JP2007265862A - 酸化マグネシウム薄膜及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】従来の塗布法により製造された酸化マグネシウム薄膜よりも、ＡＣ型ＰＤＰの放電電圧の低減効果が大きく、かつ工業的に製造が容易な、酸化マグネシウム薄膜を提供する。
【解決手段】酸化マグネシウム結晶相と非晶質相とからなり、一方の側の表面領域における非晶質相に対する結晶相の比率が中央領域における非晶質相に対する結晶相の比率よりも高いことを特徴とする酸化マグネシウム薄膜。
【選択図】図１

Description

本発明は、交流型プラズマディスプレイパネルの誘電体層の保護膜として有用な酸化マグネシウム薄膜、及びその酸化マグネシウム薄膜の製造方法に関する。

交流型プラズマディスプレイパネル（以下、ＡＣ型ＰＤＰということがある）は、表示電極（放電電極ともいう）、誘電体層、そして誘電体層を保護するための誘電体層保護膜がこの順で積層されている前面板（フロントカバープレートともいう）と、アドレス電極、隔壁、そして赤、緑、青の紫外線励起蛍光体からなる蛍光体層とが配設された背面板（バックプレートともいう）とを、それぞれ保護膜と蛍光体層とが放電ガスが充填された空間を挟んで互いに向き合うように配置した構成となっている。

誘電体層保護膜には、二次電子放出能が高く、耐スパッタ性の高い酸化マグネシウム薄膜が一般的に利用されている。この誘電体層保護膜用の酸化マグネシウム薄膜の製造には、電子ビーム蒸着法（ＥＢ蒸着法）が広く利用されている。

誘電体層保護膜の酸化マグネシウム薄膜は、ＡＣ型ＰＤＰの放電電圧などの特性に大きな影響を与えることから、酸化マグネシウム薄膜の改良について種々の試みがなされている。

特許文献１には、化学蒸着法（ＣＶＤ法）を用いて、表面粗さが３０ｎｍ以上の酸化マグネシウム薄膜を製造することが開示されている。この特許文献１には、酸化マグネシウム薄膜の表面を粗くして、実質上の表面積を大きくすることにより、酸化マグネシウム薄膜の二次電子放出係数が向上し、ＡＣ型ＰＤＰの放電電圧の低減効果が大きくなると記載されている。

また、酸化マグネシウム薄膜の製造方法として、加熱によって酸化マグネシウムを形成するマグネシウム化合物の溶液、あるいは酸化マグネシウム微粒子の分散液を塗布し、加熱焼成して酸化マグネシウム薄膜を製造する塗布法も検討されている。塗布法は、ＥＢ蒸着法と比べて、薄膜製造のための設備が安価で、かつ生産性が高いという利点がある。

特許文献２には、特定のマグネシウム−有機化合物を含む溶液を用いて酸化マグネシウム薄膜を製造する方法が開示されている。
特許文献３には、酸化マグネシウム粉末と焼成により酸化マグネシウムバインダーを形成するマグネシウム前駆体とを含有する、酸化マグネシウム微粒子分散液を用いて酸化マグネシウム薄膜を製造する方法が開示されている。

塗布法で形成された酸化マグネシウム薄膜は、結晶性が低い等の理由からＥＢ蒸着法で形成された酸化マグネシウム薄膜と比べて、ＡＣ型ＰＤＰの放電電圧の低減効果が低くなり易い傾向にある。このため、塗布法により成形された酸化マグネシウム薄膜を改質してＡＣ型ＰＤＰの放電電圧の低減効果を向上させることが検討されている。

特許文献４には、塗布法によって形成された酸化マグネシウム薄膜にレーザ光を照射して、酸化マグネシウム薄膜を加熱することにより、非晶質を結晶に改質する方法が開示されている
特開平１１−３６６５号公報 特開２００１−３１６８１号公報 特開平９−１２９４０号公報 特開２００２−７５１７３号公報

本発明の目的は、従来のＥＢ蒸着法や塗布法により形成された酸化マグネシウム薄膜よりも、ＡＣ型ＰＤＰの放電電圧の低減効果が大きく、かつ工業的に製造が容易な、酸化マグネシウム薄膜を提供することにある。

本発明は、酸化マグネシウム結晶相と非晶質相とからなり、一方の側の表面領域における非晶質相に対する結晶相の比率が中央領域における非晶質相に対する結晶相の比率よりも高いことを特徴とする酸化マグネシウム薄膜にある。

本発明の酸化マグネシウム薄膜の好ましい態様は次の通りである。
（１）酸化マグネシウム結晶相の平均結晶子径が１〜３０ｎｍの範囲にある。
（２）上記表面領域の表面積の実測値が投影面積に対して１．３〜２倍の範囲の値を示す。
（３）上記表面領域の表面の二乗平均粗さが１２〜２０ｎｍの範囲にある。
（４）上記表面領域の表面の中心線平均粗さが１０〜５０ｎｍの範囲にある。
（５）上記表面領域の表面の最大の高低差が７０〜１２０ｎｍの範囲にある。
（６）交流型プラズマディスプレイパネルの誘電体層の保護膜である。

本発明はまた、基板の上に塗布法により形成された、酸化マグネシウム結晶相と非晶質相とからなる酸化マグネシウム薄膜の表面に紫外線レーザ光を照射して、薄膜の表層領域の非晶質相を部分的に気化除去することからなる上記本発明の酸化マグネシウム薄膜の製造方法にもある。

本発明の酸化マグネシウム薄膜を誘電体層保護膜として用いたＡＣ型ＰＤＰは、ＥＢ蒸着法あるいは塗布法により形成された従来の酸化マグネシウム薄膜を誘電体層保護膜に用いたＡＣ型ＰＤＰと比べて、放電開始電圧や放電維持電圧などの放電電圧が低くなる。また、本発明の酸化マグネシウム薄膜の製造方法を利用することによって、ＡＣ型ＰＤＰの放電電圧の低減効果が大きい酸化マグネシウム薄膜を工業的に有利に製造することが可能となる。

図１は、本発明の酸化マグネシウム薄膜の構成を概念的に表した断面図である。図１において、基板１１の上に形成されている酸化マグネシウム薄膜１２は、酸化マグネシウム結晶相１３と非晶質相１４とからなる。酸化マグネシウム薄膜１２の表面領域における非晶質相１４に対する結晶相１３の比率（結晶相／非晶質相）は、中央領域（厚み方向に沿って中央となる領域）における非晶質相１４に対する結晶相１３の比率よりも高くなっており、薄膜１２の表面には、多数個の結晶相１３が露出している。酸化マグネシウム薄膜１２の表面領域における結晶相１３の比率が、中央領域における結晶相１３の比率よりも高くなっていることは、薄膜断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて観察することによって確認することができる。なお、本発明において酸化マグネシウム薄膜の表面領域とは、膜表面から５０ｎｍの深さまでの領域をいう。

本発明の酸化マグネシウム薄膜は、上記表面領域において多数個の結晶相が露出している結果、表面が粗くなる。本発明の酸化マグネシウム薄膜は、薄膜表面の粗さの指標として、薄膜表面の表面積の実測値が投影面積に対して１．３〜２倍の範囲の値を示すことが好ましい。薄膜表面の二乗平均粗さは１２〜２０ｎｍの範囲にあることが好ましい。薄膜表面の中心線平均粗さは１０〜５０ｎｍの範囲にあることが好ましい。薄膜表面の最大の高低差は７０〜１２０ｎｍの範囲にあることが好ましい。

本発明の酸化マグネシウム薄膜において、表面に露出している結晶相は平均結晶子径が１〜３０ｎｍの範囲にあることが好ましい。
本発明の酸化マグネシウム薄膜は、厚さが、０．１〜２０μｍの範囲内にあることが好ましく、０．１〜５μｍの範囲内にあることが特に好ましい。

図２は、従来の塗布法により形成された酸化マグネシウム薄膜の構成を概念的に表した断面図である。図２において、基板２１の上に形成されている酸化マグネシウム薄膜２２は、酸化マグネシウム結晶相２３と非晶質相２４とからなる。従来の塗布法により形成された酸化マグネシウム薄膜２２においても、薄膜表面には結晶相２３が露出している。但し、酸化マグネシウム薄膜２２の表面領域における非晶質相２４に対する結晶相２３の比率が中央領域における非晶質相２４に対する結晶相２３の比率と同一であり、表面領域に露出している結晶相の比率は、図１に示した本発明の酸化マグネシウム薄膜１２と比べると少ない。本発明の酸化マグネシウム薄膜は、従来の塗布法により形成された酸化マグネシウム薄膜と比べて、ＡＣＰ型ＰＤＰの放電の起点となる結晶相が薄膜表面に多数存在するため、放電開始電圧や放電維持電圧などの放電電圧の低減効果が高くなる。また、非晶質相は結晶相よりもプラズマに対する耐久性が低いので、薄膜表面領域での非晶質相の割合が少ない本発明の酸化マグネシウム薄膜は、従来の塗布法により形成された酸化マグネシウム薄膜と比べて安定性が向上する効果がある。

図３は、従来のＥＢ蒸着法により形成された酸化マグネシウム薄膜の構成を概念的に表した断面図である。図３において、基板３１の上に形成されている酸化マグネシウム薄膜３２は、柱状の酸化マグネシウム結晶相３３からなる。従来のＥＢ蒸着法により形成された酸化マグネシウム薄膜３２は、薄膜全体が結晶相３３で形成されている。但し、酸化マグネシウム薄膜３２は、図１に示した本発明の酸化マグネシウム薄膜１２と比べると、表面が平坦である。本発明の酸化マグネシウム薄膜は、従来のＥＢ蒸着法により形成された酸化マグネシウム薄膜と比べて、膜表面の実効面積が広いため、放電開始電圧や放電維持電圧などの放電電圧の低減効果が高くなる。また、非晶質相は結晶相よりも紫外光の吸収性が高いため、非晶質相を有する本発明の酸化マグネシウム薄膜は、従来のＥＢ蒸着法により形成された酸化マグネシウム薄膜と比べて紫外線を吸収して、外部に放出しにくくする効果がある。

本発明の酸化マグネシウム薄膜からなるＡＣ型ＰＤＰの誘電体層保護膜は、誘電体層が形成された基板の上に塗布法により、酸化マグネシウム結晶相と非晶質相とからなる酸化マグネシウム薄膜を形成し、次いでその酸化マグネシウム薄膜の表面に紫外線レーザ光を照射して、薄膜の表層領域の非晶質相を部分的に気化除去することからなる方法により工業的に有利に製造することができる。

ＡＣ型ＰＤＰの誘電体層を構成する材料の例としては、酸化亜鉛、三酸化二ホウ素及び酸化ケイ素の混合物（ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂）を主成分とするガラス組成物、酸化鉛、三酸化二ホウ素及び酸化ケイ素の混合物（ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂）を主成分とするガラス組成物、酸化鉛、三酸化二ホウ素、酸化ケイ素及び酸化アルミニウムの混合物（ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃）を主成分とするガラス組成物、酸化鉛、酸化亜鉛、三酸化二ホウ素及び酸化ケイ素の混合物（ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂）を主成分とするガラス組成物が挙げられる。

酸化マグネシウム薄膜は、基板の上に酸化マグネシウム源を含む塗布液を塗布して、塗布膜を形成し、次いでこの塗布膜を加熱焼成することによって形成することができる。塗布液の基板へ塗布方法としては、スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法、ロールコート法、メニスカスコート法、バーコート法、流延法等の手法が適用できる。塗布膜を酸化マグネシウム薄膜とする際の加熱焼成温度は、一般に４５０〜６００℃の範囲にある。

酸化マグネシウム薄膜の形成用の塗布液には、加熱によって酸化マグネシウムを形成するマグネシウム化合物の溶液及び酸化マグネシウム微粒子の分散液からなる塗布液を用いることができる。塗布液は、マグネシウム化合物の溶液であることが好ましい。

加熱によって酸化マグネシウムを形成するマグネシウム化合物の例としては、マグネシウムの硝酸塩、酢酸塩、硫酸塩、塩化物、フッ化物、炭酸塩、シュウ酸塩、アセチルアセトネート化合物、及びメトキシド、エトキシド、ブトキシド等のアルコキシド化合物が挙げられる。特に好ましいのは、マグネシウムの硝酸塩である。塗布液中のマグネシウム化合物の濃度は、塗布液の全組成物の質量を基準として１〜２５質量％の範囲にあることが好ましい。

塗布液の溶媒には、多価アルコールと有機酸との混合液、ゲル化剤との接触によりゲル化する有機物溶液又は感光性樹脂溶液を用いることが好ましい。

多価アルコールと多塩基有機酸との混合液において、多価アルコールの例としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール及びグリセリンが挙げられる。有機酸は、カルボキシ基を二つ以上有するものが好ましい。有機酸の例としては、クエン酸、酢酸、乳酸、コハク酸、グルコン酸、フマル酸、リンゴ酸、酒石酸及びイタコン酸が挙げられる。多価アルコールと有機酸との配合割合は、多価アルコール１００質量部に対して有機酸が７０〜３００質量部の範囲となる量であることが好ましい。混合物溶媒中の有機酸の濃度は、混合物溶媒全量に対して１０〜５０質量％の範囲にあることが好ましい。

溶媒が多価アルコールと有機酸との混合液からなる塗布液を用いる場合は、加熱焼成により塗布膜を酸化マグネシウム薄膜とする前に、塗布膜を加熱して多価アルコールと有機酸とをエステル縮合させて、塗布膜を固化させることが好ましい。塗布膜を加熱焼成する前に塗布膜を固化させることによって、加熱焼成時の塗布膜の熱収縮が低減し、生成する酸化マグネシウム薄膜に亀裂が生じたり、基板から剥離したりしにくくなる。塗布膜を固化させる際の加熱温度は、６０〜３５０℃の範囲にあることが好ましく、２５０〜３５０℃の範囲にあることが特に好ましい。

ゲル化剤との接触によりゲル化する有機物溶液の例としては、アルギン酸塩の水溶液が挙げられる。アルギン酸塩の例としては、アルギン酸ナトリウム、アルギン酸アンモニウムが挙げられる。アルギン酸塩水溶液中のアルギン酸濃度は、水溶液全量に対して５〜２０質量％の範囲にあることが好ましい。

溶媒がゲル化剤との接触によりゲル化する有機物溶液からなる塗布液を用いて酸化マグネシウム薄膜を形成する場合は、加熱焼成により塗布膜を酸化マグネシウム薄膜とする前に、塗布膜をゲル化剤に接触させて、塗布膜を固化させることが好ましい。

感光性樹脂溶液は、波長２００〜４８０ｎｍの光にて固化するネガ型であることが好ましい。ネガ型感光性樹脂溶液の例としては、ポリビニルアルコールやビニルモノマー等にけい皮酸基を反応させたポリけい皮酸類に光増感剤としてＮ−アセチル４−ニトロ１−ナフチルアミンや２，４，６−トリニトロアニリンなどを添加した水溶液、あるいはフェノール系樹脂に光増感剤としてビスアジドを添加したアルコール溶液が挙げられる。

溶媒が感光性樹脂溶液からなる塗布液を用いて酸化マグネシウム薄膜を形成する場合は、加熱焼成により塗布膜を酸化マグネシウム薄膜とする前に、塗布膜に光を照射して、塗布膜を固化させることが好ましい。

本発明では、上記のようにして形成された酸化マグネシウム結晶相と非晶質相とからなる酸化マグネシウム薄膜の表面に紫外線レーザ光を照射して、薄膜の表層領域の非晶質相を部分的に気化除去する。紫外線レーザの光源の例としては、Ｆ₂（波長１５７ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）、ＫｒＣｌ（波長２２２ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌ（波長３０８ｎｍ）及びＸｅＦ（波長３５１ｎｍ）などのエキシマレーザが挙げられる。

［評価パネル］
酸化マグネシウム薄膜の評価は、図４及び図５に示す構成の評価パネルを用いて行った。
図４は、評価パネルの平面図であり、図５は、図４の主要部拡大図である。評価パネルは、ガラス基板４１、ガラス基板４１の上に形成された二本の電極線４２ａ、４２ｂからなる十組の放電電極４３と、放電電極４３の電極線４２ａ、４２ｂを外部に接続するための取り付け用電極４４ａ、４４ｂ、そして放電電極４３を覆うように形成された誘電体層４５からなる。ガラス基板４１のサイズは、縦５０ｍｍ×横５０ｍｍであり、二本の電極線４２ａ、４２ｂ（幅はいずれも０．３ｍｍ）のギャップは０．１ｍｍであり、各放電電極４３のギャップは０．２ｍｍである。電極線４２ａ、４２ｂと、取り付け用電極４４ａ、４４ｂとの接点部分の幅は０．５ｍｍである。誘電体層は、酸化鉛、三酸化二ホウ素及び酸化ケイ素の混合物（ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂）からなり、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×厚さ２００μｍである。評価対象の酸化マグネシウム薄膜は、誘電体層を覆うように形成する。

［酸化マグネシウム薄膜の結晶相のサイズの測定方法］
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて撮影した酸化マグネシウム薄膜表面の拡大写真から、任意の２０個の結晶相の直径を測定して、その平均を算出する。

［酸化マグネシウム薄膜表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）、二乗平均粗さ（Ｒｍｓ）、最大高低差（Ｒｍａｘ）、表面積増加比の測定方法］
原子間力顕微鏡を用いて測定する。測定範囲は１μｍ×１μｍとして、酸化マグネシウム薄膜表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）、最大高さ（Ｒｍａｘ）、表面積増加比（実測面積／投影面積（１μｍ²））を測定する。

［放電特性の評価方法］
評価パネルの取り付け用電極に、高電圧パルス発生装置を取り付ける。評価用パネルを上部に観察窓が設けられている密閉容器に、評価用パネルの放電電極が観察窓が見える位置に配置する。密閉容器の内圧を０．１３Ｐａ（１×１０^-3Ｔｏｒｒ）以下まで減圧する。続いて、密閉容器にＨｅ：９５体積％、Ｘｅ：５体積％からなる混合ガスが大気圧となるまで充填する。この操作を３回繰り返した後、密閉容器の内圧を、混合ガスにて６．６７×１０⁴Ｐａ（５００Ｔｏｒｒ）に調製する。その後、高圧パルス発生装置により、評価パネルの取り付け電極に方形波形の電圧を加えて、放電状態を観察する。具体的には、電圧を徐々に増加させて行き、放電が開始した電圧を放電開始電圧とし、次に電圧を徐々に減少させて行き、放電電極の放電が、十組中で一組でも途切れた電圧を放電維持電圧とする。

［実施例１］
エチレングリコール４６質量部に、硝酸マグネシウム六水和物１９質量部を加えて撹拌して溶解させた。この溶液にクエン酸３５質量部を添加し、次いで１３０℃の温度に加熱して、エチレングリコールとクエン酸とを部分的に縮重合させて、酸化マグネシウム薄膜形成用塗布液を調製した。

上記の酸化マグネシウム薄膜形成用塗布液を、前記評価用パネルにスピンコート法により塗布して、厚さ０．２μｍの塗布膜を形成した。この塗布膜付き評価パネルを大気中で２５０℃の温度で３０分間加熱処理して塗布膜を固化させた後、さらに大気中で５５０℃の温度で１時間焼成して、酸化マグネシウム薄膜を形成した。得られた酸化マグネシウム薄膜の表面を、透過型電子顕微鏡を用いて観察したところ、酸化マグネシウム結晶相が非晶質相に分散された状態で存在していることが確認された。

次いで、得られた酸化マグネシウム薄膜の表面に、ＡｒＦエキシマレーザ（ラムダフィジック（株）製、ＣＯＭＰｅｘ２０１、波長１９３ｎｍ）を３００ｍＪ／ｃｍ²に集光して１０パルス照射した。レーザ照射後の酸化マグネシウム薄膜の断面を、透過型電子顕微鏡を用いて観察したところ、表面から約５０ｎｍの領域における非晶質相に対する結晶相の比率が、膜の中央領域における非晶質相に対する結晶相の比率よりも高くなっていることが確認された。酸化マグネシウム薄膜の平均結晶子径は、２５ｎｍであり、平均粗さ（Ｒａ）は１１．９ｎｍ、二乗平均粗さ（Ｒｍｓ）は１５．３ｎｍ、最大高低差（Ｒｍａｘ）は１１３ｎｍ、表面積増加比は１．４７であった。また、放電開始電圧は４０８Ｖ、放電維持電圧は３２９Ｖであった。

［比較例１］
酸化マグネシウム薄膜の表面にＡｒＦエキシマレーザを照射しなかった以外は、実施例１と同様にして酸化マグネシウム薄膜を形成した。得られた酸化マグネシウム薄膜の断面を、透過型電子顕微鏡を用いて観察したところ、非晶質相に対する結晶相の比率は膜全体でほぼ均一であることが確認された。酸化マグネシウム薄膜の平均結晶子径は、２０ｎｍであり、平均粗さ（Ｒａ）は１．７９ｎｍ、二乗平均粗さ（Ｒｍｓ）は２．５６ｎｍ、最大高低差（Ｒｍａｘ）は２７．３ｎｍ、表面積増加率は１．０４であった。また、放電開始電圧は４２４Ｖ、放電維持電圧は３８２Ｖであった。

［比較例２］
酸化マグネシウム薄膜を、ＥＢ蒸着法を用いて評価パネルの誘電体膜の上に形成した。得られた酸化マグネシウム薄膜の断面を、透過型電子顕微鏡を用いて観察したところ、酸化マグネシウム薄膜は直径５０〜１００ｎｍの柱状結晶から形成されていることが確認された。酸化マグネシウム薄膜の平均粗さ（Ｒａ）は１０．６ｎｍ、二乗平均粗さ（Ｒｍｓ）は１１．５ｎｍ、最大高低差（Ｒｍａｘ）は７０．０ｎｍ、表面積増加率は１．２８であった。また、放電開始電圧は４２５Ｖ、放電維持電圧は３９２Ｖであった。

実施例１、比較例１及び比較例２で得られた酸化マグネシウム薄膜の平均粗さ（Ｒａ）、二乗平均粗さ（Ｒｍｓ）、最大高低差（Ｒｍａｘ）、表面積増加比、並びに酸化マグネシウム薄膜付き評価パネルの放電開始電圧、放電維持電圧を下記の表１にまとめて示す。

表１
────────────────────────────────────────
Ｒａ Ｒｍｓ Ｒｍａｘ 表面積増 放電開始 放電維持
（ｎｍ） （ｎｍ） （ｎｍ） 加比（−） 電圧（Ｖ） 電圧（Ｖ）
────────────────────────────────────────
実施例１ １１．９ １５．３ １１３ １．４７ ４０８ ３２９
────────────────────────────────────────
比較例１ １．７９ ２．５６ ２７．３ １．０４ ４２４ ３８２
比較例２ １０．６ １１．５ ７０．０ １．２８ ４２５ ３９２
────────────────────────────────────────

表１の結果から、本発明に従う酸化マグネシウム薄膜は、従来のＥＢ蒸着法や塗布法により形成された酸化マグネシウム薄膜と比べて、ＡＣ型ＰＤＰの放電電圧の低減効果が大きくなることが分かる。

本発明の酸化マグネシウム薄膜の構成を概念的に表した断面図である。 従来の塗布法により形成された酸化マグネシウム薄膜の構成を概念的に表した断面図である。 従来のＥＢ蒸着法により形成された酸化マグネシウム薄膜の構成を概念的に表した断面図である。 本実施例で使用した評価パネルの平面図である。 図４の主要部拡大図である。

符号の説明

１１ 基板
１２ 酸化マグネシウム薄膜
１３ 酸化マグネシウム結晶相
１４ 非晶質相
２１ 基板
２２ 酸化マグネシウム薄膜
２３ 酸化マグネシウム結晶相
２４ 非晶質相
３１ 基板
３２ 酸化マグネシウム薄膜
３３ 酸化マグネシウム結晶相
４１ ガラス基板
４２ａ、４２ｂ 電極線
４３ 放電電極
４４ａ、４４ｂ 取り付け用電極
４５ 誘電体層

Claims (8)

1. 酸化マグネシウム結晶相と非晶質相とからなり、一方の側の表面領域における非晶質相に対する結晶相の比率が中央領域における非晶質相に対する結晶相の比率よりも高いことを特徴とする酸化マグネシウム薄膜。
2. 酸化マグネシウム結晶相の平均結晶子径が１〜３０ｎｍの範囲にある請求項１に記載の酸化マグネシウム薄膜。
3. 上記表面領域の表面積の実測値が投影面積に対して１．３〜２倍の範囲の値を示す請求項１に記載の酸化マグネシウム薄膜。
4. 上記表面領域の表面の二乗平均粗さが１２〜２０ｎｍの範囲にある請求項１に記載の酸化マグネシウム薄膜。
5. 上記表面領域の表面の中心線平均粗さが１０〜５０ｎｍの範囲にある請求項１に記載の酸化マグネシウム薄膜。
6. 上記表面領域の表面の最大の高低差が７０〜１２０ｎｍの範囲にある請求項１に記載の酸化マグネシウム薄膜。
7. 交流型プラズマディスプレイパネルの誘電体層の保護膜である請求項１に記載の酸化マグネシウム薄膜。
8. 基板の上に塗布法により形成された、酸化マグネシウム結晶相と非晶質相とからなる酸化マグネシウム薄膜の表面に紫外線レーザ光を照射して、薄膜の表層領域の非晶質相を部分的に気化除去することからなる請求項１に記載の酸化マグネシウム薄膜の製造方法。

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