JP2007294859A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この基板処理装置1は、濃度計測部60においてサンプルガスと窒素ガスとを混合することによりサンプルガスを希釈し、希釈後のサンプルガス中に含まれるIPAガスの濃度を計測する。そして、計測された濃度値(C1)とサンプルガスおよび希釈ガスの流量に基づいて得られる希釈率の逆数(1/P)とを乗算することにより、希釈前のサンプルガスに含まれるIPAガスの濃度(C0)をC0=C1×(1/P)として算出する。このため、高濃度のIPAガスを使用する場合であっても、IPAガスの濃度を正確に計測できる。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の構成を示したブロック図である。この基板処理装置1は、複数枚の基板W(以下、単に基板Wという)を一括して純水中に浸漬することにより基板Wの洗浄処理を行った後、純水から引き上げた基板Wの周囲にIPAガスを供給することにより基板Wの乾燥処理を行うための装置である。図1に示したように、基板処理装置1は、主として処理室10と、窒素ガス供給源20と、第1配管部30と、IPAガス発生部40と、第2配管部50と、濃度計測部60と、制御部80とを備えている。
続いて、上記の基板処理装置1において、処理室10内のガスをサンプルガスとしてIPAガスの濃度を計測するときの処理について、図3のフローチャートを参照しつつ説明する。まず、基板処理装置1は、開閉弁55を閉鎖するとともに、開閉弁37,56,57を開放する。これにより、処理室10内のガスの採取と希釈ガスの供給とが開始される(ステップS21)。処理室10内のガスの一部は、サンプルガスとして吐出管13aへ取り込まれ、配管13c,52,53,63を経由して、合流点67へ送給される。また、希釈ガスとなる窒素ガスは、窒素ガス供給源20から配管31,33,62を経由して合流点67へ送給される。これにより、サンプルガスと窒素ガスとが合流点67において混合され、サンプルガスが希釈される。そして、希釈後のサンプルガスは、配管64を通って排気ラインへ排出される。
次に、上記の基板処理装置1において、IPAガス発生部40から処理室10へ供給されるガスをサンプルガスとしてIPAガスの濃度を計測するときの処理について、図6のフローチャートを参照しつつ説明する。まず、基板処理装置1は、開閉弁37,55,57を開放する。これにより、IPAガス発生部40から供給されるガスの採取と希釈ガスの供給とが開始される(ステップS31)。IPAガス発生部40から処理室10へ供給されるガスの一部はサンプルガスとして配管53へ導入され、配管53および配管63を経由して、合流点67へ送給される。また、希釈ガスとなる窒素ガスは、窒素ガス供給源20から配管31,33,62を経由して合流点67へ送給される。これにより、サンプルガスと窒素ガスとが合流点67において混合され、サンプルガスが希釈される。そして、希釈後のサンプルガスは、配管64を通って排気ラインへ排出される。
以上のように、この基板処理装置1は、サンプルガスと希釈ガスとを混合することによりサンプルガスを希釈し、希釈後のサンプルガス中に含まれるIPAガスの濃度を計測する。そして、計測された濃度値とサンプルガスおよび希釈ガスの流量とに基づいて希釈前のサンプルガス中に含まれるIPAガスの濃度を算出する。このため、高濃度のIPAガスを使用する場合であっても、IPAガスの濃度を正確に計測できる。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記の基板処理装置1では、処理室10内のガスの一部を採取するためにIPAガス吐出部13を利用したが、処理室10内のガスを採取するためのガス採取口を別途設けてもよい。具体的には、図7に示したように、処理室10にガス採取口14を設け、そのガス採取口14に配管53を接続すればよい。このようにすれば、IPAガス吐出部13から処理ガスを吐出しつつ、処理室10内のガスを採取することができる。図7の基板処理装置1において濃度計測処理を行うときには、開閉弁37を開放するとともに開閉弁57を開放する。これにより、処理室10内のガスの一部がサンプルガスとしてガス採取口14に取り込まれ、配管53,63を経由して合流点67へサンプルガスが送給される。そして、合流点67へ送給されたサンプルガスは、窒素ガス供給源20から送給された窒素ガスと混合されて希釈される。その後、基板処理装置1は、上記<2.濃度計測処理(処理室内のガスをサンプルガスとする場合)>と同じように、図3のステップS22以降の濃度計測処理を進行させる。
10 処理室
11 処理槽
12 リフタ
20 窒素ガス供給源
30 第1配管部
34,37,55,56,57 開閉弁
36,38,54,58 ヒータ
40 IPAガス発生部
50 第2配管部
60 濃度計測部
61 収容器
65,69,71 可変流量弁
66,70,72 流量計
67 合流点
68 噴出部
73 濃度計
80 制御部
81 表示部
W 基板
Claims (11)
- 処理ガスにより基板を処理する基板処理装置であって、
基板を内部に収容する処理室と、
前記処理室へキャリアガスとともに処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理室内のガスの一部をサンプルガスとして採取する採取部と、
サンプルガスを希釈するための希釈ガスを供給する希釈ガス供給部と、
前記採取部により採取されたサンプルガスと、前記希釈ガス供給部により供給された希釈ガスとを混合してサンプルガスを希釈する希釈部と、
前記希釈部により希釈されたサンプルガス中に含まれる処理ガスの濃度を計測する濃度計と、
前記採取部から前記希釈部への配管を流れる希釈前のサンプルガスの流量または前記希釈部からの配管を流れる希釈後のサンプルガスの流量を計測する第1流量計と、
前記希釈ガス供給部から前記希釈部への配管を流れる希釈ガスの流量を計測する第2流量計と、
前記濃度計、前記第1流量計、および前記第2流量計の各計測値に基づき、希釈前のサンプルガスに含まれる処理ガスの濃度を算出する算出部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記算出部は、前記濃度計の計測値と、前記第1流量計および前記第2流量計の計測値に基づいて得られる希釈率の逆数とを乗算することにより、希釈前のサンプルガスに含まれる処理ガスの濃度を算出することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記採取部から前記希釈部への配管を流れるサンプルガスの流量を調整する希釈前サンプルガス用の流量調整部を更に備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項3までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記希釈部から前記濃度計への配管を流れるサンプルガスの流量を調整する希釈後サンプルガス用の流量調整部を更に備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項4までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記希釈ガス供給部から前記希釈部への配管を流れる希釈ガスの流量を調整する希釈ガス用の流量調整部を更に備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項5までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記採取部から前記希釈部への配管を流れるサンプルガスを温調するサンプルガス用の温調部を更に備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項6までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記希釈ガス供給部から前記希釈部への配管を流れる希釈ガスを温調する希釈ガス用の温調部を更に備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項7に記載の基板処理装置であって、
前記濃度計、前記第1流量計、および前記第2流量計を含むガス配管系を収容する収容器と、
前記希釈ガス用の温調部により温調された希釈ガスを前記収容器内に噴出する噴出部と、
を更に備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項7までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記希釈ガス供給部は、キャリアガスを希釈ガスとして供給することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項9までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記採取部は、前記処理室内のガスの一部をサンプルガスとして採取する第1の状態と、前記処理ガス供給部により供給されるガスの一部をサンプルガスとして採取する第2の状態とに、切り替え可能であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項9までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記採取部は、前記処理ガス供給部とは別個に設けられたガス採取口を介してサンプルガスを採取することを特徴とする基板処理装置。
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