JP2007295330A - Piezoelectric vibration chip, manufacturing method thereof, and piezoelectric vibration device - Google Patents

Piezoelectric vibration chip, manufacturing method thereof, and piezoelectric vibration device Download PDF

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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To restrain a shape pattern from being displaced in manufacturing a piezoelectric vibration chip. <P>SOLUTION: There are provided a second layer B (simultaneous forming layer) for simultaneously forming shape patterns of a contour pattern D of a substrate 21, and a groove pattern E of a groove 25; and a third layer C (discrimination layer) for discriminating the contour pattern D of the substrate 21 from the groove pattern E of the groove part 25. Using these layers, the shape patterns of the contour pattern D and the groove pattern E are simultaneously formed by the second layer B, and thereafter the contour pattern D and the groove pattern E are discriminated by the third layer C. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、圧電振動片の製造方法、圧電振動片、及び圧電振動デバイスに関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece, a piezoelectric vibrating piece, and a piezoelectric vibrating device.

現在、圧電振動デバイスとして、例えば、水晶発振器や水晶振動子などが挙げられる。この種の圧電振動デバイスでは、その本体筐体が直方体のパッケージで構成されている。このパッケージはベースと蓋とから構成され、このパッケージ内部には少なくとも水晶振動片などの圧電振動片が導電性接合材によりベースに保持接合されている。そして、ベースと蓋とが接合材により接合されることで、パッケージの内部の圧電振動片が気密封止されている。   Currently, examples of the piezoelectric vibration device include a crystal oscillator and a crystal resonator. In this type of piezoelectric vibration device, the main body casing is formed of a rectangular parallelepiped package. This package includes a base and a lid, and at least a piezoelectric vibrating piece such as a quartz vibrating piece is held and bonded to the base by a conductive bonding material. The base and the lid are bonded with a bonding material, whereby the piezoelectric vibrating reed inside the package is hermetically sealed.

ここでいう圧電振動片には、音叉型水晶振動片やATカット水晶振動片などがある。例えば、音叉型水晶振動片の場合、その基板が基部とこの基部の一端面から突出した2本の脚部とから構成され、脚部には両主面に溝部が形成されている。また、これら基部および脚部(溝部を含む)には、異電位で構成された励振電極と、励振電極を基部で外部電極と電気的に接続させるために励振電極から引き出された引出電極とが形成されている(例えば、特許文献1参照。)。   Examples of the piezoelectric vibrating piece include a tuning fork type quartz vibrating piece and an AT-cut quartz vibrating piece. For example, in the case of a tuning-fork type crystal vibrating piece, the substrate is composed of a base portion and two leg portions protruding from one end surface of the base portion, and groove portions are formed on both main surfaces of the leg portion. In addition, the base and the leg (including the groove) include an excitation electrode configured with a different potential, and an extraction electrode extracted from the excitation electrode in order to electrically connect the excitation electrode to the external electrode at the base. (For example, refer to Patent Document 1).

下記する特許文献1の圧電振動片(水晶振動片)の製造方法では、基板に水晶素板を用い、水晶振動片の外形を形成する外形パターンと、溝部を形成する溝パターンとの形成を別々の工程で行なっている。具体的に、下記する特許文献1の圧電振動片(水晶振動片)の製造方法を、以下に図13〜図15を用いて説明する。   In the method of manufacturing a piezoelectric vibrating piece (quartz vibrating piece) of Patent Document 1 described below, a quartz base plate is used as a substrate, and an outer pattern for forming the outer shape of the quartz vibrating piece and a groove pattern for forming a groove portion are separately formed. This process is performed. Specifically, a method of manufacturing a piezoelectric vibrating piece (quartz vibrating piece) of Patent Document 1 described below will be described below with reference to FIGS.

人工水晶(図示省略)から複数個の板状の水晶素板90に切出し形成し(図13(a)参照)、水晶素板90から複数個の水晶振動片の基板91を形成する(図15(m)参照)。   A plurality of plate-like crystal base plates 90 are cut out from an artificial crystal (not shown) (see FIG. 13A), and a plurality of crystal vibrating piece substrates 91 are formed from the crystal base plate 90 (FIG. 15). (See (m)).

まず、図13(a)に示す水晶素板90の両主面92上に、図13(b)に示すように、金属層95を形成する。そして、図13(c)に示すように、金属層95上にフォトレジスト層96(ポジレジスト層)を形成する。   First, as shown in FIG. 13B, a metal layer 95 is formed on both main surfaces 92 of the quartz base plate 90 shown in FIG. Then, as illustrated in FIG. 13C, a photoresist layer 96 (positive resist layer) is formed on the metal layer 95.

この状態で、水晶振動片の基板91の形状のうち外形93(図15(m)参照)を形成するために、図14(d)に示すように、フォトレジスト層96を露光し、現像液を用いて現像して露光した箇所を除去し、フォトレジスト層96における水晶振動片の外形パターン97を形成する。そして、フォトレジスト層96における基板91の外形パターン97を形成することで露出した金属層95をメタルエッチングによりエッチング除去し(図14(e)参照)、金属層95をエッチング除去した部分の水晶素板90を露出させる。水晶素板90の一部(金属層95をエッチング除去した部分)を露出させた後に、図14(f)に示すように、全てのフォトレジスト層96を剥離液を用いて剥離する。   In this state, in order to form the outer shape 93 (see FIG. 15 (m)) of the shape of the substrate 91 of the crystal vibrating piece, the photoresist layer 96 is exposed as shown in FIG. The exposed portion exposed by development is removed, and an external pattern 97 of the crystal vibrating piece in the photoresist layer 96 is formed. Then, the metal layer 95 exposed by forming the external pattern 97 of the substrate 91 in the photoresist layer 96 is removed by metal etching (see FIG. 14E), and the crystal element in the portion where the metal layer 95 is removed by etching is removed. The plate 90 is exposed. After exposing a portion of the quartz base plate 90 (the portion from which the metal layer 95 has been removed by etching), as shown in FIG. 14F, all the photoresist layers 96 are stripped using a stripping solution.

続いて、基板91の形状のうち溝部94(図15(m)参照)を形成するために、図14(g)に示すように、基板91の両主面92(剥離していない金属層95も含む)上にフォトレジスト層98(ポジレジスト層)を形成する。そして、溝部94を形成するためにフォトレジスト層98の一部(溝部94に相当する部分)を露光し、現像液を用いて現像して露光した箇所を除去し、フォトレジスト層98における水晶振動片の溝パターン99を形成する(図14(h)参照)。この際、基板91の外形パターン97に相当する部分のフォトレジスト層98もあわせて露光現像して剥離する。   Subsequently, in order to form the groove 94 (see FIG. 15 (m)) in the shape of the substrate 91, as shown in FIG. 14 (g), both main surfaces 92 (non-peeled metal layer 95) of the substrate 91 are formed. A photoresist layer 98 (positive resist layer) is formed on the substrate. Then, in order to form the groove 94, a part of the photoresist layer 98 (a part corresponding to the groove 94) is exposed, developed with a developer, and the exposed portion is removed, and the crystal vibration in the photoresist layer 98 is removed. A single groove pattern 99 is formed (see FIG. 14H). At this time, a portion of the photoresist layer 98 corresponding to the outer shape pattern 97 of the substrate 91 is also exposed and developed and peeled off.

基板91の外形パターン97と溝パターン99を形成した後に、図14(i)に示すよ
うに、基板91の外形93をエッチング形成する。そして、基板91の外形93をエッチング形成した後に、溝パターン99上の金属層95をメタルエッチングにより除去する(図15(j)参照)。
After the outer pattern 97 and the groove pattern 99 of the substrate 91 are formed, the outer shape 93 of the substrate 91 is formed by etching as shown in FIG. Then, after the outer shape 93 of the substrate 91 is formed by etching, the metal layer 95 on the groove pattern 99 is removed by metal etching (see FIG. 15 (j)).

溝パターン99上の金属膜95を除去した後に、水晶素板90からフォトレジスト層98を剥離液を用いて除去(剥離)する(図15(k)参照)。   After removing the metal film 95 on the groove pattern 99, the photoresist layer 98 is removed (peeled) from the quartz base plate 90 using a stripping solution (see FIG. 15 (k)).

そして、フォトレジスト層98を除去した後に図15(l)に示すように溝部94をエッチング形成し、溝部94をエッチング形成した後に水晶素板90から金属層95をメタルエッチングによりエッチング除去して図15(m)に示す水晶振動片の基板91を形成する。
特許第3729249号公報
Then, after removing the photoresist layer 98, a groove portion 94 is formed by etching as shown in FIG. 15 (l). After the groove portion 94 is formed by etching, the metal layer 95 is etched away from the quartz base plate 90 by metal etching. A substrate 91 of the crystal vibrating piece shown in FIG. 15 (m) is formed.
Japanese Patent No. 3729249

上記したように、特許文献1では、基板91の外形パターン97と溝パターン99を形成するためのフォトレジスト層96,98の露光現像工程がそれぞれ個別に2度行われる。すなわち、まず、フォトレジスト層96における基板91の外形パターン97を形成し、外形パターン97を形成した後にフォトレジスト層96を全て剥離して再度基板91の両主面92全面にフォトレジスト層98を新たに形成する。ここで形成したフォトレジスト層98を用いて、フォトレジスト層98における溝パターン99を形成する。そのため、圧電振動片(水晶振動片)の大量製造において、外形パターン97を形成した状態の基板91上に溝パターン99を形成する際に、外形パターン97に対する溝パターン99のパターンずれが生じる場合がある。この形状パターンのパターンずれは、圧電振動片(水晶振動片)の形状不良や発振周波数のバラツキの原因となる。   As described above, in Patent Document 1, the exposure and development steps of the photoresist layers 96 and 98 for forming the outer pattern 97 and the groove pattern 99 of the substrate 91 are performed twice separately. That is, first, the outer shape pattern 97 of the substrate 91 in the photoresist layer 96 is formed. After the outer shape pattern 97 is formed, the entire photoresist layer 96 is peeled off and the photoresist layer 98 is again formed on the entire main surfaces 92 of the substrate 91. Newly formed. Using the photoresist layer 98 formed here, a groove pattern 99 in the photoresist layer 98 is formed. Therefore, in mass production of piezoelectric vibrating reeds (quartz vibrating reeds), when the groove pattern 99 is formed on the substrate 91 in a state where the outer shape pattern 97 is formed, the pattern deviation of the groove pattern 99 with respect to the outer shape pattern 97 may occur. is there. This pattern deviation of the shape pattern causes a defective shape of the piezoelectric vibrating piece (quartz crystal vibrating piece) and variations in the oscillation frequency.

そこで、上記課題を解決するために、本発明は、当該圧電振動片を製造する際の形状パターンのパターンずれを抑制する圧電振動片の製造方法、圧電振動片、及び圧電振動デバイスを提供することを目的とする。   Therefore, in order to solve the above-described problems, the present invention provides a method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece, a piezoelectric vibrating piece, and a piezoelectric vibrating device that suppress a pattern shift of a shape pattern when the piezoelectric vibrating piece is manufactured. With the goal.

上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電振動片の製造方法は、基板素板の両主面に複数の形成層を積層して、この積層した前記形成層を用いて圧電振動片の基板の外形を形成し、かつ、前記基板の少なくとも一主面に少なくとも一つの溝部を形成する圧電振動片の製造方法において、前記基板の形状を形成するための前記形成層として、少なくとも、前記外形の外形パターンと前記溝部の溝パターンとの形状パターンを同時に形成するための同時形成層と、前記外形パターンと前記溝パターンとを区別するための区別層と、を用いて、前記同時形成層により前記外形パターンと前記溝パターンとの形状パターンを同時に形成した後に、前記区別層により前記外形パターンと前記溝パターンとを区別させることを特徴とする。   In order to achieve the above object, a method of manufacturing a piezoelectric vibrating piece according to the present invention includes stacking a plurality of forming layers on both main surfaces of a substrate base plate, and using the stacked forming layers, In the method of manufacturing a piezoelectric vibrating piece for forming an outer shape of a substrate and forming at least one groove on at least one main surface of the substrate, at least the outer shape as the forming layer for forming the shape of the substrate A simultaneous formation layer for simultaneously forming the shape pattern of the outer shape pattern and the groove pattern of the groove portion, and a distinction layer for distinguishing the outer shape pattern from the groove pattern, The shape pattern of the outer shape pattern and the groove pattern is simultaneously formed, and then the outer shape pattern and the groove pattern are distinguished by the distinction layer.

本発明によれば、前記形成層として前記同時形成層と前記区別層とを用いて、前記同時形成層により前記外形パターンと前記溝パターンとの形状パターンを同時に形成した後に、前記区別層により前記外形パターンと前記溝パターンとを区別させるので、当該圧電振動片を製造する際の前記基板の形状パターンのパターンずれを抑制することが可能となる。その結果、前記形状パターンのパターンずれが原因となる当該圧電振動片の形状不良や発振周波数のバラツキを抑制することが可能となる。特に、前記外形パターンと前記溝パターンの形成の際、これらの前記外形パターンと前記溝パターンとの位置検出を周知の画像認識工程により行う場合、前記位置検出がずれて前記外形パターンと前記溝パターンとの正確な位置を検出することができない場合が多い。この場合、周知の圧電振動片の製造方法では前記位置検出のずれが前記形状パターンのパターンずれに直接作用するが、本発明によれば前記位置検出がずれた場合であっても前記形状パターンのパターンずれが生じなくなる。   According to the present invention, the simultaneous formation layer and the distinction layer are used as the formation layer, and after the shape pattern of the outer shape pattern and the groove pattern is simultaneously formed by the simultaneous formation layer, the distinction layer causes the Since the outer pattern and the groove pattern are distinguished from each other, it is possible to suppress the pattern deviation of the shape pattern of the substrate when the piezoelectric vibrating piece is manufactured. As a result, it is possible to suppress the shape defect of the piezoelectric vibrating piece and the variation in the oscillation frequency caused by the pattern deviation of the shape pattern. In particular, when forming the outer shape pattern and the groove pattern, when position detection of the outer shape pattern and the groove pattern is performed by a known image recognition process, the position detection is shifted and the outer shape pattern and the groove pattern are shifted. In many cases, it is impossible to detect the exact position. In this case, in the known piezoelectric vibrating piece manufacturing method, the position detection shift directly affects the pattern shift of the shape pattern. However, according to the present invention, even if the position detection shifts, the shape pattern Pattern deviation does not occur.

また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電振動片の製造方法は、基板素板の両主面に複数の形成層を積層して、この積層した前記形成層を用いて圧電振動片の基板の外形を形成し、かつ、前記基板の少なくとも一主面に少なくとも一つの溝部を形成する圧電振動片の製造方法において、前記基板の形状を形成するための前記形成層として、少なくとも、前記基板素板を露出させて前記外形と前記溝部とのエッチング形成を行うための第1層と、前記外形の外形パターンと前記溝部の溝パターンとの形状パターンを同時に形成するための第2層と、前記外形パターンと前記溝パターンとを区別するための第3層と、を用いて、前記第2層により前記外形パターンと前記溝パターンとの形状パターンを同時に形成した後に、第3層により前記外形パターンと前記溝パターンとを区別させながら、前記第1層を用いて前記外形と前記溝部とを形成するために前記基板素板上の前記外形および前記溝部に該当する部分を露出させて前記外形と前記溝部とをエッチング形成する基板形成工程を有することを特徴とする。   In addition, in order to achieve the above object, a method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece according to the present invention includes stacking a plurality of forming layers on both main surfaces of a substrate base plate, and using the stacked forming layers to perform piezoelectric vibration. In the method of manufacturing a piezoelectric vibrating piece for forming the outer shape of the substrate of the piece and forming at least one groove portion on at least one main surface of the substrate, as the forming layer for forming the shape of the substrate, at least, A first layer for exposing the substrate base plate to perform etching formation of the outer shape and the groove portion, and a second layer for simultaneously forming a shape pattern of the outer shape pattern of the outer shape and the groove pattern of the groove portion And the third layer for distinguishing between the outer pattern and the groove pattern, and simultaneously forming the shape pattern of the outer pattern and the groove pattern by the second layer, In order to form the outer shape and the groove portion by using the first layer, the outer shape and the groove portion on the substrate base plate are exposed while distinguishing the outer shape pattern and the groove pattern. A substrate forming step of etching the outer shape and the groove.

本発明によれば、前記形成層として前記第1層と前記第2層と前記第3層とを用いて、基板形成工程を有するので、当該圧電振動片を製造する際の前記基板の形状パターンのパターンずれを抑制することが可能となる。その結果、前記形状パターンのパターンずれが原因となる当該圧電振動片の形状不良や発振周波数のバラツキを抑制することが可能となる。特に、前記外形パターンと前記溝パターンの形成の際、これらの前記外形パターンと前記溝パターンとの位置検出を周知の画像認識工程により行う場合、前記位置検出がずれて前記外形パターンと前記溝パターンとの正確な位置を検出することができない場合が多い。この場合、周知の圧電振動片の製造方法では前記位置検出のずれが前記形状パターンのパターンずれに直接作用するが、本発明によれば前記位置検出がずれた場合であっても前記形状パターンのパターンずれが生じなくなる。また、本発明によれば、前記形成層として前記第1層と前記第2層と前記第3層との3層を用いて前記基板形成工程を有するので、前記第2層による前記外形パターンと前記溝パターンとの形成時、および前記第3層による前記外形パターンと前記溝パターンとの区別時において、前記第1層により前記基板素板を被覆させることが可能となり、前記形状パターンと前記溝パターンとの形成時および区別時において前記基板素板への不要なエッチングを防止することが可能となる。   According to the present invention, since the first layer, the second layer, and the third layer are used as the forming layer and the substrate forming step is included, the shape pattern of the substrate when the piezoelectric vibrating piece is manufactured It is possible to suppress the pattern deviation. As a result, it is possible to suppress the shape defect of the piezoelectric vibrating piece and the variation in the oscillation frequency caused by the pattern deviation of the shape pattern. In particular, when forming the outer shape pattern and the groove pattern, when position detection of the outer shape pattern and the groove pattern is performed by a known image recognition process, the position detection is shifted and the outer shape pattern and the groove pattern are shifted. In many cases, it is impossible to detect the exact position. In this case, in the known piezoelectric vibrating piece manufacturing method, the position detection shift directly affects the pattern shift of the shape pattern. However, according to the present invention, even if the position detection shifts, the shape pattern Pattern deviation does not occur. Further, according to the present invention, since the substrate forming step is performed using three layers of the first layer, the second layer, and the third layer as the forming layer, the outer shape pattern by the second layer and When forming the groove pattern, and when distinguishing the outer shape pattern and the groove pattern by the third layer, it is possible to cover the substrate base plate with the first layer, and the shape pattern and the groove It is possible to prevent unnecessary etching of the substrate base plate when forming and distinguishing from the pattern.

前記方法において、前記基板形成工程では、前記外形と前記溝部とをそれぞれ個別にエッチング形成してもよい。   In the method, in the substrate forming step, the outer shape and the groove portion may be individually formed by etching.

この場合、前記基板形成工程では、前記外形と前記溝部とをそれぞれ個別にエッチング形成するので、前記基板の外形をエッチング形成するときのエッチング量と、前記溝部をエッチング形成するときのエッチング量を可変させることが可能となり、前記基板の外形と前記溝部とをそれぞれ任意の形状に形成することが可能となる。   In this case, in the substrate forming step, the outer shape and the groove portion are individually etched and formed, so that the etching amount when etching the outer shape of the substrate and the etching amount when etching the groove portion are variable. Thus, the outer shape of the substrate and the groove can be formed in arbitrary shapes.

前記方法において、前記基板形成工程は、前記基板素板の主面に前記第1層を形成する第1層形成工程と、前記第1層形成工程後に、前記第1層上に前記第2層を形成する第2層形成工程と、前記第2層形成工程後に、予め設定した前記基板の形状に基づいて前記第2層に前記外形パターンと前記溝パターンとの形状パターンを同時形成するパターン形成工程と、前記パターン形成工程後に、露出した前記第1層および前記第2層上に前記第3層を形成する第3層形成工程と、前記第3層形成工程後に、前記外形パターンと前記溝パターンとを区別するために、前記外形パターン上の前記第3層を除去し、かつ、前記第1層を除去する第1除去工程と、前記第1除去工程後に、前記外形をエッチング形成し、かつ、前記溝パターン上の前記第3層を除去する第2除去工程と、前記第2除去工程後に、前記溝パターン上の前記第1層を除去する第3除去工程と、前記第3除去工程後に、前記溝部をエッチング形成する溝部形成工程と、前記第3除去工程後に、前記基板から前記第1層と第2層とを除去する第4除去工程と、を含んでもよい。   In the method, the substrate forming step includes a first layer forming step of forming the first layer on a main surface of the substrate base plate, and the second layer on the first layer after the first layer forming step. A second layer forming step for forming a pattern, and a pattern forming for simultaneously forming a shape pattern of the outer shape pattern and the groove pattern on the second layer based on a preset shape of the substrate after the second layer forming step. A third layer forming step of forming the third layer on the exposed first layer and the second layer after the pattern forming step, and the outer pattern and the groove after the third layer forming step. In order to distinguish the pattern, a first removal step of removing the third layer on the outline pattern and removing the first layer; and after the first removal step, etching the outline, And the first on the groove pattern A second removal step for removing a layer; a third removal step for removing the first layer on the groove pattern after the second removal step; and a groove formation for etching the groove after the third removal step. And a fourth removal step of removing the first layer and the second layer from the substrate after the third removal step.

この場合、前記基板形成工程は、前記第1層形成工程と前記第2層形成工程と前記パターン形成工程と前記第3層形成工程と前記第1除去工程と前記第2除去工程と前記第3除去工程と前記溝部形成工程と前記第4除去工程とを含むので、前記パターン形成工程において前記外形パターンと前記溝パターンとの間隔を一定にすることが可能となり、前記外形パターンに対する前記溝パターンの位置ずれ(もしくは、前記溝パターンに対する前記外形パターンの位置ずれ)が起こるのを抑制することが可能となる。また、前記パターン形成工程の後に前記第3層形成工程および前記第1除去工程により、前記溝パターン上に前記第3層を覆っているので、前記第2除去工程において前記溝部のエッチング形成を全くせずに前記外形だけのエッチング形成を確実に行うことが可能となる。   In this case, the substrate formation step includes the first layer formation step, the second layer formation step, the pattern formation step, the third layer formation step, the first removal step, the second removal step, and the third. Since the removal step, the groove portion formation step, and the fourth removal step are included, it is possible to make the interval between the outer shape pattern and the groove pattern constant in the pattern formation step, and the groove pattern with respect to the outer shape pattern. It is possible to suppress occurrence of misalignment (or misalignment of the outer shape pattern with respect to the groove pattern). In addition, since the third layer is covered on the groove pattern by the third layer forming step and the first removing step after the pattern forming step, the etching of the groove is completely performed in the second removing step. Without this, it becomes possible to reliably perform the etching formation of only the outer shape.

前記方法において、前記第1層は金属層であり、前記第2層はネガレジスト層であり、前記第3層はポジレジスト層であってもよい。   In the method, the first layer may be a metal layer, the second layer may be a negative resist layer, and the third layer may be a positive resist layer.

この場合、前記第1層は金属層であり、前記第2層はネガレジスト層であり、前記第3層はポジレジスト層であるので、前記パターン形成工程において前記第2層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第1除去工程において前記第1層と前記第3層との該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第2除去工程において前記第3層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第3除去工程において前記第1層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第4除去工程において前記第1,2層を除去することが可能となる。このことは次に示す作用によるものである。前記第2層であるネガレジスト層を除去(剥離除去)する際に用いる剥離液は、ネガレジスト層だけでなく前記第3層であるポジレジスト層も除去(剥離除去)する。これに対して、前記第3層であるポジレジスト層を除去(剥離)する際に用いる剥離液は、前記第2層であるネガレジスト層を除去することはできない。これは、ネガレジスト層の材料が、ポジレジスト層の材料よりも粘着力があるゴム系材料であることに関係し、この粘着力の差を用いて前記第1,2除去工程を行うことが可能となる。また、前記第1層は、前記第2,3層とは材料が異なる金属層であり、前記第1層は前記第2,3層とは異なる除去方式(メタルエッチング)により除去する。そのため、本構成によれば、前記パターン形成工程と前記第1〜4除去工程を行うことが可能となる。   In this case, since the first layer is a metal layer, the second layer is a negative resist layer, and the third layer is a positive resist layer, only the corresponding portion of the second layer is formed in the pattern forming step. It is possible to remove only the corresponding portion of the first layer and the third layer in the first removal step, and only the corresponding portion of the third layer in the second removal step. It is possible to remove only the corresponding portion of the first layer in the third removal step, and it is possible to remove the first and second layers in the fourth removal step. This is due to the following action. The stripping solution used when removing (stripping and removing) the second resist layer removes not only the negative resist layer but also the third layer positive resist layer (stripping and removing). On the other hand, the stripper used when removing (stripping) the positive resist layer as the third layer cannot remove the negative resist layer as the second layer. This is related to the fact that the material of the negative resist layer is a rubber-based material having a higher adhesive strength than the material of the positive resist layer, and the first and second removal steps can be performed using the difference in the adhesive strength. It becomes possible. The first layer is a metal layer made of a material different from that of the second and third layers, and the first layer is removed by a removal method (metal etching) different from that of the second and third layers. Therefore, according to this configuration, the pattern forming step and the first to fourth removing steps can be performed.

前記方法において、前記第1層は金属層であり、前記第2層は前記第1層と比較して硬度が低い金属層であり、前記第3層はネガレジスト層であってもよい。   In the method, the first layer may be a metal layer, the second layer may be a metal layer having a lower hardness than the first layer, and the third layer may be a negative resist layer.

この場合、前記第1層は金属層であり、前記第2層は前記第1層と比較して硬度が低い金属層であり、前記第3層はネガレジスト層であるので、前記パターン形成工程において前記第2層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第1除去工程において前記第1層と前記第3層との該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第2除去工程において前記第3層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第3除去工程において前記第1層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第4除去工程において前記第1,2層を除去することが可能となる。このことは次に示す作用によるものである。前記第1,2層である金属層ではその硬度が異なるために同じ除去方式(メタルエッチング)を用いた場合であっても前記第1,2層の除去量(エッチング量)は異なり、この構成の場合前記第2層のほうが前記第1層よりも除去量が多い。また、前記第3層は、前記第1,2層とは材料が異なるネガレジスト層であり、前記第3層は前記第1,2層とは異なる除去方式(剥離液による除去)により除去する。そのため、本構成によれば、前記パターン形成工程と前記第1〜4除去工程を行うことが可能となる。また、この場合、除去量の基準の一つを前記第1,2層の硬度に設定して除去量(剥離量)の設定を容易にすることが可能となる。   In this case, since the first layer is a metal layer, the second layer is a metal layer having a lower hardness than the first layer, and the third layer is a negative resist layer, the pattern forming step In the first removal step, only the corresponding portion of the second layer can be removed. In the first removal step, only the corresponding portion of the first layer and the third layer can be removed, and the second removal step. In the third removal step, only the corresponding portion of the first layer can be removed, and in the third removal step, only the corresponding portion of the first layer can be removed. In the fourth removal step, the first and second portions can be removed. The layer can be removed. This is due to the following action. Since the metal layers which are the first and second layers have different hardnesses, the removal amount (etching amount) of the first and second layers is different even when the same removal method (metal etching) is used. In this case, the removal amount of the second layer is larger than that of the first layer. Further, the third layer is a negative resist layer made of a material different from that of the first and second layers, and the third layer is removed by a removal method (removal using a stripping solution) different from that of the first and second layers. . Therefore, according to this configuration, the pattern forming step and the first to fourth removing steps can be performed. In this case, it is possible to set the removal amount (peeling amount) easily by setting one of the removal amount standards as the hardness of the first and second layers.

前記方法において、前記第1層は金属層であり、前記第2層は前記第1層と比較して硬度が低い金属層であり、前記第3層はポジレジスト層であってもよい。   In the method, the first layer may be a metal layer, the second layer may be a metal layer having a lower hardness than the first layer, and the third layer may be a positive resist layer.

この場合、前記第1層は金属層であり、前記第2層は前記第1層と比較して硬度が低い金属層であり、前記第3層はポジレジスト層であるので、前記パターン形成工程において前記第2層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第1除去工程において前記第1層と前記第3層との該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第2除去工程において前記第3層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第3除去工程において前記第1層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第4除去工程において前記第1,2層を除去することが可能となる。このことは次に示す作用によるものである。前記第1,2層である金属層ではその硬度が異なるために同じ除去方式(メタルエッチング)を用いた場合であっても前記第1,2層の除去量(エッチング量)は異なり、この構成の場合前記第2層のほうが前記第1層よりも除去量が多い。また、前記第3層は、前記第1,2層とは材料が異なるポジレジスト層であり、前記第3層は前記第1,2層とは異なる除去方式(剥離液による除去)により除去する。そのため、本構成によれば、前記パターン形成工程と前記第1〜4除去工程を行うことが可能となる。また、この場合、除去量の基準の一つを前記第1,2層の硬度に設定して除去量(剥離量)の設定を容易にすることが可能となる。   In this case, since the first layer is a metal layer, the second layer is a metal layer having a lower hardness than the first layer, and the third layer is a positive resist layer, the pattern forming step In the first removal step, only the corresponding portion of the second layer can be removed. In the first removal step, only the corresponding portion of the first layer and the third layer can be removed, and the second removal step. In the third removal step, only the corresponding portion of the first layer can be removed, and in the third removal step, only the corresponding portion of the first layer can be removed. In the fourth removal step, the first and second portions can be removed. The layer can be removed. This is due to the following action. Since the metal layers which are the first and second layers have different hardnesses, the removal amount (etching amount) of the first and second layers is different even when the same removal method (metal etching) is used. In this case, the removal amount of the second layer is larger than that of the first layer. The third layer is a positive resist layer made of a material different from that of the first and second layers, and the third layer is removed by a different removal method (removal with a stripping solution) from the first and second layers. . Therefore, according to this configuration, the pattern forming step and the first to fourth removing steps can be performed. In this case, it is possible to set the removal amount (peeling amount) easily by setting one of the removal amount standards as the hardness of the first and second layers.

前記方法において、前記第1層は金属層であり、前記第2層はポジレジスト層であり、前記第3層は前記第2層と比較して粘着力が低いポジレジスト層であってもよい。   In the method, the first layer may be a metal layer, the second layer may be a positive resist layer, and the third layer may be a positive resist layer having a lower adhesive strength than the second layer. .

この場合、前記第1層は金属層であり、前記第2層はポジレジスト層であり、前記第3層は前記第2層と比較して粘着力が低いポジレジスト層であるので、前記パターン形成工程において前記第2層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第1除去工程において前記第1層と前記第3層との該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第2除去工程において前記第3層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第3除去工程において前記第1層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第4除去工程において前記第1,2層を除去することが可能となる。このことは次に示す作用によるものである。前記第2,3層であるポジレジスト層ではその粘着力が異なるために同じ除去方式(剥離液による除去)を用いた場合であっても前記第2,3層の除去量(剥離量)は異なり、この構成の場合前記第3層のほうが前記第2層よりも除去量が多い。また、前記第1層は、前記第2,3層とは材料が異なる金属層であり、前記第1層は前記第2,3層とは異なる除去方式(メタルエッチング)により除去する。そのため、本構成によれば、前記パターン形成工程と前記第1〜4除去工程を行うことが可能となる。また、この場合、除去量の基準の一つを前記第2,3層の粘着量に設定して除去量(剥離量)の設定を容易にすることが可能となる。   In this case, the first layer is a metal layer, the second layer is a positive resist layer, and the third layer is a positive resist layer having a lower adhesive strength than the second layer. It is possible to remove only the corresponding part of the second layer in the forming process, and it is possible to remove only the corresponding part of the first layer and the third layer in the first removing process. It is possible to remove only the corresponding portion of the third layer in the removing step, and it is possible to remove only the corresponding portion of the first layer in the third removing step, and the first portion in the fourth removing step. , Two layers can be removed. This is due to the following action. Since the adhesive strength of the positive resist layer which is the second and third layers is different, the removal amount (peeling amount) of the second and third layers is the same even when the same removal method (removal with a stripping solution) is used. In contrast, in this configuration, the third layer has a larger removal amount than the second layer. The first layer is a metal layer made of a material different from that of the second and third layers, and the first layer is removed by a removal method (metal etching) different from that of the second and third layers. Therefore, according to this configuration, the pattern forming step and the first to fourth removing steps can be performed. In this case, it is possible to set the removal amount (peeling amount) easily by setting one of the removal amount standards as the adhesion amount of the second and third layers.

前記方法において、前記第1層は金属層であり、前記第2層は前記第1層と比較して硬度が低い金属層であり、前記第3層は前記第2層と比較して硬度が低い金属層であってもよい。   In the method, the first layer is a metal layer, the second layer is a metal layer whose hardness is lower than that of the first layer, and the third layer is harder than that of the second layer. It may be a low metal layer.

この場合、前記第1層は金属層であり、前記第2層は前記第1層と比較して硬度が低い金属層であり、前記第3層は前記第2層と比較して硬度が低い金属層であるので、前記パターン形成工程において前記第2層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第1除去工程において前記第1層と前記第3層との該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第2除去工程において前記第3層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第3除去工程において前記第1層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第4除去工程において前記第1,2層を除去することが可能となる。このことは次に示す作用によるものである。前記第1〜3層である金属層ではそれぞれその硬度が異なるために同じ除去方式(メタルエッチング)を用いた場合であっても前記第1〜3層の除去量(エッチング量)は異なり、この構成の場合前記第2層のほうが前記第1層よりも除去量が多く、前記第3層のほうが前記第2層よりも除去量が多い。そのため、本構成によれば、前記パターン形成工程と前記第1〜4除去工程を行うことが可能となる。また、この場合、除去量の基準を前記第1〜3層の硬度に設定して除去量(エッチング量)の設定を容易にすることが可能となる。   In this case, the first layer is a metal layer, the second layer is a metal layer having a lower hardness than the first layer, and the third layer has a lower hardness than the second layer. Since it is a metal layer, it becomes possible to remove only the corresponding portion of the second layer in the pattern forming step, and only the corresponding portion of the first layer and the third layer is removed in the first removing step. It becomes possible to remove only the corresponding portion of the third layer in the second removal step, it is possible to remove only the corresponding portion of the first layer in the third removal step, In the fourth removal step, the first and second layers can be removed. This is due to the following action. The metal layers that are the first to third layers have different hardnesses, so even if the same removal method (metal etching) is used, the removal amount (etching amount) of the first to third layers is different. In the configuration, the second layer has a larger removal amount than the first layer, and the third layer has a larger removal amount than the second layer. Therefore, according to this configuration, the pattern forming step and the first to fourth removing steps can be performed. In this case, the removal amount (etching amount) can be easily set by setting the removal amount reference to the hardness of the first to third layers.

前記方法において、前記第2除去工程では、前記外形をエッチング形成した後に、前記溝パターン上の前記第3層を除去してもよい。または、前記方法において、前記第2除去工程では、前記溝パターン上の前記第3層を除去した後に、前記外形をエッチング形成してもよい。   In the method, in the second removing step, the third layer on the groove pattern may be removed after the outer shape is formed by etching. Alternatively, in the method, in the second removal step, the outer shape may be formed by etching after removing the third layer on the groove pattern.

前記方法において、前記圧電振動片は、音叉型圧電振動片であってもよい。または、前記方法において、前記圧電振動片は、厚みすべり振動系の振動片であってもよい。   In the method, the piezoelectric vibrating piece may be a tuning fork type piezoelectric vibrating piece. Alternatively, in the above method, the piezoelectric vibrating piece may be a thickness-shear vibration type vibrating piece.

前記方法において、前記第1層は金属膜であり、前記第1層を引き出し電極の少なくとも一部として用いてもよい。   In the method, the first layer may be a metal film, and the first layer may be used as at least a part of the extraction electrode.

この場合、前記第1層は金属膜であり、前記第1層を引き出し電極の少なくとも一部として用いるので、前記引き出し電極の重要箇所(例えば、圧電振動片からみて外部となるベースの電極パッドと直接接触する部分)の形成をさらに不具合なく確実に行うことが可能となる。   In this case, since the first layer is a metal film and the first layer is used as at least a part of the extraction electrode, an important portion of the extraction electrode (for example, an electrode pad of a base that is external to the piezoelectric vibrating piece and It is possible to reliably form the portion in direct contact without any trouble.

前記方法において、さらに、前記外形パターンと前記溝パターンの形成の際、これらのパターンの位置検出を行うために画像認識工程を有し、前記第1層は、金属膜であり、前記第1層を、前記画像認識工程において画像認識部として用いてもよい。   The method further includes an image recognition step for detecting a position of the outer pattern and the groove pattern, and the first layer is a metal film, and the first layer May be used as an image recognition unit in the image recognition step.

この場合、さらに、前記画像認識工程を有し、前記第1層は金属膜であり、前記第1層を前記画像認識工程において画像認識部として用いるので、新たに前記画像認識部を形成する工程を必要せずに、その結果製造工程の短縮を図ることが可能となる。   In this case, the method further includes the image recognition step, the first layer is a metal film, and the first layer is used as an image recognition unit in the image recognition step, so that the image recognition unit is newly formed. As a result, the manufacturing process can be shortened.

また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電振動片は、上記した圧電振動片の製造方法により製造されたことを特徴とする。   In order to achieve the above object, a piezoelectric vibrating piece according to the present invention is manufactured by the method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece described above.

本発明によれば、上記した圧電振動片の製造方法により製造されるので、上記した圧電振動片の製造方法と同様の作用効果を有し、その結果、当該圧電振動片を製造する際の前記形状パターンのパターンずれを抑制することが可能となる。つまり、前記形状パターンのパターンずれが原因となる当該圧電振動片の形状不良や発振周波数のバラツキを抑制した圧電振動片を得ることが可能となる。   According to the present invention, since it is manufactured by the above-described method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece, it has the same effect as the above-described method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece, and as a result, the piezoelectric vibrating piece is manufactured when the piezoelectric vibrating piece is manufactured. It becomes possible to suppress the pattern shift of the shape pattern. That is, it is possible to obtain a piezoelectric vibrating piece that suppresses the shape failure of the piezoelectric vibrating piece and the variation in oscillation frequency caused by the pattern deviation of the shape pattern.

また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電振動デバイスは、蓋とベースとの接合により成形される本体筐体の内部空間の前記ベース上に、少なくとも上記した圧電振動片が気密封止されたことを特徴とする。   In order to achieve the above object, the piezoelectric vibration device according to the present invention is such that at least the above-described piezoelectric vibration piece is hermetically sealed on the base in the internal space of the main body casing formed by joining the lid and the base. It is characterized by being stopped.

本発明によれば、前記蓋と前記ベースとの接合により成形される前記本体筐体の内部空間の前記ベース上に、少なくとも上記した圧電振動片が気密封止されるので、上記した圧電振動片の製造方法と同様の作用効果を有し、その結果、当該圧電振動片を製造する際の前記形状パターンのパターンずれを抑制することが可能となる。つまり、前記形状パターンのパターンずれが原因となる当該圧電振動片の形状不良や発振周波数のバラツキを抑制した圧電振動デバイスを得ることが可能となる。   According to the present invention, at least the above-described piezoelectric vibrating piece is hermetically sealed on the base in the internal space of the main body casing formed by joining the lid and the base. As a result, it is possible to suppress the pattern deviation of the shape pattern when the piezoelectric vibrating piece is manufactured. That is, it is possible to obtain a piezoelectric vibrating device that suppresses the shape defect of the piezoelectric vibrating piece and the variation in the oscillation frequency caused by the pattern deviation of the shape pattern.

本発明にかかる圧電振動片の製造方法、圧電振動片、及び圧電振動デバイスによれば、圧電振動片を製造する際の形状パターンのパターンずれを抑制することが可能となる。   According to the method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece, the piezoelectric vibrating piece, and the piezoelectric vibrating device according to the present invention, it is possible to suppress the pattern deviation of the shape pattern when the piezoelectric vibrating piece is manufactured.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施例では、圧電振動デバイスとして水晶振動子に本発明を適用した場合を示す。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, a case where the present invention is applied to a crystal resonator as a piezoelectric vibration device is shown.

本実施例1(以下、本実施例ともいう)にかかる水晶振動子1では、図1,2に示すように、音叉型の水晶振動片2(本発明でいう圧電振動片)と、この水晶振動片2を保持するベース3と、ベース3に保持した水晶振動片2を気密封止するための蓋4と、が設けられている。   As shown in FIGS. 1 and 2, in the crystal resonator 1 according to the first embodiment (hereinafter also referred to as the present embodiment), a tuning-fork type crystal vibrating piece 2 (piezoelectric vibrating piece referred to in the present invention) and the crystal A base 3 for holding the vibration piece 2 and a lid 4 for hermetically sealing the crystal vibration piece 2 held on the base 3 are provided.

この水晶振動子1では、ベース3と蓋4とから本体筐体5が構成されている。これらベース3と蓋4とが本体筐体用接合材61(以下、接合材61ともいう)を介して接合されて本体筐体5の内部空間が形成され、この本体筐体5の内部空間内のベース3上に水晶振動片用導電性接合材62(以下、導電性接合材ともいう)を介して水晶振動片2が保持接合されるとともに、本体筐体5の内部空間が気密封止されている。この際、図1,2に示すように、ベース3と水晶振動片2とは導電性接合材62を用いてFCB(Flip Chip BonDing)法により超音波接合されるとともに電気機械的に接合されている。本実施例で用いる導電性接合材62は、金などの金属材料からなる接続バンプである。なお、本実施例では接合材61に金(もしくは銀)と錫とからなる低融点材料が用いられている。次に、この水晶振動子1の各構成について説明する。   In this crystal unit 1, a main body housing 5 is composed of a base 3 and a lid 4. The base 3 and the lid 4 are bonded via a main body casing bonding material 61 (hereinafter also referred to as a bonding material 61) to form an internal space of the main body casing 5. The crystal resonator element 2 is held and bonded onto the base 3 via a crystal resonator element conductive bonding material 62 (hereinafter also referred to as a conductive bonding material), and the internal space of the body housing 5 is hermetically sealed. ing. At this time, as shown in FIGS. 1 and 2, the base 3 and the crystal vibrating piece 2 are ultrasonically bonded and electromechanically bonded by an FCB (Flip Chip Bonding) method using a conductive bonding material 62. Yes. The conductive bonding material 62 used in the present embodiment is a connection bump made of a metal material such as gold. In this embodiment, a low melting point material made of gold (or silver) and tin is used for the bonding material 61. Next, each configuration of the crystal resonator 1 will be described.

ベース3は、図1,2に示すように、底部31と、この底部31から上方に延出した堤部32とから構成される箱状体に形成されている。このベース3は、セラミック材料からなる平面視矩形状の一枚板上に、セラミック材料の直方体が積層して凹状に一体的に焼成されている。また、堤部32は、図1に示す底部31の表面外周に沿って成形されている。この堤部32の上面は、蓋4との接合領域となり、この接合領域には、蓋4と接合するためのメタライズ層(図示省略)が設けられている。なお、メタライズ層は、例えば、タングステンメタライズ層、あるいはモリブデンメタライズ層上にニッケル,金の順でメッキした構成とからなる。   As shown in FIGS. 1 and 2, the base 3 is formed in a box-like body including a bottom portion 31 and a bank portion 32 extending upward from the bottom portion 31. The base 3 is formed by laminating a rectangular parallelepiped of a ceramic material on a single plate having a rectangular shape in a plan view made of a ceramic material, and integrally firing in a concave shape. Moreover, the bank part 32 is shape | molded along the surface outer periphery of the bottom part 31 shown in FIG. The upper surface of the bank portion 32 is a bonding area with the lid 4, and a metallized layer (not shown) for bonding with the lid 4 is provided in the bonding area. The metallized layer has, for example, a structure in which nickel and gold are plated in this order on a tungsten metallized layer or a molybdenum metallized layer.

このベース3には、水晶振動片2の励振電極26それぞれと電気機械的に接合する複数の電極パッド34が形成されている。これら電極パッド34は、ベース3の外周裏面に形成される端子電極35にそれぞれ電気機械的に接合されている。これら端子電極35から外部部品や外部機器と接続される。なお、これら電極パッド34および端子電極35は、タングステン、モリブデン等のメタライズ材料を印刷した後にベース3と一体的に焼成して形成される。そして、これら電極パッド34および端子電極35のうち一部のものについては、メタライズ上部にニッケルメッキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成される。   The base 3 is formed with a plurality of electrode pads 34 that are electromechanically bonded to the excitation electrodes 26 of the crystal vibrating piece 2. These electrode pads 34 are each electromechanically bonded to terminal electrodes 35 formed on the outer peripheral back surface of the base 3. These terminal electrodes 35 are connected to external parts and external devices. The electrode pads 34 and the terminal electrodes 35 are formed by printing integrally with the base 3 after printing a metallized material such as tungsten or molybdenum. Some of these electrode pads 34 and terminal electrodes 35 are formed by forming nickel plating on the upper portion of the metallization and forming gold plating on the upper portion thereof.

蓋4は、金属材料からなり、図2に示すように、平面視矩形状の一枚板に成形されている。この蓋4の下面にはろう材からなる接合材61が形成されている。この蓋4は、シーム溶接やビーム溶接等の手法により接合材61を介してベース3に機械的に接合されて、蓋4とベース3とによる水晶振動子1の本体筐体5が構成される。なお、蓋4は、例えば、4層の熱膨張係数の異なる金属材料から形成されている。具体的に、ベース3との接合面となる蓋4の下面から、接合材61である錫と金(錫と金の割合を約2対8とする)、あるいは錫と銀の層、ニッケル層、コバール層及びニッケル層が順に積層されている。なお、本実施例では、接合材61が、蓋4の下面外周縁に沿った環状層に成形されている。   The lid 4 is made of a metal material and is formed into a single plate having a rectangular shape in plan view as shown in FIG. A bonding material 61 made of a brazing material is formed on the lower surface of the lid 4. The lid 4 is mechanically joined to the base 3 via a joining material 61 by a technique such as seam welding or beam welding, so that the body housing 5 of the crystal unit 1 is constituted by the lid 4 and the base 3. . The lid 4 is made of, for example, four layers of metal materials having different thermal expansion coefficients. Specifically, from the lower surface of the lid 4 serving as a joint surface with the base 3, tin and gold as the joining material 61 (the ratio of tin and gold is about 2 to 8), a tin and silver layer, or a nickel layer The Kovar layer and the nickel layer are sequentially laminated. In the present embodiment, the bonding material 61 is formed into an annular layer along the outer peripheral edge of the lower surface of the lid 4.

水晶振動片2は、図1に示すように、音叉型水晶振動片であり、異方性材料の水晶素板20(図3〜5参照)からエッチング形成された水晶Z板である。水晶振動片2の基板21は、2本の脚部22と基部23とから構成された外形28からなり、2本の脚部22が基部23から突出して形成されている。また、2本の脚部22の両主面24には、水晶振動片2の小型化により劣化する直列共振抵抗値を改善させるために、溝部25が形成されている。この水晶振動片2の両主面24には、異電位で構成された2つの励振電極26と、これらの励振電極26をベース3の電極パッド34に電気機械的に接合させるための引き出し電極27とが形成されている。この引き出し電極27は励振電極26から基部23に引き出されている。そして、基部23に形成された引き出し電極27とベース3の電極パッド34が導電性接合材62により接合されて、励振電極26と電極パッド34とが電気機械的に接合される。なお、水晶振動片2の励振電極26、引き出し電極27は、例えば、クロムの下地電極層と、金の上部電極層とから構成された積層薄膜である。この薄膜は、真空蒸着法やスパッタリング法等の手法により全面に形成された後、フォトリソグラフィ法によりメタルエッチングして所望の形状に形成される。   As shown in FIG. 1, the quartz crystal vibrating piece 2 is a tuning fork type quartz crystal vibrating piece, and is a quartz crystal Z plate formed by etching from a quartz base plate 20 (see FIGS. 3 to 5) made of anisotropic material. The substrate 21 of the crystal vibrating piece 2 has an outer shape 28 composed of two leg portions 22 and a base portion 23, and the two leg portions 22 are formed so as to protrude from the base portion 23. Further, in both main surfaces 24 of the two leg portions 22, a groove portion 25 is formed in order to improve a series resonance resistance value that deteriorates due to the miniaturization of the crystal vibrating piece 2. On both main surfaces 24 of the quartz crystal vibrating piece 2, two excitation electrodes 26 configured with different potentials, and lead electrodes 27 for electromechanically joining these excitation electrodes 26 to the electrode pads 34 of the base 3. And are formed. The extraction electrode 27 is extracted from the excitation electrode 26 to the base 23. The lead electrode 27 formed on the base 23 and the electrode pad 34 of the base 3 are joined by the conductive joining material 62, and the excitation electrode 26 and the electrode pad 34 are joined electromechanically. The excitation electrode 26 and the extraction electrode 27 of the quartz crystal resonator element 2 are, for example, laminated thin films composed of a chromium base electrode layer and a gold upper electrode layer. This thin film is formed on the entire surface by a technique such as vacuum deposition or sputtering, and then formed into a desired shape by metal etching by photolithography.

ところで、上記した水晶振動片2の基板21の形状のうち外形28および溝部25は、その両主面24に3つの形成層A,B,C(図3〜5に示す第1〜3層)を積層して、この積層した第1〜3層A,B,Cを用いて形成する。なお、本実施例では、基板21の形状を形成するための形成層A,B,Cとして、基板21を露出させて基板21の外形28と溝部25とのエッチング形成を行うための第1層Aと、基板21の外形パターンDと溝部25の溝パターンEとの形状パターンを同時に形成するための第2層B(本発明でいう同時形成層)と、基板21の外形パターンDと溝部25の溝パターンEとを区別するための第3層C(本発明でいう区別層)と、を用いる。なお、本実施例では、第1層AとしてCr(クロム)とAu(金)とからなる金属層を用い、第2層Bとしてキシレンを主成分とするネガレジスト層を用い、第3層Cとして乳酸エチルと酢酸ブチルとを主成分とするポジレジスト層を用いる。   By the way, out of the shape of the substrate 21 of the crystal resonator element 2 described above, the outer shape 28 and the groove 25 have three formation layers A, B, and C (first to third layers shown in FIGS. 3 to 5) on both main surfaces 24. Are formed using the laminated first to third layers A, B, and C. In the present embodiment, as the formation layers A, B, and C for forming the shape of the substrate 21, a first layer for etching the outer shape 28 and the groove 25 of the substrate 21 by exposing the substrate 21. A, a second layer B (simultaneously formed layer in the present invention) for simultaneously forming the shape pattern of the outer shape pattern D of the substrate 21 and the groove pattern E of the groove portion 25, and the outer shape pattern D and the groove portion 25 of the substrate 21. The third layer C (the distinguishing layer in the present invention) for distinguishing from the groove pattern E is used. In this embodiment, a metal layer made of Cr (chromium) and Au (gold) is used as the first layer A, a negative resist layer mainly containing xylene is used as the second layer B, and the third layer C is used. A positive resist layer mainly composed of ethyl lactate and butyl acetate is used.

そして、水晶振動片2の基板21の形成工程では、上記した形成層A,B,Cを用いて、第2層Bにより外形パターンDと溝パターンEとの形状パターンを同時に形成した後に、第3層Cにより外形パターンDと溝パターンEとを区別させながら、第1層Aを用いて基板21の外形28と溝部25とに該当する基板部分を露出させて基板21の外形28と溝部25とをそれぞれ個別にエッチング形成して(本発明でいう基板形成工程)、水晶振動片2の基板21を形成する。   And in the formation process of the board | substrate 21 of the crystal vibrating piece 2, after forming the shape pattern of the external shape pattern D and the groove pattern E by the 2nd layer B simultaneously using the above-mentioned formation layers A, B, and C, the first While distinguishing the outer pattern D and the groove pattern E by the three layers C, the substrate portion corresponding to the outer shape 28 and the groove portion 25 of the substrate 21 is exposed using the first layer A, and the outer shape 28 and the groove portion 25 of the substrate 21 are exposed. Are separately formed by etching (substrate forming step referred to in the present invention) to form the substrate 21 of the crystal vibrating piece 2.

この基板形成工程を更に詳説すると、人工水晶(図示省略)から複数個の板状の水晶素板20(本発明でいう基板素板)に切出し形成し(図3(a)参照)、水晶素板20から複数個の水晶振動片2の基板21を形成する(図5(m)参照)。なお、図3〜5では、水晶素板20および基板21の一部側面を示し、図1に示す基板21のA3-A3線断面図に相当する図である。そして、この水晶素板20は水晶Z板であり、人工水晶から切出し形成する際、直交座標系においてX軸とY軸とからなるXY平面をX軸回りに傾けたものである。   The substrate forming process will be described in more detail. The artificial quartz crystal (not shown) is cut and formed into a plurality of plate-like quartz base plates 20 (substrate base plate in the present invention) (see FIG. 3A). The board | substrate 21 of the some crystal vibrating piece 2 is formed from the board 20 (refer FIG.5 (m)). 3 to 5 are partial side views of the quartz base plate 20 and the substrate 21 and correspond to the cross-sectional view taken along the line A3-A3 of the substrate 21 shown in FIG. The quartz base plate 20 is a quartz Z plate, which is obtained by inclining an XY plane composed of the X axis and the Y axis in the orthogonal coordinate system around the X axis when cut out from the artificial quartz crystal.

まず、図3(a)に示す水晶素板20の両主面24上に、図3(b)に示すように、第1層Aを形成する(本発明でいう第1層形成工程)。そして、図3(b)に示すように形成した第1層A上に、図3(c)に示すように、第2層Bを形成する(本発明でいう第2層形成工程)。   First, as shown in FIG. 3B, the first layer A is formed on both main surfaces 24 of the quartz base plate 20 shown in FIG. 3A (first layer forming step in the present invention). Then, on the first layer A formed as shown in FIG. 3B, a second layer B is formed as shown in FIG. 3C (second layer forming step in the present invention).

第2層形成工程後に、図4(d)に示すように、予め設定した基板21の形状に基づいて、第2層Bに外形パターンDと溝パターンEとの形状パターンを同時形成する(本発明でいうパターン形成工程)。具体的に、基板21の外形28および溝部25を形成するために、水晶素板20上の基板21の外形28および溝部25に該当する部分(該当箇所)の第2層Bを露光し、現像液を用いて現像して露光した箇所を除去し、第2層Bにおける水晶振動片2の外形パターンDおよび溝パターンEを形成する。なお、本実施例では、基板21の外形28と溝部25の形状を基板21の形状として設定している。   After the second layer forming step, as shown in FIG. 4D, based on the preset shape of the substrate 21, the shape patterns of the outer shape pattern D and the groove pattern E are simultaneously formed on the second layer B (this book). Pattern forming step referred to in the invention). Specifically, in order to form the outer shape 28 and the groove portion 25 of the substrate 21, the second layer B of the portion (corresponding portion) corresponding to the outer shape 28 and the groove portion 25 of the substrate 21 on the crystal base plate 20 is exposed and developed. The portion exposed by developing with a liquid is removed, and the external pattern D and the groove pattern E of the crystal vibrating piece 2 in the second layer B are formed. In this embodiment, the shape of the outer shape 28 and the groove portion 25 of the substrate 21 is set as the shape of the substrate 21.

パターン形成工程後に、図4(e)に示すように、露出した第1層Aおよび第2層B上に第3層Cを形成する(本発明でいう第3層形成工程)。   After the pattern forming step, as shown in FIG. 4E, a third layer C is formed on the exposed first layer A and second layer B (third layer forming step in the present invention).

第3層形成工程後に、第2層Bにおける外形パターンDと溝パターンEとを区別するために、図4(f)に示すように、外形パターンD上の第3層Cを露光し、現像液を用いて現像して露光した箇所を除去し、かつ、第2層Bにおける溝パターンE上の第3層Cを除去せずに形成した状態とする。この状態で、図4(g)に示すように、露出した第1層Aをメタルエッチングによりエッチング除去する(本発明でいう第1除去工程)。   After the third layer forming step, the third layer C on the outer pattern D is exposed and developed in order to distinguish the outer pattern D and the groove pattern E in the second layer B, as shown in FIG. The portion exposed by development using a liquid is removed, and the third layer C on the groove pattern E in the second layer B is formed without being removed. In this state, as shown in FIG. 4G, the exposed first layer A is removed by metal etching (first removal step referred to in the present invention).

第1除去工程後に、図4(h),図4(i)に示すように、外形28をエッチング形成
し、かつ、溝パターンE上の第3層Cを除去する(本発明でいう第2除去工程)。なお、本実施例にかかる第2除去工程を詳説すると、まず、溝パターンE上の第3層Cを剥離液を用いて除去(剥離)し(図4(h)参照)、その後に外形28をエッチング形成する(図4(i)参照)。
After the first removal step, as shown in FIGS. 4 (h) and 4 (i), the outer shape 28 is formed by etching, and the third layer C on the groove pattern E is removed (the second layer in the present invention). Removal step). The second removal step according to the present embodiment will be described in detail. First, the third layer C on the groove pattern E is removed (peeled) using a stripping solution (see FIG. 4H), and then the outer shape 28 is removed. Is formed by etching (see FIG. 4I).

第2除去工程後に、図5(j)に示すように、溝パターンE上の第1層Aをメタルエッチングによりエッチング除去する(本発明でいう第3除去工程)。   After the second removal step, as shown in FIG. 5 (j), the first layer A on the groove pattern E is removed by metal etching (third removal step in the present invention).

第3除去工程後に、水晶素板20から第2層Bを剥離液を用いて除去(剥離)し(図5(k)参照)、第2層Bを除去した後に溝部25をエッチング形成し(図5(l)参照)、溝部25をエッチング形成した後に水晶素板20から第1層Aをメタルエッチングによりエッチング除去して図5(m)に示す水晶振動片2の基板21を形成する(本発明でいう溝部形成工程と第4除去工程)。   After the third removal step, the second layer B is removed (peeled) from the quartz base plate 20 using a stripping solution (see FIG. 5 (k)), and after removing the second layer B, the groove 25 is formed by etching ( After the groove 25 is formed by etching, the first layer A is etched away from the quartz base plate 20 by metal etching to form the substrate 21 of the crystal vibrating piece 2 shown in FIG. (Groove formation step and fourth removal step) in the present invention).

なお、本実施例では、上記した第2層Bを剥離(現像)させるために用いる剥離液や現像液と、第3層Cを剥離(現像)させるために用いる剥離液や現像液とは異なる材料を用いる。具体的に、第2層Bであるネガレジスト層を除去する際に用いる剥離液(現像液)は、ネガレジスト層だけでなく第3層Cであるポジレジスト層も除去する材料である。これに対して、第3層Cであるポジレジスト層を除去する際に用いる剥離液(現像液)は、第2層Bであるネガレジスト層を除去することはできない材料である。   In the present embodiment, the peeling solution or developer used for peeling (developing) the second layer B is different from the peeling solution or developing solution used for peeling (developing) the third layer C. Use materials. Specifically, the stripping solution (developer) used when removing the negative resist layer as the second layer B is a material for removing not only the negative resist layer but also the positive resist layer as the third layer C. On the other hand, the stripping solution (developer) used when removing the positive resist layer which is the third layer C is a material which cannot remove the negative resist layer which is the second layer B.

また、上記した第1層Aのメタルエッチングには、ウェットエッチングやドライエッチングや電界エッチングなどがある。   The metal etching for the first layer A includes wet etching, dry etching, electric field etching, and the like.

上記したように、本実施例にかかる水晶振動片2の製造方法によれば、形成層として同時形成層(第2層B)と区別層(第3層C)とを用いて、同時形成層により外形パターンDと溝パターンEとの形状パターンを同時に形成した後に、区別層により外形パターンDと溝パターンEとを区別させるので、水晶振動片2を製造する際の基板21の形状パターンのパターンずれを抑制することができる。その結果、形状パターンのパターンずれが原因となる水晶振動片2の形状不良や発振周波数のバラツキを抑制することができる。特に、外形パターンDと溝パターンEの形成の際、これらの外形パターンDと溝パターンEとの位置検出を周知の画像認識工程により行う場合、位置検出がずれて外形パターンDと溝パターンEとの正確な位置を検出することができない場合が多い。この場合、上記した図13〜15に示すような従来例(周知)の水晶振動片の製造方法では位置検出のずれが形状パターンのパターンずれに直接作用するが、本実施例によれば位置検出がずれた場合であっても形状パターンのパターンずれが生じなくなる。   As described above, according to the method for manufacturing the quartz crystal vibrating piece 2 according to the present embodiment, the simultaneous formation layer is formed by using the simultaneous formation layer (second layer B) and the distinction layer (third layer C) as the formation layer. After the shape pattern of the outer shape pattern D and the groove pattern E is formed at the same time, the outer shape pattern D and the groove pattern E are discriminated by the distinction layer, so that the pattern of the shape pattern of the substrate 21 when manufacturing the crystal vibrating piece 2 Deviation can be suppressed. As a result, it is possible to suppress the shape defect of the crystal vibrating piece 2 and the variation in the oscillation frequency caused by the pattern deviation of the shape pattern. In particular, when the outer pattern D and the groove pattern E are formed, when position detection of the outer pattern D and the groove pattern E is performed by a known image recognition process, the position detection is shifted and the outer pattern D and the groove pattern E In many cases, it is not possible to detect the exact position of. In this case, in the conventional (well-known) crystal vibrating piece manufacturing method as shown in FIGS. 13 to 15 described above, the position detection deviation directly affects the pattern deviation of the shape pattern. Even if they are shifted, pattern displacement of the shape pattern does not occur.

また、本実施例にかかる水晶振動片2の製造方法によれば、形成層として第1層Aと第2層Bと第3層Cとを用い、基板形成工程を有するので、上記した作用効果を有するだけなく、第2層Bによる外形パターンDと溝パターンEとの形成時、および第3層Cによる外形パターンDと溝パターンEとの区別時において、第1層Aにより水晶素板20を被覆させることができ、形状パターンDおよび溝パターンの形成時および区別時において水晶素板20への不要なエッチングを防止することができる。   In addition, according to the method for manufacturing the quartz crystal vibrating piece 2 according to the present embodiment, the first layer A, the second layer B, and the third layer C are used as the formation layers, and the substrate forming step is included. In addition, when forming the outer shape pattern D and the groove pattern E by the second layer B and when distinguishing the outer shape pattern D and the groove pattern E by the third layer C, the crystal element plate 20 is formed by the first layer A. Thus, unnecessary etching of the quartz base plate 20 can be prevented when forming and distinguishing the shape pattern D and the groove pattern.

また、基板形成工程では、外形28と溝部25とをそれぞれ個別にエッチング形成するので、基板21の外形28をエッチング形成するときのエッチング量と、溝部25をエッチング形成するときのエッチング量を可変させることができ、基板21の外形28と溝部25とをそれぞれ任意の形状に形成することができる。   Further, in the substrate forming step, the outer shape 28 and the groove portion 25 are individually etched and formed, so that the etching amount when the outer shape 28 of the substrate 21 is formed by etching and the etching amount when the groove portion 25 is formed by etching are varied. The outer shape 28 and the groove 25 of the substrate 21 can be formed in arbitrary shapes.

また、基板形成工程は、第1層形成工程と第2層形成工程とパターン形成工程と第3層形成工程と第1除去工程と第2除去工程と第3除去工程と溝部形成工程と第4除去工程とを含むので、パターン形成工程において外形パターンDと溝パターンEとの間隔を一定にすることができ、外形パターンDに対する溝パターンEの位置ずれ(もしくは、溝パターンEに対する外形パターンDの位置ずれ)が起こるのを抑制することができる。また、パターン形成工程の後に第3層形成工程および第1除去工程により、溝パターンE上に第3層Cを覆っているので、第2除去工程において溝部25のエッチング形成を全くせずに外形28だけのエッチング形成を確実に行うことができる。   The substrate forming process includes a first layer forming process, a second layer forming process, a pattern forming process, a third layer forming process, a first removing process, a second removing process, a third removing process, a groove forming process, and a fourth. And the removal step, the interval between the outer shape pattern D and the groove pattern E can be made constant in the pattern formation step, and the positional deviation of the groove pattern E with respect to the outer shape pattern D (or the outer shape pattern D with respect to the groove pattern E) It is possible to suppress occurrence of misalignment. Further, since the third layer C is covered on the groove pattern E by the third layer forming step and the first removing step after the pattern forming step, the outer shape is formed without performing the etching of the groove 25 in the second removing step. Only 28 etching formation can be performed reliably.

また、第1層は金属層であり、第2層はネガレジスト層であり、第3層はポジレジスト層であるので、パターン形成工程において第2層Bの該当箇所のみを除去することができ、第1除去工程において第1層Aと第3層Cとの該当箇所のみを除去することができ、第2除去工程において第3層Cの該当箇所のみを除去することができ、第3除去工程において第1層Aの該当箇所のみを除去することができ、第4除去工程において第1,2層A,Bを除去することができる。このことは次に示す作用によるものである。第2層Bであるネガレジスト層を除去(剥離除去)する際に用いる剥離液は、ネガレジスト層だけでなく第3層Cであるポジレジスト層も除去(剥離除去)する。これに対して、第3層Cであるポジレジスト層を除去(剥離)する際に用いる剥離液は、第2層Bであるネガレジスト層を除去することはできない。これは、ネガレジスト層の材料が、ポジレジスト層の材料よりも粘着力があるゴム系材料であることに関係し、この粘着力の差を用いて第1,2除去工程を行うことができる。また、第1層Aは、第2,3層B,Cとは材料が異なる金属層であり、第1層Aは第2,3層B,Cとは異なる除去方式(メタルエッチング)により除去する。そのため、本実施例によれば、パターン形成工程と第1〜4除去工程を行うことができる。   Further, since the first layer is a metal layer, the second layer is a negative resist layer, and the third layer is a positive resist layer, only the corresponding portion of the second layer B can be removed in the pattern forming process. In the first removal step, only the corresponding portion of the first layer A and the third layer C can be removed, and in the second removal step, only the corresponding portion of the third layer C can be removed. Only the corresponding part of the first layer A can be removed in the process, and the first, second layers A and B can be removed in the fourth removal process. This is due to the following action. The stripping solution used for removing (stripping and removing) the negative resist layer as the second layer B removes (stripping and removing) the positive resist layer as the third layer C as well as the negative resist layer. On the other hand, the stripper used when removing (stripping) the positive resist layer as the third layer C cannot remove the negative resist layer as the second layer B. This is related to the fact that the material of the negative resist layer is a rubber-based material that has a higher adhesive strength than the material of the positive resist layer, and the first and second removal steps can be performed using this difference in adhesive strength. . The first layer A is a metal layer made of a different material from the second and third layers B and C, and the first layer A is removed by a removal method (metal etching) different from that of the second and third layers B and C. To do. Therefore, according to the present Example, a pattern formation process and the 1st-4th removal process can be performed.

また、本実施例にかかる水晶振動片2によれば、上記した水晶振動片2の製造方法により製造されるので、上記した水晶振動片2の製造方法と同様の作用効果を有し、その結果、水晶振動片2を製造する際の形状パターンのパターンずれを抑制することができる。つまり、形状パターンのパターンずれが原因となる水晶振動片2の形状不良や発振周波数のバラツキを抑制した水晶振動片を得ることができる。   Further, according to the quartz crystal resonator element 2 according to the present embodiment, the quartz crystal resonator element 2 is manufactured by the above-described method for manufacturing the quartz crystal oscillator piece 2, and thus has the same effects as the above-described method for manufacturing the quartz crystal oscillator piece 2. Further, it is possible to suppress the pattern shift of the shape pattern when manufacturing the crystal vibrating piece 2. That is, it is possible to obtain a crystal resonator element that suppresses the shape defect of the crystal resonator element 2 and the variation in the oscillation frequency caused by the pattern deviation of the shape pattern.

また、本実施例にかかる水晶振動子1によれば、蓋4とベース3との接合により成形される本体筐体5の内部空間のベース3上に、少なくとも上記した水晶振動片2が気密封止されるので、上記した水晶振動片2の製造方法と同様の作用効果を有し、その結果、水晶振動片2を製造する際の形状パターンのパターンずれを抑制することができる。つまり、形状パターンのパターンずれが原因となる水晶振動片2の形状不良や発振周波数のバラツキを抑制した水晶振動子1を得ることができる。   Further, according to the crystal resonator 1 according to the present embodiment, at least the above-described crystal resonator element 2 is hermetically sealed on the base 3 in the internal space of the main body housing 5 formed by joining the lid 4 and the base 3. Therefore, the same effect as that of the method for manufacturing the quartz crystal vibrating piece 2 described above can be obtained. As a result, the pattern deviation of the shape pattern when the quartz crystal vibrating piece 2 is manufactured can be suppressed. That is, it is possible to obtain the crystal resonator 1 in which the shape defect of the crystal vibrating piece 2 and the variation in the oscillation frequency caused by the pattern deviation of the shape pattern are suppressed.

なお、本実施例では、本体筐体5の内部空間のベース3上に水晶振動片2を気密封止した状態で設けているが、本体筐体5の内部空間のベース3上に設ける部材は水晶振動片2単体だけに限定されるものではなく、さらに集積回路素子や別の水晶振動片などの電子部品を設けてもよい。   In the present embodiment, the quartz crystal resonator element 2 is provided in a state of being hermetically sealed on the base 3 in the internal space of the main body housing 5, but the members provided on the base 3 in the internal space of the main body housing 5 are The crystal vibrating piece 2 is not limited to a single unit, and an electronic component such as an integrated circuit element or another crystal vibrating piece may be provided.

また、本実施例では、図1,図2に示すように、平面視矩形上の一枚板の直方体に成形された蓋4と、凹状に成形されたベース3とを用いているが、これに限定されるものではない。ベース3と蓋4とにより水晶振動片2を気密封止できれば、ベース3と蓋4の形状は任意に設定してもよい。すなわち、ベース3の接合領域は底部31の表面外周に沿って成形された堤部32上に限定されず、蓋4とベース3との接合を行い、かつ、本体筐体5の内部空間を形成するとともに内部空間を気密封止することが可能であれば、任意に設計してもよい。   In this embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, a lid 4 formed in a rectangular parallelepiped on a rectangular plate in plan view and a base 3 formed in a concave shape are used. It is not limited to. If the crystal vibrating piece 2 can be hermetically sealed by the base 3 and the lid 4, the shapes of the base 3 and the lid 4 may be arbitrarily set. That is, the joining region of the base 3 is not limited to the bank portion 32 formed along the outer periphery of the surface of the bottom portion 31, but the lid 4 and the base 3 are joined and the internal space of the main body housing 5 is formed. In addition, any design may be used as long as the internal space can be hermetically sealed.

また、本実施例では、接合材61が蓋4に設けられているが、これに限定されるものではなく、ベース3に設けられてもよい。また、蓋4とベース3とのどちらにも設けられずに、蓋4とベース3との接合の際に用いられてもよい。   In the present embodiment, the bonding material 61 is provided on the lid 4, but is not limited thereto, and may be provided on the base 3. Further, it may be used when joining the lid 4 and the base 3 without being provided on either the lid 4 or the base 3.

また、本実施例では、水晶振動片2を導電性接合材62により直接ベース3に接合しているが、これに限定されるものではなく、他の部材を介して水晶振動片2をベース3に間接的に接合してもよい。たとえば、水晶振動片2への外的な応力を軽減させるためにサポート材を介して水晶振動片2をベース3に接合してもよい。   In the present embodiment, the crystal vibrating piece 2 is directly bonded to the base 3 by the conductive bonding material 62. However, the present invention is not limited to this, and the crystal vibrating piece 2 is connected to the base 3 via another member. You may join indirectly. For example, the crystal vibrating piece 2 may be joined to the base 3 via a support material in order to reduce external stress on the crystal vibrating piece 2.

また、上記した本実施例にかかる水晶振動子1では、導電性接合材62として金などの金属材料からなる接続バンプのみを用いているが、他の金属材料の接続バンプからなってもよい。また、接続バンプに限らずシリコーン樹脂などからなる導電性樹脂接着剤を用いてもよい。   Further, in the above-described crystal resonator 1 according to the present embodiment, only the connection bump made of a metal material such as gold is used as the conductive bonding material 62, but it may be made of a connection bump of another metal material. Moreover, you may use the conductive resin adhesive which consists of not only a connection bump but a silicone resin.

また、本実施例では、第1除去工程後に、図4(h),図4(i)に示すように第2除
去工程を行なっているが、これに限定される工程ではなく、外形28をエッチング形成し、かつ、溝パターンE上の第3層Cを除去すればよく、例えば、図6(h’),図6(i
’)に示すように、まず、外形28をエッチング形成し(図6(h’)参照)、その後に溝パターンE上の第3層Cを除去してもよい(図6(i’)参照)。
In this embodiment, after the first removal step, the second removal step is performed as shown in FIGS. 4 (h) and 4 (i). However, the outer shape 28 is not limited to this step. Etching is performed and the third layer C on the groove pattern E may be removed. For example, FIG. 6 (h ′), FIG.
As shown in FIG. 6 (a), first, the outer shape 28 may be formed by etching (see FIG. 6 (h ′)), and then the third layer C on the groove pattern E may be removed (see FIG. 6 (i ′)). ).

また、本実施例では、第3除去工程後に、図5に示すように溝部形成工程と第4除去工程とを行なっているが、これら溝部形成工程と第4除去工程はこれに限定されるものではなく、第3除去工程後に溝部形成工程と第4除去工程を行なえればよい。そのため、溝部形成工程と第4除去工程との工程順は任意に変更してもよく、例えば、第3除去工程後にまず溝部25をエッチング形成し、溝部25をエッチング形成した後に基板21から第2層Bを除去し、第2層Bを基板21から除去した後に基板21から第1層Aを除去して水晶振動片2の基板21を形成してもよい。   In this embodiment, after the third removal step, the groove forming step and the fourth removing step are performed as shown in FIG. 5, but the groove forming step and the fourth removing step are limited to this. Instead, the groove forming process and the fourth removing process may be performed after the third removing process. Therefore, the order of the groove portion forming step and the fourth removing step may be arbitrarily changed. For example, the groove portion 25 is first formed by etching after the third removing step, and the groove portion 25 is formed by etching and then the second portion is removed from the substrate 21. The substrate 21 of the crystal vibrating piece 2 may be formed by removing the layer B and removing the second layer B from the substrate 21 and then removing the first layer A from the substrate 21.

また、本実施例では、基板21の両主面24に溝部25を形成するが、これに限定されるものではなく、基板21の少なくとも一主面に少なくとも一つの溝部を形成すればよい。   In this embodiment, the groove portions 25 are formed on both main surfaces 24 of the substrate 21, but the present invention is not limited to this, and at least one groove portion may be formed on at least one main surface of the substrate 21.

また、本実施例では、基板21の両主面24に溝部25を形成するが、本発明でいう溝部25の定義はこれに限定されるものではなく両主面24からその基板21内側に窪んでいればよく、例えば、基板21の両主面24を貫通する貫通孔であってもよい。   In this embodiment, the groove portions 25 are formed on both main surfaces 24 of the substrate 21. However, the definition of the groove portions 25 in the present invention is not limited to this, and the recesses are formed from both the main surfaces 24 to the inside of the substrate 21. For example, it may be a through-hole penetrating both main surfaces 24 of the substrate 21.

また、本実施例では、基板21の形状を形成するための形成層として、第1〜3層A,B,Cのみを用いているが、これに限定されるものではなく、第1〜3層A,B,Cを含む4層以上の複数層からなる形成層であってもよい。   In the present embodiment, only the first to third layers A, B, and C are used as the formation layer for forming the shape of the substrate 21, but the present invention is not limited to this. It may be a formation layer composed of four or more layers including layers A, B, and C.

また、本実施例では、図4(f)に示すように、第3層形成工程後に、第2層Bにおける外形パターンDと溝パターンEとを区別するために、第2層Bにおける溝パターンE上の第3層Cを除去せずに形成した状態としているが、これに限定されるものではなく、第2層Bにおける溝パターンEを被覆し、かつ、第2層Bにおける外形パターンDを被覆しないように第3層Cを形成すれば、第3層Cの除去しない箇所は任意に設定してもよい。例えば、第3層Cの除去しない箇所は、第2層Bにおける溝パターンE及び、第2層B上としてもよく、この場合、耐フッ酸性を向上させることができる。   Further, in this embodiment, as shown in FIG. 4F, the groove pattern in the second layer B is distinguished from the outer pattern D in the second layer B and the groove pattern E after the third layer forming step. However, the present invention is not limited to this, and the outer layer pattern D in the second layer B is covered with the groove pattern E in the second layer B. If the third layer C is formed so as not to cover the surface, the portion where the third layer C is not removed may be arbitrarily set. For example, the portion where the third layer C is not removed may be on the groove pattern E and the second layer B in the second layer B, and in this case, the hydrofluoric acid resistance can be improved.

また、本実施例では、第1層Aを全てメタルエッチングにより除去しているが、これに限定されるものではなく、第1層Aの一部を残して第1層Aを引き出し電極27の少なくとも一部として用いてもよい。この場合、引き出し電極27の重要箇所(例えば、水晶振動片2からみて外部となるベース3の電極パッド34と直接接触する部分)の形成をさらに不具合なく確実に行うことができる。   In the present embodiment, the first layer A is entirely removed by metal etching. However, the present invention is not limited to this, and the first layer A is removed from the extraction electrode 27 while leaving a part of the first layer A. It may be used as at least a part. In this case, it is possible to reliably form an important portion of the extraction electrode 27 (for example, a portion that is in direct contact with the electrode pad 34 of the base 3 that is external as viewed from the quartz crystal vibrating piece 2) without any problem.

また、本実施例では、第1層Aを全てメタルエッチングにより除去しているが、これに限定されるものではなく、第1層Aの一部を残して第1層Aを外形パターンDと溝パターンEの形成の際にこれらのパターンD,Eの位置検出を行う(画像認識工程)ための画像認識部として用いてもよい。この場合、新たに画像認識部を形成する工程を必要せずに、その結果製造工程の短縮を図ることができる。

また、本実施例では、第1層Aとして金属層を用い、第2層Bとしてネガレジスト層を用い、第3層Cとしてポジレジスト層を用いているが、これら第1〜3層A,B,Cの材料はこれに限定されるものではなく、以下にその具体例を示す。
In this embodiment, the first layer A is entirely removed by metal etching. However, the present invention is not limited to this, and the first layer A and the outer pattern D are left with a part of the first layer A remaining. You may use as an image recognition part for detecting the position of these patterns D and E (image recognition process) in forming the groove pattern E. In this case, a process for forming a new image recognition unit is not required, and as a result, the manufacturing process can be shortened.

In this embodiment, a metal layer is used as the first layer A, a negative resist layer is used as the second layer B, and a positive resist layer is used as the third layer C. The materials of B and C are not limited to these, and specific examples are shown below.

第1例として、第1層Aに金属層を用い、第2層Bに第1層Aと比較して硬度が低い金属層を用い、第3層Cにネガレジスト層を用いてもよい。この場合、パターン形成工程において第2層Bの該当箇所のみを除去することができ、第1除去工程において第1層Aと第3層Cとの該当箇所のみを除去することができ、第2除去工程において第3層Cの該当箇所のみを除去することができ、第3除去工程において第1層の該当箇所のみを除去することができ、第4除去工程において第1,2層A,Bを除去することができる。このことは次に示す作用によるものである。第1,2層A,Bである金属層ではその硬度が異なるために同じ除去方式(メタルエッチング)を用いた場合であっても第1,2層A,Bの除去量(エッチング量)は異なり、この構成の場合第2層Bのほうが第1層Aよりも除去量が多い。また、第3層Cは、第1,2層A,Bとは材料が異なるネガレジスト層であり、第3層Cは第1,2層A,Bとは異なる除去方式(剥離液による除去)により除去する。そのため、本構成によれば、パターン形成工程と第1〜4除去工程を行うことができる。また、この場合、除去量の基準の一つを第1,2層の硬度に設定して除去量(剥離量)の設定を容易にすることができる。   As a first example, a metal layer may be used for the first layer A, a metal layer having a lower hardness than the first layer A may be used for the second layer B, and a negative resist layer may be used for the third layer C. In this case, only the corresponding portion of the second layer B can be removed in the pattern forming step, and only the corresponding portion of the first layer A and the third layer C can be removed in the first removing step. Only the corresponding part of the third layer C can be removed in the removing process, only the corresponding part of the first layer can be removed in the third removing process, and the first, second layers A and B can be removed in the fourth removing process. Can be removed. This is due to the following action. Since the hardness of the first and second layers A and B is different, the removal amount (etching amount) of the first and second layers A and B is the same even when the same removal method (metal etching) is used. In contrast, in this configuration, the removal amount of the second layer B is larger than that of the first layer A. The third layer C is a negative resist layer made of a material different from that of the first and second layers A and B, and the third layer C is a removal method different from that of the first and second layers A and B (removal by a stripping solution). ) To remove. Therefore, according to this structure, a pattern formation process and the 1st-4th removal process can be performed. In this case, one of the removal amount standards can be set to the hardness of the first and second layers to facilitate the setting of the removal amount (peeling amount).

第2例として、第1層Aに金属層を用い、第2層Bに第1層Aと比較して硬度が低い金属層を用い、第3層Cにポジレジスト層を用いてもよい。この場合、パターン形成工程において第2層の該当箇所のみを除去することが可能となり、第1除去工程において第1層と第3層との該当箇所のみを除去することが可能となり、第2除去工程において第3層の該当箇所のみを除去することが可能となり、第3除去工程において第1層の該当箇所のみを除去することが可能となり、第4除去工程において第1,2層を除去することが可能となる。このことは次に示す作用によるものである。第1,2層である金属層ではその硬度が異なるために同じ除去方式(メタルエッチング)を用いた場合であっても第1,2層の除去量(エッチング量)は異なり、この構成の場合第2層のほうが第1層よりも除去量が多い。また、第3層は、第1,2層とは材料が異なるポジレジスト層であり、第3層は第1,2層とは異なる除去方式(剥離液による除去)により除去する。そのため、本構成によれば、パターン形成工程と第1〜4除去工程を行うことが可能となる。また、この場合、除去量の基準の一つを第1,2層の硬度に設定して除去量(剥離量)の設定を容易にすることが可能となる。   As a second example, a metal layer may be used for the first layer A, a metal layer having a lower hardness than the first layer A may be used for the second layer B, and a positive resist layer may be used for the third layer C. In this case, it is possible to remove only the corresponding portion of the second layer in the pattern forming step, and it is possible to remove only the corresponding portion of the first layer and the third layer in the first removing step. It is possible to remove only the corresponding part of the third layer in the process, it is possible to remove only the corresponding part of the first layer in the third removing process, and the first and second layers are removed in the fourth removing process. It becomes possible. This is due to the following action. Since the hardness of the first and second metal layers is different, the removal amount (etching amount) of the first and second layers is different even when the same removal method (metal etching) is used. The removal amount of the second layer is larger than that of the first layer. The third layer is a positive resist layer made of a material different from that of the first and second layers, and the third layer is removed by a different removal method (removal with a stripping solution) from the first and second layers. Therefore, according to this structure, it becomes possible to perform a pattern formation process and the 1st-4th removal process. In this case, it is possible to easily set the removal amount (peeling amount) by setting one of the removal amount standards to the hardness of the first and second layers.

第3例として、第1層Aに金属層を用い、第2層Bにポジレジスト層を用い、第3層Cに第2層Bと比較して粘着力が低いポジレジスト層を用いてもよい。この場合、パターン形成工程において第2層Bの該当箇所のみを除去することができ、第1除去工程において第1層Aと第3層Cとの該当箇所のみを除去することができ、第2除去工程において第3層Cの該当箇所のみを除去することができ、第3除去工程において第1層Aの該当箇所のみを除去することができ、第4除去工程において第1,2層A,Bを除去することができる。このことは次に示す作用によるものである。第2,3層B,Cであるポジレジスト層ではその粘着力が異なるために同じ除去方式(剥離液による除去)を用いた場合であっても第2,3層B,Cの除去量(剥離量)は異なり、この構成の場合第3層Cのほうが第2層Bよりも除去量が多い。また、第1層Aは、第2,3層B,Cとは材料が異なる金属層であり、第1層Aは第2,3層B,Cとは異なる除去方式(メタルエッチング)により除去する。そのため、本構成によれば、パターン形成工程と第1〜4除去工程を行うことができる。また、この場合、除去量の基準の一つを第2,3層B,Cの粘着量に設定して除去量(剥離量)の設定を容易にすることができる。   As a third example, a metal layer may be used for the first layer A, a positive resist layer may be used for the second layer B, and a positive resist layer having a lower adhesive strength than the second layer B may be used for the third layer C. Good. In this case, only the corresponding portion of the second layer B can be removed in the pattern forming step, and only the corresponding portion of the first layer A and the third layer C can be removed in the first removing step. Only the corresponding part of the third layer C can be removed in the removal process, only the corresponding part of the first layer A can be removed in the third removal process, and the first, second layers A, B can be removed. This is due to the following action. Since the positive resist layers which are the second and third layers B and C have different adhesive strengths, the removal amount of the second and third layers B and C (even if the same removal method (removal with a stripping solution) is used) In this configuration, the third layer C has a larger removal amount than the second layer B. The first layer A is a metal layer made of a different material from the second and third layers B and C, and the first layer A is removed by a removal method (metal etching) different from that of the second and third layers B and C. To do. Therefore, according to this structure, a pattern formation process and the 1st-4th removal process can be performed. In this case, the removal amount (peeling amount) can be easily set by setting one of the removal amount standards as the adhesion amount of the second and third layers B and C.

第4例として、第1層Aに金属層を用い、第2層Bに第1層Aと比較して硬度が低い金属層を用い、第3層Cに第2層Bと比較して硬度が低い金属層を用いてもよい。この場合、パターン形成工程において第2層Bの該当箇所のみを除去することができ、第1除去工程において第1層Aと第3層Cとの該当箇所のみを除去することができ、第2除去工程において第3層Cの該当箇所のみを除去することができ、第3除去工程において第1層Aの該当箇所のみを除去することができ、第4除去工程において第1,2層A,Bを除去することができる。このことは次に示す作用によるものである。第1〜3層A,B,Cである金属層ではそれぞれその硬度が異なるために同じ除去方式(メタルエッチング)を用いた場合であっても第1〜3層A,B,Cの除去量(エッチング量)は異なり、この構成の場合第2層Bのほうが第1層Aよりも除去量が多く、第3層Cのほうが第2層Bよりも除去量が多い。そのため、本構成によれば、パターン形成工程と第1〜4除去工程を行うことができる。また、この場合、除去量の基準を第1〜3層A,B,Cの硬度に設定して除去量(エッチング量)の設定を容易にすることができる。   As a fourth example, a metal layer is used for the first layer A, a metal layer whose hardness is lower than that of the first layer A is used for the second layer B, and hardness is compared with the second layer B for the third layer C. A low metal layer may be used. In this case, only the corresponding portion of the second layer B can be removed in the pattern forming step, and only the corresponding portion of the first layer A and the third layer C can be removed in the first removing step. Only the corresponding part of the third layer C can be removed in the removal process, only the corresponding part of the first layer A can be removed in the third removal process, and the first, second layers A, B can be removed. This is due to the following action. Since the metal layers of the first to third layers A, B, and C have different hardnesses, the removal amount of the first to third layers A, B, and C even when the same removal method (metal etching) is used. (Etching amount) is different, and in this configuration, the second layer B has a larger removal amount than the first layer A, and the third layer C has a larger removal amount than the second layer B. Therefore, according to this structure, a pattern formation process and the 1st-4th removal process can be performed. In this case, the removal amount (etching amount) can be easily set by setting the removal amount reference to the hardness of the first to third layers A, B, and C.

また、上記した第1〜3層A,B,Cの材料の変形例では、少なくとも2つの層に金属層を用いた場合、それぞれの硬度を異ならせて除去工程の差異を図っているが、これに限定されるものではなく、それぞれの金属材料個別に対応した対応エッチング液を用いて各金属層のメタルエッチングを行ってもよい。例えば、金属層にCr(クロム)を用いた場合、過塩素酸水溶液を用いて金属層のメタルエッチングを行い、金属層にAu(金)を用いた場合、よう素水溶液を用いて金属層のメタルエッチングを行いて、除去工程の差異を図ってもよい。   Further, in the above-described modification of the materials of the first to third layers A, B, and C, when a metal layer is used for at least two layers, the hardness of the respective layers is varied to achieve a difference in the removal process. However, the present invention is not limited to this, and metal etching of each metal layer may be performed using a corresponding etching solution corresponding to each metal material. For example, when Cr (chromium) is used for the metal layer, metal etching of the metal layer is performed using a perchloric acid aqueous solution. When Au (gold) is used for the metal layer, an aqueous iodine solution is used to form the metal layer. Metal etching may be performed to achieve a difference in the removal process.

次に、本実施例2にかかる水晶振動子1を図面を用いて説明する。なお、本実施例2にかかる水晶振動子1は、上記した実施例1に対して、水晶振動片が異なる。そこで、本実施例2では、上記した実施例1と異なる構成について説明し、同一の構成についての説明を省略する。そのため、同一構成による作用効果及び変形例は、上記した実施例1と同様の作用効果及び変形例を有する。   Next, the crystal resonator 1 according to the second embodiment will be described with reference to the drawings. The crystal resonator 1 according to the second embodiment is different from the first embodiment in the crystal vibrating piece. Therefore, in the second embodiment, a configuration different from that of the first embodiment will be described, and a description of the same configuration will be omitted. Therefore, the operation effect and modification by the same structure have the same operation effect and modification as Example 1 mentioned above.

水晶振動片7は、図7,8に示すように、厚みすべり振動系の振動片であり、本実施例ではATカット水晶片を用いる。この水晶振動片7は、ATカット水晶片の基板71からなり、平面視矩形状の一枚板の直方体に成形されている。すなわち、基板71の外形76は、直方体形状からなる。   As shown in FIGS. 7 and 8, the crystal vibrating piece 7 is a thickness-slip vibration type vibrating piece. In this embodiment, an AT-cut crystal piece is used. The quartz crystal resonator element 7 is composed of an AT-cut quartz crystal substrate 71 and is formed into a rectangular parallelepiped having a rectangular shape in plan view. That is, the outer shape 76 of the substrate 71 has a rectangular parallelepiped shape.

この基板71の両主面72には、水晶振動片7の高周波化に対応するため、例えば、エッチングなどの手法により溝部75(凹部ともいう)が形成されており水晶振動片7の一部が薄肉に構成されている。この薄肉の水晶振動片7の両主面72(溝部75の内部底面)にはそれぞれ励振電極73が形成され、これらの励振電極73を導電性接合材62により外部電極(本実施例では、ベース3の電極パッド34)と電気機械的に接合するために励振電極73から引き出された引き出し電極74が形成されている。   In order to cope with the higher frequency of the quartz crystal resonator element 7 on both the main surfaces 72 of the substrate 71, for example, a groove 75 (also referred to as a recess) is formed by a technique such as etching. It is made thin. Excitation electrodes 73 are formed on both main surfaces 72 (inner bottom surfaces of the groove portions 75) of the thin quartz crystal vibrating piece 7, and these excitation electrodes 73 are connected to external electrodes (in this embodiment, base electrodes) by a conductive bonding material 62. A lead electrode 74 drawn from the excitation electrode 73 is formed for electromechanical joining with the third electrode pad 34).

なお、これらの励振電極73及び引き出し電極74は、フォトリソグラフィ法により形成され、例えば、基板71側からクロム、金(Cr−Au)の順に、あるいはクロム、金、クロム(Cr−Au−Cr)の順に、あるいはクロム、金、ニッケル(Cr−Au−Ni)の順に、あるいはクロム、銀、クロム(Cr−Ag−Cr)の順に、あるいはクロム、ニッケル(Cr−Ni)の順に、あるいはニッケル、クロム(Ni−Cr)の順に積層して形成されている。   The excitation electrode 73 and the extraction electrode 74 are formed by photolithography, for example, in the order of chromium and gold (Cr—Au) from the substrate 71 side, or chromium, gold, and chromium (Cr—Au—Cr). Or in order of chromium, gold, nickel (Cr—Au—Ni), or in order of chromium, silver, chromium (Cr—Ag—Cr), or in order of chromium, nickel (Cr—Ni), or nickel, It is formed by stacking chromium (Ni—Cr) in this order.

上記した水晶振動片7の基板71の形状のうち外形76および溝部75は、その両主面74に第1〜3層A,B,C(図9〜11参照)を積層して、この積層した第1〜3層A,B,Cを用いて形成する。   Of the shape of the substrate 71 of the quartz crystal resonator element 7 described above, the outer shape 76 and the groove portion 75 are formed by laminating first to third layers A, B, and C (see FIGS. 9 to 11) on both main surfaces 74. The first to third layers A, B, and C are formed.

そして、水晶振動片7の基板71の形成工程では、上記した形成層A,B,Cを用いて、第2層Bにより外形パターンDと溝パターンEとの形状パターンを同時に形成した後に、第3層Cにより外形パターンDと溝パターンEとを区別させながら、第1層Aを用いて基板71の外形76と溝部75とに該当する基板部分を露出させて基板71の外形76と溝部75とをそれぞれ個別にエッチング形成して(本発明でいう基板形成工程)、水晶振動片7の基板71を形成する。   Then, in the step of forming the substrate 71 of the quartz crystal resonator element 7, the shape patterns of the outer pattern D and the groove pattern E are simultaneously formed by the second layer B using the above-described formation layers A, B, and C, While distinguishing between the outer pattern D and the groove pattern E by the three layers C, the substrate layer corresponding to the outer shape 76 and the groove portion 75 of the substrate 71 is exposed using the first layer A, and the outer shape 76 and the groove portion 75 of the substrate 71 are exposed. Are separately formed by etching (substrate forming step in the present invention) to form the substrate 71 of the crystal vibrating piece 7.

この基板形成工程を更に詳説すると、人工水晶(図示省略)から複数個の板状の水晶素板70(本発明でいう基板素板)に切出し形成し(図9(a)参照)、水晶素板70から複数個の水晶振動片7の基板71を形成する(図11(m)参照)。なお、図9〜11では、水晶素板70および基板71の一部側面を示し、図7に示すB3-B3線断面図の基板71に相当する図である。そして、この水晶素板70は水晶Z板であり、人工水晶から切出し形成する際、直交座標系においてX軸とY軸とからなるXY平面をX軸回りに傾けたものである。   The substrate forming process will be described in more detail. The artificial quartz crystal (not shown) is cut and formed into a plurality of plate-like crystal base plates 70 (substrate base plate in the present invention) (see FIG. 9A). The board | substrate 71 of the some crystal vibrating piece 7 is formed from the board 70 (refer FIG.11 (m)). 9 to 11 are partial side views of the quartz base plate 70 and the substrate 71, and correspond to the substrate 71 in the cross-sectional view taken along line B3-B3 shown in FIG. The quartz base plate 70 is a quartz Z plate, which is obtained by inclining an XY plane composed of the X axis and the Y axis in the orthogonal coordinate system around the X axis when cut out from the artificial quartz crystal.

まず、図9(a)に示す水晶素板70の両主面74上に、図9(b)に示すように、第1層Aを形成する(本発明でいう第1層形成工程)。そして、図9(b)に示すように形成した第1層A上に、図9(c)に示すように、第2層Bを形成する(本発明でいう第2層形成工程)。   First, as shown in FIG. 9B, the first layer A is formed on both main surfaces 74 of the quartz base plate 70 shown in FIG. 9A (first layer forming step in the present invention). Then, on the first layer A formed as shown in FIG. 9B, a second layer B is formed as shown in FIG. 9C (second layer forming step in the present invention).

第2層形成工程後に、図10(d)に示すように、予め設定した基板71の形状に基づいて、第2層Bに外形パターンDと溝パターンEとの形状パターンを同時形成する(本発明でいうパターン形成工程)。具体的に、基板71の外形76および溝部75を形成するために、水晶素板70上の基板71の外形76および溝部75に該当する部分(該当箇所)の第2層Bを露光し、現像液を用いて現像して露光した箇所を除去し、第2層Bにおける水晶振動片7の外形パターンDおよび溝パターンEを形成する。なお、本実施例では、基板71の外形76と溝部75の形状を基板71の形状として設定している。   After the second layer forming step, as shown in FIG. 10D, based on the preset shape of the substrate 71, the shape patterns of the outer shape pattern D and the groove pattern E are simultaneously formed on the second layer B (this book Pattern forming step referred to in the invention). Specifically, in order to form the outer shape 76 and the groove portion 75 of the substrate 71, the second layer B of the portion (corresponding portion) corresponding to the outer shape 76 and the groove portion 75 of the substrate 71 on the crystal base plate 70 is exposed and developed. The portion exposed by developing with a liquid is removed, and the external pattern D and the groove pattern E of the crystal vibrating piece 7 in the second layer B are formed. In this embodiment, the outer shape 76 of the substrate 71 and the shape of the groove 75 are set as the shape of the substrate 71.

パターン形成工程後に、図10(e)に示すように、露出した第1層Aおよび第2層B上に第3層Cを形成する(本発明でいう第3層形成工程)。   After the pattern formation step, as shown in FIG. 10E, a third layer C is formed on the exposed first layer A and second layer B (third layer formation step in the present invention).

第3層形成工程後に、第2層Bにおける外形パターンDと溝パターンEとを区別するために、図10(f)に示すように、外形パターンD上の第3層Cを露光し、現像液を用いて現像して露光した箇所を除去し、かつ、第2層における溝パターンE上の第3層Cは除去せずに形成した状態とする。この状態で、図10(g)に示すように、露出した第1層Aをメタルエッチングによりエッチング除去する(本発明でいう第1除去工程)。   After the third layer forming step, the third layer C on the outer pattern D is exposed and developed in order to distinguish the outer pattern D and the groove pattern E in the second layer B, as shown in FIG. Development is performed using a liquid to remove the exposed portion, and the third layer C on the groove pattern E in the second layer is formed without being removed. In this state, as shown in FIG. 10G, the exposed first layer A is removed by metal etching (first removal step referred to in the present invention).

第1除去工程後に、図10(h),図10(i)に示すように、外形76をエッチング
形成し、かつ、溝パターンE上の第3層Cを除去する(本発明でいう第2除去工程)。なお、本実施例にかかる第2除去工程を詳説すると、まず、溝パターンE上の第3層Cを剥離液を用いて除去(剥離)し(図10(h)参照)、その後に外形76をエッチング形成する(図10(i)参照)。
After the first removal step, as shown in FIGS. 10 (h) and 10 (i), the outer shape 76 is etched and the third layer C on the groove pattern E is removed (the second layer referred to in the present invention). Removal step). The second removal step according to the present embodiment will be described in detail. First, the third layer C on the groove pattern E is removed (peeled) using a stripping solution (see FIG. 10H), and then the outer shape 76 is obtained. Is formed by etching (see FIG. 10I).

第2除去工程後に、図11(j)に示すように、溝パターンE上の第1層Aをメタルエッチングによりエッチング除去する(本発明でいう第3除去工程)。   After the second removal step, as shown in FIG. 11 (j), the first layer A on the groove pattern E is removed by metal etching (third removal step in the present invention).

第3除去工程後に、水晶素板70から第2層Bを剥離液を用いて除去(剥離)し(図11(k)参照)、第2層Bを除去した後に溝部75をエッチング形成し(図11(l)参照)、溝部75をエッチング形成した後に水晶素板70から第1層Aをメタルエッチングによりエッチング除去して図11(m)に示す水晶振動片7の基板71を形成する(本発明でいう溝部形成工程と第4除去工程)。   After the third removal step, the second layer B is removed (peeled) from the quartz base plate 70 using a peeling liquid (see FIG. 11 (k)), and after removing the second layer B, the groove 75 is formed by etching ( After the groove 75 is formed by etching, the first layer A is etched away from the quartz base plate 70 by metal etching to form the substrate 71 of the quartz crystal resonator element 7 shown in FIG. (Groove formation step and fourth removal step) in the present invention).

上記した本実施例では、第1除去工程後に、図10(h),図10(i)に示すように
第2除去工程を行なっているが、これに限定される工程ではなく、外形76をエッチング形成し、かつ、溝パターンE上の第3層Cを除去すればよく、例えば、図12(h’),図12(i’)に示すように、まず、外形76をエッチング形成し(図12(h’)参照
)、その後に溝パターンE上の第3層Cを除去してもよい(図12(i’)参照)。
In the present embodiment described above, after the first removal step, the second removal step is performed as shown in FIGS. 10 (h) and 10 (i). The third layer C on the groove pattern E may be removed by etching. For example, as shown in FIGS. 12 (h ′) and 12 (i ′), the outer shape 76 is first formed by etching ( Then, the third layer C on the groove pattern E may be removed (see FIG. 12 (i ′)).

なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。   It should be noted that the present invention can be implemented in various other forms without departing from the spirit, gist, or main features. For this reason, the above-described embodiment is merely an example in all respects and should not be interpreted in a limited manner. The scope of the present invention is indicated by the claims, and is not restricted by the text of the specification. Further, all modifications and changes belonging to the equivalent scope of the claims are within the scope of the present invention.

本発明にかかる圧電振動片の材料として、水晶を用いることが好適である。   As a material of the piezoelectric vibrating piece according to the present invention, it is preferable to use quartz.

図1は、本実施例1にかかる水晶振動子の概略構成図であり、水晶振動子の内部を公開した図2のA1−A1線断面から見た概略平面図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of the crystal resonator according to the first embodiment, and is a schematic plan view seen from a cross section taken along line A1-A1 of FIG. 図2は、本実施例1にかかる水晶振動子の概略構成図であり、図1のA2−A2線断面図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the crystal resonator according to the first embodiment, and is a cross-sectional view taken along line A2-A2 of FIG. 図3(a)〜図3(c)は、本実施例1にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図である。FIG. 3A to FIG. 3C are diagrams illustrating a manufacturing process of the substrate of the crystal resonator element according to the first embodiment. 図4(d)〜図4(i)は、本実施例1にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図であり、図3に示す製造工程の後工程を示す図である。FIG. 4D to FIG. 4I are diagrams illustrating a manufacturing process of the crystal resonator element substrate according to the first embodiment, and are diagrams illustrating a subsequent process of the manufacturing process illustrated in FIG. 3. 図5(j)〜図5(m)は、本実施例1にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図であり、図4に示す製造工程の後工程を示す図である。FIG. 5J to FIG. 5M are diagrams illustrating a manufacturing process of the quartz crystal resonator element substrate according to the first embodiment, and are diagrams illustrating a subsequent process of the manufacturing process illustrated in FIG. 4. 図6(h’),図6(i’)は、本実施例1の他の例にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図であり、図6(h’),図6(i’)に示す工程は、図4(h),図4(i)に示す工程の変形例である。6 (h ′) and FIG. 6 (i ′) are diagrams showing a manufacturing process of a quartz crystal resonator element substrate according to another example of the first embodiment. FIG. 6 (h ′) and FIG. The process shown in i ′) is a modification of the process shown in FIGS. 4 (h) and 4 (i). 図7は、本実施例2にかかる水晶振動子の概略構成図であり、水晶振動子の内部を公開した図8のB1−B1線断面から見た概略平面図である。FIG. 7 is a schematic configuration diagram of the crystal resonator according to the second embodiment, and is a schematic plan view of the inside of the crystal resonator viewed from the B1-B1 line cross section of FIG. 図8は、本実施例2にかかる水晶振動子の概略構成図であり、図7のB2−B2線断面図である。FIG. 8 is a schematic configuration diagram of the crystal resonator according to the second embodiment, and is a cross-sectional view taken along line B2-B2 of FIG. 図9(a)〜図9(c)は、本実施例9にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図である。FIG. 9A to FIG. 9C are diagrams illustrating a manufacturing process of a crystal resonator element substrate according to the ninth embodiment. 図10(d)〜図10(i)は、本実施例2にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図であり、図9に示す製造工程の後工程を示す図である。FIG. 10D to FIG. 10I are diagrams showing a manufacturing process of the quartz crystal resonator element substrate according to the second embodiment, and are diagrams showing a subsequent process of the manufacturing process shown in FIG. 図11(j)〜図11(m)は、本実施例2にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図であり、図10に示す製造工程の後工程を示す図である。FIG. 11J to FIG. 11M are diagrams illustrating the manufacturing process of the quartz crystal resonator element substrate according to the second embodiment, and are diagrams illustrating a subsequent process of the manufacturing process illustrated in FIG. 10. 図12(h’),図12(i’)は、本実施例2の他の例にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図であり、図12(h’),図12(i’)に示す工程は、図10(h),図10(i)に示す工程の変形例である。12 (h ′) and FIG. 12 (i ′) are diagrams illustrating a manufacturing process of a quartz vibrating piece substrate according to another example of the second embodiment, and FIG. 12 (h ′) and FIG. The process shown in i ′) is a modification of the process shown in FIGS. 10 (h) and 10 (i). 図13(a)〜図13(c)は、従来例にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図である。FIG. 13A to FIG. 13C are diagrams showing a manufacturing process of a substrate of a quartz crystal resonator element according to a conventional example. 図14(d)〜図14(i)は、従来例にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図であり、図13に示す製造工程の後工程を示す図である。FIG. 14D to FIG. 14I are diagrams showing a manufacturing process of the quartz crystal resonator element substrate according to the conventional example, and are diagrams showing a subsequent process of the manufacturing process shown in FIG. 図15(j)〜図15(m)は、従来例にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図であり、図14に示す製造工程の後工程を示す図である。FIGS. 15 (j) to 15 (m) are diagrams showing a manufacturing process of a quartz crystal resonator element substrate according to a conventional example, and are diagrams showing a subsequent process of the manufacturing process shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 水晶振動子
2、7 水晶振動片
20,70 水晶素板
21,71 基板
24,72 両主面
25,75 溝部
28,76 外形
3 ベース
4 蓋
5 本体筐体
A 第1層
B 第2層
C 第3層
D 外形パターン
E 溝パターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Crystal oscillator 2, 7 Crystal vibrating piece 20, 70 Crystal base plate 21, 71 Substrate 24, 72 Both main surfaces 25, 75 Groove parts 28, 76 Outer shape 3 Base 4 Lid 5 Body housing A First layer B Second layer C 3rd layer D Outline pattern E Groove pattern

Claims (17)

基板素板の両主面に複数の形成層を積層して、この積層した前記形成層を用いて圧電振動片の基板の外形を形成し、かつ、前記基板の少なくとも一主面に少なくとも一つの溝部を形成する圧電振動片の製造方法において、
前記基板の形状を形成するための前記形成層として、少なくとも、前記外形の外形パターンと前記溝部の溝パターンとの形状パターンを同時に形成するための同時形成層と、前記外形パターンと前記溝パターンとを区別するための区別層と、を用いて、
前記同時形成層により前記外形パターンと前記溝パターンとの形状パターンを同時に形成した後に、前記区別層により前記外形パターンと前記溝パターンとを区別させることを特徴とする圧電振動片の製造方法。
A plurality of forming layers are stacked on both main surfaces of the substrate base plate, and the outer shape of the substrate of the piezoelectric vibrating piece is formed using the stacked forming layers, and at least one main surface of the substrate is at least one main surface. In the method of manufacturing the piezoelectric vibrating piece for forming the groove,
As the formation layer for forming the shape of the substrate, at least a simultaneous formation layer for simultaneously forming a shape pattern of the outer shape pattern of the outer shape and the groove pattern of the groove portion, the outer shape pattern and the groove pattern, And a distinction layer for distinguishing
A method of manufacturing a piezoelectric vibrating piece, wherein after the shape pattern of the outer shape pattern and the groove pattern is simultaneously formed by the simultaneous forming layer, the outer shape pattern and the groove pattern are differentiated by the distinguishing layer.
基板素板の両主面に複数の形成層を積層して、この積層した前記形成層を用いて圧電振動片の基板の外形を形成し、かつ、前記基板の少なくとも一主面に少なくとも一つの溝部を形成する圧電振動片の製造方法において、
前記基板の形状を形成するための前記形成層として、少なくとも、前記基板素板を露出させて前記外形と前記溝部とのエッチング形成を行うための第1層と、前記外形の外形パターンと前記溝部の溝パターンとの形状パターンを同時に形成するための第2層と、前記外形パターンと前記溝パターンとを区別するための第3層と、を用いて、
前記第2層により前記外形パターンと前記溝パターンとの形状パターンを同時に形成した後に、第3層により前記外形パターンと前記溝パターンとを区別させながら、前記第1層を用いて前記外形と前記溝部とを形成するために前記基板素板上の前記外形および前記溝部に該当する部分を露出させて前記外形と前記溝部とをエッチング形成する基板形成工程を有することを特徴とする圧電振動片の製造方法。
A plurality of forming layers are stacked on both main surfaces of the substrate base plate, and the outer shape of the substrate of the piezoelectric vibrating piece is formed using the stacked forming layers, and at least one main surface of the substrate is at least one main surface. In the method of manufacturing the piezoelectric vibrating piece for forming the groove,
As the forming layer for forming the shape of the substrate, at least a first layer for exposing the substrate base plate to perform etching formation of the outer shape and the groove portion, an outer shape pattern of the outer shape and the groove portion Using a second layer for simultaneously forming the shape pattern of the groove pattern and a third layer for distinguishing the outer shape pattern and the groove pattern,
After forming the outer pattern and the groove pattern simultaneously with the second layer, the outer layer and the groove pattern using the first layer while distinguishing the outer pattern and the groove pattern with the third layer. A substrate forming step of etching the outer shape and the groove portion by exposing the outer shape on the substrate base plate and a portion corresponding to the groove portion in order to form a groove portion; Production method.
前記基板形成工程では、前記外形と前記溝部とをそれぞれ個別にエッチング形成することを特徴とする請求項2に記載の圧電振動片の製造方法。   3. The method of manufacturing a piezoelectric vibrating piece according to claim 2, wherein, in the substrate forming step, the outer shape and the groove are individually formed by etching. 前記基板形成工程は、
前記基板素板の主面に前記第1層を形成する第1層形成工程と、
前記第1層形成工程後に、前記第1層上に前記第2層を形成する第2層形成工程と、
前記第2層形成工程後に、予め設定した前記基板の形状に基づいて前記第2層に前記外形パターンと前記溝パターンとの形状パターンを同時形成するパターン形成工程と、
前記パターン形成工程後に、露出した前記第1層および前記第2層上に前記第3層を形成する第3層形成工程と、
前記第3層形成工程後に、前記外形パターンと前記溝パターンとを区別するために、前記外形パターン上の前記第3層を除去し、かつ、前記第1層を除去する第1除去工程と、
前記第1除去工程後に、前記外形をエッチング形成し、かつ、前記溝パターン上の前記第3層を除去する第2除去工程と、
前記第2除去工程後に、前記溝パターン上の前記第1層を除去する第3除去工程と、
前記第3除去工程後に、前記溝部をエッチング形成する溝部形成工程と、
前記第3除去工程後に、前記基板から前記第1層と第2層とを除去する第4除去工程と、を含むことを特徴とする請求項2または3に記載の圧電振動片の製造方法。
The substrate forming step includes
A first layer forming step of forming the first layer on a main surface of the substrate base plate;
A second layer forming step of forming the second layer on the first layer after the first layer forming step;
After the second layer forming step, a pattern forming step of simultaneously forming a shape pattern of the outer shape pattern and the groove pattern on the second layer based on a preset shape of the substrate;
A third layer forming step of forming the third layer on the exposed first and second layers after the pattern forming step;
A first removal step of removing the third layer on the outer shape pattern and removing the first layer in order to distinguish the outer shape pattern and the groove pattern after the third layer forming step;
After the first removal step, a second removal step of etching the outer shape and removing the third layer on the groove pattern;
A third removal step of removing the first layer on the groove pattern after the second removal step;
A groove forming step of etching the groove after the third removing step;
4. The method of manufacturing a piezoelectric vibrating piece according to claim 2, further comprising a fourth removal step of removing the first layer and the second layer from the substrate after the third removal step. 5.
前記第1層は、金属層であり、
前記第2層は、ネガレジスト層であり、
前記第3層は、ポジレジスト層であることを特徴とする請求項4に記載の圧電振動片の製造方法。
The first layer is a metal layer;
The second layer is a negative resist layer;
The method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece according to claim 4, wherein the third layer is a positive resist layer.
前記第1層は、金属層であり、
前記第2層は、前記第1層と比較して硬度が低い金属層であり、
前記第3層は、ネガレジスト層であることを特徴とする請求項4に記載の圧電振動片の製造方法。
The first layer is a metal layer;
The second layer is a metal layer having a lower hardness than the first layer,
The method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece according to claim 4, wherein the third layer is a negative resist layer.
前記第1層は、金属層であり、
前記第2層は、前記第1層と比較して硬度が低い金属層であり、
前記第3層は、ポジレジスト層であることを特徴とする請求項4に記載の圧電振動片の製造方法。
The first layer is a metal layer;
The second layer is a metal layer having a lower hardness than the first layer,
The method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece according to claim 4, wherein the third layer is a positive resist layer.
前記第1層は、金属層であり、
前記第2層は、ポジレジスト層であり、
前記第3層は、前記第2層と比較して粘着力が低いポジレジスト層であることを特徴とする請求項4に記載の圧電振動片の製造方法。
The first layer is a metal layer;
The second layer is a positive resist layer;
5. The method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece according to claim 4, wherein the third layer is a positive resist layer having a lower adhesive strength than the second layer.
前記第1層は、金属層であり、
前記第2層は、前記第1層と比較して硬度が低い金属層であり、
前記第3層は、前記第2層と比較して硬度が低い金属層であることを特徴とする請求項4に記載の圧電振動片の製造方法。
The first layer is a metal layer;
The second layer is a metal layer having a lower hardness than the first layer,
The method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece according to claim 4, wherein the third layer is a metal layer having a lower hardness than the second layer.
前記第2除去工程では、前記外形をエッチング形成した後に、前記溝パターン上の前記第3層を除去することを特徴とする請求項4乃至9のうちいずれか1つに記載の圧電振動片の製造方法。   10. The piezoelectric vibrating piece according to claim 4, wherein, in the second removing step, the third layer on the groove pattern is removed after the outer shape is formed by etching. Production method. 前記第2除去工程では、前記溝パターン上の前記第3層を除去した後に、前記外形をエッチング形成することを特徴とする請求項4乃至9のうちいずれか1つに記載の圧電振動片の製造方法。   10. The piezoelectric vibrating piece according to claim 4, wherein, in the second removing step, the outer shape is formed by etching after the third layer on the groove pattern is removed. Production method. 前記圧電振動片は、音叉型圧電振動片であることを特徴とする請求項2乃至11のうちいずれか1つに記載の圧電振動片の製造方法。   The method of manufacturing a piezoelectric vibrating piece according to claim 2, wherein the piezoelectric vibrating piece is a tuning fork type piezoelectric vibrating piece. 前記圧電振動片は、厚みすべり振動系の振動片であることを特徴とする請求項2乃至11のうちいずれか1つに記載の圧電振動片の製造方法。   The method of manufacturing a piezoelectric vibrating piece according to claim 2, wherein the piezoelectric vibrating piece is a thickness-shear vibration type vibrating piece. 前記第1層は、金属膜であり、前記第1層を引き出し電極の少なくとも一部として用いることを特徴とする請求項12または13に記載の圧電振動片の製造方法。   The method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece according to claim 12 or 13, wherein the first layer is a metal film, and the first layer is used as at least a part of an extraction electrode. さらに、前記外形パターンと前記溝パターンの形成の際、これらのパターンの位置検出を行うために画像認識工程を有し、
前記第1層は、金属膜であり、前記第1層を、前記画像認識工程において画像認識部として用いることを特徴とする請求項12または13に記載の圧電振動片の製造方法。
Furthermore, when forming the outer shape pattern and the groove pattern, it has an image recognition process to detect the position of these patterns,
The method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece according to claim 12 or 13, wherein the first layer is a metal film, and the first layer is used as an image recognition unit in the image recognition step.
請求項1乃至15のうちいずれか1つに記載の圧電振動片の製造方法により製造されたことを特徴とする圧電振動片。   A piezoelectric vibrating piece manufactured by the method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece according to claim 1. 蓋とベースとの接合により成形される本体筐体の内部空間の前記ベース上に、少なくとも請求項16に記載の圧電振動片が気密封止されたことを特徴とする圧電振動デバイス。   The piezoelectric vibration device according to claim 16, wherein at least the piezoelectric vibration piece according to claim 16 is hermetically sealed on the base in the internal space of the main body casing formed by joining the lid and the base.
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