部位においては4個以上の枝を有することが好ましい。
Hereinafter, preferable structures of the core part, the branched part, the branch part, and the terminal part of the dendritic branched compound having at least two polymerizable groups will be sequentially described.
In the dendritic compound having at least two polymerizable groups, the core part preferably has a structure in which at least three branch parts are bonded.
Below, the typical structure of a core part is shown. Examples of the core portion composed of one atom include the following structural formula (ia) and structural formula (ib), and the center thereof is a trivalent or higher atom, for example, N, C, Etc. As what a core part is comprised with a cyclic compound, what is shown by following Structural formula (ic), Structural formula (id), Structural formula (ie) is mentioned, for example. Thus, the cyclic structure may be an aromatic ring structure, an alicyclic structure, or a heterocyclic structure.
In addition, a structure formed by combining a plurality of atoms around a multivalent atom as represented by the structural formula (if) or the structural formula (ig) or a metal atom can be exemplified as the core portion. The structure shown by the structural formula (if) or the structural formula (ig) exemplified here can be used not only as a core site but also as a branched site described later.
Note that the structures represented by the following structural formulas (i-h) to (ik) are examples of structures corresponding to only the core part, and the core part of this structure may have four or more branches. preferable.

ただし、前記構造式(i−h)〜(i−k)中、Rxは炭素原子数1〜12、好ましくは1〜6のアルキレン基である。 In the structural formulas (ih) to (ik), Rx is an alkylene group having 1 to 12 carbon atoms, preferably 1 to 6 carbon atoms.

前記少なくとも2つの重合性基を有する樹状分岐化合物における枝部位とは、1つのコア部位または分岐部位と、隣接する分岐部位または末端部位とを結合する構成部位の総称であり、構造は特に限定されない。
また、重合性基を有する樹状分岐化合物1分子中に存在する枝部位の数の合計(コア部位に直接連結するもの及び分岐部位に連結するものの総計)は、9〜160個が好ましく、12〜130個がより好ましく、18〜100個が特に好ましい。
The branch site in the dendritic compound having at least two polymerizable groups is a general term for components that bind one core site or branch site to an adjacent branch site or terminal site, and the structure is particularly limited. Not.
In addition, the total number of branch sites present in one molecule of the dendritic branched compound having a polymerizable group (the total of those linked directly to the core site and those linked to the branch site) is preferably 9 to 160, -130 are more preferable, and 18-100 are especially preferable.

少なくとも2つの重合性基を有する樹状分岐化合物の分岐部位は、3価以上の原子又は原子団により構成され、隣接するコア部位又はコア部位側に位置する連結部位との結合手と、末端方向に連結する複数の枝部位との結合手を有していれば特に制限はなく、先に述べたコア部位と同様の構造を有するものなども使用できるが、通常、炭素原子、窒素原子、あるいは、これらの原子を含む原子団により構成される。
また、前記少なくとも2つの重合性基を有する樹状分岐化合物では、分岐部位に連結する枝部位の末端に少なくとも2つの重合性基を有することが好ましい。この重合性基は、前述のように、効果の観点から、分子内に6〜180有することが好ましく、8〜140有することがより好ましく、10〜120有することが特に好ましい。
The branching site of the dendritic branching compound having at least two polymerizable groups is composed of a trivalent or higher-valent atom or atomic group, and a bond with an adjacent core site or a connecting site located on the core site side, and a terminal direction There is no particular limitation as long as it has a bond with a plurality of branch sites linked to the above, and those having the same structure as the core site described above can be used, but usually a carbon atom, a nitrogen atom, or Are composed of atomic groups containing these atoms.
The dendritic branching compound having at least two polymerizable groups preferably has at least two polymerizable groups at the ends of the branch sites connected to the branch sites. As described above, the polymerizable group preferably has 6 to 180 in the molecule, more preferably 8 to 140, and particularly preferably 10 to 120 from the viewpoint of the effect.

少なくとも2つの重合性基を有する樹状分岐化合物における重合性基はラジカル重合可能な基であれば特に限定はない。
好ましい例としては、α−置換メチルアクリル基[−OC(=O)−C(−CH2Z)=CH2(ここでZは、ヘテロ原子から始まる炭化水素基)]、アクリル基、メタクリル基、アリル基、スチリル基などが挙げられ、この中でも、アクリル基、メタクリル基が特に好ましい。
前記重合性基は、以下に示す具体例からも明らかなように、樹状分岐化合物の末端部位の全てにあってもよく、また、末端部位の一部のみに存在してもよい。
The polymerizable group in the dendritic compound having at least two polymerizable groups is not particularly limited as long as it is a radical polymerizable group.
Preferred examples include α-substituted methylacrylic groups [—OC (═O) —C (—CH 2 Z) ═CH 2 (where Z is a hydrocarbon group starting from a heteroatom)], acrylic groups, and methacrylic groups. , An allyl group, a styryl group, and the like, among which an acryl group and a methacryl group are particularly preferable.
As is clear from the specific examples shown below, the polymerizable group may be present in all of the terminal sites of the dendritic branched compound, or may be present only in a part of the terminal sites.

前記少なくとも2つの重合性基を有する樹状分岐化合物は、既知の方法を用いて合成することができる。具体的な方法は、Shi W.et.al.,J.Appl.Polym.Sci.,59,12,1945(1996),Moszner N.et.al.,Macromol.Chem.Phys.,197,2,621(1996),Qichun W. Scott R.et.al.,Pure Appl.Chem.,A37(11),1301,(2000),Qichun W.Scott R.et.al.,Pure Appl. Chem.,A39(4),267,(2000),横山士吉、益子信郎、高分子論文集、Vol 59,No.10,642(2002)などに記載されている。   The dendritic compound having at least two polymerizable groups can be synthesized using a known method. A specific method is described in Shi W. et. Appl. Polym. Sci. 59, 12, 1945 (1996), Moszner N .; et. al. , Macromol. Chem. Phys. 197, 2, 621 (1996), Qichun W., et al. Scott R.D. et. al. , Pure Appl. Chem. A37 (11), 1301, (2000), Qichun W., et al. Scott R.D. et. al. , Pure Appl. Chem. , A39 (4), 267, (2000), Shikichi Yokoyama, Nobuo Masuko, Collection of Polymers, Vol 59, No. 10, 642 (2002).

本発明の重合性基を有する樹状分岐化合物は、その構造において特に限定されないが、分子中に2種の異なる官能基を有する化合物の重縮合反応或いは重付加反応により得られるものが好ましい。前記分子中に2種の異なる官能基を有する化合物において、前記2種の異なる官能基は、分子内縮合、分子内付加はしないが、互いに化学的に縮合反応乃至付加反応を起こさせることが可能な官能基である。これら官能基の組み合わせとしては、水酸基とカルボン酸基やカルボン酸アルキルエステル基等のカルボン酸誘導体、アミノ基とカルボン酸基、ハロゲン化アルキル基とフェノール性水酸基、アセトキシ基とカルボン酸基、アセチル基と水酸基、イソシアネート基と水酸基等が挙げられ、反応工程の簡便さ、反応制御の面からカルボン酸基或いはその誘導体と水酸基或いはその誘導体との組み合わせが好ましい。   The dendritic compound having a polymerizable group of the present invention is not particularly limited in its structure, but is preferably obtained by polycondensation reaction or polyaddition reaction of compounds having two different functional groups in the molecule. In the compound having two different functional groups in the molecule, the two different functional groups do not undergo intramolecular condensation or intramolecular addition, but can cause a condensation reaction or addition reaction chemically with each other. Functional group. Examples of combinations of these functional groups include hydroxyl groups and carboxylic acid derivatives such as carboxylic acid groups and carboxylic acid alkyl ester groups, amino groups and carboxylic acid groups, halogenated alkyl groups and phenolic hydroxyl groups, acetoxy groups and carboxylic acid groups, and acetyl groups. And a hydroxyl group, an isocyanate group and a hydroxyl group, and the combination of a carboxylic acid group or a derivative thereof and a hydroxyl group or a derivative thereof is preferable from the viewpoint of simplicity of the reaction process and reaction control.

前記分子中に2種の異なる官能基を有する化合物の具体的な例としては、2,2−ジメチロールプロピオン酸、2,2−ジメチロールブタン酸、ジフェノール酸、5−(2ヒドロキシエトキシ)イソフタル酸、5−アセトキシイソフタル酸、3,5−ビス(2−ヒドロキシエトキシ)安息香酸、3,5−ビス(2−ヒドロキシエトキシ)安息香酸メチルエステル、4,4−(4’−ヒドロキシフェニル)ペンタン酸、5−ヒドロキシシクロヘキサン−1,3−ジカルボン酸、1,3−ジヒドロキシ−5−カルボキシシクロヘキサン、5−(2−ヒドロキシエトキシ)シクロヘキサン−1,3−ジカルボン酸、1,3−(2−ヒドロキシエトキシ)−5−カルボキシシクロヘキサン、5−(ブロモメチル)−1,3−ジヒドロキシベンゼン、3,5−ジアミノ安息香酸、フェノール−3,5−ジグリシジルエーテル、イソホロンジイソシアネートとジイソプロパノールアミンとの1対1反応生成物、イソホロンジイソシアネートとジエタノールアミンとの1対1反応生成物、3,5−ビス(4−アミノフェノキシ)安息香酸等が挙げられる。これらの中でも、原料化合物としての汎用性及び重合反応工程の簡便さからは、2,2−ジメチロールプロピオン酸、2,2−ジメチロールブタン酸が好ましい。   Specific examples of the compound having two different functional groups in the molecule include 2,2-dimethylolpropionic acid, 2,2-dimethylolbutanoic acid, diphenolic acid, and 5- (2hydroxyethoxy). Isophthalic acid, 5-acetoxyisophthalic acid, 3,5-bis (2-hydroxyethoxy) benzoic acid, 3,5-bis (2-hydroxyethoxy) benzoic acid methyl ester, 4,4- (4′-hydroxyphenyl) Pentanoic acid, 5-hydroxycyclohexane-1,3-dicarboxylic acid, 1,3-dihydroxy-5-carboxycyclohexane, 5- (2-hydroxyethoxy) cyclohexane-1,3-dicarboxylic acid, 1,3- (2- Hydroxyethoxy) -5-carboxycyclohexane, 5- (bromomethyl) -1,3-dihydroxybenzene, 3 5-diaminobenzoic acid, phenol-3,5-diglycidyl ether, one-to-one reaction product of isophorone diisocyanate and diisopropanolamine, one-to-one reaction product of isophorone diisocyanate and diethanolamine, 3,5-bis ( 4-aminophenoxy) benzoic acid and the like. Among these, 2,2-dimethylolpropionic acid and 2,2-dimethylolbutanoic acid are preferable from the viewpoint of versatility as a raw material compound and simplicity of the polymerization reaction step.

本発明で用いられる重合性基を有する樹状分岐化合物は、例えば第1段階で前記分子中に2種の異なる官能基を有する化合物を縮合させ、末端に多量の水酸基或いはカルボン酸基、或いはこれらの誘導体官能基を有する樹状分岐化合物を形成した後、第2段階でこれら分子末端の官能基にアクリレート基、メタクリレート基等の不飽和結合基を付加させて得られる。   The dendritic compound having a polymerizable group used in the present invention is obtained by, for example, condensing a compound having two different functional groups in the molecule in the first step, and a large amount of hydroxyl or carboxylic acid groups at the terminal, or these In the second step, an unsaturated bond group such as an acrylate group or a methacrylate group is added to the functional group at the end of the molecule.

前記第1段階の反応は、前記樹状分岐化合物を単独で縮合反応触媒の存在下に反応させてもよいし、多価ヒドロキシ化合物や多価カルボン酸化合物、或いはそれらを合わせ持つ化合物を樹状分岐化合物分子の分岐点として用いてもよい。
前記多価ヒドロキシ化合物としては、ポリエステル樹脂原料として汎用の種々グリコール化合物やトリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール等の3官能以上の水酸基含有化合物が挙げられる。また、前記多価カルボン酸化合物としては、同様にポリエステル樹脂原料として汎用の種々二塩基酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸等の3官能以上のカルボン酸化合物が挙げられる。更には水酸基とカルボン酸基とを合わせ持った化合物例として、グリコール酸、ヒドロキシピバリン酸、3−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸、乳酸、グリセリン酸、リンゴ酸、クエン酸等が挙げられる。
In the first stage reaction, the dendritic branched compound may be reacted alone in the presence of a condensation reaction catalyst, or a polyvalent hydroxy compound, a polyvalent carboxylic acid compound, or a compound having both of them is dendritic. It may be used as a branch point of a branched compound molecule.
Examples of the polyvalent hydroxy compound include various glycol compounds generally used as a polyester resin raw material, and trifunctional or higher functional hydroxyl group-containing compounds such as trimethylolpropane, pentaerythritol, and dipentaerythritol. Examples of the polyvalent carboxylic acid compound also include trifunctional or higher functional carboxylic acid compounds such as various dibasic acids, trimellitic acid, pyromellitic acid, and benzophenone tetracarboxylic acid that are commonly used as polyester resin raw materials. Furthermore, glycolic acid, hydroxypivalic acid, 3-hydroxy-2-methylpropionic acid, lactic acid, glyceric acid, malic acid, citric acid and the like can be given as examples of compounds having both a hydroxyl group and a carboxylic acid group.

本発明で用いられる樹状分岐化合物分子の分岐点となる化合物としては、上記以外に、二塩基酸成分とグリコール成分との縮合反応で得られる線状のポリエステルオリゴマーやこれらに3官能以上の多価カルボン酸や多価ヒドロキシ化合物を共重合した分岐型ポリエステルオリゴマーを用いてもよい。   In addition to the above, the compound serving as the branching point of the dendritic compound molecule used in the present invention is a linear polyester oligomer obtained by a condensation reaction of a dibasic acid component and a glycol component, or a polyfunctional compound having three or more functional groups. A branched polyester oligomer obtained by copolymerizing a polyvalent carboxylic acid or a polyvalent hydroxy compound may be used.

上記分岐点となりうる線状、或いは分岐型ポリエステルオリゴマーの構成原料としては、汎用の種々の二塩基酸化合物やグリコール化合物、或いは3官能以上の多価カルボン酸や多価アルコール化合物を用いることができる。
前記二塩基酸化合物としては、コハク酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ドデカン酸等の脂肪族系二塩基酸、テレフタル酸、イソフタル酸、オルソフタル酸、1,2−ナフタレンカルボン酸、1,6−ナフタレンジカルボン酸等の芳香族系二塩基酸、或いは1,2−シクロヘキサンジカルボン酸、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸、4−メチル−1,2−シクロヘキサンジカルボン酸等の脂環族二塩基酸が挙げられる。
As a constituent material of the linear or branched polyester oligomer that can be the branching point, various general dibasic acid compounds and glycol compounds, or tri- or higher functional polycarboxylic acids and polyhydric alcohol compounds can be used. .
Examples of the dibasic acid compound include succinic acid, adipic acid, azelaic acid, sebacic acid, dodecanoic acid and other aliphatic dibasic acids, terephthalic acid, isophthalic acid, orthophthalic acid, 1,2-naphthalenecarboxylic acid, 1, Aromatic dibasic acids such as 6-naphthalenedicarboxylic acid, or alicyclic dibasic acids such as 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, 4-methyl-1,2-cyclohexanedicarboxylic acid Is mentioned.

前記グリコール化合物としては、エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−プロピレングリコール、1,2−ブチレングリコール、1,3−ブチレングリコール、2,3−ブチレングリコール、1,4−ブチレングリコール、2−メチル−1,3−プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、3−メチル−1,5−ペンタンジオール、2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオール、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオール、2−エチル−1,3−ヘキサンジオール、2,2−ジメチル−3−ヒドロキシプロピル−2’,2’−ジメチル−3−ヒドロキシプロパネート、2−nブチル−2−エチル−1,3−プロパンジオール、3−エチル−1,5−ペンタンジオール、3−プロピル−1,5−ペンタンジオール、2,2−ジエチル−1,3−プロパンジオール、3−オクチル−1,5−ペンタンジオール等の脂肪族系ジオール類や1,3−ビス(ヒドロキシメチル)シクロヘキサン、1,4−ビス(ヒドロキシメチル)シクロヘキサン、1,4−ビス(ヒドロキシエチル)シクロヘキサン、1,4−ビス(ヒドロキシプロピル)シクロヘキサン、1,4−ビス(ヒドロキシメトキシ)シクロヘキサン、1,4−ビス(ヒドロキシエトキシ)シクロヘキサン、2,2ビス(4−ヒドロキシメトキシシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(4ヒドロキシエトキシシクロヘキシル)プロパン、ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)メタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパン、3(4),8(9)−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカンジメタノール等の脂環族系グリコール類、或いはビスフェノールAのエチレンオキサイドやプロピレンオキサイド付加物等の芳香族系グリコール類が挙げられる。 Examples of the glycol compound include ethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-propylene glycol, 1,2-butylene glycol, 1,3-butylene glycol, 2,3-butylene glycol, and 1,4-butylene glycol. 2-methyl-1,3-propylene glycol, neopentyl glycol, 3-methyl-1,5-pentanediol, 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol, 2,4-diethyl-1, 5-pentanediol, 2-ethyl-1,3-hexanediol, 2,2-dimethyl-3-hydroxypropyl-2 ′, 2′-dimethyl-3-hydroxypropanoate, 2-nbutyl-2-ethyl- 1,3-propanediol, 3-ethyl-1,5-pentanediol, 3-propyl-1,5-penta Aliphatic diols such as diol, 2,2-diethyl-1,3-propanediol, 3-octyl-1,5-pentanediol, 1,3-bis (hydroxymethyl) cyclohexane, 1,4-bis ( Hydroxymethyl) cyclohexane, 1,4-bis (hydroxyethyl) cyclohexane, 1,4-bis (hydroxypropyl) cyclohexane, 1,4-bis (hydroxymethoxy) cyclohexane, 1,4-bis (hydroxyethoxy) cyclohexane, 2 , 2bis (4-hydroxymethoxycyclohexyl) propane, 2,2-bis (4hydroxyethoxycyclohexyl) propane, bis (4-hydroxycyclohexyl) methane, 2,2-bis (4-hydroxycyclohexyl) propane, 3 (4 ), 8 (9) -Tricyclo [5.2 1.0 2,6 ] alicyclic glycols such as decanedimethanol, or aromatic glycols such as ethylene oxide and propylene oxide adducts of bisphenol A.

更に、前記3官能以上の多価カルボン酸や多価アルコール化合物としては、トリメリット酸やピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール等が挙げられる。   Furthermore, examples of the trifunctional or higher polyhydric carboxylic acid and polyhydric alcohol compound include trimellitic acid, pyromellitic acid, benzophenone tetracarboxylic acid, glycerin, trimethylolpropane, and pentaerythritol.

前記第1段階の反応は、縮合反応で生成する縮合水をトルエンやキシレンにより共沸脱水させることで、或いは反応系内に不活性ガスを吹き込み不活性ガスと共に縮合反応で生成した水やモノアルコールを反応系外に吹き出す又は減圧下に溜去することで進められる。反応に用いられる触媒としては、通常のポリエステル樹脂重合触媒同様、チタン系、錫系、アンチモン系、亜鉛系、ゲルマニウム系等の種々金属化合物やp−トルエンスルホン酸や硫酸等の強酸化合物を用いることができる。   In the first stage reaction, the condensed water produced by the condensation reaction is azeotropically dehydrated with toluene or xylene, or the inert gas is blown into the reaction system and the water or monoalcohol produced by the condensation reaction together with the inert gas. Is carried out by blowing out the reaction system or distilling it off under reduced pressure. As the catalyst used for the reaction, as with a normal polyester resin polymerization catalyst, various metal compounds such as titanium, tin, antimony, zinc and germanium, and strong acid compounds such as p-toluenesulfonic acid and sulfuric acid should be used. Can do.

次いで、前記第2段階の反応では、第1段階で得られた水酸基末端又はカルボン酸末端を多量に有した樹状分岐化合物に、アクリレート、メタクリレート等の不飽和結合基が付加される。具体的に用いられる化合物としては、末端が水酸基の樹状分岐化合物の場合、アクリル酸、メタクリル酸等のモノカルボン酸との縮合による方法、無水マレイン酸の付加による方法等が挙げられる。或いは無水コハク酸、トリメリット酸等の無水酸化合物で水酸基をカルボン酸に変換した後、このカルボン酸基とグリシジル(メタ)アクリレート化合物のグリシジル基との反応により不飽和結合を導入することも可能である。
一方、末端がカルボン酸基の場合には、2−ヒドロキシエチルアクリレートや2−ヒドロキシメタクリレート等のモノアルコールとの縮合による方法、或いはグリシジル(メタ)アクリレート化合物のグリシジル基との反応による方法が挙げられる。本発明の樹状分岐化合物の合成に際しては何れの方法を用いても構わない。
Next, in the second-stage reaction, an unsaturated bond group such as acrylate or methacrylate is added to the dendritic compound obtained in the first stage and having a large amount of hydroxyl terminal or carboxylic acid terminal. Specific examples of the compound used in the case of a dendritic branched compound having a hydroxyl group at the end include a method by condensation with a monocarboxylic acid such as acrylic acid and methacrylic acid, and a method by addition of maleic anhydride. Alternatively, after converting the hydroxyl group to carboxylic acid with an acid anhydride compound such as succinic anhydride or trimellitic acid, it is also possible to introduce an unsaturated bond by reacting this carboxylic acid group with the glycidyl group of the glycidyl (meth) acrylate compound. It is.
On the other hand, when the terminal is a carboxylic acid group, a method by condensation with a monoalcohol such as 2-hydroxyethyl acrylate or 2-hydroxy methacrylate, or a method by reaction with a glycidyl group of a glycidyl (meth) acrylate compound can be mentioned. . Any method may be used for the synthesis of the dendritic branched compound of the present invention.

前記第2段階の反応においては、第1段階で得られた樹状分岐化合物が有する末端官能基の全てに対して不飽和結合基を導入してもよいし、部分的に導入して一部未反応状態で残存させてもよい。   In the reaction in the second stage, unsaturated bond groups may be introduced into all of the terminal functional groups of the dendritic compound obtained in the first stage, or partly introduced. It may be left unreacted.

以下に、本発明に好適に使用しうる少なくとも2つの重合性基を有する樹状分岐化合物の例〔例示化合物(M−1)〜(M−24)〕を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、例示化合物は、末端Rがすべて重合性基が置換した例を示すが、これは、一部未反応で、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基などのままで存在していてもよい。前記一部未反応の際は、重合性基が置換した数が、前記一部未反応の、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基よりも多い方が、重合反応性向上の点で好ましい。   Examples of dendritic compounds having at least two polymerizable groups that can be suitably used in the present invention will be shown below [Exemplary compounds (M-1) to (M-24)], but the present invention is limited to these. Is not to be done. In addition, although an exemplary compound shows the example which all the terminal R substituted by the polymeric group, this is partially unreacted and may exist with a hydroxy group, a carboxyl group, an amino group, etc. as it is. In the case of the partial unreaction, it is preferable from the viewpoint of improving the polymerization reactivity that the number of substituted polymerizable groups is larger than the partially unreacted hydroxy group, carboxyl group, and amino group.

前記少なくとも2つの重合性基を有する樹状分岐化合物は、質量平均分子量が1,000以上で、重合性基を6以上有する多分岐化合物であることが好ましく、質量平均分子量1,500以上で、重合性基を8以上有する多分岐化合物であることがより好ましく、質量平均分子量2,000以上で、重合性基を10以上有するものが特に好ましい。
少なくとも2つの重合性基を有する樹状分岐化合物の質量平均分子量に特に上限はないが、現像性などの観点から、20,000以下であることが好ましく、15,000以下であることがよりこのましく、10,000以下であることが特に好ましい。また、重合性基は、それぞれの分岐構造の末端に位置することが好ましい。
The dendritic compound having at least two polymerizable groups is preferably a multi-branched compound having a mass average molecular weight of 1,000 or more and having 6 or more polymerizable groups, and having a mass average molecular weight of 1,500 or more. It is more preferably a multi-branched compound having 8 or more polymerizable groups, and a compound having a mass average molecular weight of 2,000 or more and 10 or more polymerizable groups is particularly preferable.
There is no particular upper limit to the weight average molecular weight of the dendritic compound having at least two polymerizable groups, but from the viewpoint of developability and the like, it is preferably 20,000 or less, more preferably 15,000 or less. Particularly preferably, it is 10,000 or less. Moreover, it is preferable that a polymeric group is located in the terminal of each branched structure.

前記重合性化合物としては、前記重合性基を有する樹状分岐化合物の他に、エチレン性不飽和結合を1つ以上有する化合物を併用してもよい。   As the polymerizable compound, in addition to the dendritic compound having the polymerizable group, a compound having one or more ethylenically unsaturated bonds may be used in combination.

前記エチレン性不飽和結合としては、例えば、(メタ)アクリロイル基、(メタ)アクリルアミド基、スチリル基、ビニルエステルやビニルエーテル等のビニル基、アリルエーテルやアリルエステル等のアリル基、などが挙げられる。   Examples of the ethylenically unsaturated bond include (meth) acryloyl group, (meth) acrylamide group, styryl group, vinyl group such as vinyl ester and vinyl ether, allyl group such as allyl ether and allyl ester, and the like.

前記エチレン性不飽和結合を1つ以上有する化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、(メタ)アクリル基を有するモノマーから選択される少なくとも1種が好適に挙げられる。   The compound having one or more ethylenically unsaturated bonds is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, at least one selected from monomers having a (meth) acryl group is Preferably mentioned.

前記(メタ)アクリル基を有するモノマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート等の単官能アクリレートや単官能メタクリレート;ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールエタントリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールペンタ(メタ)アクリレート、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(アクリロイルオキシプロピル)エーテル、トリ(アクリロイルオキシエチル)イソシアヌレート、トリ(アクリロイルオキシエチル)シアヌレート、グリセリントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンやグリセリン、ビスフェノール等の多官能アルコールに、エチレンオキサイドやプロピレンオキサイドを付加反応した後で(メタ)アクリレート化したもの、特公昭48−41708号、特公昭50−6034号、特開昭51−37193号等の各公報に記載されているウレタンアクリレート類;特開昭48−64183号、特公昭49−43191号、特公昭52−30490号等の各公報に記載されているポリエステルアクリレート類;エポキシ樹脂と(メタ)アクリル酸の反応生成物であるエポキシアクリレート類等の多官能アクリレートやメタクリレートなどが挙げられる。これらの中でも、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールペンタ(メタ)アクリレートが特に好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as a monomer which has the said (meth) acryl group, According to the objective, it can select suitably, For example, polyethyleneglycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) ) Monofunctional acrylates and monofunctional methacrylates such as acrylates; polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolethane triacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane diacrylate, neopentylglycol di (Meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (Meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, hexanediol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (acryloyloxypropyl) ether, tri (acryloyloxyethyl) isocyanurate, tri (acryloyloxyethyl) cyanurate, glycerin Poly (functional) alcohols such as tri (meth) acrylate, trimethylolpropane, glycerin, bisphenol, etc., which are subjected to addition reaction with ethylene oxide and propylene oxide, and converted to (meth) acrylate, Japanese Patent Publication No. 48-41708, Japanese Patent Publication No. 50- Urethane acrylates described in JP-A-6034, JP-A-51-37193, etc .; JP-A-48-64183, JP-B-49-43191, JP-B-52-30 Polyester acrylates described in each publication of such 90 No.; and epoxy resin and (meth) polyfunctional acrylates or methacrylates such as epoxy acrylates which are reaction products of acrylic acid. Among these, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and dipentaerythritol penta (meth) acrylate are particularly preferable.

前記重合性化合物の前記感光性組成物固形分中の固形分含有量は、5〜50質量%が好ましく、10〜40質量%がより好ましい。該固形分含有量が5質量%未満であると、現像性の悪化、露光感度の低下などの問題を生ずることがあり、50質量%を超えると、感光層の粘着性が強くなりすぎることがある。   5-50 mass% is preferable and, as for solid content in the said photosensitive composition solid content of the said polymeric compound, 10-40 mass% is more preferable. If the solid content is less than 5% by mass, problems such as deterioration of developability and reduction in exposure sensitivity may occur, and if it exceeds 50% by mass, the adhesiveness of the photosensitive layer may become too strong. is there.

<光重合開始剤>
前記光重合開始剤としては、オキシム誘導体を含む。前記オキシム誘導体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、少なくとも芳香族基を有する化合物であることが好ましく、下記一般式(I)及び下記一般式(II)のいずれかで表される部分構造を有する化合物であることがより好ましい。前記オキシム誘導体は、2種以上を併用してもよい。
ただし、前記一般式(I)及び(II)中、Arは、芳香族基、及び複素環基のいずれかを表し、Yは、水素原子、及び一価の置換基のいずれかを表し、Yは、脂肪族基、芳香族基、複素環基、COY、CO、及びCONYのいずれかを表し、Y、Y、及びYは、脂肪族基、芳香族基、及び複素環基のいずれかを表し、mは1以上の整数を表す。
<Photopolymerization initiator>
The photopolymerization initiator includes an oxime derivative. There is no restriction | limiting in particular as said oxime derivative, Although it can select suitably according to the objective, It is preferable that it is a compound which has an aromatic group at least, and the following general formula (I) and the following general formula (II) It is more preferable that the compound has a partial structure represented by any of them. Two or more oxime derivatives may be used in combination.
In the general formula (I) and (II), Ar represents an aromatic group, or a heterocyclic group, Y 1 represents any substituent of a hydrogen atom and monovalent, Y 2 represents an aliphatic group, an aromatic group, a heterocyclic group, COY 3 , CO 2 Y 3 , or CONY 4 Y 5 , and Y 3 , Y 4 , and Y 5 are an aliphatic group, It represents either an aromatic group or a heterocyclic group, and m represents an integer of 1 or more.

前記Yとしては、水素原子、脂肪族基、及び芳香族基のいずれかであることが好ましい。
前記Yとしては、脂肪族基、−CO−(脂肪族基)、−CO−(芳香族基)、−CO−(複素環基)、−CO−(脂肪族基)、−CO−(芳香族基)、及び−CO−(複素環基)のいずれかであることが好ましい。
前記Y及びYとしては、脂肪族基及び芳香族基のいずれかであることが好ましい。
Y 1 is preferably a hydrogen atom, an aliphatic group, or an aromatic group.
Y 2 includes an aliphatic group, —CO— (aliphatic group), —CO— (aromatic group), —CO— (heterocyclic group), —CO 2 — (aliphatic group), —CO 2. - (aromatic group), and -CO 2 - is preferably any one of (heterocyclic group).
Y 3 and Y 4 are preferably either an aliphatic group or an aromatic group.

前記オキシム誘導体としては、前記一般式(I)及び前記一般式(II)で表される構造が、連結基を介して複数結合してなる化合物であってもよい。   The oxime derivative may be a compound in which a plurality of structures represented by the general formula (I) and the general formula (II) are bonded via a linking group.

なお、前記一般式(I)及び前記一般式(II)中、前記脂肪族基は、それぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基を表し、前記芳香族基は、それぞれ置換基を有していてもよいアリール基、複素環(ヘテロ環)基を表し、前記1価の置換基としては、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアミノ基、アルコキシカルボニル基、水酸基、エーテル基、チオール基、チオエーテル基、シリル基、ニトロ基、シアノ基、それぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基を表す。   In the general formula (I) and the general formula (II), the aliphatic group represents an alkyl group, an alkenyl group, and an alkynyl group, each of which may have a substituent, and the aromatic group is Each represents an optionally substituted aryl group or heterocyclic (heterocyclic) group, and examples of the monovalent substituent include a halogen atom, an optionally substituted amino group, an alkoxycarbonyl group, It represents a hydroxyl group, an ether group, a thiol group, a thioether group, a silyl group, a nitro group, a cyano group, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, or a heterocyclic group, each of which may have a substituent.

前記芳香族基としては、1個から3個のベンゼン環が縮合環を形成したもの、ベンゼン環と5員不飽和環が縮合環を形成したものを挙げることができ、具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基を挙げることができ、中でも、フェニル基及びナフチル基のいずれかを有する基が好ましく、ナフチル基を有する基が特に好ましい。
また、これらの芳香族基は置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基が挙げられる。例えば、後述のアルキル基、置換アルキル基、又は置換アルキル基における置換基として示したものなどを挙げることができる。
Examples of the aromatic group include those in which 1 to 3 benzene rings form a condensed ring, and those in which a benzene ring and a 5-membered unsaturated ring form a condensed ring. Specific examples include phenyl Group, naphthyl group, anthryl group, phenanthryl group, indenyl group, acenaphthenyl group and fluorenyl group can be mentioned. Among them, a group having any of phenyl group and naphthyl group is preferable, and a group having naphthyl group is particularly preferable.
In addition, these aromatic groups may have a substituent, and examples of such a substituent include a group composed of a monovalent nonmetallic atomic group excluding a hydrogen atom. For example, what was shown as a substituent in the below-mentioned alkyl group, a substituted alkyl group, or a substituted alkyl group can be mentioned.

また、前記複素環(ヘテロ環)基としては、ピロール環基、フラン環基、チオフェン環基、ベンゾピロール環基、ベンゾフラン環基、ベンゾチオフェン環基、ピラゾール環基、イソキサゾール環基、イソチアゾール環基、インダゾール環基、ベンゾイソキサゾール環基、ベンゾイソチアゾール環基、イミダゾール環基、オキサゾール環基、チアゾール環基、ベンズイミダゾール環基、ベンズオキサゾール環基、ベンゾチアゾール環基、ピリジン環基、キノリン環基、イソキノリン環基、ピリダジン環基、ピリミジン環基、ピラジン環基、フタラジン環基、キナゾリン環基、キノキサリン環基、アシリジン環基、フェナントリジン環基、カルバゾール環基、プリン環基、ピラン環基、ピペリジン環基、ピペラジン環基、モルホリン環基、インドール環基、インドリジン環基、クロメン環基、シンノリン環基、アクリジン環基、フェノチアジン環基、テトラゾール環基、トリアジン環基等が挙げられ、中でも、フラン環基、チオフェン環基、イミダゾール環基、チアゾール環基、ベンゾチアゾール環基、ピリジン環基、インドール環基、アクリジン環基が特に好ましい。
また、これらの複素環基は置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、水素原子を除く1価の非金属原子団からなる基が挙げられる。例えば、後述のアルキル基、置換アルキル基、又は置換アルキル基における置換基として示したものを挙げることができる。
The heterocyclic (heterocyclic) group includes a pyrrole ring group, a furan ring group, a thiophene ring group, a benzopyrrole ring group, a benzofuran ring group, a benzothiophene ring group, a pyrazole ring group, an isoxazole ring group, and an isothiazole ring. Group, indazole ring group, benzisoxazole ring group, benzoisothiazole ring group, imidazole ring group, oxazole ring group, thiazole ring group, benzimidazole ring group, benzoxazole ring group, benzothiazole ring group, pyridine ring group, Quinoline ring group, isoquinoline ring group, pyridazine ring group, pyrimidine ring group, pyrazine ring group, phthalazine ring group, quinazoline ring group, quinoxaline ring group, acylidine ring group, phenanthridine ring group, carbazole ring group, purine ring group, Pyran ring group, piperidine ring group, piperazine ring group, morpholine ring group, India Ring group, indolizine ring group, chromene ring group, cinnoline ring group, acridine ring group, phenothiazine ring group, tetrazole ring group, triazine ring group, etc., among which furan ring group, thiophene ring group, imidazole ring group , Thiazole ring group, benzothiazole ring group, pyridine ring group, indole ring group, and acridine ring group are particularly preferable.
Moreover, these heterocyclic groups may have a substituent, and examples of such a substituent include a group composed of a monovalent nonmetallic atomic group excluding a hydrogen atom. For example, what was shown as a substituent in the below-mentioned alkyl group, a substituted alkyl group, or a substituted alkyl group can be mentioned.

前記1価の置換基としては、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアミノ基、アルコキシカルボニル基、水酸基、エーテル基、チオール基、チオエーテル基、シリル基、ニトロ基、シアノ基、それぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基が好ましい。   Examples of the monovalent substituent include a halogen atom, an amino group which may have a substituent, an alkoxycarbonyl group, a hydroxyl group, an ether group, a thiol group, a thioether group, a silyl group, a nitro group, and a cyano group. An alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group or a heterocyclic group which may have a hydrogen atom is preferred.

また、前記非金属原子からなる1価の置換基としては、それぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基が好ましい。   In addition, the monovalent substituent composed of the nonmetal atom is preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, or a heterocyclic group, each of which may have a substituent.

前記置換基を有していてもよいアルキル基としては、炭素原子数が1から20までの直鎖状、分岐状、および環状のアルキル基を挙げることができ、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、エイコシル基、イソプロピル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、1−メチルブチル基、イソヘキシル基、2−エチルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、2−ノルボルニル基を挙げることができる。これらの中では、炭素原子数1から12までの直鎖状、炭素原子数3から12までの分岐状、並びに炭素原子数5から10までの環状のアルキル基がより好ましい。   Examples of the alkyl group that may have a substituent include linear, branched, and cyclic alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof include a methyl group. , Ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, undecyl, dodecyl, tridecyl, hexadecyl, octadecyl, eicosyl, isopropyl, isobutyl A group, s-butyl group, t-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1-methylbutyl group, isohexyl group, 2-ethylhexyl group, 2-methylhexyl group, cyclohexyl group, cyclopentyl group, 2-norbornyl group Can do. Of these, linear alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, branched alkyl groups having 3 to 12 carbon atoms, and cyclic alkyl groups having 5 to 10 carbon atoms are more preferable.

前記置換基を有していてもよいアルキル基の置換基としては、水素原子を除く一価の非金属原子からなる置換基が挙げられ、好ましい例としては、ハロゲン原子(−F、−Br、−Cl、−I)、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルジチオ基、アリールジチオ基、アミノ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、N,N−ジアリールアミノ基、N−アルキル−N−アリールアミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、N,N−ジアルキルカルバモイルオキシ基、N,N−ジアリールカルバモイルオキシ基、N−アルキル−N−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、N’−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキルウレイド基、N’−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリールウレイド基、N−アルキルウレイド基、N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アリールウレイド基、N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アリール−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N,N−ジアリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基(−SOH)及びその共役塩基基(スルホナト基と称す)、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、N−アルキルスルフィナモイル基、N,N−ジアルキルスルフィイナモイル基、N−アリールスルフィナモイル基、N,N−ジアリールスルフィナモイル基、N−アルキル−N−アリールスルフィナモイル基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N,N−ジアリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、ホスホノ基(−PO)およびその共役塩基基(ホスホナト基と称す)、ジアルキルホスホノ基(−PO(alkyl))「alkyl=アルキル基、以下同」、ジアリールホスホノ基(−PO(aryl))「aryl=アリール基、以下同」、アルキルアリールホスホノ基(−PO(alkyl)(aryl))、モノアルキルホスホノ基(−PO(alkyl))及びその共役塩基基(アルキルホスホナト基と称す)、モノアリールホスホノ基(−POH(aryl))及びその共役塩基基(アリールホスホナト基と称す)、ホスホノオキシ基(−OPO)及びその共役塩基基(ホスホナトオキシ基と称す)、ジアルキルホスホノオキシ基(−OPOH(alkyl))、ジアリールホスホノオキシ基(−OPO3(aryl))、アルキルアリールホスホノオキシ基(−OPO(alkyl)(aryl))、モノアルキルホスホノオキシ基(−OPOH(alkyl))及びその共役塩基基(アルキルホスホナトオキシ基と称す)、モノアリールホスホノオキシ基(−OPOH(aryl))及びその共役塩基基(アリールホスホナトオキシ基と称す)、シアノ基、ニトロ基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロ環基、シリル基等が挙げられる。 Examples of the substituent of the alkyl group which may have a substituent include a substituent composed of a monovalent non-metal atom excluding a hydrogen atom. Preferred examples include halogen atoms (—F, —Br, -Cl, -I), hydroxyl group, alkoxy group, aryloxy group, mercapto group, alkylthio group, arylthio group, alkyldithio group, aryldithio group, amino group, N-alkylamino group, N, N-dialkylamino group, N-arylamino group, N, N-diarylamino group, N-alkyl-N-arylamino group, acyloxy group, carbamoyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, N, N-dialkyl Carbamoyloxy group, N, N-diarylcarbamoyloxy group, N-alkyl-N-arylcal Moyloxy group, alkylsulfoxy group, arylsulfoxy group, acylthio group, acylamino group, N-alkylacylamino group, N-arylacylamino group, ureido group, N′-alkylureido group, N ′, N′-dialkyl Ureido group, N′-arylureido group, N ′, N′-diarylureido group, N′-alkyl-N′-arylureido group, N-alkylureido group, N-arylureido group, N′-alkyl-N -Alkylureido group, N'-alkyl-N-arylureido group, N ', N'-dialkyl-N-alkylureido group, N', N'-dialkyl-N-arylureido group, N'-aryl-N -Alkylureido group, N'-aryl-N-arylureido group, N ', N'-diaryl-N-alkylureido group, N', N'-diary Ru-N-arylureido group, N′-alkyl-N′-aryl-N-alkylureido group, N′-alkyl-N′-aryl-N-arylureido group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group N-alkyl-N-alkoxycarbonylamino group, N-alkyl-N-aryloxycarbonylamino group, N-aryl-N-alkoxycarbonylamino group, N-aryl-N-aryloxycarbonylamino group, formyl group, Acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N, N-diarylcarbamoyl group, N-alkyl- N-arylcarbamoyl group, al Killsulfinyl group, arylsulfinyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group, sulfo group (—SO 3 H) and its conjugate base group (referred to as sulfonate group), alkoxysulfonyl group, aryloxysulfonyl group, sulfinamoyl group, N— Alkylsulfinamoyl group, N, N-dialkylsulfinamoyl group, N-arylsulfinamoyl group, N, N-diarylsulfinamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfinamoyl group, sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfamoyl group, N-arylsulfamoyl group, N, N-diarylsulfamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfamoyl group, phosphono group (-PO 3 H 2) and its conjugated base group (a phosphonato And referred), a dialkyl phosphono group (-PO 3 (alkyl) 2) "alkyl = alkyl group, hereinafter the" diarylphosphono group (-PO 3 (aryl) 2) "aryl = aryl group, hereinafter the same", An alkylarylphosphono group (—PO 3 (alkyl) (aryl)), a monoalkylphosphono group (—PO 3 (alkyl)) and a conjugate base group thereof (referred to as an alkylphosphonate group), a monoarylphosphono group ( -PO 3 H (aryl)) and its conjugate base group (referred to as arylphosphonate group), phosphonooxy group (—OPO 3 H 2 ) and its conjugate base group (referred to as phosphonatoxy group), dialkylphosphonooxy group (— OPO 3 H (alkyl) 2) , diaryl phosphono group (-OPO 3 (aryl) 2) , alkylaryl Phosphonooxy group (-OPO 3 (alkyl) (aryl)), monoalkyl phosphono group (-OPO 3 H (alkyl)) and (referred to as alkylphosphonato group) a conjugate base group thereof, monoarylphosphono group (—OPO 3 H (aryl)) and its conjugate base group (referred to as arylphosphonatoxy group), cyano group, nitro group, aryl group, alkenyl group, alkynyl group, heterocyclic group, silyl group and the like.

これらの置換基におけるアルキル基の具体例としては、前述のアルキル基が挙げられ、前記置換基におけるアリール基の具体例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、クロロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、アセトキシフェニル基、ベンゾイロキシフェニル基、メチルチオフェニル基、フェニルチオフェニル基、メチルアミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、アセチルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、エトキシフェニルカルボニル基、フェノキシカルボニルフェニル基、N−フェニルカルバモイルフェニル基、シアノフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、ホスホノフェニル基、ホスホナトフェニル基等が挙げられる。   Specific examples of the alkyl group in these substituents include the above-described alkyl groups, and specific examples of the aryl group in the substituent include a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a tolyl group, a xylyl group, and a mesityl group. , Cumenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, chloromethylphenyl group, hydroxyphenyl group, methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, phenoxyphenyl group, acetoxyphenyl group, benzoyloxyphenyl group, methylthiophenyl group, phenylthiophenyl group , Methylaminophenyl group, dimethylaminophenyl group, acetylaminophenyl group, carboxyphenyl group, methoxycarbonylphenyl group, ethoxyphenylcarbonyl group, phenoxycarbonylphenyl group, N-phenylcarbamoylpheny Group, cyanophenyl group, sulfophenyl group, sulfonatophenyl group, phosphonophenyl group, phosphate Hona preparative phenyl group.

また、前記置換基におけるアルケニル基の例としては、ビニル基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、シンナミル基、2−クロロ−1−エテニル基等が挙げられ、前記置換基におけるアルキニル基の例としては、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、トリメチルシリルエチニル基等が挙げられる。
前記置換基におけるヘテロ環基としては、例えば、ピリジル基、ピペリジニル基、などが挙げられる。
前記置換基におけるシリル基としてはトリメチルシリル基等が挙げられる。
前記置換基にはアシル基(R01CO−)を含んでいてもよく、該アシル基としては、該R01が、例えば、水素原子、上記のアルキル基、アリール基のものなどが挙げられる。
Examples of the alkenyl group in the substituent include a vinyl group, 1-propenyl group, 1-butenyl group, cinnamyl group, 2-chloro-1-ethenyl group, and the like. Examples of the alkynyl group in the substituent Examples thereof include an ethynyl group, a 1-propynyl group, a 1-butynyl group, and a trimethylsilylethynyl group.
Examples of the heterocyclic group in the substituent include a pyridyl group and a piperidinyl group.
Examples of the silyl group in the substituent include a trimethylsilyl group.
The substituent may contain an acyl group (R 01 CO—), and examples of the acyl group include those in which R 01 is a hydrogen atom, the above alkyl group, or an aryl group.

アシル基(R01CO−)のR01としては、水素原子、並びに前記アルキル基、アリール基を挙げることができる。これらの置換基の内、さらにより好ましいものとしてはハロゲン原子(−F、−Br、−Cl、−I)、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、アシルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、スルホ基、スルホナト基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基、モノアルキルホスホノ基、アルキルホスホナト基、モノアリールホスホノ基、アリールホスホナト基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基、アリール基、アルケニル基が挙げられる。 The R 01 of the acyl group (R 01 CO-), a hydrogen atom, and the alkyl group, and an aryl group. Among these substituents, halogen atoms (—F, —Br, —Cl, —I), alkoxy groups, aryloxy groups, alkylthio groups, arylthio groups, N-alkylamino groups, N, N are more preferable. -Dialkylamino group, acyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, acylamino group, formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group Group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N-alkyl-N-arylcarbamoyl group, sulfo group, sulfonate group, sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfa group Moyl group, N-arylsulfur Amoyl group, N-alkyl-N-arylsulfamoyl group, phosphono group, phosphonato group, dialkylphosphono group, diarylphosphono group, monoalkylphosphono group, alkylphosphonato group, monoarylphosphono group, arylphospho Examples thereof include a nato group, a phosphonooxy group, a phosphonatooxy group, an aryl group, and an alkenyl group.

一方、置換アルキル基におけるアルキレン基としては前述の炭素数1から20までのアルキル基上の水素原子のいずれか1つを除し、2価の有機残基としたものを挙げることができ、好ましくは炭素原子数1から12までの直鎖状、炭素原子数3から12までの分岐状ならびに炭素原子数5から10までの環状のアルキレン基を挙げることができる。このような置換基とアルキレン基を組み合わせることで得られる置換アルキル基の、好ましい具体例としては、クロロメチル基、ブロモメチル基、2−クロロエチル基、トリフルオロメチル基、メトキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ブトキシメチル基、s−ブトキシブチル基、メトキシエトキシエチル基、アリルオキシメチル基、フェノキシメチル基、メチルチオメチル基、トリルチオメチル基、ピリジルメチル基、テトラメチルピペリジニルメチル基、N−アセチルテトラメチルピペリジニルメチル基、トリメチルシリルメチル基、メトキシエチル基、エチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル基、モルホリノプロピル基、アセチルオキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基、N−シクロヘキシルカルバモイルオキシエチル基、N−フェニルカルバモイルオキシエチル基、アセチルアミノエチル基、N−メチルベンゾイルアミノプロピル基、2−オキソエチル基、2−オキソプロピル基、カルボキシプロピル基、メトキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルブチル基、クロロフェノキシカルボニルメチル基、カルバモイルメチル基、N−メチルカルバモイルエチル基、N,N−ジプロピルカルバモイルメチル基、N−(メトキシフェニル)カルバモイルエチル基、N−メチル−N−(スルホフェニル)カルバモイルメチル基、スルホブチル基、スルホナトブチル基、スルファモイルブチル基、N−エチルスルファモイルメチル基、N,N−ジプロピルスルファモイルプロピル基、N−トリルスルファモイルプロピル基、N−メチル−N−(ホスホノフェニル)スルファモイルオクチル基、ホスホノブチル基、ホスホナトヘキシル基、ジエチルホスホノブチル基、ジフェニルホスホノプロピル基、メチルホスホノブチル基、メチルホスホナトブチル基、トリルホスホノヘキシル基、トリルホスホナトヘキシル基、ホスホノオキシプロピル基、ホスホナトオキシブチル基、ベンジル基、フェネチル基、α−メチルベンジル基、1−メチル−1−フェニルエチル基、p−メチルベンジル基、シンナミル基、アリル基、1−プロペニルメチル基、2−ブテニル基、2−メチルアリル基、2−メチルプロペニルメチル基、2−プロピニル基、2−ブチニル基、3−ブチニル基等が挙げられる。   On the other hand, examples of the alkylene group in the substituted alkyl group include a divalent organic residue obtained by removing any one of the hydrogen atoms on the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Can include linear alkylene groups having 1 to 12 carbon atoms, branched chains having 3 to 12 carbon atoms, and cyclic alkylene groups having 5 to 10 carbon atoms. Preferable specific examples of the substituted alkyl group obtained by combining such a substituent and an alkylene group include a chloromethyl group, a bromomethyl group, a 2-chloroethyl group, a trifluoromethyl group, a methoxymethyl group, and an isopropoxymethyl group. , Butoxymethyl group, s-butoxybutyl group, methoxyethoxyethyl group, allyloxymethyl group, phenoxymethyl group, methylthiomethyl group, tolylthiomethyl group, pyridylmethyl group, tetramethylpiperidinylmethyl group, N-acetyltetra Methylpiperidinylmethyl group, trimethylsilylmethyl group, methoxyethyl group, ethylaminoethyl group, diethylaminopropyl group, morpholinopropyl group, acetyloxymethyl group, benzoyloxymethyl group, N-cyclohexylcarbamoyloxyethyl Group, N-phenylcarbamoyloxyethyl group, acetylaminoethyl group, N-methylbenzoylaminopropyl group, 2-oxoethyl group, 2-oxopropyl group, carboxypropyl group, methoxycarbonylethyl group, allyloxycarbonylbutyl group, chloro Phenoxycarbonylmethyl group, carbamoylmethyl group, N-methylcarbamoylethyl group, N, N-dipropylcarbamoylmethyl group, N- (methoxyphenyl) carbamoylethyl group, N-methyl-N- (sulfophenyl) carbamoylmethyl group, Sulfobutyl group, sulfonatobutyl group, sulfamoylbutyl group, N-ethylsulfamoylmethyl group, N, N-dipropylsulfamoylpropyl group, N-tolylsulfamoylpropyl group, N-methyl-N- (phosphonov Nyl) sulfamoyloctyl group, phosphonobutyl group, phosphonatohexyl group, diethylphosphonobutyl group, diphenylphosphonopropyl group, methylphosphonobutyl group, methylphosphonatobutyl group, tolylphosphonohexyl group, tolylphosphonatohexyl Group, phosphonooxypropyl group, phosphonatoxybutyl group, benzyl group, phenethyl group, α-methylbenzyl group, 1-methyl-1-phenylethyl group, p-methylbenzyl group, cinnamyl group, allyl group, 1- Examples include a propenylmethyl group, a 2-butenyl group, a 2-methylallyl group, a 2-methylpropenylmethyl group, a 2-propynyl group, a 2-butynyl group, and a 3-butynyl group.

前記アリール基としては、1個から3個のベンゼン環が縮合環を形成したもの、ベンゼン環と5員不飽和環が縮合環を形成したものを挙げることができ、具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基を挙げることができ、これらのなかでは、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。
前記置換アリール基としては、前述のアリール基の環形成炭素原子上に置換基として、水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基を有するものが用いられる。好ましい置換基の例としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびに、先に置換アルキル基における置換基として示したものを挙げることができる。
Examples of the aryl group include those in which 1 to 3 benzene rings form a condensed ring, and those in which a benzene ring and a 5-membered unsaturated ring form a condensed ring. Specific examples include a phenyl group , A naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, an indenyl group, an acenaphthenyl group, and a fluorenyl group. Among these, a phenyl group and a naphthyl group are more preferable.
As the substituted aryl group, those having a group consisting of a monovalent non-metallic atomic group excluding a hydrogen atom as a substituent on the ring-forming carbon atom of the aforementioned aryl group are used. Examples of preferred substituents include the alkyl groups, substituted alkyl groups, and those previously shown as substituents in the substituted alkyl group.

前記置換アリール基の好ましい具体例としては、ビフェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基、クロロメチルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、メトキシエトキシフェニル基、アリルオキシフェニル基、フェノキシフェニル基、メチルチオフェニル基、トリルチオフェニル基、エチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基、モルホリノフェニル基、アセチルオキシフェニル基、ベンゾイルオキシフェニル基、N−シクロヘキシルカルバモイルオキシフェニル基、N−フェニルカルバモイルオキシフェニル基、アセチルアミノフェニル基、N−メチルベンゾイルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、アリルオキシカルボニルフェニル基、クロロフェノキシカルボニルフェニル基、カルバモイルフェニル基、N−メチルカルバモイルフェニル基、N,N−ジプロピルカルバモイルフェニル基、N−(メトキシフェニル)カルバモイルフェニル基、N−メチル−N−(スルホフェニル)カルバモイルフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、スルファモイルフェニル基、N−エチルスルファモイルフェニル基、N,N−ジプロピルスルファモイルフェニル基、N−トリルスルファモイルフェニル基、N−メチル−N−(ホスホノフェニル)スルファモイルフェニル基、ホスホノフェニル基、ホスホナトフェニル基、ジエチルホスホノフェニル基、ジフェニルホスホノフェニル基、メチルホスホノフェニル基、メチルホスホナトフェニル基、トリルホスホノフェニル基、トリルホスホナトフェニル基、アリルフェニル基、1−プロペニルメチルフェニル基、2−ブテニルフェニル基、2−メチルアリルフェニル基、2−メチルプロペニルフェニル基、2−プロピニルフェニル基、2−ブチニルフェニル基、3−ブチニルフェニル基等を挙げることができる。   Preferred examples of the substituted aryl group include biphenyl group, tolyl group, xylyl group, mesityl group, cumenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, fluorophenyl group, chloromethylphenyl group, trifluoromethylphenyl group, hydroxyphenyl. Group, methoxyphenyl group, methoxyethoxyphenyl group, allyloxyphenyl group, phenoxyphenyl group, methylthiophenyl group, tolylthiophenyl group, ethylaminophenyl group, diethylaminophenyl group, morpholinophenyl group, acetyloxyphenyl group, benzoyloxyphenyl Group, N-cyclohexylcarbamoyloxyphenyl group, N-phenylcarbamoyloxyphenyl group, acetylaminophenyl group, N-methylbenzoylaminophenyl group, Nyl group, methoxycarbonylphenyl group, allyloxycarbonylphenyl group, chlorophenoxycarbonylphenyl group, carbamoylphenyl group, N-methylcarbamoylphenyl group, N, N-dipropylcarbamoylphenyl group, N- (methoxyphenyl) carbamoylphenyl group N-methyl-N- (sulfophenyl) carbamoylphenyl group, sulfophenyl group, sulfonatophenyl group, sulfamoylphenyl group, N-ethylsulfamoylphenyl group, N, N-dipropylsulfamoylphenyl group, N-tolylsulfamoylphenyl group, N-methyl-N- (phosphonophenyl) sulfamoylphenyl group, phosphonophenyl group, phosphonatophenyl group, diethylphosphonophenyl group, diphenylphosphonophenyl group, methyl Phosphonophenyl group, methylphosphonatophenyl group, tolylphosphonophenyl group, tolylphosphonatophenyl group, allylphenyl group, 1-propenylmethylphenyl group, 2-butenylphenyl group, 2-methylallylphenyl group, 2- Examples thereof include a methylpropenylphenyl group, a 2-propynylphenyl group, a 2-butynylphenyl group, and a 3-butynylphenyl group.

前記アルケニル基、前記置換アルケニル基、前記アルキニル基、及び前記置換アルキニル基(−C(R02)=C(R03)(R04)、及び−C≡C(R05))としては、R02、R03、R04、R05が一価の非金属原子からなる基のものが使用できる。
02、R03、R04、R05としては、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール基が好ましく、これらの具体例としては、前述の例として示したものを挙げることができる。これらの中でも、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1から10までの直鎖状、分岐状、環状のアルキル基がより好ましい。
具体的には、ビニル基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、1−ペンテニル基、1−ヘキセニル基、1−オクテニル基、1−メチル−1−プロペニル基、2−メチル−1−プロペニル基、2−メチル−1−ブテニル基、2−フェニル−1−エテニル基、2−クロロ−1−エテニル基、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、フェニルエチニル基等が挙げられる。
ヘテロ環基としては、置換アルキル基の置換基として例示したピリジル基等が挙げられる。
Examples of the alkenyl group, the substituted alkenyl group, the alkynyl group, and the substituted alkynyl group (-C (R 02 ) = C (R 03 ) (R 04 ) and -C≡C (R 05 )) include R A group in which 02 , R 03 , R 04 and R 05 are monovalent non-metallic atoms can be used.
R 02 , R 03 , R 04 , and R 05 are preferably a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, and a substituted aryl group, and specific examples thereof are shown in the above examples. Things can be mentioned. Among these, a hydrogen atom, a halogen atom, and a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms are more preferable.
Specifically, vinyl group, 1-propenyl group, 1-butenyl group, 1-pentenyl group, 1-hexenyl group, 1-octenyl group, 1-methyl-1-propenyl group, 2-methyl-1-propenyl group 2-methyl-1-butenyl group, 2-phenyl-1-ethenyl group, 2-chloro-1-ethenyl group, ethynyl group, 1-propynyl group, 1-butynyl group, phenylethynyl group and the like.
Examples of the heterocyclic group include the pyridyl group exemplified as the substituent of the substituted alkyl group.

上記置換オキシ基(R06O−)としては、R06が水素原子を除く一価の非金属原子からなる基であるものを用いることができる。好ましい置換オキシ基としては、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、N,N−ジアルキルカルバモイルオキシ基、N,N−ジアリールカルバモイルオキシ基、N−アルキル−N−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基を挙げることができる。これらにおけるアルキル基、ならびにアリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基ならびに、アリール基、置換アリール基として示したものを挙げることができる。また、アシルオキシ基におけるアシル基(R07CO−)としては、R07が、先の例として挙げたアルキル基、置換アルキル基、アリール基ならびに置換アリール基のものを挙げることができる。これらの置換基の中では、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシルオキシ基、アリールスルホキシ基がより好ましい。好ましい置換オキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ドデシルオキシ基、ベンジルオキシ基、アリルオキシ基、フェネチルオキシ基、カルボキシエチルオキシ基、メトキシカルボニルエチルオキシ基、エトキシカルボニルエチルオキシ基、メトキシエトキシ基、フェノキシエトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、モルホリノエトキシ基、モルホリノプロピルオキシ基、アリロキシエトキシエトキシ基、フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、メシチルオキシ基、メシチルオキシ基、クメニルオキシ基、メトキシフェニルオキシ基、エトキシフェニルオキシ基、クロロフェニルオキシ基、ブロモフェニルオキシ基、アセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ナフチルオキシ基、フェニルスルホニルオキシ基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基等が挙げられる。 As the substituted oxy group (R 06 O—), a group in which R 06 is a group composed of a monovalent nonmetallic atom excluding a hydrogen atom can be used. Preferred substituted oxy groups include alkoxy groups, aryloxy groups, acyloxy groups, carbamoyloxy groups, N-alkylcarbamoyloxy groups, N-arylcarbamoyloxy groups, N, N-dialkylcarbamoyloxy groups, N, N-diarylcarbamoyloxy groups. Groups, N-alkyl-N-arylcarbamoyloxy groups, alkylsulfoxy groups, arylsulfoxy groups, phosphonooxy groups, and phosphonatoxy groups. Examples of the alkyl group and aryl group in these include the alkyl groups, substituted alkyl groups, aryl groups, and substituted aryl groups described above. Examples of the acyl group (R 07 CO—) in the acyloxy group include those in which R 07 is an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, or a substituted aryl group mentioned above. Among these substituents, an alkoxy group, an aryloxy group, an acyloxy group, and an arylsulfoxy group are more preferable. Specific examples of preferred substituted oxy groups include methoxy, ethoxy, propyloxy, isopropyloxy, butyloxy, pentyloxy, hexyloxy, dodecyloxy, benzyloxy, allyloxy, phenethyloxy, Carboxyethyloxy group, methoxycarbonylethyloxy group, ethoxycarbonylethyloxy group, methoxyethoxy group, phenoxyethoxy group, methoxyethoxyethoxy group, ethoxyethoxyethoxy group, morpholinoethoxy group, morpholinopropyloxy group, allyloxyethoxyethoxy group, Phenoxy group, tolyloxy group, xylyloxy group, mesityloxy group, mesityloxy group, cumenyloxy group, methoxyphenyloxy group, ethoxyphenyloxy group, chlorophenyl Alkoxy group, bromophenyl group, acetyloxy group, benzoyloxy group, naphthyloxy group, a phenylsulfonyloxy group, a phosphonooxy group, phosphonatoxy group, and the like.

アミド基も含む置換アミノ基(R08NH−、(R09)(R010)N−)としては、R08、R09、R010が水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基のものを使用できる。なおR09とR010とは結合して環を形成してもよい。置換アミノ基の好ましい例としては、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、N,N−ジアリールアミノ基、N−アルキル−N−アリールアミノ基、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、N’−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキルウレイド基、N’−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリールウレイド基、N−アルキルウレイド基、N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N’−アリールウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N’−アリールウレイド基、N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アリール−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アリーロキシカルボニルアミノ基が挙げられる。これらにおけるアルキル基、アリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびにアリール基、置換アリール基として示したものを挙げることができ、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基おけるアシル基(R07CO−)のR07は前述のとおりである。これらの内、より好ましいものとしては、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、アシルアミノ基が挙げられる。好ましい置換アミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、モルホリノ基、ピペリジノ基、ピロリジノ基、フェニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、アセチルアミノ基等が挙げられる。 As the substituted amino group (R 08 NH—, (R 09 ) (R 010 ) N—) including an amide group, R 08 , R 09 , and R 010 are a group composed of a monovalent nonmetallic atomic group excluding a hydrogen atom. Can be used. R 09 and R 010 may be bonded to form a ring. Preferred examples of the substituted amino group include an N-alkylamino group, an N, N-dialkylamino group, an N-arylamino group, an N, N-diarylamino group, an N-alkyl-N-arylamino group, an acylamino group, N-alkylacylamino group, N-arylacylamino group, ureido group, N′-alkylureido group, N ′, N′-dialkylureido group, N′-arylureido group, N ′, N′-diarylureido group N′-alkyl-N′-arylureido group, N-alkylureido group, N-arylureido group, N′-alkyl-N-alkylureido group, N′-alkyl-N-arylureido group, N ′, N′-dialkyl-N-alkylureido group, N′-alkyl-N′-arylureido group, N ′, N′-dialkyl-N-alkylureido group, N ′, '-Dialkyl-N'-arylureido group, N'-aryl-N-alkylureido group, N'-aryl-N-arylureido group, N', N'-diaryl-N-alkylureido group, N ', N′-diaryl-N-arylureido group, N′-alkyl-N′-aryl-N-alkylureido group, N′-alkyl-N′-aryl-N-arylureido group, alkoxycarbonylamino group, aryloxy A carbonylamino group, an N-alkyl-N-alkoxycarbonylamino group, an N-alkyl-N-aryloxycarbonylamino group, an N-aryl-N-alkoxycarbonylamino group, and an N-aryl-N-aryloxycarbonylamino group. Can be mentioned. Examples of the alkyl group and aryl group include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group, such as acylamino group, N-alkylacylamino group, and N-arylacylamino. R 07 groups definitive acyl group (R 07 CO-) are as described above. Of these, more preferred are an N-alkylamino group, an N, N-dialkylamino group, an N-arylamino group, and an acylamino group. Specific examples of preferred substituted amino groups include methylamino group, ethylamino group, diethylamino group, morpholino group, piperidino group, pyrrolidino group, phenylamino group, benzoylamino group, acetylamino group and the like.

置換スルホニル基(R011−SO2−)としては、R011が一価の非金属原子団からなる基のものを使用できる。より好ましい例としては、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基を挙げることができる。これらにおけるアルキル基、アリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびにアリール基、置換アリール基として示したものを挙げることができる。このような、置換スルホニル基の具体例としては、ブチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、クロロフェニルスルホニル基等が挙げられる。 As the substituted sulfonyl group (R 011 —SO 2 —), those in which R 011 is a group composed of a monovalent nonmetallic atomic group can be used. More preferable examples include an alkylsulfonyl group and an arylsulfonyl group. Examples of the alkyl group and aryl group in these include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group. Specific examples of such a substituted sulfonyl group include a butylsulfonyl group, a phenylsulfonyl group, a chlorophenylsulfonyl group, and the like.

スルホナト基(−SO )は前述のとおり、スルホ基(−SOH)の共役塩基陰イオン基を意味し、通常は対陽イオンとともに使用されるのが好ましい。このような対陽イオンとしては、一般に知られるもの、すなわち、種々のオニウム類(アンモニウム類、スルホニウム類、ホスホニウム類、ヨードニウム類、アジニウム類等)、ならびに金属イオン類(Na、K、Ca2+、Zn2+等)が挙げられる。 As described above, the sulfonate group (—SO 3 ) means a conjugated base anion group of the sulfo group (—SO 3 H), and is usually preferably used together with a counter cation. Examples of such counter cations include those generally known, that is, various oniums (ammoniums, sulfoniums, phosphoniums, iodoniums, aziniums, etc.), and metal ions (Na + , K + , Ca). 2+ , Zn 2+ and the like).

置換カルボニル基(R013−CO−)としては、R013が一価の非金属原子からなる基のものを使用できる。置換カルボニル基の好ましい例としては、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N,N−ジアリールカルバモイル基、N−アルキル−N’−アリールカルバモイル基が挙げられる。これらにおけるアルキル基、アリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびにアリール基、置換アリール基として示したものを挙げることができる。これらの内、より好ましい置換カルボニル基としては、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基が挙げられ、さらにより好ましいものとしては、ホルミル基、アシル基、アルコキシカルボニル基ならびにアリーロキシカルボニル基が挙げられる。好ましい置換カルボニル基の具体例としては、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基、カルボキシル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ジメチルアミノフェニルエテニルカルボニル基、メトキシカルボニルメトキシカルボニル基、N−メチルカルバモイル基、N−フェニルカルバモイル基、N,N−ジエチルカルバモイル基、モルホリノカルボニル基等が挙げられる。 As the substituted carbonyl group (R 013 —CO—), a group in which R 013 is a monovalent nonmetallic atom can be used. Preferred examples of the substituted carbonyl group include formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N, N-diarylcarbamoyl group, N-alkyl-N′-arylcarbamoyl group may be mentioned. Examples of the alkyl group and aryl group in these include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group. Among these, more preferred substituted carbonyl groups include formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-ary. A rucarbamoyl group can be mentioned, and even more preferred are a formyl group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group and an aryloxycarbonyl group. Specific examples of preferred substituted carbonyl groups include formyl group, acetyl group, benzoyl group, carboxyl group, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, allyloxycarbonyl group, dimethylaminophenylethenylcarbonyl group, methoxycarbonylmethoxycarbonyl group, N -Methylcarbamoyl group, N-phenylcarbamoyl group, N, N-diethylcarbamoyl group, morpholinocarbonyl group and the like.

置換スルフィニル基(R014−SO−)としてはR014が一価の非金属原子団からなる基のものを使用できる。好ましい例としては、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、スルフィナモイル基、N−アルキルスルフィナモイル基、N,N−ジアルキルスルフィナモイル基、N−アリールスルフィナモイル基、N,N−ジアリールスルフィナモイル基、N−アルキル−N−アリールスルフィナモイル基が挙げられる。これらにおけるアルキル基、アリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびにアリール基、置換アリール基として示したものを挙げることができる。これらの内、より好ましい例としてはアルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基が挙げられる。このような置換スルフィニル基の具体例としては、ヘキシルスルフィニル基、ベンジルスルフィニル基、トリルスルフィニル基等が挙げられる。 As the substituted sulfinyl group (R 014 —SO—), a group in which R 014 is a monovalent nonmetallic atomic group can be used. Preferable examples include alkylsulfinyl group, arylsulfinyl group, sulfinamoyl group, N-alkylsulfinamoyl group, N, N-dialkylsulfinamoyl group, N-arylsulfinamoyl group, N, N-diarylsulfinamoyl. Group, N-alkyl-N-arylsulfinamoyl group. Examples of the alkyl group and aryl group in these include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group. Of these, more preferred examples include an alkylsulfinyl group and an arylsulfinyl group. Specific examples of such a substituted sulfinyl group include a hexylsulfinyl group, a benzylsulfinyl group, and a tolylsulfinyl group.

置換ホスホノ基とはホスホノ基上の水酸基の一つもしくは二つが他の有機オキソ基によって置換されたものを意味し、好ましい例としては、前述のジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基、アルキルアリールホスホノ基、モノアルキルホスホノ基、モノアリールホスホノ基が挙げられる。これらの中ではジアルキルホスホノ基、ならびにジアリールホスホノ基がより好ましい。このような具体例としては、ジエチルホスホノ基、ジブチルホスホノ基、ジフェニルホスホノ基等が挙げられる。   The substituted phosphono group means a group in which one or two hydroxyl groups on the phosphono group are substituted with other organic oxo groups, and preferred examples thereof include the above-mentioned dialkylphosphono group, diarylphosphono group, alkylarylphospho group. Group, monoalkylphosphono group and monoarylphosphono group. Of these, dialkylphosphono groups and diarylphosphono groups are more preferred. Specific examples thereof include a diethyl phosphono group, a dibutyl phosphono group, a diphenyl phosphono group, and the like.

ホスホナト基(−PO 、−PO)とは前述のとおり、ホスホノ基(−PO)の、酸第一解離もしくは、酸第二解離に由来する共役塩基陰イオン基を意味する。通常は対陽イオンと共に使用されるのが好ましい。このような対陽イオンとしては、一般に知られるもの、すなわち、種々のオニウム類(アンモニウム類、スルホニウム類、ホスホニウム類、ヨードニウム類、アジニウム類等)、ならびに金属イオン類(Na、K、Ca2+、Zn2+等)が挙げられる。 As described above, the phosphonate group (—PO 3 H 2 , —PO 3 H ) is a conjugate base anion derived from the acid first dissociation or acid second dissociation of the phosphono group (—PO 3 H 2 ). Means group. Usually, it is preferable to use it with a counter cation. Examples of such counter cations include those generally known, that is, various oniums (ammoniums, sulfoniums, phosphoniums, iodoniums, aziniums, etc.), and metal ions (Na + , K + , Ca). 2+ , Zn 2+ and the like).

置換ホスホナト基とは前述の置換ホスホノ基の内、水酸基を一つ有機オキソ基に置換したものの共役塩基陰イオン基であり、具体例としては、前述のモノアルキルホスホノ基(−POH(alkyl))、モノアリールホスホノ基(−POH(aryl))の共役塩基が挙げられる。 Of the substituents phosphonato group foregoing substituted phosphono group, but was replaced a hydroxyl group on one organic oxo group is the conjugate base anion group, as specific examples, the aforementioned monoalkyl phosphono group (-PO 3 H ( alkyl)), and a conjugate base of a monoarylphosphono group (—PO 3 H (aryl)).

前記オキシム誘導体のその他の具体的な例としては、例えば、特開2001−233842号公報、特表2004−534797号公報、及び特表2002−519732号公報等に開示された化合物、並びに下記構造式で表される化合物などが挙げられる。   Other specific examples of the oxime derivative include, for example, compounds disclosed in JP-A No. 2001-233842, JP-A No. 2004-534797, JP-A No. 2002-519732, and the following structural formula The compound etc. which are represented by these are mentioned.

上記構造式中、Rは、n−C、n−C17、カンファー、及びp−CHのいずれかを表す。 In the structural formulas, R represents n-C 3 H 7, n -C 8 H 17, camphor, and one of the p-CH 3 C 6 H 4 .

上記構造式中、Rは、n−C、及びp−CHのいずれかを表す。 In the above structural formula, R represents either nC 3 H 7 or p-CH 3 C 6 H 4 .

−その他の光重合開始剤−
前記光重合開始剤としては、その他の光重合開始剤として、前記オキシム誘導体のほかに、公知の光重合開始剤の中から適宜選択して併用してもよい。この併用してもよい光重合開始剤は、例えば、紫外線領域から可視の光線に対して感光性を有するものが好ましく、光励起された増感剤と何らかの作用を生じ、活性ラジカルを生成する活性剤であってもよく、モノマーの種類に応じてカチオン重合を開始させるような開始剤であってもよい。
また、前記併用してもよい光重合開始剤は、波長約300〜800nmの範囲内に少なくとも約50の分子吸光係数を有する成分を少なくとも1種含有していることが好ましい。なお、前記波長は330〜500nmがより好ましい。
-Other photopolymerization initiators-
As the photopolymerization initiator, other photopolymerization initiators may be appropriately selected from known photopolymerization initiators in addition to the oxime derivative and used in combination. The photopolymerization initiator that may be used in combination is preferably, for example, one having photosensitivity to visible light from the ultraviolet region, and an activator that generates an active radical by generating some action with a photoexcited sensitizer. It may also be an initiator that initiates cationic polymerization depending on the type of monomer.
The photopolymerization initiator that may be used in combination preferably contains at least one component having a molecular extinction coefficient of at least about 50 within a wavelength range of about 300 to 800 nm. The wavelength is more preferably 330 to 500 nm.

前記併用しても良い光重合開始剤としては、例えば、ハロゲン化炭化水素誘導体(例えば、トリアジン骨格を有するもの、オキサジアゾール骨格を有するもの等)、ヘキサアリールビイミダゾール、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物(ベンジルメチルケタール系化合物、α−ヒドロキシアルキルフェノン系化合物、α-アミノアルキルフェノン系化合物など)、芳香族オニウム塩、メタロセン類などが挙げられる。これらの中でも、感光層の感度、保存性、及び感光層とプリント配線板形成用基板との密着性等の観点から、ホスフィンオキシド化合物、ケトン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール系化合物が好ましい。前記併用してもよい光重合開始剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。   Examples of the photopolymerization initiator that may be used in combination include halogenated hydrocarbon derivatives (for example, those having a triazine skeleton, those having an oxadiazole skeleton), hexaarylbiimidazoles, organic peroxides, thios. Compounds, ketone compounds (benzylmethyl ketal compounds, α-hydroxyalkylphenone compounds, α-aminoalkylphenone compounds, etc.), aromatic onium salts, metallocenes, and the like. Among these, a phosphine oxide compound, a ketone compound, and a hexaarylbiimidazole compound are preferable from the viewpoints of sensitivity of the photosensitive layer, storage stability, and adhesion between the photosensitive layer and the printed wiring board forming substrate. The photopolymerization initiators that may be used in combination may be used singly or in combination of two or more.

前記感光性組成物における光重合開始剤の含有量は、0.1〜25質量%が好ましく、0.5〜20質量%がより好ましく、0.5〜15質量%が更に好ましく、1〜10質量部が特に好ましい。   0.1-25 mass% is preferable, as for content of the photoinitiator in the said photosensitive composition, 0.5-20 mass% is more preferable, 0.5-15 mass% is still more preferable, 1-10 Part by mass is particularly preferred.

<増感剤>
前記感光層への露光における露光感度や感光波長を調整する目的で、前記光重合開始剤に加えて、増感剤を添加することが可能である。
前記増感剤は、後述する光照射手段としての可視光線や紫外光レーザ及び可視光レーザなどにより適宜選択することができる。
前記増感剤は、活性エネルギー線により励起状態となり、他の物質(例えば、ラジカル発生剤、酸発生剤等)と相互作用(例えば、エネルギー移動、電子移動等)することにより、ラジカルや酸等の有用基を発生することが可能である。
<Sensitizer>
In order to adjust the exposure sensitivity and the photosensitive wavelength in exposure to the photosensitive layer, it is possible to add a sensitizer in addition to the photopolymerization initiator.
The sensitizer can be appropriately selected by a visible light, an ultraviolet laser, a visible light laser, or the like as a light irradiation means described later.
The sensitizer is excited by active energy rays and interacts with other substances (for example, radical generator, acid generator, etc.) (for example, energy transfer, electron transfer, etc.), thereby generating radicals, acids, etc. It is possible to generate a useful group of

前記光重合開始剤と前記増感剤との組合せとしては、例えば、特開2001−305734号公報に記載の電子移動型開始系[(1)電子供与型開始剤及び増感色素、(2)電子受容型開始剤及び増感色素、(3)電子供与型開始剤、増感色素及び電子受容型開始剤(三元開始系)]などの組合せが挙げられる。   Examples of the combination of the photopolymerization initiator and the sensitizer include, for example, an electron transfer start system described in JP-A-2001-305734 [(1) an electron donating initiator and a sensitizing dye, (2) A combination of an electron-accepting initiator and a sensitizing dye, (3) an electron-donating initiator, a sensitizing dye and an electron-accepting initiator (ternary initiation system)], and the like.

前記増感剤としては、特に制限はなく、公知の増感剤の中から適宜選択することができるが、例えば、公知の多核芳香族類(例えば、ピレン、ペリレン、トリフェニレン)、キサンテン類(例えば、フルオレセイン、エオシン、エリスロシン、ローダミンB、ローズベンガル)、シアニン類(例えば、インドカルボシアニン、チアカルボシアニン、オキサカルボシアニン)、メロシアニン類(例えば、メロシアニン、カルボメロシアニン)、チアジン類(例えば、チオニン、メチレンブルー、トルイジンブルー)、アクリジン類(例えば、アクリジンオレンジ、クロロフラビン、アクリフラビン、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9,9’−アクリジニル)ヘプタン)、アントラキノン類(例えば、アントラキノン)、スクアリウム類(例えば、スクアリウム)、アクリドン類(例えば、アクリドン、クロロアクリドン、N−メチルアクリドン、N−ブチルアクリドン、N−ブチル−クロロアクリドン(例えば、2−クロロ−10−ブチルアクリドン等)など)、クマリン類(例えば、3−(2−ベンゾフロイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−ベンゾフロイル)−7−(1−ピロリジニル)クマリン、3−ベンゾイル−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−メトキシベンゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(4−ジメチルアミノベンゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3,3’−カルボニルビス(5,7−ジ−n−プロポキシクマリン)、3,3’−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマリン)、3−ベンゾイル−7−メトキシクマリン、3−(2−フロイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(4−ジエチルアミノシンナモイル)−7−ジエチルアミノクマリン、7−メトキシ−3−(3−ピリジルカルボニル)クマリン、3−ベンゾイル−5,7−ジプロポキシクマリン、特開平5−19475号、特開平7−271028号、特開2002−363206号、特開2002−363207号、特開2002−363208号、特開2002−363209号等の各公報に記載のクマリン化合物など)、及びチオキサントン化合物(チオキサントン、イソプロピルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、1−クロロ−4−プロピルオキシチオキサントン、QuantacureQTX等)などがあげられ、が挙げられ、これらの中でも、芳香族環や複素環が縮環した化合物(縮環系化合物)、並びに、少なくとも2つの芳香族炭化水素環及び芳香族複素環のいずれかで置換されたアミン系化合物が好ましい。   The sensitizer is not particularly limited and may be appropriately selected from known sensitizers. For example, known polynuclear aromatics (for example, pyrene, perylene, triphenylene), xanthenes (for example, , Fluorescein, eosin, erythrosine, rhodamine B, rose bengal), cyanines (eg, indocarbocyanine, thiacarbocyanine, oxacarbocyanine), merocyanines (eg, merocyanine, carbomerocyanine), thiazines (eg, thionine, Methylene blue, toluidine blue), acridines (eg acridine orange, chloroflavin, acriflavine, 9-phenylacridine, 1,7-bis (9,9′-acridinyl) heptane), anthraquinones (eg anthraquinone), squalium (Eg, squalium), acridones (eg, acridone, chloroacridone, N-methylacridone, N-butylacridone, N-butyl-chloroacridone (eg, 2-chloro-10-butylacridone) Etc.), coumarins (for example, 3- (2-benzofuroyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (2-benzofuroyl) -7- (1-pyrrolidinyl) coumarin, 3-benzoyl-7-diethylaminocoumarin, 3- ( 2-methoxybenzoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (4-dimethylaminobenzoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3,3′-carbonylbis (5,7-di-n-propoxycoumarin), 3,3 ′ -Carbonylbis (7-diethylaminocoumarin), 3-benzoyl-7-methoxyc Phosphorus, 3- (2-furoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (4-diethylaminocinnamoyl) -7-diethylaminocoumarin, 7-methoxy-3- (3-pyridylcarbonyl) coumarin, 3-benzoyl-5 7-dipropoxycoumarin, JP-A-5-19475, JP-A-7-271028, JP-A-2002-363206, JP-A-2002-363207, JP-A-2002-363208, JP-A-2002-363209, etc. And the like, and thioxanthone compounds (thioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 1-chloro-4-propyloxythioxanthone, Quantacure QTX, etc.) and the like. , Aromatic rings and compounds A compound in which an elemental ring is condensed (condensed compound), and an amine compound substituted with at least two aromatic hydrocarbon rings or aromatic heterocyclic rings are preferred.

前記縮環系化合物の中でも、ヘテロ縮環系ケトン化合物(アクリドン系化合物、チオキサントン系化合物、クマリン系化合物等)、及びアクリジン系化合物がより好ましい。前記ヘテロ縮環系ケトン化合物の中でも、アクリドン化合物及びチオキサントン化合物が特に好ましい。   Among the condensed ring compounds, hetero-fused ketone compounds (acridone compounds, thioxanthone compounds, coumarin compounds, etc.) and acridine compounds are more preferable. Among the hetero-fused ketone compounds, an acridone compound and a thioxanthone compound are particularly preferable.

前記少なくとも2つの芳香族炭化水素環及び芳香族複素環のいずれかで置換されたアミン系化合物は、330〜450nmの波長域の光に対して吸収極大を有する増感剤であることが好ましく、例えば、ジ置換アミノベンゾフェノン系化合物、ベンゼン環上のアミノ基に対し、パラ位の炭素原子に複素環基を置換基として有するジ置換アミノ−ベンゼン系化合物、ベンゼン環上のアミノ基に対し、パラ位の炭素原子にスルホニルイミノ基を含む置換基を有するジ置換アミノ−ベンゼン系化合物、及びカルボスチリル骨格を形成したジ置換アミノ−ベンゼン系化合物、並びに、少なくとも2個の芳香族環が窒素原子に結合した構造を有する化合物等のジ置換アミノ−ベンゼンを部分構造として有する化合物が挙げられる。   The amine compound substituted with any one of the at least two aromatic hydrocarbon rings and the aromatic heterocyclic ring is preferably a sensitizer having an absorption maximum with respect to light in a wavelength region of 330 to 450 nm, For example, a disubstituted aminobenzophenone compound, a disubstituted amino-benzene compound having a heterocyclic group as a substituent at a carbon atom at the para position relative to an amino group on the benzene ring, Disubstituted amino-benzene compounds having a substituent containing a sulfonylimino group at the carbon atom at the position, disubstituted amino-benzene compounds having a carbostyryl skeleton, and at least two aromatic rings on the nitrogen atom Examples thereof include compounds having a di-substituted amino-benzene as a partial structure, such as a compound having a bonded structure.

前記増感剤は、1種を単独で用いても良く、2種以上を併用しても良い。
前記増感剤の配合量は、前記感光性組成物全固形分中0.01〜4質量%が好ましく、0.02〜2質量%がより好ましく、0.05〜1質量%が特に好ましい。
前記含有量が、0.01質量%未満となると、感度が低下することがあり、4質量%を超えると、パターンの形状が悪化することがある。
The said sensitizer may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
The blending amount of the sensitizer is preferably 0.01 to 4% by mass, more preferably 0.02 to 2% by mass, and particularly preferably 0.05 to 1% by mass in the total solid content of the photosensitive composition.
When the content is less than 0.01% by mass, the sensitivity may decrease, and when the content exceeds 4% by mass, the shape of the pattern may be deteriorated.

<バインダー>
前記バインダーとしては、アルカリ可溶性、すなわちアルカリ性水溶液により膨潤あるいは溶解する化合物が好ましい。
前記バインダーは、酸性基とエチレン性不飽和結合を側鎖に含む高分子化合物が好ましい。酸性基としては、カルボキシル基、リン酸基、スルホン酸基等があげられるが、原料入手の点からカルボキシル基が好ましい。
また、前記バインダーとしては、分子内に少なくとも1つの重合可能な二重結合、例えば、(メタ)アクリレート基又は(メタ)アクリルアミド基等のアクリル基、カルボン酸のビニルエステル、ビニルエーテル、アリルエーテル等の各種重合性二重結合を用いることができる。より具体的には、酸性基としてカルボキシル基を含有するアクリル樹脂に、環状エーテル基含有重合性化合物、たとえばグリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、桂皮酸等の不飽和脂肪酸のグリシジルエステルや、脂環式エポキシ基(たとえば同一分子中にシクロヘキセンオキシド等のエポキシ基)と(メタ)アクリロイル基を有する化合物等のエポキシ基含有の重合性化合物を付加させて得られる化合物などが挙げられる。また、酸性基及び水酸基を含有するアクリル樹脂に、イソシアナートエチル(メタ)アクリレート等のイソシアネート基含有の重合性化合物を付加させて得られる化合物、無水物基を含有するアクリル樹脂に、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート等の水酸基を含有する重合性化合物を付加させて得られる化合物なども挙げられる。また、グリシジルメタクリレートなどの環状エーテル基含有重合性化合物と(メタ)アクリロイルアルキルエステルなどのビニルモノマーを共重合し、側鎖のエポキシ基に(メタ)アクリル酸を付加させて得られる化合物なども挙げられる。
これらの例は、特許2763775号公報、特開平3−172301号公報、特開2000−232264号公報に記載のものや、AGORシリーズ、ORGAシリーズ(いずれも大阪有機化学工業社製)、などが挙げられる。
<Binder>
The binder is preferably an alkali-soluble compound, that is, a compound that swells or dissolves with an alkaline aqueous solution.
The binder is preferably a polymer compound containing an acidic group and an ethylenically unsaturated bond in the side chain. Examples of the acidic group include a carboxyl group, a phosphoric acid group, and a sulfonic acid group, and a carboxyl group is preferable from the viewpoint of obtaining raw materials.
In addition, as the binder, at least one polymerizable double bond in the molecule, for example, an acrylic group such as a (meth) acrylate group or a (meth) acrylamide group, a vinyl ester of carboxylic acid, a vinyl ether, an allyl ether, etc. Various polymerizable double bonds can be used. More specifically, an acrylic resin containing a carboxyl group as an acidic group, a cyclic ether group-containing polymerizable compound such as a glycidyl ester of an unsaturated fatty acid such as glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, cinnamic acid, or an alicyclic epoxy group. Examples include compounds obtained by adding an epoxy group-containing polymerizable compound such as a compound having a (meth) acryloyl group (for example, an epoxy group such as cyclohexene oxide in the same molecule). In addition, a compound obtained by adding an isocyanate group-containing polymerizable compound such as isocyanate ethyl (meth) acrylate to an acrylic resin containing an acidic group and a hydroxyl group, an acrylic resin containing an anhydride group, a hydroxyalkyl ( Examples thereof include compounds obtained by adding a polymerizable compound containing a hydroxyl group such as (meth) acrylate. Also included are compounds obtained by copolymerizing a cyclic ether group-containing polymerizable compound such as glycidyl methacrylate and a vinyl monomer such as (meth) acryloyl alkyl ester and adding (meth) acrylic acid to the side chain epoxy group. It is done.
Examples of these include those described in Japanese Patent No. 2763775, Japanese Patent Laid-Open No. 3-172301, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-232264, AGOR series, ORGA series (both manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.), and the like. It is done.

これらの中で、前記バインダーが、高分子化合物の酸性基の一部に環状エーテル基(たとえばエポキシ基、オキセタン基を部分構造に有する基)含有重合性化合物を付加させたもの、および高分子化合物の環状エーテル基の一部または全部にカルボキシル基含有重合性化合物を付加させたもののいずれかから選択された高分子化合物であることが、さらに好ましい。この際、酸性基と環状エーテル基を有する化合物との付加反応は触媒存在下で実施するのが好ましく、特に、その触媒が酸性化合物および中性化合物から選択されるものであることが好ましい。
その中でも、感光性組成物の経時での現像安定性の点から、バインダーは側鎖に、カルボキシル基とヘテロ環を含んでもよい芳香族基及び側鎖にエチレン性不飽和結合を含む高分子化合物が好ましい。
Among these, the binder is obtained by adding a cyclic ether group (for example, a group having an epoxy group or an oxetane group in a partial structure) -containing polymerizable compound to a part of the acidic group of the polymer compound, and the polymer compound More preferably, the polymer is selected from any of those obtained by adding a carboxyl group-containing polymerizable compound to a part or all of the cyclic ether group. In this case, the addition reaction between the acidic group and the compound having a cyclic ether group is preferably carried out in the presence of a catalyst. In particular, the catalyst is preferably selected from an acidic compound and a neutral compound.
Among them, from the viewpoint of development stability of the photosensitive composition over time, the binder is a polymer compound containing an aromatic group which may contain a carboxyl group and a heterocycle in the side chain, and an ethylenically unsaturated bond in the side chain. Is preferred.

−ヘテロ環を含んでもよい芳香族基−
前記ヘテロ環を含んでもよい芳香族基(以下、単に「芳香族基」と称することもある。)としては、例えば、ベンゼン環、2個から3個のベンゼン環が縮合環を形成したもの、ベンゼン環と5員不飽和環が縮合環を形成したものをなどが挙げられる。
前記芳香族基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、ベンゾピロール環基、ベンゾフラン環基、ベンゾチオフェン環基、ピラゾール環基、イソキサゾール環基、イソチアゾール環基、インダゾール環基、ベンゾイソキサゾール環基、ベンゾイソチアゾール環基、イミダゾール環基、オキサゾール環基、チアゾール環基、ベンズイミダゾール環基、ベンズオキサゾール環基、ベンゾチアゾール環基、ピリジン環基、キノリン環基、イソキノリン環基、ピリダジン環基、ピリミジン環基、ピラジン環基、フタラジン環基、キナゾリン環基、キノキサリン環基、アシリジン環基、フェナントリジン環基、カルバゾール環基、プリン環基、ピラン環基、ピペリジン環基、ピペラジン環基、インドール環基、インドリジン環基、クロメン環基、シンノリン環基、アクリジン環基、フェノチアジン環基、テトラゾール環基、トリアジン環基などが挙げられる。これらの中では、炭化水素芳香族基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。
-Aromatic group which may contain a heterocycle-
Examples of the aromatic group that may contain the heterocycle (hereinafter, also simply referred to as “aromatic group”) include, for example, a benzene ring, a group in which 2 to 3 benzene rings form a condensed ring, Examples include those in which a benzene ring and a 5-membered unsaturated ring form a condensed ring.
Specific examples of the aromatic group include phenyl group, naphthyl group, anthryl group, phenanthryl group, indenyl group, acenaphthenyl group, fluorenyl group, benzopyrrole ring group, benzofuran ring group, benzothiophene ring group, pyrazole ring group, isoxazole. Ring group, isothiazole ring group, indazole ring group, benzisoxazole ring group, benzisothiazole ring group, imidazole ring group, oxazole ring group, thiazole ring group, benzimidazole ring group, benzoxazole ring group, benzothiazole ring Group, pyridine ring group, quinoline ring group, isoquinoline ring group, pyridazine ring group, pyrimidine ring group, pyrazine ring group, phthalazine ring group, quinazoline ring group, quinoxaline ring group, acylidine ring group, phenanthridine ring group, carbazole ring Group, purine ring group, pyran ring group, Lysine ring group, a piperazine ring group, an indole ring group, an indolizine ring group, a chromene ring group, a cinnoline ring group, an acridine ring group, a phenothiazine ring group, a tetrazole ring group, such as a triazine ring group. In these, a hydrocarbon aromatic group is preferable and a phenyl group and a naphthyl group are more preferable.

前記芳香族基は、置換基を有していてもよく、前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアミノ基、アルコキシカルボニル基、水酸基、エーテル基、チオール基、チオエーテル基、シリル基、ニトロ基、シアノ基、それぞれ置換基を有してもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、などが挙げられる。   The aromatic group may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, an amino group which may have a substituent, an alkoxycarbonyl group, a hydroxyl group, an ether group, a thiol group, A thioether group, a silyl group, a nitro group, a cyano group, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, a heterocyclic group, and the like, each of which may have a substituent, are exemplified.

前記アルキル基としては、例えば、炭素原子数が1から20までの直鎖状のアルキル基、分岐状のアルキル基、環状のアルキル基などが挙げられる。
前記アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、エイコシル基、イソプロピル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、1−メチルブチル基、イソヘキシル基、2−エチルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、2−ノルボルニル基などが挙げられる。これらの中では、炭素原子数1から12までの直鎖状のアルキル基、炭素原子数3から12までの分岐状のアルキル基、炭素原子数5から10までの環状のアルキル基が好ましい。
Examples of the alkyl group include linear alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms, branched alkyl groups, and cyclic alkyl groups.
Specific examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, hexadecyl group. , Octadecyl group, eicosyl group, isopropyl group, isobutyl group, s-butyl group, t-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1-methylbutyl group, isohexyl group, 2-ethylhexyl group, 2-methylhexyl group, cyclohexyl group , Cyclopentyl group, 2-norbornyl group and the like. Among these, a linear alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a branched alkyl group having 3 to 12 carbon atoms, and a cyclic alkyl group having 5 to 10 carbon atoms are preferable.

前記アルキル基が有してもよい置換基としては、例えば、水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基が挙げられる。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子(−F、−Br、−Cl、−I)、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルジチオ基、アリールジチオ基、アミノ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、N,N−ジアリールアミノ基、N−アルキル−N−アリールアミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、N,N−ジアルキルカルバモイルオキシ基、N,N−ジアリールカルバモイルオキシ基、N−アルキル−N−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、N’−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキルウレイド基、N’−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリールウレイド基、N−アルキルウレイド基、N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アリールウレイド基、N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アリール−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N,N−ジアリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基(−SOH)及びその共役塩基基(スルホナト基と称す)、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、N−アルキルスルフィナモイル基、N,N−ジアルキルスルフィイナモイル基、N−アリールスルフィナモイル基、N,N−ジアリールスルフィナモイル基、N−アルキル−N−アリールスルフィナモイル基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N,N−ジアリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、ホスホノ基(−PO)及びその共役塩基基(ホスホナト基と称す)、ジアルキルホスホノ基(−PO(alkyl))(以下、「alkyl」はアルキル基を意味する。)、ジアリールホスホノ基(−PO(aryl))(以下、「aryl」はアリール基を意味する。)、アルキルアリールホスホノ基(−PO(alkyl)(aryl))、モノアルキルホスホノ基(−PO(alkyl))及びその共役塩基基(アルキルホスホナト基と称す)、モノアリールホスホノ基(−POH(aryl))及びその共役塩基基(アリールホスホナト基と称す)、ホスホノオキシ基(−OPO)及びその共役塩基基(ホスホナトオキシ基と称す)、ジアルキルホスホノオキシ基(−OPOH(alkyl))、ジアリールホスホノオキシ基(−OPO(aryl))、アルキルアリールホスホノオキシ基(−OPO(alkyl)(aryl))、モノアルキルホスホノオキシ基(−OPOH(alkyl))及びその共役塩基基(アルキルホスホナトオキシ基と称す)、モノアリールホスホノオキシ基(−OPOH(aryl))及びその共役塩基(アリールホスホナトオキシ基と称す)、シアノ基、ニトロ基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロ環基、シリル基などが挙げられる。 Examples of the substituent that the alkyl group may have include a group composed of a monovalent nonmetallic atomic group excluding a hydrogen atom. Examples of such substituents include halogen atoms (—F, —Br, —Cl, —I), hydroxyl groups, alkoxy groups, aryloxy groups, mercapto groups, alkylthio groups, arylthio groups, alkyldithio groups, aryldithio groups. Group, amino group, N-alkylamino group, N, N-dialkylamino group, N-arylamino group, N, N-diarylamino group, N-alkyl-N-arylamino group, acyloxy group, carbamoyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, N, N-dialkylcarbamoyloxy group, N, N-diarylcarbamoyloxy group, N-alkyl-N-arylcarbamoyloxy group, alkylsulfoxy group, arylsulfo Xyl group, acylthio group, acylamino group, N-a Killacylamino group, N-arylacylamino group, ureido group, N′-alkylureido group, N ′, N′-dialkylureido group, N′-arylureido group, N ′, N′-diarylureido group, N '-Alkyl-N'-arylureido group, N-alkylureido group, N-arylureido group, N'-alkyl-N-alkylureido group, N'-alkyl-N-arylureido group, N', N ' -Dialkyl-N-alkylureido group, N ', N'-dialkyl-N-arylureido group, N'-aryl-N-alkylureido group, N'-aryl-N-arylureido group, N', N ' -Diaryl-N-alkylureido group, N ', N'-diaryl-N-arylureido group, N'-alkyl-N'-aryl-N-alkylureido group, N'-alkyl-N '-Aryl-N-arylureido group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, N-alkyl-N-alkoxycarbonylamino group, N-alkyl-N-aryloxycarbonylamino group, N-aryl-N- Alkoxycarbonylamino group, N-aryl-N-aryloxycarbonylamino group, formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl Group, N-arylcarbamoyl group, N, N-diarylcarbamoyl group, N-alkyl-N-arylcarbamoyl group, alkylsulfinyl group, arylsulfinyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group, sulfo group ( Referred to as -SO 3 H) and its conjugated base group (a sulfonato group), alkoxy sulfonyl group, aryloxy sulfonyl group, sulfinamoyl group, N- alkylsulfinamoyl group, N, N- dialkyl sulfide Inamo yl group, N- Arylsulfinamoyl group, N, N-diarylsulfinamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfinamoyl group, sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfamoyl group, N - arylsulfamoyl group, (referred to as phosphonato group) N, N- diaryl sulfamoyl group, N- alkyl -N- arylsulfamoyl group, a phosphono group (-PO 3 H 2) and its conjugated base group, Dialkylphosphono group (—PO 3 (alkyl) 2 ) (hereinafter “alkyl” means an alkyl group) Taste. ), A diarylphosphono group (—PO 3 (aryl) 2 ) (hereinafter “aryl” means an aryl group), an alkylarylphosphono group (—PO 3 (alkyl) (aryl)), a monoalkylphosphone Group (—PO 3 (alkyl)) and its conjugate base group (referred to as alkylphosphonate group), monoarylphosphono group (—PO 3 H (aryl)) and its conjugate base group (referred to as arylphosphonate group) ), A phosphonooxy group (—OPO 3 H 2 ) and its conjugate base group (referred to as phosphonatoxy group), a dialkylphosphonooxy group (—OPO 3 H (alkyl) 2 ), a diarylphosphonooxy group (—OPO 3 (aryl)) ) 2), alkylaryl phosphono group (-OPO 3 (alkyl) (aryl )), monoalkyl phosphonates Oxy group (-OPO 3 H (alkyl)) and its conjugated base group (referred to as alkylphosphonato group), monoarylphosphono group (-OPO 3 H (aryl)) and its conjugate base (aryl phosphite Hona preparative oxy Group), cyano group, nitro group, aryl group, alkenyl group, alkynyl group, heterocyclic group, silyl group and the like.

これら置換基におけるアルキル基の具体例としては、前述のアルキル基が挙げられる。
前記置換基におけるアリール基の具体例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、クロロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、アセトキシフェニル基、ベンゾイロキシフェニル基、メチルチオフェニル基、フェニルチオフェニル基、メチルアミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、アセチルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、エトキシフェニルカルボニル基、フェノキシカルボニルフェニル基、N−フェニルカルバモイルフェニル基、シアノフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、ホスホノフェニル基、ホスホナトフェニル基などが挙げられる。
Specific examples of the alkyl group in these substituents include the aforementioned alkyl groups.
Specific examples of the aryl group in the substituent include phenyl, biphenyl, naphthyl, tolyl, xylyl, mesityl, cumenyl, chlorophenyl, bromophenyl, chloromethylphenyl, hydroxyphenyl, methoxy Phenyl group, ethoxyphenyl group, phenoxyphenyl group, acetoxyphenyl group, benzoyloxyphenyl group, methylthiophenyl group, phenylthiophenyl group, methylaminophenyl group, dimethylaminophenyl group, acetylaminophenyl group, carboxyphenyl group, methoxy Carbonylphenyl group, ethoxyphenylcarbonyl group, phenoxycarbonylphenyl group, N-phenylcarbamoylphenyl group, cyanophenyl group, sulfophenyl group, sulphonatophenyl group, phosphonopheny Groups, such as phosphate Hona preparative phenyl group.

前記置換基におけるアルケニル基の具体例としては、ビニル基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、シンナミル基、2−クロロ−1−エテニル基などが挙げられる。
前記置換基におけるアルキニル基の具体例としては、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、トリメチルシリルエチニル基などが挙げられる。
前記置換基におけるアシル基(R01CO−)のR01としては、水素原子、前述のアルキル基、アリール基などが挙げられる。
これらの置換基の中でも、ハロゲン原子(−F、−Br、−Cl、−I)、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、アシルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、スルホ基、スルホナト基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基、モノアルキルホスホノ基、アルキルホスホナト基、モノアリールホスホノ基、アリールホスホナト基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基、アリール基、アルケニル基などが好ましい。
また、前記置換基におけるヘテロ環基としては、例えば、ピリジル基、ピペリジニル基などが挙げられ、前記置換基におけるシリル基としてはトリメチルシリル基などが挙げられる。
Specific examples of the alkenyl group in the substituent include a vinyl group, 1-propenyl group, 1-butenyl group, cinnamyl group, 2-chloro-1-ethenyl group and the like.
Specific examples of the alkynyl group in the substituent include ethynyl group, 1-propynyl group, 1-butynyl group, trimethylsilylethynyl group and the like.
Examples of R 01 of the acyl group in the substituents (R 01 CO-), a hydrogen atom, an alkyl group described above, and aryl groups.
Among these substituents, halogen atoms (—F, —Br, —Cl, —I), alkoxy groups, aryloxy groups, alkylthio groups, arylthio groups, N-alkylamino groups, N, N-dialkylamino groups, acyloxy groups Group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, acylamino group, formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N- Dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N-alkyl-N-arylcarbamoyl group, sulfo group, sulfonate group, sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfamoyl group, N-aryl Sulfamoyl group, N-alkyl N-arylsulfamoyl group, phosphono group, phosphonato group, dialkylphosphono group, diarylphosphono group, monoalkylphosphono group, alkylphosphonato group, monoarylphosphono group, arylphosphonato group, phosphonooxy group, phosphonatoxy Group, aryl group, alkenyl group and the like are preferable.
Examples of the heterocyclic group in the substituent include a pyridyl group and piperidinyl group, and examples of the silyl group in the substituent include a trimethylsilyl group.

一方、前記アルキル基における、アルキレン基としては、例えば、前述の炭素数1から20までのアルキル基上の水素原子のいずれか1つを除し、2価の有機残基としたものが挙げられ、例えば、炭素原子数1から12までの直鎖状のアルキレン基、炭素原子数3から12までの分岐状のアルキレン基、炭素原子数5から10までの環状のアルキレン基などが好ましい。
このような置換基とアルキレン基を組み合わせることで得られる置換アルキル基の、好ましい具体例としては、クロロメチル基、ブロモメチル基、2−クロロエチル基、トリフルオロメチル基、メトキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ブトキシメチル基、s−ブトキシブチル基、メトキシエトキシエチル基、アリルオキシメチル基、フェノキシメチル基、メチルチオメチル基、トリルチオメチル基、ピリジルメチル基、テトラメチルピペリジニルメチル基、N−アセチルテトラメチルピペリジニルメチル基、トリメチルシリルメチル基、メトキシエチル基、エチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル基、モルホリノプロピル基、アセチルオキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基、N−シクロヘキシルカルバモイルオキシエチル基、N−フェニルカルバモイルオキシエチル基、アセチルアミノエチル基、N−メチルベンゾイルアミノプロピル基、2−オキソエチル基、2−オキソプロピル基、カルボキシプロピル基、メトキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルブチル基、クロロフェノキシカルボニルメチル基、カルバモイルメチル基、N−メチルカルバモイルエチル基、N,N−ジプロピルカルバモイルメチル基、N−(メトキシフェニル)カルバモイルエチル基、N−メチル−N−(スルホフェニル)カルバモイルメチル基、スルホブチル基、スルホナトブチル基、スルファモイルブチル基、N−エチルスルファモイルメチル基、N,N−ジプロピルスルファモイルプロピル基、N−トリルスルファモイルプロピル基、N−メチル−N−(ホスホノフェニル)スルファモイルオクチル基、ホスホノブチル基、ホスホナトヘキシル基、ジエチルホスホノブチル基、ジフェニルホスホノプロピル基、メチルホスホノブチル基、メチルホスホナトブチル基、トリルホスホノヘキシル基、トリルホスホナトヘキシル基、ホスホノオキシプロピル基、ホスホナトオキシブチル基、ベンジル基、フェネチル基、α−メチルベンジル基、1−メチル−1−フェニルエチル基、p−メチルベンジル基、シンナミル基、アリル基、1−プロペニルメチル基、2−ブテニル基、2−メチルアリル基、2−メチルプロペニルメチル基、2−プロピニル基、2−ブチニル基、3−ブチニル基などが挙げられる。
On the other hand, examples of the alkylene group in the alkyl group include a divalent organic residue obtained by removing any one of the hydrogen atoms on the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. For example, a linear alkylene group having 1 to 12 carbon atoms, a branched alkylene group having 3 to 12 carbon atoms, and a cyclic alkylene group having 5 to 10 carbon atoms are preferable.
Preferable specific examples of the substituted alkyl group obtained by combining such a substituent and an alkylene group include a chloromethyl group, a bromomethyl group, a 2-chloroethyl group, a trifluoromethyl group, a methoxymethyl group, and an isopropoxymethyl group. , Butoxymethyl group, s-butoxybutyl group, methoxyethoxyethyl group, allyloxymethyl group, phenoxymethyl group, methylthiomethyl group, tolylthiomethyl group, pyridylmethyl group, tetramethylpiperidinylmethyl group, N-acetyltetra Methylpiperidinylmethyl group, trimethylsilylmethyl group, methoxyethyl group, ethylaminoethyl group, diethylaminopropyl group, morpholinopropyl group, acetyloxymethyl group, benzoyloxymethyl group, N-cyclohexylcarbamoyloxyethyl Group, N-phenylcarbamoyloxyethyl group, acetylaminoethyl group, N-methylbenzoylaminopropyl group, 2-oxoethyl group, 2-oxopropyl group, carboxypropyl group, methoxycarbonylethyl group, allyloxycarbonylbutyl group, chloro Phenoxycarbonylmethyl group, carbamoylmethyl group, N-methylcarbamoylethyl group, N, N-dipropylcarbamoylmethyl group, N- (methoxyphenyl) carbamoylethyl group, N-methyl-N- (sulfophenyl) carbamoylmethyl group, Sulfobutyl group, sulfonatobutyl group, sulfamoylbutyl group, N-ethylsulfamoylmethyl group, N, N-dipropylsulfamoylpropyl group, N-tolylsulfamoylpropyl group, N-methyl-N- (phosphonov Nyl) sulfamoyloctyl group, phosphonobutyl group, phosphonatohexyl group, diethylphosphonobutyl group, diphenylphosphonopropyl group, methylphosphonobutyl group, methylphosphonatobutyl group, tolylphosphonohexyl group, tolylphosphonatohexyl Group, phosphonooxypropyl group, phosphonatoxybutyl group, benzyl group, phenethyl group, α-methylbenzyl group, 1-methyl-1-phenylethyl group, p-methylbenzyl group, cinnamyl group, allyl group, 1- Examples include propenylmethyl group, 2-butenyl group, 2-methylallyl group, 2-methylpropenylmethyl group, 2-propynyl group, 2-butynyl group, and 3-butynyl group.

前記アリール基としては、例えば、ベンゼン環、2個から3個のベンゼン環が縮合環を形成したもの、ベンゼン環と5員不飽和環が縮合環を形成したものなどが挙げられる。
前記アリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基などが挙げられる。これらの中では、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
前記アルキル基は置換基を有してもよく、このような置換基を有するアリール基(以下、「置換アリール基」と称することもある。)としては、例えば、前述のアリール基の環形成炭素原子上に置換基として、水素原子以外の一価の非金属原子団からなる基を有するものが挙げられる。
前記アリール基が有してもよい置換基としては、例えば、前述のアルキル基、置換アルキル基、前記アルキル基が有してもよい置換基として示したものが好ましい。
Examples of the aryl group include a benzene ring, a group in which 2 to 3 benzene rings form a condensed ring, and a group in which a benzene ring and a 5-membered unsaturated ring form a condensed ring.
Specific examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, an indenyl group, an acenaphthenyl group, and a fluorenyl group. In these, a phenyl group and a naphthyl group are preferable.
The alkyl group may have a substituent, and examples of the aryl group having such a substituent (hereinafter sometimes referred to as “substituted aryl group”) include the ring-forming carbon of the above-described aryl group. Examples of the substituent on the atom include a group having a monovalent nonmetallic atomic group other than a hydrogen atom.
As the substituent that the aryl group may have, for example, the above-described alkyl group, substituted alkyl group, and the substituents that the alkyl group may have are preferable.

前記置換アリール基の好ましい具体例としては、ビフェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基、クロロメチルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、メトキシエトキシフェニル基、アリルオキシフェニル基、フェノキシフェニル基、メチルチオフェニル基、トリルチオフェニル基、エチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基、モルホリノフェニル基、アセチルオキシフェニル基、ベンゾイルオキシフェニル基、N−シクロヘキシルカルバモイルオキシフェニル基、N−フェニルカルバモイルオキシフェニル基、アセチルアミノフェニル基、N−メチルベンゾイルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、アリルオキシカルボニルフェニル基、クロロフェノキシカルボニルフェニル基、カルバモイルフェニル基、N−メチルカルバモイルフェニル基、N,N−ジプロピルカルバモイルフェニル基、N−(メトキシフェニル)カルバモイルフェニル基、N−メチル−N−(スルホフェニル)カルバモイルフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、スルファモイルフェニル基、N−エチルスルファモイルフェニル基、N,N−ジプロピルスルファモイルフェニル基、N−トリルスルファモイルフェニル基、N−メチル−N−(ホスホノフェニル)スルファモイルフェニル基、ホスホノフェニル基、ホスホナトフェニル基、ジエチルホスホノフェニル基、ジフェニルホスホノフェニル基、メチルホスホノフェニル基、メチルホスホナトフェニル基、トリルホスホノフェニル基、トリルホスホナトフェニル基、アリルフェニル基、1−プロペニルメチルフェニル基、2−ブテニルフェニル基、2−メチルアリルフェニル基、2−メチルプロペニルフェニル基、2−プロピニルフェニル基、2−ブチニルフェニル基、3−ブチニルフェニル基などが挙げられる。   Preferred examples of the substituted aryl group include biphenyl group, tolyl group, xylyl group, mesityl group, cumenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, fluorophenyl group, chloromethylphenyl group, trifluoromethylphenyl group, hydroxyphenyl. Group, methoxyphenyl group, methoxyethoxyphenyl group, allyloxyphenyl group, phenoxyphenyl group, methylthiophenyl group, tolylthiophenyl group, ethylaminophenyl group, diethylaminophenyl group, morpholinophenyl group, acetyloxyphenyl group, benzoyloxyphenyl Group, N-cyclohexylcarbamoyloxyphenyl group, N-phenylcarbamoyloxyphenyl group, acetylaminophenyl group, N-methylbenzoylaminophenyl group, Nyl group, methoxycarbonylphenyl group, allyloxycarbonylphenyl group, chlorophenoxycarbonylphenyl group, carbamoylphenyl group, N-methylcarbamoylphenyl group, N, N-dipropylcarbamoylphenyl group, N- (methoxyphenyl) carbamoylphenyl group N-methyl-N- (sulfophenyl) carbamoylphenyl group, sulfophenyl group, sulfonatophenyl group, sulfamoylphenyl group, N-ethylsulfamoylphenyl group, N, N-dipropylsulfamoylphenyl group, N-tolylsulfamoylphenyl group, N-methyl-N- (phosphonophenyl) sulfamoylphenyl group, phosphonophenyl group, phosphonatophenyl group, diethylphosphonophenyl group, diphenylphosphonophenyl group, methyl Phosphonophenyl group, methylphosphonatophenyl group, tolylphosphonophenyl group, tolylphosphonatophenyl group, allylphenyl group, 1-propenylmethylphenyl group, 2-butenylphenyl group, 2-methylallylphenyl group, 2- Examples thereof include a methylpropenylphenyl group, a 2-propynylphenyl group, a 2-butynylphenyl group, and a 3-butynylphenyl group.

前記アルケニル基(−C(R02)=C(R03)(R04))及びアルキニル基(−C≡C(R05))としては、例えば、R02、R03、R04、及びR05が一価の非金属原子団からなる基のものが挙げられる。
前記R02、R03、R04、R05としては、例えば、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基などが挙げられる。これらの具体例としては、前述の例として示したものを挙げることができる。これらの中でも、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1から10までの直鎖状のアルキル基、分岐状のアルキル基、環状のアルキル基が好ましい。
Examples of the alkenyl group (—C (R 02 ) ═C (R 03 ) (R 04 )) and the alkynyl group (—C≡C (R 05 )) include, for example, R 02 , R 03 , R 04 , and R Examples include a group in which 05 is a monovalent nonmetallic atomic group.
Examples of R 02 , R 03 , R 04 , and R 05 include a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, and a substituted aryl group. Specific examples thereof include those shown as the above examples. Among these, a hydrogen atom, a halogen atom, a linear alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a branched alkyl group, and a cyclic alkyl group are preferable.

前記アルケニル基及びアルキニル基の好ましい具体例としては、ビニル基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、1−ペンテニル基、1−ヘキセニル基、1−オクテニル基、1−メチル−1−プロペニル基、2−メチル−1−プロペニル基、2−メチル−1−ブテニル基、2−フェニル−1−エテニル基、2−クロロ−1−エテニル基、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、フェニルエチニル基などが挙げられる。
前記ヘテロ環基としては、例えば、置換アルキル基の置換基として例示したピリジル基などが挙げられる。
Preferable specific examples of the alkenyl group and alkynyl group include a vinyl group, 1-propenyl group, 1-butenyl group, 1-pentenyl group, 1-hexenyl group, 1-octenyl group, 1-methyl-1-propenyl group, 2-methyl-1-propenyl group, 2-methyl-1-butenyl group, 2-phenyl-1-ethenyl group, 2-chloro-1-ethenyl group, ethynyl group, 1-propynyl group, 1-butynyl group, phenyl Examples include an ethynyl group.
As said heterocyclic group, the pyridyl group illustrated as a substituent of a substituted alkyl group etc. are mentioned, for example.

前記オキシ基(R06O−)としては、R06が水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基であるものが挙げられる。
このようなオキシ基としては、例えば、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、N,N−ジアルキルカルバモイルオキシ基、N,N−ジアリールカルバモイルオキシ基、N−アルキル−N−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基などが好ましい。
これらにおけるアルキル基及びアリール基としては、前述のアルキル基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール基として示したものを挙げることができる。また、アシルオキシ基におけるアシル基(R07CO−)としては、R07が、先の例として挙げたアルキル基、置換アルキル基、アリール基ならびに置換アリール基のものを挙げることができる。これらの置換基の中では、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシルオキシ基、アリールスルホキシ基がより好ましい。
好ましいオキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ドデシルオキシ基、ベンジルオキシ基、アリルオキシ基、フェネチルオキシ基、カルボキシエチルオキシ基、メトキシカルボニルエチルオキシ基、エトキシカルボニルエチルオキシ基、メトキシエトキシ基、フェノキシエトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、モルホリノエトキシ基、モルホリノプロピルオキシ基、アリロキシエトキシエトキシ基、フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、メシチルオキシ基、メシチルオキシ基、クメニルオキシ基、メトキシフェニルオキシ基、エトキシフェニルオキシ基、クロロフェニルオキシ基、ブロモフェニルオキシ基、アセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ナフチルオキシ基、フェニルスルホニルオキシ基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基などが挙げられる。
Examples of the oxy group (R 06 O—) include those in which R 06 is a group composed of a monovalent nonmetallic atomic group excluding a hydrogen atom.
Examples of such oxy groups include alkoxy groups, aryloxy groups, acyloxy groups, carbamoyloxy groups, N-alkylcarbamoyloxy groups, N-arylcarbamoyloxy groups, N, N-dialkylcarbamoyloxy groups, N, N- A diarylcarbamoyloxy group, N-alkyl-N-arylcarbamoyloxy group, alkylsulfoxy group, arylsulfoxy group, phosphonooxy group, phosphonatoxy group and the like are preferable.
Examples of the alkyl group and aryl group in these include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group. Examples of the acyl group (R 07 CO—) in the acyloxy group include those in which R 07 is an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, or a substituted aryl group mentioned above. Among these substituents, an alkoxy group, an aryloxy group, an acyloxy group, and an arylsulfoxy group are more preferable.
Specific examples of preferred oxy groups include methoxy, ethoxy, propyloxy, isopropyloxy, butyloxy, pentyloxy, hexyloxy, dodecyloxy, benzyloxy, allyloxy, phenethyloxy, carboxy Ethyloxy group, methoxycarbonylethyloxy group, ethoxycarbonylethyloxy group, methoxyethoxy group, phenoxyethoxy group, methoxyethoxyethoxy group, ethoxyethoxyethoxy group, morpholinoethoxy group, morpholinopropyloxy group, allyloxyethoxyethoxy group, phenoxy Group, tolyloxy group, xylyloxy group, mesityloxy group, mesityloxy group, cumenyloxy group, methoxyphenyloxy group, ethoxyphenyloxy group, chlorophenyloxy group Group, bromophenyl group, acetyloxy group, benzoyloxy group, naphthyloxy group, a phenylsulfonyloxy group, a phosphonooxy group, a phosphonatooxy group.

アミド基を含んでもよいアミノ基(R08NH−、(R09)(R010)N−)としては、例えば、R08、R09、及びR010が水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基のものが挙げられる。なお、R09とR010とは結合して環を形成してもよい。
前記アミノ基としては、例えば、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、N,N−ジアリールアミノ基、N−アルキル−N−アリールアミノ基、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、N’−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキルウレイド基、N’−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリールウレイド基、N−アルキルウレイド基、N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N’−アリールウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N’−アリールウレイド基、N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アリール−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アリーロキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。これらにおけるアルキル基及びアリール基としては、前述のアルキル基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール基として示したものが挙げられる。また、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基おけるアシル基(R07CO−)のR07は前述の通りである。これらのうち、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、アシルアミノ基がより好ましい。
好ましいアミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、モルホリノ基、ピペリジノ基、ピロリジノ基、フェニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、アセチルアミノ基などが挙げられる。
As the amino group (R 08 NH—, (R 09 ) (R 010 ) N—) which may contain an amide group, for example, R 08 , R 09 , and R 010 are monovalent nonmetallic atoms excluding a hydrogen atom A group consisting of a group is mentioned. R 09 and R 010 may be bonded to form a ring.
Examples of the amino group include N-alkylamino group, N, N-dialkylamino group, N-arylamino group, N, N-diarylamino group, N-alkyl-N-arylamino group, acylamino group, N -Alkylacylamino group, N-arylacylamino group, ureido group, N'-alkylureido group, N ', N'-dialkylureido group, N'-arylureido group, N', N'-diarylureido group, N′-alkyl-N′-arylureido group, N-alkylureido group, N-arylureido group, N′-alkyl-N-alkylureido group, N′-alkyl-N-arylureido group, N ′, N '-Dialkyl-N-alkylureido group, N'-alkyl-N'-arylureido group, N', N'-dialkyl-N-alkylureido group, N ', N'- Alkyl-N′-arylureido group, N′-aryl-N-alkylureido group, N′-aryl-N-arylureido group, N ′, N′-diaryl-N-alkylureido group, N ′, N ′ -Diaryl-N-arylureido group, N'-alkyl-N'-aryl-N-alkylureido group, N'-alkyl-N'-aryl-N-arylureido group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino Group, N-alkyl-N-alkoxycarbonylamino group, N-alkyl-N-aryloxycarbonylamino group, N-aryl-N-alkoxycarbonylamino group, N-aryl-N-aryloxycarbonylamino group and the like. It is done. Examples of the alkyl group and aryl group in these include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group. Also, R 07 acylamino group, N- alkylacylamino group, N- arylacylamino group definitive acyl group (R 07 CO-) are as defined above. Of these, an N-alkylamino group, an N, N-dialkylamino group, an N-arylamino group, and an acylamino group are more preferable.
Specific examples of preferred amino groups include methylamino group, ethylamino group, diethylamino group, morpholino group, piperidino group, pyrrolidino group, phenylamino group, benzoylamino group, acetylamino group and the like.

前記スルホニル基(R011−SO−)としては、例えば、R011が一価の非金属原子団からなる基のものが挙げられる。
このようなスルホニル基としては、例えば、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基などが好ましい。これらにおけるアルキル基及びアリール基としては、前述のアルキル基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール基として示したものが挙げられる。
前記スルホニル基の具体例としては、ブチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、クロロフェニルスルホニル基などが挙げられる。
Examples of the sulfonyl group (R 011 —SO 2 —) include those in which R 011 is a group composed of a monovalent nonmetallic atomic group.
As such a sulfonyl group, for example, an alkylsulfonyl group, an arylsulfonyl group, and the like are preferable. Examples of the alkyl group and aryl group in these include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group.
Specific examples of the sulfonyl group include a butylsulfonyl group, a phenylsulfonyl group, and a chlorophenylsulfonyl group.

前記スルホナト基(−SO−)は、前述のとおり、スルホ基(−SOH)の共役塩基陰イオン基を意味し、通常は対陽イオンとともに使用されるのが好ましい。
このような対陽イオンとしては、一般に知られるものを適宜選択して用いることができ、例えば、オニウム類(例えば、アンモニウム類、スルホニウム類、ホスホニウム類、ヨードニウム類、アジニウム類等)、金属イオン類(例えば、Na、K、Ca2+、Zn2+等)が挙げられる。
As described above, the sulfonate group (—SO 3 —) means a conjugated base anion group of a sulfo group (—SO 3 H), and is usually preferably used together with a counter cation.
As such counter cations, generally known ones can be appropriately selected and used. For example, oniums (for example, ammoniums, sulfoniums, phosphoniums, iodoniums, aziniums, etc.), metal ions (For example, Na + , K + , Ca 2+ , Zn 2+ and the like).

前記カルボニル基(R013−CO−)としては、例えば、R013が一価の非金属原子団からなる基のものが挙げられる。
このようなカルボニル基としては、例えば、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N,N−ジアリールカルバモイル基、N−アルキル−N’−アリールカルバモイル基などが挙げられる。これらにおけるアルキル基及びアリール基としては、前述のアルキル基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール基として示したものが挙げられる。
前記カルボニル基としては、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基が好ましく、ホルミル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基がより好ましい。
前記カルボニル基の具体例としては、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基、カルボキシル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ジメチルアミノフェニルエテニルカルボニル基、メトキシカルボニルメトキシカルボニル基、N−メチルカルバモイル基、N−フェニルカルバモイル基、N,N−ジエチルカルバモイル基、モルホリノカルボニル基などが好適に挙げられる。
Examples of the carbonyl group (R 013 —CO—) include those in which R 013 is a group composed of a monovalent nonmetallic atomic group.
Examples of such carbonyl group include formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, and N-arylcarbamoyl group. N, N-diarylcarbamoyl group, N-alkyl-N′-arylcarbamoyl group and the like. Examples of the alkyl group and aryl group in these include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group.
As the carbonyl group, a formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, and N-arylcarbamoyl group are preferable. A group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, and an aryloxycarbonyl group are more preferable.
Specific examples of the carbonyl group include formyl group, acetyl group, benzoyl group, carboxyl group, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, allyloxycarbonyl group, dimethylaminophenylethenylcarbonyl group, methoxycarbonylmethoxycarbonyl group, N- Preferable examples include a methylcarbamoyl group, an N-phenylcarbamoyl group, an N, N-diethylcarbamoyl group, a morpholinocarbonyl group, and the like.

前記スルフィニル基(R014−SO−)としては、R014が一価の非金属原子団からなる基のものが挙げられる。
このようなスルフィニル基としては、例えば、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、スルフィナモイル基、N−アルキルスルフィナモイル基、N,N−ジアルキルスルフィナモイル基、N−アリールスルフィナモイル基、N,N−ジアリールスルフィナモイル基、N−アルキル−N−アリールスルフィナモイル基などが挙げられる。これらにおけるアルキル基及びアリール基としては、前述のアルキル基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール基として示したものが挙げられる。これらの中でも、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基が好ましい。
前記置換スルフィニル基の具体例としては、ヘキシルスルフィニル基、ベンジルスルフィニル基、トリルスルフィニル基などが好適に挙げられる。
Examples of the sulfinyl group (R 014 —SO—) include those in which R 014 is a monovalent nonmetallic atomic group.
Examples of such sulfinyl groups include alkylsulfinyl groups, arylsulfinyl groups, sulfinamoyl groups, N-alkylsulfinamoyl groups, N, N-dialkylsulfinamoyl groups, N-arylsulfinamoyl groups, N, N -Diarylsulfinamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfinamoyl group, etc. are mentioned. Examples of the alkyl group and aryl group in these include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group. Among these, an alkylsulfinyl group and an arylsulfinyl group are preferable.
Specific examples of the substituted sulfinyl group include hexylsulfinyl group, benzylsulfinyl group, tolylsulfinyl group and the like.

前記ホスホノ基とは、ホスホノ基上の水酸基の一つ乃至二つが他の有機オキソ基によって置換されたものを意味し、例えば、前述のジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基、アルキルアリールホスホノ基、モノアルキルホスホノ基、モノアリールホスホノ基などが好ましい。これらの中では、ジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基がより好ましい。
前記ホスホノ基のより好ましい具体例としては、ジエチルホスホノ基、ジブチルホスホノ基、ジフェニルホスホノ基などが挙げられる。
The phosphono group means a group in which one or two hydroxyl groups on the phosphono group are substituted with another organic oxo group. , Monoalkylphosphono group, monoarylphosphono group and the like are preferable. Of these, dialkylphosphono groups and diarylphosphono groups are more preferred.
More preferred specific examples of the phosphono group include a diethylphosphono group, a dibutylphosphono group, a diphenylphosphono group, and the like.

前記ホスホナト基(−PO−、−POH−)とは、前述のとおり、ホスホノ基(−PO)の、酸第一解離、又は酸第二解離に由来する共役塩基陰イオン基を意味する。通常は対陽イオンと共に使用されるのが好ましい。このような対陽イオンとしては、一般に知られるものを適宜選択することができ、例えば、種々のオニウム類(アンモニウム類、スルホニウム類、ホスホニウム類、ヨードニウム類、アジニウム類等)、金属イオン類(Na、K、Ca2+、Zn2+等)が挙げられる。 The phosphonato group (-PO 3 H 2 -, - PO 3 H-) and, as mentioned above, the phosphono group (-PO 3 H 2), coupled from the first dissociation acid, or the second dissociated acid bases An anionic group is meant. Usually, it is preferable to use it with a counter cation. As such a counter cation, generally known ones can be appropriately selected. For example, various oniums (ammoniums, sulfoniums, phosphoniums, iodoniums, aziniums, etc.), metal ions (Na + , K + , Ca 2+ , Zn 2+, etc.).

前記ホスホナト基は、ホスホノ基の内、水酸基を一つ有機オキソ基に置換したものの共役塩基陰イオン基であってもよく、このような具体例としては、前述のモノアルキルホスホノ基(−POH(alkyl))、モノアリールホスホノ基(−POH(aryl))の共役塩基が挙げられる。 The phosphonato group may be a conjugated base anion group obtained by substituting one organic oxo group in the phosphono group. Specific examples thereof include the monoalkylphosphono group (—PO 3 H (alkyl)) and a conjugate base of a monoarylphosphono group (—PO 3 H (aryl)).

前記芳香族基は、芳香族基を含有するラジカル重合性化合物1種以上と、必要に応じて共重合成分として他のラジカル重合性化合物1種以上とを通常のラジカル重合法によって製造することできる。
前記ラジカル重合法としては、例えば、一般的に懸濁重合法あるいは溶液重合法などが挙げられる。
The aromatic group can be produced by a normal radical polymerization method using at least one radical polymerizable compound containing an aromatic group and, if necessary, at least one other radical polymerizable compound as a copolymerization component. .
Examples of the radical polymerization method generally include a suspension polymerization method and a solution polymerization method.

前記芳香族基を含有するラジカル重合性化合物としては、例えば、一般式(A−I)で表される化合物、一般式(A−II)で表される化合物が好ましい。
ただし、前記一般式(A−I)中、R、R、及びRは水素原子又は1価の有機基を表す。Lは有機基を表し、なくてもよい。Arはヘテロ環を含んでもよい芳香族基を表す。
ただし、前記一般式(A−II)中、R、R、及びR3、並びに、Arは前記一般式(A−I)と同じ意を表す。
As the radically polymerizable compound containing an aromatic group, for example, a compound represented by the general formula (AI) and a compound represented by the general formula (A-II) are preferable.
However, in said general formula (AI), R < 1 >, R < 2 > and R < 3 > represent a hydrogen atom or monovalent organic group. L represents an organic group and may not be present. Ar represents an aromatic group that may contain a heterocycle.
However, in said general formula (A-II), R < 1 >, R < 2 >, R < 3 > and Ar represent the same meaning as the said general formula (AI).

前記Lの有機基としては、例えば、非金属原子からなる多価の有機基であり、1から60個までの炭素原子、0個から10個までの窒素原子、0個から50個までの酸素原子、1個から100個までの水素原子、及び0個から20個までの硫黄原子から成り立つものが挙げられる。
より具体的には、前記Lの有機基としては、下記の構造単位が組み合わさって構成されるもの、多価ナフタレン、多価アントラセンなどを挙げることができる。
The organic group of L is, for example, a polyvalent organic group composed of non-metallic atoms, and includes 1 to 60 carbon atoms, 0 to 10 nitrogen atoms, and 0 to 50 oxygen atoms. Those consisting of atoms, 1 to 100 hydrogen atoms, and 0 to 20 sulfur atoms.
More specifically, examples of the organic group of L include those formed by combining the following structural units, polyvalent naphthalene, polyvalent anthracene and the like.

前記Lの連結基は置換基を有してもよく、前記置換基としては、前述のハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、スルホナト基、ニトロ基、シアノ基、アミド基、アミノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換オキシ基、置換スルホニル基、置換カルボニル基、置換スルフィニル基、スルホ基、ホスホノ基、ホスホナト基、シリル基、ヘテロ環基が挙げられる。   The L linking group may have a substituent, and examples of the substituent include the aforementioned halogen atom, hydroxyl group, carboxyl group, sulfonate group, nitro group, cyano group, amide group, amino group, alkyl group, Examples include alkenyl groups, alkynyl groups, aryl groups, substituted oxy groups, substituted sulfonyl groups, substituted carbonyl groups, substituted sulfinyl groups, sulfo groups, phosphono groups, phosphonato groups, silyl groups, and heterocyclic groups.

前記一般式(A−I)で表される化合物、及び一般式(A−II)で表される化合物においては、一般式(A−I)の方が感度の点で好ましい。また、前記構造式(A−I)のうち、連結基を有しているものが安定性の点で好ましく、前記Lの有機基としては、炭素数1〜4のアルキレン基が非画像部の除去性(現像性)の点で好ましい。
前記一般式(A−I)で表される化合物は、下記一般式(A−1)の構造単位を含む化合物となる。また、前記一般式(A−II)で表される化合物は、下記一般式(A−2)の構造単位を含む化合物となる。この内、前記一般式(A−1)の構造単位の方が、保存安定性の点で好ましい。
In the compound represented by the general formula (AI) and the compound represented by the general formula (A-II), the general formula (AI) is preferable from the viewpoint of sensitivity. Among the structural formulas (AI), those having a linking group are preferable from the viewpoint of stability, and the organic group of L is an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms in the non-image portion. It is preferable in terms of removability (developability).
The compound represented by the general formula (AI) is a compound containing a structural unit represented by the following general formula (A-1). Moreover, the compound represented by the said general formula (A-II) turns into a compound containing the structural unit of the following general formula (A-2). Among these, the structural unit of the general formula (A-1) is preferable from the viewpoint of storage stability.

ただし、前記一般式(A−1)中、R、R、及びRは水素原子又は1価の有機基を表す。Lは有機基を表し、なくてもよい。Arはヘテロ環を含んでもよい芳香族基を表す。
ただし、前記一般式(A−1)及び一般式(A−2)中、R、R、及びR、並びに、Arは前記一般式(A−I)及び一般式(A−II)と同じ意を表す。
前記一般式(A−1)及び一般式(A−2)において、R及びRは水素原子、Rはメチル基である事が、非画像部の除去性(現像性)の点で好ましい。
また、前記一般式(A−1)のLは、炭素数1〜4のアルキレン基が非画像部の除去性(現像性)の点で好ましい。
However, in said general formula (A-1), R < 1 >, R < 2 > and R < 3 > represent a hydrogen atom or monovalent organic group. L represents an organic group and may not be present. Ar represents an aromatic group that may contain a heterocycle.
However, in said general formula (A-1) and general formula (A-2), R < 1 >, R < 2 > and R < 3 > and Ar are said general formula (AI) and general formula (A-II). Means the same.
In the general formulas (A-1) and (A-2), R 1 and R 2 are hydrogen atoms, and R 3 is a methyl group, from the viewpoint of the removability (developability) of the non-image area. preferable.
In addition, L in the general formula (A-1) is preferably an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms in terms of removability (developability) of non-image areas.

前記一般式(A−I)で表される化合物又は一般式(A−II)で表される化合物としては、特に制限はないが、例えば、以下の例示化合物(1)〜(30)が挙げられる。   Although there is no restriction | limiting in particular as a compound represented by the said general formula (AI) or a general formula (A-II), For example, the following exemplary compounds (1)-(30) are mentioned, for example. It is done.

前記例示化合物(1)〜(30)の中でも、(5)、(6)、(11)、(14)、及び(28)が好ましく、これらの中でも、(5)及び(6)が保存安定性及び現像性の点でより好ましい。   Among the exemplary compounds (1) to (30), (5), (6), (11), (14), and (28) are preferable, and among these, (5) and (6) are storage stable. Is more preferable from the viewpoints of colorability and developability.

前記ヘテロ環を含んでもよい芳香族基の前記バインダーにおける含有量は、特に制限はないが、高分子化合物の全構造単位を100mol%とした場合に、前記構造式(I)で表される構造単位を20mol%以上含有することが好ましく、30〜45mol%含有することがより好ましい。前記含有量が20mol未満であると、保存安定性が低くなることがあり、45mol%を超えると現像性が低下することがある。   The content of the aromatic group that may contain a heterocycle in the binder is not particularly limited, but the structure represented by the structural formula (I) when the total structural unit of the polymer compound is 100 mol%. It is preferable to contain 20 mol% or more of a unit, and it is more preferable to contain 30-45 mol%. When the content is less than 20 mol, storage stability may be lowered, and when it exceeds 45 mol%, developability may be lowered.

−エチレン性不飽和結合−
前記エチレン性不飽和結合としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、下記一般式(A−3)〜(A−5)で表されるものが好ましい。
-Ethylenically unsaturated bond-
There is no restriction | limiting in particular as said ethylenically unsaturated bond, Although it can select suitably according to the objective, For example, what is represented by the following general formula (A-3)-(A-5) is preferable.

ただし、前記一般式(A−3)〜(A−5)中、R〜R11は、それぞれ独立して1価の有機基を表す。X及びYは、それぞれ独立して、酸素原子、硫黄原子、又は−N−Rを表す。Zは、酸素原子、硫黄原子、−N−R、又はフェニレン基を表す。Rは、水素原子、又は1価の有機基を表す。 However, in the general formulas (A-3) to (A-5), R 1 to R 11 each independently represent a monovalent organic group. X and Y each independently represent an oxygen atom, a sulfur atom, or —N—R 4 . Z represents an oxygen atom, a sulfur atom, —N—R 4 , or a phenylene group. R 4 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group.

前記一般式(A−3)において、Rとしては、それぞれ独立して、例えば、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基などが好ましく、水素原子、メチル基がラジカル反応性が高いことからより好ましい。
前記R及びRとしては、それぞれ独立して、例えば、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、ニトロ基、シアノ基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアルキルアミノ基、置換基を有してもよいアリールアミノ基、置換基を有してもよいアルキルスルホニル基、置換基を有してもよいアリールスルホニル基などが挙げられ、水素原子、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基が、ラジカル反応性が高いことからより好ましい。
前記Rとしては、例えば、置換基を有してもよいアルキル基などが好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基がラジカル反応性が高いことからより好ましい。
ここで、導入しうる前記置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリーロキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、ニトロ基、シアノ基、アミド基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基などが挙げられる。
In the general formula (A-3), as R 1 , for example, a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent is preferable, and a hydrogen atom or a methyl group has high radical reactivity. This is more preferable.
R 2 and R 3 are each independently, for example, a hydrogen atom, a halogen atom, an amino group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a sulfo group, a nitro group, a cyano group, or an alkyl which may have a substituent. Group, aryl group which may have a substituent, alkoxy group which may have a substituent, aryloxy group which may have a substituent, alkylamino group which may have a substituent, substituent An arylamino group which may have a substituent, an alkylsulfonyl group which may have a substituent, an arylsulfonyl group which may have a substituent, and the like, such as a hydrogen atom, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a substituent An alkyl group that may have a substituent and an aryl group that may have a substituent are more preferable because of high radical reactivity.
As R 4 , for example, an alkyl group which may have a substituent is preferable, and a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, and an isopropyl group are more preferable because of high radical reactivity.
Here, examples of the substituent that can be introduced include an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a halogen atom, an amino group, an alkylamino group, an arylamino group, a carboxyl group, and an alkoxy group. Examples include carbonyl group, sulfo group, nitro group, cyano group, amide group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group and the like.

前記一般式(A−4)において、R〜Rとしては、例えば、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、ジアルキルアミノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、ニトロ基、シアノ基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアルキルアミノ基、置換基を有してもよいアリールアミノ基、置換基を有してもよいアルキルスルホニル基、置換基を有してもよいアリールスルホニル基などが好ましく、水素原子、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基がより好ましい。
導入しうる前記置換基としては、前記一般式(A−3)において挙げたものが例示される。
In the general formula (A-4), examples of R 4 to R 8 include a hydrogen atom, a halogen atom, an amino group, a dialkylamino group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a sulfo group, a nitro group, a cyano group, and a substituent. An alkyl group that may have a group, an aryl group that may have a substituent, an alkoxy group that may have a substituent, an aryloxy group that may have a substituent, and a substituent An alkylamino group which may have a substituent, an arylamino group which may have a substituent, an alkylsulfonyl group which may have a substituent, an arylsulfonyl group which may have a substituent, etc. are preferable, a hydrogen atom, a carboxyl group , An alkoxycarbonyl group, an alkyl group which may have a substituent, and an aryl group which may have a substituent are more preferable.
As said substituent which can be introduce | transduced, what was quoted in the said general formula (A-3) is illustrated.

前記一般式(A−5)において、Rとしては、例えば、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基などが好ましく、水素原子、メチル基がラジカル反応性が高いことからより好ましい。
前記R10、R11としては、それぞれ独立して、例えば、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、ジアルキルアミノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、ニトロ基、シアノ基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアルキルアミノ基、置換基を有してもよいアリールアミノ基、置換基を有してもよいアルキルスルホニル基、置換基を有してもよいアリールスルホニル基などが好ましく、水素原子、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基がラジカル反応性が高いことからより好ましい。
ここで、導入しうる前記置換基としては、一般式(A−3)において挙げたものが例示される。
前記Zとしては、酸素原子、硫黄原子、−NR13−、又は置換基を有してもよいフェニレン基を表す。R13は、置換基を有してもよいアルキル基などを表し、水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基がラジカル反応性が高いことから好ましい。
In the general formula (A-5), as R 9 , for example, a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent is preferable, and a hydrogen atom or a methyl group is more preferable because of high radical reactivity.
R 10 and R 11 each independently have, for example, a hydrogen atom, a halogen atom, an amino group, a dialkylamino group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a sulfo group, a nitro group, a cyano group, or a substituent. An alkyl group which may have a substituent, an aryl group which may have a substituent, an alkoxy group which may have a substituent, an aryloxy group which may have a substituent, an alkylamino which may have a substituent Group, an arylamino group which may have a substituent, an alkylsulfonyl group which may have a substituent, an arylsulfonyl group which may have a substituent, and the like, preferably a hydrogen atom, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group An alkyl group which may have a substituent and an aryl group which may have a substituent are more preferable because of high radical reactivity.
Here, as the substituent which can be introduced, those exemplified in the general formula (A-3) are exemplified.
Z represents an oxygen atom, a sulfur atom, —NR 13 —, or a phenylene group which may have a substituent. R 13 represents an alkyl group which may have a substituent, and a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, and an isopropyl group are preferable because of high radical reactivity.

前記一般式(A−3)〜(A−5)で表される側鎖エチレン性不飽和結合の中でも、一般式(A−3)のものが、重合反応性が高く感度が高くなり、より好ましい。
前記エチレン性不飽和結合の前記高分子化合物における含有量は、特に制限はないが、0.5〜3.0meq/gが好ましく、1.0〜3.0meq/gがより好ましく、1.5〜2.8meq/gが特に好ましい。前記含有量が0.5meq/g未満であると、硬化反応量が少ないため低感度となることがあり、3.0meq/gより多いと、保存安定性が劣化することがある。
ここで、前記含有量(meq/g)は、例えば、ヨウ素価滴定により測定することができる。
Among the side chain ethylenically unsaturated bonds represented by the general formulas (A-3) to (A-5), those having the general formula (A-3) have high polymerization reactivity and higher sensitivity. preferable.
The content of the ethylenically unsaturated bond in the polymer compound is not particularly limited, but is preferably 0.5 to 3.0 meq / g, more preferably 1.0 to 3.0 meq / g, 1.5 ˜2.8 meq / g is particularly preferred. When the content is less than 0.5 meq / g, the curing reaction amount is small, so the sensitivity may be low. When the content is more than 3.0 meq / g, the storage stability may be deteriorated.
Here, the content (meq / g) can be measured by, for example, iodine value titration.

前記一般式(A−3)で表されエチレン性不飽和結合を側鎖に導入する方法としては、特に制限はないが、例えば、側鎖にカルボキシル基を含有する高分子化合物とエチレン性不飽和結合及びエポキシ基を有する化合物を付加反応させることで得ることができる。
前記側鎖にカルボキシル基を含有する高分子化合物は、例えば、カルボキシル基を含有するラジカル重合性化合物1種以上と、必要に応じて共重合成分として他のラジカル重合性化合物1種以上とを通常のラジカル重合法によって製造することでき、前記ラジカル重合法としては、例えば、懸濁重合法、溶液重合法などが挙げられる。
The method for introducing an ethylenically unsaturated bond represented by the general formula (A-3) into the side chain is not particularly limited, but for example, a polymer compound containing a carboxyl group in the side chain and ethylenically unsaturated It can be obtained by addition reaction of a compound having a bond and an epoxy group.
The polymer compound containing a carboxyl group in the side chain is usually composed of, for example, one or more radical polymerizable compounds containing a carboxyl group and, if necessary, one or more other radical polymerizable compounds as a copolymerization component. The radical polymerization method includes, for example, suspension polymerization method, solution polymerization method and the like.

前記エチレン性不飽和結合及びエポキシ基を有する化合物としては、これらを有すれば特に制限はないが、例えば、下記一般式(A−6)で表される化合物及び一般式(A−7)で表される化合物が好ましい。特に、一般式(A−6)で表される化合物を使用するほうが、高感度化の点で好ましい。
ただし、前記一般式(A−6)中、Rは水素原子又はメチル基を表す。Lは有機基を表す。
ただし、前記一般式(A−7)中、Rは水素原子又はメチル基を表す。Lは有機基を表す。Wは4〜7員環の脂肪族炭化水素基を表す。
前記一般式(A−6)で表される化合物及び一般式(A−7)で表される化合物の中でも、一般式(A−6)で表される化合物が好ましく、前記一般式(A−7)においても、Lが炭素数1〜4のアルキレン基のものがより好ましい。
The compound having an ethylenically unsaturated bond and an epoxy group is not particularly limited as long as it has these, but for example, a compound represented by the following general formula (A-6) and a general formula (A-7) The compounds represented are preferred. In particular, the use of the compound represented by the general formula (A-6) is preferable in terms of increasing sensitivity.
In the general formula (A-6), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. L 1 represents an organic group.
In the general formula (A-7), R 2 represents a hydrogen atom or a methyl group. L 2 represents an organic group. W represents a 4- to 7-membered aliphatic hydrocarbon group.
Of the compound represented by the general formula (A-6) and the compound represented by the general formula (A-7), the compound represented by the general formula (A-6) is preferable, and the general formula (A- Also in 7), L 1 is more preferably an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms.

前記一般式(A−6)で表される化合物又は一般式(A−7)で表される化合物としては、特に制限はないが、例えば、以下の例示化合物(31)〜(40)が挙げられる。
The compound represented by the general formula (A-6) or the compound represented by the general formula (A-7) is not particularly limited, and examples thereof include the following exemplified compounds (31) to (40). It is done.

前記カルボキシル基を含有するラジカル重合性化合物しては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、インクロトン酸、マレイン酸、p−カルボキシルスチレンなどがあり、特に好ましいものは、アクリル酸、メタクリル酸などが挙げられる。   Examples of the radical polymerizable compound containing a carboxyl group include acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, incrotonic acid, maleic acid, p-carboxyl styrene, and particularly preferred is acrylic acid. And methacrylic acid.

前記側鎖への導入反応としては、例えば、トリエチルアミン、ベンジルメチルアミン等の3級アミン、ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムクロライド等の4級アンモニウム塩、ピリジン、トリフェニルフォスフィンなどを触媒として有機溶剤中、反応温度50〜150℃で数時間〜数十時間反応させることにより行うことができる。   Examples of the introduction reaction to the side chain include tertiary amines such as triethylamine and benzylmethylamine, quaternary ammonium salts such as dodecyltrimethylammonium chloride, tetramethylammonium chloride, and tetraethylammonium chloride, pyridine, triphenylphosphine, and the like. Can be carried out by reacting in an organic solvent at a reaction temperature of 50 to 150 ° C. for several hours to several tens of hours.

前記側鎖にエチレン性不飽和結合を有する構造単位としては、特に制限はないが、例えば、下記一般式(A−8)で表される構造、一般式(A−9)で表される構造、及びこれらの混合により表されるものが好ましい。
ただし、前記一般式(A−8)及び一般式(A−9)中、Ra〜Rcは水素原子又は1価の有機基を表す。Rは水素原子又はメチル基を表す。Lは連結基を有してもよい有機基を表す。
Although there is no restriction | limiting in particular as a structural unit which has an ethylenically unsaturated bond in the said side chain, For example, the structure represented by the following general formula (A-8), the structure represented by general formula (A-9) And those represented by a mixture thereof are preferred.
However, in said general formula (A-8) and general formula (A-9), Ra-Rc represents a hydrogen atom or monovalent organic group. R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. L 1 represents an organic group that may have a linking group.

前記一般式(A−8)で表される構造乃至一般式(A−9)で表される構造の高分子化合物における含有量は、20mol%以上が好ましく、20〜50mol%がより好ましく、25〜45mol%が特に好ましい。前記含有量が20mol%未満では、硬化反応量が少ないため低感度となることがあり、50mol%より多いと、保存安定性が劣化することがある。   The content of the polymer compound having the structure represented by the general formula (A-8) to the structure represented by the general formula (A-9) is preferably 20 mol% or more, more preferably 20 to 50 mol%, 25 -45 mol% is particularly preferred. When the content is less than 20 mol%, the curing reaction amount is small, so that the sensitivity may be low. When the content is more than 50 mol%, the storage stability may be deteriorated.

−カルボキシル基−
本発明の高分子化合物においては、非画像部除去性などの諸性能を向上させるために、カルボキシル基を有していてもよい。
前記カルボキシル基は、酸基を有するラジカル重合性化合物を共重合させることにより、前記高分子化合物に付与することができる。
このようなラジカル重合性が有する酸基としては、例えば、カルボン酸、スルホン酸、リン酸基などが挙げられ、カルボン酸が特に好ましい。
前記カルボキシル基を有するラジカル重合性化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、インクロトン酸、マレイン酸、p−カルボキシルスチレンなどが挙げられ、これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸、p−カルボキシルスチレンが好ましい。これらは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
-Carboxyl group-
The polymer compound of the present invention may have a carboxyl group in order to improve various performances such as non-image area removability.
The carboxyl group can be imparted to the polymer compound by copolymerizing a radical polymerizable compound having an acid group.
Examples of the acid group having such radical polymerizability include carboxylic acid, sulfonic acid, and phosphoric acid group, and carboxylic acid is particularly preferable.
The radical polymerizable compound having a carboxyl group is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, incrotonic acid, maleic acid, p -Carboxylstyrene etc. are mentioned, Among these, acrylic acid, methacrylic acid, and p-carboxylstyrene are preferable. These may be used alone or in combination of two or more.

前記カルボキシル基のバインダーにおける含有量は、1.0〜4.0meq/gであり、1.5〜3.0meq/gが好ましい。前記含有量が1.0meq/g未満では現像性が不十分となることがあり、4.0meq/gを越えるとアルカリ水現像による画像強度ダメージを受けやすくなることがある。   Content in the binder of the said carboxyl group is 1.0-4.0 meq / g, and 1.5-3.0 meq / g is preferable. If the content is less than 1.0 meq / g, the developability may be insufficient, and if it exceeds 4.0 meq / g, the image strength may be easily damaged by alkaline water development.

本発明の高分子化合物は、画像強度などの諸性能を向上する目的で、前述のラジカル重合性化合物の他に、更に他のラジカル重合性化合物を共重合させることが好ましい。
前記他のラジカル重合性化合物としては、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、スチレン類などから選ばれるラジカル重合性化合物などが挙げられる。
The polymer compound of the present invention is preferably further copolymerized with another radical polymerizable compound in addition to the above-mentioned radical polymerizable compound for the purpose of improving various properties such as image strength.
Examples of the other radical polymerizable compound include radical polymerizable compounds selected from acrylic acid esters, methacrylic acid esters, styrenes, and the like.

具体的には、アルキルアクリレート等のアクリル酸エステル類、アリールアクリレート、アルキルメタクリレート等のメタクリル酸エステル類、アリールメタクリレート、スチレン、アルキルスチレン等のスチレン類、アルコキシスチレン、ハロゲンスチレンなどが挙げられる。
前記アクリル酸エステル類としては、アルキル基の炭素原子数は1〜20のものが好ましく、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸エチルへキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−t−オクチル、クロルエチルアクリレート、2,2−ジメチルヒドロキシプロピルアクリレート、5−ヒドロキシペンチルアクリレート、トリメチロールプロパンモノアクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリレート、グリシジルアクリレート、ベンジルアクリレート、メトキシベンジルアクリレート、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレートなどが挙げられる。
前記アリールアクリレートとしては、例えば、フェニルアクリレートなどが挙げられる。
Specific examples include acrylic acid esters such as alkyl acrylate, methacrylic acid esters such as aryl acrylate and alkyl methacrylate, styrenes such as aryl methacrylate, styrene and alkyl styrene, alkoxy styrene, and halogen styrene.
As the acrylate esters, alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms are preferable. For example, methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, butyl acrylate, amyl acrylate, ethyl hexyl acrylate Octyl acrylate, tert-octyl acrylate, chloroethyl acrylate, 2,2-dimethylhydroxypropyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, trimethylolpropane monoacrylate, pentaerythritol monoacrylate, glycidyl acrylate, benzyl acrylate, methoxybenzyl Examples thereof include acrylate, furfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, and the like.
Examples of the aryl acrylate include phenyl acrylate.

前記メタクリル酸エステル類としては、アルキル基の炭素原子は1〜20のものが好ましく、例えば、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリレー卜、4−ヒドロキシブチルメタクリレート、5−ヒドロキシペンチルメタクリレート、2,2−ジメチル−3−ヒドロキシプロピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタクリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレート、グリシジルメタクリレート、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなどが挙げられる。
前記アリールメタクリレートとしては、例えば、フェニルメタクリレート、クレジルメタクリレート、ナフチルメタクリレートなどが挙げられる。
As the methacrylic acid esters, those having 1 to 20 carbon atoms in the alkyl group are preferable. For example, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, amyl methacrylate, hexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, chlorobenzyl. Methacrylate, octyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, 2,2-dimethyl-3-hydroxypropyl methacrylate, trimethylolpropane monomethacrylate, pentaerythritol monomethacrylate, glycidyl methacrylate, furfuryl methacrylate, tetrahydro And furfuryl methacrylate.
Examples of the aryl methacrylate include phenyl methacrylate, cresyl methacrylate, and naphthyl methacrylate.

前記スチレン類としては、例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルスチレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキシルスチレン、シクロへキシルスチレン、デシルスチレン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセトキシメチルスチレンなどが挙げられる。
前記アルコキシスチレンとしては、例えば、メトキシスチレン、4−メトキシ−3−メチルスチレン、ジメトキシスチレンなどが挙げられる。
前記ハロゲンスチレンとしては、例えばクロルスチレン、ジクロルスチレン、トリクロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルスチレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードスチレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、2−ブロム−4−トリフルオルメチルスチレン、4−フルオル−3−トリフルオルメチルスチレンなどが挙げられる。
これらのラジカル重合性化合物は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
Examples of the styrenes include methyl styrene, dimethyl styrene, trimethyl styrene, ethyl styrene, diethyl styrene, isopropyl styrene, butyl styrene, hexyl styrene, cyclohexyl styrene, decyl styrene, benzyl styrene, chloromethyl styrene, and trifluoromethyl. Examples thereof include styrene, ethoxymethyl styrene, acetoxymethyl styrene and the like.
Examples of the alkoxystyrene include methoxystyrene, 4-methoxy-3-methylstyrene, dimethoxystyrene, and the like.
Examples of the halogen styrene include chlorostyrene, dichlorostyrene, trichlorostyrene, tetrachlorostyrene, pentachlorostyrene, bromostyrene, dibromostyrene, iodostyrene, fluorostyrene, trifluorostyrene, and 2-bromo-4-trifluoro. Examples include rumethylstyrene and 4-fluoro-3-trifluoromethylstyrene.
These radically polymerizable compounds may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

本発明の高分子化合物を合成する際に用いられる溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エチレンジクロリド、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトン、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メトキシエチルアセテート、1−メトキシ−2−プロパノール、1−メトキシ−2−プロピルアセテート、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチルなどが挙げられる。これらは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。   The solvent used in synthesizing the polymer compound of the present invention is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, ethylene dichloride, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, acetone, methanol, ethanol, propanol, Butanol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, 1-methoxy-2-propanol, 1-methoxy-2-propyl acetate, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, Examples include dimethyl sulfoxide, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, and ethyl lactate. These may be used alone or in combination of two or more.

本発明の高分子化合物の分子量は、質量平均分子量で、3,000〜100,000が好ましく、5,000〜80,000がより好ましく、10,000〜50,000が特に好ましい。前記質量平均分子量が3,000を下回ると硬化膜強度が不足することがあり、100,000を超えると現像性が低下する傾向にある。
また、本発明の高分子化合物中には、未反応の単量体を含んでいてもよい。この場合、前記単量体の前記高分子化合物における含有量は、15質量%以下が好ましい。
The molecular weight of the polymer compound of the present invention is preferably a mass average molecular weight of 3,000 to 100,000, more preferably 5,000 to 80,000, and particularly preferably 10,000 to 50,000. When the mass average molecular weight is less than 3,000, the cured film strength may be insufficient, and when it exceeds 100,000, the developability tends to decrease.
Further, the polymer compound of the present invention may contain an unreacted monomer. In this case, the content of the monomer in the polymer compound is preferably 15% by mass or less.

本発明に係る高分子化合物は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。また、他の高分子化合物を混合して用いてもよい。この場合、前記他の高分子化合物の前記本発明の高分子化合物における含有量は、50質量%以下が好ましく、30質量%以下がより好ましい。   The polymer compound according to the present invention may be used alone or in combination of two or more. Moreover, you may mix and use another high molecular compound. In this case, the content of the other polymer compound in the polymer compound of the present invention is preferably 50% by mass or less, and more preferably 30% by mass or less.

−エポキシアクリレート化合物−
更に、前記バインダーとしては、エポキシアクリレート化合物を用いることもできる。本発明のエポキシアクリレート化合物とは、エポキシ化合物由来の骨格を有し、かつ分子中にエチレン性不飽和二重結合とカルボキシル基等の酸性基を含有する化合物である。このような化合物は、例えば、多官能エポキシ化合物とカルボキシル基含有モノマーとを反応させ、更に多塩基酸無水物を付加させる方法などで得られる。
-Epoxy acrylate compound-
Furthermore, an epoxy acrylate compound can also be used as the binder. The epoxy acrylate compound of the present invention is a compound having a skeleton derived from an epoxy compound and containing an acidic group such as an ethylenically unsaturated double bond and a carboxyl group in the molecule. Such a compound can be obtained, for example, by a method of reacting a polyfunctional epoxy compound with a carboxyl group-containing monomer and further adding a polybasic acid anhydride.

前記多官能エポキシ化合物としては、例えば、ビキシレノール型もしくはビスフェノール型エポキシ樹脂(「YX4000;ジャパンエポキシレジン社製」等)又はこれらの混合物、イソシアヌレート骨格等を有する複素環式エポキシ樹脂(「TEPIC;日産化学工業社製」、「アラルダイトPT810;チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製」等)、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂(例えばテトラグリシジルジアミノジフェニルメタン等)、ヒダントイン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、グリシジルフタレート樹脂、テトラグリシジルキシレノイルエタン樹脂、ナフタレン基含有エポキシ樹脂(「ESN−190,ESN−360;新日鉄化学社製」、「HP−4032,EXA−4750,EXA−4700;大日本インキ化学工業社製」等)、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂(「HP−7200,HP−7200H;大日本インキ化学工業社製」等);フェノール、o−クレゾール、ナフトール等のフェノール化合物と、フェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒド(例えば、p−ヒドロキシベンズアルデヒド)との縮合反応により得られるポリフェノール化合物とエピクロルヒドリンとの反応物;フェノール化合物とジビニルベンゼンやジシクロペンタジエン等のジオレフィン化合物との付加反応によって得られるポリフェノール化合物と、エピクロルヒドリンとの反応物;4−ビニルシクロヘキセン−1−オキサイドの開環重合物を過酢酸等でエポキシ化したもの;トリグリシジルイソシアヌレート等の複素環を有するエポキシ樹脂;グリシジルメタアクリレート共重合系エポキシ樹脂(「CP−50S,CP−50M;日本油脂社製」等)、シクロヘキシルマレイミドとグリシジルメタアクリレートとの共重合エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
また、前記カルボキシル基含有モノマーの例としては、例えば(メタ)アクリル酸、ビニル安息香酸、マレイン酸、マレイン酸モノアルキルエステル、フマル酸、イタコン酸、クロトン酸、桂皮酸、ソルビン酸、α−シアノ桂皮酸、アクリル酸ダイマー;この他、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等の水酸基を有する単量体と無水マレイン酸、無水フタル酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物等の環状酸無水物との付加反応物;ハロゲン含有カルボン酸化合物との反応生成物、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート、などが挙げられる。さらに、市販品としては、東亜合成化学工業(株)製のアロニックスM−5300、M−5400、M−5500およびM−5600、新中村化学工業(株)製のNKエステルCB−1およびCBX−1、共栄社油脂化学工業(株)製のHOA−MPおよびHOA−MS、大阪有機化学工業(株)製のビスコート#2100などを用いることができる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
また、前記多塩基酸無水物としては、例えば、無水コハク酸、無水メチルコハク酸、無水2,3−ジメチルコハク酸、無水2,2−ジメチルコハク酸、無水エチルコハク酸、無水ドデセニルコハク酸、無水ノネニルコハク酸、無水マレイン酸、無水メチルマレイン酸、無水2,3−ジメチルマレイン酸、無水2−クロロマレイン酸、無水2,3−ジクロロマレイン酸、無水ブロモマレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、無水シスアコット酸、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、テトラクロロ無水フタル酸、テトラブロモ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、無水クロレンド酸および5−(2,5−ジオキソテトラヒドロフリル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物などの二塩基酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸等の多塩基酸無水物なども使用できる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
それぞれを順次反応させて、エポキシアクリレートを得るが、それらを反応させる比率は、多官能エポキシ化合物のエポキシ基1当量に対して、カルボキシル基含有モノマーのカルボキシル基0.8〜1.2当量、好ましくは、0.9〜1.1当量であり、多塩基酸無水物0.1〜1.0当量、好ましくは、0.3〜1.0当量である。
また、特開平5−70528号公報記載のフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート(カルボキシル基を有してはいない化合物)に前記多塩基酸無水物を付加させて得られる化合物なども本発明のエポキシアクリレートとして利用できる。
前記エポキシアクリレート化合物の分子量は、質量平均分子量で、3,000〜100,000が好ましく、5,000〜50,000がより好ましい。該分子量が、3,000未満であると、感光層表面のタック性が強くなることがあり、後述する感光層の硬化後において、膜質が脆くなる、あるいは、表面硬度が劣化することがあり、100,000を超えると、現像性が劣化することがある。また樹脂の合成も困難となる。
Examples of the polyfunctional epoxy compound include a bixylenol type or bisphenol type epoxy resin (“YX4000; manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.”) or a mixture thereof, a heterocyclic epoxy resin (“TEPIC; NISSAN CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD. “ALALDITE PT810; Ciba Specialty Chemicals”, etc.), bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolac Type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, halogenated phenol novolac type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin (for example, tetraglycidyldiaminodiphenylmethane), hydantoin Epoxy resin, alicyclic epoxy resin, trihydroxyphenylmethane type epoxy resin, bisphenol A novolac type epoxy resin, tetraphenylolethane type epoxy resin, glycidyl phthalate resin, tetraglycidyl xylenoyl ethane resin, naphthalene group-containing epoxy resin ( “ESN-190, ESN-360; manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.”, “HP-4032, EXA-4750, EXA-4700; manufactured by Dainippon Ink and Chemicals”, etc.), epoxy resins having a dicyclopentadiene skeleton (“HP -7200, HP-7200H; manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.); condensation of phenolic compounds such as phenol, o-cresol, naphthol and the like with aromatic aldehydes having a phenolic hydroxyl group (for example, p-hydroxybenzaldehyde) Anti Reaction product of polyphenol compound and epichlorohydrin obtained by the above; reaction product of polyphenol compound obtained by addition reaction of phenol compound and diolefin compound such as divinylbenzene and dicyclopentadiene and epichlorohydrin; 4-vinylcyclohexene-1- Epoxidized ring-opening polymer of oxide with peracetic acid or the like; epoxy resin having a heterocyclic ring such as triglycidyl isocyanurate; glycidyl methacrylate copolymer epoxy resin (“CP-50S, CP-50M; NOF Corporation) And the like, and a copolymer epoxy resin of cyclohexylmaleimide and glycidyl methacrylate. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
Examples of the carboxyl group-containing monomer include (meth) acrylic acid, vinyl benzoic acid, maleic acid, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid, itaconic acid, crotonic acid, cinnamic acid, sorbic acid, α-cyano. Cinnamic acid, acrylic acid dimer; in addition, addition reaction of a monomer having a hydroxyl group such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate with a cyclic acid anhydride such as maleic anhydride, phthalic anhydride, or cyclohexanedicarboxylic anhydride A reaction product with a halogen-containing carboxylic acid compound, ω-carboxy-polycaprolactone mono (meth) acrylate, and the like. Furthermore, commercially available products include Aronix M-5300, M-5400, M-5500 and M-5600 manufactured by Toa Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., NK Esters CB-1 and CBX- manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. 1. Kyoeisha Yushi Chemical Co., Ltd. HOA-MP and HOA-MS, Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd. biscoat # 2100, etc. can be used. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
Examples of the polybasic acid anhydride include succinic anhydride, methyl succinic anhydride, 2,3-dimethyl succinic anhydride, 2,2-dimethyl succinic anhydride, ethyl succinic anhydride, dodecenyl succinic anhydride, and nonenyl succinic anhydride. , Maleic anhydride, methylmaleic anhydride, 2,3-dimethylmaleic anhydride, 2-chloromaleic anhydride, 2,3-dichloromaleic anhydride, bromomaleic anhydride, itaconic anhydride, citraconic anhydride, cisaccot anhydride Acid, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, tetrachlorophthalic anhydride, tetrabromophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, endomethylenetetrahydrophthalic anhydride, methylendomethylene Tetrahydro anhydride Dibasic acid anhydrides such as phosphoric acid, chlorendic anhydride and 5- (2,5-dioxotetrahydrofuryl) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride, trimellitic anhydride, anhydrous Polybasic acid anhydrides such as pyromellitic acid and 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic acid can also be used. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
Each of them is reacted in order to obtain an epoxy acrylate, and the ratio of reacting them is preferably 0.8 to 1.2 equivalents of carboxyl groups of the carboxyl group-containing monomer with respect to 1 equivalent of epoxy groups of the polyfunctional epoxy compound. Is 0.9-1.1 equivalent, 0.1-1.0 equivalent of polybasic acid anhydride, preferably 0.3-1.0 equivalent.
In addition, compounds obtained by adding the polybasic acid anhydride to an epoxy acrylate having a fluorene skeleton (a compound having no carboxyl group) described in JP-A-5-70528 are also used as the epoxy acrylate of the present invention. Available.
The molecular weight of the epoxy acrylate compound is preferably 3,000 to 100,000, more preferably 5,000 to 50,000 in terms of mass average molecular weight. When the molecular weight is less than 3,000, the tackiness of the surface of the photosensitive layer may become strong, and after curing of the photosensitive layer described later, the film quality may become brittle, or the surface hardness may deteriorate, If it exceeds 100,000, developability may deteriorate. Also, synthesis of the resin becomes difficult.

前記バインダーの前記感光性組成物中の固形分含有量は、5〜80質量%が好ましく、10〜70質量%がより好ましい。   5-80 mass% is preferable and, as for solid content content in the said photosensitive composition of the said binder, 10-70 mass% is more preferable.

<熱架橋剤>
前記熱架橋剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記感光性組成物を用いて形成される感光層の硬化後の膜強度を改良するために、現像性等に悪影響を与えない範囲で、例えば、1分子内に少なくとも2つのオキシラン基を有するエポキシ化合物、1分子内に少なくとも2つのオキセタニル基を有するオキセタン化合物を用いることができる。前記熱架橋剤は、金メッキ耐性の観点から、アルカリ不溶性であることが好ましい。
<Thermal crosslinking agent>
The thermal crosslinking agent is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. In order to improve the film strength after curing of the photosensitive layer formed using the photosensitive composition, developability For example, an epoxy compound having at least two oxirane groups in one molecule and an oxetane compound having at least two oxetanyl groups in one molecule can be used. The thermal crosslinking agent is preferably insoluble in alkali from the viewpoint of gold plating resistance.

前記1分子中に少なくとも2つのオキシラン基を有するエポキシ化合物としては、例えば、ビキシレノール型もしくはビフェノール型エポキシ樹脂(「YX4000ジャパンエポキシレジン社製」等)又はこれらの混合物、イソシアヌレート骨格等を有する複素環式エポキシ樹脂(「TEPIC;日産化学工業(株)製」、「アラルダイトPT810;チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製」等)、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂(例えば低臭素化エポキシ樹脂、高ハロゲン化エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂など)、アリル基含有ビスフェノールA型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジフェニルジメタノール型エポキシ樹脂、フェノールビフェニレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(「HP−7200,HP−7200H;大日本インキ化学工業(株)製」等)、グリシジルアミン型エポキシ樹脂(ジアミノジフェニルメタン型エポキシ樹脂、ジグリシジルアニリン、トリグリシジルアミノフェノール等)、グリジジルエステル型エポキシ樹脂(フタル酸ジグリシジルエステル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、ダイマー酸ジグリシジルエステル等)ヒダントイン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ビス(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル)アジペート、ジシクロペンタジエンジエポキシド、「GT−300、GT−400、ZEHPE3150;ダイセル化学工業製」等、)、イミド型脂環式エポキシ樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、グリシジルフタレート樹脂、テトラグリシジルキシレノイルエタン樹脂、ナフタレン基含有エポキシ樹脂(ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、4官能ナフタレン型エポキシ樹脂、市販品としては「ESN−190,ESN−360;新日鉄化学(株)製」、「HP−4032,EXA−4750,EXA−4700;大日本インキ化学工業(株)製」等)、フェノール化合物とジビニルベンゼンやジシクロペンタジエン等のジオレフィン化合物との付加反応によって得られるポリフェノール化合物と、エピクロルヒドリンとの反応物、4−ビニルシクロヘキセン−1−オキサイドの開環重合物を過酢酸等でエポキシ化したもの、線状含リン構造を有するエポキシ樹脂、環状含リン構造を有するエポキシ樹脂、α−メチルスチルベン型液晶エポキシ樹脂、ジベンゾイルオキシベンゼン型液晶エポキシ樹脂、アゾフェニル型液晶エポキシ樹脂、アゾメチンフェニル型液晶エポキシ樹脂、ビナフチル型液晶エポキシ樹脂、アジン型エポキシ樹脂、グリシジルメタアクリレート共重合系エポキシ樹脂(「CP−50S,CP−50M;日本油脂(株)製」等)、シクロヘキシルマレイミドとグリシジルメタアクリレートとの共重合エポキシ樹脂、ビス(グリシジルオキシフェニル)フルオレン型エポキシ樹脂、ビス(グリシジルオキシフェニル)アダマンタン型エポキシ樹脂などが挙げられるが、これらに限られるものではない。これらのエポキシ樹脂は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Examples of the epoxy compound having at least two oxirane groups in one molecule include, for example, a bixylenol type or biphenol type epoxy resin (“YX4000 Japan Epoxy Resin” etc.) or a mixture thereof, a complex having an isocyanurate skeleton, etc. Cyclic epoxy resin (“TEPIC; manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.”, “Araldite PT810; manufactured by Ciba Specialty Chemicals”, etc.), bisphenol A type epoxy resin, novolac type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, water Bisphenol A type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, halogenated epoxy resin (for example, low brominated epoxy resin, high halogenated epoxy resin) Brominated phenol novolac type epoxy resin, etc.), allyl group-containing bisphenol A type epoxy resin, trisphenolmethane type epoxy resin, diphenyldimethanol type epoxy resin, phenol biphenylene type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin ("HP-7200") , HP-7200H; manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), glycidylamine type epoxy resins (diaminodiphenylmethane type epoxy resins, diglycidylaniline, triglycidylaminophenol, etc.), glycidyl ester type epoxy resins (phthalic acid) Diglycidyl ester, adipic acid diglycidyl ester, hexahydrophthalic acid diglycidyl ester, dimer acid diglycidyl ester, etc.) Hydantoin type epoxy resin, alicyclic epoxy resin ( , 4-Epoxycyclohexylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexanecarboxylate, bis (3,4-epoxycyclohexylmethyl) adipate, dicyclopentadiene diepoxide, “GT-300, GT-400, ZEHPE3150; Daicel Chemical Industries , Imide type alicyclic epoxy resin, trihydroxyphenylmethane type epoxy resin, bisphenol A novolac type epoxy resin, tetraphenylolethane type epoxy resin, glycidyl phthalate resin, tetraglycidyl xylenoyl ethane resin, naphthalene Group-containing epoxy resin (naphthol aralkyl type epoxy resin, naphthol novolac type epoxy resin, tetrafunctional naphthalene type epoxy resin, commercially available products such as “ESN-190, ESN-360; Gaku Co., Ltd. "," HP-4032, EXA-4750, EXA-4700; Dainippon Ink and Chemicals Co., Ltd. "), phenol compounds and diolefin compounds such as divinylbenzene and dicyclopentadiene Reaction product of polyphenol compound obtained by reaction and epichlorohydrin, ring-opening polymer of 4-vinylcyclohexene-1-oxide epoxidized with peracetic acid, epoxy resin having linear phosphorus-containing structure, cyclic phosphorus-containing Epoxy resin having structure, α-methylstilbene type liquid crystal epoxy resin, dibenzoyloxybenzene type liquid crystal epoxy resin, azophenyl type liquid crystal epoxy resin, azomethine phenyl type liquid crystal epoxy resin, binaphthyl type liquid crystal epoxy resin, azine type epoxy resin, glycidyl meta Acrylate copolymer epoxy Si resin (“CP-50S, CP-50M; manufactured by NOF Corporation”, etc.), copolymerized epoxy resin of cyclohexylmaleimide and glycidyl methacrylate, bis (glycidyloxyphenyl) fluorene type epoxy resin, bis (glycidyloxy) Phenyl) adamantane type epoxy resin and the like can be mentioned, but not limited thereto. These epoxy resins may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

また、1分子中に少なくとも2つのオキシラン基を有する前記エポキシ化合物以外に、β位にアルキル基を有するエポキシ基を少なくとも1分子中に2つ含むエポキシ化合物を用いることが出来、β位がアルキル基で置換されたエポキシ基(より具体的には、β−アルキル置換グリシジル基など)を含む化合物が特に好ましい。
前記β位にアルキル基を有するエポキシ基を少なくとも含むエポキシ化合物は、1分子中に含まれる2個以上のエポキシ基のすべてがβ−アルキル置換グリシジル基であってもよく、少なくとも1個のエポキシ基がβ−アルキル置換グリシジル基であってもよい。
In addition to the epoxy compound having at least two oxirane groups in one molecule, an epoxy compound containing at least two epoxy groups having an alkyl group at the β-position can be used, and the β-position is an alkyl group. Particularly preferred is a compound containing an epoxy group substituted with a (specifically, a β-alkyl-substituted glycidyl group or the like).
In the epoxy compound containing at least an epoxy group having an alkyl group at the β-position, all of two or more epoxy groups contained in one molecule may be a β-alkyl-substituted glycidyl group, and at least one epoxy group May be a β-alkyl-substituted glycidyl group.

前記β−アルキル置換グリシジル基としては、特に制限は無く、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、β−メチルグリシジル基、β−エチルグリシジル基、β−プロピルグリシジル基、β−ブチルグリシジル基、などが挙げられ、これらの中でも、前記感光性樹脂組成物の保存安定性を向上させる観点、及び合成の容易性の観点から、β−メチルグリシジル基が好ましい。   The β-alkyl-substituted glycidyl group is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include β-methylglycidyl group, β-ethylglycidyl group, β-propylglycidyl group, β-butylglycidyl group. Among these, a β-methylglycidyl group is preferred from the viewpoint of improving the storage stability of the photosensitive resin composition and the ease of synthesis.

前記β位にアルキル基を有するエポキシ基を含むエポキシ化合物としては、例えば、多価フェノール化合物とβ−アルキルエピハロヒドリンとから誘導されたエポキシ化合物が好ましい。   As the epoxy compound containing an epoxy group having an alkyl group at the β-position, for example, an epoxy compound derived from a polyhydric phenol compound and a β-alkylepihalohydrin is preferable.

前記β−アルキルエピハロヒドリンとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、β−メチルエピクロロヒドリン、β−メチルエピブロモヒドリン、β−メチルエピフロロヒドリン等のβ−メチルエピハロヒドリン;β−エチルエピクロロヒドリン、β−エチルエピブロモヒドリン、β−エチルエピフロロヒドリン等のβ−エチルエピハロヒドリン;β−プロピルエピクロロヒドリン、β−プロピルエピブロモヒドリン、β−プロピルエピフロロヒドリン等のβ−プロピルエピハロヒドリン;β−ブチルエピクロロヒドリン、β−ブチルエピブロモヒドリン、β−ブチルエピフロロヒドリン等のβ−ブチルエピハロヒドリン;などが挙げられる。これらの中でも、前記多価フェノールとの反応性及び流動性の観点から、β−メチルエピハロヒドリンが好ましい。   The β-alkylepihalohydrin is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, β-methylepichlorohydrin, β-methylepibromohydrin, β-methylepifluorohydrin, etc. Β-methyl epihalohydrin, β-ethyl epichlorohydrin, β-ethyl epibromohydrin, β-ethyl epihalohydrin, such as β-ethyl epihalohydrin, β-propyl epichlorohydrin, β-propyl epibromohydrin Β-propyl epihalohydrin such as phosphorus and β-propyl epifluorohydrin; β-butyl epihalohydrin such as β-butyl epichlorohydrin, β-butyl epibromohydrin, β-butyl epifluorohydrin; . Among these, β-methylepihalohydrin is preferable from the viewpoint of reactivity with the polyhydric phenol and fluidity.

前記多価フェノール化合物としては、1分子中に2以上の芳香族性水酸基を含有する化合物であれば、特に制限は無く、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS等のビスフェノール化合物、ビフェノール、テトラメチルビフェノール等のビフェノール化合物、ジヒドロキシナフタレン、ビナフトール等のナフトール化合物、フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物等のフェノールノボラック樹脂、クレゾール−ホルムアルデヒド重縮合物等の炭素数1〜10のモノアルキル置換フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物、キシレノール−ホルムアルデヒド重縮合物等の炭素数1〜10のジアルキル置換フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物、ビスフェノールA−ホルムアルデヒド重縮合物等のビスフェノール化合物−ホルムアルデヒド重縮合物、フェノールと炭素数1〜10のモノアルキル置換フェノールとホルムアルデヒドとの共重縮合物、フェノール化合物とジビニルベンゼンの重付加物などが挙げられる。これらの中でも、例えば、流動性及び保存安定性を向上させる目的で選択する場合には、前記ビスフェノール化合物が好ましい。   The polyhydric phenol compound is not particularly limited as long as it is a compound containing two or more aromatic hydroxyl groups in one molecule, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, bisphenol A, bisphenol F Bisphenol compounds such as bisphenol S, biphenol compounds such as biphenol and tetramethylbiphenol, naphthol compounds such as dihydroxynaphthalene and binaphthol, phenol novolac resins such as phenol-formaldehyde polycondensates, cresol-formaldehyde polycondensates 1 1-10 monoalkyl-substituted phenol-formaldehyde polycondensate, xylenol-formaldehyde polycondensate and the like, and C1-C10 dialkyl-substituted phenol-formaldehyde polycondensate, bisphenol A-formalde De polycondensates such bisphenol compounds of - formaldehyde polycondensates, phenol and copolycondensates of monoalkyl-substituted phenol and formaldehyde having 1 to 10 carbon atoms, and phenolic compounds and polyaddition products of divinylbenzene. Among these, when selecting for the purpose of improving fluidity | liquidity and storage stability, the said bisphenol compound is preferable, for example.

前記β位にアルキル基を有するエポキシ基を含むエポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールAのジ−β−アルキルグリシジルエーテル、ビスフェノールFのジ−β−アルキルグリシジルエーテル、ビスフェノールSのジ−β−アルキルグリシジルエーテル等のビスフェノール化合物のジ−β−アルキルグリシジルエーテル;ビフェノールのジ−β−アルキルグリシジルエーテル、テトラメチルビフェノールのジ−β−アルキルグリシジルエーテル等のビフェノール化合物のジ−β−アルキルグリシジルエーテル;ジヒドロキシナフタレンのジ−β−アルキルグリシジルエーテル、ビナフトールのジ−β−アルキルグリシジルエーテル等のナフトール化合物のβ−アルキルグリシジルエーテル;フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル;クレゾール−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル等の炭素数1〜10のモノアルキル置換フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル;キシレノール−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル等の炭素数1〜10のジアルキル置換フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル;ビスフェノールA−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル等のビスフェノール化合物−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル;フェノール化合物とジビニルベンゼンの重付加物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル;などが挙げられる。
これらの中でも、下記一般式(D−1)で表されるビスフェノール化合物、及びこれとエピクロロヒドリンなどから得られる重合体から誘導されるβ−アルキルグリシジルエーテル、及び下記一般式(D−2)で表されるフェノール化合物−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテルが好ましい。
ただし、前記一般式(D−1)中、Rは水素原子及び炭素数1〜6のアルキル基のいずれかを表し、nは0〜20の整数を表す。
ただし、前記一般式(D−2)中、Rは水素原子及び炭素数1〜6のアルキル基のいずれかを表し、R”は水素原子、及びCHのいずれかを表し、nは0〜20の整数を表す。
これらβ位にアルキル基を有するエポキシ基を含むエポキシ化合物は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。また1分子中に少なくとも2つのオキシラン基を有するエポキシ化合物、及びβ位にアルキル基を有するエポキシ基を含むエポキシ化合物を併用することも可能である。
Examples of the epoxy compound containing an epoxy group having an alkyl group at the β-position include di-β-alkyl glycidyl ether of bisphenol A, di-β-alkyl glycidyl ether of bisphenol F, and di-β-alkyl glycidyl of bisphenol S. Di-β-alkyl glycidyl ethers of bisphenol compounds such as ethers; di-β-alkyl glycidyl ethers of biphenols such as di-β-alkyl glycidyl ethers of biphenols and di-β-alkyl glycidyl ethers of tetramethylbiphenol; Β-alkyl glycidyl ethers of naphthol compounds such as di-β-alkyl glycidyl ethers of binaphthol, di-β-alkyl glycidyl ethers of binaphthol; poly- of phenol-formaldehyde polycondensates β-alkyl glycidyl ether; poly-β-alkyl glycidyl ether of monoalkyl-substituted phenol-formaldehyde polycondensate having 1 to 10 carbon atoms such as poly-β-alkyl glycidyl ether of cresol-formaldehyde polycondensate; xylenol-formaldehyde C1-C10 dialkyl-substituted phenol-formaldehyde polycondensate poly-β-alkyl glycidyl ether such as poly-β-alkyl glycidyl ether of condensate; poly-β-alkyl glycidyl ether of bisphenol A-formaldehyde polycondensate Bisphenol compound-formaldehyde polycondensate poly-β-alkyl glycidyl ether; phenol compound-divinylbenzene polyaddition product poly-β-alkyl glycidyl ether; The
Among these, a bisphenol compound represented by the following general formula (D-1), a β-alkyl glycidyl ether derived from a polymer obtained from this compound and epichlorohydrin, and the following general formula (D-2) Poly-β-alkyl glycidyl ether of a phenol compound-formaldehyde polycondensate represented by
However, in said general formula (D-1), R represents either a hydrogen atom and a C1-C6 alkyl group, and n represents the integer of 0-20.
However, the general formula (D-2), R represents any of an alkyl group having 1 to 6 carbon hydrogen and carbon, R "represents either hydrogen atoms, and CH 3, n is 0 Represents an integer of 20.
These epoxy compounds containing an epoxy group having an alkyl group at the β-position may be used alone or in combination of two or more. It is also possible to use an epoxy compound having at least two oxirane groups in one molecule and an epoxy compound containing an epoxy group having an alkyl group at the β-position.

前記オキセタン化合物としては、例えば、ビス[(3−メチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]エーテル、ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]エーテル、1,4−ビス[(3−メチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン、1,4−ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン、(3−メチル−3−オキセタニル)メチルアクリレート、(3−エチル−3−オキセタニル)メチルアクリレート、(3−メチル−3−オキセタニル)メチルメタクリレート、(3−エチル−3−オキセタニル)メチルメタクリレート又はこれらのオリゴマーあるいは共重合体等の多官能オキセタン類の他、オキセタン基を有する化合物と、ノボラック樹脂、ポリ(p−ヒドロキシスチレン)、カルド型ビスフェノール類、カリックスアレーン類、カリックスレゾルシンアレーン類、シルセスキオキサン等の水酸基を有する樹脂など、とのエーテル化合物が挙げられ、この他、オキセタン環を有する不飽和モノマーとアルキル(メタ)アクリレートとの共重合体なども挙げられる。   Examples of the oxetane compound include bis [(3-methyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] ether, bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] ether, 1,4-bis [(3-methyl -3-Oxetanylmethoxy) methyl] benzene, 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, (3-methyl-3-oxetanyl) methyl acrylate, (3-ethyl-3-oxetanyl) In addition to polyfunctional oxetanes such as methyl acrylate, (3-methyl-3-oxetanyl) methyl methacrylate, (3-ethyl-3-oxetanyl) methyl methacrylate, oligomers or copolymers thereof, and compounds having an oxetane group , Novolac resin, poly (p-hydroxystyrene), potassium Bisphenols, calixarenes, calixresorcinarenes, ether compounds such as silsesquioxane and other hydroxyl-containing resins, etc. In addition, unsaturated monomers having an oxetane ring and alkyl (meth) acrylates And a copolymer thereof.

また、前記エポキシ化合物や前記オキセタン化合物の熱硬化を促進するため、例えば、アミン化合物(例えば、ジシアンジアミド、ベンジルジメチルアミン、4−(ジメチルアミノ)−N,N−ジメチルベンジルアミン、4−メトキシ−N,N−ジメチルベンジルアミン、4−メチル−N,N−ジメチルベンジルアミン等)、4級アンモニウム塩化合物(例えば、トリエチルベンジルアンモニウムクロリド等)、ブロックイソシアネート化合物(例えば、ジメチルアミン等)、イミダゾール誘導体二環式アミジン化合物及びその塩(例えば、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、4−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−(2−シアノエチル)−2−エチル−4−メチルイミダゾール等)、リン化合物(例えば、トリフェニルホスフィン等)、グアナミン化合物(例えば、メラミン、グアナミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン等)、S−トリアジン誘導体(例えば、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−S−トリアジン、2−ビニル−2,4−ジアミノ−S−トリアジン、2−ビニル−4,6−ジアミノ−S−トリアジン・イソシアヌル酸付加物、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−S−トリアジン・イソシアヌル酸付加物等)などを用いることができる。これらは1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。なお、前記エポキシ樹脂化合物や前記オキセタン化合物の硬化触媒、あるいは、これらとカルボキシル基の反応を促進することができるものであれば、特に制限はなく、上記以外の熱硬化を促進可能な化合物を用いてもよい。
前記エポキシ化合物、前記オキセタン化合物、及びこれらとカルボン酸との熱硬化を促進可能な化合物の前記感光性組成物固形分中の固形分含有量は、通常0.01〜15質量%である。
Further, in order to promote the thermal curing of the epoxy compound or the oxetane compound, for example, an amine compound (for example, dicyandiamide, benzyldimethylamine, 4- (dimethylamino) -N, N-dimethylbenzylamine, 4-methoxy-N , N-dimethylbenzylamine, 4-methyl-N, N-dimethylbenzylamine, etc.), quaternary ammonium salt compounds (eg, triethylbenzylammonium chloride, etc.), blocked isocyanate compounds (eg, dimethylamine, etc.), imidazole derivatives Cyclic amidine compounds and salts thereof (for example, imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 4-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenyl) Midazole, 1- (2-cyanoethyl) -2-ethyl-4-methylimidazole, etc.), phosphorus compounds (eg triphenylphosphine etc.), guanamine compounds (eg melamine, guanamine, acetoguanamine, benzoguanamine etc.), S- Triazine derivatives (for example, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine, 2-vinyl-2,4-diamino-S-triazine, 2-vinyl-4,6-diamino-S-triazine isocyanuric An acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine / isocyanuric acid adduct, etc.) can be used. These may be used alone or in combination of two or more. The epoxy resin compound or the oxetane compound is a curing catalyst, or any compound that can accelerate the reaction between the epoxy resin compound and the oxetane compound and a carboxyl group. May be.
Solid content in the said photosensitive composition solid content of the said epoxy compound, the said oxetane compound, and the compound which can accelerate | stimulate thermosetting with these and carboxylic acid is 0.01-15 mass% normally.

また、前記熱架橋剤としては、特開平5−9407号公報記載のポリイソシアネート化合物を用いることができ、該ポリイソシアネート化合物は、少なくとも2つのイソシアネート基を含む脂肪族、環式脂肪族又は芳香族基置換脂肪族化合物から誘導されていてもよい。具体的には、2官能イソシアネート(例えば、1,3−フェニレンジイソシアネートと1,4−フェニレンジイソシアネートとの混合物、2,4−及び2,6−トルエンジイソシアネート、1,3−及び1,4−キシリレンジイソシアネート、ビス(4−イソシアネート−フェニル)メタン、ビス(4−イソシアネートシクロヘキシル)メタン、イソフォロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等)、該2官能イソシアネートと、トリメチロールプロパン、ペンタリスルトール、グリセリン等との多官能アルコール;該多官能アルコールのアルキレンオキサイド付加体と、前記2官能イソシアネートとの付加体;ヘキサメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレン−1,6−ジイソシアネート及びその誘導体等の環式三量体;などが挙げられる。   Further, as the thermal crosslinking agent, a polyisocyanate compound described in JP-A-5-9407 can be used, and the polyisocyanate compound is aliphatic, cycloaliphatic or aromatic containing at least two isocyanate groups. It may be derived from a group-substituted aliphatic compound. Specifically, bifunctional isocyanate (for example, a mixture of 1,3-phenylene diisocyanate and 1,4-phenylene diisocyanate, 2,4- and 2,6-toluene diisocyanate, 1,3- and 1,4-xylylene). Diisocyanate, bis (4-isocyanate-phenyl) methane, bis (4-isocyanatocyclohexyl) methane, isophorone diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, trimethylhexamethylene diisocyanate, etc.), the bifunctional isocyanate, trimethylolpropane, pentalithol tol Polyfunctional alcohols such as glycerin; alkylene oxide adducts of the polyfunctional alcohols and adducts of the bifunctional isocyanates; hexamethylene diisocyanate, hexamethylene-1,6-di Isocyanate and cyclic trimers thereof derivatives; and the like.

更に、本発明の感光性組成物の保存性を向上させることを目的として、前記ポリイソシアネート及びその誘導体のイソシアネート基にブロック剤を反応させて得られる化合物を用いてもよい。
前記イソシアネート基ブロック剤としては、アルコール類(例えば、イソプロパノール、tert−ブタノール等)、ラクタム類(例えば、ε−カプロラクタム等)、フェノール類(例えば、フェノール、クレゾール、p−tert−ブチルフェノール、p−sec−ブチルフェノール、p−sec−アミルフェノール、p−オクチルフェノール、p−ノニルフェノール等)、複素環式ヒドロキシル化合物(例えば、3−ヒドロキシピリジン、8−ヒドロキシキノリン等)、活性メチレン化合物(例えば、ジアルキルマロネート、メチルエチルケトキシム、アセチルアセトン、アルキルアセトアセテートオキシム、アセトオキシム、シクロヘキサノンオキシム等)などが挙げられる。これらの他、特開平6−295060号公報記載の分子内に少なくとも1つの重合可能な二重結合及び少なくとも1つのブロックイソシアネート基のいずれかを有する化合物などを用いることができる。
Furthermore, for the purpose of improving the storage stability of the photosensitive composition of the present invention, a compound obtained by reacting a blocking agent with the isocyanate group of the polyisocyanate and its derivative may be used.
Examples of the isocyanate group blocking agent include alcohols (eg, isopropanol, tert-butanol, etc.), lactams (eg, ε-caprolactam, etc.), phenols (eg, phenol, cresol, p-tert-butylphenol, p-sec). -Butylphenol, p-sec-amylphenol, p-octylphenol, p-nonylphenol, etc.), heterocyclic hydroxyl compounds (eg, 3-hydroxypyridine, 8-hydroxyquinoline, etc.), active methylene compounds (eg, dialkyl malonate, Methyl ethyl ketoxime, acetylacetone, alkyl acetoacetate oxime, acetoxime, cyclohexanone oxime, etc.). In addition to these, compounds having at least one polymerizable double bond and at least one blocked isocyanate group in the molecule described in JP-A-6-295060 can be used.

また、前記熱架橋剤として、メラミン誘導体を用いることができる。該メラミン誘導体としては、例えば、メチロールメラミン、アルキル化メチロールメラミン(メチロール基を、メチル、エチル、ブチルなどでエーテル化した化合物)などが挙げられる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、保存安定性が良好で、感光層の表面硬度あるいは硬化膜の膜強度自体の向上に有効である点で、アルキル化メチロールメラミンが好ましく、ヘキサメチル化メチロールメラミンが特に好ましい。   Moreover, a melamine derivative can be used as the thermal crosslinking agent. Examples of the melamine derivative include methylol melamine, alkylated methylol melamine (a compound obtained by etherifying a methylol group with methyl, ethyl, butyl, or the like). These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together. Among these, alkylated methylol melamine is preferable and hexamethylated methylol melamine is particularly preferable in that it has good storage stability and is effective in improving the surface hardness of the photosensitive layer or the film strength itself of the cured film.

また、前記熱架橋剤の熱硬化を促進するため、例えば、アミン化合物(例えば、ジシアンジアミド、ベンジルジメチルアミン、4−(ジメチルアミノ)−N,N−ジメチルベンジルアミン、4−メトキシ−N,N−ジメチルベンジルアミン、4−メチル−N,N−ジメチルベンジルアミン等)、4級アンモニウム塩化合物(例えば、トリエチルベンジルアンモニウムクロリド等)、ブロックイソシアネート化合物(例えば、ジメチルアミン等)、イミダゾール誘導体二環式アミジン化合物及びその塩(例えば、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、4−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−(2−シアノエチル)−2−エチル−4−メチルイミダゾール等)、リン化合物(例えば、トリフェニルホスフィン等)、グアナミン化合物(例えば、メラミン、グアナミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン等)、S−トリアジン誘導体(例えば、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−S−トリアジン、2−ビニル−2,4−ジアミノ−S−トリアジン、2−ビニル−4,6−ジアミノ−S−トリアジン・イソシアヌル酸付加物、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−S−トリアジン・イソシアヌル酸付加物等)などを用いることができる。これらは1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。なお、前記熱架橋剤の硬化触媒、あるいは、これらとカルボキシル基の反応を促進することができるものであれば、特に制限はなく、上記以外の熱硬化を促進可能な化合物を用いてもよい。
前記熱架橋剤、及びこれらとカルボン酸との熱硬化を促進可能な化合物の前記感光性組成物中の固形分含有量は、0.01〜15質量%が好ましい。
In order to accelerate the thermal curing of the thermal crosslinking agent, for example, an amine compound (for example, dicyandiamide, benzyldimethylamine, 4- (dimethylamino) -N, N-dimethylbenzylamine, 4-methoxy-N, N- Dimethylbenzylamine, 4-methyl-N, N-dimethylbenzylamine, etc.), quaternary ammonium salt compounds (eg, triethylbenzylammonium chloride, etc.), blocked isocyanate compounds (eg, dimethylamine, etc.), imidazole derivative bicyclic amidines Compounds and salts thereof (for example, imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 4-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1- ( 2-sia Ethyl) -2-ethyl-4-methylimidazole, etc.), phosphorus compounds (eg triphenylphosphine etc.), guanamine compounds (eg melamine, guanamine, acetoguanamine, benzoguanamine etc.), S-triazine derivatives (eg 2, 4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine, 2-vinyl-2,4-diamino-S-triazine, 2-vinyl-4,6-diamino-S-triazine / isocyanuric acid adduct, 2,4 -Diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine / isocyanuric acid adduct, etc.) can be used. These may be used alone or in combination of two or more. In addition, there is no restriction | limiting in particular if the curing catalyst of the said thermal crosslinking agent or the reaction of these and a carboxyl group can be accelerated | stimulated, You may use the compound which can accelerate | stimulate thermosetting other than the above.
The solid content in the photosensitive composition of the thermal crosslinking agent and the compound capable of accelerating thermal curing between these and a carboxylic acid is preferably 0.01 to 15% by mass.

前記熱架橋剤の前記感光性組成物固形分中の固形分含有量は、1〜50質量%が好ましく、3〜30質量%がより好ましい。該固形分含有量が1質量%未満であると、硬化膜の膜強度の向上が認められず、50質量%を超えると、現像性の低下や露光感度の低下を生ずることがある。   1-50 mass% is preferable and, as for solid content in the said photosensitive composition solid content of the said thermal crosslinking agent, 3-30 mass% is more preferable. When the solid content is less than 1% by mass, improvement in the film strength of the cured film is not recognized, and when it exceeds 50% by mass, developability and exposure sensitivity may be deteriorated.

<その他の成分>
前記その他の成分としては、例えば、熱重合禁止剤、可塑剤、着色剤(着色顔料あるいは染料)、体質顔料、などが挙げられ、更に基体表面への密着促進剤及びその他の助剤類(例えば、導電性粒子、充填剤、消泡剤、難燃剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、表面張力調整剤、連鎖移動剤など)を併用してもよい。これらの成分を適宜含有させることにより、目的とする感光性組成物あるいは後述する感光性フィルムの安定性、写真性、膜物性などの性質を調整することができる。
<Other ingredients>
Examples of the other components include thermal polymerization inhibitors, plasticizers, colorants (color pigments or dyes), extender pigments, and the like, and adhesion promoters to the substrate surface and other auxiliary agents (for example, , Conductive particles, fillers, antifoaming agents, flame retardants, leveling agents, peeling accelerators, antioxidants, perfumes, surface tension modifiers, chain transfer agents, etc.) may be used in combination. By appropriately containing these components, properties such as stability, photographic properties, film physical properties, etc. of the intended photosensitive composition or the photosensitive film described later can be adjusted.

−熱重合禁止剤−
前記熱重合禁止剤は、前記重合性化合物の熱的な重合又は経時的な重合を防止するために添加してもよい。
前記熱重合禁止剤としては、例えば、4−メトキシフェノール、ハイドロキノン、アルキルまたはアリール置換ハイドロキノン、t−ブチルカテコール、ピロガロール、2−ヒドロキシベンゾフェノン、4−メトキシ−2−ヒドロキシベンゾフェノン、塩化第一銅、フェノチアジン、クロラニル、ナフチルアミン、β−ナフトール、2,6−ジ−t−ブチル−4−クレゾール、2,2’−メチレンビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、ピリジン、ニトロベンゼン、ジニトロベンゼン、ピクリン酸、4−トルイジン、メチレンブルー、銅と有機キレート剤反応物、サリチル酸メチル、及びフェノチアジン、ニトロソ化合物、ニトロソ化合物とAlとのキレート等が挙げられる。
-Thermal polymerization inhibitor-
The thermal polymerization inhibitor may be added to prevent thermal polymerization or temporal polymerization of the polymerizable compound.
Examples of the thermal polymerization inhibitor include 4-methoxyphenol, hydroquinone, alkyl or aryl-substituted hydroquinone, t-butylcatechol, pyrogallol, 2-hydroxybenzophenone, 4-methoxy-2-hydroxybenzophenone, cuprous chloride, phenothiazine. , Chloranil, naphthylamine, β-naphthol, 2,6-di-tert-butyl-4-cresol, 2,2′-methylenebis (4-methyl-6-tert-butylphenol), pyridine, nitrobenzene, dinitrobenzene, picric acid 4-toluidine, methylene blue, copper and organic chelating agent reactant, methyl salicylate, phenothiazine, nitroso compound, chelate of nitroso compound and Al, and the like.

前記熱重合禁止剤の含有量は、前記重合性化合物に対して0.001〜5質量%が好ましく、0.005〜2質量%がより好ましく、0.01〜1質量%が特に好ましい。該含有量が、0.001質量%未満であると、保存時の安定性が低下することがあり、5質量%を超えると、活性エネルギー線に対する感度が低下することがある。   The content of the thermal polymerization inhibitor is preferably 0.001 to 5% by mass, more preferably 0.005 to 2% by mass, and particularly preferably 0.01 to 1% by mass with respect to the polymerizable compound. When the content is less than 0.001% by mass, stability during storage may be lowered, and when it exceeds 5% by mass, sensitivity to active energy rays may be lowered.

−着色顔料−
前記着色顔料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビクトリア・ピュアーブルーBO(C.I.42595)、オーラミン(C.I.41000)、ファット・ブラックHB(C.I.26150)、モノライト・エローGT(C.I.ピグメント・エロー12)、パーマネント・エローGR(C.I.ピグメント・エロー17)、パーマネント・エローHR(C.I.ピグメント・エロー83)、C.I.ピグメント・エロー110、C.I.ピグメント・エロー154、C.I.ピグメント・エロー185、パーマネント・カーミンFBB(C.I.ピグメント・レッド146)、ホスターバームレッドESB(C.I.ピグメント・バイオレット19)、パーマネント・ルビーFBH(C.I.ピグメント・レッド11)ファステル・ピンクBスプラ(C.I.ピグメント・レッド81)モナストラル・ファースト・ブルー(C.I.ピグメント・ブルー15)、モノライト・ファースト・ブラックB(C.I.ピグメント・ブラック1)、カーボン、C.I.ピグメント・レッド97、C.I.ピグメント・レッド122、C.I.ピグメント・レッド149、C.I.ピグメント・レッド168、C.I.ピグメント・レッド177、C.I.ピグメント・レッド180、C.I.ピグメント・レッド192、C.I.ピグメント・レッド215、C.I.ピグメント・グリーン7、C.I.ピグメント・グリーン36、C.I.ピグメント・ブルー15:1、C.I.ピグメント・ブルー15:3、C.I.ピグメント・ブルー15:4、C.I.ピグメント・ブルー15:6、C.I.ピグメント・ブルー22、C.I.ピグメント・ブルー60、C.I.ピグメント・ブルー64などが挙げられる。これらは1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。また、必要に応じて、公知の染料の中から、適宜選択した染料を使用することができる。
-Color pigment-
There is no restriction | limiting in particular as said coloring pigment, According to the objective, it can select suitably, For example, Victoria pure blue BO (CI. 42595), auramine (CI. 41000), fat black HB (CI. 26150), Monolite Yellow GT (CI Pigment Yellow 12), Permanent Yellow GR (CI Pigment Yellow 17), Permanent Yellow HR (CI Pigment Yellow HR). Yellow 83), C.I. I. Pigment yellow 110, C.I. I. Pigment yellow 154, C.I. I. Pigment Yellow 185, Permanent Carmine FBB (CI Pigment Red 146), Hoster Balm Red ESB (CI Pigment Violet 19), Permanent Ruby FBH (CI Pigment Red 11) Fastel・ Pink B Supra (CI Pigment Red 81) Monastral First Blue (CI Pigment Blue 15), Monolite First Black B (CI Pigment Black 1), Carbon, C. I. Pigment red 97, C.I. I. Pigment red 122, C.I. I. Pigment red 149, C.I. I. Pigment red 168, C.I. I. Pigment red 177, C.I. I. Pigment red 180, C.I. I. Pigment red 192, C.I. I. Pigment red 215, C.I. I. Pigment green 7, C.I. I. Pigment green 36, C.I. I. Pigment blue 15: 1, C.I. I. Pigment blue 15: 3, C.I. I. Pigment blue 15: 4, C.I. I. Pigment blue 15: 6, C.I. I. Pigment blue 22, C.I. I. Pigment blue 60, C.I. I. Pigment blue 64 and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Moreover, the dye suitably selected from well-known dye can be used as needed.

前記着色顔料の前記感光性組成物固形分中の固形分含有量は、永久パターン形成の際の感光層の露光感度、解像性などを考慮して決めることができ、前記着色顔料の種類により異なるが、一般的には0.05〜10質量%が好ましく、0.1〜5質量%がより好ましい。   The solid content in the photosensitive composition solid content of the color pigment can be determined in consideration of the exposure sensitivity, resolution, etc. of the photosensitive layer at the time of permanent pattern formation, depending on the type of the color pigment. Generally, 0.05 to 10% by mass is preferable, and 0.1 to 5% by mass is more preferable.

−体質顔料−
前記感光性組成物には、必要に応じて、永久パターンの表面硬度の向上、あるいは線膨張係数を低く抑えること、あるいは、硬化膜自体の誘電率や誘電正接を低く抑えることを目的として、無機顔料や有機微粒子を添加することができる。
前記無機顔料としては、特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、カオリン、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素粉、微粉状酸化ケイ素、気相法シリカ、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、マイカなどが挙げられる。
前記無機顔料の平均粒径は、10μm未満が好ましく、3μm以下がより好ましい。該平均粒径が10μm以上であると、光錯乱により解像度が劣化することがある。
前記有機微粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、架橋ポリスチレン樹脂などが挙げられる。また、平均粒径1〜5μm、吸油量100〜200m/g程度のシリカ、架橋樹脂からなる球状多孔質微粒子などを用いることができる。
-Extender pigment-
If necessary, the photosensitive composition may be inorganic for the purpose of improving the surface hardness of the permanent pattern or keeping the linear expansion coefficient low, or keeping the dielectric constant or dielectric loss tangent of the cured film low. Pigments and organic fine particles can be added.
The inorganic pigment is not particularly limited and may be appropriately selected from known ones. For example, kaolin, barium sulfate, barium titanate, silicon oxide powder, finely divided silicon oxide, vapor phase method silica, amorphous Examples thereof include silica, crystalline silica, fused silica, spherical silica, talc, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, and mica.
The average particle diameter of the inorganic pigment is preferably less than 10 μm, and more preferably 3 μm or less. When the average particle size is 10 μm or more, resolution may be deteriorated due to light scattering.
There is no restriction | limiting in particular as said organic fine particle, According to the objective, it can select suitably, For example, a melamine resin, a benzoguanamine resin, a crosslinked polystyrene resin etc. are mentioned. Further, silica having an average particle diameter of 1 to 5 μm and an oil absorption of about 100 to 200 m 2 / g, spherical porous fine particles made of a crosslinked resin, and the like can be used.

前記体質顔料の添加量は、5〜60質量%が好ましい。該添加量が5質量%未満であると、十分に線膨張係数を低下させることができないことがあり、60質量%を超えると、感光層表面に硬化膜を形成した場合に、該硬化膜の膜質が脆くなり、永久パターンを用いて配線を形成する場合において、配線の保護膜としての機能が損なわれることがある。   The amount of the extender is preferably 5 to 60% by mass. When the addition amount is less than 5% by mass, the linear expansion coefficient may not be sufficiently reduced. When the addition amount exceeds 60% by mass, when the cured film is formed on the photosensitive layer surface, The film quality becomes fragile, and when a wiring is formed using a permanent pattern, the function of the wiring as a protective film may be impaired.

−密着促進剤−
各層間の密着性、又は感光層と基体との密着性を向上させるために、各層に公知のいわゆる密着促進剤を用いることができる。
-Adhesion promoter-
In order to improve the adhesion between the layers or the adhesion between the photosensitive layer and the substrate, a known so-called adhesion promoter can be used for each layer.

前記密着促進剤としては、例えば、特開平5−11439号公報、特開平5−341532号公報、及び特開平6−43638号公報などに記載の密着促進剤が好適挙げられる。具体的には、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、2−メルカプトベンズイミダゾール、2−メルカプトベンズオキサゾール、2−メルカプトベンズチアゾール、3−モルホリノメチル−1−フェニル−トリアゾール−2−チオン、3−モルホリノメチル−5−フェニル−オキサジアゾール−2−チオン、5−アミノ−3−モルホリノメチル−チアジアゾール−2−チオン、及び2−メルカプト−5−メチルチオ−チアジアゾール、トリアゾール、テトラゾール、ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、アミノ基含有ベンゾトリアゾール、シランカップリング剤などが挙げられる。   Preferred examples of the adhesion promoter include adhesion promoters described in JP-A-5-11439, JP-A-5-341532, JP-A-6-43638, and the like. Specifically, benzimidazole, benzoxazole, benzthiazole, 2-mercaptobenzimidazole, 2-mercaptobenzoxazole, 2-mercaptobenzthiazole, 3-morpholinomethyl-1-phenyl-triazole-2-thione, 3-morpholino Methyl-5-phenyl-oxadiazole-2-thione, 5-amino-3-morpholinomethyl-thiadiazole-2-thione, and 2-mercapto-5-methylthio-thiadiazole, triazole, tetrazole, benzotriazole, carboxybenzotriazole Amino group-containing benzotriazole, silane coupling agents, and the like.

前記密着促進剤の含有量は、前記感光性組成物中の全成分に対して0.001質量%〜20質量%が好ましく、0.01〜10質量%がより好ましく、0.1質量%〜5質量%が特に好ましい。   0.001 mass%-20 mass% are preferable with respect to all the components in the said photosensitive composition, as for content of the said adhesion promoter, 0.01-10 mass% is more preferable, 0.1 mass%- 5% by mass is particularly preferred.

(感光性フィルム)
前記感光性フィルムは、少なくとも支持体と、感光層とを有してなり、好ましくは保護フィルムを有してなり、更に必要に応じて、クッション層、酸素遮断層(PC層)などのその他の層を有してなる。
前記感光性フィルムの形態は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記支持体上に、前記感光層、前記保護膜フィルムをこの順に有してなる形態、前記支持体上に、前記PC層、前記感光層、前記保護フィルムをこの順に有してなる形態、前記支持体上に、前記クッション層、前記PC層、前記感光層、前記保護フィルムをこの順に有してなる形態などが挙げられる。なお、前記感光層は、単層であってもよいし、複数層であってもよい。
(Photosensitive film)
The photosensitive film has at least a support and a photosensitive layer, preferably a protective film, and, if necessary, other layers such as a cushion layer and an oxygen barrier layer (PC layer). Having a layer.
The form of the photosensitive film is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. For example, the photosensitive layer and the protective film are provided in this order on the support, A form in which the PC layer, the photosensitive layer, and the protective film are provided in this order on the support, and the cushion layer, the PC layer, the photosensitive layer, and the protective film are provided in this order on the support. And the like. The photosensitive layer may be a single layer or a plurality of layers.

<支持体>
前記支持体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記感光層を剥離可能であり、かつ光の透過性が良好であるのが好ましく、更に表面の平滑性が良好であるのがより好ましい。
<Support>
The support is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. However, it is preferable that the photosensitive layer can be peeled off and the light transmittance is good, and the surface smoothness is further improved. Is more preferable.

前記支持体は、合成樹脂製で、かつ透明であるものが好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、三酢酸セルロース、二酢酸セルロース、ポリ(メタ)アクリル酸アルキルエステル、ポリ(メタ)アクリル酸エステル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリスチレン、セロファン、ポリ塩化ビニリデン共重合体、ポリアミド、ポリイミド、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、ポリトリフルオロエチレン、セルロース系フィルム、ナイロンフィルム等の各種のプラスチックフィルムが挙げられ、これらの中でも、ポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
なお、前記支持体としては、例えば、特開平4−208940号公報、特開平5−80503号公報、特開平5−173320号公報、特開平5−72724号公報などに記載の支持体を用いることもできる。
The support is preferably made of a synthetic resin and transparent, for example, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene, polyethylene, cellulose triacetate, cellulose diacetate, poly (meth) acrylic acid alkyl ester, poly ( (Meth) acrylic acid ester copolymer, polyvinyl chloride, polyvinyl alcohol, polycarbonate, polystyrene, cellophane, polyvinylidene chloride copolymer, polyamide, polyimide, vinyl chloride / vinyl acetate copolymer, polytetrafluoroethylene, polytrifluoro Various plastic films such as ethylene, cellulose-based film, nylon film and the like can be mentioned, and among these, polyethylene terephthalate is particularly preferable. These may be used alone or in combination of two or more.
As the support, for example, the support described in JP-A-4-208940, JP-A-5-80503, JP-A-5-173320, JP-A-5-72724, or the like is used. You can also.

前記支持体の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、4〜300μmが好ましく、5〜175μmがより好ましい。   There is no restriction | limiting in particular in the thickness of the said support body, Although it can select suitably according to the objective, For example, 4-300 micrometers is preferable and 5-175 micrometers is more preferable.

前記支持体の形状は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、長尺状が好ましい。前記長尺状の支持体の長さは、特に制限はなく、例えば、10〜20,000mの長さのものが挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular in the shape of the said support body, Although it can select suitably according to the objective, A long shape is preferable. There is no restriction | limiting in particular in the length of the said elongate support body, For example, the thing of 10-20,000m length is mentioned.

<感光層>
前記感光層は、本発明の感光性組成物を用いて形成される。
また、前記感光層を露光し現像する場合において、該感光層の露光する部分の厚みを該露光及び現像後において変化させない前記露光に用いる光の最小エネルギーは、0.1〜500mJ/cmであることが好ましく、0.2〜200mJ/cmであることがより好ましく、0.5〜100mJ/cmであることが更に好ましく、1〜50mJ/cmであることが特に好ましい。
前記最小エネルギーが、0.1mJ/cm未満であると、処理工程にてカブリが発生することがあり、500mJ/cmを超えると、露光に必要な時間が長くなり、処理スピードが遅くなることがある。
<Photosensitive layer>
The photosensitive layer is formed using the photosensitive composition of the present invention.
In the case where the photosensitive layer is exposed and developed, the minimum energy of light used for the exposure that does not change the thickness of the exposed portion of the photosensitive layer after the exposure and development is 0.1 to 500 mJ / cm 2 . Preferably, it is 0.2 to 200 mJ / cm 2 , more preferably 0.5 to 100 mJ / cm 2 , and particularly preferably 1 to 50 mJ / cm 2 .
The minimum energy is less than 0.1 mJ / cm 2, may fogging in process step occurs, it exceeds 500 mJ / cm 2, increases the time necessary for exposure, processing speed is slow Sometimes.

ここで、「該感光層の露光する部分の厚みを該露光及び現像後において変化させない前記露光に用いる光の最小エネルギー」とは、いわゆる現像感度であり、例えば、前記感光層を露光したときの前記露光に用いた光のエネルギー量(露光量)と、前記露光に続く前記現像処理により生成した前記硬化層の厚みとの関係を示すグラフ(感度曲線)から求めることができる。
前記硬化層の厚みは、前記露光量が増えるに従い増加していき、その後、前記露光前の前記感光層の厚みと略同一かつ略一定となる。前記現像感度は、前記硬化層の厚みが略一定となったときの最小露光量を読み取ることにより求められる値である。
ここで、前記硬化層の厚みと前記露光前の前記感光層の厚みとが±1μm以内であるとき、前記硬化層の厚みが露光及び現像により変化していないとみなす。
前記硬化層及び前記露光前の前記感光層の厚みの測定方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、膜厚測定装置、表面粗さ測定機(例えば、サーフコム1400D(東京精密社製))などを用いて測定する方法が挙げられる。
Here, “the minimum energy of light used for the exposure that does not change the thickness of the exposed portion of the photosensitive layer after the exposure and development” is so-called development sensitivity, for example, when the photosensitive layer is exposed. It can be determined from a graph (sensitivity curve) showing the relationship between the amount of light energy (exposure amount) used for the exposure and the thickness of the cured layer generated by the development process following the exposure.
The thickness of the cured layer increases as the amount of exposure increases, and then becomes substantially the same and substantially constant as the thickness of the photosensitive layer before the exposure. The development sensitivity is a value obtained by reading the minimum exposure when the thickness of the cured layer becomes substantially constant.
Here, when the thickness of the cured layer and the thickness of the photosensitive layer before the exposure are within ± 1 μm, it is considered that the thickness of the cured layer is not changed by exposure and development.
A method for measuring the thickness of the cured layer and the photosensitive layer before exposure is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. However, a film thickness measuring device, a surface roughness measuring machine (for example, Surfcom) 1400D (manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.)) and the like.

前記感光層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、1〜100μmが好ましく、2〜50μmがより好ましく、4〜30μmが特に好ましい。   There is no restriction | limiting in particular in the thickness of the said photosensitive layer, Although it can select suitably according to the objective, For example, 1-100 micrometers is preferable, 2-50 micrometers is more preferable, and 4-30 micrometers is especially preferable.

<保護フィルム>
前記保護フィルムは、前記感光層の汚れや損傷を防止し、保護する機能を有する。
前記保護フィルムの前記感光性フィルムにおいて設けられる箇所は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、通常、前記感光層上に設けられる。
前記保護フィルムとしては、例えば、前記支持体に使用されるもの、シリコーン紙、ポリエチレン、ポリプロピレンがラミネートされた紙、ポリオレフィン又はポリテトラフルオルエチレンシート、などが挙げられ、これらの中でも、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムが好ましい。
前記保護フィルムの厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、5〜100μmが好ましく、8〜30μmがより好ましい。
前記保護フィルムを用いる場合、前記感光層及び前記支持体の接着力Aと、前記感光層及び保護フィルムの接着力Bとが、接着力A>接着力Bの関係であることが好ましい。
前記支持体と保護フィルムとの組合せ(支持体/保護フィルム)としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート/ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート/ポリエチレン、ポリ塩化ビニル/セロフアン、ポリイミド/ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート/ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。また、支持体及び保護フィルムの少なくともいずれかを表面処理することにより、上述のような接着力の関係を満たすことができる。前記支持体の表面処理は、前記感光層との接着力を高めるために施されてもよく、例えば、下塗層の塗設、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線照射処理、高周波照射処理、グロー放電照射処理、活性プラズマ照射処理、レーザ光線照射処理などを挙げることができる。
<Protective film>
The protective film has a function of preventing and protecting the photosensitive layer from being stained and damaged.
There is no restriction | limiting in particular in the location provided in the said photosensitive film of the said protective film, Although it can select suitably according to the objective, Usually, it is provided on the said photosensitive layer.
Examples of the protective film include those used for the support, silicone paper, polyethylene, paper laminated with polypropylene, polyolefin or polytetrafluoroethylene sheet, etc. Among these, polyethylene film, Polypropylene film is preferred.
There is no restriction | limiting in particular in the thickness of the said protective film, Although it can select suitably according to the objective, For example, 5-100 micrometers is preferable and 8-30 micrometers is more preferable.
When the protective film is used, it is preferable that the adhesive force A between the photosensitive layer and the support and the adhesive force B between the photosensitive layer and the protective film satisfy the relationship of adhesive force A> adhesive force B.
Examples of the combination of the support and the protective film (support / protective film) include polyethylene terephthalate / polypropylene, polyethylene terephthalate / polyethylene, polyvinyl chloride / cellophane, polyimide / polypropylene, polyethylene terephthalate / polyethylene terephthalate, and the like. . Moreover, the relationship of the above adhesive forces can be satisfy | filled by surface-treating at least any one of a support body and a protective film. The surface treatment of the support may be performed in order to increase the adhesive force with the photosensitive layer. For example, coating of a primer layer, corona discharge treatment, flame treatment, ultraviolet irradiation treatment, high frequency irradiation treatment, glow treatment Examples thereof include discharge irradiation treatment, active plasma irradiation treatment, and laser beam irradiation treatment.

また、前記支持体と前記保護フィルムとの静摩擦係数は、0.3〜1.4が好ましく、0.5〜1.2がより好ましい。
前記静摩擦係数が、0.3未満であると、滑り過ぎるため、ロール状にした場合に巻ズレが発生することがあり、1.4を超えると、良好なロール状に巻くことが困難となることがある。
Moreover, 0.3-1.4 are preferable and the static friction coefficient of the said support body and the said protective film has more preferable 0.5-1.2.
When the coefficient of static friction is less than 0.3, slipping is excessive, so that winding deviation may occur when the roll is formed, and when it exceeds 1.4, it is difficult to wind into a good roll. Sometimes.

前記感光性フィルムは、例えば、円筒状の巻芯に巻き取って、長尺状でロール状に巻かれて保管されるのが好ましい。前記長尺状の感光性フィルムの長さは、特に制限はなく、例えば、10〜20,000mの範囲から適宜選択することができる。また、ユーザーが使いやすいようにスリット加工し、100〜1,000mの範囲の長尺体をロール状にしてもよい。なお、この場合には、前記支持体が一番外側になるように巻き取られるのが好ましい。また、前記ロール状の感光性フィルムをシート状にスリットしてもよい。保管の際、端面の保護、エッジフュージョンを防止する観点から、端面にはセパレーター(特に防湿性のもの、乾燥剤入りのもの)を設置するのが好ましく、また梱包も透湿性の低い素材を用いるのが好ましい。   The photosensitive film is preferably stored, for example, wound around a cylindrical core, wound in a long roll shape. There is no restriction | limiting in particular in the length of the said elongate photosensitive film, For example, it can select suitably from the range of 10-20,000m. Further, slitting may be performed so that the user can easily use, and a long body in the range of 100 to 1,000 m may be formed into a roll. In this case, it is preferable that the support is wound up so as to be the outermost side. Moreover, you may slit the said roll-shaped photosensitive film in a sheet form. When storing, from the viewpoint of protecting the end face and preventing edge fusion, it is preferable to install a separator (particularly moisture-proof and containing a desiccant) on the end face, and use a low moisture-permeable material for packaging. Is preferred.

前記保護フィルムは、前記保護フィルムと前記感光層との接着性を調整するために表面処理してもよい。前記表面処理は、例えば、前記保護フィルムの表面に、ポリオルガノシロキサン、弗素化ポリオレフィン、ポリフルオロエチレン、ポリビニルアルコール等のポリマーからなる下塗層を形成させる。該下塗層の形成は、前記ポリマーの塗布液を前記保護フィルムの表面に塗布した後、30〜150℃で1〜30分間乾燥させることにより形成させることができる。前記乾燥の温度は、50〜120℃が特に好ましい。
また、前記感光層、前記支持体、前記保護フィルムの他に、クッション層、酸素遮断層(PC層)、剥離層、接着層、光吸収層、表面保護層などの層を有してもよい。
前記クッション層は、常温ではタック性が無く、真空・加熱条件で積層した場合に溶融し、流動する層である。
前記PC層は、通常ポリビニルアルコールを主成分として形成された0.5〜5μm程度の被膜である。
The protective film may be surface-treated in order to adjust the adhesion between the protective film and the photosensitive layer. In the surface treatment, for example, an undercoat layer made of a polymer such as polyorganosiloxane, fluorinated polyolefin, polyfluoroethylene, or polyvinyl alcohol is formed on the surface of the protective film. The undercoat layer can be formed by applying the polymer coating solution to the surface of the protective film and then drying at 30 to 150 ° C. for 1 to 30 minutes. The drying temperature is particularly preferably 50 to 120 ° C.
In addition to the photosensitive layer, the support, and the protective film, a cushion layer, an oxygen blocking layer (PC layer), a release layer, an adhesive layer, a light absorption layer, a surface protective layer, and the like may be included. .
The cushion layer is a layer that has no tackiness at room temperature and melts and flows when laminated under vacuum and heating conditions.
The PC layer is usually a coating of about 0.5 to 5 μm formed mainly of polyvinyl alcohol.

〔感光性フィルムの製造方法〕
前記感光性フィルムは、例えば、次のようにして製造することができる。
まず、前記感光性組成物に含まれる材料を、水又は溶剤に溶解、乳化又は分散させて、感光性フィルム用の感光性樹脂組成物溶液を調製する。
[Method for producing photosensitive film]
The said photosensitive film can be manufactured as follows, for example.
First, the material contained in the photosensitive composition is dissolved, emulsified or dispersed in water or a solvent to prepare a photosensitive resin composition solution for a photosensitive film.

前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、sec−ブタノール、n−ヘキサノール等のアルコール類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジイソブチルケトンなどのケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−n−アミル、硫酸メチル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル、及びメトキシプロピルアセテートなどのエステル類;トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類;四塩化炭素、トリクロロエチレン、クロロホルム、1,1,1−トリクロロエタン、塩化メチレン、モノクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類;テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、1−メトキシ−2−プロパノールなどのエーテル類;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホランなどが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。また、公知の界面活性剤を添加してもよい。   There is no restriction | limiting in particular as said solvent, According to the objective, it can select suitably, For example, alcohols, such as methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, sec-butanol, n-hexanol; acetone , Ketones such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, diisobutyl ketone; esters such as ethyl acetate, butyl acetate, n-amyl acetate, methyl sulfate, ethyl propionate, dimethyl phthalate, ethyl benzoate, and methoxypropyl acetate Aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, benzene, and ethylbenzene; halogenated carbonization such as carbon tetrachloride, trichloroethylene, chloroform, 1,1,1-trichloroethane, methylene chloride, and monochlorobenzene Motorui; tetrahydrofuran, diethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethers such as 1-methoxy-2-propanol; dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, and sulfolane. These may be used alone or in combination of two or more. Moreover, you may add a well-known surfactant.

次に、前記支持体上に前記感光性樹脂組成物溶液を塗布し、乾燥させて感光層を形成し、感光性フィルムを製造することができる。   Next, the photosensitive resin composition solution is applied on the support and dried to form a photosensitive layer, whereby a photosensitive film can be produced.

前記感光性組成物溶液の塗布方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法、スリットコート法、エクストルージョンコート法、カーテンコート法、ダイコート法、グラビアコート法、ワイヤーバーコート法、ナイフコート法等の各種の塗布方法が挙げられる。
前記乾燥の条件としては、各成分、溶媒の種類、使用割合等によっても異なるが、通常60〜110℃の温度で30秒間〜15分間程度である。
The method for applying the photosensitive composition solution is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include a spray method, a roll coating method, a spin coating method, a slit coating method, and an extrusion coating method. And various coating methods such as a curtain coating method, a die coating method, a gravure coating method, a wire bar coating method, and a knife coating method.
The drying conditions vary depending on each component, the type of solvent, the use ratio, and the like, but are usually about 60 to 110 ° C. for about 30 seconds to 15 minutes.

前記感光性フィルムは、例えば、円筒状の巻芯に巻き取って、長尺状でロール状に巻かれて保管されるのが好ましい。
前記長尺状の感光性フィルムの長さは、特に制限はなく、例えば、10〜20,000mの範囲から適宜選択することができる。また、ユーザーが使いやすいようにスリット加工し、100〜1,000mの範囲の長尺体をロール状にしてもよい。なお、この場合には、前記支持体が一番外側になるように巻き取られるのが好ましい。また、前記ロール状の感光性フィルムをシート状にスリットしてもよい。保管の際、端面の保護、エッジフュージョンを防止する観点から、端面にはセパレーター(特に防湿性のもの、乾燥剤入りのもの)を設置するのが好ましく、また梱包も透湿性の低い素材を用いるのが好ましい。
The photosensitive film is preferably stored, for example, wound around a cylindrical core, wound in a long roll shape.
There is no restriction | limiting in particular in the length of the said elongate photosensitive film, For example, it can select suitably from the range of 10-20,000m. Further, slitting may be performed so that the user can easily use, and a long body in the range of 100 to 1,000 m may be formed into a roll. In this case, it is preferable that the support is wound up so as to be the outermost side. Moreover, you may slit the said roll-shaped photosensitive film in a sheet form. From the viewpoint of protecting the end face and preventing edge fusion during storage, it is preferable to install a separator (especially moisture-proof and desiccant-containing) on the end face, and use a low moisture-permeable material for packaging. Is preferred.

(感光性積層体)
本発明の感光性積層体は、基体上に、前記本発明の感光性組成物からなる感光層を少なくとも有し、目的に応じて適宜選択されるその他の層を積層してなる。
(Photosensitive laminate)
The photosensitive laminate of the present invention is formed by laminating at least a photosensitive layer made of the photosensitive composition of the present invention on a substrate and other layers appropriately selected according to the purpose.

<基体>
前記基体は、感光層が形成される被処理基体、又は本発明の感光性フィルムの少なくとも感光層が転写される被転写体となるもので、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、表面平滑性の高いものから凸凹のある表面を持つものまで任意に選択できる。板状の基体が好ましく、いわゆる基板が使用される。具体的には、公知のプリント配線用の基板(プリント基板)、ガラス板(ソーダガラス板など)、合成樹脂性のフィルム、紙、金属板などが挙げられる。
<Substrate>
The substrate is a substrate to be processed on which a photosensitive layer is formed, or a member to be transferred onto which at least the photosensitive layer of the photosensitive film of the present invention is transferred. For example, it can be arbitrarily selected from those having high surface smoothness to those having an uneven surface. A plate-like substrate is preferable, and a so-called substrate is used. Specific examples include a known printed wiring board (printed board), a glass plate (soda glass plate, etc.), a synthetic resin film, paper, and a metal plate.

〔感光性積層体の製造方法〕
前記感光性積層体の製造方法として、第1の態様として、前記感光性組成物を前記基体の表面に塗布し乾燥する方法が挙げられ、第2の態様として、本発明の感光性フィルムにおける少なくとも感光層を加熱及び加圧の少なくともいずれかを行いながら転写して積層する方法が挙げられる。
[Method for producing photosensitive laminate]
Examples of the method for producing the photosensitive laminate include, as the first aspect, a method of applying the photosensitive composition to the surface of the substrate and drying, and as the second aspect, at least the photosensitive film of the present invention. Examples of the method include transferring and laminating the photosensitive layer while performing at least one of heating and pressing.

前記第1の態様の感光性積層体の製造方法は、前記基体上に、前記感光性組成物を塗布及び乾燥して感光層を形成する。
前記塗布及び乾燥の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記基体の表面に、前記感光性組成物を、水又は溶剤に溶解、乳化又は分散させて感光性組成物溶液を調製し、該溶液を直接塗布し、乾燥させることにより積層する方法が挙げられる。
In the method for producing a photosensitive laminate of the first aspect, a photosensitive layer is formed by applying and drying the photosensitive composition on the substrate.
The method for applying and drying is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, the photosensitive composition is dissolved, emulsified or dispersed in water or a solvent on the surface of the substrate. And a method of laminating by preparing a photosensitive composition solution, applying the solution directly, and drying the solution.

前記感光性組成物溶液の溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記感光性フィルムに用いたものと同じ溶剤が挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。また、公知の界面活性剤を添加してもよい。   There is no restriction | limiting in particular as a solvent of the said photosensitive composition solution, According to the objective, it can select suitably, The same solvent as what was used for the said photosensitive film is mentioned. These may be used alone or in combination of two or more. Moreover, you may add a well-known surfactant.

前記塗布方法及び乾燥条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記感光性フィルムに用いたものと同じ方法及び条件で行う。   There is no restriction | limiting in particular as said coating method and drying conditions, According to the objective, it can select suitably, It carries out by the same method and conditions as what was used for the said photosensitive film.

前記第2の態様の感光性積層体の製造方法は、前記基体の表面に本発明の感光性フィルムを加熱及び加圧の少なくともいずれかを行いながら積層する。なお、前記感光性フィルムが前記保護フィルムを有する場合には、該保護フィルムを剥離し、前記基体に前記感光層が重なるようにして積層するのが好ましい。
前記加熱温度は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、15〜180℃が好ましく、60〜140℃がより好ましい。
前記加圧の圧力は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、0.1〜1.0MPaが好ましく、0.2〜0.8MPaがより好ましい。
In the method for producing a photosensitive laminate according to the second aspect, the photosensitive film of the present invention is laminated on the surface of the substrate while performing at least one of heating and pressing. In addition, when the said photosensitive film has the said protective film, it is preferable to peel this protective film and to laminate | stack so that the said photosensitive layer may overlap with the said base | substrate.
There is no restriction | limiting in particular in the said heating temperature, According to the objective, it can select suitably, For example, 15-180 degreeC is preferable and 60-140 degreeC is more preferable.
There is no restriction | limiting in particular in the pressure of the said pressurization, According to the objective, it can select suitably, For example, 0.1-1.0 MPa is preferable and 0.2-0.8 MPa is more preferable.

前記加熱の少なくともいずれかを行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ラミネーター(例えば、大成ラミネータ社製 VP−II、ニチゴーモートン(株)製 VP130)などが好適に挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as an apparatus which performs at least any one of the said heating, According to the objective, it can select suitably, For example, Laminator (For example, Taisei Laminator VP-II, Nichigo Morton VP130) Etc. are preferable.

本発明の感光性フィルム及び感光性積層体は、本発明の感光性組成物を用いることにより、感度、解像度、及び永久保護膜としての硬化物特性に優れ、かつフィルム化したロールからの感光性組成物のしみだし(端面融着)が少なく、高精細な永久パターンを効率よく形成可能であるため、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターン等の永久パターン、などの各種パターン形成用、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁などの液晶構造部材の製造用、ホログラム、マイクロマシン、プルーフなどのパターン形成用などに好適に用いることができ、特に、プリント基板の永久パターン形成用に好適に用いることができる。
特に、本発明の感光性フィルムは、該フィルムの厚みが均一であるため、永久パターンの形成に際し、永久パターン(保護膜、層間絶縁膜、ソルダーレジストなど)を薄層化しても、高加速度試験(HAST)においてイオンマイグレーションの発生がなく、耐熱性、耐湿性に優れた高精細な永久パターンが得られるため、基材への積層がより精細に行われる。
By using the photosensitive composition of the present invention, the photosensitive film and photosensitive laminate of the present invention are excellent in sensitivity, resolution, and cured product properties as a permanent protective film, and are photosensitive from a filmed roll. Since there is little oozing of the composition (end face fusion) and a high-definition permanent pattern can be efficiently formed, it is used for forming various patterns such as a protective film, an interlayer insulating film, a permanent pattern such as a solder resist pattern, It can be suitably used for the production of liquid crystal structural members such as color filters, pillars, ribs, spacers, partition walls, etc., and for pattern formation of holograms, micromachines, proofs, etc., especially for the formation of permanent patterns on printed circuit boards. It can be used suitably.
In particular, since the photosensitive film of the present invention has a uniform thickness, even when the permanent pattern (protective film, interlayer insulating film, solder resist, etc.) is thinned during the formation of the permanent pattern, a high acceleration test is performed. In (HAST), there is no occurrence of ion migration, and a high-definition permanent pattern excellent in heat resistance and moisture resistance can be obtained.

(パターン形成装置及び永久パターン形成方法)
本発明のパターン形成装置は、本発明の前記感光性積層体を備えており、光照射手段と光変調手段とを少なくとも有する。
(Pattern forming apparatus and permanent pattern forming method)
The pattern forming apparatus of the present invention includes the photosensitive laminate of the present invention, and has at least light irradiation means and light modulation means.

本発明の永久パターン形成方法は、露光工程を少なくとも含み、適宜選択した現像工程等のその他の工程を含む。
なお、本発明の前記パターン形成装置は、本発明の前記永久パターン形成方法の説明を通じて明らかにする。
The permanent pattern forming method of the present invention includes at least an exposure step, and includes other steps such as an appropriately selected development step.
In addition, the said pattern formation apparatus of this invention is clarified through description of the said permanent pattern formation method of this invention.

[露光工程]
前記露光工程は、本発明の感光性組成物における感光層に対し、露光を行う工程である。本発明の前記感光性組成物、及び基体の材料については上述の通りである。
[Exposure process]
The said exposure process is a process of exposing with respect to the photosensitive layer in the photosensitive composition of this invention. The photosensitive composition and substrate material of the present invention are as described above.

前記露光の対象としては、前記感光性組成物における感光層である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、上述のように、基体上に感光性組成物を加熱及び加圧の少なくともいずれかを行いながら積層して形成した積層体に対して行われることが好ましい。   The exposure target is not particularly limited as long as it is the photosensitive layer in the photosensitive composition, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, as described above, the photosensitive composition is formed on the substrate. It is preferably performed on a laminate formed by laminating while performing at least one of heating and pressurization.

前記露光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、デジタル露光、アナログ露光等が挙げられるが、これらの中でもデジタル露光が好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as said exposure, According to the objective, it can select suitably, Digital exposure, analog exposure, etc. are mentioned, Among these, digital exposure is preferable.

前記アナログ露光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、所定のパターンを有するネガマスクを介して、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプなどで露光を行なう方法が挙げられる。   The analog exposure is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose.For example, a method of performing exposure with a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a xenon lamp, or the like through a negative mask having a predetermined pattern. Can be mentioned.

前記デジタル露光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、形成するパターン形成情報に基づいて制御信号を生成し、該制御信号に応じて変調させた光を用いて行うことが好ましく、例えば、前記感光層に対し、光照射手段、及び前記光照射手段からの光を受光し出射するn個(ただし、nは2以上の自然数)の2次元状に配列された描素部を有し、パターン情報に応じて前記描素部を制御可能な光変調手段を備えた露光ヘッドであって、該露光ヘッドの走査方向に対し、前記描素部の列方向が所定の設定傾斜角度θをなすように配置された露光ヘッドを用い、前記露光ヘッドについて、使用描素部指定手段により、使用可能な前記描素部のうち、N重露光(ただし、Nは2以上の自然数)に使用する前記描素部を指定し、前記露光ヘッドについて、描素部制御手段により、前記使用描素部指定手段により指定された前記描素部のみが露光に関与するように、前記描素部の制御を行い、前記感光層に対し、前記露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて行う方法が好ましい。   The digital exposure is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, a control signal is generated based on pattern formation information to be formed, and light modulated in accordance with the control signal is used. For example, the photosensitive layer is arranged in a two-dimensional array of n (where n is a natural number of 2 or more) that receives and emits light from the light irradiation means and the light irradiation means. An exposure head provided with a light modulation unit capable of controlling the drawing unit according to pattern information, wherein the column direction of the drawing unit is relative to the scanning direction of the exposure head. An exposure head arranged so as to form a predetermined set inclination angle θ is used, and the exposure head is subjected to N double exposure (where N is 2) among the usable pixel parts by the use pixel part specifying means. The natural number above) Designate the element part, and control the element part for the exposure head so that only the element part specified by the element part for specifying the used element part is involved in the exposure by the element part controlling unit. A method is preferred in which the exposure head is moved relative to the photosensitive layer in the scanning direction.

本発明において「N重露光」とは、前記感光層の被露光面上の露光領域の略すべての領域において、前記露光ヘッドの走査方向に平行な直線が、前記被露光面上に照射されたN本の光点列(画素列)と交わるような設定による露光を指す。ここで、「光点列(画素列)」とは、前記描素部により生成された描素単位としての光点(画素)の並びうち、前記露光ヘッドの走査方向となす角度がより小さい方向の並びを指すものとする。なお、前記描素部の配置は、必ずしも矩形格子状でなくてもよく、たとえば平行四辺形状の配置等であってもよい。 ここで、露光領域の「略すべての領域」と述べたのは、各描素部の両側縁部では、描素部列を傾斜させたことにより、前記露光ヘッドの走査方向に平行な直線と交わる使用描素部の描素部列の数が減るため、かかる場合に複数の露光ヘッドをつなぎ合わせるように使用したとしても、該露光ヘッドの取付角度や配置等の誤差により、走査方向に平行な直線と交わる使用描素部の描素部列の数がわずかに増減することがあるため、また、各使用描素部の描素部列間のつなぎの、解像度分以下のごくわずかな部分では、取付角度や描素部配置等の誤差により、走査方向と直交する方向に沿った描素部のピッチが他の部分の描素部のピッチと厳密に一致せず、走査方向に平行な直線と交わる使用描素部の描素部列の数が±1の範囲で増減することがあるためである。なお、以下の説明では、Nが2以上の自然数であるN重露光を総称して「多重露光」という。さらに、以下の説明では、本発明の露光装置又は露光方法を、描画装置又は描画方法として実施した形態について、「N重露光」及び「多重露光」に対応する用語として、「N重描画」及び「多重描画」という用語を用いるものとする。
前記N重露光のNとしては、2以上の自然数であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、3以上の自然数が好ましく、3以上7以下の自然数がより好ましい。
In the present invention, “N double exposure” means that the exposed surface is irradiated with a straight line parallel to the scanning direction of the exposure head in almost all of the exposed region on the exposed surface of the photosensitive layer. This means exposure by setting that intersects N light spot rows (pixel rows). Here, the “light spot array (pixel array)” is a direction in which the angle formed with the scanning direction of the exposure head is smaller in the array of light spots (pixels) as pixel units generated by the pixel unit. Refers to a sequence of Note that the arrangement of the picture element portions is not necessarily a rectangular lattice shape, and may be, for example, an arrangement of parallelograms. Here, “substantially all areas” of the exposure area is described as a straight line parallel to the scanning direction of the exposure head by tilting the pixel part rows at both side edges of each picture element part. Since the number of drawing element rows of the used drawing element parts to be crossed decreases, even if it is used to connect a plurality of exposure heads in such a case, it is parallel to the scanning direction due to errors in the mounting angle and arrangement of the exposure heads. The number of pixel parts in the used pixel part that intersect with a straight line may slightly increase or decrease, and the connection between the pixel parts in each used pixel part is only a fraction of the resolution. However, due to errors such as the mounting angle and the arrangement of the picture element parts, the pitch of the picture element parts along the direction orthogonal to the scanning direction does not exactly match the pitch of the picture element parts of other parts, and is parallel to the scanning direction. The number of used pixel parts that intersect with the straight line may increase or decrease within a range of ± 1. It is an order. In the following description, N multiple exposures where N is a natural number of 2 or more are collectively referred to as “multiple exposure”. Further, in the following description, “N multiple drawing” and “multiple exposure” are used as terms corresponding to “N double exposure” and “multiple exposure” for an embodiment in which the exposure apparatus or exposure method of the present invention is implemented as a drawing apparatus or drawing method. The term “multiple drawing” shall be used.
N in the N-fold exposure is not particularly limited as long as it is a natural number of 2 or more, and can be appropriately selected according to the purpose. However, a natural number of 3 or more is preferable, and a natural number of 3 or more and 7 or less is more preferable. .

<パターン形成装置>
本発明の永久パターン形成方法に係るパターン形成装置の一例について図面を参照しながら説明する。
前記パターン形成装置としては、いわゆるフラットベッドタイプの露光装置とされており、図1に示すように、前記感光性フィルムにおける少なくとも前記感光層が積層されてなるシート状の感光性積層体12(以下、「感光材料12」、「感光層12」ということがある)を表面に吸着して保持する平板状の移動ステージ14を備えている。4本の脚部16に支持された厚い板状の設置台18の上面には、ステージ移動方向に沿って延びた2本のガイド20が設置されている。ステージ14は、その長手方向がステージ移動方向を向くように配置されると共に、ガイド20によって往復移動可能に支持されている。なお、このパターン形成装置10には、ステージ14をガイド20に沿って駆動するステージ駆動装置(図示せず)が設けられている。
<Pattern forming device>
An example of a pattern forming apparatus according to the permanent pattern forming method of the present invention will be described with reference to the drawings.
The pattern forming apparatus is a so-called flatbed type exposure apparatus, and as shown in FIG. 1, a sheet-like photosensitive laminate 12 (hereinafter referred to as a laminate) in which at least the photosensitive layer in the photosensitive film is laminated. , “Photosensitive material 12” or “photosensitive layer 12”) is provided. Two guides 20 extending along the stage moving direction are installed on the upper surface of the thick plate-shaped installation table 18 supported by the four legs 16. The stage 14 is arranged so that the longitudinal direction thereof faces the stage moving direction, and is supported by the guide 20 so as to be reciprocally movable. The pattern forming apparatus 10 is provided with a stage driving device (not shown) that drives the stage 14 along the guide 20.

設置台18の中央部には、ステージ14の移動経路を跨ぐようにコの字状のゲート22が設けられている。コの字状のゲート22の端部の各々は、設置台18の両側面に固定されている。このゲート22を挟んで一方の側にはスキャナ24が設けられ、他方の側には感光材料12の先端及び後端を検知する複数(たとえば2個)のセンサ26が設けられている。スキャナ24及びセンサ26はゲート22に各々取り付けられて、ステージ14の移動経路の上方に固定配置されている。なお、スキャナ24及びセンサ26は、これらを制御する図示しないコントローラに接続されている。   A U-shaped gate 22 is provided at the center of the installation base 18 so as to straddle the movement path of the stage 14. Each end of the U-shaped gate 22 is fixed to both side surfaces of the installation base 18. A scanner 24 is provided on one side across the gate 22, and a plurality of (for example, two) sensors 26 that detect the front and rear ends of the photosensitive material 12 are provided on the other side. The scanner 24 and the sensor 26 are respectively attached to the gate 22 and fixedly arranged above the moving path of the stage 14. The scanner 24 and the sensor 26 are connected to a controller (not shown) that controls them.

ここで、説明のため、ステージ14の表面と平行な平面内に、図1に示すように、互いに直交するX軸及びY軸を規定する。   Here, for explanation, an X axis and a Y axis orthogonal to each other are defined in a plane parallel to the surface of the stage 14 as shown in FIG.

ステージ14の走査方向に沿って上流側(以下、単に「上流側」ということがある。)の端縁部には、X軸の方向に向かって開く「く」の字型に形成されたスリット28が、等間隔で10本形成されている。各スリット28は、上流側に位置するスリット28aと下流側に位置するスリット28bとからなっている。スリット28aとスリット28bとは互いに直交するとともに、X軸に対してスリット28aは−45度、スリット28bは+45度の角度を有している。   A slit formed in a “<” shape that opens in the direction of the X-axis at the upstream edge (hereinafter sometimes simply referred to as “upstream”) along the scanning direction of the stage 14. 10 are formed at equal intervals. Each slit 28 includes a slit 28 a located on the upstream side and a slit 28 b located on the downstream side. The slit 28a and the slit 28b are orthogonal to each other, and the slit 28a has an angle of −45 degrees and the slit 28b has an angle of +45 degrees with respect to the X axis.

スリット28の位置は、前記露光ヘッド30の中心と略一致させられている。また、各スリット28の大きさは、対応する露光ヘッド30による露光エリア32の幅を十分覆う大きさとされている。また、スリット28の位置としては、隣接する露光済み領域34間の重複部分の中心位置と略一致させてもよい。この場合、各スリット28の大きさは、露光済み領域34間の重複部分の幅を十分覆う大きさとする。   The position of the slit 28 is substantially coincident with the center of the exposure head 30. In addition, the size of each slit 28 is set to sufficiently cover the width of the exposure area 32 by the corresponding exposure head 30. Further, the position of the slit 28 may be substantially coincident with the center position of the overlapping portion between the adjacent exposed regions 34. In this case, the size of each slit 28 is set so as to sufficiently cover the width of the overlapping portion between the exposed regions 34.

ステージ14内部の各スリット28の下方の位置には、それぞれ、後述する使用描素部指定処理において、描素単位としての光点を検出する光点位置検出手段としての単一セル型の光検出器(図示せず)が組み込まれている。また、各光検出器は、後述する使用描素部指定処理において、前記描素部の選択を行う描素部選択手段としての演算装置(図示せず)に接続されている。   In the position below each slit 28 inside the stage 14, single cell type light detection as a light spot position detecting means for detecting a light spot as a pixel unit in a used pixel part designation process described later. A vessel (not shown) is incorporated. In addition, each photodetector is connected to an arithmetic unit (not shown) as a pixel part selection means for selecting the pixel part in the used pixel part specifying process described later.

露光時における前記パターン形成装置の動作形態はとしては、露光ヘッドを常に移動させながら連続的に露光を行う形態であってもよいし、露光ヘッドを段階的に移動させながら、各移動先の位置で露光ヘッドを静止させて露光動作を行う形態であってもよい。   The operation form of the pattern forming apparatus at the time of exposure may be a form in which exposure is continuously performed while constantly moving the exposure head, or each movement destination position while the exposure head is moved stepwise. The exposure head may be stationary to perform the exposure operation.

<<露光ヘッド>>
各露光ヘッド30は、後述する内部のデジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)36の各描素部(マイクロミラー)列方向が、走査方向と所定の設定傾斜角度θをなすように、スキャナ24に取り付けられている。このため、各露光ヘッド30による露光エリア32は、走査方向に対して傾斜した矩形状のエリアとなる。ステージ14の移動に伴い、感光層12には露光ヘッド30ごとに帯状の露光済み領域34が形成される。図2及び図3Bに示す例では、2行5列の略マトリックス状に配列された10個の露光ヘッドが、スキャナ24に備えられている。
なお、以下において、m行目のn列目に配列された個々の露光ヘッドを示す場合は、露光ヘッド30mnと表記し、m行目のn列目に配列された個々の露光ヘッドによる露光エリアを示す場合は、露光エリア32mnと表記する。
<< Exposure head >>
Each exposure head 30 is connected to the scanner 24 so that each pixel portion (micromirror) row direction of an internal digital micromirror device (DMD) 36 described later forms a predetermined set inclination angle θ with the scanning direction. It is attached. For this reason, the exposure area 32 by each exposure head 30 is a rectangular area inclined with respect to the scanning direction. As the stage 14 moves, a strip-shaped exposed region 34 is formed in the photosensitive layer 12 for each exposure head 30. In the example shown in FIGS. 2 and 3B, the scanner 24 includes ten exposure heads arranged in a substantially matrix of 2 rows and 5 columns.
In the following description, when the individual exposure heads arranged in the mth row and the nth column are indicated, the exposure head 30 mn is indicated, and exposure by the individual exposure heads arranged in the mth row and the nth column is performed. When an area is indicated, it is expressed as an exposure area 32 mn .

また、図3A及び図3Bに示すように、帯状の露光済み領域34のそれぞれが、隣接する露光済み領域34と部分的に重なるように、ライン状に配列された各行の露光ヘッド30の各々は、その配列方向に所定間隔(露光エリアの長辺の自然数倍、本実施形態では2倍)ずらして配置されている。このため、1行目の露光エリア3211と露光エリア3212との間の露光できない部分は、2行目の露光エリア3221により露光することができる。 Further, as shown in FIGS. 3A and 3B, each of the exposure heads 30 in each row arranged in a line so that each of the strip-shaped exposed regions 34 partially overlaps the adjacent exposed region 34 is In the arrangement direction, they are shifted by a predetermined interval (a natural number times the long side of the exposure area, twice in this embodiment). Therefore, can not be exposed portion between the exposure area 32 11 in the first row and the exposure area 32 12, it can be exposed by the second row of the exposure area 32 21.

露光ヘッド30の各々は、図4及び図5に示すように、入射された光を画像データに応じて描素部ごとに変調する光変調手段(描素部ごとに変調する空間光変調素子)として、DMD36(米国テキサス・インスツルメンツ社製)を備えている。このDMD36は、データ処理部とミラー駆動制御部とを備えた描素部制御手段としてのコントローラに接続されている。このコントローラのデータ処理部では、入力された画像データに基づいて、露光ヘッド30ごとに、DMD36上の使用領域内の各マイクロミラーを駆動制御する制御信号を生成する。また、ミラー駆動制御部では、画像データ処理部で生成した制御信号に基づいて、露光ヘッド30ごとに、DMD36の各マイクロミラーの反射面の角度を制御する。   As shown in FIGS. 4 and 5, each of the exposure heads 30 includes a light modulation unit (spatial light modulation element that modulates each pixel unit) that modulates incident light for each pixel unit according to image data. As a DMD 36 (manufactured by Texas Instruments, USA). The DMD 36 is connected to a controller serving as a pixel part control unit including a data processing unit and a mirror drive control unit. The data processing unit of this controller generates a control signal for driving and controlling each micromirror in the use area on the DMD 36 for each exposure head 30 based on the input image data. The mirror drive control unit controls the angle of the reflection surface of each micromirror of the DMD 36 for each exposure head 30 based on the control signal generated by the image data processing unit.

図4に示すように、DMD36の光入射側には、光ファイバの出射端部(発光点)が露光エリア32の長辺方向と一致する方向に沿って一列に配列されたレーザ出射部を備えたファイバアレイ光源38、ファイバアレイ光源38から出射されたレーザ光を補正してDMD上に集光させるレンズ系40、このレンズ系40を透過したレーザ光をDMD36に向けて反射するミラー42がこの順に配置されている。なお図4では、レンズ系40を概略的に示してある。   As shown in FIG. 4, on the light incident side of the DMD 36, there is provided a laser emitting portion in which the emission end portion (light emitting point) of the optical fiber is arranged in a line along the direction that coincides with the long side direction of the exposure area 32. A fiber array light source 38, a lens system 40 for correcting the laser light emitted from the fiber array light source 38 and condensing it on the DMD, and a mirror 42 for reflecting the laser light transmitted through the lens system 40 toward the DMD 36 Arranged in order. In FIG. 4, the lens system 40 is schematically shown.

上記レンズ系40は、図5に詳しく示すように、ファイバアレイ光源38から出射されたレーザ光を平行光化する1対の組合せレンズ44、平行光化されたレーザ光の光量分布が均一になるように補正する1対の組合せレンズ46、及び光量分布が補正されたレーザ光をDMD36上に集光する集光レンズ48で構成されている。   As shown in detail in FIG. 5, the lens system 40 has a pair of combination lenses 44 that collimate the laser light emitted from the fiber array light source 38, and the light quantity distribution of the collimated laser light becomes uniform. A pair of combination lenses 46 to be corrected in this way, and a condensing lens 48 that condenses the laser light whose light quantity distribution has been corrected on the DMD 36.

また、DMD36の光反射側には、DMD36で反射されたレーザ光を感光層12の被露光面上に結像するレンズ系50が配置されている。レンズ系50は、DMD36と感光層12の被露光面とが共役な関係となるように配置された、2枚のレンズ52及び54からなる。   Further, on the light reflection side of the DMD 36, a lens system 50 that images the laser light reflected by the DMD 36 on the exposed surface of the photosensitive layer 12 is disposed. The lens system 50 includes two lenses 52 and 54 arranged so that the DMD 36 and the exposed surface of the photosensitive layer 12 have a conjugate relationship.

本実施形態では、ファイバアレイ光源38から出射されたレーザ光は、実質的に5倍に拡大された後、DMD36上の各マイクロミラーからの光線が上記のレンズ系50によって約5μmに絞られるように設定されている。   In the present embodiment, the laser light emitted from the fiber array light source 38 is substantially magnified five times, and then the light from each micromirror on the DMD 36 is reduced to about 5 μm by the lens system 50. Is set to

‐光変調手段‐
前記光変調手段としては、n個(ただし、nは2以上の自然数)の2次元状に配列された前記描素部を有し、前記パターン情報に応じて前記描素部を制御可能なものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、空間光変調素子が好ましい。
-Light modulation means-
The light modulating means has n (where n is a natural number of 2 or more) two-dimensionally arranged image elements, and can control the image elements according to the pattern information. If it is, there will be no restriction | limiting in particular, According to the objective, it can select suitably, For example, a spatial light modulation element is preferable.

前記空間光変調素子としては、例えば、デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)タイプの空間光変調素子(SLM;Space Light Modulator)、電気光学効果により透過光を変調する光学素子(PLZT素子)、液晶光シャッタ(FLC)などが挙げられ、これらの中でもDMDが好適に挙げられる。   Examples of the spatial light modulator include a digital micromirror device (DMD), a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) type spatial light modulator (SLM), and modulates transmitted light by an electro-optic effect. An optical element (PLZT element), a liquid crystal optical shutter (FLC), etc. are mentioned, Among these, DMD is mentioned suitably.

また、前記光変調手段は、形成するパターン情報に基づいて制御信号を生成するパターン信号生成手段を有することが好ましい。この場合、前記光変調手段は、前記パターン信号生成手段が生成した制御信号に応じて光を変調させる。
前記制御信号としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、デジタル信号が好適に挙げられる。
Moreover, it is preferable that the said light modulation means has a pattern signal generation means which produces | generates a control signal based on the pattern information to form. In this case, the light modulation unit modulates light according to the control signal generated by the pattern signal generation unit.
There is no restriction | limiting in particular as said control signal, According to the objective, it can select suitably, For example, a digital signal is mentioned suitably.

以下、前記光変調手段の一例について図面を参照しながら説明する。
DMD36は図6に示すように、SRAMセル(メモリセル)56上に、各々描素(ピクセル)を構成する描素部として、多数のマイクロミラー58が格子状に配列されてなるミラーデバイスである。本実施形態では、1024列×768行のマイクロミラー58が配されてなるDMD36を使用するが、このうちDMD36に接続されたコントローラにより駆動可能すなわち使用可能なマイクロミラー58は、1024列×256行のみであるとする。DMD36のデータ処理速度には限界があり、使用するマイクロミラー数に比例して1ライン当りの変調速度が決定されるので、このように一部のマイクロミラーのみを使用することにより1ライン当りの変調速度が速くなる。各マイクロミラー58は支柱に支えられており、その表面にはアルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。なお、本実施形態では、各マイクロミラー58の反射率は90%以上であり、その配列ピッチは縦方向、横方向ともに13.7μmである。SRAMセル56は、ヒンジ及びヨークを含む支柱を介して通常の半導体メモリの製造ラインで製造されるシリコンゲートのCMOSのものであり、全体はモノリシック(一体型)に構成されている。
Hereinafter, an example of the light modulation means will be described with reference to the drawings.
As shown in FIG. 6, the DMD 36 is a mirror device in which a large number of micromirrors 58 are arranged in a lattice pattern on a SRAM cell (memory cell) 56 as a pixel portion constituting each pixel (pixel). . In this embodiment, a DMD 36 in which 1024 columns × 768 rows of micromirrors 58 are arranged is used. Among these, the micromirrors 58 that can be driven by a controller connected to the DMD 36, that is, usable micromirrors 58 are 1024 columns × 256 rows. Suppose only. The data processing speed of the DMD 36 is limited, and the modulation speed per line is determined in proportion to the number of micromirrors to be used. Thus, by using only some of the micromirrors in this way, Modulation speed increases. Each micromirror 58 is supported by a support column, and a material having high reflectivity such as aluminum is deposited on the surface thereof. In the present embodiment, the reflectance of each micromirror 58 is 90% or more, and the arrangement pitch thereof is 13.7 μm in both the vertical direction and the horizontal direction. The SRAM cell 56 is of a silicon gate CMOS manufactured in a normal semiconductor memory manufacturing line via a support including a hinge and a yoke, and the whole is configured monolithically (integrated).

DMD36のSRAMセル(メモリセル)56に、所望の2次元パターンを構成する各点の濃度を2値で表した画像信号が書き込まれると、支柱に支えられた各マイクロミラー58が、対角線を中心としてDMD36が配置された基板側に対して±α度(たとえば±10度)のいずれかに傾く。図7Aは、マイクロミラー58がオン状態である+α度に傾いた状態を示し、図7Bは、マイクロミラー58がオフ状態である−α度に傾いた状態を示す。このように、画像信号に応じて、DMD36の各ピクセルにおけるマイクロミラー58の傾きを、図6に示すように制御することによって、DMD36に入射したレーザ光Bはそれぞれのマイクロミラー58の傾き方向へ反射される。   When an image signal representing the density of each point constituting a desired two-dimensional pattern in binary is written in the SRAM cell (memory cell) 56 of the DMD 36, each micromirror 58 supported by the column is centered on the diagonal line. As shown in FIG. 1, the inclination is inclined to ± α degrees (for example, ± 10 degrees) with respect to the substrate side on which the DMD 36 is disposed. FIG. 7A shows a state in which the micromirror 58 is tilted to + α degrees in the on state, and FIG. 7B shows a state in which the micromirror 58 is tilted to −α degrees in the off state. In this way, by controlling the inclination of the micromirror 58 in each pixel of the DMD 36 as shown in FIG. 6 in accordance with the image signal, the laser light B incident on the DMD 36 moves in the inclination direction of each micromirror 58. Reflected.

図6には、DMD36の一部を拡大し、各マイクロミラー58が+α度又はα度に制御されている状態の一例を示す。それぞれのマイクロミラー58のオンオフ制御は、DMD36に接続された上記のコントローラによって行われる。また、オフ状態のマイクロミラー58で反射したレーザ光Bが進行する方向には、光吸収体(図示せず)が配置されている。   FIG. 6 shows an example in which a part of the DMD 36 is enlarged and each micromirror 58 is controlled to + α degrees or α degrees. The on / off control of each micromirror 58 is performed by the controller connected to the DMD 36. Further, a light absorber (not shown) is arranged in the direction in which the laser beam B reflected by the off-state micromirror 58 travels.

‐光照射手段‐
前記光照射手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、(超)高圧水銀灯、キセノン灯、カーボンアーク灯、ハロゲンランプ、複写機用などの蛍光管、LED、半導体レーザ等の公知光源、又は2以上の光を合成して照射可能な手段が挙げられ、これらの中でも2以上の光を合成して照射可能な手段が好ましい。
前記光照射手段から照射される光としては、例えば、支持体を介して光照射を行う場合には、該支持体を透過し、かつ用いられる光重合開始系化合物や増感剤を活性化する電磁波、紫外から可視光線、電子線、X線、レーザ光などが挙げられ、これらの中でもレーザ光が好ましく、2以上の光を合成したレーザ(以下、「合波レーザ」と称することがある)がより好ましい。また支持体を剥離してから光照射を行う場合でも、同様の光を用いることができる。
-Light irradiation means-
The light irradiation means is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. For example, (ultra) high pressure mercury lamp, xenon lamp, carbon arc lamp, halogen lamp, copier, fluorescent tube, LED, etc. , A known light source such as a semiconductor laser, or a means capable of synthesizing and irradiating two or more lights. Among these, a means capable of synthesizing and irradiating two or more lights is preferable.
The light irradiated from the light irradiation means, for example, when light irradiation is performed through a support, transmits the support and activates the used photopolymerization initiating compound or sensitizer. Examples include electromagnetic waves, ultraviolet to visible light, electron beams, X-rays, and laser beams. Among these, laser beams are preferable, and a laser that combines two or more lights (hereinafter sometimes referred to as a “combined laser”). Is more preferable. Even when light irradiation is performed after the support is peeled off, the same light can be used.

前記紫外から可視光線の波長としては、例えば、300〜1,500nmが好ましく、320〜800nmがより好ましく、330〜650nmが特に好ましい。
前記レーザ光の波長としては、例えば、200〜1,500nmが好ましく、300〜800nmがより好ましく、330〜500nmが更に好ましく、400〜450nmが特に好ましい。
The wavelength of ultraviolet to visible light is preferably, for example, 300 to 1,500 nm, more preferably 320 to 800 nm, and particularly preferably 330 to 650 nm.
As a wavelength of the said laser beam, 200-1500 nm is preferable, for example, 300-800 nm is more preferable, 330-500 nm is still more preferable, 400-450 nm is especially preferable.

前記合波レーザを照射可能な手段としては、例えば、複数のレーザと、マルチモード光ファイバと、該複数のレーザからそれぞれ照射したレーザビームを集光して前記マルチモード光ファイバに結合させる集合光学系とを有する手段が好ましい。   Examples of means capable of irradiating the combined laser include, for example, a plurality of lasers, a multimode optical fiber, and collective optics for condensing the laser beams respectively emitted from the plurality of lasers and coupling them to the multimode optical fiber. Means having a system are preferred.

前記合波レーザを照射可能な手段(ファイバアレイ光源)としては、例えば、特開2005−258431号公報〔0109〕〜〔0146〕に記載の手段が挙げられる。   Examples of means (fiber array light source) capable of irradiating the combined laser include means described in JP-A-2005-258431 [0109] to [0146].

<<使用描素部指定手段>>
前記使用描素部指定手段としては、描素単位としての光点の位置を被露光面上において検出する光点位置検出手段と、前記光点位置検出手段による検出結果に基づき、N重露光を実現するために使用する描素部を選択する描素部選択手段とを少なくとも備えることが好ましい。
以下、前記使用描素部指定手段による、N重露光に使用する描素部の指定方法の例について説明する。
<< Used pixel part designation means >>
The used pixel part specifying means includes a light spot position detecting means for detecting the position of a light spot on a surface to be exposed as a pixel unit, and N-fold exposure based on a detection result by the light spot position detecting means. It is preferable to include at least a pixel part selection unit that selects a pixel part to be used for the realization.
Hereinafter, an example of a method for designating a pixel part used for N-exposure by the used pixel part designation unit will be described.

(1)単一露光ヘッド内における使用描素部の指定方法
本実施形態(1)では、パターン形成装置10により、感光材料12に対して2重露光を行う場合であって、各露光ヘッド30の取付角度誤差に起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的な2重露光を実現するための使用描素部の指定方法を説明する。
(1) Method for Specifying Picture Element Portions Used in Single Exposure Head In the present embodiment (1), the pattern forming apparatus 10 performs double exposure on the photosensitive material 12, and each exposure head 30. A description will be given of a method for designating a used pixel part for reducing the variation in resolution and density unevenness caused by the mounting angle error and realizing ideal double exposure.

露光ヘッド30の走査方向に対する描素部(マイクロミラー58)の列方向の設定傾斜角度θとしては、露光ヘッド30の取付角度誤差等がない理想的な状態であれば、使用可能な1024列×256行の描素部を使用してちょうど2重露光となる角度θidealよりも、若干大きい角度を採用するものとする。
この角度θidealは、N重露光の数N、使用可能なマイクロミラー58の列方向の個数s、使用可能なマイクロミラー58の列方向の間隔p、及び露光ヘッド30を傾斜させた状態においてマイクロミラーによって形成される走査線のピッチδに対し、下記式1、
spsinθideal≧Nδ(式1)
により与えられる。本実施形態におけるDMD36は、上記のとおり、縦横の配置間隔が等しい多数のマイクロミラー58が矩形格子状に配されたものであるので、
pcosθideal=δ(式2)
であり、上記式1は、
stanθideal=N(式3)
となる。本実施形態(1)では、上記のとおりs=256、N=2であるので、前記式3より、角度θidealは約0.45度である。したがって、設定傾斜角度θとしては、たとえば0.50度程度の角度を採用するとよい。パターン形成装置10は、調整可能な範囲内で、各露光ヘッド30すなわち各DMD36の取付角度がこの設定傾斜角度θに近い角度となるように、初期調整されているものとする。
The set inclination angle θ in the column direction of the image element (micromirror 58) with respect to the scanning direction of the exposure head 30 can be used as long as there is no mounting angle error of the exposure head 30 and the like. It is assumed that an angle slightly larger than the angle θ ideal, which is a double exposure using 256 lines of pixel parts, is adopted.
This angle θ ideal is equal to the number N of N double exposures, the number s of usable micromirrors 58 in the column direction, the interval p of usable micromirrors 58 in the column direction, and the microscopic exposure head 30 in a tilted state. For the pitch δ of the scanning line formed by the mirror,
spsinθ ideal ≧ Nδ (Formula 1)
Given by. As described above, the DMD 36 according to the present embodiment includes a large number of micromirrors 58 having equal vertical and horizontal arrangement intervals arranged in a rectangular lattice shape.
pcosθ ideal = δ (Formula 2)
And the above equation 1 is
stanθ ideal = N (Formula 3)
It becomes. In the present embodiment (1), since s = 256 and N = 2 as described above, the angle θ ideal is about 0.45 degrees according to Equation 3. Therefore, for example, an angle of about 0.50 degrees may be employed as the set inclination angle θ. It is assumed that the pattern forming apparatus 10 is initially adjusted so that the mounting angle of each exposure head 30, that is, each DMD 36 is close to the set inclination angle θ within an adjustable range.

図8は、上記のように初期調整されたパターン形成装置10において、1つの露光ヘッド30の取付角度誤差、及びパターン歪みの影響により、被露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。以下の図面及び説明においては、各描素部(マイクロミラー)により生成され、被露光面上の露光領域を構成する描素単位としての光点について、第m行目の光点をr(m)、第n列目の光点をc(n)、第m行第n列の光点をP(m,n)とそれぞれ表記するものとする。   FIG. 8 illustrates an example of unevenness that occurs in the pattern on the exposed surface due to the influence of the mounting angle error of one exposure head 30 and pattern distortion in the pattern forming apparatus 10 that is initially adjusted as described above. FIG. In the following drawings and description, the light spot in the m-th row is represented by r (m) with respect to the light spot generated by each pixel part (micromirror) and constituting the exposure area on the exposed surface. ), The light spot in the nth column is denoted as c (n), and the light spot in the mth row and the nth column is denoted as P (m, n).

図8の上段部分は、ステージ14を静止させた状態で感光材料12の被露光面上に投影される、使用可能なマイクロミラー58からの光点群のパターンを示し、下段部分は、上段部分に示したような光点群のパターンが現れている状態でステージ14を移動させて連続露光を行った際に、被露光面上に形成される露光パターンの状態を示したものである。
なお、図8では、説明の便宜のため、使用可能なマイクロミラー58の奇数列による露光パターンと偶数列による露光パターンを分けて示してあるが、実際の被露光面上における露光パターンは、これら2つの露光パターンを重ね合わせたものである。
The upper part of FIG. 8 shows a pattern of light spots from the usable micromirror 58 projected onto the exposed surface of the photosensitive material 12 with the stage 14 being stationary, and the lower part is the upper part. 2 shows the state of the exposure pattern formed on the surface to be exposed when the stage 14 is moved and continuous exposure is performed in the state where the pattern of light spots as shown in FIG.
In FIG. 8, for convenience of explanation, the exposure pattern of the odd-numbered columns of the usable micromirrors 58 and the exposure pattern of the even-numbered columns are shown separately. However, the actual exposure patterns on the exposed surface are shown in FIG. Two exposure patterns are superimposed.

図8の例では、設定傾斜角度θを上記の角度θidealよりも若干大きい角度を採用した結果として、また露光ヘッド30の取付角度の微調整が困難であるために、実際の取付角度と上記の設定傾斜角度θとが誤差を有する結果として、被露光面上のいずれの領域においても濃度むらが生じている。具体的には、奇数列のマイクロミラーによる露光パターン及び偶数列のマイクロミラーによる露光パターンの双方で、複数の描素部列により形成された、被露光面上の重複露光領域において、理想的な2重露光に対して露光過多となり、描画が冗長となる領域が生じ、濃度むらが生じている。 In the example of FIG. 8, as a result of adopting the set inclination angle θ slightly larger than the above angle θ ideal , and because it is difficult to finely adjust the mounting angle of the exposure head 30, the actual mounting angle and the above As a result of the error in the set inclination angle θ, density unevenness occurs in any region on the exposed surface. Specifically, in both the exposure pattern by the odd-numbered micromirrors and the exposure pattern by the even-numbered micromirrors, it is ideal in the overlapped exposure region on the exposed surface formed by a plurality of pixel part rows. Overexposure occurs with respect to double exposure, resulting in a redundant drawing area and uneven density.

さらに、図8の例では、被露光面上に現れるパターン歪みの一例であって、被露光面上に投影された各画素列の傾斜角度が均一ではなくなる「角度歪み」が生じている。このような角度歪みが生じる原因としては、DMD36と被露光面間の光学系の各種収差やアラインメントずれ、及びDMD36自体の歪みやマイクロミラーの配置誤差等が挙げられる。
図8の例に現れている角度歪みは、走査方向に対する傾斜角度が、図の左方の列ほど小さく、図の右方の列ほど大きくなっている形態の歪みである。この角度歪みの結果として、露光過多となっている領域は、図の左方に示した被露光面上ほど小さく、図の右方に示した被露光面上ほど大きくなっている。
Further, the example of FIG. 8 is an example of pattern distortion appearing on the surface to be exposed, and “angular distortion” occurs in which the inclination angle of each pixel column projected on the surface to be exposed is not uniform. Causes of such angular distortion include various aberrations and alignment deviations of the optical system between the DMD 36 and the exposed surface, distortion of the DMD 36 itself, micromirror placement errors, and the like.
The angular distortion appearing in the example of FIG. 8 is a distortion in which the tilt angle with respect to the scanning direction is smaller in the left column of the figure and larger in the right column of the figure. As a result of this angular distortion, the overexposed area is smaller on the exposed surface shown on the left side of the figure and larger on the exposed surface shown on the right side of the figure.

上記したような、複数の描素部列により形成された、被露光面上の重複露光領域における濃度むらを軽減するために、前記光点位置検出手段としてスリット28及び光検出器の組を用い、露光ヘッド30ごとに実傾斜角度θ´を特定し、該実傾斜角度θ´に基づき、前記描素部選択手段として前記光検出器に接続された前記演算装置を用いて、実際の露光に使用するマイクロミラーを選択する処理を行うものとする。
実傾斜角度θ´は、光点位置検出手段が検出した少なくとも2つの光点位置に基づき、露光ヘッドを傾斜させた状態における被露光面上の光点の列方向と前記露光ヘッドの走査方向とがなす角度により特定される。
以下、図9及び10を用いて、前記実傾斜角度θ´の特定、及び使用画素選択処理について説明する。
In order to reduce the density unevenness in the overlapped exposure region on the exposed surface formed by a plurality of pixel part rows as described above, a set of the slit 28 and the photodetector is used as the light spot position detecting means. The actual inclination angle θ ′ is specified for each exposure head 30, and based on the actual inclination angle θ ′, the arithmetic unit connected to the photodetector as the pixel portion selection unit is used for actual exposure. A process of selecting a micromirror to be used is performed.
The actual inclination angle θ ′ is based on at least two light spot positions detected by the light spot position detection means, and the light spot column direction on the surface to be exposed and the scanning direction of the exposure head when the exposure head is tilted. It is specified by the angle formed by.
Hereinafter, the specification of the actual inclination angle θ ′ and the used pixel selection process will be described with reference to FIGS.

−実傾斜角度θ´の特定−
図9は、1つのDMD36による露光エリア32と、対応するスリット28との位置関係を示した上面図である。スリット28の大きさは、露光エリア32の幅を十分覆う大きさとされている。
本実施形態(1)の例では、露光エリア32の略中心に位置する第512列目の光点列と露光ヘッド30の走査方向とがなす角度を、上記の実傾斜角度θ´として測定する。具体的には、DMD36上の第1行目第512列目のマイクロミラー58、及び第256行目第512列目のマイクロミラー58をオン状態とし、それぞれに対応する被露光面上の光点P(1,512)及びP(256,512)の位置を検出し、それらを結ぶ直線と露光ヘッドの走査方向とがなす角度を実傾斜角度θ´として特定する。
-Specification of actual inclination angle θ'-
FIG. 9 is a top view showing the positional relationship between the exposure area 32 by one DMD 36 and the corresponding slit 28. The size of the slit 28 is set to sufficiently cover the width of the exposure area 32.
In the example of the present embodiment (1), the angle formed by the 512th light spot row positioned substantially at the center of the exposure area 32 and the scanning direction of the exposure head 30 is measured as the actual inclination angle θ ′. . Specifically, the micromirror 58 in the first row and the 512th column and the micromirror 58 in the 256th row and the 512th column on the DMD 36 are turned on, and the light spots on the exposure surface corresponding to each of the micromirrors 58 are turned on. The positions of P (1,512) and P (256,512) are detected, and the angle formed by the straight line connecting them and the scanning direction of the exposure head is specified as the actual inclination angle θ ′.

図10は、光点P(256,512)の位置の検出手法を説明した上面図である。
まず、第256行目第512列目のマイクロミラー58を点灯させた状態で、ステージ14をゆっくり移動させてスリット28をY軸方向に沿って相対移動させ、光点P(256,512)が上流側のスリット28aと下流側のスリット28bの間に来るような任意の位置に、スリット28を位置させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標を(X0,Y0)とする。この座標(X0,Y0)の値は、ステージ14に与えられた駆動信号が示す上記の位置までのステージ14の移動距離、及び、既知であるスリット28のX方向位置から決定され、記録される。
FIG. 10 is a top view illustrating a method for detecting the position of the light spot P (256, 512).
First, in a state where the micromirror 58 in the 256th row and the 512th column is turned on, the stage 14 is slowly moved to relatively move the slit 28 along the Y-axis direction, and the light spot P (256, 512) is changed. The slit 28 is positioned at an arbitrary position so as to be between the upstream slit 28a and the downstream slit 28b. At this time, the coordinates of the intersection of the slit 28a and the slit 28b are (X0, Y0). The value of this coordinate (X0, Y0) is determined and recorded from the movement distance of the stage 14 to the position indicated by the drive signal given to the stage 14 and the known X-direction position of the slit 28. .

次に、ステージ14を移動させ、スリット28をY軸に沿って図10における右方に相対移動させる。そして、図10において二点鎖線で示すように、光点P(256,512)の光が左側のスリット28bを通過して光検出器で検出されたところでステージ14を停止させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標(X0,Y1)を、光点P(256,512)の位置として記録する。   Next, the stage 14 is moved, and the slit 28 is relatively moved along the Y axis to the right in FIG. Then, as indicated by a two-dot chain line in FIG. 10, the stage 14 is stopped when the light at the light spot P (256, 512) passes through the left slit 28b and is detected by the photodetector. The coordinates (X0, Y1) of the intersection of the slit 28a and the slit 28b at this time are recorded as the position of the light spot P (256, 512).

次いで、ステージ14を反対方向に移動させ、スリット28をY軸に沿って図10における左方に相対移動させる。そして、図10において二点鎖線で示すように、光点P(256,512)の光が右側のスリット28aを通過して光検出器で検出されたところでステージ14を停止させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標(X0,Y2)を光点P(256,512)の位置として記録する。   Next, the stage 14 is moved in the opposite direction, and the slit 28 is relatively moved to the left in FIG. 10 along the Y axis. Then, as indicated by a two-dot chain line in FIG. 10, the stage 14 is stopped when the light at the light spot P (256, 512) passes through the right slit 28a and is detected by the photodetector. The coordinates (X0, Y2) of the intersection of the slit 28a and the slit 28b at this time are recorded as the position of the light spot P (256, 512).

以上の測定結果から、光点P(256,512)の被露光面上における位置を示す座標(X,Y)を、X=X0+(Y1−Y2)/2、Y=(Y1+Y2)/2の計算により決定する。同様の測定により、P(1,512)の位置を示す座標も決定し、それぞれの座標を結ぶ直線と、露光ヘッド30の走査方向とがなす傾斜角度を導出し、これを実傾斜角度θ´として特定する。   From the above measurement results, the coordinates (X, Y) indicating the position of the light spot P (256, 512) on the surface to be exposed are X = X0 + (Y1-Y2) / 2, Y = (Y1 + Y2) / 2. Determine by calculation. By the same measurement, coordinates indicating the position of P (1,512) are also determined, an inclination angle formed by a straight line connecting the respective coordinates and the scanning direction of the exposure head 30 is derived, and this is obtained as an actual inclination angle θ ′. As specified.

‐使用描素部の選択‐
このようにして特定された実傾斜角度θ´を用い、前記光検出器に接続された前記演算装置は、下記式4
ttanθ´=N(式4)
の関係を満たす値tに最も近い自然数Tを導出し、DMD36上の1行目からT行目のマイクロミラーを、本露光時に実際に使用するマイクロミラーとして選択する処理を行う。これにより、第512列目付近の露光領域において、理想的な2重露光に対して、露光過多となる領域と、露光不足となる領域との面積合計が最小となるようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
-Selection of used pixel part-
Using the actual inclination angle θ ′ thus specified, the arithmetic unit connected to the photodetector is expressed by the following equation 4
ttanθ ′ = N (Formula 4)
The natural number T closest to the value t satisfying the above relationship is derived, and the first to T-th row micromirrors on the DMD 36 are selected as micromirrors that are actually used during the main exposure. In this way, in the exposure region near the 512th column, a micromirror that minimizes the total area of the overexposed region and the underexposed region with respect to the ideal double exposure is actually obtained. It can be selected as a micromirror to be used for.

ここで、上記の値tに最も近い自然数を導出することに代えて、値t以上の最小の自然数を導出することとしてもよい。その場合、第512列目付近の露光領域において、理想的な2重露光に対して、露光過多となる領域の面積が最小になり、かつ露光不足となる領域が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
また、値t以下の最大の自然数を導出することとしてもよい。その場合、第512列目付近の露光領域において、理想的な2重露光に対して、露光不足となる領域の面積が最小になり、かつ露光過多となる領域が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
Here, instead of deriving the natural number closest to the above value t, the minimum natural number greater than or equal to the value t may be derived. In that case, in the exposure region near the 512th column, a micromirror that minimizes the area of the overexposed region and does not produce an underexposed region with respect to ideal double exposure. It can be selected as a micromirror to be actually used.
It is also possible to derive the maximum natural number equal to or less than the value t. In that case, in the exposure region near the 512th column, a micromirror that minimizes the area of the underexposed region and does not produce an overexposed region with respect to ideal double exposure. It can be selected as a micromirror to be actually used.

図11は、上記のようにして実際に使用するマイクロミラーとして選択されたマイクロミラーが生成した光点のみを用いて行った露光において、図8に示した被露光面上のむらがどのように改善されるかを示した説明図である。
この例では、上記の自然数TとしてT=253が導出され、第1行目から第253行目のマイクロミラーが選択されたものとする。選択されなかった第254行目から第256行目のマイクロミラーに対しては、前記描素部制御手段により、常時オフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に露光に関与しない。図11に示すとおり、第512列目付近の露光領域では、露光過多及び露光不足は、ほぼ完全に解消され、理想的な2重露光に極めて近い均一な露光が実現される。
FIG. 11 shows how the unevenness on the exposed surface shown in FIG. 8 is improved in the exposure performed using only the light spot generated by the micromirror selected as the micromirror actually used as described above. It is explanatory drawing which showed what was done.
In this example, it is assumed that T = 253 is derived as the natural number T and the micromirrors in the first row to the 253rd row are selected. For the micromirrors in the 254th to 256th rows that are not selected, the pixel part control means sends a signal to set the angle of the always-off state, and these micromirrors are substantially Not involved in exposure. As shown in FIG. 11, in the exposure region near the 512th column, overexposure and underexposure are almost completely eliminated, and uniform exposure very close to ideal double exposure is realized.

一方、図11の左方の領域(図中のc(1)付近)では、前記角度歪みにより、被露光面上における光点列の傾斜角度が中央付近(図中のc(512)付近)の領域における光線列の傾斜角度よりも小さくなっている。したがって、c(512)を基準として測定された実傾斜角度θ´に基づいて選択されたマイクロミラーのみによる露光では、偶数列による露光パターン及び奇数列による露光パターンのそれぞれにおいて、理想的な2重露光に対して露光不足となる領域がわずかに生じてしまう。
しかしながら、図示の奇数列による露光パターンと偶数列による露光パターンとを重ね合わせてなる実際の露光パターンにおいては、露光量不足となる領域が互いに補完され、前記角度歪みによる露光むらを、2重露光による埋め合わせの効果で最小とすることができる。
On the other hand, in the left region of FIG. 11 (near c (1) in the figure), the inclination angle of the light spot sequence on the exposed surface is near the center (near c (512) in the figure) due to the angular distortion. This is smaller than the inclination angle of the light beam row in the region. Therefore, in the exposure using only the micromirror selected based on the actual inclination angle θ ′ measured with c (512) as a reference, the ideal double pattern is used for each of the even-numbered exposure pattern and the odd-numbered exposure pattern. An area that is underexposed with respect to the exposure is slightly generated.
However, in the actual exposure pattern formed by overlaying the exposure pattern of the odd-numbered columns and the exposure pattern of the even-numbered columns shown in the figure, the regions where the exposure amount is insufficient are complemented with each other, and the exposure unevenness due to the angular distortion is double-exposed. The effect of offsetting can be minimized.

また、図11の右方の領域(図中のc(1024)付近)では、前記角度歪みにより、被露光面上における光線列の傾斜角度が、中央付近(図中のc(512)付近)の領域における光線列の傾斜角度よりも大きくなっている。したがって、c(512)を基準として測定された実傾斜角度θ´に基づいて選択されたマイクロミラーによる露光では、図に示すように、理想的な2重露光に対して露光過多となる領域がわずかに生じてしまう。
しかしながら、図示の奇数列による露光パターンと偶数列による露光パターンとを重ね合わせてなる実際の露光パターンにおいては、露光過多となる領域が互いに補完され、前記角度歪による濃度むらを、2重露光による埋め合わせの効果で最小とすることができる。
Further, in the right region of FIG. 11 (near c (1024) in the figure), the inclination angle of the light beam on the exposed surface is near the center (near c (512) in the figure) due to the angular distortion. It is larger than the inclination angle of the light beam row in the region. Therefore, in the exposure with the micromirror selected based on the actual inclination angle θ ′ measured with c (512) as a reference, as shown in the figure, there is an overexposed region with respect to the ideal double exposure. It will occur slightly.
However, in the actual exposure pattern formed by superimposing the exposure pattern of the odd-numbered columns and the exposure pattern of the even-numbered columns shown in the figure, the overexposed regions are complemented with each other, and the density unevenness due to the angular distortion is caused by the double exposure. The effect of offsetting can be minimized.

本実施形態(1)では、上述のとおり、第512列目の光線列の実傾斜角度θ´が測定され、該実傾斜角度θ´を用い、前記式(4)により導出されたTに基づいて使用するマイクロミラー58を選択したが、前記実傾斜角度θ´の特定方法としては、複数の描素部の列方向(光点列)と、前記露光ヘッドの走査方向とがなす複数の実傾斜角度をそれぞれ測定し、それらの平均値、中央値、最大値、及び最小値のいずれかを実傾斜角度θ´として特定し、前記式4等によって実際の露光時に実際に使用するマイクロミラーを選択する形態としてもよい。
前記平均値又は前記中央値を実傾斜角度θ´とすれば、理想的なN重露光に対して露光過多となる領域と露光不足となる領域とのバランスがよい露光を実現することができる。例えば、露光過多となる領域と、露光量不足となる領域との合計面積が最小に抑えられ、かつ、露光過多となる領域の描素単位数(光点数)と、露光不足となる領域の描素単位数(光点数)とが等しくなるような露光を実現することが可能である。
また、前記最大値を実傾斜角度θ´とすれば、理想的なN重露光に対して露光過多となる領域の排除をより重要視した露光を実現することができ、例えば、露光不足となる領域の面積を最小に抑え、かつ、露光過多となる領域が生じないような露光を実現することが可能である。
さらに、前記最小値を実傾斜角度θ´とすれば、理想的なN重露光に対して露光不足となる領域の排除をより重要視した露光を実現することができ、例えば、露光過多となる領域の面積を最小に抑え、かつ、露光不足となる領域が生じないような露光を実現することが可能である。
In the present embodiment (1), as described above, the actual inclination angle θ ′ of the 512th ray array is measured, and based on the T derived from the equation (4) using the actual inclination angle θ ′. The micro-mirror 58 to be used is selected. However, as a method of specifying the actual inclination angle θ ′, a plurality of actual directions formed by the column direction (light spot column) of the plurality of image elements and the scanning direction of the exposure head are used. Each of the tilt angles is measured, and any one of the average value, median value, maximum value, and minimum value is specified as an actual tilt angle θ ′. It is good also as a form to select.
When the average value or the median value is set to the actual inclination angle θ ′, it is possible to realize exposure with a good balance between an overexposed area and an underexposed area with respect to an ideal N-fold exposure. For example, the total area of the overexposed region and the underexposed region is minimized, and the number of pixel units (number of light spots) in the overexposed region and the underexposed region are drawn. It is possible to realize exposure such that the number of prime units (number of light spots) is equal.
Further, if the maximum value is set to the actual inclination angle θ ′, it is possible to realize an exposure that places more importance on eliminating an overexposed region with respect to an ideal N double exposure, for example, an underexposure. It is possible to realize exposure that minimizes the area of the region and does not generate an overexposed region.
Further, if the minimum value is set to the actual inclination angle θ ′, it is possible to realize exposure that places more importance on eliminating underexposed areas with respect to ideal N-fold exposure, for example, overexposure. It is possible to realize exposure that minimizes the area of the region and does not cause a region that is underexposed.

一方、前記実傾斜角度θ´の特定は、同一の描素部の列(光点列)中の少なくとも2つの光点の位置に基づく方法に限定されない。例えば、同一描素部列c(n)中の1つ又は複数の光点の位置と、該c(n)近傍の列中の1つ又は複数の光点の位置とから求めた角度を、実傾斜角度θ´として特定してもよい。
具体的には、c(n)中の1つの光点位置と、露光ヘッドの走査方向に沿って直線上かつ近傍の光点列に含まれる1つ又は複数の光点位置とを検出し、これらの位置情報から、実傾斜角度θ´を求めることができる。さらに、c(n)列近傍の光点列中の少なくとも2つの光点(たとえば、c(n)を跨ぐように配置された2つの光点)の位置に基づいて求めた角度を、実傾斜角度θ´として特定してもよい。
On the other hand, the specification of the actual inclination angle θ ′ is not limited to the method based on the positions of at least two light spots in the same pixel part row (light spot row). For example, the angle obtained from the position of one or more light spots in the same pixel part sequence c (n) and the position of one or more light spots in the row near the c (n), The actual inclination angle θ ′ may be specified.
Specifically, one light spot position in c (n) and one or a plurality of light spot positions included in a light spot row on a straight line and in the vicinity along the scanning direction of the exposure head are detected. The actual inclination angle θ ′ can be obtained from the position information. Further, the angle obtained based on the positions of at least two light spots (for example, two light spots arranged so as to straddle c (n)) in the light spot array in the vicinity of the c (n) line is an actual inclination. The angle θ ′ may be specified.

以上のように、パターン形成装置10を用いた本実施形態(1)の使用描素部の指定方法によれば、各露光ヘッドの取付角度誤差やパターン歪みの影響による解像度のばらつきや濃度のむらを軽減し、理想的なN重露光を実現することができる。   As described above, according to the specification method of the used picture element portion of the present embodiment (1) using the pattern forming apparatus 10, resolution variation and density unevenness due to the influence of the mounting angle error of each exposure head and pattern distortion are eliminated. It is possible to reduce and realize an ideal N double exposure.

(2)複数露光ヘッド間における使用描素部の指定方法<1>
本実施形態(2)では、パターン形成装置10により、感光材料12に対して2重露光を行う場合であって、複数の露光ヘッド30により形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域において、2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)のX軸方向に関する相対位置の、理想的な状態からのずれに起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的な2重露光を実現するための使用描素部の指定方法を説明する。
(2) Method for designating used pixel parts between a plurality of exposure heads <1>
In the present embodiment (2), the pattern forming apparatus 10 performs double exposure on the photosensitive material 12 and is a head that is an overlapped exposure region on the exposed surface formed by the plurality of exposure heads 30. In the intermittent region, the variation in resolution and density unevenness due to the deviation from the ideal state of the relative position of the two exposure heads (for example, exposure heads 30 12 and 30 21 ) in the X-axis direction are reduced; A description will be given of a method for designating a used pixel portion for realizing ideal double exposure.

各露光ヘッド30すなわち各DMD36の設定傾斜角度θとしては、露光ヘッド30の取付角度誤差等がない理想的な状態であれば、使用可能な1024列×256行の描素部マイクロミラー58を使用してちょうど2重露光となる角度θidealを採用するものとする。
この角度θidealは、上記の実施形態(1)と同様にして前記式1〜3から求められる。本実施形態(2)において、パターン形成装置10は、各露光ヘッド30すなわち各DMD36の取付角度がこの角度θidealとなるように、初期調整されているものとする。
As the set inclination angle θ of each exposure head 30, that is, each DMD 36, the usable pixel portion micromirror 58 of 1024 columns × 256 rows is used if there is no ideal mounting angle error of the exposure head 30. Then, it is assumed that an angle θ ideal that is exactly double exposure is adopted.
This angle θ ideal is obtained from the above equations 1 to 3 in the same manner as in the above embodiment (1). In the present embodiment (2), it is assumed that the pattern forming apparatus 10 is initially adjusted so that the mounting angle of each exposure head 30, that is, each DMD 36 becomes this angle θ ideal .

図12は、上記のように初期調整されたパターン形成装置10において、2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)のX軸方向に関する相対位置の、理想的な状態からのずれの影響により、被露光面上のパターンに生じる濃度むらの例を示した説明図である。各露光ヘッドのX軸方向に関する相対位置のずれは、露光ヘッド間の相対位置の微調整が困難であるために生じ得るものである。 FIG. 12 shows the deviation of the relative positions of the two exposure heads (for example, exposure heads 30 12 and 30 21 ) in the X-axis direction from the ideal state in the pattern forming apparatus 10 initially adjusted as described above. It is explanatory drawing which showed the example of the density nonuniformity which arises in the pattern on a to-be-exposed surface by the influence. The displacement of the relative position of each exposure head in the X-axis direction can occur because it is difficult to finely adjust the relative position between the exposure heads.

図12の上段部分は、ステージ14を静止させた状態で感光材料12の被露光面上に投影される、露光ヘッド3012と3021が有するDMD36の使用可能なマイクロミラー58からの光点群のパターンを示した図である。図12の下段部分は、上段部分に示したような光点群のパターンが現れている状態でステージ14を移動させて連続露光を行った際に、被露光面上に形成される露光パターンの状態を、露光エリア3212と3221について示したものである。
なお、図12では、説明の便宜のため、使用可能なマイクロミラー58の1列おきの露光パターンを、画素列群Aによる露光パターンと画素列群Bによる露光パターンとに分けて示してあるが、実際の被露光面上における露光パターンは、これら2つの露光パターンを重ね合わせたものである。
The upper part of FIG. 12 is a light spot group from the micromirror 58 usable for the DMD 36 of the exposure heads 30 12 and 30 21 that is projected onto the exposed surface of the photosensitive material 12 with the stage 14 being stationary. It is the figure which showed these patterns. The lower part of FIG. 12 shows the exposure pattern formed on the exposed surface when the stage 14 is moved and the continuous exposure is performed with the light spot group pattern as shown in the upper part appearing. The state is shown for exposure areas 32 12 and 32 21 .
In FIG. 12, for convenience of explanation, every other exposure pattern of the micromirrors 58 that can be used is divided into an exposure pattern based on the pixel column group A and an exposure pattern based on the pixel column group B. The actual exposure pattern on the exposed surface is a superposition of these two exposure patterns.

図12の例では、上記したX軸方向に関する露光ヘッド3012と3021との間の相対位置の、理想的な状態からのずれの結果として、画素列群Aによる露光パターンと画素列群Bによる露光パターンとの双方で、露光エリア3212と3221の前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重露光の状態よりも露光量過多な部分が生じてしまっている。 In the example of FIG. 12, as a result of the deviation of the relative position between the exposure heads 30 12 and 30 21 in the X-axis direction from the ideal state, the exposure pattern by the pixel column group A and the pixel column group B In both of the above exposure patterns, a portion where the exposure amount is larger than the ideal double exposure state occurs in the connection area between the heads in the exposure areas 32 12 and 32 21 .

上記したような、複数の前記露光ヘッドにより被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域に現れる濃度むらを軽減するために、本実施形態(2)では、前記光点位置検出手段としてスリット28及び光検出器の組を用い、露光ヘッド3012と3021からの光点群のうち、被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域を構成する光点のいくつかについて、その位置(座標)を検出する。該位置(座標)に基づいて、前記描素部選択手段として前記光検出器に接続された演算装置を用いて、実際の露光に使用するマイクロミラーを選択する処理を行うものとする。 In order to reduce density unevenness appearing in the inter-head connecting region formed on the exposed surface by the plurality of exposure heads as described above, in this embodiment (2), a slit is used as the light spot position detecting means. 28 and a set of photodetectors, the positions of some of the light spots constituting the connecting area between the heads formed on the exposed surface among the light spot groups from the exposure heads 30 12 and 30 21. Detect (coordinates). Based on the position (coordinates), processing for selecting a micromirror to be used for actual exposure is performed using an arithmetic unit connected to the photodetector as the pixel portion selection means.

−位置(座標)の検出−
図13は、図12と同様の露光エリア3212及び3221と、対応するスリット28との位置関係を示した上面図である。スリット28の大きさは、露光ヘッド3012と3021による露光済み領域34間の重複部分の幅を十分覆う大きさ、すなわち、露光ヘッド3012と3021により被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域を十分覆う大きさとされている。
-Detection of position (coordinates)-
FIG. 13 is a top view showing the positional relationship between the exposure areas 32 12 and 32 21 similar to those in FIG. 12 and the corresponding slits 28. The size of the slit 28 is large enough to cover the width of the overlapping portion between the exposed areas 34 by the exposure heads 30 12 and 30 21 , that is, the slit 28 is formed on the exposed surface by the exposure heads 30 12 and 30 21. The size is sufficient to cover the connection area between the heads.

図14は、一例として露光エリア3221の光点P(256,1024)の位置を検出する際の検出手法を説明した上面図である。
まず、第256行目第1024列目のマイクロミラーを点灯させた状態で、ステージ14をゆっくり移動させてスリット28をY軸方向に沿って相対移動させ、光点P(256,1024)が上流側のスリット28aと下流側のスリット28bの間に来るような任意の位置に、スリット28を位置させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標を(X0,Y0)とする。この座標(X0,Y0)の値は、ステージ14に与えられた駆動信号が示す上記の位置までのステージ14の移動距離、及び、既知であるスリット28のX方向位置から決定され、記録される。
Figure 14 is a top view for explaining a detection method of detecting the position of a point P of the exposure area 32 21 as an example (256, 1024).
First, with the micromirror in the 256th row and the 1024th column turned on, the stage 14 is slowly moved to relatively move the slit 28 along the Y-axis direction, and the light spot P (256, 1024) is upstream. The slit 28 is positioned at an arbitrary position so as to be between the slit 28a on the side and the slit 28b on the downstream side. At this time, the coordinates of the intersection of the slit 28a and the slit 28b are (X0, Y0). The value of this coordinate (X0, Y0) is determined and recorded from the movement distance of the stage 14 to the position indicated by the drive signal given to the stage 14 and the known X-direction position of the slit 28. .

次に、ステージ14を移動させ、スリット28をY軸に沿って図14における右方に相対移動させる。そして、図14において二点鎖線で示すように、光点P(256,1024)の光が左側のスリット28bを通過して光検出器で検出されたところでステージ14を停止させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標(X0,Y1)を、光点P(256,1024)の位置として記録する。   Next, the stage 14 is moved, and the slit 28 is relatively moved along the Y axis to the right in FIG. Then, as indicated by a two-dot chain line in FIG. 14, the stage 14 is stopped when the light at the light spot P (256, 1024) passes through the left slit 28b and is detected by the photodetector. The coordinates (X0, Y1) of the intersection of the slit 28a and the slit 28b at this time are recorded as the position of the light spot P (256, 1024).

次いで、ステージ14を反対方向に移動させ、スリット28をY軸に沿って図14における左方に相対移動させる。そして、図14において二点鎖線で示すように、光点P(256,1024)の光が右側のスリット28aを通過して光検出器で検出されたところでステージ14を停止させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標(X0,Y2)を、光点P(256,1024)として記録する。   Next, the stage 14 is moved in the opposite direction, and the slit 28 is relatively moved to the left in FIG. 14 along the Y axis. Then, as indicated by a two-dot chain line in FIG. 14, the stage 14 is stopped when the light at the light spot P (256, 1024) passes through the right slit 28a and is detected by the photodetector. The coordinates (X0, Y2) of the intersection of the slit 28a and the slit 28b at this time are recorded as the light spot P (256, 1024).

以上の測定結果から、光点P(256,1024)の被露光面における位置を示す座標(X,Y)を、X=X0+(Y1−Y2)/2、Y=(Y1+Y2)/2の計算により決定する。   From the above measurement results, the coordinates (X, Y) indicating the position of the light spot P (256, 1024) on the exposed surface are calculated as X = X0 + (Y1−Y2) / 2, Y = (Y1 + Y2) / 2. Determined by

−不使用描素部の特定−
図12の例では、まず、露光エリア3212の光点P(256,1)の位置を、上記の光点位置検出手段としてスリット28と光検出器の組により検出する。続いて、露光エリア3221の第256行目の光点行r(256)上の各光点の位置を、P(256,1024)、P(256,1023)・・・と順番に検出していき、露光エリア3212の光点P(256,1)よりも大きいX座標を示す露光エリア3221の光点P(256,n)が検出されたところで、検出動作を終了する。そして、露光エリア3221の光点列c(n+1)からc(1024)を構成する光点に対応するマイクロミラーを、本露光時に使用しないマイクロミラー(不使用描素部)として特定する。
例えば、図12において、露光エリア3221の光点P(256,1020)が、露光エリア3212の光点P(256,1)よりも大きいX座標を示し、その露光エリア3221の光点P(256,1020)が検出されたところで検出動作が終了したとすると、図15において斜線で覆われた部分70に相当する露光エリア3221の第1021行から第1024行を構成する光点に対応するマイクロミラーが、本露光時に使用しないマイクロミラーとして特定される。
-Identification of unused pixel parts-
In the example of FIG. 12, first, the position of the point P of the exposure area 32 12 (256,1) is detected by a set of slits 28 and a photodetector as the light spot position detecting unit. Subsequently, the position of each light spot on the 256 line of light spots row r of the exposure area 32 21 (256), P ( 256,1024), to detect the P (256,1023) ··· and order periodically, where the exposure area 32 21 of point P indicating the exposure area 32 12 point P (256,1) larger X coordinate than the (256, n) is detected, and terminates the detecting operation. Then, the micro mirrors corresponding to light spots constituting the c (1024) from the light spot column c of the exposure area 32 21 (n + 1), specifies as a micro-mirror is not used during the exposure (unused pixel parts).
For example, in FIG. 12, the exposure area 32 21 point P (256,1020) is shows a larger X coordinate than the point P of the exposure area 32 12 (256,1) of the exposure area 32 21 spot If P (256,1020) is that the detection operation at the detected ended, the light spots constituting the first 1024 lines from the 1021 line of exposure area 32 21, corresponding to the portion 70 covered with hatched in FIG. 15 The corresponding micromirror is identified as a micromirror that is not used during the main exposure.

次に、N重露光の数Nに対して、露光エリア3212の光点P(256,N)の位置が検出される。本実施形態(2)では、N=2であるので、光点P(256,2)の位置が検出される。
続いて、露光エリア3221の光点列のうち、上記で本露光時に使用しないマイクロミラーに対応する光点列として特定されたものを除き、最も右側の第1020列を構成する光点の位置を、P(1,1020)から順番にP(1,1020)、P(2,1020)・・・と検出していき、露光エリア3212の光点P(256,2)よりも大きいX座標を示す光点P(m,1020)が検出されたところで、検出動作を終了する。
その後、前記光検出器に接続された演算装置において、露光エリア3212の光点P(256,2)のX座標と、露光エリア3221の光点P(m,1020)及びP(m−1,1020)のX座標とが比較され、露光エリア3221の光点P(m,1020)のX座標の方が露光エリア3212の光点P(256,2)のX座標に近い場合は、露光エリア3221の光点P(1,1020)からP(m−1,1020)に対応するマイクロミラーが本露光時に使用しないマイクロミラーとして特定される。
また、露光エリア3221の光点P(m−1,1020)のX座標の方が露光エリア3212の光点P(256,2)のX座標に近い場合は、露光エリア3221の光点P(1,1020)からP(m−2,1020)に対応するマイクロミラーが、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定される。
さらに、露光エリア3212の光点P(256,N−1)すなわち光点P(256,1)の位置と、露光エリア3221の次列である第1019列を構成する各光点の位置についても、同様の検出処理及び使用しないマイクロミラーの特定が行われる。
Next, the number N of the N multiple exposure, the position of the point P of the exposure area 32 12 (256, N) is detected. In this embodiment (2), since N = 2, the position of the light spot P (256, 2) is detected.
Then, among the light spot columns of the exposure area 32 21, except those identified as light spots string corresponding to the micromirrors is not used during the exposure in the above, the position of the light spot constituting the rightmost 1020 column a, P (1,1020) in order from P (1,1020), P (2,1020 ) ··· and continue to detection, greater than the point P of the exposure area 32 12 (256,2) X When the light spot P (m, 1020) indicating the coordinates is detected, the detection operation is terminated.
Thereafter, the connected operational devices to said light detector, and X-coordinate of the exposure area 32 12 of the light spot P (256, two), point P of the exposure area 32 21 (m, 1020) and P (m- and X-coordinate of 1,1020) are compared, if the direction of the X coordinate of the point P of the exposure area 32 21 (m, 1020) is closer to the X coordinate of the point P in the exposure area 32 12 (256, 2) a micro mirror corresponding to P (m-1,1020) from point P of the exposure area 32 21 (1,1020) is identified as a micro-mirror is not used during the exposure.
Also, if the direction of the X coordinate of the point P of the exposure area 32 21 (m-1,1020) is close to the X-coordinate of the point P in the exposure area 32 12 (256, 2), the light of the exposure area 32 21 Micromirrors corresponding to points P (1, 1020) to P (m−2, 1020) are specified as micromirrors that are not used for the main exposure.
Furthermore, the position of the point P of the exposure area 32 12 (256, N-1 ) That point P (256,1), the position of each point constituting the first 1019 column is the next row of the exposure area 32 21 The same detection process and identification of micromirrors that are not used are also performed.

その結果、たとえば、図15において網掛けで覆われた領域72を構成する光点に対応するマイクロミラーが、実際の露光時に使用しないマイクロミラーとして追加される。これらのマイクロミラーには、常時、そのマイクロミラーの角度をオフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に露光に使用されない。   As a result, for example, micromirrors corresponding to the light spots that form the shaded area 72 in FIG. 15 are added as micromirrors that are not used during actual exposure. These micromirrors are always signaled to set the micromirror angle to the off-state angle, and these micromirrors are substantially not used for exposure.

このように、実際の露光時に使用しないマイクロミラーを特定し、該使用しないマイクロミラーを除いたものを、実際の露光時に使用するマイクロミラーとして選択することにより、露光エリア3212と3221の前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重露光に対して露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積を最小とすることができ、図15の下段に示すように、理想的な2重露光に極めて近い均一な露光を実現することができる。 As described above, the micromirrors that are not used at the time of actual exposure are identified, and the micromirrors that are not used at the time of actual exposure are selected as the micromirrors that are used at the time of actual exposure, whereby the exposure areas 32 12 and 32 21 In the joint area between the heads, the total area of the overexposed area and the underexposed area with respect to the ideal double exposure can be minimized. As shown in the lower part of FIG. Uniform exposure extremely close to double exposure can be realized.

なお、上記の例においては、図15において網掛けで覆われた領域72を構成する光点の特定に際し、露光エリア3212の光点P(256,2)のX座標と、露光エリア3221の光点P(m,1020)及びP(m−1,1020)のX座標との比較を行わずに、ただちに、露光エリア3221の光点P(1,1020)からP(m−2,1020)に対応するマイクロミラーを、本露光時に使用しないマイクロミラーとして特定してもよい。その場合、前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重露光に対して露光過多となる領域の面積が最小になり、かつ露光不足となる領域が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
また、露光エリア3221の光点P(1,1020)からP(m−1,1020)に対応するマイクロミラーを、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定してもよい。その場合、前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重露光に対して露光不足となる領域の面積が最小になり、かつ露光過多となる領域が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
さらに、前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重描画に対して露光過多となる領域の描素単位数(光点数)と、露光不足となる領域の描素単位数(光点数)とが等しくなるように、実際に使用するマイクロミラーを選択することとしてもよい。
In the above example, when the light spot of a specific constituting the regions 72 covered with hatched in FIG. 15, the X-coordinate of the exposure area 32 12 of the light spot P (256, two), the exposure area 32 21 of the light spot P (m, 1020) and P (m-1,1020) without comparison of the X-coordinate of the immediately, P from point P of the exposure area 32 21 (1,1020) (m- 2 , 1020) may be specified as a micromirror that is not used during the main exposure. In that case, in the connecting area between the heads, a micromirror is actually used that minimizes the area of an overexposed area with respect to an ideal double exposure and does not cause an underexposed area. It can be selected as a micromirror.
Further, the micro-mirrors corresponding to P (m-1,1020) from point P of the exposure area 32 21 (1,1020), it may be specified as micro mirrors not used in this exposure. In that case, in the connecting region between the heads, a micromirror is actually used in which the area of the region that is underexposed with respect to the ideal double exposure is minimized and the region that is not overexposed does not occur. It can be selected as a micromirror.
Further, in the connecting area between the heads, the number of pixel units (the number of light spots) in an area that is overexposed with respect to an ideal double drawing and the number of pixel units (the number of light spots) in an area that is underexposed. It is good also as selecting the micromirror actually used so that it may become equal.

以上のように、パターン形成装置10を用いた本実施形態(2)の使用描素部の指定方法によれば、複数の露光ヘッドのX軸方向に関する相対位置のずれに起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的なN重露光を実現することができる。   As described above, according to the specification method of the used pixel part of the present embodiment (2) using the pattern forming apparatus 10, the resolution variation caused by the relative position shift in the X-axis direction of the plurality of exposure heads Density unevenness can be reduced, and ideal N-fold exposure can be realized.

(3)複数露光ヘッド間における使用描素部の指定方法<2>
本実施形態(3)では、パターン形成装置10により、感光材料12に対して2重露光を行う場合であって、複数の露光ヘッド30により形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域において、2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)のX軸方向に関する相対位置の理想的な状態からのずれ、並びに各露光ヘッドの取付角度誤差、及び2つの露光ヘッド間の相対取付角度誤差に起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的な2重露光を実現するための使用描素部の指定方法を説明する。
(3) Specification method of used pixel parts between a plurality of exposure heads <2>
In this embodiment (3), the pattern forming apparatus 10 performs double exposure on the photosensitive material 12 and is a head that is an overlapped exposure region on the exposed surface formed by a plurality of exposure heads 30. In the intermittent region, the deviation of the relative positions of the two exposure heads (for example, exposure heads 30 12 and 30 21 ) in the X-axis direction from the ideal state, the mounting angle error of each exposure head, and the two exposure heads A description will be given of a method for designating a used pixel part for reducing the variation in resolution and density unevenness caused by the relative mounting angle error between them and realizing ideal double exposure.

各露光ヘッド30すなわち各DMD36の設定傾斜角度としては、露光ヘッド30の取付角度誤差等がない理想的な状態であれば、使用可能な1024列×256行の描素部(マイクロミラー58)を使用してちょうど2重露光となる角度θidealよりも若干大きい角度を採用するものとする。
この角度θidealは、前記式1〜3を用いて上記(1)の実施形態と同様にして求められる値であり、本実施形態では、上記のとおりs=256、N=2であるので、角度θidealは約0.45度である。したがって、設定傾斜角度θとしては、たとえば0.50度程度の角度を採用するとよい。パターン形成装置10は、調整可能な範囲内で、各露光ヘッド30すなわち各DMD36の取付角度がこの設定傾斜角度θに近い角度となるように、初期調整されているものとする。
As the set tilt angle of each exposure head 30, that is, each DMD 36, in an ideal state where there is no mounting angle error of the exposure head 30, a usable 1024 column × 256 row pixel element (micromirror 58) is provided. It is assumed that an angle slightly larger than the angle θ ideal that is used for exactly double exposure is adopted.
This angle θ ideal is a value obtained in the same manner as the above embodiment (1) using the above equations 1 to 3, and in this embodiment, s = 256 and N = 2 as described above. The angle θ ideal is about 0.45 degrees. Therefore, for example, an angle of about 0.50 degrees may be employed as the set inclination angle θ. It is assumed that the pattern forming apparatus 10 is initially adjusted so that the mounting angle of each exposure head 30, that is, each DMD 36 is close to the set inclination angle θ within an adjustable range.

図16は、上記のように各露光ヘッド30すなわち各DMD36の取付角度が初期調整されたパターン形成装置10において、2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)の取付角度誤差、並びに各露光ヘッド3012と3021間の相対取付角度誤差及び相対位置のずれの影響により、被露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。 FIG. 16 shows a mounting angle error of two exposure heads (for example, exposure heads 30 12 and 30 21 ) in the pattern forming apparatus 10 in which the mounting angles of the exposure heads 30, that is, the DMDs 36 are initially adjusted as described above, the influence of the deviation of the relative mounting angle error and the relative position between the exposure heads 30 12 and 30 21 is an explanatory view showing an example of unevenness that occurs in the pattern on the exposed surface.

図16の例では、図12の例と同様の、X軸方向に関する露光ヘッド3012と3021の相対位置のずれの結果として、一列おきの光点群(画素列群A及びB)による露光パターンの双方で、露光エリア3212と3221の被露光面上の前記露光ヘッドの走査方向と直交する座標軸上で重複する露光領域において、理想的な2重露光の状態よりも露光量過多な領域74が生じ、これが濃度むらを引き起こしている。
さらに、図16の例では、各露光ヘッドの設定傾斜角度θを前記式(1)を満たす角度θidealよりも若干大きくしたことによる結果、及び各露光ヘッドの取付角度の微調整が困難であるために、実際の取付角度が上記の設定傾斜角度θからずれてしまったことの結果として、被露光面上の前記露光ヘッドの走査方向と直交する座標軸上で重複する露光領域以外の領域でも、一列おきの光点群(画素列群A及びB)による露光パターンの双方で、複数の描素部列により形成された、被露光面上の重複露光領域である描素部列間つなぎ領域において、理想的な2重露光の状態よりも露光過多となる領域76が生じ、これがさらなる濃度むらを引き起こしている。
In the example of FIG. 16, exposure by every other light spot group (pixel column groups A and B) as a result of the relative position shift of the exposure heads 30 12 and 30 21 in the X-axis direction is the same as the example of FIG. In both exposure patterns 32 12 and 32 21 , the exposure amount overlaps on the coordinate axis perpendicular to the scanning direction of the exposure head on the exposed surface of the exposure areas 32 12 and 32 21 , which is more than the ideal double exposure state. A region 74 is generated, which causes uneven density.
Further, in the example of FIG. 16, it is difficult to finely adjust the result of setting the tilt angle θ of each exposure head slightly larger than the angle θ ideal satisfying the formula (1) and the mounting angle of each exposure head. Therefore, as a result of the actual mounting angle deviating from the set inclination angle θ, even in regions other than the exposure region overlapping on the coordinate axis perpendicular to the scanning direction of the exposure head on the exposed surface, In the connection region between the pixel part columns, which is an overlapped exposure region on the exposed surface, formed by a plurality of pixel part columns, both in the exposure pattern by every other light spot group (pixel column group A and B). A region 76 that is overexposed than the ideal double exposure state is generated, and this causes further density unevenness.

本実施形態(3)では、まず、各露光ヘッド3012と3021の取付角度誤差及び相対取付角度のずれの影響による濃度むらを軽減するための使用画素選択処理を行う。
具体的には、前記光点位置検出手段としてスリット28及び光検出器の組を用い、露光ヘッド3012と3021のそれぞれについて、実傾斜角度θ´を特定し、該実傾斜角度θ´に基づき、前記描素部選択手段として光検出器に接続された演算装置を用いて、実際の露光に使用するマイクロミラーを選択する処理を行うものとする。
In this embodiment (3), first, the use pixel selection process for reducing the uneven density due to the influence of the deviation of the mounting angle error and relative mounting angle of the exposure heads 30 12 and 30 21.
Specifically, a set of a slit 28 and a photodetector is used as the light spot position detecting means, and an actual inclination angle θ ′ is specified for each of the exposure heads 30 12 and 30 21 , and the actual inclination angle θ ′ is set. Based on this, it is assumed that processing for selecting a micromirror to be used for actual exposure is performed using an arithmetic unit connected to a photodetector as the pixel part selection means.

−実傾斜角度θ´の特定−
実傾斜角度θ´の特定は、露光ヘッド3012ついては露光エリア3212内の光点P(1,1)とP(256,1)の位置を、露光ヘッド3021については露光エリア3221内の光点P(1,1024)とP(256,1024)の位置を、それぞれ上述した実施形態(2)で用いたスリット28と光検出器の組により検出し、それらを結ぶ直線の傾斜角度と、露光ヘッドの走査方向とがなす角度を測定することにより行われる。
-Specification of actual inclination angle θ'-
The actual inclination angle θ ′ is specified with respect to the positions of the light spots P (1, 1) and P (256, 1) in the exposure area 32 12 for the exposure head 30 12 and in the exposure area 32 21 for the exposure head 30 21 . The positions of the light spots P (1,1024) and P (256,1024) are detected by the combination of the slit 28 and the photodetector used in the above-described embodiment (2), and the inclination angle of the straight line connecting them. And the angle formed by the scanning direction of the exposure head.

−不使用描素部の特定−
そのようにして特定された実傾斜角度θ´を用いて、光検出器に接続された演算装置は、上述した実施形態(1)における演算装置と同様、下記式4
ttanθ´=N(式4)
の関係を満たす値tに最も近い自然数Tを、露光ヘッド3012と3021のそれぞれについて導出し、DMD36上の第(T+1)行目から第256行目のマイクロミラーを、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定する処理を行う。
例えば、露光ヘッド3012についてはT=254、露光ヘッド3021についてはT=255が導出されたとすると、図17において斜線で覆われた部分78及び80を構成する光点に対応するマイクロミラーが、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定される。これにより、露光エリア3212と3221のうちヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な2重露光に対して露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積を最小とすることができる。
-Identification of unused pixel parts-
The arithmetic device connected to the photodetector using the actual inclination angle θ ′ thus specified is similar to the following equation 4 similar to the arithmetic device in the embodiment (1) described above.
ttanθ ′ = N (Formula 4)
The natural number T closest to the value t satisfying the above relationship is derived for each of the exposure heads 30 12 and 30 21 , and the micromirrors in the (T + 1) th to 256th rows on the DMD 36 are not used for the main exposure. Processing to identify as a micromirror is performed.
For example, T = 254 for the exposure head 30 12, when T = 255 was derived for the exposure head 3O21, micro mirrors corresponding to light spots constituting the parts 78 and 80 covered with hatched in FIG. 17 These are specified as micromirrors that are not used for the main exposure. As a result, in each of the exposure areas 32 12 and 32 21 other than the head-to-head connection area, the total area of the overexposed area and the underexposed area with respect to the ideal double exposure is minimized. be able to.

ここで、上記の値tに最も近い自然数を導出することに代えて、値t以上の最小の自然数を導出することとしてもよい。その場合、露光エリア3212と3221の、複数の露光ヘッドにより形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な2重露光に対して露光量過多となる面積が最小になり、かつ露光量不足となる面積が生じないようになすことができる。
あるいは、値t以下の最大の自然数を導出することとしてもよい。その場合、露光エリア3212と3221の、複数の露光ヘッドにより形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な2重露光に対して露光不足となる領域の面積が最小になり、かつ露光過多となる領域が生じないようになすことができる。
複数の露光ヘッドにより形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な2重露光に対して、露光過多となる領域の描素単位数(光点数)と、露光不足となる領域の描素単位数(光点数)とが等しくなるように、本露光時に使用しないマイクロミラーを特定することとしてもよい。
Here, instead of deriving the natural number closest to the above value t, the minimum natural number greater than or equal to the value t may be derived. In this case, exposure is performed for ideal double exposure in each of the exposure areas 32 12 and 32 21 other than the head-to-head connection area, which is an overlapping exposure area on the exposed surface formed by a plurality of exposure heads. It is possible to minimize the area where the amount is excessive and to prevent an area where the exposure amount is insufficient.
Or it is good also as deriving the maximum natural number below value t. In this case, exposure is performed for ideal double exposure in each of the exposure areas 32 12 and 32 21 other than the head-to-head connection area, which is an overlapping exposure area on the exposed surface formed by a plurality of exposure heads. It is possible to minimize the area of the insufficient region and prevent the region from being overexposed.
In each area other than the head-to-head connection area, which is an overlapping exposure area on the exposed surface formed by a plurality of exposure heads, the number of pixel units (light It is also possible to identify micromirrors that are not used during the main exposure so that the number of pixel units (the number of light points) in the underexposed region is equal to the number of points.

その後、図17において斜線で覆われた領域78及び80を構成する光点以外の光点に対応するマイクロミラーに関して、図12から15を用いて説明した本実施形態(3)と同様の処理がなされ、図17において斜線で覆われた領域82及び網掛けで覆われた領域84を構成する光点に対応するマイクロミラーが特定され、本露光時に使用しないマイクロミラーとして追加される。
これらの露光時に使用しないものとして特定されたマイクロミラーに対して、前記描素部素制御手段により、常時オフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に露光に関与しない。
Thereafter, with respect to the micromirror corresponding to the light spots other than the light spots constituting the regions 78 and 80 covered by the oblique lines in FIG. 17, the same processing as that of the present embodiment (3) described with reference to FIGS. In FIG. 17, the micromirrors corresponding to the light spots constituting the shaded area 82 and the shaded area 84 are identified and added as micromirrors that are not used during the main exposure.
With respect to the micromirrors that are specified not to be used at the time of exposure, a signal for setting the angle of the always-off state is sent by the pixel element control means, and these micromirrors are substantially exposed. Not involved.

以上のように、パターン形成装置10を用いた本実施形態(3)の使用描素部の指定方法によれば、複数の露光ヘッドのX軸方向に関する相対位置のずれ、並びに各露光ヘッドの取付角度誤差、及び露光ヘッド間の相対取付角度誤差に起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的なN重露光を実現することができる。   As described above, according to the method for designating the used picture element portion of the present embodiment (3) using the pattern forming apparatus 10, the relative position shift in the X-axis direction of the plurality of exposure heads and the attachment of each exposure head Variations in resolution and density unevenness due to angle errors and relative mounting angle errors between exposure heads can be reduced, and ideal N-fold exposure can be realized.

以上、パターン形成装置10による使用描素部指定方法ついて詳細に説明したが、上記実施形態(1)〜(3)は一例に過ぎず、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変更が可能である。   As described above, the method for designating the used pixel portion by the pattern forming apparatus 10 has been described in detail. However, the above-described embodiments (1) to (3) are merely examples, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. It is.

また、上記の実施形態(1)〜(3)では、被露光面上の光点の位置を検出するための手段として、スリット28と単一セル型の光検出器の組を用いたが、これに限られずいかなる形態のものを用いてもよく、たとえば2次元検出器等を用いてもよい。   In the above embodiments (1) to (3), as a means for detecting the position of the light spot on the exposed surface, a set of the slit 28 and the single cell type photodetector is used. The present invention is not limited to this, and any form may be used. For example, a two-dimensional detector may be used.

さらに、上記の実施形態(1)〜(3)では、スリット28と光検出器の組による被露光面上の光点の位置検出結果から実傾斜角度θ´を求め、その実傾斜角度θ´に基づいて使用するマイクロミラーを選択したが、実傾斜角度θ´の導出を介さずに使用可能なマイクロミラーを選択する形態としてもよい。さらには、たとえばすべての使用可能なマイクロミラーを用いた参照露光を行い、参照露光結果の目視による解像度や濃度のむらの確認等により、操作者が使用するマイクロミラーを手動で指定する形態も、本発明の範囲に含まれるものである。   Further, in the above embodiments (1) to (3), the actual inclination angle θ ′ is obtained from the position detection result of the light spot on the exposed surface by the combination of the slit 28 and the photodetector, and the actual inclination angle θ ′ is obtained. The micromirrors to be used are selected based on the above, but a usable micromirror may be selected without the derivation of the actual inclination angle θ ′. Furthermore, for example, the reference exposure using all available micromirrors is performed, and the micromirror used by the operator is manually specified by checking the resolution and density unevenness by visual observation of the reference exposure results. It is included in the scope of the invention.

なお、被露光面上に生じ得るパターン歪みには、上記の例で説明した角度歪みの他にも、種々の形態が存在する。
一例としては、図18Aに示すように、DMD36上の各マイクロミラー58からの光線が、異なる倍率で露光面上の露光エリア32に到達してしまう倍率歪みの形態がある。
また、別の例として、図18Bに示すように、DMD36上の各マイクロミラー58からの光線が、異なるビーム径で被露光面上の露光エリア32に到達してしまうビーム径歪みの形態もある。これらの倍率歪み及びビーム径歪みは、主として、DMD36と被露光面間の光学系の各種収差やアラインメントずれに起因して生じる。
さらに別の例として、DMD36上の各マイクロミラー58からの光線が、異なる光量で被露光面上の露光エリア32に到達してしまう光量歪みの形態もある。この光量歪みは、各種収差やアラインメントずれのほか、DMD36と被露光面間の光学要素(たとえば1枚レンズである図5のレンズ52及び54)の透過率の位置依存性や、DMD36自体による光量むらに起因して生じる。これらの形態のパターン歪みも、被露光面上に形成されるパターンに解像度や濃度のむらを生じさせる。
In addition to the angular distortion described in the above example, there are various forms of pattern distortion that can occur on the exposed surface.
As an example, as shown in FIG. 18A, there is a form of magnification distortion in which light rays from each micromirror 58 on the DMD 36 reach the exposure area 32 on the exposure surface at different magnifications.
As another example, as shown in FIG. 18B, there is a form of beam diameter distortion in which the light from each micromirror 58 on the DMD 36 reaches the exposure area 32 on the exposed surface with a different beam diameter. . These magnification distortion and beam diameter distortion are mainly caused by various aberrations and alignment deviation of the optical system between the DMD 36 and the exposed surface.
As yet another example, there is a form of light amount distortion in which light beams from the micromirrors 58 on the DMD 36 reach the exposure area 32 on the exposed surface with different light amounts. In addition to various aberrations and misalignment, this light amount distortion includes the positional dependency of the transmittance of the optical element between the DMD 36 and the exposed surface (for example, the lenses 52 and 54 in FIG. Caused by unevenness. These forms of pattern distortion also cause unevenness in resolution and density in the pattern formed on the exposed surface.

上記の実施形態(1)〜(3)によれば、本露光に実際に使用するマイクロミラーを選択した後の、これらの形態のパターン歪みの残留要素も、上記の角度歪みの残留要素と同様、多重露光による埋め合わせの効果で均すことができ、解像度や濃度のむらを、各露光ヘッドの露光領域全体にわたって軽減することができる。   According to the above embodiments (1) to (3), the residual elements of pattern distortion in these forms after selecting the micromirrors actually used for the main exposure are the same as the residual elements of angular distortion described above. It is possible to level out by the effect of filling by multiple exposure, and the unevenness of resolution and density can be reduced over the entire exposure area of each exposure head.

<<参照露光>>
上記の実施形態(1)〜(3)の変更例として、使用可能なマイクロミラーのうち、(N−1)列おきのマイクロミラー列、又は全光点行のうち1/N行に相当する隣接する行を構成するマイクロミラー群のみを使用して参照露光を行い、均一な露光を実現できるように、前記参照露光に使用されたマイクロミラー中、実際の露光時に使用しないマイクロミラーを特定することとしてもよい。
前記参照露光手段による参照露光の結果をサンプル出力し、該出力された参照露光結果に対し、解像度のばらつきや濃度のむらを確認し、実傾斜角度を推定するなどの分析を行う。前記参照露光の結果の分析は、操作者の目視による分析であってもよい。
<< Reference exposure >>
As a modified example of the above embodiments (1) to (3), among available micromirrors, it corresponds to (N-1) every micromirror column or 1 / N rows of all light spot rows. A reference exposure is performed using only a group of micromirrors constituting an adjacent row, and among the micromirrors used for the reference exposure, micromirrors that are not used at the time of actual exposure are specified so that uniform exposure can be realized. It is good as well.
The result of the reference exposure by the reference exposure means is output as a sample, and the output reference exposure result is analyzed to confirm resolution variation and density unevenness and to estimate the actual inclination angle. The analysis of the result of the reference exposure may be a visual analysis by an operator.

図19は、単一露光ヘッドを用い、(N−1)列おきのマイクロミラーのみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。
この例では、本露光時は2重露光とするものとし、したがってN=2である。まず、図19Aに実線で示した奇数列の光点列に対応するマイクロミラーのみを使用して参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。前記サンプル出力された参照露光結果に基づき、解像度のばらつきや濃度のむらを確認したり、実傾斜角度を推定したりすることで、本露光時において使用するマイクロミラーを指定することができる。
例えば、図19Bに斜線で覆って示す光点列に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、奇数列の光点列を構成するマイクロミラー中、本露光において実際に使用されるものとして指定される。偶数列の光点列については、別途同様に参照露光を行って、本露光時に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、奇数列の光点列に対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。
このようにして本露光時に使用するマイクロミラーを指定することにより、奇数列及び偶数列双方のマイクロミラーを使用した本露光においては、理想的な2重露光に近い状態が実現できる。
FIG. 19 is an explanatory diagram showing an example of a form in which reference exposure is performed using only a single (N-1) row of micromirrors using a single exposure head.
In this example, it is assumed that double exposure is performed during the main exposure, and therefore N = 2. First, reference exposure is performed using only the micromirrors corresponding to the odd-numbered light spot rows indicated by the solid lines in FIG. 19A, and the reference exposure results are output as samples. Based on the reference exposure result outputted from the sample, it is possible to specify a micromirror to be used in the main exposure by confirming variations in resolution and density unevenness, or estimating an actual inclination angle.
For example, a micromirror other than the micromirror corresponding to the light spot array shown by hatching in FIG. 19B is designated as actually used in the main exposure among the micromirrors constituting the odd light spot array. . For even-numbered light spot arrays, reference exposure may be performed separately in the same manner, and the micromirror used during the main exposure may be designated, or the same pattern as that for the odd-numbered light spot arrays may be applied. Good.
By specifying the micromirrors used in the main exposure as described above, in the main exposure using both the odd-numbered and even-numbered micromirrors, a state close to ideal double exposure can be realized.

図20は、複数の露光ヘッドを用い、(N−1)列おきのマイクロミラーのみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。
この例では、本露光時は2重露光とするものとし、したがってN=2である。まず、図20に実線で示した、X軸方向に関して隣接する2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)の奇数列の光点列に対応するマイクロミラーのみを使用して、参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。前記出力された参照露光結果に基づき、2つの露光ヘッドにより被露光面上に形成されるヘッド間つなぎ領域以外の領域における解像度のばらつきや濃度のむらを確認したり、実傾斜角度を推定したりすることで、本露光時において使用するマイクロミラーを指定することができる。
例えば、図20に斜線で覆って示す領域86及び網掛けで示す領域88内の光点列に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、奇数列の光点を構成するマイクロミラー中、本露光時において実際に使用されるものとして指定される。偶数列の光点列については、別途同様に参照露光を行って、本露光時に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、奇数列目の画素列に対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。
このようにして本露光時に実際に使用するマイクロミラーを指定することにより、奇数列及び偶数列双方のマイクロミラーを使用した本露光においては、2つの露光ヘッドにより被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域以外の領域において、理想的な2重露光に近い状態が実現できる。
FIG. 20 is an explanatory diagram showing an example of a form in which reference exposure is performed using only a plurality of (N-1) rows of micromirrors using a plurality of exposure heads.
In this example, it is assumed that double exposure is performed during the main exposure, and therefore N = 2. First, reference is made using only micromirrors corresponding to odd-numbered light spot rows of two exposure heads adjacent to each other in the X-axis direction (for example, exposure heads 30 12 and 30 21 ) shown by a solid line in FIG. Exposure is performed, and a reference exposure result is output as a sample. Based on the output reference exposure result, the variation in resolution and density unevenness in the area other than the joint area between the heads formed on the exposed surface by the two exposure heads are confirmed, or the actual inclination angle is estimated. Thus, the micromirror to be used at the time of the main exposure can be designated.
For example, the micromirrors other than the micromirrors corresponding to the light spot rows in the area 86 shown by hatching in FIG. 20 and the shaded area 88 are among the micromirrors constituting the odd-numbered light spots during the main exposure. Specified as actually used. For even-numbered light spot arrays, reference exposure may be performed separately in the same manner, and a micromirror used in the main exposure may be designated, or the same pattern as that for the odd-numbered pixel columns may be applied. Good.
In this way, in the main exposure using both the odd-numbered and even-numbered micromirrors by designating the micromirrors that are actually used during the main exposure, the two exposure heads form the surface to be exposed. A state close to ideal double exposure can be realized in a region other than the head-to-head connection region.

図21は、単一露光ヘッドを用い、全光点行数の1/N行に相当する隣接する行を構成するマイクロミラー群のみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。
この例では、本露光時は2重露光とするものとし、したがってN=2である。まず、図21Aに実線で示した1行目から128(=256/2)行目の光点に対応するマイクロミラーのみを使用して参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。前記サンプル出力された参照露光結果に基づき、本露光時において使用するマイクロミラーを指定することができる。
例えば、図21Bに斜線で覆って示す光点群に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、第1行目から第128行目のマイクロミラー中、本露光時において実際に使用されるものとして指定され得る。第129行目から第256行目のマイクロミラーについては、別途同様に参照露光を行って、本露光時に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、第1行目から第128行目のマイクロミラーに対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。
このようにして本露光時に使用するマイクロミラーを指定することにより、全体のマイクロミラーを使用した本露光においては、理想的な2重露光に近い状態が実現できる。
FIG. 21 is an explanatory diagram showing an example of a form in which reference exposure is performed using a single exposure head and using only micromirror groups constituting adjacent rows corresponding to 1 / N rows of the total number of light spots. It is.
In this example, it is assumed that double exposure is performed during the main exposure, and therefore N = 2. First, reference exposure is performed using only micromirrors corresponding to the light spots in the first to 128 (= 256/2) rows indicated by the solid line in FIG. 21A, and the reference exposure results are output as samples. Based on the reference exposure result outputted from the sample, a micromirror to be used in the main exposure can be designated.
For example, a micromirror other than the micromirror corresponding to the light spot group indicated by hatching in FIG. 21B is designated as actually used in the main exposure among the micromirrors in the first to 128th rows. Can be done. For the micromirrors in the 129th to 256th rows, reference exposure may be separately performed in the same manner, and the micromirrors used in the main exposure may be designated, or the micromirrors in the first to 128th rows may be designated. The same pattern as that for the mirror may be applied.
By designating the micromirror to be used at the time of the main exposure in this way, a state close to an ideal double exposure can be realized in the main exposure using the entire micromirror.

図22は、複数の露光ヘッドを用い、X軸方向に関して隣接する2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)について、それぞれ全光点行数の1/N行に相当する隣接する行を構成するマイクロミラー群のみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。
この例では、本露光時は2重露光とするものとし、したがってN=2である。まず、図22に実線で示した第1行目から第128(=256/2)行目の光点に対応するマイクロミラーのみを使用して、参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。前記サンプル出力された参照露光結果に基づき、2つの露光ヘッドにより被露光面上に形成されるヘッド間つなぎ領域以外の領域における解像度のばらつきや濃度のむらを最小限に抑えた本露光が実現できるように、本露光時において使用するマイクロミラーを指定することができる。
例えば、図22に斜線で覆って示す領域90及び網掛けで示す領域92内の光点列に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、第1行目から第128行目のマイクロミラー中、本露光時において実際に使用されるものとして指定される。第129行目から第256行目のマイクロミラーについては、別途同様に参照露光を行って、本露光に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、第1行目から第128行目のマイクロミラーに対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。
このようにして本露光時に使用するマイクロミラーを指定することにより、2つの露光ヘッドにより被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域以外の領域において理想的な2重露光に近い状態が実現できる。
In FIG. 22, a plurality of exposure heads are used, and two adjacent exposure heads (for example, exposure heads 30 12 and 30 21 ) adjacent to each other in the X-axis direction are adjacent to each other corresponding to 1 / N rows of the total number of light spot rows. It is explanatory drawing which showed an example of the form which performs reference exposure using only the micromirror group which comprises a line.
In this example, it is assumed that double exposure is performed during the main exposure, and therefore N = 2. First, reference exposure is performed using only micromirrors corresponding to the light spots in the first to 128th (= 256/2) rows shown by the solid line in FIG. 22, and the reference exposure results are output as samples. . Based on the reference exposure result outputted from the sample, it is possible to realize the main exposure in which the variation in resolution and the density unevenness in the region other than the joint region between the heads formed on the exposed surface by the two exposure heads are minimized. In addition, it is possible to designate a micromirror to be used during the main exposure.
For example, micromirrors other than the micromirrors corresponding to the light spot arrays in the region 90 shown by hatching in FIG. 22 and the region 92 shown by shading are included in the micromirrors in the first to 128th rows. Designated as actually used at the time of exposure. For the micromirrors in the 129th to 256th rows, reference exposure may be separately performed in the same manner, and the micromirrors used for the main exposure may be designated, or the micromirrors in the first to 128th rows may be designated. The same pattern as that for the mirror may be applied.
In this way, by specifying the micromirror to be used during the main exposure, a state close to ideal double exposure is realized in an area other than the inter-head connecting area formed on the exposed surface by two exposure heads. it can.

以上の実施形態(1)〜(3)及び変更例においては、いずれも本露光を2重露光とする場合について説明したが、これに限定されず、2重露光以上のいかなる多重露光としてもよい。特に3重露光から7重露光程度とすることにより、高解像度を確保し、解像度のばらつき及び濃度むらが軽減された露光を実現することができる。   In the above embodiments (1) to (3) and the modified examples, the case where the main exposure is the double exposure has been described. However, the present invention is not limited to this, and any multiple exposure more than the double exposure may be used. . In particular, by setting the exposure to about 3 to 7 exposures, high resolution can be secured, and exposure with reduced variations in resolution and density unevenness can be realized.

また、上記の実施形態及び変更例に係る露光装置には、さらに、画像データが表す2次元パターンの所定部分の寸法が、選択された使用画素により実現できる対応部分の寸法と一致するように、画像データを変換する機構が設けられていることが好ましい。そのように画像データを変換することによって、所望の2次元パターンどおりの高精細なパターンを被露光面上に形成することができる。   Further, in the exposure apparatus according to the embodiment and the modified example, the dimension of the predetermined part of the two-dimensional pattern represented by the image data is matched with the dimension of the corresponding part that can be realized by the selected use pixel. A mechanism for converting image data is preferably provided. By converting the image data in this way, a high-definition pattern according to a desired two-dimensional pattern can be formed on the exposed surface.

[現像工程]
前記現像としては、前記感光層の未露光部分を除去することにより行われる。
前記未硬化領域の除去方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、現像液を用いて除去する方法などが挙げられる。
[Development process]
The development is performed by removing an unexposed portion of the photosensitive layer.
There is no restriction | limiting in particular as the removal method of the said unhardened area | region, According to the objective, it can select suitably, For example, the method etc. which remove using a developing solution are mentioned.

前記現像液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、アルカリ性水溶液、水系現像液、有機溶剤などが挙げられ、これらの中でも、弱アルカリ性の水溶液が好ましい。該弱アルカリ水溶液の塩基成分としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム、硼砂などが挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as said developing solution, Although it can select suitably according to the objective, For example, alkaline aqueous solution, an aqueous developing solution, an organic solvent etc. are mentioned, Among these, weakly alkaline aqueous solution is preferable. Examples of the basic component of the weak alkaline aqueous solution include lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium hydrogen carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate, sodium phosphate, phosphorus Examples include potassium acid, sodium pyrophosphate, potassium pyrophosphate, and borax.

前記弱アルカリ性の水溶液のpHは、例えば、約8〜12が好ましく、約9〜11がより好ましい。前記弱アルカリ性の水溶液としては、例えば、0.1〜5質量%の炭酸ナトリウム水溶液又は炭酸カリウム水溶液などが挙げられる。
前記現像液の温度は、前記感光層の現像性に合わせて適宜選択することができるが、例えば、約25〜40℃が好ましい。
For example, the pH of the weakly alkaline aqueous solution is preferably about 8 to 12, and more preferably about 9 to 11. Examples of the weak alkaline aqueous solution include a 0.1 to 5% by mass aqueous sodium carbonate solution or an aqueous potassium carbonate solution.
The temperature of the developer can be appropriately selected according to the developability of the photosensitive layer, and is preferably about 25 to 40 ° C., for example.

前記現像液は、界面活性剤、消泡剤、有機塩基(例えば、エチレンジアミン、エタノールアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、ジエチレントリアミン、トリエチレンペンタミン、モルホリン、トリエタノールアミン等)や、現像を促進させるため有機溶剤(例えば、アルコール類、ケトン類、エステル類、エーテル類、アミド類、ラクトン類等)などと併用してもよい。また、前記現像液は、水又はアルカリ水溶液と有機溶剤を混合した水系現像液であってもよく、有機溶剤単独であってもよい。   The developer includes a surfactant, an antifoaming agent, an organic base (for example, ethylenediamine, ethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, diethylenetriamine, triethylenepentamine, morpholine, triethanolamine, etc.) and development. Therefore, it may be used in combination with an organic solvent (for example, alcohols, ketones, esters, ethers, amides, lactones, etc.). The developer may be an aqueous developer obtained by mixing water or an aqueous alkali solution and an organic solvent, or may be an organic solvent alone.

[硬化処理工程]
前記硬化処理工程は、前記現像工程が行われた後、形成されたパターンにおける感光層に対して硬化処理を行う工程である。
前記硬化処理工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、全面露光処理、全面加熱処理などが好適に挙げられる。
[Curing process]
The curing treatment step is a step of performing a curing treatment on the photosensitive layer in the formed pattern after the development step is performed.
There is no restriction | limiting in particular as said hardening process, Although it can select suitably according to the objective, For example, a whole surface exposure process, a whole surface heat processing, etc. are mentioned suitably.

前記全面露光処理の方法としては、例えば、前記現像後に、前記永久パターンが形成された前記積層体上の全面を露光する方法が挙げられる。該全面露光により、前記感光層を形成する感光性組成物中の樹脂の硬化が促進され、前記永久パターンの表面が硬化される。
前記全面露光を行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、超高圧水銀灯などのUV露光機が好適に挙げられる。
Examples of the entire surface exposure processing method include a method of exposing the entire surface of the laminate on which the permanent pattern is formed after the development. The entire surface exposure accelerates the curing of the resin in the photosensitive composition forming the photosensitive layer, and the surface of the permanent pattern is cured.
There is no restriction | limiting in particular as an apparatus which performs the said whole surface exposure, Although it can select suitably according to the objective, For example, UV exposure machines, such as an ultrahigh pressure mercury lamp, are mentioned suitably.

前記全面加熱処理の方法としては、前記現像の後に、前記永久パターンが形成された前記積層体上の全面を加熱する方法が挙げられる。該全面加熱により、前記永久パターンの表面の膜強度が高められる。
前記全面加熱における加熱温度は、120〜250℃が好ましく、120〜200℃がより好ましい。該加熱温度が120℃未満であると、加熱処理による膜強度の向上が得られないことがあり、250℃を超えると、前記感光性組成物中の樹脂の分解が生じ、膜質が弱く脆くなることがある。
前記全面加熱における加熱時間は、10〜120分が好ましく、15〜60分がより好ましい。
前記全面加熱を行う装置としては、特に制限はなく、公知の装置の中から、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ドライオーブン、ホットプレート、IRヒーターなどが挙げられる。
Examples of the entire surface heat treatment method include a method of heating the entire surface of the laminate on which the permanent pattern is formed after the development. By heating the entire surface, the film strength of the surface of the permanent pattern is increased.
120-250 degreeC is preferable and the heating temperature in the said whole surface heating has more preferable 120-200 degreeC. When the heating temperature is less than 120 ° C., the film strength may not be improved by heat treatment. When the heating temperature exceeds 250 ° C., the resin in the photosensitive composition is decomposed, and the film quality is weak and brittle. Sometimes.
The heating time in the entire surface heating is preferably 10 to 120 minutes, and more preferably 15 to 60 minutes.
There is no restriction | limiting in particular as an apparatus which performs the said whole surface heating, According to the objective, it can select suitably from well-known apparatuses, For example, a dry oven, a hot plate, IR heater etc. are mentioned.

−保護膜、層間絶縁膜、ソルダーレジスト永久パターン形成方法−
前記パターンの形成方法が、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンの少なくともいずれかを形成する永久パターン形成方法である場合には、プリント基板上に前記永久パターン形成方法により、永久パターンを形成し、更に、以下のように半田付けを行うことができる。
即ち、前記現像により、前記永久パターンである硬化層が形成され、前記プリント配線板の表面に金属層が露出される。該プリント配線板の表面に露出した金属層の部位に対して金メッキを行った後、半田付けを行う。そして、半田付けを行った部位に、半導体や部品などを実装する。このとき、前記硬化層による永久パターンが、保護膜あるいは絶縁膜(層間絶縁膜)、ソルダーレジストとしての機能を発揮し、外部からの衝撃や隣同士の電極の導通が防止される。
-Method for forming protective film, interlayer insulating film, solder resist permanent pattern-
When the pattern forming method is a permanent pattern forming method for forming at least one of a protective film, an interlayer insulating film, and a solder resist pattern, the permanent pattern is formed on the printed circuit board by the permanent pattern forming method. Furthermore, soldering can be performed as follows.
That is, by the development, a hardened layer that is the permanent pattern is formed, and the metal layer is exposed on the surface of the printed wiring board. Gold plating is performed on the portion of the metal layer exposed on the surface of the printed wiring board, and then soldering is performed. Then, a semiconductor or a component is mounted on the soldered portion. At this time, the permanent pattern of the hardened layer functions as a protective film, an insulating film (interlayer insulating film), or a solder resist, and prevents external impact and conduction between adjacent electrodes.

前記パターン形成装置及び永久パターン形成方法においては、前記永久パターン形成方法により形成される永久パターンが、前記保護膜又は前記層間絶縁膜であると、配線を外部からの衝撃や曲げから保護することができ、特に、前記層間絶縁膜である場合には、例えば、多層配線基板やビルドアップ配線基板などへの半導体や部品の高密度実装に有用である。   In the pattern forming apparatus and the permanent pattern forming method, when the permanent pattern formed by the permanent pattern forming method is the protective film or the interlayer insulating film, the wiring can be protected from external impact or bending. In particular, the interlayer insulating film is useful for high-density mounting of semiconductors and components on, for example, a multilayer wiring board or a build-up wiring board.

本発明の前記永久パターン形成方法は、本発明の前記感光性積層体を用いるため、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターン等の永久パターン、などの各種パターン形成用、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁等の液晶構造部材の製造、ホログラム、マイクロマシン、プルーフなどの製造に好適に使用することができ、特に、プリント基板の永久パターン形成に好適に使用することができる。   Since the method for forming a permanent pattern of the present invention uses the photosensitive laminate of the present invention, it is used for forming various patterns such as a protective film, an interlayer insulating film, and a permanent pattern such as a solder resist pattern, a color filter, and a pillar material. It can be suitably used for the production of liquid crystal structural members such as rib members, spacers, partition walls, etc., and the production of holograms, micromachines, proofs, etc., and in particular, it can be suitably used for the formation of permanent patterns on printed boards.

以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

(合成例1)
−重合性基を有する樹状分岐化合物1(例示化合物(M−1))の合成−
コンデンサー及び攪拌機を取り付けた三口フラスコに、ペンタエリスリトール13.6質量部、2,2−ビスヒドロキシメチルプロピオン酸163質量部、及びp−トルエンスルホン酸0.5質量部を加えて窒素をフローしながら145℃のオイルバス中で2時間反応させて均一系溶液とした。その後、減圧下(50mmHg以下)、145℃で更に2時間反応させて、M−1の前駆体である下記化合物(K−1)を得た。この化合物の同定はNMR及びIRにて行った。
(Synthesis Example 1)
-Synthesis of Dendritic Branched Compound 1 Having Polymerizable Group (Exemplary Compound (M-1))-
While adding 13.6 parts by mass of pentaerythritol, 163 parts by mass of 2,2-bishydroxymethylpropionic acid, and 0.5 parts by mass of p-toluenesulfonic acid to a three-necked flask equipped with a condenser and a stirrer, flowing nitrogen The mixture was reacted in an oil bath at 145 ° C. for 2 hours to obtain a homogeneous solution. Then, it was made to react at 145 degreeC under pressure reduction (50 mmHg or less) for 2 hours, and the following compound (K-1) which is a precursor of M-1 was obtained. This compound was identified by NMR and IR.

その後、得られた前記化合物(K−1)に、トルエン20質量部、メタクリル酸112質量部、安定剤としてフェノチアジン0.03質量部、及びハイドロキノン0.07質量部を追加添加し、130℃で3時間、トルエンを還溜しつつ、発生する水を共沸により系外に溜去して重合性基を有する樹状分岐化合物1(例示化合物(M−1)、以下「樹状分岐化合物1」と称す。)を得た。   Thereafter, 20 parts by mass of toluene, 112 parts by mass of methacrylic acid, 0.03 parts by mass of phenothiazine and 0.07 parts by mass of hydroquinone as stabilizers were added to the obtained compound (K-1) at 130 ° C. While the toluene is returned for 3 hours, the generated water is distilled out of the system by azeotropic distillation to form a dendritic compound 1 having a polymerizable group (exemplary compound (M-1), hereinafter “dendritic branched compound 1”). ").

(合成例2)
−重合性基を有する樹状分岐化合物2の合成−
合成例1と同様にして得られた前記化合物(K−1)に、トルエン20質量部、アクリル酸80質量部、安定剤としてフェノチアジン0.03質量部、ハイドロキノン0.07質量部を追加添加した以外は、合成例1と同様にして重合性基を有する樹状分岐化合物2(例示化合物M−3においてORの一部がヒドロキシ基のもの、以下「樹状分岐化合物2」と称す。)を得た。
(Synthesis Example 2)
-Synthesis of dendritic compound 2 having a polymerizable group-
To the compound (K-1) obtained in the same manner as in Synthesis Example 1, 20 parts by mass of toluene, 80 parts by mass of acrylic acid, 0.03 parts by mass of phenothiazine and 0.07 parts by mass of hydroquinone were added as stabilizers. Except for the above, a dendritic compound 2 having a polymerizable group in the same manner as in Synthesis Example 1 (in the exemplified compound M-3, a part of OR is a hydroxy group, hereinafter referred to as “dendritic compound 2”). Obtained.

(合成例3)
−重合性基を有する樹状分岐化合物3の合成−
コンデンサー、温度計、及び攪拌棒をとりつけた三口フラスコに、ペンタエリスリトール13.6質量部、2,2−ジメチロールブタン酸222質量部、及び触媒としてパラトルエンスルホン酸2質量部を仕込み、100℃下に攪拌し、均一な液状混合溶融物とした。次いで、トルエン20質量部を注入後140℃に昇温し、トルエンを還留しつつ発生する水を共沸により系外に留去した。同条件で5時間継続後反応を終了し、樹状分岐化合物を得た。
その後、前記三口フラスコにアクリル酸85質量部、安定剤としてフェノチアジン0.03質量部、及びハイドロキノン0.07質量部を追加添加し、合成例1と同様にして重合性基を有する樹状分岐化合物3(以下「樹状分岐化合物3」と称す。)を得た。
(Synthesis Example 3)
-Synthesis of dendritic compound 3 having a polymerizable group-
A three-necked flask equipped with a condenser, a thermometer, and a stirring rod was charged with 13.6 parts by mass of pentaerythritol, 222 parts by mass of 2,2-dimethylolbutanoic acid, and 2 parts by mass of paratoluenesulfonic acid as a catalyst, and 100 ° C. The mixture was stirred downward to obtain a uniform liquid mixed melt. Subsequently, 20 parts by mass of toluene was injected, the temperature was raised to 140 ° C., and water generated while the toluene was distilled off was distilled out of the system by azeotropic distillation. The reaction was terminated after 5 hours under the same conditions to obtain a dendritic compound.
Thereafter, 85 parts by mass of acrylic acid, 0.03 parts by mass of phenothiazine and 0.07 parts by mass of hydroquinone as stabilizers were additionally added to the three-necked flask, and a dendritic compound having a polymerizable group in the same manner as in Synthesis Example 1. 3 (hereinafter referred to as “dendritic branched compound 3”) was obtained.

(合成例4)
−バインダー1の合成−
1,000mL三口フラスコに1−メトキシ−2−プロパノール159gを入れ、窒素気流下、85℃まで加熱した。これに、ベンジルメタクリレート63.4g、メタクリル酸72.3g、V−601(和光純薬(株)製)4.15gの1−メトキシ−2−プロパノール159g溶液を、2時間かけて滴下した。滴下終了後、更に5時間加熱して反応させた。次いで、加熱を止め、ベンジルメタクリレート/メタクリル酸(30/70mol%比)の共重合体を得た。
次に、前記共重合体溶液の内、120.0gを300mL三口フラスコに移し、グリシジルメタクリレート16.6g、p−メトキシフェノール0.16gを加え、撹拌し溶解させた。溶解後、トリフェニルホスフィン2.4gを加え、100℃に加熱し、付加反応を行った。グリシジルメタクリレートが消失したことを、ガスクロマトグラフィーで確認し、加熱を止めた。1−メトキシ−2−プロパノールを加え、固形分30質量%の下記構造式で表されるバインダー1の溶液を調製した。
得られたバインダー1の質量平均分子量(Mw)を、ポリスチレンを標準物質としたゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(GPC)により測定した結果、15,000であった。
また、水酸化ナトリウムを用いた滴定から、固形分あたりの酸価は、2.2meq/gであった。
更に、ヨウ素価滴定により求めた固形分あたりのエチレン性不飽和結合の含有量(C=C価)は、2.1meq/gであった。
*1は下記構造式(a)で表される構造、及び下記構造式(b)で表される構造の混合を表す。
(Synthesis Example 4)
-Synthesis of binder 1-
In a 1,000 mL three-necked flask, 159 g of 1-methoxy-2-propanol was placed and heated to 85 ° C. under a nitrogen stream. To this, 63.4 g of benzyl methacrylate, 72.3 g of methacrylic acid, and 4.15 g of 1-methoxy-2-propanol 159 g solution of V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added dropwise over 2 hours. After completion of the dropwise addition, the reaction was further continued by heating for 5 hours. Subsequently, the heating was stopped to obtain a copolymer of benzyl methacrylate / methacrylic acid (ratio of 30/70 mol%).
Next, 120.0 g of the copolymer solution was transferred to a 300 mL three-necked flask, and 16.6 g of glycidyl methacrylate and 0.16 g of p-methoxyphenol were added and stirred to dissolve. After dissolution, 2.4 g of triphenylphosphine was added and heated to 100 ° C. to carry out an addition reaction. The disappearance of glycidyl methacrylate was confirmed by gas chromatography, and heating was stopped. 1-methoxy-2-propanol was added to prepare a binder 1 solution represented by the following structural formula having a solid content of 30% by mass.
It was 15,000 as a result of measuring the mass mean molecular weight (Mw) of the obtained binder 1 by the gel permeation chromatography method (GPC) which used the polystyrene as a reference material.
Moreover, the acid value per solid content was 2.2 meq / g from the titration using sodium hydroxide.
Furthermore, the content of ethylenically unsaturated bonds per solid (C = C value) determined by iodine value titration was 2.1 meq / g.
* 1 represents a mixture of a structure represented by the following structural formula (a) and a structure represented by the following structural formula (b).

(合成例5)
−バインダー2の合成−
1,000mL三口フラスコに、1−メトキシ−2−プロパノール159gを入れ、窒素気流下、85℃まで加熱した。これに、メチルメタクリレート36g、メタクリル酸72.3g、V−601(和光純薬(株)製)4.15gの1−メトキシ−2−プロパノール159g溶液を、2時間かけて滴下した。滴下終了後、更に5時間加熱して反応させた。次いで、加熱を止め、メチルメタクリレート/メタクリル酸(30/70mol%比)の共重合体を得た。
次に、前記共重合体溶液の内、120.0gを300mL三口フラスコに移し、グリシジルメタクリレート16.6g、p−メトキシフェノール0.16gを加え、撹拌し溶解させた。溶解後、トリフェニルホスフィン2.4gを加え、100℃に加熱し、付加反応を行った。グリシジルメタクリレートが消失したことを、ガスクロマトグラフィーで確認し、加熱を止めた。1−メトキシ−2−プロパノールを加え、固形分30質量%の下記構造式で表されるバインダー2の溶液を調製した。
得られたバインダー2の質量平均分子量(Mw)を、ポリスチレンを標準物質としたゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(GPC)により測定した結果、15,000であった。
また、水酸化ナトリウムを用いた滴定から、固形分あたりの酸価は、2.3meq/gであった。
更に、ヨウ素価滴定により求めた固形分あたりのエチレン性不飽和結合の含有量(C=C価)は、2.6meq/gであった。
(Synthesis Example 5)
-Synthesis of binder 2-
In a 1,000 mL three-necked flask, 159 g of 1-methoxy-2-propanol was added and heated to 85 ° C. under a nitrogen stream. To this, 36 g of methyl methacrylate, 72.3 g of methacrylic acid, and 4.15 g of 1-methoxy-2-propanol 159 g of V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were added dropwise over 2 hours. After completion of the dropwise addition, the reaction was further continued by heating for 5 hours. Subsequently, the heating was stopped to obtain a copolymer of methyl methacrylate / methacrylic acid (ratio of 30/70 mol%).
Next, 120.0 g of the copolymer solution was transferred to a 300 mL three-necked flask, and 16.6 g of glycidyl methacrylate and 0.16 g of p-methoxyphenol were added and stirred to dissolve. After dissolution, 2.4 g of triphenylphosphine was added and heated to 100 ° C. to carry out an addition reaction. The disappearance of glycidyl methacrylate was confirmed by gas chromatography, and heating was stopped. 1-Methoxy-2-propanol was added to prepare a binder 2 solution represented by the following structural formula having a solid content of 30% by mass.
It was 15,000 as a result of measuring the mass mean molecular weight (Mw) of the obtained binder 2 by the gel permeation chromatography method (GPC) which used the polystyrene as a reference material.
Moreover, the acid value per solid content was 2.3 meq / g from the titration using sodium hydroxide.
Furthermore, the content (C = C value) of ethylenically unsaturated bonds per solid content determined by iodine value titration was 2.6 meq / g.

(合成例6)
−バインダー3の合成−
フェノールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成社製、YDPN−702)110質量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート150質量部に加熱しながら溶解し、次いでアクリル酸34質量部及びベンジルジメチルアミン0.8質量部を加え、100〜120℃で8時間反応を続けた後、テトラヒドロ無水フタル酸35質量部を加え、100℃で8時間反応させて酸価70mgKOH/gのエポキシアクリレート化合物を得た。
(Synthesis Example 6)
-Synthesis of binder 3-
110 parts by mass of phenol novolac type epoxy resin (manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., YDPN-702) was dissolved in 150 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate, and then 34 parts by mass of acrylic acid and 0.8 parts by mass of benzyldimethylamine were dissolved. In addition, after continuing the reaction at 100 to 120 ° C. for 8 hours, 35 parts by mass of tetrahydrophthalic anhydride was added and reacted at 100 ° C. for 8 hours to obtain an epoxy acrylate compound having an acid value of 70 mgKOH / g.

(実施例1)
−感光性組成物の調製−
各成分を下記の量で配合して、感光性組成物溶液を調製した。
〔感光性組成物溶液の各成分量〕
・合成例4で得られたバインダー1(前記1−メトキシ−2−プロパノール溶液中に固形分質量30質量%)・・・87.4質量部
・合成例1で得られた樹状分岐化合物1・・・12質量部
・下記式I−1で表される光重合開始剤(オキシム誘導体)・・・6質量部
・下記式S−1で表される増感剤(チオキサントン系化合物)・・・0.6質量部
・フッ素系界面活性剤(メガファックF−176,大日本インキ化学工業(株)製、30質量%2−ブタノン溶液)・・・0.2質量部
・硫酸バリウム分散液(堺化学工業(株)製、B−30)・・・40質量部
・メチルエチルケトン・・・15質量部
なお、前記硫酸バリウム分散液は、硫酸バリウム(堺化学工業(株)製、B30)30質量部、バインダー1(前記1−メトキシ−2−プロパノール溶液中に固形分質量30質量%)溶液29.2質量部、C.I.ピグメント・ブルー15:3 0.2質量部、C.I.ピグメント・イエロー185 0.05質量部、及びメチルエチルケトン40.55質量部を予め混合した後、モーターミルM−200(アイガー社製)で、直径1.0mmのジルコニアビーズを用い、周速9m/sにて3.5時間分散して調製した。
Example 1
-Preparation of photosensitive composition-
Each component was mix | blended with the following quantity, and the photosensitive composition solution was prepared.
[Each component amount of photosensitive composition solution]
-Binder 1 obtained in Synthesis Example 4 (solid content 30% by mass in the 1-methoxy-2-propanol solution) ... 87.4 parts by mass-Dendritic branched compound 1 obtained in Synthesis Example 1 ... 12 parts by mass-Photopolymerization initiator (oxime derivative) represented by the following formula I-1 ... 6 parts by mass-Sensitizer (thioxanthone compound) represented by the following formula S-1 0.6 parts by mass Fluorosurfactant (Megafac F-176, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc., 30% by weight 2-butanone solution) 0.2 parts by mass Barium sulfate dispersion (Manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., B-30) ... 40 parts by mass / methyl ethyl ketone ... 15 parts by mass The barium sulfate dispersion is barium sulfate (manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., B30) 30. Parts by mass, binder 1 (said 1-methoxy-2-propylene 29.2 parts by weight of a solution of C.N. I. Pigment Blue 15: 3 0.2 parts by mass, C.I. I. After mixing 0.05 parts by mass of Pigment Yellow 185 and 40.55 parts by mass of methyl ethyl ketone in advance, a motor mill M-200 (manufactured by Eiger) was used to use zirconia beads having a diameter of 1.0 mm and a peripheral speed of 9 m / s. For 3.5 hours.

−感光性積層体の調製−
次に、前記基体として、プリント基板、すなわち配線形成済みの銅張積層板(スルーホールなし、銅厚み12μm)の表面に化学研磨処理を施して調製した。該銅張積層板上に、前記感光性組成物をスクリーン印刷法により、120メッシュのテトロンスクリーンを用いて、乾燥後厚みが30μmとなるように塗布し、80℃で15分間熱風循環式乾燥機で乾燥させて感光層を形成し、前記銅張積層板と、前記感光層とがこの順に積層された感光性積層体を調製した。
-Preparation of photosensitive laminate-
Next, the substrate was prepared by subjecting the surface of a printed board, that is, a copper-clad laminate (without through holes, copper thickness: 12 μm) on which a wiring had been formed, to a chemical polishing treatment. On the copper-clad laminate, the photosensitive composition was applied by a screen printing method using a 120 mesh Tetron screen so that the thickness after drying was 30 μm, and a hot air circulating dryer at 80 ° C. for 15 minutes. Was dried to form a photosensitive layer, and a photosensitive laminate in which the copper-clad laminate and the photosensitive layer were laminated in this order was prepared.

前記感光性積層体について、最短現像時間、感度、解像度、鉛筆硬度、及び折り曲げ時のクラック性の評価を、それぞれ以下の方法により行った。最短現像時間以外の結果を表2に示す。   About the said photosensitive laminated body, evaluation of the shortest image development time, a sensitivity, the resolution, pencil hardness, and the crack property at the time of bending was performed with the following method, respectively. The results other than the shortest development time are shown in Table 2.

<最短現像時間の評価>
前記銅張積層板上の前記感光層の全面に30℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液を0.15MPaの圧力にてスプレーし、炭酸ナトリウム水溶液のスプレー開始から銅張積層板上の感光層が溶解除去されるまでに要した時間を測定し、これを最短現像時間とした。なお、最短現像時間は14秒であった。
<Evaluation of the shortest development time>
A 1 mass% sodium carbonate aqueous solution at 30 ° C. is sprayed on the entire surface of the photosensitive layer on the copper clad laminate at a pressure of 0.15 MPa, and the photosensitive layer on the copper clad laminate is dissolved from the start of spraying of the sodium carbonate aqueous solution. The time required for removal was measured and this was taken as the shortest development time. The shortest development time was 14 seconds.

<感度の評価>
前記調製した感光性積層体における感光層に対し、以下に説明するパターン形成装置を用いて、0.1mJ/cmから21/2倍間隔で100mJ/cmまでの光エネルギー量の異なる光を照射して2重露光し、前記感光層の一部の領域を硬化させた。室温にて10分間静置した後、銅張積層板上の感光層の全面に、30℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液をスプレー圧0.15MPaにて前記最短現像時間の2倍の時間スプレーし、未硬化の領域を溶解除去して、残った硬化領域の厚みを測定した。次いで、光の照射量と、硬化層の厚さとの関係をプロットして感度曲線を得た。該感度曲線から、硬化領域の厚みが露光前の感光層と同じ30μmとなった時の光エネルギー量を、感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量とした。
<Evaluation of sensitivity>
The photosensitive layer in the photosensitive laminate prepared above by using a pattern forming apparatus described below, the light energy different light from 0.1 mJ / cm 2 to 100 mJ / cm 2 at 2 1/2 times the interval Were exposed twice to cure a part of the photosensitive layer. After standing at room temperature for 10 minutes, a 1 mass% sodium carbonate aqueous solution at 30 ° C. is sprayed over the entire surface of the photosensitive layer on the copper clad laminate at a spray pressure of 0.15 MPa for twice the shortest development time. The uncured area was dissolved and removed, and the thickness of the remaining cured area was measured. Subsequently, the relationship between the light irradiation amount and the thickness of the cured layer was plotted to obtain a sensitivity curve. From the sensitivity curve, the amount of light energy when the thickness of the cured region was the same 30 μm as that of the photosensitive layer before exposure was determined as the amount of light energy necessary for curing the photosensitive layer.

<<パターン形成装置>>
前記光照射手段として特開2005−258431号公報に記載の合波レーザ光源と、前記光変調手段として図6に概略図を示した主走査方向にマイクロミラー58が1024個配列されたマイクロミラー列が、副走査方向に768組配列された内、1024個×256列のみを駆動するように制御したDMD36と、図5A及び図5Bに示した光を前記感光性フィルムに結像する光学系とを有する露光ヘッド30を備えたパターン形成装置10を用いた。
<< Pattern Forming Apparatus >>
A combined laser light source described in JP-A-2005-258431 as the light irradiating means, and a micromirror array in which 1024 micromirrors 58 are arranged in the main scanning direction schematically shown in FIG. 6 as the light modulating means. However, among the 768 sets arranged in the sub-scanning direction, DMD 36 controlled to drive only 1024 × 256 rows, and an optical system for imaging the light shown in FIGS. 5A and 5B on the photosensitive film, The pattern forming apparatus 10 including the exposure head 30 having the above is used.

各露光ヘッド30すなわち各DMD36の設定傾斜角度としては、使用可能な1024列×256行のマイクロミラー58を使用してちょうど2重露光となる角度θidealよりも若干大きい角度を採用した。この角度θidealは、N重露光の数N、使用可能なマイクロミラー58の列方向の個数s、使用可能なマイクロミラー58の列方向の間隔p、及び露光ヘッド30を傾斜させた状態においてマイクロミラーによって形成される走査線のピッチδに対し、下記式1、
spsinθideal≧Nδ(式1)
により与えられる。本実施形態におけるDMD36は、上記のとおり、縦横の配置間隔が等しい多数のマイクロミラー58が矩形格子状に配されたものであるので、
pcosθideal=δ(式2)
であり、上記式1は、
stanθideal=N(式3)
であり、s=256、N=2であるので、角度θidealは約0.45度である。したがって、設定傾斜角度θとしては、たとえば0.50度を採用した。
As the set inclination angle of each exposure head 30, that is, each DMD 36, an angle slightly larger than the angle θ ideal at which double exposure is performed using a usable 1024 columns × 256 rows micromirror 58 is adopted. This angle θ ideal corresponds to the number N of N double exposures, the number s of usable micromirrors 58 in the column direction, the interval p in the column direction of the usable micromirrors 58, and the microscopic state when the exposure head 30 is tilted. For the pitch δ of the scanning line formed by the mirror,
spsin θ ideal ≧ Nδ (Formula 1)
Given by. As described above, the DMD 36 according to the present embodiment includes a large number of micromirrors 58 having equal vertical and horizontal arrangement intervals arranged in a rectangular lattice shape.
pcos θ ideal = δ (Formula 2)
And the above equation 1 is
stanθ ideal = N (Formula 3)
Since s = 256 and N = 2, the angle θ ideal is about 0.45 degrees. Therefore, for example, 0.50 degrees is adopted as the set inclination angle θ.

まず、2重露光における解像度のばらつきと露光むらを補正するため、被露光面の露光パターンの状態を調べた。結果を図18に示した。図18においては、ステージ14を静止させた状態で感光性フィルム12の被露光面上に投影される、露光ヘッド3012と3021が有するDMD36の使用可能なマイクロミラー58からの光点群のパターンを示した。また、下段部分に、上段部分に示したような光点群のパターンが現れている状態でステージ14を移動させて連続露光を行った際に、被露光面上に形成される露光パターンの状態を、露光エリア3212と3221について示した。なお、図18では、説明の便宜のため、使用可能なマイクロミラー58の1列おきの露光パターンを、画素列群Aによる露光パターンと画素列群Bによる露光パターンとに分けて示したが、実際の被露光面上における露光パターンは、これら2つの露光パターンを重ね合わせたものである。 First, the state of the exposure pattern on the exposed surface was examined in order to correct the variation in resolution and uneven exposure in double exposure. The results are shown in FIG. In FIG. 18, the light spot group from the usable micromirror 58 of the DMD 36 of the exposure heads 30 12 and 30 21 projected onto the exposed surface of the photosensitive film 12 with the stage 14 being stationary. Showed the pattern. The state of the exposure pattern formed on the exposed surface when the stage 14 is moved and the continuous exposure is performed with the light spot group pattern as shown in the upper part appearing in the lower part. Are shown for exposure areas 32 12 and 32 21 . In FIG. 18, for convenience of explanation, every other exposure pattern of the micromirrors 58 that can be used is divided into an exposure pattern based on the pixel column group A and an exposure pattern based on the pixel column group B. The actual exposure pattern on the exposed surface is a superposition of these two exposure patterns.

図18に示したとおり、露光ヘッド3012と3021の間の相対位置の、理想的な状態からのずれの結果として、画素列群Aによる露光パターンと画素列群Bによる露光パターンとの双方で、露光エリア3212と3221の前記露光ヘッドの走査方向と直交する座標軸上で重複する露光領域において、理想的な2重露光の状態よりも露光過多な領域が生じていることが判る。 As shown in FIG. 18, as a result of the deviation of the relative position between the exposure heads 30 12 and 30 21 from the ideal state, both the exposure pattern by the pixel column group A and the exposure pattern by the pixel column group B are both. Thus, it can be seen that, in the exposure areas overlapping on the coordinate axes orthogonal to the scanning direction of the exposure head in the exposure areas 32 12 and 32 21 , an overexposed area is generated as compared with the ideal double exposure state.

前記光点位置検出手段としてスリット28及び光検出器の組を用い、露光ヘッド3012ついては露光エリア3212内の光点P(1,1)とP(256,1)の位置を、露光ヘッド3021については露光エリア3221内の光点P(1,1024)とP(256,1024)の位置を検出し、それらを結ぶ直線の傾斜角度と、露光ヘッドの走査方向とがなす角度を測定した。 The use of a set of slits 28 and a photodetector as a light spot position detection means, the position of the point P of the exposure head 30 12 For the exposure area 32 12 (1,1) and P (256,1), the exposure head For 30 21 , the positions of the light spots P (1,1024) and P (256, 1024) in the exposure area 32 21 are detected, and the angle formed by the inclination angle of the straight line connecting them and the scanning direction of the exposure head is determined. It was measured.

実傾斜角度θ´を用いて、下記式4
ttanθ´=N(式4)
の関係を満たす値tに最も近い自然数Tを、露光ヘッド3012と3021のそれぞれについて導出した。露光ヘッド3012についてはT=254、露光ヘッド3021についてはT=255がそれぞれ導出された。その結果、図19において斜線で覆われた部分78及び80を構成するマイクロミラーが、本露光時に使用しないマイクロミラーとして特定された。
Using the actual inclination angle θ ′, the following equation 4
t tan θ ′ = N (Formula 4)
The natural number T closest to the value t satisfying the relationship is derived for each of the exposure heads 30 12 and 30 21 . T = 254 for the exposure head 30 12, the exposure head 30 21 T = 255 was derived respectively. As a result, the micromirrors constituting the portions 78 and 80 covered with diagonal lines in FIG. 19 were identified as micromirrors that are not used during the main exposure.

その後、図19において斜線で覆われた領域78及び80を構成する光点以外の光点に対応するマイクロミラーに関して、同様にして図19において斜線で覆われた領域82及び網掛けで覆われた領域84を構成する光点に対応するマイクロミラーが特定され、本露光時に使用しないマイクロミラーとして追加された。
これらの露光時に使用しないものとして特定されたマイクロミラーに対して、前記描素部素制御手段により、常時オフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に露光に関与しないように制御した。
これにより、露光エリア3212と3221のうち、複数の前記露光ヘッドで形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な2重露光に対して露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積を最小とすることができる。
Thereafter, the micromirrors corresponding to the light spots other than the light spots constituting the regions 78 and 80 covered by the oblique lines in FIG. 19 were similarly covered by the shaded areas 82 and the shaded areas in FIG. Micromirrors corresponding to the light spots constituting the region 84 were identified and added as micromirrors that are not used during the main exposure.
With respect to the micromirrors that are specified not to be used at the time of exposure, a signal for setting the angle of the always-off state is sent by the pixel element control means, and these micromirrors are substantially exposed. It was controlled not to be involved.
As a result, in each of the exposure areas 32 12 and 32 21 , an ideal double exposure is performed in each area other than the inter-head connection area, which is an overlapping exposure area on the exposed surface formed by the plurality of exposure heads. Thus, the total area of the overexposed region and the underexposed region can be minimized.

<解像度の評価>
前記最短現像時間の評価方法と同じ方法及び条件で前記感光性積層体を作製し、室温(23℃、55%RH)にて10分間静置した。得られた感光性積層体の感光層上から、前記パターン形成装置を用いて、ライン/スペース=1/1でライン幅10〜100μmまで1μm刻みで各線幅の露光を行う。この際の露光量は、前記感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量である。室温にて10分間静置した後、銅張積層板上の感光層の全面に30℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液をスプレー圧0.15MPaにて前記最短現像時間の2倍の時間スプレーし、未硬化領域を溶解除去する。この様にして得られた硬化樹脂パターン付き銅張積層板の表面を光学顕微鏡で観察し、硬化樹脂パターンのラインにツマリ、ヨレ等の異常が無く、かつスペース形成可能な最小のライン幅を測定し、これを解像度とした。該解像度は数値が小さいほど良好である。
<Evaluation of resolution>
The photosensitive laminate was prepared under the same method and conditions as the evaluation method for the shortest development time and allowed to stand at room temperature (23 ° C., 55% RH) for 10 minutes. From the photosensitive layer of the obtained photosensitive laminate, exposure of each line width is performed in increments of 1 μm from line / space = 1/1 to a line width of 10 to 100 μm using the pattern forming apparatus. The exposure amount at this time is the amount of light energy necessary for curing the photosensitive layer. After standing at room temperature for 10 minutes, the photosensitive layer on the copper-clad laminate was sprayed with a 1% by weight aqueous sodium carbonate solution at 30 ° C. at a spray pressure of 0.15 MPa for twice the shortest development time, Dissolve and remove uncured areas. The surface of the copper-clad laminate with a cured resin pattern obtained in this way is observed with an optical microscope, and the cured resin pattern line is free of irregularities such as lumps and twists, and the minimum line width that allows space formation is measured. This is the resolution. The smaller the numerical value, the better the resolution.

<鉛筆硬度の評価>
前記感光性積層体について、前記レーザ露光による5cm×5cm範囲の全面露光、及び現像後、超高圧水銀灯により100mJ/cmで全面露光(ポスト露光)を行い、かつ150℃60分の加熱処理(ポストベーク処理)を行った。該パターンに関して、JIS K−5400に基づいて、鉛筆硬度を測定した。
<Evaluation of pencil hardness>
About the said photosensitive laminated body, the whole surface exposure of the 5 cm x 5 cm range by the said laser exposure, after image development, the whole surface exposure (post-exposure) is carried out at 100 mJ / cm < 2 > with an ultrahigh pressure mercury lamp, and the heat processing (150 degreeC for 60 minutes ( Post bake treatment) was performed. With respect to the pattern, pencil hardness was measured based on JIS K-5400.

<折り曲げ時のクラック性の評価>
前記感光性積層体について、前記レーザ露光による5cm×5cm範囲の全面露光を行ない、現像後、超高圧水銀灯により100mJ/cmで全面露光(ポスト露光)を行ない、更に150℃60分の加熱処理(ポストベーク処理)を行った。得られたパターンに関して、90度に折り曲げた時の感光層におけるクラックの有無を観察し、下記基準で評価を行なった。
〔評価基準〕
○:折り曲げ時に感光層のクラックなし。
△:折り曲げ時に感光層のクラックが少し入る。
×:折り曲げ時に感光層のクラックが大きく入る。
<Evaluation of cracking properties during bending>
About the said photosensitive laminated body, the whole surface exposure of the 5 cm x 5 cm range by the said laser exposure is performed, after a development, the whole surface exposure (post exposure) is performed at 100 mJ / cm < 2 > with an ultrahigh pressure mercury lamp, and also the heat processing for 150 degreeC60 minutes (Post-bake treatment) was performed. With respect to the obtained pattern, the presence or absence of cracks in the photosensitive layer when it was bent at 90 degrees was observed and evaluated according to the following criteria.
〔Evaluation criteria〕
○: No cracking of the photosensitive layer when bent.
Δ: Some cracks occur in the photosensitive layer when bent.
X: The crack of a photosensitive layer enters large at the time of bending.

(実施例2)
−感光性フィルムの製造−
実施例1で得られた感光性組成物溶液を、前記支持体としての厚み16μm(東レ社製、16FB50)、幅300mm、長さ200mのPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム上に、バーコーターで塗布し、80℃熱風循環式乾燥機中で乾燥して、厚み30μmの感光層を形成した。次いで、該感光層の上に、保護フィルムとして、膜厚20μm、幅310mm、長さ210mのポリプロピレンフィルム(王子製紙社製、E−200)をラミネーションにより積層し、前記感光性フィルムを製造した。
(Example 2)
-Production of photosensitive film-
The photosensitive composition solution obtained in Example 1 was applied onto a PET (polyethylene terephthalate) film having a thickness of 16 μm (Toray Industries, 16FB50), a width of 300 mm, and a length of 200 m as the support by a bar coater. And dried in an 80 ° C. hot air circulation dryer to form a photosensitive layer having a thickness of 30 μm. Next, a polypropylene film (E-200, manufactured by Oji Paper Co., Ltd.) having a thickness of 20 μm, a width of 310 mm, and a length of 210 m was laminated as a protective film on the photosensitive layer by lamination to produce the photosensitive film.

−感光性積層体の調製−
次に、前記基体として実施例1と同じ銅張積層板上に、前記感光性フィルムの感光層が前記銅張積層板に接するようにして前記感光性フィルムにおける保護フィルムを剥がしながら、真空ラミネーター(ニチゴーモートン(株)社製、VP130)を用いて積層させ、前記銅張積層板と、前記感光層と、前記ポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)とがこの順に積層された感光性積層体を調製した。
圧着条件は、真空引きの時間40秒、圧着温度70℃、圧着圧力0.2MPa、加圧時間10秒とした。
-Preparation of photosensitive laminate-
Next, on the same copper clad laminate as that of Example 1 as the substrate, the photosensitive film of the photosensitive film was in contact with the copper clad laminate, and the protective film on the photosensitive film was peeled off, and a vacuum laminator ( Nitgo Morton Co., Ltd., VP130) was used to prepare a photosensitive laminate in which the copper-clad laminate, the photosensitive layer, and the polyethylene terephthalate film (support) were laminated in this order. .
The pressure bonding conditions were a vacuum drawing time of 40 seconds, a pressure bonding temperature of 70 ° C., a pressure bonding pressure of 0.2 MPa, and a pressure application time of 10 seconds.

前記感光性積層体について、感度、解像度、鉛筆硬度、折り曲げ時のクラック性、及び端面融着の評価を行なった。なお、解像度、鉛筆硬度、及び折り曲げ時のクラック性については、実施例1と同様にして評価を行った。結果を表2に示す。   About the said photosensitive laminated body, the sensitivity, the resolution, the pencil hardness, the crack property at the time of bending, and the end surface fusion were evaluated. In addition, about the resolution, pencil hardness, and the crack property at the time of bending, it evaluated similarly to Example 1. FIG. The results are shown in Table 2.

<感度の評価>
前記調製した感光性積層体における感光性フィルムの感光層に対し、前記支持体側から、実施例1で説明したパターン形成装置により実施例1と同様にして前記感光層の一部の領域を硬化させた。室温にて10分間静置した後、前記感光性積層体から前記支持体を剥がし取り、実施例1と同様にして感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量を測定した。
<Evaluation of sensitivity>
For the photosensitive layer of the photosensitive film in the prepared photosensitive laminate, a part of the photosensitive layer is cured from the support side in the same manner as in Example 1 by the pattern forming apparatus described in Example 1. It was. After leaving still at room temperature for 10 minutes, the said support body was peeled off from the said photosensitive laminated body, and it carried out similarly to Example 1, and measured the amount of light energy required in order to harden a photosensitive layer.

<端面融着の有無>
前記感光性フィルムをワインダーで巻き取り、感光性フィルム原反ロールを製造した。
得られた前記感光性フィルム原反ロールを同軸スリッターにてスリットして、長さ300mm、内径76mmのABS樹脂製円筒状巻き芯に、250mm幅で150m巻き取り、感光性フィルムロールを作製した。
こうして得られた前記感光性フィルムロールを、黒色ポリエチレン製の筒状袋(膜厚:80μm、水蒸気透過率:25g/m・24hr以下)に包み、ポリプロピレン製ブッシュを巻き芯の両端に押し込んだ。
前記ブッシュで両端を塞いだロール状のサンプルを25℃、55%RHで30日間保存後、端面融着の有無を観察し、下記基準で評価を行なった。
〔評価基準〕
○:端面融着が確認されず、積層体が良好に使用できる状態。
△:端面の一部に光沢があり、若干量の端面融着が起きている状態(使用限界)。
×:端面全面に光沢があり、端面融着が多量に発生している状態。
<With or without end face fusion>
The said photosensitive film was wound up with the winder, and the photosensitive film original fabric roll was manufactured.
The obtained photosensitive film original roll was slit with a coaxial slitter, and wound on an ABS resin cylindrical core having a length of 300 mm and an inner diameter of 76 mm, and wound up to 150 m in a width of 250 mm to prepare a photosensitive film roll.
The photosensitive film roll thus obtained was wrapped in a black polyethylene cylindrical bag (film thickness: 80 μm, water vapor transmission rate: 25 g / m 2 · 24 hr or less), and a polypropylene bush was pushed into both ends of the core. .
A roll-shaped sample whose both ends were closed with the bush was stored at 25 ° C. and 55% RH for 30 days, and then the presence or absence of end face fusion was observed and evaluated according to the following criteria.
〔Evaluation criteria〕
○: End face fusion is not confirmed, and the laminate can be used satisfactorily.
(Triangle | delta): The state in which a part of end surface is glossy and a slight amount of end surface fusion has occurred (use limit).
X: A state in which the entire end surface is glossy and a large amount of end surface fusion occurs.

(実施例3)
実施例2において、合成例1で得られた樹状分岐化合物1を、表1に示すように、合成例2で得られた樹状分岐化合物2に代えた以外は、実施例2と同様にして、感度、解像度、鉛筆硬度、折り曲げ時のクラック性、及び端面融着の有無の評価を行った。結果を表2に示す。
(Example 3)
In Example 2, except that the dendritic compound 1 obtained in Synthesis Example 1 was replaced with the dendritic compound 2 obtained in Synthetic Example 2 as shown in Table 1, it was the same as Example 2. Thus, the sensitivity, resolution, pencil hardness, cracking property at the time of bending, and presence / absence of end face fusion were evaluated. The results are shown in Table 2.

(実施例4)
実施例2において、合成例1で得られた樹状分岐化合物1を、表1に示すように、合成例3で得られた樹状分岐化合物3に代えた以外は、実施例2と同様にして、感度、解像度、鉛筆硬度、折り曲げ時のクラック性、及び端面融着の有無の評価を行った。結果を表2に示す。
Example 4
In Example 2, the dendritic compound 1 obtained in Synthesis Example 1 was replaced with the dendritic compound 3 obtained in Synthetic Example 3 as shown in Table 1. Thus, the sensitivity, resolution, pencil hardness, cracking property at the time of bending, and presence / absence of end face fusion were evaluated. The results are shown in Table 2.

(実施例5)
実施例2において、光重合開始剤を、表1に示すように、下記式I−2で表される化合物に代えた以外は、実施例1と同様にして、感度、解像度、鉛筆硬度、折り曲げ時のクラック性、及び端面融着の有無の評価を行った。結果を表2に示す。
(Example 5)
In Example 2, the photopolymerization initiator was replaced with a compound represented by the following formula I-2 as shown in Table 1, in the same manner as in Example 1, sensitivity, resolution, pencil hardness, bending The crack property at the time and the presence / absence of end face fusion were evaluated. The results are shown in Table 2.

(実施例6)
実施例2において、光重合開始剤を、表1に示すように、下記式I−3で表される化合物に代えた以外は、実施例1と同様にして、感度、解像度、鉛筆硬度、折り曲げ時のクラック性、及び端面融着の有無の評価を行った。結果を表2に示す。
(Example 6)
In Example 2, the photopolymerization initiator was changed to a compound represented by the following formula I-3 as shown in Table 1, and the sensitivity, resolution, pencil hardness, bending were performed in the same manner as in Example 1. The crack property at the time and the presence / absence of end face fusion were evaluated. The results are shown in Table 2.

(実施例7)
実施例2において、光重合開始剤を、表1に示すように、下記式I−4で表される化合物に代えた以外は、実施例1と同様にして、感度、解像度、鉛筆硬度、折り曲げ時のクラック性、及び端面融着の有無の評価を行った。結果を表2に示す。
(Example 7)
In Example 2, the photopolymerization initiator was changed to a compound represented by the following formula I-4 as shown in Table 1, except that the sensitivity, resolution, pencil hardness, and bending were the same as in Example 1. The crack property at the time and the presence / absence of end face fusion were evaluated. The results are shown in Table 2.

(実施例8)
実施例2において、光重合開始剤を、表1に示すように、下記式I−5で表される化合物に代えた以外は、実施例1と同様にして、感度、解像度、鉛筆硬度、折り曲げ時のクラック性、及び端面融着の有無の評価を行った。結果を表2に示す。
(Example 8)
In Example 2, the photopolymerization initiator was changed to a compound represented by the following formula I-5 as shown in Table 1, and the sensitivity, resolution, pencil hardness, bending were performed in the same manner as in Example 1. The crack property at the time and the presence / absence of end face fusion were evaluated. The results are shown in Table 2.

(実施例9)
実施例2において、光重合開始剤を、表1に示すように、下記式I−6で表される化合物に代えた以外は、実施例1と同様にして、感度、解像度、鉛筆硬度、折り曲げ時のクラック性、及び端面融着の有無の評価を行った。結果を表2に示す。
Example 9
In Example 2, the photopolymerization initiator was changed to a compound represented by the following formula I-6 as shown in Table 1, and the sensitivity, resolution, pencil hardness, bending were performed in the same manner as in Example 1. The crack property at the time and the presence / absence of end face fusion were evaluated. The results are shown in Table 2.

(実施例10)
実施例2において、合成例4で得られたバインダー1を、合成例5で得られたバインダー2(1−メトキシ−2−プロパノール溶液中に固形分質量30質量%)に代えた以外は、実施例2と同様にして、感度、解像度、鉛筆硬度、折り曲げ時のクラック性、及び端面融着の有無の評価を行った。結果を表2に示す。
(Example 10)
In Example 2, except that the binder 1 obtained in Synthesis Example 4 was replaced with the binder 2 obtained in Synthesis Example 5 (solid content of 30% by mass in 1-methoxy-2-propanol solution). In the same manner as in Example 2, the sensitivity, resolution, pencil hardness, cracking property during bending, and presence / absence of end face fusion were evaluated. The results are shown in Table 2.

(実施例11)
実施例2において、合成例4で得られたバインダー1を、合成例6で得られたバインダー3(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液中に固形分質量54質量%)49質量部に代えた以外は、実施例2と同様にして、感度、解像度、鉛筆硬度、折り曲げ時のクラック性、及び端面融着の有無の評価を行った。結果を表2に示す。
(Example 11)
In Example 2, except that the binder 1 obtained in Synthesis Example 4 was replaced with 49 parts by mass of the binder 3 obtained in Synthesis Example 6 (solid content of 54% by mass in propylene glycol monomethyl ether acetate solution), In the same manner as in Example 2, the sensitivity, resolution, pencil hardness, cracking property during bending, and presence / absence of end face fusion were evaluated. The results are shown in Table 2.

(実施例12)
実施例1において、前記パターン形成装置の代わりに、これと同様なパターンを有するガラス製ネガマスクを別途作製し、このネガマスクを感光性積層体上に接触させて超高圧水銀灯で40mJ/cmの露光量で露光した。その後、実施例1と同様な方法で現像し、解像度を測定した以外は、実施例1と同様にして、解像度、鉛筆硬度、及び折り曲げ時のクラック性の評価を行った。結果を表2に示す。
(Example 12)
In Example 1, instead of the pattern forming apparatus, a glass negative mask having the same pattern as this was separately prepared, and this negative mask was brought into contact with the photosensitive laminate, and exposure was performed at 40 mJ / cm 2 with an ultrahigh pressure mercury lamp. Exposed in quantity. Then, it developed by the method similar to Example 1, and except having measured the resolution, it carried out similarly to Example 1, and evaluated the resolution, pencil hardness, and the crack property at the time of bending. The results are shown in Table 2.

(実施例13)
実施例2において、前記パターン形成装置の代わりに、これと同様なパターンを有するガラス製ネガマスクを別途作製し、このネガマスクを感光性積層体上に接触させて超高圧水銀灯で20mJ/cmの露光量で露光した。その後、実施例1と同様な方法で現像し、解像度を測定した以外は、実施例1と同様にして、解像度、鉛筆硬度、及び折り曲げ時のクラック性の評価を行った。結果を表2に示す。
(Example 13)
In Example 2, instead of the pattern forming apparatus, a glass negative mask having a pattern similar to the above was prepared separately, and this negative mask was brought into contact with the photosensitive laminate, and exposure was performed at 20 mJ / cm 2 with an ultrahigh pressure mercury lamp. Exposed in quantity. Then, it developed by the method similar to Example 1, and except having measured the resolution, it carried out similarly to Example 1, and evaluated the resolution, pencil hardness, and the crack property at the time of bending. The results are shown in Table 2.

(実施例14)
実施例2において、光重合開始剤を、表1に示すように、下記式I−7で表される化合物に代えた以外は、実施例1と同様にして、感度、解像度、鉛筆硬度、折り曲げ時のクラック性、及び端面融着の有無の評価を行った。結果を表2に示す。
(Example 14)
In Example 2, the photopolymerization initiator was changed to a compound represented by the following formula I-7 as shown in Table 1, and the sensitivity, resolution, pencil hardness, bending were performed in the same manner as in Example 1. The crack property at the time and the presence / absence of end face fusion were evaluated. The results are shown in Table 2.

(実施例15)
実施例2において、光重合開始剤を、表1に示すように、下記式I−8で表される化合物に代えた以外は、実施例1と同様にして、感度、解像度、鉛筆硬度、折り曲げ時のクラック性、及び端面融着の有無の評価を行った。結果を表2に示す。
(Example 15)
In Example 2, the photopolymerization initiator was changed to a compound represented by the following formula I-8 as shown in Table 1, and the sensitivity, resolution, pencil hardness, bending were performed in the same manner as in Example 1. The crack property at the time and the presence / absence of end face fusion were evaluated. The results are shown in Table 2.

(実施例16)
実施例2において、光重合開始剤を、表1に示すように、下記式I−9で表される化合物に代えた以外は、実施例1と同様にして、感度、解像度、鉛筆硬度、折り曲げ時のクラック性、及び端面融着の有無の評価を行った。結果を表2に示す。
(Example 16)
In Example 2, the photopolymerization initiator was changed to a compound represented by the following formula I-9 as shown in Table 1, and the sensitivity, resolution, pencil hardness, bending were performed in the same manner as in Example 1. The crack property at the time and the presence / absence of end face fusion were evaluated. The results are shown in Table 2.

(実施例17)
実施例2において、光重合開始剤のうち1質量部を、表1に示すように、下記式I−10で表される化合物1質量部に代えた以外は、実施例2と同様にして、感度、解像度、鉛筆硬度、折り曲げ時のクラック性、及び端面融着の有無の評価を行った。結果を表2に示す。
(Example 17)
In Example 2, except that 1 part by mass of the photopolymerization initiator was replaced with 1 part by mass of the compound represented by the following formula I-10 as shown in Table 1, in the same manner as in Example 2, Sensitivity, resolution, pencil hardness, cracking property during bending, and presence / absence of end face fusion were evaluated. The results are shown in Table 2.

(実施例18)
実施例2において、増感剤を、N−メチルアクリドン0.6質量部と4,4’−(N,N−ジエチルアミノ)ベンゾフェノン0.2質量部とに代えた以外は、実施例2と同様にして、感度、解像度、鉛筆硬度、折り曲げ時のクラック性、及び端面融着の有無の評価を行った。結果を表2に示す。
(Example 18)
In Example 2, the sensitizer was changed to 0.6 part by mass of N-methylacridone and 0.2 part by mass of 4,4 ′-(N, N-diethylamino) benzophenone. Similarly, the sensitivity, resolution, pencil hardness, cracking property at the time of bending, and presence / absence of end face fusion were evaluated. The results are shown in Table 2.

(実施例19)
実施例2において、感光性組成物に下記成分を更に加えた以外は、実施例2と同様にして、感度、解像度、鉛筆硬度、折り曲げ時のクラック性、及び端面融着の有無の評価を行った。結果を表2に示す。
・ビスフェノールA系エポキシ化合物とビスフェノールF系エポキシ化合物との混合物(東都化成社製、エポトートZX−1059、エポキシ等量165g/eq.(アルカリ不溶性の熱架橋剤))・・・5質量部
・熱硬化促進剤(ジシアンジアミド)・・・0.50質量部
Example 19
In Example 2, except that the following components were further added to the photosensitive composition, the sensitivity, resolution, pencil hardness, cracking property at the time of bending, and presence / absence of end face fusion were evaluated in the same manner as in Example 2. It was. The results are shown in Table 2.
-Mixture of bisphenol A type epoxy compound and bisphenol F type epoxy compound (manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., Epototo ZX-1059, epoxy equivalent 165 g / eq. (Alkali insoluble thermal crosslinking agent)) ... 5 parts by mass Curing accelerator (dicyandiamide): 0.50 parts by mass

(比較例1)
実施例2において、合成例1で得られた樹状分岐化合物1を、表1に示すように、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(DPHA)に代えた以外は、実施例2と同様にして、感度、解像度、鉛筆硬度、折り曲げ時のクラック性、及び端面融着の有無の評価を行った。結果を表2に示す。
(Comparative Example 1)
In Example 2, except that the dendritic branched compound 1 obtained in Synthesis Example 1 was replaced with dipentaerythritol hexaacrylate (DPHA) as shown in Table 1, the sensitivity, The resolution, pencil hardness, cracking property during bending, and presence / absence of end face fusion were evaluated. The results are shown in Table 2.

(比較例2)
実施例2において、光重合開始剤を、表1に示すように、アシルホスフィンオキシド化合物(チバスペシャルティケミカルズ社製、イルガキュア819)に代えた以外は、実施例1と同様にして、感度、解像度、鉛筆硬度、折り曲げ時のクラック性、及び端面融着の有無の評価を行った。結果を表2に示す。
(Comparative Example 2)
In Example 2, as shown in Table 1, sensitivity, resolution, and The pencil hardness, the cracking property at the time of bending, and the presence / absence of end face fusion were evaluated. The results are shown in Table 2.

表2の結果から、実施例1〜19では、重合性化合物が、重合性基を有する樹状分岐化合物を含む感光性組成物を用いるため、折り曲げ時にクラックの発生がなく、端面融着も少ないことが判った。特に、感光性フィルムを作製し、レーザ露光を行なった実施例2〜11及び実施例14〜19では、感度及び解像度も高いことが判った。また、バインダーが、酸性基とエチレン性不飽和結合とを側鎖に有する高分子化合物を含む実施例2〜9及び実施例14〜19では、端面融着が発生しないことが判った。更に、熱架橋剤を含む実施例19では、鉛筆硬度も高いことが判った。 From the result of Table 2, in Examples 1-19, since a polymeric compound uses the photosensitive composition containing the dendritic compound which has a polymeric group, there is no generation | occurrence | production of a crack at the time of bending, and there is also little end surface fusion | melting. I found out. In particular, in Examples 2 to 11 and Examples 14 to 19 in which photosensitive films were prepared and subjected to laser exposure, it was found that sensitivity and resolution were also high. Moreover, it turned out that end surface fusion does not generate | occur | produce in Examples 2-9 and Examples 14-19 in which a binder contains the high molecular compound which has an acidic group and an ethylenically unsaturated bond in a side chain. Furthermore, in Example 19 containing a thermal crosslinking agent, it turned out that pencil hardness is also high.

本発明の感光性組成物、感光性フィルム、及び感光性積層体は、重合性化合物として重合性基を有する樹状分岐化合物を含むことにより、感度、解像度、及び永久保護膜としての硬化物特性に優れ、かつフィルム化したロールからの感光性組成物のしみだし(端面融着)が少なく、高精細なパターンを効率よく形成可能であるため、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターン等の永久パターン、などの各種パターン形成、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁などの液晶構造部材の製造、ホログラム、マイクロマシン、プルーフの製造などに好適に用いることができ、特に、プリント基板の永久パターン形成用に好適に用いることができる。
本発明の永久パターン形成方法は、本発明の前記感光性積層体を用いるため、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターン等の永久パターン、などの各種パターン形成用、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁などの液晶構造部材の製造、ホログラム、マイクロマシン、プルーフの製造などに好適に用いることができ、特に、プリント基板の永久パターン形成に好適に用いることができる。
The photosensitive composition, the photosensitive film, and the photosensitive laminate of the present invention contain a dendritic compound having a polymerizable group as a polymerizable compound, so that sensitivity, resolution, and cured product characteristics as a permanent protective film are obtained. High-definition and high-definition patterns can be efficiently formed with less exudation (end-face fusion) of the photosensitive composition from the roll made into a film, so that protective films, interlayer insulating films, solder resist patterns, etc. Can be suitably used for the formation of various patterns such as permanent patterns, color filters, pillar materials, rib materials, spacers, production of liquid crystal structural members such as spacers, partition walls, holograms, micromachines, and proofs. Can be suitably used for forming a permanent pattern.
Since the permanent pattern forming method of the present invention uses the photosensitive laminate of the present invention, it is used for forming various patterns such as a protective film, an interlayer insulating film, a permanent pattern such as a solder resist pattern, a color filter, a column material, It can be suitably used for the production of liquid crystal structural members such as ribs, spacers and partition walls, the production of holograms, micromachines, and proofs, and can be particularly suitably used for the formation of permanent patterns on printed boards.

図1は、パターン形成装置の一例の外観を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of an example of a pattern forming apparatus. 図2は、パターン形成装置のスキャナの構成の一例を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing an example of the configuration of the scanner of the pattern forming apparatus. 図3Aは、感光層の被露光面上に形成される露光済み領域を示す平面図である。FIG. 3A is a plan view showing an exposed region formed on the exposed surface of the photosensitive layer. 図3Bは、各露光ヘッドによる露光エリアの配列を示す平面図である。FIG. 3B is a plan view showing an arrangement of exposure areas by each exposure head. 図4は、露光ヘッドの概略構成の一例を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing an example of a schematic configuration of the exposure head. 図5Aは、露光ヘッドの詳細な構成の一例を示す上面図である。FIG. 5A is a top view showing an example of a detailed configuration of the exposure head. 図5Bは、露光ヘッドの詳細な構成の一例を示す側面図である。FIG. 5B is a side view showing an example of a detailed configuration of the exposure head. 図6は、図1のパターン形成装置のDMDの一例を示す部分拡大図である。FIG. 6 is a partially enlarged view showing an example of the DMD of the pattern forming apparatus of FIG. 図7Aは、DMDの動作を説明するための斜視図である。FIG. 7A is a perspective view for explaining the operation of the DMD. 図7Bは、DMDの動作を説明するための斜視図である。FIG. 7B is a perspective view for explaining the operation of the DMD. 図8は、露光ヘッドの取付角度誤差及びパターン歪みがある際に、被露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram showing an example of unevenness that occurs in the pattern on the exposed surface when there is an exposure head mounting angle error and pattern distortion. 図9は、1つのDMDによる露光エリアと、対応するスリットとの位置関係を示した上面図である。FIG. 9 is a top view showing a positional relationship between an exposure area by one DMD and a corresponding slit. 図10は、被露光面上の光点の位置を、スリットを用いて測定する手法を説明するための上面図である。FIG. 10 is a top view for explaining a method of measuring the position of the light spot on the exposed surface using a slit. 図11は、選択されたマイクロミラーのみが露光に使用された結果、被露光面上のパターンに生じるむらが改善された状態を示す説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram showing a state in which unevenness generated in a pattern on an exposed surface is improved as a result of using only selected micromirrors for exposure. 図12は、隣接する露光ヘッド間に相対位置のずれがある際に、被露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram showing an example of unevenness that occurs in the pattern on the exposed surface when there is a relative position shift between adjacent exposure heads. 図13は、隣接する2つの露光ヘッドによる露光エリアと、対応するスリットとの位置関係を示した上面図である。FIG. 13 is a top view showing a positional relationship between an exposure area by two adjacent exposure heads and a corresponding slit. 図14は、被露光面上の光点の位置を、スリットを用いて測定する手法を説明するための上面図である。FIG. 14 is a top view for explaining a method of measuring the position of the light spot on the exposed surface using a slit. 図15は、図12の例において選択された使用画素のみが実動され、被露光面上のパターンに生じるむらが改善された状態を示す説明図である。FIG. 15 is an explanatory diagram showing a state in which only the used pixels selected in the example of FIG. 12 are actually moved and the unevenness in the pattern on the exposed surface is improved. 図16は、隣接する露光ヘッド間に相対位置のずれ及び取付角度誤差がある際に、被露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。FIG. 16 is an explanatory diagram showing an example of unevenness that occurs in the pattern on the exposed surface when there is a relative position shift and a mounting angle error between adjacent exposure heads. 図17は、図16の例において選択された使用描素部のみを用いた露光を示す説明図である。FIG. 17 is an explanatory diagram showing exposure using only the used pixel portion selected in the example of FIG. 図18Aは、倍率歪みの例を示した説明図である。FIG. 18A is an explanatory diagram showing an example of magnification distortion. 図18Bは、ビーム径歪みの例を示した説明図である。FIG. 18B is an explanatory diagram showing an example of beam diameter distortion. 図19Aは、単一露光ヘッドを用いた参照露光の第一の例を示した説明図である。FIG. 19A is an explanatory diagram showing a first example of reference exposure using a single exposure head. 図19Bは、単一露光ヘッドを用いた参照露光の第一の例を示した説明図である。FIG. 19B is an explanatory diagram showing a first example of reference exposure using a single exposure head. 図20は、複数露光ヘッドを用いた参照露光の第一の例を示した説明図である。FIG. 20 is an explanatory diagram showing a first example of reference exposure using a plurality of exposure heads. 図21Aは、単一露光ヘッドを用いた参照露光の第二の例を示した説明図である。FIG. 21A is an explanatory diagram showing a second example of reference exposure using a single exposure head. 図21Bは、単一露光ヘッドを用いた参照露光の第二の例を示した説明図である。FIG. 21B is an explanatory diagram showing a second example of reference exposure using a single exposure head. 図22は、複数露光ヘッドを用いた参照露光の第二の例を示した説明図である。FIG. 22 is an explanatory view showing a second example of reference exposure using a plurality of exposure heads. 図23は、少なくとも2つの重合性基を有する樹状分岐化合物の標準的な構造を示すモデル図である。FIG. 23 is a model diagram showing a standard structure of a dendritic branched compound having at least two polymerizable groups.

符号の説明Explanation of symbols

10 パターン形成装置
12 感光性積層体(感光層、感光材料)
14 移動ステージ
18 設置台
20 ガイド
22 ゲート
24 スキャナ
26 センサ
28 スリット
30 露光ヘッド
32 露光エリア
36 デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)
38 ファイバアレイ光源
58 マイクロミラー(描素部)
10 pattern forming device 12 photosensitive laminate (photosensitive layer, photosensitive material)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 14 Moving stage 18 Installation stand 20 Guide 22 Gate 24 Scanner 26 Sensor 28 Slit 30 Exposure head 32 Exposure area 36 Digital micromirror device (DMD)
38 Fiber array light source 58 Micro mirror (picture element)

Claims (17)

バインダー、重合性化合物、及び光重合開始剤を含み、
前記重合性化合物が重合性基を有する樹状分岐化合物を含み、かつ前記光重合開始剤がオキシム誘導体を含むことを特徴とする感光性組成物。
Including a binder, a polymerizable compound, and a photopolymerization initiator,
A photosensitive composition, wherein the polymerizable compound includes a dendritic compound having a polymerizable group, and the photopolymerization initiator includes an oxime derivative.
重合性基を有する樹状分岐化合物が、少なくとも2つの重合性基を有する、デンドリマー化合物及びハイパーブランチ化合物のいずれかである請求項1に記載の感光性組成物。   The photosensitive composition according to claim 1, wherein the dendritic compound having a polymerizable group is either a dendrimer compound or a hyperbranched compound having at least two polymerizable groups. 重合性基を有する樹状分岐化合物が、一分子中に2種の官能基を有する化合物の重縮合反応及び重付加反応のいずれかにより形成された、デンドリマー化合物及びハイパーブランチ化合物のいずれかである請求項1から2のいずれかに記載の感光性組成物。   The dendritic compound having a polymerizable group is either a dendrimer compound or a hyperbranched compound formed by either a polycondensation reaction or a polyaddition reaction of a compound having two kinds of functional groups in one molecule. The photosensitive composition in any one of Claim 1 to 2. 重合性基を有する樹状分岐化合物が、エステル結合を有する請求項1から3のいずれかに記載の感光性組成物。   The photosensitive composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the dendritic compound having a polymerizable group has an ester bond. オキシム誘導体が、下記一般式(I)及び下記一般式(II)のいずれかで表される部分構造を有する請求項1から4のいずれかに記載の感光性組成物。
ただし、前記一般式(I)及び(II)中、Arは、芳香族基、及び複素環基のいずれかを表し、Yは、水素原子、及び一価の置換基のいずれかを表し、Yは、脂肪族基、芳香族基、複素環基、COY、CO、及びCONYのいずれかを表し、Y、Y、及びYは、脂肪族基、芳香族基、及び複素環基のいずれかを表し、mは1以上の整数を表す。
5. The photosensitive composition according to claim 1, wherein the oxime derivative has a partial structure represented by any one of the following general formula (I) and the following general formula (II).
In the general formula (I) and (II), Ar represents an aromatic group, or a heterocyclic group, Y 1 represents any substituent of a hydrogen atom and monovalent, Y 2 represents an aliphatic group, an aromatic group, a heterocyclic group, COY 3 , CO 2 Y 3 , or CONY 4 Y 5 , and Y 3 , Y 4 , and Y 5 are an aliphatic group, It represents either an aromatic group or a heterocyclic group, and m represents an integer of 1 or more.
熱架橋剤を含み、該熱架橋剤が、エポキシ化合物、オキセタン化合物、ポリイソシアネート化合物、ポリイソシアネート化合物にブロック剤を反応させて得られる化合物、及びメラミン誘導体から選択される少なくとも1種である請求項1から5のいずれかに記載の感光性組成物。   A thermal crosslinking agent is included, and the thermal crosslinking agent is at least one selected from an epoxy compound, an oxetane compound, a polyisocyanate compound, a compound obtained by reacting a polyisocyanate compound with a blocking agent, and a melamine derivative. The photosensitive composition in any one of 1-5. バインダーがアルカリ可溶性である請求項1から6のいずれかに記載の感光性組成物。   The photosensitive composition according to any one of claims 1 to 6, wherein the binder is alkali-soluble. バインダーが、酸性基とエチレン性不飽和結合とを側鎖に有する高分子化合物を含む請求項1から7のいずれかに記載の感光性組成物。   The photosensitive composition in any one of Claim 1 to 7 in which a binder contains the high molecular compound which has an acidic group and an ethylenically unsaturated bond in a side chain. バインダーが、酸性基と、ヘテロ環を含んでもよい芳香族基と、エチレン性不飽和結合とを側鎖に有する高分子化合物を含む請求項1から8のいずれかに記載の感光性組成物。   The photosensitive composition in any one of Claim 1 to 8 in which a binder contains the high molecular compound which has an acidic group, the aromatic group which may contain a heterocyclic ring, and an ethylenically unsaturated bond in a side chain. バインダーが、エポキシアクリレート化合物を含む請求項1から7のいずれかに記載の感光性組成物。   The photosensitive composition in any one of Claim 1 to 7 in which a binder contains an epoxy acrylate compound. 支持体と、該支持体上に請求項1から10のいずれかに記載の感光性組成物からなる感光層とを有してなることを特徴とする感光性フィルム。   A photosensitive film comprising a support and a photosensitive layer made of the photosensitive composition according to claim 1 on the support. 長尺状であり、ロール状に巻かれてなる請求項11に記載の感光性フィルム。   The photosensitive film according to claim 11, which is long and wound in a roll. 基体上に、請求項1から10のいずれかに記載の感光性組成物からなる感光層を有することを特徴とする感光性積層体。   A photosensitive laminate comprising a photosensitive layer comprising the photosensitive composition according to claim 1 on a substrate. 感光層が、請求項11から12のいずれかに記載の感光性フィルムにより形成された請求項13に記載の感光性積層体。   The photosensitive laminated body of Claim 13 in which the photosensitive layer was formed with the photosensitive film in any one of Claims 11-12. 請求項13から14のいずれかに記載の感光性積層体における感光層に対して露光を行うことを含むことを特徴とする永久パターン形成方法。   The permanent pattern formation method characterized by including exposing with respect to the photosensitive layer in the photosensitive laminated body in any one of Claim 13 to 14. 露光が、350〜415nmの波長のレーザ光を用いて行われる請求項15に記載の永久パターン形成方法。   The permanent pattern formation method according to claim 15, wherein the exposure is performed using a laser beam having a wavelength of 350 to 415 nm. 請求項15から16のいずれかに記載の永久パターン形成方法により永久パターンが形成されることを特徴とするプリント基板。
A printed circuit board, wherein a permanent pattern is formed by the method for forming a permanent pattern according to claim 15.
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