JP2007294708A - 多層配線基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1配線層11と、第1絶縁層8と、第2絶縁層10と、第2配線層7とがそれらの順に積層された多層配線基板において、第1配線層11、第1絶縁層8、第2絶縁層10を貫通して第2配線層7に達する層間接続用のビアホール9が設けられ、このビアホール9は、355nm以下の単一波長の紫外線レーザー光により形成される構成にした。
【選択図】図6
Description
しかるに、CO2レーザーでは、波長が長いために残渣残りが加工条件によらず多い傾向にある。このため、紫外線レーザーと同様の残渣量に達するまでにもデスミア処理時間を長くしなければならず、生産性の観点からは好ましくない。
多層配線基板を製造するにあたり、その配線形成には公知のサブトラクティブ法もしくはセミアディティブ法を用い、配線層の積層方法には絶縁材料を介在させたプレス積層またはロール積層等により、一括もしくは逐次積層される方法を用いるものとする。ただし、配線形成や積層方法は前記方法に何ら限定される必要はない。
また、多層配線層の層間接続のための導電性物質は、例えば電気化学法によるメッキまたは印刷法等により孔加工後のビアホール内に充填される。この時の導電物質の種類や充填方法もしくは充填形状は実施の形態に示すものに何ら限定されるものではない。
P(1−η)=m(CΔT) ・・・・・・・・・・・・・・・・(1)
ここで、P:パルスエネルギー(J)、(1−η):吸収効率(%)、m:質量(g)、C:比熱(J/gK)、ΔT:沸点(℃)とする。
κP(1−η)={ρHπ(d/2)2}×(CΔT+U1+U2)・・・・・(2)
ここで、κ:蓄熱比(無次元)、ρ:密度(g/cm3)、H:ランド厚さ(μm)、d:ランド径寸法(μm)、U1:融解熱(J/g)、U2:蒸発熱(J/g)である。
図1から明らかなように、単位時間あたりの発生熱量および蓄熱比はパルスエネルギーと密接に関係しており、パルスエネルギーが高い場合には発生熱量が多くなる。また、単位時間あたりの発生熱量が1J/s以上であれば溶解に作用し、それ以下の値であれば冷却に作用するものとする。
4κP(1-η)
H = ――――――――――・・・・・・・・・・・・・・・(3)
πρd2(CΔT+U1+U2)
ここで、ρ、C、ΔT、U1、U2は物理定数である。また(1−η)は、銅材への第3高調波レーザー光の吸収効率になり、75〜80%程度であった。またPとパルス数は一意的に設定でき、さらに両者に蓄熱比κが依存することでランドの形状を決める厚さHおよび径寸法dが決定される。また、ランド形状を決めるHおよびdが配線設計の観点から決まっている場合には、熱容量を考慮したレーザー光(パルスエネルギーまたはパルス数)を選択することができ、ランドの厚さ方向の任意の範囲のみを溶解することが可能である。言い換えれば、レーザー光照射によるランドの厚み方向への溶解範囲を制御することが可能である。また孔径がφ=20〜60μm程度であれば、ランドに照射される単位時間あたりの発生熱量がほぼ一定量であるため孔径の影響を排除して考えることができる。
この図3から明らかなように、ランド径寸法dが90μmで設計された場合、パルスエネルギーが低いと単位時間あたりの発生熱量が少ないため、ランドの溶解深さも浅い範囲になる。また同じパルスエネルギーにおいて照射される場合、パルス数が少ないと蓄熱比が小さくなるために溶解深さも浅くなる。ここで、絶縁層がレーザー光の波長に対して難加工性の場合は、必然的に熱加工要素に重点をおかねばならず、パルスエネルギーは高い設定となる。一方では、溶解深さ<ランド厚さとなることを考慮したパルスエネルギーが適用されなければならない。なぜならば、溶解深さがランド厚さを超えることは貫通を意味するためである。また、ビアホールの加工品質を保つために過照射する必要がある場合ではパルス数にも留意する必要がある。
この図4において、選択されるそれぞれのパルスエネルギーにおいて、パルス数が多い場合には溶解範囲が深い。特にパルスエネルギーが高いと、溶解深さがパルス数の影響をさらに受ける。また、パルス数が倍になっても溶解深さが1μmにも満たないパルスエネルギーの設定も可能である。
はじめに、宇部興産社製の両面銅箔付きテープ材(銅/ポリイミド/銅→9μm/25μm/9μmの膜厚)を使用し、ビアホールにより上下2層の配線層を層間接続した2層配線基板を作製した。製造方法には各種レーザー孔加工装置、パンチ孔空け装置またはフォトエッチングビア形成法等を利用し、絶縁層8に層間接続用の孔を形成し公知のメッキ法、フォトリソグラフィー法により絶縁層8にビアホール12を形成し、絶縁層8の両表面に配線パターン6を形成する。これは2層配線基板の作製には何ら限定される必要はない。
さらに、表裏の配線パターン6には、後で積層される接着性絶縁層10との剥離強度を向上させるために過水硫酸系薬液によるCZ粗化処理を行った。粗化深さは重量換算から約1.5μmであった。
○・・・良好(表面観察では粗化面を確認でき、断面観察ではランド厚が9μmと測定される)
△・・・溶解(表面観察では溶解箇所を確認でき、断面観察では9μm以下)
▲・・・樹脂残り(孔底部径が不十分であり、断面観察でも絶縁層でのテーパが確認される)
×・・・貫通(ランドを貫通しており、ランド下の絶縁層を深削している)
この図9において、*1はレーザー孔加工条件(接着性絶縁層時)40μJ、8パルス、孔底部の粗化面確認可能の場合であり、*2はレーザー孔加工条件(接着性絶縁層時)130μJ、8パルス、孔底部が一部でも溶解の場合である。
Claims (12)
- 第1配線層と、第1絶縁層と、第2絶縁層と、第2配線層とがそれらの順に積層された多層配線基板において、
前記第1配線層、前記第1絶縁層、前記第2絶縁層を貫通して前記第2配線層に達する層間接続用のビアホールが設けられ、
前記ビアホールは、355nm以下の単一波長の紫外線レーザー光により形成されている、
ことを特徴とする多層配線基板。 - 前記第1絶縁層と前記第2絶縁層とは、材料組成が異なっていることを特徴とする請求項1記載の多層配線基板。
- 前記第1絶縁層と前記第2絶縁層とは、材料組成が同一であることを特徴とする請求項1記載の多層配線基板。
- 第1配線層と、第1絶縁層と、第2絶縁層と、第2配線層とがそれらの順に積層された多層配線基板に、前記第1配線層、前記第1絶縁層、前記第2絶縁層を貫通して前記第2配線層に達する層間接続用のビアホールを形成する多層配線基板の製造方法において、
前記ビアホールを形成するに際して所定の繰り返し周波数で発振するパルスレーザーが使用され、
前記ビアホールは、前記パルスレーザーのパルスエネルギーもしくはパルス数の何れか一つの要素からなるレーザー光を適正量照射することで加工され、
前記レーザーに起因する前記第2配線層の溶解深さが該第2配線層の厚みの1/2以下に抑えられるように、前記パルスエネルギーもしくはパルス数を前記パルスレーザーの光エネルギー変換の融解熱および蒸発熱が前記第2配線層の蓄熱量とバランスする値に設定したことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 前記第1配線層と、前記第1絶縁層と、前記第2絶縁層に順に照射されるレーザー光のパルスエネルギーもしくは累積されるパルス数のうち、前記第1配線層に照射されるパルスエネルギーもしくは累積されるパルス数の値Aと、前記第1絶縁層に照射されるパルスエネルギーもしくは累積されるパルス数の値Bと、前記第2絶縁層に照射されるパルスエネルギーもしくは累積されるパルス数の値Cとの間にA>C≧Bの関係を満たすように前記レーザー光のパルス発振条件を設定したことを特徴とする請求項4記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記第1配線層が前記レーザー光により孔加工された後、1パルスあたり200μJ以下のパルスエネルギーで、かつ±20%以内の照射面内で均一な密度分布を有するレーザー光により前記第1絶縁層と第2絶縁層を順に孔加工して前記第2配線層に達する径φが20〜70μmのビアホールを形成したことを特徴とする請求項4または5記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記ビアホールの加工条件は、前記第2配線層のパターン形状に依存した熱容量を考慮して、前記照射される単位パルスエネルギーが200μJ以下で、かつ照射パルス数が2パルス以上の条件が適用され、径φが20〜70μmの層間接続用ビアホール孔が形成されることを特徴とする請求項4または5記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記ビアホールの加工条件は、前記第2配線層のパターン形状に依存した熱容量を考慮して、前記照射される単位パルスエネルギーが200μJ以下で、かつ照射パルス数が2パルス以上の条件が適用され、前記第2配線層の厚み方向へ0.01μm以上ないし前記第2配線層の厚みの1/2以下の範囲内に前記第2配線層の溶解範囲を制御することを特徴とする請求項4または5記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記第1配線層、前記第1絶縁層、前記第2絶縁層にレーザー光によりビアホールを形成する際のレーザー孔加工方法が、パンチング加工(バースト加工)もしくは螺旋軌跡であるトレパンニング加工の何れか一方、もしくは両方の加工方法を組み合わせた孔加工であることを特徴とする請求項4〜8の何れか1項に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記第1配線層、前記第1絶縁層、前記第2絶縁層にレーザー光によりビアホールを形成する際に、前記各層の孔加工を同座標において前記第1配線層、前記第1絶縁層、前記第2絶縁層の順に照射するパンチング加工(バースト加工)もしくは複数回に分けてレーザー孔加工を行うサイクル加工の少なくとも一方を用いることを特徴とした請求項4〜8の何れか1項に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記第1配線層、前記第1絶縁層、前記第2絶縁層にレーザー光によりビアホールを形成工する際、前記第1絶縁層の厚さに前記第2絶縁層の厚さを加えた厚さに依存することなく、前記ビアホールの開口径が該ビアホールの底部径と開口部径の比で0.6以上とすることを特徴とする請求項4〜10の何れか1項に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記第2絶縁層は接着機能を有し、前記第1絶縁層並びに前記第2配線層がプレス法またはロール法により積層され一体化されていることを特徴とする請求項4〜11の何れか1項に記載の多層配線基板の製造方法。
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