JP2007294743A - Optical module and its manufacturing method - Google Patents

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JP2007294743A JP2006122303A JP2006122303A JP2007294743A JP 2007294743 A JP2007294743 A JP 2007294743A JP 2006122303 A JP2006122303 A JP 2006122303A JP 2006122303 A JP2006122303 A JP 2006122303A JP 2007294743 A JP2007294743 A JP 2007294743A
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良明 石神
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical module that prevents displacement of a photoelectric transducer with respect to a lens or an optical fiber without reducing a light amount of outgoing or incident light of the photoelectric transducer. <P>SOLUTION: The optical module is composed of a package 2 having an opening whose upper part is opened, a sealing member 4 which has a light transmitting opening 18 for inputting/outputting an optical signal while covering the opening of the package 2, and a light transmitting member 19 that becomes a path for the optical signal while sealing the light transmitting opening 18. A circuit substrate 3 with a circuit pattern 10 formed on its rear face is stored in the package 2. The photoelectric transducers 11, 12 are mounted onto the circuit pattern 10 on the rear face of the circuit substrate 3. A taper-shaped optical-path hole 14 with its diameter increased from the rear-face side to the surface side of the substrate is formed in the circuit substrate 3. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、光インターコネクションに用いられる光モジュール及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an optical module used for optical interconnection and a method for manufacturing the same.

近年、システム装置内および装置間の信号を高速に伝送する技術である光インターコネクションが広がっている。すなわち、光インターコネクションとは、光部品をあたかも電気部品のように扱って、パソコン、車両、光トランシーバなどの機器のマザーボードや回路基板に表面実装する技術をいう。   In recent years, optical interconnection, which is a technique for transmitting signals within a system apparatus and between apparatuses at high speed, has been spreading. In other words, the optical interconnection is a technology in which an optical component is handled as if it were an electrical component and surface-mounted on a motherboard or a circuit board of a device such as a personal computer, a vehicle, or an optical transceiver.

光インターコネクションに用いられる従来の光モジュールとして、図8に示すような光モジュール81がある。   As a conventional optical module used for optical interconnection, there is an optical module 81 as shown in FIG.

この光モジュール81は、上部が開口したキャビティを有するセラミックパッケージ82内に回路パターンを形成し、そのセラミックパッケージ82に、透明基板83を収納すると共に、その透明基板83の裏面に半導体レーザ(LD)84を複数個搭載し、セラミックパッケージ82の上部を、光通路となるガラス85を付けた金属製の蓋86で覆うと共に気密封止したものである。光モジュール81では、LD84からの光信号はガラス85を通して出力され、レンズ87で集光されて外部へ伝送される。   In this optical module 81, a circuit pattern is formed in a ceramic package 82 having a cavity opened at the top, and a transparent substrate 83 is accommodated in the ceramic package 82, and a semiconductor laser (LD) is provided on the back surface of the transparent substrate 83. A plurality of 84 are mounted, and the upper part of the ceramic package 82 is covered with a metal lid 86 with a glass 85 serving as an optical path and hermetically sealed. In the optical module 81, the optical signal from the LD 84 is output through the glass 85, collected by the lens 87, and transmitted to the outside.

なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、次のものがある。   The prior art document information related to the invention of this application includes the following.

特開2005−292739号公報JP 2005-292739 A

しかしながら、従来の光モジュール81は、LD84を搭載する回路基板として透明基板83を使用している。このため、LD84の出射光は透明基板83の裏面と表面で一部が反射し、出射光の光量が約8%減ってしまうという問題がある。   However, the conventional optical module 81 uses a transparent substrate 83 as a circuit board on which the LD 84 is mounted. For this reason, a part of the emitted light of the LD 84 is reflected by the back surface and the front surface of the transparent substrate 83, and there is a problem that the light amount of the emitted light is reduced by about 8%.

また、透明基板83として樹脂基板を用いると、樹脂の温度膨張や湿気による膨潤により、LD84がその出射光を集光するレンズや、レンズに光結合される光ファイバに対して位置ずれしてしまうという問題もある。   When a resin substrate is used as the transparent substrate 83, the LD 84 is displaced with respect to the lens that collects the emitted light and the optical fiber that is optically coupled to the lens due to the temperature expansion of the resin and the swelling due to moisture. There is also a problem.

そこで、本発明の目的は、光電変換素子の出入射光の光量を減らすことがなく、光電変換素子がレンズや光ファイバに対して位置ずれしない光モジュール及びその製造方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical module in which the amount of light incident / incident light of a photoelectric conversion element is not reduced and the photoelectric conversion element is not displaced with respect to a lens or an optical fiber, and a method for manufacturing the same.

本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、請求項1の発明は、上部が開口した開口部を有するパッケージと、上記パッケージの開口部を覆うと共に光信号を入出力するための光透過用開口部を有する封止部材と、上記光透過用開口部を封止すると共に光信号の通路となる光透過部材とからなる光モジュールにおいて、上記パッケージに、裏面に回路パターンを形成した回路基板を収納すると共に、その回路基板の裏面の回路パターン上に光電変換素子を搭載し、かつ上記回路基板に、基板裏面側から表面側にかけて径が大きくなるテーパ状の光通路穴を形成した光モジュールである。   The present invention has been devised in order to achieve the above object, and the invention of claim 1 is for covering a package having an opening having an upper opening, and for inputting / outputting an optical signal while covering the opening of the package. A circuit pattern is formed on the back surface of the package in an optical module comprising a sealing member having a light transmitting opening and a light transmitting member that seals the light transmitting opening and serves as an optical signal path. The circuit board is housed, and a photoelectric conversion element is mounted on the circuit pattern on the back surface of the circuit board, and a tapered light passage hole whose diameter increases from the back surface side to the front surface side is formed on the circuit board. This is an optical module.

請求項2の発明は、上記回路基板は、セラミック基板、Si基板、ガラスエポキシ基板などの不透明基板である請求項1記載の光モジュールである。   The invention according to claim 2 is the optical module according to claim 1, wherein the circuit board is an opaque substrate such as a ceramic substrate, a Si substrate, or a glass epoxy substrate.

請求項3の発明は、上記回路基板は、ガラス基板である請求項1記載の光モジュールである。   The invention according to claim 3 is the optical module according to claim 1, wherein the circuit board is a glass substrate.

請求項4の発明は、上記光通路穴は、開口角が20°以上である請求項1〜3いずれかに記載の光モジュールである。   The invention according to claim 4 is the optical module according to any one of claims 1 to 3, wherein the light passage hole has an opening angle of 20 ° or more.

請求項5の発明は、上記光通路穴は、上記光電変換素子が発光素子の場合は基板裏面側の径が発光径以上であり、上記光電変換素子が受光素子の場合は基板裏面側の径が受光径以上である請求項1〜4いずれかに記載の光モジュールである。   According to a fifth aspect of the present invention, when the photoelectric conversion element is a light emitting element, the light passage hole has a diameter on the back side of the substrate equal to or larger than the light emission diameter, and when the photoelectric conversion element is a light receiving element, the diameter on the back side of the substrate. The optical module according to any one of claims 1 to 4, wherein the optical module is not less than a light receiving diameter.

請求項6の発明は、上記回路基板は、厚さが0.5mm以上である請求項1〜5いずれかに記載の光モジュールである。   The invention according to claim 6 is the optical module according to any one of claims 1 to 5, wherein the circuit board has a thickness of 0.5 mm or more.

請求項7の発明は、上記パッケージに上記回路基板を載置するテラスを設け、そのテラスにパッケージ側電極を形成すると共に、そのパッケージ側電極に対応して上記回路基板の裏面に基板側電極を形成し、これら両電極を接合して上記パッケージ内に上記回路基板を収納した請求項1〜6いずれかに記載の光モジュールである。   According to a seventh aspect of the present invention, a terrace for mounting the circuit board is provided in the package, a package side electrode is formed on the terrace, and a substrate side electrode is provided on the back surface of the circuit board corresponding to the package side electrode. The optical module according to any one of claims 1 to 6, wherein the circuit board is housed in the package by forming and joining both electrodes.

請求項8の発明は、上記パッケージの上記パッケージ側電極より1段高い上縁面に接合枠を形成し、上記パッケージ内に上記回路基板を収納した後、上記接合枠に対応して上記光透過部材を備えた金属製の上記封止部材を設け、その封止部材と上記接合枠を接合して上記パッケージに上記封止部材を接合すると共に気密封止した請求項7記載の光モジュールである。   According to an eighth aspect of the present invention, a bonding frame is formed on an upper edge surface that is one step higher than the package side electrode of the package, the circuit board is accommodated in the package, and then the light transmission corresponding to the bonding frame. 8. The optical module according to claim 7, wherein the metal sealing member provided with a member is provided, the sealing member and the joining frame are joined, and the sealing member is joined to the package and hermetically sealed. .

請求項9の発明は、上記封止部材は、上記接合枠を介して、上記パッケージの回路パターンと導通している請求項8記載の光モジュールである。   The invention according to claim 9 is the optical module according to claim 8, wherein the sealing member is electrically connected to the circuit pattern of the package through the joining frame.

請求項10の発明は、上記回路基板の上記光通路穴以外となる表面に、金属膜を形成した請求項1〜9いずれかに記載の光モジュールである。   The invention according to claim 10 is the optical module according to any one of claims 1 to 9, wherein a metal film is formed on a surface of the circuit board other than the light passage hole.

請求項11の発明は、上記金属膜は、上記回路基板に形成したスルーホールを介して、上記パッケージの回路パターンと導通している請求項10記載の光モジュールである。   The invention according to claim 11 is the optical module according to claim 10, wherein the metal film is electrically connected to the circuit pattern of the package through a through hole formed in the circuit board.

請求項12の発明は、上記光電変換素子は、面発光レーザアレイ及び/又はフォトダイオードアレイである請求項1〜11いずれかに記載の光モジュールである。   The invention according to claim 12 is the optical module according to any one of claims 1 to 11, wherein the photoelectric conversion element is a surface emitting laser array and / or a photodiode array.

請求項13の発明は、上記基板側電極は、上記回路基板の上記光電変換素子や各光電変換素子を制御する制御用半導体チップの周囲に形成され、これら上記光電変換素子や上記制御用半導体チップと導通される請求項1〜12いずれかに記載の光モジュールである。   According to a thirteenth aspect of the present invention, the substrate-side electrode is formed around the photoelectric conversion element and the control semiconductor chip that controls each photoelectric conversion element of the circuit board, and the photoelectric conversion element and the control semiconductor chip are controlled. It is an optical module in any one of Claims 1-12 conducted.

請求項14の発明は、上記基板側電極は、半田バンプあるいはAuバンプを用いて上記パッケージ側電極に電気的に接続させると共に、上記パッケージに上記回路基板を接合した請求項1〜13いずれかに記載の光モジュールである。   According to a fourteenth aspect of the present invention, the substrate-side electrode is electrically connected to the package-side electrode using solder bumps or Au bumps, and the circuit board is bonded to the package. It is an optical module of description.

請求項15の発明は、上記封止部材は中央部に光透過用開口部が形成され、その光透過用開口部に上記光透過部材がシール材で取り付けられている請求項1〜14いずれかに記載の光モジュールである。   According to a fifteenth aspect of the present invention, in the sealing member, a light transmitting opening is formed at a central portion, and the light transmitting member is attached to the light transmitting opening with a sealing material. It is an optical module as described in above.

請求項16の発明は、上記封止部材と上記接合枠を電気溶接あるいはレーザ溶接で接合して上記パッケージに上記封止部材を接合すると共に気密封止した請求項8〜15いずれかに記載の光モジュールである。   The invention of claim 16 is characterized in that the sealing member and the joining frame are joined by electric welding or laser welding to join the sealing member to the package and hermetically seal. It is an optical module.

請求項17の発明は、上部が開口した開口部を有するパッケージと、上記パッケージの開口部を覆うと共に光信号を入出力するための光透過用開口部を有する封止部材と、上記光透過用開口部を封止すると共に光信号の通路となる光透過部材とからなる光モジュールの製造方法において、上記パッケージに収納される回路基板の裏面に、回路パターンを形成すると共に、その回路パターンに光電変換素子を搭載し、かつ上記回路基板に、フェムト秒レーザあるいはUV−YAGレーザを照射すると共に、走査しながら上記回路基板を掘り進み、基板裏面側から表面側にかけて径が大きくなるテーパ状の光通路穴を形成する光モジュールの製造方法である。   According to a seventeenth aspect of the present invention, there is provided a package having an opening having an upper opening, a sealing member that covers the opening of the package and has a light transmission opening for inputting and outputting an optical signal, and the light transmission In a method for manufacturing an optical module comprising a light transmitting member that seals an opening and serves as a path for an optical signal, a circuit pattern is formed on the back surface of a circuit board housed in the package, and the circuit pattern is subjected to photoelectric conversion. Tapered light that has a conversion element and irradiates the circuit board with a femtosecond laser or a UV-YAG laser, digs up the circuit board while scanning, and increases in diameter from the back side of the board to the front side. It is a manufacturing method of the optical module which forms a passage hole.

本発明によれば、光電変換素子の出入射光の光量を減らすことなく、光信号を入出力できる。   According to the present invention, an optical signal can be input / output without reducing the amount of incident / incident light from the photoelectric conversion element.

以下、本発明の好適な実施形態を添付図面にしたがって説明する。   Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

図1は、本発明の好適な実施形態を示す光モジュールの斜視図、図2はその2A−2A線断面図、図3はその分解斜視図、図4は図3を上方から見た分解斜視図と回路基板の透視図である。   1 is a perspective view of an optical module showing a preferred embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line 2A-2A, FIG. 3 is an exploded perspective view thereof, and FIG. 4 is an exploded perspective view of FIG. FIG. 2 is a perspective view of the circuit board.

図1〜図4に示すように、本実施形態に係る光モジュール(気密封止型パラレル光モジュール)1は、パソコン、車両、光トランシーバなどの機器のマザーボードや回路基板に表面実装するものであり、面積が1cm×1cm程度の大きさを有する。   As shown in FIGS. 1 to 4, an optical module (hermetic sealed parallel optical module) 1 according to this embodiment is surface-mounted on a motherboard or a circuit board of a device such as a personal computer, a vehicle, or an optical transceiver. The area is about 1 cm × 1 cm.

この光モジュール1は、上部が開口した開口部(キャビティ、空洞、凹み、部屋)を有し、縦断面が凹状のセラミックパッケージ2と、そのセラミックパッケージ2に収納される回路基板3と、セラミックパッケージの開口部を覆うと共に光信号を入出力するための窓(光透過用開口部)18を有する封止部材としてのキャップ4と、窓18を封止すると共に光信号の通路となる光透過部材としてのガラス窓19とで主に構成される。   This optical module 1 has an opening (cavity, cavity, dent, room) with an open top, a ceramic package 2 having a concave longitudinal section, a circuit board 3 accommodated in the ceramic package 2, and a ceramic package And a cap 4 as a sealing member having a window (light transmission opening) 18 for inputting / outputting an optical signal and a light transmission member that seals the window 18 and serves as a path for the optical signal And the glass window 19 as a main component.

パッケージとしてセラミックパッケージ2を用いたのは、後述するようにパッケージ内を気密封止した際、気密封止のレベルを、Heリーク試験おいて10-9Pa・m3/s[He]以下に保つ必要があるからである。 The ceramic package 2 was used as the package when the inside of the package was hermetically sealed as described later, and the hermetic sealing level was 10 −9 Pa · m 3 / s [He] or less in the He leak test. Because it is necessary to keep.

セラミックパッケージ2内には、パッケージ側回路パターン5が形成される。回路パターン5の一部は、セラミックパッケージ2の上縁面と底面を結んで形成される。セラミックパッケージ2の底面には、機器のマザーボードや回路基板に光モジュール1を実装するための半田ボール6が複数個格子状に並べて取り付けられる。つまり、セラミックパッケージ2はBGAを構成する。   A package-side circuit pattern 5 is formed in the ceramic package 2. A part of the circuit pattern 5 is formed by connecting the upper edge surface and the bottom surface of the ceramic package 2. On the bottom surface of the ceramic package 2, a plurality of solder balls 6 for mounting the optical module 1 on the motherboard or circuit board of the device are arranged in a grid. That is, the ceramic package 2 constitutes a BGA.

セラミックパッケージ2には、底面より1段高い回路基板3を搭載するためのテラス7が設けられる。テラス7には、回路パターン5と導通するパッケージ側電極として、テラス上電極8が複数個並べて形成される。テラス上電極8は、例えば、Cu箔をフォトエッチングして一括形成される。セラミックパッケージ2のテラス上電極8より1段高い上縁面に、回路パターン5と導通し、キャップ4の受け皿となる接合枠9がAu/Niなどの金属で形成される。   The ceramic package 2 is provided with a terrace 7 for mounting a circuit board 3 that is one step higher than the bottom surface. On the terrace 7, a plurality of terrace-side electrodes 8 are formed side by side as package-side electrodes that are electrically connected to the circuit pattern 5. The terrace upper electrode 8 is formed in a lump by, for example, photoetching a Cu foil. On the upper edge surface that is one step higher than the terrace upper electrode 8 of the ceramic package 2, a joining frame 9 that is electrically connected to the circuit pattern 5 and serves as a tray for the cap 4 is formed of a metal such as Au / Ni.

回路基板3の裏面には、基板側回路パターン10が形成される。回路基板3の基板側回路パターン10には、発光用の光電変換素子(発光素子)として、LDを狭ピッチ(例えば、250μm)でアレイ状に4個並べた面発光レーザアレイ(VCSELアレイ)11と、受光用の光電変換素子(受光素子)として、フォトダイオード(PD)を狭ピッチ(例えば、250μm)でアレイ状に4個並べたPDアレイ12と、VCSELアレイ11とPDアレイ12を制御する制御用半導体チップとして制御用IC13と、抵抗やコンデンサなどの電気部品とが実装される。   A substrate side circuit pattern 10 is formed on the back surface of the circuit substrate 3. The substrate-side circuit pattern 10 of the circuit board 3 includes a surface emitting laser array (VCSEL array) 11 in which four LDs are arranged in an array with a narrow pitch (for example, 250 μm) as photoelectric conversion elements (light emitting elements) for light emission. Then, as a photoelectric conversion element (light receiving element) for receiving light, the PD array 12 in which four photodiodes (PD) are arranged in an array at a narrow pitch (for example, 250 μm), the VCSEL array 11 and the PD array 12 are controlled. As a control semiconductor chip, a control IC 13 and electrical components such as resistors and capacitors are mounted.

VCSELアレイ11は、回路基板3の裏面に半田バンプあるいはAuバンプを用いてフリップチップ実装される。すなわち、VCSELアレイ11は、各LDの発光領域が回路基板3と対向するように実装される。同様に、PDアレイ12も、回路基板3の裏面に半田バンプあるいはAuバンプを用いてフリップチップ実装される。すなわち、PDアレイ12は、各PDの受光領域が回路基板3と対向するように実装される。   The VCSEL array 11 is flip-chip mounted on the back surface of the circuit board 3 using solder bumps or Au bumps. In other words, the VCSEL array 11 is mounted so that the light emitting region of each LD faces the circuit board 3. Similarly, the PD array 12 is also flip-chip mounted on the back surface of the circuit board 3 using solder bumps or Au bumps. That is, the PD array 12 is mounted such that the light receiving area of each PD faces the circuit board 3.

制御用IC13は、VCSELアレイ11の各LDを駆動する駆動回路としてのドライバ(LD駆動回路IC)、PDアレイ12の各PDからの電気信号を増幅する増幅回路としてのプリアンプ(PD駆動回路IC)などを備える。   The control IC 13 is a driver (LD drive circuit IC) as a drive circuit that drives each LD of the VCSEL array 11, and a preamplifier (PD drive circuit IC) as an amplification circuit that amplifies an electric signal from each PD of the PD array 12. Etc.

さて、図1、図2、図4、図5に示すように、回路基板3には、基板裏面側から表面側にかけて径が大きくなるテーパ状の光通路穴14が複数個(図では4個のLDに対して4個の光通路穴14と、4個のPDに対して4個の光通路穴14との合計8個)形成される。   As shown in FIGS. 1, 2, 4, and 5, the circuit board 3 has a plurality of tapered light passage holes 14 having a diameter increasing from the back surface side to the front surface side (four in the figure). A total of eight light passage holes 14 for four LDs and four light passage holes 14 for four PDs).

図5に示すように、光通路穴14は、VCSELアレイ11の各LDのビーム広がり角やPDアレイの各PDの入射光のビーム広がり角θdが20〜30°なので、開口角θpを20°以上にする。   As shown in FIG. 5, the light passage hole 14 has an opening angle θp of 20 ° because the beam divergence angle of each LD of the VCSEL array 11 and the beam divergence angle θd of incident light of each PD of the PD array are 20 to 30 °. That's it.

光通路穴14は、LDの場合、実装精度が通常±10μmであることを考慮して、基板裏面側の径φdがLDの発光径φt=10μm以上となる20〜30μmである。本実施形態では、VCSELアレイ11上に位置する光通路穴14のφdを30μmとした。   Considering that the mounting accuracy is usually ± 10 μm in the case of an LD, the light passage hole 14 has a diameter φd on the back surface side of the substrate of 20 to 30 μm which is equal to or larger than the light emission diameter φt of the LD = 10 μm. In the present embodiment, φd of the light passage hole 14 located on the VCSEL array 11 is set to 30 μm.

また、光通路穴14は、PDの場合、実装精度が通常±10μmであること、およびPDは受光径φr=80μmのものが一般に用いられていることを考慮して、基板裏面側の径φdがPDの受光径φr=80μm以上となる90〜110μmである。本実施形態では、PDアレイ12上に位置する光通路穴14のφdを100μmとした。   Further, in the case of the PD, the optical passage hole 14 has a mounting accuracy of ± 10 μm, and the diameter φd on the back side of the substrate is generally considered in consideration of the fact that the PD has a light receiving diameter φr = 80 μm. Is 90 to 110 μm where the light receiving diameter φr of PD is 80 μm or more. In the present embodiment, φd of the light passage hole 14 located on the PD array 12 is set to 100 μm.

回路基板3の厚さdは、0.5mm以上にするとよい。これは、回路基板3の厚さdが0.5mm未満であると、回路基板3が反って、VCSELアレイ11の各LDやPDアレイ12の各PDが、その出入射光を集光するレンズや、レンズに光結合される光ファイバに対して位置ずれしてしまうからである。   The thickness d of the circuit board 3 is preferably 0.5 mm or more. This is because if the thickness d of the circuit board 3 is less than 0.5 mm, the circuit board 3 warps, and each LD of the VCSEL array 11 or each PD of the PD array 12 collects the incident / incident light. This is because the position is shifted with respect to the optical fiber optically coupled to the lens.

本実施の形態では、回路基板3の厚さdを0.5mm、開口角θpを30°にしたため、光通路穴14の基板表面側の径φuは0.26mmとなる。また、VCSELアレイ11の各LDの発光領域およびPDアレイの各PDの受光領域と回路基板3の裏面との距離xを0.05mmにした。   In the present embodiment, since the thickness d of the circuit board 3 is 0.5 mm and the opening angle θp is 30 °, the diameter φu on the substrate surface side of the light passage hole 14 is 0.26 mm. Further, the distance x between the light emitting region of each LD of the VCSEL array 11 and the light receiving region of each PD of the PD array and the back surface of the circuit board 3 was set to 0.05 mm.

回路基板3としては、セラミック基板、Si基板、ガラスエポキシ基板などの不透明基板を用いる。   As the circuit board 3, an opaque substrate such as a ceramic substrate, a Si substrate, or a glass epoxy substrate is used.

図1〜図4に示すように、回路基板3のVCSELアレイ11、PDアレイ12、制御用IC13の周囲には、基板側電極として、下面電極15が複数個形成される。これら下面電極15は、VCSELアレイ11、PDアレイ12、制御用IC13と導通される。下面電極15は、例えば、Cu箔をフォトエッチングして一括形成される。   As shown in FIGS. 1 to 4, a plurality of lower surface electrodes 15 are formed as substrate-side electrodes around the VCSEL array 11, the PD array 12, and the control IC 13 of the circuit board 3. These lower surface electrodes 15 are electrically connected to the VCSEL array 11, the PD array 12, and the control IC 13. The lower surface electrode 15 is formed in a lump by, for example, photoetching a Cu foil.

回路基板3の光通路穴14以外となる表面には、金属膜16がCuなどの金属で形成される。金属膜16は、例えばメッキで形成される。金属膜16は、回路基板3にスルーホール17を形成し、このスルーホール17を介して、セラミックパッケージ2内の回路パターン5の一部を構成するベタGND層(全面GND層)、あるいは機器のマザーボードや回路基板のGNDと導通している。   A metal film 16 is formed of a metal such as Cu on the surface other than the light passage hole 14 of the circuit board 3. The metal film 16 is formed by plating, for example. The metal film 16 forms a through hole 17 in the circuit board 3, and through this through hole 17, a solid GND layer (entire GND layer) constituting a part of the circuit pattern 5 in the ceramic package 2, or a device It is electrically connected to GND of the motherboard and circuit board.

キャップ4は、接合枠9に対応してCuなどの金属で枠状に形成される。このキャップ4は、接合枠9を介して、セラミックパッケージ2の回路パターン5と電気的に接続される。キャップ4の中央部には開口部18が形成され、その開口部18にガラス窓19がシール材sで取り付けられる。シール材sとしては低融点ガラスを用いる。   The cap 4 is formed in a frame shape with a metal such as Cu corresponding to the joining frame 9. The cap 4 is electrically connected to the circuit pattern 5 of the ceramic package 2 via the joining frame 9. An opening 18 is formed at the center of the cap 4, and a glass window 19 is attached to the opening 18 with a sealing material s. As the sealing material s, low melting point glass is used.

光モジュール1の組み立ては、まず、回路基板3に各光部品、各電気部品をフリップチップ実装する。   In assembling the optical module 1, first, each optical component and each electrical component are flip-chip mounted on the circuit board 3.

そして、Heや窒素などの不活性ガスの雰囲気下において、テラス上電極8と下面電極15を半田バンプあるいはAuバンプを用いて、半田接合して電気的に接続させてセラミックパッケージ2に回路基板3を接合する。これにより、セラミックパッケージ2内に回路基板3が収納される。これと同時に、接合枠9にキャップ4を接合すると共に気密封止して、セラミックパッケージ2にキャップ4を接合する。   Then, in an atmosphere of an inert gas such as He or nitrogen, the upper terrace electrode 8 and the lower electrode 15 are soldered and electrically connected using solder bumps or Au bumps to the ceramic package 2 and the circuit board 3. Join. Thereby, the circuit board 3 is accommodated in the ceramic package 2. At the same time, the cap 4 is joined to the joining frame 9 and hermetically sealed, and the cap 4 is joined to the ceramic package 2.

接合枠9とキャップ4の接合は、抵抗溶接などの電気溶接あるいはレーザ溶接で行う。接合枠9とキャップ4の接合に電気溶接あるいはレーザ溶接を用いたのは、気密封止のレベルを、Heリーク試験において10-9Pa・m3/s[He]以下に保つためである。 The joining frame 9 and the cap 4 are joined by electric welding such as resistance welding or laser welding. The reason why electric welding or laser welding is used for joining the joining frame 9 and the cap 4 is to keep the hermetic sealing level at 10 −9 Pa · m 3 / s [He] or less in the He leak test.

ここで、接着剤や合成樹脂はノンハーメティックシールなので使用できない。特に、合成樹脂は膨潤するため、VCSELアレイ11やPDアレイ12を外気や水分に晒すことになり、適さない。   Here, adhesives and synthetic resins cannot be used because they are non-hermetic seals. In particular, since the synthetic resin swells, the VCSEL array 11 and the PD array 12 are exposed to the outside air and moisture, which is not suitable.

最後に、セラミックパッケージ2の裏面に、半田ボール6を複数個格子状に並べて取り付けてBGAを構成すると、光モジュール1が組み立てられる。   Finally, when a plurality of solder balls 6 are arranged in a grid on the back surface of the ceramic package 2 to form a BGA, the optical module 1 is assembled.

さらに、光モジュール1には、回路基板3の光通路穴14上となる表面に、VCSELアレイ11の各LDの出射光あるいはPDアレイ12の各PDの入射光を集光する8個のレンズを備えた一体型のレンズブロックが実装される。このレンズブロックには、8心の光ファイバが接続されたMT光コネクタが接続される。   Further, the optical module 1 has eight lenses for condensing the emitted light of each LD of the VCSEL array 11 or the incident light of each PD of the PD array 12 on the surface of the circuit board 3 on the light passage hole 14. The integrated lens block provided is mounted. An MT optical connector to which eight optical fibers are connected is connected to the lens block.

次に、光モジュール1の製造方法を説明する。ここでは、光通路穴14以外は慣用の方法で製造できるため、光通路穴14の形成方法についてのみ説明する。   Next, a method for manufacturing the optical module 1 will be described. Here, since it can manufacture by a conventional method except for the optical path hole 14, only the formation method of the optical path hole 14 is demonstrated.

図6に示すように、回路基板3の表面に、フェムト秒レーザあるいはUV(紫外線)−YAGレーザLを照射すると共に、螺旋状に走査しながら回路基板3を掘り進み(すなわち、トレパニングにより)、光通路穴14を形成する。   As shown in FIG. 6, the surface of the circuit board 3 is irradiated with a femtosecond laser or a UV (ultraviolet ray) -YAG laser L, and the circuit board 3 is dug while being spirally scanned (that is, by trepanning). The light passage hole 14 is formed.

より詳細には、図7に示すように、まず、パルスレーザの1つであるフェムト秒レーザ、あるいはUV−YAGレーザを、基板表面側の径φuの円71内で左右に走査し、穴が深くなるにつれて徐々にレーザを走査する範囲の円を円72,73のように小さくしていくことで、光通路穴14を形成する。つまり、穴の深さが基板表面側から深くなるにつれて穴の径が小さくなるようにレーザを走査する。これにより、逆円錐台状の光通路穴14が形成される。   More specifically, as shown in FIG. 7, first, a femtosecond laser, which is one of pulse lasers, or a UV-YAG laser is scanned left and right within a circle 71 having a diameter φu on the substrate surface side. The light passage hole 14 is formed by gradually reducing the circle in the range in which the laser is scanned as the depth increases, such as circles 72 and 73. That is, the laser is scanned so that the hole diameter decreases as the hole depth increases from the substrate surface side. As a result, an inverted frustoconical light passage hole 14 is formed.

ここで、フェムト秒レーザは、チタンサファイアに種光(緑レーザ)を当て、チタンサファイアの再生増幅により発射するものである。波長λ=780〜800nm、パルス幅は50fs以上、出力は1〜2W、周波数1kHz(連続チャージ時間)である。フェムト秒レーザは、パルス幅が150fs以下だとレーザ光が熱エネルギーに変換する前に加工が完了してしまう。これをアブレーションという。つまり、フェムト秒レーザを用いると、熱だれが発生しない、光通路穴14の周囲が盛り上がらないという利点がある。   Here, the femtosecond laser emits seed light (green laser) on titanium sapphire and regenerates and reproduces titanium sapphire. Wavelength λ = 780 to 800 nm, pulse width is 50 fs or more, output is 1 to 2 W, frequency is 1 kHz (continuous charge time). If the pulse width of the femtosecond laser is 150 fs or less, the processing is completed before the laser light is converted into thermal energy. This is called ablation. In other words, when a femtosecond laser is used, there is an advantage that heat does not occur and the periphery of the light passage hole 14 does not rise.

UV−YAGレーザは、YAG結晶を励起させて発射するものであり、波長結晶を透過させて、短波長側に波長を変換したものである。波長はλ/4、λ/3、λ/2(λ=1064nm)の各種あり、短波になるほど強力になる。パルス幅は20ns、出力は1〜50W、周波数(連続チャージ時間)は30kHzである。   The UV-YAG laser excites and emits a YAG crystal, transmits the wavelength crystal, and converts the wavelength to the short wavelength side. There are various wavelengths of λ / 4, λ / 3, and λ / 2 (λ = 1064 nm), and the shorter the wavelength, the stronger. The pulse width is 20 ns, the output is 1 to 50 W, and the frequency (continuous charge time) is 30 kHz.

第1の実施形態の作用を説明する。   The operation of the first embodiment will be described.

光モジュール1では、機器のマザーボードや回路基板からの4つの電気信号は、セラミックパッケージ2の回路パターン5、制御用IC13、VCSELアレイ11の順で伝送され、VCSELアレイ11で光信号にそれぞれ変換され、VCSELアレイ11から波長が異なる4つの光信号として回路基板3、光通路穴14を通して上方に出力される。   In the optical module 1, four electrical signals from the motherboard and circuit board of the device are transmitted in the order of the circuit pattern 5 of the ceramic package 2, the control IC 13, and the VCSEL array 11, and are converted into optical signals by the VCSEL array 11, respectively. From the VCSEL array 11, four optical signals having different wavelengths are output upward through the circuit board 3 and the optical passage hole 14.

一方、光モジュール1では、回路基板3の上方から光通路穴14、回路基板3を通して入力された波長が異なる4つの光信号は、PDアレイ12で電気信号にそれぞれ変換され、PDアレイ12から4つの電気信号として制御用IC13、セラミックパッケージ2の回路パターン5、機器のマザーボードや回路基板の順で伝送される。   On the other hand, in the optical module 1, four optical signals having different wavelengths input from above the circuit board 3 through the optical passage hole 14 and the circuit board 3 are converted into electrical signals by the PD array 12. One electrical signal is transmitted in the order of the control IC 13, the circuit pattern 5 of the ceramic package 2, the motherboard of the device, and the circuit board.

光モジュール1は、回路基板3に光通路穴14を形成しているため、回路基板3の裏面にVCSELアレイ11やPDアレイ12を搭載しても、ガラス窓19を通して光信号を入出力できる。   Since the optical module 1 has the optical passage hole 14 formed in the circuit board 3, an optical signal can be input / output through the glass window 19 even if the VCSEL array 11 and the PD array 12 are mounted on the back surface of the circuit board 3.

特に、回路基板3として不透明基板を用いた場合には、光通路穴14があることにより、回路基板3の表面と裏面で光が反射しないため、VCSELアレイ11やPDアレイ12の出入射光の光量を減らすことなく、光信号を入出力できる。   In particular, when an opaque substrate is used as the circuit board 3, the light passage hole 14 prevents light from being reflected from the front and back surfaces of the circuit board 3, and thus the amount of incident / incident light from the VCSEL array 11 and the PD array 12. Optical signals can be input / output without reducing

光通路穴14はテーパ状なので、反りの防止を目的とした厚さが0.5mm以上の回路基板3であれば、どんな厚さの基板にも光通路穴14を形成できる。   Since the light passage hole 14 is tapered, the light passage hole 14 can be formed on any substrate as long as the circuit board 3 has a thickness of 0.5 mm or more for the purpose of preventing warpage.

また、回路基板3にセラミック基板、Si基板、ガラスエポキシ基板などを使用しているため、樹脂基板を用いた場合のような温度膨張や湿気による膨潤の影響が極めて少なく、レンズブロックや、レンズブロックに光結合される光ファイバに対して位置ずれしない。   Further, since a ceramic substrate, Si substrate, glass epoxy substrate, or the like is used for the circuit board 3, there is very little influence of temperature expansion and swelling due to moisture as in the case of using a resin substrate. The optical fiber is optically coupled to the optical fiber.

本実施形態に係る製造方法によれば、フェムト秒レーザあるいはUV−YAGレーザで光通路穴14を形成するため、回路基板3に3次元形状の光通路穴14を簡単かつ高精度に作製できる。しかも、光通路穴14の最深部のような約10μmものスポット状の小さな穴を形成できるため、回路基板3の裏面にVCSELアレイ11やPDアレイ12の搭載シロも確保できる。   According to the manufacturing method according to the present embodiment, since the optical passage hole 14 is formed by a femtosecond laser or a UV-YAG laser, the three-dimensional optical passage hole 14 can be easily and accurately manufactured on the circuit board 3. In addition, since a spot-like small hole of about 10 μm, such as the deepest part of the light passage hole 14, can be formed, it is possible to secure a mounting spot for the VCSEL array 11 and the PD array 12 on the back surface of the circuit board 3.

また、光モジュール1は、金属製のキャップ4が接合枠9を介してセラミックパッケージ2の回路パターン5と導通しているので、キャップ4が電磁遮蔽板となって電磁波の出入射を防止でき、EMI(電磁波障害)に対して強い。   In the optical module 1, the metal cap 4 is electrically connected to the circuit pattern 5 of the ceramic package 2 through the joint frame 9, so that the cap 4 can serve as an electromagnetic shielding plate to prevent electromagnetic waves from entering and exiting. Strong against EMI (electromagnetic interference).

さらに、光モジュール1は、回路基板3の光通路穴14以外となる表面に金属膜16が形成されており、その金属膜16が機器のマザーボードや回路基板のGNDやセラミックパッケージ2のGND層と導通している。このため、金属膜16が電磁遮蔽板となって電磁波の出入射を防止でき、EMIに対して強い。   Further, the optical module 1 has a metal film 16 formed on the surface other than the optical passage hole 14 of the circuit board 3, and the metal film 16 is connected to the GND of the motherboard of the device, the circuit board, and the GND layer of the ceramic package 2. Conducted. For this reason, the metal film 16 can serve as an electromagnetic shielding plate to prevent electromagnetic waves from entering and exiting, and is strong against EMI.

光モジュール1では、キャップ4と接合枠9を電気溶接あるいはレーザ溶接してセラミックパッケージ2にキャップ4を接合すると共に気密封止しているため、キャップ4と接合枠9の間に隙間がなく、気密封止のレベルを、Heリーク試験おいて10-9Pa・m3/s[He]以下に保つことができる。 In the optical module 1, since the cap 4 and the joining frame 9 are electrically welded or laser welded to join the cap 4 to the ceramic package 2 and hermetically sealed, there is no gap between the cap 4 and the joining frame 9, The level of hermetic sealing can be maintained at 10 −9 Pa · m 3 / s [He] or less in the He leak test.

上記実施の形態では、回路基板3として不透明基板を用いた例で説明したが、回路基板3としてガラス基板を使用してもよい。このガラス基板に上述した光通路穴14を形成することで、ガラス基板の表面と裏面で光が反射しないため、この場合にも、VCSELアレイ11やPDアレイ12の出入射光の光量を減らすことなく、光信号を入出力できる。   In the above embodiment, an example in which an opaque substrate is used as the circuit board 3 has been described. However, a glass substrate may be used as the circuit board 3. By forming the light passage hole 14 in the glass substrate, light is not reflected on the front surface and the back surface of the glass substrate. In this case as well, without reducing the amount of light incident / incident on the VCSEL array 11 or PD array 12. Can input and output optical signals.

本発明の好適な実施形態を示す光モジュールの斜視図である。It is a perspective view of the optical module which shows suitable embodiment of this invention. 図1に示した光モジュールの2A−2A線断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the optical module shown in FIG. 1 taken along line 2A-2A. 図1に示した光モジュールの分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the optical module shown in FIG. 図2に示した光モジュールを上方から見た分解斜視図と回路基板の透視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view of the optical module shown in FIG. 2 as viewed from above and a perspective view of a circuit board. 光通路穴の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of a light passage hole. 図1に示した光モジュール(光通路穴)の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the optical module (light passage hole) shown in FIG. 図1に示した光モジュール(光通路穴)の製造方法を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the optical module (light passage hole) shown in FIG. 従来の光モジュールの断面図である。It is sectional drawing of the conventional optical module.

符号の説明Explanation of symbols

1 光モジュール
2 セラミックパッケージ
5 パッケージ側回路パターン
10 基板側回路パターン
11 VCSELアレイ(光電変換素子)
12 PDアレイ(光電変換素子)
14 光通路穴
18 窓(光透過用開口部)
19 ガラス窓(光透過部材)
1 Optical Module 2 Ceramic Package 5 Package Side Circuit Pattern 10 Substrate Side Circuit Pattern 11 VCSEL Array (Photoelectric Conversion Element)
12 PD array (photoelectric conversion element)
14 Light passage hole 18 Window (light transmission opening)
19 Glass window (light transmissive member)

Claims (17)

上部が開口した開口部を有するパッケージと、上記パッケージの開口部を覆うと共に光信号を入出力するための光透過用開口部を有する封止部材と、上記光透過用開口部を封止すると共に光信号の通路となる光透過部材とからなる光モジュールにおいて、上記パッケージに、裏面に回路パターンを形成した回路基板を収納すると共に、その回路基板の裏面の回路パターン上に光電変換素子を搭載し、かつ上記回路基板に、基板裏面側から表面側にかけて径が大きくなるテーパ状の光通路穴を形成したことを特徴とする光モジュール。   A package having an opening having an upper opening; a sealing member that covers the opening of the package and has a light transmission opening for inputting and outputting an optical signal; and sealing the light transmission opening. In an optical module composed of a light transmitting member serving as an optical signal path, a circuit board having a circuit pattern formed on the back surface is housed in the package, and a photoelectric conversion element is mounted on the circuit pattern on the back surface of the circuit board. An optical module having a tapered optical passage hole having a diameter increasing from the back surface side to the front surface side of the circuit board. 上記回路基板は、セラミック基板、Si基板、ガラスエポキシ基板などの不透明基板である請求項1記載の光モジュール。   2. The optical module according to claim 1, wherein the circuit board is an opaque substrate such as a ceramic substrate, a Si substrate, or a glass epoxy substrate. 上記回路基板は、ガラス基板である請求項1記載の光モジュール。   The optical module according to claim 1, wherein the circuit board is a glass substrate. 上記光通路穴は、開口角が20°以上である請求項1〜3いずれかに記載の光モジュール。   The optical module according to claim 1, wherein the optical passage hole has an opening angle of 20 ° or more. 上記光通路穴は、上記光電変換素子が発光素子の場合は基板裏面側の径が発光径以上であり、上記光電変換素子が受光素子の場合は基板裏面側の径が受光径以上である請求項1〜4いずれかに記載の光モジュール。   When the photoelectric conversion element is a light emitting element, the light passage hole has a diameter on the back side of the substrate equal to or larger than the light emission diameter, and when the photoelectric conversion element is a light receiving element, the diameter on the back side of the substrate is equal to or larger than the light receiving diameter. Item 5. The optical module according to any one of Items 1 to 4. 上記回路基板は、厚さが0.5mm以上である請求項1〜5いずれかに記載の光モジュール。   The optical module according to claim 1, wherein the circuit board has a thickness of 0.5 mm or more. 上記パッケージに上記回路基板を載置するテラスを設け、そのテラスにパッケージ側電極を形成すると共に、そのパッケージ側電極に対応して上記回路基板の裏面に基板側電極を形成し、これら両電極を接合して上記パッケージ内に上記回路基板を収納した請求項1〜6いずれかに記載の光モジュール。   The package is provided with a terrace on which the circuit board is placed, a package side electrode is formed on the terrace, and a substrate side electrode is formed on the back surface of the circuit board corresponding to the package side electrode. The optical module according to claim 1, wherein the circuit board is housed in the package by bonding. 上記パッケージの上記パッケージ側電極より1段高い上縁面に接合枠を形成し、上記パッケージ内に上記回路基板を収納した後、上記接合枠に対応して上記光透過部材を備えた金属製の上記封止部材を設け、その封止部材と上記接合枠を接合して上記パッケージに上記封止部材を接合すると共に気密封止した請求項7記載の光モジュール。   A bonding frame is formed on an upper edge surface that is one step higher than the package side electrode of the package, and the circuit board is accommodated in the package, and then a metal made of the metal having the light transmitting member corresponding to the bonding frame The optical module according to claim 7, wherein the sealing member is provided, the sealing member and the joining frame are joined, and the sealing member is joined to the package and hermetically sealed. 上記封止部材は、上記接合枠を介して、上記パッケージの回路パターンと導通している請求項8記載の光モジュール。   The optical module according to claim 8, wherein the sealing member is electrically connected to the circuit pattern of the package through the bonding frame. 上記回路基板の上記光通路穴以外となる表面に、金属膜を形成した請求項1〜9いずれかに記載の光モジュール。   The optical module according to claim 1, wherein a metal film is formed on a surface other than the optical passage hole of the circuit board. 上記金属膜は、上記回路基板に形成したスルーホールを介して、上記パッケージの回路パターンと導通している請求項10記載の光モジュール。   The optical module according to claim 10, wherein the metal film is electrically connected to the circuit pattern of the package through a through hole formed in the circuit board. 上記光電変換素子は、面発光レーザアレイ及び/又はフォトダイオードアレイである請求項1〜11いずれかに記載の光モジュール。   The optical module according to claim 1, wherein the photoelectric conversion element is a surface emitting laser array and / or a photodiode array. 上記基板側電極は、上記回路基板の上記光電変換素子や各光電変換素子を制御する制御用半導体チップの周囲に形成され、これら上記光電変換素子や上記制御用半導体チップと導通される請求項1〜12いずれかに記載の光モジュール。   The substrate-side electrode is formed around the photoelectric conversion element of the circuit board and a control semiconductor chip that controls each photoelectric conversion element, and is electrically connected to the photoelectric conversion element and the control semiconductor chip. The optical module in any one of -12. 上記基板側電極は、半田バンプあるいはAuバンプを用いて上記パッケージ側電極に電気的に接続させると共に、上記パッケージに上記回路基板を接合した請求項1〜13いずれかに記載の光モジュール。   The optical module according to claim 1, wherein the substrate-side electrode is electrically connected to the package-side electrode using a solder bump or an Au bump, and the circuit board is bonded to the package. 上記封止部材は中央部に光透過用開口部が形成され、その光透過用開口部に上記光透過部材がシール材で取り付けられている請求項1〜14いずれかに記載の光モジュール。   The optical module according to any one of claims 1 to 14, wherein the sealing member has a light transmission opening formed in a central portion, and the light transmission member is attached to the light transmission opening with a sealing material. 上記封止部材と上記接合枠を電気溶接あるいはレーザ溶接で接合して上記パッケージに上記封止部材を接合すると共に気密封止した請求項8〜15いずれかに記載の光モジュール。   The optical module according to claim 8, wherein the sealing member and the joining frame are joined by electric welding or laser welding to join the sealing member to the package and hermetically seal. 上部が開口した開口部を有するパッケージと、上記パッケージの開口部を覆うと共に光信号を入出力するための光透過用開口部を有する封止部材と、上記光透過用開口部を封止すると共に光信号の通路となる光透過部材とからなる光モジュールの製造方法において、上記パッケージに収納される回路基板の裏面に、回路パターンを形成すると共に、その回路パターンに光電変換素子を搭載し、かつ上記回路基板に、フェムト秒レーザあるいはUV−YAGレーザを照射すると共に、走査しながら上記回路基板を掘り進み、基板裏面側から表面側にかけて径が大きくなるテーパ状の光通路穴を形成することを特徴とする光モジュールの製造方法。
A package having an opening having an upper opening; a sealing member that covers the opening of the package and has a light transmission opening for inputting and outputting an optical signal; and sealing the light transmission opening. In a method of manufacturing an optical module comprising a light transmitting member serving as an optical signal path, a circuit pattern is formed on the back surface of a circuit board housed in the package, and a photoelectric conversion element is mounted on the circuit pattern, and The circuit board is irradiated with a femtosecond laser or a UV-YAG laser, and the circuit board is dug while scanning to form a tapered light passage hole whose diameter increases from the back surface side to the front surface side. A method for manufacturing an optical module.
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