JP2007273400A - Method of manufacturing optical device, and optical device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光デバイスの製造方法、および光デバイスに関するものである。 The present invention relates to an optical device manufacturing method and an optical device.
光デバイスは、例えば携帯電話、車載用モニタ、家庭用電化製品のモニタ、パーソナルコンピュータの表示装置やテレビジョン受像装置等のドットマトリックス表示を行う情報表示装置や、時計や宣伝用パネル等の固定表示装置、スキャナやプリンタの光源、照明、液晶のバックライト等の照明装置、光電変換機能を利用した光通信装置等の各種デバイスに採用されている。この光デバイスは、一般的に複数の画素により形成されており、各画素に対して表示駆動や非表示駆動を行うことにより所望の情報を表示する。この光デバイスを形成する画素に、自発光素子を採用したものが知られている。自発光素子は、低電力且つバックライトが不要であるという利点を有し、この自発光素子を複数個ドットマトリックス状に配置した光パネルや、アイコン部(固定表示部)を形成した表示部、平面状や球面状等の照明器具などの光デバイスにも採用されており、その光デバイスの大きさも小型用から大型スクリーンなど様々なものが知られている。 Optical devices are, for example, cell phones, in-vehicle monitors, home appliance monitors, information display devices that perform dot matrix display such as personal computer display devices and television receivers, and fixed displays such as clocks and advertising panels. It is used in various devices such as light sources for devices, scanners and printers, lighting devices such as lighting and liquid crystal backlights, and optical communication devices using photoelectric conversion functions. This optical device is generally formed by a plurality of pixels, and displays desired information by performing display driving or non-display driving for each pixel. A pixel that employs a self-luminous element is known as a pixel forming the optical device. The self-light-emitting element has the advantage of low power and no need for a backlight. A light panel in which a plurality of self-light-emitting elements are arranged in a dot matrix form, a display part in which an icon part (fixed display part) is formed, It is also used for optical devices such as flat and spherical lighting fixtures, and various types of optical devices are known, from small to large screens.
自発光素子の代表的なものとしては、無機EL素子、有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子、FED(Field Emission Display)素子、発光ダイオード、等が知られている。有機EL素子は、例えば有機EL(OEL:Organic electroluminescence)デバイス、有機発光ダイオード(OLED:Organic light emitting diode)デバイス、自発光素子、電場発光光源とも呼ばれている。一般的に有機EL素子は、アノード(陽極、正孔注入電極に相当する)と、カソード(陰極、電子注入層に相当する)との間に有機層(発光層)を挟み込んだ構造を有する。一般的に有機層は、複数の機能層が積層した構造を有し、例えば正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、および電子注入層等が順に積層された構造を有する。この各層は、単一の有機材料からなる単層、複数の材料を混ぜ合わせた混合層、高分子バインダの中に有機材料や無機材料の機能材料(電荷輸送機能、発光機能、電荷ブロッキング機能、光学機能等)を分散させた層、等を採用することができる。また各層に、上部電極をスパッタ法により形成する際に有機層がダメージを受けないようにバッファ機能を設けたものや、成膜プロセスによる凹凸を防ぐために平坦化機能を設けた有機EL素子も知られている。 As typical self-luminous elements, inorganic EL elements, organic EL (electroluminescence) elements, FED (Field Emission Display) elements, light emitting diodes, and the like are known. The organic EL element is also called, for example, an organic EL (OEL) device, an organic light emitting diode (OLED) device, a self-light emitting element, or an electroluminescent light source. In general, an organic EL element has a structure in which an organic layer (light emitting layer) is sandwiched between an anode (corresponding to an anode and a hole injection electrode) and a cathode (corresponding to a cathode and an electron injection layer). In general, the organic layer has a structure in which a plurality of functional layers are stacked, for example, a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like are sequentially stacked. Have. Each layer is composed of a single layer made of a single organic material, a mixed layer in which a plurality of materials are mixed, a functional material of an organic material or an inorganic material in a polymer binder (charge transport function, light emitting function, charge blocking function, A layer in which an optical function or the like is dispersed can be employed. Also known are layers that have a buffer function so that the organic layer is not damaged when the upper electrode is formed on each layer by sputtering, and organic EL elements that have a flattening function to prevent unevenness due to the film formation process. It has been.
上記構成の有機EL素子では、両電極に電圧を印加することにより、アノードから有機層内に注入および輸送された正孔と、カソードから有機層内に注入および輸送された電子とが有機層内で再結合し、この再結合により有機層内の有機分子の電子状態が基底状態から励起状態に遷移し、励起状態から基底状態に遷移する際に発光する。 In the organic EL device having the above configuration, by applying a voltage to both electrodes, holes injected and transported from the anode into the organic layer and electrons injected and transported from the cathode into the organic layer are within the organic layer. The electronic state of the organic molecules in the organic layer changes from the ground state to the excited state, and light is emitted when the excited state changes to the ground state.
ところで、有機ELパネルは、有機層が外気に曝されると特性が劣化することが知られている。これは例えば有機層と電極との界面に水分が浸入することにより電子や正孔等のキャリアの注入が妨げられ、未発光領域(ダークスポット)の発生、電極の腐食といった現象によるものである。このために有機EL素子の安定性及び耐久性を高めるためには、有機EL素子を外気から遮断する封止技術が不可欠となっている。この封止技術に関しては、電極および有機層が形成された基板上に気密に封止缶を配置して封止を行う方法や、電極および有機層を覆う封止部材を樹脂材料からなる接着剤を介して封止する、いわゆる固体封止が知られている(例えば特許文献1参照)。この固体封止では、自発光パネルの薄型化が容易である。
By the way, it is known that the characteristics of the organic EL panel deteriorate when the organic layer is exposed to the outside air. This is because, for example, moisture enters the interface between the organic layer and the electrode to prevent the injection of carriers such as electrons and holes, thereby generating a non-light emitting region (dark spot) and corrosion of the electrode. For this reason, in order to improve the stability and durability of the organic EL element, a sealing technique for shielding the organic EL element from the outside air is indispensable. With respect to this sealing technique, a method of sealing by sealingly placing a sealing can on a substrate on which an electrode and an organic layer are formed, and an adhesive made of a resin material for a sealing member that covers the electrode and the organic layer So-called solid sealing is known (see
また、一般的に有機ELパネルを量産して生産効率を向上させるために、製造工程において多面取り(多数個取り)が行われている。多面取りとは、一枚の大きなパネル基板上に複数の自発光部(複数の画素がマトリクス状に形成された表示面を備える)を成膜した後、パネル基板を切り分けて複数個の自発光パネルを作製することである。 In general, in order to improve the production efficiency by mass-producing organic EL panels, multi-cavity (multi-cavity) is performed in the manufacturing process. Multi-chamfering refers to the formation of a plurality of self-luminous parts (including a display surface in which a plurality of pixels are formed in a matrix) on a single large panel substrate, and then separating the panel substrate into a plurality of self-luminous components. It is to make a panel.
この多面取りの際の封止方法としては、例えば基板上に形成された自発光部と略同じ大きさの封止基板、およびシート状の樹脂フィルムをカッタ等で切断して形成された接着層を用意し、自発光部毎に接着層を配置して、その上に封止基板を個別に貼り合わせる方法等が知られている。 As a sealing method at the time of multi-sided cutting, for example, a sealing substrate having approximately the same size as the self-luminous portion formed on the substrate, and an adhesive layer formed by cutting a sheet-like resin film with a cutter or the like Is prepared, an adhesive layer is disposed for each self-luminous portion, and a sealing substrate is individually bonded thereon.
しかし、パネル基板上に形成された複数の自発光部上に接着層および封止基板を配置して固体封止を行う場合に、比較的高精度に位置合わせを行うことが必要である。例えば位置合わせ精度が比較的低いと接着層が引出し配線上に付着してしまい、フレキシブル基板(配線基板)や駆動用ICチップを実装する際に、電気的な接続不良が生じる虞がある。またこの電気的な接続不良により表示パネルが表示不良を起こす虞がある。また上記方法では、自発光部上に複数の接着層を配置する工程に比較的長い時間を要する。 However, when solid sealing is performed by arranging an adhesive layer and a sealing substrate on a plurality of self-luminous portions formed on the panel substrate, it is necessary to perform alignment with relatively high accuracy. For example, when the alignment accuracy is relatively low, the adhesive layer adheres to the lead wiring, and there is a possibility that an electrical connection failure may occur when a flexible substrate (wiring substrate) or a driving IC chip is mounted. Further, the display panel may cause a display failure due to this electrical connection failure. Further, in the above method, it takes a relatively long time to arrange the plurality of adhesive layers on the self-light-emitting portion.
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、パネル基板上に形成された自発光部を簡単な工程により高精度に封止すること、引出し配線上に接着層が形成されることによる接続不良や表示不良を防止すること、多面取りを行う場合に、パネル基板上に形成された複数の自発光部に対して一度に高精度に封止を行い製造時間を短縮すること、分割工程又は不要部の除去工程における品質不良を低下させること等が本発明の目的である。 This invention makes it an example of a subject to cope with such a problem. In other words, the self-luminous part formed on the panel substrate is sealed with high accuracy by a simple process, the connection failure and the display failure due to the formation of the adhesive layer on the lead wiring, When performing, sealing a plurality of self-light-emitting portions formed on the panel substrate with high accuracy at a time to shorten the manufacturing time, and reducing quality defects in the dividing step or the unnecessary portion removing step. These are the objects of the present invention.
このような目的を達成するために、本発明は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。 In order to achieve such an object, the present invention comprises at least the configurations according to the following independent claims.
請求項1に記載の発明は、パネル基板上に形成した少なくとも一つの自発光部が封止された光デバイスの製造方法であって、パネル基板上に少なくとも一つの自発光部を形成する自発光部形成工程と、予めシート状に形成した接着層もしくは封止基板上に成膜した接着層の一部分に硬化処理を施す硬化工程と、前記硬化工程後に前記パネル基板と封止基板とで前記自発光部を封止する封止工程とを有することを特徴とする。
The invention according to
請求項4に記載の発明は、パネル基板上に形成した少なくとも一つの自発光部が封止された光デバイスの製造方法であって、パネル基板上に少なくとも一つの自発光部を形成する自発光部形成工程と、接着層の一方の面側に剥離シートが配置され、光硬化型又は熱硬化型の前記接着層に硬化部および非硬化部を形成する硬化工程と、当該接着層の他方の面側を封止基板に貼り付けた状態で、前記剥離シートとともに前記硬化部を前記封止基板から剥離して硬化部を除去し、接着層を当該封止基板上に形成する封止部材形成工程と、前記接着層の硬化部を除いた前記非硬化部を介して前記封止基板により前記自発光部を封止する封止工程とを有することを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an optical device in which at least one self-luminous part formed on a panel substrate is sealed, wherein the self-luminous part forms at least one self-luminous part on the panel substrate. Part forming step, a release sheet is disposed on one surface side of the adhesive layer, a curing step in which a cured part and a non-cured part are formed on the photo-curing or thermosetting adhesive layer, and the other of the adhesive layer Forming a sealing member in which the cured portion is peeled from the sealing substrate together with the release sheet to remove the cured portion and the adhesive layer is formed on the sealing substrate with the surface side attached to the sealing substrate. And a sealing step of sealing the self-luminous portion with the sealing substrate through the non-cured portion excluding the cured portion of the adhesive layer.
請求項5に記載の発明は、パネル基板上に形成した少なくとも一つの自発光部が封止された光デバイスの製造方法であって、パネル基板上に少なくとも一つの自発光部を形成する自発光部形成工程と、接着層の一方の面側に剥離シートが配置され、他方の面側に封止基板が載置された光硬化型又は熱硬化型の前記接着層に、非硬化部及び前記封止基板側の一部に硬化部を形成する硬化工程と、前記剥離シートとともに前記硬化部の形成領域以外の前記非硬化部を前記封止基板から剥離して当該非硬化部を除去し、接着層を前記封止基板上に形成する封止部材形成工程と、前記接着層を介して前記封止基板により前記自発光部を封止する封止工程とを有することを特徴とする。
The invention according to
請求項6に記載の発明は、パネル基板上に形成した少なくとも一つの自発光部が封止された光デバイスの製造方法であって、パネル基板上に少なくとも一つの自発光部を形成する自発光部形成工程と、光硬化型又は熱硬化型の接着層の一方の面側に剥離シートが配置され、当該接着層の他方の面側を封止基板に貼り付けた状態で、前記接着層に硬化部および非硬化部を形成する硬化工程と、所定形状に前記硬化部および非硬化部を形成した状態で、前記封止基板上に形成した接着層の非硬化部を介して当該封止基板により前記自発光部を封止する封止工程と、前記封止工程後に前記パネル基板を複数に分割又は不要分の除去とともに、前記接着層の硬化部を除去して光デバイスを形成する分割・除去工程とを有することを特徴とする。
The invention according to
請求項13に記載の発明は、パネル基板上に形成された自発光部が接着層を介して封止基板により封止された光デバイスであって、シート状の光硬化型又は熱硬化型の接着層に硬化処理を施して、所定形状の硬化部および非硬化部を備える前記接着層を、前記封止基板上に形成し、前記硬化部を除去し、且つ、前記封止基板を前記接着層の前記非硬化部を介して前記自発光部上に貼り付けて、前記自発光部を封止して形成されていることを特徴とする。 A thirteenth aspect of the present invention is an optical device in which a self-luminous portion formed on a panel substrate is sealed with a sealing substrate via an adhesive layer, and is a sheet-like photocurable or thermosetting type The adhesive layer is cured to form the adhesive layer having a cured portion and a non-cured portion having a predetermined shape on the sealing substrate, the cured portion is removed, and the sealing substrate is bonded. The self-luminous portion is formed by being pasted on the self-luminous portion via the non-cured portion of the layer.
請求項14に記載の発明は、基板上に自発光素子を一つ又は複数備える自発光部を備え、前記自発光部を封止基板により封止してなる光デバイスであって、前記基板上に形成された自発光素子の周囲に形成された隔壁を有し、前記隔壁間に前記接着層が形成されていることを特徴とする。 The invention according to claim 14 is an optical device comprising a self-light-emitting portion including one or a plurality of self-light-emitting elements on a substrate, wherein the self-light-emitting portion is sealed with a sealing substrate. The self-light-emitting element formed on the barrier rib is formed around the self-luminous element, and the adhesive layer is formed between the barrier ribs.
本発明の一実施形態に係る光デバイスの製造方法は、パネル基板上に形成した少なくとも一つ又は複数の自発光部が封止された光デバイスの製造方法であり、パネル基板上に少なくとも一つ又は複数の自発光部を形成する自発光部形成工程と、予めシート状に形成した接着層もしくは封止基板上に成膜した接着層の一部分に硬化処理を施す硬化工程と、硬化工程後にパネル基板と封止基板とで自発光部を封止する封止工程とを有することを特徴とする。好適には封止工程後に前記パネル基板を複数に分割し光デバイスを形成する分割工程を有する。 An optical device manufacturing method according to an embodiment of the present invention is an optical device manufacturing method in which at least one or a plurality of self-light-emitting portions formed on a panel substrate is sealed, and at least one on the panel substrate. Or a self-light-emitting portion forming step for forming a plurality of self-light-emitting portions, a curing step for subjecting a part of the adhesive layer formed in advance to a sheet shape or an adhesive layer formed on the sealing substrate, and a panel after the curing step It has the sealing process which seals a self-light-emitting part with a board | substrate and a sealing substrate, It is characterized by the above-mentioned. Preferably, the method includes a dividing step of dividing the panel substrate into a plurality of parts and forming an optical device after the sealing step.
また好適には、上記硬化工程は、シート状の光硬化型又は熱硬化型の接着層に硬化処理を施して、所定形状の硬化部および非硬化部を備える接着層を封止基板上に形成する。また好適には、上記封止工程は、接着層の硬化部を除いた非硬化部を介して、封止基板により自発光部を封止する。 Also preferably, in the curing step, the sheet-like photo-curing type or thermo-curing type adhesive layer is subjected to a curing treatment to form an adhesive layer including a cured part and a non-cured part having a predetermined shape on the sealing substrate. To do. Also preferably, in the sealing step, the self-luminous portion is sealed with the sealing substrate through the non-cured portion excluding the cured portion of the adhesive layer.
上記光デバイスの製造方法によれば、予めシート状に形成した接着層もしくは封止基板上に成膜した接着層の一部分に硬化処理を施す硬化工程を行った後に、パネル基板と封止基板とで自発光部を封止する封止工程を行うので、パネル基板上に形成された自発光部に対して簡単な工程により高精度に封止することができる。 According to the method for manufacturing an optical device, after performing a curing process in which a part of the adhesive layer formed in advance in a sheet shape or the adhesive layer formed on the sealing substrate is subjected to a curing process, the panel substrate, the sealing substrate, Since the sealing process for sealing the self-light-emitting portion is performed, the self-light-emitting portion formed on the panel substrate can be sealed with high accuracy by a simple process.
この際、パネル基板上に形成された引出し配線上に接着層が付着しない所定形状に、封止基板上に接着層をパターン形成し、その所定形状の接着層が形成された封止基板により封止を行うことで、パネル基板上に形成された引出し配線に接着層を付着することなく、高精度に封止を行うことができる。また、引出し配線上に接着層が形成されることによる接続不良や表示不良を防止することができる。 At this time, an adhesive layer is patterned on the sealing substrate in a predetermined shape so that the adhesive layer does not adhere to the lead-out wiring formed on the panel substrate, and sealed by the sealing substrate on which the adhesive layer of the predetermined shape is formed. By stopping, sealing can be performed with high accuracy without attaching an adhesive layer to the lead wiring formed on the panel substrate. Further, connection failure and display failure due to the formation of the adhesive layer on the lead-out wiring can be prevented.
また、多面取りを行う場合に、パネル基板上に形成された複数の自発光部に対して一度に高精度に封止を行うことができる。このため、例えば複数の自発光部を個別に順番に固体封止する場合と比べて、本発明に係る光デバイスの製造方法では製造時間を短縮することができる。 Moreover, when performing multi-chamfering, it is possible to perform high-precision sealing at once with respect to a plurality of self-light-emitting portions formed on the panel substrate. For this reason, compared with the case where the several self-light-emitting part is individually solid-sealed in order, for example, in the manufacturing method of the optical device which concerns on this invention, manufacturing time can be shortened.
また詳細には、例えば熱硬化型又は光硬化型接着層を用いて、加熱や光照射等の所定の硬化処理を施すことにより、簡単に所定形状に接着層を形成することができる。 More specifically, the adhesive layer can be easily formed into a predetermined shape by applying a predetermined curing process such as heating or light irradiation using, for example, a thermosetting or photocurable adhesive layer.
また、本発明の一実施形態に係る光デバイスは、基板上に自発光素子を一つ又は複数備える自発光部を備え、自発光部を封止基板により封止してなる光デバイスであって、基板上に形成された自発光素子の周囲に形成された隔壁を有し、隔壁が前記封止基板に対する支持部材として機能し、隔壁間に前記接着層が形成されている。 An optical device according to an embodiment of the present invention is an optical device including a self-light-emitting unit including one or a plurality of self-light-emitting elements on a substrate and sealing the self-light-emitting unit with a sealing substrate. The barrier ribs are formed around the self-luminous elements formed on the substrate, the barrier ribs function as a support member for the sealing substrate, and the adhesive layer is formed between the barrier ribs.
上記構成の光デバイスでは、隔壁が封止基板に対する支持部材として機能するので、封止基板を高い強度で支持することができ、例えば薄型で高強度の光デバイスを作製することができる。また隔壁間に接着層を形成することで、より高強度の光デバイスを作製することができる。 In the optical device having the above configuration, the partition wall functions as a support member for the sealing substrate. Therefore, the sealing substrate can be supported with high strength. For example, a thin and high-strength optical device can be manufactured. Further, by forming an adhesive layer between the partition walls, a higher-strength optical device can be manufactured.
以下、図面を参照しながら本発明の一実施形態に係る光デバイスの製造方法、および光デバイスを説明する。 Hereinafter, an optical device manufacturing method and an optical device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[第1実施形態]
本発明の第1実施形態に係る光デバイスの製造方法では、先ず大判のパネル基板上に複数の自発光部を形成する。それに合わせてシート状の熱硬化型又は光硬化型の接着部材を複数個パターニングして、封止基板上に所定形状の硬化部および非硬化部を備える接着層を形成する。この接着層の非硬化部は、パネル基板上に形成された自発光部に対応した形状に形成されている。つまり、封止基板上には、所定形状に形成された複数の接着層が、パネル基板に形成された自発光部の形成位置に応じた位置に、その位置関係を保った状態で形成されている。この大判の封止基板とパネル基板との位置合わせを行い、接着層を介して貼り付けることで、一度に高精度に封止を行う。上記製造方法により、高精度に封止することができる。また簡単に高精度に封止することができる。
[First Embodiment]
In the method of manufacturing an optical device according to the first embodiment of the present invention, first, a plurality of self-luminous portions are formed on a large panel substrate. In accordance with this, a plurality of sheet-like thermosetting or photo-curing adhesive members are patterned to form an adhesive layer having a predetermined shape of a hardened portion and a non-hardened portion on the sealing substrate. The non-cured portion of the adhesive layer is formed in a shape corresponding to the self-light emitting portion formed on the panel substrate. That is, a plurality of adhesive layers formed in a predetermined shape are formed on the sealing substrate at positions corresponding to the formation positions of the self-light-emitting portions formed on the panel substrate while maintaining the positional relationship. Yes. By aligning the large sealing substrate and the panel substrate and attaching them through an adhesive layer, sealing is performed with high accuracy at a time. By the said manufacturing method, it can seal with high precision. Further, it can be easily sealed with high accuracy.
また封止基板上には、複数の接着層の相対的な位置関係が保持された状態で、それら接着層が配置されているので、各接着層を個別に位置合わせを行う場合と比べて、簡単に一度に高精度に位置合わせを行うことができる。 Moreover, on the sealing substrate, since these adhesive layers are arranged in a state in which the relative positional relationship of the plurality of adhesive layers is maintained, compared to the case where each adhesive layer is individually aligned, Positioning can be easily performed with high accuracy at a time.
図1は、本発明の第1実施形態に係る光デバイスを説明するための図である。図1(a)は光デバイスの素子形成面側からの正面図である。図1(b)は図1(a)に示した光デバイスの断面図である。図2(a)は図1(a)に示した光デバイスを詳細に説明するための図である。図2(b)は図1(b)に示した光デバイスを詳細に説明するための断面図である。 FIG. 1 is a diagram for explaining an optical device according to the first embodiment of the present invention. Fig.1 (a) is a front view from the element formation surface side of an optical device. FIG. 1B is a cross-sectional view of the optical device shown in FIG. FIG. 2A is a diagram for explaining the optical device shown in FIG. 1A in detail. FIG. 2B is a cross-sectional view for explaining in detail the optical device shown in FIG.
本発明の第1実施形態に係る光デバイス1は、自発光素子が発光および非発光することにより各種情報表示を行うことができる。この光デバイス1は、例えば情報表示装置、照明等に応用することができる。また光デバイス1は、一つの画素又は複数の画素を有している。本実施形態では、複数の画素が格子状に形成されている。自発光素子としては、例えば有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子、無機EL素子、FED(Field Emission Display)、発光ダイオード等を採用することができ、本発明に係る自発光素子としては有機ELを採用する。以下、光デバイス1の構成要素を詳細に説明する。
The
本発明に係る光デバイス1は、パネル基板(基板)2、自発光素子100、およびフレキシブル基板(配線基板)90を有する。基板2上には、自発光素子100および引出し配線7が形成されている。自発光部101には、例えば一つ又は複数個の自発光素子100がマトリクス状に形成されている。封止部材80は、封止基板81、接着層82を有する。ここでいう「パネル基板2」とは、複数の光デバイスを一つの基板(マザー基板、マザーガラスともいう)上に形成し、その後、分割して複数の光デバイスを製造する生産方法で用いられるものを定義する。または、パネル基板2上に一つの自発光部101を形成し、封止工程後に不要部を除去する除去工程を有する生産方式でも構わない。
The
基板2は、例えばボトムエミッションタイプの光デバイスでは、自発光素子100から出射された光が基板を透過するように、光透過性を有する材料により形成されることが好ましい。また基板2は、有機EL素子の劣化因子の一つである水分や酸素を遮断する機能を有する。基板2の材料として、例えばプラスチック、無機材料、特にガラスを採用することが好ましい。また基板2として、透明ポリマー上にSiO2 等の各種材料により封止膜をコーティングしたフレキシブル基板を採用してもよい。
For example, in a bottom emission type optical device, the
自発光素子100としての有機EL素子は、正孔注入電極と、電子注入電極との間に成膜層が形成され、正孔注入電極からの正孔と電子注入電極からの電子が成膜層にてホッピング移動し、電子と正孔の再結合により電子状態が励起した後、基底状態にエネルギー遷移する際に発光する。本実施形態に係る自発光素子100は、図2(a),(b)に示すように、例えば第1電極(下部電極)3、絶縁膜4、成膜層5、および第2電極(上部電極)6を有する。
In the organic EL element as the self-
下部電極3は、基板2上に形成される。下部電極3は、例えば基板2上に成膜および所定形状にパターニングすることにより形成される。パッシブマトリクス型光デバイスを採用する場合には、下部電極3は、図2(a)に示すように、複数のライン状の電極をパターニングして形成される。またアクティブマトリクス型光デバイスを採用する場合には、トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)や層間絶縁層が形成された、いわゆるアクティブ基板上に画素毎に下部電極3を形成する。下部電極3は、ボトムエミッションタイプの光デバイスを採用する場合には、基板2側より光を出射するので、透明性を有する材料により形成する。下部電極3の形成材料は、例えばITO(Indium Tin Oxide)を採用し、その他にもIZO(Indium Zinc Oxide)や金属電極、導電酸化物、等の各種導電材料を採用することができる。
The
絶縁膜4は、例えば光デバイスが情報表示のために、ドットマトリクス状に有機EL素子を形成する場合には画素10を区画形成する。例えば絶縁膜4は、先にパターニングした下部電極3の上部の一部を開口し、開口部11の周辺部から隣り合う開口部11まで覆う形状に形成されている。絶縁膜4の形成材料としては、例えばポリイミドやエポキシ、光受光性樹脂、等の各種材料が挙げられる。また必要に応じて絶縁膜4上に逆台形状の隔壁41を下部電極3と直交方向に沿って形成することで、マスクパターンを用いずに、ストライプ状の成膜層5又は上部電極6を形成することができる。
For example, when the optical device forms an organic EL element in the form of a dot matrix for the purpose of displaying information, the insulating
成膜層5は、下部電極3上に形成され、例えば正孔注入層、正孔輸送層、有機EL発光層、電子輸送層、電子注入層、等の各種機能層が薄膜状に成膜されて形成されている。成膜層5の成膜プロセスは、例えば低分子有機材料を蒸着してもよく、高分子有機材料を印刷、化学蒸着、レーザ転写法、等の各種成膜方法にて薄膜形成してもよい。成膜層5の各層は、単一の有機材料で形成されてもよく、複数の材料を混ぜ合わせたもの(混合層)、高分子バインダーの中に有機材料や無機材料の機能材料(例えば電荷輸送機能、発光機能、電荷ブロッキング機能、光学機能等を備える材料)を分散させたものでもよい。
The
第2電極6は、成膜層5上に形成されている。例えばパッシブ型有機EL素子を採用した場合には、第2電極6は、下部電極3と直交する方向に沿って複数のストライプ電極をパターニングして形成される。アクティブ駆動型有機EL素子を採用した場合には、第2電極6は、例えば複数の画素部上に共通に成膜される。下部電極3を正孔注入電極とした場合には、第2電極6は、電子注入機能を有する材料を採用する。電子機能を有する材料は、例えばアルミニウム、マグネシウム銀(MgAg)合金、等を採用することができる。例えば第2電極6の形成材料として、アルミニウムを採用した場合には、成膜層5と第2電極6との間に、リチウム(Li)等のアルカリ金属化合物を含む層又は領域を形成することが好ましい。
The
引出し配線7は、例えば有機EL素子の発光および非発光を制御させる制御信号を、例えば駆動回路や制御回路等の外部回路から入力するための配線であり、導電材料からなる。引出し配線7は、例えば下部電極3に電気的に接続する第1電極用引出配線3a、および第2電極6に電気的に接続する第2電極用引出配線76を有する。また引出し配線7は、第1下部電極3や第2電極6に積層させてもよい。引出し配線7は、例えば第1下部電極3や第2電極6と同じ材料で形成してもよく、これらよりも低抵抗な金属材料により形成してもよい。詳細には、引出し配線7の形成材料としては銀、アルミニウム、クロム等の低抵抗金属や、それらのいずれか2つ以上の合金等を挙げることができる。引出し配線7には、図1(a),(b)に示すように、例えば異方性導電性膜(ACF:Anisotropic conductive film)等の導電材料やNCFなどの非導電性材料を介して、フレキシブル基板(配線基板)90が圧着接続される。配線基板90には駆動回路などの外部回路が接続される。また光デバイス1と外部回路との接続は、上記実施形態に限られるものではない。例えば外部回路の実装としては、駆動回路を基板2上に形成するCOG(Chip on glass)や、フレキシブル基板上に駆動回路を形成したCOF(Chip on film)等の各種実装技術を採用してもよい。
The
封止基板81は、自発光部101を接着層82を介して封止する。また封止基板81は、自発光部101を封止する材料、例えば外気を遮断できる低透湿性材料等からなり、ガラス等のセラミックや、アルミニウム、ステンレス(SUS:Stainless Used Steel)等の金属材料や、プラスチック等の各種材料を採用することができる。また封止基板81は、自発光部101と略同じ形状に形成されていること、詳細には略矩形状に形成されているなどが挙げられるが、これらに限定されることはない。また封止基板81は自発光パネルを作製する際、接着層を介して封止基板を貼り合せて封止した後、必要に応じて連結部やパネル作製用基板を切断等にて分離して自発光パネルを得るが、その分離する作業において封止基板に不要部分があるとそれをパネル作製用基板から分離する作業が必要になる等の理由から略矩形状に形成されていることが好ましい。
The sealing
接着層82は、自発光部101と封止基板81間に形成されている。この接着層82は、例えば加熱や熱線照射により硬化する熱硬化型接着層、紫外線や可視光線等の光(電磁波)が照射されることにより硬化する光硬化型接着層等からなる。熱硬化型接着層の形成材料としては、例えばエポキシ系樹脂等の各種接着材料を採用することができる。また紫外線(UV)硬化型接着層の形成材料としては、例えばアクリル系樹脂等の各種材料を採用することができる。接着層82は、上記加熱や光照射等による硬化処理が施されると、粘着状態(非硬化状態)から、硬化状態又は固化状態に不可逆的に相転移する。
The
本実施形態に係る接着層82は、シート状に形成されており、光照射又は加熱により硬化状態に相転移した硬化部821と、それ以外の接着性を有する非硬化部822とにパターン形成可能である。
The
この接着層82において、加熱や光照射等により形成される硬化部821は、硬化前に接触していたものに対しては接着力が高くなり、硬化後に接触したものに対しては接着力が低下する。
In the
[光デバイスの製造方法]
図3は、本発明の第1実施形態に係る光デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。
[Optical device manufacturing method]
FIG. 3 is a flowchart for explaining the manufacturing method of the optical device according to the first embodiment of the present invention.
本実施形態では、いわゆる多面取りにより複数個の光デバイスを作製する。詳細には光デバイスの製造方法は、図3に示すように、自発光部形成工程(S1)、封止部材形成工程(S2)、封止工程(S3)、および分割・除去工程(S4)を有する。以下、各工程を図面を参照しながら詳細に説明する。 In the present embodiment, a plurality of optical devices are manufactured by so-called multiple chamfering. In detail, as shown in FIG. 3, the manufacturing method of the optical device includes a self-luminous portion forming step (S1), a sealing member forming step (S2), a sealing step (S3), and a dividing / removing step (S4). Have Hereafter, each process is demonstrated in detail, referring drawings.
[自発光部形成工程(S1)]
図4(a)は、複数の自発光部が形成された大型のパネル基板を説明するための図である。図4(b)は図4(a)に示したパネル基板および自発光部の断面図である。図4(a),(b)に示すように、パネル基板2上に、複数個の自発光部101および引出し配線7をマトリクス状に形成する。自発光部101及び引出し配線7の製造方法の一具体例について簡単に説明する。
[Self-light emitting part forming step (S1)]
FIG. 4A is a diagram for explaining a large panel substrate on which a plurality of self-light-emitting portions are formed. FIG. 4B is a cross-sectional view of the panel substrate and the self-light emitting unit shown in FIG. As shown in FIGS. 4A and 4B, a plurality of self-light-emitting
図2(a),(b)に示すように、先ずガラス等のパネル基板2上に、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)等の透明電極の形成材料を、スパッタ成膜法などの各種成膜方法により成膜してストライプ状に下部電極3(3a)を形成する。下部電極3上に絶縁膜4により区画された開口部11を形成して、その開口部11が一画素として機能する。また絶縁膜4上に隔壁41を形成してもよい。この隔壁41は、例えば逆テーパ形状やオーバーハング部を備えた形状に形成されていることが好ましい。この隔壁41を形成することにより、成膜層5や上部電極6を成膜用マスクを利用せずにパターニングすることができる。次に下部電極3電極上の開口部11内に、抵抗加熱蒸着法など各種製造方法により有機材料を成膜することで成膜層5を形成する。成膜方法の一具体例として、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層が順次積層された5層構造を形成してもよい。次に、成膜層5の上部に、下部電極3と直交する方向に沿って上部電極6(6a)を成膜およびパターニングする。上部電極6の端部76,下部電極3の端部3aは、引出し配線7に対応する。上記製造方法により、基板2上に複数の自発光素子100がマトリクス状に形成された自発光部101を作製することができる。
As shown in FIGS. 2A and 2B, a transparent electrode forming material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide) is first sputtered on a
[封止部材形成工程(S2)]
図5は、本発明の第1実施形態に係る光デバイスの製造方法を説明するための斜視図である。次に基板2の一方の面側に形成された複数の自発光部101を封止するために、例えば図5に示すように、大判の封止基板81上に接着層82を形成する。この際、基板2上に形成された自発光部101の位置や形状に応じた位置に、所定形状の接着層82を封止基板81上に形成する。また自発光部101を封止基板81により接着層82を介して封止する場合には、引出し配線7上に接着層82を付着させないことが好ましい。本実施形態に係る封止形成工程は、接着層パターニング工程(S21)、接着層硬化工程(S22)、封止基板と接着層とを貼り付ける工程(S23)、除去工程(S24)を有する。以下、各工程を詳細に説明する。
[Sealing member forming step (S2)]
FIG. 5 is a perspective view for explaining an optical device manufacturing method according to the first embodiment of the present invention. Next, in order to seal the plurality of self-
[接着層パターニング工程(S21)]
図6は本発明の第1実施形態に係る光デバイスの製造方法の封止部材形成工程を説明するための図である。図6(a)は剥離シートが一方の面側に貼り付けられた接着層を説明するための図であり、図6(b)は接着層に硬化処理を施す工程を説明するための図である。先ず図6(a)に示すように、置き台(基台)201上にシート状の接着層82を剥離シート(セパレータ)83を介して配置(載置)する。例えばシート状の剥離シート83が両面に形成されたシート状の接着部材を用意した場合には、一方の剥離シート83を剥がして、図6(a)に示すように、基台201と接着層82間に剥離シート83が位置するように、それぞれを配置する。本実施形態に係る接着層82は、熱硬化型接着剤から成る。
[Adhesive layer patterning step (S21)]
FIG. 6 is a view for explaining a sealing member forming step of the method for manufacturing an optical device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 6A is a diagram for explaining an adhesive layer in which a release sheet is attached to one surface side, and FIG. 6B is a diagram for explaining a process of performing a curing process on the adhesive layer. is there. First, as shown in FIG. 6A, a sheet-
[接着層硬化工程(S22)]
次にシート状の接着層82の一部に硬化処理を施して、接着層82に、所定形状の硬化部821および非硬化部822を形成する。詳細には、パネル基板2上に形成された被封止対象の自発光部101に応じた所定形状に硬化部821および非硬化部822を形成する。具体的には図6(b)に示すように、接着層82の剥離シート83が貼り付けられた面と反対面側から、レーザ装置等の光照射装置84による熱線照射等により、接着層82の所定領域を加熱して熱硬化型接着剤を硬化又は固化させる。この熱線照射により形成された硬化部821は、接着力が非硬化部822と比べて低下している。また非硬化部822の接着力は熱線が照射されていないので変わらない。
[Adhesive layer curing step (S22)]
Next, a part of the sheet-
[封止基板と接着層とを貼り付ける工程(S23)]
図6(c),(d)は封止基板と接着層を貼り付ける工程を説明するための図である。次に図6(c),(d)に示すように、封止基板81を接着層82に貼り付ける。この際、高精度に位置合わせを行うために、アライメントマーク(AL)を、接着層82、剥離シート83、基台201のいずれか又は全部、および封止基板81に予め形成しておき、そのアライメントマーク(AL)に基づいて、接着層82と封止基板81とを位置合わせして、図6(d)に示すように、接着層82と封止基板81を貼り付ける。
[Step of Affixing Sealing Substrate and Adhesive Layer (S23)]
6C and 6D are views for explaining a process of attaching the sealing substrate and the adhesive layer. Next, as shown in FIGS. 6C and 6D, the sealing
[除去工程(S24)]
図6(e)は接着層82の硬化部821の除去工程を説明するための図である。次に図6(e)に示すように、封止基板81から剥離シート83を剥離して、接着層82の不要部分である硬化部821を除去し、封止基板81上に所定形状の接着層82の非硬化部822を形成する。詳細には図6(e)に示すように、接着層82のうち接着力が比較的強い非硬化部822が封止基板81上に接着した状態で配置され、硬化部821が剥離シート83と共に除去される。
[Removal step (S24)]
FIG. 6E is a view for explaining a removal process of the
この際、接着層82の硬化処理後に貼り付けられる封止基板81に対する、接着層82の硬化部821の接着力が、封止基板81に対する、接着層82の非硬化部822の接着力より小さい。また剥離シート83に対する、接着層82の非硬化部822の接着力が、封止基板81に対する、接着層82の非硬化部822の接着力より小さい。
At this time, the adhesive force of the cured
つまり、接着層82の樹脂の硬化後に封止基板81を接触したので、硬化部821(除去する個所)は、封止基板81との接着力が低下して除去することができる。
That is, since the sealing
[貼り合せ工程(封止工程)(S3)]
図6(f)は封止工程を説明するための図である。次に図5,図6(f)に示すように、一方の面側に自発光部101および引出し配線7が形成されたパネル基板2に、接着層82を介して封止基板81を貼り付ける。詳細には、自発光部101上に接着層82の非硬化部822を介して封止基板81を貼り付けて封止を行う。この際、パネル基板2、および封止基板81に予めアライメントマーク(AL)を形成し、このアライメントマーク(AL)に基づいて、基板2および封止基板81の位置決めを行い、それぞれを貼り合わせることが好ましい。この際、引出し配線7には接着層82が付着しない。
[Lamination process (sealing process) (S3)]
FIG. 6F is a diagram for explaining the sealing process. Next, as shown in FIG. 5 and FIG. 6 (f), a sealing
図6(g)は硬化工程を説明するための図である。図6(g)に示すように、接着層82(非硬化部822)に所定の硬化処理、例えば加熱処理を施すことにより接着層82を硬化させる。上記工程により自発光部101が接着層82を介して封止基板81により封止される。
FIG. 6G is a diagram for explaining the curing process. As shown in FIG. 6G, the
[分割・除去工程(S4)]
図7(a),(b)は、本発明に係る光デバイスの製造方法の分割・除去工程を説明するための図である。次に図7(a),(b)に示すように、基板2上に形成された自発光部101が、封止基板81により硬化した接着層82を介して封止された状態で、封止基板81および基板2を光デバイス1(自発光パネル)毎に、例えばカッター等の切断装置により切断して分割する。この際、封止基板81を接着層82の非硬化部822と同形状に切断して、不要部分81Aを除去して、図1,2に示すような光デバイス1を作製する。本実施形態に関する光デバイスの製造方法は、基板2上に一つの自発光部101を形成したものにも適用される。この場合、封止工程S3後に分割工程をせずに不要部分81Aを除去する除去工程により光デバイス1を作製する。
[Division / Removal Step (S4)]
FIGS. 7A and 7B are diagrams for explaining the dividing / removing step of the optical device manufacturing method according to the present invention. Next, as shown in FIGS. 7A and 7B, the self-light-emitting
次に図7(c),図1(a),(b)に示すように、封止工程後に、基板2上に形成した引出し配線7に、例えば異方性導電性膜(ACF)等の導電材料を介して、フレキシブル基板(配線基板)90や駆動ICチップ等の外部回路を圧着して電気的に接続する。本発明に係る光デバイスの製造方法では、高精度にパターニングされた接着層82により高精度に封止を行うので、引出し配線7上に接着層が付着することが低減し、引出し配線7に配線基板90や駆動ICチップ等の外部回路を確実に実装して、電気的に接続することができる。
Next, as shown in FIGS. 7C, 1A, and 1B, after the sealing process, for example, an anisotropic conductive film (ACF) or the like is formed on the lead-out
上記光デバイスの製造方法を行うことにより、分割工程時の品質不良を低減することができる。 By performing the method for manufacturing an optical device, it is possible to reduce quality defects during the dividing step.
なお、上述した実施形態に係る光デバイス1の製造方法では、自発光部形成工程S1、封止部材形成工程S2、封止工程S3、分割・除去工程S4を順に行ったが、製造工程の順番は上述した形態に限られるものではない。例えば封止部材形成工程S2の次に自発光部形成工程S1を行ってもよいし、同時に行ってもよい。
In the method for manufacturing the
以上、説明したように本実施形態に係る光デバイスの製造方法は、シート状の光硬化型又は熱硬化型の接着層82に硬化処理を施して、所定形状の硬化部821および非硬化部822を備える接着層82を、封止基板81上に形成する封止部材形成工程(S2)と、硬化部821を除去し、且つ、封止基板81を接着層82の非硬化部822を介して自発光部101上に貼り付けて、自発光部101を封止する封止工程(S3)とを有するので、パネル基板2上に形成された自発光部101を簡単な工程により高精度に封止することができる。また多面取りを行う場合に、封止基板81上に高精度に接着層82をパターニングして、パネル基板2上に形成された複数の自発光部101に対して一度に高精度に封止を行うことができる。また個々の自発光部101を個々に封止する従来の製造方法と比べて、本発明に係る光デバイスの製造方法では、製造時間を短縮することができる。また高精度に封止を行うことができるので、引出し配線7上に接着層が付着することを防止することができ、接続不良や表示不良を防止することができる。
As described above, in the method for manufacturing an optical device according to the present embodiment, the sheet-like photo-curing type or thermo-curing type
又、一方の面側に剥離シート83が配置された接着層82に硬化処理を施して硬化部821および非硬化部822を形成し、当該接着層82の他方の面側に封止基板81を貼り付けた状態で、剥離シート83と共に硬化部821を封止基板81から剥離して硬化部821を除去するので、簡単に高精度に、封止基板81上に接着層82がパターニングすることができる。
Further, the
[第2実施形態]
図8は、本発明の第2実施形態に係る光デバイス1の製造方法を説明するための図である。第1実施形態と同じ構成、機能、動作等については、説明を省略する。本実施形態に係る光デバイス1の製造方法では、接着層82として紫外線(UV)硬化型接着部材を採用する。この接着層82に硬化処理を施す場合には、図8(a),(b)に示すように、置き台(基台)201上に、シート状の接着層82をセパレータ(剥離シート83)を介して配置し、接着層82上にフォトマスク(マスク)87を配置する。マスク87には、例えば所定形状の開口部871と遮蔽部872とが形成されている。光照射装置84Aから紫外線等の電磁波が、マスク87を介して接着層82に照射される。詳細にはマスク87の開口部871を透過した光が接着層82に照射され、その照射部分が硬化し、硬化部821の接着力が低下する。非硬化部822の接着力は、マスク87により遮光されていたので変わらない。
[Second Embodiment]
FIG. 8 is a diagram for explaining a method of manufacturing the
また図8(g)に示すように、接着層82(非硬化部822)に所定の硬化処理、例えば紫外線(UV)照射等の光照射を行うことにより、接着層82を硬化させる。上記工程により自発光部101が成膜層5を介して封止基板81により封止される。その後、第1実施形態と同様に図7(a),(b)に示すように、封止基板81および基板2を光デバイス(自発光パネル)毎に、例えばカッター等の切断装置により切断して分割して複数の光デバイス1を作製する。本実施形態では、光デバイスの製造方法は、基板2上に一つの自発光部101を形成したものにも適用される。この場合、封止工程後に分割工程をせずに不要部分を除去する除去工程により光デバイス1を作製する。
Further, as shown in FIG. 8G, the
上記本実施形態に係る光デバイスの製造方法では、光硬化型の接着層82を採用したので、光照射装置84Aからマスク87を介して接着層82に光照射することにより、接着層82に硬化処理を施すので、高精度に簡単に接着層82を所定形状にパターニングすることができる。
In the optical device manufacturing method according to the present embodiment, since the photo-curing type
[第3実施形態]
図9は、本発明の第3実施形態に係る光デバイスの製造方法を説明するための図である。図9(a)は剥離シート83が一方の面側に貼り付けられ他方の面側に封止基板81が配置された接着層82を説明するための図である。図9(b)は接着層82に硬化処理を施す工程を説明するための図である。第1及び第2実施形態と同様な構成、機能、および動作等については説明を省略する。本実施形態に係る光デバイス1の製造方法では、予め封止基板81上に接着層82及び剥離シート83を配置し、その状態で硬化処理を施して接着層82を所定形状にパターニングする。
[Third Embodiment]
FIG. 9 is a view for explaining the method for manufacturing an optical device according to the third embodiment of the present invention. FIG. 9A is a view for explaining an
詳細には、先ず図9(a)に示すように、接着層82の一方の面側に剥離シート83が貼り付けられ、他方の面側に封止基板81を配置する。例えばシート状の剥離シート83が両面に形成されたシート状の接着部材を用意した場合には、一方の剥離シート83を剥がして、図9(a)に示すように他方の面側を封止基板81に貼り付ける。
Specifically, first, as shown in FIG. 9A, a
次に、シート状の接着層82に硬化処理を施して、接着層82に所定形状の硬化部821および非硬化部822を形成する。本実施形態に係る硬化処理は、例えば図9(b)に示すように、レーザ装置等の光照射装置84により、透明性を有する封止基板81側から接着層82に、熱線照射等の硬化処理を行う。例えば接着層82の封止基板側の一部に硬化部821aを形成する。詳細には接着層82の封止基板81に対向する面側のみ硬化させる。より詳細には接着層82の封止基板81に対向する表面近傍領域を硬化させて硬化部821aを形成する。接着層82の硬化部821以外の部分が非硬化部822に相当する。
Next, the sheet-
接着層82が硬化前から封止基板81に接触しているために、封止基板81に対する硬化部821aの接着力は、非硬化部822の封止基板81に対する接着力より大きい。つまり硬化部821aと封止基板81との接着力が比較的高くなり、硬化部821aの形成領域以外の非硬化部822が除去可能となる。
Since the
図9(c)は接着層82の非硬化部の除去工程を説明するための図である。次に図9(c)に示すように、剥離シート83を接着層82から剥離する。この際、剥離シート83と共に、硬化部821aの形成領域以外の非硬化部822aを、封止基板81から剥離して非硬化部822aを除去する。封止基板81上には、所定形状の接着層82の非硬化部822が形成される。
FIG. 9C is a view for explaining a step of removing the non-cured portion of the
次に第1実施形態と同様に、図9(d)〜図9(g)に示すように、パネル基板2上の自発光部101を接着層82を介して封止基板81により封止を行い、接着層82全体に硬化処理を施して(封止工程S3)、光デバイス1毎に分割・除去工程(S4)などを行い、複数の光デバイス1を作製する。本実施形態に関する光デバイスの製造方法は、基板2上に一つの自発光部101を形成したものにも適用される。この場合、封止工程S3後に分割工程をせずに不要部分81Aを除去する除去工程により光デバイス1を作製する。
Next, as in the first embodiment, as shown in FIGS. 9D to 9G, the self-
以上説明したように、本実施形態に係る光デバイス1では、予め封止基板81上に接着層82及び剥離シート83を配置し、その状態で硬化処理を施して、封止基板81上に被封止対象の自発光部101に対応した所定形状の接着層82を形成するので、第1および第2実施形態と比べて、封止基板と接着層とを貼り付ける工程(S23)等を省略することができる。このため光デバイスの製造時間を短縮化することができる。また予め封止基板81上に接着層82及び剥離シート83を配置して硬化処理を施すので、第1及び第2実施形態と比べて、封止基板81上に高精度に所定形状の接着層82の非硬化部822を形成することができる。このため封止基板81および接着層82により、自発光部101を高精度に封止することができる。
As described above, in the
[第4実施形態]
図10は、本発明の第4実施形態に係る光デバイスの製造方法を説明するための図である。図10(a)は剥離シートが一方の面側に貼り付けられ他方の面側に封止基板が配置された接着層を説明するための図である。図10(b)は接着層に硬化処理を施す工程を説明するための図である。第3実施形態と同様な構成、機能、および動作等については説明を省略する。本実施形態に係る光デバイスの製造方法では、先ず図10(a),(b)に示すように、封止基板81上に接着層82及び剥離シート83を配置し、レーザ装置等の光照射装置84により、剥離シート83を介して接着層82に、熱線照射等の硬化処理を行い、所定形状の硬化部821および非硬化部822を封止基板81上に形成する。
[Fourth Embodiment]
FIG. 10 is a diagram for explaining the manufacturing method of the optical device according to the fourth embodiment of the present invention. Fig.10 (a) is a figure for demonstrating the contact bonding layer by which the peeling sheet was affixed on the one surface side, and the sealing substrate was arrange | positioned on the other surface side. FIG.10 (b) is a figure for demonstrating the process of performing a hardening process to a contact bonding layer. The description of the same configuration, function, operation and the like as in the third embodiment is omitted. In the method of manufacturing an optical device according to the present embodiment, first, as shown in FIGS. 10A and 10B, an
図10(c)は接着層82から剥離シート83を剥離する工程を説明するための図である。次に本実施形態では図10(c)に示すように、剥離シート83のみを接着層82から剥離する。本実施形態では封止基板81上には、硬化部821および非硬化部822を備える接着層82が形成される。
FIG. 10C is a diagram for explaining a process of peeling the
図10(d)は封止工程を説明するための図である。次に図10(d)に示すように、自発光部101および引出し配線7が形成されたパネル基板2に、接着層82を介して封止基板81を貼り付ける。この際パネル基板2、封止基板81、接着層82等に予めアライメントマーク(AL)を形成し、このアライメントマーク(AL)に基づいて、基板2および封止基板81の位置決めを行い、それぞれを貼り合わせることが好ましい。この際、引出し配線7に硬化部821が接触した場合であっても、封止基板82や引出し配線7に対する硬化部821の接着力は、硬化部821が硬化しているために比較的低いので、引出し配線7には接着材料が付着しない。
FIG. 10D is a diagram for explaining the sealing process. Next, as illustrated in FIG. 10D, a sealing
図10(e)は硬化工程を説明するための図であり、図10(f)は分割工程を説明するための図であり、図10(g)は分割後の光デバイス1の断面図である。次に、図10(e)に示すように、接着層82に所定の硬化処理、例えば加熱処理を施すことにより接着層82を硬化させる。
FIG. 10E is a diagram for explaining the curing process, FIG. 10F is a diagram for explaining the dividing process, and FIG. 10G is a sectional view of the
次に図10(f)に示すように、基板2上に形成された自発光部101が、封止基板81により硬化した接着層82を介して封止された状態で、封止基板81および基板2を光デバイス1(自発光パネル)毎に、例えばカッター等の切断装置により切断して分割する。この際、封止基板81を接着層82の非硬化部822と同形状に切断して、不要部分81Aおよび非硬化部822を除去して、図1,図2,図10(g)に示すような光デバイス1を作製する。本実施形態の光デバイスの製造方法は、基板2上に一つの自発光部101を形成したものにも適用される。この場合、封止工程S3後に分割工程をせずに不要部分81Aを除去する除去工程により光デバイス1を作製する。
Next, as shown in FIG. 10 (f), the self-
以上説明したように、本実施形態では、封止基板81上の接着層82に所定形状の硬化部821および非硬化部822を形成し、硬化部821および非硬化部822が封止基板81上に配置された状態で、基板2上に形成された自発光部101を貼り合わせた後、光デバイス1(自発光パネル)毎に分割するので、第3実施形態と比べて、剥離シート83を剥離すると共に非硬化部822を除去する工程を省略することができ、製造工程が簡略化される。また製造時間を短縮することができる。
As described above, in the present embodiment, the cured
[第5実施形態]
図11は、本発明の第5実施形態に係る光デバイスの製造方法を説明するための図である。図11(a)は第1具体例に係る接着層82の硬化部821および非硬化部822を説明するための図であり、図11(b)は第2具体例に係る接着層82bの硬化部821bおよび非硬化部822bを説明するための図である。第1〜第4実施形態と同じ構成、機能、効果等については説明を省略する。
[Fifth Embodiment]
FIG. 11 is a view for explaining the method for manufacturing the optical device according to the fifth embodiment of the invention. FIG. 11A is a view for explaining a cured
例えばシート状の接着層82に硬化処理を施して、図11(a)に示すように、パネル基板2上に形成された被封止対象の自発光部101に対応して、個々に離れた非硬化部822を形成してもよい。また図11(b)に示すように、剥離シート83を剥離する際に、硬化部821bを剥離しやすい形状、例えば被封止対象の自発光部に対応した複数の非硬化部間が一部で連結した形状の非硬化部822bを形成してもよい。
For example, the sheet-
また接着層82の硬化部821および非硬化部822の形状は、上記形態に限られるものではない。例えば接着層の強度、伸度、接着力等の接着層の物理特性に応じて、硬化部821を良好に剥離可能な形状に、硬化部821及び非硬化部822を形成してもよい。
Moreover, the shape of the hardening
またこの時、不要部分の除去が容易になるように、剥離領域を形成することで、剥離した接着層の端面が、例えばギザギザした形状、接着層の剥離残渣の発生を防止することが可能になる。 At this time, by forming a peeling region so that unnecessary parts can be easily removed, it is possible to prevent the end surface of the peeled adhesive layer from having, for example, a jagged shape and peeling of the adhesive layer. Become.
また、接着層の強度、伸度、接着力に応じて、良好に剥離させるべく、剥離する領域を自在に、容易に形成できるという利点もある。 In addition, there is also an advantage that a region to be peeled can be easily and easily formed in order to peel well according to the strength, elongation, and adhesive strength of the adhesive layer.
[第6実施形態]
図12は、本発明の第6実施形態に係る光デバイス1eを説明するための図である。図12(a)は封止前の光デバイス1eを説明するための図であり、図12(b)は、封止後の光デバイス1eを説明するための図である。第1〜第5実施形態と同様な構成、機能、効果等については説明を省略する。
[Sixth Embodiment]
FIG. 12 is a view for explaining an optical device 1e according to the sixth embodiment of the present invention. FIG. 12A is a diagram for explaining the optical device 1e before sealing, and FIG. 12B is a diagram for explaining the optical device 1e after sealing. Descriptions of configurations, functions, effects, and the like similar to those in the first to fifth embodiments are omitted.
本実施形態に係る光デバイス1eは、例えばパッシブマトリクス型有機ELパネルであり、図12(a)に示すように、パネル基板2上に有機EL素子(自発光素子)100、一つ又は複数備える自発光部101を備え、自発光部101の周囲には逆台形状の隔壁41が形成されている。封止基板81の一方の面側には、所定形状に接着層82eがパターニングされている。本実施形態に係る接着層82eは、例えば基板2上に形成された隔壁41間に接着層が配置される形状に形成される。接着層82eは、第1〜第3及び第5実施形態と略同様に、シート状の熱硬化又は光硬化型の接着層に、所定の硬化処理を施し、不要な硬化部を除去することにより作製する。ただし本実施形態では、隔壁41の形状に応じた形状に接着層82eを形成する。
The optical device 1e according to the present embodiment is, for example, a passive matrix organic EL panel, and includes one or more organic EL elements (self-emitting elements) 100 on the
次に図12(b)に示すように、接着層82eが隔壁41間に位置して、接着層82eが自発光素子100上に配置するように、封止基板81と基板2とを貼り付けて、封止を行う。この際、例えば図12(b)に示すように、基板2や封止基板81、接着層82等に予めアライメントマーク(AL)を形成しておき、そのアライメントマークに基づいて封止基板81と基板2の位置合わせを行い、その封止基板81と基板2とを貼り付ける。
Next, as shown in FIG. 12B, the sealing
また光デバイス1eは、図12(b)に示すように、隔壁41が封止基板81に対する支持部材として機能し、この隔壁41間に接着層82eが形成されている。また接着層82eは自発光部101および封止基板81に接している。また隔壁41の上部が封止基板81に接している。
In the optical device 1e, as shown in FIG. 12B, the
つまり上記構成の光デバイス1eでは、隔壁41が封止基板81に対する支持部材として機能するので、光デバイス1eを薄型化した場合であっても、封止基板81および基板2が比較的大きな強度を有することができる。また上記構成の光デバイス1eでは、隔壁41間に接着層82eが形成されているので、薄型化を実現することができ、更に高精度に封止を行うことができる。
That is, in the optical device 1e having the above configuration, the
また本実施形態に係る接着層82の厚みや形状は、隔壁41の形状や大きさ、自発光素子100の形状や大きさ等に応じて適宜設定することが好ましい。
In addition, the thickness and shape of the
また図12(b)に示すように、接着層82eと、支持部材として機能する隔壁41との間には、封止空間800が形成されている。つまり、隔壁41を覆わなく、かつ自発光素子100を覆うように接着層82eを配置する。この封止空間800内に吸湿材料801を形成してもよい。吸湿材料は、例えば金属酸化物、金属の無機酸塩・有機酸塩等が挙げられるが、特にアルカリ土類金属酸化物、及び硫酸塩の少なくとも1種を採用することが好ましい。アルカリ土類金属酸化物としては、例えば酸化カルシウム(CaO)、酸化バリウム(BaO)、酸化マグネシウム(MgO)等が挙げられる。硫酸塩としては、例えば硫酸リチウム(Li2 SO4 )、硫酸ナトリウム(NaSO4 )、硫酸カルシウム(CaSO4 )、硫酸マグネシウム(MgSO4 )、硫酸コバルト(CoSO4 )、硫酸ガリウム(Ga2 (SO4 )3 )、硫酸チタン(Ti(SO4 )2 )、硫酸ニッケル(NiSO4 )等を挙げることができる。その他にも吸湿剤として吸湿性を有する有機材料を採用することができる。
As shown in FIG. 12B, a sealing
上記構成では、隔壁41を完全に覆わない構成とすることで、隔壁41から劣化要因の水蒸気等のガスなどが発生した場合に、封止空間800が、そのガスの排出経路となり、吸湿材料801によりガスを吸着させることで、自発光素子の劣化を防止することができる。
In the above configuration, when the
[第7実施形態]
図13は、本発明の第7実施形態に係る光デバイス1fを説明するための図である。図13(a)は封止前の光デバイス1fを説明するための図であり、図13(b)は、封止後の光デバイス1fを説明するための図である。第1〜第6実施形態と同様な構成、機能、効果等については説明を省略する。
[Seventh Embodiment]
FIG. 13 is a diagram for explaining an
本実施形態に係る光デバイス1fの製造方法は、先ず図13(a),(b)に示すように、基板2上に自発光素子100や隔壁41を形成し、その上に吸湿材料801を成膜し、次に接着層82eが形成された封止基板81により封止する。また本実施形態に係る接着層82の厚みや形状は、吸湿材料801の膜厚や形状、隔壁41の形状や大きさ、自発光素子100の形状や大きさ等に応じて適宜設定することが好ましい。
In the manufacturing method of the
上記構成の光デバイス1fでは、第6実施形態と比べて吸湿材料801を大量に形成することができるので封止効果が向上する。
In the
なお、本発明は上述した実施形態に限られるものではない。上述した実施形態や具体例を組み合わせてもよい。 The present invention is not limited to the embodiment described above. You may combine embodiment and the specific example which were mentioned above.
また、上述した実施形態では図12に示すように逆テーパ形状(逆台形状)の隔壁41が形成された有機ELパネルを説明したが、この形態に限られるものではない。例えば図14(a)に示すように、テーパ形状に台形状の隔壁41aが形成された有機ELパネル1gに本発明を適用してもよい。
In the embodiment described above, the organic EL panel in which the inversely tapered (inverted trapezoidal)
また上述した実施形態では光デバイスとしてパッシブマトリクス型有機ELパネルを説明したが、この形態に限られるものではない。例えば図14(b)に示すように、本発明に係る光デバイスおよびその製造方法を、アクティブマトリクス型有機ELパネル1hに適用してもよい。一般的なアクティブマトリクス型有機ELパネル1hは、基板2上に自発光素子100の駆動用トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)21や電力供給線,データ線,走査線等の配線22が形成され、その上に平坦化膜23,絶縁層24等が形成され、その上にマトリクス状に自発光素子が形成されている。
In the above-described embodiment, the passive matrix organic EL panel is described as the optical device, but the present invention is not limited to this form. For example, as shown in FIG. 14B, the optical device and the manufacturing method thereof according to the present invention may be applied to an active matrix
また本発明に係る光デバイス1を実現することができれば、上記実施形態に限定されるものではない。
Moreover, if the
また上記実施形態では、ボトムエミッションタイプの光デバイス1説明したが、この形態に限られるものではない。例えば本発明に係る光デバイスを基板2とは反対側から光を取り出すトップエミッションタイプの光デバイスに適用してもよい。さらに、基板側および基板と反対側の両側から光を取り出すタイプの光デバイスに適用してもよい。このトップエミッションタイプのパッシブマトリクス型光デバイスは、例えば、各実施形態に係る各層を逆に積層した構造を有する。
Moreover, although the bottom emission type
また上述したように、本発明の実施形態に係る光デバイス1の製造方法により形成される光デバイス1について、本発明をなんら限定しない細部を以下に説明する。
In addition, as described above, details of the
まず、有機EL素子について説明すると、一般的に有機EL素子は、アノード(陽極、正孔注入電極)とカソード(陰極、電子注入電極)との間に有機EL機能層を挟み込んだ構造をとっている。両電極に電圧を印加することにより、アノードから有機EL機能層内に注入・輸送された正孔とカソードから有機EL機能層内に注入・輸送された電子がこの層内(発光層)で再結合することで発光を得るものである。基板上に、下部電極,有機EL機能層からなる成膜層,上部電極を積層した有機EL素子の具体的構成および材料例を示すと以下の通りである。 First, an organic EL element will be described. Generally, an organic EL element has a structure in which an organic EL functional layer is sandwiched between an anode (anode, hole injection electrode) and a cathode (cathode, electron injection electrode). Yes. By applying a voltage to both electrodes, the holes injected and transported from the anode into the organic EL functional layer and the electrons injected and transported from the cathode into the organic EL functional layer are regenerated in this layer (light emitting layer). Light emission is obtained by bonding. A specific configuration and material example of an organic EL element in which a lower electrode, a film-forming layer composed of an organic EL functional layer, and an upper electrode are stacked on a substrate are shown as follows.
基板については、透明性を有する平板状、フィルム状のものが好ましく、材質としてはガラス又はプラスチックを用いることができる。 The substrate is preferably a flat plate or film having transparency, and glass or plastic can be used as the material.
下部又は上部電極ついては、一方が陰極、他方が陽極に設定されることになる。この場合、陽極は仕事関数が高い材料で構成されるのがよく、クロム(Cr),モリブデン(Mo),ニッケル(Ni),白金(Pt)等の金属膜,或いはITO,IZO等の酸化金属膜等による透明導電膜が用いられる。そして、陰極は仕事関数の低い金属で構成されるのがよく、特に、アルカリ金属(Li,Na,K,Rb,Cs),アルカリ土類金属(Be,Mg,Ca,Sr,Ba),希土類といった仕事関数の低い金属、その化合物、又はそれらを含む合金を用いることができる。また、下部電極、上部電極ともに透明な材料により構成した場合には、光の放出側と反対の電極側に反射膜を設けた構成とすることもできる。 As for the lower or upper electrode, one is set as a cathode and the other is set as an anode. In this case, the anode is preferably composed of a material having a high work function, such as a metal film such as chromium (Cr), molybdenum (Mo), nickel (Ni), platinum (Pt), or a metal oxide such as ITO or IZO. A transparent conductive film such as a film is used. The cathode is preferably composed of a metal having a low work function, and in particular, alkali metals (Li, Na, K, Rb, Cs), alkaline earth metals (Be, Mg, Ca, Sr, Ba), rare earths. Such a metal having a low work function, a compound thereof, or an alloy containing them can be used. In the case where both the lower electrode and the upper electrode are made of a transparent material, a reflection film may be provided on the electrode side opposite to the light emission side.
また下部電極又は上部電極から封止領域に外側に引き出される引出電極は、有機ELパネルとそれを駆動するIC(集積回路),ドライバ等の駆動手段とを接続するために設けられる配線電極であって、好ましくはAg,Cr,Al等などの低抵抗金属材料やそれらの合金を用いるのがよい。 In addition, the extraction electrode that is led out from the lower electrode or the upper electrode to the sealing region is a wiring electrode provided to connect the organic EL panel and driving means such as an IC (integrated circuit) and a driver for driving the organic EL panel. Thus, it is preferable to use a low-resistance metal material such as Ag, Cr, Al, or an alloy thereof.
一般に、下部電極と引出電極の形成は、ITO,IZO等によって下部電極及び引出電極のための薄膜を蒸着或いはスパッタリング等の方法で形成し、フォトリソグラフィ法などによってパターン形成がなされる。下部電極と引出電極(特に低抵抗化の必要な引出電極)に関しては、前述のITO,IZO等の下地層にAg,Al,Cr等の低抵抗金属もしくはその合金を積層した2層構造にしたもの、或いはAg等の保護層としてCu,Cr,Ta等の耐酸化性の高い材料を更に積層した3層構造にしたものを採用することができる。 In general, the lower electrode and the extraction electrode are formed by forming a thin film for the lower electrode and the extraction electrode by ITO, IZO or the like by a method such as vapor deposition or sputtering, and forming a pattern by a photolithography method or the like. The lower electrode and the extraction electrode (particularly the extraction electrode that needs to be reduced in resistance) have a two-layer structure in which a low-resistance metal such as Ag, Al, Cr, or an alloy thereof is laminated on the above-described underlayer such as ITO or IZO. As a protective layer such as Ag, a layer having a three-layer structure in which materials having high oxidation resistance such as Cu, Cr and Ta are further laminated can be employed.
下部電極と上部電極との間に成膜される有機EL機能層としては、下部電極を陽極,上部電極を陰極とした場合には、正孔輸送層/発光層/電子輸送層の積層構造が一般的であるが(下部電極を陰極、上部電極を陽極とした場合にはその逆の積層順となる)、発光層、正孔輸送層、電子輸送層についてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略して発光層のみにしても構わない。また有機EL機能層としては、正孔注入層,電子注入層,正孔障壁層,電子障壁層等の有機機能層を用途に応じて挿入することができる。 As the organic EL functional layer formed between the lower electrode and the upper electrode, when the lower electrode is an anode and the upper electrode is a cathode, a stacked structure of a hole transport layer / a light emitting layer / an electron transport layer is formed. Although it is common (when the lower electrode is the cathode and the upper electrode is the anode, the reverse stacking order is used), but one of the light emitting layer, hole transport layer, and electron transport layer is omitted. Alternatively, both layers may be omitted and only the light emitting layer may be used. As the organic EL functional layer, organic functional layers such as a hole injection layer, an electron injection layer, a hole barrier layer, and an electron barrier layer can be inserted depending on the application.
有機EL機能層の材料は、有機EL素子の用途に合わせて適宜選択可能である。以下に例を示すがこれらに限定されるものではない。 The material of the organic EL functional layer can be appropriately selected according to the use of the organic EL element. Examples are shown below, but are not limited thereto.
正孔輸送層としては、正孔移動度が高い機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、銅フタロシアニン等のポルフィリン化合物、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]−ビフェニル(NPB)等の芳香族第三アミン、4−(ジ−p−トリルアミノ)−4’−[4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]スチルベンゼン等のスチルベンゼン化合物、トリアゾール誘導体、スチリルアミン化合物等の有機材料が用いられる。また、ポリカーボネート等の高分子中に低分子の正孔輸送用の有機材料を分散させた高分子分散系の材料も使用できる。好ましくは、ガラス転移温度(Tg)が封止用樹脂を加熱硬化させる温度より高い材料が好ましく、例えば4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェルミアミノ]−ビフェニル(NPB)が挙げられる。 The hole transport layer only needs to have a function of high hole mobility, and any material can be selected and used from conventionally known compounds. Specific examples include porphyrin compounds such as copper phthalocyanine, aromatic tertiary amines such as 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] -biphenyl (NPB), 4- (di- Organic materials such as stilbene compounds such as p-tolylamino) -4 ′-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbenzene, triazole derivatives and styrylamine compounds are used. Further, a polymer dispersion material in which a low-molecular organic material for hole transport is dispersed in a polymer such as polycarbonate can also be used. Preferably, a material having a glass transition temperature (Tg) higher than the temperature at which the sealing resin is heated and cured is preferable, for example, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-fermiamino] -biphenyl (NPB). ).
発光層は、公知の発光材料が使用可能であり、具体例としては、4,4’−ビス(2,2’−ジフェニルビニル)−ビフェニル(DPVBi)等の芳香族ジメチリディン化合物、1,4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物、3−(4−ビフェニル)−4−フェニル−5−t−ブチルフェニル−1,2,4−トリアゾール(TAZ)等のトリアゾール誘導体、アントラキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料、(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム錯体(Alq3 )等の蛍光性有機金属化合物、ポリパラフェニレンビニレン(PPV)系、ポリフルオレン系、ポリビニルカルバゾール(PVK)系等の高分子材料、白金錯体やイリジウム錯体等の三重項励起子からのりん光を発光に利用できる有機材料を使用できる。上述したような発光材料のみから構成したものでもよいし、正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤(ドナー、アクセプター等)または発光ドーパント等が含有されてもよい。また、これらが高分子材料又は無機材料中に分散されていてもよい。 A known light emitting material can be used for the light emitting layer. Specific examples include aromatic dimethylidin compounds such as 4,4′-bis (2,2′-diphenylvinyl) -biphenyl (DPVBi), 1,4- Styrylbenzene compounds such as bis (2-methylstyryl) benzene, triazole derivatives such as 3- (4-biphenyl) -4-phenyl-5-t-butylphenyl-1,2,4-triazole (TAZ), anthraquinone derivatives Fluorescent organic materials such as fluorenone derivatives, fluorescent organometallic compounds such as (8-hydroxyquinolinato) aluminum complex (Alq 3 ), polyparaphenylene vinylene (PPV), polyfluorene, polyvinylcarbazole (PVK) The phosphorescence from triplet excitons such as platinum complexes and iridium complexes can be used for light emission. The organic material can be used. It may be composed only of the light emitting material as described above, or may contain a hole transport material, an electron transport material, an additive (donor, acceptor, etc.) or a light emitting dopant. These may be dispersed in a polymer material or an inorganic material.
電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。具体例としては、ニトロ置換フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体等の有機材料、8−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン等が使用できる。 The electron transport layer only needs to have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer, and any material can be selected from conventionally known compounds. Specific examples include organic materials such as nitro-substituted fluorenone derivatives and anthraquinodimethane derivatives, metal complexes of 8-quinolinol derivatives, metal phthalocyanines, and the like.
上記正孔輸送層、発光層、電子輸送層は、本発明に係る成膜工程および加熱工程を同時又は交互に行う層を除いては、スピンコーティング法、ディッピング法等の塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法等のウェットプロセス、又は蒸着法、レーザ転写法等のドライプロセスで形成することができる。 The hole transport layer, the light-emitting layer, and the electron transport layer are spin coating methods, coating methods such as a dipping method, ink jet methods, etc., except for the layer for performing the film forming step and the heating step according to the present invention simultaneously or alternately. It can be formed by a wet process such as a screen printing method or a dry process such as a vapor deposition method or a laser transfer method.
また封止部材としては、気密性を確保できる材料であればよく、特に限定されるものではないが、接着剤を加熱硬化させる都合上、熱膨張や経時的変化の少ない材料を用いることが好ましく、例えば、アルカリガラス、無アルカリガラス等のガラス材、ステンレス、アルミニウム等の金属材、プラスチック等を採用することができる。また封止部材としては、ガラス製の封止基板にプレス成形、エッチング、ブラスト処理等の加工によって封止凹部(一段掘り込み、二段掘り込みを問わない)を形成したもの、または平板ガラスを使用し、ガラス(プラスチックでもよい)製のスペーサにより基板と封止領域を形成したもの、封止部材と基板間の気密空間を樹脂等で充填したものなども採用することができる。 The sealing member is not particularly limited as long as it is a material that can ensure hermeticity, but for the convenience of heat-curing the adhesive, it is preferable to use a material that has little thermal expansion or change over time. For example, glass materials such as alkali glass and non-alkali glass, metal materials such as stainless steel and aluminum, plastics, and the like can be used. In addition, as a sealing member, a glass sealing substrate formed with a sealing recess (regardless of one-stage digging or two-stage digging) by processing such as press molding, etching, blasting, or flat glass is used. It is also possible to employ a glass (which may be plastic) spacer in which the substrate and the sealing region are formed, and a gas-tight space between the sealing member and the substrate filled with a resin or the like.
また封止材料(接着剤)としては、熱硬化型、化学硬化型(二液混合)、光(紫外線)硬化型等を用いることができ、材料としてアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリオレフィン等を用いる。特に、紫外線硬化型や熱硬化型のエポキシ樹脂製の使用が好ましい。 Further, as the sealing material (adhesive), a thermosetting type, a chemical curing type (two-component mixing), a light (ultraviolet) curing type, or the like can be used. As the material, acrylic resin, epoxy resin, polyester, polyolefin, etc. can be used. Use. In particular, use of an ultraviolet curable or thermosetting epoxy resin is preferable.
乾燥部材は、ゼオライト、シリカゲル、カーボン、カーボンナノチューブ等の物理的乾燥剤、アルカリ金属酸化物、金属ハロゲン化合物,過酸化塩素等の化学的乾燥剤、有機金属錯体をトルエン,キシレン,脂肪族有機溶剤等の石油系溶剤に溶解した乾燥剤、乾燥剤粒子を透明性を有するポリエチレン,ポリイソプレン,ポリビニルシンナエート等のバインダに分散させた乾燥剤により形成することができる。 Drying materials include zeolite, silica gel, carbon, carbon nanotubes and other physical desiccants, alkali metal oxides, metal halides, chlorine peroxide and other chemical desiccants, organometallic complexes in toluene, xylene, aliphatic organic solvents It can be formed with a desiccant dissolved in a petroleum solvent such as a desiccant dispersed in a binder such as polyethylene, polyisoprene, and polyvinyl cinnaate having transparency.
また上記実施形態では光デバイスとして有機EL素子を有する有機ELパネルを説明したが、この形態に限られるものではない。例えば本発明に係る光デバイスを、発光ダイオード等の自発光素子を備える光デバイスに適用してもよい。また本発明に係る光デバイスを、携帯電話や車載用モニタ、家庭用電化製品のモニタ、パーソナルコンピュータの表示装置やテレビジョン受像装置等のドットマトリクス表示を行う情報表示装置や、時計や宣伝用パネル等の固定表示装置、スキャナやプリンタの光源、照明、液晶のバックライト等の照明装置、光電変換機能を利用した光通信装置等の各種光デバイス等に適用してもよい。 Moreover, although the organic EL panel which has an organic EL element as an optical device was demonstrated in the said embodiment, it is not restricted to this form. For example, the optical device according to the present invention may be applied to an optical device including a self-luminous element such as a light emitting diode. In addition, the optical device according to the present invention may be an information display device that performs dot matrix display, such as a mobile phone, an on-vehicle monitor, a monitor for home appliances, a display device for a personal computer or a television receiver, a clock or an advertising panel. The present invention may also be applied to various display devices such as fixed display devices such as light sources of scanners and printers, illumination devices such as lighting and liquid crystal backlights, and optical communication devices using photoelectric conversion functions.
以上説明したように、本発明に係る光デバイス1の製造方法は、パネル基板2上に複数の自発光部101を形成する自発光部形成工程(S1)と、予めシート状に形成した接着層82もしくは封止基板81上に成膜した接着層82の一部分に硬化処理を施す硬化工程(S2,S22)と、硬化工程後にパネル基板2と封止基板81とで自発光部101を封止する封止工程(S3)とを有するので、パネル基板2上に形成された自発光部101を簡単な工程により高精度に封止することができる。
As described above, the method for manufacturing the
また、封止工程後にパネル基板2を複数に分割し光デバイスを形成する分割・除去工程(S4)を行うことで多面取りを行い、複数の光デバイスを作製することができる。
Further, after the sealing step, the
詳細には、シート状の光硬化型又は熱硬化型の接着層82に硬化処理を施して、所定形状の硬化部821および非硬化部822を備える接着層82を、封止基板81上に形成する封止部材形成工程(S2)と、硬化部821を除去し、且つ、封止基板81を接着層82の非硬化部822を介して自発光部101上に貼り付けて、自発光部101を封止する封止工程(S3)とを有するので、パネル基板2上に形成された自発光部101を簡単な工程により高精度に封止することができる。
Specifically, the sheet-like photo-curing type or thermo-curing type
また多面取りを行う場合に、封止基板81上に高精度に接着層82をパターニングして、パネル基板2上に形成された複数の自発光部101に対して一度に高精度に封止を行うことができる。また個々の自発光部101を個々に封止する従来の製造方法と比べて、本発明に係る光デバイスの製造方法では、製造時間を短縮することができる。また高精度に封止を行うことができるので、引出し配線7上に接着層が付着することを防止することができ、接続不良や表示不良を防止することができる。また、分割工程における品質不良を低下させることができる。
In addition, when performing multi-chamfering, the
又、一方の面側に剥離シート83が配置された接着層82に硬化処理を施して硬化部821および非硬化部822を形成し、当該接着層82の他方の面側に封止基板81を貼り付けた状態で、剥離シート83と共に硬化部821を封止基板81から剥離して硬化部821を除去するので、簡単に高精度に、封止基板81上に接着層82がパターニングすることができる。
Further, the
また、基板2上に自発光素子100を一つ又は複数備える自発光部101を備え、自発光部101を封止基板81により封止してなる光デバイスであって、基板2上に形成された自発光素子100の周囲に形成された隔壁41を有し、隔壁41が封止基板81に対する支持部材として機能し、隔壁41間に接着層82が形成されているので、光デバイス1を薄型化した場合であっても、比較的高強度の光デバイス1を作製することができる。また自発光素子100を接着層82を介して封止し、余計な封止空間を取り除いているので、従来の光デバイス1よりも薄型化することができる。
The optical device includes a self-light-emitting
つまり、1.高精度に固体封止を達成できる。詳細には上述したように、支持部材上に接着層を形成せずに封止された自発光パネルを得ることができ、支持部材から発生するガス等を排出することができる。 That is, 1. Solid sealing can be achieved with high accuracy. Specifically, as described above, a self-luminous panel sealed without forming an adhesive layer on the support member can be obtained, and gas generated from the support member can be discharged.
他の効果として、精度よくパターン形成できるために、引出し配線7上に接着層を形成することがなくなり、引出し電極の酸化等を防止できることで配線抵抗の増加や断線等を防ぐことが可能になる。
As another effect, since the pattern can be formed with high accuracy, it is not necessary to form an adhesive layer on the
また、大判の基板2を用いて光デバイス1の多面取りをするような量産を考慮した場合、上述した製造方法により、例えば基板の不要な部分をできるだけなくすことができる。また自発光パネル作製する上で使用する領域を狭めることができる。また額縁部や封止領域をできるだけ狭くすることができる。分割工程時の樹脂層のパターニング不良による品質不良を防ぐことができる。
In addition, when mass production in which the large-
また、2.接着層のパターン形成が容易である。詳細には、封止基板上に接着層を配置し、光照射や加熱等により封止基板との接着性を低減させた後、剥離用シートを接着層から剥離しつつ接着層の不要部分を除去することができる。 In addition, 2. It is easy to form an adhesive layer pattern. Specifically, after disposing the adhesive layer on the sealing substrate and reducing the adhesion to the sealing substrate by light irradiation, heating, etc., the unnecessary portion of the adhesive layer is removed while peeling the release sheet from the adhesive layer. Can be removed.
1 光デバイス(有機ELパネル)
2 基板
3 第1電極(下部電極)
3a 第1電極用引出配線
4 絶縁膜(区画層)
5 成膜層(発光層)
6 第2電極(上部電極)
7 引出し配線
10 画素
11 開口部
41 隔壁
80 封止部材
81 封止基板
82 接着層
83 剥離シート
90 配線基板(フレキシブル基板)
100 自発光素子(有機EL素子)
101 自発光部
821 硬化部
822 非硬化部
1 Optical device (organic EL panel)
2
3a Lead wire for
5 Film formation layer (light emitting layer)
6 Second electrode (upper electrode)
7
100 Self-luminous element (organic EL element)
101 Self-
Claims (16)
パネル基板上に少なくとも一つの自発光部を形成する自発光部形成工程と、
予めシート状に形成した接着層もしくは封止基板上に成膜した接着層の一部分に硬化処理を施す硬化工程と、
前記硬化工程後に前記パネル基板と封止基板とで前記自発光部を封止する封止工程と
を有することを特徴とする光デバイスの製造方法。 A method of manufacturing an optical device in which at least one self-light-emitting portion formed on a panel substrate is sealed,
A self-light-emitting part forming step of forming at least one self-light-emitting part on the panel substrate;
A curing step of performing a curing process on a part of the adhesive layer formed in advance in the form of a sheet or the adhesive layer formed on the sealing substrate;
And a sealing step of sealing the self-luminous portion with the panel substrate and the sealing substrate after the curing step.
パネル基板上に少なくとも一つの自発光部を形成する自発光部形成工程と、
接着層の一方の面側に剥離シートが配置され、光硬化型又は熱硬化型の前記接着層に硬化部および非硬化部を形成する硬化工程と、
当該接着層の他方の面側を封止基板に貼り付けた状態で、前記剥離シートとともに前記硬化部を前記封止基板から剥離して硬化部を除去し、接着層を当該封止基板上に形成する封止部材形成工程と、
前記接着層の硬化部を除いた前記非硬化部を介して前記封止基板により前記自発光部を封止する封止工程と、
を有することを特徴とする光デバイスの製造方法。 A method of manufacturing an optical device in which at least one self-light-emitting portion formed on a panel substrate is sealed,
A self-light-emitting part forming step of forming at least one self-light-emitting part on the panel substrate;
A curing step in which a release sheet is disposed on one surface side of the adhesive layer, and a cured part and a non-cured part are formed in the adhesive layer of photo-curing type or thermosetting type;
With the other surface side of the adhesive layer attached to a sealing substrate, the cured portion is peeled from the sealing substrate together with the release sheet to remove the cured portion, and the adhesive layer is placed on the sealing substrate. A sealing member forming step to be formed;
A sealing step of sealing the self-luminous portion by the sealing substrate through the non-cured portion excluding the cured portion of the adhesive layer;
An optical device manufacturing method comprising:
パネル基板上に複数の自発光部を形成する自発光部形成工程と、
接着層の一方の面側に剥離シートが配置され、他方の面側に封止基板が載置された光硬化型又は熱硬化型の前記接着層に、非硬化部及び前記封止基板側の一部に硬化部を形成する硬化工程と、
前記剥離シートとともに前記硬化部の形成領域以外の前記非硬化部を前記封止基板から剥離して当該非硬化部を除去し、接着層を前記封止基板上に形成する封止部材形成工程と、
前記接着層を介して前記封止基板により前記自発光部を封止する封止工程と、
を有することを特徴とする光デバイスの製造方法。 A method of manufacturing an optical device in which at least one self-light-emitting portion formed on a panel substrate is sealed,
A self-light-emitting portion forming step of forming a plurality of self-light-emitting portions on the panel substrate;
A release sheet is disposed on one side of the adhesive layer, and a sealing substrate is placed on the other side of the photo-curing or thermosetting adhesive layer. A curing step for forming a cured portion in part;
A sealing member forming step of peeling the non-cured portion other than the formation region of the cured portion together with the release sheet from the sealing substrate to remove the non-cured portion, and forming an adhesive layer on the sealing substrate. ,
A sealing step of sealing the self-luminous part with the sealing substrate through the adhesive layer;
An optical device manufacturing method comprising:
パネル基板上に少なくとも一つの自発光部を形成する自発光部形成工程と、
光硬化型又は熱硬化型の接着層の一方の面側に剥離シートが配置され、当該接着層の他方の面側を封止基板に貼り付けた状態で、前記接着層に硬化部および非硬化部を形成する硬化工程と、
所定形状に前記硬化部および非硬化部を形成した状態で、前記封止基板上に形成した接着層の非硬化部を介して当該封止基板により前記自発光部を封止する封止工程と、
前記封止工程後に前記パネル基板を複数に分割又は不要分の除去とともに、前記接着層の硬化部を除去して光デバイスを形成する分割・除去工程と、
を有することを特徴とする光デバイスの製造方法。 A method of manufacturing an optical device in which at least one self-light-emitting portion formed on a panel substrate is sealed,
A self-light-emitting part forming step of forming at least one self-light-emitting part on the panel substrate;
A release sheet is disposed on one side of the photo-curing type or thermosetting type adhesive layer, and the other part of the adhesive layer is attached to the sealing substrate. A curing step to form a part;
A sealing step of sealing the self-luminous portion with the sealing substrate through the non-curing portion of the adhesive layer formed on the sealing substrate in a state where the cured portion and the non-curing portion are formed in a predetermined shape; ,
A division / removal step of forming the optical device by dividing the panel substrate into a plurality of parts after the sealing step or removing unnecessary portions, and removing the cured portion of the adhesive layer;
An optical device manufacturing method comprising:
前記封止時に、前記引出し配線上に前記記接着層の前記非硬化部を貼り付けないことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一に記載の光デバイスの製造方法。 On the panel substrate, the self-luminous part and the lead wiring are formed,
The method for manufacturing an optical device according to claim 1, wherein the non-cured portion of the adhesive layer is not pasted on the lead-out wiring at the time of sealing.
シート状の光硬化型又は熱硬化型の接着層に硬化処理を施して、所定形状の硬化部および非硬化部を備える前記接着層を、前記封止基板上に形成し、前記硬化部を除去し、且つ、前記封止基板を前記接着層の前記非硬化部を介して前記自発光部上に貼り付けて、前記自発光部を封止して形成されていることを特徴とする光デバイス。 An optical device in which a self-luminous part formed on a panel substrate is sealed with a sealing substrate via an adhesive layer,
The sheet-like photo-curing type or thermo-curing type adhesive layer is cured to form the adhesive layer including a cured part and a non-cured part having a predetermined shape on the sealing substrate, and the cured part is removed. And the sealing substrate is formed on the self-luminous portion by pasting the sealing substrate through the non-cured portion of the adhesive layer, and sealing the self-luminous portion. .
前記基板上に形成された自発光素子の周囲に形成された隔壁を有し、
前記隔壁間に前記接着層が形成されていることを特徴とする光デバイス。 An optical device comprising a self-luminous part comprising one or more self-luminous elements on a substrate, wherein the self-luminous part is sealed with a sealing substrate,
Having a partition wall formed around a self-luminous element formed on the substrate;
An optical device, wherein the adhesive layer is formed between the partition walls.
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