JP2007292471A - Semiconductor tester - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体試験装置のピンエレクトロニクスにおいてドライバあるいはコンパレータの動作タイミングを調整する半導体試験装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor test apparatus that adjusts the operation timing of a driver or a comparator in pin electronics of a semiconductor test apparatus.
半導体試験装置のピンエレクトロニクスには、被測定デバイスに信号を印加するドライバが含まれている。このドライバは、入力されるクロック信号に同期した信号の出力動作を行う。ところで、被測定デバイスの各入出力ピン毎の信号経路の時間長にばらつきがあるため、初期状態においては、各ドライバから信号を出力するタイミングが期待するタイミングからずれてしまう。このため、被測定デバイスに対して各種の試験を実施する前に、タイミング・キャリブレーションが行われる。具体的には、キャリブレーション用の信号を入出力する経路を多段リレー回路(リレーマトリクス)で形成しておいて、タイミング・キャリブレーション実施時にはこの経路を介して各ドライバの出力端子と基準コンパレータ(基準電圧比較器)の入力端子とを接続し、この基準電圧比較器に入力されるストローブ信号の位相を基準にして各ドライバの出力信号の位相を調整する手法が知られている(例えば、特許文献1参照。)。なお、基準コンパレータを基準ドライバに置き換えても同様のタイミング・キャリブレーションを実施することができる。 The pin electronics of a semiconductor test apparatus includes a driver that applies a signal to a device under measurement. This driver performs an output operation of a signal synchronized with an input clock signal. By the way, since the time length of the signal path for each input / output pin of the device under test varies, in the initial state, the timing of outputting a signal from each driver deviates from the expected timing. For this reason, timing calibration is performed before various tests are performed on the device under measurement. Specifically, a path for inputting and outputting a calibration signal is formed by a multi-stage relay circuit (relay matrix), and when performing timing calibration, the output terminal of each driver and a reference comparator ( There is known a method of connecting the input terminal of the reference voltage comparator) and adjusting the phase of the output signal of each driver based on the phase of the strobe signal input to the reference voltage comparator (for example, a patent). Reference 1). Note that the same timing calibration can be performed even if the reference comparator is replaced with a reference driver.
図7は、基準ドライバと多段リレー回路を用いてタイミング・キャリブレーションを行う従来構成を示す図である。キャリブレーションの対象となるドライバDRの出力端子とコンパレータCPの入力端子が共通の接続点で接続されており、さらにこの接続点に基準ドライバDR0の出力端子が多段リレー回路100を介して接続されている。このような構成において、タイミング・キャリブレーションは以下の手順で実施される。
(1)まず、コンパレータCPの入力端を多段リレー回路100を介して基準ドライバDR0の出力端に接続する。このとき、DUT200側のリレー110がオフされ、コンパレータCPと多段リレー回路100との間に設けられたリレー112がオンされる。このような接続状態において、基準ドライバDR0の出力信号をコンパレータCPに入力して、コンパレータCPによる比較動作のタイミングを決めるストローブ信号の位相を調整する。多段リレー回路100内の接続状態を切り替えることにより、各コンパレータCPに対応するストローブ信号の位相が順番に調整される。
(2)次に、リレー110、112がともにオフされる。これにより、コンパレータCPとドライバDRの接続点が、DUT200および多段リレー回路100の両方から切り離される。このような接続状態において、コンパレータCPのストローブ信号の位相を基準にしてドライバDRの出力信号の位相が調整される。
(1) First, the input terminal of the comparator CP is connected to the output terminal of the reference driver DR0 via the
(2) Next, both the
ところで、最近の半導体試験装置は、装置内の半導体部品の発熱に対する対策として、冷却液を用いる液体冷却方式を採用する傾向があり、その一つに、装置内の発熱部品を冷却液に浸す浸漬液冷方式がある。この方式では、ピンエレクトロニクス内の消耗部品であるリレー110、112は、保守の観点から冷却液に浸すことが困難なため、ドライバDRやコンパレータCPからある程度の距離を確保して冷却部の外側に配置する必要がある。この場合、リレー110、112の両方をオフしてドライバDRの出力信号の位相調整を行うと、ドライバDRとコンパレータCPとの接続点からリレー110、112までの枝配線部分が開放端となって信号の反射が発生する。このため、コンパレータCPにおいて入力信号の立ち上がりあるいは立ち下がりを検出する比較レベルを信号振幅の50%で共用化することができず、図8に示すように、立ち上がり波形の位相調整時と立ち下がり波形の位相調整時とで比較レベルを別々に設定する必要があり、タイミング・キャリブレーションに時間がかかるという問題があった。また、実際の試験の比較レベル(信号振幅の50%)とタイミング・キャリブレーション用の比較レベルとの差が多くなればなるほど、タイミング・キャリブレーションの調整精度が悪化するという問題があった。
By the way, recent semiconductor test equipment has a tendency to adopt a liquid cooling method using a cooling liquid as a countermeasure against heat generation of semiconductor parts in the apparatus, and one of them is an immersion in which the heat generating parts in the apparatus are immersed in the cooling liquid. There is a liquid cooling system. In this method, since the
本発明は、このような点に鑑みて創作されたものであり、その目的は、タイミング・キャリブレーションの時間を短縮することができるとともに調整精度を向上させることができる半導体試験装置を提供することにある。 The present invention was created in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a semiconductor test apparatus capable of reducing the timing calibration time and improving the adjustment accuracy. It is in.
上述した課題を解決するために、本発明の半導体試験装置は、被試験デバイスに向けて出力するドライバ信号を生成するドライバと、ドライバの前段に設けられており、ドライバから出力されるドライバ信号の出力タイミングを変更可能に遅延させる第1の遅延手段と、入力端がドライバの出力端に接続されており、ストローブ信号の入力タイミングに同期して入力信号を所定の基準レベルと比較して比較結果を出力するコンパレータと、コンパレータに入力されるストローブ信号の入力タイミングを変更可能に遅延させる第2の遅延手段と、立ち上がりタイミングあるいは立ち下がりタイミングが既知の基準ドライバ信号を出力する基準ドライバを有する基準信号出力手段と、ドライバとコンパレータとの接続点を、被試験デバイスに接続される入出力端子と、基準信号出力手段と、この接続点よりも先の信号経路を終端する終端手段とのいずれか一つに選択的に接続する接続切替手段とを備えている。具体的には、上述した接続切替手段による接続を基準信号出力手段側に切り替えた状態で、基準信号出力手段から出力される基準ドライバ信号を用いて第2の遅延手段による遅延量の設定が行われ、その後、接続切替手段による接続を終端手段側に切り替えた状態で、ドライバから出力されるドライバ信号をコンパレータに入力することにより第1の遅延手段による遅延量の設定が行われる。 In order to solve the above-described problems, a semiconductor test apparatus according to the present invention is provided with a driver that generates a driver signal to be output to a device under test, and a driver signal output from the driver. A first delay means for delaying the output timing, and an input terminal connected to the output terminal of the driver; the input signal is compared with a predetermined reference level in synchronization with the input timing of the strobe signal; A reference signal having a reference driver for outputting a reference driver signal whose rise timing or fall timing is known, a second delay means for delaying the input timing of the strobe signal input to the comparator in a changeable manner Connect the connection point between the output means, driver and comparator to the device under test Input and output terminals, a reference signal output unit, and a connection switching means for selectively connecting to one of the termination means for terminating the previous signal path than the connecting point. Specifically, the delay amount is set by the second delay means using the reference driver signal output from the reference signal output means while the connection by the connection switching means is switched to the reference signal output means side. Thereafter, in a state where the connection by the connection switching unit is switched to the termination unit side, the driver signal output from the driver is input to the comparator, whereby the delay amount is set by the first delay unit.
基準ドライバ信号を用いてコンパレータのストローブ信号の入力タイミングを調整した後に、ドライバから出力されるドライバ信号をコンパレータに入力してドライバ信号の出力タイミングを調整する際に、ドライバとコンパレータとの接続点より先の信号経路の端部が開放端とならないためこの端部で生じる信号の反射を抑えることができる。このため、ドライバ信号の立ち上がりタイミングと立ち下がりタイミングを判定するコンパレータの基準レベルを、ともにドライバ信号の50%に設定することができ、タイミング・キャリブレーションの時間を短縮することができる。また、入力波形が劣化した肩部を用いずに、コンパレータによる比較動作を行うことができるため、調整精度を向上させることができる。 After adjusting the input timing of the strobe signal of the comparator using the reference driver signal, when adjusting the output timing of the driver signal by inputting the driver signal output from the driver to the comparator, the connection point between the driver and the comparator Since the end of the previous signal path does not become an open end, reflection of the signal generated at this end can be suppressed. For this reason, the reference level of the comparator for determining the rising timing and falling timing of the driver signal can be set to 50% of the driver signal, and the timing calibration time can be shortened. Further, since the comparison operation by the comparator can be performed without using the shoulder portion in which the input waveform is deteriorated, the adjustment accuracy can be improved.
また、本発明の半導体試験装置は、被試験デバイスに向けて出力するドライバ信号を生成するドライバと、ドライバの前段に設けられており、ドライバから出力されるドライバ信号の出力タイミングを変更可能に遅延させる第1の遅延手段と、入力端がドライバの出力端に接続されており、ストローブ信号の入力タイミングに同期して入力信号を所定の基準レベルと比較して比較結果を出力するコンパレータと、コンパレータに入力されるストローブ信号の入力タイミングを変更可能に遅延させる第2の遅延手段と、入力タイミングが既知の基準ストローブ信号に応じて比較動作を行う基準コンパレータを有する基準比較手段と、ドライバとコンパレータとの接続点を、被試験デバイスに接続される入出力端子と、基準比較手段と、この接続点よりも先の信号経路を終端する終端手段とのいずれか一つに選択的に接続する接続切替手段とを備えている。具体的には、上述した接続切替手段による接続を基準信号出力手段側に切り替えた状態で、ドライバから出力されるドライバ信号を基準コンパレータに入力することにより第1の遅延手段による遅延量の設定が行われ、その後、接続切替手段による接続を終端手段側に切り替えた状態で、ドライバから出力されるドライバ信号をコンパレータに入力することにより第2の遅延手段による遅延量の設定が行われる。 The semiconductor test apparatus of the present invention is provided with a driver that generates a driver signal to be output to the device under test and a front stage of the driver, and delays the output timing of the driver signal output from the driver so that the output timing can be changed A first delay unit that causes the input end to be connected to the output end of the driver, and compares the input signal with a predetermined reference level in synchronization with the input timing of the strobe signal, and outputs a comparison result; Second delay means for delaying the input timing of the strobe signal input to the input, reference comparison means having a reference comparator for performing a comparison operation according to a reference strobe signal whose input timing is known, a driver and a comparator, The connection points of the I / O terminal connected to the device under test, the reference comparison means, and this connection And a connection switching means for selectively connecting to one of the termination means for terminating the previous signal path than. Specifically, the delay amount is set by the first delay means by inputting the driver signal output from the driver to the reference comparator in a state where the connection by the connection switching means is switched to the reference signal output means side. After that, the delay amount is set by the second delay means by inputting the driver signal output from the driver to the comparator while the connection by the connection switching means is switched to the termination means side.
基準コンパレータを用いてドライバから出力されるドライバ信号の出力タイミングを調整した後に、ドライバから出力されるドライバ信号をコンパレータに入力してコンパレータのストローブ信号の入力タイミングを調整する際に、ドライバとコンパレータとの接続点より先の信号経路の端部が開放端とならないためこの端部で生じる信号の反射を抑えることができる。このため、ドライバ信号の立ち上がりタイミングと立ち下がりタイミングを判定するコンパレータの基準レベルを、ともにドライバ信号の50%に設定することができ、タイミング・キャリブレーションの時間を短縮することができる。また、入力波形が劣化した肩部を用いずに、コンパレータによる比較動作を行うことができるため、調整精度を向上させることができる。 After adjusting the output timing of the driver signal output from the driver using the reference comparator, when the driver signal output from the driver is input to the comparator and the input timing of the strobe signal of the comparator is adjusted, Since the end of the signal path ahead of the connection point is not an open end, reflection of the signal generated at this end can be suppressed. For this reason, the reference level of the comparator for determining the rising timing and falling timing of the driver signal can be set to 50% of the driver signal, and the timing calibration time can be shortened. Further, since the comparison operation by the comparator can be performed without using the shoulder portion in which the input waveform is deteriorated, the adjustment accuracy can be improved.
また、上述した終端手段は、終端手段が接続された信号経路のインピーダンスと等価な抵抗値を有することが望ましい。これにより、信号経路の端部で発生する信号の反射を完全になくすことができ、調整精度をさらに向上させることができる。 Moreover, it is desirable that the termination means described above has a resistance value equivalent to the impedance of the signal path to which the termination means is connected. Thereby, the reflection of the signal generated at the end of the signal path can be completely eliminated, and the adjustment accuracy can be further improved.
以下、本発明を適用した一実施形態の半導体試験装置について詳細に説明する。 Hereinafter, a semiconductor test apparatus according to an embodiment to which the present invention is applied will be described in detail.
図1は、一実施形態において行われるタイミング・キャリブレーションの対象となる半導体試験装置の全体構成を示す図である。この半導体試験装置は、DUT(被測定デバイス)200に対して所定の試験を実施するために、半導体試験装置本体10およびワークステーション80を含んで構成されている。
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of a semiconductor test apparatus that is a target of timing calibration performed in an embodiment. The semiconductor test apparatus includes a semiconductor test apparatus
ワークステーション80は、機能試験等の一連の試験動作やタイミング・キャリブレーション動作の全体を制御するとともに、ユーザとの間のインタフェースを実現する。なお、このワークステーション80の機能は半導体試験装置本体10に内蔵されていてもよい。半導体試験装置本体10は、ワークステーション80から転送されてくる所定の試験プログラムを実行することによりDUT200に対する各種の試験を行う。また、半導体試験装置本体10は、ワークステーション80から転送されてくる専用プログラムを実行することにより、タイミング・キャリブレーションを実施する。このために、半導体試験装置本体10は、テスタ制御部12、タイミング発生器14、パターン発生器16、データセレクタ18、フォーマット制御部20、ピンエレクトロニクス22、パフォーマンスボード(PB)30を備えている。
The
テスタ制御部12は、タイミング発生器14等の各構成部とバスを介して接続されており、ワークステーション80から転送された試験プログラムを実行することにより、各構成部に対して各種の試験動作やタイミング・キャリブレーションに必要な制御を行う。
The
タイミング発生器14は、試験動作の基本周期を設定するとともに、この設定した基本周期内に含まれる各種のタイミングエッジを生成する。パターン発生器16は、被測定デバイスの各ピンに入力するパターンデータを発生する。データセレクタ18は、パターン発生器16から出力される各種のパターンデータと、これを入力する被測定デバイスの各ピンとを対応させる。フォーマット制御部20は、パターン発生器16によって発生してデータセレクタ18によって選択されたパターンデータと、タイミング発生器14によって生成されたタイミングエッジとに基づいて、被測定デバイスに対する波形制御を行う。
The
ピンエレクトロニクス22は、被測定デバイスとの間で物理的なインタフェースをとるためのものであり、フォーマット制御部20の波形制御によって生成されるクロック信号CLKやストローブ信号STBに基づいて、実際に被測定デバイスとの間で入出力される信号を生成する。このために、ピンエレクトロニクス22は、n個のドライバDR1、DR2、…と、n個のコンパレータCP1、CP2、…と、タイミング・キャリブレーションを行うために用いられる基準ストローブ信号出力回路40とを含んで構成されている。
The
ドライバDR1、DR2、…は、フォーマット制御部20から出力されるクロック信号CLK1に同期した信号の生成動作を行っている。コンパレータCP1、CP2、…は、フォーマット制御部20から出力されるストローブ信号STB1、STB2、…に同期した比較動作を行っており、ストローブ信号STB1、STB2、…が入力された時点において被測定デバイスの対応ピンから入力される信号の論理を判定する。ドライバDR1の出力端とコンパレータCP1の入力端は接続されており、この接続点は、リレーRA1およびパフォーマンスボード30を介して一の入出力端子に、リレーRB1を介して基準ストローブ信号出力回路40にそれぞれ接続されている。他のドライバDR2、…や他のコンパレータCP2、…も同様の接続がなされている。すなわち、一のドライバの出力端とこれに対応する一のコンパレータの入力端とが接続されており、この接続点はリレーRA(RA2、…)を介して一の入力端子に、リレーRB(RB1、…)を介して基準ストローブ信号出力回路40にそれぞれ接続されている。基準ストローブ信号出力回路40は、タイミング補正用の基準ドライバDR0(後述する)を内蔵しており、立ち上がりタイミングが既知の基準ドライバ信号を出力する。
The drivers DR1, DR2,... Perform a signal generation operation synchronized with the clock signal CLK1 output from the
図2は、ピンエレクトロニクス22内の部分的な構成を示す図である。なお、図2では一組のドライバDR1とコンパレータCP1に着目してその周辺の構成が示されているが、他のドライバDR2等についても同様であり、詳細な説明は省略する。
FIG. 2 is a diagram showing a partial configuration in the
図2に示すように、ピンエレクトロニクス22は、ドライバDR1に対応する遅延素子50と、コンパレータCP1に対応する遅延素子52とを備えている。遅延素子50を介してドライバDR1にクロック信号が入力される。また、遅延素子52を介してコンパレータCP1にストローブ信号が入力される。これらのドライバDR1、コンパレータCP1、遅延素子50、52の全体が、他のドライバ等とともに冷却部60の内部に設けられている。冷却部60には冷却液62が充填されており、ドライバDR1等の冷却が冷却液62によって行われる。なお、他のドライバ、コンパレータおよびこれらに対応する遅延素子も冷却部60内に設けられており、冷却液62によって冷却されている。
As shown in FIG. 2, the
また、図2に示すように、ピンエレクトロニクス22には、ドライバDR1とこれと対になるコンパレータCP1に対応して、リレーRC1、終端抵抗70、電圧源72が備わっている。上述したように、ドライバDR1とコンパレータCP1の接続点には、基準ストローブ信号出力回路40側に分岐する経路にはリレーRB1が挿入されており、リレーRC1は、さらにこのリレーRB1と基準ストローブ信号出力回路40の間に設けられている。リレーRC1は、ドライバDR1とコンパレータCP1の接続点の接続先を、基準ストローブ信号出力回路40あるいは終端抵抗70側のいずれかに切り替えるためのものである。終端抵抗70側に切り替えた場合には、ドライバDR1とコンパレータCP1の接続点が、リレーRB1、RC1を介して終端抵抗70の一方端に接続される。この終端抵抗70の抵抗値Rxは、終端抵抗70からドライバDR1側の伝送線路のインピーダンスと透過な値に設定されている。終端抵抗70の他方端は、電圧源72に接続されている。
As shown in FIG. 2, the
また、図2に示すように、基準ストローブ信号出力回路40は、基準ドライバDR0と多段リレー回路42とを備えている。基準ドライバDR0は、立ち上がりタイミング(あるいは立ち下がりタイミング)が既知の基準ドライバ信号を出力する。多段リレー回路42は、複数のリレーを組み合わせて構成されており、各リレーのオンオフ状態を適宜切り替えることにより、基準ドライバDR0から出力された基準ドライバ信号を、各コンパレータCP1等に向けて選択的に出力する。
As shown in FIG. 2, the reference strobe
上述した遅延素子50が第1の遅延手段に、遅延素子52が第2の遅延手段に、基準ストローブ信号出力回路40が基準信号出力手段に、リレーRA1、RB1、RC1が接続切替手段に、終端抵抗70、電圧源72が終端手段にそれぞれ対応する。
The
本実施形態の半導体試験装置はこのような構成を有しており、次に、ドライバDR1とコンパレータCP1に対するタイミング・キャリブレーションを行う場合の動作について説明する。なお、以下に示すタイミング・キャリブレーションの動作は、テスタ制御部12によって所定のキャリブレーション用プログラムを実行することにより行われる。
The semiconductor test apparatus according to the present embodiment has such a configuration, and next, an operation when timing calibration is performed on the driver DR1 and the comparator CP1 will be described. The timing calibration operation described below is performed by executing a predetermined calibration program by the
まず、基準ドライバ信号をコンパレータCP1に入力することにより、コンパレータCP1に入力されるストローブ信号の位相調整が行われる。図3は、基準ドライバ信号を用いたストローブ信号の調整要領を示す図である。このとき、リレーRA1がオフされ、リレーRB1がオンされ、リレーRC1が基準ストローブ信号出力回路40側に切り替えられる。このような接続状態において、図3に示すように、基準ドライバ信号の立ち上がりタイミングに合わせて、ストローブ信号をコンパレータCP1に入力するタイミングが調整される。この調整は、コンパレータCP1に対応する遅延素子52の遅延量を可変することにより行われる。また、コンパレータCP1は、基準ドライバ信号の50%に相当する基準レベルと観察波形(入力波形)とを比較する動作を行っており、ストローブ信号の入力タイミングを少しずつずらしていったときに比較結果が変化するタイミングで遅延素子52の遅延量を設定することで、ストローブ信号の入力タイミングの調整が行われる。
First, the phase adjustment of the strobe signal input to the comparator CP1 is performed by inputting the reference driver signal to the comparator CP1. FIG. 3 is a diagram showing the adjustment procedure of the strobe signal using the reference driver signal. At this time, the relay RA1 is turned off, the relay RB1 is turned on, and the relay RC1 is switched to the reference strobe
次に、ドライバDR1から出力されるドライバ信号をコンパレータCP1に入力することにより、ドライバDR1から出力されるドライバ信号の位相調整が行われる。図4は、ドライバ信号の調整要領を示す図である。このとき、リレーRA1がオフされ、リレーRB1がオンされ、リレーRC1が終端抵抗70側に切り替えられる。このような接続状態において、図4に示すように、コンパレータCP1に入力するストローブ信号の位相を固定した状態で、ドライバDR1から出力するドライバ信号の立ち上がりタイミングおよび立ち下がりタイミングが調整される。この調整は、ドライバDR1に対応する遅延素子50の遅延量を可変することにより行われる。また、この接続形態では、ドライバDR1とコンパレータCP1との接続点より先の枝配線部分(信号経路)がリレーRB1、RC1を介して終端抵抗70と電圧源72によって終端されているため、この枝配線部分の先端で信号の反射は発生しないようになっている。このため、コンパレータCP1は、ドライバ信号の50%に相当する基準レベルと観察波形(入力波形)とを比較することができ、ドライバ信号の出力タイミングを少しずつずらしていったときにコンパレータCP1の比較結果が変化するタイミングで遅延素子50の遅延量を設定することで、ドライバ信号の出力タイミングの調整が行われる。
Next, by inputting the driver signal output from the driver DR1 to the comparator CP1, the phase of the driver signal output from the driver DR1 is adjusted. FIG. 4 is a diagram illustrating a driver signal adjustment procedure. At this time, the relay RA1 is turned off, the relay RB1 is turned on, and the relay RC1 is switched to the
このように、基準ドライバ信号を用いてコンパレータCP1のストローブ信号の入力タイミングを調整した後に、ドライバDRから出力されるドライバ信号をコンパレータCPに入力してドライバ信号の出力タイミングを調整する際に、ドライバDRとコンパレータCPとの接続点より先の信号経路の端部が開放端とならないためこの端部で生じる信号の反射を抑えることができる。このため、ドライバ信号の立ち上がりタイミングと立ち下がりタイミングを判定するコンパレータCPの基準レベルを、ともにドライバ信号の50%に設定することができ、タイミング・キャリブレーションの時間を短縮することができる。また、入力波形が劣化した肩部を用いずに、コンパレータCPによる比較動作を行うことができるため、調整精度を向上させることができる。 Thus, after adjusting the input timing of the strobe signal of the comparator CP1 using the reference driver signal, the driver signal output from the driver DR is input to the comparator CP to adjust the output timing of the driver signal. Since the end of the signal path beyond the connection point between the DR and the comparator CP does not become an open end, reflection of a signal generated at this end can be suppressed. Therefore, the reference level of the comparator CP that determines the rising timing and falling timing of the driver signal can be set to 50% of the driver signal, and the timing calibration time can be shortened. Further, since the comparison operation by the comparator CP can be performed without using the shoulder portion whose input waveform has deteriorated, the adjustment accuracy can be improved.
ところで、図2に示した構成では、リレーRA1とリレーRB1の接続点からリレーRA1までの枝配線部分の長さが長くなるとこの枝配線部分の先端で反射が生じることになる。図5は、枝配線部分における反射をさらに抑えた変形例の構成を示す図である。図5に示す構成は、図2に示した構成に対して、2つのリレーRA1、RB1を1つのリレーRD1に置き換えたものである。このリレーRD1は、ドライバDR1とコンパレータCP1との接続点の接続先をピンエレクトロニクス22の入出力端子とリレーRC1のいずれかに切り替えるためのものである。この接続点の接続先をリレーRC1側に切り替えた場合には、入出力端子側に枝配線部分が存在しないため、枝配線部分の先端が開放端となることにより発生する反射波は存在しない。
By the way, in the configuration shown in FIG. 2, when the length of the branch wiring portion from the connection point of the relay RA1 and the relay RB1 to the relay RA1 becomes longer, reflection occurs at the tip of the branch wiring portion. FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a modified example in which reflection at the branch wiring portion is further suppressed. The configuration shown in FIG. 5 is obtained by replacing two relays RA1 and RB1 with one relay RD1 with respect to the configuration shown in FIG. This relay RD1 is for switching the connection point of the connection point between the driver DR1 and the comparator CP1 to either the input / output terminal of the
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。例えば、上述した実施形態では、基準ストローブ信号出力回路40から出力する基準ストローブ信号を用いて、最初にドライバDR1に対応する遅延素子50の遅延量を設定するようにしたが、最初に遅延素子52の遅延量を設定して、コンパレータCP1に対応するストローブ信号の入力タイミングを調整するようにしてもよい。図6は、半導体試験装置の変形例の構成を示す図である。図6に示す構成は、図2に示した構成に対して、基準ストローブ信号出力回路40を基準比較手段としての基準比較回路40Aに置き換えたものである。基準比較回路40Aは、基準ストローブ信号出力回路40に含まれる基準ドライバDR0を基準コンパレータCP0に置き換えた構成を有している。この基準コンパレータCP0は、ドライバDR1等から出力されるドライバ信号が多段リレー回路42を介して選択的に入力され、入力タイミングが既知の基準ストローブ信号に応じた比較動作を行う。
In addition, this invention is not limited to embodiment mentioned above, A various deformation | transformation implementation is possible within the range of the summary of this invention. For example, in the above-described embodiment, the delay amount of the
まず、ドライバDR1から出力されるドライバ信号を基準コンパレータCP0に入力することにより、ドライバDR1から出力されるドライバ信号の出力タイミングの調整が行われる。このとき、リレーRA1がオフされ、リレーRB1がオンされ、リレーRC1が基準比較回路40A側に切り替えられる。このような接続状態において、コンパレータCP1に入力する基準ストローブ信号の位相を固定した状態で、ドライバDR1から出力するドライバ信号の立ち上がりタイミングおよび立ち下がりタイミングが調整される。
First, the output timing of the driver signal output from the driver DR1 is adjusted by inputting the driver signal output from the driver DR1 to the reference comparator CP0. At this time, relay RA1 is turned off, relay RB1 is turned on, and relay RC1 is switched to the
次に、ドライバDR1から出力されるドライバ信号の立ち上がりタイミングあるいは立ち下がりタイミングに合わせて、ストローブ信号をコンパレータCP1に入力するタイミングが調整される。このとき、リレーRA1がオフされ、リレーRB1がオンされ、リレーRC1が終端抵抗70側に切り替えられる。
Next, the timing for inputting the strobe signal to the comparator CP1 is adjusted in accordance with the rising timing or falling timing of the driver signal output from the driver DR1. At this time, the relay RA1 is turned off, the relay RB1 is turned on, and the relay RC1 is switched to the
このように、基準コンパレータCP0を用いてドライバDR1から出力されるドライバ信号の出力タイミングを調整した後に、ドライバDR1から出力されるドライバ信号をコンパレータCP1に入力してコンパレータCP1のストローブ信号の入力タイミングを調整する際に、ドライバDR1とコンパレータCP1との接続点より先の信号経路の端部が開放端とならないためこの端部で生じる信号の反射を抑えることができる。このため、ドライバ信号の立ち上がりタイミングと立ち下がりタイミングを判定するコンパレータCP1の基準レベルを、ともにドライバ信号の50%に設定することができ、タイミング・キャリブレーションの時間を短縮することができる。また、入力波形が劣化した肩部を用いずに、コンパレータCP1による比較動作を行うことができるため、調整精度を向上させることができる。 As described above, after adjusting the output timing of the driver signal output from the driver DR1 using the reference comparator CP0, the driver signal output from the driver DR1 is input to the comparator CP1, and the input timing of the strobe signal of the comparator CP1 is set. When adjusting, since the end of the signal path beyond the connection point between the driver DR1 and the comparator CP1 does not become an open end, reflection of a signal generated at this end can be suppressed. Therefore, the reference level of the comparator CP1 that determines the rising timing and falling timing of the driver signal can be set to 50% of the driver signal, and the timing calibration time can be shortened. Further, since the comparison operation by the comparator CP1 can be performed without using the shoulder portion whose input waveform has deteriorated, the adjustment accuracy can be improved.
10 半導体試験装置本体
12 テスタ制御部
14 タイミング発生器
16 パターン発生器
18 データセレクタ
20 フォーマット制御部
22 ピンエレクトロニクス
30 パフォーマンスボード
40 基準ストローブ信号出力回路
42 多段リレー回路
50、52 遅延素子
60 冷却部
62 冷却液
80 ワークステーション
200 DUT(被測定デバイス)
DR0 基準ドライバ
DR1、DR2、… ドライバ
CP1、CP2、… コンパレータ
RA1、RB1、RC1、RD1 リレー
DESCRIPTION OF
DR0 Reference driver DR1, DR2, ... Driver CP1, CP2, ... Comparator RA1, RB1, RC1, RD1 Relay
Claims (5)
前記ドライバの前段に設けられており、前記ドライバから出力されるドライバ信号の出力タイミングを変更可能に遅延させる第1の遅延手段と、
入力端が前記ドライバの出力端に接続されており、ストローブ信号の入力タイミングに同期して入力信号を所定の基準レベルと比較して比較結果を出力するコンパレータと、
前記コンパレータに入力されるストローブ信号の入力タイミングを変更可能に遅延させる第2の遅延手段と、
立ち上がりタイミングあるいは立ち下がりタイミングが既知の基準ドライバ信号を出力する基準ドライバを有する基準信号出力手段と、
前記ドライバと前記コンパレータとの接続点を、前記被試験デバイスに接続される入出力端子と、前記基準信号出力手段と、この接続点よりも先の信号経路を終端する終端手段とのいずれか一つに選択的に接続する接続切替手段と、
を備えることを特徴とする半導体試験装置。 A driver that generates a driver signal to be output to the device under test;
A first delay unit provided in a preceding stage of the driver, for delaying the output timing of the driver signal output from the driver in a changeable manner;
A comparator that has an input connected to the output of the driver, compares the input signal with a predetermined reference level in synchronization with the input timing of the strobe signal, and outputs a comparison result;
Second delay means for delayably changing the input timing of the strobe signal input to the comparator;
A reference signal output means having a reference driver for outputting a reference driver signal with a known rising timing or falling timing;
A connection point between the driver and the comparator is any one of an input / output terminal connected to the device under test, the reference signal output unit, and a termination unit that terminates a signal path ahead of the connection point. A connection switching means for selectively connecting to one;
A semiconductor test apparatus comprising:
前記接続切替手段による接続を前記基準信号出力手段側に切り替えた状態で、前記基準信号出力手段から出力される基準ドライバ信号を用いて前記第2の遅延手段による遅延量の設定が行われ、その後、前記接続切替手段による接続を前記終端手段側に切り替えた状態で、前記ドライバから出力されるドライバ信号を前記コンパレータに入力することにより前記第1の遅延手段による遅延量の設定が行われることを特徴とする半導体試験装置。 In claim 1,
In a state where the connection by the connection switching means is switched to the reference signal output means side, the delay amount is set by the second delay means using the reference driver signal output from the reference signal output means, and thereafter The setting of the delay amount by the first delay means is performed by inputting the driver signal output from the driver to the comparator in a state where the connection by the connection switching means is switched to the termination means side. A semiconductor test equipment.
前記ドライバの前段に設けられており、前記ドライバから出力されるドライバ信号の出力タイミングを変更可能に遅延させる第1の遅延手段と、
入力端が前記ドライバの出力端に接続されており、ストローブ信号の入力タイミングに同期して入力信号を所定の基準レベルと比較して比較結果を出力するコンパレータと、
前記コンパレータに入力されるストローブ信号の入力タイミングを変更可能に遅延させる第2の遅延手段と、
入力タイミングが既知の基準ストローブ信号に応じて比較動作を行う基準コンパレータを有する基準比較手段と、
前記ドライバと前記コンパレータとの接続点を、前記被試験デバイスに接続される入出力端子と、前記基準比較手段と、この接続点よりも先の信号経路を終端する終端手段とのいずれか一つに選択的に接続する接続切替手段と、
を備えることを特徴とする半導体試験装置。 A driver that generates a driver signal to be output to the device under test;
A first delay unit provided in a preceding stage of the driver, for delaying the output timing of the driver signal output from the driver in a changeable manner;
A comparator that has an input connected to the output of the driver, compares the input signal with a predetermined reference level in synchronization with the input timing of the strobe signal, and outputs a comparison result;
Second delay means for delayably changing the input timing of the strobe signal input to the comparator;
A reference comparator having a reference comparator for performing a comparison operation in accordance with a reference strobe signal whose input timing is known;
One of a connection point between the driver and the comparator, an input / output terminal connected to the device under test, the reference comparison unit, and a termination unit that terminates a signal path ahead of the connection point Connection switching means for selectively connecting to,
A semiconductor test apparatus comprising:
前記接続切替手段による接続を前記基準信号出力手段側に切り替えた状態で、前記ドライバから出力されるドライバ信号を前記基準コンパレータに入力することにより前記第1の遅延手段による遅延量の設定が行われ、その後、前記接続切替手段による接続を前記終端手段側に切り替えた状態で、前記ドライバから出力されるドライバ信号を前記コンパレータに入力することにより前記第2の遅延手段による遅延量の設定が行われることを特徴とする半導体試験装置。 In claim 3,
The delay amount is set by the first delay means by inputting the driver signal output from the driver to the reference comparator in a state where the connection by the connection switching means is switched to the reference signal output means side. Thereafter, the delay amount is set by the second delay means by inputting the driver signal output from the driver to the comparator in a state where the connection by the connection switching means is switched to the termination means side. A semiconductor test apparatus.
前記終端手段は、前記終端手段が接続された前記信号経路のインピーダンスと等価な抵抗値を有することを特徴とする半導体試験装置。
In any one of Claims 1-4,
The semiconductor test apparatus characterized in that the termination means has a resistance value equivalent to the impedance of the signal path to which the termination means is connected.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006117322A JP2007292471A (en) | 2006-04-21 | 2006-04-21 | Semiconductor tester |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006117322A JP2007292471A (en) | 2006-04-21 | 2006-04-21 | Semiconductor tester |
Publications (1)
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JP2007292471A true JP2007292471A (en) | 2007-11-08 |
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JP2006117322A Withdrawn JP2007292471A (en) | 2006-04-21 | 2006-04-21 | Semiconductor tester |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010007770A1 (en) * | 2008-07-15 | 2010-01-21 | 株式会社アドバンテスト | Testing device |
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CN109976298A (en) * | 2017-12-27 | 2019-07-05 | 核动力运行研究所 | A kind of fast response time tester and method based on error compensation |
-
2006
- 2006-04-21 JP JP2006117322A patent/JP2007292471A/en not_active Withdrawn
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