JP2007273634A - 伝達特性算出装置及び伝達特性算出方法並びに露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 結像光学系150の伝達特性を算出する伝達特性算出装置は、インパルス信号を空間軸上で引き伸ばした信号である第1の信号を非負化した第2の信号を生成する制御部170の第1の生成部と、前記第1の信号との畳み込みがインパルスとなる第3の信号を生成する制御部170の第2の生成部と、前記第2の信号を入力として結像光学系150から出力される第4の信号を空間的にシフトさせ、前記第4の信号のバイアス分がキャンセルされた第5の信号を生成する制御部170の第3の生成部と、前記第5の信号に前記第3の信号を畳み込んで、結像光学系150の伝達特性を算出する制御部170の算出部と、を備えることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明の好適な第1の実施形態は、結像光学系の伝達特性の算出方法について説明する。図1は、本実施形態に係る伝達特性算出方法を説明するためのフローチャートである。
次に、図12を参照して、本発明の好適な第2の実施形態を説明する。
本発明の好適な第3の実施形態を説明する。第3の実施形態は、半導体露光装置のアライメント系に本発明の好適な結像光学系の伝達特性算出方法を適用した例を説明する。
本発明の好適な第4の実施形態を説明する。上述の実施形態では、1次元画像の復元について記載したが、これに限定されず、一般のデジカメ画像等の2次元画像の復元に用いてもよい。この場合、伝達特性は2次元空間に拡張する必要があるが、本発明による伝達特性をX方向とY方向それぞれ別個に求め、X方向及びY方向の出力信号に対して入力信号を復元すればよい。また、例えば、2次元画像を復元するために、上記X方向とY方向の1次元の伝達特性を合成して2次元の伝達特性として求め、それを用いて2次元画像を復元してもよい。なお、合成の方法については、各種補完処理を用いることができる。
本発明により得られた伝達特性は、そのまま信号復元に用いられるだけでなく、反復処理を利用する復元アルゴリズムの初期値として利用されてもよい。
本発明の好適な第6の実施形態を説明する。上述の実施形態では、伝達特性を算出するための非インパルス信号として、空間引き伸ばしパルス信号を利用する方法を説明したが、これに限定されず、M系列信号と呼ばれる白色性の擬似ランダムノイズを用いてもよい。M系列信号は、図15に示す線形システムにおいて、入力をf(x)、伝達特性h(x)、出力をg(x)とすると、数式8のように表される。
次に、本発明の好適な実施の形態に係る露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図16は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップS1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップS2(マスク作製)では設計した回路パターンに基づいてマスク(原版又はレチクルともいう)を作製する。一方、ステップS3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハ(基板ともいう)を製造する。ステップS4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、上述の露光装置によりリソグラフィー技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップS5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップS4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップS6(検査)ではステップS5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップS7でこれを出荷する。
170 制御部(第1〜第3の生成部、算出部を含む)
Claims (7)
- 結像光学系の伝達特性を算出する伝達特性算出装置であって、
インパルス信号を空間軸上で引き伸ばした信号である第1の信号を非負化した第2の信号を生成する第1の生成部と、
前記第1の信号との畳み込みがインパルスとなる第3の信号を生成する第2の生成部と、
前記第2の信号を入力として前記結像光学系から出力される第4の信号を空間的にシフトさせ、前記第4の信号のバイアス分がキャンセルされた第5の信号を生成する第3の生成部と、
前記第5の信号に前記第3の信号を畳み込んで、前記結像光学系の伝達特性を算出する算出部と、
を備えることを特徴とする伝達特性算出装置。 - 液晶格子を更に備え、
前記第2の信号は、前記液晶格子を用いて前記結像光学系に入力されることを特徴とする請求項1に記載の伝達特性算出装置。 - 前記第1、2、3、4および5の信号は、2次元信号であることを特徴とする請求項1又は2に記載の伝達特性算出装置。
- 前記算出部は、さらに、エネルギー最小化処理により前記結像光学系の伝達特性を最適化することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の伝達特性算出装置。
- 可動の基板ステージに保持された基板に形成されたマークの位置にしたがって前記基板ステージの位置を制御して、前記基板を露光する露光装置であって、
入力信号としての前記マークに対する出力信号としての像を形成する結像光学系と、
前記結像光学系の伝達特性を算出する請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の伝達特性算出装置と、
前記伝達特性算出装置で算出された伝達特性および前記出力信号の情報に基づいて、前記入力信号を復元する復元手段と、
前記復元手段により復元された入力信号に基づいて、前記マークの位置を検出する検出手段と、
を備えることを特徴とする露光装置。 - デバイス製造方法であって、
請求項5に記載の露光装置を用いて潜像パターンが形成された基板を用意する工程と、
前記潜像パターンを現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。 - 結像光学系の伝達特性を算出する伝達特性算出方法であって、
インパルス信号を空間軸上で引き伸ばした信号である第1の信号を非負化した第2の信号を生成する工程と、
前記第1の信号との畳み込みがインパルスとなる第3の信号を生成する工程と、
前記第2の信号を入力として前記結像光学系から出力される第4の信号を空間的にシフトさせ、前記第4の信号のバイアス分がキャンセルされた第5の信号を生成する工程と、
前記第5の信号に前記第3の信号を畳み込んで、前記結像光学系の伝達特性を算出する工程と、
を含むことを特徴とする伝達特性算出方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006095854A JP4290172B2 (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | 伝達特性算出装置及び伝達特性算出方法並びに露光装置 |
TW096108784A TWI318292B (en) | 2006-03-30 | 2007-03-14 | Transfer characteristic calculation apparatus, transfer characteristic calculation method, and exposure apparatus |
US11/688,408 US7443493B2 (en) | 2006-03-30 | 2007-03-20 | Transfer characteristic calculation apparatus, transfer characteristic calculation method, and exposure apparatus |
KR1020070029604A KR100844973B1 (ko) | 2006-03-30 | 2007-03-27 | 전달 특성 산출 장치, 전달 특성 산출 방법 및 노광 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006095854A JP4290172B2 (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | 伝達特性算出装置及び伝達特性算出方法並びに露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007273634A true JP2007273634A (ja) | 2007-10-18 |
JP4290172B2 JP4290172B2 (ja) | 2009-07-01 |
Family
ID=38575230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006095854A Expired - Fee Related JP4290172B2 (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | 伝達特性算出装置及び伝達特性算出方法並びに露光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7443493B2 (ja) |
JP (1) | JP4290172B2 (ja) |
KR (1) | KR100844973B1 (ja) |
TW (1) | TWI318292B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021517277A (ja) * | 2018-03-29 | 2021-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | スキャン露光装置を制御する方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009206458A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Canon Inc | 検出装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
CN103869630B (zh) * | 2012-12-14 | 2015-09-23 | 北大方正集团有限公司 | 一种预对位调试方法 |
KR102399575B1 (ko) * | 2014-09-26 | 2022-05-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 위치 정밀도 검사장치 및 그것을 이용한 증착 위치 정밀도 검사방법 |
JP6644919B2 (ja) * | 2016-08-15 | 2020-02-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | アライメント方法 |
CN114459728B (zh) * | 2022-04-13 | 2022-06-24 | 中国空气动力研究与发展中心高速空气动力研究所 | 一种低温温敏漆转捩测量试验方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2725838B2 (ja) | 1989-06-05 | 1998-03-11 | 株式会社小野測器 | インパルス応答の測定方法 |
KR950004968B1 (ko) * | 1991-10-15 | 1995-05-16 | 가부시키가이샤 도시바 | 투영노광 장치 |
JPH06151274A (ja) | 1992-11-11 | 1994-05-31 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路パターンの位置合わせ方法および装置 |
JP3347490B2 (ja) | 1994-09-28 | 2002-11-20 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ方法、該方法による投影露光装置および位置ズレ計測装置 |
JP4416250B2 (ja) * | 2000-02-09 | 2010-02-17 | キヤノン株式会社 | アクティブ除振装置及び露光装置 |
JP2001267216A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Nikon Corp | 位置検出方法、位置検出装置、露光方法、及び露光装置 |
JP4674002B2 (ja) * | 2001-05-29 | 2011-04-20 | 株式会社アドバンテスト | 位置検出装置、位置検出方法、電子部品搬送装置及び電子ビーム露光装置 |
JP4095391B2 (ja) | 2002-09-24 | 2008-06-04 | キヤノン株式会社 | 位置検出方法 |
-
2006
- 2006-03-30 JP JP2006095854A patent/JP4290172B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-03-14 TW TW096108784A patent/TWI318292B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-03-20 US US11/688,408 patent/US7443493B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-27 KR KR1020070029604A patent/KR100844973B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021517277A (ja) * | 2018-03-29 | 2021-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | スキャン露光装置を制御する方法 |
JP7309748B2 (ja) | 2018-03-29 | 2023-07-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | スキャン露光装置を制御する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI318292B (en) | 2009-12-11 |
US7443493B2 (en) | 2008-10-28 |
JP4290172B2 (ja) | 2009-07-01 |
US20070237253A1 (en) | 2007-10-11 |
TW200739030A (en) | 2007-10-16 |
KR100844973B1 (ko) | 2008-07-09 |
KR20070098569A (ko) | 2007-10-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090313 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090331 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |