JP2007294743A - Optical module and its manufacturing method - Google Patents
Optical module and its manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007294743A JP2007294743A JP2006122303A JP2006122303A JP2007294743A JP 2007294743 A JP2007294743 A JP 2007294743A JP 2006122303 A JP2006122303 A JP 2006122303A JP 2006122303 A JP2006122303 A JP 2006122303A JP 2007294743 A JP2007294743 A JP 2007294743A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- optical module
- circuit board
- substrate
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、光インターコネクションに用いられる光モジュール及びその製造方法に関する。 The present invention relates to an optical module used for optical interconnection and a method for manufacturing the same.
近年、システム装置内および装置間の信号を高速に伝送する技術である光インターコネクションが広がっている。すなわち、光インターコネクションとは、光部品をあたかも電気部品のように扱って、パソコン、車両、光トランシーバなどの機器のマザーボードや回路基板に表面実装する技術をいう。 In recent years, optical interconnection, which is a technique for transmitting signals within a system apparatus and between apparatuses at high speed, has been spreading. In other words, the optical interconnection is a technology in which an optical component is handled as if it were an electrical component and surface-mounted on a motherboard or a circuit board of a device such as a personal computer, a vehicle, or an optical transceiver.
光インターコネクションに用いられる従来の光モジュールとして、図8に示すような光モジュール81がある。
As a conventional optical module used for optical interconnection, there is an
この光モジュール81は、上部が開口したキャビティを有するセラミックパッケージ82内に回路パターンを形成し、そのセラミックパッケージ82に、透明基板83を収納すると共に、その透明基板83の裏面に半導体レーザ(LD)84を複数個搭載し、セラミックパッケージ82の上部を、光通路となるガラス85を付けた金属製の蓋86で覆うと共に気密封止したものである。光モジュール81では、LD84からの光信号はガラス85を通して出力され、レンズ87で集光されて外部へ伝送される。
In this
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、次のものがある。 The prior art document information related to the invention of this application includes the following.
しかしながら、従来の光モジュール81は、LD84を搭載する回路基板として透明基板83を使用している。このため、LD84の出射光は透明基板83の裏面と表面で一部が反射し、出射光の光量が約8%減ってしまうという問題がある。
However, the conventional
また、透明基板83として樹脂基板を用いると、樹脂の温度膨張や湿気による膨潤により、LD84がその出射光を集光するレンズや、レンズに光結合される光ファイバに対して位置ずれしてしまうという問題もある。
When a resin substrate is used as the
そこで、本発明の目的は、光電変換素子の出入射光の光量を減らすことがなく、光電変換素子がレンズや光ファイバに対して位置ずれしない光モジュール及びその製造方法を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical module in which the amount of light incident / incident light of a photoelectric conversion element is not reduced and the photoelectric conversion element is not displaced with respect to a lens or an optical fiber, and a method for manufacturing the same.
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、請求項1の発明は、上部が開口した開口部を有するパッケージと、上記パッケージの開口部を覆うと共に光信号を入出力するための光透過用開口部を有する封止部材と、上記光透過用開口部を封止すると共に光信号の通路となる光透過部材とからなる光モジュールにおいて、上記パッケージに、裏面に回路パターンを形成した回路基板を収納すると共に、その回路基板の裏面の回路パターン上に光電変換素子を搭載し、かつ上記回路基板に、基板裏面側から表面側にかけて径が大きくなるテーパ状の光通路穴を形成した光モジュールである。
The present invention has been devised in order to achieve the above object, and the invention of
請求項2の発明は、上記回路基板は、セラミック基板、Si基板、ガラスエポキシ基板などの不透明基板である請求項1記載の光モジュールである。
The invention according to
請求項3の発明は、上記回路基板は、ガラス基板である請求項1記載の光モジュールである。
The invention according to
請求項4の発明は、上記光通路穴は、開口角が20°以上である請求項1〜3いずれかに記載の光モジュールである。
The invention according to
請求項5の発明は、上記光通路穴は、上記光電変換素子が発光素子の場合は基板裏面側の径が発光径以上であり、上記光電変換素子が受光素子の場合は基板裏面側の径が受光径以上である請求項1〜4いずれかに記載の光モジュールである。
According to a fifth aspect of the present invention, when the photoelectric conversion element is a light emitting element, the light passage hole has a diameter on the back side of the substrate equal to or larger than the light emission diameter, and when the photoelectric conversion element is a light receiving element, the diameter on the back side of the substrate. The optical module according to any one of
請求項6の発明は、上記回路基板は、厚さが0.5mm以上である請求項1〜5いずれかに記載の光モジュールである。
The invention according to claim 6 is the optical module according to any one of
請求項7の発明は、上記パッケージに上記回路基板を載置するテラスを設け、そのテラスにパッケージ側電極を形成すると共に、そのパッケージ側電極に対応して上記回路基板の裏面に基板側電極を形成し、これら両電極を接合して上記パッケージ内に上記回路基板を収納した請求項1〜6いずれかに記載の光モジュールである。
According to a seventh aspect of the present invention, a terrace for mounting the circuit board is provided in the package, a package side electrode is formed on the terrace, and a substrate side electrode is provided on the back surface of the circuit board corresponding to the package side electrode. The optical module according to any one of
請求項8の発明は、上記パッケージの上記パッケージ側電極より1段高い上縁面に接合枠を形成し、上記パッケージ内に上記回路基板を収納した後、上記接合枠に対応して上記光透過部材を備えた金属製の上記封止部材を設け、その封止部材と上記接合枠を接合して上記パッケージに上記封止部材を接合すると共に気密封止した請求項7記載の光モジュールである。
According to an eighth aspect of the present invention, a bonding frame is formed on an upper edge surface that is one step higher than the package side electrode of the package, the circuit board is accommodated in the package, and then the light transmission corresponding to the bonding frame. 8. The optical module according to
請求項9の発明は、上記封止部材は、上記接合枠を介して、上記パッケージの回路パターンと導通している請求項8記載の光モジュールである。
The invention according to
請求項10の発明は、上記回路基板の上記光通路穴以外となる表面に、金属膜を形成した請求項1〜9いずれかに記載の光モジュールである。
The invention according to
請求項11の発明は、上記金属膜は、上記回路基板に形成したスルーホールを介して、上記パッケージの回路パターンと導通している請求項10記載の光モジュールである。
The invention according to
請求項12の発明は、上記光電変換素子は、面発光レーザアレイ及び/又はフォトダイオードアレイである請求項1〜11いずれかに記載の光モジュールである。
The invention according to
請求項13の発明は、上記基板側電極は、上記回路基板の上記光電変換素子や各光電変換素子を制御する制御用半導体チップの周囲に形成され、これら上記光電変換素子や上記制御用半導体チップと導通される請求項1〜12いずれかに記載の光モジュールである。 According to a thirteenth aspect of the present invention, the substrate-side electrode is formed around the photoelectric conversion element and the control semiconductor chip that controls each photoelectric conversion element of the circuit board, and the photoelectric conversion element and the control semiconductor chip are controlled. It is an optical module in any one of Claims 1-12 conducted.
請求項14の発明は、上記基板側電極は、半田バンプあるいはAuバンプを用いて上記パッケージ側電極に電気的に接続させると共に、上記パッケージに上記回路基板を接合した請求項1〜13いずれかに記載の光モジュールである。 According to a fourteenth aspect of the present invention, the substrate-side electrode is electrically connected to the package-side electrode using solder bumps or Au bumps, and the circuit board is bonded to the package. It is an optical module of description.
請求項15の発明は、上記封止部材は中央部に光透過用開口部が形成され、その光透過用開口部に上記光透過部材がシール材で取り付けられている請求項1〜14いずれかに記載の光モジュールである。 According to a fifteenth aspect of the present invention, in the sealing member, a light transmitting opening is formed at a central portion, and the light transmitting member is attached to the light transmitting opening with a sealing material. It is an optical module as described in above.
請求項16の発明は、上記封止部材と上記接合枠を電気溶接あるいはレーザ溶接で接合して上記パッケージに上記封止部材を接合すると共に気密封止した請求項8〜15いずれかに記載の光モジュールである。
The invention of
請求項17の発明は、上部が開口した開口部を有するパッケージと、上記パッケージの開口部を覆うと共に光信号を入出力するための光透過用開口部を有する封止部材と、上記光透過用開口部を封止すると共に光信号の通路となる光透過部材とからなる光モジュールの製造方法において、上記パッケージに収納される回路基板の裏面に、回路パターンを形成すると共に、その回路パターンに光電変換素子を搭載し、かつ上記回路基板に、フェムト秒レーザあるいはUV−YAGレーザを照射すると共に、走査しながら上記回路基板を掘り進み、基板裏面側から表面側にかけて径が大きくなるテーパ状の光通路穴を形成する光モジュールの製造方法である。 According to a seventeenth aspect of the present invention, there is provided a package having an opening having an upper opening, a sealing member that covers the opening of the package and has a light transmission opening for inputting and outputting an optical signal, and the light transmission In a method for manufacturing an optical module comprising a light transmitting member that seals an opening and serves as a path for an optical signal, a circuit pattern is formed on the back surface of a circuit board housed in the package, and the circuit pattern is subjected to photoelectric conversion. Tapered light that has a conversion element and irradiates the circuit board with a femtosecond laser or a UV-YAG laser, digs up the circuit board while scanning, and increases in diameter from the back side of the board to the front side. It is a manufacturing method of the optical module which forms a passage hole.
本発明によれば、光電変換素子の出入射光の光量を減らすことなく、光信号を入出力できる。 According to the present invention, an optical signal can be input / output without reducing the amount of incident / incident light from the photoelectric conversion element.
以下、本発明の好適な実施形態を添付図面にしたがって説明する。 Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
図1は、本発明の好適な実施形態を示す光モジュールの斜視図、図2はその2A−2A線断面図、図3はその分解斜視図、図4は図3を上方から見た分解斜視図と回路基板の透視図である。 1 is a perspective view of an optical module showing a preferred embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line 2A-2A, FIG. 3 is an exploded perspective view thereof, and FIG. 4 is an exploded perspective view of FIG. FIG. 2 is a perspective view of the circuit board.
図1〜図4に示すように、本実施形態に係る光モジュール(気密封止型パラレル光モジュール)1は、パソコン、車両、光トランシーバなどの機器のマザーボードや回路基板に表面実装するものであり、面積が1cm×1cm程度の大きさを有する。 As shown in FIGS. 1 to 4, an optical module (hermetic sealed parallel optical module) 1 according to this embodiment is surface-mounted on a motherboard or a circuit board of a device such as a personal computer, a vehicle, or an optical transceiver. The area is about 1 cm × 1 cm.
この光モジュール1は、上部が開口した開口部(キャビティ、空洞、凹み、部屋)を有し、縦断面が凹状のセラミックパッケージ2と、そのセラミックパッケージ2に収納される回路基板3と、セラミックパッケージの開口部を覆うと共に光信号を入出力するための窓(光透過用開口部)18を有する封止部材としてのキャップ4と、窓18を封止すると共に光信号の通路となる光透過部材としてのガラス窓19とで主に構成される。
This
パッケージとしてセラミックパッケージ2を用いたのは、後述するようにパッケージ内を気密封止した際、気密封止のレベルを、Heリーク試験おいて10-9Pa・m3/s[He]以下に保つ必要があるからである。
The
セラミックパッケージ2内には、パッケージ側回路パターン5が形成される。回路パターン5の一部は、セラミックパッケージ2の上縁面と底面を結んで形成される。セラミックパッケージ2の底面には、機器のマザーボードや回路基板に光モジュール1を実装するための半田ボール6が複数個格子状に並べて取り付けられる。つまり、セラミックパッケージ2はBGAを構成する。
A package-
セラミックパッケージ2には、底面より1段高い回路基板3を搭載するためのテラス7が設けられる。テラス7には、回路パターン5と導通するパッケージ側電極として、テラス上電極8が複数個並べて形成される。テラス上電極8は、例えば、Cu箔をフォトエッチングして一括形成される。セラミックパッケージ2のテラス上電極8より1段高い上縁面に、回路パターン5と導通し、キャップ4の受け皿となる接合枠9がAu/Niなどの金属で形成される。
The
回路基板3の裏面には、基板側回路パターン10が形成される。回路基板3の基板側回路パターン10には、発光用の光電変換素子(発光素子)として、LDを狭ピッチ(例えば、250μm)でアレイ状に4個並べた面発光レーザアレイ(VCSELアレイ)11と、受光用の光電変換素子(受光素子)として、フォトダイオード(PD)を狭ピッチ(例えば、250μm)でアレイ状に4個並べたPDアレイ12と、VCSELアレイ11とPDアレイ12を制御する制御用半導体チップとして制御用IC13と、抵抗やコンデンサなどの電気部品とが実装される。
A substrate
VCSELアレイ11は、回路基板3の裏面に半田バンプあるいはAuバンプを用いてフリップチップ実装される。すなわち、VCSELアレイ11は、各LDの発光領域が回路基板3と対向するように実装される。同様に、PDアレイ12も、回路基板3の裏面に半田バンプあるいはAuバンプを用いてフリップチップ実装される。すなわち、PDアレイ12は、各PDの受光領域が回路基板3と対向するように実装される。
The
制御用IC13は、VCSELアレイ11の各LDを駆動する駆動回路としてのドライバ(LD駆動回路IC)、PDアレイ12の各PDからの電気信号を増幅する増幅回路としてのプリアンプ(PD駆動回路IC)などを備える。
The
さて、図1、図2、図4、図5に示すように、回路基板3には、基板裏面側から表面側にかけて径が大きくなるテーパ状の光通路穴14が複数個(図では4個のLDに対して4個の光通路穴14と、4個のPDに対して4個の光通路穴14との合計8個)形成される。
As shown in FIGS. 1, 2, 4, and 5, the
図5に示すように、光通路穴14は、VCSELアレイ11の各LDのビーム広がり角やPDアレイの各PDの入射光のビーム広がり角θdが20〜30°なので、開口角θpを20°以上にする。
As shown in FIG. 5, the
光通路穴14は、LDの場合、実装精度が通常±10μmであることを考慮して、基板裏面側の径φdがLDの発光径φt=10μm以上となる20〜30μmである。本実施形態では、VCSELアレイ11上に位置する光通路穴14のφdを30μmとした。
Considering that the mounting accuracy is usually ± 10 μm in the case of an LD, the
また、光通路穴14は、PDの場合、実装精度が通常±10μmであること、およびPDは受光径φr=80μmのものが一般に用いられていることを考慮して、基板裏面側の径φdがPDの受光径φr=80μm以上となる90〜110μmである。本実施形態では、PDアレイ12上に位置する光通路穴14のφdを100μmとした。
Further, in the case of the PD, the
回路基板3の厚さdは、0.5mm以上にするとよい。これは、回路基板3の厚さdが0.5mm未満であると、回路基板3が反って、VCSELアレイ11の各LDやPDアレイ12の各PDが、その出入射光を集光するレンズや、レンズに光結合される光ファイバに対して位置ずれしてしまうからである。
The thickness d of the
本実施の形態では、回路基板3の厚さdを0.5mm、開口角θpを30°にしたため、光通路穴14の基板表面側の径φuは0.26mmとなる。また、VCSELアレイ11の各LDの発光領域およびPDアレイの各PDの受光領域と回路基板3の裏面との距離xを0.05mmにした。
In the present embodiment, since the thickness d of the
回路基板3としては、セラミック基板、Si基板、ガラスエポキシ基板などの不透明基板を用いる。
As the
図1〜図4に示すように、回路基板3のVCSELアレイ11、PDアレイ12、制御用IC13の周囲には、基板側電極として、下面電極15が複数個形成される。これら下面電極15は、VCSELアレイ11、PDアレイ12、制御用IC13と導通される。下面電極15は、例えば、Cu箔をフォトエッチングして一括形成される。
As shown in FIGS. 1 to 4, a plurality of
回路基板3の光通路穴14以外となる表面には、金属膜16がCuなどの金属で形成される。金属膜16は、例えばメッキで形成される。金属膜16は、回路基板3にスルーホール17を形成し、このスルーホール17を介して、セラミックパッケージ2内の回路パターン5の一部を構成するベタGND層(全面GND層)、あるいは機器のマザーボードや回路基板のGNDと導通している。
A
キャップ4は、接合枠9に対応してCuなどの金属で枠状に形成される。このキャップ4は、接合枠9を介して、セラミックパッケージ2の回路パターン5と電気的に接続される。キャップ4の中央部には開口部18が形成され、その開口部18にガラス窓19がシール材sで取り付けられる。シール材sとしては低融点ガラスを用いる。
The
光モジュール1の組み立ては、まず、回路基板3に各光部品、各電気部品をフリップチップ実装する。
In assembling the
そして、Heや窒素などの不活性ガスの雰囲気下において、テラス上電極8と下面電極15を半田バンプあるいはAuバンプを用いて、半田接合して電気的に接続させてセラミックパッケージ2に回路基板3を接合する。これにより、セラミックパッケージ2内に回路基板3が収納される。これと同時に、接合枠9にキャップ4を接合すると共に気密封止して、セラミックパッケージ2にキャップ4を接合する。
Then, in an atmosphere of an inert gas such as He or nitrogen, the
接合枠9とキャップ4の接合は、抵抗溶接などの電気溶接あるいはレーザ溶接で行う。接合枠9とキャップ4の接合に電気溶接あるいはレーザ溶接を用いたのは、気密封止のレベルを、Heリーク試験において10-9Pa・m3/s[He]以下に保つためである。
The joining
ここで、接着剤や合成樹脂はノンハーメティックシールなので使用できない。特に、合成樹脂は膨潤するため、VCSELアレイ11やPDアレイ12を外気や水分に晒すことになり、適さない。
Here, adhesives and synthetic resins cannot be used because they are non-hermetic seals. In particular, since the synthetic resin swells, the
最後に、セラミックパッケージ2の裏面に、半田ボール6を複数個格子状に並べて取り付けてBGAを構成すると、光モジュール1が組み立てられる。
Finally, when a plurality of solder balls 6 are arranged in a grid on the back surface of the
さらに、光モジュール1には、回路基板3の光通路穴14上となる表面に、VCSELアレイ11の各LDの出射光あるいはPDアレイ12の各PDの入射光を集光する8個のレンズを備えた一体型のレンズブロックが実装される。このレンズブロックには、8心の光ファイバが接続されたMT光コネクタが接続される。
Further, the
次に、光モジュール1の製造方法を説明する。ここでは、光通路穴14以外は慣用の方法で製造できるため、光通路穴14の形成方法についてのみ説明する。
Next, a method for manufacturing the
図6に示すように、回路基板3の表面に、フェムト秒レーザあるいはUV(紫外線)−YAGレーザLを照射すると共に、螺旋状に走査しながら回路基板3を掘り進み(すなわち、トレパニングにより)、光通路穴14を形成する。
As shown in FIG. 6, the surface of the
より詳細には、図7に示すように、まず、パルスレーザの1つであるフェムト秒レーザ、あるいはUV−YAGレーザを、基板表面側の径φuの円71内で左右に走査し、穴が深くなるにつれて徐々にレーザを走査する範囲の円を円72,73のように小さくしていくことで、光通路穴14を形成する。つまり、穴の深さが基板表面側から深くなるにつれて穴の径が小さくなるようにレーザを走査する。これにより、逆円錐台状の光通路穴14が形成される。
More specifically, as shown in FIG. 7, first, a femtosecond laser, which is one of pulse lasers, or a UV-YAG laser is scanned left and right within a
ここで、フェムト秒レーザは、チタンサファイアに種光(緑レーザ)を当て、チタンサファイアの再生増幅により発射するものである。波長λ=780〜800nm、パルス幅は50fs以上、出力は1〜2W、周波数1kHz(連続チャージ時間)である。フェムト秒レーザは、パルス幅が150fs以下だとレーザ光が熱エネルギーに変換する前に加工が完了してしまう。これをアブレーションという。つまり、フェムト秒レーザを用いると、熱だれが発生しない、光通路穴14の周囲が盛り上がらないという利点がある。
Here, the femtosecond laser emits seed light (green laser) on titanium sapphire and regenerates and reproduces titanium sapphire. Wavelength λ = 780 to 800 nm, pulse width is 50 fs or more, output is 1 to 2 W, frequency is 1 kHz (continuous charge time). If the pulse width of the femtosecond laser is 150 fs or less, the processing is completed before the laser light is converted into thermal energy. This is called ablation. In other words, when a femtosecond laser is used, there is an advantage that heat does not occur and the periphery of the
UV−YAGレーザは、YAG結晶を励起させて発射するものであり、波長結晶を透過させて、短波長側に波長を変換したものである。波長はλ/4、λ/3、λ/2(λ=1064nm)の各種あり、短波になるほど強力になる。パルス幅は20ns、出力は1〜50W、周波数(連続チャージ時間)は30kHzである。 The UV-YAG laser excites and emits a YAG crystal, transmits the wavelength crystal, and converts the wavelength to the short wavelength side. There are various wavelengths of λ / 4, λ / 3, and λ / 2 (λ = 1064 nm), and the shorter the wavelength, the stronger. The pulse width is 20 ns, the output is 1 to 50 W, and the frequency (continuous charge time) is 30 kHz.
第1の実施形態の作用を説明する。 The operation of the first embodiment will be described.
光モジュール1では、機器のマザーボードや回路基板からの4つの電気信号は、セラミックパッケージ2の回路パターン5、制御用IC13、VCSELアレイ11の順で伝送され、VCSELアレイ11で光信号にそれぞれ変換され、VCSELアレイ11から波長が異なる4つの光信号として回路基板3、光通路穴14を通して上方に出力される。
In the
一方、光モジュール1では、回路基板3の上方から光通路穴14、回路基板3を通して入力された波長が異なる4つの光信号は、PDアレイ12で電気信号にそれぞれ変換され、PDアレイ12から4つの電気信号として制御用IC13、セラミックパッケージ2の回路パターン5、機器のマザーボードや回路基板の順で伝送される。
On the other hand, in the
光モジュール1は、回路基板3に光通路穴14を形成しているため、回路基板3の裏面にVCSELアレイ11やPDアレイ12を搭載しても、ガラス窓19を通して光信号を入出力できる。
Since the
特に、回路基板3として不透明基板を用いた場合には、光通路穴14があることにより、回路基板3の表面と裏面で光が反射しないため、VCSELアレイ11やPDアレイ12の出入射光の光量を減らすことなく、光信号を入出力できる。
In particular, when an opaque substrate is used as the
光通路穴14はテーパ状なので、反りの防止を目的とした厚さが0.5mm以上の回路基板3であれば、どんな厚さの基板にも光通路穴14を形成できる。
Since the
また、回路基板3にセラミック基板、Si基板、ガラスエポキシ基板などを使用しているため、樹脂基板を用いた場合のような温度膨張や湿気による膨潤の影響が極めて少なく、レンズブロックや、レンズブロックに光結合される光ファイバに対して位置ずれしない。
Further, since a ceramic substrate, Si substrate, glass epoxy substrate, or the like is used for the
本実施形態に係る製造方法によれば、フェムト秒レーザあるいはUV−YAGレーザで光通路穴14を形成するため、回路基板3に3次元形状の光通路穴14を簡単かつ高精度に作製できる。しかも、光通路穴14の最深部のような約10μmものスポット状の小さな穴を形成できるため、回路基板3の裏面にVCSELアレイ11やPDアレイ12の搭載シロも確保できる。
According to the manufacturing method according to the present embodiment, since the
また、光モジュール1は、金属製のキャップ4が接合枠9を介してセラミックパッケージ2の回路パターン5と導通しているので、キャップ4が電磁遮蔽板となって電磁波の出入射を防止でき、EMI(電磁波障害)に対して強い。
In the
さらに、光モジュール1は、回路基板3の光通路穴14以外となる表面に金属膜16が形成されており、その金属膜16が機器のマザーボードや回路基板のGNDやセラミックパッケージ2のGND層と導通している。このため、金属膜16が電磁遮蔽板となって電磁波の出入射を防止でき、EMIに対して強い。
Further, the
光モジュール1では、キャップ4と接合枠9を電気溶接あるいはレーザ溶接してセラミックパッケージ2にキャップ4を接合すると共に気密封止しているため、キャップ4と接合枠9の間に隙間がなく、気密封止のレベルを、Heリーク試験おいて10-9Pa・m3/s[He]以下に保つことができる。
In the
上記実施の形態では、回路基板3として不透明基板を用いた例で説明したが、回路基板3としてガラス基板を使用してもよい。このガラス基板に上述した光通路穴14を形成することで、ガラス基板の表面と裏面で光が反射しないため、この場合にも、VCSELアレイ11やPDアレイ12の出入射光の光量を減らすことなく、光信号を入出力できる。
In the above embodiment, an example in which an opaque substrate is used as the
1 光モジュール
2 セラミックパッケージ
5 パッケージ側回路パターン
10 基板側回路パターン
11 VCSELアレイ(光電変換素子)
12 PDアレイ(光電変換素子)
14 光通路穴
18 窓(光透過用開口部)
19 ガラス窓(光透過部材)
1
12 PD array (photoelectric conversion element)
14
19 Glass window (light transmissive member)
Claims (17)
A package having an opening having an upper opening; a sealing member that covers the opening of the package and has a light transmission opening for inputting and outputting an optical signal; and sealing the light transmission opening. In a method of manufacturing an optical module comprising a light transmitting member serving as an optical signal path, a circuit pattern is formed on the back surface of a circuit board housed in the package, and a photoelectric conversion element is mounted on the circuit pattern, and The circuit board is irradiated with a femtosecond laser or a UV-YAG laser, and the circuit board is dug while scanning to form a tapered light passage hole whose diameter increases from the back surface side to the front surface side. A method for manufacturing an optical module.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006122303A JP2007294743A (en) | 2006-04-26 | 2006-04-26 | Optical module and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006122303A JP2007294743A (en) | 2006-04-26 | 2006-04-26 | Optical module and its manufacturing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007294743A true JP2007294743A (en) | 2007-11-08 |
Family
ID=38765047
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006122303A Pending JP2007294743A (en) | 2006-04-26 | 2006-04-26 | Optical module and its manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007294743A (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101543939A (en) * | 2008-03-28 | 2009-09-30 | 西门子公司 | Method for creating bore |
JP2009260227A (en) * | 2008-02-25 | 2009-11-05 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Photoelectric conversion device |
JP2010182800A (en) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Hitachi Cable Ltd | Optical transmission module |
JP2011098390A (en) * | 2009-10-22 | 2011-05-19 | Ewag Ag | Laser machining apparatus and method, for forming surface of half-finished product |
JP2013222075A (en) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Design of spacer resin pattern useful for reduction of connection loss of light between light emitting element or light receiving element and optical waveguide on semiconductor |
WO2022231296A1 (en) * | 2021-04-29 | 2022-11-03 | 주식회사 라이팩 | Method for manufacturing optical sensor package and optical sensor package |
JP2023029493A (en) * | 2018-11-29 | 2023-03-03 | デクセリアルズ株式会社 | Laser processing method and laser processing device |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000049414A (en) * | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Canon Inc | Optical function element device and optical transmitter- receiver, optical interconnection device and optical recorder using the same |
JP2003224324A (en) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Kyocera Corp | Package for housing optical semiconductor element and optical semiconductor device |
JP2003347747A (en) * | 2002-05-30 | 2003-12-05 | Toppan Printing Co Ltd | Method of manufacturing multilayer wiring board and multilayer wiring board using the same |
JP2004031508A (en) * | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Nec Corp | Optoelectric composite module and light inputting/outputting device with its module as configuring element |
JP2004253638A (en) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical component and method for manufacturing same |
JP2005038956A (en) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical component and manufacturing method thereof |
JP2005268737A (en) * | 2003-11-11 | 2005-09-29 | Ricoh Co Ltd | Optical transmission element module |
JP2005292739A (en) * | 2004-04-06 | 2005-10-20 | Hitachi Ltd | Optical module |
JP2005349446A (en) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Hitachi Via Mechanics Ltd | Laser beam boring method |
-
2006
- 2006-04-26 JP JP2006122303A patent/JP2007294743A/en active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000049414A (en) * | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Canon Inc | Optical function element device and optical transmitter- receiver, optical interconnection device and optical recorder using the same |
JP2003224324A (en) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Kyocera Corp | Package for housing optical semiconductor element and optical semiconductor device |
JP2003347747A (en) * | 2002-05-30 | 2003-12-05 | Toppan Printing Co Ltd | Method of manufacturing multilayer wiring board and multilayer wiring board using the same |
JP2004031508A (en) * | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Nec Corp | Optoelectric composite module and light inputting/outputting device with its module as configuring element |
JP2004253638A (en) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical component and method for manufacturing same |
JP2005038956A (en) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical component and manufacturing method thereof |
JP2005268737A (en) * | 2003-11-11 | 2005-09-29 | Ricoh Co Ltd | Optical transmission element module |
JP2005292739A (en) * | 2004-04-06 | 2005-10-20 | Hitachi Ltd | Optical module |
JP2005349446A (en) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Hitachi Via Mechanics Ltd | Laser beam boring method |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009260227A (en) * | 2008-02-25 | 2009-11-05 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Photoelectric conversion device |
CN101543939A (en) * | 2008-03-28 | 2009-09-30 | 西门子公司 | Method for creating bore |
JP2009241153A (en) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Siemens Ag | Method for making hole |
US9597751B2 (en) | 2008-03-28 | 2017-03-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for producing a hole with side-delimiting flanks in a component |
JP2010182800A (en) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Hitachi Cable Ltd | Optical transmission module |
JP2011098390A (en) * | 2009-10-22 | 2011-05-19 | Ewag Ag | Laser machining apparatus and method, for forming surface of half-finished product |
JP2013222075A (en) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Design of spacer resin pattern useful for reduction of connection loss of light between light emitting element or light receiving element and optical waveguide on semiconductor |
JP2023029493A (en) * | 2018-11-29 | 2023-03-03 | デクセリアルズ株式会社 | Laser processing method and laser processing device |
WO2022231296A1 (en) * | 2021-04-29 | 2022-11-03 | 주식회사 라이팩 | Method for manufacturing optical sensor package and optical sensor package |
KR20220148481A (en) * | 2021-04-29 | 2022-11-07 | 주식회사 라이팩 | Manufacturing method of light sensor package and light sensor package |
KR102515244B1 (en) * | 2021-04-29 | 2023-03-29 | 주식회사 라이팩 | Manufacturing method of light sensor package and light sensor package |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4697077B2 (en) | Optical module | |
JP4793099B2 (en) | Optical module | |
JP2007294743A (en) | Optical module and its manufacturing method | |
CN100479197C (en) | Optical receiver package | |
CN102422193B (en) | Optical subassembly with optical device having ceramic pacakge | |
JP5262118B2 (en) | Manufacturing method of optical module | |
JP4962635B1 (en) | Optical semiconductor package, optical semiconductor module, and manufacturing method thereof | |
JP2008053423A (en) | Connector, and optical transceiver module | |
US11445898B2 (en) | Optical module for endoscope, endoscope, and manufacturing method for optical module for endoscope | |
JP2005234053A (en) | Optical wiring substrate and manufacturing method of the optical wiring substrate | |
US20160313517A1 (en) | Optical waveguide device and method of manufacturing the same | |
CN106104344B (en) | Installation part, optical module and the manufacture method of optical fiber | |
CN103620893A (en) | Optical module | |
JP4923712B2 (en) | Optical module and manufacturing method thereof | |
JP2013057720A (en) | Optical module | |
JP2005525587A (en) | Method for diffracting and attenuating an optical signal | |
JP2008041770A (en) | Optical module | |
JP4969055B2 (en) | Optical communication module | |
TWI451147B (en) | Optoelectronic module | |
JP2007079267A (en) | Optical transceiver element, and optical transceiver element and optical sensor provided with the same | |
JP2004119493A (en) | Optical module | |
JP4655674B2 (en) | PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, OPTICAL WAVEGUIDE MODULE, AND OPTICAL INFORMATION PROCESSING DEVICE | |
JP2019015797A (en) | Optical coupling member and optical communication module | |
JP2006338848A (en) | Optical integrated module and optical pickup device | |
JPH10214437A (en) | Optical unit and production therefor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080516 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110408 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110705 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111108 |