JP2007294823A - パーティクル測定方法及び記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の表面に光を照射し、その散乱光に基づいて基板の表面上の位置とその位置に付着しているパーティクルのサイズとを対応付けた測定マップを得るパーティクル測定装置を用いてパーティクルを測定する方法において、パーティクルのサイズが小さくなっても精度の高い測定を行うことができる方法を提供すること。
【解決手段】先ず、同一基板に対して測定マップを繰り返し求めて、各回にて得られた測定マップを記憶部に記憶する。次に前記記憶部に記憶された各回の測定マップを重ね合わせて得られた測定マップを記憶部に記憶する。しかる後、重ね合わせにより得られた測定マップに基づいてパーティクルに関する情報を表示する。このような方法を実施することでパーティクルのサイズが小さい場合でも測定のばらつきが抑えられ、このためパーティクル汚染について精度の高い評価を行うことができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板表面に付着しているパーティクルを測定する技術に関する。

半導体製造装置は、不具合が生じると半導体基板に対してそれ以降の工程が無駄になることから装置の状態を監視しているが、その監視項目の一つとして基板におけるパーティクルの付着状況の検査がある。この検査を行うことによって、半導体製造装置の組み立て直後においては、使用部品やそれら部品の組み立て状態あるいは排気系のパラメーターの適否が評価でき、またメンテナンス時においては機構部品やフィルタユニット等の劣化、あるいは装置内における付着物の堆積状況等を評価することができる。

パーティクルの測定装置の代表的なものとして、基板の面に光を照射すると、その散乱光の波高値（強度）がパーティクルの大きさに対応していることを利用して、基板を回転させながら光例えばレーザ光のスポット領域を基板の径方向にスキャンすることにより基板の面におけるパーティクルの付着状態を検出する装置が知られている。

この測定装置は、パーティクルの検出結果に基づいて基板の表面上の位置とその位置に付着しているパーティクルのサイズとを対応させた測定マップを作成し、この測定マップに基づいてパーティクルのサイズと個数とを対応させた情報を表示するようにしている。

測定マップの取得については、具体的には基板の表面を微細に分割して分割領域（ピクセル）を形成し、１ピクセルに対してレーザスポットを複数回順次照射して当該ピクセル内をスキャンし、得られた散乱光の中で強度が一番大きいデータに対応するパーティクルサイズを、その位置におけるパーティクルのサイズとして認識している。従って、測定マップに示されるパーティクルサイズは、その位置に付着しているパーティクルの中で最大のサイズに相当する。

ところで、近年、半導体装置の高集積化及び微細化に伴い、評価の対象となるパーティクルのサイズが微小化しつつあり、レジストの塗布及び露光後の現像を行う塗布、現像装置にあっては例えば６０ｎｍもの微細なパーティクルの付着状況を把握することが求められている。しかしながら上述のパーティクル測定装置においては、パーティクルの検出信号と当該測定装置に起因するノイズとの区別がつきにくいとの理由から測定精度が低下し、測定結果のばらつきが大きくなってくる。このため半導体製造装置内の状態を正しく評価できない不具合がある。

なお、特許文献１には、基板表面に光を入射し、入射した前記光の散乱光により前記基板上のパーティクルを検査する方法において、基板面を複数の領域に分割し、夫々の領域において測定条件を最適化することで、基板上のパターン密度や形状の差異による光散乱強度が異なった場合にも、基板面内で測定感度の差を少なくすることができることが記載されているが、上述の課題を解決する手法については記載されていない。

特開平８−１０５８４１号公報

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板表面に付着しているパーティクルを測定するにあたって、パーティクルのサイズが小さくなっても精度の高い測定を行うことのできるパーティクル測定方法及びこの方法を実行するプログラムを格納した記憶媒体を提供することにある。

本発明のパーティクル測定方法は、基板の表面に光を照射し、その散乱光に基づいて基板の表面上の位置とその位置に付着しているパーティクルのサイズとを対応付けた測定マップを得るパーティクル測定装置を用いてパーティクルを測定する方法において、
同一基板に対して測定マップを繰り返し求めて、各回にて得られた測定マップを記憶部に記憶する工程と、
前記記憶部に記憶された各回の測定マップを重ね合わせて得られた測定マップを記憶部に記憶する工程と、
重ね合わせにより得られた測定マップに基づいてパーティクルに関する情報を表示する工程と、を含むことを特徴とする。

また本発明のパーティクル測定方法は、基板の表面に光を照射し、その散乱光に基づいて基板の表面上の位置とその位置に付着しているパーティクルのサイズとを対応付けた測定マップを得るパーティクル測定装置を用いてパーティクルを測定する方法において、
同一基板に対して測定マップを繰り返し求めて、各回にて得られた測定マップを重ね合わせて得られた測定マップを記憶部に記憶する第１の工程と、
この第１の工程で測定マップを求めた基板をパーティクルの評価を行うための雰囲気に置いた後、当該基板に対して測定マップを繰り返し求めて、各回にて得られた測定マップを重ね合わせて得られた測定マップを記憶部に記憶する第２の工程と、
第２の工程で得られた結果と第１の工程で得られた結果とを比較してその比較結果を記憶部に記憶する工程と、
前記比較結果に基づいて、基板を前記雰囲気に置いたことによるパーティクルの付着に関する情報を表示する工程と、
を含むことを特徴とする。
第２の工程で得られた結果と第１の工程で得られた結果とを比較する工程は、例えば、第２の工程にて各回の測定マップを重ね合わせて得られた測定マップから、第１の工程にて各回の測定マップを重ね合わせて得られた測定マップを差し引いて測定マップを得る工程である。なお、測定マップとしては、パーティクルが付着している位置とそのパーティクルのサイズとを対応したマップに限らず、パーティクルのサイズ毎にパーティクルが付着している位置を示しているマップであってもよい。後者の場合には、例えばサイズ６０〜７０ｎｍ未満のパーティクルについての測定マップ、サイズ７０〜８０ｎｍ未満のパーティクルについての測定マップといった具合にパーティクルのサイズ毎に測定マップを作成することとなる。

上述のパーティクル測定方法において、パーティクルに関する情報は、例えばパーティクルのサイズとパーティクルの個数とを対応させた情報である。またパーティクルの評価を行うための雰囲気は、例えば半導体製造装置内の雰囲気を挙げることができる。

さらに本発明は、基板の表面に光を照射し、その散乱光に基づいて基板の表面上の位置とその位置に付着しているパーティクルのサイズとを対応付けた測定マップを得るパーティクル測定装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記コンピュータプログラムは、
同一基板に対して繰り返し求められた各回の測定マップを記憶部に記憶するステップと、
前記記憶部に記憶された各回の測定マップを重ね合わせ、重ね合わせにより得られた測定マップを記憶部に記憶するステップと、を実行するように構成されていることを特徴とする。

また上記記憶媒体において、前記コンピュータプログラムは、同一基板に対して測定マップを繰り返し求めるステップを含む構成であってもよいし、あるいは測定マップの繰り返し回数を設定するステップを含む構成であってもよい。さらに前記コンピュータプログラムは、パーティクルの評価を行うための雰囲気に置かれた後の同一基板に対して、重ね合わせにより得られた測定マップから、パーティクルの評価を行うための雰囲気に置かれる前の当該基板に対して、重ね合わせにより得られた測定マップを差し引いて測定マップを得るステップを含む構成であってもよい。前記記憶媒体としては、ハードディスク、フレキシブルディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリーカード等を挙げることができる。

本発明は、散乱光に基づいてパーティクルを測定する装置を用いるにあたって、同一基板について繰り返し測定を行って、各回毎に基板の表面上の位置とパーティクルのサイズとを対応付けた測定マップを得、これら測定マップを重ね合わせた測定マップによりパーティクルを評価しているので、後述の実施例からも明らかなように、パーティクルのサイズが小さい場合でも測定のばらつきが抑えられ、このためパーティクル汚染について精度の高い評価を行うことができる。

本発明の実施の形態について説明する。図１中の２はパーティクル測定装置であり、このパーティクル測定装置２は、図１に示すように図示しないターンテーブルに載置された基板であるウエハＷに対向して設けられると共にウエハＷの径方向に移動自在な例えばレーザ光を照射する光照射部２１と、この光照射部２１から照射されてウエハＷ上で散乱した散乱光を受光する受光部２２と、この受光部２２で受光した受光信号を処理する処理信号部２３と、を備えている。前記処理信号部２３は、バス２４に接続されている。またこのバス２４には記憶部、各プログラム格納部及びＣＰＵ（中央演算処理ユニット）等が接続されている。プログラム格納部３０は、測定マップ作成プログラム３１、重ね合わせプログラム３２及びパーティクル情報作成プログラム３３を備えている。前記測定マップ作成プログラム３１は、後述するピクセルデータに基づいてウエハＷの表面上におけるパーティクルが付着している位置とそのパーティクルのサイズとを対応させた測定マップを作成するように構成されている。前記重ね合わせプログラム３２は、後述する記憶部に記憶された各回で得られた測定マップを重ね合わせるように構成されている。前記パーティクル情報作成プログラム３３は、重ね合わせプログラム３２により重ね合わせによって得られた測定マップに基づいてパーティクルのサイズと個数とを対応させた情報を作成するように構成されている。これらのプログラム３１，３２，３３は、記憶媒体例えばハードディスク、フレキシブルディスク（ＦＤ）、メモリーカード、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）等に格納されている。

記憶部４０は、半導体製造装置内の雰囲気に置く前のウエハＷについて、前記測定マップ作成プログラム３１により作成された各回の測定マップと、各回で得られた測定マップを重ね合わせプログラム３２により重ね合わせ、重ね合わせにより得られた測定マップとを記憶する。記憶部４１は、半導体製造装置内の雰囲気に置いた後のウエハＷについて、前記測定マップ作成プログラム３１により作成された各回の測定マップと、各回で得られた測定マップを重ね合わせプログラム３２により重ね合わせ、重ね合わせにより得られた測定マップとを記憶する。記憶部４２は、記憶部４０に記憶されている重ね合わせにより得られた測定マップから、記憶部４１に記憶されている重ね合わせにより得られた測定マップを差し引きし、この差し引きにより得られた測定マップを記憶する。

入力操作部５０は、種々の入力操作を行う部位であるキーボート及びマウスと、表示部５１である例えば液晶画面またはＣＴＲ画面等のソフトスイッチとの組合せからなる。繰り返し測定回数設定部５２は、同一ウエハに対してウエハの表面上のパーティクル測定についての繰り返し回数を設定する部位である。

次に測定マップの取得について説明すると、光照射部２１の光照射領域は例えば直径６０μｍのスポット領域であり、ウエハＷ上の散乱光の検出については、最初に照射する開始点であるスポット領域をウエハＷの中心部とし、ウエハＷの中心部の散乱光を検出した後、光照射部２１を外側に順次例えばスポット領域の半分の大きさ分だけ移動させる。そしてウエハの面を例えば０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ角の微少な正方形領域（より詳しくは例えば扇形状領域）に分割した領域（ピクセル）内をレーザスポットで隈無くスキャンし、こうして各ピクセルにレーザ光（パルス）を順次照射し、各照射（各パルス）毎におけるその散乱光の強度に対応する受光部２２からの検出信号（電圧）に基づいて、パーティクルサイズをそのピクセルデータとして取得する。このピクセルデータは、例えば信号処理部２３により前記検出信号をアナログ／ディジタルコンバータにより複数段階に分けられたレベル信号として取り出される。

こうしてウエハＷの表面全体を例えばレーザ光によりスキャンすることにより全ピクセルについてデータ（パーティクルの有無、パーティクルサイズ）を得ることができる。そして全ピクセルのデータに基づいて前記測定マップ作成プログラム３１により測定マップが作成される。

またターンテーブルの回転角と光照射部２１の径方向の位置とが分かっており、さらにウエハＷにはオリエンテーションフラットやノッチといった結晶方向を表す位置合わせ部位を備えているので、この位置合わせ部位を基準にして、各ピクセルはウエハＷ上で極座標として位置を特定でき、更にＸ、Ｙ座標としても特定できる。

次に上述の実施の形態の作用について図２及び図３に示すフロー図を参照しながら説明する。先ず、繰り返し測定回数設定部５２によりこれから実施しようとするウエハＷの表面上のパーティクル測定についての測定回数を設定する（ステップ１０）。次に半導体製造装置内の雰囲気に置く前のウエハＷについて、既述のようにウエハＷ表面のパーティクルを測定して得られた全ピクセルデータに基づいて測定マップ作成プログラム３１により測定マップを作成し、これを記憶部４０に記憶する（ステップ１１）。そして測定回数が設定回数に達するまで同一ウエハＷについて、ウエハＷの表面上のパーティクル測定が繰り返し行われる（ステップ１２）。測定回数が設定回数に達した後、記憶部４０に記憶されている各回で得られた測定マップを重ね合わせプログラム３２により重ね合わせ、重ね合わせにより得られた測定マップを記憶部４０に記憶する（ステップ１３）。

ここでこの例では便宜上設定回数を２回とすると、図４には１回目の測定マップ（図４（ａ））と、２回目の測定マップ（図４（ｂ））とが示され、さらに１回目の測定マップと２回目の測定マップとを重ね合わせた測定マップ（図４（ｃ））が示されている。この測定マップの重ね合わせにおいて、ウエハＷ表面に付着しているパーティクルの位置が同じで、パーティクルのサイズが異なる場合には、サイズが大きいパーティクルが表示される。図４（ａ）〜図４（ｃ）において、ウエハＷの表面上に付着しているパーティクルに番号を付して説明すると、図４（ｂ）では、図４（ａ）に対して「１１」番と「１２」番のパーティクルが増えているが、「１０」番のパーティクルが消失している。そして図４（ｃ）では、図４（ａ）と図４（ｂ）とを重ね合わせることでウエハＷの表面上に「１」〜「１３」番のパーティクルが全て表示される。

しかる後、重ね合わせた測定マップに基づいてパーティクル情報作成プログラム３３によりパーティクルのサイズと個数とを対応付けた例えば図５（ａ）に示すデータを取得する（ステップ１４）。例えば、このデータは表示部５１に表示される。続いてこのウエハを半導体製造装置内の雰囲気に置く。なお、この例ではステップ１０〜ステップ１４が第１の工程に相当する。また前記半導体製造装置としては、例えば熱処理装置、エッチング装置、成膜装置、スパッタ装置、イオン注入装置、アッシング装置、レジスト液を塗布し且つ露光後の基板を現像する塗布、現像装置、洗浄装置等を挙げることができる。例えば塗布、現像装置では、キャリア載置部に載置したキャリアからウエハを一枚、装置内に搬入し、当該装置に設けられた各搬送アームによって各ユニットにウエハを順次搬送し、当該ウエハが搬送された各ユニットでは処理を行わずに各ユニットの雰囲気に所定時間晒すだけで、再びキャリアに戻して、このウエハについてパーティクルの測定が行われる。

次に半導体製造装置内の雰囲気に置いた後のウエハＷについて、既述のようにウエハＷ表面のパーティクルを測定して、測定マップ作成プログラム３１により測定マップを作成し、これを記憶部４１に記憶する（ステップ１５）。そして測定回数が設定回数に達するまでこの例では２回に達するまで同一ウエハＷについて、ウエハＷの表面上のパーティクル測定が繰り返し行われる（ステップ１６）。測定回数が設定回数に達した後、記憶部４１に記憶されている各回で得られた測定マップを重ね合わせプログラム３２により重ね合わせ、重ね合わせにより得られた測定マップを記憶部４１に記憶する（ステップ１７）。しかる後、重ね合わせた測定マップに基づいてパーティクル情報作成プログラム３３によりパーティクルのサイズと個数とを対応付けた例えば図５（ｂ）に示すデータを取得する（ステップ１８）。例えば、このデータは表示部５１に表示される。しかる後、半導体製造装置内の雰囲気に置いた後の同一のウエハに対して、重ね合わせにより得られた測定マップ例えば図６から、半導体製造装置内の雰囲気に置かれる前の当該ウエハに対して、重ね合わせにより得られた測定マップ例えば図７を差し引く（ステップ１９）。そして差し引いて得られた図８に示す測定マップに基づいてパーティクル情報作成プログラム３３によりパーティクルのサイズと個数とを対応付けた例えば図５（ｃ）に示すデータを取得し、この図５（ｃ）に示すデータを表示部５１に表示する（ステップ２０）。そして表示部５１に表示されたデータに基づいて半導体製造装置内におけるパーティクルの発生状況等を評価する。

なお、上述の実施の形態において、半導体製造装置内の雰囲気に置いた後の同一のウエハに対して、重ね合わせにより得られた測定マップから半導体製造装置内の雰囲気に置かれる前の当該ウエハに対して、重ね合わせにより得られた測定マップを差し引いているが、図５（ｂ）に示すように例えば６０〜７０ｎｍ未満のパーティクルの個数ｂ１から図５（ａ）に示す６０〜７０ｎｍ未満のパーティクルの個数ａ１を差し引くようにして、同様に７０〜８０ｎｍ未満のパーティクル、８０〜９０ｎｍ未満のパーティクル‥‥について差し引きを行うようにしてもよい。測定マップで差し引いて表示すればパーティクルの付着している等の状況が分かるので半導体製造装置の状態の評価をきめ細かく行える等の点で好ましい。また、この例ではステップ１５〜ステップ１８が第２の工程に相当し、ステップ１９〜ステップ２０が第３の工程に相当する。

上述の実施の形態によれば、散乱光に基づいてパーティクルを測定する装置を用いるにあたって、同一ウエハＷについて繰り返し測定を行って、各回毎にウエハＷの表面上の位置とパーティクルのサイズとを対応付けた測定マップを得、これら測定マップを重ね合わせた測定マップによりパーティクルを評価しているので、後述の実施例からも明らかなように、パーティクルのサイズが小さい場合でも測定のばらつきが抑えられ、このためパーティクル汚染について精度の高い評価を行うことができる。

また上述の実施の形態によれば、半導体製造装置内の雰囲気に置いた後の同一のウエハＷに対して、重ね合わせにより得られた測定マップから、半導体製造装置内の雰囲気に置かれる前のウエハＷに対して、重ね合わせにより得られた測定マップを差し引いて測定マップを得、この測定マップに基づいてパーティクルに関する情報を表示して半導体製造装置内のパーティクルの評価を行っているので半導体製造装置の状態を高い精度で評価することができる。なお、パーティクルの評価対象となる雰囲気は半導体製造装置の雰囲気に限らず、例えば基板を格納する密閉型キャリアの内部やキャリアストッカを挙げることができる。

次に本発明の効果を確認するために行った実施例について述べる。６０ｎｍ以上のサイズのパーティクル（最小６０ｎｍ）、７０ｎｍ以上のサイズのパーティクル（最小７０ｎｍ）、８０ｎｍ以上のサイズのパーティクル（最小８０ｎｍ）の３通りについて測定ばらつきのデータを取った。その結果を図９に示す。図９において縦軸は６σであり、横軸は重ね合わせ回数である。このデータの取得方法は、先ず、既述のように測定マップ作成プログラム３１により測定マップを作成する。この試行を９回繰り返す。上記の１〜９回の測定を１セットとすると、さらに１セットの測定を同じウエハＷについて行い測定マップを得る。そして１セット目の第１回の測定マップと２セット目の第１回の測定マップとを、１セット目の第２回の測定マップと２セット目の第２回の測定マップとを、‥‥１セット目の第９回目の測定マップと２セット目の第９回の測定マップとを順次重ね合わせる。こうして得られた１〜９回の測定マップにおいて、各回（１〜９回）におけるパーティクルの個数（Ｎ_１１，Ｎ_１２，Ｎ_１３，‥‥，Ｎ_１９）を求め、個数と頻度との関係を示す統計グラフから６σ（σは指標値である。）を求める。この１回の重ね合わせによって得られる６σは、図９に示すように６０ｎｍ以上のサイズのパーティクルでは７．０２であり、７０ｎｍ以上のサイズのパーティクルでは２．５８であり、８０ｎｍ以上のサイズのパーティクルでは２．７８であった。この６σは測定ばらつきの度合いを示す指標値であり、例えば６σを２．１以下にしようとすれば、続けて３セット目、４セット目‥‥と測定を行い、上述したように各回の測定マップの重ね合わせが順次行われる。即ち、図９に示すように８０ｎｍ以上の大きさのパーティクルでは、重ね合わせ回数が３回であり、７０ｎｍ以上の大きさのパーティクルでは、重ね合わせ回数が４回であり、６０ｎｍ以上の大きさのパーティクルでは、重ね合わせ回数が５回である。

以上のことからパーティクルのサイズの小さいものについては、１回の測定で得られた測定マップは信頼性が低いが、繰り返し測定を行って得られた各回の測定マップを重ね合わせることで信頼性が向上することが分かる。従って同一ウエハに対してウエハの表面上のパーティクル測定についての回数の設定については、このようなデータに基づいてパーティクルサイズを考慮して行うことが好ましい。

本発明の実施の形態に係るパーティクル測定装置の構成を示す構成図である。 本発明の実施の形態に係るパーティクル測定方法を説明するフロー図である。 本発明の実施の形態に係るパーティクル測定方法を説明するフロー図である。 本発明の実施の形態に係る測定マップを示す概念図である。 前記測定マップにおけるパーティクルのサイズと個数とを対応付けたデータを示す図である。 本発明の実施の形態に係る測定マップを示す概念図である。 本発明の実施の形態に係る測定マップを示す概念図である。 本発明の実施の形態に係る測定マップを示す概念図である。 本発明の効果を確認するために行った実験結果を示す図である。

符号の説明

Ｗ ウエハ
２ パーティクル測定装置
２１ 光照射部
２２ 受光部
２３ 信号処理部
２４ バス
３０ プログラム格納部
３１ 測定マップ作成プログラム
３２ 重ね合わせプログラム
３３ パーティクル情報作成プログラム
４０ 記憶部
５０ 入力操作部
５１ 表示部
５２ 繰り返し測定回数設定部

Claims (9)

1. 基板の表面に光を照射し、その散乱光に基づいて基板の表面上の位置とその位置に付着しているパーティクルのサイズとを対応付けた測定マップを得るパーティクル測定装置を用いてパーティクルを測定する方法において、
   同一基板に対して測定マップを繰り返し求めて、各回にて得られた測定マップを記憶部に記憶する工程と、
   前記記憶部に記憶された各回の測定マップを重ね合わせて得られた測定マップを記憶部に記憶する工程と、
   重ね合わせにより得られた測定マップに基づいてパーティクルに関する情報を表示する工程と、を含むことを特徴とするパーティクル測定方法。
2. 基板の表面に光を照射し、その散乱光に基づいて基板の表面上の位置とその位置に付着しているパーティクルのサイズとを対応付けた測定マップを得るパーティクル測定装置を用いてパーティクルを測定する方法において、
   同一基板に対して測定マップを繰り返し求めて、各回にて得られた測定マップを重ね合わせて得られた測定マップを記憶部に記憶する第１の工程と、
   この第１の工程で測定マップを求めた基板をパーティクルの評価を行うための雰囲気に置いた後、当該基板に対して測定マップを繰り返し求めて、各回にて得られた測定マップを重ね合わせて得られた測定マップを記憶部に記憶する第２の工程と、
   第２の工程で得られた結果と第１の工程で得られた結果とを比較してその比較結果を記憶部に記憶する工程と、
   前記比較結果に基づいて、基板を前記雰囲気に置いたことによるパーティクルの付着に関する情報を表示する工程と、
   を含むことを特徴とするパーティクル測定方法。
3. 第２の工程で得られた結果と第１の工程で得られた結果とを比較する工程は、第２の工程にて各回の測定マップを重ね合わせて得られた測定マップから、第１の工程にて各回の測定マップを重ね合わせて得られた測定マップを差し引いて測定マップを得る工程であることを特徴とする請求項２記載のパーティクル測定方法。
4. パーティクルに関する情報は、パーティクルのサイズとパーティクルの個数とを対応させた情報であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一に記載のパーティクル測定方法。
5. パーティクルの評価を行うための雰囲気は、半導体製造装置内の雰囲気であることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか一に記載のパーティクルの測定方法。
6. 基板の表面に光を照射し、その散乱光に基づいて基板の表面上の位置とその位置に付着しているパーティクルのサイズとを対応付けた測定マップを得るパーティクル測定装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
   前記コンピュータプログラムは、
   同一基板に対して繰り返し求められた各回の測定マップを記憶部に記憶するステップと、
   前記記憶部に記憶された各回の測定マップを重ね合わせ、重ね合わせにより得られた測定マップを記憶部に記憶するステップと、を実行するように構成されていることを特徴とする記憶媒体。
7. 前記コンピュータプログラムは、同一基板に対して測定マップを繰り返し求めるステップを含むことを特徴とする請求項６記載の記憶媒体。
8. 測定マップの繰り返し回数を設定するステップを含むことを特徴とする請求項７記載の記憶媒体。
9. 前記コンピュータプログラムは、パーティクルの評価を行うための雰囲気に置かれた後の同一基板に対して、重ね合わせにより得られた測定マップから、パーティクルの評価を行うための雰囲気に置かれる前の当該基板に対して、重ね合わせにより得られた測定マップを差し引いて測定マップを得るステップを含むことを特徴とする請求項６ないし８のいずれか一に記載の記憶媒体。
   
   

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