JP2007309892A

JP2007309892A - 静電容量型センサ

Info

Publication number: JP2007309892A
Application number: JP2006141689A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Iguchi; 義則井口; Toshifumi Tajima; 利文田島; Masahide Goto; 正英後藤; Hiroshi Takeshi; 太司武子; Toru Himori; 徹日森
Original assignee: Nippon Hoso Kyokai NHK; Japan Broadcasting Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Japan Broadcasting Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2006-05-22
Filing date: 2006-05-22
Publication date: 2007-11-29
Anticipated expiration: 2026-05-22
Also published as: JP4944494B2

Abstract

【課題】特別な工程や作業を付加することなく、電気的特性や信頼性の低下を防止することができる静電容量型センサを提供すること。
【解決手段】シリコンマイクロホン１０は、音波による音圧変化に応じて振動する振動膜１２を含むシリコン基板１１と、振動膜１２と対向配置された背面板１３と、振動膜１２と背面板１３との間に設けられた絶縁体１４ａと、振動膜１２とマスク板１５との間に設けられた絶縁体１４ｂと、シリコン基板１１の面の一部を覆うマスク板１５と、振動膜１２と背面板１３との間に形成された第１空隙部１６とを備え、マスク板１５は、絶縁体１４ａと同一の部材で形成された絶縁体１４ｂに保持され、背面板１３を取り囲むように背面板１３の外縁から寸法ｄの第２空隙部１７を隔てて設けられ、音響孔１５ａを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、圧力や加速度等の変化を静電容量の変化に変換して検知する静電容量型センサに関する。

従来、シリコン半導体を主材料として半導体微細加工技術により製造される静電容量型センサが知られている。この静電容量型センサは、圧力や加速度等の変化を静電容量の変化に変換して検知するものである。例えば、静電容量型センサには、音を検知するシリコンマイクロホン、圧力を検知する静電容量型圧力センサ、加速度を検知する静電容量型加速度センサ等がある。以下、シリコンマイクロホンを例に挙げ、本発明に係る背景技術を説明する。

図３に示すように、従来のシリコンマイクロホン５０は、音波による音圧変化に応じて振動する振動膜５２を含むシリコン基板５１と、振動膜５２と対向配置された背面板５３と、振動膜５２と背面板５３との間に設けられた絶縁体５４と、振動膜５２と背面板５３との間に形成された空隙部５５とを備えている。

振動膜５２には、外部回路（図示省略）に接続される振動膜電極６１が形成されている。背面板５３は、複数の音響孔５３ａと、絶縁体５４に保持されたアーム部５３ｂと、外部回路に接続される背面板電極６２とを有している。ここで、振動膜５２上の電極材料６１ａは、振動膜電極６１及び背面板電極６２を形成する際に、音響孔５３ａを通過して振動膜５２上に付着したものである。なお、図３（ａ）に示された正方形状の破線は、振動膜５２の振動範囲の外周端５２ａを表している。

図３に示すように、背面板５３が、振動膜５２よりも小さな面積で形成され、背面板５３の外側に設けたアーム部５３ｂを介して絶縁体５４に保持される構成となっているのは、外部回路に接続された際に生じる寄生容量との兼ね合いで、背面板５３の面積を振動膜５２の面積よりも小さくすることによって、シリコンマイクロホン５０の感度を高めることができるからである（例えば、非特許文献１参照）。

次に、従来のシリコンマイクロホン５０の製造工程について、図４を参照しながら説明する。図４（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ、図３（ａ）の断面Ａ−Ａ'における形状を示すものである。

まず、シリコン基板５１の片面に高濃度のボロンを拡散し、振動膜５２を形成する（図４（ａ））。

次いで、シリコン基板５１に絶縁体５４を堆積し、絶縁体５４を介して背面板５３を貼り合わせる。続いて、シリコン基板５１と背面板５３とにエッチングマスク５６を形成する（図４（ｂ））。

次いで、エッチング加工によりシリコン基板５１と背面板５３の不要部分とをエッチングして除去することにより、音響孔５３ａ及び開口部５７が形成される（図４（ｃ））。

さらに、エッチング加工により、背面板５３のアーム部５３ｂを保持するよう絶縁体５４を形成するとともに、エッチングマスク５６を除去する。その結果、振動膜５２と背面板５３とが分離され、空隙部５５が形成される（図４（ｄ））。

引き続き、スパッタ法や真空蒸着法等を用いて、背面板５３側の面から電極材料を堆積すると、振動膜５２上には振動膜電極６１が形成され、背面板５３上には背面板電極６２が形成されてシリコンマイクロホン５０が完成する（図４（ｅ））。このとき、音響孔５３ａの直下の振動膜５２上には、電極材料６１ａが付着するが、電極材料６１ａは、シリコンマイクロホン５０の音響特性には影響を与えない。

前述した従来のシリコンマイクロホン５０の製造工程は、工数が比較的少なく量産に適している。特に、振動膜電極６１と背面板電極６２とを同時に形成できるので、両者を別個に形成するものよりも製造工程を簡略化することができる。

なお、開口部５７を形成する工程（図４（ｃ））において、シリコン基板５１をエッチングする際に、例えばＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）のエッチング液を用いることにより、高濃度のボロンを拡散した振動膜５２がエッチングされずに残り、振動膜５２の厚さを精度よく得ることができる（例えば、非特許文献２参照）。

Ｊ．Ａ．Ｖｏｏｒｔｈｕｙｚｅｎ他、"ＯｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｏｆＣａｐａｃｉｔｉｖｅＭｉｃｒｏｐｈｏｎｅａｎｄＰｒｅｓｓｕｒｅＳｅｎｓｏｒＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｂｙＣａｐａｃｉｔｏｒ−ｅｌｅｃｔｒｏｄｅＳｈａｐｉｎｇ"、ＳｅｎｓｏｒｓａｎｄＡｃｔｕａｔｏｒｓＡ誌、２５−２７巻、３３１〜３３６頁、１９９１年Ｅ．Ｓｔｅｉｎｓｌａｎｄ他、"Ｂｏｒｏｎｅｔｃｈ−ｓｔｏｐｉｎＴＭＡＨｓｏｌｕｔｉｏｎｓ"、ＳｅｎｓｏｒｓａｎｄＡｃｔｕａｔｏｒｓＡ誌、５４巻、７２８〜７３２頁、１９９６年

しかしながら、従来のシリコンマイクロホン５０は、振動膜電極６１の形成後に振動膜５２が変形してしまい、音響特性や信頼性が低下するという課題があった。

以下、図５を参照しながら上記課題について具体的に説明する。図５（ａ）は、従来のシリコンマイクロホン５０の平面図を示し、図５（ｂ）は、図５（ａ）の断面Ｂ−Ｂ'における断面図を示している。

従来のシリコンマイクロホン５０では、振動膜電極６１と背面板電極６２とを同時に形成することによって製造工程を簡略化できる反面、図５（ｂ）に示すように、振動膜５２の周辺部５２ｂ上に振動膜電極６１が形成されてしまう。そのため、振動膜５２の周辺部５２ｂにおいて、振動膜５２と振動膜電極６１との間で内部応力の差が発生する。その結果、従来のシリコンマイクロホン５０では、例えば図５（ｂ）に示すように、振動膜５２が変形してしまい、シリコンマイクロホン５０の電気的特性（例えば音響特性）や信頼性（例えば動作安定性）が低下するという課題があった。

この課題を解決するには、振動膜５２の周辺部５２ｂ上に振動膜電極６１を形成しないようにすればよい。振動膜５２には高濃度のボロンが拡散されているので、振動膜５２の電気抵抗は比較的小さい。したがって、振動膜電極６１は、振動膜５２の一部に形成されていればよく、周辺部５２ｂ上には振動膜電極６１は不要である。そこで、前述の課題を解決するため、従来、以下の２つの手法が用いられていた。なお、図５（ａ）に示すように、振動膜電極６１を、振動膜５２の周辺部５２ｂ上に形成された第１振動膜電極６１ｂと、振動膜５２の周辺部５２ｂの外側に形成された第２振動膜電極６１ｃとに分けて説明する。

第１の手法は、振動膜電極６１と背面板電極６２とを形成した後、フォトリソグラフィ処理及びエッチング加工により、振動膜５２の周辺部５２ｂ上の第１振動膜電極６１ｂを除去するものである。

第２の手法は、振動膜電極６１と背面板電極６２とを同時に形成する際に、図６に示すように、シャドウマスク７１を用いるものである。シリコン基板５１の所定の位置に合わせてシャドウマスク７１を配置し、電極材料の堆積を行うことにより、振動膜５２の周辺部５２ｂに相当する領域の電極材料はシャドウマスク７１上に電極材料７２として付着するので、振動膜５２の周辺部５２ｂに第１振動膜電極６１ｂが形成されることを回避することができる。

しかしながら、第１の手法では、製造工程が増えるのみならず、背面板５３や絶縁体５４の厚さによる段差を含んだ構造にフォトリソグラフィ処理を施すための高度な技術を要する特別な工程が必要になるので、製造工程が煩雑になり、製造コストが増大するという課題があった。

また、第２の手法では、シャドウマスク７１を製作する必要があるとともに、シャドウマスク７１とシリコン基板５１との位置合わせ作業や、電極材料の堆積後におけるシャドウマスク７１の取り外し作業等が必要になるので、第１の手法と同様に、製造工程が煩雑になり、製造コストが増大するという課題があった。

本発明は、従来の課題を解決するためになされたものであり、特別な工程や作業を付加することなく、電気的特性や信頼性の低下を防止することができる静電容量型センサを提供することを目的とする。

本発明の静電容量型センサは、外力に応じて変位する可動電極板と、この可動電極板から所定距離だけ離れて対向配置され前記可動電極板よりも面積が小さい背面電極板とを備えた静電容量型センサであって、前記背面電極板と対向する前記可動電極板の対向面側に、前記対向面から前記背面電極板までの距離と同じ距離だけ離れた位置に、前記可動電極板及び前記背面電極板に対して電気的に絶縁されたマスク板を備えた構成を有している。

この構成により、本発明の静電容量型センサは、可動電極板の所定領域をマスク部が覆うので、可動電極板上に電極を堆積する際に、電極材料が所定領域に付着するのを回避して可動電極板の変形を防止することができ、特別な工程や作業を付加することなく、電気的特性や信頼性の低下を防止することができる。

また、本発明の静電容量型センサは、前記可動電極板が前記背面電極板と対向する領域を対向領域とし対向しない領域を対向外領域としたときに、前記マスク板は、前記対向外領域の少なくとも一部を覆うものである構成を有している。

この構成により、本発明の静電容量型センサは、可動電極板の対向外領域をマスク部が覆うので、可動電極板上に電極を堆積する際に、電極材料が対向外領域に付着するのを回避して可動電極板の変形を防止することができ、特別な工程や作業を付加することなく、電気的特性や信頼性の低下を防止することができる。

さらに、本発明の静電容量型センサは、前記可動電極板及び前記マスク板は、同一の材料から形成されている構成を有している。

この構成により、本発明の静電容量型センサは、可動電極板及びマスク板を同一の材料で形成することができるので、従来の製造設備や製造工程を適用でき、特別な工程や作業を付加する従来のものよりも低コスト化を図ることができる。

さらに、本発明の静電容量型センサは、前記マスク板は、貫通孔を備えた構成を有している。

この構成により、本発明の静電容量型センサは、貫通孔が背面電極板にのみ設けられた従来のものよりも、周波数特性の調整の自由度を高めることができ、電気的特性の向上を図ることができる。

本発明は、特別な工程や作業を付加することなく、電気的特性や信頼性の低下を防止することができるという効果を有する静電容量型センサを提供することができるものである。

以下、本発明の一実施の形態について図面を用いて説明する。なお、本発明の静電容量型センサをシリコンマイクロホンに適用する例を挙げて説明する。

まず、本実施の形態に係るシリコンマイクロホンの構成について、図１を用いて説明する。図１（ａ）は、本実施の形態に係るシリコンマイクロホンの平面図、図１（ｂ）は、Ｃ−Ｃ'断面図である。なお、Ａ−Ａ'断面図は、図３（ｂ）に示された従来のものと同様であるので図示を省略している。

図１に示すように、本実施の形態に係るシリコンマイクロホン１０は、音波による音圧変化に応じて振動する振動膜１２を含むシリコン基板１１と、振動膜１２と対向配置された背面板１３と、振動膜１２と背面板１３との間に設けられた絶縁体１４ａと、振動膜１２とマスク板１５との間に設けられた絶縁体１４ｂと、シリコン基板１１の面の一部を覆うマスク板１５と、振動膜１２と背面板１３との間に形成された第１空隙部１６とを備えている。なお、絶縁体１４ａ及び１４ｂは、それぞれ、本発明の第１及び第２の絶縁体を構成している。

振動膜１２は、外部回路（図示省略）に接続される振動膜電極２１を備えている。振動膜電極２１は、例えばアルミニウム膜で構成される。また、振動膜１２には、電極材料２１ａ〜２１ｃが付着している。なお、振動膜１２は、特許請求の範囲に記載の可動電極板に対応するものである。この可動電極板は、音圧変化に応じて振動するものに限定されるものではなく、外力に応じて変位するものであればよい。ここで、外力とは、圧力や加速度等のことをいう。また、図１（ａ）に示された正方形状の破線は、振動膜１２の振動範囲の外周端１２ａを表している。また、図１（ｂ）に示された楕円状の破線は、振動膜１２の周辺部１２ｂを表している。

背面板１３は、例えばシリコンで構成され、振動膜１２よりも小さな面積で形成されている。背面板１３は、複数の音響孔１３ａと、絶縁体１４ａに保持されたアーム部１３ｂと、外部回路に接続される背面板電極２２とを有している。複数の音響孔１３ａは、第１空隙部１６内の空気を出入りさせ、振動膜１２の振動のダンピングを調整するために設けられている。また、背面板電極２２は、例えばアルミニウム膜で構成される。なお、背面板１３は、本発明の背面電極板を構成している。

絶縁体１４ａ及び１４ｂは、同一の部材から形成されたものであり、例えばＳｉ−Ｂ−Ｏガラスで構成されている。絶縁体１４ａは、振動膜１２と背面板１３とを電気的に絶縁させ、絶縁体１４ｂは、振動膜１２とマスク板１５とを電気的に絶縁させるようになっている。

マスク板１５は、背面板１３と同様に絶縁体１４ｂに保持され、背面板１３の周囲を取り囲むように背面板１３の外縁から寸法ｄの第２空隙部１７を隔てて設けられている。さらに詳細には、振動膜１２の面上において背面板１３と対向する領域を対向領域、この対向領域以外の領域を対向外領域と定義したとき、マスク板１５は、振動膜１２の面から絶縁体１４ｂの厚さだけ離れた位置に振動膜１２及び背面板１３に対して電気的に絶縁されて設けられ、対向外領域の少なくとも一部を覆うように構成されている。

また、マスク板１５は、貫通した音響孔１５ａを有している。この音響孔１５ａは、本発明の必須の構成要素ではないが、背面板１３の音響孔１３ａに加えてマスク板１５にも音響孔１５ａを設けることにより、シリコンマイクロホン１０の周波数特性の調整の自由度を、背面板１３にのみ音響孔１３ａが設けられている従来のものよりも高めることができる。なお、音響孔１５ａは、本発明の貫通孔を構成している。

また、背面板１３の音響孔１３ａと、マスク板１５の音響孔１５ａと、第２空隙部１７とが設けられたことにより、振動膜電極２１及び背面板電極２２を形成する際に、音響孔１３ａ、１５ａ及び第２空隙部１７を電極材料が通過して振動膜１２上に付着する。この付着したものを電極材料２１ａ〜２１ｃとして図示している。

次に、本実施の形態のシリコンマイクロホン１０の製造工程について図２を参照して説明する。なお、以下に示す製造工程は一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。また、通常は材料のシリコン基板から複数のシリコンマイクロホン１０が一括して製造されるが、ここでは説明を簡略化するためシリコン基板から１個のシリコンマイクロホン１０を製造する例を挙げて説明する。また、図２（ａ）〜（ｅ１）は、図１（ａ）における断面Ａ−Ａ'を示しており、図２（ｅ２）は同図における断面Ｃ−Ｃ'を示している。

まず、不純物濃度が１０^１８ｃｍ^−３以下のシリコン基板１１の一方の面に例えば固体拡散法やイオン注入法等により１０^１９ｃｍ^−３以上の高濃度のボロンを拡散し、厚さが数μｍ程度の振動膜１２を形成する（図２（ａ））。

次に、振動膜１２の上に例えばＳｉ−Ｂ−Ｏガラスを堆積して絶縁体１４を形成し、絶縁体１４の上面に不純物濃度が１０^１８ｃｍ^−３以下の別のシリコン基板を重ねて高温下で貼り合わせ、１０μｍ〜数十μｍ程度の厚さに研磨して背面板１３とし、シリコン基板１１及び背面板１３に例えば熱酸化法やＣＶＤ（化学気相成長）法等でエッチングマスク１８を形成する（図２（ｂ））。ここで、背面板１３上のエッチングマスク１８には、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて、音響孔１３ａ及び１５ａと第２空隙部１７とに対応する位置（図１（ａ）参照）に開口部を形成する。

引き続き、エッチング加工によりシリコン基板１１と背面板１３の不要部分とをエッチングして除去することにより、背面板１３、音響孔１３ａ及び開口部１９と、音響孔１５ａ及び第２空隙部１７（図示省略）とが形成される（図２（ｃ））。第２空隙部１７が形成されることによって、図１に示すように、背面板１３とマスク板１５とが空間的に分離されることとなる。

なお、シリコン基板１１をエッチングして開口部１９を形成する本工程において、例えばＴＭＡＨのエッチング液を用いることにより、高濃度のボロンを拡散した振動膜１２がエッチングされずに残り、振動膜１２の厚さを精度よく得ることができる。

次に、フッ酸を主体とする水溶液等のエッチング液を用いて、音響孔１３ａ、音響孔１５ａ及び第２空隙部１７から絶縁体１４の不要部分をエッチングして除去する。エッチング時間を調整することにより、背面板１３及びマスク板１５をそれぞれ保持する絶縁体１４ａ及び１４ｂを残してエッチングを終了する。その結果、振動膜１２に対し、背面板１３及びマスク板１５が空間的に分離される。また、この工程で同時にエッチングマスク１８もエッチングされて除去される（図２（ｄ））。

さらに、例えば真空蒸着法により、例えばアルミニウムの電極材料を背面板１３側から振動膜１２及び背面板１３に堆積し、振動膜１２及び背面板１３の電極を形成する（図２（ｅ１）、（ｅ２））。

具体的には、断面Ａ−Ａ'においては、図２（ｅ１）に示すように、振動膜１２上に振動膜電極２１が形成され、背面板１３及びアーム部１３ｂの上面に背面板電極２２が形成される。一方、断面Ｃ−Ｃ'においては、図２（ｅ２）に示すように、振動膜１２上に振動膜電極２１、背面板１３上に背面板電極２２が形成され、マスク板１５上に電極材料２３が付着する。

前述のように、電極材料を堆積する工程において、音響孔１３ａ及び１５ａと第２空隙部１７とを通過して振動膜１２上に電極材料２１ａ〜２１ｃが付着するが、これらが付着する面積は振動膜１２の全面積に対して極めて小さいので、付着した電極材料２１ａ〜２１ｃは、振動膜１２を変形させることはなく、シリコンマイクロホン１０の電気的特性や信頼性には影響を与えない。また、マスク板１５上にも電極材料２３が付着するが、付着した電極材料２３は、シリコンマイクロホン１０の電気的特性や信頼性には影響を与えない。

前述のように、本実施の形態に係るシリコンマイクロホン１０は、マスク板１５が設けられているので、振動膜１２の周辺部１２ｂ（図１（ｂ）参照）には電極材料２１ｂ及び２１ｃが付着するのみであり、振動膜１２の変形を防止することができ、電気的特性や信頼性の低下を防止することができる

以上のように、本実施の形態に係るシリコンマイクロホン１０によれば、背面板１３の外縁から第２空隙部１７を隔ててマスク板１５を設ける構成としたので、振動膜１２上に電極を設ける際に電極材料が振動膜１２の周辺部１２ｂに付着するのを回避することにより振動膜１２の変形を防止することができ、従来のもののように、特別な工程や作業を付加することなく、電気的特性や信頼性の低下を防止することができる。

また、本実施の形態に係るシリコンマイクロホン１０によれば、背面板１３とマスク板１５とが同一のシリコン基板から分離されて形成される構成としたので、従来のシリコンマイクロホンの製造設備や製造工程が適用でき、特別な工程や作業を付加する従来のものよりも低コスト化を図ることができる。

また、本実施の形態に係るシリコンマイクロホン１０によれば、背面板１３を保持する絶縁体１４ａと同一の部材で形成された絶縁体１４ｂによりマスク板１５を保持する構成としたので、従来のシリコンマイクロホンの製造設備や製造工程を適用することによって振動膜１２とマスク板１５とを電気的に容易に絶縁することができる。

また、本実施の形態に係るシリコンマイクロホン１０によれば、貫通した音響孔１５ａをマスク板１５が備える構成としたので、背面板１３にのみ音響孔１３ａが設けられた従来のものよりも、周波数特性の調整の自由度を高めることができ、電気的特性の向上を図ることができる。

なお、前述の実施の形態において、同一のシリコン基板から背面板１３とマスク板１５とを分離する構成の例を挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば背面板１３とマスク板１５とをそれぞれ別個のシリコン基板で構成しても同様の効果が得られる。

また、前述の実施の形態において、背面板１３を保持する絶縁体１４ａと同一の部材で形成された絶縁体１４ｂによりマスク板１５が保持される構成を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば背面板１３とマスク板１５とを互いに異なる絶縁体で保持する構成としてもよい。この場合、絶縁体のそれぞれの高さを変えて、振動膜１２からの距離が背面板１３とマスク板１５とで異なるものとしてもよい。

また、前述の実施の形態において、図１にはＬ字状の４つのマスク板１５を例示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、マスク板１５の形状、個数、配置位置等は、例えば背面板１３の形状や振動膜１２の周辺部１２ｂの形状等を考慮して適宜定める構成とすることができる。

以上のように、本発明に係る静電容量型センサは、特別な工程や作業を付加することなく、電気的特性や信頼性の低下を防止することができるという効果を有し、音を検知するシリコンマイクロホン、圧力を検知する静電容量型圧力センサ、加速度を検知する静電容量型加速度センサ等として有用である。

本発明の一実施の形態に係るシリコンマイクロホンの構成図（ａ）本実施の形態に係るシリコンマイクロホンの平面図（ｂ）本実施の形態に係るシリコンマイクロホンのＣ−Ｃ'断面図（ｃ）本実施の形態に係るシリコンマイクロホンのＡ−Ａ'断面図本発明の一実施の形態に係るシリコンマイクロホンの製造工程の説明図（ａ）シリコン基板に振動膜を形成した状態を示す図（ｂ）シリコン基板及び背面板にエッチングマスクを形成した状態を示す図（ｃ）音響孔及び開口部を形成した状態を示す図（ｄ）第１空隙部を形成した状態を示す図（ｅ１）断面Ａ−Ａ'における電極の形成状態を示す図（ｅ２）断面Ｃ−Ｃ'における電極の形成状態を示す図従来のシリコンマイクロホンの構成図（ａ）従来のシリコンマイクロホンの平面図（ｂ）従来のシリコンマイクロホンのＡ−Ａ'断面図従来のシリコンマイクロホンの製造工程の説明図（ａ）シリコン基板に振動膜を形成した状態を示す図（ｂ）シリコン基板及び背面板にエッチングマスクを形成した状態を示す図（ｃ）音響孔及び開口部を形成した状態を示す図（ｄ）空隙部を形成した状態を示す図（ｅ）電極の形成状態を示す図従来のシリコンマイクロホンの構成図（ａ）従来のシリコンマイクロホンの平面図（ｂ）従来のシリコンマイクロホンのＢ−Ｂ'断面図シャドウマスクを用いた従来のシリコンマイクロホンにおいて電極を形成する際の説明図

符号の説明

１０シリコンマイクロホン（静電容量型センサ）
１１シリコン基板
１２振動膜（可動電極板）
１２ａ振動膜の外周端
１２ｂ振動膜の周辺部
１３背面板（背面電極板）
１３ａ背面板の音響孔
１３ｂ背面板のアーム部
１４、１４ａ、１４ｂ絶縁体
１５マスク板
１５ａマスク板の音響孔（貫通孔）
１６第１空隙部
１７第２空隙部
１８エッチングマスク
１９開口部
２１振動膜電極
２１ａ〜２１ｃ、２３電極材料
２２背面板電極

Claims

外力に応じて変位する可動電極板と、この可動電極板から所定距離だけ離れて対向配置され前記可動電極板よりも面積が小さい背面電極板とを備えた静電容量型センサであって、
前記背面電極板と対向する前記可動電極板の対向面側に、前記対向面から前記背面電極板までの距離と同じ距離だけ離れた位置に、前記可動電極板及び前記背面電極板に対して電気的に絶縁されたマスク板を備えたことを特徴とする静電容量型センサ。
前記可動電極板が前記背面電極板と対向する領域を対向領域とし対向しない領域を対向外領域としたときに、前記マスク板は、前記対向外領域の少なくとも一部を覆うものである請求項１に記載の静電容量型センサ。
前記可動電極板及び前記マスク板は、同一の材料から形成されている請求項１又は２に記載の静電容量型センサ。
前記マスク板は、貫通孔を備えた請求項１乃至３のいずれか１項に記載の静電容量型センサ。