JP2007270248A - 薄膜成膜方法、磁気記録媒体の成膜方法および磁気記録ディスクの製造方法 - Google Patents
薄膜成膜方法、磁気記録媒体の成膜方法および磁気記録ディスクの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】成膜装置200において基板搬送経路220に沿って配置された複数の成膜室101〜110のうち、成膜室104での成膜を終えた基板については、基板搬送経路220に沿って1周あるいは2周以上の巡回を行わせるとともに、この巡回期間中はいずれの成膜室101〜110においても、この基板に対する成膜を中断する。そして、基板が巡回を終えて、所定の成膜室104の次段に位置する成膜室105に到達した以降、成膜室105〜110での基板に対する成膜を開始する。従って、成膜装置200から基板を取り出さなくても、従来の成膜装置の運転条件を変更するだけで、所定の成膜と成膜との間にウエイトタイムを設けることができる。
【選択図】 図2
Description
図1(a)および(b)はそれぞれ、磁気記録ディスクを示す平面図、および磁気記録ディスクの概略断面図である。これらの図に示すように、本形態の磁気記録ディスク1は、中心穴111を備えた円形の非磁性基板11の表面に、付着層12、軟磁性材層13、シード層14、下地層15、磁気記録層16、磁性層17、保護層18および潤滑層19が下側からこの順に形成された構造を有している。非磁性基板11は、アモルファス、結晶化などのガラス基板、NiPメッキを施したAl合金等であり、本例では、アルミノシリケートガラスなどの化学強化ガラスが用いられている。
図2を参照して成膜装置の構成を説明する。図2は、成膜装置の要部の平面構成を模式的に示す説明図である。
図2に示す成膜装置200の基本動作を説明する。まず、搬入機構によって第1番目の非磁性基板11が真空チャンバー210内の仕込室140に搬入される。
次に、図2を参照して説明した成膜装置200を用いて磁気記録ディスクを製造する方法を説明する。図3は、本発明を適用した磁気記録ディスクを製造する際の成膜装置200の1サイクル分の動作を示す説明図であり、時間T1〜T36に伴って、基板が各成膜室101〜110に移動する状態を示してある。また、図3において、各欄に示された数字は、搬入された基板の順番を示してある。さらに、図3において、基板の順番を示す数字を丸で囲んだ場所で成膜が行われ、数字を丸で囲んでいない場所では成膜が行われないことを示している。かかる動作は制御装置によって制御される。なお、図3に示す動作例は、冷却のための巡回が基板搬送経路に沿って1周行われる例である。
以上説明したように、本形態では、基板搬送経路220に沿って配置された複数の成膜室101〜110のうち、成膜室104での成膜を終えた基板については、基板搬送経路220に沿って1周あるいは2周以上の巡回を行わせるとともに、この巡回期間中はいずれの成膜室101〜110においても、この基板に対する成膜を中断する。そして、基板が巡回を終えて、所定の成膜室104の次段に位置する成膜室105に到達した以降、成膜室105〜110での基板に対する成膜を開始する。従って、成膜装置200から基板を取り出さなくても、従来の成膜装置の運転条件を変更するだけで、所定の成膜と成膜との間にウエイトタイムを設けることができる。従って、新たな設備投資が不要であり、かつ、スループットも高い。また、所定の成膜と成膜との間にのみウエイトタイムを設けることができ、他の成膜と成膜との間に不要なウエイトタイムが挿入されないので、不要な結晶配向性の劣化を防ぐことができる。
上記の説明では、説明の簡略化することを目的に、冷却のための巡回を1回に設定したが、基板の冷却が不足する場合、基板の巡回数を増やすことで所定の温度まで冷却することができる。そこで、本形態の製造方法を採用した場合において、下地層15を構成するRu層をX線による分析した際のRu(002)面の半値幅、磁気記録層16を形成するCoCrPtSiO2膜をX線による分析した際のCo(002)面の半値幅、磁気記録ディスク1を製造した際のS/N比(電磁変換特性の信号とノイズの強度比)、および、熱による偏析の乱れの指標として保磁力Hc(Oe)を測定したところ、表1に示す結果が得られた。なお、結晶配向性は、X線評価装置により測定したものであり、電磁変換特性は、スピンスタンドテスターを用いてSPT/GMRヘッドにより測定したものである。
以下に説明する比較例に係る製造方法を採用した場合の磁気記録ディスクの特性を図4および表1を参照して説明する。図4は、各比較例に係る磁気記録ディスクの構成を模式的に表した説明図である。なお、本発明の実施の形態に対応する層については同一の符号を付してある。
上記形態では、磁気記録層16に用いるグラニュラー膜を好適に形成するために冷却(巡回)を行う例であったが、他の目的で成膜と成膜との間に冷却(巡回)を行う場合に本発明を適用してもよい。
11 非磁性基板(基体)
12 付着層
13 軟磁性材層
14 シード層
15 下地層
16 磁気記録層
17 磁性層
18 保護層
19 潤滑層
101〜110 成膜室
140 仕込室
150 取出室
200 成膜装置
220 搬送路
230 真空チャンバー
Claims (5)
- 複数の基体が順次、投入される環状の基体搬送経路に沿って複数の成膜部を配置しておき、当該基体搬送経路に沿って前記基体を搬送することにより当該基体に対して複数の薄膜を順次形成する薄膜成膜方法において、
前記複数の成膜部のうち、所定の成膜部での成膜を終えた基体については前記基体搬送経路に沿って1周以上の巡回を行わせるとともに、当該巡回の期間中はいずれの成膜部においても当該基体に対する成膜を中断し、
当該基体が前記巡回を終えて前記所定の成膜室の次段に位置する成膜室に到達した後、当該基体に対する成膜を開始することを特徴とする薄膜成膜方法。 - 複数枚の非磁性基板が順次、投入される環状の基板搬送経路に沿って複数の成膜部を配置しておき、当該基板搬送経路に沿って前記非磁性基板を搬送することにより当該非磁性基板に対して磁気記録層を含む複数の薄膜を順次形成する磁気記録媒体の成膜方法において、
前記複数の成膜部のうち、所定の成膜部での成膜を終えた非磁性基板については前記基板搬送経路に沿って1周以上の巡回を行わせるとともに、当該巡回の期間中はいずれの成膜部においても当該非磁性基板に対する成膜を中断し、
当該非磁性基板が前記巡回を終えて前記所定の成膜室の次段に位置する成膜室に到達した後、当該非磁性基板に対する成膜を開始することを特徴とする磁気記録媒体の成膜方法。 - 前記複数の成膜部の各々に前記非磁性基板を投入して複数枚の非磁性基板の各々に前記複数の薄膜の全てを形成する複数枚分の成膜工程を1サイクルとしたとき、
今回のサイクルを行っている途中において、前記複数の成膜部のうち、前記複数の薄膜の全ての形成が終了した非磁性基板の搬出により空いた成膜室に対して、次回のサイクルで成膜工程を行う非磁性基板を順次、投入していくことを特徴とする請求項2に記載の磁気記録媒体の成膜方法。 - 前記磁気記録層はグラニュラー膜からなる垂直磁気記録層であり、
前記複数の薄膜には、前記垂直磁気記録層の下層側に形成された軟磁性材層が含まれ、
前記軟磁性材層を形成した後、前記垂直磁気記録層を形成する前に前記巡回を行うことを特徴とする請求項2または3に記載の磁気記録媒体の成膜方法。 - 請求項2ないし4のいずれかの項に記載された成膜方法を用いた磁気記録ディスクの製造方法。
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