JP2007263891A - 電磁波検出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】不要光に対して高い耐ノイズ性を有する電磁波検出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】試料を透過したテラヘルツ波にて変調された電界変調素子に直線偏光を透過させ、その偏光角の変移を光強度として検出する電磁波検出装置において、２次元配列され、光強度を検出する複数の光電変換素子２０２と、光電変換素子２０２に入射する光を波長分離する光学フィルタ２０５と、を備え、光学フィルタ２０５は、直線偏光の波長域を選択的に透過させる。
【選択図】図２

Description

本発明は、テラヘルツ波を検出する電磁波検出装置に関し、特に、可視光等に対する耐ノイズ性を向上させる技術に関する。

０.１ＴＨｚから１００ＴＨｚまでの周波数の電磁波であるテラヘルツ波は、他の波長の電磁波、例えば、赤外光や可視光、紫外光、Ｘ線といった短波長の電磁波やミリ波、マイクロ波といった長波長の電磁波とは異なって、紙やプラスチック等を透過する一方、水分や薬物については特徴ある吸収特性を示す。この性質に着目して、セキュリティ検査や医療検査、食品分析等の分野においてテラヘルツ波を使った透視検査装置の技術開発が活発に進められている（非特許文献１、２、特許文献１、２を参照）。

図７は、従来技術に係る検査装置の構成を例示する図である（例えば、非特許文献３を参照）。図７に示されるように、検査装置７はレーザ光源７０１、ビームスプリッタ７０２、テラヘルツ光源７０３、ペリクルミラー７０４、電界変調子７０５、検光子７０６、撮像素子７０７及び偏光子７０８を備えている。
レーザ光源７０１から放射されたレーザ光はビームスプリッタ７０２にてポンプ光７１１とプローブ光７１２とに分岐される。

ポンプ光７１１がテラヘルツ光源７０３に入射すると、光励起によってテラヘルツ波７１３が発生する。テラヘルツ波７１３は検査対象７２１とペリクルミラー７０４とを順次透過した後、電界変調子７０５に入射する。
一方、プローブ光７１２は偏光子７０８にて直線偏光にされた後、ペリクルミラー７０４を経て、電界変調子７０５に入射する。

プローブ光７１２は電界変調子中７０５を透過する際に、テラヘルツ波７１３の電界強度に応じて直線偏光から楕円偏光へと変調される。そして、検光子７０６にて偏光状態に応じた光量の光に変換された後、撮像素子７０７にて撮像される。
このようにすれば、検査対象７２１の化学組成の分布が場所ごとに異なる等、テラヘルツ波７１３の透過率が検査対象７２１の部分ごとに異なる場合には、テラヘルツ波７１３が変調されるので、プローブ光も変調される。従って、透過率にて示される検査対象７２１の内部構造を撮像素子７０７にて撮像することができる。
特開平４−２９６４３０号公報 米国特許5,056,111号 Kiyomi Sakai ed., "Terahertz Optoelectronics", Springer Verlag, 2005. 大森 豊明著、「テラヘルツテクノロジー―発生・計測・応用技術・展望」、エヌ・ティー・エス（2005年7月）。 Q.Wu, T.D.Hewitt, and X.-C.Zhang, "Two-dimensional electro-optic imaging of THz beams", Applied Physics Letters, Vol.69, p.1026-p.1028, (1996).

しかしながら、上記撮像素子７０７として、ＣＣＤイメージセンサ等の固体撮像素子を用いる場合には、外光に起因するノイズが発生し得る。これを排除するためには、検査装置７全体を暗室内に設置して、外光の無い状態で検査を行なわなければならない。このため、検査設備が大掛かりになる等、検査装置７の使用条件が著しく制限される。
一方、セキュリティや環境監視、生産管理など、テラヘルツ波を用いた検査装置に対する需要が高まっており、自然光や照明光といった不要光の下でも撮像できることが望まれている。

本発明は、上述のような問題に鑑みて為されたものであって、不要光に対して高い耐ノイズ性を有する電磁波検出装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明に係る電磁波検出装置は、試料を透過したテラヘルツ波にて変調された電界変調素子に直線偏光を透過させ、その偏光角の変移を光強度として検出する電磁波検出装置であって、２次元配列され、光強度を検出する複数の光電変換素子と、光電変換素子に入射する光を波長分離する光学フィルタと、を備え、光学フィルタは、該直線偏光の波長域を選択的に透過させることを特徴とする。

このようにすれば、光学フィルタにて不要光を遮断するので、自然光や照明光の下でも高いＳ／Ｎ比を実現することができる。
この場合において、光学フィルタは、直線偏光の波長域に応じた光学膜厚の誘電体層である中間層を、屈折率を異にし、光学膜厚を同じくする２種類の誘電体層を交互に積層した多層膜にて挟んだ多層膜干渉フィルタであることとすれば好適である。

また、前記多層膜は６層以上の誘電体層からなるとすれば、光電変換素子に入射する信号光と不要光との比、すなわちＳ／Ｎ比を１００以上にすることができる。
また、直線偏光はレーザ光であって、前記多層膜を構成する誘電体層の光学膜厚はそれぞれ当該レーザ光の中心波長の４分の１にほぼ等しいことを特徴とする。このようにすれば、レーザ光の中心波長を中心とする広い波長域の光を遮断して、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。

この場合において、直線偏光はレーザ光であって、前記多層膜を構成する２種類の誘電体層の当該レーザ光の中心波長における屈折率の差が１以上であるとすれば、特に遮断波長域を広くすることができるので、高いＳ／Ｎ比を実現する上で有効である。
また、直線偏光はレーザ光であって、中間層の光学膜厚は当該レーザ光の中心波長の２分の１にほぼ等しいことを特徴とする。このようにすれば、レーザ光の中心波長を中心とする狭い波長域の光を透過させて、高いＳ／Ｎ比を実現することができる。

また、光学フィルタは相異なる波長の光を遮断する２以上の光学フィルタからなることを特徴とする。このようにすれば、ひとつの光学フィルタによっては遮断しきれない広い波長域の不要光を遮断することができる。
この場合において、例えば、光学フィルタは、直線偏光の波長域に応じた光学膜厚の誘電体層である中間層を、屈折率を異にし、光学膜厚を同じくする２種類の誘電体層を交互に積層した前記多層膜にて挟んだ多層膜干渉フィルタと、紫外線吸収フィルタとからなるとすれば良く、紫外線吸収フィルタは四窒化三シリコンからなるとすれば更に好適である。

また、前記レーザ光は、中心波長が７００ｎｍから９００ｎｍまでの範囲内にあることを特徴とする。このようにすれば、レーザ光とテラヘルツ波とが光源を共用することができるので、装置構成を簡略化し、製造コストを低減し、また、可搬性を向上させることができる。
この場合において、前記レーザ光はチタン−サファイア短パルスレーザ光であるするのが望ましい。更に、前記多層膜を構成する誘電体層のうち屈折率が高い方の誘電体層は、前記レーザ光の中心波長について屈折率が３以上であるとすれば、レーザ光の中心波長よりも長波長の光を光学フィルタにて完全に遮断することができる。従って、かかる波長域の光を遮断するために別途光学フィルタを設ける必要がなくなるので、電磁波検出装置の構成を簡略化し、製造コストを低減することができる。

ここで、前記多層膜を構成する誘電体層のうち屈折率が高い方の誘電体層はシリコン、ゲルマニウム、セレン、アルミニウムリン、アルミニウムアンチモン、ガリウムリン、ガリウムアンチモン、インジウムリン、インジウム砒素、インジウムアンチモン、亜鉛テルビウム、鉛イオウ、鉛テルビウム及び三酸化二鉄の何れかであるとすれば、中心波長が７００ｎｍから９００ｎｍまでの範囲内にあるレーザ光の中心波長について屈折率を３以上とすることができる。

また、光電変換素子ごとに入射光を集光する集光手段を備え、光学フィルタは、集光手段を透過した入射光を波長分離することを特徴とする。このようにすれば、より多くの光を光電変換素子に入射させることができるので、電磁波検出装置の感度を向上させることができる。
この場合において、集光手段はレンズであり、前記直線偏光はパルス幅が１ピコ秒以下のパルスレーザ光であるとすれば、光学フィルタの群速度分散によって生じる空間光強度分布の歪みがレンズによって増幅されるのを防ぐことができる。

また、光学フィルタが光電変換素子上に積層されていることを特徴とする。このようにすれば、光学フィルタと光電変換素子との間の距離を最小限に抑えることができるので、迷光が光電変換素子に入射する等して生じるノイズを抑えることができる。また、電磁波検出装置を小型化することができる。
また、光電変換素子は、フォトダイオード、フォトトランジスタ、光導電素子、ショットキーバリアダイオード及び電界効果トランジスタの何れかであることを特徴とする。いずれによっても、暗室を要することなく、不要光を排除して高いＳ／Ｎ比を達成することができる。

以下、本発明に係る電磁波検出装置の実施の形態について、検査装置を例にとり、図面を参照しながら説明する。
（１） 検査装置の構成
先ず、本発明の実施の形態に係る検査装置の構成を説明する。
図１は、本実施の形態に係る検査装置の構成を示す模式図である。

図１に示されるように、本実施の形態に係る検査装置１はレーザ光源１０１、ビームスプリッタ１０２、チョッパ１０３、テラヘルツ光源１０４、レンズ１０５、シリコン板１０６、電界変調子１０７、検光子１０８、撮像素子１０９、信号処理回路１１０、表示装置１１１、光学遅延１１２、ビームエクスパンダ１１３、偏光子１１４及び同期回路１１５を備えている。

レーザ光源１０１はパルス幅１００フェムト秒、周波数１ＭＨｚ、平均パワー５０ｍＷの超短光パルス（ultrashort light pulse）を出力する。
ビームスプリッタ１０２は、レーザ光源１０１が出力した超短光パルスをポンプ光１２１とプローブ光１２２に分岐する。
チョッパ１０３はポンプ光１２１を変調する。

テラヘルツ光源１０４は、３００℃で成長したＧａＡｓを活性層とし、表面に１００μｍの間隔を置いて対向する２つの電極からなり、当該電極間には３０Ｖの直流バイアス電圧が印加されている。
ポンプ光１２１がテラヘルツ光源１０４の上記電極間に入射すると、テラヘルツ光源１０４の裏面から周波数０．１ＴＨｚから５ＴＨｚまでの帯域を有するテラヘルツ波１２３がパルス幅１ピコ秒から１０ピコ秒程度のパルス列として放射される。

なお、テラヘルツ光源を用いてテラヘルツ波を発生させる原理については、非特許文献１に詳述されている。
レンズ１０５はシクロオレフィンからなっており、テラヘルツ波１２３をコリメートして検査対象１３１に照射する。
検査対象１３１は、例えば、金属のようにテラヘルツ波１２３を透過し難い領域１３１ａを内部に有している。このため、検査対象１３１を透過したテラヘルツ波１２３は領域１３１ａを透過したか、領域１３１ａ以外の領域を透過したかによって、強度や位相が異なっている。すなわち、テラヘルツ波１２３による電場は検査対象１３１によって空間的に変調されている。

シリコン板１０６はテラヘルツ波について高い透過性を有しており、テラヘルツ波１２３を透過させる。
電界変調子１０７はＺｎＴｅ結晶からなり、その（１１０）面がテラヘルツ波１２３の伝播方向に垂直になるように配置されている。
光学遅延１１２は、ビームスプリッタ１０２から電界変調子１０７に至る光路長がポンプ光１２１（テラヘルツ波１２３）とプローブ光１２２との間で一致するように、プローブ光の光路長を調整する。これによって、電界変調子１０７に入射する際にポンプ光１２１とテラヘルツ光１２３とが同位相となる。

ビームエクスパンダ１１３はプローブ光１２２のビーム径を拡大する。これにより、プローブ光１２２のビーム径がテラヘルツ光１２３のビーム径よりも大きくなる。
偏光子１１４は、プローブ光１２２の偏光状態を直線偏光にする。
検光子１０８は、偏光子１１４による直線偏光に偏光角が直交する直線偏光のみを透過させる。従って、偏光子１１４を透過した光はそのままでは検光子１０８を透過することができない。

さて、電界変調子１０７はテラヘルツ波１２３によって変調されると複屈折性が誘起される。この複屈折性によって、電界変調子１０７を透過するプローブ光１２２の偏光角が変調される。すなわち、プローブ光１２２の偏光面が捩れる。このため、プローブ光１２２は検光子１０８を透過すると変調された偏光角の大きさに応じたパワーをもつようになる。

テラヘルツ波１２３に検査対象１３１を透過させた場合には、領域１３１ａと他の領域との何れを透過するかによってテラヘルツ波１２３の強度が変調される。また、電界変調子１０７に誘起される複屈折性の空間分布はテラヘルツ波１２３の強度変調の空間分布と同じ分布となる。
従って、検光子１０８を透過したプローブ光１２２の強度分布は検査対象１３１におけるテラヘルツ光の透過特性の空間分布に等しいので、撮像素子１０９にてプローブ光１２２を受光すれば当該透過特性の空間分布を撮像することができる。

撮像素子１０９は、同期回路１１５からの同期信号に従って、チョッパ１０３に同期した蓄積時間で各個のフレームを撮像する。これによって、テラヘルツ波１２３が電界変調子１０７に照射しているときのプローブ光１２２と照射していないときのプローブ光１２２とを撮像し、信号処理回路１１０はこれらの差分を求めることによって、検査対象１３１の透過特性を表わす画像を生成する。

表示装置１１１は信号処理回路１１０が生成した画像を表示する。
（２） 撮像素子１０９の構成
次に、本実施の形態に係る撮像素子１０９の構成を説明する。撮像素子１０９はプローブ光１２２を撮像する際の外光の影響を排除するために、外光を遮断する光学フィルタを備える点を特徴とする。

図２は、本実施の形態に係る撮像素子１０９の特徴的な構成を示す断面図である。図２に示されるように、撮像素子１０９はシリコン基板２０１上に誘電体保護層２０３、光学フィルタ２０５及びマイクロレンズ２０６が順次積層されてなる。
シリコン基板２０１の表層部分にはフォトダイオード２０２が形成されている。
誘電体保護層２０３の内部には金属遮光膜２０４が形成されている。誘電体保護層２０３は窒化シリコン（Si_３N_４）からなり、波長４００ｎｍ以下の紫外光を吸収する紫外線カットフィルタになっている。これによって、不要光のうちの紫外線を除去することができる。

（３） 光学フィルタ２０５の構成
次に、光学フィルタ２０５の構成を説明する。光学フィルタ２０５は不要光のうちの可視光と赤外光とを除去し、波長７８０ｎｍ±１０ｎｍの波長域の光のみを選択的に９５％以上透過させる。
図３は、本実施の形態に係る光学フィルタ２０５の構成を示す断面図である。図３に示されるように、光学フィルタ２０５は誘電体保護層２０３上に酸化シリコン（SiO_２）層３０１、３０３とガリウムリン（GaP）層３０２とが交互に積層されてなる。

光学フィルタ２０５のうち、誘電体保護層２０３に近い８層を下位多層膜３１１、酸化シリコン層３０３を中間層、また、残りの８層を上位多層膜３１２という。酸化シリコン層３０１の物理膜厚は１３４ｎｍ、ガリウムリン層３０２の物理膜厚は８０ｎｍである。この物理膜厚にそれぞれの屈折率を乗じて求められる光学膜厚は相等しい。
すなわち、多層膜３１１、３１２はいわゆるλ／４多層膜になっており、各層の光学膜厚の４倍の波長の光を中心とする波長域の光を遮断する。この光遮断波長域がいわゆるフォトニックバンドギャップである。光遮断波長域は多層膜３１１、３１２を構成する２種類の誘電体層の誘電率の差に応じた帯域幅となる。

（４） 透過特性
次に、本実施の形態に係る光学フィルタ２０５の透過特性について説明する。
図４は、光学フィルタ２０５から中間層３０３を除いた場合の透過特性を示すグラフである。図４に示されるように、本実施の形態に係る光学フィルタ２０５は中間層３０３を除いた状態で波長４５０ｎｍから１０００ｎｍまでを光遮断波長域とする。

この光遮断波長域は光学フィルタ２０５が透過させるべき波長域である７８０ｎｍ±１０ｎｍを含んでいる。このため、本実施の形態においては、中間層３０３を設けることによって、当該波長域の光を透過させる。すなわち、中間層の光学膜厚を透過させるべき波長域の中心波長（７８０ｎｍ）の２分の１に等しくすることによって、当該中心波長における透過率を９５％以上とする。

図５は、本実施の形態に係る光学フィルタ２０５の透過特性を示すグラフである。図５に示されるように、光学フィルタ２０５は４５０ｎｍから１１００ｎｍまでの光遮断波長域のうち７８０ｎｍ±１０ｎｍの透過波長域のみ高い透過率を示す。
（５） Ｓ／Ｎ比
次に、光学フィルタ２０５が有る場合と無い場合とについてＳ／Ｎ比を比較する。図６は、本実施の形態に係る光学フィルタ２０５が有る場合と無い場合とについて、自然光下と照明光下とのそれぞれの場合のＳ／Ｎ比を示す表である。

図６に示されるように、光学フィルタ２０５を設ければ、光学フィルタ２０５が無い場合と比較して、１０倍以上のＳ／Ｎ比が得られる。従って、本実施の形態に係る検査装置１は自然光や照明光の下でも十分に実用に耐える。
透過光波の透過量と不要波長域光の減衰量の比すなわちＳ／Ｎ比を１００以上の高い値とすることが可能となるからである。

（６） 変形例
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明が上述の実施の形態に限定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施することができる。
（ａ） 上記実施の形態においては、多層膜３１１、３１２の材料として酸化シリコンとガリウムリンとを用いる場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これらに代えて他の材料を用いても良い。

（ｂ） 上記実施の形態においては、多層膜３１１、３１２と中間層３０３との両方に酸化シリコンを用いる場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、多層膜３１１、３１２の材料以外の材料を中間層３０３に用いても良い。
（ｃ） 上記実施の形態において述べた光学フィルタ２０５の各層の膜厚はあくまで例示に過ぎず、材料その他の条件に応じて異なる膜厚としても良い。テラヘルツ波と誘電体保護層２０３が遮断する紫外光と以外の波長の電磁波であって、フォトダイオード２０２が検知する電磁波を遮断することができれば、上記と異なっていても良い。

（ｄ） 上記実施の形態においては、多層膜３１１、３１２がそれぞれ８層からなる場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、８層以外の層数をとしても良い。また、多層膜３１１、３１２の層数が互いに異なっていても良い。
（ｅ） 上記実施の形態においては、専ら検査装置について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、テラヘルツ波を精度よく検出する必要があれば、検査以外の用途に用いられる装置に本発明に係る電磁波検出装置を適用しても、同様の効果を得ることができる。

（ｆ） 上記実施の形態においては、電界変調子１０７としてＺｎＴｅ結晶を用いる場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて他の電気光学結晶を用いても良い。どのようなものであれ、テラヘルツ波によって複屈折性が変調されるものであれば、電界変調子１０７として用いることができる。

本発明に係る電磁波検出装置は、可視光等、テラヘルツ波以外の電磁波に曝されてもテラヘルツ波を精度よく検出することができる装置として有用である。

本発明の実施の形態に係る検査装置の構成を示す模式図である。 本発明の実施の形態に係る撮像素子１０９の特徴的な構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態に係る光学フィルタ２０５の構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態に係る光学フィルタ２０５から中間層３０３を除いた場合の透過特性を示すグラフである。 本発明の実施の形態に係る光学フィルタ２０５の透過特性を示すグラフである。 本発明の実施の形態に係る光学フィルタ２０５が有る場合と無い場合とについて、自然光下と照明光下とのそれぞれの場合のＳ／Ｎ比を示す表である。 従来技術に係る検査装置の構成を例示する図である。

符号の説明

１、７……………検査装置
１０１、７０１…レーザ光源
１０２、７０２…ビームスプリッタ
１０３……………チョッパ
１０４、７０３…テラヘルツ光源
１０５……………レンズ
１０６……………シリコン板
１０７、７０５…電界変調子
１０８、７０６…検光子
１０９、７０７…撮像素子
１１０……………信号処理回路
１１１……………表示装置
１１２……………光学遅延
１１３……………ビームエクスパンダ
１１４、７０８…偏光子
１１５……………同期回路
１２１、７１１…ポンプ光
１２２、７１２…プローブ光
１２３、７１３…テラヘルツ波
１３１、７２１…検査対象
１３１ａ…………領域
２０１……………シリコン基板
２０２……………フォトダイオード
２０３……………誘電体保護層
２０４……………金属遮光膜
２０５……………光学フィルタ
２０６……………マイクロレンズ
３０１、３０３…酸化シリコン層
３０２……………ガリウムリン層
３１１……………下位多層膜
３１２……………上位多層膜
７０４……………ペリクルミラー

Claims (17)

1. 試料を透過したテラヘルツ波にて変調された電界変調素子に直線偏光を透過させ、その偏光角の変移を光強度として検出する電磁波検出装置であって、
   ２次元配列され、光強度を検出する複数の光電変換素子と、
   光電変換素子に入射する光を波長分離する光学フィルタと、を備え、
   光学フィルタは、該直線偏光の波長域を選択的に透過させる
   ことを特徴とする電磁波検出装置。
2. 光学フィルタは、直線偏光の波長域に応じた光学膜厚の誘電体層である中間層を、屈折率を異にし、光学膜厚を同じくする２種類の誘電体層を交互に積層した多層膜にて挟んだ多層膜干渉フィルタである
   ことを特徴とする請求項１に記載の電磁波検出装置。
3. 前記多層膜は６層以上の誘電体層からなる
   ことを特徴とする請求項２に記載の電磁波検出装置。
4. 直線偏光はレーザ光であって、前記多層膜を構成する誘電体層の光学膜厚はそれぞれ当該レーザ光の中心波長の４分の１にほぼ等しい
   ことを特徴とする請求項２に記載の電磁波検出装置。
5. 直線偏光はレーザ光であって、前記多層膜を構成する２種類の誘電体層の当該レーザ光の中心波長における屈折率の差が１以上である
   ことを特徴とする請求項４に記載の電磁波検出装置。
6. 直線偏光はレーザ光であって、中間層の光学膜厚は当該レーザ光の中心波長の２分の１にほぼ等しい
   ことを特徴とする請求項２に記載の電磁波検出装置。
7. 光学フィルタは相異なる波長の光を遮断する２以上の光学フィルタからなる
   ことを特徴とする請求項１に記載の電磁波検出装置。
8. 光学フィルタは、直線偏光の波長域に応じた光学膜厚の誘電体層である中間層を、屈折率を異にし、光学膜厚を同じくする２種類の誘電体層を交互に積層した前記多層膜にて挟んだ多層膜干渉フィルタと、紫外線吸収フィルタとからなる
   ことを特徴とする請求項７に記載の電磁波検出装置。
9. 紫外線吸収フィルタは四窒化三シリコンからなる
   ことを特徴とする請求項８に記載の電磁波検出装置。
10. 前記レーザ光は、中心波長が７００ｎｍから９００ｎｍまでの範囲内にある
    ことを特徴とする請求項４から６の何れかに記載の電磁波検出装置。
11. 前記レーザ光はチタン−サファイア短パルスレーザ光である
    ことを特徴とする請求項１０に記載の電磁波検出装置。
12. 前記多層膜を構成する誘電体層のうち屈折率が高い方の誘電体層は、前記レーザ光の中心波長について屈折率が３以上である
    ことを特徴とする請求項１１に記載の電磁波検出装置。
13. 前記多層膜を構成する誘電体層のうち屈折率が高い方の誘電体層はシリコン、ゲルマニウム、セレン、アルミニウムリン、アルミニウムアンチモン、ガリウムリン、ガリウムアンチモン、インジウムリン、インジウム砒素、インジウムアンチモン、亜鉛テルビウム、鉛イオウ、鉛テルビウム及び三酸化二鉄の何れかである
    ことを特徴とする請求項１２に記載の電磁波検出装置。
14. 光電変換素子ごとに入射光を集光する集光手段を備え、
    光学フィルタは、集光手段を透過した入射光を波長分離する
    ことを特徴とする請求項１に記載の電磁波検出装置。
15. 集光手段はレンズであり、
    前記直線偏光はパルス幅が１ピコ秒以下のパルスレーザ光である
    ことを特徴とする請求項１４に記載の電磁波検出装置。
16. 光学フィルタが光電変換素子上に積層されている
    ことを特徴とする請求項１に記載の電磁波検出装置。
17. 光電変換素子は、フォトダイオード、フォトトランジスタ、光導電素子、ショットキーバリアダイオード及び電界効果トランジスタの何れかである
    ことを特徴とする請求項１に記載の電磁波検出装置。

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