JP2009065522A - Piezoelectric device and manufacturing method therefor - Google Patents

Piezoelectric device and manufacturing method therefor Download PDF

Info

Publication number
JP2009065522A
JP2009065522A JP2007232807A JP2007232807A JP2009065522A JP 2009065522 A JP2009065522 A JP 2009065522A JP 2007232807 A JP2007232807 A JP 2007232807A JP 2007232807 A JP2007232807 A JP 2007232807A JP 2009065522 A JP2009065522 A JP 2009065522A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
hole
piezoelectric
wiring
piezoelectric vibrating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007232807A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5041145B2 (en
Inventor
Atsushi Matsuo
敦司 松尾
Takahiro Kuroda
貴大 黒田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Miyazaki Epson Corp
Original Assignee
Miyazaki Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Miyazaki Epson Corp filed Critical Miyazaki Epson Corp
Priority to JP2007232807A priority Critical patent/JP5041145B2/en
Publication of JP2009065522A publication Critical patent/JP2009065522A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5041145B2 publication Critical patent/JP5041145B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric device that can be small-sized, and to provide a manufacturing method therefor. <P>SOLUTION: A piezoelectric device 100 includes a lower substrate 30; an upper substrate 20 and an intermediate substrate 10 held therebetween, wherein the intermediate substrate includes a piezoelectric vibrating part 11; a frame part 12 surrounding the piezoelectric vibrating part, a connecting part 15 for connecting the piezoelectric vibrating part and the frame part; a first exciting electrode 13 provided on an upper surface of the piezoelectric vibrating part and a second exciting electrode 14 provided on a lower surface of the piezoelectric vibrating part, and the lower substrate includes a first external terminal 32 and a second external terminal 34 provided on its lower surface. The relevant piezoelectric device further includes first wiring lines 23c, 23d, on the lower surface of the upper substrate, extending from the upside of the connecting part to a position, along a side surface, which is most away from the connecting part and passing from the position to the relevant side surface, to electrically connect the first exciting electrode and the first external terminal. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、圧電デバイスおよびその製造方法に関する。   The present invention relates to a piezoelectric device and a manufacturing method thereof.

近年、電子機器の小型化に伴い、水晶振動子等の圧電デバイスは、より一層の小型化が要求されている。素子の小型化を実現するための技術として、たとえば水晶振動子を有する水晶基板を、上下方向から同様の形状の基板で挟んで3層の基板を互いに接合することにより封止する技術が提案されている。   In recent years, with the miniaturization of electronic devices, piezoelectric devices such as crystal resonators are required to be further miniaturized. As a technique for realizing miniaturization of the element, for example, a technique of sealing a quartz substrate having a quartz crystal resonator by sandwiching a quartz substrate having a similar shape from above and below and bonding the three layers of substrates together is proposed. ing.

また、このような技術を適用することにより、複数の水晶振動子を有する水晶基板を用いた場合には、上下方向から基板を接合した後に基板を切断することにより、小型の複数の圧電デバイスを得ることができ、工程数の削減を図ることができる。
特開2006−94372号公報
In addition, by applying such a technique, when a quartz substrate having a plurality of quartz resonators is used, a plurality of small piezoelectric devices can be obtained by cutting the substrate after bonding the substrates from above and below. Thus, the number of steps can be reduced.
JP 2006-94372 A

本発明は、さらなる小型化を実現することのできる圧電デバイスおよびその製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a piezoelectric device capable of realizing further miniaturization and a manufacturing method thereof.

本発明の第1の形態に係る圧電デバイスは、
下側基板および上側基板と、それらに挟まれている中間基板とを含む圧電デバイスであって、
前記中間基板は、
圧電振動部と、
前記圧電振動部の周囲を囲む枠部と、
前記圧電振動部と前記枠部とを接続する接続部と、
前記圧電振動部の上面に設けられた第1の励振電極と、
前記圧電振動部の下面に設けられた第2の励振電極と、
を有し、
前記下側基板は、その下面に設けられた第1の外部端子および第2の外部端子を有し、
当該圧電デバイスは、
前記上側基板の下面において、前記接続部の上方から、当該接続部から最も離れた側面に沿った位置まで延び、かつ前記位置から当該側面を通ることにより、前記第1の励振電極と前記第1の外部端子とを電気的に接続する第1の配線と、
前記接続部の下面から前記下側基板の側面を通ることにより、第2の励振電極と前記第2の外部端子とを電気的に接続する第2の配線と、
をさらに含む。
The piezoelectric device according to the first aspect of the present invention is:
A piezoelectric device including a lower substrate and an upper substrate, and an intermediate substrate sandwiched between them,
The intermediate substrate is
A piezoelectric vibration part;
A frame portion surrounding the periphery of the piezoelectric vibrating portion;
A connecting portion for connecting the piezoelectric vibrating portion and the frame portion;
A first excitation electrode provided on the upper surface of the piezoelectric vibrating portion;
A second excitation electrode provided on the lower surface of the piezoelectric vibrating portion;
Have
The lower substrate has a first external terminal and a second external terminal provided on the lower surface thereof,
The piezoelectric device is
On the lower surface of the upper substrate, the first excitation electrode and the first are extended from above the connection portion to a position along the side surface farthest from the connection portion and through the side surface from the position. First wiring for electrically connecting the external terminals of the first wiring;
A second wiring that electrically connects the second excitation electrode and the second external terminal by passing through the side surface of the lower substrate from the lower surface of the connection portion;
Further included.

第1の形態に係る圧電デバイスにおいて、
前記上側基板は、下面に設けられた凹部を有し、
前記第1の配線は、前記上側基板の下面において前記凹部内に設けられていることができる。
In the piezoelectric device according to the first aspect,
The upper substrate has a recess provided on the lower surface,
The first wiring may be provided in the recess on the lower surface of the upper substrate.

第1の形態に係る圧電デバイスにおいて、
前記中間基板および前記下側基板の一の側面に連続的に設けられた第1の溝部と、
前記下側基板の前記一の側面に対向する他の側面に設けられた第2の溝部と、
を有し、
前記第1の配線は、前記第1の溝部の内部に設けられ、
前記第2の配線は、前記第2の溝部に内部に設けられていることができる。
In the piezoelectric device according to the first aspect,
A first groove continuously provided on one side surface of the intermediate substrate and the lower substrate;
A second groove provided on the other side surface of the lower substrate facing the one side surface;
Have
The first wiring is provided inside the first groove,
The second wiring may be provided inside the second groove.

本発明の第2の形態に係る圧電デバイスは、
下側基板および上側基板と、それらに挟まれている中間基板とを含む圧電デバイスであって、
前記中間基板は、
複数の圧電振動部と、
前記複数の圧電振動部の各々を囲む複数の枠部と、
前記複数の圧電振動部の各々と前記枠部とを接続する複数の接続部と、
前記複数の圧電振動部の各々の上面に設けられた複数の第1の励振電極と、
前記複数の圧電振動部の各々の下面に設けられた複数の第2の励振電極と、
前記枠部に設けられた第1の貫通穴と、を有し、
前記上側基板は、その下面において前記接続部の上方から前記第1の貫通穴の上方に延びている第1の配線を有し、
前記下側基板は、
前記第1の貫通穴の下方に設けられた第2の貫通穴と、
前記隣り合う接続部の間の下方に設けられた第3の貫通穴と、を有し、
当該圧電デバイスは、
前記複数の圧電振動部の各々を分離するために前記枠部上に設けられた複数のダイシングラインをさらに含み、
前記複数のダイシングラインのうち、前記接続部の最も近い一のダイシングラインは、前記第3の貫通穴を通り、
他のダイシングラインは、前記第1の貫通穴および前記第2の貫通穴を通り、
互いに隣り合う前記複数の圧電振動部および前記複数の接続部は、前記一または他のダイシングラインに対して対称に設けられている。
The piezoelectric device according to the second aspect of the present invention is
A piezoelectric device including a lower substrate and an upper substrate, and an intermediate substrate sandwiched between them,
The intermediate substrate is
A plurality of piezoelectric vibrating parts;
A plurality of frame portions surrounding each of the plurality of piezoelectric vibrating portions;
A plurality of connecting portions connecting each of the plurality of piezoelectric vibrating portions and the frame portion;
A plurality of first excitation electrodes provided on an upper surface of each of the plurality of piezoelectric vibrating portions;
A plurality of second excitation electrodes provided on the lower surface of each of the plurality of piezoelectric vibrating portions;
A first through hole provided in the frame portion,
The upper substrate has a first wiring extending on the lower surface thereof from above the connection portion to above the first through hole,
The lower substrate is
A second through hole provided below the first through hole;
A third through hole provided below between the adjacent connecting portions,
The piezoelectric device is
A plurality of dicing lines provided on the frame portion for separating each of the plurality of piezoelectric vibrating portions;
Among the plurality of dicing lines, one dicing line closest to the connection portion passes through the third through hole,
The other dicing lines pass through the first through hole and the second through hole,
The plurality of piezoelectric vibrating portions and the plurality of connecting portions adjacent to each other are provided symmetrically with respect to the one or other dicing lines.

本発明の第3の形態に係る圧電デバイスの製造方法は、
下側基板および上側基板と、それらに挟まれている中間基板とを含む圧電デバイスの製造方法であって、
複数の圧電振動部と、前記複数の圧電振動部の各々を囲む複数の枠部と、前記複数の圧電振動部の各々と前記枠部とを接続する複数の接続部と、前記複数の圧電振動部の各々の上面に設けられた複数の第1の励振電極と、前記複数の圧電振動部の各々の下面に設けられた複数の第2の励振電極と、前記枠部に設けられた第1の貫通穴と、を有する中間基板と、下面に第1の配線を有する上側基板と、第2の貫通穴および第3の貫通穴を有する下側基板と、を準備する工程と、
前記第1の貫通穴と前記第2の貫通穴とが重複するように、前記下側基板および上側基板と、中間基板とを接合する工程と、
前記第3の貫通穴を通る一のダイシングラインと、前記第1の貫通穴および前記第2の貫通穴を通る他のダイシングラインとに沿って前記上側基板、前記中間基板、および前記下側基板を切断することによって、前記複数の圧電振動部を分離する工程と、
前記第1の貫通穴と前記第2の貫通穴の形成領域に、第1の配線と接する一の導電膜を形成する工程と、
前記第3の貫通穴の形成領域に、他の導電膜を形成する工程と、
を含む。
A method for manufacturing a piezoelectric device according to the third aspect of the present invention includes:
A method of manufacturing a piezoelectric device including a lower substrate and an upper substrate, and an intermediate substrate sandwiched between them,
A plurality of piezoelectric vibrating portions; a plurality of frame portions surrounding each of the plurality of piezoelectric vibrating portions; a plurality of connecting portions connecting each of the plurality of piezoelectric vibrating portions and the frame portion; and the plurality of piezoelectric vibrations. A plurality of first excitation electrodes provided on an upper surface of each of the parts, a plurality of second excitation electrodes provided on a lower surface of each of the plurality of piezoelectric vibration parts, and a first provided on the frame part. A step of preparing an intermediate substrate having a through hole, an upper substrate having a first wiring on a lower surface, and a lower substrate having a second through hole and a third through hole;
Bonding the lower substrate and the upper substrate and the intermediate substrate so that the first through hole and the second through hole overlap;
The upper substrate, the intermediate substrate, and the lower substrate along one dicing line passing through the third through hole and another dicing line passing through the first through hole and the second through hole Separating the plurality of piezoelectric vibrating parts by cutting
Forming a conductive film in contact with the first wiring in a formation region of the first through hole and the second through hole;
Forming another conductive film in the formation region of the third through hole;
including.

本発明の第3の形態に係る圧電デバイスにおいて、
互いに隣り合う前記複数の圧電振動部および前記複数の接続部は、前記一または他のダイシングラインに対して対称に設けられていることができる。
In the piezoelectric device according to the third aspect of the present invention,
The plurality of piezoelectric vibrating portions and the plurality of connecting portions adjacent to each other may be provided symmetrically with respect to the one or other dicing lines.

1.圧電デバイス
本実施の形態に係る圧電デバイス100は、下側基板および上側基板と、それらに挟まれている中間基板とを含む。まず、下側基板、上側基板、および中間基板のそれぞれについて図1(A)〜図1(D)および図2を参照しながら具体的に説明する。図1(A)〜図1(D)は、本実施の形態に係る圧電デバイスに用いられる上側基板、中間基板、および下側基板を示す上面または下面図である。図2は、本実施の形態に係る圧電デバイスを示す断面図であり、図1(A)〜図1(D)におけるII-II切断面に対応する図である。
1. Piezoelectric Device The piezoelectric device 100 according to the present embodiment includes a lower substrate and an upper substrate, and an intermediate substrate sandwiched between them. First, each of the lower substrate, the upper substrate, and the intermediate substrate will be specifically described with reference to FIGS. 1 (A) to 1 (D) and FIG. 1A to 1D are top or bottom views showing an upper substrate, an intermediate substrate, and a lower substrate used in the piezoelectric device according to the present embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the piezoelectric device according to the present embodiment, and is a view corresponding to the II-II cut plane in FIGS. 1 (A) to 1 (D).

1.1.上側基板
図1(A)は、上側基板20を模式的に示す下面図である。上側基板20は、凹部21と、その周囲に設けられた枠部22とを有する。
1.1. Upper Substrate FIG. 1A is a bottom view schematically showing the upper substrate 20. The upper substrate 20 has a concave portion 21 and a frame portion 22 provided around the concave portion 21.

上側基板20の材質は、絶縁性の材質であれば特に限定されないが、材質の熱膨張差を考慮すると中間基板と同一の材質であることが好ましく、たとえば水晶からなることができる。   The material of the upper substrate 20 is not particularly limited as long as it is an insulating material, but considering the difference in thermal expansion of the material, it is preferably the same material as the intermediate substrate, and can be made of, for example, quartz.

凹部21は、少なくとも一部において、上側基板20の縁部24を含む領域に形成される。縁部24は、後述する中間基板10の接続部15から最も離れた側面に沿った位置にあることが好ましく、当該側面の中央部に設けられることがより好ましい。凹部21は、当該側面に連通するように設けられている。また凹部21は、中間基板10の接続部15の上方を含む領域に形成される。   The recess 21 is formed at least in a region including the edge 24 of the upper substrate 20. The edge 24 is preferably located along a side surface farthest from the connecting portion 15 of the intermediate substrate 10 described later, and more preferably provided at the center of the side surface. The recess 21 is provided so as to communicate with the side surface. The recess 21 is formed in a region including the upper part of the connection part 15 of the intermediate substrate 10.

本実施の形態において、上側基板20の下面の形状は、枠部22が、縁部24以外の上側基板20の側面に沿った領域に設けられ、その内側の領域および縁部24に凹部21が設けられる。また、凹部21の深さは、第1の配線23cの厚み以上であることが好ましい。また、中間基板の枠部に凹部を形成し、当該凹部に相当する位置に配線を配置する場合、上側基板は平板でも構わない。   In the present embodiment, the shape of the lower surface of the upper substrate 20 is such that the frame portion 22 is provided in a region along the side surface of the upper substrate 20 other than the edge portion 24, and the recess 21 is provided in the inner region and the edge portion 24. Provided. Moreover, it is preferable that the depth of the recessed part 21 is more than the thickness of the 1st wiring 23c. Further, when a recess is formed in the frame portion of the intermediate substrate and the wiring is arranged at a position corresponding to the recess, the upper substrate may be a flat plate.

上側基板20は、凹部21の内部に設けられた第1の配線23cをさらに有する。第1の配線23cは、後述する接続部の上方から縁部24まで引き出されている。第1の配線cの材質としては、導電性材料であれば特に限定されないが、たとえば下地としてCr膜を用い、その上にAu膜を有する多層構造であることができる。   The upper substrate 20 further has a first wiring 23 c provided inside the recess 21. The first wiring 23c is drawn from the upper part of the connection part described later to the edge part 24. The material of the first wiring c is not particularly limited as long as it is a conductive material. For example, the first wiring c may have a multilayer structure in which a Cr film is used as a base and an Au film is formed thereon.

1.2.中間基板
図1(B)は、中間基板10を模式的に示す上面図であり、図1(C)は、中間基板10を模式的に示す下面図である。
1.2. Intermediate Substrate FIG. 1B is a top view schematically showing the intermediate substrate 10, and FIG. 1C is a bottom view schematically showing the intermediate substrate 10.

中間基板10は、圧電振動部11と、圧電振動部11の周囲を取り囲む枠部12と、圧電振動部11と枠部12とを接続する接続部15と、圧電振動部11を振動させるための第1の励振電極13および第2の励振電極14とを有する。   The intermediate substrate 10 includes a piezoelectric vibration part 11, a frame part 12 surrounding the piezoelectric vibration part 11, a connection part 15 connecting the piezoelectric vibration part 11 and the frame part 12, and a vibration part for vibrating the piezoelectric vibration part 11. A first excitation electrode 13 and a second excitation electrode 14 are included.

中間基板10は、接続部15以外の領域が接触しないように、たとえばC字型のスリット16を有する。中間基板10において、スリット16の内側の領域が圧電振動部11として機能し、スリット16の外側の領域が上側基板20および下側基板30と接合するための枠部12として機能することができる。   The intermediate substrate 10 has, for example, a C-shaped slit 16 so that a region other than the connection portion 15 does not contact. In the intermediate substrate 10, a region inside the slit 16 can function as the piezoelectric vibrating portion 11, and a region outside the slit 16 can function as the frame portion 12 for joining to the upper substrate 20 and the lower substrate 30.

中間基板10は、段差構造を有している。具体的には、図2に示すように、枠部12の領域が最も厚く、圧電振動部11の領域が最も薄く、接続部15は、圧電振動部11から枠部12にかけて上下面において傾斜して徐々に厚くなっている。圧電振動部11は、枠部12の厚み方向において中心に位置する。このような形状を有することにより、上側基板20と下側基板30との間に空洞ができて圧電振動部11の振動が可能となる。   The intermediate substrate 10 has a step structure. Specifically, as shown in FIG. 2, the region of the frame portion 12 is the thickest, the region of the piezoelectric vibrating portion 11 is the thinnest, and the connection portion 15 is inclined on the upper and lower surfaces from the piezoelectric vibrating portion 11 to the frame portion 12. And gradually getting thicker. The piezoelectric vibration part 11 is located at the center in the thickness direction of the frame part 12. By having such a shape, a cavity is formed between the upper substrate 20 and the lower substrate 30, and the vibration of the piezoelectric vibrating portion 11 is possible.

圧電振動部11は、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料からなる。圧電振動部11、接続部15、および枠部12は、水晶基板からなることが好ましく、基板面がX軸に平行でX軸の回りに回転切断して作製されるATカットの水晶基板であることができる。圧電振動部11は、接続部15を介して枠部12と接続しており、接続部15は、中間基板10の長手方向に対向する側面の一方の近傍に設けられている。   The piezoelectric vibrating part 11 is made of a piezoelectric material such as quartz, lithium tantalate, or lithium niobate. The piezoelectric vibrating portion 11, the connecting portion 15, and the frame portion 12 are preferably made of a quartz substrate, and are an AT-cut quartz substrate manufactured by rotating and cutting around the X axis with the substrate surface parallel to the X axis. be able to. The piezoelectric vibrating portion 11 is connected to the frame portion 12 via the connecting portion 15, and the connecting portion 15 is provided in the vicinity of one of the side surfaces facing the longitudinal direction of the intermediate substrate 10.

第1の励振電極13は、中間基板10の上面に圧電振動部11と接触するように設けられ、第2の励振電極14は、中間基板10の下面に圧電振動部11と接触するように設けられている。第1の励振電極13および第2の励振電極14の各々は、接続部15上に設けられた第1の配線23aおよび第2の配線33aから引き出されて、圧電振動部11上に延出している。第1の励振電極13および第2の励振電極14の材質としては、たとえば下地としてCr膜を用い、その上にAu膜を有する多層構造であることができる。   The first excitation electrode 13 is provided on the upper surface of the intermediate substrate 10 so as to be in contact with the piezoelectric vibrating portion 11, and the second excitation electrode 14 is provided on the lower surface of the intermediate substrate 10 so as to be in contact with the piezoelectric vibrating portion 11. It has been. Each of the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 is drawn from the first wiring 23 a and the second wiring 33 a provided on the connection portion 15 and extends onto the piezoelectric vibration portion 11. Yes. As a material of the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14, for example, a Cr film may be used as a base, and a multilayer structure having an Au film thereon may be used.

中間基板10は、第1の溝部25をさらに有する。第1の溝部25は、上側基板20の縁部24と重複する領域に設けられている。第1の溝部25は、たとえば平面視において半円または円弧形状であることができ、中間基板10の上面から下面に貫通している。   The intermediate substrate 10 further includes a first groove portion 25. The first groove portion 25 is provided in a region overlapping with the edge portion 24 of the upper substrate 20. The first groove portion 25 can be, for example, a semicircle or an arc shape in a plan view, and penetrates from the upper surface to the lower surface of the intermediate substrate 10.

1.3.下側基板
図1(D)は、下側基板30を模式的に示す下面図である。下側基板30は、その下面に設けられた第1の外部端子32および第2の外部端子34を有する。
1.3. Lower Substrate FIG. 1D is a bottom view schematically showing the lower substrate 30. The lower substrate 30 has a first external terminal 32 and a second external terminal 34 provided on the lower surface thereof.

下側基板30の材質は、上側基板20と同様に、絶縁性の材質であれば特に限定されないが、中間基板と同一の材質であることが好ましく、たとえば水晶からなることができる。   The material of the lower substrate 30 is not particularly limited as long as the upper substrate 20 is an insulating material, but is preferably the same material as the intermediate substrate, and can be made of, for example, quartz.

第1の外部端子32および第2の外部端子34は、圧電デバイス100を外部の機器とを電気的に接続するために用いられる。第1の外部端子32および第2の外部端子34は、互いに離れた位置に設けられ、具体的には下側基板20の長手方向に対向する端部にそれぞれ設けられる。第1の外部端子32および第2の外部端子34の材質としては、たとえば下地としてCr膜を用い、その上にAu膜を有する多層構造であることができる。   The first external terminal 32 and the second external terminal 34 are used to electrically connect the piezoelectric device 100 to an external device. The first external terminal 32 and the second external terminal 34 are provided at positions separated from each other, and specifically, provided at the end portions of the lower substrate 20 that face each other in the longitudinal direction. As a material of the first external terminal 32 and the second external terminal 34, for example, a Cr film may be used as a base, and a multilayer structure having an Au film thereon may be used.

下側基板30は、第1の溝部35および第2の溝部36をさらに有する。第1の溝部35は、上側基板20の縁部24に重複し、かつ第1の外部端子32に囲まれた領域に設けられている。第1の溝部35は、上述した第1の溝部25と同様に、平面視において半円または円弧形状であることができ、下側基板30の上面から下面に貫通している。第2の溝部36は、第2の外部端子34に囲まれた領域、かつ中間基板10の接続部15に最も近い側面に設けられている。第2の溝部36についても同様に、平面視において半円または円弧形状であることができ、下側基板30の上面から下面に貫通している。   The lower substrate 30 further includes a first groove part 35 and a second groove part 36. The first groove 35 is provided in a region overlapping the edge 24 of the upper substrate 20 and surrounded by the first external terminals 32. Similar to the first groove 25 described above, the first groove 35 can be semicircular or arcuate in plan view, and penetrates from the upper surface to the lower surface of the lower substrate 30. The second groove portion 36 is provided in a region surrounded by the second external terminals 34 and on the side surface closest to the connection portion 15 of the intermediate substrate 10. Similarly, the second groove portion 36 can be semicircular or arcuate in plan view and penetrates from the upper surface to the lower surface of the lower substrate 30.

1.4.全体の構造
第1の励振電極13および第2の励振電極14のそれぞれが第1の外部端子32および第2の外部端子34と電気的に接続するために、圧電デバイス100に設けられた配線構造について詳細に説明する。
1.4. Overall Structure A wiring structure provided in the piezoelectric device 100 so that the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 are electrically connected to the first external terminal 32 and the second external terminal 34, respectively. Will be described in detail.

図2は、本実施の形態に係る圧電デバイスの断面図である。第1の励振電極13は、第1の配線23a,b,c,d,を介して第1の外部端子32と電気的に接続する。第1の励振電極13と第1の配線23aは、中間基板10上で一体的に形成されている。第1の配線23aは、第1の配線23bを用いて第1の配線23cと、接続されている。第1の配線23cは、第1の配線23dによって第1の外部端子32と接続されている。   FIG. 2 is a cross-sectional view of the piezoelectric device according to the present embodiment. The first excitation electrode 13 is electrically connected to the first external terminal 32 via the first wirings 23a, b, c, d. The first excitation electrode 13 and the first wiring 23 a are integrally formed on the intermediate substrate 10. The first wiring 23a is connected to the first wiring 23c using the first wiring 23b. The first wiring 23c is connected to the first external terminal 32 by the first wiring 23d.

第1の配線23dは、上側基板20の縁部24、および中間基板10および下側基板30の側面に設けられた第1の溝部25、35に連続的に設けられて、第1の外部端子32に接続する。   The first wiring 23d is continuously provided in the edge portion 24 of the upper substrate 20 and the first groove portions 25 and 35 provided on the side surfaces of the intermediate substrate 10 and the lower substrate 30, and the first external terminal 32.

第2の励振電極14は、第2の配線33a,bを介して第2の外部端子34と電気的に接続する。第2の励振電極14と第2の配線33aは、中間基板10の下面で一体的に形成されており、中間基板10の端面に至るまで引き出されている。第2の配線33aは、第2の配線33bを介して第2の外部端子34に接続されている。第2の配線33bは、下側基板30の側面に設けられた第2の溝部36に連続的に設けられて、第2の外部端子34に接続する。   The second excitation electrode 14 is electrically connected to the second external terminal 34 via the second wirings 33a and 33b. The second excitation electrode 14 and the second wiring 33 a are integrally formed on the lower surface of the intermediate substrate 10, and are drawn out to reach the end surface of the intermediate substrate 10. The second wiring 33a is connected to the second external terminal 34 via the second wiring 33b. The second wiring 33 b is continuously provided in the second groove portion 36 provided on the side surface of the lower substrate 30 and is connected to the second external terminal 34.

なお、第1の配線23bは、たとえば半田、金等からなるバンプ、導電性接着剤等によって形成されている。また第1の配線23dおよび第2の配線33bは、半田や金等からなるバンプ等の導電性材料によって形成されている。   The first wiring 23b is formed of, for example, a bump made of solder, gold or the like, a conductive adhesive, or the like. The first wiring 23d and the second wiring 33b are formed of a conductive material such as a bump made of solder or gold.

次に、上側基板20と中間基板10ならびに中間基板10と下側基板30の接合位置について説明する。   Next, the bonding positions of the upper substrate 20 and the intermediate substrate 10 and between the intermediate substrate 10 and the lower substrate 30 will be described.

上側基板20と中間基板10との接合面では、上側基板20の枠部22が中間基板10の枠部12に重複し、上側基板20の縁部24が中間基板10の第1の溝部25に重複し、かつ上側基板20における第1の配線23cの縁部24とは反対側の端部が中間基板10における第1の配線23a第1の励振電極13側とは反対側の端部に重複している。   At the bonding surface between the upper substrate 20 and the intermediate substrate 10, the frame portion 22 of the upper substrate 20 overlaps with the frame portion 12 of the intermediate substrate 10, and the edge portion 24 of the upper substrate 20 extends to the first groove 25 of the intermediate substrate 10. The end of the upper substrate 20 opposite to the edge 24 of the first wiring 23c overlaps the end of the intermediate substrate 10 opposite to the first wiring 23a opposite to the first excitation electrode 13 side. is doing.

中間基板10と下側基板30との接合面では、中間基板10の第1の溝部25と、下側基板の第1の溝部35とが重複し、かつ中間基板10における第1の配線23a第1の励振電極13側とは反対側の端部が下側基板30における第2の溝部36とが重複する。   At the joint surface between the intermediate substrate 10 and the lower substrate 30, the first groove portion 25 of the intermediate substrate 10 and the first groove portion 35 of the lower substrate overlap, and the first wiring 23a of the intermediate substrate 10 The second groove 36 in the lower substrate 30 overlaps at the end opposite to the one excitation electrode 13 side.

本実施の形態に係る圧電デバイス100は、第1の励振電極13と第1の外部端子32とを電気的に接続するための第1の配線23cを、上側基板20の下面から外側面に引き出している。これにより、たとえば中間基板の枠部にスルーホールを設け、前記スルーホールを介して第1の配線を枠部の外側面に引き出す場合と比べて圧電デバイス100を容易に小型化することができ、圧電振動部の面積を大きくすることができ、ひいてはCI(Crystal Impedance)値を低く抑えることができる。   In the piezoelectric device 100 according to the present embodiment, the first wiring 23c for electrically connecting the first excitation electrode 13 and the first external terminal 32 is drawn from the lower surface of the upper substrate 20 to the outer surface. ing. Thereby, for example, the through hole is provided in the frame portion of the intermediate substrate, and the piezoelectric device 100 can be easily downsized as compared with the case where the first wiring is drawn out to the outer surface of the frame portion through the through hole. The area of the piezoelectric vibration part can be increased, and consequently the CI (Crystal Impedance) value can be kept low.

2.圧電デバイスの製造方法
次に本実施の形態に係る圧電デバイス100の製造方法について説明する。図3〜図6は、本実施の形態に係る圧電デバイス100の製造方法を示す図である。
2. Next, a method for manufacturing the piezoelectric device 100 according to the present embodiment will be described. 3-6 is a figure which shows the manufacturing method of the piezoelectric device 100 which concerns on this Embodiment.

まず、上側水晶板220(上側基板)、中間水晶板210(中間基板)、および下側水晶板230(下側基板)を準備する(図3参照)。上側水晶板220、中間水晶板210、および下側水晶板230は、それぞれ複数の上側基板20、中間基板10、および下側基板30が配列された基板である。   First, an upper crystal plate 220 (upper substrate), an intermediate crystal plate 210 (intermediate substrate), and a lower crystal plate 230 (lower substrate) are prepared (see FIG. 3). Upper crystal plate 220, intermediate crystal plate 210, and lower crystal plate 230 are substrates on which a plurality of upper substrate 20, intermediate substrate 10, and lower substrate 30 are arranged, respectively.

図4は、本実施の形態にかかる中間水晶板210を示す下面図である。中間水晶板210は、中間基板10の境界にダイシングラインL1およびダイシングラインL2を有する。ダイシングラインL1およびダイシングラインL2は、直角に交叉するように設けられている。ダイシングラインL1は、列方向に延びており、行方向に配列されている。ダイシングラインL2は、行方向に延びており、列方向に配列されている。中間水晶板210において、複数の中間基板10は、1列おきに反転して配置されている。従って、隣り合う複数の中間基板10は、ダイシングラインL1を基準として互いに対称に設けられている。また、中間水晶板210は、ダイシングラインL1上に設けられた第1の貫通穴225を有する。第1の貫通穴225は、後に中間水晶板210がダイシングラインL1に沿って切断されると、上述した第1の溝部25となる。   FIG. 4 is a bottom view showing the intermediate crystal plate 210 according to the present embodiment. The intermediate crystal plate 210 has a dicing line L1 and a dicing line L2 at the boundary of the intermediate substrate 10. The dicing line L1 and the dicing line L2 are provided so as to cross at a right angle. The dicing lines L1 extend in the column direction and are arranged in the row direction. The dicing lines L2 extend in the row direction and are arranged in the column direction. In the intermediate crystal plate 210, the plurality of intermediate substrates 10 are reversed and arranged every other row. Therefore, a plurality of adjacent intermediate substrates 10 are provided symmetrically with respect to the dicing line L1. In addition, the intermediate crystal plate 210 has a first through hole 225 provided on the dicing line L1. The first through-hole 225 becomes the above-described first groove portion 25 when the intermediate crystal plate 210 is later cut along the dicing line L1.

中間水晶板210は、上述したように、段差構造、C字型のスリット16、および第1の貫通穴225を有しているが、これは、たとえばフォトリソグラフィ技術を利用したエッチングにより設けられる。また、第1の励振電極13および第2の励振電極14は、たとえば、フォトリソグラフィ技術を利用したエッチング、蒸着法またはスパッタ法を適用することにより得ることができる。   As described above, the intermediate crystal plate 210 has the step structure, the C-shaped slit 16, and the first through hole 225, which are provided by etching using, for example, a photolithography technique. The first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 can be obtained, for example, by applying an etching, vapor deposition method or sputtering method using a photolithography technique.

上側水晶板220および下側水晶板230も、中間水晶板210と同様にダイシングラインL1およびダイシングラインL2を有する。また複数の上側基板20および複数の下側基板30は、1列おきに反転して配置され、ダイシングラインL1を基準として互いに対称に設けられている。   Similarly to the intermediate crystal plate 210, the upper crystal plate 220 and the lower crystal plate 230 also have a dicing line L1 and a dicing line L2. Further, the plurality of upper substrates 20 and the plurality of lower substrates 30 are arranged in an inverted manner every other column, and are provided symmetrically with respect to the dicing line L1.

上側水晶板220においては、図3に示すように、隣り合う上側水晶板220に設けられている2つの第1の配線23cが連続的かつ対称的に設けられている。上側水晶板220が有する凹部21は、フォトリソグラフィ技術を利用したエッチングまたはサンドブラスト加工により設けられる。また、第1の配線23cは、たとえば、蒸着法またはスパッタ法を適用することにより得ることができる。   In the upper crystal plate 220, as shown in FIG. 3, two first wirings 23c provided in adjacent upper crystal plates 220 are provided continuously and symmetrically. The concave portion 21 of the upper crystal plate 220 is provided by etching or sandblasting using a photolithography technique. The first wiring 23c can be obtained by applying, for example, a vapor deposition method or a sputtering method.

下側水晶板230は、ダイシングラインL1上に第2の貫通穴235および第3の貫通穴236を有する。第2の貫通穴235および第3の貫通穴236は、フォトリソグラフィ技術を利用してエッチングにより設けられる。第2の貫通穴235および第3の貫通穴236は、交互のダイシングラインL1上に設けられている。後に下側水晶板230がダイシングラインL1に沿って切断されると、第2の貫通穴235は、上述した第1の溝部35となり、第3の貫通穴236は、上述した第2の溝部36となる。また、第1の外部端子32および第2の外部端子34は、蒸着法またはスパッタ法を適用することにより得ることができる。   The lower crystal plate 230 has a second through hole 235 and a third through hole 236 on the dicing line L1. The second through hole 235 and the third through hole 236 are provided by etching using a photolithography technique. The second through holes 235 and the third through holes 236 are provided on the alternating dicing lines L1. When the lower crystal plate 230 is later cut along the dicing line L1, the second through hole 235 becomes the above-described first groove portion 35, and the third through hole 236 becomes the above-described second groove portion 36. It becomes. The first external terminal 32 and the second external terminal 34 can be obtained by applying a vapor deposition method or a sputtering method.

次に、上側水晶板220および下側水晶板230と、中間水晶板210とを接合する(図5参照)。接合は、直接接合を適用することが好ましい。水晶板同士を直接接合することにより、加熱による応力の発生を軽減して振動数を安定化させることができる。   Next, the upper crystal plate 220 and the lower crystal plate 230 are joined to the intermediate crystal plate 210 (see FIG. 5). It is preferable to apply direct bonding for bonding. By directly joining the quartz plates, the generation of stress due to heating can be reduced and the frequency can be stabilized.

接合する際の位置合わせは、第1の貫通穴225と第2の貫通穴235とが重複し、第3の貫通穴236が接続部15の下方に位置するように行われる。また、接合する際、上側水晶板220と中間水晶板210との間に、半田、金等からなるバンプ、導電性接着剤等の導電膜を挟み込むことによって、第1の配線23bを形成する。第1の配線23bは、中間水晶板210の接続部15上に設けられており、上側水晶板220の第1の配線23cと重複するように配置される。   The alignment at the time of joining is performed such that the first through hole 225 and the second through hole 235 overlap with each other, and the third through hole 236 is positioned below the connection portion 15. Further, when bonding, a first wiring 23 b is formed by sandwiching a conductive film such as a bump made of solder, gold or the like, or a conductive adhesive between the upper crystal plate 220 and the intermediate crystal plate 210. The first wiring 23 b is provided on the connection portion 15 of the intermediate crystal plate 210, and is arranged so as to overlap with the first wiring 23 c of the upper crystal plate 220.

以上の工程により、図5に示すように、水晶板が3層積層され、複数の圧電振動部を有する圧電水晶デバイス300(圧電デバイス)を得ることができる。   Through the above steps, as shown in FIG. 5, a piezoelectric quartz crystal device 300 (piezoelectric device) having a plurality of quartz crystal plates and having a plurality of piezoelectric vibrating portions can be obtained.

次に、ダイシングラインL1およびL2に沿って、圧電水晶デバイス300を切断分割する(図6参照)。図6は、切断後のチップの断面を示す図であり、図2に対応する。   Next, the piezoelectric quartz crystal device 300 is cut and divided along the dicing lines L1 and L2 (see FIG. 6). FIG. 6 is a view showing a cross section of the chip after cutting, and corresponds to FIG.

次いで、第1の溝部25、35および第2の溝部36に導電材料を埋め込むことによって、第1の配線23dおよび第2の配線33bを形成する。   Next, a first wiring 23 d and a second wiring 33 b are formed by embedding a conductive material in the first groove portions 25 and 35 and the second groove portion 36.

以上の工程により、圧電デバイス100を得ることができる(図2参照)。   Through the above steps, the piezoelectric device 100 can be obtained (see FIG. 2).

本実施の形態に係る圧電デバイス100の製造方法によれば、圧電水晶デバイス300がダイシングラインL1に対して左右対称の形状を有するため、第1の貫通穴225、第2の貫通穴235、第3の貫通穴236等のダイシングラインL1上における部材を同時に形成することができ、工程数を削減することができる。   According to the method for manufacturing the piezoelectric device 100 according to the present embodiment, since the piezoelectric quartz crystal device 300 has a symmetrical shape with respect to the dicing line L1, the first through hole 225, the second through hole 235, the first The members on the dicing line L1 such as the three through holes 236 can be formed at the same time, and the number of processes can be reduced.

なお、第1の配線23dおよび第2の配線33bは、圧電水晶デバイス300を切断分割する前に第1の貫通穴225、第2の貫通穴235、および第3の貫通穴236に導電材料を埋め込むことによって形成してもよい。これにより、隣り合う2つの圧電デバイスの配線を一度の工程で形成することができるため、工程数を削減することができる。   Note that the first wiring 23d and the second wiring 33b are made of conductive material in the first through hole 225, the second through hole 235, and the third through hole 236 before the piezoelectric quartz crystal device 300 is cut and divided. You may form by embedding. Thereby, since the wiring of two adjacent piezoelectric devices can be formed in a single process, the number of processes can be reduced.

3.変形例
本実施の形態の変形例にかかる圧電デバイスは、接続部が2箇所に設けられている点で、接続部が1箇所に設けられている圧電デバイス100と異なる。
3. Modified Example A piezoelectric device according to a modified example of the present embodiment is different from the piezoelectric device 100 in which the connecting part is provided at one place in that the connecting part is provided at two places.

図7(A)〜図7(D)は、本実施の形態の変形例にかかる圧電デバイスを構成する上側基板120および中間基板110を示す図であり、上述した図1(A)〜図1(D)に対応する。なお、変形例にかかる圧電デバイスに用いられている構成の材質は、上述した圧電デバイス100の対応する構成の材質と同様であるので説明を省略する。   FIG. 7A to FIG. 7D are views showing the upper substrate 120 and the intermediate substrate 110 that constitute the piezoelectric device according to the modification of the present embodiment, and FIG. 1A to FIG. Corresponds to (D). In addition, since the material of the structure used for the piezoelectric device concerning a modification is the same as the material of the structure corresponding to the piezoelectric device 100 mentioned above, description is abbreviate | omitted.

3.1.上側基板
図7(A)は、上側基板120の下面を示す図である。上側基板120は、凹部121および第1の配線123cを下面に有する。
3.1. Upper Substrate FIG. 7A is a diagram showing the lower surface of the upper substrate 120. The upper substrate 120 has a recess 121 and a first wiring 123c on the lower surface.

凹部121は、少なくとも一部において、上側基板120の縁部124を含む領域に形成される。縁部124は、後述する中間基板110の接続部115a、115bから最も離れた側面に沿った位置にあることが好ましく、当該側面において接続部115aと最短距離の位置に設けられることがより好ましい。凹部121は、縁部124を有する側面に連通するように設けられている。また凹部121は、中間基板110の一方の接続部115aの上方を含む領域に形成される。   The recess 121 is formed at least in a region including the edge 124 of the upper substrate 120. The edge portion 124 is preferably located along a side surface farthest from connecting portions 115a and 115b of the intermediate substrate 110, which will be described later, and more preferably provided at a position closest to the connecting portion 115a on the side surface. The recess 121 is provided so as to communicate with the side surface having the edge 124. The recess 121 is formed in a region including the upper side of one connection portion 115a of the intermediate substrate 110.

本実施の形態において、上側基板120の下面の形状は、枠部122が、縁部124以外の上側基板120の側面に沿った領域に設けられ、その内側の領域および縁部124に凹部121が設けられる。また、凹部121の深さは、第1の配線123cの厚み以上であることが好ましい。   In the present embodiment, the shape of the lower surface of the upper substrate 120 is such that the frame portion 122 is provided in a region along the side surface of the upper substrate 120 other than the edge portion 124, and the recess 121 is formed in the inner region and the edge portion 124. Provided. The depth of the recess 121 is preferably equal to or greater than the thickness of the first wiring 123c.

上側基板120は、凹部121の内部に設けられた第1の配線123cをさらに有する。第1の配線123cは、後述する接続部の上方から縁部124まで引き出されている。   The upper substrate 120 further includes a first wiring 123 c provided inside the recess 121. The first wiring 123c is drawn from the upper part of the connection part described later to the edge part 124.

3.2.中間基板
図7(B)は、中間基板110を模式的に示す上面図であり、図7(C)は、中間基板110を模式的に示す下面図である。
3.2. Intermediate Substrate FIG. 7B is a top view schematically showing the intermediate substrate 110, and FIG. 7C is a bottom view schematically showing the intermediate substrate 110.

中間基板110は、圧電振動部111と、圧電振動部111の周囲を取り囲む枠部112と、圧電振動部111と枠部112とを接続する2つの接続部115a,bと、圧電振動部111を振動させるための第1の励振電極113および第2の励振電極114とを有する。   The intermediate substrate 110 includes a piezoelectric vibrating portion 111, a frame portion 112 surrounding the piezoelectric vibrating portion 111, two connection portions 115a and 115b connecting the piezoelectric vibrating portion 111 and the frame portion 112, and the piezoelectric vibrating portion 111. It has the 1st excitation electrode 113 and the 2nd excitation electrode 114 for making it oscillate.

中間基板110は、接続部115a,115b以外の領域が接触しないように、たとえばC字型の第1のスリット116および長方形の第2のスリット117を有する。第2のスリット117は、接続部115aと115bの間に設けられる。中間基板110において、第1のスリット116と第2のスリット117で囲まれた領域が圧電振動部111として機能し、スリット116と第2のスリット117の外側の領域が上側基板120および下側基板と接合するための枠部112として機能することができる。   The intermediate substrate 110 has, for example, a C-shaped first slit 116 and a rectangular second slit 117 so that regions other than the connection portions 115a and 115b do not come into contact with each other. The second slit 117 is provided between the connecting portions 115a and 115b. In the intermediate substrate 110, a region surrounded by the first slit 116 and the second slit 117 functions as the piezoelectric vibration unit 111, and regions outside the slit 116 and the second slit 117 are the upper substrate 120 and the lower substrate. It can function as the frame part 112 for joining.

中間基板110は、段差構造を有している。具体的には、枠部112の領域が最も厚く、圧電振動部111の領域が最も薄く、接続部115a,115bは、圧電振動部111から枠部112にかけて上下面において傾斜して徐々に厚くなっている。圧電振動部111は、枠部112の厚み方向において中心に位置する。   The intermediate substrate 110 has a step structure. Specifically, the region of the frame part 112 is the thickest, the region of the piezoelectric vibration part 111 is the thinnest, and the connection parts 115a and 115b are inclined gradually from the piezoelectric vibration part 111 to the frame part 112 and gradually thicken. ing. The piezoelectric vibrating portion 111 is located at the center in the thickness direction of the frame portion 112.

圧電振動部111は、接続部115a,115bを介して枠部112と接続しており、接続部115a,115bは、中間基板110の長手方向に対向する側面の一方の近傍に設けられている。   The piezoelectric vibration part 111 is connected to the frame part 112 via connection parts 115a and 115b, and the connection parts 115a and 115b are provided in the vicinity of one of the side surfaces facing the longitudinal direction of the intermediate substrate 110.

第1の励振電極113は、中間基板110の上面に圧電振動部111と接触するように設けられ、第2の励振電極114は、中間基板110の下面に圧電振動部111と接触するように設けられている。第1の励振電極113および第2の励振電極114の各々は、接続部115b上に設けられた第1の配線123aおよび第2の配線133aから引き出されて、圧電振動部111上に延出している。   The first excitation electrode 113 is provided on the upper surface of the intermediate substrate 110 so as to be in contact with the piezoelectric vibrating portion 111, and the second excitation electrode 114 is provided on the lower surface of the intermediate substrate 110 so as to be in contact with the piezoelectric vibrating portion 111. It has been. Each of the first excitation electrode 113 and the second excitation electrode 114 is drawn from the first wiring 123a and the second wiring 133a provided on the connection portion 115b and extends onto the piezoelectric vibration portion 111. Yes.

中間基板110は、第1の溝部125をさらに有する。第1の溝部125は、上側基板120の縁部124と重複する領域に設けられている。第1の溝部125は、たとえば平面視において半円または円弧形状であることができ、中間基板110の上面から下面に貫通している。   The intermediate substrate 110 further includes a first groove portion 125. The first groove 125 is provided in a region overlapping with the edge 124 of the upper substrate 120. The first groove portion 125 can be, for example, a semicircle or an arc shape in plan view, and penetrates from the upper surface to the lower surface of the intermediate substrate 110.

3.3.下側基板
図7(D)は、下側基板130を模式的に示す下面図である。下側基板130は、その下面に設けられた第1の外部端子132および第2の外部端子134を有する。
3.3. Lower Substrate FIG. 7D is a bottom view schematically showing the lower substrate 130. The lower substrate 130 has a first external terminal 132 and a second external terminal 134 provided on the lower surface thereof.

第1の外部端子132および第2の外部端子134は、圧電デバイスを外部の機器とを電気的に接続するために用いられる。第1の外部端子132および第2の外部端子134は、互いに離れた位置に設けられ、具体的には下側基板120の長手方向に対向する端部にそれぞれ設けられる。   The first external terminal 132 and the second external terminal 134 are used to electrically connect the piezoelectric device to an external device. The first external terminal 132 and the second external terminal 134 are provided at positions separated from each other, and specifically, provided at the end portions of the lower substrate 120 facing each other in the longitudinal direction.

下側基板130は、第1の溝部135および第2の溝部136をさらに有する。第1の溝部135は、上側基板120の縁部124に重複し、かつ第1の外部端子132に囲まれた領域に設けられている。第1の溝部135は、上述した第1の溝部125と同様に、平面視において半円または円弧形状であることができ、下側基板130の上面から下面に貫通している。第2の溝部136は、第2の外部端子134に囲まれた領域、かつ中間基板10の接続部115a,bに最も近い側面の接続部115a側の下方に設けられている。第2の溝部136についても同様に、平面視において半円または円弧形状であることができ、下側基板130の上面から下面に貫通している。   The lower substrate 130 further includes a first groove part 135 and a second groove part 136. The first groove 135 overlaps with the edge 124 of the upper substrate 120 and is provided in a region surrounded by the first external terminals 132. Similar to the first groove 125 described above, the first groove 135 can be semicircular or arcuate in plan view, and penetrates from the upper surface to the lower surface of the lower substrate 130. The second groove 136 is provided in a region surrounded by the second external terminals 134 and below the side of the connecting portion 115 a on the side surface closest to the connecting portions 115 a and 115 b of the intermediate substrate 10. Similarly, the second groove 136 can be semicircular or arcuate in plan view, and penetrates from the upper surface to the lower surface of the lower substrate 130.

3.4.全体の構造
第1の励振電極113は、第1の配線123a,b,c,d,を介して第1の外部端子と電気的に接続する。第1の配線123dは、上側基板120の縁部124、および中間基板110および下側基板130の側面に設けられた第1の溝部125に連続的に設けられて、第1の外部端子132に接続する。
3.4. Overall Structure The first excitation electrode 113 is electrically connected to the first external terminal via the first wiring 123a, b, c, d. The first wiring 123 d is continuously provided in the edge portion 124 of the upper substrate 120 and the first groove portion 125 provided in the side surfaces of the intermediate substrate 110 and the lower substrate 130, and is connected to the first external terminal 132. Connecting.

第2の励振電極114は、第2の配線133a,bを介して第2の外部端子134と電気的に接続する。第2の励振電極114と第2の配線133aは、中間基板110の下面で一体的に形成されており、中間基板110の端面に至るまで引き出されている。第2の配線133aは、第2の配線133bを介して第2の外部端子134に接続されている。第2の配線133bは、下側基板130の側面に設けられた第2の溝部136に連続的に設けられて、第2の外部端子134に接続する。   The second excitation electrode 114 is electrically connected to the second external terminal 134 through the second wirings 133a and 133b. The second excitation electrode 114 and the second wiring 133 a are integrally formed on the lower surface of the intermediate substrate 110, and are drawn out to reach the end surface of the intermediate substrate 110. The second wiring 133a is connected to the second external terminal 134 via the second wiring 133b. The second wiring 133 b is continuously provided in the second groove 136 provided on the side surface of the lower substrate 130 and is connected to the second external terminal 134.

変形例に係る圧電デバイスは、2箇所に接続部115aと115bを有するため、圧電振動部111を、より強固に支持することができ、圧電デバイスの強度を高めることができる。   Since the piezoelectric device according to the modified example has the connecting portions 115a and 115b at two locations, the piezoelectric vibrating portion 111 can be supported more firmly and the strength of the piezoelectric device can be increased.

変形例に係る圧電デバイスは、第1の励振電極113と第1の外部端子132とを電気的に接続するための第1の配線123cを、上側基板120の下面から接続部115a,115bの反対側の外側面に引き出している。これにより、たとえば中間基板の枠部から接続部の反対側の外側面に引き出す場合と比べて圧電デバイスを容易に小型化することができ、圧電振動部の面積を大きくすることができ、ひいてはCI値を低く抑えることができる。   In the piezoelectric device according to the modified example, the first wiring 123c for electrically connecting the first excitation electrode 113 and the first external terminal 132 is provided from the lower surface of the upper substrate 120 opposite to the connection portions 115a and 115b. Pulls out to the outer side. This makes it possible to easily reduce the size of the piezoelectric device and to increase the area of the piezoelectric vibrating portion as compared with, for example, pulling out from the frame portion of the intermediate substrate to the outer surface on the opposite side of the connecting portion, and thus CI. The value can be kept low.

また、変形例に係る圧電デバイスによれば内部に第1の配線123cを設けることから、接続部側の外側面から反対側の外側面に配線を引き回す場合と比べて、断線の頻度を低減することができる。   Further, according to the piezoelectric device according to the modification, the first wiring 123c is provided inside, so that the frequency of disconnection is reduced as compared with the case where the wiring is routed from the outer surface on the connection portion side to the outer surface on the opposite side. be able to.

本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。たとえば圧電振動部として音叉型振動子を用いてもよい。本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made. For example, a tuning fork type vibrator may be used as the piezoelectric vibration portion. The present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same purposes and results). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that exhibits the same operational effects as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.

図1(A)は、本実施の形態に係る圧電デバイスを構成する上側基板を示す下面図であり、図1(B)は、本実施の形態に係る圧電デバイスを構成する中間基板を示す上面図であり、図1(C)は、本実施の形態に係る圧電デバイスを構成する中間基板を示す下面図であり、図1(D)は、本実施の形態に係る圧電デバイスを構成する下側基板を示す下面図である。FIG. 1A is a bottom view showing an upper substrate constituting the piezoelectric device according to the present embodiment, and FIG. 1B is an upper view showing an intermediate substrate constituting the piezoelectric device according to the present embodiment. FIG. 1C is a bottom view showing an intermediate substrate constituting the piezoelectric device according to the present embodiment, and FIG. 1D is a bottom view constituting the piezoelectric device according to the present embodiment. It is a bottom view which shows a side board | substrate. 図2は、本実施の形態に係る圧電デバイスを示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing the piezoelectric device according to the present embodiment. 図3は、本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a method of manufacturing a piezoelectric device according to the present embodiment. 図4は、本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a method of manufacturing a piezoelectric device according to the present embodiment. 図5は、本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。FIG. 5 is a diagram for explaining a method of manufacturing a piezoelectric device according to the present embodiment. 図6は、本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining a method of manufacturing a piezoelectric device according to the present embodiment. 図7(A)は、変形例に係る圧電デバイスを構成する上側基板を示す下面図であり、図7(B)は、変形例に係る圧電デバイスを構成する中間基板を示す上面図であり、図7(C)は、変形例に係る圧電デバイスを構成する中間基板を示す下面図であり、図7(D)は、変形例に係る圧電デバイスを構成する下側基板を示す下面図である。FIG. 7A is a bottom view showing an upper substrate constituting a piezoelectric device according to a modification, and FIG. 7B is a top view showing an intermediate substrate constituting the piezoelectric device according to the modification. FIG. 7C is a bottom view showing an intermediate substrate constituting a piezoelectric device according to a modification, and FIG. 7D is a bottom view showing a lower substrate constituting the piezoelectric device according to the modification. .

符号の説明Explanation of symbols

10…中間基板、 11…圧電振動部、 12…枠部、 13…第1の励振電極、 14…第2の励振電極、 15…接続部、 16…スリット、 20…上側基板、 21…凹部、 22…枠部、 23a,23b,23c,23d,…第1の配線、 24…縁部、 25…第1の溝部、 30…下側基板、 32…第1の外部端子、33a,33b…第2の配線、 34…第2の外部端子、 35…第1の溝部、 36…第2の溝部、 100…圧電デバイス、 110…中間基板、 111…圧電振動部、 112…枠部、 113…第1の励振電極、 114…第2の励振電極、 115a、115b…接続部、 120…上側基板、 121…凹部、 122…枠部、 123a,123b,123c,123d,…第1の配線、 124…縁部、 125…第1の溝部、 130…下側基板、 132…第1の外部端子、133a,133b…第2の配線、 134…第2の外部端子、 135…第1の溝部、 136…第2の溝部、 210…中間水晶板、 220…上側水晶板、 225…第1の貫通穴、 230…下側水晶板、 235…第2の貫通穴、 236…第3の貫通穴、 300…圧電水晶デバイス DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Intermediate substrate, 11 ... Piezoelectric vibration part, 12 ... Frame part, 13 ... 1st excitation electrode, 14 ... 2nd excitation electrode, 15 ... Connection part, 16 ... Slit, 20 ... Upper substrate, 21 ... Recessed part, 22 ... Frame portion, 23a, 23b, 23c, 23d, ... first wiring, 24 ... Edge portion, 25 ... First groove portion, 30 ... Lower substrate, 32 ... First external terminal, 33a, 33b ... First 2 ... 34 ... 2nd external terminal, 35 ... 1st groove part, 36 ... 2nd groove part, 100 ... Piezoelectric device, 110 ... Intermediate substrate, 111 ... Piezoelectric vibration part, 112 ... Frame part, 113 ... 1st 1 excitation electrode, 114 ... second excitation electrode, 115a, 115b ... connecting portion, 120 ... upper substrate, 121 ... recess, 122 ... frame portion, 123a, 123b, 123c, 123d, ... first wiring, 124 ... Edge, 1 DESCRIPTION OF SYMBOLS 5 ... 1st groove part, 130 ... Lower board | substrate, 132 ... 1st external terminal, 133a, 133b ... 2nd wiring, 134 ... 2nd external terminal, 135 ... 1st groove part, 136 ... 2nd Groove, 210 ... Intermediate crystal plate, 220 ... Upper crystal plate, 225 ... First through hole, 230 ... Lower crystal plate, 235 ... Second through hole, 236 ... Third through hole, 300 ... Piezoelectric crystal device

Claims (6)

下側基板および上側基板と、それらに挟まれている中間基板とを含む圧電デバイスであって、
前記中間基板は、
圧電振動部と、
前記圧電振動部の周囲を囲む枠部と、
前記圧電振動部と前記枠部とを接続する接続部と、
前記圧電振動部の上面に設けられた第1の励振電極と、
前記圧電振動部の下面に設けられた第2の励振電極と、
を有し、
前記下側基板は、その下面に設けられた第1の外部端子および第2の外部端子を有し、
当該圧電デバイスは、
前記上側基板の下面において、前記接続部の上方から、当該接続部から最も離れた側面に沿った位置まで延び、かつ前記位置から当該側面を通ることにより、前記第1の励振電極と前記第1の外部端子とを電気的に接続する第1の配線と、
前記接続部の下面から前記下側基板の側面を通ることにより、第2の励振電極と前記第2の外部端子とを電気的に接続する第2の配線と、
をさらに含む、圧電デバイス。
A piezoelectric device including a lower substrate and an upper substrate, and an intermediate substrate sandwiched between them,
The intermediate substrate is
A piezoelectric vibration part;
A frame portion surrounding the periphery of the piezoelectric vibrating portion;
A connecting portion for connecting the piezoelectric vibrating portion and the frame portion;
A first excitation electrode provided on the upper surface of the piezoelectric vibrating portion;
A second excitation electrode provided on the lower surface of the piezoelectric vibrating portion;
Have
The lower substrate has a first external terminal and a second external terminal provided on the lower surface thereof,
The piezoelectric device is
On the lower surface of the upper substrate, the first excitation electrode and the first are extended from above the connection portion to a position along the side surface farthest from the connection portion and through the side surface from the position. First wiring for electrically connecting the external terminals of the first wiring;
A second wiring that electrically connects the second excitation electrode and the second external terminal by passing through the side surface of the lower substrate from the lower surface of the connection portion;
A piezoelectric device further comprising:
請求項1において、
前記上側基板は、下面に設けられた凹部を有し、
前記第1の配線は、前記上側基板の下面において前記凹部内に設けられている、圧電デバイス。
In claim 1,
The upper substrate has a recess provided on the lower surface,
The first wiring is a piezoelectric device provided in the recess on the lower surface of the upper substrate.
請求項1または2において、
前記中間基板および前記下側基板の一の側面に連続的に設けられた第1の溝部と、
前記下側基板の前記一の側面に対向する他の側面に設けられた第2の溝部と、
を有し、
前記第1の配線は、前記第1の溝部の内部に設けられ、
前記第2の配線は、前記第2の溝部に内部に設けられている、圧電デバイス。
In claim 1 or 2,
A first groove continuously provided on one side surface of the intermediate substrate and the lower substrate;
A second groove provided on the other side surface of the lower substrate facing the one side surface;
Have
The first wiring is provided inside the first groove,
The second wiring is a piezoelectric device provided inside the second groove.
下側基板および上側基板と、それらに挟まれている中間基板とを含む圧電デバイスであって、
前記中間基板は、
複数の圧電振動部と、
前記複数の圧電振動部の各々を囲む複数の枠部と、
前記複数の圧電振動部の各々と前記枠部とを接続する複数の接続部と、
前記複数の圧電振動部の各々の上面に設けられた複数の第1の励振電極と、
前記複数の圧電振動部の各々の下面に設けられた複数の第2の励振電極と、
前記枠部に設けられた第1の貫通穴と、を有し、
前記上側基板は、その下面において前記接続部の上方から前記第1の貫通穴の上方に延びている第1の配線を有し、
前記下側基板は、
前記第1の貫通穴の下方に設けられた第2の貫通穴と、
前記隣り合う接続部の間の下方に設けられた第3の貫通穴と、を有し、
当該圧電デバイスは、
前記複数の圧電振動部の各々を分離するために前記枠部上に設けられた複数のダイシングラインをさらに含み、
前記複数のダイシングラインのうち、前記接続部の最も近い一のダイシングラインは、前記第3の貫通穴を通り、
他のダイシングラインは、前記第1の貫通穴および前記第2の貫通穴を通り、
互いに隣り合う前記複数の圧電振動部および前記複数の接続部は、前記一または他のダイシングラインに対して対称に設けられている、圧電デバイス。
A piezoelectric device including a lower substrate and an upper substrate, and an intermediate substrate sandwiched between them,
The intermediate substrate is
A plurality of piezoelectric vibrating parts;
A plurality of frame portions surrounding each of the plurality of piezoelectric vibrating portions;
A plurality of connecting portions connecting each of the plurality of piezoelectric vibrating portions and the frame portion;
A plurality of first excitation electrodes provided on an upper surface of each of the plurality of piezoelectric vibrating portions;
A plurality of second excitation electrodes provided on the lower surface of each of the plurality of piezoelectric vibrating portions;
A first through hole provided in the frame portion,
The upper substrate has a first wiring extending on the lower surface thereof from above the connection portion to above the first through hole,
The lower substrate is
A second through hole provided below the first through hole;
A third through hole provided below between the adjacent connecting portions,
The piezoelectric device is
A plurality of dicing lines provided on the frame portion for separating each of the plurality of piezoelectric vibrating portions;
Among the plurality of dicing lines, one dicing line closest to the connection portion passes through the third through hole,
The other dicing lines pass through the first through hole and the second through hole,
The plurality of piezoelectric vibrating portions and the plurality of connecting portions adjacent to each other are provided symmetrically with respect to the one or another dicing line.
下側基板および上側基板と、それらに挟まれている中間基板とを含む圧電デバイスの製造方法であって、
複数の圧電振動部と、前記複数の圧電振動部の各々を囲む複数の枠部と、前記複数の圧電振動部の各々と前記枠部とを接続する複数の接続部と、前記複数の圧電振動部の各々の上面に設けられた複数の第1の励振電極と、前記複数の圧電振動部の各々の下面に設けられた複数の第2の励振電極と、前記枠部に設けられた第1の貫通穴と、を有する中間基板と、下面に第1の配線を有する上側基板と、第2の貫通穴および第3の貫通穴を有する下側基板と、を準備する工程と、
前記第1の貫通穴と前記第2の貫通穴とが重複するように、前記下側基板および上側基板と、中間基板とを接合する工程と、
前記第3の貫通穴を通る一のダイシングラインと、前記第1の貫通穴および前記第2の貫通穴を通る他のダイシングラインとに沿って前記上側基板、前記中間基板、および前記下側基板を切断することによって、前記複数の圧電振動部を分離する工程と、
前記第1の貫通穴と前記第2の貫通穴の形成領域に、第1の配線と接する一の導電膜を形成する工程と、
前記第3の貫通穴の形成領域に、他の導電膜を形成する工程と、
を含む、圧電デバイスの製造方法。
A method of manufacturing a piezoelectric device including a lower substrate and an upper substrate, and an intermediate substrate sandwiched between them,
A plurality of piezoelectric vibrating portions; a plurality of frame portions surrounding each of the plurality of piezoelectric vibrating portions; a plurality of connecting portions connecting each of the plurality of piezoelectric vibrating portions and the frame portion; and the plurality of piezoelectric vibrations. A plurality of first excitation electrodes provided on an upper surface of each of the parts, a plurality of second excitation electrodes provided on a lower surface of each of the plurality of piezoelectric vibration parts, and a first provided on the frame part. A step of preparing an intermediate substrate having a through hole, an upper substrate having a first wiring on a lower surface, and a lower substrate having a second through hole and a third through hole;
Bonding the lower substrate and the upper substrate and the intermediate substrate so that the first through hole and the second through hole overlap;
The upper substrate, the intermediate substrate, and the lower substrate along one dicing line passing through the third through hole and another dicing line passing through the first through hole and the second through hole Separating the plurality of piezoelectric vibrating parts by cutting
Forming a conductive film in contact with the first wiring in a formation region of the first through hole and the second through hole;
Forming another conductive film in the formation region of the third through hole;
A method for manufacturing a piezoelectric device, comprising:
請求項5において、
互いに隣り合う前記複数の圧電振動部および前記複数の接続部は、前記一または他のダイシングラインに対して対称に設けられている、圧電デバイスの製造方法。
In claim 5,
The plurality of piezoelectric vibrating portions and the plurality of connecting portions adjacent to each other are provided symmetrically with respect to the one or another dicing line.
JP2007232807A 2007-09-07 2007-09-07 Piezoelectric device Expired - Fee Related JP5041145B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007232807A JP5041145B2 (en) 2007-09-07 2007-09-07 Piezoelectric device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007232807A JP5041145B2 (en) 2007-09-07 2007-09-07 Piezoelectric device

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012119434A Division JP5321867B2 (en) 2012-05-25 2012-05-25 Piezoelectric device and manufacturing method thereof
JP2012156659A Division JP5333806B2 (en) 2012-07-12 2012-07-12 device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009065522A true JP2009065522A (en) 2009-03-26
JP5041145B2 JP5041145B2 (en) 2012-10-03

Family

ID=40559683

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007232807A Expired - Fee Related JP5041145B2 (en) 2007-09-07 2007-09-07 Piezoelectric device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5041145B2 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012060628A (en) * 2010-08-07 2012-03-22 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Piezoelectric device and manufacturing method for the same
JP2012156978A (en) * 2011-01-05 2012-08-16 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Crystal vibrator of at cut, crystal device, and method of manufacturing crystal vibrator
JP2013098813A (en) * 2011-11-02 2013-05-20 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Piezoelectric vibrating piece and piezoelectric device
JP2013098814A (en) * 2011-11-02 2013-05-20 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Piezoelectric vibrating piece and piezoelectric device
JP2013157831A (en) * 2012-01-31 2013-08-15 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Crystal vibration piece and crystal device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63104512A (en) * 1986-10-21 1988-05-10 Toyo Commun Equip Co Ltd Sealing structure for piezoelectric resonator
JPH10209799A (en) * 1997-01-24 1998-08-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Vibrator
JP2006148758A (en) * 2004-11-24 2006-06-08 Kyocera Kinseki Corp Quartz oscillator package
WO2007023685A1 (en) * 2005-08-22 2007-03-01 Seiko Epson Corporation Piezoelectric device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63104512A (en) * 1986-10-21 1988-05-10 Toyo Commun Equip Co Ltd Sealing structure for piezoelectric resonator
JPH10209799A (en) * 1997-01-24 1998-08-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Vibrator
JP2006148758A (en) * 2004-11-24 2006-06-08 Kyocera Kinseki Corp Quartz oscillator package
WO2007023685A1 (en) * 2005-08-22 2007-03-01 Seiko Epson Corporation Piezoelectric device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012060628A (en) * 2010-08-07 2012-03-22 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Piezoelectric device and manufacturing method for the same
JP2012156978A (en) * 2011-01-05 2012-08-16 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Crystal vibrator of at cut, crystal device, and method of manufacturing crystal vibrator
JP2013098813A (en) * 2011-11-02 2013-05-20 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Piezoelectric vibrating piece and piezoelectric device
JP2013098814A (en) * 2011-11-02 2013-05-20 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Piezoelectric vibrating piece and piezoelectric device
JP2013157831A (en) * 2012-01-31 2013-08-15 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Crystal vibration piece and crystal device

Also Published As

Publication number Publication date
JP5041145B2 (en) 2012-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4412506B2 (en) Piezoelectric device and manufacturing method thereof
JP2007325250A (en) Piezoelectric resonator and method for manufacturing thereof
JP2007214941A (en) Piezoelectric vibration chip and piezoelectric device
JP5041145B2 (en) Piezoelectric device
JP5263475B2 (en) Piezoelectric device and manufacturing method thereof
JP2007274339A (en) Surface mounting type piezoelectric vibration device
WO2018042994A1 (en) Quartz oscillation plate and quartz oscillation device
JP5196121B2 (en) device
JP5321867B2 (en) Piezoelectric device and manufacturing method thereof
JP5082968B2 (en) Piezoelectric oscillator
JP5333806B2 (en) device
WO2011034104A1 (en) Piezoelectric vibration piece and manufacturing method of piezoelectric vibration piece
JP2009165102A (en) Piezoelectric oscillator, and method for manufacturing piezoelectric oscillator
JP4595913B2 (en) Tuning fork type piezoelectric vibration device
JP5062139B2 (en) Piezoelectric vibration device
CN114208027A (en) Piezoelectric vibrating plate, piezoelectric vibrating device, and method for manufacturing piezoelectric vibrating device
JP2009272795A (en) Piezoelectric vibration element, and piezoelectric device and method of manufacturing the same
JP2009118143A (en) Crystal device and manufacturing method thereof
WO2024024614A1 (en) Quartz crystal vibration plate and quartz crystal vibration device
JP7227571B2 (en) Vibrating element, vibrator, and method for manufacturing vibrating element
JP2010093674A (en) Piezoelectric device, and method for manufacturing piezoelectric substrate
JP7307397B2 (en) Vibrating element, vibrator, and method for manufacturing vibrating element
JP4784685B2 (en) Piezoelectric vibrating piece
WO2020195144A1 (en) Crystal vibration device
JP4541983B2 (en) Piezoelectric vibrator

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100805

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20110729

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20110729

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110819

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120319

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120328

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120525

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120613

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120626

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5041145

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150720

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees