JP2007281243A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明の課題は、リフトピンの材料種に導電率の観点からの制約を加えることなく、リフトピン用の挿通孔の部分で電磁界が弱化することを矯正(強化)し、その結果、被処理物に面内均一性のよいプラズマ処理ができるプラズマ処理装置を提供することである。
【解決手段】本発明のプラズマエッチング装置101は、下部電極6に設けられたリフトピン11を挿通させる挿通孔10の周縁に、下部電極6を構成する材料よりも高い導電率を有するリング体102を配設した。
【選択図】図1
【解決手段】本発明のプラズマエッチング装置101は、下部電極6に設けられたリフトピン11を挿通させる挿通孔10の周縁に、下部電極6を構成する材料よりも高い導電率を有するリング体102を配設した。
【選択図】図1
Description
本発明は、プラズマを用いて、被処理物にエッチング処理やスパッタ処理等を施すプラズマ処理装置に関し、特に、載置台に設けられた挿通孔を通して上下動し、被処理物を載置台から押し上げたり、載置台に搭載したりするリフトピンを備えたプラズマ処理装置に関する。
従来のプラズマ処理装置の一例としてのプラズマエッチング装置の概略構成を図2に示す。尚、図2(a)は縦断面図、図2(b)は下部電極の平面図である。
図2において、1は従来のプラズマエッチング装置、2は真空チャンバ、3はガス導入口、4はガス排気口、5は上部電極、6は載置台を兼ねた下部電極、7は高周波電源、8は被処理物としての半導体ウェーハ、9は絶縁体、10は挿通孔、11はリフトピン、12はベース板、13は駆動部、14はベローズである。
真空チャンバ2には、反応性ガスを導入するガス導入口3と、不要ガスを排気するガス排気口4とが設けられている。
また、真空チャンバ2の内部に配置された上部電極5は接地され、上部電極5と対向配置された下部電極6は高周波電源7に電気的接続され、下部電極6に高周波電圧を加えることにより、上部電極5と下部電極6との間の空間にプラズマを励起するようになっている。
尚、真空チャンバ2は、ゲートバルブ(図示せず)を介してロードロックチャンバ(図示せず)に接続され、搬送アーム(図示せず)で半導体ウェーハ8の搬入/搬出が可能となっている。
下部電極6は、絶縁体9を介して真空チャンバ2の底板部分に取り付けられている。そして、プラズマを励起するための一方の電極としての役目をすると共に、その上面で半導体ウェーハ8と面接触して安定した保持が可能となっている。
また、下部電極6には、その中心軸に対して均等な位置に、3個の挿通孔10(直径;7mm)が設けられており、それぞれの挿通孔10にリフトピン11(直径;5mm)が挿通されている。
各リフトピン11の後端は、1枚のベース板12に固定されており、さらにベース板12はサーボモータ等(図示せず)で構成された駆動部13に接続されている。
そして、駆動部13を作動させることによってベース板12と共にリフトピン11が上下動可能となっている。
また、ベース板12には、挿通孔10を通して真空がリークしないようにベローズ14が設けられている。
尚、上記では、高周波電源7は整合器(図示せず)を介して下部電極6側に接続する構成で説明したが、上部電極5側に接続する場合もある。
また、挿通孔10およびリフトピン11の個数や大きさは、とくに上記に限るものではない。
次に、このようなプラズマエッチング装置1の使用方法を説明する。
先ず、半導体ウェーハ8を下部電極6上に載置し、真空チャンバ2内を真空にしてガス導入口3より反応性ガスを導入する。
その後、高周波電源7をオンにして上部電極5と下部電極6間の空間にプラズマを励起させ、プラズマ中に発生するイオンや中性ラジカルで半導体ウェーハ8表面に所定のエッチング処理を施す。
次に、エッチング処理が終了したら、高周波電源7をオフにして不要ガスをガス排気口4から排気した後、半導体ウェーハ8を下部電極6から離脱させる。
以上の動作を繰返し、順次、半導体ウェーハ8に対してエッチング処理を行う。
次に、搬送アーム(図示せず)と下部電極6との間の半導体ウェーハ8の受け渡しについて詳述する。
先ず、下部電極6に半導体ウェーハ8を載置する際には、リフトピン11をその頭部が下部電極6の上面よりも所定距離だけ上方(以下、上限位置)に来るように上昇させておく。
次に、半導体ウェーハ8を保持した搬送アーム(図示せず)を真空チャンバ2内に搬入させ、下部電極6の上方の所定位置で停止させる。
次に、搬送アーム(図示せず)を下降させ、半導体ウェーハ8をリフトピン11の頭部に当接させる。
そして、半導体ウェーハ8がリフトピン11の頭部に載ったら、搬送アーム(図示せず)を引き抜き半導体ウェーハ8から離間させる。
その後、駆動部13を作動させ、リフトピン11をその頭部が下部電極6の上面よりも所定距離だけ下方(以下、下限位置)に来るように下降させる。
この下降過程で、半導体ウェーハ8は下部電極6の上面に載置される。
次に、下部電極6から半導体ウェーハ8を搬送アーム(図示せず)に渡す場合は、上記とは逆の動作となる。
即ち、駆動部13を作動させ、リフトピン11を下限位置から上限位置に上昇させる。
この上昇過程で、半導体ウェーハ8は下部電極6の上面から離間し、リフトピン11の上に載る。
そして、リフトピン11が上限位置にある状態で、搬送アーム(図示せず)を半導体ウェーハ8の下側に進入させた後、上昇させる。
この上昇過程で半導体ウェーハ8はリフトピン11から離間して搬送アーム(図示せず)の上に載る。
以上のようにして、受け渡し作業が完了する。
ここで、上記のようなプラズマエッチング装置1の下部電極6においては、どうしても挿通孔10近傍でシースの電磁界が他の主領域に比べて弱くなる傾向にあった。
そして、このような電磁界の不均一は、半導体ウェーハ8に対するエッチング処理の面内不均一を発生させる原因となった。
このため、エッチング処理中は、リフトピン11の下限位置を下部電極6の上面から突出はしないが、極力、上面近くに位置させると共に、リフトピン11を構成する材料の導電率を下部電極6を構成する材料の導電率よりも高くして、挿通孔10近傍の電磁界の弱化を矯正する工夫が提案されている。(例えば、特許文献1参照)
特許第3261877号 図1
しかしながら、挿通孔10近傍の電磁界の不均一に対する上記のような改善策は、実際的でなかった。
なぜならば、先ず、第一に、リフトピン11を構成する材料を下部電極6を構成する材料よりも高導電率にしても、リフトピン11はその直径が細く、平面積が小さいため電磁界を矯正するには十分とは言えなかった。
また、リフトピン11の下部電極6上面に対する上下動の位置精度のばらつきは、約1mm程度あるため、常に同じだけの矯正量が期待できるわけではなかった。
また、リフトピン11は、その細い頭部で一定の衝撃で以って、半導体ウェーハ8裏面と直接、接触して押し上げる動作を何度も繰り返すため、耐摩耗性が要求されると共に、摩耗で生じる金属屑によるクロスコンタミネーション(金属汚染)や反応性ガスに対する耐腐食性なども考慮して、機械的/化学的な観点から見た材料選択が必要であった。
このため、導電率の観点からは、例えば、銀(導電率;106.6%),銅(導電率;100%)が好適であっても、機械的/化学的な観点からは、ステンレス(導電率;2.4%)などが好適であり、結局、高導電率と高耐久性との両方を兼ね備えた材料を選択することは実際的ではなかった。
尚、導電率は、標準軟銅(20℃における比抵抗17.241nΩ・m)を100%としたときの値で示す。
本発明の課題は、リフトピンの材料種に導電率の観点からの制約を加えることなく、リフトピン用の挿通孔の部分で電磁界が弱化することを矯正(強化)し、その結果、被処理物に面内均一性のよいプラズマ処理ができるプラズマ処理装置を提供することである。
本発明のプラズマ処理装置は、プラズマ処理中、被処理物を載置する載置台と、前記載置台に設けられたリフトピンを挿通させる挿通孔とを有するプラズマ処理装置において、前記挿通孔の周縁に前記載置台を構成する材料よりも高い導電率を有するリング体を配設したことを特徴とするプラズマ処理装置である。
本発明のプラズマ処理装置によれば、リフトピンの材料種に導電率の観点からの制約を加えることなく、リフトピン用の挿通孔の部分で電磁界が弱化することを矯正(強化)でき、その結果、被処理物に面内均一性のよいプラズマ処理ができる。
本発明のプラズマ処理装置の一例としてのプラズマエッチング装置の概略構成を図1に示す。尚、図1(a)は縦断面図、図1(b)は下部電極の平面図である。また、図2と同一部分には同一符号を用いる。
図1において、101は本発明のプラズマエッチング装置、2は真空チャンバ、3はガス導入口、4はガス排気口、5は上部電極、6は載置台を兼ねた下部電極、7は高周波電源、8は被処理物としての半導体ウェーハ、9は絶縁体、10は挿通孔、11はリフトピン、12はベース板、13は駆動部、14はベローズ、102はリング体、102aは絶縁コーティング膜である。
真空チャンバ2には、反応性ガスを導入するガス導入口3と、不要ガスを排気するガス排気口4とが設けられている。
また、真空チャンバ2の内部に配置された上部電極5は接地され、上部電極5と対向配置された下部電極6は高周波電源7に電気的接続され、下部電極6に高周波電圧を加えることにより上部電極5と下部電極6との間の空間にプラズマを励起するようになっている。
尚、真空チャンバ2は、ゲートバルブ(図示せず)を介してロードロックチャンバ(図示せず)に接続され、搬送アーム(図示せず)で半導体ウェーハ8の搬入/搬出が可能となっている。
下部電極6は、ステンレス(導電率;2.4%)で構成され、絶縁体9を介して真空チャンバ2の底板部分に取り付けられている。そして、プラズマを励起するための一方の電極としての役目をすると共に、その上面で半導体ウェーハ8と面接触して安定した保持が可能となっている。
また、下部電極6には、その中心軸に対して均等な位置に3個の挿通孔10(直径;7mm)が設けられており、それぞれの挿通孔10にステンレス(導電率;2.4%)で構成されたリフトピン11(直径;5mm)が挿通されている。
また、各リフトピン11の後端は、1枚のベース板12に固定されており、さらにベース板12はサーボモータ等(図示せず)で構成された駆動部13に接続されている。
そして、駆動部13を作動させることによってベース板12と共にリフトピン11が上下動可能となっている。
また、ベース板12には、挿通孔10を通して真空がリークしないようにベローズ14が設けられている。
また、各挿通孔10の周縁には、下部電極6を構成する材料よりも高い導電率を有するリング体102が埋め込まれている。
リング体102は、その内形および外形が真円であり、下部電極6を構成する材料よりも高い導電率を有する材料としての銀(導電率;106.6%)または、銅(導電率;100%)で構成されている。
ここで、内形および外形を真円としておくと電磁界の矯正量が均等になり好適である。
そして、リング体102は、その外周面で下部電極6と電気的に接続している。
また、リング体102の上面および内周面は、数十μm程度のアルミナでなる絶縁コーティング膜102aで被覆され、耐腐食性や耐摩耗性に優れている。アルミナの厚さは数十μm程度と薄いため電磁界に影響しない。
また、リング体102は、その上面が下部電極6の上面と面一となるように埋設されており、半導体ウェーハ8と安定して面接触するようになっている。
ここで、リング体102は、内径;7mm、外径;17mmとし、その平面積(188.4mm2)が、少なくとも挿通孔10の平面積(38.5mm2)より大きくなるようにして、挿通孔10の部分で弱化する電磁界を矯正(強化)可能な平面積に設定する。
尚、上記では、高周波電源7は整合器(図示せず)を介して下部電極6側に接続する構成で説明したが、上部電極5側に接続する場合もある。
また、挿通孔10およびリフトピン11の個数は、とくに上記に限るものではない。
次に、このようなプラズマエッチング装置101の使用方法を説明する。
先ず、半導体ウェーハ8を下部電極6上に載置し、真空チャンバ2内を真空にしてガス導入口3より反応性ガスを導入する。
その後、高周波電源7をオンにして上部電極5と下部電極6間の空間にプラズマを励起させ、プラズマ中に発生するイオンや中性ラジカルで半導体ウェーハ8表面に所定のエッチング処理を施す。
このとき、挿通孔10の部分で弱化する電磁界がリング体102によって矯正(強化)されるため、電磁界は均一となり、その結果、面内均一性のよいエッチング処理ができる。
次に、エッチング処理が終了したら、高周波電源7をオフにして不要ガスをガス排気口4から排気した後、半導体ウェーハ8を下部電極6から離脱させる。
以上の動作を繰返し、順次、半導体ウェーハ8に対してエッチング処理を行う。
ここで、搬送アーム(図示せず)と下部電極6との間の半導体ウェーハ8の受け渡しについて詳述する。
先ず、下部電極6に半導体ウェーハ8を載置する際には、リフトピン11をその頭部が下部電極6の上面よりも所定距離だけ上方(以下、上限位置)に来るように上昇させておく。
次に、半導体ウェーハ8を保持した搬送アーム(図示せず)を真空チャンバ2内に搬入させ、下部電極6の上方の所定位置で停止させる。
次に、搬送アーム(図示せず)を下降させ、半導体ウェーハ8をリフトピン11の頭部に当接させる。
そして、半導体ウェーハ8がリフトピン11の頭部に載ったら、搬送アーム(図示せず)を引き抜き半導体ウェーハ8から離間させる。
その後、駆動部13を作動させ、リフトピン11をその頭部が下部電極6の上面よりも所定距離だけ下方(以下、下限位置)に来るように下降させる。
この下降過程で、半導体ウェーハ8は下部電極6の上面に載置される。
次に、下部電極6から半導体ウェーハ8を搬送アーム(図示せず)に渡す場合は、上記とは逆の動作となる。
即ち、駆動部13を作動させ、リフトピン11を下限位置から上限位置に上昇させる。
この上昇過程で、半導体ウェーハ8は下部電極6の上面から離間し、リフトピン11の上に載る。
そして、リフトピン11が上限位置にある状態で、搬送アーム(図示せず)を半導体ウェーハ8の下側に進入させた後、上昇させる。
この上昇過程で半導体ウェーハ8はリフトピン11から離間して搬送アーム(図示せず)の上に載る。
以上のようにして、受け渡し作業が完了する。
ここで、上記のような受け渡し作業が繰り返し何度も行われても、リフトピン11は、機械的/化学的強度に優れたステンレスで構成してあるため耐久性がよい。
また、電磁界が弱化する挿通孔10近傍には、下部電極6よりも高導電率材料でなるリング体102が埋設してあるため電磁界の不均一性が矯正され、その結果、面内均一性のよいエッチング処理ができる。
尚、上記では、プラズマ処理装置の一例として、プラズマエッチング装置の例で説明したが、プラズマを用いて処理する装置ならスパッタ装置やプラズマCVD装置等でもよく、面内均一性のよい処理が施せる。
1 従来のプラズマエッチング装置
2 真空チャンバ
3 ガス導入口
4 ガス排気口
5 上部電極
6 載置台を兼ねた下部電極
7 高周波電源
8 被処理物としての半導体ウェーハ
9 絶縁体
10 挿通孔
11 リフトピン
12 ベース板
13 駆動部
14 ベローズ
101 本発明のプラズマエッチング装置
102 リング体
102a 絶縁コーティング膜
2 真空チャンバ
3 ガス導入口
4 ガス排気口
5 上部電極
6 載置台を兼ねた下部電極
7 高周波電源
8 被処理物としての半導体ウェーハ
9 絶縁体
10 挿通孔
11 リフトピン
12 ベース板
13 駆動部
14 ベローズ
101 本発明のプラズマエッチング装置
102 リング体
102a 絶縁コーティング膜
Claims (6)
- プラズマ処理中、被処理物を載置する載置台と、前記載置台に設けられたリフトピンを挿通させる挿通孔とを有するプラズマ処理装置において、前記挿通孔の周縁に前記載置台を構成する材料よりも高い導電率を有するリング体を配設したことを特徴とするプラズマ処理装置。
- 前記リング体の上面と前記載置台の上面とは面一であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記リング体の内形および外形は、真円であることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記リング体の平面積は、前記挿通孔の平面積より大きいことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記載置台を構成する材料はステンレスであり、前記リング体を構成する材料は銀、または銅であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記リング体の上面および内周面は絶縁コーティング膜で被覆されていることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006106334A JP2007281243A (ja) | 2006-04-07 | 2006-04-07 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006106334A JP2007281243A (ja) | 2006-04-07 | 2006-04-07 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007281243A true JP2007281243A (ja) | 2007-10-25 |
Family
ID=38682382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006106334A Withdrawn JP2007281243A (ja) | 2006-04-07 | 2006-04-07 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007281243A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023074475A1 (ja) * | 2021-10-28 | 2023-05-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び静電チャック |
-
2006
- 2006-04-07 JP JP2006106334A patent/JP2007281243A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023074475A1 (ja) * | 2021-10-28 | 2023-05-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び静電チャック |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090114 |
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A761 | Written withdrawal of application |
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